JP2005183615A - 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置 - Google Patents
薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005183615A JP2005183615A JP2003421248A JP2003421248A JP2005183615A JP 2005183615 A JP2005183615 A JP 2005183615A JP 2003421248 A JP2003421248 A JP 2003421248A JP 2003421248 A JP2003421248 A JP 2003421248A JP 2005183615 A JP2005183615 A JP 2005183615A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film device
- substrate
- manufacturing
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 246
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 224
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 132
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract description 97
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 63
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 146
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 48
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 26
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 24
- -1 polyparaxylylene Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 claims description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 46
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 46
- 230000008569 process Effects 0.000 description 27
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 16
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 16
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 10
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 4
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 4
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 208000000474 Poliomyelitis Diseases 0.000 description 2
- 229920008285 Poly(ether ketone) PEK Polymers 0.000 description 2
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229920006235 chlorinated polyethylene elastomer Polymers 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- UFRKOOWSQGXVKV-UHFFFAOYSA-N ethene;ethenol Chemical compound C=C.OC=C UFRKOOWSQGXVKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004715 ethylene vinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L terephthalate(2-) Chemical compound [O-]C(=O)C1=CC=C(C([O-])=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000012620 biological material Substances 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】第1の基材100上に有機物からなる分離膜を堆積して分離層120を形成する工程と、分離層上に薄膜デバイス140を形成する工程と、薄膜デバイスの第1の基材と反対側に第2の基材180を接着する工程と、分離層120と第1の基材100との界面で剥離現象を生じさせることにより第1の基材100を薄膜デバイス側から剥がして該薄膜デバイスを第2の基材側に転写する工程とを有する薄膜デバイス装置の製造方法において、分離層120と第1の基材100との界面で部分的に密着力の異なる部位を設けて分離膜を形成し、その部分的に密着力の異なる部位は、第1の基材100の表面処理により形成する。
【選択図】図4
Description
このように、TFT等の薄膜デバイスを搭載する基板は、それらの薄膜デバイスを製造する際の温度条件等に耐え得るものでなければならない。
そこで特許文献1では、ガラス等の耐熱性に優れた基板に予め形成したアクティブマトリックス層をプラスチックシート基板上に転写することが開示されている。この公報では、剥離層に金属メッキを用い、アクティブマトリックス層との間に透明電気絶縁層を設けるなど煩雑な工程が必要であり、しかも、接着剤として溶剤型感圧接着剤を用いているため、応力の問題が生じる。また、特許文献2では、転写時の外力からアクティブマトリックス層を保護するために、無機バッファ層を配置したり、スリットを追加形成するなどを行っているが、工程の煩雑さを招いている。
(1):第1の基材上に有機物からなる分離膜を堆積して分離層を形成する工程と、前記分離層上に薄膜デバイスを形成する工程と、前記薄膜デバイスの前記第1の基材と反対側に第2の基材を接着する工程と、前記分離層と第1の基材との界面で剥離現象を生じさせることにより前記第1の基材を前記薄膜デバイス側から剥がして該薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写する工程と、を有する薄膜デバイス装置の製造方法において、前記分離膜と第1の基材との界面で部分的に密着力の異なる部位を設けて分離膜を形成し、その部分的に密着力の異なる部位は、第1の基材の表面処理により形成することを特徴とする。
(2):第1の基材上に有機物からなる分離膜を堆積し第1の分離層を形成する第1の工程と、前記第1の分離層上に有機機能性素子からなる薄膜デバイスを形成する第2の工程と、前記薄膜デバイスの前記第1の基材と反対側に第2の基材を接着する第3の工程と、前記第1の分離層と第1の基材との界面で剥離現象を生じさせることにより前記第1の基材を前記薄膜デバイス側から剥がして該薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写する第4の工程と、を有する薄膜デバイス装置の製造方法であって、前記第1の工程では分離膜と第1の基材との界面で部分的に密着力の異なる部位を設けて分離膜を形成し、前記第3の工程の前または第4の工程の前に、密着力の良好な部位を機械的に取り除き、前記第4の工程では第1の分離層と第1の基材との界面から剥離して、前記薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写形成する薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第1の基材にシリコン(Si)基板を用いた場合に、分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板の表面処理により形成されていることを特徴とする。
(3):(2)に記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板表面に水素終端処理を部分的に施し、その後、分離膜を堆積することによりなることを特徴とする。
(4):(2)に記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板に水酸基終端表面と水素終端表面の2つの部位からなる表面を形成し、その後、分離膜を堆積することによりなることを特徴とする。
(5):(1)〜(4)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記分離膜は、ポリパラキシリレン材料、フッ素化ポリマー、及び/またはシクロファン誘導体からなる有機物膜であることを特徴とする。
(6):(1)〜(5)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第2の基材がフレキシブル基板からなることを特徴とする。
(7):(1)〜(6)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記薄膜デバイスが、有機半導体材料を活性層として配置される有機TFT(薄膜トランジスタ)を含む有機機能性素子であり、該有機機能性素子を前記第2の基材側に転写形成して第2の基材上に配置したことを特徴とする。
(8):(2)〜(7)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第1の基材と分離膜との界面の密着力の良好な部位を機械的に取り除く工程は、ダイシングにより切断・除去する工程からなることを特徴とする。
(9):(2)〜(7)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第1の基材と分離膜との界面の密着力の良好な部位を機械的に取り除く工程は、レーザーアブレーションにより切断・除去する工程からなることを特徴とする。
(10):(1)〜(9)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写形成する工程の後、前記薄膜デバイスの前記第2の基材と反対側に第3の基材を接着する工程と、前記薄膜デバイスと第2の基材との間の接着層で剥離現象を生じさせることにより前記第2の基材を前記薄膜デバイス側から剥がして該薄膜デバイスを前記第3の基材側に転写する工程と、を有することを特徴とする。
(11):(10)に記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第3の基材がフレキシブル基板からなることを特徴とする。
(12):基板上に有機機能性素子を配置した薄膜デバイスからなる薄膜デバイス装置において、(1)〜(11)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
(13):(12)に記載の薄膜デバイス装置において、薄膜デバイスを構成する有機機能性素子が、画像信号に対し発光する有機EL(エレクトロ・ルミネッセンス)素子、または有機TFT素子がスイッチング素子として画像信号に対し発光する有機EL素子、あるいはこれらを組み合わせてなる表示素子であることを特徴とする。
(14):(12)または(13)に記載の薄膜デバイス装置において、前記薄膜デバイスが、有機機能性素子を配置したアクティブマトリクス基板であることを特徴とする。
(15):電気光学装置であって、(14)に記載の薄膜デバイス装置を用いたことを特徴とする。
本発明は、第1の基材上に有機物からなる分離膜を堆積し第1の分離層を形成する第1の工程と、前記第1の分離層上に有機機能性素子からなる薄膜デバイスを形成する第2の工程と、前記薄膜デバイスの前記第1の基材と反対側に第2の基材を接着する第3の工程と、前記第1の分離層と第1の基材との界面で剥離現象を生じさせることにより前記第1の基材を前記薄膜デバイス側から剥がして該薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写する第4の工程と、を有する薄膜デバイス装置の製造方法であって、前記第1の工程では分離膜と第1の基材との界面で部分的に密着力の異なる部位を設けて分離膜を形成し、前記第3の工程の前に密着力の良好な部位を機械的に取り除き、前記第4の工程では、前記第1の分離層と第1の基材との界面から剥離して、前記薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写形成することを特徴とする。
Siウェハ表面はシリコンダングリングボンドを酸化物が終端したところの自然酸化膜が存在し、通常表面では空気中浮遊物の吸着により有機物汚染された状態、もしくは自然酸化膜に水素結合を介して吸着水、または水酸基終端している。分離膜にポリパラキシリレンを用いた場合、この有機物汚染表面や水酸基終端表面での密着力は乏しく、分離工程では容易に界面剥離が生じるものの、有機TFTの製造プロセスには不十分である。
水素終端処理として、有機溶媒による有機洗浄や、酸素プラズマ灰化処理により有機物を除去し、自然酸化膜をフッ酸水溶液に浸漬させ除去し、その後、弱アルカリ下でのフッ化アンモニウム溶液浸漬により水素終端Siウェハ表面が得られる。この表面は非常に安定であり、通常の放置下では24時間、酸性溶液下でも1時間、表面状態は保持される。
ポリパラキシリレン分離膜とこの水素終端表面の密着性は良好であり、従って、水素終端表面を部分的に配置させることで、密着力の乏しい他の部分をこの部分が補うことで、有機TFTの製造プロセス下での剥離事故を防止させることができる。
本発明において、前記第1の分離層としては、有機物原料及び/または、そのガスを用いた化学気相堆積法により形成された有機物膜を用いてもよい。
また、前記第1の分離層は、パリレン材料からなる有機物膜や、フッ素化ポリマーであってもよい。特にパリレン膜は有効である。
また、本発明においては、薄膜デバイスが転写される第2の基材または第3の基材として、フレキシブル基板(フレキシブルシート、フレキシブルフィルム等)を用いることができる。
また、本発明では、前記第1の基材上に、前記薄膜デバイスとして、駆動回路用の薄膜トランジスタを形成して、当該薄膜トランジスタを備える駆動回路を有するアクティブマトリクス基板を製造してもよい。
さらに、本発明では、前記第1の基材上に、前記薄膜デバイスとして有機TFT、有機EL素子を形成してもよい。
図1〜図6は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜デバイス装置の製造方法のうち、基板上に薄膜デバイスを形成した後、薄膜デバイスを別の基板に転写するまでの工程を説明するための工程説明図である。
本実施形態の薄膜デバイス装置の製造方法では、まず、図1に示すように、第1の基材(例えばSiウェハ)100上に有機物からなる分離膜を堆積して第1の分離層120を形成する。
この時、Siウェハ100の表面処理により、周辺部のみを密着力良好に、また、それ以外は乏しい密着性になるようにSiウェハ100の表面改質を行い、分離層120を形成する。
本実施形態において、第1の分離層120は、有機TFTからなるアクティブマトリックス層を形成可能なだけの耐熱性や、アクティブマトリックス層形成時のパターニングする際のエッチングプロセス等に対する耐性を有し、一方、第4の工程時には他層にダメージを与えずに剥離可能であるような密着性を有するものであり、例えば90°剥離試験で〜10g/cm以下の強度に制御可能なことが重要である。また、第1の分離層120の厚さは、通常は、1〜20μm程度であるのが好ましい。
次に、図2に示すように、第1の分離層120上に、各種薄膜デバイスを含む薄膜デバイス層140を形成する。また、薄膜デバイス層140は、有機機能性素子として図3に示すように有機TFT素子を含んでいる。また、薄膜デバイス層140の最下面に中間層を配置して有機TFT素子を形成しても良い。この有機TFT素子は、逆スタガー構造のTFTを示しており、有機半導体層144、ゲート絶縁膜148、ゲート電極150、及びソース・ドレイン電極152を備えている。
図2に示す例では、薄膜デバイス層140は、TFT等の薄膜デバイスを含む層であるが、この薄膜デバイス層140に形成される薄膜デバイスは、TFT以外にも、製造する機器の種類に応じて、例えば有機薄膜ダイオード、有機電子材料のPIN接合からなる光電変換素子(光センサ、太陽電池)、有機抵抗素子、その他の有機薄膜半導体デバイス、各種有機電極、スイッチング素子、メモリー、等であってもよい。これらいずれの有機薄膜デバイスも、大面積、集積化により機能を向上させることができる。
次に、図4に示すように、薄膜デバイス層140の上(第1の基材100とは反対側)に接着層160を介して第2の基材180を接着する。
接着層160を構成する接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の接着剤が挙げられる。この接着剤の組成としては、例えばエポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等、いかなるものでもよい。このような接着層160の形成は、例えば塗布法によりなされる。
また、接着層160に光硬化型接着剤を用いた場合には、例えば薄膜デバイス層140上に接着剤を塗布し、その上に第2の基材180を接合した後、第1の基材100が光透過性であれば、その第1の基材側から、また、第2の基材180に光透過性のものを用いれば第2の基材180の側から、のうちの一方の側から接着剤に光を照射することにより接着剤を硬化させて薄膜デバイス層140と第2の基材180とを接着固定する。尚、光透過性の第1の基材100の側、及び光透過性の第2の基材180の側の双方から接着剤に光を照射してもよい。ここで用いる接着剤としては、薄膜デバイス層140に影響を与えにくい紫外線硬化型等の接着剤が望ましい。
また、第2の基材180の機械的特性としては、製造する機器の種類によっては、ある程度の剛性(強度)を有するものが用いられるが、可撓性、弾性を有するものであってもよい。
第2の基材180としては、例えば、融点がそれほど高くない安価なガラス基板、フレキシブルなシート状やフィルム状の薄いプラスチック基板、あるいはかなり厚めのプラスチック基板など、製造する機器の種類によって最適なものが用いられる。また、第2の基材180は、平板でなく、湾曲しているものであってもよい。
次に、図5に示すように、第1の基材(Siウェハ)100と分離層120との間の界面から剥離を行う。また、この工程に先だって、図4の積層体の端部を切断する。
すなわち、Siウェハ100の表面改質により周辺部を除く他の部分は乏しい密着力であるので、剥離・転写工程の前に周辺部の密着性の良好な部分をダイシング法やレーザーアブレーション法などにより切断することで、容易に剥離できるようになる。
従って、図5に示すように、Siウェハ100を剥がすように力を加えると、Siウェハ100を第1の分離層120で容易に剥がすことができる。その結果、薄膜デバイス層140を第2の基材180の方に容易に転写することができる。
また、Siウェハ100を再利用(リサイクル)することにより、製造コストの低減を図ることができる。
また、密着力の異なる分離膜の成膜は、Siウェハの表面改質処理を行うことで実行できる。具体的には、Siウェハ表面を水素終端させる部位と、非水素終端部位を形成し、分離膜としてパリレンを成膜すればできる。
次に図7〜9を参照して、本発明の第2の実施の形態を説明する。
図7〜9は、本実施形態の薄膜デバイス装置の製造方法のうち、第1の実施の形態と略同様の第4の工程で薄膜デバイス層140を第2の基材180に転写した後に行う各工程の様子を示す工程説明図である。
本実施形態は、第1の実施の形態で説明した第4の工程の後、薄膜デバイス層140を第2の基材180から第3の基材200に再度、転写することに特徴を有する。従って、本実施形態においても、第1の実施の形態の第1〜第4の工程と略同様な方法で薄膜デバイス層140の形成と、第2の基材180への薄膜デバイス層140の転写を行う。
第1の実施の形態の第1〜第4の工程と略同様な方法を行って薄膜デバイス層140を第2の基材180に転写した後は、図7に示すように、薄膜デバイス層140の下面(第2の基材180と反対側)に接着層190を介して第3の基材200を接着する。この接着層190を構成する接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種の硬化型の接着剤が挙げられる。接着剤の組成としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等、いかなるものでもよい。このような接着層190の形成は、例えば塗布法によりなされる。
また、接着層190として光硬化型接着剤を用いる場合は、好ましくは光透過性の第3の基材200の裏面側から光を照射する。接着剤としては、薄膜デバイス層140に影響を与えにくい紫外線硬化型等の接着剤を用いれば、光透過性の第2の基材180側から光を照射してもよいし、第2の基材180の側及び第3の基材200の側の双方から光を照射してもよい。尚、第3の基材200に接着層190を形成し、その上に薄膜デバイス層140を接着しても良い。また、第3の基材200自体が接着機能を有する場合等には、接着層190の形成を省略しても良い。
第3の基材200の機械的特性としては、製造する機器の種類によっては、ある程度の剛性(強度)を有するものが用いられるが、可撓性、弾性を有するものであってもよい。
第3の基材200としては、例えば、フレキシブルなシート状やフィルム状の薄いプラスチック基板、あるいはかなり厚めのプラスチック基板など、製造する機器の種類によって最適なものが用いられる。また、第3の基材200は、平板でなく、湾曲しているものであってもよい。
次に、図8に示すように、薄膜デバイス層140と第2の基材180との間の接着層160を熱溶融性接着剤からなる第2の分離層として、この第2の分離層160を加熱し、熱溶融させる。この結果、第2の分離層160の接着力が弱まるため、第2の基材180を薄膜デバイス層140の側から剥がすことができる。この第2の基材180についても、付着した熱溶融性接着剤を除去することで、繰り返し使用することができる。また、第2の分離層160として水溶性接着剤を用いた場合には、少なくとも第2の分離層160を含む領域を純水に浸せばよい。
次に、薄膜デバイス層140の表面に残る第2の分離層160を除去する。その結果、図9に示すように、第3の基材200に薄膜デバイス層140が転写された薄膜デバイス装置2を製造することができる。
本発明の第1の実施の形態の具体例としてSiウェハ100の側に、有機TFT(薄膜デバイス)を含む薄膜デバイス層140を形成し、このデバイス層140を第2の基材180に転写した薄膜デバイス装置の製造方法を説明する。
・Siウェハ(第1の基材100)の表面処理。
(部分)水素終端処理:Siウェハの周辺部のみを水素終端させる。
有機溶媒洗浄。
酸素プラズマ処理。
フォトリソグラフィーによる被水素終端部以外のレジストカバー形成。
2%−HF(フッ酸)水溶液による熱酸化膜除去。
pH8に調整した40%−NH4F(フッ化アンモニウム水溶液)に5分間浸漬。
レジスト除去。
・乾燥:120℃、30分。
・パリレン成膜(第1の分離層120の形成)。
第三化成社製 diX_C
成膜室雰囲気:0.01Torr
昇華温度:100〜170℃
熱分解温度:650℃
成膜室温度:室温
パリレン膜厚:10μm形成
・有機TFT形成プロセス。
ゲート電極の成膜:クロム(Cr)膜をスパッタリング法により、膜厚50nm堆積。
ゲート電極のパターニング:フォトリソグラフィーとエッチングでゲート電極(150)を形成。
ゲート絶縁膜(148):有機絶縁体膜をスピンコーティング法により形成。有機絶縁体膜としてはポリビニルブチラールを用い、膜厚は100nmとする。
有機半導体膜(144):ポリヘキシルチオフェン有機半導体材料をスピンコーティング法により形成。膜厚は80nmとする。
素子のパターン化、ゲート電極コンタクト:フォトリソグラフィーとエッチングで形成。
ソース・ドレイン電極(152)の形成。
次に、有機TFTを備える薄膜デバイス層140の上に接着層としてのエポキシ樹脂からなる接着層160を形成した後、この接着層160を介して、薄膜デバイス層140に対して、縦150mm×横150mm×厚さ0.7mmのソーダガラスからなる第2の基材180を貼り付ける。次に、接着層160に熱を加えてエポキシ樹脂を硬化させ、第2の基材180と薄膜デバイス層140の側とを接着する。尚、接着層160は紫外線硬化型接着剤でもよい。この場合には、第2の基材180側から紫外線を照射して紫外線硬化型接着剤を硬化させる。
次に、第1のSiウェハ100の端部をダイシング法やレーザーアブレーション法などにより切断し(全ての層を含む)、剥離を実施する。
このようにして第1の分離層120で剥離現象を起こさせてから、薄膜デバイス層140の側から第1のSiウェハ100を剥がす。その結果、薄膜デバイス層140は第2の基材180に転写される。
このようにして製造された薄膜デバイス装置1は、例えば、第2の基板180にプラスチック等からなるフレキシブル基板を用いれば、曲げに強く、軽量であるために落下にも強いという利点を有する有機薄膜デバイス装置1が形成される。また、有機薄膜デバイスの構成要素として、CPU、RAM、入力回路、さらに太陽光発電セルを搭載し、自立型マイクロコンピュータを製造することができる。
次に、Siウェハ100の側に各種のTFTを含む薄膜デバイス層140を形成し、これを第2の基材180に転写して液晶表示装置や電気泳動表示装置などの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板(薄膜デバイス装置)を製造する際の製造方法を説明する。
本実施例において、対向基板はアクティブマトリクス基板よりも小さく、アクティブマトリクス基板の対向基板の外周縁よりはみ出た領域には、後述する走査線駆動回路やデータ線駆動回路等のドライバー部が形成されている。
第1の実施例にて示した方法と同様に、第1の基材100上にパリレン膜からなる第1の分離層120を形成する。本実施例では、100mm×100mm×1.1mm(厚さ)のSiウェハ上に、パリレン膜を成膜した。基板表面改質は第1の実施例と同様に行った。
次に、第1の分離層120の上に、有機TFTを形成する。ゲート電極150として、Cr金属膜をスパッタリング法により、膜厚50nm堆積させ、フォトリソグラフィーとエッチングにより所望の電極パターン(ゲート電極150)を形成する。
次にゲート絶縁膜148を形成する。この膜は有機絶縁体膜をスピンコーティング法により形成する。有機絶縁体膜としてポリビニルブチラールを用い、100nmの膜厚に形成する。
次に有機半導体膜144を形成する。ポリヘキシルチオフェン有機半導体材料をスピンコーティング法により80nmの膜厚に形成する。
素子のパターン化や、ゲート電極コンタクトはフォトリソグラフィーとエッチングによりなされる。
また、或るレジストパターンはエッチング工程終了後、除去することなく、そのままコンタクトホールを有する層間絶縁膜として使用する。
次に、ソース・ドレイン電極152を形成する。
このようにして、有機TFTを備えた薄膜デバイス層140が形成される。尚、層間絶縁層上にはさらに保護膜を形成してもよい。また、画素スイッチング用の有機TFTのドレイン電極152と画素個別電極を接続することで薄膜デバイスが形成される。
次に薄膜デバイス層の上に接着層160を介して、ソーダガラス基板等といった安価な第2の基材180を接着する。
次に、Siウェハ100の端部をダイシング法やレーザーアブレーション法などにより切断した後、剥離を実施する。
このようにして第1の分離層120で剥離現象を起こさせてから、薄膜デバイス層140の側からSiウェハ100を剥がす。その結果、薄膜デバイス層140は第2の基材180に転写される。
本発明の第2の実施の形態の具体例として、Siウェハ100の側に薄膜デバイス層140として、有機TFTを配置した薄膜デバイスを形成し、これを第2の基材180に転写した後、さらに第3の基材200に転写して、電気光学装置のアクイティブマトリクス基板を形成する製造方法を説明する。
図10は、本実施例の有機EL素子を用いた電気光学装置の要部を示す断面図である。尚、本実施例のアクイティブマトリクス基板の基本的な構成及び製造方法は、第2の実施例と同様であるので、それらの説明を省略する。
有機TFTの一端のソース電極152と電気的に接続した有機EL素子中の第1の個別電極210を透明導電膜にて形成する。
次に有機発光層230の成膜を行う。また、透明導電膜(個別電極)210と有機発光層230の間に、電荷注入効率を稼ぐための導電性高分子膜(電荷注入層)220を配置しても良い。
具体的には透明導電膜(個別電極)210として、インジウム(In)とスズ(Sn)からなるITO膜をスパッタリングにて膜厚100nmに選択形成し、次に、ポリエチレンジオキシチオフェン膜をスピンコーティングにて50nm成膜する。有機発光層230の材料としてポリフェニレンビニレン材料を、スピンコーティングにて80nmの膜厚に形成する。
次に共通電極240としてバリウム(Ba)、銀(Ag)を真空蒸着にて成膜する。このようにして薄膜デバイス層140が形成される。
さらに、本実施例では薄膜デバイス層140を2回転写するため、薄膜デバイス層140を第3の基材200に転写し終えた状態で、薄膜デバイス層140は、Siウェハ100にTFTを形成したときの積層構造のままであるという特徴を有している。
100:第1の基材(Siウェハ)
120:第1の分離層
140:薄膜デバイス層
144:有機半導体
148:ゲート電極
150:ゲート電極
152:ソース・ドレイン電極
160:接着層
180:第2の基材
190:接着層
200:第3の基材
210:個別電極
220:電荷注入層
230:有機発光層
240:共通電極
Claims (15)
- 第1の基材上に有機物からなる分離膜を堆積して分離層を形成する工程と、前記分離層上に薄膜デバイスを形成する工程と、前記薄膜デバイスの前記第1の基材と反対側に第2の基材を接着する工程と、前記分離層と第1の基材との界面で剥離現象を生じさせることにより前記第1の基材を前記薄膜デバイス側から剥がして該薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写する工程と、を有する薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記分離膜と第1の基材との界面で部分的に密着力の異なる部位を設けて分離膜を形成し、その部分的に密着力の異なる部位は、第1の基材の表面処理により形成することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 第1の基材上に有機物からなる分離膜を堆積し第1の分離層を形成する第1の工程と、前記第1の分離層上に有機機能性素子からなる薄膜デバイスを形成する第2の工程と、前記薄膜デバイスの前記第1の基材と反対側に第2の基材を接着する第3の工程と、前記第1の分離層と第1の基材との界面で剥離現象を生じさせることにより前記第1の基材を前記薄膜デバイス側から剥がして該薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写する第4の工程と、を有する薄膜デバイス装置の製造方法であって、前記第1の工程では分離膜と第1の基材との界面で部分的に密着力の異なる部位を設けて分離膜を形成し、前記第3の工程の前または第4の工程の前に、密着力の良好な部位を機械的に取り除き、前記第4の工程では第1の分離層と第1の基材との界面から剥離して、前記薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写形成する薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第1の基材にシリコン(Si)基板を用いた場合に、分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板の表面処理により形成されていることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項2記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板表面に水素終端処理を部分的に施し、その後、分離膜を堆積することによりなることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項2記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板に水酸基終端表面と水素終端表面の2つの部位からなる表面を形成し、その後、分離膜を堆積することによりなることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1〜4の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記分離膜は、ポリパラキシリレン材料、フッ素化ポリマー、及び/またはシクロファン誘導体からなる有機物膜であることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1〜5の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第2の基材がフレキシブル基板からなることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1〜6の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記薄膜デバイスが、有機半導体材料を活性層として配置される有機TFT(薄膜トランジスタ)を含む有機機能性素子であり、該有機機能性素子を前記第2の基材側に転写形成して第2の基材上に配置したことを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項2〜7の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第1の基材と分離膜との界面の密着力の良好な部位を機械的に取り除く工程は、ダイシングにより切断・除去する工程からなることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項2〜7の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第1の基材と分離膜との界面の密着力の良好な部位を機械的に取り除く工程は、レーザーアブレーションにより切断・除去する工程からなることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1〜9の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記薄膜デバイスを前記第2の基材側に転写形成する工程の後、前記薄膜デバイスの前記第2の基材と反対側に第3の基材を接着する工程と、前記薄膜デバイスと第2の基材との間の接着層で剥離現象を生じさせることにより前記第2の基材を前記薄膜デバイス側から剥がして該薄膜デバイスを前記第3の基材側に転写する工程と、を有することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項10記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第3の基材がフレキシブル基板からなることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 基板上に有機機能性素子を配置した薄膜デバイスからなる薄膜デバイス装置において、
請求項1〜11の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法により製造されたことを特徴とする薄膜デバイス装置。 - 請求項12記載の薄膜デバイス装置において、
薄膜デバイスを構成する有機機能性素子が、画像信号に対し発光する有機EL(エレクトロ・ルミネッセンス)素子、または有機TFT素子がスイッチング素子として画像信号に対し発光する有機EL素子、あるいはこれらを組み合わせてなる表示素子であることを特徴とする薄膜デバイス装置。 - 請求項12または13記載の薄膜デバイス装置において、
前記薄膜デバイスが、有機機能性素子を配置したアクティブマトリクス基板であることを特徴とする薄膜デバイス装置。 - 請求項14記載の薄膜デバイス装置を用いたことを特徴とする電気光学装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003421248A JP2005183615A (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003421248A JP2005183615A (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005183615A true JP2005183615A (ja) | 2005-07-07 |
Family
ID=34782522
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003421248A Pending JP2005183615A (ja) | 2003-12-18 | 2003-12-18 | 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005183615A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009501448A (ja) * | 2005-07-12 | 2009-01-15 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 光電池の転写方法 |
JP2010010186A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブル有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP2010010185A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブル有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP2014041187A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Japan Display Inc | 表示装置の製造方法 |
CN106653685A (zh) * | 2013-12-02 | 2017-05-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
KR20170129058A (ko) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 제작 방법 및 전자 기기의 제작 방법 |
WO2018179266A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | Elデバイスの製造方法及びelデバイスの製造装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003174153A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置 |
JP2003318195A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Ricoh Co Ltd | 薄膜デバイス装置とその製造方法 |
JP2004282063A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP4495939B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2010-07-07 | 株式会社リコー | 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-12-18 JP JP2003421248A patent/JP2005183615A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003174153A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置 |
JP2003318195A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Ricoh Co Ltd | 薄膜デバイス装置とその製造方法 |
JP2004282063A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-10-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP4495939B2 (ja) * | 2003-10-08 | 2010-07-07 | 株式会社リコー | 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法 |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009501448A (ja) * | 2005-07-12 | 2009-01-15 | コナルカ テクノロジーズ インコーポレイテッド | 光電池の転写方法 |
JP2010010186A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブル有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP2010010185A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-01-14 | Kyodo Printing Co Ltd | フレキシブル有機elディスプレイ及びその製造方法 |
JP2014041187A (ja) * | 2012-08-21 | 2014-03-06 | Japan Display Inc | 表示装置の製造方法 |
US10355067B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10763322B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-09-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US11672148B2 (en) | 2013-12-02 | 2023-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10312315B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
CN106653685A (zh) * | 2013-12-02 | 2017-05-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
US11004925B2 (en) | 2013-12-02 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
CN106653685B (zh) * | 2013-12-02 | 2020-06-09 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造方法 |
US10879331B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10854697B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US10872947B2 (en) | 2013-12-02 | 2020-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR20170129058A (ko) * | 2016-05-16 | 2017-11-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 제작 방법 및 전자 기기의 제작 방법 |
KR102363494B1 (ko) * | 2016-05-16 | 2022-02-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 제작 방법 및 전자 기기의 제작 방법 |
CN110447309A (zh) * | 2017-03-30 | 2019-11-12 | 夏普株式会社 | El设备的制造方法以及el设备的制造装置 |
WO2018179266A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | シャープ株式会社 | Elデバイスの製造方法及びelデバイスの製造装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4410456B2 (ja) | 薄膜デバイス装置の製造方法、およびアクティブマトリクス基板の製造方法 | |
US7297040B2 (en) | Method for manufacturing a flexible panel for a flat panel display | |
JP5094776B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP3804349B2 (ja) | 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、および電気光学装置 | |
KR101852190B1 (ko) | 플렉서블 표시장치의 제조방법 | |
KR100494479B1 (ko) | 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법 | |
US7951687B2 (en) | Method of manufacturing a flexible electronic device and flexible device | |
TW200415792A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP2006041135A (ja) | 電子デバイスおよびその製造方法 | |
WO2011123285A1 (en) | Selective transfer of active components | |
WO1999044242A1 (en) | Method of detaching thin-film device, method of transferring thin-film device, thin-film device, active matrix substrate, and liquid crystal display | |
TW200419278A (en) | Peeling method and method for manufacturing display device using the peeling method | |
KR20160127270A (ko) | 플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치 | |
JP2004047975A (ja) | 積層体の転写方法及び半導体装置の作製方法 | |
JP2005183615A (ja) | 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置 | |
JP2004072049A (ja) | 有機tft素子及びその製造方法 | |
US7147531B2 (en) | Method for manufacturing a flexible panel for a flat panel display | |
JP4417615B2 (ja) | 薄膜デバイス装置の製造方法 | |
TWI360862B (en) | Methods of forming gas barriers on electronic devi | |
JP4495939B2 (ja) | 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法 | |
JP2005183616A (ja) | 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置 | |
JP4525603B2 (ja) | 薄膜トランジスタの転写方法 | |
US11249603B2 (en) | Method of forming touch control module, touch control module and touch control display device | |
JP2005116824A (ja) | 薄膜デバイス装置の製造方法、アクティブマトリクス基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、薄膜デバイス装置、アクティブマトリクス基板及び電気光学装置 | |
Kodaira et al. | A flexible 2.1‐in. active‐matrix electrophoretic display with high resolution and a thickness of 100 μm |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100928 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101206 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110510 |