CN111937489B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

与阳极(22)同层的第一导电层(22M)经由形成在非显示区域(DA)的平坦化膜(21)的第一狭缝(H1)及第二狭缝(H2)和与源极(SE)同层的第三导电层(SM)和阴极(25)连接，与第一狭缝(H1)和第二狭缝(H2)重叠的电容电极(CE)设置有同层的第二导电层(CM1/CM2)。

Description

显示装置
技术领域
本发明关于一种显示装置。
背景技术
专利文献1公开了如下构成，在OLED(有机发光二极管)的阳极(像素电极)的下侧设置有平坦化膜，该漏极和TFT的阳极经由形成在平坦化膜上的接触孔连接。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国公开特许公报“2010-161058号公报(2010年7月22日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在专利文献1的构成中，由于向OLED(有机发光二极管)的阴极供给恒定电压，因此，需要在平坦化膜上设置狭缝，并且将平坦化膜下层的导电层经由狭缝连接至阴极。但是，在设置在平坦化膜的狭缝部分中，阴极或导电层与设置在该导电层更下层的引绕布线之间的距离变得更近。由于与供给到阴极的恒定电压不同的电压被供给至该引绕布线，因此，存在以下问题：当引绕布线彼此重叠时，由于电压不同而相互影响电容负载。
用于解决技术问题的技术方案
为了解决上述问题，根据本发明的一个实施方式的显示装置，其包括显示区域及非显示区域，所述显示区域包括多个形成有子像素，所述子像素形成有包含晶体管的子像素电路，所述非显示区域是在所述显示区域的周围的区域并且是所述子像素的非形成区域，在所述显示区域形成有：第一金属层，其包括所述子像素电路所包含的下层的电极；第一无机绝缘膜，其形成在所述第一金属层的上层；第二金属层，其形成在所述第一无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第一金属层更上层的电极；第二无机绝缘膜，其形成在所述第二金属层的上层；第三金属层，其形成在所述第二无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第二金属层更上层的电极；平坦化膜，其形成在所述第三金属层的上层；发光元件，其形成在所述平坦化膜的上层，且包括第一电极和第二电极，发光层介于所述第一电极及所述第二电极之间，所述第一电极针对每个所述子像素呈岛状地形成，所述第二电极横跨多个所述子像素形成，在所述非显示区域中，所述平坦化膜上形成有包围所述显示区域的外周的至少一部分的狭缝，在所述狭缝中，与所述第一电极同层并且与所述第一电极分离的第一导电层的下表面和由所述第三金属层形成的所述第三导电层或所述第二无机绝缘膜接触，在所述狭缝中，所述第一导电层和由所述第二金属层形成的第二导电层隔着所述第二无机绝缘膜重叠，进一步地，设置有多条引绕布线，所述引绕布线包括由所述第一金属层形成的布线，并与所述显示区域的布线电连接，所述引绕布线在所述狭缝中隔着所述第一无机绝缘膜与所述第二导电层重叠。
有益效果
根据本发明的一形态，设置在所述狭缝内的第一导电层的电压和所述引绕布线的电压不同导致的、对彼此的电容负载的影响可以通过所述第二导电层遮蔽。由此，在上述显示装置中，引绕布线的设计的自由度增大，不受噪声的影响而显示高品质的图像。
附图说明
图1是表示第一实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
图2是第一实施方式的显示装置的俯视图。
图3是沿图2所示的A-A'线截取的剖面图。
图4是沿图2所示的B-B'线截取的剖面图。
图5是沿图2所示的C-C'线截取的剖面图。
图6是沿图2所示的D-D'线截取的剖面图。
图7是表示在第一实施方式的显示装置的显示区域所配置的子像素电路的构成的图。
图8是第二实施方式的显示装置的俯视图。
图9是表示第三实施方式的显示装置的构成的俯视图。
图10是表示第三实施方式的显示装置中的选择输出电路的构成的示例的图。
图11是表示第三实施方式的显示装置中的选择输出电路的构成的另一示例的图。
图12是第四实施方式的显示装置的剖面图。
具体实施方式
[第一实施方式]
(显示装置的概略)
以下，“同层”是指在同一工序(成膜工序)中形成的，“下层”是指在比比较对象的层在更前的工序中形成的，“上层”是指在比比较对象的层在更晚的工序中形成的。
图1是表示第一实施方式的显示装置的制造方法的流程图。图2是第一实施方式的显示装置的俯视图。图3是沿图2所示的A-A'线截取的剖面图。图4是沿图2所示的B-B'线截取的剖面图。图5是沿图2所示的C-C'线截取的剖面图。图6是沿图2所示的D-D'线截取的剖面图。
在制造柔性显示装置的情况下，如图1～图6所示，首先在具有透光性的支承基板(例如，母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成阻挡层3(步骤S2)。接着，形成TFT层4(步骤S3)。接着，形成顶部发射型的发光元件层5(步骤S4)。接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，将上面薄膜贴附到密封层6上(步骤S6)。
接着，通过激光的照射等从树脂层12剥离支承基板(步骤S7)。接着，将下面薄膜10贴附到树脂层12的下表面(步骤S8)。接着，将包括下面薄膜10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5以及密封层6的层叠体分割，得到多个单片(步骤S9)。接着，将功能薄膜贴附到所得到的单片上(步骤S10)。接着，将电子电路基板(例如IC芯片和FPC)安装到在比形成有多个子像素的显示区域DA靠外侧的非显示区域NA(边框区域)的一部分即端部形成的端子部TS(步骤S11)。接着，实施边缘弯折加工(将图1的弯折部CL弯折180度的加工)，且作为显示装置2(步骤S12)。接着，进行断线检查，如果存在断线则进行校正(步骤S13)。此外，步骤S1～S13由显示装置制造装置(包括进行步骤S1～S5的各工序的成膜装置)进行。
作为树脂层12的材料，例如例举出聚酰亚胺等。树脂层12的部分也可以用两层树脂膜(例如，聚酰亚胺膜)以及夹在它们之间的无机绝缘膜来替换。
阻挡层3是防止水、氧等异物侵入TFT层4和发光元件层5的层，例如，可以由CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜，或它们的层叠膜构成。
TFT层4包括：半导体膜15；比半导体膜15更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)；比无机绝缘膜16更上层的栅极GE；扫描信号线GL和发光控制线EM；比栅极GE和扫描信号线GL更上层的无机绝缘膜(第一无机绝缘膜)18；比无机绝缘膜18更上层的电容电极CE；比电容电极CE更上层的无机绝缘膜(第二无机绝缘膜)20；比无机绝缘膜20更上层的、源极SE、漏极DE、数据线DL及比高电平电源线HL更上层的平坦化膜21。
半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O类的半导体)构成。薄膜晶体管(TFT)Tr被构成为包括半导体膜15、栅极GE、源极SE和漏极DE。在图2中，晶体管以顶栅结构示出，但也可以是底栅结构。
栅极(第一金属层)GE、扫描信号线GL、发光控制线EM、电容电极(第二金属层)CE、源极(第三金属层)SE、漏极(第三金属层)DE、数据线DL和高电平电源布线HL例如由包含铝、钨、钼、钽、铬、钛和铜中的至少一种的金属的单层膜或层叠膜构成。
图2的TFT层4包括一层半导体层和三层金属层(第一电极层、第二电极层和第三电极层)。
栅极(第一金属层)GE是子像素电路所包含的下层电极。电容电极(第二金属层)CE是子像素电路所包含的电极之中比栅极GE更上层的电极。源极(第三金属层)SE和漏极(第三金属层)DE是子像素电路所包含的电极中比电容电极CE更上层的电极。
栅极GE和扫描信号线GL是以相同的工艺(在同层并且由相同材料)形成的第一金属层。
形成有电容电极CE的金属层是通过与电容电极CE相同的工序(在同层并且相同材料)形成的第二金属层。
源极SE、漏极DE、数据线DL和高电平电源线HL是由相同工艺(在同层并且相同材料)形成的第三金属层。
另外，高电平电源线HL也可以设置成在行列方向上与显示区域DA交叉，且通过接触孔在显示区域DA外连接，该接触孔设置在无机绝缘膜18/20中。在这种情况下，例如，在列方向(或行方向)上延伸的高电平电源线HL由第三金属层形成，在行方向(或列方向)上延伸的高电平电源线HL由第二金属层(与电容电极CE由相同的材料和相同的金属层)形成。
栅极绝缘膜16/18/20可以由例如通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或它们的层叠膜构成。平坦化膜21可以由例如聚酰亚胺、丙烯酸等能够涂布的有机材料构成。
发光元件层5包括比平坦化膜21更上层的阳极(第一电极、anode)22、覆盖阳极22的边缘的绝缘性的边缘罩23、比边缘罩23更上层的EL(电致发光)层24、比EL层24更上层的阴极(第二电极、cathode)25。边缘罩23例如通过在涂布了聚酰亚胺、丙烯酸等有机材料之后通过光刻进行图案化而形成。
对于每个子像素SP，在发光元件层5上形成有发光元件ES(例如，OLED：有机发光二极管，QLED：量子点发光二极管)，该发光元件ES包括岛状的阳极22和EL层24、横跨子像素SP的共用层即阴极25，控制发光元件ES的子像素电路(后述)形成在TFT层4上。
EL层24构成为，例如从下层侧开始依次层叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。发光层通过蒸镀法或喷墨法在边缘罩23的开口(每个子像素SP)处形成为岛状。其他层形成为岛状或整面状(共用层)。此外，也可以构成为不形成空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的一个以上的层。
当蒸镀形成OLED的发光层时，使用FMM(精细金属掩模)。FMM是具有多个开口的薄片(例如，殷钢材料制)，并且由通过一个开口的有机物质形成岛状的发光层(对应于一个子像素SP)。
对于QLED的发光层，例如，可以通过喷墨涂布其中扩散有量子点的溶剂，来形成岛状的发光层(对应于一个子像素SP)。
阳极22由例如ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)与Ag(银)或含Ag的合金的层叠构成，并具有光反射性。阴极(cathode)25可以由MgAg合金(极薄的膜)、ITO、IZO(Indiumzinc Oxide，铟锌氧化物)等透光性的导电材料构成。
在发光元件ES是OLED的情况下，通过阳极22和阴极25之间的驱动电流，空穴和电子在发光层内再次结合，并且在由此产生的激子转移到基底状态的过程中发光。由于阴极25是透光性的，阳极22是光反射性的，因此从EL层24发出的光朝向上方，并成为顶部发射。
在发光元件ES是QLED的情况下，通过阳极22和阴极25之间的驱动电流，空穴和电子在发光层内再次结合，由此产生的激子在从量子点的导带电平(conduction band)转移到价带电平(valence band)的过程中发射光(萤光)。
发光元件层5也可以形成有所述OLED、QLED以外的发光元件(无机发光二极管等)。
将显示区域DA的4个边中的与扫描信号线GL排列的方向平行的两边(即与数据线DE的延伸方向平行的边)称为第一边DAa和第三边DAc。图2中的纸面上侧是第一边DAa，下侧是第三边DAc。将显示区域DA的4个边中的与数据线DL排列的方向平行的两边(即与扫描信号线GL的延伸方向平行的边)称为第二边DAc和第四边DAd。图2的纸面右侧是第二边DAb，左侧是第四边DAd。第二边DAb是在显示区域DA的彼此相对的两边中靠近端子部TS侧的一边，第四边DAd是在显示区域DA的彼此相对的两边中远离端子部TS的一边。
在非显示区域NA中形成有规定有机缓冲膜27的边缘的第一框状堤栏Ta和第二框状堤栏Tb。第一框状堤栏Ta和第二框状堤栏Tb分别包围显示区域DA一周。第一框状堤栏Ta作为用喷墨法涂布有机缓冲膜27时的液体阻挡件发挥功能。第二框状堤栏Tb包围第一框状堤栏Ta的外侧，且作为备用的液体阻挡件发挥功能。第二框状堤栏Tb的下部由平坦化膜21构成。第二框状堤栏Tb的上部23b以及第一框状堤栏Ta与边缘罩23同层，并且可以由与边缘罩23相同的工序以及相同的材料构成。
密封层6是透光性的，并且包括：覆盖阴极25的无机密封膜26、比无机密封膜26更上层的有机缓冲膜27、比有机缓冲膜27更上层的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧等异物渗透到发光元件层5。
无机密封膜26和无机密封膜28均为无机绝缘膜，例如，可以由通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜或它们的层叠膜构成。有机缓冲膜27是具有平坦化效果的透光性有机膜，并且可以由丙烯酸等可涂布的有机材料构成。有机缓冲膜27例如可以通过喷墨涂布来形成，但是也可以在非显示区域NA中设置用于阻挡液滴的堤栏。
下面薄膜10例如是用于通过在剥离了支承基板后贴附到树脂层12的下表面来实现灵活性优异的显示装置的例如PET膜。功能薄膜39例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能和保护功能中的至少一个。
搭载于端子部TS上的电子电路基板沿着显示装置2的一边延伸，并且形成有生成高电平电源电压(ELVDD)的高电平电源、生成低电平电源电压(ELVSS)的低电平电源、控制数据线DL的驱动的数据驱动器等。电子电路基板以在非显示区域NA中沿着显示装置2的外形的一边延伸的方式设置。端子部TS将从电子电路基板的各种电路输入的各种信号传输到引绕布线TW，该引绕布线TW连接到端子部TS。由此，连接到端子部TS的引绕布线TW向显示区域DA传输各种信号。
此外，在非显示区域NA中的与显示区域DA的第一边DAa和第三边DAc相对的区域设置有扫描驱动器SDR1/SDR2。扫描驱动器SDR1/SDR2控制扫描信号线GL和发光控制线EM的驱动。
以上对柔性显示装置进行了说明，但在制造非柔性显示装置的情况下，一般不需要进行树脂层的形成、基材的更换等，因此，例如在玻璃基板上进行步骤S2～S5的层叠工序，然后转移到步骤S9。
(子像素电路的构成)
图7是表示配置在显示区域DA的子像素电路的构成的图。在图7中，表示与m列n行对应的子像素电路的构成。另外，此处说明的子像素电路的构成为示例，也可以采用其它构成。
如图2和图7所示，在显示区域DA设置有在列方向上延伸的数据线DL[m]和高电平电源线ELVDD以及在与列方向交叉的行方向上延伸的扫描信号线GL[n-1]/GL[n]、发光控制线EM[n]和初始化电源线Vini[n]。发光控制线EM[n]以与扫描信号线GL[n]一对一对应的方式设置。
高电平电源线ELVDD可以被设置为与数据线DL[m]一对一对应，也可以针对多个数据线DL[m]的每一个而设置。高电平电源线ELVDD向显示区域DA中的各子像素电路供给作为共用的恒定电压的高电平电源电压(ELVDD)。
电容器C1由电容电极CE和扫描信号线GL构成(图3)，在该电容电极CE与扫描信号线GL重叠的部分处，储存子像素电路的动作所需的电容。电容电极CE与高电平电源线ELVDD连接，从而供给高电平电源电压(ELVDD)。
低电平电源电压(ELVSS)供给到发光元件ES的阴极25，该低电平电源电压(ELVSS)是在各子像素电路共用的恒定电压。
作为一个示例，作为恒定电压的低电平电源电压(ELVSS)为-4V左右，作为恒定电压的高电平电源电压(ELVDD)为5V左右，作为恒定电压的初始化电源电压(Vini)为-5V左右，在发光控制电压(EM)有效时(导通时)为-8V左右，非有效时(断开时)为7V左右，扫描信号电压(scan)有效时(导通时)为-8V左右，非有效时(断开时)为7V左右，数据信号电压(data)有效时(黑显示时)为6V左右，非有效时(白显示时)为3V左右。
此外，在图7所示的一个示例中，子像素电路具有：形成在TFT层4上的初始化晶体管T1、阈值电压补偿晶体管T2、写入控制晶体管T3、驱动晶体管T4、电源供给控制晶体管T5、发光控制晶体管T6和阳极充放电晶体管T7。写入控制晶体管T3连接到扫描信号线GL[n]和数据线DL[m]。
接着，在扫描信号线GL[n]处于有效的期间，从数据线DL[m]向子像素SP供给与显示灰度对应的电位信号，并且在发光控制线EM[n]处于有效的期间，发光元件ES以与显示灰度数据对应的亮度发光。
(非显示区域NA的具体构成)
如图2至图6所示，在非显示区域NA中设置有多个引绕布线TW，用于经由端子部TS从电子电路基板向显示区域DA供给各种电压。引绕布线TW的一方的端部经由端子部TS与电子电路基板中的各电路连接，且在显示区域DA方向上延伸，另一方的端部与各种布线等连接。
引绕布线TW是包括由第一金属层形成的第一金属层的布线TWG的布线。
引绕布线TW通过将一个端部与端子部TS连接，经由端子部TS与电子电路基板的各电路连接，并朝向另一个端部向显示区域DA方向延伸，另一个端部与各种布线等连接。
例如，引绕布线TW包括第一布线TWS和第一金属层的布线TWG。第一布线TWS是与数据线DL形成在同层上的布线，形成在无机绝缘膜20上，并且从电位电路基板CB引绕到弯折部CL紧前。另外，第一布线TWS也可以设置在比弯折部CL更靠显示区域DA侧的无机绝缘膜20上。
第一金属层的布线TWG是与栅极GE形成在同层的布线，且形成在无机绝缘膜16上，其一个端部经由形成在无机绝缘膜18和20上的接触孔与第一布线TWS连接，且通过弯折部CL的下层而与弯折部CL交叉，另一端部经由接触孔与各种布线连接。另外，第一金属层的布线TWG也可以设置在比弯折部CL更靠显示区域DA侧的无机绝缘膜16上。
在图4所示的示例表示了引绕布线TWD，该引绕布线TWD是引绕布线TW的中的一方的端部经由端子部TS与数据驱动器连接，另一方的端部与数据线DE连接。引绕布线TWD将从数据驱动器供给的数据信号供给到数据线DE。
在图5所示的示例表示了引绕布线TWL，该引绕布线TWL是引绕布线TW的中的一方的端部经由端子部TS与低电平电源连接且另一方的端部与第三导电层SM连接的引绕布线。如后所述，引绕布线TWL将从低电平电源供给的低电平电源电压(ELVSS)通过第三导电层SM供给到阴极25。
在图6所示的示例表示了引绕布线TWH，该引绕布线TWH是引绕布线TW的中的一方的端部经由端子部TS与高电平电源连接，另一方的端部与第二导电层CM1连接。如后所述，引绕布线TWH将从高电平电源供给的高电平电源电压(ELVDD)供给到第二导电层CM1。
此外，除此之外也可以具有如下引绕布线：例如，通过引绕布线TW中的一方的端部经由端子部TS与电子电路基板的高电平电源连接且另一方的端部与电平电源线HL连接，从而向高电平电源线HL供给高电平电源电压(ELVDD)的引绕布线。
如图2至图6所示，在非显示区域NA中，以包围显示区域DA的外周的至少一部分的方式在平坦化膜21形成有第一狭缝(狭缝)H1和第二狭缝(狭缝)H2。
第一狭缝H1和第二狭缝H2是形成在平坦化膜21的槽。第一狭缝(狭缝)H1是平坦化膜21与第二框状堤栏Tb之间的区域，并包围显示区域DA的外周。
第二狭缝H2设置在第一狭缝H1的内周侧。第二狭缝H2包围例如显示区域DA的外周的三边(例如，第一边DAa、第三边DAc和第四边DAd)，并且两端部间隔开。第二狭缝H2的两端部在显示区域DA的第二边DAb与端子部TS之间的区域中相互隔开。即，第二狭缝H2的间隔设置在显示区域DA的第二边DAb与端子部TS之间的区域。
另外，第一框状堤栏Ta可以由平坦化膜21形成，而不是通过与边缘罩23相同的工艺形成。在这种情况下，成为形成多个第一狭缝H1，从而多个第一狭缝H1包括在平坦化膜21与第一框状堤栏Ta之间的狭缝以及第二框状堤栏Ta与第二框状堤栏Tb之间的狭缝。
此外，覆盖显示区域DA的阴极25延伸至非显示区域NA，并且在第二狭缝H2内也形成有阴极25。另外，阴极25也以边缘不与第一框架状堤栏Ta重叠的程度形成在非显示区域NA。
在非显示区域NA中，在平坦化膜21上形成有与阳极22同层并且与阳极22分离的第一导电层22M。第一导电层22M通过横跨第一狭缝H1和第二狭缝H2来连接第一狭缝H2和第二狭缝H2间，设置在第一狭缝H1和第二狭缝H2各自内的底表面和侧表面。
第一导电层22M包围例如显示区域DA外周的三边(例如，第一边DAa、第三边DAc和第四边DAd)，并且两端部间隔开。第一导电层22M的两端部在显示区域DA的第二边DAb与配置有源极驱动器的电子电路基板CB之间的区域相互隔开。即，第一导电层22M的间隔设置在显示区域DA的第二边DAb与端子部TS之间的区域中。
以与第一狭缝H1的至少一部分重叠的方式设置有第三导电层SM。第三导电层SM是与源极SE和漏极DE同层，并且与源极SE和漏极DE分离。
第三导电层SM包围例如显示区域DA外周的三边(例如，第一边DAa、第三边DAc和第四边DAd)，并且两端部间隔开。第三导电层SM的两端部在显示区域DA的第二边DAb与配置有源极驱动器的电子电路板CB之间的区域相互隔开。即，第三导电层SM的间隔设置在显示区域DA的第二边DAb与配置有源极驱动器的电子电路板CB之间的区域。
然后，第一导电层22M在第一狭缝H1内以与下层的第三导电层SM重叠的方式电连接。此外，第一导电层22M在第二狭缝H2内以与上层的阴极25重叠的方式电连接。进一步地，第一导电层22M经由接触孔电连接至引绕布线TWL(图5)，该引绕布线TWL是在引绕布线TW的一端与设置在电子电路基板CB上的低电平电源连接的引绕布线。
换而言之，在第一狭缝H1和第二狭缝H2中的至少一方中，与第一电极同层并且与该第一电极分离的第一导电层22M的下表面与无机绝缘膜20或第三导电层SM接触。然后，在第一狭缝H1和第二狭缝H2中的至少一方中，第一导电层22M与第二导电层CM1或第二导电层CM2隔着无机绝缘膜20重叠。此外，包括由第一金属层形成的布线TWG并且与显示区域DA的布线电连接的多个引绕布线TW是在第一狭缝H1和第二狭缝H2中的至少一方中，隔着无机绝缘膜18与第二导电层CM1或第二导电层CM2重叠。
由此，从低电平电源提供的低电平电源电压(ELVSS)通过引绕布线TWL被提供到第三导电层SM，并且在第一狭缝H1内从第三导电层SM被提供到第一导电层22M，在第二狭缝H2内从第一导电层22M提供到阴极25。结果，可以将发光元件ES的发光所需的低电平电源电压(ELVSS)提供到显示区域DA内的各子像素电路。
第一导电层22M以包围显示区域DA的外周的三边(例如，第一边DAa、第三边DAc和第四边DAd)的方式在第一狭缝H1内与第三导电层SM接触，且在第二狭缝H2内与阴极25接触。结果，可以在显示区域DA的表面内均匀地提供作为恒定电压的低电平电源电压(ELVSS)。
在此，除了低电平电源电压(ELVSS)以外的各种电压(例如，高电平电源电压、数据信号电压等)被施加到设置在非显示区域NA的引绕布线TW。
在非显示区域NA中，在形成有平坦化膜21的区域中，由于第一导电层22M形成在膜厚比较厚的平坦化膜21上，因此，在平坦化膜21的下层，即便使引绕布线TW与第一导电层22M交叉，彼此受到电容负载的影响(即，各自相互受到的噪声的影响)也很小。
但是，在第一导电层22M与第三导电层SM接触的第一狭缝内以及在第一导电层22M与阴极25接触的第二狭缝H2内，由于第一导电层22M设置在第一狭缝H1和第二狭缝H2各自的底表面，因此在第一狭缝H1和第二狭缝H2内，第一导电层22M与形成有引绕布线TW的层(特别是形成有第一金属层的布线TWG的层)之间的距离变近。
因此，到此为止，不优选以第一狭缝和第二狭缝交叉的方式设置引绕布线，需要引绕成第一狭缝和第二狭缝尽可能不交叉。
因此，如图2至图5所示，在显示装置2中，进一步地，与电容电极CE同层的第二导电层CM1以隔着无机绝缘膜20与第一狭缝H1重叠的方式设置。此外，与电容电极CE同层的第二导电层CM2以隔着无机绝缘膜20与第二狭缝H2重叠的方式设置。
即，第二导电层CM1介于设置在第一狭缝H1内的第一导电层22M和设置在第一狭缝H1下层的引绕布线TW之间。此外，第二导电层CM2介于设置在第二狭缝H2内的第一导电层22M和设置在第二狭缝H2下层的引绕布线TW之间。
由此，即便将引绕布线TW的至少一部分以与第一狭缝H1和第二狭缝H2各自重叠的方式设置，也能够将因设置在第一狭缝H1和第二狭缝H2各自内的第一导电层22M的电压(例如，低电平电源电压(ELVSS))与引绕布线TW的电压(例如，高电平电源电压(ELVDD)，或者数据信号电压等)的不同而引起的对第一狭缝H1和第二狭缝H2的每一个的电容负载的影响，通过第二导电层CM1/CM2来遮蔽。因此，显示装置2可以以引绕布线TW与第一狭缝H1和第二狭缝H2交叉的方式设置。因此，根据显示装置2，增加了设计引绕布线TW的自由度，并且可以在没有噪声影响的情况下显示高品质的图像。
这样，由于引绕布线TW的一方的端部与端子部TS连接，并且包括第一金属层的布线TWG，因此，可以与第一狭缝H1和第二狭缝H2两者，或者其中之一交叉。因此，显示装置2中，布线设计的自由度高。
此外，在图3所示的示例中，将远离显示区域DA的方向上的长度设为宽度时，第三导电层SM的宽度比第一狭缝H1的宽度宽并且比第二导电层CM1的宽度窄。
此外，在显示装置2中，在非显示区域NA中的与显示区域DA相邻的区域设置有扫描驱动器SDR1/SDR2。扫描驱动器SDR1/SDR2设置在显示区域DA与第一狭缝H1之间。扫描驱动器SDR1以沿着显示区域DA的第一边DAa延伸的方式设置，扫描驱动器SDR2以沿着显示区域DA的第三边DAc延伸的方式设置。
每个扫描驱动器SDR1/SDR2连接有多条扫描信号线GL和多条发光控制线EM。在显示装置2中，通过扫描驱动器SDR1/SDR2，从显示区域DA的两侧(第一边DAa侧和第三边DAc侧)控制设置在显示区域DA中的多条扫描信号线GL和多条发光控制线EM的驱动。
由此，扫描驱动器SDR1/SDR2中的每一个设置成横跨第二狭缝H2。即，扫描驱动器SDR1/SDR2的每一个设置成与第二狭缝H2重叠。
如图3和图5所示，扫描驱动器SDR1/SDR2具有通过与包括在TFT层4中的薄膜晶体管Tr相同的制造工艺来制备的第一驱动器晶体管DRTr1和多个第二驱动器晶体管DRTr2。第一驱动器晶体管DRTr1和第二驱动器晶体管DRTr2的每一个包括半导体膜15、栅极GE、源极SE和漏极DE。
第一驱动器晶体管DRTr1沿着第二狭缝H2的延伸方向并排设置在第二狭缝H2中的距离显示区域DA的远的一侧即外侧。第二驱动器晶体管DRTr2沿着第二狭缝H2的延伸方向并排设置在第二狭缝H2中的靠近显示区域DA的一侧即内侧。
然后，扫描驱动器SDR1/SDR2进一步包括驱动器布线DRW，该驱动器布线DRW是与栅极GE同层并且与栅极GE分离的布线。
驱动器布线DRW是第二狭缝H2的下层，并且以与第二狭缝H2和第二导电层CM2交叉的方式延伸。驱动器布线DRW的一端部经由设置在无机绝缘膜18/20上的接触孔与第一驱动器晶体管DRTr1的漏极DE连接，驱动器布线DRW的另一端部经由设置在无机绝缘膜18/20的接触孔与第二驱动器晶体管DRTr2的源极SE连接。
如上所述，由于在第二狭缝H2的下层设置有第二导电层CM2，因此即使向设置在第二狭缝H2中的第一导电层22M施加例如低电平电源电压(ELVSS)，不从该第一导电层22M的电压接收噪声并且不对第一导电层22M的电压施加噪声，且经由驱动器布线DRW使第一驱动器晶体管DRTr1和第二驱动器晶体管DRTr2彼此电连接，并驱动它们。
另外，将扫描驱动器SDR1/SDR2作为控制多条扫描信号线GL和多条发光控制线EM的每一个驱动的驱动器进行说明，但是也可以是控制多条扫描信号线GL和多条发光控制线EM中的仅一个的驱动的驱动器。此外，可以仅设置扫描驱动器SDR1和扫描驱动器SDR2中的一方。
此外，在上述说明中，已经示出了引绕布线TW和驱动器布线DRW与被供给了低电平电源电压(ELVSS)的第一导电层22M重叠的示例，但是引绕布线TW和驱动器布线DRW也可以是与被供给了其它的恒定电压(例如，高电平电源电压(ELVDD)，或者初始化电源电压(Vini)等)等的构件重叠。
此外，也可以将高电平电源电压(ELVDD)供给给第二导电层CM1/CM2。在这种情况下，在第二导电层CM1/CM2中，引绕布线TW的一端与引绕布线TWH经由设置在无机绝缘膜20的接触孔电连接，该引绕布线TWH经由端子部TS与高电平电源连接(图6)。另外，在图6中，示出了第二导电层CM1与引绕布线TWH连接的示例。第二导电层CM2也同样地与引绕布线TWH连接。
或者，显示区域DA内的高电平电源线HL通过从显示区域DA跨过显示区域DA的第四边DAd并延伸到非显示区域NA内来与第二导电层CM1/CM2重叠。然后，第二导电层CM1/CM2通过设置在无机绝缘膜20中的接触孔与在非显示区域NA延伸的高电平电源线HL连接来向第二导电层CM1/CM2供给高电平电源电压(ELVDD)。
然后，例如，施加有数据信号电压的引绕布线TW(即，与数据驱动器连接的引绕布线TW)和与该引绕布线TWH连接的第二导电层CM1/CM2交叉。
该数据信号电压的示例为3V(例如，发光元件为白色发光时)至6V(例如，发光元件为黑色发光时)左右，高电平电源电压的示例为5V左右。因此，数据信号电压与高电平电源电压在电压上相对近。因此，可以更可靠地抑制第二导电层CM1/CM2和与第二导电层CM1/CM2交叉的引绕布线TW之间的噪声的影响。
另外，第二导电层CM1/CM2也可以被供给其它的恒定电压(例如，高电平电源电压(ELVDD)或初始化电源电压(Vini))。进一步地，第二导电层CM1/CM2也可以是不被供给电压而处于电气浮置的状态。
此外，第二导电层CM2包围显示区域DA的三边。因此，当将高电平电源电压供给到第二导电层CM2时，设置在显示区域DA的高电平电源线ELVDD中的靠近第四边Dad的一侧的端部(距离端子部TS远的一侧的端部)也可以从显示区域DA延伸到非显示区域NA，并且与第二导电层CM2连接。由此，可以使显示区域DA内的高电平电源线ELVDD成为更加均匀的恒定电压。结果，可以获得能够显示更高品质图像的显示装置2。
此外，设置在显示区域DA的多条数据线DL也可以包括：两端部中靠近端子部TS的一侧的端部与连接到数据驱动器的引绕布线TW即引绕布线TWD连接的数据线DL、以及两端部中远离端子部TS的一侧的端部与连接到数据驱动器的引绕布线TW即引绕布线TWD连接的数据线DL。由此，可以从两者向设置在显示区域DA的多条数据线DL供给数据信号电压。
与数据线DL的两端部中远离端子部TS的一侧的端部连接的引绕布线TWD可以是从与数据线DL的两端部中靠近端子部TS的一侧的端部连接的引绕布线TWD途中分支出来的布线，也可以是连接到数据驱动器的布线。
这样，在显示装置2中，由于设置有第二导电层CM1/CM2，因此引绕布线TW的设计的自由度高，并且布线可以从数据驱动器引绕至位于远离数据驱动器的区域的数据信号线DL的端部。
另外，也可以通过仅将两端部中的靠近端子部TS的一侧的端部与引绕布线TWD连接，数据DL仅从一侧输入数据信号电压。
〔第二实施方式〕
当在显示区域形成异形部时，布线可以沿着该异形部引绕。图8是表示第二实施方式的显示装置2A的构成的俯视图。
显示装置2A在显示区域DA的第三边DAc上具有异形部2e。异形部2e具有从第三边DAc朝向显示区域DA的中心部方向凹陷的形状(切口形状)。由此，显示装置2的外形也成为沿着第三边DAc的异形部2e的异形形状(朝向中央部方向凹陷的形状)，第三边DAc与显示装置2的外形之间的第一狭缝H1和第二狭缝H2也成为沿着第三边DAc的异形部2e的异形形状。
此外，在第一狭缝H1和第二狭缝H2的异形形状部分中，第二导电层CM1/CM2也是与第一狭缝H1和第二狭缝H2的异形形状相匹配的异形形状。
然后，设置在显示区域DA的多条扫描信号线GL和多条发光控制线EM中，一部分的扫描信号线GL和多条发光控制线EM在显示区域DA的异形部2e中在显示区域DA外侧具有与显示区域DA的异形部2e相匹配的弯曲的形状。
上述一部分的扫描信号线GL和多条发光控制线EM从扫描驱动器SDR1或扫描驱动器SDR2延伸到显示区域DA内，并在显示区域DA的异形部2e中延伸到显示区域DA外，通过第二狭缝H2的下层与第二狭缝H2及第二导电层CM2交叉，通过第一狭缝H1的下层与第一狭缝H1及第二导电层CM1交叉，并沿着第一狭缝H1的异形形状部朝向显示区域DA的中心方向弯曲。然后，进一步地，上述一部分的扫描信号线GL和多条发光控制线EM再次通过第一狭缝H1的下层与第一狭缝H1及第二导电层CM1交叉，通过第二狭缝H2的下层与第二狭缝H2及第二导电层CM2交叉，在显示区域DA的异形部2e中延伸到显示区域DA内，并朝向扫描驱动器SDR1或扫描驱动器SDR2方向延伸。
如上所述，根据显示装置2A，由于以与第一狭缝H1重叠的方式设置第二导电层CM1，以与第二狭缝H2重叠的方式设置第二导电层CM2，因此，可以使第一缝隙H1和第二缝隙H2与扫描信号线GL和发光控制线EM交叉。结果，在显示区域DA中，隔着异形部2e设置的区域可以防止由异形部2e供给的电压变得不均匀。结果，即使设置了异形部2e，也可以获得能够以均匀的亮度显示图像的显示装置2A。
〔第三实施方式〕
可以沿着显示区域的两边也可以设置解复用器。
图9是表示第三实施方式的显示装置2B的构成的俯视图。
在显示装置2B中，选择输出电路42a/42b设置在非显示区域NA中。选择输出电路42a沿着显示区域DA的第二边DAb延伸设置。选择输出电路42b沿着显示区域DA的第四边DAd延伸设置。
另外，选择输出电路42a/42b具有相同的电路。当选择输出电路42a/42b彼此不区别时，选择输出电路42a/42b被统称为选择输出电路42。
图10是示出选择输出电路42的构成的示例的图。选择输出电路42具有多个解复用器421、422、423...。解复用器421、422、423...中的每一个将设置在显示区域DA中的多条数据信号线DL捆束成一条数据信号干线di。
在图10所示的示例中，解复用器421、422、423...针对每个RG、BR、GB等将相邻的两条数据信号线DL捆束成一条数据信号干线di。
解复用器421包括从数据信号干线d1(di)分支的数据信号线DL1/DL2、设置在数据信号线DL1上的解复用器晶体管DMTr1和设置在数据信号线DL2上的解复用器晶体管DMTr2。解复用器422包括从数据信号干线d2(di)分支的数据信号线DL3/DL4、设置在数据信号线DL3中的解复用器晶体管DMTr3和设置在数据信号线DL4中的解复用器晶体管DMTr4。解复用器423包括从数据信号干线d3(di)分支的数据信号线DL5/DL6、设置在数据信号线DL5中的解复用器晶体管DMTr5和设置在数据信号线DL5中的解复用器晶体管DMTr6。其他的解复用器也是同样的。
然后，各数据信号线中的一方的数据信号线上所设置的解复用器晶体管DMTr1、DMTr3、DMTr5...共用而连接有控制信号线ASW1。各数据信号线中的另一方的数据信号线上所设置的解复用器晶体管DMTr2、DMTr4、DMTr6...共用而连接有控制信号线ASW2。
通过来自该控制信号线ASW1/ASW2的控制信号(ASW)来切换解复用器晶体管DMTr1、DMTr3、DMTr5...以及解复用器晶体管DMTr2、DMTr4、DMTr6...的导通和断开。由此，通过切换数据信号线DL1、DL3、DL5...以及数据信号线DL2、DL4、DL6...的有效状态和非有效状态，切换从数据信号干线di供给的数据信号电压的、向各发光元件供给的导通和断开。
或者，选择输出电路42也可以具有图11所示的多个解复用器。图11是表示第三实施方式的显示装置中的选择输出电路的构成的另一示例的图。
在图11所示的示例中，解复用器421、422...针对每个RGB等将相邻的三条数据信号线DL捆束成一条数据信号干线di。
解复用器421包括：从数据信号干线d1(di)分支的数据信号线DL1、DL2和DL3、设置在数据信号线DL1中的解复用器晶体管DMTr1、设置在数据信号线DL2中的解复用器晶体管DMTr2以及设置在数据信号线DL3中的解复用器晶体管DMTr3。解复用器422包括：从数据信号干线d1(di)分支的数据信号线DL4、DL5和DL6、设置在数据信号线DL4中的解复用器晶体管DMTr4、设置在数据信号线DL5中的解复用器晶体管DMTr5以及设置在数据信号线DL6中的解复用器晶体管DMTr6。其他的解复用器也是同样的。
由此，在连接到各数据信号线中同色(例如红色)的发光元件的数据信号线DL1、DL4...上所设置的解复用器晶体管DMTr1、DMTr4...共用而连接有控制信号线ASW1。在连接到各数据信号线中同色(例如绿色)的发光元件的数据信号线DL2、DL5...上所设置的解复用器晶体管DMTr2、DMTr5...共用而连接有控制信号线ASW2。在连接到各数据信号线中同色(例如蓝色)的发光元件的数据信号线DL3、DL6...上所设置的解复用器晶体管DMTr3、DMTr6...共用而连接有控制信号线ASW3。
通过来自该控制信号线ASW1、ASW2、ASE3的控制信号(ASW)来切换解复用器晶体管DMTr1、DMTr4...、解复用器晶体管DMTr2、DMTr5...以及解复用器晶体管DMTr3、DMTr6...的导通和切断。由此，通过数据信号线DL1、DL4...、数据信号线DL2、DL5...以及数据信号线DL3、DL6...的有效状态和非有效状态的切换，从数据信号干线di供给的数据电压的、向各发光元件供给的导通和切断被切换。
如图9所示，在显示装置2B中，作为引绕布线TW，具有用于选择输出电路42a中设置的数据信号干线di供给数据信号电压的第一引绕布线TWD1以及用于向选择输出电路42b中设置的数据信号干线di供给数据信号电压的第二引绕布线TWD2。
第一引绕布线TWD1的一方的端部经由端子部TS与数据驱动器连接，另一端部与选择输出电路42a中设置的数据信号干线di电连接。
第二引绕布线TWD2与第一狭缝H1和第二狭缝H2中的至少一方交叉，并且与显示区域DA的数据线DL电连接。
第二引绕布线TWD2通过与第一引绕布线TWD1连接而从第一引绕布线TWD1分支，并且沿着显示区域DA的第一边DAa或第三边DAc延伸非显示区域NA，另一方的端部与选择输出电路42a中设置的数据信号干线di电连接。
第一引绕布线TWD1和第二引绕布线TWD2由第一引绕布线TWS和第一金属层的布线TWG引绕。
根据显示装置2B，可以在第一狭缝H1和第二狭缝H2中的至少一方的下层设置第一引绕布线TWD1和第二引绕布线TWD2。因此，即使以与显示区域DA的第一边DAa相对的方式设置选择输出电路42a，进一步地，即使以与显示区域DA的第四边DAd相对的方式设置选择输出电路42b，可以抑制噪声的影响，并且设置第一引绕布线TWD1和第二引绕布线TWD2。
〔第四实施方式〕
图12为第四实施方式的显示装置2的剖面图。
本实施方式的显示装置2构成为，在第一实施方式说明的显示装置2(图2)的构成中，在与显示区域DA中的端子部TS侧的第二边DAb相对并且俯视时在第三导电层SM的两端部之间呈岛状地形成有：由与第一电极22同层以及由相同的材料形成的第四导电层22M4(与第一实施方式的第一导电层22M对应)、由第二导电层形成的第五导电层SM5(第一实施方式的第二导电层SM对应)以及由第三金属层形成的第六导电层CM6(与第一实施方式的第三导电层CM1对应)。
具体地，第四导电层22M4、第五导电层SM5和第六导电层CM6设置在显示区域DA和端子部TS之间，并且第四导电层22M4未连接至第一导电层22M，第五导电层SM5未连接至第二导电层SM，第六导电层CM6未连接至第三导电层CM1。
第四导电层22M4以横跨第一狭缝H1的方式设置，并与在第一狭缝H1露出的第六导电层CM6接触。
第六导电层CM6与第三导电层SM隔开，输入高电平电源电压(恒定电压)，并且与显示区域DA的高电平电源线HL电连接。换而言之，显示区域DA的高电平电源线HL的至少一端部与第六导电层CM6连接。第六导电层CM6作为显示区域DA的高电平电源线HL的干线发挥功能。
第六导电层CM6隔着无机绝缘膜20与第五导电层SM5重叠。第五导电层SM5输入与输入到数据线DL的数据信号的电压差小的恒定电压，例如，高电平电源电压。但是，即使将与第六导电层CM6相同的高电平电源电压输入到第五导电层SM5，第五导电层SM5也不会与高电平电源线HL电连接。
然后，与数据线DL电连接的引绕布线TW隔着无机绝缘膜18重叠。作为具体的示例，该引绕布线TW从端子部TS延伸，通过第一金属层的布线TWG与第一狭缝H1、第四导电层22M4、第五导电层SM5和第六导电层CM6交叉，并且通过设置在无机绝缘膜18/20的接触孔与数据线DL连接。
利用这种构成，抑制了由于数据线DL的数据信号引起的第六导电层CM6的高电平电源电压的波动，并且可以不受噪声的影响而显示高品质的图像。
〔其它的显示器〕
第一实施方式至第三实施方式的显示器(显示装置)没有特别限制，只要是包括显示元件的显示面板即可。上述显示元件是通过电流控制亮度、透射率的显示元件，作为电流控制的显示元件包括具备OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)的有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器、具备无机发光二极管的无机EL显示器等的EL显示器，或者具备QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)的QLED显示器等。
〔总结〕
一种显示装置，其包括显示区域及非显示区域，所述显示区域包括多个子像素，所述子像素形成有包含晶体管的子像素电路，所述非显示区域是在所述显示区域的周围的区域并且是所述子像素的非形成区域，在所述显示区域形成有：第一金属层，其包括所述子像素电路所包含的下层的电极；第一无机绝缘膜，其形成在所述第一金属层的上层；第二金属层，其形成在所述第一无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第一金属层更上层的电极；第二无机绝缘膜，其形成在所述第二金属层的上层；第三金属层，其形成在所述第二无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第二金属层更上层的电极；平坦化膜，其形成在所述第三金属层的上层；发光元件，其形成在所述平坦化膜的上层，并包括第一电极和第二电极，且发光层介于所述第一电极及所述第二电极之间，所述第一电极针对每个所述子像素呈岛状地形成，所述第二电极横跨多个所述子像素形成，在所述非显示区域中，所述平坦化膜上形成有包围所述显示区域的外周的至少一部分的狭缝，在所述狭缝中，与所述第一电极同层并且与所述第一电极分离的第一导电层的下表面和由所述第三金属层形成的所述第三导电层或所述第二无机绝缘膜接触，在所述狭缝中，所述第一导电层和由所述第二金属层形成的第二导电层隔着所述第二无机绝缘膜重叠，进一步地，设置有多条引绕布线，所述引绕布线包括由所述第一金属层形成的布线，并与所述显示区域的布线电连接，所述引绕布线在所述狭缝中隔着所述第一无机绝缘膜与所述第二导电层重叠。
本发明形态二的显示装置也可以为，在上述形态一中，所述非显示区域设置有包围所述显示区域的外周的第一框状堤栏和包围所述第一框状堤栏的外侧的第二框状堤栏，所述狭缝包括第一狭缝，所述第一狭缝设置在所述平坦化膜与所述第二框状堤栏之间。
本发明形态三的显示装置也可以为，在上述形态一或形态二中，在所述第一狭缝内，所述第一导电层和所述第三导电层接触。
本发明形态四的显示装置也可以为，在上述形态二中，进一步地，具有密封层，所述密封层覆盖所述显示区域整体，所述密封层包括第一无机层、形成在所述第一无机层的上层的有机层以及形成在所述有机层的上层的第二无机层，所述有机层的边缘与所述第一框状堤栏或所述第二框状堤栏重叠。
本发明形态五的显示装置也可以为，在上述形态二中，所述狭缝包括第二狭缝，所述第二狭缝设置在所述第一狭缝的内周侧，并包围所述显示区域的外周的一部分，且两端部间隔开。
本发明形态六的显示装置也可以为，在上述形态五中，所述第一导电层横跨所述第一狭缝和所述第二狭缝，并沿着所述显示区域的外周中的三边延伸。
本发明形态七的显示装置也可以为，在上述形态五或形态六中，在所述第一狭缝和所述第二狭缝的下层以彼此重叠的方式形成有多个所述第二导电层。
本发明形态八的显示装置也可以为，在上述形态五至形态七中，在所述第二狭缝中，所述第一导电层与所述第二电极接触，并且所述第二电极和所述第二导电层经由所述第一导电层电连接。
本发明形态九的显示装置也可以为，在上述形态五至形态八中，在所述显示区域设置有将数据信号供给至所述子像素的多条数据信号线和与所述数据信号线交叉并扫描所述子像素的多条栅极线以及多条发光控制线，在所述非显示区域的所述显示区域和所述第一狭缝之间设置有扫描驱动器，所述扫描驱动器沿着所述显示区域的一边延伸，并控制所述多条栅极线和多条发光控制线中的至少一方的驱动。
本发明形态十的显示装置也可以为，在上述形态九中，所述扫描驱动器设置成横跨所述第二狭缝，所述扫描驱动器包括：第一驱动器晶体管，其是设置在比所述第二狭缝更远离所述显示区域的一侧即外侧的晶体管；以及第二驱动器晶体管，其是设置在比所述第二狭缝更靠近所述显示区域一侧即内侧的晶体管，所述第一驱动器晶体管和所述第二驱动器晶体管通过驱动器布线连接，所述驱动器布线与所述引绕布线同层并且与所述第二狭缝交叉。
本发明形态十一的显示装置也可以为，在上述形态一至形态十中，在所述非显示区域中，在沿着与所述显示区域中的数据信号线交叉的方向延伸的边设置有选择输出电路，所述选择输出电路包括用于将设置在所述显示区域的多条所述数据信号线捆束成一条数据信号干线的多个解复用器。
本发明形态十二的显示装置也可以为，在上述形态十一中，所述选择输出电路包括：第一选择输出电路，其与所述显示区域中的与设置在所述非显示区域的端子部靠近的一侧的边相对配置；以及第二选择输出电路，其与所述显示区域中与所述端子部远离的一侧的边相对配置，所述第一选择输出电路沿着所述显示区域的彼此相对的边中的一边设置，所述第二选择输出电路沿着所述显示区域的彼此相对的边中的另一边设置。
本发明形态十三的显示装置也可以为，在上述形态十二中，在所述非显示区域设置有数据驱动器，所述数据驱动器用于控制所述数据信号线的驱动，所述引绕布线包括与所述数据驱动器电连接的第一引绕布线和第二引绕布线，所述第一引绕布线与所述第一选择输出电路所具有的解复用器的所述数据信号干线电连接，所述第二引绕布线与所述狭缝交叉并且与所述显示区域的数据信号线电连接。
本发明形态十四的显示装置也可以为，在上述形态一至形态十三中，所述第二导电层被供给有恒定电压。
本发明形态十五的显示装置也可以为，在上述形态一至形态十四中，所述显示区域设置有多条高电平电源线，所述高电平电源线用于供给高电平电源电压，所述高电平电源电压是共用供给到所述各子像素电路的恒定电压，所述第二导电层被供给有所述高电平电源电压。
本发明形态十六的显示装置也可以为，在上述形态十五中，所述多条高电平电源线的每一条的两端部中的至少一端与所述第二导电层电连接。
本发明形态十七的显示装置也可以为，在上述形态二或形态三中，所述显示区域设置有多条高电平电源线，所述高电平电源线用于供给高电平电源电压，所述高电平电源电压是共用供给到所述各子像素电路的恒定电压，所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层呈岛状地设置在所述非显示区域所设置的端子部侧的第一狭缝内，所述第三导电层被供给有所述高电平电源电压，并且两端部中的至少一端部与所述第二导电层电连接，所述第二导电层被供给有恒定电压。
本发明形态十八的显示装置也可以为，在上述形态一至形态十七中，设置在所述显示区域中的多条数据信号线中的至少一部分的两端部中的一方的端部与所述引绕布线电连接，并且通过所述引绕布线输入数据信号。
本发明不限于上述各实施方式，能在权利要求所示的范围中进行各种变更，将不同的实施方式中分别公开的技术手段适当组合得到的实施方式也包含于本发明的技术范围。而且，能够通过组合各实施方式分别公开的技术方法来形成新的技术特征。
附图标记说明
2、2A、2B显示装置
2e 异形部
3 阻挡层
5 发光元件层
6 密封层
10 下面薄膜
12树脂层
15 半导体膜
16 无机绝缘膜
18无机绝缘膜(第一无机绝缘膜)
20无机绝缘膜(第二无机绝缘膜)
21平坦化膜
22阳极(第一电极)
22M第一导电层
22M4第四导电层(第一导电层)
23边缘罩
25阴极(第二电极)
26、28 无机密封膜
27 有机缓冲膜
39 功能薄膜
42/42a/42b选择输出电路
421、422、423解复用器
CM1/CM2第二导电层
CM6第六导电层(第三导电层)
CE电容电极(第二金属层)
DE漏极(第三金属层)
d1～d3/di数据信号干线
Dl[m]数据线
DRTr1 第一驱动器晶体管
DRTr2 第二驱动器晶体管
EM[n]发光控制线
GL扫描信号线
GE栅极(第一金属层)
H1第一狭缝(狭缝)
H2第二狭缝(狭缝)
SE源极(第三金属层)
SDR1/SDR2扫描驱动器
SM第三导电层
SM5第五导电层(第二导电层)
Ta 第一框状堤栏
Tb 第二框状堤栏
Vini[n]初始化电源线

Claims (18)

1.一种显示装置，其包括显示区域及非显示区域，所述显示区域包括多个子像素，所述子像素形成有包含晶体管的子像素电路，所述非显示区域是在所述显示区域的周围的区域并且是所述子像素的非形成区域，所述显示装置的特征在于，
在所述显示区域形成有：
第一金属层，其包括所述子像素电路所包含的下层的电极；
第一无机绝缘膜，其形成在所述第一金属层的上层；
第二金属层，其形成在所述第一无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第一金属层更上层的电极；
第二无机绝缘膜，其形成在所述第二金属层的上层；
第三金属层，其形成在所述第二无机绝缘膜的上层，且包括所述子像素电路所包含的电极中比所述第二金属层更上层的电极；
平坦化膜，其形成在所述第三金属层的上层；
发光元件，其形成在所述平坦化膜的上层，并包括第一电极和第二电极，且发光层介于所述第一电极及所述第二电极之间，
所述第一电极针对每个所述子像素呈岛状地形成，
所述第二电极横跨多个所述子像素形成，
在所述非显示区域中，所述平坦化膜上形成有包围所述显示区域的外周的至少一部分的狭缝，
在所述狭缝中，与所述第一电极同层并且与所述第一电极分离的第一导电层的下表面和由所述第三金属层形成的第三导电层或所述第二无机绝缘膜接触，
在所述狭缝中，所述第一导电层和由所述第二金属层形成的第二导电层隔着所述第二无机绝缘膜重叠，
进一步地，设置有多条引绕布线，所述引绕布线包括由所述第一金属层形成的布线，并与所述显示区域的布线电连接，
所述引绕布线在所述狭缝中隔着所述第一无机绝缘膜与所述第二导电层重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述非显示区域设置有包围所述显示区域的外周的第一框状堤栏和包围所述第一框状堤栏的外侧的第二框状堤栏，
所述狭缝包括第一狭缝，
所述第一狭缝设置在所述平坦化膜与所述第二框状堤栏之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一狭缝内，所述第一导电层和所述第三导电层接触。
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
进一步地，具有密封层，所述密封层覆盖所述显示区域整体，
所述密封层包括第一无机层、形成在所述第一无机层的上层的有机层以及形成在所述有机层的上层的第二无机层，
所述有机层的边缘与所述第一框状堤栏或所述第二框状堤栏重叠。
5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述狭缝包括第二狭缝，
所述第二狭缝设置在所述第一狭缝的内周侧，并包围所述显示区域的外周的一部分且两端部间隔开。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述第一导电层横跨所述第一狭缝和所述第二狭缝，并沿着所述显示区域的外周中的三边延伸。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
在所述第一狭缝和所述第二狭缝的下层以彼此重叠的方式形成有多个所述第二导电层。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
在所述第二狭缝中，所述第一导电层与所述第二电极接触，并且所述第二电极和所述第二导电层经由所述第一导电层电连接。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
在所述显示区域设置有将数据信号供给至所述子像素的多条数据信号线和与所述数据信号线交叉并扫描所述子像素的多条栅极线以及多条发光控制线，
在所述非显示区域的所述显示区域和所述第一狭缝之间设置有扫描驱动器，所述扫描驱动器沿着所述显示区域的一边延伸，并控制所述多条栅极线和多条发光控制线中的至少一方的驱动。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其特征在于，
所述扫描驱动器设置成横跨所述第二狭缝，
所述扫描驱动器包括：
第一驱动器晶体管，其是设置在比所述第二狭缝更远离所述显示区域的一侧即外侧的晶体管；以及
第二驱动器晶体管，其是设置在比所述第二狭缝更靠近所述显示区域一侧即内侧的晶体管，
所述第一驱动器晶体管和所述第二驱动器晶体管通过驱动器布线连接，所述驱动器布线与所述引绕布线同层并且与所述第二狭缝交叉。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
在所述非显示区域中，在沿着与所述显示区域中的数据信号线交叉的方向延伸的边设置有选择输出电路，所述选择输出电路包括用于将设置在所述显示区域的多条所述数据信号线捆束成一条数据信号干线的多个解复用器。
12.根据权利要求11所述的显示装置，其特征在于，
所述选择输出电路包括：
第一选择输出电路，其与所述显示区域中的与设置在所述非显示区域的端子部靠近的一侧的边相对配置；以及
第二选择输出电路，其与所述显示区域中与所述端子部远离的一侧的边相对配置，
所述第一选择输出电路沿着所述显示区域的彼此相对的边中的一边设置，
所述第二选择输出电路沿着所述显示区域的彼此相对的边中的另一边设置。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其特征在于，
在所述非显示区域设置有数据驱动器，所述数据驱动器用于控制所述数据信号线的驱动，
所述引绕布线包括与所述数据驱动器电连接的第一引绕布线和第二引绕布线，
所述第一引绕布线与所述第一选择输出电路所具有的解复用器的所述数据信号干线电连接，
所述第二引绕布线与所述狭缝交叉并且与所述显示区域的数据信号线电连接。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第二导电层被供给有恒定电压。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示区域设置有多条高电平电源线，所述高电平电源线用于供给高电平电源电压，所述高电平电源电压是共用供给到所述各子像素电路的恒定电压，
所述第二导电层被供给有所述高电平电源电压。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，
所述多条高电平电源线的每一条的两端部中的至少一端与所述第二导电层电连接。
17.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述显示区域设置有多条高电平电源线，所述高电平电源线用于供给高电平电源电压，所述高电平电源电压是共用供给到所述各子像素电路的恒定电压，
所述第一导电层、所述第二导电层和所述第三导电层呈岛状地设置在所述非显示区域所设置的端子部侧的第一狭缝内，
所述第三导电层被供给有所述高电平电源电压，并且两端部中的至少一端部与所述第二导电层电连接，
所述第二导电层被供给有恒定电压。
18.根据权利要求1～17中任一项所述的显示装置，其特征在于，
设置在所述显示区域中的多条数据信号线中的至少一部分的两端部中的一方的端部与所述引绕布线电连接，并且通过所述引绕布线输入数据信号。
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