WO2020129194A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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WO2020129194A1
WO2020129194A1 PCT/JP2018/046830 JP2018046830W WO2020129194A1 WO 2020129194 A1 WO2020129194 A1 WO 2020129194A1 JP 2018046830 W JP2018046830 W JP 2018046830W WO 2020129194 A1 WO2020129194 A1 WO 2020129194A1
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WO
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film
display device
layer
resin
manufacturing
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Application number
PCT/JP2018/046830
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English (en)
French (fr)
Inventor
幸治 古橋
圭司 青田
Original Assignee
シャープ株式会社
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements

Definitions

  • the present invention relates to a display device and a manufacturing method thereof.
  • organic EL display devices using organic EL (electroluminescence) elements have been attracting attention as display devices that replace liquid crystal display devices.
  • a flexible organic EL display device in which an organic EL element or the like is formed on a flexible resin substrate has been proposed.
  • the organic EL display device for example, a frame region is provided around a display region for displaying an image, and there is a demand for a narrower frame to reduce the area occupied by the frame region in a plan view. Therefore, in a flexible organic EL display device, for example, it is proposed that the frame region is narrowed by bending the frame region on the terminal portion side in which a plurality of terminals are arranged.
  • Patent Document 1 in a display device including a first substrate and a second substrate that are flexible and face each other, and a bendable portion is defined, the thickness of the first substrate and the second substrate It is described that the core is molded so as to be thin at the bent portion.
  • a protective film is attached to the back side which is an inner side at the time of folding, and the portion arranged in the folded portion of the protective film is processed by laser processing or the like.
  • a reinforcing layer is provided on a bent portion on the surface side which is removed and is on the outside when the opposite side of the removed portion is bent.
  • it may be difficult to bend at a target position in the bent portion due to, for example, variation in thickness when forming the reinforcing layer, so there is room for improvement. ..
  • the present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to facilitate bending at a target position in a bent portion of a frame area.
  • a method of manufacturing a display device includes a display area on a support substrate, a frame area around the display area, a terminal portion at an end of the frame area, the terminal portion and A resin substrate forming a resin substrate in which a bent portion extending in one direction between the display area and the first direction, in which the bent portion extends, and a second direction perpendicular to the first direction and parallel to the substrate surface are defined.
  • the sealing film forming step of forming a sealing film so as to cover the light emitting elements the first film attaching step of attaching the first film on the sealing film, and the first film attaching step.
  • a resin curing step of forming a reinforcing layer in which the thickness of both end portions is larger than the thickness of the central portion is provided.
  • a resin material is applied to the bent portion from which the first film is removed in a strip shape in parallel with the first direction in which the bent portion extends, and the applied resin material is cured to be perpendicular to the first direction.
  • the reinforcing layer having the thickness of both ends larger than the thickness of the central part is formed, it is easy to bend at the aimed position in the bent portion of the frame area.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing the detailed configuration of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing a pixel circuit constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an organic EL layer forming the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view of a frame region of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the frame region of the organic EL display device taken along the line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a sectional view of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention in a bent state.
  • FIG. 9 is sectional drawing which shows the 1st film sticking process in the manufacturing method of the organic EL display device which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
  • FIG. 10 is sectional drawing which shows the 2nd film sticking process in the manufacturing method of the organic EL display device which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
  • FIG. 9 is sectional drawing which shows the 1st film sticking process in the manufacturing method of the organic EL display device which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
  • FIG. 10 is sectional drawing which shows the 2nd film sticking process in the manufacturing method of the organic EL display device which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
  • FIG. 11 is a top view which shows the 1st direction linear coating process of the resin coating process in the manufacturing method of the organic EL display device which concerns on the 1st Embodiment of this invention.
  • FIG. 12 is a plan view showing a first direction linear coating process of a modification example of the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a plan view showing a frame-shaped coating step of the resin coating step in the method of manufacturing the organic EL display device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 14: is a top view which shows the 1st direction linear coating process of the resin coating process in the manufacturing method of the organic EL display device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention.
  • FIG. 12 is a plan view showing a first direction linear coating process of a modification example of the method for manufacturing the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a plan view showing a frame-shaped coating step of the resin coating
  • FIG. 15 is a top view which shows the 1st direction linear coating process of the modification in the manufacturing method of the organic EL display device which concerns on the 2nd Embodiment of this invention.
  • FIG. 16 is a plan view showing a second direction linear coating step of the resin coating step in the method of manufacturing an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 17 is a plan view showing a first direction linear coating step of the resin coating step in the method of manufacturing an organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 18 is a plan view showing a first direction linear coating process of a modified example of the method for manufacturing the organic EL display device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50 of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing a detailed configuration of the display area D of the organic EL display device 50.
  • 3 is a cross-sectional view of the display area D of the organic EL display device 50.
  • FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing a pixel circuit C that constitutes the organic EL display device 50. Further, FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the organic EL layer 23 that constitutes the organic EL display device 50.
  • FIG. 6 is a plan view of the frame region F on the terminal portion T side of the organic EL display device 50.
  • 7 is a cross-sectional view of the frame region F of the organic EL display device 50 taken along the line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50 in a bent state bent at the bent portion B of the frame region F.
  • the organic EL display device 50 includes, for example, a rectangular display area D for displaying an image, and a frame area F provided around the display area D in a frame shape.
  • the rectangular display area D is exemplified, but the rectangular display area D has, for example, a shape in which sides are arcuate, a shape in which corners are arcuate, and a part of sides.
  • a substantially rectangular shape such as a shape with a cutout is also included.
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix. Further, in the display area D, as shown in FIG. 2, for example, a sub-pixel P having a red light-emitting area Lr for displaying red, a sub-pixel P having a green light emitting area Lg for performing green display, And sub-pixels P having a blue light emitting region Lb for displaying blue are provided adjacent to each other. In the display area D, for example, one pixel is configured by three adjacent sub-pixels P having the red light emitting area Lr, the green light emitting area Lg, and the blue light emitting area Lb.
  • a terminal portion T is provided at the right end of the frame area F in FIG.
  • a COF (chip on film) 45 is attached to the terminal portion T via an ACF (anisotropic conductive film), for example.
  • the first direction X extending in the vertical direction in the drawing is 180° (in a U-shape) about the bending axis.
  • a bendable bent portion B (see FIG. 8) is provided so as to extend in the first direction X.
  • a first direction X and a second direction Y that is perpendicular to the first direction X and is parallel to the substrate surface of a resin substrate layer 10 described later are defined. ..
  • the organic EL display device 50 includes a resin substrate layer 10 provided as a resin substrate in a display region D, and a thin film transistor (TFT) layer provided on the upper surface of the resin substrate layer 10. 20, the organic EL element layer 30 provided on the TFT layer 20 as a light emitting element layer, the sealing film 35 provided on the organic EL element layer 30, and the lower surface of the resin substrate layer 10. And a protective film layer 42a.
  • TFT thin film transistor
  • the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like.
  • the TFT layer 20 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c provided on the base coat film 11, Each first TFT 9a, each second TFT 9b, and the second flattening film 19 provided on each capacitor 9c are provided.
  • the first flattening film 8 is provided in the bent portion B of the frame region F, as will be described later.
  • a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend parallel to each other in the lateral direction in the drawings. Further, in the TFT layer 20, as shown in FIGS.
  • a plurality of source lines 18f are provided so as to extend parallel to each other in the vertical direction in the drawings.
  • a plurality of power supply lines 18g are provided so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the drawings.
  • Each power supply line 18g is provided adjacent to each source line 18f, as shown in FIG.
  • the first TFT 9a, the second TFT 9b, and the capacitor 9c are provided as a pixel circuit C.
  • the base coat film 11 is composed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
  • the first TFT 9a is electrically connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub-pixel P.
  • the first TFT 9a includes a semiconductor layer 12a, a gate insulating film 13, a gate electrode 14a, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and a semiconductor layer 12a which are sequentially provided on the base coat film 11.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided.
  • the semiconductor layer 12a is provided in an island shape on the base coat film 11, and has, for example, a channel region, a source region, and a drain region.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12a, as shown in FIG.
  • the gate electrode 14a is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12a, as shown in FIG.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are sequentially provided so as to cover the gate electrode 14a, as shown in FIG.
  • the source electrode 18a and the drain electrode 18b are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other, as shown in FIG. Further, the source electrode 18a and the drain electrode 18b are, as shown in FIG.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are composed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. ..
  • the second TFT 9b is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
  • the first TFT 9b includes a semiconductor layer 12b, a gate insulating film 13, a gate electrode 14b, a first interlayer insulating film 15, a second interlayer insulating film 17, and a semiconductor layer 12b, which are sequentially provided on the base coat film 11. It has a source electrode 18c and a drain electrode 18d.
  • the semiconductor layer 12b is provided in an island shape on the base coat film 11, and has, for example, a channel region, a source region, and a drain region.
  • the gate insulating film 13 is provided so as to cover the semiconductor layer 12b, as shown in FIG.
  • the gate electrode 14b is provided on the gate insulating film 13 so as to overlap the channel region of the semiconductor layer 12b, as shown in FIG.
  • the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 are sequentially provided so as to cover the gate electrode 14b, as shown in FIG.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are provided on the second interlayer insulating film 17 so as to be separated from each other, as shown in FIG.
  • the source electrode 18c and the drain electrode 18d are, as shown in FIG. 3, via contact holes formed in the laminated film of the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17, It is electrically connected to the source region and the drain region of the semiconductor layer 12b, respectively.
  • first TFT 9a and the second TFT 9b are illustrated in the present embodiment, the first TFT 9a and the second TFT 9b may be bottom gate type TFTs.
  • the capacitor 9c is electrically connected to the corresponding first TFT 9a and the power supply line 18g in each sub-pixel P.
  • the capacitor 9c includes a lower conductive layer 14c formed of the same material as the gate electrodes 14a and 14b in the same layer, and a first interlayer insulating layer provided so as to cover the lower conductive layer 14c.
  • the film 15 and the upper conductive layer 16 provided on the first interlayer insulating film 15 to overlap the lower conductive layer 14c are provided.
  • the upper conductive layer 16 is electrically connected to the power supply line 18g through a contact hole formed in the second interlayer insulating film 17, as shown in FIG.
  • the second flattening film 19 has a flat surface in the display region D and is made of, for example, an organic resin material such as a polyimide resin.
  • the organic EL element layer 30 includes a plurality of organic EL elements provided as a plurality of light emitting elements corresponding to the plurality of pixel circuits C so as to be arranged in a matrix on the second planarization film 19.
  • the EL element 25 is provided.
  • the organic EL element 25 is common to the first electrode 21 provided on the second flattening film 19, the organic EL layer 23 provided on the first electrode 21, and the entire display region D.
  • the second electrode 24 provided on the organic EL layer 23 is provided.
  • the first electrode 21 is electrically connected to the drain electrode 18d of the second TFT 9b of each sub-pixel P via a contact hole formed in the second flattening film 19.
  • the first electrode 21 also has a function of injecting holes into the organic EL layer 23.
  • the first electrode 21 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the efficiency of injecting holes into the organic EL layer 23.
  • a material forming the first electrode 21 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au).
  • the material forming the first electrode 21 may be an alloy such as astatine (At)/oxidized astatine (AtO 2 ). Further, the material forming the first electrode 21 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO). It may be.
  • the first electrode 21 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • the compound material having a large work function include indium tin oxide (ITO) and indium zinc oxide (IZO).
  • the peripheral edge of the first electrode 21 is covered with an edge cover 22 provided in a grid pattern over the entire display area D.
  • the material forming the edge cover 22 include positive photosensitive resins such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, and novolac resin.
  • the organic EL layer 23 includes a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4 and an electron injection layer 5, which are sequentially provided on the first electrode 21. ing.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer and has a function of bringing the energy levels of the first electrode 21 and the organic EL layer 23 close to each other and improving the efficiency of hole injection from the first electrode 21 to the organic EL layer 23.
  • a material forming the hole injection layer for example, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, an imidazole derivative, a polyarylalkane derivative, a pyrazoline derivative, a phenylenediamine derivative, an oxazole derivative, a styrylanthracene derivative, a fluorenone derivative, Examples thereof include hydrazone derivatives and stilbene derivatives.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the efficiency of transporting holes from the first electrode 21 to the organic EL layer 23.
  • examples of the material forming the hole transport layer 2 include porphyrin derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine derivatives, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylenevinylene, polysilane, triazole derivatives, and oxadiazole.
  • Derivatives imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amine-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, hydrogenated amorphous silicon, Examples thereof include hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, zinc selenide and the like.
  • the light emitting layer 3 In the light emitting layer 3, holes and electrons are injected from the first electrode 21 and the second electrode 24, respectively, and holes and electrons are recombined when a voltage is applied by the first electrode 21 and the second electrode 24. Area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high luminous efficiency. Examples of the material forming the light emitting layer 3 include metal oxinoid compound [8-hydroxyquinoline metal complex], naphthalene derivative, anthracene derivative, diphenylethylene derivative, vinylacetone derivative, triphenylamine derivative, butadiene derivative, coumarin derivative.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • examples of the material forming the electron transport layer 4 include organic compounds such as oxadiazole derivatives, triazole derivatives, benzoquinone derivatives, naphthoquinone derivatives, anthraquinone derivatives, tetracyanoanthraquinodimethane derivatives, diphenoquinone derivatives, and fluorenone derivatives. , Silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 close to each other and improving the efficiency of injecting electrons from the second electrode 24 into the organic EL layer 23. With this function, The drive voltage of the organic EL element 25 can be lowered.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • the material forming the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride.
  • Inorganic alkaline compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
  • the second electrode 24 is provided so as to cover the organic EL layer 23 of each sub pixel P and the edge cover 22 common to all the sub pixels P.
  • the second electrode 24 also has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23.
  • the second electrode 24 is more preferably made of a material having a small work function in order to improve the efficiency of injecting electrons into the organic EL layer 23.
  • a material forming the second electrode 24 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au).
  • the second electrode 24 is, for example, magnesium (Mg)/copper (Cu), magnesium (Mg)/silver (Ag), sodium (Na)/potassium (K), astatine (At)/oxidized astatine (AtO 2 ).
  • the second electrode 24 may be formed of a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO). .. Further, the second electrode 24 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • Examples of the material having a low work function include magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg)/copper (Cu), magnesium (Mg)/silver (Ag), and sodium.
  • (Na)/potassium (K) lithium (Li)/aluminum (Al), lithium (Li)/calcium (Ca)/aluminum (Al), lithium fluoride (LiF)/calcium (Ca)/aluminum (Al) Etc.
  • the sealing film 35 is provided on the organic EL element layer 30 so as to cover each organic EL element 25.
  • the sealing film 35 is provided on the first sealing inorganic insulating film 31 provided so as to cover the second electrode 24, and on the first sealing inorganic insulating film 31.
  • the sealing organic film 32 and the second sealing inorganic insulating film 33 provided so as to cover the sealing organic film 32 are provided, and have a function of protecting the organic EL layer 23 from moisture, oxygen and the like.
  • the first sealing inorganic insulating film 31 and the second sealing inorganic insulating film 33 are, for example, silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), trisilicon tetranitride (Si 3 N 4 ). And an inorganic material such as silicon nitride (SiNx (x is a positive number)), silicon carbonitride (SiCN), or the like.
  • the sealing organic film 32 is made of an organic material such as an acrylic resin, a polyurea resin, a parylene resin, a polyimide resin, or a polyamide resin.
  • the protective film layer 42a is attached to the lower surface of the resin substrate layer 10 via an adhesive layer (not shown), and is bent in the display region D and the frame region F. It is arranged in a portion other than B.
  • the protective film layer 42a is made of, for example, a plastic film made of polyethylene terephthalate (PET) resin or the like.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the two-dot chain line 42 is an imaginary line showing the second film 42 that is attached in the second film attaching step and is partially removed in the second film processing step, as will be described later.
  • the resin substrate layer 10 in the frame region F, the resin substrate layer 10, the base coat film 11 and the gate insulating film 13 provided on the upper surface of the resin substrate layer 10.
  • a protective film layer 42a in the frame region F, the resin substrate layer 10, the base coat film 11 and the gate insulating film 13 provided on the upper surface of the resin substrate layer 10.
  • the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 have the base coat film 11 and the gate insulating film as shown in FIGS.
  • a slit S that penetrates the film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 to expose the upper surface of the resin substrate layer 10 is formed.
  • the slit S is provided in a groove shape that penetrates along the extending direction of the bent portion B (first direction X).
  • the first flattening film 8 is provided in a band shape in a plan view so as to fill the slit S, as shown in FIGS. 6 to 8.
  • the first flattening film 8 is made of, for example, an organic resin material such as a polyimide resin.
  • the lead wiring 18h is provided on both edges of the second interlayer insulating film 17 in which the slit S is formed and on the first planarizing film 8. Further, as shown in FIG. 6, a plurality of lead wirings 18h are provided so as to extend in parallel to each other in the second direction Y. Here, the lead wiring 18h is formed of the same material in the same layer as the source electrode 18a and the like. Further, as shown in FIGS. 7 and 8, the end portion of the routing wiring 18h on the display region D side is provided with a contact hole formed in the laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 through the contact hole. It is electrically connected to the first gate conductive layer 14c.
  • the first gate conductive layer 14c is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15, and the signal wiring (gate line) of the TFT layer 20 in the display region D is formed. 14, source line 18f, power supply line 18g, etc.).
  • the end portion of the routing wiring 18h on the terminal portion T side is provided with a contact hole formed in a laminated film of the first interlayer insulating film 15 and the second interlayer insulating film 17 through a contact hole. It is electrically connected to the second gate conductive layer 14d.
  • the second gate conductive layer 14d is provided between the gate insulating film 13 and the first interlayer insulating film 15 and extends to the terminal portion T, as shown in FIGS. 7 and 8.
  • the second flattening film 19 is provided so as to cover the respective routing wirings 18h, as shown in FIGS. 7 and 8.
  • the reinforcing layer 43 is provided on the second flattening film 19 of the TFT layer 20 in a strip shape (for example, a width of about 3.6 mm) parallel to the first direction X, and the bent portion It is located at B.
  • the reinforcing layer 43 has a thickness Ha (for example, about 100 ⁇ m) at both end portions compared to a thickness Hb (for example, about 60 ⁇ m) at the central portion in a cross-sectional view along the second direction Y. Is also getting bigger.
  • the reinforcing layer 43 is made of, for example, an organic resin material such as acrylic resin.
  • the reinforcing layer 43 provided on the second flattening film 19 is illustrated in the present embodiment, the reinforcing layer 43 may be formed, for example, on the resin film formed in the same layer as the edge cover 22 by the same material. It may be provided.
  • the gate signal is input to the first TFT 9a via the gate line 14 to turn on the first TFT 9a, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
  • the voltage corresponding to the source signal is written in the capacitor 14b and the capacitor 9c, and the current from the power supply line 18g defined based on the gate voltage of the second TFT 9b is supplied to the organic EL layer 23, whereby the light emitting layer of the organic EL layer 23. 3 emits light to display an image.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so that the light emitting layer 3 does not emit light until the gate signal of the next frame is input. Maintained.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50 of the present embodiment includes a resin substrate layer forming step, a TFT layer forming step, an organic EL element layer forming step, a sealing film forming step, and a first film attaching step.
  • 9 and 10 are cross-sectional views showing the first film attaching step and the second film attaching step.
  • FIG. 11 is a plan view showing the first direction linear coating step of the resin coating step.
  • a resin substrate layer 10 is formed by applying a non-photosensitive polyimide resin on a supporting substrate 60 (see FIG. 9) such as a glass substrate, and then pre-baking and post-baking the applied film. To do.
  • ⁇ TFT layer forming step> A base coat film 11, a first TFT 9a, a second TFT 9b, a capacitor 9c, and a second flattening film 19 are formed on the resin substrate layer 10 formed in the resin substrate layer forming step by a known method, for example.
  • the TFT layer 20 is formed.
  • the first TFT 9a and the second TFT 9b before forming the source electrode 18a and the like, first, in the bent portion B of the frame region F, the base coat film 11, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film are formed. Slits S are formed in 15 and the second interlayer insulating film 17 by dry etching. Subsequently, after forming the first flattening film 8 so as to fill the slit S, the lead wiring 18h is formed simultaneously with the source electrode 18a and the like.
  • ⁇ Organic EL element layer forming step> On the flattening film 19 of the TFT layer 20 formed in the above-mentioned TFT layer forming step, for example, a well-known method is used to form the first electrode 21, the edge cover 22, the organic EL layer 23 (the hole injection layer 1, the positive layer).
  • the organic EL device layer 30 is formed by forming the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, the electron injection layer 5) and the second electrode 24.
  • ⁇ Sealing film forming step> First, for example, a silicon nitride film, a silicon oxide film, a silicon oxynitride film is formed on the organic EL element layer 30 formed in the organic EL element layer forming step using a mask so as to cover each organic EL element 25.
  • An inorganic insulating film such as the above is formed by a plasma CVD (chemical vapor deposition) method to form a first sealing inorganic insulating film 31.
  • an organic resin material such as acrylic resin is deposited on the first sealing inorganic insulating film 31 by, for example, an inkjet method to form the sealing organic film 32.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon oxynitride film is formed by a plasma CVD method using a mask so as to cover the organic sealing film 32, and the second sealing is performed.
  • the sealing film 35 is formed by forming the inorganic insulating film 33.
  • the first film 41 is attached to the sealing film 35 formed in the sealing film forming step via an adhesive layer (not shown).
  • the 1st film 41 is comprised by the plastic film which consists of polyethylene terephthalate (PET) resin etc., for example.
  • the second film 42 is attached to the lower surface of the resin substrate layer 10 from which the support substrate 60 has been peeled in the peeling step, via an adhesive layer (not shown).
  • the 2nd film 42 is comprised by the plastic film which consists of polyethylene terephthalate (PET) resin etc., for example.
  • ⁇ Second film processing step> After removing the second film 42 arranged in the bent portion B by irradiating the portion arranged in the bent portion B of the second film 42 stuck in the second film sticking step with the laser beam.
  • the COF 45 is mounted on the terminal portion T via the ACF.
  • positioning in the bending part B is shown.
  • the second film is removed so that the central portion in the view is left linearly along the first direction X, and the curved core portion 42b (2 in FIG. 8) is formed on the lower (inner) surface of the resin substrate layer 10. May be formed linearly along the first direction X.
  • ⁇ Resin curing step> By spreading the linear organic resin materials 43aa and 43ab applied in the resin applying step in the width direction (second direction Y), adjacent organic resin materials 43aa and 43ab are connected to each other and extend in the second direction Y.
  • the organic resin material 43a in a band shape is cured by irradiating the organic resin material 43a with ultraviolet rays. Form the layer 43.
  • a functional film or the like (not shown) is attached onto the sealing film 35 via an adhesive layer.
  • the manufacturing method in which the linearly applied organic resin materials 43aa and 43ab are spread and then cured in the second direction Y is illustrated.
  • the linearly applied organic resin materials 43aa and 43ab are secondarily applied. It may be cured before spreading in the direction Y.
  • the organic EL display device 50 of this embodiment can be manufactured as described above.
  • FIG. 12 is a plan view showing a first direction linear coating process of a modified example of the present embodiment.
  • the pitch of the coating positions of the organic resin material 43ac along the second direction Y is the center in the second direction Y.
  • a liquid organic resin material 43ac such as an ultraviolet curable acrylic resin in a plurality of linear shapes in parallel to the first direction X so as to be smaller at both end portions (pitch Rb) than at the portion (pitch Ra).
  • the organic resin material 43ac is applied in a strip shape as a whole.
  • the applied linear organic resin material 43ac spreads in the second direction Y and the adjacent organic resin materials 43ac are connected to each other, so that the thickness of the organic resin material 43ac in the cross-sectional view along the second direction Y. Gradually increases from the center to both ends. Further, by controlling the pitch of the coating position and controlling the coating amount, the difference between the thickness of the central portion and the thickness of both ends of the organic resin material 43ac in the cross-sectional view along the second direction Y is increased. The thickness difference of the reinforcing layer 43 may be increased.
  • the second flattening of the bent portion B in which the first film 41 is removed in the first film processing step in the resin coating step, the second flattening of the bent portion B in which the first film 41 is removed in the first film processing step.
  • the organic resin materials 43aa and 43ab are applied on the film 19 in a plurality of linear shapes in parallel with the first direction X.
  • the resin application step in a cross-sectional view taken along the second direction Y, the organic resin material 43aa and the organic resin material 43aa are arranged so that the thickness of the organic resin material 43aa at both ends is larger than the thickness of the central organic resin material 43ab.
  • 43ab is applied in a plurality of lines.
  • the strip-shaped organic resin material 43a having a thickness gradually increasing toward both ends is irradiated with ultraviolet rays. Therefore, in the reinforcing layer 43 formed by the irradiation of ultraviolet rays, the thickness of both end portions becomes larger than the thickness of the central portion in the cross-sectional view along the second direction Y, so that the reinforcing layer 43 moves in the second direction Y. It becomes relatively thin in the central portion in the cross-sectional view.
  • the organic EL display device 50 can be easily bent at the bent portion B of the frame region F at the central portion of the reinforcing layer 43 in the cross-sectional view along the second direction Y, so that the bent portion B of the frame region F is targeted. Bending can be facilitated at the open position.
  • ⁇ Second Embodiment>> 13 to 15 show a second embodiment of the display device and the manufacturing method thereof according to the present invention.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50 of the present embodiment includes a resin substrate layer forming step, a TFT layer forming step, an organic EL element layer forming step, a sealing film forming step, and a first film attaching step.
  • FIG. 13 is a plan view showing a frame-shaped coating step of the resin coating step in the manufacturing method of the organic EL display device 50 of the present embodiment.
  • FIG. 14 is a plan view showing a first direction linear coating step of the resin coating step in the method of manufacturing the organic EL display device 50 of the present embodiment.
  • FIG. 15 is a plan view showing a first direction linear coating step of a modified example of the method for manufacturing the organic EL display device 50.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 12 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • a piezo type dispenser is used on the second flattening film 19 of the bent portion B where the first film 41 is removed in the first film processing step, as shown in FIG.
  • the liquid organic resin material 43b such as acrylic resin is applied in a frame shape (frame-shaped applying step).
  • the organic resin material 43a is applied in a strip shape as a whole (first direction linear applying step).
  • the manufacturing method in which the application amount is controlled and the organic resin materials 43aa and 43ab are applied has been exemplified.
  • the application amount is applied constant.
  • a manufacturing method in which the position pitch is controlled and the organic resin material 43ac is applied as shown in FIG. 15 may be used.
  • the organic EL display device 50 of the present embodiment can be manufactured by performing the resin curing step.
  • the first film 41 is removed in the first film processing step in the first direction linear coating step of the resin coating step.
  • the organic resin materials 43aa and 43ab are applied on the second flattening film 19 of the bent portion B in a plurality of linear shapes in parallel with the first direction X.
  • the first-direction linear coating step when the organic resin material 43aa at both ends is thicker than the organic resin material 43ab at the central portion in the cross-sectional view along the second direction Y, The resin materials 43aa and 43ab are applied in a plurality of linear shapes.
  • the strip-shaped organic resin material 43a having a thickness gradually increasing toward both ends is irradiated with ultraviolet rays. Therefore, in the reinforcing layer 43 formed by the irradiation of ultraviolet rays, the thickness of both end portions becomes larger than the thickness of the central portion in the cross-sectional view along the second direction Y, so that the reinforcing layer 43 moves in the second direction Y. It becomes relatively thin in the central portion in the cross-sectional view.
  • the organic EL display device 50 can be easily bent at the bent portion B of the frame region F at the central portion of the reinforcing layer 43 in the cross-sectional view along the second direction Y, so that the bent portion B of the frame region F is targeted. Bending can be facilitated at the open position.
  • the organic resin material 43b is applied in a frame shape in the frame applying step, and the frame shape is applied in the first direction linear applying step.
  • the organic resin materials 43aa and 43ab are applied in a plurality of lines in the frame of the organic resin material 43b applied to the.
  • the liquid organic resin materials 43aa and 43ab are blocked by the organic resin material 43b, and the organic resin material 43b becomes the peripheral end portion of the reinforcing layer 43, so that the reinforcing layer 43 is reliably formed in a predetermined region. can do.
  • ⁇ Third Embodiment>> 16 to 18 show a third embodiment of the display device and the manufacturing method thereof according to the present invention.
  • another manufacturing method for manufacturing the organic EL display device 50 of the first embodiment will be described with reference to FIGS. 16 to 18.
  • the manufacturing method of the organic EL display device 50 of the present embodiment includes a resin substrate layer forming step, a TFT layer forming step, an organic EL element layer forming step, a sealing film forming step, and a first film attaching step.
  • FIG. 16 is a plan view showing the second direction linear coating step of the resin coating step in the method of manufacturing the organic EL display device 50 of the present embodiment.
  • FIG. 17 is a plan view showing a first direction linear coating step of the resin coating step in the method of manufacturing the organic EL display device 50 of the present embodiment.
  • FIG. 18 is a plan view showing a first direction linear coating step of a modified example of the method for manufacturing the organic EL display device 50 of the present embodiment.
  • ⁇ Resin coating process> First, on the second flattening film 19 of the bent portion B from which the first film 41 is removed in the first film processing step, similarly to the second embodiment, for example, using a piezo type dispenser, As shown in FIG. 13, a liquid organic resin material 43b such as an ultraviolet curable acrylic resin is applied in a frame shape (frame applying step).
  • a liquid organic resin material 43b such as an ultraviolet curable acrylic resin is applied in a frame shape (frame applying step).
  • a liquid organic resin material 43c such as an ultraviolet curable acrylic resin is applied.
  • a plurality of linear coatings are applied parallel to the second direction Y (second direction linear coating step).
  • an ultraviolet curable acrylic resin is used.
  • Liquid organic resin materials 43aa and 43ab are coated in a plurality of linear shapes in parallel with the first direction X, so that the organic resin material 43a is applied in a strip shape as a whole (first direction linear coating step).
  • the manufacturing method in which the application amount is controlled and the organic resin materials 43aa and 43ab are applied has been exemplified.
  • the application amount is applied constant.
  • a manufacturing method in which the position pitch is controlled and the organic resin material 43ac is applied as shown in FIG. 18 may be used.
  • the organic EL display device 50 of the present embodiment can be manufactured by performing the resin curing step.
  • the first direction linear coating step of the resin coating step As described above, according to the method of manufacturing the organic EL display device 50 of the present embodiment, according to the organic EL display device 50 of the present embodiment and the manufacturing method thereof, the first direction linear coating step of the resin coating step.
  • the organic resin materials 43aa and 43ab are applied in a plurality of linear shapes in parallel to the first direction X on the second flattening film 19 of the bent portion B from which the first film 41 has been removed.
  • the first-direction linear coating step when the organic resin material 43aa at both ends is thicker than the organic resin material 43ab at the central portion in the cross-sectional view along the second direction Y, The resin materials 43aa and 43ab are applied in a plurality of linear shapes.
  • the strip-shaped organic resin material 43a having a thickness gradually increasing toward both ends is irradiated with ultraviolet rays. Therefore, in the reinforcing layer 43 formed by the irradiation of ultraviolet rays, the thickness of both end portions becomes larger than the thickness of the central portion in the cross-sectional view along the second direction Y, so that the reinforcing layer 43 moves in the second direction Y. It becomes relatively thin in the central portion in the cross-sectional view.
  • the organic EL display device 50 can be easily bent at the bent portion B of the frame region F at the central portion of the reinforcing layer 43 in the cross-sectional view along the second direction Y, so that the bent portion B of the frame region F is targeted. Bending can be facilitated at the open position.
  • the organic resin material 43b is applied in a frame shape in the frame applying step, and the frame shape is applied in the first direction linear applying step.
  • the organic resin materials 43aa and 43ab are applied in a plurality of lines in the frame of the organic resin material 43b applied to the.
  • the liquid organic resin materials 43aa and 43ab are blocked by the organic resin material 43b, and the organic resin material 43b becomes the peripheral end portion of the reinforcing layer 43, so that the reinforcing layer 43 is reliably formed in a predetermined region. can do.
  • the organic resin material 43c is applied in a plurality of linear shapes in the second direction linear applying step in parallel with the second direction Y. Therefore, the reinforcing layer 43 can reinforce the organic EL display device 50 not only along the first direction X but also along the second direction Y.
  • the organic EL display device in which the relatively thin portion of the reinforcing layer is formed in the central portion along the second direction of the reinforcing layer in a strip shape along the first direction has been described.
  • the thin portion may be formed in any portion along the second direction of the reinforcing layer, and is partially formed along the first direction or along a direction diagonally intersecting the first direction. It may have been done.
  • the organic EL layer having a five-layer laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer is exemplified. It may have a three-layer laminated structure including a layer/hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer/electron injection layer.
  • the organic EL display device in which the first electrode is the anode and the second electrode is the cathode has been illustrated, but the present invention inverts the laminated structure of the organic EL layers to form the first electrode as the cathode. And can be applied to an organic EL display device using the second electrode as an anode.
  • the organic EL display device in which the electrode of the TFT electrically connected to the first electrode is used as the drain electrode is illustrated, but the present invention is a TFT electrically connected to the first electrode.
  • the electrode can also be applied to an organic EL display device called a source electrode.
  • the organic EL display device is described as an example of the display device, but the present invention can be applied to a display device including a plurality of light emitting elements driven by current.
  • a display device including a QLED (Quantum-dot light emitting diode) which is a light emitting element using a quantum dot containing layer.
  • the present invention is useful for flexible display devices.

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Abstract

支持基板上に樹脂基板（１０）、ＴＦＴ層（２０）、発光素子層及び封止膜を順に形成し、封止膜上に第１フィルムを貼り付け、樹脂基板（１０）から支持基板を剥離し、支持基板が剥離された樹脂基板（１０）の表面に第２フィルムを貼り付け、端子部及び折り曲げ部に配置する第１フィルムを除去し、折り曲げ部（Ｂ）に配置する第２フィルムを除去し、第１フィルムが除去された折り曲げ部（Ｂ）に樹脂材料を第１方向と平行に帯状に塗布し、塗布された樹脂材料を硬化させて、第２方向に沿う断面視において、両端部の厚さ（Ｈａ）が中央部の厚さ（Ｈｂ）よりも大きい補強層（４３）を形成する。

Description

表示装置及びその製造方法
　本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置では、可撓性を有する樹脂基板上に有機ＥＬ素子等を形成したフレキシブルな有機ＥＬ表示装置が提案されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、例えば、画像表示を行う表示領域の周囲に額縁領域が設けられ、平面視での額縁領域が占有する面積を小さくする狭額縁化が要望されている。そのため、フレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、例えば、複数の端子が配列された端子部側の額縁領域を折り曲げることにより、狭額縁化を図ることが提案されている。
　例えば、特許文献１には、可撓性を有して互いに対向する第１基板及び第２基板を備え、折り曲げ可能な屈曲部が規定された表示装置において、第１基板及び第２基板の厚さが屈曲部で薄くなるように成形されていることが記載されている。
特開２０１６－２２４１１８号公報
　ところで、額縁領域に折り曲げ可能な折り曲げ部を有するフレキシブルな有機ＥＬ表示装置では、折り曲げ時に内側になる裏面側に保護フィルムが貼り付けられ、その保護フィルムの折り曲げ部に配置する部分がレーザー加工等により除去され、その除去された部分の反対側の折り曲げ時に外側になる表面側の折り曲げ部に補強層が設けられた構造が提案されている。ここで、この構造を有する有機ＥＬ表示装置では、例えば、補強層を形成する際の厚さのばらつき等によって、折り曲げ部において、狙った位置で折り曲げ難くなるおそれがあるので、改善の余地がある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、額縁領域の折り曲げ部において、狙った位置で折り曲げを容易にすることにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置の製造方法は、支持基板上に表示領域、該表示領域の周囲に額縁領域、該額縁領域の端部に端子部、該端子部と上記表示領域との間に一方向に延びる折り曲げ部、該折り曲げ部が延びる第１方向、及び該第１方向に垂直で且つ基板表面に平行な第２方向が規定された樹脂基板を形成する樹脂基板形成工程と、上記樹脂基板上にＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程と、上記ＴＦＴ層上に複数の発光素子が配列された発光素子層を形成する発光素子層形成工程と、上記発光素子層上に上記各発光素子を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程と、上記封止膜上に第１フィルムを貼り付ける第１フィルム貼付工程と、上記第１フィルム貼付工程の後に上記樹脂基板から上記支持基板を剥離する剥離工程と、上記支持基板が剥離された上記樹脂基板の表面に第２フィルムを貼り付ける第２フィルム貼付工程と、上記第２フィルム貼付工程の後に、上記端子部及び上記折り曲げ部に配置する上記第１フィルムを除去する第１フィルム加工工程と、上記第２フィルム貼付工程の後に、上記折り曲げ部に配置する上記第２フィルムを除去する第２フィルム加工工程と、上記第１フィルムが除去された上記折り曲げ部に樹脂材料を上記第１方向と平行に帯状に塗布する樹脂塗布工程と、上記塗布された上記樹脂材料を硬化させて、上記第２方向に沿う断面視において、両端部の厚さが中央部の厚さよりも大きい補強層を形成する樹脂硬化工程とを備えることを特徴とする。
　本発明によれば、第１フィルムが除去された折り曲げ部に樹脂材料を折り曲げ部が延びる第１方向と平行に帯状に塗布し、その塗布された樹脂材料を硬化させて、第１方向に垂直で且つ基板表面に平行な第２方向に沿う断面視において、両端部の厚さが中央部の厚さよりも大きい補強層を形成するので、額縁領域の折り曲げ部において、狙った位置で折り曲げを容易にすることができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の詳細構成を示す平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する画素回路を示す等価回路図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の額縁領域の平面図である。 図７は、図６中のVII－ＶII線に沿った有機ＥＬ表示装置の額縁領域の断面図である。 図８は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の折り曲げ状態の断面図である。 図９は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第１フィルム貼付工程を示す断面図である。 図１０は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における第２フィルム貼付工程を示す断面図である。 図１１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における樹脂塗布工程の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。 図１２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における変形例の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。 図１３は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における樹脂塗布工程の枠状塗布工程を示す平面図である。 図１４は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における樹脂塗布工程の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。 図１５は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における変形例の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。 図１６は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における樹脂塗布工程の第２方向線状塗布工程を示す平面図である。 図１７は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における樹脂塗布工程の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。 図１８は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法における変形例の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図１２は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域Ｄの詳細構成を示す平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域Ｄの断面図である。また、図４は、有機ＥＬ表示装置５０を構成する画素回路Ｃを示す等価回路図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０を構成する有機ＥＬ層２３を示す断面図である。また、図６は、有機ＥＬ表示装置５０の端子部Ｔ側の額縁領域Ｆの平面図である。また、図７は、図６中のVII－ＶII線に沿った有機ＥＬ表示装置５０の額縁領域Ｆの断面図である。また、図８は、有機ＥＬ表示装置５０の額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂで折り曲げた折り曲げ状態の断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０は、図１に示すように、例えば、矩形状に設けられた画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に設けられた額縁領域Ｆとを備えている。なお、本実施形態では、矩形状の表示領域Ｄを例示したが、この矩形状には、例えば、辺が円弧状になった形状、角部が円弧状になった形状、辺の一部に切り欠きがある形状等の略矩形状も含まれる。
　表示領域Ｄには、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配列されている。また、表示領域Ｄでは、図２に示すように、例えば、赤色の表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、例えば、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。
　額縁領域Ｆの図１中右端部には、端子部Ｔが設けられている。ここで、端子部Ｔには、図１に示すように、例えば、ＡＣＦ（anisotropic conductive film）を介して、ＣＯＦ（chip on film）４５が貼り付けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、図１に示すように、表示領域Ｄ及び端子部Ｔの間には、図中縦方向に延びる第１方向Ｘを折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂ（図８参照）が第１方向Ｘに延びるように設けられている。なお、有機ＥＬ表示装置５０では、図１に示すように、第１方向Ｘ、及び第１方向Ｘに垂直で後述する樹脂基板層１０の基板表面に平行な第２方向Ｙが規定されている。
　有機ＥＬ表示装置５０は、図３に示すように、表示領域Ｄにおいて、樹脂基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の上側の表面に設けられたＴＦＴ（thin film transistor）層２０と、ＴＦＴ層２０上に発光素子層として設けられた有機ＥＬ素子層３０と、有機ＥＬ素子層３０上に設けられた封止膜３５と、樹脂基板層１０の下側の表面に設けられた保護フィルム層４２ａとを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
　ＴＦＴ層２０は、図３に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた第２平坦化膜１９とを備えている。なお、第１平坦化膜８は、後述するように、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂに設けられている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図４に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。なお、各電源線１８ｇは、図２に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合うように設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃが画素回路Ｃとして設けられている。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ａ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ａ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂを備えている。ここで、半導体層１２ａは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、例えば、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ａを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ａは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ａのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。また、第１ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に順に設けられた半導体層１２ｂ、ゲート絶縁膜１３、ゲート電極１４ｂ、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、並びにソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄを備えている。ここで、半導体層１２ｂは、図３に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられ、例えば、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有している。また、ゲート絶縁膜１３は、図３に示すように、半導体層１２ｂを覆うように設けられている。また、ゲート電極１４ｂは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂのチャネル領域と重なるように設けられている。また、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、図３に示すように、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７上に互いに離間するように設けられている。また、ソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄは、図３に示すように、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成された各コンタクトホールを介して、半導体層１２ｂのソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続されている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図４に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに電気的に接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図３に示すように、ゲート電極１４ａ及び１４ｂと同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、図３に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して電源線１８ｇに電気的に接続されている。
　第２平坦化膜１９は、表示領域Ｄにおいて平坦な表面を有し、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子層３０は、図３に示すように、複数の画素回路Ｃに対応して、第２平坦化膜１９上にマトリクス状に配列するように複数の発光素子として設けられた複数の有機ＥＬ素子２５を備えている。
　有機ＥＬ素子２５は、図３に示すように、第２平坦化膜１９上に設けられた第１電極２１と、第１電極２１上に設けられた有機ＥＬ層２３、表示領域Ｄ全体で共通するように有機ＥＬ層２３上に設けられた第２電極２４とを備えている。
　第１電極２１は、図３に示すように、第２平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールを介して、各サブ画素Ｐの第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに電気的に接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、イリジウム（Ｉｒ）、スズ（Ｓｎ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１を構成する材料は、例えば、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな化合物材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。さらに、第１電極２１の周端部は、表示領域Ｄ全体に格子状に設けられたエッジカバー２２で覆われている。ここで、エッジカバー２２を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等のポジ型の感光性樹脂が挙げられる。
　有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極２１及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極２４は、図３に示すように、各サブ画素Ｐの有機ＥＬ層２３、及び全サブ画素Ｐに共通するエッジカバー２２を覆うように設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜３５は、図３に示すように、各有機ＥＬ素子２５を覆うように有機ＥＬ素子層３０上に設けられている。ここで、封止膜３５は、図３に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１封止無機絶縁膜３１と、第１封止無機絶縁膜３１上に設けられた封止有機膜３２と、封止有機膜３２を覆うように設けられた第２封止無機絶縁膜３３とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素等から保護する機能を有している。ここで、第１封止無機絶縁膜３１及び第２封止無機絶縁膜３３は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、封止有機膜３２は、例えば、アクリル樹脂、ポリ尿素樹脂、パリレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂等の有機材料により構成されている。
　保護フィルム層４２ａは、図３及び図７に示すように、樹脂基板層１０の下側の表面に接着層（不図示）を介して貼り付けられ、表示領域Ｄと、額縁領域Ｆにおける折り曲げ部Ｂ以外の部分とに配置されている。ここで、保護フィルム層４２ａは、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂等からなるプラスチックフィルムにより構成されている。なお、図７において、２点鎖線４２は、後述するように、第２フィルム貼付工程で貼り付けられ、第２フィルム加工工程で部分的に除去される第２フィルム４２を示す想像線である。
　また、有機ＥＬ表示装置５０は、図６～図８に示すように、額縁領域Ｆにおいて、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０の上側の表面に設けられたベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５、第２層間絶縁膜１７、第１平坦化膜８、引き回し配線１８ｈ、第２平坦化膜１９及び補強層４３と、樹脂基板層１０の下側の表面に設けられた保護フィルム層４２ａとを備えている。
　額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７には、図６～図８に示すように、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７を貫通して樹脂基板層１０の上面を露出させるスリットＳが形成されている。なお、スリットＳは、折り曲げ部Ｂの延びる方向（第１方向Ｘ）に沿って突き抜ける溝状に設けられている。
　第１平坦化膜８は、図６～図８に示すように、スリットＳを埋めるように平面視で帯状に設けられている。ここで、第１平坦化膜８は、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。
　引き回し配線１８ｈは、図６～図８に示すように、スリットＳが形成された第２層間絶縁膜１７の両縁部及び第１平坦化膜８上に設けられている。また、引き回し配線１８ｈは、図６に示すように、第２方向Ｙに互いに平行に延びるように複数設けられている。ここで、引き回し配線１８ｈは、ソース電極１８ａ等と同一層に同一材料により形成されている。また、引き回し配線１８ｈの表示領域Ｄ側の端部は、図７及び図８に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールを介して第１ゲート導電層１４ｃに電気的に接続されている。なお、第１ゲート導電層１４ｃは、図７及び図８に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、表示領域ＤのＴＦＴ層２０の信号配線（ゲート線１４、ソース線１８ｆ、電源線１８ｇ等）に電気的に接続されている。また、引き回し配線１８ｈの端子部Ｔ側の端部は、図７及び図８に示すように、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７の積層膜に形成されたコンタクトホールを介して第２ゲート導電層１４ｄに電気的に接続されている。なお、第２ゲート導電層１４ｄは、図７及び図８に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１５の間に設けられ、端子部Ｔに延びている。
　第２平坦化膜１９は、図７及び図８に示すように、各引き回し配線１８ｈを覆うように設けられている。
　補強層４３は、図６～図８に示すように、ＴＦＴ層２０の第２平坦化膜１９上に第１方向Ｘと平行に帯状（例えば、幅３．６ｍｍ程度）に設けられ、折り曲げ部Ｂに配置されている。また、補強層４３は、図７に示すように、第２方向Ｙに沿う断面視において、両端部の厚さＨａ（例えば、１００μｍ程度）が中央部の厚さＨｂ（例えば、６０μｍ程度）よりも大きくなっている。ここで、補強層４３は、例えば、アクリル樹脂等の有機樹脂材料により構成されている。なお、本実施形態では、第２平坦化膜１９上に設けられた補強層４３を例示したが、補強層４３は、例えば、エッジカバー２２と同一層に同一材料により形成された樹脂膜上に設けられていてもよい。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０は、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて規定された電源線１８ｇからの電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０では、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法について、図９～図１２を用いて説明する。ここで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法は、樹脂基板層形成工程と、ＴＦＴ層形成工程と、有機ＥＬ素子層形成工程と、封止膜形成工程と、第１フィルム貼付工程と、剥離工程と、第２フィルム貼付工程と、第１フィルム加工工程と、第２フィルム加工工程と、第１方向線状塗布工程を含む樹脂塗布工程と、樹脂硬化工程とを備える。なお、図９及び図１０は、第１フィルム貼付工程及び第２フィルム貼付工程を示す断面図である。また、図１１は、樹脂塗布工程の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。
　＜樹脂基板層形成工程＞
　例えば、ガラス基板等の支持基板６０（図９参照）上に、非感光性のポリイミド樹脂を塗布した後、その塗布膜に対して、プリベーク及びポストベークを行うことにより、樹脂基板層１０を形成する。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　上記樹脂基板層形成工程で形成された樹脂基板層１０上に、例えば、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ及び第２平坦化膜１９を形成して、ＴＦＴ層２０を形成する。ここで、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを形成する際には、ソース電極１８ａ等を形成する前に、まず、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、ベースコート膜１１、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７にスリットＳをドライエッチングにより形成する。続いて、そのスリットＳを埋めるように第１平坦化膜８を形成した後に、引き回し配線１８ｈをソース電極１８ａ等と同時に形成する。
　＜有機ＥＬ素子層形成工程＞
　上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０の平坦化膜１９上に、例えば、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）及び第２電極２４を形成して、有機ＥＬ素子層３０を形成する。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、上記有機ＥＬ素子層形成工程で形成された有機ＥＬ素子層３０上に、各有機ＥＬ素子２５を覆うように、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）法により成膜して、第１封止無機絶縁膜３１を形成する。
　続いて、第１封止無機絶縁膜３１上に、例えば、インクジェット法により、アクリル樹脂等の有機樹脂材料を成膜して、封止有機膜３２を形成する。
　その後、封止有機膜３２を覆うように、マスクを用いて、例えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して、第２封止無機絶縁膜３３を形成することにより、封止膜３５を形成する。
　＜第１フィルム貼付工程＞
　上記封止膜形成工程で形成された封止膜３５上に、図９に示すように、接着層（不図示）を介して、第１フィルム４１を貼り付ける。ここで、第１フィルム４１は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂等からなるプラスチックフィルムにより構成されている。
　＜剥離工程＞
　上記第１フィルム貼付工程で第１フィルム４１が貼り付けられた樹脂基板層１０に対して、支持基板６０側からレーザー光を照射することにより、樹脂基板層１０の下側の表面から支持基板６０を剥離する。
　＜第２フィルム貼付工程＞
　上記剥離工程で支持基板６０を剥離した樹脂基板層１０の下側の表面に、図１０に示すように、接着層（不図示）を介して、第２フィルム４２を貼り付ける。ここで、第２フィルム４２は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂等からなるプラスチックフィルムにより構成されている。
　＜第１フィルム加工工程＞
　上記第１フィルム貼付工程で貼り付けた第１フィルム４１のうち、端子部Ｔ及び折り曲げ部Ｂに配置する部分に対して、レーザー光を照射することにより、端子部Ｔ及び折り曲げ部Ｂに配置する第１フィルム４１を除去する。
　＜第２フィルム加工工程＞
　上記第２フィルム貼付工程で貼り付けた第２フィルム４２のうち、折り曲げ部Ｂに配置する部分に対して、レーザー光を照射することにより、折り曲げ部Ｂに配置する第２フィルム４２を除去した後に、端子部ＴにＡＣＦを介してＣＯＦ４５を実装する。なお、本実施形態では、折り曲げ部Ｂに配置する第２フィルム４２のほぼ全てを除去する製造方法を例示したが、折り曲げ部Ｂに配置する第２フィルム４２のうち、第２方向Ｙに沿う断面視における中央部を第１方向Ｘに沿って線状に残すように、第２フィルムを除去して、樹脂基板層１０の下側（内側）の表面に曲芯部４２ｂ（図８中の２点鎖線参照）を第１方向Ｘに沿って線状に形成してもよい。
　＜樹脂塗布工程＞
　上記第１フィルム加工工程で第１フィルム４１が除去された折り曲げ部Ｂの第２平坦化膜１９上に、例えば、ピエゾ式のディスペンサを用いて、図１１に示すように、紫外線硬化型のアクリル樹脂等の液状の有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを第１方向Ｘと平行に複数の線状（例えば、５０μｍ程度の線幅）に塗布することにより、有機樹脂材料４３ａを全体として帯状に塗布する（第１方向線状塗布工程）。ここで、第１方向線状塗布工程では、塗布スピードや吐出周期を調整することにより、図１１に示すように、第２方向Ｙに沿う断面視において、両端部の有機樹脂材料４３ａａの厚さが中央部の有機樹脂材料４３ａｂの厚さよりも大きくなるように、有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを複数の線状に塗布する。
　＜樹脂硬化工程＞
　上記樹脂塗布工程で塗布された線状の有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂが幅方向（第２方向Ｙ）に拡がることにより、隣り合う有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂ同士が繋がって、第２方向Ｙに沿う断面視において、有機樹脂材料４３ａの厚さが中央部から両端部に向けて次第に大きくなった後に、帯状の有機樹脂材料４３ａに紫外線を照射することにより、有機樹脂材料４３ａを硬化させて、補強層４３を形成する。その後、第１フィルム４１を剥離した後に、封止膜３５上に接着層を介して機能フィルム等（不図示）を貼り付ける。なお、本実施形態では、線状に塗布した有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを第２方向Ｙに拡がった後に硬化させる製造方法を例示したが、線状に塗布した有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを第２方向Ｙに拡がる前に硬化させてもよい。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０を製造することができる。
　なお、本実施形態では、塗布量を制御して有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを塗布する製造方法を例示したが、塗布量を一定にして塗布する位置のピッチを制御して有機樹脂材料４３ａｃを塗布する製造方法であってもよい。ここで、図１２は、本実施形態の変形例の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。
　具体的には、第１方向線状塗布工程において、図１２に示すように、塗布量を一定にして、第２方向Ｙに沿う有機樹脂材料４３ａｃの塗布位置のピッチが第２方向Ｙにおける中央部（ピッチＲａ）よりも両端部（ピッチＲｂ）で小さくなるように、紫外線硬化型のアクリル樹脂等の液状の有機樹脂材料４３ａｃを第１方向Ｘと平行に複数の線状に塗布することにより、有機樹脂材料４３ａｃを全体として帯状に塗布する。その後、塗布された線状の有機樹脂材料４３ａｃが第２方向Ｙに拡がって、隣り合う有機樹脂材料４３ａｃ同士が繋がることにより、第２方向Ｙに沿う断面視において、有機樹脂材料４３ａｃの厚さが中央部から両端部に向けて次第に大きくなる。さらに、塗布する位置のピッチを制御すると共に、塗布量を制御することにより、第２方向Ｙに沿う断面視において、有機樹脂材料４３ａｃの中央部の厚さと両端部の厚さとの差を大きくして、補強層４３の膜厚差を大きくしてもよい。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０及びその製造方法によれば、樹脂塗布工程において、第１フィルム加工工程で第１フィルム４１が除去された折り曲げ部Ｂの第２平坦化膜１９上に有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを第１方向Ｘと平行に複数の線状に塗布する。ここで、樹脂塗布工程では、第２方向Ｙに沿う断面視において、両端部の有機樹脂材料４３ａａの厚さが中央部の有機樹脂材料４３ａｂの厚さよりも大きくなるように、有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを複数の線状に塗布する。そして、樹脂硬化工程では、各有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂが第２方向Ｙに拡がって、隣り合う有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂ同士が繋がることにより、第２方向Ｙに沿う断面視において、中央部から両端部に向けて厚さが次第に大きくなった帯状の有機樹脂材料４３ａに対して、紫外線を照射する。そのため、紫外線の照射により形成された補強層４３は、第２方向Ｙに沿う断面視において、両端部の厚さが中央部の厚さよりも大きくなるので、補強層４３は、第２方向Ｙに沿う断面視における中央部で相対的に薄くなる。これにより、有機ＥＬ表示装置５０は、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、補強層４３の第２方向Ｙに沿う断面視における中央部で折り曲げ易くなるので、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、狙った位置で折り曲げを容易にすることができる。
　《第２の実施形態》
　図１３～図１５は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで、本実施形態では、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０を製造する他の製造方法について、図１３～図１５を用いて説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法は、樹脂基板層形成工程と、ＴＦＴ層形成工程と、有機ＥＬ素子層形成工程と、封止膜形成工程と、第１フィルム貼付工程と、剥離工程と、第２フィルム貼付工程と、第１フィルム加工工程と、第２フィルム加工工程と、枠状塗布工程及び第１方向線状塗布工程を含む樹脂塗布工程と、樹脂硬化工程とを備え、樹脂塗布工程以外の工程が上記第１の実施形態の対応する工程と実質的に同じである。そのため、本実施形態では、樹脂塗布工程を中心に説明する。ここで、図１３は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法における樹脂塗布工程の枠状塗布工程を示す平面図である。また、図１４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法における樹脂塗布工程の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。また、図１５は、有機ＥＬ表示装置５０の製造方法における変形例の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図１２と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　＜樹脂塗布工程＞
　まず、上記第１フィルム加工工程で第１フィルム４１が除去された折り曲げ部Ｂの第２平坦化膜１９上に、例えば、ピエゾ式のディスペンサを用いて、図１３に示すように、紫外線硬化型のアクリル樹脂等の液状の有機樹脂材料４３ｂを枠状に塗布する（枠状塗布工程）。
　続いて、枠状に塗布された有機樹脂材料４３ｂの枠内において、上記第１の実施形態と同様に、例えば、ピエゾ式のディスペンサを用いて、図１４に示すように、紫外線硬化型のアクリル樹脂等の液状の有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを第１方向Ｘと平行に複数の線状に塗布することにより、有機樹脂材料４３ａを全体として帯状に塗布する（第１方向線状塗布工程）。なお、本実施形態では、塗布量を制御して有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを塗布する製造方法を例示したが、上記第１の実施形態の変形例と同様に、塗布量を一定にして塗布する位置のピッチを制御して、図１５に示すように、有機樹脂材料４３ａｃを塗布する製造方法であってもよい。
　その後、上記樹脂硬化工程を行うことにより、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０を製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０及びその製造方法によれば、樹脂塗布工程の第１方向線状塗布工程において、第１フィルム加工工程で第１フィルム４１が除去された折り曲げ部Ｂの第２平坦化膜１９上に有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを第１方向Ｘと平行に複数の線状に塗布する。ここで、第１方向線状塗布工程では、第２方向Ｙに沿う断面視において、両端部の有機樹脂材料４３ａａの厚さが中央部の有機樹脂材料４３ａｂの厚さよりも大きくなるように、有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを複数の線状に塗布する。そして、樹脂硬化工程では、各有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂが第２方向Ｙに拡がって、隣り合う有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂ同士が繋がることにより、第２方向Ｙに沿う断面視において、中央部から両端部に向けて厚さが次第に大きくなった帯状の有機樹脂材料４３ａに対して、紫外線を照射する。そのため、紫外線の照射により形成された補強層４３は、第２方向Ｙに沿う断面視において、両端部の厚さが中央部の厚さよりも大きくなるので、補強層４３は、第２方向Ｙに沿う断面視における中央部で相対的に薄くなる。これにより、有機ＥＬ表示装置５０は、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、補強層４３の第２方向Ｙに沿う断面視における中央部で折り曲げ易くなるので、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、狙った位置で折り曲げを容易にすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０及びその製造方法によれば、樹脂塗布工程において、枠状塗布工程で有機樹脂材料４３ｂを枠状に塗布し、第１方向線状塗布工程で枠状に塗布された有機樹脂材料４３ｂの枠内において有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを複数の線状に塗布する。これにより、液状の有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂは、有機樹脂材料４３ｂに堰き止められ、有機樹脂材料４３ｂは、補強層４３の周端部となるので、補強層４３を所定の領域に確実に形成することができる。
　《第３の実施形態》
　図１６～図１８は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第３の実施形態を示している。ここで、本実施形態では、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０を製造する他の製造方法について、図１６～図１８を用いて説明する。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法は、樹脂基板層形成工程と、ＴＦＴ層形成工程と、有機ＥＬ素子層形成工程と、封止膜形成工程と、第１フィルム貼付工程と、剥離工程と、第２フィルム貼付工程と、第１フィルム加工工程と、第２フィルム加工工程と、枠状塗布工程、第２方向線状塗布工程及び第１方向線状塗布工程を含む樹脂塗布工程と、樹脂硬化工程とを備え、樹脂塗布工程以外の工程が上記第１の実施形態の対応する工程と実質的に同じである。そのため、本実施形態では、樹脂塗布工程を中心に説明する。ここで、図１６は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法における樹脂塗布工程の第２方向線状塗布工程を示す平面図である。また、図１７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法における樹脂塗布工程の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。また、図１８は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法における変形例の第１方向線状塗布工程を示す平面図である。
　＜樹脂塗布工程＞
　まず、上記第１フィルム加工工程で第１フィルム４１が除去された折り曲げ部Ｂの第２平坦化膜１９上に、上記第２の実施形態と同様に、例えば、ピエゾ式のディスペンサを用いて、図１３に示すように、紫外線硬化型のアクリル樹脂等の液状の有機樹脂材料４３ｂを枠状に塗布する（枠状塗布工程）。
　続いて、枠状に塗布された有機樹脂材料４３ｂの枠内において、例えば、ピエゾ式のディスペンサを用いて、図１６に示すように、紫外線硬化型のアクリル樹脂等の液状の有機樹脂材料４３ｃを第２方向Ｙと平行に複数の線状に塗布する（第２方向線状塗布工程）。
　さらに、枠状に塗布された有機樹脂材料４３ｂの枠内において、上記第１の実施形態と同様に、例えば、ピエゾ式のディスペンサを用いて、図１７に示すように、紫外線硬化型のアクリル樹脂等の液状の有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを第１方向Ｘと平行に複数の線状に塗布することにより、有機樹脂材料４３ａを全体として帯状に塗布する（第１方向線状塗布工程）。なお、本実施形態では、塗布量を制御して有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを塗布する製造方法を例示したが、上記第１の実施形態の変形例と同様に、塗布量を一定にして塗布する位置のピッチを制御して、図１８に示すように、有機樹脂材料４３ａｃを塗布する製造方法であってもよい。
　その後、上記樹脂硬化工程を行うことにより、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０を製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０の製造方法によれば、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０及びその製造方法によれば、樹脂塗布工程の第１方向線状塗布工程において、第１フィルム加工工程で第１フィルム４１が除去された折り曲げ部Ｂの第２平坦化膜１９上に有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを第１方向Ｘと平行に複数の線状に塗布する。ここで、第１方向線状塗布工程では、第２方向Ｙに沿う断面視において、両端部の有機樹脂材料４３ａａの厚さが中央部の有機樹脂材料４３ａｂの厚さよりも大きくなるように、有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを複数の線状に塗布する。そして、樹脂硬化工程では、各有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂが第２方向Ｙに拡がって、隣り合う有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂ同士が繋がることにより、第２方向Ｙに沿う断面視において、中央部から両端部に向けて厚さが次第に大きくなった帯状の有機樹脂材料４３ａに対して、紫外線を照射する。そのため、紫外線の照射により形成された補強層４３は、第２方向Ｙに沿う断面視において、両端部の厚さが中央部の厚さよりも大きくなるので、補強層４３は、第２方向Ｙに沿う断面視における中央部で相対的に薄くなる。これにより、有機ＥＬ表示装置５０は、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、補強層４３の第２方向Ｙに沿う断面視における中央部で折り曲げ易くなるので、額縁領域Ｆの折り曲げ部Ｂにおいて、狙った位置で折り曲げを容易にすることができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０及びその製造方法によれば、樹脂塗布工程において、枠状塗布工程で有機樹脂材料４３ｂを枠状に塗布し、第１方向線状塗布工程で枠状に塗布された有機樹脂材料４３ｂの枠内において有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂを複数の線状に塗布する。これにより、液状の有機樹脂材料４３ａａ及び４３ａｂは、有機樹脂材料４３ｂに堰き止められ、有機樹脂材料４３ｂは、補強層４３の周端部となるので、補強層４３を所定の領域に確実に形成することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０及びその製造方法によれば、樹脂塗布工程において、第２方向線状塗布工程で有機樹脂材料４３ｃを第２方向Ｙと平行に複数の線状に塗布するので、補強層４３によって、有機ＥＬ表示装置５０を第１方向Ｘに沿ってだけでなく第２方向Ｙに沿っても補強することができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、補強層の相対的に薄い部分が補強層の第２方向に沿う中央部に第１方向に沿って帯状に形成された有機ＥＬ表示装置を例示したが、補強層の相対的に薄い部分は、補強層の第２方向に沿う何れの部分に形成されていてもよく、第１方向に沿って、又は第１方向に斜めに交差する方向に沿って、部分的に形成されていてもよい。
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に電気的に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に電気的に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｂ　　　　折り曲げ部
Ｄ　　　　表示領域
Ｆ　　　　額縁領域
Ｓ　　　　スリット
Ｔ　　　　端子部
Ｘ　　　　第１方向
Ｙ　　　　第２方向
１０　　　樹脂基板層
１１　　　ベースコート膜（無機絶縁膜）
１３　　　ゲート絶縁膜（無機絶縁膜）
１５　　　第１層間絶縁膜（無機絶縁膜）
１７　　　第２層間絶縁膜（無機絶縁膜）
２０　　　ＴＦＴ層
２５　　　有機ＥＬ素子（発光素子）
３０　　　有機ＥＬ素子層（発光素子層）
３５　　　封止膜
４１　　　第１フィルム
４２　　　第２フィルム
４２ａ　　保護フィルム層
４２ｂ　　曲芯部
４３　　　補強層
４３ａ，４３ａａ，４３ａｂ，４３ａｃ，４３ｂ，４３ｃ　　有機樹脂材料
５０　　有機ＥＬ表示装置

Claims (15)

  1. 　支持基板上に表示領域、該表示領域の周囲に額縁領域、該額縁領域の端部に端子部、該端子部と上記表示領域との間に一方向に延びる折り曲げ部、該折り曲げ部が延びる第１方向、及び該第１方向に垂直で且つ基板表面に平行な第２方向が規定された樹脂基板を形成する樹脂基板形成工程と、
    　上記樹脂基板上にＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程と、
    　上記ＴＦＴ層上に複数の発光素子が配列された発光素子層を形成する発光素子層形成工程と、
    　上記発光素子層上に上記各発光素子を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程と、
    　上記封止膜上に第１フィルムを貼り付ける第１フィルム貼付工程と、
    　上記第１フィルム貼付工程の後に上記樹脂基板から上記支持基板を剥離する剥離工程と、
    　上記支持基板が剥離された上記樹脂基板の表面に第２フィルムを貼り付ける第２フィルム貼付工程と、
    　上記第２フィルム貼付工程の後に、上記端子部及び上記折り曲げ部に配置する上記第１フィルムを除去する第１フィルム加工工程と、
    　上記第２フィルム貼付工程の後に、上記折り曲げ部に配置する上記第２フィルムを除去する第２フィルム加工工程と、
    　上記第１フィルムが除去された上記折り曲げ部に樹脂材料を上記第１方向と平行に帯状に塗布する樹脂塗布工程と、
    　上記塗布された上記樹脂材料を硬化させて、上記第２方向に沿う断面視において、両端部の厚さが中央部の厚さよりも大きい補強層を形成する樹脂硬化工程とを備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
  2. 　請求項１に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記樹脂塗布工程は、上記樹脂材料を上記第１方向と平行に複数の線状に塗布する第１方向線状塗布工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
  3. 　請求項２に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記第１方向線状塗布工程では、上記第２方向に沿う上記樹脂材料の塗布位置のピッチが上記第２方向における中央部よりも両端部で小さくなることを特徴とする表示装置の製造方法。
  4. 　請求項２又は３に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記第１方向線状塗布工程では、上記第２方向に沿う断面視において、上記樹脂材料の厚さが中央部よりも両端部で大きくなることを特徴とする表示装置の製造方法。
  5. 　請求項４に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記第１方向線状塗布工程では、上記第２方向に沿う断面視において、上記樹脂材料の厚さが中央部から両端部に向けて次第に大きくなることを特徴とする表示装置の製造方法。
  6. 　請求項２～５の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　上記樹脂塗布工程は、上記第１方向線状塗布工程の前に上記樹脂材料を枠状に塗布する枠状塗布工程を備え、
    　上記第１方向線状塗布工程では、上記枠状に塗布された上記樹脂材料の枠内において上記樹脂材料を複数の線状に塗布することを特徴とする表示装置の製造方法。
  7. 　請求項６に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記枠状に塗布された上記樹脂材料は、上記樹脂硬化工程に形成される上記補強層の周端部となることを特徴とする表示装置の製造方法。
  8. 　請求項６に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記樹脂塗布工程は、上記枠状塗布工程及び上記第１方向線状塗布工程の間に、上記枠状に塗布された上記樹脂材料の枠内において、上記樹脂材料を上記第２方向と平行に複数の線状に塗布する第２方向線状塗布工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
  9. 　請求項１～８の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　上記樹脂硬化工程では、上記塗布された上記樹脂材料に紫外線を照射して該樹脂材料を硬化させることを特徴とする表示装置の製造方法。
  10. 　請求項１～９の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　上記ＴＦＴ層形成工程では、上記折り曲げ部において、上記ＴＦＴ層を構成する少なくとも１つの無機絶縁膜に上方に開口し、上記第１方向に沿って延びるスリットを形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  11. 　請求項１～１０の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　上記第２フィルム加工工程では、上記折り曲げ部に配置する上記第２フィルムのうち、上記第２方向に沿う断面視における中央部を上記第１方向に沿って線状に残すように、該第２フィルムを除去することを特徴とする表示装置の製造方法。
  12. 　請求項１～１１の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　上記各発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置の製造方法。
  13. 　表示領域、該表示領域の周囲に額縁領域、該額縁領域の端部に端子部、該端子部と上記表示領域との間に一方向に延びる折り曲げ部、該折り曲げ部が延びる第１方向、及び該第１方向に垂直で且つ基板表面に平行な第２方向が規定された樹脂基板と、
    　上記樹脂基板の上側の表面に設けられたＴＦＴ層と、
    　上記ＴＦＴ層上に設けられ、複数の発光素子が配列された発光素子層と、
    　上記発光素子層上に上記各発光素子を覆うように設けられた封止膜と、
    　上記樹脂基板の下側の表面に設けられ、上記折り曲げ部以外に配置された保護フィルム層と、
    　上記ＴＦＴ層上に上記第１方向と平行に帯状に設けられ、上記折り曲げ部に配置された補強層とを備えた表示装置であって、
    　上記補強層は、上記第２方向に沿う断面視において、両端部の厚さが中央部の厚さよりも大きくなっていることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１３に記載された表示装置において、
    　上記折り曲げ部において、上記樹脂基板の下側の表面には、上記保護フィルム層と同一材料により形成された曲芯部が上記第１方向に沿って線状に設けられていることを特徴とする表示装置。
  15. 　請求項１３又は１４に記載された表示装置において、
    　上記各発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
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