KR20160127270A - 플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치 - Google Patents

플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20160127270A
KR20160127270A KR1020150058106A KR20150058106A KR20160127270A KR 20160127270 A KR20160127270 A KR 20160127270A KR 1020150058106 A KR1020150058106 A KR 1020150058106A KR 20150058106 A KR20150058106 A KR 20150058106A KR 20160127270 A KR20160127270 A KR 20160127270A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
base substrate
adhesive layer
protective film
polyimide
disposed
Prior art date
Application number
KR1020150058106A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102351121B1 (ko
Inventor
설영국
김태웅
박주찬
이필석
최진환
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020150058106A priority Critical patent/KR102351121B1/ko
Priority to US15/015,035 priority patent/US9935280B2/en
Publication of KR20160127270A publication Critical patent/KR20160127270A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102351121B1 publication Critical patent/KR102351121B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/04Interconnection of layers
    • B32B7/12Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772Field effect transistors
    • H01L29/78Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78603Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film characterised by the insulating substrate or support
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/84Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844Encapsulations
    • H10K50/8445Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873Encapsulations
    • H10K59/8731Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B32B2037/1253Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives curable adhesive
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00Coating on the layer surface
    • B32B2255/10Coating on the layer surface on synthetic resin layer or on natural or synthetic rubber layer
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00Coating on the layer surface
    • B32B2255/26Polymeric coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/206Insulating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/50Properties of the layers or laminate having particular mechanical properties
    • B32B2307/546Flexural strength; Flexion stiffness
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70Other properties
    • B32B2307/724Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242Non-permeable
    • B32B2307/7244Oxygen barrier
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70Other properties
    • B32B2307/724Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242Non-permeable
    • B32B2307/7246Water vapor barrier
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2310/00Treatment by energy or chemical effects
    • B32B2310/08Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation
    • B32B2310/0806Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation
    • B32B2310/0831Treatment by energy or chemical effects by wave energy or particle radiation using electromagnetic radiation using UV radiation
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/20Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/10Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the pressing technique, e.g. using action of vacuum or fluid pressure
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/12Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
    • B32B37/1284Application of adhesive
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)

Abstract

본 발명은 베이스 기판과, 상기 베이스 기판의 제1 면 상에 위치한 절연층과, 상기 베이스 기판의 제1 면과 마주보는 제2 면 상에 위치한 보호 필름 및 상기 베이스 기판과 상기 보호 필름 사이에 위치하며, 상기 베이스 기판의 제2 면에 상기 보호 필름을 부착하는 접착층을 포함하고, 상기 접착층은 가교제(cross-linker)를 포함하는 플렉서블 기판에 관한 것이다.

Description

플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치{FLEXIBLE SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND FLEXIBLE DISPLAY APPARATUS HAVING THE FLEXIBLE SUBSTRATE}
본 발명의 실시예는 플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치에 관한 것이다.
근래에 표시장치는 휴대가 가능한 박형의 표시장치로 대체되는 추세이다. 최근에는 표시장치 중에서도 사용자가 원하는 때에 휘거나 접을 수 있는 플렉서블 표시장치 또는 제조 공정단계에서 휘거나 접는 단계를 구비하는 플렉서블 표시장치의 응용과 용도가 확장되고 있어 각광받고 있다.
이러한 플렉서블 표시장치는 캐리어 글라스 상에 폴리이미드(PI) 기판을 코팅한 후 백플레인(Backplane) 공정을 진행하여 제작된다. 또한, 플렉서블 표시장치는 백플레인(Backplane) 공정 후 레이저 탈착 공정을 거쳐 백플레인(Backplane) 보호를 위해 하부 보호 필름을 적용하여 제작된다.
한편, 플렉서블 표시장치의 경우 휘거나 접히는 등의 변형이 지속적으로 발생한다. 따라서, 변형에 따른 폴리이미드(PI) 기판의 스트레스를 줄이기 위해 점착제(Pressure Sensitive Adhesive, PSA)를 이용하여 폴리이미드(PI) 기판 하부에 하부 보호 필름을 부착하였다.
본 발명의 목적은 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치를 제공하고자 한다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는, 베이스 기판과, 상기 베이스 기판의 제1 면 상에 위치한 절연층과, 상기 베이스 기판의 제1면과 마주보는 제2 면 상에 위치하는 보호 필름 및 상기 베이스 기판과 상기 보호 필름 사이에 위치하며 상기 베이스 기판의 제2 면에 상기 보호 필름을 부착하는 접착층을 포함하고, 상기 접착층은 가교제(cross-linker)를 포함한다.
상기 접착층은 아크릴계 수지 및 에폭시계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
상기 가교제(cross-linker)는 광 개시제 및 열 개시제 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
상기 베이스 필름은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN, polyethyelene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC, cellulose triacetate), 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate) 중 하나를 포함한다.
상기 절연층은 폴리이미드(PI, polyimide) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)를 포함한다.
상기 폴리이미드(PI, polyimide) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)은 450℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.3% 이내이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는, 베이스 기판의 제1 면 상에 절연층을 형성하는 단계와, 상기 베이스 기판의 제1 면과 마주보는 제2 면 상에 접착층을 코팅하는 단계와, 상기 접착층 상에 보호 필름을 제공하는 단계와, 상기 보호 필름을 가압하여 상기 보호 필름과 상기 베이스 기판을 부착하는 단계 및 상기 접착층을 경화시키는 단계를 포함하고, 상기 접착층은 가교제(cross-linker)를 포함한다.
상기 접착층을 경화시키는 단계는 UV 조사 방법, 레이저 조사 방법 및 열처리 방법 중 선택된 어느 하나의 방법으로 이루어진다.
상기 베이스 기판의 제1 면과 마주보는 제2 면 상에 접착층을 코팅하는 단계는 슬릿 코팅(slit coating) 방법으로 이루어진다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는, 플렉서블 기판과, 상기 플렉서블 기판 상에 배치되는 발광 소자를 포함하며, 상기 플렉서블 기판은, 베이스 기판과, 상기 베이스 기판의 제1 면 상에 위치한 절연층과, 상기 절연층 상에 형성된 박막트랜지스터와, 상기 베이스 기판의 제1 면과 마주보는 제2 면에 위치한 보호 필름과, 상기 베이스 기판과 상기 보호 필름 사이에 위치하며 상기 베이스 기판의 제2 면에 상기 보호 필름을 부착하는 접착층을 포함하고, 상기 접착층은 가교제(cross-linker)를 포함한다.
상기 접착층은 아크릴계 수지 및 에폭시계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함한다.
상기 베이스 기판은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN, polyethyelene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC, cellulose triacetate), 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate) 중 하나를 포함한다.
상기 절연층은 폴리이미드(PI, polyimide) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)을 포함한다.
상기 폴리이미드(PI, polyimide) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)은 450℃에서 무게감소(weight-loss)가 0.3% 이내이다.
상기 박막트랜지스터는, 반도체층과, 상기 반도체층 상에 배치되는 게이트 절연막과, 상기 게이트 절연막 상에 배치되는 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 배치된 층간 절연막과, 상기 층간 절연막 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 층간 절연막은 유기 절연물질로 구성된다.
상기 층간 절연막은 폴리이미드(PI, polyimide) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)을 포함한다.
상기 폴리이미드(PI, polyimide) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)은 350℃에서 무게감소(weight-loss)가 0.5% 이내이다.
이상 살펴본 바와 같은 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치는 가교제(cross-linker)를 포함하는 접착층을 구비하여 보호 필름과 베이스 기판 사이를 더욱 견고히 접착시킬 수 있다.
또한, 플렉서블 표시장치의 굴곡(folding) 시 발생하는 스트레스에 의해 보호 필름과 베이스 기판이 박리되는 문제가 최소화될 수 있다.
이와 더불어, 절연층과 층간 절연막을 유기 절연물질로 사용함으로써 플렉서블 표시장치의 가요성(flexibility)이 더욱 확보될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2 내지 도 4는 도 1에 도시된 플렉서블 기판의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 일 예를 나타낸 단면도이다.
도 6 내지 도 13은 도 5에 도시된 플렉서블 표시장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다.
그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 고안의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
또한, 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서 설명의 편의를 위해 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1을 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 기판(SUB)은 베이스 기판(120)과, 베이스 기판(120)의 제1 면에 위치한 절연층(110)과, 베이스 기판(120)의 제1 면과 마주하는 제2 면에 위치한 접착층(130) 및 접착층(130) 상에 위치한 보호 필름(140)을 포함한다.
베이스 기판(120)은 플렉서블(flexible) 특성을 갖는 고분자 유기물을 포함하는 필름 베이스 기판 및 플라스틱 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 예를 들면, 베이스 기판(120)은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀롤로오스 트리 아세테이트(TAC, cellulose triacetate), 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate) 중 하나를 포함할 수 있다.
절연층(110)은 베이스 기판(120)의 제1 면에 위치하며, 베이스 기판(120)에서 유출되는 불순물의 침투로부터 후속 공정으로 형성될 구조물(미도시)들을 보호하고, 베이스 기판(120)의 표면을 평탄화하는 역할을 할 수 있다.
절연층(110)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 유기 절연물질은 450℃에서 무게감소(weight-loss)가 0.3% 이내이다. 450℃에서 무게감소(weight-loss)가 0.3% 이내인 유기 절연물질로는 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리페닐렌(polyphenylene) 등이 있을 수 있다. 절연층(110)이 유기 절연물질로 구성됨에 따라, 플렉서블 기판(SUB)의 가요성(flexibility)이 확보될 수 있다.
보호 필름(140)은 접착층(130)에 의해 베이스 기판(120)의 제1 면과 마주보는 제2 면에 부착된다. 보호 필름(140)은 무기물이 유기물에 코팅된 필름 형태로 이루어질 수 있다. 무기물은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄 옥사이드(AlO), 알루미늄 옥시나이트라이드(AlON) 등이 있을 수 있다. 또한, 무기물은 단일막 또는 다층막의 형태가 될 수 있다. 유기물은 아크릴(acryl), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리에스테르(polyester) 등이 있을 수 있다.
특히, 보호 필름(140)은 외부로부터 산소 및 수분이 베이스 기판(120)으로 유입되는 것을 차단하는 베리어(barrier) 특성을 가질 수 있고, 10㎛ ~ 50㎛ 정도의 두께를 가질 수 있다. 보호 필름(140)은 무기물이 유기물에 코팅된 필름 형태로 구성되므로, 플렉서블 기판(SUB)의 가요성(flexibility)이 더욱 확보될 수 있다.
접착층(130)은 보호 필름(140)을 베이스 기판(120)의 제2 면에 부착하는 역할을 하며 수지와, 열 또는 광에 의해 경화 반응을 일으키는 가교제(cross-linker)를 포함한다.
수지는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등이 있을 수 있다. 가교제(cross-linker)는 광에 의해 경화 반응을 일으키는 광 개시제 또는 열에 의해 경화 반응을 일으키는 열 개시제를 포함한다.
광 개시제는 접착층(130)의 제조 과정에서 UV 등의 광 조사에 의해 반응하여 접착층(130)의 조성물의 경화 반응을 개시시킬 수 있다.
광 개시제의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않으며, 그 예에는 α-히드록시케톤계 화합물(예를 들어, IRGACURE184, IRGACURE 500, IRGACURE 2959, DAROCUR 1173; Ciba Specialty Chemicals(제)); 페닐글리옥실레이트(phenylglyoxylate)계 화합물(예를 들어, IRGACURE 754, DAROCUR MBF; Ciba Specialty Chemicals(제)); 벤질디메틸케탈계 화합물(예를 들어, IRGACURE 651; Ciba Specialty Chemicals(제)); α-아미노케톤계 화합물(예를 들어, IRGACURE 369, IRGACURE 907, IRGACURE 1300; Ciba Specialty Chemicals(제)); 모노아실포스핀계 화합물(MAPO)(예를 들어, DAROCURTPO; Ciba Specialty Chemicals(제)); 비스아실포스펜계 화합물(BAPO)(예를 들어, IRGACURE 819, IRGACURE 819DW; Ciba Specialty Chemicals(제)); 포스핀옥시드계 화합물(예를 들어, IRGACURE 2100; Ciba Specialty Chemicals(제)); 메탈로센계 화합물(예를 들어, IRGACURE 784; Ciba Specialty Chemicals(제)); 아이오도늄염(iodonium salt)(예를 들어, IRGACURE 250; Ciba Specialty Chemicals(제)); 및 상기 중 하나 이상의 혼합물(예를 들어, DAROCUR 4265, IRGACURE2022, IRGACURE 1300, IRGACURE 2005, IRGACURE 2010, IRGACURE 2020; Ciba Specialty Chemicals(제)) 등을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
열 개시제는 접착층(130)의 제조 과정에서 열처리에 의해 반응하여 접착층(130)의 조성물의 경화 반응을 개시시킬 수 있다.
열 개시제의 구체적인 종류는 특별히 한정되지 않으며, 그 예에는 2,2'-아조비스(2-메틸부티로니트릴), 2,2'-아조비스(이소부티로니트릴), 2,2'-아조 비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 4,4-아조비스(4-시아노발레릭산), 1,1'-아조비스(시클로헥산카보니트릴) 및 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸발레로니트릴) 등의 아조계화합물; 테트라메틸부틸퍼옥시 네오데카노에이트(예를 들어, Perocta ND, NOF사(제)), 비스(4-부틸시클로헥실)퍼옥시디카보네이트(예를 들어, Peroyl TCP, NOF사(제)), 디(2-에틸헥실)퍼옥시 카보네이트, 부틸퍼옥시 네오데카노에이트(예를 들어, Perbutyl ND, NOF사(제)), 디프로필 퍼옥시 디카보네이트(예를 들어, Peroyl NPP, NOF사(제)), 디이소프로필 퍼옥시 디카보네이트(예를 들어, Peroyl IPP, NOF사(제)), 디에톡시에틸 퍼옥시 디카보네이트(예를 들어, Peroyl EEP, NOF사(제)), 디에톡시헥실 퍼옥시 디카보네이트(예를 들어, Peroyl OEP, NOF사(제)), 헥실 퍼옥시 디카보네이트(ex. Perhexyl ND, NOF사(제)), 디메톡시부틸 퍼옥시 디카보네이트(예를 들어, Peroyl MBP, NOF사(제)), 비스(3-메톡시-3-메톡시부틸) 퍼옥시 디카보네이트(예를 들어, Peroyl SOP, NOF사(제)), 디부틸 퍼옥시 디카보네이트, 디세틸(dicetyl)퍼옥시 디카보네이트, 디미리스틸 (dimyristyl)퍼옥시 디카보네이트, 1,1,3,3-테트라메틸부틸 퍼옥시피발레이트(peroxypivalate), 헥실 퍼옥시 피발레이트(예를 들어, Perhexyl PV, NOF사(제)), 부틸 퍼옥시 피발레이트(ex. Perbutyl, NOF사(제)), 트리메틸 헥사노일 퍼옥시드(예를 들어, Peroyl 355, NOF사(제)), 디메틸 히드록시부틸 퍼옥시네오데카노에이트(예를 들어, Luperox 610M75, Atofina(제)), 아밀 퍼옥시네오데카노에이트(예를 들어, Luperox 546M75, Atofina(제)), 부틸 퍼옥시네오데카노에이트(예를 들어, Luperox 10M75, Atofina(제)), t-부틸퍼옥시 네오헵타노에이트, 아밀퍼옥시 피발레이트(pivalate)(예를 들어, Luperox 546M75, Alofina(제)), t-부틸퍼옥시 피발레이트, t-아밀퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 라우릴 퍼옥시드, 디라우로일(dilauroyl) 퍼옥시드, 디데카노일 퍼옥시드, 벤조일퍼옥시드, 디벤조일 퍼옥시드, 2,2-비스(tert-부틸퍼옥시)부탄, 1,1-비스(tert-부틸퍼옥시)시클로헥산, 2,5-비스(부틸퍼옥시)-2,5-디메틸헥산, 2,5-비스(tert-부틸퍼옥시)-1-메틸에틸)벤젠, 1,1-비스(tert-부틸퍼옥시)-3,3,5-트리메틸시클로헥산, tert-부틸 히드로퍼옥시드, tert-부틸 퍼옥시드, tert-부틸 퍼옥시벤조에이트, tert-부틸퍼옥시 이소프로필 카보네이트, 큐멘 히드록시퍼옥시드, 디큐밀 퍼옥시드, 라우로일 퍼옥시드 또는 2,4-펜타네디온 퍼옥시드 등의 퍼옥시계 화합물; tert-부틸 퍼아세테이트(tert-butyl peracetate); 퍼아세틱산(peracetic acid) 또는 포타슘 퍼술페이트(potassium persulfate) 등의 일종 또는 이종 이상의 혼합을 들 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
접착층(130)은 가교제(cross-linker)를 포함하므로 별도의 경화 공정을 통해 경화된다. 보호 필름(140)과 베이스 기판(120)의 제2 면 사이에서 접착층(130)이 경화됨에 따라 보호 필름(140)과 베이스 기판(120) 사이를 더욱 견고하게 접착시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 접착층(130)이 가교제(cross-linker)를 포함하는 경화 수지 조성물로 구성되기 때문에 보호 필름(140)과 베이스 기판(120) 사이를 더욱 견고히 접착함으로써 보호 필름(140)과 베이스 기판(120)이 박리되는 문제를 최소화할 수 있다.
또한, 절연층(110)이 유기 절연물질로 구성되고, 보호 필름(140)이 유기물에 무기물이 코팅된 필름 형태로 구성되어 플렉서블 기판(SUB)의 가요성(flexibility)이 더욱 확보될 수 있다.
도 2 내지 도 4는 도 1에 도시된 플렉서블 기판의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 베이스 기판(120)의 제1 면에 절연층(110)이 배치된다. 절연층(110)은 베이스 기판(120)에서 유출되는 불순물의 침투로부터 후속 공정으로 형성될 구조물(미도시)들을 보호하고, 베이스 기판(120)의 표면을 평탄화하는 역할을 할 수 있다. 절연층(110)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다.
베이스 기판(120)의 제1 면과 마주보는 제2 면 상부에 슬릿 노즐(10)이 위치한다. 슬릿 노즐(10)은 베이스 기판(120)의 제2 면에 일정한 두께를 갖는 코팅액(130')을 분사한다. 코팅액(130')은 가교제(cross-linker)를 포함하는 경화 수지 조성물로 구성된다.
이때, 베이스 기판(120)의 제2 면에 코팅액(130')을 분사하는 방법은 대면적에 적용이 가능한 슬릿 코팅(slit coating) 방법이 이용될 수 있다.
이어, 도 3을 참고하면, 베이스 기판(120)의 제2 면 상에 코팅된 코팅액(130') 상에 보호 필름(140)이 위치한다. 보호 필름(140) 상부에 롤러(20)를 위치시켜 보호 필름(140)을 가압하는 라미네이션 공정이 진행된다. 라미네이션 공정을 통해 보호 필름(140)이 코팅액(130') 상에 고정될 수 있다.
다음으로, 도 4에 도시된 바와 같이, 보호 필름(140) 상에 UV를 조사하여 코팅액(도 3의 130')을 경화시켜 베이스 기판(120)의 제2 면과 보호 필름(140) 사이에 접착층(130)이 형성된다. 접착층(130)은 경화되어 베이스 기판(120)과 보호 필름(140)을 더욱 견고히 접착시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시장치의 일 예를 나타낸 단면도이다. 도 5에 도시된 플렉서블 표시장치는 유기발광 표시장치를 일 예로 도시하였으나, 플렉서블 기판이 적용되는 전기영동 표시장치와 액정표시장치 등을 포함할 수 있다.
도 5를 참고하면, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 표시장치(200)는 플렉서블 기판(SUB)과, 플렉서블 기판(SUB) 상에 위치한 박막트랜지스터(TFT)와, 박막트랜지스터(TFT) 상에 위치한 표시소자(OLED), 및 표시소자(OLED)를 외부 환경과 격리시키는 봉지 부재(300)를 포함한다.
플렉서블 기판(SUB)은 베이스 기판(220)과, 베이스 기판(220)의 제1 면에 위치한 절연층(210)과, 베이스 기판(220)의 제1 면과 마주하는 제2 면에 위치한 접착층(230) 및 접착층(230) 하부에 위치한 보호 필름(240)을 포함한다.
베이스 기판(220)은 플렉서블(flexible) 특성을 갖는 고분자 유기물을 포함하는 필름 베이스 기판 및 플라스틱 베이스 기판 중 하나일 수 있다. 예를 들면, 베이스 기판(120)은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀롤로오스 트리 아세테이트(TAC, cellulose triacetate), 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate) 중 하나를 포함할 수 있다.
절연층(210)은 베이스 기판(220)의 제1 면에 위치하며, 베이스 기판(220)에서 유출되는 불순물의 침투로부터 후속 공정으로 형성될 박막트랜지스터(TFT)들을 보호하고, 베이스 기판(220)의 표면을 평탄화하는 역할을 할 수 있다.
절연층(210)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 유기 절연물질은 450℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.3% 이내이다. 450℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.3% 이내인 유기 절연물질로는 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리페닐렌(polyphenylene) 등이 있을 수 있다. 절연층(210)이 유기 절연물질로 구성됨에 따라 플렉서블 기판(SUB)의 가요성(flexibility)이 확보될 수 있다.
보호 필름(240)은 접착층(230)에 의해 베이스 기판(220)의 제1 면과 마주보는 제2 면에 부착된다. 보호 필름(240)은 무기물이 유기물에 코팅된 필름 형태로 이루어질 수 있다. 무기물은 실리콘 옥사이드(SiOx), 실리콘 나이트라이드(SiNx), 실리콘 옥시나이트라이드(SiON), 알루미늄 옥사이드(AlO), 알루미늄 옥시나이트라이드(AlON) 등이 있을 수 있다. 또한, 무기물은 단일막 또는 다층막의 형태가 될 수 있다. 유기물은 아크릴, 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리에스테르(polyester) 등이 있을 수 있다.
특히, 보호 필름(240)은 외부로부터 산소 및 수분이 베이스 기판(220)으로 유입되는 것을 차단하는 베리어(barrier) 특성을 가질 수 있고, 10㎛ ~ 50㎛ 정도의 두께를 가질 수 있다. 보호 필름(240)은 단일막 또는 다층막 형태의 무기물이 유기물에 코팅된 필름 형태로 구성되어 플렉서블 기판(SUB)의 가요성(flexibility)이 더욱 확보될 수 있다.
접착층(230)은 보호 필름(240)을 베이스 기판(220)의 제2 면에 부착하는 역할을 하며 수지와, 열 또는 광에 의해 경화 반응을 일으키는 가교제(cross-linker)를 포함한다. 수지는 아크릴계 수지, 에폭시계 수지 등이 있을 수 있다. 가교제(cross-linker)는 광에 의해 경화 반응을 일으키는 광 개시제 또는 열에 의해 경화 반응을 일으키는 열 개시제를 포함한다.
박막트랜지스터(TFT)는 플렉서블 기판(SUB)의 절연층(210) 상에 형성된 반도체층(SM)과, 반도체층(SM) 상에 형성된 게이트 전극(GE)과, 게이트 전극(GE) 상에 형성된 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함한다.
반도체층(SM)은 절연층(210) 상에 배치된다. 반도체층(SM)은 비정질 실리콘(a-Si), 다결정 실리콘(p-Si) 및 산화물 반도체 중 하나를 포함할 수 있다. 또한, 반도체층(SM)에서, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 접속하는 영역을 불순물이 도핑 또는 주입되는 소스 영역 및 드레인 영역일 수 있다. 소스 영역 및 드레인 영역 사이의 영역은 채널 영역일 수 있다. 여기서, 산화물 반도체는 Zn, In, Ga, Sn 및 이들의 혼합물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들면, 산화물 반도체는 IGZO(Indium-Gallium-Zinc Oxide)를 포함할 수 있다.
한편, 도면 상에는 도시하지 않았으나, 반도체층(SM)이 산화물 반도체를 포함하는 경우, 반도체층(SM)의 상부 또는 하부에 반도체층(SM)으로 유입되는 광을 차단하기 위한 광 차단막이 배치될 수도 있다. 반도체층(SM) 상에는 게이트 절연막(250)이 배치될 수 있다.
게이트 절연막(250)은 상기 반도체층(SM)을 커버하고, 반도체층(SM) 및 게이트 전극(GE)을 절연시킨다.
게이트 전극(GE)은 반도체층(SM)과 중첩하여 배치될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 게이트 전극(GE) 상에는 층간 절연막(260)이 배치된다.
층간 절연막(260)은 게이트 전극(GE)과 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 절연시킨다. 층간 절연막(260)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 유기 절연물질은 350℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.5% 이내이다. 350℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.5% 이내인 유기 절연물질로는 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리페닐렌(polyphenylene) 등이 있을 수 있다. 층간 절연막(260)이 유기 절연물질로 구성됨에 따라 플렉서블 기판(SUB)의 가요성(flexibility)이 더욱 확보될 수 있다. 층간 절연막(260) 상에는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 층간 절연막(260)에 의하여 게이트 전극(GE)과 졀연된다. 또한, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 소스 영역 및 드레인 영역과 접속할 수 있다.
한편, 본 실시예에서는 박막트랜지스터(TFT)가 탑 게이트(top gate) 구조의 박막트랜지스터인 경우를 예로서 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 박막트랜지스터(TFT)는 바텀 게이트(bottom gate) 구조의 박막트랜지스터일 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상에는 보호층(270)이 배치된다. 보호층(270)은 일부가 제거되어 드레인 전극(DE)의 일부를 외부로 노출시킨다. 보호층(270)은 유기 보호층일 수 있다. 유기 보호층은 아크릴(Acryl), PI(polyimide), PA(polyamide) 및 BCB(Benzocyclobutene) 중 하나를 포함할 수 있다. 즉, 유기 보호층은 투명하고, 유동성이 있어 하부 구조의 굴곡을 완화시켜 평탄화시킬 수 있는 평탄화막일 수 있다. 보호층(270) 상에는 드레인 전극(DE)과 접속하는 표시소자(OLED)가 배치된다.
여기서, 표시소자(OLED)는 유기 발광 소자일 수 있다. 발광 형태에 따라, 표시 소자(OLED)는 배면 발광형 유기 발광 소자, 전면 발광형 유기 발광 소자 및 양면 발광형 유기 발광 소자 중 하나일 수 있다. 본 실시예에서는 표시소자(OLED)가 배면 발광형 유기 발광 소자인 경우를 예로서 설명한다.
표시소자(OLED)는 광을 투과시킬 수 있는 투과형 전극인 제1 전극(E1)과, 제1 전극(E1) 상에 배치되는 유기 발광막(OL), 및 유기 발광막(OL) 상에 배치되고 광을 반사시킬 수 있는 반사형 전극인 제2 전극(E2)을 포함한다.
제1 전극(E1)은 드레인 전극(DE)과 접속한다. 또한, 제1 전극(E1)은 ITO(Indium Tin OxidE), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), GZO(Gallium doped Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), GTO(Gallium Tin Oxide) 및 FTO(Fluorine doped Tin Oxide) 중 하나의 투명 도전성 산화물을 포함하는 도전막일 수 있다. 제1 전극(E1) 상에는 화소 정의막(280)이 배치된다.
화소 정의막(280)은 오픈되며, 오픈된 영역은 제1 전극(E1)의 일부를 노출시킬 수 있다. 화소 정의막(280)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 화소 정의막(280)은 폴리스티렌(polystylene), 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA), 폴리아크릴로니트릴(PAN), 폴리아미드(polyamide), 폴리이미드(polyimide), 폴리아릴에테르(polyarylether), 헤테로사이클릭 폴리머(heterocyclic polymer), 파릴렌(parylene), 불소계 고분자, 에폭시 수지(epoxy resin), 벤조사이클로부틴계 수지(benzoncyclobutene series resin), 실록세인계 수지(siloxane series resin) 및 실란 수지(silane resin) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 화소 정의막(280)에 의하여 노출된 제1 전극(E1) 상에는 유기 발광막(OL)이 배치된다.
유기 발광막(OL)은 적어도 발광층을 포함하며, 일반적으로 다중 박막 구조를 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광막(OL)은 정공을 주입하는 정공 주입층(hole injection layer), 정공의 수송성이 우수하고 발광층(emitting layer)에서 결합하지 못한 전자의 이동을 억제하여 정공과 전자의 재결합 기회를 증가시키기 위한 정공 수송층(hole transport layer), 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 광을 발하는 발광층(emitting layer), 발광층(emitting layer)에서 결합하지 못한 정공의 이동을 억제하기 위한 정공 억제층(hole blocking layer), 전자를 발광층(emitting layer)으로 원활히 수송하기 위한 전자 수송층(electron transport layer), 및 전자를 주입하는 전자 주입층(electron injection layer)을 구비할 수 있다. 유기 발광막(OL) 상에는 제2 전극(E2)이 배치된다.
제2 전극(E2)은 제1 전극(E1)에 비하여 일함수가 낮은 물질, 예를 들면, 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 니켈(Li), 칼슘(Ca) 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한, 제2 전극(E2) 상에는 제2 전극(E2)의 전압 강하(IR-drop)를 방지하기 위한 도전막(미도시)을 더 포함할 수 있다.
봉지 부재(300)는 플렉서블 기판(SUB)에 마주하는 대향 기판일 수 있다. 여기서, 봉지 부재(300)는 베이스 기판(220)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 즉, 봉지 부재(300)는 플렉서블(flexible) 특성을 갖는다. 봉지 부재(300)는 표시소자(OLED)를 외부 환경과 격리시키며, 실런트를 통하여 플렉서블 기판(SUB)과 합착된다.
한편, 봉지 부재(300)는 표시소자(OLED)를 커버하는 복수의 무기막(미도시) 및 복수의 유기막(미도시)을 구비하는 봉지층일 수도 있다. 봉지층은 제2 전극(E2) 상에 표시소자(OLED)로 수분 및 산소의 침투를 방지할 수 있다. 유기막은 에폭시, 폴리이미드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌, 및 폴리아크릴레이트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기막은 실리콘 옥사이드(SiO2), 실리콘 나이트 라이드(SiNx), 알루미늄 옥사이드(Al2O3), 티타늄 옥사이드(TiO2), 지르코늄 옥사이드(ZrOx), 및 징크 옥사이드(ZnO) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
플렉서블 표시장치(200)는 플렉서블 기판(SUB) 및 봉지 부재(300) 사이의 공간을 충진하는 충진재(400)를 더 포함할 수 있다. 충진재(400)는 외부 충격으로부터 표시소자(OLED)의 손상을 방지할 수 있다.
상술한 바와 같은 플렉서블 표시장치(200)는 접착층(230)을 경화 수지 조성물로 구성하여 보호 필름(240)과 베이스 기판(220) 사이를 더욱 견고히 접착함으로써, 굴곡(folding) 시 발생하는 스트레스에 의해 보호 필름(240)과 베이스 기판(220)이 박리되는 문제를 최소화할 수 있다.
또한, 플렉서블 표시장치(200)는 절연층(210)과, 보호 필름(240) 및 층간 절연막(260)을 유기 절연물질로 구성하여 가요성(flexibility)을 더욱 확보할 수 있다.
도 6 내지 도 13은 도 5에 도시된 플렉서블 표시장치의 제조 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 6을 참고하면, 캐리어 기판(CS) 상에 베이스 기판(220)을 형성한다. 캐리어 기판(CS)은 유리 기판일 수 있다. 즉, 캐리어 기판(CS)은 리지드 타입(Rigid type)의 기판으로, 이후의 공정에서 베이스 기판(220)의 변형을 방지할 수 있다.
베이스 기판(220)은 캐리어 기판(CS) 상에 고분자 유기물을 코팅하여 형성될 수 있다. 고분자 유기물은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethyeleneterepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, Polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC, cellulose triacetate), 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate) 중 하나일 수 있다.
베이스 기판(220)을 형성한 후, 베이스 기판(220) 상에 절연층(210)을 형성한다. 절연층(210)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 유기 절연물질은 450℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.3% 이내이다. 450℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.3% 이내인 유기 절연물질로는 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리페닐렌(polyphenylene) 등이 있을 수 있다.
도 7을 참고하면, 절연층(210)을 형성한 후, 절연층(210) 상에 반도체층(SM), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 포함하는 박막트랜지스터(TFT)를 형성한다.
박막트랜지스터(TFT)는 하기와 같이 형성된다.
우선, 절연층(210) 상에 반도체층(SM)을 커버하는 게이트 절연막(250)을 형성한다. 게이트 절연막(250)은 반도체층(SM)을 커버하고, 반도체층(SM) 및 게이트 전극(GE)을 절연시킨다.
게이트 절연막(250)을 형성한 후, 게이트 절연막(250) 상에 도전성 금속막을 형성하고 이를 패터닝하여 게이트 전극(GE)을 형성한다. 게이트 전극(GE)은 반도체층(SM)과 중첩하여 배치된다. 게이트 전극(GE)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 백금(Pt), 탄탈륨(Ta), 네오디뮴(Nd), 스칸듐(Sc), 및 이들의 합금 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
게이트 전극(GE)을 형성한 후, 층간 절연막(260)을 형성한다. 층간 절연막(260)은 게이트 전극(GE)과 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 절연한다. 층간 절연막(260)은 유기 절연물질을 포함할 수 있다. 유기 절연물질은 350℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.5% 이내이다. 350℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.5% 이내인 유기 절연물질은 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리페닐렌(polyphenylene) 등이 있을 수 있다. 층간 절연막(260)을 형성한 후, 이를 패터닝하여 반도체층(SM)의 일부를 노출시킨다. 반도체층(SM)에서 노출되는 영역은 이후에 형성되는 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 콘택되는 영역일 수 있다.
연속하여, 층간 절연막(260) 상에 도전막을 형성하고 이를 패터닝하여, 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 형성한다.
도 8을 참고하면, 박막트랜지스터(TFT)를 형성한 후, 박막트랜지스터(TFT)를 커버하는 보호층(270)을 형성한다. 보호층(270)은 적어도 하나의 막을 포함할 수 있다. 예를 들면, 보호층(270)은 투명하고, 유동성이 있어 하부 구조의 굴곡을 완화시켜 표면을 평탄화시킬 수 있는 유기 보호막일 수 있다. 보호층(270)을 형성한 후, 이를 패터닝하여 드레인 전극(DE)의 일부를 노출시킨다.
그런 다음, 드레인 전극(DE)과 접속하는 표시소자(OLED)를 형성한다. 표시소자(OLED)는 광을 투과시킬 수 있는 투과형 전극인 제1 전극(E1)과, 제1 전극(E1) 상에 배치되는 유기 발광막(OL), 및 유기 발광막(OL) 상에 배치되고 광을 반사시키는 반사형 전극인 제2 전극(E2)을 포함한다.
표시소자(OLED)는 하기와 같이 형성된다.
우선, 보호층(270) 상에 투명 도전성 산화물막을 형성하고, 투명 도전성 산화물막을 패터닝하여 제1 전극(E1)을 형성한다. 제1 전극(E1)은 드레인 전극(DE)에 접속된다. 제1 전극(E1)을 형성한 후, 제1 전극(E1) 상에 제1 전극(E1)의 일부를 노출시키는 화소 정의막(280)을 형성한다. 화소 정의막(280)은 제1 전극(E1)을 커버하도록 유기 절연물질막으로 형성하고, 유기 절연물질막을 패터닝하여 형성된다. 화소 정의막(280)을 형성한 후, 화소 정의막(280)에 의하여 노출된 제1 전극(E1) 상에 유기 발광막(OL)을 형성한다. 유기 발광막(OL)은 발광층을 포함하며, 일반적으로 다층 박막 구조를 가질 수 있다. 유기 발광막(OL)을 형성한 후, 유기 발광막(OL) 상에 제2 전극(E2)을 형성한다.
도 9를 참고하면, 표시소자(OLED)를 형성한 후, 표시소자(OLED)를 외부 환경과 격리시키는 봉지 부재(300)를 형성한다. 이어, 봉지 부재(300)와 플렉서블 기판(SUB) 사이에 충진재(400)를 충진한다.
다음으로 도 10에 도시된 바와 같이, 캐리어 기판(CS)을 제거한다. 예를 들면, 캐리어 기판(CS)은 캐리어 기판(CS)에 베이스 기판(220)이 부착되는 면의 반대 방향의 면에 열을 가하거나, 레이저 빔을 조사하여 용이하게 제거될 수 있다.
도 11을 참고하면, 캐리어 기판(CS)이 제거되어 외부로 노출된 베이스 기판(220)의 제2 면에 슬릿 코팅(slit coating) 방법을 이용하여 코팅액(230')을 분사한다. 코팅액(230')은 가교제(cross-linker)를 포함하는 경화 수지 조성물로 구성된다.
이어, 도 12를 참고하면, 베이스 기판(220)의 제2 면에 코팅된 코팅액(230') 상에 보호 필름(240)을 형성한다. 여기서, 보호 필름(240)은 라미네이션 공정을 통해 코팅액(230') 상에 고정될 수 있다.
연속하여, UV 조사, 레이저 빔 조사 또는 열처리 등을 통해 코팅액(도 12의 230')을 경화시켜 도 13에 도시된 바와 같은 접착층(230)이 형성된다. 접착층(230)은 경화된 상태로 베이스 기판(220)의 제2 면과 보호 필름(240) 사이에 배치되어 베이스 기판(220)과 보호 필름(240) 사이를 견고히 접착한다.
본 발명이 속하는 기술분야의 상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허 청구범위에 의하여 나타내어지며, 특히 청구범위의 의미 및 범위 그리고 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 플렉서블 기판 110/210: 절연층
120/220: 베이스 기판 130/230: 접착층
140/240: 보호 필름 200: 플렉서블 표시장치
250: 게이트 절연막 260: 층간 절연막
270: 보호층 280: 화소 정의막
300: 봉지 부재 400: 충진재

Claims (18)

  1. 베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 제1 면 상에 위치한 절연층;
    상기 베이스 기판의 제1 면과 마주보는 제2 면 상에 위치하는 보호 필름; 및
    상기 베이스 기판과 상기 보호 필름 사이에 위치하며, 상기 베이스 기판의 제2 면에 상기 보호 필름을 부착하는 접착층을 포함하고,
    상기 접착층은 가교제(cross-linker)를 포함하는 플렉서블 기판.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 접착층은 아크릴계 수지 및 에폭시계 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 플렉서블 기판.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 가교제(cross-linker)는 광 개시제 및 열 개시제 중 적어도 어느 하나를 포함하는 플렉서블 기판.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfice), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC, cellulose triacetate), 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate) 중 하나를 포함하는 플렉서블 기판.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 절연층은 폴리이미드(PI, polyimde) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)을 포함하는 플렉서블 기판.
  6. 제5 항에 있어서,
    상기 폴리이미드(PI, polyimde) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)은 450℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.3% 이내인 플렉서블 기판.
  7. 베이스 기판의 제1 면 상에 절연층을 형성하는 단계;
    상기 베이스 기판의 제1 면과 마주보는 제2 면 상에 접착층을 형성하는 단계;
    상기 접착층 상에 보호 필름을 제공하는 단계;
    상기 보호 필름을 가압하여 상기 보호 필름과 상기 베이스 기판을 부착하는 단계; 및
    상기 접착층을 경화시키는 단계를 포함하고,
    상기 접착층은 가교제(cross-linker)를 포함하는 플렉서블 기판의 제조방법.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 접착층을 경화시키는 단계는 UV 조사 방법, 레이저 조사 방법 및 열처리 방법 중 선택된 어느 하나의 방법으로 이루어지는 플렉서블 기판의 제조방법.
  9. 제7 항에 있어서,
    상기 베이스 기판의 제1 면과 마주보는 제2 면 상에 접착층을 코팅하는 단계는 슬릿 코팅(slit coating) 방법으로 이루어지는 플렉서블 기판의 제조방법.
  10. 플렉서블 기판; 및
    상기 플렉서블 기판 상에 배치되는 발광 소자를 포함하며,
    상기 플렉서블 기판은,
    베이스 기판;
    상기 베이스 기판의 제1 면 상에 위치한 절연층;
    상기 절연층 상에 형성된 박막트랜지스터;
    상기 베이스 기판의 제1 면과 마주보는 제2 면에 위치하는 보호 필름;
    상기 베이스 기판과 상기 보호 필름 사이에 위치하며, 상기 베이스 기판의 제2 면에 상기 보호 필름을 부착하는 접착층을 포함하고,
    상기 접착층은 가교제(cross-linker)를 포함하는 플렉서블 표시장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 접착층은 아크릴계 수지 및 에폭시 수지 중 적어도 어느 하나를 포함하는 플렉서블 표시장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 가교제(cross-linker)는 광 개시제 및 열 개시제 중 적어도 어느 하나를 포함하는 플렉서블 표시장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 베이스 기판은 폴리에테르술폰(PES, polyethersulfone), 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리에테르이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelene naphthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethylene terephthalate), 폴리페닐렌 설파이드(PPS, polyphenylene sulfide), 폴리아릴레이트(PAR, polyarylate), 폴리이미드(PI, polyimide), 폴리카보네이트(PC, Polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC, cellulose triacetate), 및 셀룰로오스아세테이트 프로피오네이트(CAP, cellulose acetate propionate) 중 하나를 포함하는 플렉서블 표시장치.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 절연층은 폴리이미드(PI, polyimide) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)을 포함하는 플렉서블 표시장치.
  15. 제4 항에 있어서,
    상기 폴리이미드(PI, polyimide) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)은 450℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.3% 이내인 플렉서블 표시장치.
  16. 제10 항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터는,
    반도체층과,
    상기 반도체층 상에 배치된 게이트 절연막과,
    상기 게이트 절연막 상에 배치된 게이트 전극과,
    상기 게이트 전극 상에 배치된 층간 절연막과,
    상기 층간 절연막 상에 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고,
    상기 층간 절연막은 유기 절연물질로 구성된 플렉서블 표시장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 층간 절연막은 폴리이미드(PI, polyimide) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)을 포함하는 플렉서블 표시장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 폴리이미드(PI, polyimide) 또는 폴리페닐렌(polyphenylene)은 350℃에서 무게 감소(weight-loss)가 0.5% 이내인 플렉서블 표시장치.
KR1020150058106A 2015-04-24 2015-04-24 플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치 KR102351121B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150058106A KR102351121B1 (ko) 2015-04-24 2015-04-24 플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치
US15/015,035 US9935280B2 (en) 2015-04-24 2016-02-03 Flexible substrate and method of manufacturing thereof and flexible display device having the flexible substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150058106A KR102351121B1 (ko) 2015-04-24 2015-04-24 플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160127270A true KR20160127270A (ko) 2016-11-03
KR102351121B1 KR102351121B1 (ko) 2022-01-17

Family

ID=57148083

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150058106A KR102351121B1 (ko) 2015-04-24 2015-04-24 플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US9935280B2 (ko)
KR (1) KR102351121B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180078801A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20190065759A (ko) * 2017-12-04 2019-06-12 서울과학기술대학교 산학협력단 조립식 휴대용 디스플레이 레이어 장치
KR20200028328A (ko) * 2017-07-06 2020-03-16 제이에스알 가부시끼가이샤 발광 장치 및 유기 el 장치, 그리고 이들의 제조 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108039122B (zh) * 2017-12-29 2019-08-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示器的制备方法及柔性显示器
US10515569B2 (en) 2017-12-29 2019-12-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Preparation method of flexible display and flexible display
US10879489B2 (en) * 2018-05-21 2020-12-29 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Organic device having protective film and method of manufacturing the same
KR102623375B1 (ko) * 2018-06-08 2024-01-11 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 이의 제조 방법
CN110854136B (zh) * 2019-10-31 2022-04-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示装置基板及其制备方法
CN113793860A (zh) * 2021-07-13 2021-12-14 上海和辉光电股份有限公司 一种改善残影的柔性显示面板及其制备方法
CN114594635B (zh) * 2022-04-01 2024-01-26 Tcl华星光电技术有限公司 显示装置及其显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001094115A (ja) * 1999-04-30 2001-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2012140605A (ja) * 2010-12-15 2012-07-26 Nitto Denko Corp 光学用粘着シート
KR20140063304A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이장치 및 그 제조방법
KR20140070096A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 엘지디스플레이 주식회사 접착제, 이를 포함하는 표시장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101667538B (zh) * 2004-08-23 2012-10-10 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
EP2637229B1 (en) 2010-11-02 2018-01-03 LG Chem, Ltd. Adhesive film and method for encapsulating organic electronic device using the same
KR20130037275A (ko) * 2011-10-06 2013-04-16 주식회사 엔씰텍 플렉서블 소자를 구비하는 전자 장치의 제조 방법
KR101843199B1 (ko) 2011-12-15 2018-03-29 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
KR101989940B1 (ko) * 2012-05-11 2019-06-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
KR102000051B1 (ko) 2012-12-17 2019-10-01 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
KR20140119583A (ko) 2013-04-01 2014-10-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150027434A (ko) 2013-09-03 2015-03-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI621634B (zh) * 2013-09-16 2018-04-21 日商住友電木股份有限公司 經胺處理之具有懸垂矽基之順丁烯二酸酐聚合物、組成物及其應用

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001094115A (ja) * 1999-04-30 2001-04-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
JP2012140605A (ja) * 2010-12-15 2012-07-26 Nitto Denko Corp 光学用粘着シート
KR20140063304A (ko) * 2012-11-16 2014-05-27 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이장치 및 그 제조방법
KR20140070096A (ko) * 2012-11-30 2014-06-10 엘지디스플레이 주식회사 접착제, 이를 포함하는 표시장치 및 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180078801A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20200028328A (ko) * 2017-07-06 2020-03-16 제이에스알 가부시끼가이샤 발광 장치 및 유기 el 장치, 그리고 이들의 제조 방법
KR20190065759A (ko) * 2017-12-04 2019-06-12 서울과학기술대학교 산학협력단 조립식 휴대용 디스플레이 레이어 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR102351121B1 (ko) 2022-01-17
US20160315276A1 (en) 2016-10-27
US9935280B2 (en) 2018-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102351121B1 (ko) 플렉서블 기판 및 그의 제조방법, 플렉서블 기판을 구비한 플렉서블 표시장치
JP4410456B2 (ja) 薄膜デバイス装置の製造方法、およびアクティブマトリクス基板の製造方法
US10637007B1 (en) Method for manufacturing flexible display device and flexible display device
KR102378361B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
JP2021099517A (ja) 表示装置
US10637000B2 (en) Apparatus, method of manufacturing display apparatus, and protective film
US9774714B2 (en) Method for fabricating window member
KR102336684B1 (ko) 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
KR20170130668A (ko) 플렉서블 디스플레이
US20170062757A1 (en) Flexible oled display and method for manufacturing the same
US20170005291A1 (en) Flexible display and method of manufacturing the same
KR20160129981A (ko) 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비하는 표시 패널
KR20130054152A (ko) 표시 장치 및 전자 기기
KR20140013784A (ko) 도너 기판 및 도너 기판을 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US10826030B2 (en) Package structure of electronic modules with silicone sealing frame and the manufacturing method thereof
US9893314B2 (en) Display device
US11974454B2 (en) Display device and method for manufacturing display device
KR101838756B1 (ko) 유기전계발광 표시장치의 봉지방법
KR20210025754A (ko) 보호 윈도우 및 이를 포함하는 표시 장치
US20200381648A1 (en) Display device, method of manufacturing display device, and guide structure used therein
US11309516B2 (en) Display panel packaging method and packaging structure each having laminated structure of water-blocking layer and light-absorbing adhesive layer
JP2017041412A (ja) 電子装置
JP2014202934A (ja) 表示装置および電子機器
JP2005183615A (ja) 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置
JP4417615B2 (ja) 薄膜デバイス装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant