KR102122335B1 - 유기전계발광 표시장치 - Google Patents

유기전계발광 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102122335B1
KR102122335B1 KR1020130165283A KR20130165283A KR102122335B1 KR 102122335 B1 KR102122335 B1 KR 102122335B1 KR 1020130165283 A KR1020130165283 A KR 1020130165283A KR 20130165283 A KR20130165283 A KR 20130165283A KR 102122335 B1 KR102122335 B1 KR 102122335B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
capping layer
light emitting
organic light
display device
pixel
Prior art date
Application number
KR1020130165283A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150076740A (ko
Inventor
최성훈
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130165283A priority Critical patent/KR102122335B1/ko
Priority to US14/552,224 priority patent/US9343510B2/en
Priority to CN201410815674.7A priority patent/CN104752475B/zh
Publication of KR20150076740A publication Critical patent/KR20150076740A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102122335B1 publication Critical patent/KR102122335B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3026—Top emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission

Abstract

본 발명은 유기전계발광 표시장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 유기전계발광 표시장치는, 적색 서브화소, 녹색 서브화소 및 청색 서브화소를 포함하는 다수의 단위 서브화소를 구비하는 기판; 상기 기판 상에 형성되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 유기발광층; 상기 유기발광층 상에 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극 상에 형성된 캐핑층을 포함하고, 상기 캐핑층은 입사광의 파장이 증가함에 따라 굴절율이 증가하는 광학 조절 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는, 캐핑층의 두께를 서브화소와 무관하게 동일한 두께로 형성하여 생산성을 개선하고, 동시에 각 서브화소별로 최대 발광 효율을 확보할 수 있다.

Description

유기전계발광 표시장치{Organic light emitting diode display device}
본 발명은 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 캐핑층을 서브화소와 무관하게 일정한 두께로 형성하면서도 고 효율 특성을 확보할 수 있는 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.
최근, 본격적인 정보화 시대로 접어듦에 따라 전기적 정보신호를 시각적으로 표현하는 디스플레이(display)분야가 급속도로 발전해 왔고, 이에 부응하여 박형화, 경량화, 저소비전력화의 우수한 성능을 지닌 여러 가지 다양한 평판표시장치(Flat Display Device)가 개발되어 기존의 브라운관(Cathode Ray Tube: CRT)을 빠르게 대체하고 있다.
이 같은 평판표시장치의 구체적인 예로는 액정표시장치(Liquid Crystal Display device: LCD), 유기전계발광 표시장치(Organic Light Emitting Display: OLED), 전기영동표시장치(Electrophoretic Display: EPD,Electric Paper Display), 플라즈마표시장치(Plasma Display Panel device: PDP), 전계방출표시장치(Field Emission Display device: FED), 전기발광표시장치(Electro luminescence Display Device: ELD) 및 전기습윤표시장치(Electro-Wetting Display: EWD) 등을 들 수 있다. 이들은 공통적으로 영상을 구현하는 평판표시패널을 필수적인 구성요소로 하는데, 평판 표시패널은 고유의 발광물질 또는 편광물질층을 사이에 두고 대면 합착된 한 쌍의 기판을 포함하여 이루어진다.
이러한 평판표시장치 중 하나인 유기전계발광 표시장치(Organic light emitting diode display device)는 자발광소자인 유기발광소자를 포함하므로, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 별도의 광원이 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다. 또한, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다.
상기 유기발광소자는 유리 기판 위에 ITO 등으로 이루어진 양극과 알루미늄(Al) 등으로 이루어진 음극 사이에 유기물로 형성된 유기발광층을 증착하여 전기장을 가함으로 빛을 내는 소자이다. 상기 유기 발광 소자의 양극과 음극 사이에 전압을 인가하면, 양극으로부터 정공이 주입되고, 음극으로부터 전자가 주입된 후, 각각 이동을 통해 발광층에서 만나 엑시톤(exiton)을 생성한다. 유기전계발광 표시장치는 상기 생성된 엑시톤(exiton)이 기저상태로 떨어지면서 방출되는 빛을 이용할 수 있다.
종래 유기전계발광 표시장치의 유기발광소자는 반사막이 포함된 하부전극, 유기발광층 및 전면으로 발광될 수 있는 반투명전극인 상부전극을 포함하여 구성될 수 있다. 이때, 상기 상부전극 상에 광학 조절층 역할을 하는 캐핑층을 구비하여 효율을 증가시킬 수 있다. 상기 캐핑층은 외부와의 굴절율 차이를 조절함으로써 캐핑층과 외부 사이의 경계면에서 반사율을 증가시킬 수 있다. 이러한 반사율 증가를 통해 상기 캐핑층은 특정 파장에서의 마이크로 캐비티(micro-cavity) 효과를 나타낼 수 있다. 이때, 상기 캐핑층은 유기재료로 형성될 수 있으며, 마이크로 캐비티 효과를 극대화하기 위해 굴절율이 높은 무기재료로 형성될 수도 있다. 상기 캐핑층을 무기재료로 형성하는 경우, 유기재료와 비교하여 발광 효율이 더 개선되며, 수명도 보다 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래 유기전계발광 표시장치의 캐핑층 두께에 따른 발광 효율을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래 유기전계발광 표시장치의 캐핑층에 사용되는 무기재료의 두께에 따른 서브화소별 발광 효율이 개시되어 있다. 상기 유기발광소자에서 방출되는 빛은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브화소 별로 상이한 발광 파장을 갖는다. 이로 인해, 도 1과 같이 상기 캐핑층은 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브화소에 따라 최대 발광 효율을 갖기 위한 최적 두께가 각각 상이하다.
즉, 종래 유기전계발광 표시장치는 최적 두께를 고려하지 않고, 캐핑층이 모든 서브화소에서 동일한 두께로 형성되면 각 서브화소 별로 최대 발광 효율의 확보가 어려운 문제점이 있다. 또한, 캐핑층의 두께를 서브화소 별로 상이하게 적용하는 경우, 제조 공정에서 챔버를 달리하여야 하는 등 생산성이 저하되는 문제점이 있다.
따라서, 종래 유기전계발광 표시장치는 최대 발광 효율과 생산성 확보 중 어느 하나만 가능한 문제점이 있다.
본 발명은 캐핑층의 두께를 서브화소와 무관하게 동일한 두께로 형성하여 생산성을 개선하는 유기전계발광 표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 캐핑층을 서브화소와 무관하게 동일한 두께로 형성하면서도 각 서브화소 별로 최대 발광 효율을 확보할 수 있는 유기전계발광 표시장치를 제공하는데 다른 목적이 있다.
상기와 같은 종래 기술의 과제를 해결하기 위한 본 발명의 유기전계발광 표시장치는, 적색 서브화소, 녹색 서브화소 및 청색 서브화소를 포함하는 다수의 단위 서브화소를 구비하는 기판; 상기 기판 상에 형성되는 제 1 전극; 상기 제 1 전극 상에 형성된 유기발광층; 상기 유기발광층 상에 형성된 제 2 전극; 및 상기 제 2 전극 상에 형성된 캐핑층을 포함하고, 상기 캐핑층은 입사광의 파장이 증가함에 따라 굴절율이 증가하는 광학 조절 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는, 캐핑층의 두께를 서브화소와 무관하게 동일한 두께로 형성하여 생산성을 개선하는 제 1 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는, 캐핑층을 서브화소와 무관하게 동일한 두께로 형성하면서도 각 서브화소별로 최대 발광 효율을 확보할 수 있는 제 2 효과가 있다.
도 1은 종래 유기전계발광 표시장치의 캐핑층 두께에 따른 발광 효율을 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 캐핑층의 입사광의 파장에 따른 굴절율을 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 캐핑층 두께에 따른 발광 효율을 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치를 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 적색 서브화소(R), 녹색 서브화소(G) 및 청색 서브화소(B)를 포함하는 다수의 단위 서브화소로 구분되는 소자 기판(50) 상에 유기발광소자(100)가 형성된다. 상기 유기발광소자(100) 상에는 캐핑층(200)이 형성된다. 또한, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 적색 서브화소(R), 녹색 서브화소(G) 및 청색 서브화소(B)는 각각 발광영역(A)과 비발광영역(N)으로 구분된다.
상기 유기발광소자(100)는 제 1 전극(110), 유기발광층(120) 및 제 2 전극(130)으로 이루어진다. 상기 발광영역(A)과 비발광영역(N)은 상기 제 1 전극(110) 상에서 상기 제 1 전극(110)을 발광영역(A)에서만 노출하도록 형성되는 뱅크 패턴(140)을 통해 정의될 수 있다.
상기 제 1 전극(110)은 양극일 수 있다. 이때, 상기 제 1 전극(110)은 전극부(102)와 반사부(101)로 형성될 수 있다. 상기 반사부(101)는 알루미늄(Al)과 같은 반사율이 높은 금속물질로 형성된 반사막일 수 있다. 또한, 상기 전극부(102)는 ITO와 같은 투명성 도전성 물질로 형성될 수 있다. 다만, 상기 물질로 한정되지는 않는다.
상기 유기발광층(120)은 상기 뱅크 패턴을 통해 노출된 제 1 전극(110) 상에 형성된다. 상기 유기발광층(120)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성되거나, 또는 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층(hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer), 및 전자주입층(electron injection layer)의 다중층으로 구성될 수 있다. 도면 상에는 적색 서브화소(R), 녹색 서브화소(G) 및 청색 서브화소(B)의 유기발광층(120)이 모두 동일한 두께로 형성되나, 마이크로 캐비티 효과를 위해 상기 유기발광층(120)은 상기 서브화소 별로 최적화된 두께로 형성될 수 있으며, 이로 인해 서브화소 별로 각각 상이한 두께로 형성될 수 있다.
상기 유기발광층(120) 상에는 제 2 전극(130)이 형성된다. 상기 제 1 전극(110)이 양극인 경우, 상기 제 2 전극(130)은 음극일 수 있다. 상기 제 2 전극(130)은 전면으로 발광될 수 있도록 반투명전극으로 형성될 수 있다.
상기 소자 기판(50)은 유리 또는 플라스틱 등의 물질로 형성되는 절연 기판(10) 상에 형성된 각 서브화소를 구동시키는 박막 트랜지스터(Tr)를 포함한다. 상기 박막 트랜지스터(Tr)는 절연 기판(10) 상에 형성된 게이트 전극과, 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 게이트 전극과 중첩되어 채널을 형성하는 반도체층과, 채널을 사이에 두고 대향하는 소스 전극 및 드레인 전극으로 구성될 수 있다. 상기 박막 트랜지스터(Tr) 상에는 평탄화막(20)이 형성된다. 상기 소자 기판(50)에 형성된 상기 박막 트랜지스터(Tr) 드레인 전극은 유기발광소자 제 1 전극(110)과 연결된다.
상기 유기발광소자(100) 상에 캐핑층(200)이 형성된다. 상기 캐핑층(200)은 상기 유기발광소자(100)의 제 2 전극(130) 상에서 광학 조절층의 역할을 할 수 있다. 상기 캐핑층(200)은 외부와의 굴절율 차이를 조절함으로써 캐핑층과 외부 사이의 경계면에서 반사율을 증가시킬 수 있다. 이러한 반사율 증가를 통해 상기 캐핑층(200)은 특정 파장에서의 마이크로 캐비티(micro-cavity) 효과를 나타낼 수 있다.
종래 유기전계발광 표시장치에서는 캐핑층(200)을 모든 서브화소에서 동일한 두께로 형성할 경우에는 최대 발광 효율을 확보할 수 없었으며, 최대 발광 효율을 갖기 위해서는 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 서브화소에 따라 각 서브화소 별로 상이한 두께로 형성되었다. 이는 제조 공정에서 챔버를 달리하여야 하는 등 생산성이 저하되는 문제점이 있었다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 상기 캐핑층(200)이 파장이 증가함에 따라 굴절율이 증가하는 특성을 갖는 광학 조절 물질을 포함하여 형성된다. 이로 인해, 상기 캐핑층(200)이 모든 서브화소에서 동일한 두께로 형성되더라도 모든 서브화소가 각각 최대 발광 효율을 가질 수 있도록 할 수 있다. 이에 대해 자세히 검토하면 다음과 같다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 캐핑층의 입사광의 파장에 따른 굴절율을 도시한 도면이다.
상기 캐핑층(200)은 유기물질 또는 무기물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 도 3a 및 도 3b에 도시한 바와 같이 상기 캐핑층(200)은 파장이 증가함에 따라 굴절율이 증가하는 특성을 갖는 광학 조절 물질을 포함하여 형성될 수 있다. 예를 들어, 적색 서브화소(R)의 발광파장에서 상기 캐핑층(200)의 광학 조절 물질의 굴절율은 녹색 서브화소(G)의 발광파장에서 상기 캐핑층(200)의 광학 조절 물질의 굴절율보다 0.1 이상 증가할 수 있다. 또한, 녹색 서브화소(G)의 발광파장에서 상기 캐핑층(200)의 광학 조절 물질의 굴절율은 청색 서브화소(B)의 발광파장에서 상기 캐핑층(200)의 광학 조절 물질의 굴절율보다 0.1 이상 증가할 수 있다. 상기 서브화소는 청색 서브화소(B), 녹색 서브화소(G), 적색 서브화소(R) 순서로 발광파장이 크게 형성된다.
이때, 상기 캐핑층(200)의 광학 조절 물질은 GaSb, InGaSb 및 InSb로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다. 상기 도 3a는 InGaSb의 파장에 따른 굴절율을 도시한 도면이며, 도 3b는 GaSb의 파장에 따른 굴절율을 도시한 도면이다.
마이크로 캐비티 효과는 광학 조절층인 캐핑층(200)의 굴절율, 두께 그리고 발광 파장에 따라 나타난다.
[식 1]
2×n×d = m×λ
상기 식에서 n은 굴절율이고, d는 두께이고, m은 상수이며, λ는 파장 값이다.
종래 유기전계발광 표시장치에서 캐핑층(200)의 굴절율은 고려 대상이 아니었으며, 각 입사광의 파장값에 대응하는 굴절율을 참조하여 두께를 변화시켜 마이크로 캐비티 효과를 적용하였다. 또한, 종래 사용되는 캐핑층(200)의 재료는 입사광의 파장값이 증가함에 따라 굴절율이 감소한다. 이로 인해, 종래 유기전계발광 표시장치는 모든 서브화소에서 동일한 두께로 캐핑층(200)을 적용할 수 없었다.
본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는 파장값에 비례하여 굴절율이 증가하는 광학 조절 물질을 포함하여 형성되므로 모든 서브화소에서 동일한 두께의 캐핑층(200)이 적용될 수 있다.
상기 캐핑층(200)은 상기 광학 조절 물질만으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 캐핑층(200)은 원하는 굴절율을 얻기 위해 광학 조절 물질 외에 상기 광학 조절 물질과 굴절율이 상이한 유기 화합물 또는 무기 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 유기 화합물 또는 무기 화합물은 광학 조절 물질 보다 굴절율이 낮은 물질일 수 있다. 예를 들어, 굴절율이 1 내지 2인 유기 화합물 또는 무기 화합물일 수 있다. 예를 들면, 무기화합물은 LiF 및 MgF2 등으로 이루어진 군에서 선택이 가능하고, 유기 화합물은 Alq3, NPB 및 TPD 등으로 이루어진 군에서 선택이 가능하다. 다만, 상기 물질로 한정되지 않으며, 상기 캐핑층(200)을 원하는 굴절율로 형성하기 위한 재료면 족하다.
상기 캐핑층(200)의 광학 조절 물질이 GaSb, InGaSb 및 InSb과 같은 굴절율이 높은 재료로 형성되는 경우, 상기 캐핑층(200)은 필요한 굴절율보다 높은 굴절율을 갖도록 형성될 수 있다. 이때, 굴절율이 낮은 유기 화합물 또는 무기 화합물을 더 포함할 수 있다. 즉, 굴절율이 높은 재료와 굴절율이 낮은 재료를 증착 비율 또는 증착 속도를 조절하여 동시에 증착함으로써, 캐핑층(200)이 원하는 굴절율을 갖도록 형성할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치의 캐핑층 두께에 따른 발광 효율을 도시한 도면이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 캐핑층은 적색 서브화소(R), 녹색 서브화소(G) 및 청색 서브화소(B)의 두께에 따른 발광 효율이 유사한 형상으로 변화함을 알 수 있다. 상기 적색 서브화소에서 발광 효율이 최대값을 갖는 캐핑층의 두께와 상기 녹색 서브화소에서 발광 효율이 최대값을 갖는 캐핑층의 두께와 상기 청색 서브화소에서 발광 효율이 최대값을 갖는 캐핑층의 두께는 동일할 수 있다.
즉, 적색 서브화소(R), 녹색 서브화소(G) 및 청색 서브화소(B)의 최적화되는 두께가 동일하게 형성될 수 있다. 특히, 종래 유기전계발광 표시장치의 캐핑층 두께에 따른 발광 효율을 도시한 도면인 도 1과 비교할 때, 각 서브화소 별로 최적 두께가 서로 상이하게 형성되었던 종래 발명과 차이를 알 수 있다.
하기 표 1은 종래 캐핑층 및 본 발명에 따른 캐핑층을 비교예와 실시예로 하여 굴절율과 전류 발광효율을 비교한 실험결과이다. 비교예와 실시예는 모든 서브화소영역에서 각 캐핑층이 500Å으로 동일한 두께를 가지도록 형성되었다.
굴절율 전류 발광효율(cd/A)
R(630nm) G(530nm) B(460nm) R(630nm) G(530nm) B(460nm)
비교예 2.6 2.7 2.9 48 90 5.0
실시예 3.1 2.65 2.3 65 105 5.5
본 발명에 따른 캐핑층은 종래 캐핑층과 비교할 때, 입사광의 파장이 증가할수록 굴절율이 증가하는 특성을 갖는 재료를 포함하여 형성된다. 이로 인해, 광학 특성도 크게 개선됨을 확인할 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 유기전계발광 표시장치는, 캐핑층의 두께를 서브화소와 무관하게 동일한 두께로 형성하여 생산성을 개선하고, 동시에 각 서브화소 별로 최대 발광 효율을 확보할 수 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
50: 소자 기판
100: 유기발광소자
110: 제 1 전극
120: 유기발광층
130: 제 2 전극
140: 뱅크 패턴
200: 캐핑층

Claims (6)

  1. 적색 서브화소, 녹색 서브화소 및 청색 서브화소를 포함하는 다수의 단위 서브화소를 구비하는 기판;
    상기 기판 상에 형성되는 제 1 전극;
    상기 제 1 전극 상에 형성된 유기발광층;
    상기 유기발광층 상에 형성된 제 2 전극; 및
    상기 제 2 전극 상에 형성된 캐핑층을 포함하고,
    상기 캐핑층은 입사광의 파장이 증가함에 따라 굴절율이 증가하는 광학 조절 물질을 포함하고,
    상기 광학 조절 물질은 GaSb, InGaSb 및 InSb로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적색 서브화소의 발광파장에서 상기 캐핑층의 굴절율은 녹색 서브화소의 발광파장에서 상기 캐핑층의 굴절율보다 0.1 이상 크게 형성되고,
    상기 녹색 서브화소의 발광파장에서 상기 캐핑층의 굴절율은 청색 서브화소의 발광파장에서 상기 캐핑층의 굴절율보다 0.1 이상 크게 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 적색 서브화소에서 발광 효율이 최대값을 갖는 캐핑층의 두께와 상기 녹색 서브화소에서 발광 효율이 최대값을 갖는 캐핑층의 두께와 상기 청색 서브화소에서 발광 효율이 최대값을 갖는 캐핑층의 두께는 동일한 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 캐핑층은 유기화합물 또는 무기화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 유기화합물 또는 무기화합물은 1 내지 2의 굴절율을 갖는 물질인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 표시장치.
KR1020130165283A 2013-12-27 2013-12-27 유기전계발광 표시장치 KR102122335B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130165283A KR102122335B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 유기전계발광 표시장치
US14/552,224 US9343510B2 (en) 2013-12-27 2014-11-24 Organic light emitting display device
CN201410815674.7A CN104752475B (zh) 2013-12-27 2014-12-24 有机发光显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130165283A KR102122335B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 유기전계발광 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150076740A KR20150076740A (ko) 2015-07-07
KR102122335B1 true KR102122335B1 (ko) 2020-06-12

Family

ID=53482764

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130165283A KR102122335B1 (ko) 2013-12-27 2013-12-27 유기전계발광 표시장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9343510B2 (ko)
KR (1) KR102122335B1 (ko)
CN (1) CN104752475B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160065318A (ko) * 2014-11-28 2016-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102608421B1 (ko) * 2016-02-23 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN106299145A (zh) * 2016-10-17 2017-01-04 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管器件及其制作方法和显示面板
KR102404572B1 (ko) 2017-08-04 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102553880B1 (ko) 2017-08-07 2023-07-10 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자
CN108597386B (zh) 2018-01-08 2020-12-29 京东方科技集团股份有限公司 彩膜、微led器件及其制作方法、显示装置
CN111180607A (zh) * 2018-11-12 2020-05-19 天马日本株式会社 显示装置
KR20200082763A (ko) 2018-12-31 2020-07-08 엘지디스플레이 주식회사 투명 표시 장치
KR20220083333A (ko) * 2020-12-11 2022-06-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN113193150B (zh) * 2021-04-28 2023-06-16 合肥京东方卓印科技有限公司 顶发光显示面板及显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060011933A1 (en) 2004-07-16 2006-01-19 International Business Machines Corporation Optoelectronic device manufacturing
US20110095675A1 (en) 2009-10-23 2011-04-28 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic device
JP2012124500A (ja) * 2006-05-15 2012-06-28 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721554B1 (ko) * 2004-07-22 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
CN100555709C (zh) * 2004-11-16 2009-10-28 国际商业机器公司 包括电介质覆盖层的有机发光器件及其制造方法
JP2008059791A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Canon Inc 有機ｅｌ素子アレイ
KR101866390B1 (ko) * 2011-09-20 2018-06-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060011933A1 (en) 2004-07-16 2006-01-19 International Business Machines Corporation Optoelectronic device manufacturing
JP2012124500A (ja) * 2006-05-15 2012-06-28 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
US20110095675A1 (en) 2009-10-23 2011-04-28 Seiko Epson Corporation Light emitting device and electronic device

Also Published As

Publication number Publication date
CN104752475B (zh) 2018-01-02
KR20150076740A (ko) 2015-07-07
CN104752475A (zh) 2015-07-01
US20150187847A1 (en) 2015-07-02
US9343510B2 (en) 2016-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102122335B1 (ko) 유기전계발광 표시장치
KR101434361B1 (ko) 백색 유기 전계 발광소자 및 이를 이용한 컬러 디스플레이장치
KR101213487B1 (ko) 광추출효율이 향상된 유기전계 발광소자
US8872201B2 (en) Organic light emitting diode display
KR102059601B1 (ko) 유기 발광 장치
KR102397823B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US10340314B2 (en) Organic light-emitting diode display panel, electronic device and manufacturing method
WO2017043242A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、照明装置および表示装置
WO2017043243A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置および表示装置
KR20120139388A (ko) 블랙 매트릭스 함유 ｎｄ 필름을 구비한 유기 발광 표시 장치
US20190006628A1 (en) Organic Light-Emitting Diode Device and Manufacturing Method Thereof and Display Panel
KR100874321B1 (ko) 발광 소자 및 표시 장치
US10062862B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) display panel, electronic device and manufacturing method
KR20140077523A (ko) Oled 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR102037819B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102116414B1 (ko) 유기전계발광 표시장치
KR20070058765A (ko) 전계 발광소자
US9799844B2 (en) Organic light emitting element
US20190157358A1 (en) Organic electroluminescence display device
KR102388933B1 (ko) 유기발광표시장치
KR20190047373A (ko) 백색 유기 발광 소자 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
KR102094141B1 (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR20150020447A (ko) 유기 발광 표시 장치
KR20030093016A (ko) 유기 전계발광 소자
KR102159710B1 (ko) 유기전계발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant