CN111971732A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

显示区域设置有其一部分被切掉的切口部(NZ)，包括从所述显示区域朝向所述切口部引绕的第一引绕布线(w1)，所述第一引绕布线包括在第一金属层中，在第二金属层包括第一导电膜(K1)，所述第一引绕布线与所述第一导电膜隔着无机绝缘膜重叠。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
专利文献1公开了一种抑制异形(角部被切掉的形状)的显示部的亮度不均匀的技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本国公开专利公报“特开2012-103335号公报(2012年5月31日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在所述以往的技术中，存在显示部的被限定成特定的形状的问题。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一形态的显示装置包括显示区域以及包围所述显示区域的边框区域，在所述显示区域设置有其一部分被切掉的切口部；在所述显示区域中，包括传输数据信号的多条数据信号线、与所述多条数据信号线交叉的多条扫描信号线、多条发光控制线、与所述多条数据信号线和所述多条数据信号线的交点对应设置的多个子像素电路，并设置有与所述多条数据信号线电连接的驱动电路、与所述多条扫描信号线电连接的驱动电路以及与所述多条发光控制线电连接的驱动电路，位于所述切口部的周缘的所述边框区域具有第一引绕布线，所述引绕布线与所述多条扫描信号线中的一条、所述多条发光控制线中的一条或所述多条数据信号线中的一条电连接，并且从所述显示区域朝向所述切口部延伸，所述第一引绕布线包括在第一金属层中，第一导电膜包括在第二金属层中，所述第一引绕布线和所述第一导电膜隔着无机绝缘膜重叠。
有益效果
根据本发明的一形态，可以改善形成有切口部的显示部的亮度不均匀。
附图说明
图1是表示制造显示装置的方法的示例的流程图。
图2的(a)是表示显示装置的显示部的构成例的截面图，(b)是表示TFT层的形成工序的示例的流程图。
图3是表示第一实施方式的显示装置的构成的俯视图。
图4是表示显示区域所包含的子像素电路的构成例的电路图。
图5是表示切口部周围的构成的俯视图。
图6的(a)是沿着图5的线a-a截取的截面图，(b)是沿着图5的线b-b截取的截面图，(c)是沿着图5的线c-c截取的截面图。
图7的(a)、(b)是表示第一实施方式中的扫描脉冲波形的示意图，(c)是表示参考例的扫描图8的(a)、(b)表示切口部周围的变形例的俯视图。
图8的(a)、(b)是表示切口部周围的变形例的俯视图，(c)是沿着(b)的线c-c截取的截面图。
图9是表示切口部周围的又一变形例的俯视图。
图10是表示第二实施方式的显示装置的构成的俯视图。
图11是表示显示区域的圆角周围的构成例的俯视图。
图12是表示第三实施方式的显示装置的构成的俯视图。
图13的(a)表示第四实施方式的显示装置的构成的俯视图，(b)是沿着(a)的线b-b截取的截面图。
图14的(a)、(b)表示第四实施方式的显示装置的构成的俯视图。
图15是表示第五实施方式的显示装置的构成的俯视图。
图16是表示第六实施方式的显示装置的构成的俯视图。
图17是表示显示区域的切口部周围的构成例的俯视图。
具体实施方式
[第一实施方式]
以下，“同层”是指在同一工序(成膜工序)中形成的，“下层”是指在比比较对象的层在更前的工序中形成的层，“上层”是指在比比较对象的层在更晚的工序中形成的层。
图1是表示显示装置的制造方法的示例的流程图。图2的(a)是表示显示装置的显示部的构成例的截面图，图2的(b)是表示TFT层的形成工序的示例的流程图。
在制造柔性显示装置的情况下，如图1及图2所示，首先在具有透光性的支承基板(例如，母玻璃基板)上形成树脂层12(步骤S1)。接着，形成阻挡层3(步骤S2)。接着，形成TFT层4(步骤S3)。接着，形成顶部发射型的发光元件层5(步骤S4)。接着，形成密封层6(步骤S5)。接着，将上面薄膜贴附到密封层6上(步骤S6)。
接着，通过激光的照射等从树脂层12剥离支承基板(步骤S7)。接着，将下面薄膜10贴附到树脂层12的下表面(步骤S8)。接着，将包括下面薄膜10、树脂层12、阻挡层3、TFT层4、发光元件层5以及密封层6的层叠体分割，得到多个单片(步骤S9)。接着，将功能薄膜39贴附到所得到的单片上(步骤S10)。接着，将电子电路基板(例如IC芯片和FPC)安装到在比形成有多个子像素的显示区域DA更靠近外侧(非显示区域、边框)的一部分(端子部)上(步骤S11)。另外，步骤S1～S11由显示装置制造装置(包括进行步骤S1～S5的各工序的成膜装置)进行。
作为树脂层12的材料，例如例举出聚酰亚胺等。树脂层12的部分也可以用两层树脂膜(例如，聚酰亚胺膜)以及夹在它们之间的无机绝缘膜来替换。
阻挡层3是防止水、氧等异物侵入TFT层4和发光元件层5的层，例如，可以由CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜，或它们的层叠膜构成。
TFT层4包括半导体膜15、与半导体膜15相比更上层的无机绝缘膜16(栅极绝缘膜)、与无机绝缘膜16相比更上层的栅极GE和栅极布线GH、与栅极GE和栅极布线GH相比更上层的无机绝缘膜18、与无机绝缘膜18相比更上层的电容电极CE、与电容电极CE相比更上层的无机绝缘膜20、与无机绝缘膜20相比更上层的源极布线SH、以及与源极布线SH相比更上层的平坦化膜21(层间绝缘膜)。
半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体(例如In-Ga-Zn-O类的半导体)构成，且晶体管(TFT)Tr构成为包括半导体膜15和栅极GE。在图2中，晶体管以顶栅结构示出，但也可以是底栅结构。
栅极GE、栅极布线GH、电容电极CE和源极布线SH由例如包含铝、钨、钼、钽、铬、铬、钛和铜中的至少一种的金属的单层膜或层叠膜构成。如图2的(b)所示，在TFT层4上包含一层的半导体层和三层的金属层(第一金属层、第二金属层以及第三金属层)。
栅极绝缘膜16/18/20可以由例如通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜或它们的层叠膜构成。平坦化膜21可以由例如聚酰亚胺、丙烯酸等能够涂布的有机材料构成。
发光元件层5包括比平坦化膜21更上层的阳极22、覆盖阳极22的边缘的绝缘性的边缘罩23、比边缘罩23更上层的EL(电致发光)层24、比EL层24更上层的阴极25。边缘罩23例如通过在涂布了聚酰亚胺、丙烯酸等有机材料之后通过光刻进行图案化而形成。
针对每个子像素，在发光元件层5形成包括岛状的阳极22、EL层24以及阴极25的发光元件ES(例如，OLED：有机发光二极管，QLED：量子点二极管)，并在TFT层4上形成发光元件ES的控制电路，并通过发光元件及该控制电路构成像素电路。
EL层24例如由从下层侧开始依次层叠空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层和电子注入层构成。发光层通过蒸镀法或喷墨法在边缘罩23的开口(每个子像素)处形成为岛状。其他层形成为岛状或整面状(共用层)。此外，也可以构成为不形成空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层中的一个以上的层。
当蒸镀形成OLED的发光层时，使用FMM(精细金属掩模)。FMM是具有多个开口的薄片(例如，殷钢材料制)，并且由通过一个开口的有机物质形成岛状的发光层(对应于一个子像素)。
对于QLED的发光层，例如，可以通过喷墨涂布其中扩散了量子点的溶剂，来形成岛状的发光层(对应于一个子像素)。
阳极22(anode)由例如ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)与Ag(银)或含Ag的合金的层叠构成，并具有光反射性。阴极(cathode)25可以由MgAg合金(极薄的膜)、ITO、IZO(Indium zinc Oxide，铟锌氧化物)等透光性的导电材料构成。
在发光元件ES是OLED的情况下，通过阳极22和阴极25之间的驱动电流，空穴和电子在发光层内再次结合，并且在由此产生的激子转移到基底状态的过程中发光。由于阴极25是透光性的，阳极22是光反射性的，因此从EL层24发出的光朝向上方，并成为顶部发射。
在发光元件ES是QLED的情况下，通过阳极22和阴极25之间的驱动电流，空穴和电子在发光层内再次结合，由此产生的激子在从量子点的导带能级(conduction band)跃迁到价带能级(valence band)的过程中释放光(荧光)。
发光元件层5也可以形成有所述OLED、QLED以外的发光元件(无机发光二极管等)。
密封层6是透光性的，并且包括：覆盖阴极25的无机密封膜26、比无机密封膜26更上层的有机缓冲膜27、比有机缓冲膜27更上层的无机密封膜28。覆盖发光元件层5的密封层6防止水、氧等异物渗透到发光元件层5。
无机密封膜26和无机密封膜28均为无机绝缘膜，例如，可以由通过CVD法形成的氧化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜或它们的层叠膜构成。有机缓冲膜27是具有平坦化效果的透光性有机膜，并且可以由丙烯酸等可涂布的有机材料构成。有机缓冲膜27例如可以通过喷墨涂布来形成，但是也可以在非显示区域NA中设置用于阻挡液滴的堤栏。
下面薄膜10例如是用于通过在剥离了支承基板后贴附到树脂层12的下表面来实现灵活性优异的显示装置的例如PET膜。功能薄膜39例如具有光学补偿功能、触摸传感器功能和保护功能中的至少一个。
以上对柔性显示装置进行了说明，但在制造非柔性显示装置的情况下，一般不需要树脂层的形成、基材的更换等，因此，例如在玻璃基板上进行步骤S2～S5的层叠工序，然后转移到步骤S9。
〔第一实施方式〕
图3是表示第一实施方式的显示装置的构成的俯视图，图4是表示显示区域所包括的子像素电路的构成示例的电路图。如图3所示，显示装置2包括具有子像素的显示区域DA和包围显示区域DA的边框区域(非显示区域)NA。在显示区域DA设置有切口部(例如，用于设置透镜、传感器的凹口)NZ。包括发光元件ES的子像素SP连接至数据信号线DL、扫描信号线Gx、发光控制线EM、高电压电源线Ph和初始化电源线Pi。另外，电容Cp的一方电极连接至高电压电源线Ph，另一方电极连接至驱动晶体管Ta的栅极端子。驱动晶体管Ta中，其栅极端子连接至扫描信号线Gx，其源极端子经由写入晶体管Tb连接至数据信号线DL，其漏极端子经由晶体管Td连接至发光元件ES。数据信号线DL连接至源极驱动器SDR，扫描信号线Gx连接至栅极驱动器GD1/GD2，发光控制线EM连接至发射驱动器ED1/ED2。栅极驱动器GD1/GD2以及发射驱动器ED1/ED2单片形成在边框区域NA所包括的TFT层4。
以下，将第一引绕布线w1～第十一引绕布线w11中的每一个缩写为引绕布线w1～w11。此外，将第一导电膜K1～第五导电膜K5中的每一个缩写为导电膜K1～导电膜K5。
在显示装置2中，位于切口部NZ两侧的第一区域A1和第二区域A2包括在显示区域DA中，并且在x方向延伸的扫描信号线GA/Gm穿过第一区域A1，在x方向延伸的扫描信号线GA/GM穿过第二区域A2，在x方向延伸的扫描信号线Gx穿过比切口部NZ更靠近中央侧的主区域MA。
在y方向延伸的数据信号线DL与扫描信号线GA，Gm和Gx交叉。扫描信号线GA/Gm连接至栅极驱动器GD1，扫描信号线GA/GM连接至栅极驱动器GD2，并且扫描信号线Gx连接至栅极驱动器GD1/GD2。另外，在边框区域NA中设置有用于安装外部基板的端子部TS，并且在俯视时，显示区域DA配置在端子部TS和切口部NZ之间。
图5是表示切口部周围的构成的俯视图。图6的(a)是沿着图5的线a-a截取的截面图，图6的(b)是沿着图5的线b-b截取的截面图，图6的(c)是沿着图5的线c-c截取的截面图。如图2所示，关于TFT层4，在步骤S3a中形成半导体层(包括图2的半导体膜15)，在步骤S3c中形成第一金属层(包括图2的栅极GE和栅极布线GH)，在步骤S3e中形成第二金属层(包括图2的电容电极CE)，在步骤S3g中形成第三金属层(包括图2的源极布线SH)。
如图5/图6所示，显示装置2的TFT层4包括从第一区域A1朝向切口部NZ引绕的引绕布线w1(包括在第一金属层中)、从第一区域A1朝向切口部NZ引绕并且与引绕布线w1相邻的引绕布线w3(包括在第一金属层中)、以避开切口部Nz的方式绕过(穿过切口部Nz的周围)的引绕布线w2(包括在第二金属层中)、从第二区域A2朝向切口部NZ引绕的引绕布线w7(包括在第一金属层中)以及以避开切口部Nz的方式绕过(穿过切口部NZ的周围)的引绕布线w4(包括在第一金属层中)。
引绕布线w2经由中继电极TE(包括在第三金属层中)连接至引绕布线w1的同时，经由中继电极TE连接至引绕布线w7。引绕布线w4经由中继电极TE连接至引绕布线w3。引绕布线w1从扫描信号线Ga(包括在第一金属层中)延伸，引绕布线w3从扫描信号线Gb(包括在第一金属层中)延伸，引绕布线w7从扫描信号线GA延伸(包括在第一金属层中)。扫描信号线Ga/GA经由引绕布线w1，w2和w7电连接。另外，扫描信号线Ga经由配置在边框区域NA(第一区域A1的边缘的外侧)中的引绕布线连接至栅极驱动器GD1，并且扫描信号线GA经由配置在边框区域NA(第二区域A2的边缘的外侧)中的引绕布线连接至栅极驱动器GD2。
如图5/图6所示，在非显示区HZ中设置有导电膜K1(包括在第二金属层中)，并且引绕布线w1/w3和导电膜K1隔着无机绝缘膜18重叠，该非显示区域HZ是在第一区域A1与切口部NZ之间的间隙中的第一区域A1的外缘。此外，在非显示区域HZ中设置有导电膜K5(包括在第二金属层中)，并且引绕布线w7和导电膜K5隔着无机绝缘膜18重叠，该非显示区域HZ是在第二区域A2与切口部NZ之间的间隙中的第二区域A2的外缘。具体地，引绕布线w1/w7具有局部宽度较宽的宽幅部Hb，并且导电膜K1/K5与各宽幅部Hb整体重叠。各宽幅部Hb为在延伸方向(x方向)上的尺寸比在宽度方向(与x方向正交的y方向)上的尺寸更大的细长形状。因此，宽幅部Hb和导电膜K1之间的电容可以被施加到引绕布线w1，宽幅部Hb和导电膜K5之间的电容可以被施加到引绕布线w7。
另外，引绕布线w2(包括在第二金属层中)在显示区域DA和切口部NZ之间的间隙中具有弯曲部Yc，在俯视时，在弯曲部Yc和显示区域DA之间配置有导电膜K1。此外，引绕布线w4(包括在第一金属层中)在显示区域DA和切口部NZ之间的间隙中具有弯曲部Yc，在俯视时，在弯曲部Yc和显示区域DA之间配置有导电膜K1。
图7的(a)、(b)是表示第一实施方式中的扫描脉冲波形的示意图，图7的(c)是表示参考例中的扫描脉冲波形的示意图。由于连接至扫描信号线Ga(穿过第一区域A1)和扫描信号线GA(穿过第二区域A2)的子像素的数量少于连接至穿过主区域AM的扫描信号线Gx的子像素的数量，因此，对于栅极驱动器GD1/GD2，电连接的扫描信号线Ga/GA的驱动负载小于扫描信号线Gx的驱动负载。因此，通过向连接至扫描信号线Ga/GA的引绕布线w1/w7施加电容，可以减小扫描信号线Gx的驱动负载与扫描信号线Ga/GA的驱动负载之间的差。
由此，扫描信号线Gx中的扫描脉冲的上升波形和返回波形(参照图7的(a))和扫描信号线Ga/GA中的每一个中的扫描脉冲的上升波形和返回波形(参照图7的(b))相一致，位于切口部NZ两侧的第一区域A1以及第二区域A2和比切口部NZ更靠近中央的主区域AM之间难以发生亮度不均匀。
另外，在不向引绕布线w1/w7施加电容(没有导电膜K1/K5)的情况下，扫描信号线Ga/GA各自的信号脉冲的上升波形和返回波形(参照图7的(c))比扫描信号线Gx中的信号脉冲的上升波形和返回波形(参照图7的(a))更陡峭，可能会发生亮度不均匀。
另外，在上述说明中，以Ga，GA，Gx作为扫描信号线进行了说明，但本发明不限于此，例如，Ga，GA，Gx也可以为发光控制线(向子像素电路供给发光控制脉冲的信号线)。
在图5/图6中，导电膜K1经由接触孔连接至从低电压电源干线PM(包括在第三金属层中)分支的低电压电源线Pr，并且向导电膜K1供给低电压电源(ELVSS)。另外，低电压电源(ELVSS)被供给到发光元件ES的阴极25。另外，导电膜K1/K2与阴极25(各子像素电路的共用阴极)重叠。
另外，也可以构成为，导电膜K1与高电压电源主接线电连接，并且高电压电源(ELVDD)被供给到导电膜K1。另外，高电压电源(ELVDD)被供给到图4中的子像素电路的电容Cp。
图8的(a)、(b)是表示切口部周围的变形例的俯视图，图8的(c)是沿图8的(b)的线c-c截取的截面图。如图8的(a)所示，设置有与引绕布线w1重叠的岛状的导电膜K1和与引绕布线w3重叠的岛状的导电膜K2，这些可以经由包括在第三金属层中的布线RE(与图2的源极布线SH同层)电连接。在这种情况下，导电膜K1/K2(包括在第二金属层中)也可以经由与第二金属层同层的布线、与阳极22同层的布线或者与阴极25同层的布线电连接。在图8的(a)中构成为，通过导电膜K1覆盖宽幅部Hb整体，并且导电膜K2覆盖宽幅部Hb整体，即使在第一金属层和第二金属层之间发生图案偏移，电容值也难以变化。
此外，如图8的(b)、(c)所示，也可以构成为，通过接触孔CH内的导电膜K1的上表面被与阳极22同层的金属膜am覆盖，并且在接触孔CH内使阴极25和金属膜am接触，从而向导电膜K1供给低电压电源(ELVSS)。另外，金属膜am与低电压电源主接线PM电连接。在接触孔CH(沟槽)中，由于平坦化膜21和边缘罩23被贯穿，并且接触孔CH的内部(底表面和侧壁)被金属膜am覆盖，因此，通过沟槽阻止水分浸透到显示区域DA。
图9是表示切口部周围的另一变形例的俯视图。图9是表示切口部周围的另一变形例的俯视图。如图9的(a)所示，导电膜K1也可以是电气浮置的。也可以设置与引绕布线w1重叠的岛状的导电膜K1和与引绕布线w3重叠的岛状的导电膜K2，且使导电膜K1/K2处于电气浮置。在这种情况下，如图9的(b)所示，导电膜K1/K2也可以隔开(电分离)，如图9的(c)所示，导电膜K1/K2(均包括在第二金属中)可以与包括在第二金属层中的布线来连接(电连接)。另外，导电膜K1/K2也可以经由与第三金属层(例如，源极布线SH)同层的布线、与阳极22同层的布线或者与阴极25同层的布线电连接。在图9的(c)中，也可以构成为，导电膜K1覆盖宽幅部Hb整体，并且导电膜K2覆盖宽幅部Hb整体，使得即使发生图案偏移，电容值也难以变化。另外，如图9的(d)所示，即使是导电膜K1的两个纵向边(平行于y方向)位于宽幅部Hb的两个纵向边之间，宽幅部Hb的两个横向边(平行于x方向)位于导电膜K1的两个横向边之间的构成，也可以应对第一金属层和第二金属层之间的图案偏移。
〔第二实施方式〕
图10是表示第二实施方式的显示装置的构成的俯视图，图11是表示在显示区域的圆角周围的构成例的俯视图。
如图10/图11所示，在第二实施方式的显示装置中，栅极驱动器GD1的端部弯曲成曲线状，在栅极驱动器GD1和角边缘EC(区域A1的边缘)之间的间隙设置导电膜K3，该导电膜K3以在俯视时沿着角边缘EC的方式弯曲。然后，连接到扫描信号线Ga并且从角边缘EC引绕到边框区域NA的引绕布线w5(包括在第一金属层中)和导电膜K3(包括在第二金属层中)隔着无机绝缘膜18重叠。
此外，栅极驱动器GD2的端部弯曲成曲线状，在栅极驱动器GD2和角边缘(区域A2的边缘)之间的间隙设置导电膜K4，该导电膜K4以在俯视时沿着角边缘的方式弯曲。然后，连接到扫描信号线GA并且从角边缘EC引绕到边框区域NA的引绕布线w6(包括在第一金属层中)和导电膜K4(包括在第二金属层中)隔着无机绝缘膜18重叠。
这样做，可以是导电膜K3之间的电容被施加到从扫描信号线Ga延伸到边框区域的引绕布线w5，导电膜K4之间的电容被施加到从扫描信号线GA延伸的引绕布线w6，且扫描信号线Ga/GA的驱动负载以及扫描信号线Gx的驱动负载相一致。
〔第三实施方式〕
图12是表示第三实施方式的显示装置的构成的俯视图。在图12中，从扫描信号线Gm朝向切口部Nz的方向延伸的引绕布线w8(宽幅部Hb)和从扫描信号线Gn沿切口部Nz的方向延伸的引线w9(宽幅部Hb)与导电膜K1重叠。引绕布线w8配置在比引绕布线w1更靠近显示区域中央侧。在此，如图3所示，考虑到与引绕布线w8电连接的子像素电路(连接到扫描信号线Gm/GM的子像素电路)的数量多于与引绕布线w1电连接的子像素电路(连接到扫描信号线Ga/GA的子像素电路)的数量，引绕布线w8和导电膜K1的重叠面积小于引绕布线w1和导电膜K1的重叠面积，施加到引绕布线w8的电容小于施加到引绕布线w1的电容。这样，可以消除第一区域A1内的亮度不均匀(渐变)。图12表示图3中的凹口NZ的左侧区域A1的一部分，并且子像素电路的数量朝向中央侧增加。即，根据显示区域的圆角周围的设计，子像素电路的数量从设置有切口部的上边端部朝向中央部增加。此外，当切口部的形状是曲线状或倾斜形状时，子像素电路的数量伴随着变化(未图示)。
在图12的(a)中，导电膜K1具有朝向中央方向宽度变窄的梯形形状，但是本发明不限于此。导电膜K1可以为阶梯形状，使得即使在第一金属层和第二金属层之间发生图案偏移，电容值也不会偏移(参照图12的(b))。
〔第四实施方式〕
图13的(a)是表示第四实施方式的显示装置的构成的俯视图，图13的(b)是沿着图13的(a)的b-b线的剖视图。
如图13所示，连接到引绕布线w1并且绕过切口部NZ的引绕布线w2(包括在第二金属层中)和连接到引绕布线w3并绕过切口部NZ的引绕布线w4(包括在第一金属层中)隔着无机绝缘膜18重叠。例如，引绕布线w2的横向延伸部wy2和引绕布线w4的横向延伸部wy4重叠，引绕布线w2的纵向延伸部wt2与引绕布线w4的纵向延伸部wt4重叠。
这样，可以向与扫描信号线Ga电连接的引绕布线w2和与扫描信号线Gb电连接的引绕布线w4中的每一个施加相互间电容，且可以使扫描信号线Ga/GA的驱动负载以及扫描信号线Gb/GB的驱动负载与扫描信号线Gx的驱动负载相一致。
图14是表示第四实施方式的显示装置的构成的俯视图。如图14所示，引绕布线w10(包含在第二金属层中)和引绕布线w11(包含在第一金属层中)隔着无机绝缘膜18重叠，该引绕布线w10与从扫描信号线Gm延伸的引绕布线w8电连接，并绕过切口部NZ，该引绕布线w11连接到从扫描信号线Gn(与扫描信号线Gm相邻)延伸的引绕布线w9，并绕过切口部NZ。引绕布线w8配置在比引绕布线w1更靠近显示区域中央侧。
如图3所示，考虑到与引绕布线w10电连接的子像素电路(连接到扫描信号线Gm/GM的子像素电路)的数量比与引绕布线w2电连接的子像素电路(连接到扫描信号线Ga/GA的子像素电路)的数量更大，引绕布线w10和引绕布线w11的重叠面积小于引绕布线w2和引绕布线w4的重叠面积。这样，可以消除第一区域A1内的亮度不均匀(渐变)。
在图14的(a)中，引绕布线w10的横向延伸部wy10和引绕布线w11的横向延伸部wy11的重叠宽度小于引绕布线w2的横向延伸部wy2和引绕布线w4的横向延伸部wy4的重叠宽度。在图14的(b)中，引绕布线w10的横向延伸部wy10和引绕布线w11的横向延伸部wy11的重叠长度小于引绕布线w2的横向延伸部wy2和引绕布线w4的横向延伸部wy4的重叠长度。
〔第五实施方式〕
图15是表示第五实施方式的显示装置的构成的俯视图。在第一实施方式至第四实施方式中，引绕布线w1形成在第一金属层，引绕布线w2形成在第二金属层，引绕布线w7形成在第一金属层，但本发明不限定于此。如图15所示，也可以构成为，引绕布线w1，w2和w7形成在第一金属层中，且扫描信号线Ga、引绕布线w1、引绕布线w2、引绕布线w7和扫描信号线GA在同层上连接(一体化)。
〔第六实施方式〕
图16是表示第六实施方式的显示装置的构成的俯视图，图17是表示在显示区域的切口周围的构成例的俯视图。在第一实施方式至第五实施方式中，在显示装置的短边方向(x方向，扫描信号线的延伸方向)排列的两个角之间设置有切口部NZ，但是本发明不限于此。如图16所示，可以切掉在短边方向排列的两个角的一方以形成切口部NZ。
在图16/图17中，设置有从第一区域A1朝向切口部NZ引绕的引绕布线w1/w3(包括在第一金属层中)，在第一区域A1与切口部NZ之间的间隙作为第一区域A1的外边缘的非显示区域HZ设置有导电膜K1(包括在第二金属层中)，引绕布线w1/w3和导电膜K1隔着无机绝缘膜18重叠。由此，向从扫描信号线Ga延伸的引绕布线w1施加与导电膜K1之间的电容。
由于连接到扫描信号线Ga的子像素的数量小于连接到穿过主区域AM的扫描信号线Gx的子像素的数量，因此，对于栅极驱动器GD1/GD2，扫描信号线Ga的驱动负载小于扫描信号线Gx的驱动负载。因此，通过向从扫描信号线Ga延伸的引绕布线w1施加电容，可以减小扫描信号线Gx的驱动负载与扫描信号线Ga/GA的驱动负载之间的差。
以上，将各引绕布线(w1～w11)作为用于扫描信号线之间、驱动它们的栅极驱动器之间的电连接的引绕布线进行了说明，但本发明不限于此。各引绕布线可以是用于在发光控制线间、驱动它们的发光驱动器之间电连接的引绕布线。
〔总结〕
包括本实施方式涉及的显示装置的电气光学元件(通过电流控制亮度、透射率的电气光学元件)没有特别限定。作为本实施方式涉及的显示黄纸，可以例举例如，具备OLED(OrGAnic Light Emitting Diode：有机发光二极管)作为电气光学元件的有机EL(ElectroLuminescence：电致发光)显示器、具备无机发光二极管作为电气光学元件的无机EL显示器、具备QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)作为电气光学元件的QLED显示器等。
〔形态1〕
显示装置包括显示区域以及包围所述显示区域的边框区域，在所述显示区域设置有其一部分被切掉的切口部，在所述显示区域中，包括传输数据信号的多条数据信号线、与所述多条数据信号线交叉的多条扫描信号线、多条发光控制线、与所述多条数据信号线和所述多条数据信号线的交点对应设置的多个子像素电路，并设置有与所述多条数据信号线电连接的驱动电路、与所述多条扫描信号线电连接的驱动电路以及与所述多条发光控制线电连接的驱动电路，位于所述切口部的周缘的所述边框区域具有第一引绕布线，所述引绕布线与所述多条扫描信号线中的一条、所述多条发光控制线中的一条或所述多条数据信号线中的一条电连接，并且从所述显示区域朝向所述切口部延伸，所述第一引绕布线包括在第一金属层中，第一导电膜包括在第二金属层中，所述第一引绕布线和所述第一导电膜隔着无机绝缘膜重叠。
〔形态2〕
例如根据形态1所述的显示装置，所述第一引绕布线具有局部地宽度较宽的宽幅部，所述第一导电膜与所述宽幅部重叠。
〔形态3〕
例如根据形态2所述的显示装置，所述第一导电膜与所述宽幅部整体重叠。
〔形态4〕
例如根据形态1～3中任一项所述的显示装置，第二引绕布线在所述显示区域和所述切口部之间的间隙中具有弯曲部，所述第二引绕布线与所述第一引绕布线电连接并绕过所述切口部，在俯视时，在所述弯曲部和所述显示区域之间配置有所述第一导电膜。
〔形态五〕
例如根据形态4所述的显示装置，包括第三引绕布线及第四引绕布线，其中，所述第三引绕布线与所述第一引绕布线相邻，所述第四引绕布线与所述第三引绕布线电连接并绕过所述切口部，所述第四引绕布线在所述显示区域和所述切口部之间的间隙中具有弯曲部，所述第一引绕布线经由第三金属层的连接电极与第二引绕布线电连接，所述第三引绕布线经由所述第三金属层的连接电极与第四引绕布线电连接，所述第三引绕布线包括在第二金属层中，第四引绕布线包括在第一金属层中。
〔形态6〕
例如根据形态1～5中任一项所述的显示装置，所述第一引绕布线经由包括在所述第一金属层中的所述多条扫描信号线中的任意一条与所述驱动电路电连接。
〔形态7〕
例如根据形态1～6中任一项所述的显示装置，所述第一导电膜是恒定电位布线。
〔形态8〕
例如根据形态1～6中任一项所述的显示装置，所述第一导电膜是电气浮置的。
〔形态9〕
例如根据形态1～7中任一项所述的显示装置，所述第一导电膜与向所述多个子像素电路供给电源电压的布线、或者各子像素电路所包括的发光元件的下层电极或上层电极电连接。
〔形态10〕
例如根据形态1～9中任一项所述的显示装置，各子像素电极包括电容电极，所述电容电极包括在所述第二金属层中。
〔形态11〕
例如根据形态1～10中任一项所述的显示装置，所述第一导电膜以横跨所述第一引绕布线的方式形成。
〔形态12〕
例如根据形态1～11中任一项所述的显示装置，第三引绕布线与所述第一导电膜隔着所述无机绝缘膜重叠，所述第三引绕布线包括在所述第一金属层中并与所述第一引绕布线相邻。
〔形态13〕
例如根据形态8所述的显示装置，第三引绕布线与第二导电膜隔着所述无机绝缘膜重叠，所述第三引绕布线包括在所述第一金属层中并且与所述第一引绕布线相邻，所述第二导电膜是电气浮置的并从相邻的所述第一导电膜电分离。
〔形态14〕
例如根据形态8所述的显示装置，与所述第一引绕布线相邻的第三引绕布线与第二导电膜隔着所述无机绝缘膜重叠，所述第二导电膜与相邻的所述第一导电膜电连接，所述第二导电膜和所述第一导电膜是电气浮置的。
〔形态15〕
例如根据形态1～14中任一项所述的显示装置，所述第一金属层、所述无机绝缘膜、所述第二金属层、另一无机绝缘膜以及第三金属层依次层叠，第三引绕布线与第二导电膜隔着所述无机绝缘膜重叠，其中，所述第三引绕布线包含在所述第一金属层中且与所述第一引绕布线相邻，所述第二导电层与所述第一导电膜相邻，岛状的所述第一导电膜和岛状的所述第二导电膜经由所述第三金属层电连接。
〔形态16〕
例如根据形态15所述的显示装置，所述第一导电膜由与包括在各子像素电路中的发光元件的阳极或阴极、或者所述多条数据信号线相同的材料形成在同一层。
〔形态17〕
例如根据形态15所述的显示装置，在所述边框区域中，所述第一导电膜和所述第二导电膜与包括在各子像素电路中的发光元件的上层侧电极重叠。
〔形态18〕
例如根据形态1～17中任一项所述的显示装置，在位于所述显示区域和所述切口部之间的间隙中的所述显示区域的边框区域中，所述第一引绕布线和所述第一导电膜隔着所述无机绝缘膜重叠。
〔形态19〕
例如根据形态3所述的显示装置，所述宽幅部为延伸方向上的尺寸大于宽度方向上的尺寸的细长形状。
〔形态20〕
例如根据形态1～19中任一项所述的显示装置，所述显示区域包括夹着所述切口部并彼此相对的第一区域和第二区域，设置有第五引绕布线，所述第五引绕布线与所述第一引绕布线电连接，并从所述第一区域的边缘引绕至所述边框区域，所述第五引绕布线在所述第一区域的外侧隔着所述无机绝缘膜与第三导电膜重叠。
〔形态21〕
例如根据形态20所述的显示装置，设置有第六引绕布线，所述第六引绕布线与所述第一引绕布线电连接，并从所述第二区域的边缘引绕至所述边框区域，所述第六引绕布线在所述第二区域的边缘的外侧隔着所述无机绝缘膜与第四导电膜重叠。
〔形态22〕
例如根据形态1～21中任一项所述的显示装置，所述显示区域包括夹着所述切口部并彼此相对的第一区域和第二区域，设置有第二引绕布线以及第七引绕布线，其中，所述第二引绕布线与所述第一引绕布线电连接并绕过所述切口部，所述第七引绕布线经由所述第二引绕布线与所述第一引绕布线电连接，所述第一引绕布线在所述第一区域以及所述切口部的间隙隔着所述无机绝缘膜与所述第一导电膜重叠，所述第七引绕布线在所述第二区域以及所述切口部的间隙隔着所述无机绝缘膜与所述第二金属层的第五导电膜重叠。
〔形态23〕
例如根据形态22所述的显示装置，所述第二引绕布线形成在所述第二金属层，所述第七引绕布线形成在所述第一金属层。
〔形态24〕
例如根据形态22所述的显示装置，所述第二引绕布线和所述第七引绕布线形成在所述第一金属层。
〔形态25〕
例如根据形态1～24中任一项所述的显示装置，所述第一引绕布线和第八引绕布线在所述显示区域和所述切口部之间的间隙中隔着所述无机绝缘膜与所述第一导电膜重叠，其中，所述第八引绕布线配置在比所述第一引绕布线更靠近显示区域中央侧，所述第八引绕布线与所述第一导电膜的重叠面积与所述第一引绕布线与所述第一导电膜的重叠面积不同。
〔形态26〕
例如根据形态25所述的显示装置，所述第八引绕布线和所述第一导电膜的重叠面积大于所述第一引绕布线和所述第一导电膜的重叠面积，与所述第八引绕布线电连接的子像素电路的数量多于与所述第一引绕布线电连接的子像素电路的数量。
〔形态27〕
例如根据形态1～26中任一项所述的显示装置，设置有第二引绕布线、第三引绕布线以及第四引绕布线，其中，所述第二引绕布线与所述第一引绕布线电连接并绕过所述切口部，所述第三引绕布线与所述第一引绕布线相邻，所述第四引绕布线与所述第三引绕布线电连接并绕过所述切口部，所述第二引绕布线及所述第四引绕布线隔着所述无机绝缘膜重叠。
〔形态28〕
例如根据形态27所述的显示装置，在比所述第一引绕布线更靠近显示区域中央侧设置有第八引绕布线以及第九引绕布线，第十引绕布线与第十一引绕布线隔着所述无机绝缘膜重叠，其中，所述第十引绕布线与所述第八引绕布线电连接并绕过所述切口部，所述十一引绕布线与所述第九引绕连接并绕过所述切口部。
〔形态29〕
例如根据形态28所述的显示装置，所述第二引绕布线和所述第四引绕布线的重叠面积与所述第十引绕布线和所述第十一引绕布线的重叠面积不同。
〔形态30〕
例如根据形态29所述的显示装置，所述第二引绕布线和所述第四引绕布线的重叠宽度与所述第十引绕布线和所述第十一引绕布线的重叠宽度不同。
〔形态31〕
例如根据形态29所述的显示装置，所述第二引绕布线和所述第四引绕布线的重叠长度与所述第十引绕布线和所述第十一引绕布线的重叠长度不同。
〔形态32〕
例如根据形态29所述的显示装置，与所述第二引绕布线电连接的子像素电路的数量不同于与所述第十引绕布线电连接的子像素电路的数量。
〔形态33〕
例如根据形态32所述的显示装置，所述第十引绕布线和所述第十一引绕布线的重叠面积小于所述第二引绕布线和所述第四引绕布线的重叠面积，与所述第十引绕布线电连接的子像素电路的数量多于与所述第二引绕布线电连接的子像素电路的数量。
〔形态34〕
例如根据形态1～33中任一项所述的显示装置，在所述边框区域设置有端子部，在所述端子部和所述切口部之间配置有所述显示区域的一部分。
附图标记说明
2 显示装置
3 阻挡层
4 TFT层
5 发光元件层
6 密封层
10 树脂层
16/18/20 无机绝缘膜
21 平坦化层
23 阳极覆盖膜
24 EL层
DA 显示区域
NA 边框区域
AM 主区域
Ga/GA/Gm/GM/Gx 扫描信号线
w1～w11 引绕布线(第一引绕布线～第十一引绕布线)
导电膜K1～K5(第一导电膜～第五导电膜)

Claims (34)

1.一种显示装置，所述显示装置包括显示区域以及包围所述显示区域的边框区域，
在所述显示区域设置有其一部分被切掉的切口部，
在所述显示区域中，包括传输数据信号的多条数据信号线、与所述多条数据信号线交叉的多条扫描信号线、多条发光控制线、与所述多条数据信号线和所述多条数据信号线的交点对应设置的多个子像素电路，并设置有与所述多条数据信号线电连接的驱动电路、与所述多条扫描信号线电连接的驱动电路以及与所述多条发光控制线电连接的驱动电路，所述显示装置的特征在于，
位于所述切口部的周缘的所述边框区域具有第一引绕布线，所述引绕布线与所述多条扫描信号线中的一条、所述多条发光控制线中的一条或所述多条数据信号线中的一条电连接，并且从所述显示区域朝向所述切口部延伸，
所述第一引绕布线包括在第一金属层中，第一导电膜包括在第二金属层中，所述第一引绕布线和所述第一导电膜隔着无机绝缘膜重叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述第一引绕布线具有局部地宽度较宽的宽幅部，
所述第一导电膜与所述宽幅部重叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
所述第一导电膜与所述宽幅部整体重叠。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于，
第二引绕布线在所述显示区域和所述切口部之间的间隙中具有弯曲部，所述第二引绕布线与所述第一引绕布线电连接并绕过所述切口部，
在俯视时，在所述弯曲部和所述显示区域之间配置有所述第一导电膜。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其特征在于，
包括第三引绕布线及第四引绕布线，其中，所述第三引绕布线与所述第一引绕布线相邻，所述第四引绕布线与所述第三引绕布线电连接并绕过所述切口部，
所述第四引绕布线在所述显示区域和所述切口部之间的间隙中具有弯曲部，
所述第一引绕布线经由第三金属层的连接电极与第二引绕布线电连接，
所述第三引绕布线经由所述第三金属层的连接电极与第四引绕布线电连接，
所述第三引绕布线包括在第二金属层中，第四引绕布线包括在第一金属层中。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一引绕布线经由包括在所述第一金属层中的所述多条扫描信号线中的任意一条与所述驱动电路电连接。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一导电膜是恒定电位布线。
8.根据权利要求1～6中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一导电膜是电气浮置的。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一导电膜与向所述多个子像素电路供给电源电压的布线、或者各子像素电路所包括的发光元件的下层电极或上层电极电连接。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的显示装置，其特征在于，
各子像素电极包括电容电极，
所述电容电极包括在所述第二金属层中。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一导电膜以横跨所述第一引绕布线的方式形成。
12.根据权利要求1～11中任一项所述的显示装置，其特征在于，
第三引绕布线与所述第一导电膜隔着所述无机绝缘膜重叠，所述第三引绕布线包括在所述第一金属层中并与所述第一引绕布线相邻。
13.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
第三引绕布线与第二导电膜隔着所述无机绝缘膜重叠，所述第三引绕布线包括在所述第一金属层中并且与所述第一引绕布线相邻，
所述第二导电膜是电气浮置的并从相邻的所述第一导电膜电分离。
14.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，
与所述第一引绕布线相邻的第三引绕布线与第二导电膜隔着所述无机绝缘膜重叠，
所述第二导电膜与相邻的所述第一导电膜电连接，
所述第二导电膜和所述第一导电膜是电气浮置的。
15.根据权利要求1～14中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一金属层、所述无机绝缘膜、所述第二金属层、另一无机绝缘膜以及第三金属层依次层叠，
第三引绕布线与第二导电膜隔着所述无机绝缘膜重叠，其中，所述第三引绕布线包含在所述第一金属层中且与所述第一引绕布线相邻，所述第二导电层与所述第一导电膜相邻，
岛状的所述第一导电膜和岛状的所述第二导电膜经由所述第三金属层电连接。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，
所述第一导电膜由与包括在各子像素电路中的发光元件的阳极或阴极、或者所述多条数据信号线相同的材料形成在同一层。
17.根据权利要求15所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域中，所述第一导电膜和所述第二导电膜与包括在各子像素电路中的发光元件的上层侧电极重叠。
18.根据权利要求1～17中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在位于所述显示区域和所述切口部之间的间隙中的所述显示区域的边框区域中，所述第一引绕布线和所述第一导电膜隔着所述无机绝缘膜重叠。
19.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
所述宽幅部为延伸方向上的尺寸大于宽度方向上的尺寸的细长形状。
20.根据权利要求1～19中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述显示区域包括夹着所述切口部并彼此相对的第一区域和第二区域，
设置有第五引绕布线，所述第五引绕布线与所述第一引绕布线电连接，并从所述第一区域的边缘引绕至所述边框区域，
所述第五引绕布线在所述第一区域的外侧隔着所述无机绝缘膜与第三导电膜重叠。
21.根据权利要求20所述的显示装置，其特征在于，
设置有第六引绕布线，所述第六引绕布线与所述第一引绕布线电连接，并从所述第二区域的边缘引绕至所述边框区域，
所述第六引绕布线在所述第二区域的边缘的外侧隔着所述无机绝缘膜与第四导电膜重叠。
22.根据权利要求1～21中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述显示区域包括夹着所述切口部并彼此相对的第一区域和第二区域，
设置有第二引绕布线以及第七引绕布线，其中，所述第二引绕布线与所述第一引绕布线电连接并绕过所述切口部，所述第七引绕布线经由所述第二引绕布线与所述第一引绕布线电连接，
所述第一引绕布线在所述第一区域以及所述切口部的间隙隔着所述无机绝缘膜与所述第一导电膜重叠，
所述第七引绕布线在所述第二区域以及所述切口部的间隙隔着所述无机绝缘膜与所述第二金属层的第五导电膜重叠。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其特征在于，
所述第二引绕布线形成在所述第二金属层，所述第七引绕布线形成在所述第一金属层。
24.根据权利要求22所述的显示装置，其特征在于，
所述第二引绕布线和所述第七引绕布线形成在所述第一金属层。
25.根据权利要求1～24中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述第一引绕布线和第八引绕布线在所述显示区域和所述切口部之间的间隙中隔着所述无机绝缘膜与所述第一导电膜重叠，其中，所述第八引绕布线配置在比所述第一引绕布线更靠近显示区域中央侧，
所述第八引绕布线与所述第一导电膜的重叠面积与所述第一引绕布线与所述第一导电膜的重叠面积不同。
26.根据权利要求25所述的显示装置，其特征在于，
所述第八引绕布线和所述第一导电膜的重叠面积大于所述第一引绕布线和所述第一导电膜的重叠面积，
与所述第八引绕布线电连接的子像素电路的数量多于与所述第一引绕布线电连接的子像素电路的数量。
27.根据权利要求1～26中任一项所述的显示装置，其特征在于，
设置有第二引绕布线、第三引绕布线以及第四引绕布线，其中，所述第二引绕布线与所述第一引绕布线电连接并绕过所述切口部，所述第三引绕布线与所述第一引绕布线相邻，所述第四引绕布线与所述第三引绕布线电连接并绕过所述切口部，
所述第二引绕布线及所述第四引绕布线隔着所述无机绝缘膜重叠。
28.根据权利要求27所述的显示装置，其特征在于，
在比所述第一引绕布线更靠近显示区域中央侧设置有第八引绕布线以及第九引绕布线，
第十引绕布线与第十一引绕布线隔着所述无机绝缘膜重叠，其中，所述第十引绕布线与所述第八引绕布线电连接并绕过所述切口部，所述十一引绕布线与所述第九引绕连接并绕过所述切口部。
29.根据权利要求28所述的显示装置，其特征在于，
所述第二引绕布线和所述第四引绕布线的重叠面积与所述第十引绕布线和所述第十一引绕布线的重叠面积不同。
30.根据权利要求29所述的显示装置，其特征在于，
所述第二引绕布线和所述第四引绕布线的重叠宽度与所述第十引绕布线和所述第十一引绕布线的重叠宽度不同。
31.根据权利要求29所述的显示装置，其特征在于，
所述第二引绕布线和所述第四引绕布线的重叠长度与所述第十引绕布线和所述第十一引绕布线的重叠长度不同。
32.根据权利要求29所述的显示装置，其特征在于，
与所述第二引绕布线电连接的子像素电路的数量不同于与所述第十引绕布线电连接的子像素电路的数量。
33.根据权利要求32所述的显示装置，其特征在于，
所述第十引绕布线和所述第十一引绕布线的重叠面积小于所述第二引绕布线和所述第四引绕布线的重叠面积，
与所述第十引绕布线电连接的子像素电路的数量多于与所述第二引绕布线电连接的子像素电路的数量。
34.根据权利要求1～33中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述边框区域设置有端子部，
在所述端子部和所述切口部之间配置有所述显示区域的一部分。
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