TWI832709B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置包含基材、發光元件以及驅動元件。基材具有頂面。發光元件設置於基材的頂面上方。驅動元件設置於基材的頂面上方。發光元件的頂面相對於基材的頂面的高度大於或等於驅動元件的頂面相對於基材的頂面的高度。

Description

顯示裝置及其製造方法

本揭露是有關於一種顯示裝置及其製造方法，特別是有關於一種微發光二極體顯示裝置。

微發光二極體（micro light-emitting diode, μLED）具有良好的穩定性與壽命，同時具有低耗能、高解析度以及高色彩飽和度的優勢。在微發光二極體顯示裝置的製程中，多個微型電子元件被轉移至目標基材上，並與位於目標基材上的其他電子元件連接。舉例來說，將微發光二極體與微型驅動器（micro driver IC）巨量轉移（mass transfer）到顯示基材上，並與顯示基材中的金屬佈線層電性連接。

如果微發光二極體在生長或轉移時出現瑕疵，可能單點修補一或多個具有瑕疵的微發光二極體。然而，在修補微發光二極體時，容易碰撞、損壞周圍的其他微型電子元件。尤其目前常見微型驅動器的體積與高度都大於微發光二極體，因此更容易造成微型驅動器的誤損。

因此，如何提出一種可解決上述問題的顯示裝置及其製造方法，是目前業界亟欲投入研發資源解決的問題之一。

有鑑於此，本揭露之一目的在於提出一種可有解決上述問題的顯示裝置及其製造方法。

本揭露的一方面是有關於一種顯示裝置包括基材、發光元件以及驅動元件。基材具有頂面。發光元件設置於基材的頂面上方。驅動元件設置於基材的頂面上方。發光元件的頂面相對於基材的頂面的高度大於或等於驅動元件的頂面相對於基材的頂面的高度。

在一些實施方式中，顯示裝置進一步包括接合層。接合層位於基材的頂面上。接合層包括第一區域與第二區域。第一區域的頂面高於第二區域的頂面。發光元件設置於第一區域的頂面上。驅動元件設置於第二區域的頂面上。

在一些實施方式中，第一區域包括位於接合層中的導電凸塊。

在一些實施方式中，第一區域包括位於接合層中的金屬板。

在一些實施方式中，發光元件具有頂層，使得發光元件的頂面高於驅動元件的頂面。

在一些實施方式中，發光元件的頂面相對於驅動元件的頂面的高度為2微米至3微米。

本揭露的另一方面是有關於一種顯示裝置之製造方法包括設置驅動元件於基材的頂面上方；以及設置發光元件於基材的頂面上方，其中發光元件的頂面相對於基材的頂面的高度大於或等於驅動元件的頂面相對於基材的頂面的高度。

在一些實施方式中，在設置驅動元件與發光元件前，進一步包括設置接合層於基材的頂面上。

在一些實施方式中，設置接合層使得接合層包括第一區域與第二區域，且使得第一區域的頂面高於第二區域的頂面。

在一些實施方式中，發光元件設置於第一區域的頂面上，驅動元件設置於第二區域的頂面上。

在一些實施方式中，製造方法進一步包括設置導電凸塊於接合層的第一區域中。

在一些實施方式中，製造方法進一步包括設置金屬板於接合層的第一區域中。

綜上所述，於本揭露的一些實施方式的顯示裝置及其製造方法中，藉由使發光元件的頂面相對於基材的高度大於驅動元件的頂面相對於基材的高度，可以避免發光元件替換或修補時損傷周邊發光元件或驅動元件，降低替換修補的困難度。進一步來説，通過調整基材上的接合層的地勢高低或在發光元件的頂面上增加頂層，使發光元件的頂面高於驅動元件的頂面，因而便於拾取。此外，藉由頂層連接多個發光元件，可以提高拾取效率。相對於常見的顯示裝置及其製造方法，可以提高替換修補的效率，並避免周邊電子元件的誤損。

本揭露的這些與其他方面通過結合圖式對優選實施例進行以下的描述，本揭露的實施例將變得顯而易見，但在不脫離本公開的新穎概念的精神和範圍的情況下，可以進行其中的變化和修改。

以下揭露內容現在在此將透過圖式及參考資料被更完整描述，一些示例性的實施例被繪示在圖式中。本揭露可以被以不同形式實施並且不應被以下提及的實施例所限制。但是，這些實施例被提供以幫助更完整的理解本揭露之內容並且向本領域之技術人員充分傳達本發明的範圍。相同的參考標號會貫穿全文指代相似元件。

在圖式中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的圖式標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基材的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」。「或」表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包括」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個圖式中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於圖式的特定取向。類似地，如果一個圖式中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。

在微發光二極體顯示裝置的製程中，微型電子元件例如微發光二極體（micro light-emitting diode, micro LED or μLED）與微型驅動器（micro driver）被巨量轉移（mass transfer）到基材上，並通過基材中的金屬佈線彼此電性連接。如果微發光二極體在生長或轉移時出現瑕疵，可能替換或修補一或多個具有瑕疵的微發光二極體。

然而，由於微型電子元件在基材上分布密集，因此在修補微發光二極體時，容易碰撞、損壞周圍的其他微型電子元件。尤其當微型驅動器的體積與高度都大於微發光二極體時，更容易在替換時發生誤損。舉例來說，目前常見微型驅動器的高度多在10微米與15微米之間，微發光二極體的高度則多在7微米與8微米之間。

請參照第1圖，其為根據本揭露的一些實施方式的電路10的局部示意圖。如第1圖中所示，電路10上連接六個發光元件110與兩個驅動元件120。在一些實施方式中，發光元件110為微發光二極體，驅動元件120為微型驅動器。在一些實施方式中，發光元件110的高度在7微米與8微米之間。舉例來說，發光元件110為紅色微發光二極體時，高度為8微米，發光元件110為藍色微發光二極體時，高度為7.1微米，發光元件110為綠色微發光二極體時，高度為7.2微米。在一些實施方式中，驅動元件120的高度在10微米與15微米之間。舉例來說，驅動元件120的高度為10.4微米。

如第1圖中所示，發光元件110通過電極接墊111、導電層112、導電線路113連接於基材140中的金屬佈線(未示出)，並通過共用連接墊114連接於一共用電位(common potential)。驅動元件120具有引腳122，通過電極接墊121、導電線路123連接於驅動控制訊號線路125，並通過共用連接墊114連接於一共用電位。

如第1圖中所示，驅動元件120所佔據的面積大於發光元件110所佔據的面積，且驅動元件120與發光元件110之間排列緊密，加上前述的高度落差，增加替換或修補的困難度。

因此，在本揭露的一些實施方式的顯示裝置中，通過改變陣列基板(array substrate)的地勢高低或增加頂層118(如下文第5圖與第6圖中所示)於發光元件110上，使發光元件110的頂面高度大於驅動元件120的頂面高度，可以更容易拾取發光元件110以進行替換或修補。

請參照第2圖，其為根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置100A的局部剖面圖。如第2圖中所示，顯示裝置100A包括三個發光元件110與一個驅動元件120。發光元件110包括電極115、絕緣層116以及發光疊層117。

如第2圖中所示，發光元件110與驅動元件120設置於接合層130上，其中設置有三個發光元件110的範圍為第一區域Z1，設置有驅動元件120的範圍為第二區域Z2。在一些實施方式中，接合層130包括金屬佈線與絕緣層（未示出），並具有頂面130a。接合層130設置於基材140上。在一些實施方式中，接合層130的頂面130a在第一區域Z1與第二區域Z2相對於基材140的頂面140a的高度不同。在一些實施方式中，發光元件110通過接合層130的金屬佈線與驅動元件120中的驅動電路（未示出）電性連接，但本揭露並不以此為限。在一些實施方式中，基材140具有金屬佈線（metal wiring）或重分佈層（redistribution layer）。

在顯示裝置100A的實施方式中，在第一區域Z1使用絕緣材料墊高接合層130，使得在第一區域Z1中，接合層130的頂面130a相對於基材140的頂面140a的高度大於頂面130a在第二區域Z2中相對於頂面140a的高度。具體來說，如第2圖中所示，絕緣材料使得頂面130a在第一區域Z1與在第二區域Z2之間具有高度差H1，進一步使得發光元件110的頂面117a相對於基材140的頂面140a的高度大於驅動元件120的頂面120a相對於頂面140a的高度。在一些實施方式中，發光元件110的頂面117a與驅動元件120的頂面120a之間具有高度差H2。在一些實施方式中，高度差H1在2微米與11微米之間。在一些實施方式中，高度差H2在2微米與3微米之間。

此外，也可以在接合層130的第二區域Z2形成一凹陷，使得頂面130a在第一區域Z1與在第二區域Z2之間具有高度差H1。

舉例來說，當發光元件110的高度為7.1微米，而驅動元件120的高度為10.4微米時，可以藉由在形成陣列基板時，使用半色調遮罩（half tone mask）或灰階遮罩（gray tone mask）進行接合層130的圖案化，使得接合層130的頂面130a在第一區域Z1與第二區域Z2之間的高度差H1為5.3微米。如此一來，發光元件110的頂面117a與驅動元件120的頂面120a之間的高度差H2則為2微米。

請參照第3圖，其為根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置100B的局部剖面圖。在顯示裝置100B的實施方式中，在第一區域Z1中設置導電凸塊131以部分地墊高接合層130，在第二區域Z2中則不設置導電凸塊131，使得在第一區域Z1中，接合層130的頂面130a相對於基材140的頂面140a的高度大於頂面130a在第二區域Z2中相對於頂面140a的高度。舉例來說，如第3圖中所示，在每個發光元件110的兩個電極115下方的接合層130中設置導電凸塊131，使得在第一區域Z1中，頂面130a相對於頂面140a的高度大於頂面130a在第二區域Z2中相對於頂面140a的高度。值得注意的是，在一些實施方式中，導電凸塊131與電極115藉由電極接墊111、導電層112以及接合層130中的金屬佈線（未示出）導通。在一些實施例中，每一個導電凸塊131在基材140上的垂直投影的面積小於每一個發光元件110在基材140上的垂直投影的面積。

相似地，在顯示裝置100B的一些實施方式中，高度差H1在2微米與11微米之間，而高度差H2在2微米與3微米之間。

請參照第4圖，其為根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置100C的局部剖面圖。顯示裝置100C與顯示裝置100B之間的差異在於，在顯示裝置100C中，在第一區域Z1中設置浮接（floating）的金屬板132以部分地墊高接合層130，在第二區域Z2中則不設置金屬板132，使得在第一區域Z1中，接合層130的頂面130a相對於基材140的頂面140a的高度大於頂面130a在第二區域Z2中相對於頂面140a的高度，如第4圖中所示。在一些實施例中，每一個金屬板132在基材140上的垂直投影的面積大於每一個發光元件110在基材140上的垂直投影的面積。在一些實施例中，金屬板132在基材140上的垂直投影重疊於至少二個(例如，第4圖中為三個)發光元件110在基材140上的垂直投影。

相似地，在顯示裝置100C的一些實施方式中，高度差H1在2微米與11微米之間，而高度差H2在2微米與3微米之間。

請參照第5圖，其為根據本揭露的另一些實施方式的顯示裝置200A的局部剖面圖。顯示裝置200A與顯示裝置100A、顯示裝置100B以及顯示裝置100C的差異在於，顯示裝置200A維持接合層130的頂面130a為水平面，並進一步包括頂層118。頂層118設置於三個發光元件110的發光疊層117的頂面117a上並連接三個發光元件110（如第5圖中所示），使得頂層118的頂面118a相對於基材140的頂面140a的高度大於驅動元件120的頂面120a相對於基材140的頂面140a的高度。在一些實施方式中，發光元件110的發光疊層117的頂面117a相對於基材140的頂面140a的高度小於驅動元件120的頂面120a相對於基材140的頂面140a的高度。

在一些實施方式中，可以藉由在發光元件110在暫存基材上執行製程時，控制蝕刻、研磨或剝離製程，保留部分緩衝層（buffer layer）或犧牲層（sacrificial layer）作為頂層118。在一些實施方式中，緩衝層或犧牲層的材料包括氮氧化矽（silicon oxynitride, SiON）。

如第5圖中所示，發光元件110的頂層118所具有的頂面118a與發光疊層117的頂面117a之間具有高度差H3，頂面118a與驅動元件120的頂面120a之間具有高度差H2。在一些實施方式中，高度差H2在2微米與3微米之間。在一些實施方式中，高度差H3在2微米與11微米之間。

舉例來說，當發光元件110的高度為7.1微米，而驅動元件120的高度為10.4微米時，保留5.3微米高的犧牲層作為頂層118，意即頂層118的頂面118a與發光疊層117的頂面117a之間的高度差H3為5.3微米，如此一來，發光元件110的頂面118a與驅動元件120的頂面120a之間的高度差H2即為2微米。

在顯示裝置200A的實施方式中，除了可以使發光元件110的頂層118的頂面118a高於驅動元件120的頂面120a，也可以通過頂層118連接三個發光元件110，增加結構的穩定性，避免巨量轉移後發光元件110傾倒。此外，在替換與修補的過程中，連接起來的三個發光元件110體積大於單一發光元件110的體積，使得發光元件110的拾取更加便利。

請參照第6圖，其為根據本揭露的另一些實施方式的顯示裝置200B的局部剖面圖。顯示裝置200B與顯示裝置200A的差異在於，顯示裝置200B的三個發光元件110的發光疊層117的頂面117a上分別設置一頂層118，而三個發光元件110維持相互分離的狀態，如第6圖中所示。相似地，頂層118的設置使得頂面118a相對於基材140的頂面140a的高度大於驅動元件120的頂面120a相對於基材140的頂面140a的高度。

在一些實施方式中，可以藉由在發光元件110在暫存基材上執行製程時，在三個發光元件110的頂面117a上分別形成乾膜（dry film）或固體薄膜（solid film）作為頂層118，如第6圖中所示。相似地，在一些實施方式中，高度差H2在2微米與3微米之間。在一些實施方式中，高度差H3在2微米與11微米之間。

在一些實施方式中，乾膜（dry film）或固體薄膜（solid film）的材料包括矽（silicon）、環氧樹脂（epoxy）或丙烯酸（acrylate）。

相較於顯示裝置200A，顯示裝置200B的三個發光元件110分別具有頂層118，因此可以進行單一發光元件110的替換修補。除此之外，如上所述，發光元件110可能根據色光而有不同特徵尺寸，舉例來說，紅色微發光二極體的高度為8微米，藍色微發光二極體的高度為7.1微米，綠色微發光二極體的高度為7.2微米，因此三個發光元件110各自的頂層118可分別具有不同高度，使得三個發光元件110各自的頂層118的頂面118a與頂面120a之間的高度差H2維持相同。

請參照第7圖，其為根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置100A的製造方法300A的流程圖。如第7圖中所示，製造方法300A包括操作301。操作301形成接合層130於基材140的頂面140a上，其中接合層130包括第一區域Z1與第二區域Z2。形成接合層130使得接合層130的頂面130a在第一區域Z1的高度大於在第二區域Z2的高度。具體來說，使用絕緣材料墊高第一區域Z1的接合層130(舉例來說，如上文第2圖中所示)或在第二區域Z2的接合層130形成凹陷(舉例來說，如上文第2圖中所示)。

製造方法300A還包括操作302。操作302設置發光元件110於第一區域Z1的頂面130a上。

製造方法300A還包括操作303。操作303設置驅動元件120於第二區域Z2的頂面130a上。

如此一來，發光元件110的頂面117a相對於基材140的頂面140a的高度大於或等於驅動元件120的頂面120a相對於基材140的頂面140a的高度。

請參照第8圖，其為根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置100B的製造方法300B的流程圖。如第8圖中所示，製造方法300B包括操作304。操作304形成接合層130於基材140的頂面140a上，其中接合層130包括第一區域Z1與第二區域Z2。其中操作304還包括在第一區域Z1的接合層130中設置導電凸塊131，使得接合層130的頂面130a在第一區域Z1的高度大於在第二區域Z2的高度。

製造方法300B還包括操作305。操作305設置發光元件110於第一區域Z1的頂面130a上。製造方法300B還包括操作306。操作306設置驅動元件120於第二區域Z2的頂面130a上。

如此一來，發光元件110的頂面117a相對於基材140的頂面140a的高度大於或等於驅動元件120的頂面120a相對於基材140的頂面140a的高度。

請參照第9圖，其為根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置100C的製造方法300C的流程圖。如第9圖中所示，製造方法300C包括操作308。操作308形成接合層130於基材140的頂面140a上，其中接合層130包括第一區域Z1與第二區域Z2。其中操作308還包括在第一區域Z1的接合層130中設置金屬板132，使得接合層130的頂面130a在第一區域Z1的高度大於在第二區域Z2的高度。

製造方法300C還包括操作309。操作309將發光元件110設置於第一區域Z1的頂面130a上。製造方法300C還包括操作310。操作310將驅動元件120設置於第二區域Z2的頂面130a上。

如此一來，發光元件110的頂面117a相對於基材140的頂面140a的高度大於或等於驅動元件120的頂面120a相對於基材140的頂面140a的高度。

請參照第10圖，其為根據本揭露的另一些實施方式的顯示裝置200A的製造方法400A的流程圖。如第10圖中所示，製造方法400A包括操作401。操作401在發光元件110位於暫存基材上時，控制製程（例如蝕刻、研磨或剝離製程），以保留部分緩衝層或犧牲層作為發光元件110的頂層118。

製造方法400A還包括操作402。操作402形成接合層130於基材140的頂面140a上。製造方法400A還包括操作403。操作403將驅動元件120設置於接合層130的頂面130a上。

製造方法400A還包括操作404。操作404將發光元件110從暫存基材轉移至接合層130的頂面130a上，其中頂層118的頂面118a相對於基材140的頂面140a的高度大於或等於驅動元件120的頂面120a相對於基材140的頂面140a的高度。

請參照第11圖，其為根據本揭露的另一些實施方式的顯示裝置200B的製造方法400B的流程圖。如第11圖中所示，製造方法400B包括操作405。操作405在發光元件110的頂面117a上形成乾膜（dry film）或固體薄膜（solid film）作為頂層118。

製造方法400B還包括操作406。操作406形成接合層130於基材140的頂面140a上。製造方法400B還包括操作407。操作407將驅動元件120設置於接合層130上。

製造方法400B還包括操作408。操作408將發光元件110設置於接合層130上，其中頂層118的頂面118a相對於基材140的頂面140a的高度大於或等於驅動元件120的頂面120a相對於基材140的頂面140a的高度。

舉例來說，操作405在發光元件110位於暫存基材上時，在三個發光元件110的頂面117a上分別形成乾膜（dry film）或固體薄膜（solid film）作為頂層118，並在操作408中，將發光元件110從暫存基材轉移至接合層130的頂面130a上，其中頂層118的頂面118a相對於基材140的頂面140a的高度大於或等於驅動元件120的頂面120a相對於基材140的頂面140a的高度。

以上對於本揭露之具體實施方式之詳述，可以明顯地看出，於本揭露的一些實施方式的顯示裝置及其製造方法中，藉由使發光元件的頂面相對於基材的高度大於驅動元件的頂面相對於基材的高度，可以避免發光元件替換或修補時損傷周邊發光元件或驅動元件，降低替換修補的困難度。進一步來説，通過調整基材上的接合層的地勢高低或在發光元件的頂面上增加頂層，使發光元件的頂面高於驅動元件的頂面，因而便於拾取。此外，藉由頂層連接多個發光元件，可以提高拾取效率。相對於常見的顯示裝置及其製造方法，可以提高替換修補的效率，並避免周邊電子元件的誤損。

前面描述內容僅對於本揭露之示例性實施例給予說明和描述，並無意窮舉或限制本揭露所公開之發明的精確形式。以上教示可以被修改或者進行變化。

被選擇並說明的實施例是用以解釋本揭露之內容以及他們的實際應用從而激發本領域之其他技術人員利用本揭露及各種實施例，並且進行各種修改以符合預期的特定用途。在不脫離本揭露之精神和範圍的前提下，替代性實施例將對於本揭露所屬領域之技術人員來說為顯而易見者。因此，本發明的範圍是根據所附發明申請專利範圍而定，而不是被前述說明書和其中所描述之示例性實施例所限定。

10:電路

100A,100B,100C,200A,200B:顯示裝置

110:發光元件

111,121:電極接墊

112:導電層

113,123:導電線路

114:共用連接墊

115:電極

116:絕緣層

117:發光疊層

117a,118a,120a,130a,140a:頂面

118:頂層

120:驅動元件

122:引腳

125:驅動控制訊號線路

130:接合層

131:導電凸塊

132:金屬板

140:基材

300A,300B,300C,400A,400B:製造方法

301,302,303,304,305,306,308,309,310,401,402,403,404,405,406,407,408:操作

Z1:第一區域

Z2:第二區域

H1,H2,H3:高度差

圖式繪示了本揭露的一個或多個實施例，並且與書面描述一起用於解釋本揭露之原理。在所有圖式中，儘可能使用相同的圖式標記指代實施例的相似或相同元件，其中： 第1圖為繪示根據本揭露的一些實施方式的電路的示意圖。 第2圖為繪示根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置的局部剖面圖。 第3圖為繪示根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置的局部剖面圖。 第4圖為繪示根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置的局部剖面圖。 第5圖為繪示根據本揭露的另一些實施方式的顯示裝置的局部剖面圖。 第6圖為繪示根據本揭露的另一些實施方式的顯示裝置的局部剖面圖。 第7圖為繪示根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置的製造方法的流程圖。 第8圖為繪示根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置的製造方法的流程圖。 第9圖為繪示根據本揭露的一些實施方式的顯示裝置的製造方法的流程圖。 第10圖為繪示根據本揭露的另一些實施方式的顯示裝置的製造方法的流程圖。 第11圖為繪示根據本揭露的另一些實施方式的顯示裝置的製造方法的流程圖。

國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

100A:顯示裝置

110:發光元件

111:電極接墊

112:導電層

115:電極

116:絕緣層

117:發光疊層

117a,120a,130a,140a:頂面

120:驅動元件

122:引腳

130:接合層

140:基材

Z1:第一區域

Z2:第二區域

H1,H2:高度差

Claims (11)

1. 一種顯示裝置，包含：一基材，具有一頂面；一接合層，位於該基材的該頂面上方；一發光元件，設置於該接合層的一頂面上且接觸該接合層；以及一驅動元件，設置於該接合層的該頂面上且接觸該接合層，其中該發光元件的一頂面相對於該基材的該頂面的一高度大於或等於該驅動元件的一頂面相對於該基材的該頂面的一高度。
2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該接合層包含一第一區域與一第二區域，其中該第一區域的一頂面高於該第二區域的一頂面，該發光元件設置於該第一區域的該頂面上，該驅動元件設置於該第二區域的該頂面上。
3. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該第一區域包含位於該接合層中的至少一導電凸塊。
4. 如請求項2所述之顯示裝置，其中該第一區域包含位於該接合層中的至少一金屬板。
5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該發光元件具有一頂層，使得該發光元件的該頂面高於該驅動元件的該頂面。
6. 如請求項1所述之顯示裝置，其中該發光元件的該頂面相對於該驅動元件的該頂面的一高度為2微米至3微米。
7. 一種顯示裝置之製造方法，包含：設置一接合層於一基材的一頂面上方；設置一驅動元件於該接合層的一頂面上且接觸該接合層；以及設置一發光元件於該接合層的該頂面上且接觸該接合層，其中該發光元件的一頂面相對於該基材的該頂面的一高度大於或等於該驅動元件的一頂面相對於該基材的該頂面的一高度。
8. 如請求項7所述之顯示裝置之製造方法，其中該設置該接合層使得該接合層包含一第一區域與一第二區域，且使得該第一區域的一頂面高於該第二區域的一頂面。
9. 如請求項8所述之顯示裝置之製造方法，其中該發光元件設置於該第一區域的該頂面上，該驅動 元件設置於該第二區域的該頂面上。
10. 如請求項8所述之顯示裝置之製造方法，進一步包含設置至少一導電凸塊於該接合層的該第一區域中。
11. 如請求項8所述之顯示裝置之製造方法，進一步包含設置至少一金屬板於該接合層的該第一區域中。