CN111919510B - 显示设备 - Google Patents

Abstract

在显示设备中，第二配线(SH)延伸显示区域，向第二配线(SH)的延伸方向，从第二配线(SH)延伸的虚拟直线与边缘罩(23)的开口(23A)正交，第二配线(SH)以避开与边缘罩(23)的开口(23A)的正交的方式沿着开口(23A)的周缘延伸。

Description

显示设备

技术区域

本发明是关于显示设备。

背景技术

专利文献1公开，通过在栅极配线以及源极配线的上层设置平坦化膜，尽量使形成于平坦化膜的上层的反射电极(阳极)不产生凹凸的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公开专利公报“特开2009-055065号公报(2009年3月12日公开)”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

在现有的方法中，存在与覆盖发光元件层的反射电极(阳极)的周缘的边缘罩的开口正交，并且台阶较大的源极配线延伸，则在反射电极产生凹凸而降低从EL层发光的光的反射率的问题。

解决问题的手段

本发明的一方式所涉及的显示设备，其包括：形成于基板的TFT层、形成于比所述TFT层更上层的发光元件层，所述显示设备特征在于：所述TFT层依次包括第一金属层、第一无机绝缘膜、第二金属层、第二无机绝缘膜、第三金属层、平坦化膜，所述发光元件层包括：多个第一电极；边缘罩，形成为所述第一电极的周缘，并且具有开口；功能层，形成于所述边缘罩的开口；第二电极，形成于比所述功能层更上层，并且与所述多个第一电极共用；由所述第一金属层形成的多个第一配线形成为与由所述第三金属层形成的多个第二配线正交，向所述第二配线的延伸方向，从所述第二配线延伸的虚拟直线与所述边缘罩的开口正交，所述第二配线以避开与所述边缘罩的开口的正交的方式沿着所述开口的周缘延伸。

发明效果

根据本发明的一方式，能够抑制EL层的发光效率的降低。

附图说明

图1是表示显示设备的制造方法的一例的流程图。

图2是表示显示设备的显示区域的构成例的剖视图。

图3的(a)是表示比较例所涉及的显示设备的主要部分剖面的图，(b)是其上面图。

图4的(a)是实施方式所涉及的显示设备的主要部分剖面的图，(b)是其上面图。

图5的(a)是表示比较例所涉及的显示设备的第二配线与边缘罩的开口的关系的示意性俯视图,(b)是表示实施方式所涉及的显示设备的第二配线与边缘罩的开口的关系的示意性俯视图。

图6的(a)是实施方式所涉及的形成于显示设备的子像素电路的电路图,(b)是表示形成于上述子像素电路的晶体管与边缘罩的开口之间的关系的示意图。

图7是表示变形例所涉及的形成于子像素电路的晶体管与边缘罩的开口之间的关系的示意图。

具体实施方式

以下，“下层”是指在比比较对象的层更早的工序中形成，“上层”指在比比较对象的层更晚的工序中形成。

(实施方式一)

图1是表示显示设备2的制造方法的一例的流程图。图2是表示显示设备2的显示区域的构成的剖视图。

在制造柔性显示设备2的情况下，如图1以及图2所示，首先在透光性的支撑基板(例如母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。然后，形成势垒层3(步骤S2)。然后，形成TFT层4(步骤S3)。然后，形成顶部发射型的发光元件层5(步骤S4)。然后，形成密封层6(步骤S5)。然后，在密封层6上贴附上表面膜(步骤S6)。

然后，通过激光的照射等使支撑基板从树脂层12剥离(步骤S7)。然后，在树脂层12的下表面贴附下表面膜10(步骤S8)。然后，分割包括下表面膜10、树脂层12、势垒层3、TFT层4、发光元件层5、密封层6的层叠体而获得多个单片(步骤S9)。然后，在获得的单片上贴附功能膜39(步骤S10)。然后，在比形成有多个子像素的显示区域更靠外侧(非显示区域，边框)的一部分(端子部)上安装电子电路基板(例如，IC芯片以及FPC)(步骤S11)。此外，步骤S1至S11是由显示设备制造装置(包括进行步骤S1至S5的各工序的成膜装置)进行。

作为树脂层12的材料，例如列举聚酰亚胺等。也能够将树脂层12的部分置换成两层的树脂膜(例如，聚酰亚胺膜)以及被这些夹的无机绝缘膜。

势垒层3是防止水、氧等的异物侵入于TFT层4与发光元件层5的层，能够由例如通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜、或这些的层叠膜构成。

TFT层4包含：半导体层、比半导体层更上层的第三无机绝缘膜16、比第三无机绝缘膜16更上层且由第一金属层形成的栅极电极GE以及第一配线GH、比第一金属层更上层的第一无机绝缘膜18、比第一无机绝缘膜18更上层且由第二金属层形成的电容电极CE、比第二金属层更上层的第二无机绝缘膜20、比第二无机绝缘膜20更上层且由第三金属层形成的第二配线SH、比第三金属层更上层的平坦化膜21(层间绝缘膜)。

半导体层例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O系列的半导体)构成。例如由半导体层形成有第一半导体膜15且构成第一晶体管(TFT)T1。在图2中，第一晶体管T1以顶栅结构示出，但也可以是底栅结构。

第一金属层、第二金属层、以及第三金属层例如由包含铝、钨、钼、钽、铬、钛以及铜中的至少一个的金属的单层膜或层叠膜构成。

如后所述，尤其用第三金属层形成的第二配线SH包括数据信号线或高电源电压线，优选为低电阻的配线，并且优选为由多个金属材料构成的层叠配线。例如，优选由从下层起钛、铝、钛的三层的层叠配线来形成，或优选由从下层起钛、铜的两层的层叠配线来形成。第三金属层优选为低电阻，因此例如与由钼或钛的单层形成的第一金属层、第二金属层相比，第三金属层的膜厚度厚。

如上所述，图2的TFT层4中包含一层的半导体膜以及三层的金属层(第一金属层、第二金属层以及第三金属层)。但，也可以进一步形成其他半导体膜、金属层。

第三无机绝缘膜16、第一无机绝缘膜18、第二无机绝缘膜20例如可以由通过CVD法形成的、氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜或这些的层叠膜构成。平坦化膜21例如由聚酰亚胺、丙烯酸等的可涂布的有机材料构成。

发光元件层5包括：比平坦化膜21更上层的阳极22(第一电极)、比阳极22的更上层的绝缘性的边缘罩23、比边缘罩23更上层的EL(电致发光)层24(功能层、发光元件层)、比EL层24更上层的阴极25(第二电极)。阴极25与多个阳极22共通，并且覆盖显示区域设置。边缘罩23在涂布聚酰亚胺、丙烯酸等的有机材料之后，通过光刻法进行图案化而形成。

在每个子像素中，包含岛状的阳极22、EL层24以及阴极25的发光元件ES(例如，OLED：有机发光二极管，QLED：量子点发光二极管)形成于发光元件层5，且控制发光元件ES的子像素电路形成于TFT层4。

EL层24例如由从下层侧起依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层以及电子注入层构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法在边缘罩23的开口23A(每个子像素)形成为岛状。边缘罩23形成为覆盖阳极22的周缘，具有露出阳极22的开口23A。该开口23A成为副像素的发光区域。

其他层形成为岛状或整面状(共用层)。另外，也可以是不形成空穴注入层、空穴输送层、电子输送层以及电子注入层中一个或多个层的构成。

在蒸镀形成OLED的发光层的情况下，使用FMM(高精度金属)。FMM是包括多个开口的薄片(例如，殷钢材制)，通过一个开口的有机物质来形成岛状的发光层(对应于一个子像素)。

QLED的发光层例如通过将使量子点扩散的溶剂喷墨涂布，能够形成岛状的发光层(对应于一个子像素)。

阳极22例如由ITO(IndiumTinOxide)与Ag(银)或包括Ag的合金的层叠构成，且具有光反射性。阴极25能够由MgAg合金(极薄膜)、ITO、IZO(IndiumzincOxide)等的透光性的导电材料构成。

在发光元件ES是OLED的情况下，通过阳极22与阴极25之间的驱动电流，空穴与电子在发光层内再次结合，在通过由此所产生的激子跃迁到基态的过程中，光被放出。阴极25具有透过性，阳极22具有光反射性，因此从EL层24放出的光朝向上方，成为顶部发射。

在发光元件ES是QLED的情况下，通过阳极22与阴极25之间的驱动电流，空穴与电子在发光层内再次结合，在通过由此所产生的激子从量子点的传导带(conductionband)跃迁到价电子带(valenceband)的过程中，光(荧光)被放出。

在发光元件层5中，也可以形成除了所述OLED、QLED以外的发光元件(无机发光二极管等)。

密封层6具有透光性，且包括：覆盖阴极25的无机密封膜26、比无机密封膜26更上层的有机缓冲膜27以及比有机缓冲膜27更上的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧等的异物向发光元件层5渗透。

无机密封膜26以及无机密封膜28分别是无机绝缘膜，能够由例如通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜、或这些的层叠膜构成。有机缓冲膜27是具有平坦化效果的透光性有机膜，能够由丙烯酸等的可以涂布的有机材料构成。有机缓冲膜27能够例如由喷墨涂布来形成，但也可以在非显示区域设置用于阻挡液滴的堤。

下表面膜10例如是PET膜，该PET膜用于在剥离支撑基板之后，贴附于树脂层12的下面而实现柔软性优异的显示设备2。功能膜39包括例如光学补偿功能、触摸传感器功能以及保护功能中的至少一个。

以上，说明了柔性显示设备2，但在制造非柔性显示设备2的情况下，通常不需要树脂层的形成、基材的更换等，因此例如在玻璃基板上进行步骤S2至S5的层叠工序，之后移动到步骤S9。此外，基板是指：在柔性显示设备的情况下，树脂层12是基板，在非柔性显示设备的情况下，支撑基板是基板。

图3的(a)是比较例所涉及的显示设备的主要部分剖面的图，(b)是其上面图。图4的(a)是表示实施方式所涉及的显示设备的主要部分剖面的图，(b)是其上面图。图5的(a)是表示比较例所涉及的显示设备的第二配线SH与边缘罩23的开口23A的关系的示意性俯视图，(b)是表示实施方式所涉及的显示设备2的第二配线SH与边缘罩23的开口23A的关系的示意性俯视图。

从EL层24的发光层向阳极22发光的光通过作为Ag的反射电极发挥功能的阳极22来反射并且朝向上方，因此提升发光效率。除此之外，通过与从发光层发光的光的波长对应的有机层形成于发光层的上方或下方而产生腔效果，进一步提升发光效率。

如此，为了使发光效率提升，需要使在作为Ag的反射电极发挥功能的阳极22的表面上不存在凹凸而是均匀。若在阳极22的表面上存在凹凸，则从EL层24的发光层发光的光取效率变不良。若在阳极22的下方存在很大的台阶，则即使通过平坦化膜21也无法对台阶进行平坦化，因此在阳极22的表面上会出现凹凸。本实施方式中将成为在阳极22的表面上出现凹凸的原因的、阳极22的下方的台阶除去。如图3以及图5的(a)所示，尤其是膜厚厚的第二配线SH与边缘罩23的开口23A正交，并且在阳极22的下方延伸而产生该台阶。

如图4的(b)以及图5的(b)所示，在本实施方式中，向延伸方向延伸的虚拟直线IL与边缘罩23的开口23A正交的第二配线SH沿着开口23A的周缘延伸，使得避开与边缘罩23的开口23A的正交。由此，边缘罩23的开口23A内的阳极22的表面成为均匀。由此，产生腔效果而能够控制EL层24的发光层的发光效率的降低。

如图5的(b)所示，形成于发光元件层5的边缘罩23的开口23A配置成交错状(PenTile形状)，从与基板垂直的方向来看，第二配线SH避开与形成于多个发光元件层5的边缘罩23的多个开口23A的正交，并且蛇行地延伸。从与基板垂直的方向来看，第二配线SH也可以与边缘罩23的开口23A不重叠，且第二配线SH延伸，使得与阳极22的周缘重叠。通过像这样构成，可以有效得活用显示区域，并且提高配线密度。

图6的(a)是实施方式所涉及的形成于显示设备2的子像素电路的电路图，(b)是形成于子像素电路的第一晶体管T1、第二晶体管T2以及第三晶体管T3与边缘罩23的开口23A之间的关系的示意性俯视图。

第二配线SH包含数据信号线与高电源电压线的至少一方。在图6的例子中，第二配线SH是高电源电压线。

在显示区域中，设置有多个数据信号线(data)以及与这些正交的多个扫描信号线(scan)。另外，在显示区域中，设置有多个发光控制线(em)，以使与多个扫描信号线一对一得对应。进一步，在显示区域设置有子像素电路52，以使子像素电路52对应于多个数据信号线与多个扫描信号线的正交点。这样，通过设置子像素电路52，从而多个像素矩阵形成于显示区域。

在显示区域设置有与各子像素电路52共用的阴极25，与低电平电源电压ELVSS电连接。更详细而言，设置有高电源电压线，供给用于驱动有机EL元件的高电平电源电压ELVDD；阴极，供给用于驱动有机EL元件的低电平电源电压ELVSS；以及初始化电源线，供给初始化电压Vini。高电源电压线以与扫描信号线正交的方式形成多个。高电平电源电压ELVDD、低电平电源电压ELVSS、以及初始化电压Vini从未图示的电源电路供给。

接下来，对显示区域内的子像素电路52的构成进行说明。图6的(a)是表示对应于m列n行的子像素电路52的构成。此外，在此说明的子像素电路52的构成是一个例子，也可以采用其他公知的构成。子像素电路52包括一个有机EL元件OLED、七个晶体管T1至T7(驱动用晶体管T1、写入控制用晶体管T3、电源供给控制用晶体管T5、发光控制用晶体管T6、阈值电压补偿用晶体管T2、初始化用晶体管T4、T7)以及一个电容C1。晶体管T1至T6是p沟道型的晶体管。电容C1是由两个电极(栅极电极GE与电容电极CE)构成的电容元件。

但是，上述子像素电路52是一个例子，也可以由n沟道型的晶体管构成。

在与边缘罩23的开口23A重叠的位置中，形成有第一晶体管T1，以使第一半导体膜15与栅极电极GE重叠。

用第三金属层形成的连接配线SC经由形成于第二无机绝缘膜20与第一无机绝缘膜18的第一接触孔CH1，与第一晶体管T1的栅极电极GE电连接。从与基板垂直的方向来看，该第一接触孔CH1形成于与边缘罩23的开口23A不重叠的位置。如图6的(b)所示，第一接触孔CH1也可以形成为与阳极22重叠。通过像这样构成，可以有效地活用显示区域，提高配线密度。

电容C1形成为与边缘罩23的开口23A重叠。通过像这样构成，可以有效地活用显示区域，提高配线密度。电容C1通过电容电极CE、第一晶体管T1的栅极电极GE，经由第一无机绝缘膜18形成。

电容电极CE跨边缘罩23的开口23A并且延伸，与高电源电压线重叠，经由形成于第二无机绝缘膜20的第二接触孔CH2，与高电源电压线连接。第二接触孔CH2形成于与边缘罩23的开口23A不重叠的位置。第二接触孔CH2也可以形成为与阳极22重叠。通过像这样构成，可以有效地活用显示区域，并且提高配线密度。也在此时，第二配线SH构成为：从与基板垂直的方向来看，在第二接触孔CH2的附近，以与边缘罩23的开口23A不重叠且与阳极22的周缘重叠的方式延伸。

由第三金属层形成的连接配线SC经由形成于第一无机绝缘膜18、第二无机绝缘膜20以及第三无机绝缘膜16的第三接触孔CH3，与由与半导体层相同材料在同一层形成的第二半导体膜(构成第二晶体管T2)的导体区域(源极区域、漏极区域)电连接。从与基板垂直的方向来看，该第三接触孔CH3形成于与边缘罩23的开口23A不重叠的位置。第三接触孔CH3也可以形成为与阳极22重叠。这样，连接配线SC成为使第一晶体管T1的栅极电极GH与第二晶体管T2的导通端子(源极区域或漏极区域)电连接的配线。

在图6的(b)中，第一配线GH是扫描信号线，并且在与边缘罩23的开口23A不重叠的位置与第二半导体膜14重叠而形成第二晶体管T2。进一步，在与边缘罩23的开口23A重叠的位置，与第一半导体膜15重叠而形成第三晶体管T3。

(变形例)

图7是表示变形例所涉及的形成于子像素电路的第二晶体管T2、第一晶体管T1与边缘罩23的开口23A之间的关系的示意图。

在变形例中，当显示设备的显示被高清晰度时，形成引绕配线GC(在图7中为第一金属层)，该引绕配线GC将用第三金属层形成的连接配线SC引绕于第一金属层或第二金属层。

例如，第一接触孔CH1以及第二接触孔CH2形成于第一无机绝缘膜18、第二无机绝缘膜20。然后，如图7所示，与第二晶体管T2的源极电极SE连接的连接配线SC经由第一接触孔CH1与引绕配线GC电连接。该引绕配线GC横穿边缘罩23的开口23A并且延伸。横穿开口23A并且延伸的引绕配线GC经由第二接触孔CH2，与连接配线SC电连接，该连接配线SC与第一晶体管T1的栅极电极GE电连接。

〔总结〕

本实施方式所涉及的显示设备所包含的电气光学元件(通过电流控制亮度、透过率的电气光学元件)不受特别的限制。作为本实施方式所涉及的显示设备，例如可以列举，作为电气光学元件包含OLED(OrganicLightEmittingDiode：有机发光二极管)的有机EL(ElectroLuminescence：电致发光)显示器、作为电气光学元件包含无机发光二极管的无极EL显示器、作为电气光学元件包含QLED(QuantumdotLightEmittingDiode：量子点发光二极管)的QLED显示器等。

〔方式一〕

一种显示设备，其包括：形成于基板的TFT层、形成于比所述TFT层更上层的发光元件层，所述显示设备特征在于：所述TFT层依次包括第一金属层、第一无机绝缘膜、第二金属层、第二无机绝缘膜、第三金属层、平坦化膜，所述发光元件层包括：多个第一电极；边缘罩，形成为覆盖所述第一电极的周缘，并且具有开口；功能层，形成于所述边缘罩的开口；第二电极，形成于比所述功能层更上层，并且与所述多个第一电极共用；由所述第一金属层形成的多个第一配线形成为与由所述第三金属层形成的多个第二配线正交，向所述第二配线的延伸方向，从所述第二配线延伸的虚拟直线与所述边缘罩的开口正交，所述第二配线以避开与所述边缘罩的开口的正交的方式，沿着所述开口的周缘延伸。

〔方式二〕

根据方式一所述的显示设备，其特征在于，所述第二配线包括数据信号线以及高电源电压线的至少一方。

〔方式三〕

根据方式二所述的显示设备，其特征在于，所述第二配线以避开与所述边缘罩的开口的正交的方式沿着所述开口的周缘延伸之后，在与所述虚拟直线正交的位置向所述虚拟直线的方向延伸。

〔方式四〕

根据方式一或二所述的显示设备，其特征在于，所述显示区域包括对应于副像素的多个子像素电路，所述子像素电路包括多个晶体管，在与所述边缘罩的开口重叠的位置，形成第一晶体管，以使第一半导体膜与由所述第一金属层形成的栅极电极重叠，由所述第三金属层形成的连接配线经由形成于所述第一无机绝缘膜与所述第二无机绝缘膜的第一接触孔，与所述栅极电极电连接，从与所述基板垂直的方向来看，所述第一接触孔形成在与所述边缘罩的开口不重叠的位置形成。

〔方式五〕

根据方式四所述的显示设备，其特征在于，所述子像素电路包括电容，该电容形成为与所述边缘罩的开口重叠，所述电容通过由所述第二金属层形成的电容电极与所述栅极电极，经由所述第一无机绝缘膜形成。

〔方式六〕

根据方式五所述的显示设备，其特征在于，所述第二配线是高电源电压线，所述电容电极跨所述边缘罩的开口并且延伸，与所述高电源电压线重叠，经由形成于所述第二无机绝缘膜的第二接触孔，与所述高电源电压线连接，所述第二接触孔与所述边缘罩的开口不重叠。

〔方式七〕

根据方式四至六中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述TFT层进一步在比所述第一金属层更靠所述基板侧包括第三无机绝缘膜，所述第一半导体膜形成于所述基板与所述第三无机绝缘膜之间，所述连接配线经由形成于所述第一无机绝缘膜、所述第二无机绝缘膜以及所述第三无机绝缘膜的第三接触孔，与由与所述第一半导体膜相同材料在同一层形成的第二半导体膜电连接。

〔方式八〕

根据方式七所述的显示设备，其特征在于，所述第一配线是扫描信号线，在与所述边缘罩的开口不重叠的位置，与所述第二半导体膜重叠而形成第二晶体管。

〔方式九〕

根据方式一至八中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第二配线比所述第一金属层厚。

〔方式十〕

根据方式一至九中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述第二配线是由多个金属材料构成的层叠配线。

〔方式十一〕

根据方式一至十中任一项所述的显示设备，其特征在于，所述功能层包括多个发光元件层，从与所述基板垂直的方向来看，所述多个发光元件层配置成交错状，从与所述基板垂直的方向来看，所述第二配线以避开与形成有所述多个发光元件层的所述边缘罩的多个开口的正交的方式蛇行地延伸。

〔方式十二〕

根据方式一至十一中任一项所述的显示设备，其特征在于，从与所述基板垂直的方向来看，所述第二配线以与所述第一电极的周缘重叠的方式延伸。

〔方式十三〕

根据方式四所述的显示设备，其特征在于，所述第一接触孔形成为与所述第一电极重叠。

本发明不限于上述的各实施方式，在权利要求所示的范围中能够进行各种变更，将分别公开在不同的实施方式中的技术手段适当组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围中。而且，通过将各实施方式中分别公开的技术手段组合能够形成新的技术特征。

附图标记说明

2 显示设备

4 TFT层

5 发光元件层

14 第二半导体膜

15 第一半导体膜

16 第三无机绝缘膜

18 第一无机绝缘膜

20 第二无机绝缘膜

21 平坦化膜

22 阳极(第一电极)

23 边缘罩

23A 开口

24 EL层(功能层、发光元件层)

25 阴极(第二电极)

CE 电容电极(第二金属)

CH1 第一接触孔

CH2 第二接触孔

CH3 第三接触孔

GH 第一配线

GE 栅极电极

SH 第二配线

SE 源极电极

T1 第一晶体管

T2 第二晶体管

Claims (13)

1.一种显示设备，其包括：

形成于基板的TFT层、形成于比所述TFT层更上层的发光元件层，所述显示设备特征在于：

所述TFT层依次包括第一金属层、第一无机绝缘膜、第二金属层、第二无机绝缘膜、第三金属层、平坦化膜，

所述发光元件层包括：

多个第一电极；

边缘罩，形成为覆盖所述第一电极的周缘，并且具有开口；

功能层，形成于所述边缘罩的开口；

第二电极，形成于比所述功能层更上层，并且与所述多个第一电极相对；

由所述第一金属层形成的多个第一配线形成为与由所述第三金属层形成的多个第二配线正交，

向所述第二配线的延伸方向，从所述第二配线延伸的虚拟直线与所述边缘罩的开口正交，

所述第二配线以避开与所述边缘罩的开口的正交的方式沿着所述开口的周缘延伸，

所述边缘罩的开口在俯视时为长方形，所述虚拟直线与所述长方形的长边交叉。

2.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，

所述第二配线包括数据信号线以及高电源电压线的至少一者，所述高电源电压线用于供给驱动所述发光元件层的电源电压。

3.根据权利要求2所述的显示设备，其特征在于，

所述第二配线以避开与所述边缘罩的开口的正交的方式沿着所述开口的周缘延伸之后，在与所述虚拟直线正交的位置向所述虚拟直线的方向延伸。

4.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，

显示区域包括对应于副像素的多个子像素电路，

所述子像素电路包括多个晶体管，

在与所述边缘罩的开口重叠的位置，形成第一晶体管，以使第一半导体膜与由所述第一金属层形成的栅极电极重叠，

由所述第三金属层形成的连接配线经由形成于所述第一无机绝缘膜与所述第二无机绝缘膜的第一接触孔，与所述栅极电极电连接，

从与所述基板垂直的方向来看，所述第一接触孔形成在与所述边缘罩的开口不重叠的位置。

5.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，

所述子像素电路包括电容，该电容形成为与所述边缘罩的开口重叠，

所述电容通过由所述第二金属层形成的电容电极与所述栅极电极，经由所述第一无机绝缘膜形成。

6.根据权利要求5所述的显示设备，其特征在于，

所述第二配线是高电源电压线，所述高电源电压线用于供给驱动所述发光元件层的电源电压，

所述电容电极跨所述边缘罩的开口并且延伸，与所述高电源电压线重叠，经由形成于所述第二无机绝缘膜的第二接触孔，与所述高电源电压线连接，

所述第二接触孔与所述边缘罩的开口不重叠。

7.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，

所述TFT层在比所述第一金属层更靠所述基板侧包括第三无机绝缘膜，

所述第一半导体膜形成于所述基板与所述第三无机绝缘膜之间，

所述连接配线经由形成于所述第一无机绝缘膜、所述第二无机绝缘膜以及所述第三无机绝缘膜的第三接触孔，与由与所述第一半导体膜相同材料在同一层形成的第二半导体膜电连接。

8.根据权利要求7所述的显示设备，其特征在于，

所述第一配线是扫描信号线，在与所述边缘罩的开口不重叠的位置，与所述第二半导体膜重叠而形成第二晶体管。

9.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，所述第二配线比所述第一金属层厚。

10.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，

所述第二配线是由多个金属材料构成的层叠配线。

11.根据权利要求1所述的显示设备，其特征在于，

所述功能层包括多个发光元件层，

从与所述基板垂直的方向来看，所述多个发光元件层配置成交错状，

从与所述基板垂直的方向来看，所述第二配线以避开与形成有所述多个发光元件层的所述边缘罩的多个开口的正交的方式蛇行地延伸。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的显示设备，其特征在于，

从与所述基板垂直的方向来看，所述第二配线以与所述第一电极的周缘重叠的方式延伸。

13.根据权利要求4所述的显示设备，其特征在于，

所述第一接触孔形成为与所述第一电极重叠。