CN104867405A - 显示装置和制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示装置和一种制造显示装置的方法。所述显示装置包括具有主表面的基板和与基板相对的覆盖层。发光像素阵列设置在主表面的大体上中心部分上方，并且置于基板与覆盖层之间。密封件设置在基板的外围部分上方，并且置于基板与覆盖层之间并使基板和覆盖层互相连接。在密封件与基板之间，设有下绝缘层、上绝缘层以及位于下绝缘层与上绝缘层之间并包括至少一个金属层的结构。上绝缘层包括不平坦的顶表面。上绝缘层的不平坦的顶表面的外形可以与所述结构的不平坦的顶表面的外形一致或者遵循所述结构的不平坦的顶表面的外形。密封件接触并结合到上绝缘层的不平坦的顶表面。

Description

显示装置和制造显示装置的方法
技术领域
本公开涉及平板显示装置和制造平板显示装置的方法。
背景技术
通常，使用密封材料结合显示装置的上基板和下基板。在结合上基板和下基板的过程中，激光可以从激光产生装置照射到与显示装置的外围区域对应的密封区域。在激光照射到密封区域中的同时，密封材料的相可以由固相转变为液相。然后，在预定时间之后密封材料的相可以由液相转变为固相。上基板和下基板可以依据密封材料的相转变而结合。为了保证密封区域中的下基板与上基板之间的适当的附着强度，传统的显示装置可以包括密封材料以及设置在密封区域中的额外的绝缘层或金属层。然而，在传统的显示装置中，密封材料会位于绝缘层或金属层的水平表面上，因此下基板和上基板会因外部冲击等而容易分离。
发明内容
示例实施例提供了包括外围区域中的凹凸结构以及密封剂以改善基板之间的附着强度的显示装置。
示例实施例提供了制造显示装置的方法，所述显示装置包括外围区域中的凹凸结构以及密封剂以改善基板之间的附着强度。
本发明的一方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板，包括主表面，还包括设置在主表面的大体上中心部分上方的显示区域和设置在显示区域周围的外围区域；至少一个下绝缘层，设置在第一基板上方；至少一个晶体管，在第一基板的显示区域上方设置在所述至少一个下绝缘层上方；发光结构，设置在第一基板的显示区域上方；凹凸结构，设置在所述至少一个下绝缘层上方和第一基板的外围区域上方，并且包括至少一个金属层；上绝缘层，形成在凹凸结构上方，并且包括不平坦的顶表面；密封剂，接触并结合到上绝缘层的不平坦的顶表面；以及第二基板，设置在发光结构上方，并结合到密封剂。
在上述显示装置中，密封剂不接触所述至少一个金属层。凹凸结构可以包括：所述至少一个金属层，包括设置在所述至少一个下绝缘层上方的第一金属层；第一绝缘层片和第二绝缘层片，设置在第一金属层上方；所述至少一个金属层还包括第二金属层，第二金属层设置在第一金属层上方，以覆盖第一绝缘层片和第二绝缘层片。所述显示装置还可以包括第三绝缘层片，其中，第一金属层包括多个第一开口，其中，每个第三绝缘层片容纳在一个第一开口中。第一金属层可以包括多个第一开口，其中，第一绝缘层片被布置为使得每个第一绝缘层片位于直接相邻的两个第一开口之间，其中，第二绝缘层片被布置为使得每个第二绝缘层片布置在直接相邻的两个第一开口之间。第一绝缘层片的行与第二绝缘层片的行交替地布置。
仍在上述显示装置中，第二金属层包括多个第二开口，当在垂直于主表面的方向上看时，多个第二开口中的每个与一个第一开口叠置。所述显示装置还可以包括穿过上绝缘层、第三绝缘层片和所述至少一个下绝缘层形成的第三开口，其中，密封剂包括贯穿第三开口延伸并接触第一基板的突起。当在垂直于主表面的方向上看时，每个第三开口可以与一个第一开口叠置。所述至少一个晶体管可以包括设置在显示区域中的所述至少一个下绝缘层上方的开关晶体管和驱动晶体管。所述显示装置还可以包括设置在驱动晶体管上方的电容器。
本发明的另一方面提供了一种制造显示装置的方法，所述方法包括下述步骤：提供第一基板，第一基板具有主表面，并且还包括设置在主表面的大体上中心部分上方的显示区域和设置在显示区域周围的外围区域；在第一基板上方形成至少一个下绝缘层；在所述至少一个下绝缘层上方并在显示区域上方形成至少一个晶体管；在第一基板的显示区域上方形成发光结构；在第一基板的外围区域上方并在所述至少一个下绝缘层上方形成凹凸结构，凹凸结构包括至少一个金属层；在凹凸结构上方形成具有不平坦的顶表面的上绝缘层；提供第二基板；以及在第一基板与第二基板之间形成密封剂，其中，密封剂接触并结合到上绝缘层的不平坦的顶表面，并且还结合到第二基板。
在上述方法中，形成所述凹凸结构的步骤可以包括：在所述至少一个下绝缘层上形成所述至少一个金属层的具有多个第一开口的第一金属层；在第一金属层上形成第一绝缘层片和第二绝缘层片；以及在第一金属层上形成所述至少一个金属层的第二金属层，第二金属层具有多个第二开口并覆盖第一绝缘层片和第二绝缘层片。所述方法还可以包括在第一开口中形成第三绝缘层片。可以同时形成第一绝缘层片、第二绝缘层片和第三绝缘层片。所述方法还可以包括：穿过上绝缘层、第三绝缘层片和所述至少一个下绝缘层形成第三开口，第三开口部分地暴露第一基板，其中，密封剂包括贯穿第三开口延伸并接触第一基板的突起。当在垂直于主表面的方向上看时，每个第三开口可与一个第一开口叠置。
本发明的又一方面提供了一种显示装置，所述显示装置包括：基板，包括主表面；覆盖层，与基板相对；发光像素阵列，设置在主表面的大体上中心部分上方，并且置于基板与覆盖层之间；密封件，设置在基板的围绕大体上中心部分的外围部分上方，密封件置于基板与覆盖层之间并使基板和覆盖层互相连接；下绝缘层，形成在基板的大体上外围部分的上方；第一金属层，形成在下绝缘层上方，并包括彼此隔开的孔；第一绝缘层片，每个第一绝缘层片被容纳在第一金属层的一个所述孔中；第二金属层，形成在第一金属层上方，并且包括第一突起部分和均设置在直接相邻的两个第一突起部分之间的第一谷部分；第二绝缘层片，均位于第一金属层与第二金属层的一个第一突起部分之间；上绝缘层，形成在第二金属层上方，并且包括形成在第二金属层的第一突起部分上方的第二突起部分以及均设置在直接相邻的两个第二突起部分之间的第二谷部分；其中，所述密封件结合到并接触上绝缘层的第二突起部分的顶表面和侧表面以及上绝缘层的第二谷部分的表面，上绝缘层结合到并接触第一绝缘层片，每个第一绝缘层片结合到并接触下绝缘层。
在上述显示装置中，每个第二绝缘层片可以包括接触并结合到上绝缘层的侧表面。第二金属层可包括开口，当在垂直于主表面的方向上看时，所述开口中的每个与第一金属层的一个孔叠置，上绝缘层包括贯穿所述开口延伸以接触第一绝缘层片的突起。下绝缘层、上绝缘层和第二金属层中的每个可包括孔，当在垂直于主表面的方向上看时，所述孔中的每个与第一金属层的一个孔叠置，密封件包括贯穿所述孔延伸以接触基板的突起。
仍在上述显示装置中，发光像素阵列可以包括金属层和绝缘层，其中，第一金属层和第二金属层中的每个由与发光像素阵列的一个金属层的材料相同的材料形成，其中，上绝缘层和下绝缘层中的每个由与发光像素阵列的一个绝缘层的材料相同的材料形成，其中，第一绝缘层片由与发光像素阵列的一个绝缘层的材料相同的材料形成，其中，第二绝缘层片由与发光像素阵列的一个绝缘层的材料相同的材料形成。上绝缘层和下绝缘层中的至少一个可以包括两个或更多个一个接一个形成的子层。密封件不接触第一金属层和第二金属层中的任意一个。
根据示例实施例的一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括第一基板、至少一个绝缘层、至少一个晶体管、发光结构、凹凸结构、密封剂以及第二基板。第一基板可以具有显示区域和外围区域。所述至少一个绝缘层可以设置在第一基板上。所述至少一个晶体管可以设置在显示区域中的所述至少一个绝缘层上。发光结构可以设置在所述至少一个晶体管上。凹凸结构可以设置在外围区域中的所述至少一个绝缘层上。密封剂可以设置在凹凸结构上。第二基板可以设置在发光结构和密封剂上。
在示例实施例中，凹凸结构可以包括至少一个绝缘层图案和至少一个金属层图案。
在示例实施例中，凹凸结构可以包括第一金属层图案、第一绝缘层图案、第二绝缘层图案和第二金属层图案。第一金属层图案可以设置在所述至少一个绝缘层上。第一绝缘层图案和第二绝缘层图案可以设置在第一金属层图案上。第二金属层图案可以设置在第一金属层图案上。第二金属层图案可以基本上覆盖第一绝缘层图案和第二绝缘层图案。
在示例实施例中，第一金属层图案可以具有多个第一开口。第一绝缘层图案可以沿列方向或行方向布置在相邻的第一开口之间。第二绝缘层图案可以沿行方向或列方向布置在相邻的第一开口之间。
在一些示例实施例中，第一绝缘层图案和第二绝缘层图案可以沿行方向或列方向交替布置。
在一些示例实施例中，第二金属层图案可以具有多个第二开口。例如，每个第二开口可以具有基本上与每个第一开口的尺寸相同的尺寸。
在示例实施例中，所述至少一个绝缘层可以包括第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层。第一绝缘层可以设置在第一基板上。第二绝缘层可以位于第一绝缘层上。第三绝缘层可以位于第二绝缘层上。
在示例实施例中，第一金属层图案可以设置在第二绝缘层上，可以利用第三绝缘层填充第一开口。
在一些示例实施例中，凹凸结构可以额外地包括设置在第二金属层图案上的第四绝缘层。
在一些示例实施例中，凹凸结构可以额外地包括穿过第四绝缘层、第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层形成的第三开口。第三开口可以部分地暴露第一基板。每个第三开口可以位于每个第一开口中。
在示例实施例中，密封剂可以穿过第三开口接触第一基板。
在示例实施例中，所述至少一个晶体管可以包括设置在显示区域中的所述至少一个绝缘层上的开关晶体管和驱动晶体管。
在一些示例实施例中，所述显示装置可以额外地包括设置在驱动晶体管上的电容器。
根据示例实施例的另一方面，提供了一种制造显示装置的方法。在所述方法中，可以提供具有显示区域和外围区域的第一基板。可以在第一基板上形成至少一个绝缘层。可以在显示区域中在所述至少一个绝缘层上形成至少一个晶体管。可以在所述至少一个晶体管上形成发光结构。可以在外围区域中在所述至少一个绝缘层上形成凹凸结构。可以在凹凸结构上形成密封剂。可以在发光结构和密封剂上形成第二基板。
在根据示例实施例的形成凹凸结构的步骤中，可以在所述至少一个绝缘层上形成第一金属层图案。第一金属层图案可以具有多个第一开口。可以在第一金属层图案上形成第一绝缘层图案和第二绝缘层图案。可以在第一金属层图案上形成第二金属层图案。第二金属层图案可以具有多个第二开口并可以基本上覆盖第一绝缘层图案和第二绝缘层图案。
在根据示例实施例的形成所述至少一个绝缘层的步骤中，可以在第一基板上形成第一绝缘层。可以在第一绝缘层上形成第二绝缘层。可以在第二绝缘层上形成第三绝缘层。
在一些示例实施例中，可以同时形成第一绝缘图案和第二绝缘图案以及第三绝缘层。
在示例实施例中，可以在第二绝缘层上形成第一金属层图案，可以利用第三绝缘层填充第一开口。
在根据一些示例实施例的形成凹凸结构的步骤中，可以在第二金属层图案上额外地形成第四绝缘层。
在根据一些示例实施例的形成凹凸结构的步骤中，可以通过部分地去除第四绝缘层、第三绝缘层、第二绝缘层和第一绝缘层来形成多个第三开口。第三开口可以部分地暴露第一基板。
在示例实施例中，可以在每个第一开口中形成每个第三开口。
根据示例实施例，所述显示装置可以包括凹凸结构，凹凸结构具有不平坦的顶表面、至少一个金属层以及至少一个绝缘层图案。凹凸结构可以设置在密封剂上，从而可以增强第一基板与第二基板之间的附着强度。
附图说明
通过下面结合附图的描述，示例性实施例可以被更详细地理解，在附图中：
图1是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图；
图2至图5是示出根据示例实施例的显示装置的凹凸结构的透视图；
图6是示出沿图2中的线I-I'截取的凹凸结构的剖视图；
图7是示出沿图2中的线II-II'截取的凹凸结构的剖视图；
图8A至图8I是示出根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图；
图9是示出根据一些示例实施例的显示装置的剖视图；
图10A至图10C是示出根据一些示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细地描述本发明的示例实施例。在附图中，相同或相似的附图标记可以表示相同或相似的元件。
图1是示出根据示例实施例的显示装置的剖视图。图2至图5是示出根据示例实施例的显示装置的凹凸结构的透视图。图6是示出沿图2中的线I-I’截取的凹凸结构的剖视图。图7是示出沿图2中的线II-II’截取的凹凸结构的剖视图。
参照图1，根据示例实施例的显示装置可以包括第一基板10、第一绝缘层15、第一有源元件20、第二有源元件25、第二绝缘层30、第一电极35、第二电极40、第一金属层45、第三绝缘层片(insulation layer pieces，或称为“绝缘层块”)55、第一绝缘层片60、第二绝缘层片65(见图4)、第三电极70、第二金属层75、第四绝缘层85、源电极90、漏电极95、第五绝缘层105、像素限定层110、底电极115、发光层120、顶电极125、保护层130、密封剂135、第二基板140等。在示例实施例中，显示装置的发光结构可以包括底电极115、发光层120和顶电极125。另外，显示装置的凹凸结构可以包括第一金属层45、第一绝缘层片60、第二绝缘层片65、第二金属层75和第四绝缘层85。
第一基板10可以具有显示区域I和外围区域II。第一基板10可以包括透明无机材料或柔性塑料。例如，第一基板10可以包括刚性玻璃基板、石英基板等。可选择地，第一基板10可以包括柔性透明树脂基板。这里，用于第一基板10的柔性透明树脂基板可以包括聚酰亚胺基板。例如，聚酰亚胺基板可以包括第一聚酰亚胺层、阻挡膜层、第二聚酰亚胺层等。在一些示例实施例中，第一基板10可以具有第一聚酰亚胺层、阻挡膜层和第二聚酰亚胺层堆叠在玻璃基板上的堆叠结构。这里，在第一绝缘层15设置在第二聚酰亚胺层上之后，上面的结构可以位于第一绝缘层15上。在设置上面的结构之后，可以去除玻璃基板。因为聚酰亚胺基板薄且是柔性的，所以在聚酰亚胺基板上直接形成上面的结构会是困难的。因此，在上面的结构形成在刚性玻璃基板上之后，可以通过去除玻璃基板将聚酰亚胺基板用作第一基板10。
第一绝缘层15可以设置在第一基板10上。第一绝缘层15可以从显示区域I延伸到外围区域II。第一绝缘层15可以包括无机材料。例如，第一绝缘层15可以包括诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氧碳化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)等的硅化合物。在一些示例实施例中，第一绝缘层15可以包括有机材料。例如，第一绝缘层15可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。
如图1中示出的，第一有源元件20和第二有源元件25可以设置在显示区域I中的第一绝缘层15上。第一有源元件20和第二有源元件25可以在第一绝缘层15上分隔开预定的距离。在示例实施例中，第一有源元件20和第二有源元件25中的每个可以包括氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等。
第二绝缘层30可以位于第一绝缘层15上。第二绝缘层30可以覆盖显示区域I中的第一有源元件20和第二有源元件25。在外围区域II中，第二绝缘层30可以直接设置在第一绝缘层15上。第二绝缘层30可以包括无机材料。例如，第二绝缘层30可以包括诸如SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等的硅化合物。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。可选择地，第二绝缘层30可以包括有机材料。例如，第二绝缘层30可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。
第一电极35、第二电极40和第一金属层45可以位于第二绝缘层30上。在示例实施例中，第一电极35和第二电极40可以设置在显示区域I中，第一金属层45可以位于外围区域II中。在显示区域I中，第一电极35和第二电极40可以位于第二绝缘层30上。第一有源元件20和第二有源元件25可以设置在第二绝缘层30下方。这里，第一电极35和第二电极40中的每个可以分别布置在第一有源元件20和第二有源元件25的上方。在示例实施例中，如图3中示出的，第一金属层45可以包括分隔开预定距离的多个第一开口OP1。在这种情况下，第一开口OP1可以沿行方向或列方向规则地布置。例如，第一金属层45可以具有基本上的网状结构。
第一电极35、第二电极40和第一金属层45中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。例如，第一电极35、第二电极40和第一金属层45中的每个可以包括铝(Al)、铝合金、氮化铝(AlNx)、银(Ag)、银合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。在示例实施例中，可以同时形成第一电极35、第二电极40和第一金属层45。
再次参照图1，第三绝缘层片55可以设置在第二绝缘层30上。在显示区域I中，第三绝缘层片55可以位于第二绝缘层30上，以基本上覆盖第一电极35和第二电极40。在外围区域II中，第三绝缘层片55可以设置在第二绝缘层30上，以基本上填充第一金属层45中的第一开口OP1。在这种情况下，多个第一绝缘层片60和多个第二绝缘层片65可以设置在第一金属层45上。
在示例实施例中，如图4中示出的，外围区域II中的第三绝缘层片55可以基本上填充第一金属层45中的第一开口OP1。这里，第一绝缘层片60可以布置在相邻的第一开口OP1之间的第一金属层45上。第二绝缘层片65可以布置在第一金属层45上，并且可以与第一绝缘层片60分隔开预定的距离。第一绝缘层片60和第二绝缘层片65可以沿行方向或列方向交替地布置。例如，第一绝缘层片60可以沿列方向设置在相邻的第一开口OP1之间的第一金属层45上。另外，第二绝缘层片65可以沿行方向设置在相邻的第一开口OP1之间的第一金属层45上。
在示例实施例中，在第三绝缘层片55可以大体上形成在显示区域I和外围区域II中之后，可以通过使位于外围区域II中的第一金属层45上的第三绝缘层片55图案化来获得第一绝缘层片60和第二绝缘层片65。
第三绝缘层片55、第一绝缘层片60和第二绝缘层片65可以包括无机材料。例如，第三绝缘层片55、第一绝缘层片60和第二绝缘层片65可以包括诸如SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等的硅化合物。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。可选择地，第三绝缘层片55、第一绝缘层片60和第二绝缘层片65可以包括有机材料。例如，第三绝缘层片55、第一绝缘层片60和第二绝缘层片65可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。
如图1中示出的，显示区域I中的第三电极70可以设置在第三绝缘层片55的一部分上，第二电极40可以设置在第三绝缘层片55下方。这里，第三电极70可以位于第二电极40上方。此外，在外围区域II中，基本上覆盖第一绝缘层片60和第二绝缘层片65的第二金属层75可以设置在第一金属层45上。这里，第二金属层75可以沿第一绝缘层片60和第二绝缘层片65的轮廓具有基本上的凹凸形状。第二金属层75的总尺寸可以与第一金属层45的总尺寸基本上相同或基本上相似。
在示例实施例中，如图5中示出的，第二金属层75可以具有多个第二开口OP2。第二金属层75中的每个第二开口OP2的尺寸可以与第一金属层45中的每个第一开口OP1的尺寸基本上相同或基本上相似。因此，第二金属层75可以接触第一金属层45的至少一部分。
根据第二金属层75的形状，凹凸结构可以设置在外围区域II中。在示例实施例中，凹凸结构可以包括第一金属层45、第一绝缘层片60、第二绝缘层片65和第二金属层75。例如，第一绝缘层片60和第二绝缘层片65可以设置在具有第一开口OP1的第一金属层45上。此外，具有第二开口OP2的第二金属层75可以设置在第一绝缘层片60和第二绝缘层片65上，从而可在第二绝缘层30上设置凹凸结构。
在示例实施例中，显示区域I中的第三电极70和外围区域II中的第二金属层75可以同时形成。第三电极70和第二金属层75中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。例如，第三电极70和第二金属层75可以包括铝(Al)、铝合金、氮化铝(AlNx)、银(Ag)、银合金、钨(W)、氮化钨(WNx)、铜(Cu)、铜合金、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrNx)、钼(Mo)、钼合金、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、铂(Pt)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、钕(Nd)、钪(Sc)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(IZO)等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。
如图1中示出的，在显示区域I中，第一有源元件20、第二绝缘层30、第一电极35、源电极90和漏电极95可以提供诸如开关晶体管的开关元件。另外，第二有源元件25、第二绝缘层30和第二电极40可以提供诸如驱动晶体管的驱动元件。另外，第二电极40、第三绝缘层片55和第三电极70可以提供电容器。在示例实施例中，当电容器设置在驱动元件上时，可以减小显示装置的尺寸。
第四绝缘层85可以大体上设置在显示区域I和外围区域II中。第四绝缘层85可以具有用于完全地覆盖诸如凹凸结构、开关元件、驱动元件、电容器等的下面的结构的厚度。在显示区域I中，第四绝缘层85可以位于第三绝缘层片55上，以基本上覆盖第三电极70。在外围区域II中，第四绝缘层85可以设置在第三绝缘层片55上，以完全地覆盖凹凸结构。第四绝缘层85可以沿凹凸结构的轮廓具有基本上的凹凸形状。在实施例中，第四绝缘层85以及凹凸结构中的每个包括不平坦的顶表面。第四绝缘层(即，上绝缘层)85的不平坦的顶表面的外形可以与凹凸结构的不平坦的顶表面的外形一致或者遵循凹凸结构的不平坦的顶表面的外形。第四绝缘层85可以包括无机材料。例如，第四绝缘层85可以包括诸如SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等的硅化合物。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。可选择地，第四绝缘层85可以包括有机材料。例如，第四绝缘层85可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。
再次参照图1，接触孔可以穿过显示区域I中的第四绝缘层85、第三绝缘层片55和第二绝缘层30形成。接触孔可以暴露第一有源元件20。源电极90和漏电极95可以分别接触第一有源元件20的源区域和漏区域。源电极90和漏电极95可以设置在第四绝缘层85上，从而可以利用源电极90和漏电极95填充接触孔。源电极90和漏电极95中的每个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。例如，源电极90和漏电极95中的每个可以包括Al、铝合金、AlNx、Ag、银合金、W、WNx、Cu、铜合金、Ni、Cr、CrNx、Mo、钼合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx、IZO等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。
在显示区域I中，第五绝缘层105可以设置在第四绝缘层85上。第五绝缘层105可以包括无机材料。例如，第五绝缘层105可以包括诸如SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等的硅化合物。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。在一些示例实施例中，第五绝缘层105可以包括有机材料。例如，第五绝缘层105可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。
部分地暴露漏电极95的孔可以穿过第五绝缘层105形成。这里，底电极115可以设置在第五绝缘层105上，从而可以利用底电极115填充孔。因此，底电极115可以电连接到漏电极95。底电极115可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。例如，底电极115可以包括Al、铝合金、AlNx、Ag、银合金、W、WNx、Cu、铜合金、Ni、Cr、CrNx、Mo、钼合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx、IZO等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。
像素限定层110可以设置在第五绝缘层105上，从而可以通过像素限定层110限定底电极115。像素限定层110可以包括无机材料。例如，像素限定层110可以包括诸如SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等的硅化合物。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。在一些示例实施例中，像素限定层110可以包括有机材料。例如，像素限定层110可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。
像素限定层110可以位于底电极115上，以暴露底电极115。发光层120可以位于暴露的底电极115处。发光层120可以具有包括有机发光层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等的多层结构。在示例实施例中，有机发光层可以包括能够根据显示装置中的像素的类型产生诸如红色光、蓝色光和绿色光的不同颜色的光的发光材料。在一些示例实施例中，有机发光层大体上可以通过堆叠能够产生诸如红色光、绿色光、蓝色光等的不同颜色的光的多种发光材料来产生白色光。
顶电极125可以设置在发光层120上。顶电极125可以包括金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等。例如，顶电极125可以包括Al、铝合金、AlNx、Ag、银合金、W、WNx、Cu、铜合金、Ni、Cr、CrNx、Mo、钼合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx、IZO等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。
保护层130可以设置在显示区域I中的像素限定层110和顶电极125上。密封剂135可以设置在外围区域II中的第四绝缘层85上。保护层130可以包括无机材料。例如，保护层130可以包括诸如SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等的硅化合物。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。可选择地，保护层130可以包括有机材料。例如，保护层130可以包括聚酰亚胺类树脂、光致抗蚀剂、丙烯酸类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂等。这些可以单独使用或者以它们的组合来使用。
在示例实施例中，密封剂135可以在覆盖外围区域II中的凹凸结构的第四绝缘层85上具有基本上水平的表面。因为第四绝缘层85可以根据凹凸结构的形状具有基本上增大的表面，所以密封剂135与第四绝缘层85之间的接触界面可以增大。因此，可以增大密封剂135的附着强度。例如，密封剂135可以包括玻璃料等。在一些示例实施例中，密封剂135可以额外地包括可光固化材料。例如，密封剂135可以包括诸如有机材料的化合物和可光固化材料。另外，在将紫外线、激光束、可见光线等照射到密封剂135中之后，可以获得固化的密封剂135。例如，包括在密封剂135中的可光固化材料可以包括环氧丙烯酸酯类树脂、聚酯丙烯酸酯类树脂、聚氨酯丙烯酸酯类树脂、聚丁二烯丙烯酸酯类树脂、硅丙烯酸酯类树脂、烷基丙烯酸酯类树脂等。
第二基板140可以设置在保护层130和密封剂135上。第二基板140可以包括透明绝缘材料、柔性材料等。例如，第二基板140可以包括玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。可选择地，第二基板140可以具有至少一个有机层和至少一个无机层可以交替地堆叠的堆叠构造。在这种情况下，无机层可以包括氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧碳化硅、碳氮化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛、氧化锌等。另外，有机层可以包括丙烯酸酯单体、苯乙炔、二胺、二酐、硅氧烷、硅烷、聚对二甲苯、烯烃类聚合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、氟树脂、聚硅氧烷等。
在示例实施例中，为了结合第一基板10和第二基板140，可以将激光照射到设置有凹凸结构和密封剂135的外围区域II中。根据激光照射，密封剂135的相可以由固相转变为液相。另外，在预定时间之后液相的密封剂135可以固化为固相。根据密封剂135的相转变，可以使第二基板140与第一基板10结合，以密封第二基板140和第一基板10。在照射激光的同时，外围区域II中的第一金属层45和第二金属层75可以吸收和/或反射激光的能量。被第一金属层45和第二金属层75吸收和/或反射的能量可以被传递到密封剂135。这里，能量可以对密封剂135的相转变做出贡献。根据在凹凸结构上设置第四绝缘层85，可以增大密封剂135与第四绝缘层85之间的接触界面。因此，可以增大第一基板10与第二基板140之间的附着强度。
在下文中，将参照附图更详细地描述根据本发明的示例实施例的显示装置的凹凸结构。
图6是示出沿图2中的线I-I'截取的凹凸结构的剖视图。图7是示出沿图2中的线II-II'截取的凹凸结构的剖视图。
参照图6和图7，第一绝缘层15可以设置在第一基板10上。第二绝缘层30可以位于第一绝缘层15上。如图2和图3中示出的，第一金属层45可以具有多个第一开口OP1。例如，第一金属层45可以大体上具有基本上的网形状。
第一金属层45可以位于第二绝缘层30上。第一绝缘层片60和第二绝缘层片65可以设置在第一金属层45上。第一绝缘层片60可以沿行方向或列方向布置在第一开口OP1之间的第一金属层45上。第二绝缘层片65可以布置在第一金属层45上，使得第二绝缘层片65可以沿行方向或列方向与第一绝缘层片60分隔开。在这种情况下，第一绝缘层片60和第二绝缘层片65可以沿行方向或列方向交替地布置。例如，当第一绝缘层片60沿行方向布置在第一开口OP1之间时，第二绝缘层片65可以沿列方向布置在第一开口OP1之间。同时，当第二绝缘层片65可以沿行方向布置在相邻的第一开口OP1之间时，第一绝缘层片60可以沿列方向布置在相邻的第一开口OP1之间。
在示例实施例中，相邻的第一绝缘层片60和相邻的第二绝缘层片65中的每个可以分隔开预定的距离。例如，相邻的第一绝缘层片60可以分隔开第一距离，相邻的第二绝缘层片65可以分隔开第二距离。在这种情况下，相邻的第二绝缘层片65之间的第二距离可以明显大于相邻的第一绝缘层片60之间的第一距离。
在示例实施例中，在第三绝缘层片55从显示区域I形成到外围区域II之后，可以通过将位于外围区域II中的第一金属层45上的第三绝缘层片55图案化来获得第一绝缘层片60和第二绝缘层片65。
如图7中示出的，第二金属层75可以设置在第一金属层45上，使得第二金属层75可以基本上覆盖第一绝缘层片60和第二绝缘层片65。第二金属层75的总尺寸可以与第一金属层45的总尺寸基本上相同或基本上相似。另外，第二金属层75可以具有多个第二开口OP2。这里，第二金属层75的第二开口OP2的尺寸可以与第一金属层45的第一开口OP1的尺寸基本上相同或基本上相似。因此，第二金属层75可以与第一金属层45的至少一部分接触。如图7中示出的，当第一绝缘层片60和第二绝缘层片65可以设置在第一金属层45与第二金属层75之间时，第二金属层75可以接触第一金属层45。根据第二金属层75的位置，初步的凹凸结构可以设置在显示装置的外围区域II中。
如图6和图7中示出的，第四绝缘层85可以设置在第二金属层75上，密封剂135可以设置在第四绝缘层85上。由于密封剂135可以设置在第一基板10与第二基板140之间，因此第二基板140可以位于第一基板10的上部处。由于第四绝缘层85可以设置在第二金属层75上，因此可以在外围区域II中设置凹凸结构。凹凸结构可以包括至少一个金属层和至少一个绝缘层片。在示例实施例中，如上所述，凹凸结构可以包括第一金属层45、第二金属层75、第一绝缘层片60和第二绝缘层片65。
在示例实施例中，为了结合第一基板10和第二基板140，可以将激光照射到设置有凹凸结构和密封剂135的外围区域II中。根据激光照射，密封剂135的相可以由固相转变为液相(例如，密封剂135可以熔化)。另外，在预定时间之后液相的密封剂135可以转变为固相。根据密封剂135的相转变，可以使第二基板140与第一基板10结合，从而使第二基板140与第一基板10密封。在照射激光的同时，外围区域II中的第一金属层45和第二金属层75可以吸收和/或反射激光的能量。被第一金属层45和第二金属层75吸收和/或反射的能量可以被传递到密封剂135。这里，能量可以对密封剂135的相转变做出贡献。例如，可以通过第一金属层45和第二金属层75使密封剂135均匀地熔化，因此可以大体上改善密封剂135的附着力。因为密封剂135可以设置在凹凸结构上，所以可以增大密封剂135与凹凸结构之间的接触界面(例如，结合界面)。由于增大了密封剂135的附着力，因此可以增大第一基板10与第二基板140之间的附着强度。
参照图1至图6，在实施例中，第四绝缘层85包括贯穿第二开口OP2延伸的突起，其可接触并结合到第三绝缘层片55。在实施例中，每个第二绝缘层片65可以包括没有被第二金属层75覆盖并可以通过第二金属层75的第二开口OP2暴露的侧表面。第四绝缘层85的突起可以接触并结合到第二绝缘层片65的暴露的侧表面。
在图1至图7中示出的实施例中，绝缘层85接触并结合到与第二绝缘层30结合的第三绝缘层片55，因此，绝缘层15、30、85以及第二和第三绝缘层片55和65可以是一体的。因此，可以提供改善的束缚。此外，在实施例中，可以选择绝缘层15、30、85以及第二和第三绝缘层片55和65的材料以在它们的界面处提供足够的束缚。此外，在实施例中，第二绝缘层片65结合到第四绝缘层85，同时一部分第二金属层75设置在第二绝缘层片65与第四绝缘层85之间，因此，可以使绝缘结构与金属层45和75之间的分离最小化或减小。
图8A至图8I是示出根据示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。
参照图8A，可以在第一基板200上形成第一绝缘层205。可以使用透明无机材料或柔性塑料来形成第一基板200。可以使用无机材料或有机材料来形成第一绝缘层205。在示例实施例中，第一基板200可以具有显示区域I和外围区域II。可以既在显示区域I又在外围区域II中形成第一绝缘层205。
可以在显示区域I中的第一绝缘层205上形成第一有源元件210和第二有源元件215。例如，第一有源元件210和第二有源元件215中的每个可以分别位于第一绝缘层205的第一部分处和第一绝缘层205的第二部分处。这里，第一有源元件210和第二有源元件215可以分隔开预定的距离。可以使用氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等形成第一有源元件210和第二有源元件215中的每个。
参照图8B，可以在第一绝缘层205上以及第一有源元件210和第二有源元件215上形成第二绝缘层220。在示例实施例中，可以在第一绝缘层205上形成第二绝缘层220，使得第二绝缘层220可以基本上覆盖显示区域I中的第一有源元件210和第二有源元件215。同时，可以直接在外围区域II中的第一绝缘层205上形成第二绝缘层220。可以使用无机材料或有机材料来形成第二绝缘层220。
参照图8C，可以在第二绝缘层220上形成第一电极225、第二电极230和第一金属层235。在示例实施例中，可以在显示区域I中形成第一电极225和第二电极230，而可以在外围区域II中形成第一金属层235。在显示区域I中，可以在第二绝缘层220上形成第一电极225和第二电极230，可以在第二绝缘层220下方形成第一有源元件210和第二有源元件215。这里，可以分别在第一有源元件210和第二有源元件215上方布置第一电极225和第二电极230中的每个。在外围区域II中，可以直接在第二绝缘层220上形成第一金属层235。在示例实施例中，可以在第一金属层235中形成多个第一开口OP1。例如，包括第一开口OP1的第一金属层235可以具有基本上的网状结构。
可以使用金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等来形成第一电极225、第二电极230和第一金属层235中的每个。在示例实施例中，可以同时形成第一电极225、第二电极230和第一金属层235。
参照图8D，可以在第二绝缘层220上方形成第三绝缘层片245和第一绝缘层片250。在示例实施例中，可以在第二绝缘层220上形成显示区域I中的第三绝缘层片245，使得第三绝缘层片245可以基本上覆盖第一电极225和第二电极230。在外围区域II中，可以在第二绝缘层220上形成第三绝缘层片245，使得第三绝缘层片245可以基本上填充第一金属层235中的第一开口OP1。在示例实施例中，可以在第一金属层235上形成第一绝缘层片250和第二绝缘层片(未示出)。
在示例实施例中，外围区域II中的第三绝缘层片245可以基本上填充第一金属层235中的第一开口OP1。例如，在外围区域II中在第二绝缘层220和第一金属层235上形成第三绝缘层片245之后，可以通过使第三绝缘层片245图案化在第一金属层235上形成第一绝缘层片250和第二绝缘层片。可以使用无机材料或有机材料来形成第三绝缘层片245、第一绝缘层片250和第二绝缘层片。
参照图8E，可以在显示区域I中的第三绝缘层片245的一部分上形成第三电极260。因此，可以在第三绝缘层片245下方设置第二电极230。即，第三电极260可以位于第二电极230上方。另外，在外围区域II中，可以在第一金属层235上形成覆盖第一绝缘层片250和第二绝缘层片的第二金属层265。这里，第二金属层265的尺寸可以与第一金属层235的尺寸基本上相同或基本上相似。
在示例实施例中，可以在第二金属层265中形成多个第二开口OP2。第二金属层265的每个第二开口OP2的尺寸可以与第一金属层235的每个第一开口OP1的尺寸基本上相同。此外，第二开口OP2和第一开口OP1可以具有基本上相同的位置。在这种情况下，第二金属层265可以接触第一金属层235的至少一部分。
根据第二金属层265的形成，可以在外围区域II中设置初步的凹凸结构。在示例实施例中，初步的凹凸结构可以包括第一金属层235、第一绝缘层片250、第二绝缘层片和第二金属层265。
可以同时形成第三电极260和第二金属层265。例如，可以使用金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等来形成第三电极260和第二金属层265。
参照图8F，可以在第一基板200的显示区域I和外围区域II中大体上形成第四绝缘层275。第四绝缘层275可以具有完全地覆盖下面的结构的厚度。可以使用无机材料或有机材料来形成第四绝缘层275。在示例实施例中，在显示区域I中，可以在第三绝缘层片245上形成第四绝缘层275，以基本上覆盖第三电极260。在外围区域II中，可以在第三绝缘层片245上形成第四绝缘层275，以基本上覆盖初步的凹凸结构。第四绝缘层275可以沿初步的凹凸结构的轮廓基本上具有凹凸形状。因此，可以在外围区域II中形成凹凸结构。凹凸结构可以包括第一金属层235、第一绝缘层片250、第二绝缘层片、第二金属层265和第四绝缘层275。
参照图8G，可以在显示区域I中穿过第四绝缘层275、第三绝缘层片245和第二绝缘层220形成暴露第一有源元件210的接触孔。可以在第四绝缘层275上形成源电极280和漏电极285，以分别基本上填充接触孔。例如，可以使用金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等来形成源电极280和漏电极285中的每个。
在显示区域I中，可以在第四绝缘层275上形成第五绝缘层290。例如，可以使用无机材料或有机材料来形成第五绝缘层290。
可以穿过第五绝缘层290形成部分地暴露漏电极285的孔。可以在第五绝缘层290上形成底电极300，以基本上填充该孔。底电极300可以电连接到漏电极285。例如，可以使用金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等来形成底电极300。
可以在显示区域I中在第五绝缘层290上形成像素限定层295，以限定底电极300。例如，可以使用无机材料或有机材料来形成像素限定层295。
可以在由像素限定层295限定的底电极300上形成发光层305。可以将发光层305形成为包括EL、HIL、HTL、ETL、EIL等的多层结构。在示例实施例中，EL可以包括根据显示装置中的像素的类型产生诸如红色光、蓝色光和绿色光的不同颜色的光的发光材料。在一些示例实施例中，EL大体上可以通过堆叠用于产生诸如红色光、绿色光、蓝色光等的不同颜色的光的多种发光材料来产生白色光。
可以在发光层305上形成顶电极310。可以使用金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等来形成顶电极310。
参照图8H，可以在显示区域I中形成保护层315并且可以在外围区域II中设置密封剂320。可以在像素限定层295和顶电极310上形成保护层315。例如，可以使用SiOx、金属氧化物等来形成保护层315。
密封剂320可以具有基本上水平的表面，以覆盖凹凸结构。在示例实施例中，因为凹凸结构可以具有基本上增大的表面，所以可以增大密封剂320与凹凸结构之间的接触界面。因此，可以改善密封剂320的相对于凹凸结构的附着力。例如，可以使用玻璃料等来形成密封剂320。
参照图8I，可以在保护层315和密封剂320上形成第二基板325。可以使用透明绝缘材料、柔性材料等来形成第二基板325。
为了将第一基板200与第二基板325结合，可以将激光照射到密封剂320以及凹凸结构所处的外围区域II中。因此，在激光照射的过程中，密封剂320可以由固相熔化为液相。另外，在预定时间之后，密封剂320的相可以由液相转变为固相。根据密封剂320的相转变，可以将第二基板325与第一基板200结合。即，可以利用密封剂320来密封第二基板325和第一基板200。在示例实施例中，当将激光照射到外围区域II中时，外围区域II中的第一金属层235和第二金属层265可以吸收和/或反射激光的能量。被第一金属层235和第二金属层265吸收和/或反射的能量可以被传递到密封剂320。由于密封剂320可以均匀地熔化并固化，因此，可以增强密封剂320的附着力。此外，因为可以增大密封剂320与凹凸结构之间的接触界面，所以可以改善第一基板200与第二基板325之间的附着强度(例如，结合强度)。
图9是示出根据一些示例实施例的显示装置的剖视图。除了凹凸结构可以额外地包括第三开口OP3之外，图9中示出的显示装置可以具有与参照图1描述的显示装置的构造基本上相同或基本上相似的构造。在图9中，将省略与参照图1描述的元件基本上相同或基本上相似的元件的详细描述。
参照图9，显示装置的凹凸结构还可以包括第三开口OP3。第三开口OP3可以分别位于第一金属层45的第一开口OP1中。在示例实施例中，第三开口OP3可以穿过第四绝缘层85、第三绝缘层片55、第二绝缘层30和第一绝缘层15暴露第一基板10的部分。每个第三开口OP3的尺寸基本上可以比每个第一开口OP1的尺寸小。当凹凸结构包括位于第一开口OP1内的第三开口OP3时，由于第一开口OP1的内壁与第三开口OP3的内壁之间的台阶，因此可以增大凹凸结构的表面。还可以增大密封剂135与凹凸结构的接触界面，因此可以进一步增大密封剂135的附着力。此外，因为第三开口OP3可以暴露第一基板10，所以可以增大密封剂135的相对于第一基板10的附着力(例如，在密封剂135和第一基板10可以包括相同的材料的情况下)。例如，当第一基板10和密封剂135中的每个分别包括玻璃基板和玻璃料时，可以进一步增大第一基板10与第二基板140之间的附着强度。
图10A至图10C是示出根据一些示例实施例的制造显示装置的方法的剖视图。除了用于形成第三开口OP3的工艺之外，图10A至图10C中示出的制造显示装置的方法可以与参照图8A至图8I描述的制造显示装置的方法基本上相同或基本上相似。在图10A至图10C中，将省略与参照图8A至图8I描述的元件基本上相同或基本上相似的元件的详细描述。
参照图10A，可以在具有显示区域I和外围区域II的第一基板10上形成第一绝缘层15。可以使用透明无机材料或柔性塑料来形成第一基板10。可以使用无机材料或有机材料来形成第一绝缘层15。可以在第一绝缘层15上形成第二绝缘层30。可以使用无机材料或有机材料来形成第二绝缘层30。
可以在外围区域II中在第二绝缘层30上形成第一金属层45。可以使用金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等来形成第一金属层45。
可以在第二绝缘层30上形成第三绝缘层片55。可以在第一金属层45上形成第一绝缘层片60和第二绝缘层片(未示出)。在外围区域II中，可以在第二绝缘层30上形成第三绝缘层片55，以基本上填充第一金属层45的第一开口OP1。可以使用无机材料或有机材料来形成第三绝缘层片55、第一绝缘层片60和第二绝缘层片。
在外围区域II中，可以在第一金属层45上形成第二金属层75，以基本上覆盖第一金属层45上的第一绝缘层片60和第二绝缘层片。第二金属层75的尺寸可以与第一金属层45的尺寸基本上相同或基本上相似。可以在第二金属层75中形成多个第二开口(未示出)。这里，第二金属层75的每个第二开口的尺寸可以与第一金属层45的每个第一开口OP1的尺寸基本上相同。具有第二开口的第二金属层75可以接触具有第一开口OP1的第一金属层45的至少一部分。可以使用金属、合金、金属氮化物、导电的金属氧化物、透明导电材料等来形成第二金属层75。
可以在第三绝缘层片55上形成第四绝缘层85，以完全地覆盖下面的结构。可以使用无机材料或有机材料来形成第四绝缘层85。在外围区域II中，可以在第三绝缘层片55上形成第四绝缘层85，以基本上覆盖第二金属层75。因此，可以在外围区域II中形成包括第一金属层45、第一绝缘层片60、第二绝缘层片、第二金属层75和第四绝缘层85的凹凸结构。
参照图10B，可以形成第三开口OP3，使得第一开口OP1内的第一基板10可以通过第三开口OP3部分地暴露。在示例实施例中，可以在外围区域II中在第四绝缘层85上设置蚀刻掩模(未示出)之后，可以通过使用蚀刻掩模部分地去除第四绝缘层85、第三绝缘层片55、第二绝缘层30和第一绝缘层15来形成暴露第一基板10的一部分的第三开口OP3。由于在第一开口OP1中形成第三开口OP3，因此可以在第一开口OP1的内壁与第三开口OP3的内壁之间产生台阶。因此，具有第一开口OP1的凹凸结构可以确保增大的表面积。
参照图10C，可以在凹凸结构上形成密封剂135，以基本上填充第三开口OP3。密封剂135可以具有基本上平坦的表面，以充分地覆盖凹凸结构。在示例实施例中，包括第三开口OP3的凹凸结构可以具有增大的表面积，因此可以增大密封剂135与凹凸结构之间的接触界面。密封剂135可以接触第一基板10的被第三开口OP3暴露的部分。因此，可以改善密封剂135的相对于凹凸结构和第一基板10的附着力。当第一基板10和密封剂135包括相同的材料时，可以极大地增大密封剂135的相对于第一基板10的附着力。因此，通过改善第一基板10与第二基板140之间的附着强度，可以增强第一基板10与第二基板140之间的结合稳定性。
如上所述，可以在接触第一基板10和凹凸结构的密封剂135上设置第二基板140。可以使用透明绝缘材料、柔性材料等来形成第二基板140。
本发明可以应用于包括凹凸结构的各种电子装置。例如，本发明可以用于移动电话、智能电话、膝上电脑、平板电脑、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)、数码相机、音乐播放器(例如，MP3播放器)、便携式游戏机、导航系统等。
以上是示例实施例的举例说明并且将不被解释为限制示例实施例。虽然已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明的新颖的教导和优点的情况下，示例实施例中的许多改变是可能的。因此，所有这样的改变意图被包括在如权利要求书限定的本发明的范围内。在权利要求书中，功能性限定意图覆盖这里被描述为执行所述功能的结构，不仅覆盖结构等同物，而且覆盖等同的结构。因此，将理解的是，以上是各种示例实施例的举例说明并且将不被解释为限于所公开的特定示例实施例，并且对所公开的示例性实施例的修改以及其它示例实施例意图被包括在所附权利要求书的范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
第一基板，包括主表面，还包括设置在所述主表面的大体上中心部分上方的显示区域和设置在所述显示区域周围的外围区域；
至少一个下绝缘层，设置在所述第一基板上方；
至少一个晶体管，在所述第一基板的所述显示区域上方设置在所述至少一个下绝缘层上方；
发光结构，设置在所述第一基板的所述显示区域上方；
凹凸结构，设置在所述至少一个下绝缘层上方和所述第一基板的所述外围区域上方，并且包括至少一个金属层；
上绝缘层，形成在所述凹凸结构上方，并且包括不平坦的顶表面；
密封剂，接触并结合到所述上绝缘层的所述不平坦的顶表面；以及
第二基板，设置在所述发光结构上方，并结合到所述密封剂。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述密封剂不接触所述至少一个金属层。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凹凸结构包括：
所述至少一个金属层，包括设置在所述至少一个下绝缘层上方的第一金属层；
第一绝缘层片和第二绝缘层片，设置在所述第一金属层上方；以及
所述至少一个金属层还包括第二金属层，所述第二金属层设置在所述第一金属层上方，以覆盖所述第一绝缘层片和所述第二绝缘层片。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括第三绝缘层片，其中，所述第一金属层包括多个第一开口，其中，每个所述第三绝缘层片容纳在一个所述第一开口中。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一金属层包括多个第一开口，其中，所述第一绝缘层片被布置为使得每个所述第一绝缘层片位于直接相邻的两个所述第一开口之间，其中，所述第二绝缘层片被布置为使得每个所述第二绝缘层片布置在直接相邻的两个所述第一开口之间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述第一绝缘层片的行与所述第二绝缘层片的行交替地布置。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述第二金属层包括多个第二开口，当在垂直于所述主表面的方向上看时，所述多个第二开口中的每个与一个所述第一开口叠置。
8.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括穿过所述上绝缘层、所述第三绝缘层片和所述至少一个下绝缘层形成的第三开口，其中，所述密封剂包括贯穿所述第三开口延伸并接触所述第一基板的突起，其中，当在垂直于所述主表面的方向上看时，每个所述第三开口与一个所述第一开口叠置。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述至少一个晶体管包括设置在所述显示区域中的所述至少一个下绝缘层上方的开关晶体管和驱动晶体管。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括设置在所述驱动晶体管上方的电容器。
11.一种制造显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
提供第一基板，所述第一基板具有主表面，并且还包括设置在所述主表面的大体上中心部分上方的显示区域和设置在所述显示区域周围的外围区域；
在所述第一基板上方形成至少一个下绝缘层；
在所述至少一个下绝缘层上方并在所述显示区域上方形成至少一个晶体管；
在所述第一基板的所述显示区域上方形成发光结构；
在所述第一基板的所述外围区域上方并在所述至少一个下绝缘层上方形成凹凸结构，所述凹凸结构包括至少一个金属层；
在所述凹凸结构上方形成具有不平坦的顶表面的上绝缘层；
提供第二基板；以及
在所述第一基板与所述第二基板之间形成密封剂，其中，所述密封剂接触并结合到所述上绝缘层的所述不平坦的顶表面，并且还结合到所述第二基板。
12.根据权利要求11所述的制造显示装置的方法，其特征在于，形成所述凹凸结构的步骤包括：
在所述至少一个下绝缘层上形成所述至少一个金属层的具有多个第一开口的第一金属层；
在所述第一金属层上形成第一绝缘层片和第二绝缘层片；以及
在所述第一金属层上形成所述至少一个金属层的第二金属层，所述第二金属层具有多个第二开口并覆盖所述第一绝缘层片和所述第二绝缘层片。
13.根据权利要求12所述的制造显示装置的方法，其特征在于，所述方法还包括在所述第一开口中形成第三绝缘层片，其中，同时形成所述第一绝缘层片、所述第二绝缘层片和所述第三绝缘层片。
14.根据权利要求13所述的制造显示装置的方法，其特征在于，所述方法还包括穿过所述上绝缘层、所述第三绝缘层片和所述至少一个下绝缘层形成第三开口，所述第三开口部分地暴露所述第一基板，其中，所述密封剂包括贯穿所述第三开口延伸并接触所述第一基板的突起，其中，当在垂直于所述主表面的方向上看时，每个所述第三开口与一个所述第一开口叠置。
15.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
基板，包括主表面；
覆盖层，与所述基板相对；
发光像素阵列，设置在所述主表面的大体上中心部分上方，并且置于所述基板与所述覆盖层之间；
密封件，设置在所述基板的围绕所述大体上中心部分的外围部分上方，所述密封件置于所述基板与所述覆盖层之间并使所述基板和所述覆盖层互相连接；
下绝缘层，形成在所述基板的所述大体上外围部分的上方；
第一金属层，形成在所述下绝缘层上方，并包括彼此隔开的孔；
第一绝缘层片，每个所述第一绝缘层片被容纳在所述第一金属层的一个所述孔中；
第二金属层，形成在所述第一金属层上方，并且包括第一突起部分和均设置在直接相邻的两个所述第一突起部分之间的第一谷部分；
第二绝缘层片，均位于所述第一金属层与所述第二金属层的一个所述第一突起部分之间；
上绝缘层，形成在所述第二金属层上方，并且包括形成在所述第二金属层的所述第一突起部分上方的第二突起部分以及均设置在直接相邻的两个所述第二突起部分之间的第二谷部分；
其中，所述密封件结合到并接触所述上绝缘层的所述第二突起部分的顶表面和侧表面以及所述上绝缘层的所述第二谷部分的表面，所述上绝缘层结合到并接触所述第一绝缘层片，每个所述第一绝缘层片结合到并接触所述下绝缘层。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，每个所述第二绝缘层片包括接触并结合到所述上绝缘层的侧表面。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述第二金属层包括开口，当在垂直于所述主表面的方向上看时，所述开口中的每个与所述第一金属层的一个所述孔叠置，所述上绝缘层包括贯穿所述开口延伸以接触所述第一绝缘层片的突起。
18.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述下绝缘层、所述上绝缘层和所述第二金属层中的每个包括孔，当在垂直于所述主表面的方向上看时，所述孔中的每个与所述第一金属层的一个所述孔叠置，所述密封件包括贯穿所述孔延伸以接触所述基板的突起。
19.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述发光像素阵列包括金属层和绝缘层，其中，所述第一金属层和所述第二金属层中的每个由与所述发光像素阵列的一个所述金属层的材料相同的材料形成，其中，所述上绝缘层和所述下绝缘层中的每个由与所述发光像素阵列的一个所述绝缘层的材料相同的材料形成，其中，所述第一绝缘层片由与所述发光像素阵列的一个所述绝缘层的材料相同的材料形成，其中，所述第二绝缘层片由与所述发光像素阵列的一个所述绝缘层的材料相同的材料形成。
20.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述上绝缘层和所述下绝缘层中的至少一个包括两个或更多个一个接一个形成的子层，
其中，所述密封件不接触所述第一金属层和所述第二金属层中的任意一个。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105932030A (zh) * 2016-06-08 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106784366A (zh) * 2016-11-30 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制备方法、显示装置
CN107068688A (zh) * 2015-10-22 2017-08-18 三星显示有限公司 阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置
CN109192719A (zh) * 2018-06-21 2019-01-11 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN110783443A (zh) * 2019-10-24 2020-02-11 錼创显示科技股份有限公司 微型发光元件模块
CN113393761A (zh) * 2021-06-04 2021-09-14 昆山国显光电有限公司 显示模组及显示设备

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102403001B1 (ko) 2015-07-13 2022-05-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102439506B1 (ko) 2015-10-16 2022-09-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102574483B1 (ko) * 2016-04-11 2023-09-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US10303315B2 (en) 2016-04-22 2019-05-28 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
CN106057859B (zh) * 2016-08-04 2019-06-18 江苏双双高新科技有限公司 有机发光二极管显示装置、面板的制作方法
CN106298850A (zh) * 2016-08-04 2017-01-04 深圳爱易瑞科技有限公司 有机发光二极管显示面板及有机发光二极管显示装置
KR102657577B1 (ko) * 2016-08-22 2024-04-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102620018B1 (ko) * 2016-09-30 2024-01-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 오픈 쇼트 검사방법
TWI692002B (zh) 2017-02-28 2020-04-21 財團法人國家實驗研究院 可撓式基板結構、可撓式電晶體及其製造方法
TWI671920B (zh) * 2018-03-06 2019-09-11 友達光電股份有限公司 發光裝置及其製造方法
CN111142696B (zh) * 2018-11-05 2023-04-28 上海和辉光电股份有限公司 一种可弯折触控屏
CN111370439A (zh) * 2018-12-07 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
TWI740484B (zh) 2020-05-04 2021-09-21 宏碁股份有限公司 顯示裝置與其製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010038098A1 (en) * 2000-02-29 2001-11-08 Shunpei Yamazaki Light-emitting device
US20030230976A1 (en) * 2002-06-17 2003-12-18 Ryuji Nishikawa Organic electroluminescence panel and method for manufacturing the same
CN101009314A (zh) * 2006-01-27 2007-08-01 三星Sdi株式会社 平板显示装置及其制备方法
US20070229721A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Hiroshi Matsuda Array substrate for liquid crystal panel and liquid crystal panel and manufacturing method thereof
CN101165558A (zh) * 2006-10-20 2008-04-23 三星电子株式会社 具有反射区的液晶显示器
CN101426343A (zh) * 2007-11-02 2009-05-06 精工爱普生株式会社 电子部件的安装构造

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6353287B1 (en) * 1996-12-16 2002-03-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Gaseous discharge panel and manufacturing method therefor
US5953094A (en) * 1997-04-04 1999-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Liquid crystal display device
TWI232595B (en) * 1999-06-04 2005-05-11 Semiconductor Energy Lab Electroluminescence display device and electronic device
TW540251B (en) * 1999-09-24 2003-07-01 Semiconductor Energy Lab EL display device and method for driving the same
JP4149168B2 (ja) * 2001-11-09 2008-09-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2003168555A (ja) * 2001-11-29 2003-06-13 Sumitomo Electric Ind Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
JP3975779B2 (ja) * 2002-03-01 2007-09-12 株式会社日立製作所 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
KR100957585B1 (ko) * 2003-10-15 2010-05-13 삼성전자주식회사 광 감지부를 갖는 전자 디스플레이 장치
KR100992141B1 (ko) 2003-11-19 2010-11-04 삼성전자주식회사 유기 발광 표시장치
US7538488B2 (en) * 2004-02-14 2009-05-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Flat panel display
KR100669710B1 (ko) * 2004-02-18 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR100615236B1 (ko) * 2004-08-05 2006-08-25 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
US8136911B2 (en) * 2005-07-05 2012-03-20 Konica Minolta Holdings, Inc. Patterning apparatus, method for making organic electroluminescent element, organic electroluminescent element, and organic electroluminescent display
JP4466550B2 (ja) * 2005-12-08 2010-05-26 ソニー株式会社 表示装置
KR20070069410A (ko) 2005-12-28 2007-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR100671638B1 (ko) * 2006-01-26 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치
KR100688791B1 (ko) * 2006-01-27 2007-03-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조 방법.
KR100718968B1 (ko) 2006-01-31 2007-05-16 엘지전자 주식회사 전계발광소자 및 그의 제조방법
US7564185B2 (en) * 2006-02-20 2009-07-21 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and manufacturing method thereof
KR101254589B1 (ko) * 2006-06-29 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
CN101518168B (zh) * 2006-09-22 2011-12-07 日本写真印刷株式会社 外罩壳体和该外罩壳体的制造方法及所使用的玻璃嵌入成形用模具
KR101306860B1 (ko) * 2006-11-07 2013-09-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100810643B1 (ko) * 2007-03-13 2008-03-06 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
JP2008270540A (ja) * 2007-04-20 2008-11-06 Sony Corp 半導体装置の製造方法および表示装置
CN101681931B (zh) * 2007-08-09 2011-09-14 夏普株式会社 电路基板和显示装置
JP4506810B2 (ja) * 2007-10-19 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置
KR100897157B1 (ko) 2008-02-28 2009-05-14 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
KR101451742B1 (ko) 2008-07-09 2014-10-17 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
KR20100009385A (ko) * 2008-07-18 2010-01-27 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP2010080341A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示装置
KR101659935B1 (ko) * 2008-12-01 2016-09-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
TWI402982B (zh) * 2009-03-02 2013-07-21 Innolux Corp 影像顯示系統及其製造方法
JP2011018686A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2011028887A (ja) * 2009-07-22 2011-02-10 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
WO2011013523A1 (en) * 2009-07-31 2011-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
KR101321878B1 (ko) * 2009-09-25 2013-10-28 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
KR101603145B1 (ko) 2009-10-15 2016-03-14 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
KR101394936B1 (ko) * 2009-11-06 2014-05-14 엘지디스플레이 주식회사 광차단층을 갖는 평판 표시 장치
KR101687720B1 (ko) * 2010-07-14 2016-12-29 엘지디스플레이 주식회사 전기영동 표시소자 및 그 제조방법
TWI434409B (zh) * 2010-08-04 2014-04-11 Au Optronics Corp 有機電激發光顯示單元及其製造方法
KR101722466B1 (ko) * 2010-10-25 2017-04-04 삼성디스플레이 주식회사 컬러 필터 기판, 그 제조 방법 및 이를 이용한 표시 패널
JP5644677B2 (ja) * 2011-05-31 2014-12-24 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置
KR20130007003A (ko) * 2011-06-28 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
KR101985481B1 (ko) * 2012-07-23 2019-06-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법
JP6011133B2 (ja) * 2012-08-08 2016-10-19 三菱電機株式会社 液晶表示装置
KR102002959B1 (ko) * 2012-11-20 2019-07-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
KR101993331B1 (ko) * 2013-01-03 2019-06-27 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102162794B1 (ko) * 2013-05-30 2020-10-08 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치용 백플레인 및 그의 제조 방법
US9713274B2 (en) * 2013-09-18 2017-07-18 Sony Corporation Electronic apparatus
KR102117109B1 (ko) * 2013-10-22 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102112649B1 (ko) * 2013-11-25 2020-05-19 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 리페어 방법
KR102107008B1 (ko) * 2013-12-16 2020-05-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그의 제조방법
WO2015115607A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 株式会社フジクラ 光電変換素子
KR102253870B1 (ko) * 2014-08-11 2021-05-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20160053001A (ko) * 2014-10-30 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
KR102370035B1 (ko) * 2015-02-05 2022-03-07 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 기판, 투명 표시 장치 및 투명 표시 장치의 제조 방법
KR102375894B1 (ko) * 2015-03-27 2022-03-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102447828B1 (ko) * 2015-12-22 2022-09-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010038098A1 (en) * 2000-02-29 2001-11-08 Shunpei Yamazaki Light-emitting device
US20030230976A1 (en) * 2002-06-17 2003-12-18 Ryuji Nishikawa Organic electroluminescence panel and method for manufacturing the same
CN101009314A (zh) * 2006-01-27 2007-08-01 三星Sdi株式会社 平板显示装置及其制备方法
US20070229721A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-04 Hiroshi Matsuda Array substrate for liquid crystal panel and liquid crystal panel and manufacturing method thereof
CN101165558A (zh) * 2006-10-20 2008-04-23 三星电子株式会社 具有反射区的液晶显示器
CN101426343A (zh) * 2007-11-02 2009-05-06 精工爱普生株式会社 电子部件的安装构造

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107068688A (zh) * 2015-10-22 2017-08-18 三星显示有限公司 阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置
CN107068688B (zh) * 2015-10-22 2022-03-08 三星显示有限公司 阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置
CN105932030A (zh) * 2016-06-08 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106784366A (zh) * 2016-11-30 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制备方法、显示装置
CN106784366B (zh) * 2016-11-30 2018-09-18 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及制备方法、显示装置
US10431639B2 (en) 2016-11-30 2019-10-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Display substrate, manufacturing method thereof and display device
CN109192719A (zh) * 2018-06-21 2019-01-11 友达光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN110783443A (zh) * 2019-10-24 2020-02-11 錼创显示科技股份有限公司 微型发光元件模块
CN113393761A (zh) * 2021-06-04 2021-09-14 昆山国显光电有限公司 显示模组及显示设备

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