CN108598128A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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江啓圣
蔡庭玮
詹钧翔
李欣浤
范铎正
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Abstract

一种发光装置，其包括第一基板、驱动元件、第一绝缘层及发光单元。驱动元件位于第一基板上。第一绝缘层设置于驱动元件上方，其中第一绝缘层具有第一开口。发光单元位于第一开口中，且发光单元包括第一电极、发光层以及第二电极，其中第一电极位于第一开口的底部和侧壁。本发明亦提出一种发光装置的制造方法。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种发光装置及其制造方法，且特别涉及一种无机的发光装置及其制造方法。
背景技术
量子点(Quantum Dot)是在把内部电子在三个空间方向上束缚住的半导体纳米结构。这种约束可以归结于静电势、两种不同半导体材料的介面、半导体的表面或者上述三者的结合。因此，量子点具有独特的光电特性，例如量子点在接受到激发光时，会根据其直径大小，发出各种不同颜色的高纯度单色光，故其常应用于彩色滤光片基板中的色彩转换元件。
然而，由于发光单元所产生的光线为球面光，故光线会往四面八方散射，不仅易产生漏光或是混光的问题，还会造成光源的损耗。举例来说，当光线往四面八方散射时，位于相邻子像素的色彩转换元件易接收到激发光而产生漏光或是混光的问题。
因此，如何集中发光单元所产生的光线，以改善漏光或是混光的问题，实为目前研发人员亟欲解决的问题之一。
发明内容
本发明提供一种发光装置及其制造方法，其可集中发光单元所产生的光线，以改善漏光或是混光的问题。
本发明提供一种发光装置，其包括第一基板、驱动元件、第一绝缘层以及发光单元。驱动元件位于第一基板上。第一绝缘层设置于驱动元件上方，其中第一绝缘层具有第一开口。发光单元位于第一开口中，且发光单元包括第一电极、发光层以及第二电极，其中第一电极位于第一开口的底部和侧壁。
本发明提供一种发光装置结构的制造方法，其包括以下步骤。提供第一基板。形成驱动元件于第一基板上。形成第一绝缘层于驱动元件上，其中第一绝缘层具有第一开口。形成发光单元于第一开口中，且发光单元包括第一电极、发光层以及第二电极，其中第一电极形成于第一开口的底部和侧壁上。
基于上述，在本发明实施例的发光装置及其制造方法中，由于第一电极形成于第一开口的底部和侧壁上，使得向四面八方散射的光线可经由第一电极反射而集中于发光单元的上方处，如此可提升光准直(collimation of light)，以改善漏光或是混光的问题，进而减少光源损耗并提升色彩纯度。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为依据本发明一实施例的发光装置的剖视示意图；
图2为依据本发明另一实施例的发光装置的剖视示意图；
图3为依据本发明又一实施例的发光装置的剖视示意图；
图4为依据本发明再一实施例的发光装置的剖视示意图；
图5为依据本发明其他实施例的发光装置的剖视示意图；
图6为依据本发明其他实施例的发光装置的剖视示意图；
图7为依据本发明其他实施例的发光装置的剖视示意图。
其中，附图标记
100：第一基板
102：驱动元件
104：介电层
106：第一绝缘层
108：第二绝缘层
200：第二基板
1000、2000、3000、4000、5000、6000：发光装置
BL1：第一缓冲层
BL2：第二缓冲层
SE：半导体层
GI：栅绝缘层
G：栅极
S：源极
SC：源极接触区
D：漏极
DC：漏极接触区
C1、C2、C3：接触窗
OP1：第一开口
OP1a：底部
OP1b：侧壁
OP2：第二开口
EU：发光单元
EL：发光层
E1：第一电极
E2：第二电极
HTL：电洞传输层
ETL：电子传输层
EIL：电子注入层
L：光线
PS：间隔物
CF：色阻层
ML：微透镜结构
Z：垂直投影方向
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
以下将参照本实施例的附图以更全面地阐述本发明。然而，本发明亦可以各种不同的形式体现，而不应限于本文中所述的实施例。附图中的层与区域的厚度会为了清楚起见而放大。相同或相似的参考号码表示相同或相似的元件，以下段落将不再一一赘述。另外，实施例中所提到的方向用语，例如：上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本发明。
图1为依据本发明一实施例的发光装置的剖视示意图。图2为依据本发明另一实施例的发光装置的剖视示意图。
请参照图1，提供基板100。基板100例如是玻璃基材、石英基材或有机聚合物基材。在本实施例中，基板100的材料是以多晶硅为例进行说明。在一些实施例中，可于基板100上依序形成第一缓冲层BL1和第二缓冲层BL2。第一缓冲层BL1的材料例如是氮化硅(SiNX)。第一缓冲层BL1的形成方法例如是化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,CVD)。第二缓冲层BL2的材料例如是氧化硅(SiOX)。第二缓冲层BL2的形成方法例如是化学气相沉积法。
接着，于基板100上形成驱动元件102。在一些实施例中，驱动元件102例如是底部栅极型(bottom gate)薄膜晶体管或是顶部栅极型(top gate)薄膜晶体管，其可包括半导体层SE、栅绝缘层GI、栅极G和源极S和漏极D。在本实施例中，驱动元件102可形成于第二缓冲层BL2上，并且其是以顶部栅极型薄膜晶体管为例进行说明。在本实施例中，驱动元件102的形成方法是以下述步骤为例进行说明，但本发明不以此为限。
首先，于第二缓冲层BL2上形成半导体层SE。半导体层SE的材料例如是非晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料或其他适合的材料。在一些实施例中，半导体层SE的相对两端可含有掺杂物(dopant)，以形成用来连接源极S的源极接触区SC和用来连接漏极D的漏极接触区DC。除此之外，为了减少半导体层SE与源极S和漏极D之间的接触电阻，在一些实施例中，还可于半导体层SE上形成具有N型掺杂或P型掺杂的殴姆接触层(未绘示)。半导体层SE的形成方法例如是先通过化学气相沉积法形成非晶硅层，之后再利用如准分子激光的方式对非晶硅层进行退火工艺以形成材料为多晶硅的半导体层SE。
然后，于半导体层SE上形成覆盖半导体层SE的栅绝缘层GI。栅绝缘层GI的材料可以是无机材料。举例来说，无机材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。栅绝缘层GI的形成方法例如是化学气相沉积法、旋转涂布法(spin coating)或其组合。
接着，于栅绝缘层GI上形成栅极G。栅极G的材料可以是导电材料，例如金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物或其组合。在一些实施例中，栅极G的形成方法例如是物理气相沉积法(Physical Vapor Deposition,PVD)。
之后，于栅极G上形成介电层104。介电层104的材料可以是无机材料。举例来说，无机材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。介电层104的形成方法例如是化学气相沉积法、旋转涂布法或其组合。
而后，于介电层104上形成源极S和漏极D，以形成驱动元件102。源极S和漏极D的材料可以是导电材料，例如金属、金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物或其组合。在本实施例中，源极S和漏极D可分别通过接触窗C1、C2连接至半导体层SE的源极接触区SC和漏极接触区DC。源极S和漏极D的形成方法例如是物理气相沉积法。
请继续参照图1，于第一基板100上形成第一绝缘层106。第一绝缘层106的材料可以是无机材料，例如氧化硅、氮化硅或其组合。第一绝缘层106的形成方法例如是化学气相沉积法。在本实施例中，第一绝缘层106可形成于介电层104上且覆盖源极S和漏极D，并且第一绝缘层106具有暴露出部分的介电层104的第一开口OP1。
接着，于第一开口OP1中形成发光单元EU，以形成发光装置1000。发光单元EU包括第一电极E1、发光层EL以及第二电极E2。在本实施例中，第一电极E1可形成于第一开口OP1的底部OP1a和侧壁OP1b上，而发光层EL和第二电极E2则可依序形成于第一电极E1上。如此一来，即便发光层EL所产生的光线L向四面八方散射，也可经由第一电极E1反射而集中于发光单元EU的上方处，如此可提升光准直，以改善漏光或是混光的问题，进而减少光源损耗并提升色彩纯度。在一些实施例中，第一开口OP1的内径可随着远离第一基板100渐增，使得第一开口OP1呈现杯状结构，进而让发光层EL所产生的光线L能更集中于发光单元EU的上方处，藉此提升光准直。在本实施例中，发光单元EU的形成方法例如是经由下述步骤形成于第一开口OP1中。
首先，于第一开口OP1的底部OP1a和侧壁OP1b上形成第一电极E1。在本实施例中，第一电极E1的材料可包括能够反射可见光的导电材料，例如铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、镁(Mg)、铂(Pt)、金(Au)或其组合，并且第一电极E1可为单层、双层或多层结构。举例来说，第一电极E1可以是将银层夹设于两个铟锡氧化物(ITO)之间的三层结构(ITO/Ag/ITO)。在本实施例中，第一电极E1可与驱动元件102电性连接。举例来说，第一电极E1可通过接触窗C3连接于驱动元件102的漏极D。也就是说，第一电极E1除了形成于第一开口OP1的底部OP1a和侧壁OP1b上之外，还形成于第一绝缘层106的部分表面上以及接触窗C3中，以电性连接于驱动元件102。在本实施例中，驱动元件102是以薄膜晶体管为例进行说明，故第一电极E1可电性连接于驱动元件102的漏极D，但本发明不以此为限。
接着，于第一电极E1上形成发光层EL。发光层EL可具有量子阱(Quantum Well,QW)，例如单量子阱(SQW)、多量子阱(MQW)或其它的量子阱。在一些实施例中，发光层EL的材料可包括氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、砷化镓(GaAs)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、砷化铟铝镓(InAlGaAs)或其他IIIA族和VA族元素组成的材料。在另一些实施例中，发光层EL的材料也可包括钙钛矿(perovskite)材料。钙钛矿材料可为通式ABX3所表示的化合物，其中A为有机或无机材料；B为无机二价金属；X为卤素。钙钛矿材料具有独特的光电特性，致使其所激发出的光具高色纯度，并且钙钛矿材料除了可用来作为光致发光元件之外，也可作为电致发光的元件。另外，可依据钙钛矿材料中的卤素成分来决定激发光的颜色。举例来说，当钙钛矿材料是由CsPbBr3所表示的化合物时，其可激发出绿光；当钙钛矿材料是由CsPbI3所表示的化合物时，其可激发出红光；当钙钛矿材料是由CsPbCl3所表示的化合物时，其可激发出蓝光。在一些实施例中，发光层EL可为无机的钙钛矿材料(例如CsPbX3,X＝Cl,Br,I)，使其具有更佳的稳定性和发光效率。
在一些实施例中，在形成发光层EL之前，可于第一电极E1上形成电洞传输层HTL，使得电洞传输层HTL形成于第一电极E1和发光层EL之间。如此一来，可以提升电洞传输至发光层EL中并与电子复合(recombination)的能力，以提升发光效率。电洞传输层HTL的材料可以是有机材料、无机材料，例如氧化镍(NiOX)、氧化锌(ZnO)、氧化钼(MoOx)、聚对苯乙烯磺酸的混合物(3,4-polyethylenedioxythiophene：polystyrenesulfonate，(PEDOT：PSS))或其组合。在一些实施例中，电洞传输层HTL的形成方法可以是先采用蒸镀、溅镀、旋涂法(spin coating)或其组合的方式将电洞传输材料层形成于第一电极E1上，之后再对电洞传输材料层进行热处理工艺，以形成致密的电洞传输层HTL。热处理工艺的温度例如是大于等于300℃。在本实施例中，电洞传输层HTL形成于第一绝缘层106上，并且覆盖第一电极E1的顶部和侧壁。
在一些实施例中，可选择性地于发光层EL和电洞传输层HTL之间设置电子阻挡层(未绘示)，使得电子进入发光层EL中后能被电子阻挡层阻挡而局限于发光层EL中，进而获得更佳的发光效率。应注意的是，当电洞传输层HTL的材料为NiO的情况下，电洞传输层HTL除了具有传输电洞的功能之外，其还具有阻挡电子的功效，故可不需额外设置电子阻挡层。在另一些实施例中，还可选择性地于第一电极E1和电洞传输层HTL之间设置电洞注入层(未绘示)，使得电洞更容易注入至发光层EL中而获得更佳的发光效率。
接着，于电洞传输层HTL上形成第二绝缘层108。第二绝缘层108的材料可以是无机材料或有机材料。举例来说，无机材料可以是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合；有机材料可以是聚酰亚胺系树脂、环氧系树脂或压克力系树脂等高分子材料。第二绝缘层108的形成方法例如是化学气相沉积法、旋转涂布法或其组合。在本实施例中，第二绝缘层108可具有暴露部分电洞传输层HTL的第二开口OP2，以定义出后续欲形成的发光层EL的位置。也就是说，第二绝缘层108位于第一绝缘层106上且围绕后续形成的发光层EL。在一些实施例中，第二绝缘层108可部分围绕或完全环绕后续形成的发光层EL。在本实施例中，第二开口OP2于第一基板100的垂直投影方向Z上可与第一开口OP1重叠。如此一来，发光层EL可形成于第一开口OP1的相对中心处，使得发光层EL所产生的光线L能良好的被第一电极E1反射(例如向四周散射得光线能被设置在第一开口OP1侧壁OP1b上的第一电极E1反射)，进而让光线更为集中于第一开口OP1的中心上方处。在一些实施例中，电洞传输层HTL可覆盖于第一绝缘层106上和第一电极E1上，而第二绝缘层108可覆盖于电洞传输层HTL上(如图1所示)。
另外，由于第二绝缘层108是在形成于电洞传输层HTL之后，因此第二绝缘层108不会受到形成电洞传输层HTL的工艺影响(例如上述的热处理工艺)，而导致第二绝缘层108受到损害，如此可提升第二绝缘层108的工艺裕度(window)。举例来说，当第二绝缘层108的材料为有机光阻材料时，其无法承受电洞传输层HTL于热处理工艺中所使用的温度，因此，若先形成第二绝缘层108再于第二开口OP2中形成电洞传输层HTL，将使得第二绝缘层108的材料及形成方法受到限制。
之后，可于第二开口OP2所暴露的电洞传输层HTL上依序形成发光层EL和第二电极E2，使得发光层EL可形成于第一电极E1上并且设置在第一电极E1和第二电极E2之间，藉此将发光单元EU形成于第一开口OP1中。在本实施例中，发光单元EU可由无机材料所构成，例如无机的钙钛矿材料，使其具有更佳的稳定性、色纯度和发光效率。
在本实施例中，第二电极E2的材料可为透明的导电材料，并且第二电极E2可为单层、双层或多层结构。举例来说，第二电极E2可以是由铝(Al)和镁银合金(Mg-Ag)所构成的双层结构(Al/Mg-Ag)。
在一些实施例中，在形成第二电极E2之前，可选择性地于发光层EL上形成电子传输层ETL，使得电子传输层ETL形成于第二电极E2和发光层EL之间。如此一来，可以提升电子传输至发光层EL中并与电洞复合的能力，以提升发光效率。在本实施例中，电子传输层ETL可形成于第二开口OP2中，故第二绝缘层108除了围绕发光层EL之外，其还围绕上述的电子传输层ETL。在一些实施例中，第二绝缘层108可部分围绕或完全环绕此电子传输层ETL。电子传输层ETL的材料例如是1,3,5-三(2-N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、氧化锌(ZnO)或其组合。在另一些实施例中，还可选择性地于电子传输层ETL和发光层EL之间设置电洞阻挡层(未绘示)，使得电洞进入发光层EL中后能被电洞阻挡层阻挡而局限于发光层EL中，进而获得更佳的发光效率。在其他实施例中，还可选择性地于电子传输层ETL和第二电极E2之间设置电子注入层EIL，使得电子更容易注入至发光层EL中而获得更佳的发光效率。电子注入层EIL的材料例如是氟化锂(LiF)、氟化铯(CsF)或其组合。
在一些实施例中，还可选择性地于第二绝缘层108上和发光单元EU的一侧边形成间隔物PS。在本实施例中，间隔物PS位于发光单元EU的相对两侧。间隔物PS的材料例如是有机光阻材料。间隔物PS的形成方法例如是先以旋涂的方式将间隔物材料层(未绘示)形成于第二绝缘层108上，之后再藉由微影的方式来图案化上述的间隔物材料层，以形成间隔物PS。在一些实施例中，如图2所示，可选择性地于间隔物PS上覆盖第二基板200。第二基板200可选择性地为色彩转换基板，例如第二基板200上具有色彩转换元件(未绘示)，但本发明不以此为限。在其他实施例中，彩色滤光元件可形成于第一基板100上，则第二基板200可选择性地为保护基板。
基于上述，在本发明一实施例的发光装置1000中，由于第一电极E1形成于第一开口OP1的底部OP1a和侧壁OP1b上，使得向四面八方散射的光线L可经由第一电极E1反射而集中于发光单元EU的上方处，如此可提升光准直，以改善漏光或是混光的问题，进而减少了光源损耗并可提升色彩纯度。
以下，将藉由图1来说明本实施例的发光装置。此外，本实施例的发光装置的制造方法虽然是以上述制造方法为例进行说明，但并不以此为限。
请参照图1，发光装置1000可包括第一基板100、驱动元件102、第一绝缘层106以及发光单元EU。驱动元件102可位于第一基板102上。第一绝缘层106可设置于驱动元件102上方，其中第一绝缘106层可具有第一开口OP1。发光单元EU可位于第一开口OP1中，且发光单元EU可包括第一电极E1、发光层EL以及第二电极E2，其中第一电极E1可位于第一开口OP1的底部OP1a和侧壁OP1b。在一些实施例中，第一开口OP1的内径可随着远离第一基板100渐增。在一些实施例中，发光单元EU更可包括电洞传输层HTL以及电子传输层ETL，其中电洞传输层HTL可位于第一电极E1和发光层EL之间，而电子传输层ETL可位于第二电极E2和发光层EL之间。在一些实施例中，第二绝缘层108可位于第一绝缘层106之上，且具有第二开口OP2。第二绝缘层108可围绕发光层EL和电子传输层ETL。在另一些实施例中，第二绝缘层108可部分围绕或完全环绕发光层EL和电子传输层ETL。在一些实施例中，电洞传输层HTL可覆盖于第一绝缘层106上和第一电极E1上，而第二绝缘层108覆盖于电洞传输层HTL上。在一些实施例中，发光单元EU更可包括电子注入层EIL，其位于第二电极E2和电子传输层ETL之间。
图3为依据本发明又一实施例的发光装置的剖视示意图，其中发光装置2000大致相同于发光装置1000，其不同之处在于发光装置2000更包括于发光单元EU上设置色阻层CF，故相同或相似元件使用相同或相似标号，其余构件的连接关系、材料及其工艺已于前文中进行详尽地描述，故于下文中不再重复赘述。
请参照图3，于发光单元EU上形成色阻层CF，如此可进一步防止因大角度散射光而产生混光的问题，并且可省略于上基板(例如图2所示的第二基板200)上设置色彩转换元件(例如彩色滤光片)的成本。色阻层CF的材料例如是彩色光阻、混有量子点或量子杆的有机层或无机层或上述的组合或是其他适合的色彩转化材料。色阻层CF的形状不限于平面，亦可依据需求制作成类似透镜的结构，本发明不以此为限。色阻层CF例如是以喷涂的方式形成于发光单元EU上。在一些实施例中，色阻层CF可形成于第二开口OP2中。
图4为依据本发明再一实施例的发光装置的剖视示意图，其中发光装置3000大致相同于发光装置1000，其不同之处在于发光装置3000还包括于发光单元EU上设置微透镜结构ML，故相同或相似元件使用相同或相似标号，其余构件的连接关系、材料及其工艺已于前文中进行详尽地描述，故于下文中不再重复赘述。
请参照图4，于发光单元EU上形成微透镜结构ML，如此可更进一步提升光准直，使得散射光或折射光所导致的漏光及混光的问题能够将低，进而减少光损耗并提升色彩纯度。微透镜结构ML可以是中心厚度较边缘厚度大的透镜结构，例如对称双凸透镜、非对称双凸透镜、平凸透镜或凹凸透镜。
图5为依据本发明其他实施例的发光装置的剖视示意图，其中发光装置4000大致相同于发光装置1000，其不同之处在于发光装置4000是先形成具有第二开口OP2的第二绝缘层108之后，才于第二开口OP2中形成电洞传输层HTL，故相同或相似元件使用相同或相似标号，其余构件的连接关系、材料及其工艺已于前文中进行详尽地描述，故于下文中不再重复赘述。
请参照图5，在本实施例中，发光单元EU例如是经由以下步骤形成于第一开口OP1中。首先，于第一开口OP1的底部OP1a和侧壁OP1b上形成第一电极E1。接着，于第一电极E1与第一绝缘层106上形成第二绝缘层108。第二绝缘层108具有暴露部分第一电极E1的第二开口OP2。在本实施例中，第二开口OP2于第一基板100的垂直投影方向Z上可与第一开口OP1重叠。之后，于第二开口OP2所暴露的第一电极E1上依序形成电洞传输层HTL、发光层EL、电子传输层ETL和第二电极E2。也就是说，第二绝缘层108覆盖于第一绝缘层106上，且其围绕后续形成的电洞传输层HTL、发光层EL、电子传输层ETL和第二电极E2。在一些实施例中，第二绝缘层108也可部分围绕或完全环绕后续形成的电洞传输层HTL、发光层EL、电子传输层ETL和第二电极E2。在一些实施例中，还可选择性地于第二电极E2和电子传输层ETL之间设置电子注入层EIL。
在本实施例中，由于是先形成第二绝缘层108之后，才于第二绝缘层108的第二开口OP2中形成电洞传输层HTL，因此第二绝缘层108的材料可为无机材料，使得第二绝缘层108不会受到形成电洞传输层HTL的工艺影响(例如上述的热处理工艺)，而导致第二绝缘层108受到损害。
图6为依据本发明其他实施例的发光装置的剖视示意图，其中发光装置5000大致相同于发光装置4000，其不同之处在于发光装置5000还包括于发光单元EU上设置微透镜结构ML，故相同或相似元件使用相同或相似标号，其余构件的连接关系、材料及其工艺已于前文中进行详尽地描述，故于下文中不再重复赘述。
请参照图6，于发光单元EU上形成微透镜结构ML，如此可更进一步提升光准直，使得散射光或折射光所导致的漏光及混光的问题能够将低，进而减少光损耗并提升色彩纯度。微透镜结构ML可以是中心厚度较边缘厚度大的透镜结构，例如对称双凸透镜、非对称双凸透镜、平凸透镜或凹凸透镜。
图7为依据本发明其他实施例的发光装置的剖视示意图，其中发光装置6000大致相同于发光装置4000，其不同之处在于发光装置6000更包括于发光单元EU上设置色阻层CF，故相同或相似元件使用相同或相似标号，其余构件的连接关系、材料及其工艺已于前文中进行详尽地描述，故于下文中不再重复赘述。
请参照图7，于发光单元EU上形成色阻层CF，如此可进一步防止因大角度散射光而产生混光的问题，并且可省略于上基板(例如图2所示的第二基板200)上设置色彩转换元件(例如彩色滤光片)的成本。色阻层CF的材料例如是彩色光阻或是混有量子点或量子杆的有机层或无机层或上述的组合或是其他适合的色彩转化材料。色阻层CF的形状不限于平面，亦可依据需求制作成类似透镜的结构，本发明不以此为限。色阻层CF例如是以喷涂的方式形成于发光单元EU上。在一些实施例中，色阻层CF形成于第二开口OP2中。
综上所述，在上述实施例的发光装置及其制造方法中，由于第一电极形成于第一开口的底部和侧壁上，使得向四面八方散射的光线可经由第一电极反射而集中于发光单元的上方处，如此可提升光准直，以改善漏光或是混光的问题，进而减少光源损耗并提升色彩纯度。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (20)

1.一种发光装置，其特征在于，包括：
一第一基板；
一驱动元件，位于该第一基板上；
一第一绝缘层，设置于该驱动元件上方，其中该第一绝缘层具有一第一开口；以及
一发光单元，位于该第一开口中，且电性连接至该驱动元件，其中该发光单元包括一第一电极、一发光层以及一第二电极，而该第一电极位于该第一开口的底部和侧壁。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该第一开口的内径随着远离该第一基板渐增。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该发光单元更包括：
一电洞传输层，位于该第一电极和该发光层之间；以及
一电子传输层，位于该第二电极和该发光层之间。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，更包括：
一第二绝缘层，位于该第一绝缘层之上，且该第二绝缘层围绕该发光层和该电子传输层。
5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，该电洞传输层覆盖于该第一绝缘层和该第一电极上。
6.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，更包括：
一第二绝缘层，覆盖于该第一绝缘层上，其中该第二绝缘层具有一第二开口，且该电洞传输层和该发光层位于该第二开口中。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，该第二绝缘层为无机材料。
8.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，该发光单元更包括：
一电子注入层，位于该第二电极和该电子传输层之间。
9.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该发光单元由无机材料所构成。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其特征在于，该发光层的材料包括钙钛矿。
11.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，更包括：
一色阻层，位于该发光单元上。
12.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，更包括：
一微透镜结构，位于该发光单元上。
13.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，更包括：
一间隔物，位于该第二绝缘层上以及该发光单元的一侧边。
14.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于，更包括：
一第二基板，其中该间隔物位于该第二绝缘层与该第二基板之间。
15.一种发光装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一第一基板；
形成一驱动元件于该第一基板上；
形成一第一绝缘层于该驱动元件上，其中该第一绝缘层具有一第一开口；以及
形成一发光单元于该第一开口中，该发光单元电性连接至该驱动元件，其中该发光单元包括一第一电极、一发光层以及一第二电极，而该第一电极形成于该第一开口的底部和侧壁上。
16.根据权利要求15所述的发光装置的制造方法，其特征在于，该发光单元更包括：
一电洞传输层，形成于该第一电极和该发光层之间；以及
一电子传输层，形成于该第二电极和该发光层之间，其中于该第一开口中形成该发光单元的方法包括：
于该第一开口的底部和侧壁上形成该第一电极；
于该第一电极的顶部和侧壁上覆盖该电洞传输层；
于该电洞传输层上形成一第二绝缘层，其中该第二绝缘层具有暴露部分该电洞传输层的一第二开口，且该第二开口于该第一基板的一垂直投影方向上与该第一开口重叠；以及
于该第二开口所暴露的该电洞传输层上依序形成该发光层、该电子传输层和该第二电极。
17.根据权利要求16所述的发光装置的制造方法，其特征在于，该电洞传输层覆盖于该第一绝缘层和该第一电极上。
18.根据权利要求15所述的发光装置的制造方法，其特征在于，该发光单元更包括：
一电洞传输层，形成于该第一电极和该发光层之间；以及
一电子传输层，形成于该第二电极和该发光层之间，其中于该第一开口中形成该发光单元的方法包括：
于该第一开口的底部和侧壁上形成该第一电极；
于该第一电极与该第一绝缘层上形成一第二绝缘层，其中该第二绝缘层具有暴露部分该第一电极的一第二开口，且该第二开口与该第一开口连通；以及
于该第二开口所暴露的该第一电极上依序形成该电洞传输层、该发光层、该电子传输层和该第二电极。
19.根据权利要求15所述的发光装置的制造方法，其特征在于，更包括：
于该发光单元上形成一色阻层。
20.根据权利要求15所述的发光装置的制造方法，其特征在于，更包括：
于该发光单元上形成一微透镜结构。
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