CN107068688A - 阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置 - Google Patents

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Abstract

这里公开了一种阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置。该阵列基板包括：基底基板，包括显示区域和周边区域；薄膜晶体管，设置在基底基板的显示区域中；绝缘层，设置在基底基板的显示区域中，该绝缘层包括覆盖薄膜晶体管的第一部分和设置在第一部分上的第二部分；以及第一凸起图案，设置在基底基板的周边区域中，其中第一部分、第二部分和第一凸起图案包括相同的材料。

Description

阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置
技术领域
本公开涉及一种阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置。
背景技术
液晶显示(LCD)装置是被最广泛使用的平板显示装置之一。LCD装置包括其上形成场产生电极(诸如像素电极和公共电极)的两个基板以及设置在这两个基板之间的液晶层。LCD装置以这样的方式显示图像：电压被施加到场产生电极以跨过液晶层产生电场，并且液晶层中的液晶分子被该电场配向以控制入射光的偏振。
随着LCD显示器作为平板显示装置而正获得关注，当前正在进行对改善LCD显示装置的显示品质和可靠性的方法的大量研究。
发明内容
本公开的各方面提供具有改善的显示品质和可靠性的阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置。
本公开的这个方面和其它的方面、实施方式和优点对本领域普通技术人员来说通过阅读下面的说明书和权利要求书将变得明显。
根据本公开的示范性实施方式，一种阵列基板包括：基底基板，包括显示区域和周边区域；薄膜晶体管，设置在基底基板的显示区域中；绝缘层，设置在基底基板的显示区域中，绝缘层包括覆盖薄膜晶体管的第一部分和设置在第一部分上的第二部分；以及第一凸起图案，设置在基底基板的周边区域中，其中第一部分、第二部分和第一凸起图案包括相同的材料。
根据本公开的示范性实施方式，一种显示装置包括：阵列基板；相对基板，面对阵列基板并包括光阻挡构件；以及液晶层，插设在阵列基板和相对基板之间，其中阵列基板包括：第一基底基板，包括显示区域和周边区域；薄膜晶体管，设置在基底基板的显示区域中；绝缘层，设置在基底基板的显示区域中，绝缘层包括覆盖薄膜晶体管的第一部分和从第一部分朝向相对基板突出且交叠光阻挡构件的第二部分；以及凸起图案，设置在第一基底基板的周边区域中并朝向相对基板突出，其中第一部分、第二部分和凸起图案包括相同的材料。
根据本公开的示范性实施方式，可以提供具有改善的显示品质和可靠性的阵列基板以及包括该阵列基板的显示装置。
应当注意，本公开的效果不限于上面的描述的效果，本公开的其它效果通过下面的描述将对于本领域技术人员来说是明显的。
附图说明
通过参照附图详细描述本公开的示范性实施方式，本公开的以上和其它的方面和特征将变得更加明显，附图中：
图1是概念性地示出根据示范性实施方式的阵列基板的平面图；
图2是包括图1所示的阵列基板的显示装置沿着线X1-X1’和X2-X2’剖取的截面图；
图3是图2的部分A和B的放大图；
图4至图22是用于示出制造根据图1至图3所示的示范性实施方式的阵列基板和显示装置的工艺的视图；
图23是根据另一个示范性实施方式的显示装置的截面图；
图24是概念性地示出根据另一个示范性实施方式的阵列基板的平面图；
图25是包括图24所示的阵列基板的显示装置沿着线Y1-Y1’和Y2-Y2’剖取的截面图；
图26是示出阵列基板的布图的视图，其中图25所示的电路部分具有非晶硅栅极(ASG)结构；
图27是图26所示的显示装置的示例结构沿着线Z1-Z1’和Z2-Z2’剖取的示意截面图；以及
图28是根据另一个示范性实施方式的显示装置的截面图。
具体实施方式
通过参照以下对实施方式的详细描述以及附图，本发明构思的特征以及实现它们的方法可以更易于理解。然而，本发明构思可以以多种不同的形式实施而不应被解释为限于这里阐述的实施方式。相反，这些实施方式被提供使得本公开将透彻且完整并将本发明构思全面地传达给本领域技术人员。相同的附图标记在整个说明书中指代相同的元件。
这里使用的术语仅是为了描述特定实施方式的目的，而不意在限制本发明构思。如这里所用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。还将理解的，术语“包括”和/或“包含”，当在本说明书中使用时，指定所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或添加。
将理解，当一元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时，它可以直接在该另一元件或层上、直接连接到或联接到该另一元件或层，或者可以存在一个或多个居间的元件或层。相反，当一元件被称为“直接在”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接联接到”该另一元件或层时，没有居间的元件或层存在。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项目的任何和所有组合。
将理解，尽管这里可以使用术语第一、第二等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受到这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分区别开。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而没有背离本发明构思的教导。
为了描述的方便，这里可以使用空间关系术语诸如“在……下面”、“在…..下方”、“下”、“在……之上”、“上”等来描述一个元件或特征与另一个(些)元件或特征如附图所示的关系。将理解，空间关系术语旨在涵盖除了附图中所绘出的方向之外装置在使用或操作中的不同取向。例如，如果附图中的装置被翻转，被描述为在其它元件或特征的“下面”或“之下”的元件将会取向在所述其它元件或特征的“上方”。因此，示范性术语“下面”可以涵盖之上和之下两种取向。装置可以另外地取向(旋转90度或在其它的取向)，这里使用的空间关系描述语被相应地解释。
除非另外地限定，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有本申请所属的领域中的普通技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的，术语诸如在通用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关领域的背景和本说明书中的含义相一致的含义，而不应被解释为理想化或过度正式的意思，除非这里明确地如此限定。
相同或类似的元件在这里用相同的附图标记表示。在下文，将参照附图详细描述本公开的示范性实施方式。
图1是概念性地示出根据示范性实施方式的阵列基板的平面图。图2是包括图1所示的阵列基板的显示装置沿着线X1–X1’和X2-X2’剖取的截面图。图3是图2的部分A和B的放大图。
参照图1至图3，显示装置1包括阵列基板100、面对阵列基板100的相对基板200以及设置在阵列基板100和相对基板200之间的液晶层300。阵列基板100可以包括第一基底基板110、多个第一像素PXa、多个第二像素PXb、多个第三像素PXc和至少一个第一凸起图案135。
第一基底基板110可以是透明的绝缘基板。例如，第一基底基板110可以是玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。此外，第一基底基板110可以包括高度耐热的聚合物或塑料。在某些实施方式中，第一基底基板110可以具有柔性。也就是说，第一基底基板110可以是可变形的，使得它可以被卷起、折叠、弯曲等。
第一基底基板110可以包括其中设置多个第一像素PXa、多个第二像素PXb和多个第三像素PXc的显示区域DA以及在显示区域DA的周边处的周边区域PA。
显示区域DA指的是其中显示图像的区域，而周边区域PA指的是其中不显示图像的区域。在某些实施方式中，用于显示图像所需的配线或部件可以设置在周边区域PA中。
尽管在附图中周边区域PA被示出为位于显示区域DA的外侧，但是本公开不限于此。此外，尽管当从顶上观看时周边区域PA在附图中被示出为围绕显示区域DA，但是本公开不限于此。在某些实施方式中，周边区域PA可以仅围绕显示区域DA的一部分。
多个第一像素PXa、多个第二像素PXb和多个第三像素PXc可以显示不同的颜色。在示范性实施方式中，多个第一像素PXa可以显示第一颜色，多个第二像素PXb可以显示与第一颜色不同的第二颜色，多个第三像素PXc可以显示与第一颜色和第二颜色不同的第三颜色。
多个第一像素PXa、多个第二像素PXb和多个第三像素PXc可以以各种方式布置。在以下的描述中，为了图示的方便，第一像素PXa、第二像素PXb和第三像素PXc按照这个次序在水平方向上布置，并且相同种类的像素布置在垂直方向上，如图1所示。然而，这仅是说明性的。在可选的实施方式中，布置在垂直方向上的像素可以不是相同种类的像素。也就是说，包括在一列中的像素可以不是相同种类的像素。例如，除了第一像素PXa之外，第一像素列可以包括第二像素PXb和/或第三像素PXc。
设置在第一基底基板110上的多个第一像素PXa、多个第二像素PXb和多个第三像素PXc可以分别包括薄膜晶体管120a、120b和120c。例如，每个第一像素PXa可以包括第一薄膜晶体管120a，每个第二像素PXb可以包括第二薄膜晶体管120b，每个第三像素PXc可以包括第三薄膜晶体管120c。尽管没有在附图中具体示出，但是用于传输栅极信号的栅极配线和用于传输数据信号的数据配线可以形成在第一基底基板110上。例如，栅极配线可以包括在行方向上延伸的栅极线和从栅极线突出的栅极电极。另外，半导体图案可以设置在每个栅极电极上。另外，数据配线可以包括在列方向上延伸的数据线、源极电极和漏极电极。每个源极电极从对应的数据线分支出来以在对应的栅极电极和对应的半导体图案上延伸，每个漏极电极与对应的源极电极分开以形成在对应的栅极电极和对应的半导体图案之上，使得漏极电极面对对应的源极电极。
第一薄膜晶体管120a、第二薄膜晶体管120b和第三薄膜晶体管120c的每个包括形成在栅极电极上的栅极绝缘膜、形成在栅极绝缘膜上且在栅极电极之上的半导体图案等的结构是本领域中公知的；因此将不对其进行描述。
设置在第一基底基板110上的多个第一像素PXa、多个第二像素PXb和多个第三像素PXc可以分别包括分别设置在第一薄膜晶体管120a、第二薄膜晶体管120b和第三薄膜晶体管120c上的第一绝缘层130a、第二绝缘层130b和第三绝缘层130c。例如，多个第一像素PXa当中的特定第一像素PXa1可以包括设置在第一薄膜晶体管120a上以覆盖它的第一绝缘层130a。第二像素PXb可以包括设置在第二薄膜晶体管120b上以覆盖它的第二绝缘层130b。第三像素PXc可以包括设置在第三薄膜晶体管120c上以覆盖它的第三绝缘层130c。
第一绝缘层130a、第二绝缘层130b和第三绝缘层130c可以包括光敏材料。光敏材料可以是光敏有机材料。在某些实施方式中，第一绝缘层130a、第二绝缘层130b和第三绝缘层130c可以包括在暴露到光时变得更硬的负光敏材料或在暴露到光时变得可溶解的正光敏材料。在下面的描述中，为了说明的方便，第一绝缘层130a、第二绝缘层130b和第三绝缘层130c包括负光敏材料。
在某些实施方式中，第一绝缘层130a、第二绝缘层130b和第三绝缘层130c可以包括颜色颜料。例如，第一绝缘层130a可以包括透射第一颜色的波长的光的第一颜色颜料。第二绝缘层130b可以包括透射具有与第一颜色不同的第二颜色的波长的光的第二颜色颜料。第三绝缘层130c可以包括透射具有与第一颜色和第二颜色不同的第三颜色的波长的光的第三颜色颜料。在示范性实施方式中，第一颜色可以是红色、绿色和蓝色之一，第二颜色可以是红色、绿色和蓝色中的另一个，第三颜色可以是红色、绿色和蓝色中的剩余一个。第一绝缘层130a、第二绝缘层130b和第三绝缘层130c可以分别透射具有特定波长范围的光，使得第一像素PXa、第二像素PXb和第三像素PXc分别显示它们自己的颜色。也就是，第一绝缘层130a、第二绝缘层130b和第三绝缘层130c可以是滤色器。
包括在多个第一像素PXa当中的第一像素PXa1中的第一绝缘层130a可以包括第一部分131a和第二部分133a。第一部分131a可以位于第一基底基板110上并可以覆盖第一薄膜晶体管120a。第二部分133a可以位于第一部分131a上并可以从第一部分131a朝向相对基板200突出。多个第一像素PXa中的除了第一像素PXa1之外的其余第一像素可以不包括上述第二部分133a。也就是，多个第一像素PXa中的除了第一像素PXa1之外的其余第一像素可以仅包括与第一部分131a基本上类似的绝缘层。
第一部分131a和第二部分133a可以由相同的材料制成并可以形成为单件。在某些实施方式中，当从顶上观看时，第二部分133a可以具有岛形。也就是，第二部分133a可以是形成在第一部分131a上的岛状图案。第二部分133a可以交叠第一薄膜晶体管120a。具体地，第二部分133a可以位于第一部分131a的顶部上且在第一薄膜晶体管120a上方。因此，第二部分133a可以被将在下面描述的光阻挡构件230覆盖。
第一部分131a可以分成不交叠第二部分133a的非交叠部分1311a和交叠第二部分133a的交叠部分1313a。非交叠部分1311a的硬度可以低于交叠部分1313a的硬度。如下面将描述的，交叠部分1313a被曝光两次，也就是被两次曝光的部分。如下面将描述的，非交叠部分1311a被曝光一次，也就是被一次曝光的部分。由于交叠部分1313a被曝光的次数大于非交叠部分1311a，所以交叠部分1313a可以比非交叠部分1311a更硬。在某些实施方式中，第二部分133a可以比第一部分131a的非交叠部分1311a更硬。类似于交叠部分1313a，第二部分133a可以被曝光比非交叠部分1311a更多的次数。因此，第二部分133a可以比非交叠部分1311a更硬。
至少一个第一凸起图案135可以形成在第一基底基板110的周边区域PA中。第一凸起图案135可以设置在周边区域PA中的预定区域处。在下面的描述中，为了说明的方便，预定区域被称为“周边图案区域PTA”。
第一凸起图案135可以朝向相对基板200突出。第一凸起图案135可以由与第一绝缘层130a、第二绝缘层130b和第三绝缘层130c之一的材料相同的材料制成。在一个实施方式中，第一凸起图案135可以由与包括第一颜色颜料的第一绝缘层130a相同的材料制成。例如，如果第一绝缘层130a包括红色颜料，则第一凸起图案135也可以包括红色颜料。类似地，如果第一绝缘层130a包括绿色颜料，则第一凸起图案135也可以包括绿色颜料。类似地，如果第一绝缘层130a包括蓝色颜料，则第一凸起图案135也可以包括蓝色颜料。
当从顶上观看时，第一凸起图案135可以具有岛形。也就是，第一凸起图案135可以是形成在第一基底基板110的周边区域PA中的岛状图案。如果第一凸起图案135具有岛形，则被引入在阵列基板100和相对基板200之间的液晶分子可以更迅速和均匀地散开。也就是，液晶层300中的液晶分子可以更好地散开。
在某些实施方式中，当从顶上观看时，第一凸起图案135的形状可以基本上类似于第二部分133a的形状。例如，如果第二部分133a具有圆形或多边形的形状，则当从顶上观看时第一凸起图案135也可以具有圆形或多边形的形状。第一凸起图案135和第二部分133a可以采用相同的掩模图案形成。因此，当从顶上观看时，第一凸起图案135的形状可以基本上类似于第二部分133a的形状。另外，在某些实施方式中，第二部分133a的顶表面的宽度W1可以基本上等于第一凸起图案135的顶表面的宽度W2。由于第一凸起图案135在附图中被夸大，所以在图3和某些附图中第一凸起图案135的顶表面的宽度W2可以被示出为大于第二部分133a的顶表面的宽度W1。
在某些实施方式中，第一凸起图案135的硬度可以低于第一部分131a的交叠部分1313a的硬度。在制造工艺期间，交叠部分1313a可以被曝光比第一凸起图案135多的次数。结果，交叠部分1313a可以比第一凸起图案135更硬。类似地，第一凸起图案135的硬度可以低于第二部分133a的硬度。
第一部分131a的厚度TH1和第二部分133a的厚度TH2之和可以大于第一凸起图案135的厚度TH3。例如，从第一基底基板110的顶表面到第一凸起图案135的顶表面的高度可以小于从第一基底基板110的顶表面到第二部分133a的顶表面的高度。也就是，第二部分133a的顶表面可以比第一凸起图案135的顶表面更靠近相对基板200。在某些实施方式中，第一部分131a的厚度TH1可以基本上等于第一凸起图案135的厚度TH3。第一绝缘层130a和第一凸起图案135可以通过图案化相同的光敏材料层而形成。在某些实施方式中，在图案化工艺期间第一绝缘层130a的第一部分131a的非交叠部分1311a被曝光的次数可以等于第一凸起图案135被曝光的次数。
多个第一像素PXa、多个第二像素PXb和多个第三像素PXc可以分别包括分别设置在第一绝缘层130a、第二绝缘层130b和第三绝缘层130c上的第一像素电极150a、第二像素电极150b和第三像素电极150c。第一像素电极150a可以设置在第一像素PXa之一或第一像素PXa1的第一绝缘层130a上，并且第一像素电极150a可以通过第一接触孔CTa电连接到第一薄膜晶体管120a。类似地，第二像素电极150b可以设置在第二像素PXb的第二绝缘层130b上，并且第二像素电极150b可以通过第二接触孔CTb电连接到第二薄膜晶体管120b。第三像素电极150c可以设置在第三像素PXc的第三绝缘层130c上，并且第三像素电极150c可以通过第三接触孔CTc电连接到第三薄膜晶体管120c。在某些实施方式中，第一像素电极150a、第二像素电极150b和第三像素电极150c可以由透明导电材料诸如ITO、IZO、ITZO和AZO制成。
除了第一间隔构件CS1、第二间隔构件CS2等之外，相对基板200可以包括第二基底基板210、光阻挡构件230、外覆层250、公共电极270。像第一基底基板110一样，第二基底基板210可以是透明的绝缘基板。第二基底基板210可以包括高度耐热的聚合物或塑料。在某些实施方式中，第二基底基板210可以具有柔性。
光阻挡构件230可以设置在第二基底基板210的面对第一基底基板100的表面上。光阻挡构件230可以用作用来阻挡光的膜，并可以形成在与第一基底基板110的周边区域PA对应的位置。光阻挡构件230可以交叠第一薄膜晶体管120a、第二薄膜晶体管120b和第三薄膜晶体管120c。如上所述，第二部分133a可以交叠第一薄膜晶体管120a，因此光阻挡构件230也可以交叠第二部分133a。光阻挡构件230可以由不透明材料诸如铬(Cr)制成，并能够防止光泄漏以改善显示装置的显示品质。
外覆层250可以形成在第二基底基板210和光阻挡构件230上并可以覆盖光阻挡构件230。外覆层250可以平坦化由光阻挡构件230产生的高度差。在某些实施方式中，外覆层250可以被省略。
公共电极270可以设置在外覆层250上。在某些实施方式中，如果外覆层250被省略，则公共电极270可以位于第二基底基板210和光阻挡构件230上。公共电极270可以由透明导电材料诸如ITO、IZO等制成，并可以遍及第二基底基板210的整个表面形成以被各像素共用。公共电压Vcom可以被施加到公共电极270，使得公共电极270与第一像素电极150a、第二像素电极150b和第三像素电极150c的每个一起可以产生电场。
第一间隔构件CS1可以设置在第二基底基板210和阵列基板100之间在与第一基底基板110的显示区域DA对应的位置。在某些实施方式中，第一间隔构件CS1可以位于公共电极270上。
在某些实施方式中，第一间隔构件CS1可以设置在与第二部分133a对应的位置，并可以交叠第二部分133a。第一间隔构件CS1可以与第二部分133a接触并可以用作用于保持阵列基板100和相对基板200之间的间隙的主间隔物。
第二间隔构件CS2可以设置在第二基底基板210和阵列基板100之间在与第一基底基板110的周边区域PA对应的位置。在某些实施方式中，第二间隔构件CS2可以设置在公共电极270上。
在某些实施方式中，第二间隔构件CS2可以设置在与第一凸起图案135对应的位置并可以交叠第一凸起图案135。第二间隔构件CS2可以与第一凸起图案135分隔开第一间隙G1。因此，第二间隔构件CS2可以用作用于第一凸起图案135的子间隔物。第一间隔构件CS1和第二间隔构件CS2可以包括光敏材料并可以通过光刻工艺制造。
在某些实施方式中，第一间隔构件CS1的厚度THc1可以基本上等于第二间隔构件CS2的厚度THc2。从公共电极270的顶表面到第一间隔构件CS1的端部的距离可以基本上等于从公共电极270的顶表面到第二间隔构件CS2的端部的距离。因此，与通过采用半色调掩模等形成具有不同厚度的第一间隔构件CS1和第二间隔构件CS2而进行的制造工艺相比，制造工艺可以更简单。
图4至图22是用于示出制造根据图1至图3所示的示范性实施方式的显示装置的阵列基板的工艺的视图。具体地，图4、6、8、10、12、14、16和18是用于示出制造显示装置的阵列基板的工艺的平面图。图5、7、9、11、13、15、17和19至22是用于示出制造显示装置的阵列基板的工艺的示意性截面图。用于获得图5、7、9、11、13、15、17和19至22的截面图的剖面线在与图1所示的线X1-X1’和X2-X2’相同的位置。所述位置也在图4、6、8、10、12、14、16和18中显示。
首先，参照图4和图5，制备包括显示区域DA和周边区域PA的第一基底基板110。显示区域DA可以包括多个第一像素区域Ra、多个第二像素区域Rb和多个第三像素区域Rc。以上参照图1至图3描述的第一像素PXa位于第一像素区域Ra中。以上参照图1至图3描述的第二像素PXb位于第二像素区域Rb中。以上参照图1至图3描述的第三像素PXc位于第三像素区域Rc中。
在多个第一像素区域Ra当中的特定像素区域中，可以形成以上参照图1至图3描述的第一像素PXa1。在下面的描述中，为了说明的方便，该特定像素区域被称为“第一特定像素区域Ra1”。
绝缘图案区域Rp可以存在于周边区域PA中。在绝缘图案区域Rp中，形成以上参照图1至图3描述的第一凸起图案135。可以存在一个以上的绝缘图案区域Rp。多个绝缘图案区域Rp可以形成在周边图案区域PTA中。
随后，第一薄膜晶体管120a、第二薄膜晶体管120b和第三薄膜晶体管120c分别形成在第一基底基板110的第一像素区域Ra、第二像素区域Rb和第三像素区域Rc中。第一光敏材料层ORG1形成在第一基底基板110上。除了显示区域DA之外，第一光敏材料层ORG1可以形成在第一基底基板110的周边区域PA中。也就是，第一光敏材料层ORG1可以遍布第一基底基板110的整个表面形成并可以覆盖第一薄膜晶体管120a、第二薄膜晶体管120b和第三薄膜晶体管120c。第一光敏材料层ORG1可以包括光敏材料并可以包括第一颜色颜料。例如，光敏材料可以为负光敏材料或正光敏材料。在下面的描述中，为了说明的方便，第一光敏材料层ORG1包括负光敏材料。
随后，参照图6和图7，第一掩模Ma被置于第一基底基板110上方。第一掩模Ma可以小于第一基底基板110。在此情况下，通过逐部分地(part by part)对第一基底基板110进行曝光工艺几次而形成图案。也就是，曝光工艺可以通过将第一基底基板110分成几个部分来进行。
第一掩模Ma可以包括与第一像素区域Ra对应的第一图案Ma1以及与绝缘图案区域Rp对应的第二图案Ma2。第一图案Ma1和第二图案Ma2可以透射光。此外，第一掩模Ma可以包括与除了第一图案Ma1和第二图案Ma2之外的其余部分对应的第一光阻挡部分Ma3。
第一掩模Ma被置于第一基底基板110上方，使得第一图案Ma1与第一像素区域Ra对准，而第二图案Ma2与绝缘图案区域Rp对准。然后，光L诸如紫外线从第一掩模Ma上方照射到第一基底基板110上，从而使第一光敏材料层ORG1固化。
第一光敏材料层ORG1的通过绝缘图案区域Rp中的照射固化的部分变成第一凸起图案135。第一光敏材料层ORG1的通过第一像素区域Ra当中的第一特定像素区域Ra1中的照射固化的部分变成第一绝缘层130a的第一部分131a(见图2)。此外，在某些实施方式中，第一部分131a的其中将形成第一接触孔CTa的部分可以由第一光阻挡部分Ma3覆盖使得其没有被固化。可选地，额外光阻挡掩模MS可以在照射光的工艺期间使用以覆盖第一基底基板110的不交叠第一掩模Ma的部分。
随后，参照图8和图9，移动第一掩模Ma使得第一图案Ma1与其上没有照射光的第一像素区域Ra的区域对准。此时，第二图案Ma2与第一像素区域Ra当中的其上已经照射光的第一特定像素区域Ra1对准。
然后，光L诸如紫外线从第一掩模Ma上方照射到第一基底基板110上，从而固化第一光敏材料层ORG1。这样，第一光敏材料层ORG1的在第一特定像素区域Ra1中的部分已经通过第一图案Ma1曝光，并可以通过第二图案Ma2被再次曝光。因此，第一光敏材料层ORG1的在第一特定像素区域Ra1中的部分包括已经通过第一图案Ma1曝光一次的部分(在下文称为一次曝光部分)以及已经通过第一图案Ma1和第二图案Ma2曝光两次的部分(在下文称为二次曝光部分)。二次曝光部分的一部分可以变成第一绝缘层130a的第二部分133a(见图2)。由于二次曝光部分比一次曝光部分更多地曝光，所以前者可以比后者更硬。
类似地，第一光敏材料层ORG1的在绝缘图案区域Rp中的部分可以通过第二图案Ma2曝光一次。因此，第一光敏材料层ORG1的在绝缘图案区域Rp中的部分可以不比二次曝光部分更硬。
随后，第一光敏材料层ORG1的没有被固化或没有被曝光的部分被去除，从而可以形成图10和图11所示的第一凸起图案135和第一绝缘层130a。另外，第一接触孔CTa可以被形成以暴露第一薄膜晶体管120a的一部分。
随后，参照图12和图13，第二光敏材料层ORG2遍及第一基底基板110的整个表面形成。也就是，第二光敏材料层ORG2可以覆盖第一薄膜晶体管120a、第二薄膜晶体管120b、第三薄膜晶体管120c、第一凸起图案135和第一绝缘层130a。第二光敏材料层ORG2可以包括光敏材料并可以包括第二颜色颜料，该第二颜色颜料具有与第一光敏材料层ORG1的第一颜色不同的第二颜色。像第一光敏材料层ORG1一样，光敏材料可以为负光敏材料或正光敏材料。在下面的描述中，为了说明的方便，第二光敏材料层ORG2包括负光敏材料。
随后，参照图14和图15，第二掩模Mb被置于第一基底基板110上方。类似于第一掩模Ma，第二掩模Mb可以小于第一基底基板110。因此，通过逐部分地对第一基底基板110上的第二光敏材料层ORG2进行曝光工艺几次而在第一基底基板110上形成图案。
第二掩模Mb可以包括与第二像素区域Rb对应的第三图案Mb1。第三图案Mb1可以透射光。另外，第二掩模Mb可以包括与除了第三图案Mb1之外的其余部分对应的第二光阻挡部分Mb2。
第二掩模Mb被置于第一基底基板110上方，使得第三图案Mb1与第二像素区域Rb对准。然后，光L诸如紫外线从第二掩模Mb上方照射到第一基底基板110上，从而固化第二光敏材料层ORG2。
第二光敏材料层ORG2的通过第二像素区域Rb中的照射固化的部分变成第二绝缘层130b。此外，在某些实施方式中，第二绝缘层130b的其中将形成第二接触孔CTb的部分可以被第二光阻挡部分Mb2覆盖使得其没有被固化。可选地，额外光阻挡掩模MS可以在照射光的工艺期间使用以覆盖第一基底基板110的不交叠第二掩模Mb的部分。
随后，参照图16和图17，移动第二掩模Mb使得第三图案Mb1与其上没有照射光的第二像素区域Rb的区域对准。然后，光L诸如紫外线从第二掩模Mb上方照射到第一基底基板110上，从而固化第二光敏材料层ORG2。
随后，第二光敏材料层ORG2的没有被固化或没有被曝光的部分被去除，从而可以形成图18和图19所示的第二绝缘层130b。另外，第二接触孔CTb可以被形成以暴露第二薄膜晶体管120b的一部分。
图20所示的第三绝缘层130c和第三接触孔CTc可以通过与形成第二绝缘层130b和第二接触孔CTb的工艺类似的工艺形成。例如，包括第三颜色颜料的第三光敏材料层可以被施加到第一基底基板110的整个表面上，并且采用与第三像素区域Rc对应的掩模逐部分地进行曝光工艺，从而形成第三绝缘层130c和第三接触孔CTc。
随后，透明导电膜遍及形成有第一绝缘层130a、第二绝缘层130b和第三绝缘层130c的第一基底基板110的整个表面形成，然后进行图案化以形成图21所示的第一像素电极150a、第二像素电极150b和第三像素电极150c。最终，制造了阵列基板。
以上参照图1至图3描述的相对基板200设置为面对阵列基板110，并且液晶层300被夹设在阵列基板100和相对基板200之间，从而可以制造显示装置1。
根据示范性实施方式，显示装置1包括设置在周边区域PA中的第一凸起图案135，从而可以抑制当单元间隙改变时引起的显示品质的下降。另外，可以防止短路形成在公共电极270和阵列基板100上的部件之间或者当相对基板200凹下时的其它缺陷。也就是，根据本示范性实施方式的显示装置1可以改善显示品质和可靠性。而且，凸起部分诸如第二部分133a可以形成在显示区域DA中而不使用额外的半色调掩模。此外，第二部分133a可以用作间隔构件之一。
图23是根据另一个示范性实施方式的显示装置的截面图。
参照图23，显示装置2可以包括阵列基板101、相对基板201和液晶层300。阵列基板101与以上参照图1至图3描述的阵列基板100(见图2)基本上类似，除了前者还包括位于第一凸起图案135上的第二凸起图案137和位于第一绝缘层130a上的绝缘图案136之外。因此，在下面的描述中，将仅描述差异以避免冗余。
第一像素PXa1还可以包括位于第二部分133a上的绝缘图案136。第二凸起图案137可以位于第一凸起图案135上。绝缘图案136和第二凸起图案137可以由相同的材料制成并可以包括光敏材料。在某些实施方式中，绝缘图案136和第二凸起图案137可以包括与第一绝缘层130a中包括的第一颜色颜料不同的颜色颜料。例如，绝缘图案136和第二凸起图案137可以包括第二颜色颜料，类似于第二绝缘层130b。另外，绝缘图案136和第二凸起图案137可以由与第二绝缘层130b相同的材料制成。在可选的实施方式中，绝缘图案136和第二凸起图案137可以包括第三颜色颜料，类似于第三绝缘层130c。绝缘图案136和第二凸起图案137可以由与第三绝缘层130c相同的材料制成。在下面的描述中，为了说明的方便，绝缘图案136和第二凸起图案137包括第二颜色颜料。然而，这仅是说明性的。
当从顶上观看时，第二凸起图案137可以具有岛形。在某些实施方式中，当从顶上观看时，第二凸起图案137的形状可以基本上类似于绝缘图案136的形状。
绝缘图案136和第二凸起图案137可以以这样的方式形成，使得与凸起图案区域Rp对应的图案(或者光透射部分)额外地形成在图14和图15所示的第二掩模Mb中，并且利用第二掩模Mb逐部分地进行曝光工艺。
第一绝缘层130a的第一部分131a和第二部分133a以及绝缘图案136可以在显示区域DA中与相对基板201接触，并可以用作用于保持单元间隙的主间隔物。第一凸起图案135和第二凸起图案137可以与相对基板201在周边图案区域PTA中分隔开间隙G2并可以用作子间隔物。
相对基板201可以包括第二基底基板210、光阻挡构件230、公共电极270和可选的外覆层250。根据本示范性实施方式的相对基板201基本上类似于以上参照图1至图3描述的相对基板200，除了前者可以仅包括第一间隔构件CS1和第二间隔构件CS2(见图2)中的一个或者都不包括之外。因此，将不进行对相同元件的描述以避免冗余。
图24是概念性地示出根据另一个示范性实施方式的阵列基板的平面图。图25是包括图24所示的阵列基板的显示装置的沿着线Y1-Y1’和Y2-Y2’剖取的截面图。
阵列基板102和包括该阵列基板102的显示装置3可以与以上参照图1至图3描述的显示装置1(见图2)基本上类似，除了电路部分310位于周边区域PA中(尤其是在第一基底基板110的周边图案区域PTA中)之外。因此，将不进行对相同元件的描述以避免冗余。
参照图24和图25，电路部分310可以位于周边区域PA中，尤其是在第一基底基板110的其中设置有第一凸起图案135的周边图案区域PTA中。第一凸起图案135可以位于电路部分310上。第一凸起图案135位于电路部分310上的表述包括：第一凸起图案135位于电路部分310的材料层或图案的至少一部分上。
图26是示出当图25所示的电路部分具有非晶硅栅极(ASG)结构时阵列基板的布局的视图。图27是图26所示的显示装置的结构的示范性实施方式沿着线Z1-Z1’和Z2-Z2’剖取的示意截面图。
参照图26和图27，在阵列基板103和包括该阵列基板103的显示装置4中，电路部分310可以是栅极驱动电路。电路部分310的栅极驱动电路可以包括源极电极接触部分60a、栅极线接触部分22、第一源极或漏极线60b、第一焊盘62、第二焊盘26、栅极线24、第一桥接线81和第二桥接线82。
每个薄膜晶体管(例如第一像素PXa1中的第一薄膜晶体管120a)可以包括栅极电极29、半导体层41、源极电极59和漏极电极69。栅极电极29可以位于第一基底基板110上并可以连接到位于第一基底基板110上的栅极线24以从其突出。栅极绝缘膜30可以位于栅极线24和栅极电极29上。栅极绝缘膜30可以由绝缘材料诸如硅氮化物或硅氧化物制成。半导体层41可以位于栅极绝缘膜30上并可以交叠栅极电极29的至少一部分。半导体层41可以包括非晶硅、多晶硅或氧化物半导体。数据线54可以位于栅极绝缘膜30上使得其交叉栅极线24。数据线54可以传输数据信号。源极电极59可以从数据线54分支出来并可以交叠栅极电极29的至少一部分。
漏极电极69可以与源极电极59间隔开使半导体层41在两者之间，并可以交叠栅极电极29的至少一部分。栅极电极29、源极电极59和漏极电极69与半导体层41一起可以形成薄膜晶体管，例如第一薄膜晶体管120a。第一薄膜晶体管120a的沟道可以是半导体层41的在源极电极59和漏极电极69之间的部分。
源极电极接触部分60a可以连接到电路部分310的栅极信号传输晶体管的第二源极或漏极线60c。这样，第二源极或漏极线60c可以朝向显示区域DA延伸，使得源极电极接触部分60a和第二源极或漏极线60c可以形成为单件。另一方面，第一源极或漏极线60b连接到源极电极接触部分60a，使得从栅极信号传输晶体管的第一源极电极61提供的栅极输出信号可以传输到前一极(stage)。
源极电极接触部分60a可以连接到栅极线接触部分22，使得从第一源极电极61提供的栅极输出信号可以传输到显示区域DA中的每个像素中形成的薄膜晶体管(例如第一像素PXa1中的第一薄膜晶体管120a)的栅极电极29。尽管源极电极接触部分60a形成在栅极绝缘膜30上而栅极线接触部分22形成在栅极绝缘膜30下，但是它们可以通过第一桥接线81电连接到彼此。
钝化膜140可以形成在源极电极接触部分60a和栅极绝缘膜30上。钝化膜140可以通过沉积硅氧化物或硅氮化物形成。钝化膜140可以被省略。
当钝化膜140形成在源极电极接触部分60a和栅极绝缘膜30上时，源极电极接触部分60a和栅极线接触部分22可以通过在钝化膜140和栅极绝缘膜30中形成第一接触孔71而经由第一桥接线81彼此连接。第一桥接线81可以形成在钝化膜140上。栅极线24连接到栅极线接触部分22，使得从源极电极接触部分60a经由第一桥接线81传输的栅极输出信号可以经由栅极线24传输到栅极电极29。
如附图中所示的，第一焊盘62可以连接到后一级的第一源极或漏极线60b并可以从后一级接收栅极输出信号。第一焊盘62可以设置在栅极线24的一侧，并且第二焊盘26可以设置在栅极线24的另一侧。第二焊盘26可以连接到第一焊盘62并可以从后一级接收栅极输出信号。第一焊盘62可以通过第二桥接线82电连接到第二焊盘26。第一焊盘62可以形成在栅极绝缘膜30上，而第二焊盘26可以形成在栅极绝缘膜30下面。
也就是，第二焊盘26可以形成在其中形成栅极电极29的层中。钝化膜140可以形成在第一焊盘62上。栅极绝缘膜30和钝化膜140可以形成在第二焊盘26上。因此，第一焊盘62和第二焊盘26通过形成在第一焊盘62上的第三接触孔73和形成在第二焊盘26上的第四接触孔74连接到第二桥接线82。第一焊盘62和第二焊盘26可以分别通过第三接触孔73和第四接触孔74连接到第二桥接线82。第二桥接线82可以形成在钝化膜140上。
如图26所示，电路部分310可以包括接触区域310b和配线区域310a。第一凸起图案135可以形成在配线区域310a中以不交叠接触区域310b中形成的第一接触孔71、第二接触孔72、第三接触孔73和第四接触孔74。接触区域310b可以指的是其中密集地形成用于将形成在电路部分310中的配线彼此电连接的第一接触孔71、第二接触孔72、第三接触孔73和第四接触孔74的区域。尽管用于将配线层彼此电连接的接触也可以形成在配线区域310a中，但是接触区域310b中的接触比配线区域310a中的接触更密集地形成。如果电路部分310是包括ASG电路的栅极驱动电路，则接触区域310b中的第一接触孔71、第二接触孔72、第三接触孔73和第四接触孔74可以通过第一桥接线81和第二桥接线82从后一级接收栅极信号，或者可以将栅极信号传输到前一级。
如上所述，第一凸起图案135可以形成在配线区域310a中，使得其不交叠接触区域310b中形成的第一接触孔71、第二接触孔72、第三接触孔73和第四接触孔74。如果第一凸起图案135设置在接触区域310b中，则第一接触孔71、第二接触孔72、第三接触孔73和第四接触孔74在随后的工艺中形成以穿过第一凸起图案135。接触区域310b中的第一接触孔71、第二接触孔72、第三接触孔73和第四接触孔74穿过钝化膜140、或栅极绝缘膜30和钝化膜140，如图26和27所示。然而，在显示装置4中，第一凸起图案135设置为使得其不交叠接触区域310b或第一接触孔71、第二接触孔72、第三接触孔73和第四接触孔74。因此，在电路部分310中形成接触孔的工艺变得更简单。
另外，由于第一凸起图案135形成在电路部分310中，所以即使相对基板200凹下，也可以防止公共电极270与电路部分310接触。结果，减少了缺陷的可能性，因此可以改善显示装置的可靠性。
图28是根据另一个示范性实施方式的显示装置的截面图。显示装置5可以包括阵列基板104、相对基板201和液晶层300。阵列基板104基本上类似于以上参照图25描述的阵列基板102，除了前者还包括位于第一凸起图案135上的第二凸起图案137和位于第一绝缘层130a上的绝缘图案136之外。第二凸起图案137和绝缘图案136基本上类似于以上参照图23描述的那些。因此，将不进行对相同元件的描述以避免冗余。
相对基板201可以包括第二基底基板210、光阻挡构件230、公共电极270和可选的外覆层250。相对基板201可以基本上类似于以上参照图23描述的相对基板。也就是，相对基板201可以仅包括第一间隔构件CS1和第二间隔构件CS2(见图2)中的一个或都不包括。
尽管为了说明的目的已经公开了本公开的示范性实施方式，但是本领域技术人员将理解，可以进行各种修改和替代，而没有脱离本公开的范围和精神的情况下。例如，本公开的示范性实施方式的元件可以被修改。这样的修改和替代也被解释为落入本公开的范围内。
本申请要求于2015年10月22日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0147507号韩国专利申请的优先权。

Claims (20)

1.一种阵列基板，包括：
基底基板，包括显示区域和周边区域；
薄膜晶体管，设置在所述基底基板的所述显示区域中；
绝缘层，设置在所述基底基板的所述显示区域中，所述绝缘层包括覆盖所述薄膜晶体管的第一部分和设置在所述第一部分上的第二部分；以及
第一凸起图案，设置在所述基底基板的所述周边区域中，
其中所述第一部分、所述第二部分和所述第一凸起图案包括相同的材料。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述第一部分、所述第二部分和所述第一凸起图案包括光敏材料。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述第一部分、所述第二部分和所述第一凸起图案包括相同的颜色颜料。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述第一凸起图案的厚度等于所述第一部分的厚度。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述第一部分的其上设置有所述第二部分的交叠部分的硬度高于所述第一凸起图案的硬度。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述第一部分的其上设置有所述第二部分的交叠部分的硬度高于所述第一部分的不与所述第二部分交叠的非交叠部分的硬度。
7.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述第一凸起图案在平面图中具有岛形。
8.如权利要求1所述的阵列基板，其中，在平面图中，所述第二部分的形状类似于所述第一凸起图案的形状。
9.如权利要求1所述的阵列基板，其中所述第二部分交叠所述薄膜晶体管。
10.如权利要求1所述的阵列基板，还包括：
绝缘图案，设置在所述第二部分上；和
第二凸起图案，设置在所述第一凸起图案上。
11.如权利要求10所述的阵列基板，其中所述绝缘图案的材料与所述第二凸起图案的材料相同，并与所述绝缘层的材料不同。
12.如权利要求10所述的阵列基板，其中所述绝缘层包括第一颜色颜料，并且其中所述第二凸起图案包括与所述第一颜色颜料不同的第二颜色颜料。
13.如权利要求1所述的阵列基板，还包括：电路部分，设置在所述基底基板的所述周边区域中，
其中所述电路部分包括多个接触用于将形成在所述电路部分中的配线彼此电连接，并且
其中所述第一凸起图案不交叠所述多个接触。
14.如权利要求13所述的阵列基板，其中所述电路部分包括用于传输栅极信号到所述显示区域的栅极驱动电路，并且
其中所述栅极驱动电路是非晶硅栅极电路。
15.一种显示装置，包括：
阵列基板；
相对基板，面对所述阵列基板并包括光阻挡构件；以及
液晶层，插设在所述阵列基板和所述相对基板之间，其中所述阵列基板包括：
第一基底基板，包括显示区域和周边区域；
薄膜晶体管，设置在所述第一基底基板的所述显示区域中；
绝缘层，设置在所述第一基底基板的所述显示区域中，所述绝缘层包括覆盖所述薄膜晶体管的第一部分和从所述第一部分朝向所述相对基板突出并交叠所述光阻挡构件的第二部分；以及
凸起图案，设置在所述第一基底基板的所述周边区域中并朝向所述相对基板突出，并且
其中所述第一部分、所述第二部分和所述凸起图案包括相同的材料。
16.如权利要求15所述的显示装置，其中所述相对基板还包括交叠所述第二部分的第一间隔构件。
17.如权利要求16所述的显示装置，其中所述相对基板还包括交叠所述凸起图案的第二间隔构件，并且所述第二间隔构件的厚度等于所述第一间隔构件的厚度。
18.如权利要求15所述的显示装置，其中所述第二部分交叠所述薄膜晶体管。
19.如权利要求15所述的显示装置，其中所述第一部分的其上设置有所述第二部分的交叠部分的硬度高于所述凸起图案的硬度。
20.如权利要求15所述的显示装置，其中所述阵列基板还包括设置在所述第一基底基板的所述周边区域中的电路部分，并且
其中所述电路部分包括多个接触用于将形成在所述电路部分中的配线彼此电连接，并且所述凸起图案不交叠所述多个接触。
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