JP2005183616A - 薄膜デバイス装置の製造方法及び薄膜デバイス装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基材100上に第1の有機物からなる分離膜120を形成する第1工程と、分離膜上に薄膜デバイス140を形成する第2工程と、薄膜デバイスの基材と反対側に第2の有機物からなる膜160を形成する第3工程と、分離膜120と基材100との界面で剥離現象を生じさせることにより基材を薄膜デバイス140側から剥がす第4工程とを有し、第1工程では分離膜と基材との界面で部分的に密着力の異なる部位を設け、第4工程の前に前記界面の密着力の良好な部位を機械的に取り除き、第4工程で薄膜デバイスを剥離する薄膜デバイス装置の製造方法において、分離膜120との基材100との界面で部分的に密着力の異なる部位は、基材の表面処理により形成する。
【選択図】図5
Description
このように、TFT等の薄膜デバイスを搭載する基板は、それらの薄膜デバイスを製造する際の温度条件等に耐え得るものでなければならない。
そこで特許文献1では、ガラス等の耐熱性に優れた基板に予め形成したアクティブマトリックス層をプラスチックシート基板上に転写することが開示されている。この公報では、剥離層に金属メッキを用い、アクティブマトリックス層との間に透明電気絶縁層を設けるなど煩雑な工程が必要であり、しかも、接着剤として溶剤型感圧接着剤を用いているため、応力の問題が生じる。また、特許文献2では、転写時の外力からアクティブマトリックス層を保護するために、無機バッファ層を配置したり、スリットを追加形成するなどを行っているが、工程の煩雑さを招いている。
(1):第1の基材上に第1の有機物からなる分離膜を形成する第1の工程と、前記第1の有機物からなる分離膜上に薄膜デバイスを形成する第2の工程と、前記薄膜デバイスの前記第1の基材と反対側に第2の有機物からなる膜を形成する第3の工程と、前記第1の有機物からなる分離膜と前記第1の基材との界面で剥離現象を生じさせることにより前記第1の基材を前記薄膜デバイス側から剥がす第4の工程と、を有する薄膜デバイス装置の製造方法であって、前記第1の工程では前記分離膜と第1の基材との界面で部分的に密着力の異なる部位を設け、前記第4の工程の前に前記界面の密着力の良好な部位を機械的に取り除き、前記第4の工程で薄膜デバイスを剥離する薄膜デバイス装置の製造方法において、前記分離膜と第1の基材との界面で部分的に密着力の異なる部位が、前記第1の基材の表面処理により形成されていることを特徴とする。
(2):(1)に記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第1の基材としてシリコン(Si)基板を用い、前記分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位が、前記Si基板の表面処理により形成されていることを特徴とする。
(3):(2)に記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板表面に水素終端処理を部分的に施し、その後、分離膜を堆積することによりなることを特徴とする。
(4):(2)に記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板に水酸基終端表面と水素終端表面の2つの部位からなる表面を形成し、その後、分離膜を堆積することによりなることを特徴とする。
(5):(1)〜(4)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第1の有機物からなる分離膜及び/または前記第2の有機物からなる膜は、有機物原料及び/または、そのガスを用いた化学気相堆積法により形成された有機物膜であることを特徴とする。
(6):(1)〜(4)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第1の有機物膜はパリレン材料、フッ素化ポリマー、またはシクロファン誘導体からなる有機物膜であることを特徴とする。
(7):(1)〜(6)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第2の有機物膜が前記第1の有機物膜と同じ材料の膜であることを特徴とする。
(8):(1)〜(7)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第1の有機物膜の膜厚が10μm以上であることを特徴とする。
(9):(1)〜(8)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第4の工程の前に前記界面の密着力の良好な部位を機械的に取り除く方法として、前記第1の基材と分離膜との界面の密着力の良好な部位を、ダイシングあるいはレーザーアブレーションにより切断・除去することを特徴とする。
(10):(1)〜(9)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第4の工程で前記薄膜デバイスを前記第1の基材から剥離した後、該薄膜デバイスの前記第1の基材と同じ側に第2の基材を接着する第5の工程を有することを特徴とする。
(11):(10)に記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第2の基材がフレキシブル基板からなることを特徴とする。
(12):(1)〜(11)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記第2の工程では、前記第1の基材上に、前記薄膜デバイスとして、少なくとも有機薄膜トランジスタ(有機TFT)を形成することを特徴とする。
(13):(12)に記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、前記有機薄膜トランジスタ(有機TFT)に含まれるゲート絶縁膜が、パリレン材料、フッ素化ポリマー、またはシクロファン誘導体からなる有機物膜であることを特徴とする。
(14):薄膜デバイスを有する薄膜デバイス装置において、(1)〜(13)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法により形成されたことを特徴とする。
(15):(1)〜(13)の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法を利用したアクティブマトリクス基板の製造方法において、前記第2の工程では、前記第1の基材上に、前記薄膜デバイスとして画素スイッチング用の薄膜トランジスタ(TFT)をマトリクス状に形成して、該薄膜トランジスタをマトリクス状に有するアクティブマトリクス基板を製造することを特徴とする。
(16):アクティブマトリクス基板であって、(15)に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法により形成されたことを特徴とする。
(17):電気光学装置であって、(16)に記載のアクティブマトリクス基板を用いたことを特徴とする。
本発明は、第1の基材上に第1の有機物膜からなる分離膜を形成する第1の工程と、前記第1の有機物膜上に薄膜デバイスを形成する第2の工程と、前記薄膜デバイスの前記第1の基材と反対側に第2の有機物膜を形成する第3の工程と、前記第1の有機物膜と第1の基材との界面で剥離現象を生じさせることにより前記第1の基材を前記薄膜デバイス側から剥がす第4の工程とを有し、基材なしの自立体を形成する薄膜デバイス装置の製造方法、あるいは、前記第4の工程で前記薄膜デバイスを前記第1の基材から剥離した後、該薄膜デバイスの前記第1の基材と同じ側に第2の基材を接着する第5の工程を有する薄膜デバイス装置の製造方法であって、前記第1の工程では分離膜と第1の基材との界面で部分的に密着力の異なる部位を設けて分離膜を形成し、前記第4の工程の前に密着力の良好な部位を機械的に取り除き、前記第4の工程で分離膜と第1の基材との界面から剥離することを特徴としている。そして、前記分離膜と第1の基材との界面で部分的に密着力の異なる部位は、前記第1の基材の表面処理により形成されている。より具体的には、前記第1の基材としてSi基板(例えばSiウェハ)を用いた場合、分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板の表面処理により形成されている。すなわち、分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板表面に水素終端処理を部分的に施し、その後、分離膜を堆積することにより得るか、あるいは、Si基板に水酸基終端表面と水素終端表面の2つの部位からなる表面を形成し、その後、分離膜を堆積することにより得られる。
Siウェハ表面はシリコンダングリングボンドを酸化物が終端したところの自然酸化膜が存在し、通常表面では空気中浮遊物吸着により有機物汚染された状態、もしくは自然酸化膜に水素結合を介して吸着水、または水酸基終端している。分離膜にポリパラキシリレンを用いた場合、この有機物汚染表面、や水酸基終端表面での密着力は乏しく、分離工程では容易に界面剥離が生じるものの、有機TFTプロセスには不十分である。
水素終端処理として、有機溶媒による有機洗浄、酸素プラズマ灰化処理により有機物を除去し、自然酸化膜をフッ酸水溶液に浸漬させ除去、その後、弱アルカリ下でのフッ化アンモニウム溶液浸漬により水素終端Siウェハ表面が得られる。この表面は非常に安定であり、通常の放置下では24時間、酸性溶液下でも1時間、表面状態は保持される。
ポリパラキシリレン分離膜とこの水素終端表面の密着性は良好であり、従って、水素終端表面を部分的に配置させることで、密着力の乏しい他の部分をこの部分が補うことで、有機TFTプロセス下での剥離事故を防止させることができる。
尚、本発明において、前記第2の工程では、有機物膜は有機TFTプロセスには十分耐えうる基材密着力を有し、また、前記第4の工程では、その密着力の低減により剥離現象を容易に行うことができるように形成される。また、第4の工程に先だって、第1の基材と分離膜との界面の密着力の良好な部位を、ダイシング法あるいはレーザーアブレーション法により切断・除去することにより、第4の工程での剥離を容易に行うことができる。
また、前記第1の有機物膜は、パリレン材料からなる有機物膜や、フッ素化ポリマーからなる有機物膜であり、またはシクロファン誘導体からなる有機物膜であってもよい。特にパリレン膜は有効である。
また、本発明では、前記第1の基材上に、前記薄膜デバイスとして、駆動回路用の薄膜トランジスタ(TFT)を形成して、該薄膜トランジスタを備える駆動回路を有するアクティブマトリクス基板を製造してもよい。
さらに、本発明では、前記第1の基材上に、前記薄膜デバイスとして有機TFT、有機EL(エレクトロ・ルミネッセンス)素子を形成してもよい。
図1〜図5は、本発明の第1の実施形態に係る薄膜デバイス装置の製造方法のうち、第1の基材上に薄膜デバイスを形成した後、薄膜デバイスを第1の基材から剥離するまでの工程を説明するための工程説明図である。
本実施形態の薄膜デバイス装置の製造方法では、まず、図1に示すように、第1の基材(例えばSiウェハ)100上に第1の有機物を堆積して分離膜120を形成する。
この時、Siウェハ100の表面処理により、周辺部のみを密着力良好に、また、それ以外は乏しい密着性になるようにSiウェハ100の表面改質を行い、分離膜120を形成する。
本実施形態において、分離膜120は、有機TFTからなるアクティブマトリックス層を形成可能なだけの耐熱性や、アクティブマトリックス層形成時のパターニングする際のエッチングプロセス等に対する耐性を有し、一方、第4の工程時には他層にダメージを与えずに剥離可能であるような密着性を有するものであり、例えば90°剥離試験で〜10g/cm以下の強度に制御可能なことが重要である。また、分離膜120の厚さは、通常は、10〜200μm程度であるのが好ましい。
次に、図2に示すように、分離膜120上に、各種薄膜デバイスを含む薄膜デバイス層140を形成する。また、薄膜デバイス層140は、図3に示すように有機TFT素子を含んでいる。また、薄膜デバイス層140の最下面に中間層を配置して有機TFT素子を形成しても良い。この有機TFT素子は、逆スタガー構造のTFTを示しており、有機半導体層144、ゲート絶縁膜148、ゲート電極150、及びソース・ドレイン電極152を備えている。
図2に示す例では、薄膜デバイス層140は、TFT等の薄膜デバイスを含む層であるが、この薄膜デバイス層140に形成される薄膜デバイスは、TFT以外にも、製造する機器の種類に応じて、例えば有機薄膜ダイオード、有機電子材料のPIN接合からなる光電変換素子(光センサ、太陽電池)、有機抵抗素子、その他の有機薄膜半導体デバイス、各種有機電極、スイッチング素子、メモリー、等であってもよい。これらいずれの有機薄膜デバイスも、大面積、集積化により機能を向上させることができる。
次に、図4に示すように、薄膜デバイス層140の上(Siウェハ100とは反対側)に第2の有機物膜160を成膜する。有機TFTは耐候性に劣る場合があるので、第2の有機物膜160としては、水、酸素などに対するバリア性の高い材料が選ばれる。
次に、図5に示すように、第1の基材(Siウェハ)100と分離膜(第1の有機物膜)120との間の界面から剥離を行う。また、この第4の工程に先だって、図4の積層体の端部を切断しておく。
すなわち、Siウェハ100の表面改質により周辺部を除く他の部分は乏しい密着力であるので、剥離工程の前に周辺部の密着性の良好な部分をダイシング法やレーザーアブレーション法などにより切断しておくことで、容易に剥離できるようになる。
従って、図5に示すように、Siウェハ100を剥がすように力を加えると、Siウェハ100を第1の有機物膜からなる分離膜120で容易に剥がすことができる。その結果、第1の有機物膜120上に薄膜デバイス層140を有し、第2の有機物膜160を保護膜とする有機物膜自立型素子ができる。
また、Siウェハ100を再利用(リサイクル)することにより、製造コストの低減を図ることができる。
また、密着力の異なる分離膜の形成方法としては、第1の基材(Siウェハ)100上に界面活性剤を周知の印刷技術により部分的に配置させた後、分離膜としてパリレンを成膜すれば容易に形成することができる。
次に本発明の第2の実施の形態を説明する。
(第1〜4の工程)
本実施形態では、第1の実施の形態と同様の第1〜4の工程(図1〜5)を経て、薄膜デバイスを形成し第1の基材100から剥離する。
次に剥離した薄膜デバイスの第1の基材があった側の面に第2の基材200を接着層170を介して接合する。図6に第2の基材200を接着した薄膜デバイス装置1の概略断面図を示す。
接着層170を構成する接着剤の好適な例としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の接着剤が挙げられる。この接着剤の組成としては、例えばエポキシ系、アクリレート系、シリコーン系等、いかなるものでもよい。このような接着層170の形成は、例えば塗布法によりなされる。
接着層170に光硬化型接着剤を用いた場合には、例えば薄膜デバイス層140上に接着剤を塗布し、その上に第2の基材200を接合した後、第2の基材200に光透過性のものを用いた場合は、第2の基材200の側から接着剤に光を照射することにより接着剤を硬化させて薄膜デバイス層140と第2の基材200とを接着固定する。また、第1、第2の有機物膜120,160に光透過性のものを用いた場合は、第1の有機物膜120の側から接着剤に光を照射することにより接着剤を硬化させて薄膜デバイス層140と第2の基材200とを接着固定することができる。また、第2の基材200の側と第1の有機物膜120の側の両方から光を照射してもよい。ここで用いる接着剤としては、薄膜デバイス層140に影響を与えにくい紫外線硬化型等の接着剤が望ましい。
また、第2の基材200自体が接着機能を有する場合等には、接着層170の形成を省略してもよい。
第2の基材200としては、例えば、融点がそれほど高くない安価なガラス基板、シート状やフィルム状の薄いプラスチック基板、あるいはかなり厚めのプラスチック基板など、製造する機器の種類によって最適なものが用いられる。また、第2の基材200は、平板でなく、湾曲しているものであってもよい。
このように、本実施形態の薄膜デバイス装置1の製造方法では、被剥離物である薄膜デバイス層140自体を直接に剥離するのではなく、薄膜デバイス層140とSiウェハ100とを第1の有機物膜(分離膜)120で剥離する。このため、薄膜デバイス層140の側からSiウェハ100を容易、かつ、確実に剥がすことができる。従って、剥離操作に伴う薄膜デバイス層140へのダメージがなく、信頼性の高い薄膜デバイス装置を製造することができる。
本発明の第1の実施の形態の具体例としてSiウェハ100の側に、薄膜デバイスとして有機TFTを含む薄膜デバイス層140を形成し、この薄膜デバイス層140をSiウェハ100から剥離してなる、有機物膜120上に形成した薄膜デバイス装置の製造方法を説明する。
・Siウェハ(第1の基材100)の表面処理。
(部分)水素終端処理:Siウェハの周辺部のみを水素終端させる。
有機溶媒洗浄。
酸素プラズマ処理。
フォトリソグラフィーによる被水素終端部以外のレジストカバー形成。
2%−HF(フッ酸)水溶液による熱酸化膜除去。
pH8に調整した40%−NH4F(フッ化アンモニウム水溶液)に5分間浸漬。
レジスト除去。
・乾燥:120℃、30分。
・パリレン成膜(分離膜120の形成)。
第三化成社製 diX_C
成膜室雰囲気:0.01Torr
昇華温度:100〜170℃
熱分解温度:650℃
成膜室温度:室温
パリレン膜厚:10μm形成
・有機TFT形成プロセス。
ゲート電極の成膜:クロム(Cr)膜をスパッタリング法により、膜厚50nm堆積。
ゲート電極のパターニング:フォトリソグラフィーとエッチングでゲート電極(150)を形成。
ゲート絶縁膜(148):有機絶縁体膜をスピンコーティング法により形成。有機絶縁体膜としてはポリビニルブチラールを用い、膜厚は100nmとする。
有機半導体膜(144):ポリヘキシルチオフェン有機半導体材料をスピンコーティング法により形成。膜厚は80nmとする。
素子のパターン化、ゲート電極コンタクト:フォトリソグラフィーとエッチングで形成。
ソース・ドレイン電極(152)の形成。
尚、ゲート絶縁膜にパリレンを用いることにより、成膜工程の共通化が図れ、製造コストを低減できるので良い。
次に、有機TFTを備える薄膜デバイス層140の上に、第2の有機物膜160としてパリレン膜を50μm成膜する。
次に、Siウェハ100の端部をダイシング法やレーザーアブレーション法などにより切断し(全ての層を含む)、剥離を実施する。
このようにしてSiウェハ(第1の基材)100と分離膜120との界面で剥離現象を起こさせてから、薄膜デバイス層140の側からSiウェハ100を剥がす。その結果、有機物膜(パリレン)自立型薄膜デバイスが形成される。
次に、この有機物膜(パリレン)自立型薄膜デバイスに、第2の基材200としてプラスチックからなるフレキシブルシートを接着層170を介して接合し、薄膜デバイス装置1を作製する(図6)。
このようにして薄膜デバイス装置1を製造することにより、曲げに強く、軽量であるために落下にも強いという利点を有する有機薄膜デバイス装置1が形成される。また、有機薄膜デバイスの構成要素として、CPU、RAM、入力回路、さらに太陽光発電セルを搭載して、自立型マイクロコンピュータを製造することができる。
次に、Siウェハ100の側に各種のTFTを含む薄膜デバイス層140を形成し、これを剥離した後、第2の基材200に接着して液晶表示装置や電気泳動表示装置などの電気光学装置に用いるアクティブマトリクス基板(薄膜デバイス装置)を製造する際の製造方法を説明する。
本実施例において、対向基板はアクティブマトリクス基板よりも小さく、アクティブマトリクス基板の対向基板の外周縁よりはみ出た領域には、後述する走査線駆動回路やデータ線駆動回路等のドライバー部が形成されている。
第1の実施例にて示した方法と同様に、第1の基材100上にパリレン膜からなる分離膜120を形成する。本実施例では、100mm×100mm×1.1mm(厚さ)のSiウェハ上に、パリレン膜を成膜した。基板表面改質は第1の実施例と同様に行った。
次に、分離膜120の上に、有機TFTを形成する。ゲート電極150として、Cr金属膜をスパッタリング法により、膜厚50nm堆積させ、フォトリソグラフィーとエッチングにより所望の電極パターン(ゲート電極150)を形成する。
次にゲート絶縁膜148を形成する。この膜は有機絶縁体膜をスピンコーティング法により形成する。有機絶縁体膜としてポリビニルブチラールを用い、100nmの膜厚に形成する。
次に有機半導体膜144を形成する。ポリヘキシルチオフェン有機半導体材料をスピンコーティング法により80nmの膜厚に形成する。
素子のパターン化や、ゲート電極コンタクトはフォトリソグラフィーとエッチングによりなされる。
また、或るレジストパターンはエッチング工程終了後、除去することなく、そのままコンタクトホールを有する層間絶縁膜として使用する。
次に、ソース・ドレイン電極152を形成する。
このようにして、有機TFTを備えた薄膜デバイス層140が形成される。尚、層間絶縁層上にはさらに保護膜を形成してもよい。また、画素スイッチング用の有機TFTのドレイン電極152と画素個別電極を接続することで薄膜デバイスが形成される。
次に薄膜デバイス層の上に第2の有機物膜160としてパリレン膜を成膜する。
次に、Siウェハ100の端部をダイシング法やレーザーアブレーション法などにより切断した後、剥離を実施する。
このようにしてSiウェハ100と分離膜120との界面で剥離現象を起こさせてから、薄膜デバイス層140の側からSiウェハ100を剥がす。その結果、有機物膜(パリレン)自立型薄膜デバイスが形成される。
次に、この有機物膜(パリレン)自立型薄膜デバイスに、第2の基材200を接着層170を介して接合し、アクティブマトリクス基板を作製する。
以上の工程によりアクティブマトリクス基板が完成する。このアクティブマトリクス基板を用いることにより、電気光学表示セル等を形成することが可能になる。
本発明の第2の実施の形態の具体例として、Siウェハ100の側に薄膜デバイス層140として、有機TFTを配置した薄膜デバイスを形成し、これを第1の基材100から剥離した後、第2の基材200に接着して、電気光学装置のアクイティブマトリクス基板を形成する製造方法を説明する。
図7は、本実施例の有機EL素子を用いた電気光学装置の要部を示す断面図である。尚、本実施例のアクイティブマトリクス基板の基本的な構成及び製造方法は、第2の実施例と同様であるので、それらの説明を省略する。
有機TFTの一端のソース電極152と電気的に接続した有機EL素子中の第1の個別電極210を透明導電膜にて形成する。
次に有機発光層230の成膜を行う。また、透明導電膜(個別電極)210と有機発光層230の間に、電荷注入効率を稼ぐための導電性高分子膜(電荷注入層)220を配置しても良い。具体的には透明導電膜(個別電極)210として、インジウム(In)とスズ(Sn)からなるITO膜をスパッタリングにて膜厚100nmに選択形成し、次に、ポリエチレンジオキシチオフェン膜をスピンコーティングにて50nm成膜する。有機発光層230の材料としてポリフェニレンビニレン材料を、スピンコーティングにて80nmの膜厚に形成する。
次に共通電極240としてバリウム(Ba)、銀(Ag)を真空蒸着にて成膜する。このようにして有機TFTと有機EL素子及び電極を有する薄膜デバイス層140が形成される。
さらに、本実施例では薄膜デバイス層140を第1の基材100から剥離した後、その剥離した側の面に第2の基材200を接着するため、薄膜デバイス層140を第2の基材200に接着し終えた状態で、薄膜デバイス層140は、Siウェハ100にTFTを形成したときの積層構造のままであるという特徴を有している。
100:第1の基材(Siウェハ)
120:第1の有機物膜(分離膜)
140:薄膜デバイス層
144:有機半導体
148:ゲート電極
150:ゲート電極
152:ソース・ドレイン電極
160:第2の有機物膜
170:接着層
200:第2の基材
210:個別電極
220:電荷注入層
230:有機発光層
240:共通電極
Claims (17)
- 第1の基材上に第1の有機物からなる分離膜を形成する第1の工程と、前記第1の有機物からなる分離膜上に薄膜デバイスを形成する第2の工程と、前記薄膜デバイスの前記第1の基材と反対側に第2の有機物からなる膜を形成する第3の工程と、前記第1の有機物からなる分離膜と前記第1の基材との界面で剥離現象を生じさせることにより前記第1の基材を前記薄膜デバイス側から剥がす第4の工程と、を有する薄膜デバイス装置の製造方法であって、前記第1の工程では前記分離膜と第1の基材との界面で部分的に密着力の異なる部位を設け、前記第4の工程の前に前記界面の密着力の良好な部位を機械的に取り除き、前記第4の工程で薄膜デバイスを剥離する薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記分離膜と第1の基材との界面で部分的に密着力の異なる部位が、前記第1の基材の表面処理により形成されていることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第1の基材としてシリコン(Si)基板を用い、前記分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位が、前記Si基板の表面処理により形成されていることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項2記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板表面に水素終端処理を部分的に施し、その後、分離膜を堆積することによりなることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項2記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記分離膜とSi基板との界面で部分的に密着力の異なる部位は、Si基板に水酸基終端表面と水素終端表面の2つの部位からなる表面を形成し、その後、分離膜を堆積することによりなることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1〜4の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第1の有機物からなる分離膜及び/または前記第2の有機物からなる膜は、有機物原料及び/または、そのガスを用いた化学気相堆積法により形成された有機物膜であることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1〜4の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第1の有機物膜はパリレン材料、フッ素化ポリマー、またはシクロファン誘導体からなる有機物膜であることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1〜6の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第2の有機物膜が前記第1の有機物膜と同じ材料の膜であることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1〜7の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第1の有機物膜の膜厚が10μm以上であることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1〜8の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第4の工程の前に前記界面の密着力の良好な部位を機械的に取り除く方法として、前記第1の基材と分離膜との界面の密着力の良好な部位を、ダイシングあるいはレーザーアブレーションにより切断・除去することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1〜9の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第4の工程で前記薄膜デバイスを前記第1の基材から剥離した後、該薄膜デバイスの前記第1の基材と同じ側に第2の基材を接着する第5の工程を有することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項10記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第2の基材がフレキシブル基板からなることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項1〜11の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記第2の工程では、前記第1の基材上に、前記薄膜デバイスとして、少なくとも有機薄膜トランジスタ(有機TFT)を形成することを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 請求項12記載の薄膜デバイス装置の製造方法において、
前記有機薄膜トランジスタ(有機TFT)に含まれるゲート絶縁膜が、パリレン材料、フッ素化ポリマー、またはシクロファン誘導体からなる有機物膜であることを特徴とする薄膜デバイス装置の製造方法。 - 薄膜デバイスを有する薄膜デバイス装置において、
請求項1〜13の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法により形成されたことを特徴とする薄膜デバイス装置。 - 請求項1〜13の何れか一つに記載の薄膜デバイス装置の製造方法を利用したアクティブマトリクス基板の製造方法において、
前記第2の工程では、前記第1の基材上に、前記薄膜デバイスとして画素スイッチング用の薄膜トランジスタ(TFT)をマトリクス状に形成して、該薄膜トランジスタをマトリクス状に有するアクティブマトリクス基板を製造することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 請求項15記載のアクティブマトリクス基板の製造方法により形成されたことを特徴とするアクティブマトリクス基板。
- 請求項16記載のアクティブマトリクス基板を用いたことを特徴とする電気光学装置。
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