JP2017041391A - 積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】レーザ光を用いた積層体の剥離に関し、気化した吸着層の成分に起因する、基板への煤の付着を抑えることができる積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】剥離開始部作成工程において、レーザ光照射装置１０の出射部１２から積層体１の外周縁部の一部にレーザ光を照射して、樹脂層４の一部を気化させることにより除去して外周縁部の一部に剥離開始部５を作成する。次に、剥離工程において、送液ポンプ６６から剥離開始部５に液体を供給し、かつ基板２と樹脂層４との間の隙間又は支持基板３と樹脂層４との間の隙間に液体１００を供給しながら、剥離開始部５を起点として基板２と支持基板３とを剥離装置４０によって相対的に離間させながら剥離する。【選択図】図１

Description

本発明は、積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法に関する。
有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic Electroluminescence Display）及び液晶ディスプレイ（LCD：Liquid Crystal Display）等の表示パネル、太陽電池、薄膜二次電池等の電子デバイスが知られている。これらの電子デバイスは近年の薄型化、軽量化に伴い、電子デバイスに用いられるガラス板、樹脂板、金属板等の基板（第１の基板）の薄板化が要望されている。
しかしながら、基板の厚さが薄くなると、基板のハンドリング性が悪化するため、基板の表面に電子デバイス用の機能層（ＯＥＬＤであれば、陽極、バッファー層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極等のＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)素子。ＬＣＤであれば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ： Thin Film Transistor）、カラーフィルタ（ＣＦ：Color Filter）を形成することが困難になる。
そこで、特許文献１には、基板の裏面にガラス製の支持基板（第２の基板）を、吸着層を介して貼り付けて、基板を支持基板により補強した積層体を構成し、積層体の状態で基板の表面（露出面）に機能層を形成する電子デバイスの製造方法が提案されている。この製造方法では、基板のハンドリング性が向上するため、基板の表面に機能層を良好に形成できる。そして、支持基板は、機能層の形成後に基板から剥離される。
特許文献２には、転写体と基板の表面とが分離層を介して積層された積層体において、転写体を基板から剥離する剥離方法が開示されている。また、特許文献２には、非晶質シリコーンよりなる光吸収層と金属薄膜よりなる反射層との積層体によって分離層が形成されていることが開示されている。
特許文献２の剥離方法によれば、基板の裏面側から分離層にレーザ光のような照射光を照射し、光吸収層にアブレーションを起こさせ、分離層の層内又は界面のうち少なくとも一方において剥離を発生させることにより、転写体を基板から剥離する。
特開２００７−３２６３５８号公報 特開平１０−１２５９２９号公報
積層体の剥離方法として、特許文献２には、分離層にレーザ光を照射して転写体と基板とを剥離させる方法が記載されているが、光吸収層の一部を気化させて、転写体を基板から剥離する具体的な態様については開示されていない。また、レーザ光によって光吸収層の全てを気化させた場合、気化した光吸収層の成分が煤として基板の表面に付着するという問題がある。
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、レーザ光を用いた積層体の剥離に関し、気化した吸着層の成分に起因する、基板への煤の付着を抑えることができる積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の積層体の剥離装置の一態様は、本発明の目的を達成するために、第１の基板と第２の基板とが吸着層を介して剥離可能に貼り付けられてなる積層体の剥離装置において、積層体の外周縁部の一部にレーザ光を照射して、吸着層の一部を気化させることにより除去して外周縁部の一部に剥離開始部を作成するレーザ光照射部材と、剥離開始部に液体を供給し、かつ第１の基板と吸着層との間の隙間又は第２の基板と吸着層との間の隙間に液体を供給する液体供給部材と、剥離開始部を起点として第１の基板と第２の基板とを相対的に離間させながら剥離させる剥離部材と、を備えることを特徴とする。
本発明の積層体の剥離方法の一態様は、本発明の目的を達成するために、第１の基板と第２の基板とが吸着層を介して剥離可能に貼り付けられてなる積層体の剥離方法において、積層体の外周縁部の一部にレーザ光を照射して、吸着層の一部を気化させることにより除去して外周縁部の一部に剥離開始部を作成する剥離開始部作成工程と、剥離開始部に液体を供給し、かつ第１の基板と吸着層との間の隙間又は第２の基板と吸着層との間の隙間に液体を供給しながら、剥離開始部を起点として第１の基板と第２の基板とを相対的に離間させながら剥離させる剥離工程と、を備えることを特徴とする。
本発明の電子デバイスの製造方法の一態様は、本発明の目的を達成するために、第１の基板と第２の基板とが吸着層を介して剥離可能に貼り付けられてなる積層体に対し、第１の基板の露出面に機能層を形成する機能層形成工程と、機能層が形成された第１の基板から第２の基板を分離する分離工程と、を有する電子デバイスの製造方法において、分離工程は、積層体の外周縁部の一部にレーザ光を照射して、吸着層の一部を気化させることにより除去して外周縁部の一部に剥離開始部を作成する剥離開始部作成工程と、剥離開始部に液体を供給し、かつ第１の基板と吸着層との間の隙間又は第２の基板と吸着層との間の隙間に液体を供給しながら、剥離開始部を起点として第１の基板と第２の基板とを相対的に離間させながら剥離させる剥離工程と、を備えることを特徴とする。
本発明の一態様によれば、剥離開始部作成工程において、レーザ光照射部材から積層体の外周縁部の一部にレーザ光を照射して、吸着層の一部を気化させることにより除去して外周縁部の一部に剥離開始部を作成する。次に、剥離工程において、液体供給部材から剥離開始部に液体を供給し、かつ第１の基板と吸着層との間の隙間又は第２の基板と吸着層との間の隙間に液体を供給しながら、剥離開始部を起点として第１の基板と第２の基板とを剥離部材によって相対的に離間させながら剥離する。
すなわち、本発明の一態様によれば、レーザ光を使用する剥離範囲は、積層体の外周縁部の一部とし、その剥離範囲を剥離開始部として、この剥離開始部に液体を供給しながら、第１の基板と第２の基板とを相対的に離間させながら剥離する。この剥離動作によって液体は、順次剥離されていく第１の基板と吸着層との間の隙間、又は第２の基板と吸着層との間の隙間に供給され、それらの界面を濡らしていくため、剥離動作が円滑に行われる。
剥離完了後、支持基板として使用された基板に吸着層が残存したとしても、吸着層を除去する必要もなく、そのままその基板を、吸着層付きの支持基板としてリサイクル使用することができる。また、製品基板として使用された基板に吸着層が残存している場合には、洗浄によって吸着層を除去する。
以上の如く、本発明の一態様によれば、レーザ光を用いた積層体の剥離に関し、レーザ光を使用する剥離範囲は、積層体の外周縁部の一部のみなので、気化した吸着層の成分に起因する、基板への煤の付着を抑えることができる。
本発明の一態様は、第１の基板の厚さと第２の基板の厚さとは、互いに異なり、第１の基板又は第２の基板のうち、厚さの厚い基板を介してレーザ光を吸着層の一部に照射することが好ましい。
基板を介して吸着層にレーザ光を照射すると、レーザ光が照射された吸着層の表層が気化していき、その気体が吸着層と基板との間に閉じ込められる場合がある。この場合、閉じ込められた気体の圧力によって基板が破損する場合がある。そこで、本発明の一態様によれば、第１の基板又は第２の基板のうち厚さの厚い基板を、つまり、強度の高い基板を介してレーザ光を吸着層に照射する。これにより、吸着層が気化することに起因する、厚さの薄い基板の破損を防止することができる。
本発明の一態様は、レーザ光照射部材は、矩形状に構成された積層体の外周縁部の一方の角部にレーザ光を照射して、一方の角部に剥離開始部を作成することが好ましい。
本発明の一態様によれば、矩形状に構成された積層体の場合には、外周縁部の一方の角部にのみレーザ光を照射して、一方の角部に剥離開始部を形成する。なお、積層体が矩形状以外の場合には、積層体の外周部のうち適宜選択したその一部にレーザ光照射して剥離開始部を形成する。
本発明の一態様は、剥離部材は、剥離開始部が作成された積層体の一方の角部から、一方の角部に対角線上で対向する他方の角部に向けた剥離進行方向に沿って、第１の基板及び第２の基板のうち少なくとも一方の基板を撓ませることが好ましい。
本発明の一態様によれば、一方の角部に形成された剥離開始部を起点として剥離する場合には、一方の角部から、一方の角部に対角線上で対向する他方の角部に向けた剥離進行方向に沿って、第１の基板及び第２の基板のうち少なくとも一方の基板を撓ませる。これにより、第１の基板及び第２の基板は、剥離進行方向に沿って相対的に離間されながら剥離される。
本発明の一態様は、第１の基板及び第２の基板はガラス板であり、吸着層はポリイミド層であり、第１の基板及び第２の基板のうち、厚さの薄いガラス板の露出面に機能層を形成する機能層形成工程を備え、機能層形成工程の後、剥離開始部作成工程が行われることが好ましい。
本発明の一態様によれば、電子デバイスの製造工程において、樹脂よりも耐熱性の高いガラス板を、第１の基板及び第２の基板として使用し、また、耐熱性の高いポリイミド樹脂を吸着層として使用し、これらによって構成された積層体のうち、厚さの薄いガラス板の露出面に高温条件下で機能層を形成する。この後、剥離開始部作成工程及び剥離工程を経ることにより、各々のガラス板を分離して、機能層が形成されたガラス板、すなわち、電子デバイスを製造することができる。
本発明の一態様は、吸着層は、剥離工程の後、第１の基板の機能層とは反対側の表面に残ることが好ましい。
本発明の一態様によれば、第１の基板の機能層とは反対側の表面に生じたマイクロ・クラック等の微小疵が拡大することを、吸着層によって抑制できる。
本発明の積層体の剥離装置及び剥離方法並びに電子デバイスの製造方法によれば、レーザ光を用いた積層体の剥離に関し、気化した吸着層の成分に起因する、基板への煤の付着を抑えることができる。
電子デバイスの製造工程を示したフローチャート 電子デバイスの製造工程に供される積層体の要部拡大側面図 レーザ光照射装置の構成を示した斜視図 剥離開始部が作成された積層体の要部拡大断面図 剥離開始部が作成された積層体の平面図 本実施形態の剥離装置の構成を示した縦断面図 剥離組立体に対する複数の可動体の配置位置を模式的に示した剥離組立体の平面図 （Ａ）は剥離組立体を構成する可撓性板の平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿う可撓性板の断面図 （Ａ）は剥離組立体を構成する可撓性板の底面図、（Ｂ）は（Ａ）のＤ−Ｄ線に沿う可撓性板の断面図 （Ａ）は可撓性板と積層体との対応関係を示した断面図、（Ｂ）は可撓性板によって積層体が保持された断面図 剥離組立体を剥離開始姿勢に傾斜させた状態を示した断面図 積層体を剥離組立体に保持させる工程、剥離組立体をθの角度を持って傾斜させる工程、及び液槽に液体を充填させる工程を示した動作説明図 下側の可撓性板を撓み変形させて支持基板を剥離する工程を示した動作説明図 剥離した支持基板の搬出工程を示した動作説明図 剥離したパネルの搬出工程を示した動作説明図
以下、添付図面に従って、本発明の実施形態について説明する。
以下においては、本発明に係る積層体の剥離装置及び剥離方法を、電子デバイスの製造工程で使用する場合について説明する。
電子デバイスとは、表示パネル、太陽電池、薄膜二次電池、液晶レンズ等の電子部品をいう。表示パネルとしては、ＯＥＬＤ、ＬＣＤ、プラズマディスプレイパネル、及び電子ペーパ等を例示できる。
［電子デバイスの製造工程］
図１は、電子デバイスの製造工程を示したフローチャートである。
電子デバイスの製造工程は、ガラス製、樹脂製、金属製等の基板（第１の基板）の表面に電子デバイス用の機能層（ＯＥＬＤであれば、ＯＬＥＤ素子。ＬＣＤであれば、ＴＦＴ、ＣＦ）を形成する機能層形成工程（ステップＳ１００）を有する。
ここで、ＯＬＥＤ素子は、例えば複合シート、画素電極、有機層、対向電極及び封止板等で構成される。有機層は、少なくとも発光層を含み、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層を含む。例えば、有機層は、陽極側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層をこの順で含む。画素電極、有機層及び対向電極等により、トップエミッション型のＯＬＥＤ素子が構成される。なお、ＯＬＥＤ素子は、ボトムエミッション型でもよい。
機能層の形成方法としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法等の蒸着法、スパッタ法が用いられる。機能層は、フォトリソグラフィ法、エッチング法によって所定のパターンに形成される。
基板は、機能層の形成前に、その裏面が支持基板（第２の基板）に貼り付けられて積層体に構成される。その後、積層体の状態で基板の表面（露出面）に機能層が形成される。そして、機能層の形成後、支持基板が基板から剥離される。
すなわち、電子デバイスの製造工程には、積層体の状態で基板の表面に機能層を形成する機能層形成工程（Ｓ１００）、形成された機能層を封止するキャップを基板２（図２参照）に貼付する工程（Ｓ１１０）、及び機能層が形成された基板から支持基板を分離する分離工程（Ｓ１２０）が備えられる。また、分離工程（Ｓ１２０）は、剥離開始部作成工程（Ｓ１３０）及び剥離工程（Ｓ１４０）を備える。この分離工程（Ｓ１２０）に、本発明に係る積層体の剥離装置及び剥離方法が適用される。
［積層体１］
図２は、積層体１の一例を示した要部拡大側面図である。
本実施形態では、矩形状の積層体１を例示するが、形状は矩形に限定されるものではなく、円形であっても楕円形であってもよい。
積層体１は、機能層が形成される基板２と、その基板２を補強する支持基板３とを備える。また、基板２は、裏面２ｂに吸着層としての樹脂層４が備えられ、樹脂層４に支持基板３の表面３ａが貼り付けられる。すなわち、支持基板３は、樹脂層４との間に作用するファンデルワールス力、又は樹脂層４の粘着力によって、基板２に樹脂層４を介して剥離可能に貼り付けられる。
［基板２］
基板２は、その表面２ａに機能層が形成される。基板２としては、ガラス基板、セラミックス基板、樹脂基板、金属基板、半導体基板を例示できる。これらの基板のなかでも、ガラス基板は、耐薬品性、耐透湿性に優れ、かつ、線膨張係数が小さいので、電子デバイス用の基板２として好適である。また、線膨張係数が小さくなるに従い、高温下で形成される機能層のパターンが冷却時に、ずれ難くなる利点もある。
ガラス基板のガラスとしては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスを例示できる。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス基板のガラスは、製造する電子デバイスの種類に適したガラス、その製造工程に適したガラスを選択して採用することが好ましい。たとえば、ＯＥＬＤまたはＬＣＤ用のガラス基板には、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）を採用することが好ましい。
基板２の厚さは、基板２の種類に応じて設定される。たとえば、基板２にガラス基板を採用する場合、その厚さは、電子デバイスの軽量化、薄板化のため、好ましくは０．７ｍｍ以下、より好ましくは０．３ｍｍ以下、さらに好ましくは０．１ｍｍ以下に設定される。厚さが０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板に良好なフレキシブル性を与えることができる。更に、厚さが０．１ｍｍ以下の場合、ガラス基板をロール状に巻き取ることができるが、ガラス基板の製造の観点、及びガラス基板の取り扱いの観点から、その厚さは０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。ＯＥＬＤ用のガラス基板であれば、高い可撓性を要求されるため、その厚さは０．２ｍｍ以下であり、０．０２ｍｍ以上であることが好ましい。
［支持基板３］
支持基板３としては、ガラス基板、セラミックス基板、樹脂基板、金属基板、半導体基板を例示できる。
支持基板３の厚さは、０．７ｍｍ以下に設定され、補強する基板２の種類、厚さ等に応じて設定される。なお、支持基板３の厚さは、基板２よりも厚くてもよいし、薄くてもよいが、基板２を補強するため、０．４ｍｍ以上であることが好ましい。
なお、本例では支持基板３が１枚の基板で構成されているが、支持基板３は、複数枚の基板を積層した積層体で構成することもできる。
［樹脂層４］
樹脂層４を構成する樹脂は、特に限定されないが、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミドシリコーン樹脂を例示できる。いくつかの種類の樹脂を混合して用いることもできる。そのなかでも、耐熱性や剥離性の観点から、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂が好ましい。本実施形態では、樹脂層４として、ＯＥＬＤに好適なポリイミド樹脂を例示する。
樹脂層４の厚さは、特に限定されないが、好ましくは１〜５０μｍに設定され、より好ましくは４〜２０μｍに設定される。樹脂層４の厚さを１μｍ以上とすることにより、樹脂層４と基板２との間に気泡や異物が混入した際、樹脂層４の変形によって、気泡や異物の厚さを吸収できる。
なお、樹脂層４の外形は、支持基板３が基板２の全体を支持できるように、支持基板３の外形と同一であることが好ましい。
また、図２では樹脂層４が１層で構成されているが、樹脂層４は２層以上で構成することもできる。この場合、樹脂層４を構成する全ての層の合計の厚さが、樹脂層４の厚さとなる。また、この場合、各層を構成する樹脂の種類は異なっていてもよい。
更に、本実施形態では、樹脂層４として有機膜を用いたが、有機膜に代えて無機膜を用いてもよい。無機膜としては、例えばメタルシリサイド、窒化物、炭化物、及び炭窒化物からなる群から選択される少なくとも１種を含む。
本実施形態では、樹脂層４が存在しない場合に基板２の樹脂層４と結合する裏面２ｂに引張応力が生じるときの基板２の平均破壊強度は１ＧＰａ未満である。基板２の樹脂層４と結合する裏面２ｂが傷付いており、その傷が開くのを樹脂層４が制限する。平均破壊強度の測定方法については後述する。ここで、基板２と樹脂層４との一体物を複合シートＡとする。
樹脂層４は、巻芯などのロールに沿って複合シートＡを曲げ変形した際においても、基板２と剥離しない程度の結合力を有する。その結果、樹脂層４は、基板２の裏面２ｂに生じたマイクロ・クラック等の微小疵が拡大することを抑制する。樹脂層４は、電子デバイスの製造工程の途中で基板２から剥離されてもよく、最終的に電子デバイスの構成の一部にならなくてもよい。なお、本実施形態では、樹脂層４も電子デバイスの構成の一部となる。
樹脂層４は、基板２における平均破壊強度を高めたい部分を覆えばよく、基板２の裏面２ｂの少なくとも一部を覆う。樹脂層４は、好ましくは、基板２の裏面２ｂの全体を覆う。なお、樹脂層４は基板２の裏面２ｂからはみ出してもよい。
樹脂層４は、基板２上に液状の樹脂組成物を塗布し固化させて形成されてもよいし、基板２に樹脂フィルムを貼り付けて形成されてもよい。後者の場合、樹脂層４は、樹脂フィルム及び樹脂フィルムとガラスシートとを接着する接着層で構成されてもよい。なお、後者の場合、接着剤を用いずに、ガラスシートの表面処理（例えばシランカップリング処理）した面と、樹脂フィルムの表面処理（例えばコロナ処理）した面とを貼り合わせてもよい。表面処理による樹脂フィルムの厚みの変化は、表面処理前の樹脂フィルムの厚みに比べて十分に小さい（例えば１０ｎｍ以下）。
樹脂層４は、例えば樹脂のみで形成されてよい。なお、樹脂層４は、樹脂を含む材料で形成されていればよく、例えば樹脂およびフィラーで形成されてもよい。フィラーとしては、繊維状もしくは、板状、鱗片状、粒状、不定形状、破砕品など非繊維状の充填剤が挙げられ、具体的には例えば、ガラス繊維、ＰＡＮ系やピッチ系の炭素繊維、ステンレス繊維、アルミニウム繊維や黄銅繊維などの金属繊維、芳香族ポリアミド繊維などの有機繊維、石膏繊維、セラミック繊維、アスベスト繊維、ジルコニア繊維、アルミナ繊維、シリカ繊維、酸化チタン繊維、炭化ケイ素繊維、ロックウール、チタン酸カリウムウィスカー、チタン酸バリウムウィスカー、ほう酸アルミニウムウィスカー、窒化ケイ素ウィスカー、マイカ、タルク、カオリン、シリカ、炭酸カルシウム、ガラスビーズ、ガラスフレーク、ガラスマイクロバルーン、クレー、二硫化モリブデン、ワラステナイト、酸化チタン、酸化亜鉛、ポリリン酸カルシウム、グラファイト、金属粉、金属フレーク、金属リボン、金属酸化物、カーボン粉末、黒鉛、カーボンフレーク、鱗片状カーボン、カーボンナノチューブなどが挙げられる。金属粉、金属フレーク、金属リボンの金属種の具体例としては銀、ニッケル、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、鉄、黄銅、クロム、錫などが例示できる。ガラス繊維あるいは炭素繊維の種類は、一般に樹脂の強化用に用いるものなら特に限定はなく、例えば長繊維タイプや短繊維タイプのチョップドストランド、ミルドファイバーなどから選択して用いることができる。また、樹脂層４は、樹脂を含浸した織布、不織布などで構成されてもよい。
樹脂層４の樹脂は、多種多様であってよく、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれでもよい。熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミド（ＰＩ）、エポキシ（ＥＰ）等が用いられる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリベンズイミダゾール（ＰＢＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、アクリル（ＰＭＭＡ）、ウレタン（ＰＵ）等が用いられる。なお、樹脂膜は、光硬化性樹脂で形成されてもよく、共重合体、または混合物であってもよい。ロールツーロール法による電子デバイスの製造工程は加熱処理を伴う工程を含むことがあり、樹脂の耐熱温度（連続使用可能温度）は好ましくは１００℃以上である。耐熱温度が１００℃以上の樹脂としては、例えばポリイミド（ＰＩ）、エポキシ（ＥＰ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリベンズイミダゾール（ＰＢＩ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、環状ポリオレフィン（ＣＯＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、アクリル（ＰＭＭＡ）、ウレタン（ＰＵ）などが挙げられる。
樹脂層４の平均厚みは、例えば１００μｍ未満である。樹脂層４の平均厚みが１００μｍ未満であれば、複合シートＡのフレキシブル性が十分確保できる。また、樹脂層４の平均厚みが１００μｍ未満であれば、樹脂とガラスとの熱膨張係数差による反りが抑制できる。樹脂層４の平均厚みは、好ましくは９０μｍ以下、より好ましくは７５μｍ以下である。
また、樹脂層４の平均厚みは、例えば０．５μｍ以上である。樹脂層４の平均厚みが０．５μｍ以上であれば、樹脂層４の存在によって基板２の傷が開くのを制限できる。樹脂層４の平均厚みは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは２μｍ以上である。
樹脂層４における樹脂層４と基板２との界面からの法線方向距離が０μｍ〜０．５μｍの部分（以下、「樹脂層４における基板２近傍の部分」という）のヤング率は、１００ＭＰａ以上である。樹脂層４の基板２近傍の部分が十分に硬く、樹脂層４の存在によって基板２の傷が開くのを制限できる。樹脂層４における基板２近傍の部分のヤング率は、好ましくは５００ＭＰａ以上である。
樹脂層４における基板２近傍の部分がｎ（ｎ≧２）個の層で構成される場合、樹脂層４における基板２近傍の部分のヤング率Ｅは下記式（１）から算出される。
Ｅ＝Σ（Ｅｋ×Ｉｋ）／Ｉ・・・（１）
Ｅｋ；ｋ番目の層の材料のヤング率
Ｉｋ；ｋ番目の層の断面２次モーメント
ｋ；１〜ｎの整数
Ｉ；樹脂層４における基板２近傍の部分全体の断面２次モーメント
式（１）から明らかなように、樹脂層４が樹脂フィルムおよび樹脂フィルムとガラスシートとを接着する接着層で構成される場合に、樹脂フィルムよりも柔らかい接着層の厚みが十分に薄ければ（例えば１００ｎｍ以下であれば）、ヤング率Ｅが１００ＭＰａ以上となる。
樹脂層４を構成する一の層が単一の材料で形成される場合、一の層のヤング率は日本工業規格ＪＩＳ Ｋ７１２７：１９９９に準拠した方法で測定される。一方、樹脂層４を構成する一の層が傾斜材料で形成される場合、一の層のヤング率はナノインデンターにより測定される。
なお、樹脂層４における残りの部分（樹脂層４と基板２との界面からの距離が０５μｍを超える部分）のヤング率は、例えば１００ＭＰａ以上、好ましくは３００ＭＰａ以上、より好ましくは５００ＭＰａ以上である。
［レーザ光照射装置１０］
図３は、剥離開始部作成工程（図１参照：Ｓ１２０）にて使用されるレーザ光照射装置（レーザ光照射部材）１０の構成を示した斜視図である。
レーザ光照射装置１０は、レーザ光を出射する出射部１２と、出射部１２の下方に設置され、積層体１が載置されるテーブル１４と、を備える。出射部１２は、不図示の駆動部によって水平方向移動自在に設けられ、この駆動部によって移動されることにより、テーブル１４に載置された積層体１に対してレーザ光を走査することができる。
レーザ光照射装置１０の出射部１２として、コヒレント・ジャパン株式会社製のＡＶＩＡ３５５−２８を使用した。この出射部１２の周波数は１００ｋＨｚ、波長は３５５ｎｍレーザに設定した。
積層体１は、支持基板３が出射部１２に対向するように、支持基板３を上方に向けてテーブル１４に載置される。これにより、出射部１２から出射されたレーザ光は、支持基板３を介して樹脂層４に入射し、樹脂層４に吸収される。
なお、積層体１のサイズは限定されるものではないが、第６世代（１８５０ｍｍ×１５００ｍｍ）以上のサイズの積層体１を例示する。
本実施形態のレーザ光照射装置１０では、出射部１２から積層体１の外周縁部の一つの角部１Ａにレーザ光を照射して、角部１Ａに位置する樹脂層４の一部を気化させることにより除去して角部１Ａに剥離開始部５を作成する。剥離開始部５の大きさは、平面視において角部１Ａを頂角とし、一対の等辺の長さが約２０ｍｍの二等辺三角形であることが好ましい。
また、剥離開始部５のサイズ及び形状は上記形態に限定されるものではないが、例えばＯＥＬＤ及びＬＣＤの製品基板となる実質的なサイズは、基板の外周縁部から基板の内側に所定量入った領域のサイズとなる。よって、積層体１の外周縁部の一部に相当する剥離開始部５のサイズ及び形状は、製品基板の領域に入らないサイズ及び形状であることが好ましい。
図４は剥離開始部５が角部１Ａに作成された積層体１の断面図であり、図５は図４の積層体１の平面図である。図４、図５によれば、積層体１の角部１Ａに対応する一部の樹脂層４がレーザ光によって剥離され、剥離開始部５が作成されている。
なお、レーザ光は、樹脂層４に吸収されて透過しないので、基板２の表面に形成された機能層には影響を与えない。
[剥離開始部作成方法の実施例]
図３のレーザ光照射装置１０のテーブル１４に、支持基板３を上方に向けて積層体１を載置し、積層体１の角部１Ａに向けて、出射部１２からレーザ光を照射した。
このとき、エネルギー密度を１１５ｍｊ／ｃｍ２に設定し、かつレーザ光のスポットを平面上のＸ軸、Ｙ軸において５０％重複させた。この結果、角部１Ａに対応する位置の樹脂層４の表層を完全に除去することができた。
また、エネルギー密度を１８３ｍｊ／ｃｍ２に設定し、かつレーザ光のスポットを平面上のＸ軸、Ｙ軸において重複させなかった。この結果、角部１Ａに対応する位置の樹脂層４の表層を完全に除去することができた。
［剥離装置４０］
図６は、本実施形態の剥離装置４０の構成を示した縦断面図であり、図７は、剥離装置４０の剥離組立体４２に対する複数の可動体４４の配置位置を模式的に示した剥離組立体４２の平面図である。なお、図６は図７のＢ−Ｂ線に沿う断面図に相当し、また、図７においては積層体１を実線で示している。また、可動体４４は、剥離組立体４２に対して碁盤目状に配置される。
［剥離組立体４２］
図８（Ａ）は、剥離組立体４２を構成する可撓性板４６の平面図、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のＣ−Ｃ線に沿う可撓性板４６の側断面図である。また、図９（Ａ）は、剥離組立体４２を構成する可撓性板４８の底面図、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）のＤ−Ｄ線に沿う可撓性板４８の断面図である。更に、図１０（Ａ）は、可撓性板４６、４８と積層体１との対応関係を示した断面図、図１０（Ｂ）は、可撓性板４６、４８によって積層体１が保持された断面図である。
[可撓性板４６]
可撓性板４６は、図８及び図１０に示すように、積層体１よりもサイズが大きい矩形状の本体板５０、及び積層体１の支持基板３（図２参照）を吸着保持する矩形状のゴム製の多孔質シート５２を備え、本体板５０の上面に多孔質シート５２が貼り付けられている。
多孔質シート５２の厚さは、剥離時に支持基板３に発生する引張応力を低減させる目的で２ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下であることが好ましい。
本体板５０の上面には、多孔質シート５２に吸着保持された積層体１を包囲する枠体５４が接着されている。枠体５４は、例えばショアＥ硬度が２０度以上５０度以下の独立気泡のスポンジであり、多孔質シート５２に吸着保持された積層体１の上面（基板２）から突出する高さに設定される（図１０（Ｂ）参照）。
枠体５４で囲まれた多孔質シート５２には、枠状の溝５６が備えられる。溝５６は、本体板５０に備えられた複数の貫通孔５８を介して、図６に示す真空ポンプ６０に接続されている。
したがって、真空ポンプ６０が駆動されると、貫通孔５８及び溝５６の空気が吸引されて、積層体１の支持基板３が多孔質シート５２に真空吸着保持される。これにより、積層体１の支持基板３が本体板５０に支持される。
また、図８の如く、枠体５４で囲まれた多孔質シート５２の隅部には、液体（例えば水、有機溶媒でもよい）の供給孔６２が備えられる。供給孔６２は、本体板５０の貫通孔６４に連通されており、この貫通孔６４は、図６の送液ポンプ（液体供給部材）６６に接続されている。したがって、送液ポンプ６６が駆動されると、液体が貫通孔６４及び供給孔６２を介して液槽６８に供給される。液槽６８とは、底面である多孔質シート５２と側壁となる枠体５４とによって囲まれた直方体形状の空間である。また、供給孔６２は、剥離工程時において剥離組立体４２を傾斜させた際、液槽６８内の最下部に配置されることが好ましい。
本体板５０の上面には、図８及び図１０の如く、枠体５４及び可撓性板４８を包囲する枠体７０が接着される。この枠体７０は、剥離工程時において枠体５４から溢れた液体を堰き止めるために、枠体５４の高さよりも高く設定される。また、枠体７０も枠体５４と同様に独立気泡のスポンジで構成される。
枠体５４と枠体７０との間に位置する多孔質シート５２には、複数の貫通孔７１が備えられる。本体板５０には、貫通孔７１に連通した複数の排水孔７２が備えられる。すなわち、枠体７０によって堰き止められた液体が、貫通孔７１及び排水孔７２を介して剥離装置４０の機外に排水される。
本体板５０は、多孔質シート５２及び枠体５４、７０よりも曲げ剛性が高く、本体板５０の曲げ剛性が可撓性板４６の曲げ剛性を支配する。可撓性板４６の単位幅（１ｍｍ）あたりの曲げ剛性は、１０００〜４００００Ｎ・ｍｍ2／ｍｍであることが好ましい。例えば、可撓性板４６の幅が１００ｍｍの部分では、曲げ剛性は、１０００００〜４００００００Ｎ・ｍｍ2となる。可撓性板４６の曲げ剛性を１０００Ｎ・ｍｍ2／ｍｍ以上とすることで、可撓性板４６に吸着保持される基板２の折れ曲がりを防止することができる。また、可撓性板４６の曲げ剛性を４００００Ｎ・ｍｍ2／ｍｍ以下とすることで、可撓性板４６に吸着保持される基板２を適度に撓み変形させることができる。本体板５０としては、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール（ＰＯＭ）樹脂等の樹脂製部材、及び金属製部材を例示できる。
［可撓性板４８］
可撓性板４８は、図９及び図１０に示すように、積層体１よりもサイズが大きく、本体板５０よりもサイズが小さい矩形状の本体板７４、及び積層体１の基板２（図２参照）を吸着保持する矩形状のゴム製の多孔質シート７６を備える。本体板７４の下面に多孔質シート７６が貼り付けられている。
多孔質シート７６の厚さも多孔質シート５２の厚さと同様に、２ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以下であることが好ましい。
多孔質シート７６には、枠状の溝７８が備えられる。溝７８は、本体板７４に備えられた複数の貫通孔８０を介して、図６に示す真空ポンプ８２に接続されている。
したがって、真空ポンプ８２が駆動されると、貫通孔８０及び溝７８の空気が吸引されて、積層体１の基板２が多孔質シート７６に真空吸着保持される。これにより、積層体１の基板２が本体板７４に支持される。
すなわち積層体１は、図１０（Ｂ）の如く、可撓性板４６に支持基板３が吸着保持され、基板２が可撓性板４８に吸着保持されることにより剥離組立体４２に支持される。そして、枠体５４の上面に本体板７４の下面が押圧される。これにより、図８（Ａ）に示した液槽６８が、上下の可撓性板４８、４６と枠体５４とによって密閉された液槽となる。したがって、供給孔６２から液槽６８内に供給される液体によって、積層体１の側面が満たされる。
なお、図９の如く本体板７４には、液槽６８内の空気を抜く貫通孔８４が備えられる。この貫通孔８４は、図８に示した供給孔６２に対し、対角線上の位置であって、剥離組立体４２を傾斜させた際に、液槽６８内の最上部に配置される。これにより、液槽６８内を液体で充填することができ、また、液体の充填時に貫通孔８４から液体が溢れたとき、又は溢れる直前で液体の供給を停止することにより、液槽６８が液体で満たされたことを容易に確認できる。
本体板７４の構成及び機能は、本体板５０と同一なので説明は省略する。
次に、図６に戻り、剥離装置４０の可動装置８６について説明する。
［可動装置８６]
可動装置８６は、剥離組立体４２を挟んで上下に配置される。上下に配置された一対の可動装置８６、８６は同一構成のため、ここでは図６の下側に配置された可動装置８６について説明し、上側に配置された可動装置８６については同一の符号を付すことで説明を省略する。
可動装置８６は、複数の可動体４４、可動体４４ごとに可動体４４を昇降移動させる複数の駆動装置８８、及び駆動装置８８ごとに駆動装置８８を制御するコントローラ９０等によって構成される。
複数の可動体４４は本体板５０の下面に、図７の如く碁盤目状に固定される。これらの可動体４４は、本体板５０にボルト等の締結部材によって固定されるが、ボルトに代えて接着固定されてもよい。これらの可動体４４は、コントローラ９０によって駆動制御された駆動装置８８によって、独立して昇降移動される。
すなわち、コントローラ９０は、駆動装置８８を制御して、剥離組立体４２を図６の水平姿勢から図１１に示した剥離開始位置の傾斜姿勢に傾斜させることができる。また、コントローラ９０は、図７における積層体１の角部１Ａ側に位置する可動体４４から矢印Ａで示す剥離進行方向の角部１Ｂ側に位置する可動体４４を、順次下降移動させる。この動作によって、積層体１の基板２と支持基板３とが剥離開始部５（図４参照）を起点として、相対的に離間されていき、角部１Ａから、角部１Ａに対角線上で対向する角部１Ｂに向けた剥離進行方向に沿って剥離していく。なお、図６、図１１に示した積層体１は、図３にて説明したレーザ光照射装置１０によって剥離開始部５が作成された積層体１である。
駆動装置８８は、例えば回転式のサーボモータ及びボールねじ機構等で構成される。サーボモータの回転運動は、ボールねじ機構によって直線運動に変換され、ボールねじ機構のロッド９２に伝達される。ロッド９２の先端部には、ボールジョイント９４を介して可動体４４が設けられている。これにより、可撓性板４６の撓み変形に追従して可動体４４が傾動する。よって、可撓性板４６に無理な力を加えることなく、可撓性板４６を角部１Ａから角部１Ｂに向けて撓み変形させることができる。なお、駆動装置８８としては、回転式のサーボモータ及びボールねじ機構に限定されず、リニア式のサーボモータ、又は流体圧シリンダ（例えば空気圧シリンダ）であってもよい。また、可撓性板４６の撓み変形方向は、角部１Ａから角部１Ｂに向けた対角線上であってもよく、角部１Ａに隣接する辺に対して４５度の方向でもよい。
複数の駆動装置８８は、昇降可能なフレーム９６にクッション部材９８を介して取り付けられることが好ましい。クッション部材９８は、可撓性板４６の撓み変形に追従するように弾性変形する。これによって、ロッド９２がフレーム９６に対して傾動する。
コントローラ９０は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、及びＲＡＭ等の記録媒体等を含むコンピュータとして構成される。コントローラ９０は、記録媒体に記録されたプログラムをＣＰＵに実行させることにより、複数の駆動装置８８を駆動装置８８ごとに制御して、複数の可動体４４の昇降移動を制御する。
［剥離装置４０による基板２と支持基板３の剥離方法］
図１２（Ａ）〜（Ｄ）〜図１３（Ａ）〜（Ｅ）〜図１４（Ａ）〜（Ｃ）〜図１５（Ａ）〜（Ｃ）は、図３にて説明したレーザ光照射装置１０によって角部１Ａに剥離開始部５が作成された積層体１の剥離方法が示されている。また、これらの図には、基板２と支持基板３とを相対的に剥離する剥離方法が時系列的に示されている。
すなわち、図１２（Ａ）〜（Ｄ）には、積層体１を剥離組立体４２に保持させる工程、剥離組立体４２を水平方向に対してθの傾斜角度を持って傾斜させる工程、及び液槽６８に液体１００を充填させる工程が順に示されている。
また、図１３（Ａ）〜（Ｅ）には、可撓性板４６を撓み変形させて基板２に対して支持基板３を湾曲させて剥離する工程が示されている。
また、図１４（Ａ）〜（Ｃ）には、剥離した支持基板３の搬出工程が示されている。
また、図１５（Ａ）〜（Ｃ）には、剥離した基板２の搬出工程が順に示されている。
剥離組立体４２への積層体１の搬入作業、及び剥離した支持基板３及び基板２の搬出作業は、図１２（Ａ）等に示す吸着パッド１０４を備えた搬送装置１０６によって行われる。なお、図１２〜図１５では、図面の煩雑さを避けるため、可動装置８６の図示は省略している。
［剥離方法]
以下、剥離方法を順に説明する。
図１２（Ａ）の如く、剥離開始前の可撓性板４６、４８は、可動装置８６によって水平方向にその姿勢が位置決めされ、かつ、可撓性板４６の上方に可撓性板４８が退避されている。この初期状態で積層体１を搬送装置１０６によって可撓性板４６の上方に搬送し、積層体１の支持基板３を可撓性板４６の多孔質シート５２によって吸着保持した後、可撓性板４８を下降移動させて、図１２（Ｂ）の如く可撓性板４８の多孔質シート７６によって積層体１の基板２を吸着保持する。これにより、積層体１が液槽６８内に配置される。
次に、図１２（Ｃ）の如く、剥離組立体４２を水平方向に対しθの角度を持って傾斜させる。剥離組立体４２の傾斜姿勢は、前述の如く、液槽６８の最下部に供給孔６２（図８（Ａ））が位置し、液槽６８の最上部に貫通孔８４（図９（Ａ））が位置する姿勢とする。これにより、液槽６８内において積層体１は、図７の角部１Ａが最も高い位置に位置し、角部１Ｂが最も低い位置に位置する。
なお、剥離組立体４２の傾斜角度θは、剥離時に発生する剥離前線に向けて液体１００が重力の作用で移動するように、可撓性板４６、４８を撓ませたときの可撓性板４６、４８の曲率半径等によって定められる。本実施形態では、可撓性板４６、４８の曲率半径が１０００ｍｍに設定され、剥離組立体４２の傾斜角度θが１から４度（好ましくは２度）に設定されている。
次に、図１２（Ｄ）の如く、供給孔６２から液槽６８に送液ポンプ６６（図６参照）によって液体１００を矢印の如く供給する。これにより、積層体１の全ての側面は、液体１００で満たされ、また、剥離開始部５にも液体１００が供給される（液体供給工程）。
次に、図１３（Ａ）〜（Ｄ）の如く、可撓性板４６を下方に撓み変形させて、支持基板３の剥離を開始する。可撓性板４６の撓み方向は、図７において可撓性板４６の角部４６Ａから角部４６Ｂに向けた矢印Ａ方向である。これにより、支持基板３は、角部１Ａから角部１Ｂに向けて撓み変形しながら剥離される。
このとき、積層体１は、剥離開始部５（図５参照）を起点として剥離していく。すなわち、図１１に示した下側の可撓性板４６の複数の可動体４４において、可撓性板４６の角部４６Ａ側に位置する可動体４４から角部４６Ｂ側に位置する可動体４４を順次下降移動させる。これにより、支持基板３が下方に撓み変形されるので、基板２と支持基板３とが角部１Ａから角部１Ｂに向けて剥離していく（剥離工程）。そして、図１３（Ｅ）の如く、基板２から支持基板３が完全に剥離される。
また、支持基板３の剥離中において、枠体５４から溢れた液体１００は、枠体７０に堰き止められて、排水孔７２から剥離組立体４２の外部に排水される。これにより、剥離装置４０の使用環境が液体１００で汚されず、また、排水孔７２から排水された液体１００を回収すれば、液体１００を再利用することもできる。
図１３（Ａ）〜（Ｄ）で示した剥離工程において、傾斜した積層体１の側面は液体１００で満たされているので、この状態から剥離が開始されると、液体１００は、基板２と樹脂層４との間の隙間、又は支持基板３と樹脂層４との間の隙間に直ちに流入し、剥離した剥離面上を重力により下方に移動しながら、剥離によって順次現れる剥離面を直ちに濡らす。液体１００は、重力により流入するのと同時に、剥離の進行に伴って新たな空間ができる。その空間は、基板と液体１００とで囲まれており、液体１００は大気圧で押されているので、剥離面は直ちに液体１００に濡れる。この状態から剥離が開始されると、積層体１の周囲にある液体１００の水面は剥離面よりも高いために、剥離された剥離面に直ちに重力により流入し、剥離によって順次現れる剥離面を直ちに濡らす。
すなわち、剥離装置４０は、積層体１を傾斜させて積層体１の側面を液体１００で満たしているので、液体１００の重力に依存して液体１００を、積層体１の側面の外から、剥離した直後の剥離面に連続的に供給し行き渡らせることができる。
図１３（Ｅ）に示した支持基板３の剥離状態では、剥離した支持基板３が可撓性板４６の多孔質シート５２に真空吸着保持され、基板２が可撓性板４８の多孔質シート７６に真空吸着保持されている。また、可撓性板４６の撓み変形が解除されている。
次に、図１４（Ａ）に示すように可撓性板４６、４８を水平方向にその姿勢を戻した後、図１４（Ｂ）に示すように可撓性板４８を可撓性板４６に対して上方に退避させる。
次に、支持基板３の吸着保持を解除した後、搬送装置１０６の吸着パッド１０４にて支持基板３を吸着し、支持基板３を搬送装置１０６によって剥離組立体４２から取り出す（図１４（Ｃ））。
そして最後に、図１５（Ａ）の如く、搬送装置１０６の吸着パッド１０４にて基板２を吸着保持し、その後、可撓性板４８による基板２の吸着保持を解除して、搬送装置１０６によって基板２を剥離組立体４２から取り出す（図１５（Ｂ）、（Ｃ））。
以上の剥離装置４０の動作によって、基板２と支持基板３とを円滑に剥離することができる。
［本実施形態の作用、効果］
図１の剥離開始部作成工程（Ｓ１２０）において、図３に示したレーザ光照射装置１０の出射部１２から積層体１の外周縁部の一部にレーザ光を照射して、樹脂層４の一部を気化させることにより除去して外周縁部の一部に剥離開始部５を作成する。
次に、図１の剥離工程（Ｓ１３０）において、図６の送液ポンプ６６から剥離開始部５に液体１００を供給し、かつ基板２と樹脂層４との間の隙間又は支持基板３と樹脂層４との間の隙間に液体１００を供給しながら、剥離開始部５を起点として基板２と支持基板３とを剥離装置４０によって相対的に離間させながら剥離する。
すなわち、本実施形態によれば、レーザ光を使用する剥離範囲は、積層体１の外周縁部の一部とし、その剥離範囲を剥離開始部５として、この剥離開始部５に液体１００を供給しながら、基板２と支持基板３とを相対的に離間させながら剥離する。この剥離動作によって液体１００は、順次剥離されていく基板２と樹脂層４との間の隙間、又は支持基板３と樹脂層４との間の隙間に供給され、それらの界面を濡らしていくため、剥離動作が円滑に行われる。
剥離完了後、支持基板３に樹脂層４が残存したとしても、樹脂層４を除去する必要もなく、そのままその支持基板３を、樹脂層４付きの支持基板３としてリサイクル使用することができる。また、製品基板としての基板２に樹脂層４が残存している場合には、洗浄によって樹脂層４を除去する。
以上の如く、本実施形態によれば、レーザ光を用いた積層体１の剥離に関し、レーザ光を使用する剥離範囲は、積層体１の外周縁部の一部のみなので、気化した樹脂層４の成分に起因する、基板２及び支持基板３への煤の付着を抑えることができる。
レーザの出射部１２は、基板２又は支持基板３のうち、厚さの厚い支持基板３を介してレーザ光を樹脂層４の一部に照射する。
厚さの薄い基板２を介して樹脂層４にレーザ光を照射すると、レーザ光が照射された樹脂層４の表層が気化していき、その気体が樹脂層４と基板２との間に閉じ込められる場合がある。この場合、閉じ込められた気体の圧力によって基板２が破損する場合がある。そこで、本実施形態では、基板２よりも厚さの厚い支持基板３を、つまり、基板２よりも強度の高い支持基板３を介してレーザ光を樹脂層４に照射する。これにより、樹脂層４が気化することに起因する、厚さの薄い基板２の破損を防止することができる。
レーザ光照射装置１０は、矩形状に構成された積層体１の外周縁部の一方の角部１Ａにレーザ光を照射して、一方の角部１Ａに剥離開始部を作成する。
矩形状に構成された積層体１の場合には、外周縁部の一方の角部１Ａにのみレーザ光を照射して、一方の角部１Ａに剥離開始部５を形成する。なお、積層体１が矩形状以外の場合には、積層体１の外周部のうち適宜選択したその一部にレーザ光照射して剥離開始部５を形成する。
剥離開始部５が作成された積層体１の一方の角部１Ａから、一方の角部１Ａに対角線上で対向する他方の角部１Ｂに向けた剥離進行方向に沿って、基板２及び支持基板３のうち少なくとも一方の基板を撓ませることにより基板２と支持基板３とを、剥離装置４０によって剥離する。
これにより、基板及び支持基板３を、剥離進行方向に沿って相対的に離間されながら円滑に剥離することができる。
基板２及び支持基板３としてガラス板を使用し、樹脂層４としてポリイミド樹脂を適用し、厚さの薄いガラス製の基板２の露出面に機能層を形成する機能層形成工程（Ｓ１００）を備え、機能層形成工程（Ｓ１００）の後、剥離開始部作成工程（Ｓ１２０）を行う。
電子デバイスの製造工程において、樹脂よりも耐熱性の高いガラス板を、基板２及び支持基板３として使用し、また、耐熱性の高いポリイミド樹脂を樹脂層４として使用し、これらによって構成された積層体１のうち、厚さの薄い基板２の露出面に高温条件下で機能層を形成する。この後、剥離開始部作成工程（Ｓ１２０）及び剥離工程（Ｓ１３０）を経ることにより、各々のガラス板を分離して、機能層が形成されたガラス板、すなわち、電子デバイスを製造することができる。
なお、樹脂層４は、基板２と支持基板３を分離した後、基板２あるいは支持基板３の何れに残してもよい。樹脂層４を基板２に残した場合（特に樹脂層４としてポリイミドを用いた場合）、基板２の強度および耐衝撃性を高められる。
本実施形態では、剥離工程の後、基板２の裏面２ｂに樹脂層４が残るので、裏面２ｂに生じたマイクロ・クラック等の微小疵が拡大することを、樹脂層４によって抑制できる。
１…積層体、２…基板、２ａ…基板の表面、２ｂ…基板の裏面、３…支持基板、３ａ…支持基板の表面、４…樹脂層、５…剥離開始部、１０…レーザ光照射装置、１２…出射部、１４…テーブル、４０…剥離装置、４２…剥離組立体、４４…可動体、４６…可撓性板、４８…可撓性板、５０…本体板、５２…多孔質シート、５４…枠体、５６…溝、５８…貫通孔、６０…真空ポンプ、６２…供給孔、６４…貫通孔、６６…送液ポンプ、６８…液槽、７０…枠体、７２…排水孔、７４…本体板、７６…多孔質シート、７８…溝、８０…貫通孔、８２…真空ポンプ、８４…貫通孔、８６…可動装置、８８…駆動装置、９０…コントローラ、９２…ロッド、９４…ボールジョイント、９６…フレーム、９８…クッション部材、１００…液体、１０４…吸着パッド、１０６…搬送装置、Ａ…複合シート

Claims (10)

  1. 第１の基板と第２の基板とが吸着層を介して剥離可能に貼り付けられてなる積層体の剥離装置において、
    前記積層体の外周縁部の一部にレーザ光を照射して、前記吸着層の一部を気化させることにより除去して前記外周縁部の一部に剥離開始部を作成するレーザ光照射部材と、
    前記剥離開始部に液体を供給し、かつ前記第１の基板と前記吸着層との間の隙間又は前記第２の基板と前記吸着層との間の隙間に前記液体を供給する液体供給部材と、
    前記剥離開始部を起点として前記第１の基板と前記第２の基板とを相対的に離間させて剥離させる剥離部材と、
    を備えることを特徴とする積層体の剥離装置。
  2. 第１の基板と第２の基板とが吸着層を介して剥離可能に貼り付けられてなる積層体の剥離方法において、
    前記積層体の外周縁部の一部にレーザ光を照射して、前記吸着層の一部を気化させることにより除去して前記外周縁部の一部に剥離開始部を作成する剥離開始部作成工程と、
    前記剥離開始部に液体を供給し、かつ前記第１の基板と前記吸着層との間の隙間又は前記第２の基板と前記吸着層との間の隙間に前記液体を供給しながら、前記剥離開始部を起点として前記第１の基板と前記第２の基板とを相対的に離間させて剥離させる剥離工程と、
    を備えることを特徴とする積層体の剥離方法。
  3. 前記第１の基板の厚さと前記第２の基板の厚さとは、互いに異なり、
    前記第１の基板又は前記第２の基板のうち、厚さの厚い基板を介して前記レーザ光を前記吸着層の一部に照射する請求項２に記載の積層体の剥離方法。
  4. 矩形状に構成された前記積層体の外周縁部の一方の角部に前記レーザ光を照射して、前記一方の角部に前記剥離開始部を作成する請求項２又は３に記載の積層体の剥離方法。
  5. 前記剥離工程は、前記剥離開始部が作成された前記積層体の前記一方の角部から、前記一方の角部に対角線上で対向する他方の角部に向けた剥離進行方向に沿って、前記第１の基板及び前記第２の基板のうち少なくとも一方の基板を撓ませる請求項４に記載の積層体の剥離方法。
  6. 前記第１の基板及び前記第２の基板はガラス板であり、前記吸着層はポリイミド層であり、
    前記第１の基板及び前記第２の基板のうち、厚さの薄いガラス板の露出面に機能層を形成する機能層形成工程を備え、
    前記機能層形成工程の後、前記剥離開始部作成工程が行われる請求項２から５のいずれか１項に記載の積層体の剥離方法。
  7. 前記機能層形成工程が、有機発光ダイオード素子を形成する工程を含む請求項６に記載の積層体の剥離方法。
  8. 第１の基板と第２の基板とが吸着層を介して剥離可能に貼り付けられてなる積層体に対し、前記第１の基板の露出面に機能層を形成する機能層形成工程と、前記機能層が形成された前記第１の基板から前記第２の基板を分離する分離工程と、を有する電子デバイスの製造方法において、
    前記分離工程は、
    前記積層体の外周縁部の一部にレーザ光を照射して、前記吸着層の一部を気化させることにより除去して前記外周縁部の一部に剥離開始部を作成する剥離開始部作成工程と、
    前記剥離開始部に液体を供給し、かつ前記第１の基板と前記吸着層との間の隙間又は前記第２の基板と前記吸着層との間の隙間に前記液体を供給しながら、前記剥離開始部を起点として前記第１の基板と前記第２の基板とを相対的に離間させて剥離させる剥離工程と、
    を備えることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
  9. 前記機能層形成工程が、有機発光ダイオード素子を形成する工程を含む請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
  10. 前記吸着層は、前記剥離工程の後、前記第１の基板の前記機能層とは反対側の表面に残る請求項８又は９に記載の電子デバイスの製造方法。
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