JP2015109258A - 発光装置及び発光装置の作製方法 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
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-
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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Abstract
Description
本実施の形態では、本発明の一態様のフレキシブルな発光装置と、該発光装置の作製方法について図1〜図12を用いて説明する。
図2(A)に発光装置の平面図を示し、図2(B)、(C)に、図2(A)の一点鎖線X1−Y1間の断面図の一例をそれぞれ示す。図2(A)〜(C)に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。
図3(A1)に発光装置の平面図を示し、図3(B)に、図3(A1)の一点鎖線X21−Y21間の断面図を示す。図3(B)に示す発光装置は塗り分け方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。
図3(A2)に発光装置の平面図を示し、図3(C)に、図3(A2)の一点鎖線X22−Y22間の断面図を示す。図3(C)に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用いたボトムエミッション型の発光装置である。
図4(A)に発光装置の平面図を示し、図4(B)に、図4(A)の一点鎖線X3−Y3間の断面図を示す。図4(A)、(B)に示す発光装置はボトムエミッション型の発光装置である。
図5(A)に発光装置の平面図を示し、図5(B)に、図5(A)の一点鎖線X4−Y4間の断面図を示す。図5(A)、(B)に示す発光装置はトップエミッション型の発光装置である。
次に、発光装置に用いることができる材料の一例を示す。
可撓性基板には、可撓性を有する材料を用いる。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いることができる。さらに、発光装置における発光を取り出す側の基板には、可視光を透過する材料を用いる。可撓性基板が可視光を透過しなくてもよい場合、金属基板等も用いることができる。
接着層や接合層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等のガスバリア性の高い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
絶縁層424や絶縁層226には、ガスバリア性の高い絶縁層を用いることが好ましい。また、第1の接合層407と第2の電極403の間に、ガスバリア性の高い絶縁層が形成されていてもよい。
本発明の一態様の発光装置に用いるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のトランジスタのいずれのトランジスタ構造としてもよい。また、トランジスタに用いる材料についても特に限定されない。例えば、シリコンやゲルマニウム、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを適用することができる。半導体の結晶性については特に限定されず、非晶質半導体、又は結晶性を有する半導体(微結晶半導体、多結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体)のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化が抑制されるため好ましい。シリコンとしては、非晶質シリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン等を用いることができ、酸化物半導体としては、In−Ga−Zn−O系金属酸化物等を用いることができる。
本発明の一態様の発光装置に用いる有機EL素子の構造は特に限定されない。トップエミッション構造の有機EL素子を用いてもよいし、ボトムエミッション構造の有機EL素子を用いてもよいし、デュアルエミッション構造の有機EL素子を用いてもよい。
着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
トランジスタの電極や配線、又は有機EL素子の補助電極や補助配線等として機能する導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム(In2O3等)、酸化スズ(SnO2等)、酸化亜鉛(ZnO)、ITO、インジウム亜鉛酸化物(In2O3−ZnO等)又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
光取り出し構造としては、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を用いることができる。例えば、基板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。
接続体497としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、2種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。
以下では、図2(A)、(B)に示すカラーフィルタ方式を用いたトップエミッション構造の発光装置(上記構成例1)を作製する例を示す。
装置の作製方法2は、1回目の剥離工程までは装置の作製方法1と同様に行う。以降では、図7(D)の後の工程を詳述する。
以下では、図3(A)、(B)に示す塗り分け方式を用いたトップエミッション構造の発光装置(上記構成例2)を作製する例を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製における、接合層を硬化させる方法の一例を説明する。
接合層の材料として光硬化樹脂を用いる場合、光硬化樹脂を硬化するための光を、作製基板や剥離層、被剥離層が透過する必要がある。
次に、第2の接合層404に、熱硬化樹脂を用いる場合の例を示す。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いた電子機器及び照明装置について、図15を用いて説明する。
103 接着層
105 素子層
107 第1の接合層
109 第2の接合層
111 第2の可撓性基板
113 第3の接合層
115 第4の接合層
201 作製基板
203 剥離層
205 被剥離層
213 樹脂層
215 照射領域
221 作製基板
222 吸収層
223 剥離層
224 反射層
225 被剥離層
226 絶縁層
231 可撓性基板
233 第3の接合層
235 第4の接合層
301 作製基板
302 下地膜
303 剥離層
303a 領域
303b 領域
303c 剥離層
304 レジスト
401 第1の電極
402 EL層
403 第2の電極
404 第2の接合層
404a 第2の接合層
404b 第3の接合層
405 絶縁層
406 導電層
407 第1の接合層
408 導電層
409 光取り出し構造
410 導電層
416 導電層
419 可撓性基板
420 可撓性基板
422 接着層
424 絶縁層
426 接着層
428 可撓性基板
431 遮光層
432 着色層
435 導電層
450 有機EL素子
453 オーバーコート
454 トランジスタ
455 トランジスタ
457 導電層
463 絶縁層
465 絶縁層
467 絶縁層
491 発光部
493 駆動回路部
495 FPC
497 接続体
7100 携帯表示装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 送受信装置
7200 照明装置
7201 台部
7202 発光部
7203 操作スイッチ
7204 発光領域
7207 FPC
7210 照明装置
7212 発光部
7220 照明装置
7222 発光部
7300 表示装置
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
Claims (11)
- 第1の可撓性基板と、
第2の可撓性基板と、
前記第1の可撓性基板及び前記第2の可撓性基板の間の発光素子と、
前記第2の可撓性基板及び前記発光素子の間の第1の接合層、及び前記第1の接合層を囲う枠状の第2の接合層と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第2の接合層は、前記第1の接合層よりもガスバリア性が高い発光装置。 - 第1の可撓性基板と、
第2の可撓性基板と、
前記第1の可撓性基板及び前記第2の可撓性基板の間のトランジスタと、
前記トランジスタ及び前記第2の可撓性基板の間の発光素子と、
前記第1の可撓性基板及び前記トランジスタの間の接着層と、
前記第2の可撓性基板及び前記発光素子の間の第1の接合層、及び前記第1の接合層を囲う枠状の第2の接合層と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第2の接合層は、前記第1の接合層よりもガスバリア性が高い発光装置。 - 第1の可撓性基板と、
第2の可撓性基板と、
前記第1の可撓性基板及び前記第2の可撓性基板の間のガスバリア性が高い絶縁層と、
前記絶縁層及び前記第2の可撓性基板の間の発光素子と、
前記第1の可撓性基板及び前記絶縁層の間の接着層と、
前記第2の可撓性基板及び前記発光素子の間の第1の接合層、及び前記第1の接合層を囲う枠状の第2の接合層と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第2の接合層は、前記第1の接合層よりもガスバリア性が高い発光装置。 - 第1の可撓性基板と、
第2の可撓性基板と、
前記第1の可撓性基板及び前記第2の可撓性基板の間のガスバリア性が高い第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層及び前記第2の可撓性基板の間のトランジスタと、
前記トランジスタ及び前記第2の可撓性基板の間の発光素子と、
前記発光素子及び前記第2の可撓性基板の間の着色層と、
前記着色層及び前記第2の可撓性基板の間のガスバリア性が高い第2の絶縁層と、
前記第1の可撓性基板及び前記第1の絶縁層の間の第1の接着層と、
前記着色層及び前記発光素子の間の第1の接合層、及び前記第1の接合層を囲う枠状の第2の接合層と、
前記第2の絶縁層及び前記第2の可撓性基板の間の第2の接着層と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有し、
前記第1の接合層、前記着色層、前記第2の絶縁層、前記第2の接着層、及び前記第2の可撓性基板は、前記発光素子が発する光を透過し、
前記第2の接合層は、前記第1の接合層よりもガスバリア性が高い発光装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に有する電子機器。
- 請求項1乃至4のいずれか一項に記載の発光装置を発光部に有する照明装置。
- 第1の基板上に、第1の剥離層を形成する第1のステップと、
前記第1の剥離層上に、発光素子を含む第1の被剥離層を形成する第2のステップと、
第2の基板上に、第2の剥離層を形成する第3のステップと、
前記第2の剥離層上に、着色層を含む第2の被剥離層を形成する第4のステップと、
第1の接合層と、前記第1の接合層を囲う第2の接合層を用いて、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる第5のステップと、
前記第1の接合層及び前記第2の接合層を硬化する第6のステップと、
前記第1の基板と前記第1の被剥離層を分離する第7のステップと、
前記第1の被剥離層と重なる第3の接合層と、前記第3の接合層を囲う第4の接合層を用いて、前記第2の基板と第1の可撓性基板とを貼り合わせる第8のステップと、
前記第3の接合層及び前記第4の接合層を硬化する第9のステップと、
前記第2の基板と前記第2の被剥離層を分離する第10のステップと、を有する、発光装置の作製方法。 - 請求項7において、
前記第6のステップでは、前記第2の剥離層を介して、前記第1の接合層及び前記第2の接合層に紫外光を照射する工程を有する、発光装置の作製方法。 - 請求項7又は8において、
前記第7のステップの前に、前記第1の基板を介して、前記第1の剥離層にレーザ光を照射する工程を有する、発光装置の作製方法。 - 請求項7乃至9のいずれか一項において、
前記第10のステップの前に、前記第2の基板を介して、前記第2の剥離層にレーザ光を照射する工程を有する、発光装置の作製方法。 - 請求項7乃至10のいずれか一項において、
前記第3のステップは、
前記第2の基板上に、反射層を形成する工程と、
前記反射層上に、吸収層を形成する工程と、
前記吸収層上に、前記第2の剥離層を形成する工程と、を有する、発光装置の作製方法。
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