JP2008288012A - エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008288012A JP2008288012A JP2007131319A JP2007131319A JP2008288012A JP 2008288012 A JP2008288012 A JP 2008288012A JP 2007131319 A JP2007131319 A JP 2007131319A JP 2007131319 A JP2007131319 A JP 2007131319A JP 2008288012 A JP2008288012 A JP 2008288012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spacer
- layer
- gas barrier
- barrier layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract description 33
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 204
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 125
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 100
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 21
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 225
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 79
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 26
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 22
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 17
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 14
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 10
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N bisphenol F Chemical compound C1=CC(O)=CC=C1CC1=CC=C(O)C=C1 PXKLMJQFEQBVLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N (e)-2-phenylethenamine Chemical compound N\C=C\C1=CC=CC=C1 UWRZIZXBOLBCON-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- XPEKVUUBSDFMDR-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-3a,4,7,7a-tetrahydro-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound CC1C=CCC2C(=O)OC(=O)C12 XPEKVUUBSDFMDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000008064 anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010538 cationic polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006757 chemical reactions by type Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical class C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 125000005259 triarylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 239000002982 water resistant material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/55—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material
- H01L28/56—Capacitors with a dielectric comprising a perovskite structure material the dielectric comprising two or more layers, e.g. comprising buffer layers, seed layers, gradient layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8428—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8723—Vertical spacers, e.g. arranged between the sealing arrangement and the OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13069—Thin film transistor [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
- Y10T428/24983—Hardness
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】マトリクス状に配置された、駆動用TFT112により発光状態が制御される発光素子114を含む表示体層と、該表示体層上に形成された、少なくとも水蒸気を遮断する機能を有するガスバリア層66を含む封止層と、を含む表示体基板1と、カラーフィルタ層70と、カラーフィルタ層70上に形成された第1スペーサ81と、及び第1スペーサ81上に形成された第2スペーサ82と、を含む透光性材料からなる保護基板2と、が、第2スペーサ82とガスバリア層66とが突き合うように貼り合わされている表示装置であって、第2スペーサ82は、第1スペーサ81及びガスバリア層66よりも弾性率が低いことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【選択図】図2
Description
したがって、かかる構成により、表示体基板上に封止性の優れたガスバリア層を形成し、その上層に任意のギャップをもって保護基板を貼り合わせることができ、エレクトロルミネッセンス装置の表示性能を向上し、かつ、水蒸気の滲入による経年劣化が抑制できる。
したがってかかる構成によれば、上記有機緩衝層の変形により上記ガスバリア層が損傷を受けることが抑制されるため、経年劣化がより一層抑制され、かつ、表示性能がより一層向上したエレクトロルミネッセンス装置を得ることができる。
本発明はカラーフィルタ層の上層に形成されるスペーサに関するものであり、断面に特徴がある。そこで、まず図1を用いて、後述する実施形態及び従来例において共通するアクティブマトリクス型のEL装置の構成について説明する。
画素電極は、各々の駆動用TFT112と対応すべく、隣接する各々の画素電極間に所定の間隔を有する方形にパターニングされている。一方、機能層と陰極層は画像表示領域90の全範囲にわたって形成されており、画素電極と陰極層とで機能層を狭持している。
(第1の実施形態)
駆動用TFT112とゲート電極116との間、及びドレイン電極115と発光素子114との間等の各々の構成要素の間には、珪素酸窒化物等からなる層間絶縁膜が形成され、電気的に絶縁している。そして、必要な部分のみ該層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
(スペーサ等の形成材料)
(第2の実施形態)
そして次に、周辺シール剤77と保護基板2とで形成される凹部に透明充填剤78を供給する。供給法はジェットディスペンス法が好ましい。周辺シール剤77と透明充填剤78は、共に熱で硬化して接着する材料である。
そして次に、UV照射により周辺シール剤77を仮硬化させる。UVの照度は30mW/cm2、光量は2000mJ/cm2ほどが好ましい。UVに対しては、周辺シール剤77は塗布時よりも粘度上昇するものの、完全には固体化しない材料であり、透明充填剤78は硬化しない材料である。したがって、この段階では、透明充填剤78は低粘度の液状に保たれる。
本工程は1Pa程度の真空雰囲気下で貼り合わせが行われるため、周辺シール剤77が表示体基板1と接触すると、その内部は透明充填剤78と真空の空間が混在した状態となる。そして大気圧に戻されることで、上記の真空の空間は透明充填剤78で満たされる。透明充填剤78の供給量は、上記空間を完全に満たし、かつ、上記貼り合わせ時に外部ヘ押し出される量が最小となるように選択する。
本実施形態によれば、異なる弾性率を有する2層のスペーサを用いるため、発光素子114とカラーフィルタ層70とのギャップを維持し、かつ、ガスバリア層66を損ねることなく発光素子114とカラーフィルタ層70との相対位置を調整できる。したがって、EL装置の品質及び表示性能をより一層向上させることができる。
(第3の実施形態)
したがって、有機緩衝層64(図2参照)の平坦性を向上させてガスバリア層66表面の凹凸を低減すれば、第2スペーサ82を薄くする代わりに第1スペーサ81を厚くでき、ギャップのばらつきをより一層抑制できる。その結果、表示性能がより一層向上したEL装置を得ることができる。
(第4の実施形態)
なお、図6では第2スペーサ82に凹凸を形成したが、第1スペーサ81に凹凸を形成した後に第2スペーサ82を通常の手法で平坦化しても同様の効果が得られる。
(第5の実施形態)
(第6の実施形態)
かかる態様によれば、第1スペーサ81が透過性を有する必要がないため、第1スペーサ81の形成材料を、弾性率やコスト等に重点を置いて選択でき、表示品質を損なわずに、製造コスト等が向上したEL装置を得ることができる。
(第7の実施形態)
かかる態様によれば、第1スペーサ81及び第2スペーサ82の双方の形成材料を、弾性率やコスト等に重点を置いて選択でき、表示品質を損なわずに、製造コスト等がより一層向上したEL装置を得ることができる。
なお、第2スペーサ82の幅と、第1スペーサ81の幅は異なっていても本実施形態は実施可能である。
(第8の実施形態)
Claims (12)
- マトリクス状に配置されたスイッチング素子と該スイッチング素子により発光状態が制御される発光素子とを含む表示体層と、前記表示体層上に形成された少なくとも水蒸気を遮断する機能を有するガスバリア層を含む封止層と、を含む表示体基板と、表面に、互いに異なる材料からなる少なくとも2種類のスペーサが積層されている、透光性材料からなる保護基板と、が、前記スペーサの内の最上層のスペーサと前記ガスバリア層とが突き合うように貼り合わされているエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記最上層のスペーサは、前記ガスバリア層よりも弾性率が低いことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 - マトリクス状に配置されたスイッチング素子と該スイッチング素子により発光状態が制御される発光素子とを含む表示体層と、前記表示体層上に形成された少なくとも水蒸気を遮断する機能を有するガスバリア層を含む封止層と、を含む表示体基板と、カラーフィルタ層と前記カラーフィルタ層上に形成された第1スペーサと前記第1スペーサ上に形成された第2スペーサとを含む透光性材料からなる保護基板と、が前記第2スペーサと前記ガスバリア層とが突き合うように貼り合わされているエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第2スペーサは、前記第1スペーサ及び前記ガスバリア層よりも弾性率が低いことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 - 前記封止層が、前記表示体層上に順に積層される陰極保護層、有機緩衝層、及び前記ガスバリア層の少なくとも3種類の材料層を含むことを特徴とする請求項2に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
- 前記有機緩衝層の弾性率は、前記第2スペーサの弾性率よりも高いことを特徴とする請求項3に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
- 前記第2スペーサがパターニングされており、前記第1スペーサ上に局所的に配置されていることを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
- 前記カラーフィルタ層が、赤、緑、青の3原色のうちのいずれかの色相に着色されたカラーフィルタと、各々の該カラーフィルタを隔てる遮光性材料からなるブラックマトリクスとで形成されており、前記第1スペーサ及び前記第2スペーサの少なくともどちらか一方は、前記ブラックマトリクス上にのみ配置されていることを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
- 前記第2スペーサはパターニングされており、パターニングにより生じる側面部に10〜60度の順テーパーが形成されていることを特徴とする請求項2から4のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
- 前記第2スペーサの表面に凹凸が形成されていることを特徴とする請求項2から7のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
- 前記第2スペーサの膜厚が、前記第1スペーサの膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項2から8のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
- 基板表面に形成された素子群を保護する高弾性率材料からなるガスバリア層を最上層に有する第1の基板と、表面に2層以上のスペーサを有する第2の基板とを、前記ガスバリア層と前記スペーサとが突き合うように貼り合わせる工程を含むエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記2層以上のスペーサの内の最上層のスペーサを、該最上層のスペーサの下層のスペーサ及び前記ガスバリア層よりも弾性率が低い材料で形成して、前記最上層のスペーサに前記ガスバリア層の表面の凹凸を吸収させることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - マトリクス状に配置されたスイッチング素子と該スイッチング素子により発光状態が制御される発光素子とを含む表示体層と、前記表示体層上に形成された少なくとも水蒸気を遮断する機能を有するガスバリア層を含む封止層と、を含む表示体基板と、カラーフィルタ層と前記カラーフィルタ層上に形成された第1スペーサと前記第1スペーサ上に形成された第2スペーサとを含む透光性材料からなる保護基板と、を前記第2スペーサと前記ガスバリア層とが突き合うように前記表示体基板と前記保護基板とを重ねて加重をかけて貼り合わせる工程を含むエレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、
前記第2スペーサを、前記第1スペーサ及び前記ガスバリア層よりも弾性率が低い材料で形成して、前記第2スペーサが前記ガスバリア層の凹凸を吸収しながら前記ガスバリア層を陥没させることなく接触して、前記表示体層と前記カラーフィルタ層との間隔を略一定に保つことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。 - 前記貼り合わせる工程が、前記表示体基板と前記保護基板とを、前記第2スペーサと前記ガスバリア層とを突き合わせた状態で、水平方向に相対的に移動させる工程を含むことを特徴とする請求項11に記載のエレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007131319A JP2008288012A (ja) | 2007-05-17 | 2007-05-17 | エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法 |
US12/103,345 US8022625B2 (en) | 2007-05-17 | 2008-04-15 | Electro-luminescence device for improved display quality by suppressing irregularity of the gap and method of manufacturing electro-luminescence device |
KR1020080042713A KR20080101690A (ko) | 2007-05-17 | 2008-05-08 | El 장치와 그의 제조 방법 |
CN2008100971664A CN101308864B (zh) | 2007-05-17 | 2008-05-19 | 场致发光装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007131319A JP2008288012A (ja) | 2007-05-17 | 2007-05-17 | エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008288012A true JP2008288012A (ja) | 2008-11-27 |
Family
ID=40026830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007131319A Pending JP2008288012A (ja) | 2007-05-17 | 2007-05-17 | エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8022625B2 (ja) |
JP (1) | JP2008288012A (ja) |
KR (1) | KR20080101690A (ja) |
CN (1) | CN101308864B (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010182634A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
WO2010128593A1 (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-11 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
JP2011029022A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Rohm Co Ltd | 有機el装置 |
WO2014069362A1 (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-08 | ソニー株式会社 | 光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
WO2015146274A1 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | ソニー株式会社 | 表示パネル、表示装置および表示パネルの製造方法 |
JP2019070852A (ja) * | 2011-07-08 | 2019-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5111201B2 (ja) | 2008-03-31 | 2013-01-09 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 有機el表示装置 |
JP2009259732A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
KR100953655B1 (ko) * | 2008-07-08 | 2010-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR101065402B1 (ko) * | 2009-08-13 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
FR2949776B1 (fr) | 2009-09-10 | 2013-05-17 | Saint Gobain Performance Plast | Element en couches pour l'encapsulation d'un element sensible |
TWI503043B (zh) * | 2010-04-13 | 2015-10-01 | Au Optronics Corp | 電激發光顯示面板 |
US9935289B2 (en) | 2010-09-10 | 2018-04-03 | Industrial Technology Research Institute Institute | Environmental sensitive element package and encapsulation method thereof |
JP2012216452A (ja) * | 2011-04-01 | 2012-11-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 光半導体装置およびその製造方法 |
FR2973939A1 (fr) | 2011-04-08 | 2012-10-12 | Saint Gobain | Element en couches pour l’encapsulation d’un element sensible |
CN104024360B (zh) | 2012-01-06 | 2016-09-07 | Lg化学株式会社 | 电子装置的制造方法 |
KR102071330B1 (ko) | 2012-12-27 | 2020-01-30 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
TWI613709B (zh) * | 2013-02-20 | 2018-02-01 | 財團法人工業技術研究院 | 半導體元件結構及其製造方法與應用其之畫素結構 |
CN104037355A (zh) * | 2013-03-07 | 2014-09-10 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104051650A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104051651A (zh) * | 2013-03-15 | 2014-09-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
KR101589372B1 (ko) | 2013-05-21 | 2016-01-28 | 주식회사 엘지화학 | 봉지 필름 및 이를 이용한 유기전자장치의 봉지 방법 |
JP6190709B2 (ja) | 2013-12-04 | 2017-08-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP6318676B2 (ja) * | 2014-02-14 | 2018-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機発光装置の製造方法、有機発光装置、及び電子機器 |
TWI545996B (zh) * | 2014-04-23 | 2016-08-11 | 財團法人工業技術研究院 | 基板結構、其製造方法、及電子裝置之製造方法 |
KR102404584B1 (ko) * | 2014-12-09 | 2022-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조 방법 |
KR102299189B1 (ko) * | 2014-12-09 | 2021-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR102456698B1 (ko) * | 2015-01-15 | 2022-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 신축성 표시 장치 |
US9847509B2 (en) | 2015-01-22 | 2017-12-19 | Industrial Technology Research Institute | Package of flexible environmental sensitive electronic device and sealing member |
JP6290518B1 (ja) * | 2015-02-05 | 2018-03-07 | フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ | Ledモジュール及び封着方法 |
JP2016157566A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示装置の製造方法、及び、電子機器 |
KR102536869B1 (ko) * | 2016-02-01 | 2023-05-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
JP6758387B2 (ja) * | 2016-09-02 | 2020-09-23 | 富士フイルム株式会社 | 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット |
JP6785627B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2020-11-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR20180094199A (ko) * | 2017-02-14 | 2018-08-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
CN111295772A (zh) * | 2017-12-18 | 2020-06-16 | 深圳市柔宇科技有限公司 | 一种显示器及其显示器制造方法 |
KR20200010730A (ko) * | 2018-07-23 | 2020-01-31 | 주식회사 제우스 | 디스플레이부 제조장치 및 그 제조방법 |
CN110416258B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-11-02 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示器件及其制作方法 |
CN108899354B (zh) * | 2018-07-27 | 2021-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板和显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003243154A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Fuji Electric Co Ltd | 有機elディスプレイ |
JP2004311305A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Shin Sti Technology Kk | カラーフィルタ及び有機el表示素子の製造方法 |
JP2006222070A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2007042467A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001267070A (ja) | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Sharp Corp | カラーel表示装置の製造方法 |
JP2003017259A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示パネルの製造方法 |
KR20050051699A (ko) * | 2002-10-16 | 2005-06-01 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 표시 장치 및 그의 제조방법 |
JP4062171B2 (ja) | 2003-05-28 | 2008-03-19 | ソニー株式会社 | 積層構造の製造方法 |
JP4552390B2 (ja) | 2003-06-17 | 2010-09-29 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置の製造方法 |
JP4702009B2 (ja) | 2005-11-22 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP4559993B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2010-10-13 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP5367937B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2013-12-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-05-17 JP JP2007131319A patent/JP2008288012A/ja active Pending
-
2008
- 2008-04-15 US US12/103,345 patent/US8022625B2/en active Active
- 2008-05-08 KR KR1020080042713A patent/KR20080101690A/ko not_active Application Discontinuation
- 2008-05-19 CN CN2008100971664A patent/CN101308864B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003243154A (ja) * | 2002-02-18 | 2003-08-29 | Fuji Electric Co Ltd | 有機elディスプレイ |
JP2004311305A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Shin Sti Technology Kk | カラーフィルタ及び有機el表示素子の製造方法 |
JP2006222070A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-08-24 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
JP2007042467A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Sony Corp | 表示装置および表示装置の製造方法 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010182634A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
WO2010128593A1 (ja) * | 2009-05-08 | 2010-11-11 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
JP4601724B1 (ja) * | 2009-05-08 | 2010-12-22 | パナソニック株式会社 | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
US8242687B2 (en) | 2009-05-08 | 2012-08-14 | Panasonic Corporation | Organic EL display with a color filter having a black matrix and method of manufacturing the same |
JP2011029022A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Rohm Co Ltd | 有機el装置 |
JP2022116206A (ja) * | 2011-07-08 | 2022-08-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2019070852A (ja) * | 2011-07-08 | 2019-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US9711689B2 (en) | 2012-11-05 | 2017-07-18 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Optical unit and electronic apparatus |
JPWO2014069362A1 (ja) * | 2012-11-05 | 2016-09-08 | ソニー株式会社 | 光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
US9793443B2 (en) | 2012-11-05 | 2017-10-17 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Method for manufacturing an optical unit and electronic apparatus |
WO2014069362A1 (ja) * | 2012-11-05 | 2014-05-08 | ソニー株式会社 | 光学装置およびその製造方法、ならびに電子機器 |
CN106104660A (zh) * | 2014-03-25 | 2016-11-09 | 索尼公司 | 显示面板、显示设备以及制造显示面板的方法 |
WO2015146274A1 (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-01 | ソニー株式会社 | 表示パネル、表示装置および表示パネルの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8022625B2 (en) | 2011-09-20 |
US20080284331A1 (en) | 2008-11-20 |
CN101308864B (zh) | 2013-05-29 |
KR20080101690A (ko) | 2008-11-21 |
CN101308864A (zh) | 2008-11-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008288012A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法 | |
US7915823B2 (en) | Organic electroluminescent device with surface-modifying layer, method for manufacturing the same, and electronic apparatus including the same | |
US7902751B2 (en) | Organic electroluminescent device, method for producing the same, and electronic apparatus | |
JP4670875B2 (ja) | 有機el装置 | |
TWI462632B (zh) | 有機電激發光裝置和該製造方法及電子機器 | |
US8164258B2 (en) | Emissive device having a layer that relieves external forces on adjacent layer, process for producing the emissive device and an electronic apparatus including the emissive device | |
US20100253215A1 (en) | Organic electroluminescence device | |
JP5056777B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、その製造方法および電子機器 | |
JP2004192977A (ja) | 発光素子およびこの発光素子を用いた表示装置 | |
JP2009134984A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 | |
JP2010160906A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、および電子機器 | |
JP2008066216A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器 | |
JP2008235089A (ja) | 有機elディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
JP2009048834A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器 | |
JP2012216454A (ja) | 発光装置及び電子機器 | |
JP2010033734A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP2011076760A (ja) | 有機el装置およびその製造方法 | |
JP2009048835A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器 | |
JP5228513B2 (ja) | 有機el装置 | |
JP5493791B2 (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP2009146734A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 | |
JP2011023265A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法 | |
JP2009252687A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
JP2009163975A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 | |
JP2010182634A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110712 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110908 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111108 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111221 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120501 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20120511 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20120601 |