JP6744479B2 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置 - Google Patents
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Description
図4は、実施形態1の表示デバイスの形成途中の構成(樹脂層に炭化物パターンを形成した状態)を示す平面図(基板裏面から視た透視平面図)である。図5(a)は、実施形態1における樹脂層へのレーザ照射方法を示す模式図であり、図5(b)は、炭化物パターンを示す平面図である。
図11は、実施形態2の表示デバイスの形成途中の構成(樹脂層に炭化物パターンを形成した構成)を示す平面図(基板裏面から視た透視平面図)である。図11に示すように、第2領域Rbを、樹脂層12の下面における発光素子層5との重畳部12dを取り囲む形状とし、第2領域Rbを炭化物パターンCPとしてもよい。こうすれば、除電効果に加えて、基板50との密着性低減効果を奏し、基板50の剥離の際にアクティブ領域DAに皺等が生じ難くなる。
図12は、実施形態3の表示デバイスの形成途中の構成(樹脂層に炭化物パターンを形成した構成)を示す平面図(基板裏面から視た透視平面図)である。図12に示すように、第2領域Rbを、樹脂層12の下面における端子部44との重畳部12tを取り囲む形状とし、第2領域Rbを炭化物パターンCPとしてもよい。こうすれば、除電効果に加えて、基板50との密着性低減効果を奏し、基板50の剥離の際に端子部44に皺等が生じ難くなる。
図13は、実施形態4の表示デバイスの形成途中の構成(樹脂層に炭化物パターンを形成した構成)を示す平面図(基板裏面から視た透視平面図)である。図13に示すように、第2領域Rbを、樹脂層12の下面における端子部44との重畳部12tとし、第2領域Rbを炭化物パターンCPとしてもよい。こうすれば、除電効果に加えて、下面フィルム10との接着性低減効果を奏し、例えば、端子部44を裏面側に折り曲げる場合に、下面フィルム10の端子部44と重なる部分を除去し易くなる。また、下面フィルム10を付けたまま端子部44を折り曲げる場合でも、下面フィルム10と樹脂層12の接着性が小さいため、曲げ応力が小さくなるというメリットがある。
図14は、実施形態5の表示デバイスの形成途中の構成(樹脂層に炭化物パターンを形成した構成)を示す平面図(基板裏面から視た透視平面図)である。図14に示すように、第2領域Rbを、隣り合う2つの個片の一方に対応する切りだし線DLと、他方に対応する切りだし線DLとの間隙領域とし、第2領域Rbを炭化物パターンCPとしてもよい。こうすれば、除電効果に加えて、基板50との密着性低減効果を奏し、樹脂層から基板50を剥離し易くなるというメリットがある。
図15は、実施形態6の表示デバイスの形成途中の構成(樹脂層に炭化物パターンを形成した構成)を示す平面図(基板裏面から視た透視平面図)である。図16は、図15の一部の断面図である。
態様1:下面フィルムと、TFT層と、発光素子層とを備える表示デバイスであって、前記下面フィルムよりも上層で前記TFT層よりも下層に樹脂層が設けられ、前記樹脂層の下面に第1領域および第2領域が含まれ、前記第2領域が、前記第1領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとされている表示デバイス。
4 TFT層
5 発光素子層
6 封止層
10 下面フィルム
12 樹脂層
21 平坦化膜
24 EL層
44 端子部
50 基板
70 表示デバイス製造装置
76 成膜装置
80 剥離装置
TM 端子
NA 非アクティブ領域
DA アクティブ領域
CP 炭化物パターン
DL 切り出し線
Ra 第1領域
Rb 第2領域
Claims (20)
- 下面フィルムと、TFT層と、発光素子層とを備える表示デバイスであって、
前記発光素子層よりも上層に無機封止膜を備え、
前記下面フィルムよりも上層で前記TFT層よりも下層に樹脂層が設けられ、
前記樹脂層の下面に第1領域および第2領域が含まれ、前記第2領域が、前記第1領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとされ、
前記TFT層は、前記無機封止膜と重ならないように設けられた端子部と、前記端子部からアクティブ領域側へ伸びる端子配線とを備え、
平面視においては、前記端子部と前記無機封止膜のエッジとの間隙に形成された前記炭化物パターンが、前記端子配線と交わる表示デバイス。 - 前記樹脂層の下面には、平面視において前記発光素子層と重なる第1重畳部が含まれ、
前記炭化物パターンが前記第1重畳部に形成されている請求項1に記載の表示デバイス。 - 前記炭化物パターンがストライプ状あるいはマトリクス状である請求項2に記載の表示デバイス。
- 前記樹脂層の下面には、平面視において前記発光素子層と重なる第1重畳部が含まれ、
前記炭化物パターンが、前記第1重畳部を取り囲むように形成されている請求項1に記載の表示デバイス。 - 前記TFT層の端部に端子部を備え、
前記樹脂層の下面には、平面視において前記端子部と重なる第2重畳部が含まれ、
前記炭化物パターンが、前記第2重畳部を取り囲むように形成されている請求項1に記載の表示デバイス。 - 前記樹脂層の下面には、平面視において前記端子部と重なる第2重畳部が含まれ、
前記炭化物パターンが、前記第2重畳部に形成されている請求項1に記載の表示デバイス。 - 前記下面フィルムは、前記間隙および前記炭化物パターンと重なる部分が除去されている請求項1〜6のいずれか1項に記載の表示デバイス。
- 前記端子部が下側を向くように折り曲げられている請求項7に記載の表示デバイス。
- 下面フィルムと、TFT層と、発光素子層とを備える表示デバイスであって、
前記下面フィルムよりも上層で前記TFT層よりも下層に樹脂層が設けられ、
前記樹脂層の下面に第1領域および第2領域が含まれ、前記第2領域が、前記第1領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとされ、
前記樹脂層の下面には、平面視において前記発光素子層と重なる第1重畳部が含まれ、
前記炭化物パターンが、前記第1重畳部を取り囲むように形成されている表示デバイス。 - 下面フィルムと、TFT層と、発光素子層とを備える表示デバイスであって、
前記下面フィルムよりも上層で前記TFT層よりも下層に樹脂層が設けられ、
前記樹脂層の下面に第1領域および第2領域が含まれ、前記第2領域が、前記第1領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとされ、
前記TFT層の端部に端子部を備え、
前記樹脂層の下面には、平面視において前記端子部と重なる第2重畳部が含まれ、
前記炭化物パターンが、前記第2重畳部を取り囲むように形成されている表示デバイス。 - 前記炭化物パターンは、有機物のレーザアブレーション痕である請求項1〜10のいずれか1項に記載の表示デバイス。
- 前記樹脂層がポリイミドを含む請求項1〜11のいずれか1項に記載の表示デバイス。
- 基板上に樹脂層、TFT層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射して積層体から基板を剥離する表示デバイスの製造方法であって、
前記樹脂層の下面の第1領域および第2領域に、互いに照射条件が異なるようにレーザを照射することで、前記第2領域を、前記第1領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとする表示デバイスの製造方法。 - 前記照射条件は、照射回数である請求項13に記載の表示デバイスの製造方法。
- 前記照射条件は、照射強度である請求項13に記載の表示デバイスの製造方法。
- 前記炭化物パターンに合わせて照射のオーバーラップ率を設定する請求項13または14に記載の表示デバイスの製造方法。
- 前記樹脂層の下面を第1方向にレーザ走査した後に前記積層体を回転させ、前記第1方向と直交する第2方向にレーザ走査する請求項13〜16のいずれか1項に記載の表示デバイスの製造方法。
- 前記基板を剥離して前記樹脂層の下面に下面フィルムを貼り付けた後、各個片に対応する切り出し線で分断を行い、複数の個片を切り出す請求項13〜17のいずれか1項に記載の表示デバイスの製造方法。
- 前記第2領域は、隣り合う2つの個片の一方に対応する切りだし線と、他方に対応する切りだし線との間隙に含まれる請求項18記載の表示デバイスの製造方法。
- 基板上に樹脂層、TFT層、および発光素子層を含む積層体を形成した後、基板裏面から樹脂層の下面にレーザを照射して積層体から基板を剥離する表示デバイスの製造装置であって、
前記樹脂層の下面の第1領域および第2領域に、互いに照射条件が異なるようにレーザを照射することで、前記第2領域を、前記第1領域よりも単位面積当たりの炭化物の量が大きい炭化物パターンとする表示デバイスの製造装置。
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