CN104518128B - 发光装置以及发光装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种具有柔性且可靠性高的发光装置。本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一柔性衬底；第二柔性衬底；第一柔性衬底与第二柔性衬底之间的发光元件；第二柔性衬底与发光元件之间的第一接合层；以及围绕第一接合层的框状的第二接合层，其中，发光元件在一对电极之间包括含有发光有机化合物的层，并且，第二接合层的气体阻隔性高于第一接合层。

Description

发光装置以及发光装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明涉及一种工 序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组件 (composition of matter)。本发明的一个方式涉及一种半导体装置、 发光装置、显示装置、电子设备、照明装置或者其制造方法。本发明的 一个方式尤其涉及一种利用有机电致发光(Electroluminescence，以 下也称为EL)现象的发光装置以及其制造方法。
背景技术
近年来，发光装置或显示装置被期待应用于各种用途，并被要求多 样化。
例如，用于移动设备等的发光装置或显示装置被要求为薄型、轻量 且不易损坏等。
利用EL现象的发光元件(也表示为“EL元件”)具有容易实现薄 型轻量化；能够高速地响应输入信号；以及能够使用直流低电压电源而 驱动的特征等，并且正在研究将其应用于发光装置或显示装置。
例如，专利文献1公开了在薄膜衬底上具备用作开关元件的晶体 管以及有机EL元件的具有柔性的有源矩阵型发光装置。
有机EL元件具有因从外部侵入的水分或氧等杂质而损害可靠性的 课题。
由于水分或氧等杂质从有机EL元件的外部侵入构成有机EL元件 的有机化合物或金属材料，而有时有机EL元件的使用寿命会大幅下降。 这是因为用于有机EL元件的有机化合物或金属材料与水分或氧等杂质 起反应而劣化。
因此，正在积极开发用来防止杂质侵入的密封有机EL元件的技术。
[专利文献1]日本专利申请公开2003-174153号公报
发明内容
本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有柔性且可靠性高的 发光装置、显示装置、电子设备或照明装置。
本发明的一个方式的目的之一是提高具有柔性且可靠性高的发光 装置的制造工序中的成品率。本发明的一个方式的目的之一是抑制在 该发光装置的制造工序中杂质混入。
本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的发光装置、显示 装置、电子设备或照明装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种 轻量的发光装置、显示装置、电子设备或照明装置。本发明的一个方式 的目的之一是提供一种不易损坏的发光装置、显示装置、电子设备或照 明装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种厚度较薄的发光装置、显示装置、电子设备或照明装置。
注意，对上述目的的描述并不妨碍其他目的存在。注意，本发明的 一个方式并不需要实现所有上述目的。上述目的外的目的从说明书、附 图、权利要求书等的描述中是显而易见的，并且可以从所述描述中抽出。
本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一柔性衬底；第二柔 性衬底；第一柔性衬底与第二柔性衬底之间的发光元件；第二柔性衬底 与发光元件之间的第一接合层；以及围绕第一接合层的框状的第二接 合层，其中，发光元件在一对电极之间包括含有发光有机化合物的层， 并且，第二接合层的气体阻隔性高于第一接合层。
本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一柔性衬底；第二柔 性衬底；第一柔性衬底与第二柔性衬底之间的晶体管；晶体管与第二柔 性衬底之间的发光元件；第一柔性衬底与晶体管之间的粘合层；第二柔 性衬底与发光元件之间的第一接合层；以及围绕第一接合层的框状的 第二接合层，其中，发光元件在一对电极之间包括含有发光有机化合物的层，并且，第二接合层的气体阻隔性高于第一接合层。
本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一柔性衬底；第二柔 性衬底；第一柔性衬底与第二柔性衬底之间的气体阻隔性高的绝缘层； 绝缘层与第二柔性衬底之间的发光元件；第一柔性衬底与绝缘层之间 的粘合层；第二柔性衬底与发光元件之间的第一接合层；以及围绕第一 接合层的框状的第二接合层，其中，发光元件在一对电极之间包括含有发光有机化合物的层，并且，第二接合层的气体阻隔性高于第一接合层。
本发明的一个方式是一种发光装置，包括：第一柔性衬底；第二柔 性衬底；第一柔性衬底与第二柔性衬底之间的气体阻隔性高的第一绝 缘层；第一绝缘层与第二柔性衬底之间的晶体管；晶体管与第二柔性衬 底之间的发光元件；发光元件与第二柔性衬底之间的着色层；着色层与 第二柔性衬底之间的气体阻隔性高的第二绝缘层；第一柔性衬底与第一绝缘层之间的第一粘合层；着色层与发光元件之间的第一接合层；围 绕第一接合层的框状的第二接合层；以及第二绝缘层与第二柔性衬底 之间的第二粘合层，其中，发光元件在一对电极之间包括含有发光有机 化合物的层，第一接合层、着色层、第二绝缘层、第二粘合层以及第二 柔性衬底使发光元件所发射的光透过，并且，第二接合层的气体阻隔性 高于第一接合层。
在显示部包括上述各结构的发光装置的电子设备也是本发明的一 个方式。
在发光部包括上述各结构的发光装置的照明装置也是本发明的一 个方式。
注意，本说明书中的发光装置包括使用发光元件的显示装置。另外， 在发光元件安装有连接器诸如各向异性导电薄膜或TCP(Tape Carrier Package：带载封装)的模块、在TCP端部设置有印刷线路板的模块或 者通过COG(Chip On Glass：玻璃覆晶封装)方式在发光元件上直接 安装有IC(集成电路)的模块也都包括在发光装置中。再者，本说明 书中的发光装置还包括用于照明设备等的发光装置。
通过本发明的一个方式，能够提供一种新颖的发光装置、显示装置、 电子设备或照明装置。通过本发明的一个方式，能够提供一种具有柔性 且可靠性高的发光装置、显示装置、电子设备或照明装置。
通过本发明的一个方式，能够提高具有柔性且可靠性高的发光装 置的制造工序中的成品率。通过本发明的一个方式，能够抑制在该发光 装置的制造工序中杂质混入。
注意，对上述效果的描述并不妨碍其他效果存在。注意，本发明的 一个方式并不需要具有所有上述效果。上述效果外的效果从说明书、附 图、权利要求书等的描述中是显而易见的，并且可以从所述描述中抽出。
附图说明
图1A至图1C是说明发光装置的一个例子的图；
图2A至图2C是说明发光装置的一个例子的图；
图3A1、图3A2、图3B、以及图3C是说明发光装置的一个例子的 图；
图4A和图4B是说明发光装置的一个例子的图；
图5A和图5B是说明发光装置的一个例子的图；
图6A至图6D是说明发光装置的制造方法的一个例子的图；
图7A至图7D是说明发光装置的制造方法的一个例子的图；
图8A至图8D是说明发光装置的制造方法的一个例子的图；
图9A至图9D是说明发光装置的制造方法的一个例子的图；
图10A至图10D是说明发光装置的制造方法的一个例子的图；
图11A、图11B1、图11B2、图11B3、图11B4、以及图11C是说明 发光装置的制造方法的一个例子的图；
图12A至图12F是说明剥离层的平面形状的图；
图13A至图13D是说明剥离层的制造方法的一个例子的图；
图14A至图14C是说明发光装置的制造方法的一个例子的图；
图15A至图15G是说明电子设备及照明装置的一个例子的图；
图16是示出样品的透过率的图；
图17A1、图17A2、图17B、以及图17C是示出作为实施例的样品 的发光装置的图；
图18A和图18B是示出作为实施例的对比样品的发光装置的图
图19A至图19G是示出实施例的发光装置的照片；
图20A至图20D是说明使用剥离及转置工序制造具有柔性的样品 的照片；
图21A至图21D是示出可用于发光部的发光装置的一个例子的图；
图22A至图22C是示出可用于发光部的发光装置的一个例子的照 片；
图23A至图23D是说明发光装置的制造方法的一个例子的图；
图24A至图24D是说明发光装置的制造方法的一个例子的图。
具体实施方式
参照附图对实施方式进行详细的说明。注意，本发明不局限于以下 说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就 是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被 变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限于下面所 示的实施方式所记载的内容中。
注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的 附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。 此外，当表示具有相同功能的部分时有时使用相同的阴影线，而不特别 附加附图标记。
另外，为了便于理解，有时在附图等中示出的各结构的位置、大小 及范围等并不表示其实际的位置、大小及范围等。因此，所公开的发明 不一定局限于附图等所公开的位置、大小、范围等。
实施方式1
在本实施方式中，参照图1A至图12F说明本发明的一个方式的具 有柔性的发光装置以及该发光装置的制造方法。
本发明的一个方式的发光装置包括由一对柔性衬底及接合层密封 的发光元件。
由于接合层是露出到发光装置侧面的层，因此若该接合层的气体 阻隔性低，则水分或氧等杂质会从外部侵入有机EL元件。因为杂质侵 入有机EL元件中，例如会导致发光部的收缩(在此是指从发光部端部 开始的亮度劣化或发光部的非发光区的扩大)发生。于是，覆盖有机EL 元件的接合层的气体阻隔性优选为高(尤其是水蒸气透过性或氧透过 性优选为低)。
另外，在作为接合层的材料使用液状组合物的情况下，当固化所引 起的体积减少量较大时，应力会施加到有机EL元件，而有机EL元件 可能会受损，并且导致发光不良的发生。因此，用于接合层的材料的固 化所引起的体积减少量优选为小。
此外，在接合层位于使有机EL元件的发光透过的一侧时，为了提 高发光装置的光提取效率，接合层的透光性优选为高。出于同样的理由， 接合层的折射率优选为高。
如此，接合层被要求的性质有多个，接合层的材料呈现这些性质中 的任两个以上是非常困难的。
于是，本发明的一个方式的发光装置在柔性衬底与有机EL元件之 间设置两种接合层。具体而言，例如将接合层由其气体阻隔性比该接合 层高的接合层围绕。通过将气体阻隔性高于内侧的接合层的材料用于 外侧的接合层，即便使用具有固化时的体积减少量小、透光性(尤其是 可见光的透过性)高或者折射率高等性质的气体阻隔性低的材料等，也能够抑制水分或氧从外部侵入发光装置。因此，能够实现发光部的收缩 得到抑制且可靠性高的发光装置。
例如，气体阻隔性高的层的气体透过量、氧透过量或水蒸气透过量 为1×10-5[g/m2·day]以下，优选为1×10-6[g/m2·day]以下，更优选为1×10-7[g/m2·day]以下，进一步优选为1×10-8[g/m2·day]以下。
图1A至图1C示出本发明的一个方式的发光装置。
图1A所示的发光装置包括第一柔性衬底101；第二柔性衬底111； 第一柔性衬底101与第二柔性衬底111之间的元件层105；第一柔性衬 底101与元件层105之间的粘合层103；第二柔性衬底111与元件层 105之间的第一接合层107；以及围绕第一接合层107的框状的第二接 合层109。元件层105包括有机EL元件。
第二接合层109的气体阻隔性高于第一接合层107。例如，第二接 合层109的气体透过量、氧透过量或水蒸气透过量为1×10-5[g/m2·day] 以下，优选为1×10-6[g/m2·day]以下，更优选为1×10-7[g/m2·day]以下， 进一步优选为1×10-8[g/m2·day]以下。
在膜厚度方向上，有机EL元件与第一接合层107之间的最短距离 优选短于有机EL元件与粘合层103之间的最短距离。在膜厚度方向上， 即便有机EL元件与第一接合层107之间的距离较短，也因为第一接合 层107由气体阻隔性更高的第二接合层109围绕，所以能够抑制杂质 侵入有机EL元件。
例如，元件层105也可以包括粘合层103与第一接合层107之间 的晶体管以及晶体管与第一接合层107之间的有机EL元件。另外，例 如，元件层105也可以包括粘合层103与第一接合层107之间的绝缘 层以及绝缘层与第一接合层107之间的有机EL元件。此时，绝缘层的 气体阻隔性优选为高。绝缘层能够抑制杂质从第一柔性衬底101一侧 侵入有机EL元件。该绝缘层既可以设置于粘合层103与晶体管之间， 又可以设置于晶体管与有机EL元件之间，另外，该绝缘层还可以是构 成晶体管的绝缘层。
图1B和图1C所示的发光装置都包括第一柔性衬底101；第二柔性 衬底111；第一柔性衬底101与第二柔性衬底111之间的元件层105； 第一柔性衬底101与元件层105之间的第三接合层113；围绕第三接合 层113的框状的第四接合层115；第二柔性衬底111与元件层105之间 的第一接合层107；以及围绕第一接合层107的框状的第二接合层109。 元件层105包括有机EL元件。第二接合层109的气体阻隔性高于第一 接合层107，第四接合层115的气体阻隔性高于第三接合层113。
如图1B所示，本发明的一个方式的发光装置也可以具有第二接合 层109及第四接合层115露出到发光装置侧面的结构。另外，如图1C 所示，还可以具有第二接合层109和第四接合层115中的一个覆盖另 一个且第二接合层109和第四接合层115中的一个露出到发光装置侧 面的结构。
下面，说明更具体的结构实例。
〈结构实例1〉
图2A示出发光装置的平面图，图2B和图2C分别示出图2A的锁 链线X1-Y1间的截面图的一个例子。图2A至图2C所示的发光装置为 采用滤色片方式的顶部发射型发光装置。
图2A所示的发光装置包括发光部491、驱动电路部493、FPC (Flexible PrintedCircuit：柔性印刷电路)495。包含在发光部491 及驱动电路部493的有机EL元件或晶体管由柔性衬底420、柔性衬底 428、第一接合层407以及第二接合层404密封。
图2B和图2C所示的发光装置包括：柔性衬底420；粘合层422； 绝缘层424；晶体管455；绝缘层463；绝缘层465；绝缘层405；有机 EL元件450(第一电极401、EL层402及第二电极403)；第一接合层 407；第二接合层404；保护层453；遮光层431；着色层432；绝缘层 226；粘合层426；柔性衬底428；以及导电层457。柔性衬底428、粘 合层426、绝缘层226、第一接合层407、保护层453及第二电极403 使可见光透过。
在图2B和图2C所示的发光装置的发光部491中，在柔性衬底420 上隔着粘合层422及绝缘层424设置有晶体管455以及有机EL元件 450。有机EL元件450包括绝缘层465上的第一电极401、第一电极 401上的EL层402及EL层402上的第二电极403。第一电极401与晶 体管455的源电极或漏电极电连接。第一电极401的端部由绝缘层405 覆盖。第一电极401优选反射可见光。另外，发光装置包括隔着第一接 合层407与有机EL元件450重叠的着色层432以及隔着第一接合层 407与绝缘层405重叠的遮光层431。
驱动电路部493具有多个晶体管。图2B和图2C示出驱动电路部 493所具有的晶体管中的一个晶体管。在本实施方式中，虽然示出驱动 电路部493位于框状的第二接合层404内侧的例子，但也可以位于其 外侧。
导电层457与对驱动电路部493传达来自外部的信号(视频信号、 时钟信号、起始信号或复位信号等)或电位的外部输入端子电连接。在 此，示出作为外部输入端子设置FPC495的例子。另外，在此示出使用 与晶体管455的源电极以及漏电极相同的材料、相同的工序制造导电 层457的例子。绝缘层226上的连接体497与导电层457连接。此外， 连接体497连接于FPC495。FPC495通过连接体497与导电层457电连 接。
通过使导电层457位于第二接合层404外侧，即便在FPC495与连 接体497的连接部以及连接体497与导电层457的连接部中水分等容 易侵入的情况下，也能够抑制水分等杂质侵入有机EL元件450，所以 是优选的。
绝缘层463具有抑制杂质扩散到构成晶体管的半导体中的效果。 另外，为了减小起因于晶体管的表面凹凸，作为绝缘层465优选选择 具有平坦化功能的绝缘层。
图2C与图2B的不同之处是：在图2C中，绝缘层465不露出到发 光装置侧面。在作为绝缘层465的材料使用气体阻隔性低的有机绝缘 材料等时，绝缘层465优选不露出到发光装置侧面。并且，通过使气体 阻隔性高的第二接合层404位于发光装置侧面，能够提高发光装置的 可靠性，所以是优选的。另外，根据绝缘层465的材料等，如图2B所 示那样，绝缘层465可以露出到发光装置的端部。
第二接合层404是气体阻隔性高于第一接合层407的层。所以， 能够抑制水分或氧从发光装置侧面侵入发光装置。因此，能够实现可靠 性高的发光装置。
在结构实例1中，有机EL元件450的发光经过第一接合层407从 发光装置被提取。因此，第一接合层407的透光性优选比第二接合层 404高。另外，第一接合层407的折射率优选比第二接合层404高。此 外，第一接合层407的固化时的体积减少量优选比第二接合层404小。
绝缘层424的气体阻隔性优选为高。由此，能够抑制水分或氧从 柔性衬底420一侧侵入发光装置。同样地，绝缘层226的气体阻隔性 优选为高。由此，能够抑制水分或氧从柔性衬底428一侧侵入发光装 置。
〈结构实例2〉
图3A1示出发光装置的平面图，图3B示出图3A1的锁链线X21- Y21间的截面图。图3B所示的发光装置为采用分别涂布方式的顶部发 射型发光装置。
图3A1所示的发光装置包括发光部491、驱动电路部493、FPC495。 包含在发光部491及驱动电路部493的有机EL元件或晶体管由柔性衬 底420、柔性衬底428、第一接合层407及第二接合层404密封。图3B 示出在第二接合层404的开口部中导电层457与连接体497连接的例 子。
图3B所示的发光装置包括：柔性衬底420；粘合层422；绝缘层 424；晶体管455；绝缘层463；绝缘层465；绝缘层405；有机EL元件 450(第一电极401、EL层402及第二电极403)；第二接合层404；第 一接合层407；柔性衬底428；以及导电层457。柔性衬底428、第一接 合层407及第二电极403使可见光透过。
在图3B所示的发光装置的发光部491中，在柔性衬底420上隔着 粘合层422及绝缘层424设置有晶体管455以及有机EL元件450。有 机EL元件450包括绝缘层465上的第一电极401、第一电极401上的 EL层402及EL层402上的第二电极403。第一电极401与晶体管455 的源电极或漏电极电连接。第一电极401优选反射可见光。第一电极 401的端部由绝缘层405覆盖。
驱动电路部493具有多个晶体管。图3B示出驱动电路部493所具 有的晶体管中的一个晶体管。
导电层457与对驱动电路部493传达来自外部的信号或电位的外 部输入端子电连接。在此，示出作为外部输入端子设置FPC495的例子。
为了防止工序次数的增加，导电层457优选使用与用于发光部或 驱动电路部的电极或布线相同的材料、相同的工序制造。在此，示出使 用与晶体管455的源电极以及漏电极相同的材料、相同的工序制造导 电层457的例子。
第二接合层404是气体阻隔性高于第一接合层407的层。所以， 能够抑制水分或氧从外部侵入发光装置。因此，能够实现可靠性高的发 光装置。
在结构实例2中，有机EL元件450的发光经过第一接合层407从 发光装置被提取。因此，第一接合层407的透光性优选比第二接合层 404高。另外，第一接合层407的折射率优选比第二接合层404高。此 外，第一接合层407的固化时的体积减少量优选比第二接合层404小。
〈结构实例3〉
图3A2示出发光装置的平面图，图3C示出图3A2的锁链线X22- Y22间的截面图。图3C所示的发光装置为采用滤色片方式的底部发射 型发光装置。
图3C所示的发光装置包括：柔性衬底420；粘合层422；绝缘层 424；晶体管454；晶体管455；绝缘层463；着色层432；绝缘层465； 导电层435；绝缘层467；绝缘层405；有机EL元件450(第一电极401、 EL层402及第二电极403)；第二接合层404；第一接合层407；柔性 衬底428；以及导电层457。柔性衬底420、粘合层422、绝缘层424、 绝缘层463、绝缘层465、绝缘层467及第一电极401使可见光透过。
在图3C所示的发光装置的发光部491中，在柔性衬底420上隔着 粘合层422及绝缘层424设置有开关用晶体管454、电流控制用晶体管 455以及有机EL元件450。有机EL元件450包括绝缘层467上的第一 电极401、第一电极401上的EL层402及EL层402上的第二电极403。 第一电极401通过导电层435与晶体管455的源电极或漏电极电连接。 第一电极401的端部由绝缘层405覆盖。第二电极403优选反射可见 光。另外，发光装置包括绝缘层463上的与有机EL元件450重叠的着 色层432。
驱动电路部493具有多个晶体管。图3C示出驱动电路部493所具 有的晶体管中的一个晶体管。
导电层457与对驱动电路部493传达来自外部的信号或电位的外 部输入端子电连接。在此，示出作为外部输入端子设置FPC495的例子。 另外，在此示出使用与晶体管455的源电极以及漏电极相同的材料、 相同的工序制造导电层457的例子。
图3C示出在框状的第二接合层404外侧还设置有框状的第一接合 层407，并在该框状的第一接合层407的开口部中导电层457与连接体 497连接的例子。
有时在位于第二接合层404外侧且其气体阻隔性低于第二接合层 404的第一接合层407的开口部中，在FPC495与连接体497的连接部 以及连接体497与导电层457的连接部等中水分等容易侵入。然而， 气体阻隔性高的第二接合层404位于该连接部与有机EL元件450之 间，因此能够抑制水分等杂质侵入有机EL元件450，所以是优选的。
绝缘层463具有抑制杂质扩散到构成晶体管的半导体中的效果。 另外，为了减小起因于晶体管或布线的表面凹凸，作为绝缘层465及 绝缘层467优选选择具有平坦化功能的绝缘层。
第二接合层404是气体阻隔性高于第一接合层407的层。所以， 能够抑制水分或氧从外部侵入发光装置。因此，能够实现可靠性高的发 光装置。
在结构实例3中，第一接合层407的固化时的体积减少量优选比 第二接合层404小。
另外，在本发明的一个方式中，可以采用在像素中包括有源元件 (非线性元件)的有源矩阵方式或者在像素中不包括有源元件的无源 矩阵方式。
在有源矩阵方式中，作为有源元件，除了晶体管之外还可以使用各 种有源元件。例如，也可以使用MIM(Metal Insulator Metal：金属- 绝缘体-金属)或TFD(Thin FilmDiode：薄膜二极管)等。由于这些元 件的制造工序次数少，因此能够降低制造成本或提高成品率。另外，由 于这些元件的尺寸小，所以可以提高开口率，从而能够实现低功耗化或高亮度化。
由于在无源矩阵方式中不使用有源元件，因此制造工序次数少，从 而能够降低制造成本或提高成品率。另外，因为不使用有源元件，所以 可以提高开口率，从而能够实现低功耗化或高亮度化等。
〈结构实例4〉
图4A示出发光装置的平面图，图4B示出图4A的锁链线X3-Y3间 的截面图。图4A和图4B所示的发光装置为底部发射型发光装置。
图4B所示的发光装置包括：柔性衬底419；粘合层422；绝缘层 424；导电层406；导电层416；绝缘层405；有机EL元件450(第一电 极401、EL层402及第二电极403)；第二接合层404；第一接合层407； 以及柔性衬底428。第一电极401、绝缘层424、粘合层422及柔性衬 底419使可见光透过。
在柔性衬底419上隔着粘合层422及绝缘层424设置有有机EL元 件450。有机EL元件450由柔性衬底419、第二接合层404、第一接合 层407及柔性衬底428密封。有机EL元件450包括第一电极401、第 一电极401上的EL层402及EL层402上的第二电极403。第二电极403优选反射可见光。
第一电极401、导电层406及导电层416的端部由绝缘层405覆 盖。导电层406与第一电极401电连接，而导电层416与第二电极403 电连接。将隔着第一电极401由绝缘层405覆盖的导电层406用作辅 助布线，并且该导电层406与第一电极401电连接。当包括与有机EL 元件的电极电连接的辅助布线时，能够抑制起因于电极电阻的电压下 降，所以是优选的。导电层406也可以设置在第一电极401上。另外， 也可以在绝缘层405上等设置有与第二电极403电连接的辅助布线。
为了提高发光装置的光提取效率，优选在提取来自发光元件的光 的一侧具有光提取结构。图4B示出位于提取来自发光元件的光的一侧 的柔性衬底419兼用作光提取结构的例子。
第二接合层404是气体阻隔性高于第一接合层407的层。所以， 能够抑制水分或氧从外部侵入发光装置。因此，能够实现可靠性高的发 光装置。
在结构实例4中，第一接合层407的固化时的体积减少量优选比 第二接合层404小。
〈结构实例5〉
图5A示出发光装置的平面图，图5B示出图5A的锁链线X4-Y4间 的截面图。图5A和图5B所示的发光装置为顶部发射型发光装置。
图5B所示的发光装置包括：柔性衬底420；粘合层422；绝缘层 424；导电层408；绝缘层405；有机EL元件450(第一电极401、EL 层402及第二电极403)；导电层410；第二接合层404；第一接合层 407；柔性衬底428；以及光提取结构409。第二电极403、第一接合层 407、柔性衬底428及光提取结构409使可见光透过。
在柔性衬底420上隔着粘合层422及绝缘层424设置有有机EL元 件450。有机EL元件450由柔性衬底420、第一接合层407及柔性衬 底428密封。有机EL元件450包括第一电极401、第一电极401上的 EL层402及EL层402上的第二电极403。第一电极401优选反射可见光。在柔性衬底428的表面贴合有光提取结构409。
第一电极401、导电层410的端部由绝缘层405覆盖。导电层410 可以使用与第一电极401相同的工序、相同的材料形成，并与第二电 极403电连接。
将绝缘层405上的导电层408用作辅助布线，并且该导电层408 与第二电极403电连接。导电层408也可以设置在第二电极403上。 另外，也可以与结构实例4同样地包括与第一电极401电连接的辅助 布线。
第二接合层404是气体阻隔性高于第一接合层407的层。所以， 能够抑制水分或氧从发光装置侧面侵入发光装置。因此，能够实现可靠 性高的发光装置。
在结构实例5中，有机EL元件450的发光经过第一接合层407从 发光装置被提取。因此，第一接合层407的透光性优选比第二接合层 404高。另外，第一接合层407的折射率优选比第二接合层404高。此 外，第一接合层407的固化时的体积减少量优选比第二接合层404小。
〈装置的材料〉
接下来，示出可用于发光装置的材料的一个例子。
[柔性衬底]
柔性衬底使用具有柔性的材料。例如，可以使用有机树脂或其厚度 允许其具有柔性的玻璃。并且，发光装置中的提取发光一侧的衬底使用 使可见光透过的材料。在柔性衬底可以不使可见光透过的情况下，还可 以使用金属衬底等。
由于有机树脂的比重小于玻璃，因此通过作为柔性衬底使用有机 树脂，与作为柔性衬底使用玻璃的情况相比，能够使发光装置的重量更 轻，所以是优选的。
作为具有柔性以及透过性的材料，例如可以举出如下材料：聚酯树 脂诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、 聚丙烯腈树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC) 树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、 聚酰胺-酰亚胺树脂或聚氯乙烯树脂等。尤其优选使用热膨胀率低的材 料，例如优选使用聚酰胺-酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂以及PET等。另 外，也可以使用将树脂浸渗于纤维体中的衬底(也称为预浸料)或将无 机填料混合到有机树脂中来降低热膨胀率的衬底。
当在具有柔性以及透过性的材料中含有纤维体时，作为纤维体使 用有机化合物或无机化合物的高强度纤维。具体而言，高强度纤维是指 拉伸弹性模量或杨氏模量高的纤维。作为其典型例子，可以举出聚乙烯 醇类纤维、聚酯类纤维、聚酰胺类纤维、聚乙烯类纤维、芳族聚酰胺类 纤维、聚对苯撑苯并双噁唑纤维、玻璃纤维或碳纤维。作为玻璃纤维， 可以举出使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纤维。这些纤 维体在织物或非纺物的状态下使用，并且作为柔性衬底也可以使用在 该纤维体中浸渍有树脂并固化该树脂而成的结构体。通过作为柔性衬 底使用由纤维体和树脂构成的结构体，可以提高抗弯曲或抗局部挤压 所引起的破损的可靠性，所以是优选的。
为了提高光取出效率，具有柔性及透光性的材料的折射率优选为 高。例如，通过将折射率高的无机填料分散于有机树脂，可以形成其折 射率比仅由该有机树脂构成的衬底高的衬底。尤其优选使用粒径为 40nm以下的较小的无机填料，此时填料可以维持光学透明性。
为了得到柔性或弯曲性，金属衬底的厚度优选为10μm以上且 200μm以下，更优选为20μm以上且50μm以下。金属衬底的导热性高， 因此可以高效率地将起因于发光元件的发光的发热散出。
对构成金属衬底的材料没有特别的限制，但例如优选使用铝、铜、 镍、铝合金或不锈钢等金属的合金等。
柔性衬底可以是叠层结构，其中层叠使用上述材料的层与保护装 置表面免受损伤等的硬涂层(例如，氮化硅层等)或能够分散压力的材 质的层(例如，芳族聚酰胺树脂层等)等。另外，为了抑制因水等导致的 功能元件(尤其是有机EL元件等)的使用寿命下降，也可以具有后述 的气体阻隔性高的绝缘层。
作为柔性衬底也可以使用层叠有多个层的衬底。尤其在采用具有 玻璃层的结构时，可以提高对水或氧的阻挡性，从而能够提供可靠性高 的发光装置。
例如，可以使用从近于有机EL元件的一侧层叠有玻璃层、粘合层 及有机树脂层的柔性衬底。将该玻璃层的厚度设定为20μm以上且200μm以下，优选为25μm以上且100μm以下。该厚度的玻璃层可以同 时实现对水或氧的高阻挡性和柔性。此外，将有机树脂层的厚度设定为 10μm以上且200μm以下，优选为20μm以上且50μm以下。通过将这种 有机树脂层设置于玻璃层外侧，可以防止玻璃层破裂或裂缝，提高玻璃 的机械强度。通过将这种玻璃材料与有机树脂的复合材料应用于衬底， 可以制造可靠性极高的柔性发光装置。
注意，本发明的一个方式的特征之一是：关于贴合一对衬底的接合 层，将第一接合层由气体阻隔性高于该第一接合层的第二接合层围绕。 因此，作为衬底，除了柔性衬底之外还可以使用不具有柔性的玻璃衬底 或强化玻璃。此时，也可以不使用粘合层而直接在衬底上形成元件。在 这种情况下也能够实现一种发光部的收缩得到抑制且可靠性高的发光 装置。
[粘合层、接合层]
作为粘合层或接合层，可以使用紫外线固化粘合剂等光固化粘合 剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂、厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。 作为这些粘合剂，可以举出环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树 脂、聚酰亚胺树脂、酰亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯 醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)树脂等。尤其优选使用环氧 树脂等气体阻隔性高的材料。另外，也可以使用两液混合型树脂。此外， 也可以使用粘合薄片等。
另外，在上述树脂中也可以包含干燥剂。例如，可以使用碱土金属 的氧化物(氧化钙或氧化钡等)等通过化学吸附来吸附水分的物质。或 者，也可以使用沸石或硅胶等通过物理吸附来吸附水分的物质。当在树 脂中包含干燥剂时，能够抑制水分等杂质侵入功能元件，从而提高发光 装置的可靠性，所以是优选的。
此外，通过在上述树脂中混合折射率高的填料或光散射构件，可以 提高发光元件的光提取效率。例如，可以使用氧化钛、氧化钡、沸石、 锆等。
[绝缘层]
绝缘层424或绝缘层226优选使用气体阻隔性高的绝缘层。另外， 也可以在第一接合层407与第二电极403之间形成有气体阻隔性高的 绝缘层。
作为气体阻隔性高的绝缘层，可以举出氮化硅膜、氮氧化硅膜等含 有氮与硅的膜以及氮化铝膜等含有氮与铝的膜等。另外，也可以使用氧 化硅膜、氧氮化硅膜以及氧化铝膜等。
例如，将气体阻隔性高的绝缘层的气体透过量、氧透过量或水蒸气 透过量设定为1×10-5[g/m2·day]以下，优选为1×10-6[g/m2·day]以下，更 优选为1×10-7[g/m2·day]以下，进一步优选为1×10-8[g/m2·day]以下。
另外，可以将上述举出的无机绝缘层用于其他绝缘层。
作为绝缘层463，例如可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜 等无机绝缘层。另外，作为绝缘层465或绝缘层467，例如可以使用聚 酰亚胺、丙烯酸树脂、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、苯并环丁烯类树脂等有 机材料。还可以使用低介电常数材料(low-k材料)等。此外，也可以层 叠多个绝缘层来形成绝缘层465或绝缘层467。
绝缘层405使用有机绝缘材料或无机绝缘材料形成。作为树脂， 例如可以使用聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、丙烯酸树脂、硅氧烷树脂、 环氧树脂或酚醛树脂等。绝缘层405尤其优选使用光敏树脂材料形成。 并且，优选将绝缘层405形成为其侧壁具有连续曲率的倾斜面。
虽然对绝缘层405的形成方法没有特别的限制，但可以利用光刻 法、溅射法、蒸镀法、液滴喷射法(喷墨法等)、印刷法(丝网印刷、胶 版印刷等)等。
[晶体管]
对用于本发明的一个方式的发光装置的晶体管的结构没有特别的 限制。例如，既可以使用交错型晶体管，又可以使用反交错型晶体管。 另外，可以采用顶栅型或底栅型的晶体管结构。此外，对用于晶体管的 材料也没有特别的限制。例如，可以使用将硅、锗或氧化物半导体用于 沟道形成区的晶体管。对半导体的结晶性没有特别的限制，可以使用非晶半导体或结晶半导体(微晶半导体、多晶半导体或其一部分具有结晶 区域的半导体)。当使用结晶半导体时，可以抑制晶体管的特性劣化， 所以是优选的。作为硅可以使用非晶硅、单晶硅或多晶硅等，作为氧化 物半导体可以使用In-Ga-Zn-O类金属氧化物等。
为了实现晶体管的特性稳定化等，优选设置基底膜。作为基底膜， 可以使用氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜等无机绝缘层 并以单层或叠层制造。基底膜可以通过利用溅射法、等离子体CVD法、 涂敷法、印刷法等形成。注意，基底膜若不需要则也可以不设置。在上 述各结构实例中，绝缘层424可以兼用作晶体管的基底膜。
[有机EL元件]
对用于本发明的一个方式的发光装置的有机EL元件的结构没有特 别的限制。可以使用采用顶部发射结构、底部发射结构或双面发射结构 的有机EL元件。
当对一对电极之间施加高于有机EL元件的阈值电压的电压时，空 穴从阳极一侧注入到EL层402中，而电子从阴极一侧注入到EL层402 中。被注入的电子和空穴在EL层402中重新结合，由此，包含在EL层 402中的发光物质发光。
在有机EL元件中，作为提取光一侧的电极使用使可见光透过的导 电膜。另外，作为不提取光一侧的电极优选使用反射可见光的导电膜。
作为使可见光透过的导电膜，例如可以使用氧化铟、铟锡氧化物 (ITO：IndiumTin Oxide)、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌 等形成。另外，也可以通过将金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、 钴、铜、钯或钛等金属材料、包含这些金属材料的合金或这些金属材料 的氮化物(例如，氮化钛)等形成为薄到允许其具有透光性来使用。此 外，可以将上述材料的叠层膜用作导电层。例如，当使用银和镁的合金 与ITO的叠层膜等时，可以提高导电性，所以是优选的。另外，也可以 使用石墨烯等。
作为反射可见光的导电膜，例如可以使用铝、金、铂、银、镍、钨、 铬、钼、铁、钴、铜或钯等金属材料或包含这些金属材料的合金。另外， 也可以在上述金属材料或合金中添加有镧、钕或锗等。此外，反射可见 光的导电膜可以使用铝和钛的合金、铝和镍的合金、铝和钕的合金等包 含铝的合金(铝合金)以及银和铜的合金、银和钯和铜的合金、银和镁 的合金等包含银的合金来形成。包含银和铜的合金具有高耐热性，所以 是优选的。并且，通过以与铝合金膜接触的方式层叠金属膜或金属氧化 物膜，可以抑制铝合金膜的氧化。作为该金属膜、金属氧化物膜的材料， 可以举出钛、氧化钛等。另外，也可以层叠上述使可见光透过的导电膜 与由金属材料构成的膜。例如，可以使用银与ITO的叠层膜、银和镁的 合金与ITO的叠层膜等。
各电极可以通过利用蒸镀法或溅射法形成。除此之外，也可以通过 利用喷墨法等喷出法、丝网印刷法等印刷法、或者镀法形成。
EL层402至少包括发光层。除了发光层以外，EL层402还可以包 括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电 子传输性高的物质、电子注入性高的物质或双极性的物质(电子传输性 及空穴传输性高的物质)等的层。
作为EL层402可以使用低分子化合物或高分子化合物，还可以包 含无机化合物。构成EL层402的各层可以通过利用蒸镀法(包括真空 蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂敷法等方法形成。
注意，在此作为发光元件的一个例子说明有机EL元件，但是本发 明不局限于此，也可以使用其他显示元件、发光元件、半导体元件等。 本发明的一个方式的特征之一是：关于贴合一对衬底的接合层，将第一 接合层由气体阻隔性高于该第一接合层的第二接合层围绕。作为由该 一对衬底和该接合层密封的元件，可以举出显示元件、发光元件或半导 体元件等。
例如，在本说明书等中，显示元件、作为具有显示元件的装置的显 示装置、发光元件、以及作为具有发光元件的装置的发光装置可以采用 各种方式或各种元件。作为显示元件、显示装置、发光元件或发光装置 的一个例子，有对比度、亮度、反射率、透过率等因电磁作用而发生变 化的显示媒体，如EL元件(包含有机物及无机物的EL元件、有机EL元 件、无机EL元件)、LED(白色LED、红色LED、绿色LED、蓝色LED等)、 晶体管(根据电流发光的晶体管)、电子发射元件、液晶元件、电子墨水、 电泳元件、光栅光阀(GLV)、等离子体显示面板(PDP)、MEMS(微电子机 械系统)、数字微镜设备(DMD)、DMS(数码微快门)、IMOD(干涉调制)元 件、电湿润(electrowetting)元件、压电陶瓷显示器、碳纳米管等。作 为使用EL元件的显示装置的一个例子，有EL显示器等。作为使用电 子发射元件的显示装置的一个例子，有场致发射显示器(FED)或SED方 式平面型显示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面传导电子发射显示器)等。作为使用液晶元件的显示装置 的一个例子，有液晶显示器(透过型液晶显示器、半透过型液晶显示器、 反射型液晶显示器、直观型液晶显示器、投射型液晶显示器)等。作为 使用电子墨水或电泳元件的显示装置的一个例子，有电子纸等。
[着色层、遮光层及保护层]
着色层是使特定波长区域的光透过的有色层。例如，可以使用使红 色波长区域的光透过的红色(R)滤色片、使绿色波长区域的光透过的 绿色(G)滤色片、使蓝色波长区域的光透过的蓝色(B)滤色片等。各 着色层通过使用各种材料并利用印刷法、喷墨法、使用光刻法技术的蚀 刻方法等在所需的位置形成。
遮光层设置在相邻的着色层之间。遮光层遮挡来自相邻的有机EL 元件的光，从而抑制相邻的有机EL元件之间的混色。在此，通过以其 端部与遮光层重叠的方式设置着色层，可以抑制漏光。作为遮光层，可 以使用遮挡来自有机EL元件的发光的材料，例如使用金属材料、或者 包含颜料或染料的树脂材料形成黑矩阵，即可。另外，通过将遮光层设 置于驱动电路部等发光部之外的区域中，可以抑制起因于波导光等的 非意图的漏光，所以是优选的。
另外，也可以设置覆盖着色层及遮光层的保护层。通过设置保护层， 可以防止着色层所含有的杂质等扩散到有机EL元件。保护层由使来自 有机EL元件的发光透过的材料构成，例如可以使用氮化硅膜、氧化硅 膜等无机绝缘层或丙烯酸树脂膜、聚酰亚胺膜等有机绝缘层，也可以使 用有机绝缘层和无机绝缘层的叠层结构。
此外，当将第一接合层407的材料涂敷于着色层432及遮光层431 上时，作为保护层的材料优选使用对第一接合层407的材料具有高润 湿性的材料。例如，作为保护层453(参照图2C)，优选使用ITO膜等 氧化物导电膜或其厚度薄使得允许其具有透光性的Ag膜等金属膜。
[导电层]
作为用作晶体管的电极或布线、或者有机EL元件的辅助电极或辅 助布线等的导电层，例如可以通过使用钼、钛、铬、钽、钨、铝、铜、 钕、钪等金属材料或含有上述元素的合金材料并以单层或叠层形成。另 外，导电层可以使用导电金属氧化物形成。作为导电金属氧化物，可以 使用氧化铟(In2O3等)、氧化锡(SnO2等)、氧化锌(ZnO)、ITO、铟锌氧化 物(In2O3-ZnO等)或者在这些金属氧化物材料中含有氧化硅的材料。
另外，辅助布线的厚度可以为0.1μm以上且3μm以下，优选为 0.1μm以上且0.5μm以下。
当作为辅助布线的材料使用膏(银膏等)时，构成辅助布线的金属 成为粒状而凝集。因此，辅助布线的表面成为粗糙且间隙多的结构，EL 层难以完全覆盖辅助布线，从而上部电极与辅助布线容易电连接，所以 是优选的。
[光提取结构]
作为光提取结构，也可以使用半球透镜、微透镜阵列、具有凹凸结 构的薄膜或光扩散薄膜等。例如，通过使用具有与该衬底、该透镜或该 薄膜相同程度的折射率的粘合剂等将上述透镜或上述薄膜粘合在衬底 上，可以形成光提取结构。
[连接体]
作为连接体497，可以使用对热固化树脂混合金属粒子的膏状或片 状的通过热压接合呈现各向异性的导电材料。作为金属粒子，优选使用 层叠有两种以上的金属的粒子，例如镀有金的镍粒子等。
〈装置的制造方法1〉
下面，示出制造图2A和图2B所示的采用滤色片方式的顶部发射 结构的发光装置(上述结构实例1)的例子。
首先，如图6A所示那样在形成用衬底201上形成剥离层203，在 剥离层203上形成被剥离层205。在此，虽然示出形成岛状的剥离层的 例子，但不局限于此。另外，也可以将被剥离层205形成为岛状。在该 工序中，选择当将被剥离层205从形成用衬底201剥离时，在形成用 衬底201与剥离层203的界面处、剥离层203与被剥离层205的界面 处或剥离层203中产生剥离的材料。在本实施方式中，虽然例示出在 被剥离层205与剥离层203的界面产生剥离的情况，但是根据用于剥 离层203或被剥离层205的材料的组合而不限于此。注意，当被剥离 层205采用叠层结构时，尤其将与剥离层203接触的层记载为第一层。
例如，在剥离层203采用钨膜与氧化钨膜的叠层结构的情况下， 当在钨膜与氧化钨膜的界面(或者界面附近)产生剥离时，也可以在被 剥离层205一侧残留着剥离层203的一部分(在此为氧化钨膜)。另外， 残留在被剥离层205一侧的剥离层203也可以在剥离之后去掉。
作为形成用衬底201，使用至少可承受制造工序中的处理温度的耐 热性的衬底。作为形成用衬底201，例如可以使用玻璃衬底、石英衬底、 蓝宝石衬底、半导体衬底、陶瓷衬底、金属衬底、树脂衬底以及塑料衬 底等。
为了提高量产性，作为形成用衬底201优选使用大型玻璃衬底。 例如，可以使用第3代(550mm×650mm)，第3.5代(600mm×720mm或 620mm×750mm),第4代(680mm×880mm或730mm×920mm)，第5代 (1100mm×1300mm)，第6代(1500mm×1850mm)，第7代(1870mm×2200mm)， 第8代(2200mm×2400mm)，第9代(2400mm×2800mm或2450mm×3050mm)， 第10代(2950mm×3400mm)等的玻璃衬底，或者，可以使用比上述玻璃 衬底更大型的玻璃衬底。
在作为形成用衬底201使用玻璃衬底的情况下，在形成用衬底201 与剥离层203之间作为基底膜形成氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜、 氮氧化硅膜等绝缘层时，可以防止来自玻璃衬底的污染，所以是优选的。
剥离层203可以使用如下材料形成：选自钨、钼、钛、钽、铌、镍、 钴、锆、锌、钌、铑、钯、锇、铱、硅中的元素；包含该元素的合金材 料；或者包含该元素的化合物材料等。包含硅的层的结晶结构可以为非 晶、微晶或多晶。此外，也可以使用氧化铝、氧化镓、氧化锌、二氧化 钛、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌或In-Ga-Zn氧化物等金属氧化物。 当将钨、钛、钼等高熔点金属材料用于剥离层203时，被剥离层205的 形成工序的自由度得到提高，所以是优选的。
剥离层203例如可以通过溅射法、等离子体CVD法、涂敷法(包 括旋涂法、液滴喷射法、分配器法等)、印刷法等形成。剥离层203的 厚度例如为10nm以上且200nm以下，优选为20nm以上且100nm以下。
当剥离层203采用单层结构时，优选形成钨层、钼层或者包含钨 和钼的混合物的层。另外，也可以形成包含钨的氧化物或氧氮化物的层、 包含钼的氧化物或氧氮化物的层、或者包含钨和钼的混合物的氧化物 或氧氮化物的层。此外，钨和钼的混合物例如相当于钨和钼的合金。
另外，当作为剥离层203形成包含钨的层和包含钨的氧化物的层 的叠层结构时，可以通过形成包含钨的层且在其上层形成由氧化物形 成的绝缘层，来使包含钨的氧化物的层形成在钨层与绝缘层的界面。此 外，也可以对包含钨的层的表面进行热氧化处理、氧等离子体处理、一 氧化二氮(N2O)等离子体处理、使用臭氧水等氧化性高的溶液的处理等形成包含钨的氧化物的层。另外，等离子体处理或加热处理可以在单独 使用氧、氮、一氧化二氮的气氛下或者在上述气体和其他气体的混合气 体气氛下进行。通过进行上述等离子体处理或加热处理来改变剥离层 203的表面状态，由此可以控制剥离层203和在后面形成的绝缘层之间 的粘合性。
另外，当能够在形成用衬底与被剥离层的界面进行剥离时，也可以 不设置剥离层。例如，作为形成用衬底使用玻璃衬底，以接触于玻璃衬 底的方式形成聚酰亚胺、聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚碳酸酯以及丙烯酸 树脂等有机树脂，并在该有机树脂上形成绝缘膜以及晶体管等。在此情 况下，通过使用激光等局部性地加热有机树脂，可以在形成用衬底与有 机树脂的界面进行剥离。或者，也可以通过在形成用衬底与有机树脂之 间设置金属层，并且通过使电流流过该金属层加热该金属层，在金属层 与有机树脂的界面进行剥离。此时，可以将有机树脂用作发光装置的衬 底。另外，也可以使用粘合剂将有机树脂与其他衬底贴合在一起。
对作为被剥离层205形成的层没有特别的限制。在此，为了制造 图2B所示的结构的发光装置，首先依次形成绝缘层424、晶体管455、 绝缘层463、绝缘层465。然后，在绝缘层463及绝缘层465的一部分 中形成开口，形成与晶体管的源电极或漏电极电连接的第一电极401。 另外，导电层457也使用与晶体管的源电极及漏电极相同的工序、相 同的材料形成。
绝缘层424优选使用氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化 硅膜等并以单层或叠层形成。
该绝缘层可以通过溅射法、等离子体CVD法、涂敷法或印刷法等 形成，例如通过采用等离子体CVD法在250℃以上且400℃以下的成膜 温度下形成该绝缘层，可以形成致密且气体阻隔性高的膜。另外，绝缘 层的厚度优选为10nm以上且3000nm以下，更优选为200nm以上且 1500nm以下。
然后，形成覆盖第一电极401端部的绝缘层405。接着，在第一电 极401及绝缘层405上形成EL层402，并在EL层402上形成第二电极 403。在此，绝缘层424至第二电极403相当于被剥离层205。
另外，如图6B所示，在形成用衬底221上依次形成剥离层223及 被剥离层225。在此，作为被剥离层225，在剥离层223上形成绝缘层 226，在绝缘层226上形成遮光层431及着色层432，并且在遮光层431 及着色层432上形成保护层453。
接着，使用第一接合层407及第二接合层404将形成用衬底201 与形成用衬底221以各自的形成有被剥离层的面相对的方式贴合在一 起，并固化第一接合层407及第二接合层404(图6C)。在此，在被剥 离层225上设置框状的第二接合层404和位于框状的第二接合层404 内侧的第一接合层407之后，将形成用衬底201与形成用衬底221相 对并贴合在一起。
固化第一接合层407及第二接合层404的方法根据用于各层的材 料而不同，但例如既可以在常温下固化，又可以通过加热或光照射使其 固化。
在被剥离层使用耐热性低的材料时，优选在该材料可承受的温度 以下进行加热。例如，由于在本实施方式中被剥离层含有有机EL元件， 因此在作为接合层的材料使用热固化树脂时，优选在80℃以下进行加 热。
另外，在作为接合层的材料使用光固化树脂时，将使用来固化该光 固化树脂的光透过的材料用于形成用衬底201、剥离层203及被剥离层 205、或者形成用衬底221、剥离层223及被剥离层225。此时，各层的 该光的透过率高于0％即可，优选为1％以上，越高越好。
关于固化第一接合层407及第二接合层404的方法的具体例子， 将在实施方式2中进行说明。
注意，优选在减压气氛下将形成用衬底201与形成用衬底221贴 合在一起。
在此，如图23A所示，在被剥离层225上形成的第一接合层407与 第二接合层404也可以不接触。当将形成用衬底201与形成用衬底221 贴合在一起时，第一接合层407和第二接合层404中的一方或双方被 压扁而扩张，因此如图6C或图11A所示那样第一接合层407和第二接 合层404中的一方或双方也可以发生变形。
另外，当将形成用衬底201与形成用衬底221贴合在一起时，有 时在第一接合层407与第二接合层404之间残留有气泡。含有气泡的 部分的机械强度低，有时容易产生裂缝。因此，如图23B及图23C等 所示，也可以在衬底的角部附近设置不包括第二接合层404的部分， 从而容易使气泡泄漏到第二接合层404外侧。此外，将形成用衬底201 与形成用衬底221贴合在一起之后的第一接合层407及第二接合层404 的形状不局限于图11A，如图23D所示，第二接合层404也可以不连成 一个。
例如，如图24A所示，在被剥离层(在此为被剥离层225)上形成 第一接合层407及第二接合层404，在减压气氛下将形成用衬底201与 形成用衬底221贴合在一起。此时，如图24B所示那样，第二接合层404被压扁而向纸面横向扩张。在此，当横向扩张较小并且第一接合层 407厚度和第二接合层404厚度(纸面纵向的长度)有差异时，如图 24B中的以虚线围绕的部分那样有时产生台阶。
再者，如图24B所示，当在第一接合层407与第二接合层404之 间具有被减压的中空区域时，因为要将在减压气氛下贴合衬底的制造 过程中的发光装置暴露于大气压，所以第一接合层407和第二接合层 404中的一方或双方扩张到中空区域。例如，如图24C所示，有时第一 接合层407扩张到中空区域并且第一接合层407厚度变小，从而第一 接合层407厚度和第二接合层404厚度的差异进一步扩大，由此产生 较大的台阶。
因此，在本发明的一个方式的发光装置中，端部附近的膜的厚度与 该端部内侧的中央部的膜的厚度有差异。例如，如图24C所示那样发 光装置的端部附近的膜的厚度可以比中央部的膜的厚度更厚，如图24D 所示样也可以更薄。
另外，在制造途中或完成制造的发光装置中的有厚度差异(台阶) 的部分中，容易发生构成被剥离层的膜剥离等的情况，这有时会导致剥 离的成品率下降、装置的可靠性下降。此外，当在发光区域中发光装置 的厚度有差异时，有时会使显示质量下降诸如产生干涉条纹等。
因此，在本发明的一个方式的发光装置中，发光部的端部附近的膜 的厚度与该端部内侧的中央部的膜的厚度优选大致相同。此时，发光部 端部附近的膜的厚度与位于该发光部的端部外侧的发光装置端部附近 的膜的厚度也可以不同。另外，在本发明的一个方式的发光装置中，干 涉条纹与发光装置端部的距离优选为短。例如，该距离优选为30mm以内、20mm以内、10mm以内等。通过使干涉条纹与发光装置端部的距离 变短，在发光装置中可以扩大可用于发光区域的区域，所以是优选的。
并且，在本发明的一个方式的发光装置中，端部附近的膜的厚度与 该端部内侧的中央部的膜的厚度(例如，发光部的中央部的膜的厚度或 发光部的端部附近的膜的厚度)优选大致相同。
具体而言，通过适当地选择第一接合层407及第二接合层404的 厚度、材料、涂敷量等，能够抑制在第一接合层407与第二接合层404 的界面附近产生发光装置的厚度差异。
另外，在图6C中，虽然示出剥离层203与剥离层223的大小相同 的情况，但也可以如图6D所示那样使用大小不同的剥离层。
第一接合层407及第二接合层404以与剥离层203、被剥离层205、 被剥离层225及剥离层223重叠的方式配置。并且，第二接合层404的 端部优选位于剥离层203和剥离层223中的至少一方(要先剥离的层) 的端部内侧。由此，能够抑制形成用衬底201与形成用衬底221紧紧 粘合在一起，从而能够抑制后面的剥离工序的成品率下降。
在此，第二接合层404的材料的固化前流动性优选低于第一接合 层407的材料的固化前流动性。通过在由框状的第二接合层404围绕 的内部中填充有第一接合层407，能够抑制第一接合层407及第二接合 层404扩张到剥离层203的外侧，并能够抑制剥离工序的成品率下降。
不限制第一接合层407及第二接合层404的形成顺序。例如，既 可以在利用丝网印刷法等形成第一接合层407之后，利用涂敷法等形 成第二接合层404。另外，又可以在利用涂敷法等形成第二接合层404 之后，使用ODF(One Drop Fill：滴下式液晶注入)方式的装置等形 成第一接合层407。
接着，通过照射激光形成剥离起点(图7A、图7B)。
对固化状态的第二接合层404、被剥离层205、剥离层203互相重 叠的区域照射激光(参照图7A的箭头P1)。
通过至少在第一层(包含在被剥离层205中且与剥离层203接触 的层)中形成裂缝(使膜裂或裂口产生)，去除第一层的一部分来形成 剥离起点(参照图7B中的以虚线围绕的区域)。此时，除了第一层之 外，还可以去除被剥离层205中的其他层、剥离层203或第二接合层 404的一部分。通过照射激光，可以使膜的一部分溶解、蒸发或热破坏。
虽然可以从任一衬底侧照射激光，但优选从设置有要剥离的剥离 层的衬底一侧照射激光。当对剥离层203与剥离层223重叠的区域照 射激光时，通过在被剥离层205和被剥离层225中仅在被剥离层205 形成裂缝，可以选择性地剥离形成用衬底201及剥离层203。注意，照 射激光一侧的衬底使用使该激光透过的材料。
图11B1至图11B4示出图11A中的以锁链线围绕的区域E的放大 图。各放大图例示出激光的照射区域215。
在进行剥离工序时优选使被剥离层205与剥离层203分离的力量 集中在剥离起点上，因此优选在比固化状态的第二接合层404的中央 部更靠近端部附近形成剥离起点。尤其是，在端部附近当中，与边部附 近相比，更优选在角部附近形成剥离起点。
例如，如图11B1至图11B3所示那样，激光的照射区域215也可 以位于固化状态的第二接合层404与剥离层203重叠的区域。注意， 如图11B4所示，接触于第二接合层404的边地照射激光的情况也是对 固化状态的第二接合层404与剥离层203重叠的区域照射激光的方式 之一。
另外，如图11B1、图11B3及图11B4所示，当通过间断地对第二 接合层404的端部附近照射激光以虚线状形成剥离起点时，容易进行 剥离，所以是优选的。
此外，也可以通过连续或间断地对固化状态的第二接合层404与 剥离层203重叠的区域照射激光来框状地形成实线状或虚线状的剥离 起点。
对用来形成剥离起点的激光没有特别的限制。例如，可以使用连续 振荡型激光或脉冲振荡型激光。激光的照射条件(频率、功率密度、能 量密度、束分布等)根据形成用衬底及剥离层的厚度或材料等而适当地 控制。
接着，从所形成的剥离起点将被剥离层205与形成用衬底201分 离(图7C、图7D)。由此，可以将被剥离层205从形成用衬底201转 置到形成用衬底221。
此时，优选将一方的衬底固定于抽吸台等。例如，也可以将形成用 衬底201固定于抽吸台，将被剥离层205从形成用衬底201剥离。另 外，也可以将形成用衬底221固定于抽吸台，将形成用衬底201从形 成用衬底221剥离。
例如，从剥离起点利用物理力(用手或夹具进行剥离的处理、或者 使辊子转动进行分离的处理等)将被剥离层205与形成用衬底201分 离，即可。
另外，也可以通过使水等液体浸透到剥离层203与被剥离层205 的界面来将形成用衬底201与被剥离层205分离。由于毛细现象液体 渗到剥离层203与被剥离层205之间，由此可以容易进行分离。此外， 能够抑制剥离时产生的静电给包含在被剥离层205的功能元件带来不 良影响(由于静电而使半导体元件损坏等)。
接着，使用粘合层422将从形成用衬底201剥离的被剥离层205 与柔性衬底420贴合在一起，并固化粘合层422(图8A)。
接着，使用切割器等锋利的刀具形成剥离起点(图8B、图8C)。
在可以使用刀具等切割没有设置剥离层223一侧的柔性衬底420 的情况下，也可以在柔性衬底420、粘合层422以及被剥离层225中形 成切口(参照图8B的箭头P2)。由此，去除第一层的一部分，可以形 成剥离起点(参照图8C中的以虚线围绕的区域)。
在此，虽然示出在固化状态的第二接合层404与剥离层223重叠 的区域中框状地形成切口来以实线状形成剥离起点的例子，但不局限 于此。另外，也可以在剥离层223中形成切口。
如图8B、图8C所示，当具有使用粘合层422将形成用衬底221与 柔性衬底420贴合在一起而没有与剥离层223重叠的区域时，有时根 据形成用衬底221与柔性衬底420的密接性程度而使后面的剥离工序 的成品率下降。因此，优选在固化状态的粘合层422与剥离层223重 叠的区域中框状地形成切口来以实线状形成剥离起点。由此，能够提高 剥离工序的成品率。
接着，从所形成的剥离起点将被剥离层225与形成用衬底221分 离(图8D)。由此，可以将被剥离层225从形成用衬底221转置到柔性 衬底420。
然后，进行使导电层457露出的工序以及使用粘合层426将绝缘 层226与柔性衬底428贴合在一起的工序。先进行哪个工序都可以。
不限制为了使导电层457露出而去除与导电层457重叠的层的方 法。例如，可以通过使用针或切割器等刀具或照射激光等对绝缘层226 等形成损坏来去除包括绝缘层226等的一部分的区域，利用该去除的 区域为契机来去除与导电层457重叠的层。例如，将具有粘着性的辊 子压在绝缘层226上，使该辊子转动而相对地移动。或者，将具有粘着 性的胶带贴合到绝缘层226而剥离。
注意，也可以预先在绝缘层463及绝缘层465的与导电层457重 叠的区域设置开口部，在该开口部使用与EL层402相同的工序、相同 的材料形成EL层，并使用与第二电极403相同的工序、相同的材料形 成导电层。由于EL层与导电层的密接性或构成EL层的层之间的密接 性低，因此在EL层与导电层的界面处或EL层中产生分离。由此，可 以选择性地去除绝缘层226、接合层、EL层或导电层的与导电层457重 叠的区域。另外，当在导电层457上残留有EL层等时，使用有机溶剂 等去除即可。
在上述的本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，照射激光 或使用锋利的刀具等形成剥离起点，使剥离层与被剥离层处于容易剥 离的状态，然后进行剥离。由此，能够提高剥离工序的成品率。
另外，在本制造方法中，在预先将分别设置有被剥离层的一对形成 用衬底贴合之后，进行剥离，从而可以贴合柔性衬底。因此，当贴合被 剥离层时，可以将柔性低的形成用衬底相互贴合在一起，与将柔性衬底 相互贴合在一起时相比，能够提高贴合时的位置对准精度。因此，本制 造方法可以说是贴合有机EL元件与滤色片时的位置对准精度高的制造方法。
另外，通过在固化状态的第二接合层404与剥离层重叠的区域中 开始剥离，可以由第一接合层407和第二接合层404对被剥离层进行 双重密封。因此，能够制造因水分或氧而导致的有机EL元件劣化得到 抑制的可靠性高的发光装置。
注意，在图8D中，虽然示出第二接合层404的端部由粘合层422 覆盖的状态，但是本发明的一个方式的发光装置不局限于此。在粘合层 422的气体阻隔性高的情况下，通过将第二接合层404的端部由粘合层 422覆盖，能够抑制杂质侵入发光装置，所以是优选的。或者，也可以 通过切割发光装置的端部，使第二接合层404露出到发光装置侧面。 由此，可以使发光装置的非发光区变窄(可以使发光装置的边框变窄)。 在本发明的一个方式中，由于第二接合层404使用气体阻隔性高的层， 因此即便第二接合层404露出到发光装置侧面也能够抑制发光装置的 可靠性下降。
〈装置的制造方法2〉
到第一次剥离工序为止，装置的制造方法2与装置的制造方法1 相同。下面，详细地说明图7D之后的工序。
使用第三接合层233及第四接合层235将从形成用衬底201分离 的被剥离层205与柔性衬底231贴合在一起，并固化第三接合层233 及第四接合层235(图9A)。在此，在被剥离层225上设置框状的第四 接合层235以及位于第四接合层235内侧的第三接合层233，并将被剥 离层225与柔性衬底231贴合在一起。
注意，优选在减压气氛下将被剥离层205与柔性衬底231贴合在 一起。
接着，通过照射激光形成剥离起点(图9B、图9C)。
在此，对固化状态的第四接合层235照射激光(参照图9B的箭头 P3)。可以通过去除第一层的一部分形成剥离起点(参照图9C中的以 虚线围绕的区域)。此时，除了第一层之外，还可以去除被剥离层225 中的其他层、剥离层223或第四接合层235的一部分。
优选从设置有剥离层223的形成用衬底221一侧照射激光。
接着，从所形成的剥离起点将被剥离层225与形成用衬底221分 离(图9D)。由此，可以将被剥离层205以及被剥离层225转置到柔性 衬底231。
然后，进行使导电层457露出的工序以及使用粘合层426将绝缘 层226与柔性衬底428贴合在一起的工序。先进行哪个工序都可以。
在上述的本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，在将分别 设置有剥离层及被剥离层的一对形成用衬底贴合在一起之后，通过照 射激光形成剥离起点，使各自的剥离层与被剥离层处于容易剥离的状 态之后进行剥离。由此，能够提高剥离工序的成品率。
另外，在预先将分别设置有被剥离层的一对形成用衬底贴合之后， 进行剥离，从而可以贴合构成要制造的装置的衬底。因此，当贴合被剥 离层时，可以将柔性低的形成用衬底相互贴合在一起，与将柔性衬底相 互贴合在一起时相比，能够提高贴合时的位置对准精度。
另外，通过在固化状态的第二接合层404与剥离层重叠的区域中 开始剥离，可以由第一接合层407和第二接合层404对被剥离层进行 双重密封。因此，能够制造因水分或氧而导致的有机EL元件劣化得到 抑制的可靠性高的发光装置。
在图9D所示的结构中，因为有机EL元件450由第一接合层407、 第二接合层404、第三接合层233以及第四接合层235密封，所以能够 抑制杂质侵入发光装置。注意，本发明的一个方式的发光装置不局限于 此。也可以通过切割发光装置的端部，去除第三接合层233及第四接 合层235的至少一部分，从而使第二接合层404露出到发光装置侧面。 由此，可以使发光装置的非发光区变窄(可以使边框变窄)。在本发明 的一个方式中，由于第二接合层404使用气体阻隔性高的层，因此即 便第二接合层404露出到发光装置侧面也能够抑制发光装置的可靠性 下降。
〈装置的制造方法3〉
下面，示出制造图3A和图3B所示的采用分别涂布方式的顶部发 射型发光装置(上述结构实例2)的例子。
另外，通过改变被剥离层的结构，上述结构实例3至5也可以用 相同的方法制造。
首先，如图10A所示，在形成用衬底201上形成剥离层203，在剥 离层203上形成被剥离层205。作为被剥离层205，形成与装置的制造 方法1相同的层。注意，在此采用分别涂布方式，因此有机EL元件450 所包括的EL层402的至少一部分根据像素被分割。
接着，使用第一接合层407及第二接合层404将形成用衬底201 与柔性衬底428贴合在一起，并固化第一接合层407及第二接合层404 (图10B)。在此，在柔性衬底428上设置框状的第二接合层404和位 于框状的第二接合层404内侧的第一接合层407之后，将形成用衬底201与柔性衬底428相对并贴合在一起。
注意，优选在减压气氛下将形成用衬底201与柔性衬底428贴合 在一起。
在此，第一接合层407及第二接合层404以与剥离层203及被剥 离层205重叠的方式配置。并且，如图10B所示那样，第二接合层404 的端部优选不位于剥离层203的端部外侧。当第二接合层404具有不 与剥离层203重叠的区域时，有时根据该区域的面积或第二接合层404 与其所接触的层的密接性程度而容易发生剥离不良。因此，第二接合层 404优选位于剥离层203内侧，或者，第二接合层404的端部优选与剥 离层203的端部对齐。
另外，如图11C所示那样，也可以在第一接合层407及第二接合 层404外侧设置树脂层213。图11C示出从柔性衬底428一侧观看时的 平面图以及该平面图中的锁链线A1-A2间的截面图(在平面图中未图 示柔性衬底428)。通过设置树脂层213，即便在制造工序中暴露于大 气气氛中也能够抑制水分等杂质混入被剥离层205。
此外，当树脂层213处于固化状态时，有时根据形成用衬底201与 柔性衬底428的密接性程度而使后面的剥离工序的成品率下降。因此， 优选使树脂层213的至少一部分处于半固化状态或未固化状态。通过 将粘度高的材料用于树脂层213，即便树脂层213处于半固化状态或未 固化状态也能够提高抑制大气中的水分等杂质混入被剥离层205的效 果。
另外，例如也可以通过作为树脂层213使用光固化树脂并对其一 部分照射光，使树脂层213的一部分处于固化状态。通过使树脂层213 的一部分处于固化状态，即便在工序中将装置从减压气氛中移动到大 气气氛中的情况下，也能够将形成用衬底201与柔性衬底428的间隔 及位置保持为一定，所以是优选的。此外，在装置的制造方法1、2中 也优选形成树脂层213。
接着，通过照射激光形成剥离起点(图10B、图10C)。
对固化状态的第二接合层404、被剥离层205、剥离层203互相重 叠的区域照射激光(参照图10B的箭头P4)。
可以通过去除第一层的一部分形成剥离起点(参照图10C中的以 虚线围绕的区域)。此时，除了第一层之外，还可以去除被剥离层205 中的其他层、剥离层203或第二接合层404的一部分。
虽然可以从任一衬底侧照射激光，但为了抑制散射的光照射到有 机EL元件等，优选从设置有剥离层203的形成用衬底201一侧照射激 光。
接着，从所形成的剥离起点将被剥离层205与形成用衬底201分 离(图10D)。由此，可以将被剥离层205从形成用衬底201转置到柔 性衬底428。
在上述的本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，通过照射 激光形成剥离起点，使剥离层203与被剥离层205处于容易剥离的状 态之后进行剥离。由此，能够提高剥离工序的成品率。
注意，虽然在上述中通过照射激光形成剥离起点，但是在可以使用 切割器等锋利的刀具切割柔性衬底428的情况下，也可以在柔性衬底 428、第二接合层404及被剥离层205中形成切口。由此，可以去除第 一层的一部分来形成剥离起点。
然后，进行使导电层457露出的工序以及使用粘合层422将被剥 离层205与柔性衬底420贴合在一起的工序。先进行哪个工序都可以。
另外，通过在固化状态的第二接合层404与剥离层203重叠的区 域中开始剥离，可以由第一接合层407和第二接合层404对被剥离层 205进行双重密封。因此，能够制造因水分或氧而导致的有机EL元件 劣化得到抑制的可靠性高的发光装置。
如上所述，能够进行剥离及转置的区域的端部位于剥离层203的 端部内侧。如图12A至图12C所示，要剥离的被剥离层205以其端部 位于剥离层203的端部内侧的方式形成。当具有多个要剥离的被剥离 层205时，既可以如图12B所示那样对每个被剥离层205设置剥离层 203，又可以如图12C所示那样在一个剥离层203上设置多个被剥离层 205。
参照图20A至图20D说明通过进行剥离及转置制造具有柔性的样 品的一个例子。在此，示出将被剥离层从玻璃衬底转置到有机树脂薄膜 衬底的例子。
作为样品的制造方法，首先在600mm×720mm的玻璃衬底上作为剥 离层形成岛状的钨膜(579mm×696mm)。然后，在剥离层上形成被剥离层。 作为被剥离层，层叠钨膜上的无机绝缘膜、无机绝缘膜上的多个晶体管、 多个晶体管上的粘合层以及粘合层上的有机树脂薄膜衬底。图20A示 出形成在玻璃衬底上的多个晶体管。
并且，使用剥离层将玻璃衬底与被剥离层分离。如图20B所示，从 玻璃衬底剥离的被剥离层具有柔性。然后，使用粘合层将有机树脂薄膜 衬底贴合到露出的无机绝缘膜。由此，能够制造图20C和图20D所示 的一对有机树脂薄膜衬底之间夹有被剥离层的具有柔性的样品。另外， 在图20C和图20D中，作为有机树脂薄膜衬底使用不同的材料。在图 20D中，使用对可见光的透光性比图20C高的薄膜(具体为PEN薄膜)。
作为被剥离层，使用本发明的一个方式形成有机EL元件或第一接 合层及第二接合层，由此与上述同样地能够制造600mm×720mm以上的 大型发光装置。
如上所述，在本发明的一个方式中，在柔性衬底与有机EL元件之 间设置第一接合层以及第二接合层。通过将第一接合层由气体阻隔性 高于该第一接合层的第二接合层围绕，即便第一接合层使用具有固化 时的体积减少量小、透光性(尤其是可见光的透过性)高或者折射率高 等性质的气体阻隔性低的材料等，也能够抑制水分或氧从外部侵入发 光装置。因此，能够实现发光部的收缩得到抑制且可靠性高的发光装置。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式2
在本实施方式中，说明制造本发明的一个方式的发光装置时的固 化接合层的方法的一个例子。
在本实施方式中，说明固化图2A和图2B所示的发光装置中的第 一接合层407或第二接合层404时的情况。如图6C所示，第一接合层 407或第二接合层404在一个面侧与形成用衬底201、剥离层203及被 剥离层205重叠而在另一个面侧与形成用衬底221、剥离层223及被剥 离层225重叠。
能够进行剥离及转置的区域的端部位于剥离层的端部内侧，因此 为了制造包括第一接合层407及第二接合层404的发光装置，需要与 剥离层重叠地设置第一接合层407及第二接合层404。并且，还需要经 过剥离层使第一接合层407及第二接合层404固化。
下面举出两个固化接合层的工序的例子。第一个例子示出将光固 化树脂用于第一接合层407或第二接合层404的情况。第二个例子示 出将热固化树脂用于第二接合层404的情况。
〈接合层的固化方法1〉
在作为接合层的材料使用光固化树脂时，用来使该光固化树脂固 化的光需要透过形成用衬底、剥离层或被剥离层。
在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，作为剥离层使用 钨膜和氧化钨膜的叠层结构，并在钨膜与氧化钨膜的界面(或者界面附 近)处进行剥离，因此能够将形成用衬底与被剥离层分离。
在此，如钨膜等金属膜那样，根据材料，其厚度过大的剥离层的透 光性就会降低，此时用来使光固化树脂固化的光不容易透过该剥离层。 这引起光固化树脂不能固化或者到使光固化树脂固化为止需要很长时 间等问题。
因此，剥离层中的用来固化光固化树脂的光的透过率优选为大于 0％，更优选大于或等于1％。
另一方面，若使剥离层的厚度过薄，则有时剥离工序的成品率下降。 另外，若厚度较薄，则有时不容易以均匀的厚度成膜。
因此，剥离层的厚度优选为2nm以上，更优选为5nm以上。
例如，图16示出如下样品的透过率，该样品是作为图6A所示的 形成用衬底201使用玻璃衬底，作为剥离层203使用钨膜，并且作为 被剥离层205使用600nm厚的氧氮化硅膜和200nm厚的氮化硅膜的叠 层的样品。
图16分别示出钨膜的厚度为5nm、15nm以及30nm的情况的结果。
即便在钨膜的厚度为30nm时，也其紫外线透过率为2至3％左右， 因此可知能够经过样品使紫外线固化树脂固化。另外，钨膜越薄，透过 率越高，因此可知能够经过样品确实地或在短时间内使紫外线固化树 脂固化。
图12D至图12F示出制造本发明的一个方式的发光装置时使用的 剥离层的顶面形状的一个例子。
图12D是将光固化树脂分别用于第一接合层407以及第二接合层 404时使用的剥离层的例子。在图12D中，在形成用衬底301上以岛状 设置有剥离层303。此时，剥离层303的厚度以使固化用于各接合层的 光固化树脂的光透过的方式决定。由此，能够固化用于第一接合层407 以及第二接合层404的光固化树脂，从而能够提高发光装置的可靠性。 另外，在将剥离层303的厚度设定为2nm以上时，能够抑制剥离层303 的成膜工序或剥离工序中的成品率下降，所以是优选的。
图12E和图12F是将光固化树脂用于第二接合层404时使用的剥 离层的例子。
在图12E中，设置于形成用衬底301上的岛状的剥离层以框状具 有膜厚度比区域303b薄的区域303a。区域303a以与第二接合层404 重叠的方式形成。
在图12F中，设置于形成用衬底301上的岛状的剥离层以框状具 有多个膜厚度比区域303b薄的格子状的区域303a。区域303a以与第 二接合层404重叠的方式形成。
图12E和图12F所示的区域303a的厚度以使固化用于第二接合层 404的光固化树脂的光透过的方式决定。由此，能够固化用于第二接合 层404的光固化树脂，从而能够提高发光装置的可靠性。另外，在将区 域303a的厚度设定为2nm以上时，能够抑制剥离层的成膜工序或剥离 工序中的成品率下降，所以是优选的。此外，若比区域303a更厚的区 域303b过厚，则在成膜或进行膜的加工时需要时间，所以区域303b的 厚度优选为2nm以上且1000nm以下，更优选为5nm以上且100nm以 下。
参照图13A至图13D说明具有厚度较薄的区域303a以及厚度较厚 的区域303b的剥离层的制造方法的一个例子。
首先，如图13A所示，在形成用衬底301上形成基底膜302，在基 底膜302上形成剥离层303。
在此，作为剥离层303使用25nm厚的钨膜。
接着，如图13B所示，在剥离层303上形成抗蚀剂304。
并且，通过利用光刻工序将剥离层303加工为多个岛状的剥离层 303c。
然后，在基底膜302及剥离层303c上还形成剥离层。在此，形成 5nm厚的钨膜。
通过上述步骤，能够形成具有厚度大约30nm的区域303b以及厚 度大约5nm的区域303a的剥离层。通过与要固化的接合层重叠地设置 厚度较薄的区域303a，能够在短时间内更确实地固化接合层。
虽然上面例示出将钨用于剥离层的情况，但是本发明不局限于此。 在将透光性根据厚度发生变化的材料(金属等)用于剥离层的情况下， 同样地通过将与接合层重叠的区域的至少一部分形成为薄到其允许使 用来固化光固化树脂的光透过，能够更确实地固化接合层。当经过剥离 层使接合层固化时，能够将接合层包括在发光装置中，从而能够提高发 光装置的可靠性。
〈接合层的固化方法2〉
接下来，示出将热固化树脂用于第二接合层404的情况的例子。
在将热固化树脂用于接合层时，可以通过使用加热器等热源、或者 灯或激光等光源的加热处理固化接合层。在使用灯光或激光时，形成用 衬底、剥离层或被剥离层需要使该光透过。
在被剥离层包括耐热性低的滤色片或有机EL元件的情况下，当作 为接合层的材料使用光固化树脂时，有在加热处理时滤色片或有机EL 元件受热损伤的担忧。
于是，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，与接合层重 叠地形成吸收层。并且，经过吸收层对接合层施加热以使接合层固化。 由此，能够仅对与吸收层重叠的接合层选择性地进行加热。另外，能够 抑制耐热性低的材料被加热。
吸收层是吸收为了加热接合层而照射的光，然后将其转换为热的 层。吸收层优选使用对于照射光具有70％以下的低反射率且具有高吸 收率的材料形成。另外，吸收层优选使用耐热性高的材料形成，以防止 其本身因热而发生变化。作为可用于吸收层的材料，例如优选使用氮化 钛、氮化钽、氮化钼、氮化钨、氮化铬、氮化锰等金属氮化物、或者钼、 钛、钨、碳等。
在剥离层兼用作吸收层时，也可以不另行设置吸收层。
例如，如图14A所示，在形成用衬底221上形成岛状的吸收层222， 形成覆盖吸收层222的剥离层223，并且在剥离层223上形成被剥离层 225。然后，使用第一接合层407以及第二接合层404将隔着剥离层203 设置于形成用衬底201上的被剥离层205与被剥离层225贴合在一起。
注意，虽然图14A示出第二接合层404整体与吸收层222重叠的 例子，但是至少一部分重叠即可。
通过从形成用衬底221一侧照射灯光或激光，吸收层222将光转 换为热。并且，能够由于该热而固化第二接合层404。
另外，在本发明的一个方式的发光装置的制造方法中，与接合层重 叠地形成吸收层，并与耐热性低的有机EL元件等重叠地形成反射层。 然后，经过吸收层对接合层施加热以固化接合层。由此，能够仅对与吸 收层重叠的接合层选择性地进行加热。另外，通过设置反射层，能够抑 制有机EL元件等被加热。
反射层是为了防止对有机EL元件等施加热，反射为加热接合层而 照射的光并遮断光的层。反射层优选使用对于照射的光具有高反射率 的材料形成。具体而言，反射层优选使用对于照射的光具有85％以上， 优选为90％以上的高反射率的材料形成。
作为可用于反射层的材料，例如可以使用铝、银、金、铂、铜、包 含铝的合金(例如，铝-钛合金、铝-钕合金)、或者包含银的合金(银 -钕合金)等。
例如，如图14B所示，在形成用衬底221上设置与有机EL元件或 滤色片重叠的反射层224，在形成用衬底221及反射层224上设置吸收 层222，并且在吸收层222上依次层叠剥离层223以及被剥离层225。 然后，使用第一接合层407以及第二接合层404将隔着剥离层203设 置于形成用衬底201上的被剥离层205与被剥离层225贴合在一起。
注意，虽然图14B示出反射层224与第二接合层404没有重叠的 例子，但也可以部分重叠。
通过从形成用衬底221一侧照射灯光或激光，吸收层222将光转 换为热。并且，能够由于该热而固化第二接合层404。
另外，在设置与有机EL元件或滤色片重叠的绝热层时，也可以使 用加热器等热源。作为绝热层，例如可以优选使用氧化钛、氧化硅、氧 氮化硅、氧化锆、碳化钛等。绝热层使用导热率比用于反射层及吸收层 的材料低的材料。
作为用于加热处理的灯，可以使用以闪光灯(氙气闪光灯、氪闪光 灯等)、氙气灯、金卤灯为代表的放电灯；以卤素灯、钨灯为代表的发 热灯。
另外，作为用于加热处理的激光，可以使用Ar激光器、Kr激光器 或受激准分子激光器等气体激光器；介质为在其中作为掺杂剂添加有 Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一种或多种的单晶YAG、YVO4、 镁橄榄石(Mg2SiO4)、YAlO3、GdVO4或者为其中作为掺杂剂添加有Nd、 Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一种或多种的多晶(陶瓷)YAG、 Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4的激光器；玻璃激光器；红宝石激光器；翠绿 宝石激光器；和Ti:蓝宝石激光器；铜蒸气激光器；或金蒸气激光器等。
另外，在制造的发光装置可以包括吸收层222或反射层224的情 况下，如图14C所示，也可以在剥离层223上形成吸收层222或反射 层224。此时，不限制形成构成被剥离层225的各层、吸收层以及反射 层的顺序。
如上所述，在使用热固化树脂形成接合层时，通过设置吸收层，能 够选择性地加热接合层。另外，通过设置反射层，能够抑制耐热性低的 有机EL元件因热而受损伤。由此，能够确实地进行接合层的固化。此 外，能够抑制发光装置的可靠性下降。
通过使用本实施方式所说明的固化接合层的方法，可以将热固化 树脂或光固化树脂用于接合层。另外，能够在短时间内确实地固化接合 层。此外，即便进行加热处理也能够抑制有机EL元件或滤色片受热损 伤。另外，即便将剥离层形成为薄到其允许使光透过，也能够抑制剥离 工序的成品率下降。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式3
在本实施方式中，参照图15A至图15G说明使用本发明的一个方 式的发光装置的电子设备以及照明装置。
通过使用本发明的一个方式的发光装置，能够制造可靠性高且具 有柔性的电子设备或照明装置。
作为电子设备，例如可以举出电视装置(也称为电视或电视接收 机)、用于计算机等的显示屏、数码相机、数码摄像机、数码相框、移 动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)、便携式游戏机、便携式信 息终端、音频播放装置、弹珠机等大型游戏机等。
此外，由于本发明的一个方式的发光装置具有柔性，因此也可以沿 着房屋及高楼的内壁或外壁、或者汽车的内部装饰或外部装饰的曲面 组装该发光装置。
图15A示出移动电话的一个例子。移动电话机7400除了组装在框 体7401的显示部7402之外还具备操作按钮7403、外部连接端口7404、 扬声器7405、麦克风7406等。另外，将本发明的一个方式的发光装置 用于显示部7402来制造移动电话机7400。通过本发明的一个方式，能 够提供一种具备弯曲的显示部且可靠性高的移动电话机。
在图15A所示的移动电话机7400中，通过用手指等触摸显示部 7402可以输入信息。此外，通过用手指等触摸显示部7402可以进行打 电话或输入文字等所有操作。
此外，通过操作按钮7403的操作，可以切换电源的ON、OFF工作 或显示在显示部7402的图像的种类。例如，可以将电子邮件的编写画 面切换为主菜单画面。
图15B是腕带型的便携式显示装置的一个例子。便携式显示装置 7100包括框体7101、显示部7102、操作按钮7103以及收发装置7104。
便携式显示装置7100能够由收发装置7104接收图像信号，且能 够将所接收的图像显示在显示部7102。此外，也可以将声音信号发送 到其他接收设备。
此外，可以由操作按钮7103进行电源的ON、OFF工作、显示的图 像的切换或者音量的调整等。
在此，显示部7102组装有本发明的一个方式的发光装置。通过本 发明的一个方式，能够提供一种具备弯曲的显示部且可靠性高的便携 式显示装置。
图15C至图15E示出照明装置的一个例子。照明装置7200、照明 装置7210及照明装置7220都包括具备操作开关7203的底座7201以 及由底座7201支撑的发光部。
图15C所示的照明装置7200具备具有波状发光面的发光部7202。 因此，其为设计性高的照明装置。
图21A示出可用于图15C所示的发光部7202的发光装置的一个例 子。图21A所示的发光装置7209包括能够在弯曲的状态下发光的发光 面板7205。该发光面板7205具有柔性且包括具有凸曲面及凹曲面的发 光区域7204。另外，发光区域7204位于发光装置7209的正面。
图21B和图21C示出发光装置7209的背面的平面图的例子。并 且，图21B还示出平面图的锁链线Z1-Z2间的截面图，图21C示出平 面图的锁链线Z3-Z4间的截面图。另外，图21B和图21C例示出没有 弯曲的状态的发光装置7209。
如图21B所示，发光装置也可以在背面包括与发光面板7205电连 接的FPC7207以及支撑体7206。
另外，如图21C所示，发光装置也可以在背面包括与发光面板7205 电连接的FPC7207以及覆盖FPC7207的支撑体7206。
此外，如图21D所示，通过在支撑体7206的两侧都设置FPC以及 发光面板，能够制造双面发光的发光装置。
作为支撑体7206，除了实施方式1所示的柔性衬底之外，还可以 使用弯曲的非柔性衬底。通过使发光面板7205沿着支撑体7206弯曲， 能够实现具有波状的发光面的发光部7202。
图22A示出发光装置7209的一个例子的透视图，图22B示出其平 面图。另外，图22C示出图21B所示的结构中的FPC7207与支撑体7206 的位置关系。
图15D所示的照明装置7210所具备的发光部7212采用弯曲为凸 状的两个发光部对称地配置的结构。因此，可以以照明装置7210为中 心全方位地进行照射。
图15E所示的照明装置7220具备弯曲为凹状的发光部7222。因 此，将来自发光部7222的发光聚集到照明装置7220的前面，所以适 用于照亮特定范围的情况。
此外，因为照明装置7200、照明装置7210及照明装置7220所具 备的各发光部具有柔性，所以也可以采用使用可塑性构件或可动框架 等构件固定发光部并按照用途能够随意弯曲发光部的发光面的结构。
虽然在此例示了由底座支撑发光部的照明装置，但是也可以以将 具备有发光部的框体固定或吊在天花板上的方式使用照明装置。由于 能够在使发光面弯曲的状态下使用照明装置，因此能够使发光面以凹 状弯曲而照亮特定区域或者使发光面以凸状弯曲而照亮整个房间。
在此，在各发光部中组装有本发明的一个方式的发光装置。通过本 发明的一个方式，能够提供一种具备弯曲的发光部且可靠性高的照明 装置。
图15F示出便携式显示装置的一个例子。显示装置7300具备框体 7301、显示部7302、操作按钮7303、显示部取出构件7304以及控制 部7305。
显示装置7300在筒状的框体7301内具备有卷成卷筒状的柔性显 示部7302。
此外，显示装置7300能够由控制部7305接收影像信号，且能够 将所接收的影像显示于显示部7302。此外，控制部7305具备电池。此 外，也可以采用在控制部7305具备有连接连接器的端子部以有线的方 式从外部直接供应影像信号或电力的结构。
此外，可以由操作按钮7303进行电源的ON、OFF工作或显示的影 像的切换等。
图15G示出使用显示部取出构件7304取出显示部7302的状态的 显示装置7300。在此状态下，可以在显示部7302上显示影像。另外， 通过使用配置在框体7301的表面上的操作按钮7303，可以容易地以单 手操作。此外，如图15F所示那样，通过将操作按钮7303配置在框体 7301的一侧而不是中央，可以容易地以单手操作。
另外，为了在取出显示部7302时使该显示部7302的显示面成为 平面状而将显示部7302固定，也可以在显示部7302的侧部设置用来 加固的框。
此外，除了该结构以外，也可以采用在框体中设置扬声器并使用与 影像信号同时接收的音声信号输出音声的结构。
显示部7302组装有本发明的一个方式的发光装置。通过本发明的 一个方式，能够提供一种轻量且可靠性高的显示装置。
本实施方式可以与其他实施方式自由地组合。
实施例
在本实施例中，制造本发明的一个方式的具有柔性的发光装置，并 且对其可靠性进行评价。
图17A1示出本实施例所制造的样品1的平面图，图17B示出图 17A1的锁链线X5-Y5间的截面图。另外，图17A2示出本实施例所制造 的样品2的平面图，图17C示出图17A2的锁链线X6-Y6间的截面图。 此外，图18A示出作为对比例子制造的对比样品的平面图，图18B示出图18A的锁链线X7-Y7间的截面图。
另外，在本实施例的样品中，关于与实施方式1所说明的结构实 例1(图2A、图2B)相同的结构，有时省略其说明。另外，在本实施 例的样品的制造方法中，关于与实施方式1所说明的装置的制造方法 1(图6A至图8D)相同的结构，有时省略其说明。
样品1包括柔性衬底420；柔性衬底428；柔性衬底420与柔性衬 底428之间的晶体管455；晶体管455与柔性衬底428之间的有机EL 元件450；柔性衬底428与有机EL元件450之间的第一接合层407； 以及围绕第一接合层407的框状的第二接合层404a。
在样品1中，包含在发光部491以及驱动电路部493中的有机EL 元件或晶体管由柔性衬底420、柔性衬底428、第一接合层407以及第 二接合层404a密封。
样品1与结构实例1(图2A、图2B)的不同之处是：样品1在绝 缘层226与第二接合层404a之间包括第一接合层407。
样品2包括柔性衬底420；柔性衬底428；柔性衬底420与柔性衬 底428之间的晶体管455；晶体管455与柔性衬底428之间的有机EL 元件450；柔性衬底428与有机EL元件450之间的第一接合层407； 围绕第一接合层407的框状的第三接合层404b；以及围绕第三接合层404b的框状的第二接合层404a。
在样品2中，包含在发光部491以及驱动电路部493中的有机EL 元件或晶体管由柔性衬底420、柔性衬底428、第一接合层407、第三 接合层404b以及第二接合层404a密封。
在本发明的一个方式的发光装置中，围绕第一接合层407的第二 接合层404a和第三接合层404b中的至少一方的气体阻隔性优选高于 第一接合层407，更优选的是，双方的气体阻隔性都高于第一接合层 407。
样品2与结构实例1(图2A、图2B)的不同之处是：样品2包括 第三接合层404b，并在绝缘层226与第二接合层404a之间以及绝缘层 226与第三接合层404b之间分别包括第一接合层407。
对比样品包括柔性衬底420；柔性衬底428；柔性衬底420与柔性 衬底428之间的晶体管455；晶体管455与柔性衬底428之间的有机 EL元件450；以及柔性衬底428与有机EL元件450之间的第一接合层 407。
在对比样品中，包含在发光部491以及驱动电路部493中的有机 EL元件或晶体管由柔性衬底420、柔性衬底428以及第一接合层407 密封。
对比样品与结构实例1(图2A、图2B)的不同之处是：对比样品 不包括第二接合层404。
作为样品1、样品2以及对比样品的制造方法，首先在一对形成用 衬底上分别形成剥离层，然后在各剥离层上形成被剥离层。作为各剥离 层，都形成30nm厚的钨膜。作为一方的形成用衬底上的被剥离层，形 成图17B中的绝缘层424至有机EL元件450的叠层结构。作为另一方 的形成用衬底上的被剥离层，形成图17B中的绝缘层226至保护层453 的叠层结构。
接着，在样品1中，使用第一接合层407以及第二接合层404a将 一对形成用衬底以各自的形成有被剥离层的面相对的方式贴合在一起， 并固化第一接合层407以及第二接合层404a。
另外，在样品2中，使用第一接合层407、第二接合层404a及第 三接合层404b将一对形成用衬底以各自的形成有被剥离层的面相对的 方式贴合在一起，并固化第一接合层407、第二接合层404a及第三接 合层404b。
此外，在对比样品中，使用第一接合层407将一对形成用衬底以 各自的形成有被剥离层的面相对的方式贴合在一起，并固化第一接合 层407。
在每个样品中，第一接合层407使用热固化树脂。通过以80℃进 行加热处理两小时固化第一接合层407。
在样品1中，第二接合层404a使用紫外线固化树脂。通过照射紫 外线200秒钟固化第二接合层404a。
在样品2中，第二接合层404a使用紫外线固化树脂，而第三接合 层404b使用包含沸石的紫外线固化树脂。可以将沸石用作干燥剂。通 过照射紫外线200秒钟固化第二接合层404a以及第三接合层404b。另 外，在因为干燥剂吸附水分等而使用包含该干燥剂的树脂形成的接合 层具有较小的水蒸气透过量的情况下，即便其树脂本身的气体阻隔性 较低，也可以说该接合层是气体阻隔性较高的层。
如实施方式2所说明的接合层的固化方法1所示的透过率结果那 样，在样品1及样品2中，能够经过30nm厚的钨膜固化紫外线固化树 脂。
另外，在每个样品中，都在减压气氛下进行贴合。
接着，通过照射激光形成剥离起点。尤其在样品1及样品2中， 对与固化状态的第二接合层404a重叠的区域照射激光。由此，能够使 样品1成为具有包括第二接合层404a以及第一接合层407的结构的发 光装置，并使样品2成为具有包括第二接合层404a、第三接合层404b 以及第一接合层407的结构的发光装置。
并且，从所形成的剥离起点将被剥离层与第一个形成用衬底分离。
然后，使用粘合层将所露出的被剥离层与柔性衬底贴合在一起，并 固化粘合层。接着，使用切割器形成剥离起点，从所形成的剥离起点将 被剥离层与第二个形成用衬底分离。
然后，使用粘合层将所露出的被剥离层与柔性衬底贴合在一起，并 固化粘合层。另外，使导电层457露出并使其与FPC495电连接。
对所制造的每个样品进行可靠性测试。具体而言，在高温高湿环境 (温度为65℃，湿度为90％)下保持每个样品。图19A至图19G示出 使用光学显微镜观察每个样品的显示状态的结果。在图19A至图19F 中，上层示出倍率为100倍的照片，下层示出倍率为500倍的照片。 图19G仅示出倍率为100倍的照片。
图19A示出对对比样品进行可靠性测试之前的显示状态。另外， 图19B示出在高温高湿环境下保持并经过100小时之后的对比样品的 显示状态。
图19C示出对样品1进行可靠性测试之前的显示状态。另外，图 19D示出在高温高湿环境下保持并经过500小时之后的样品1的显示 状态。
图19E示出对样品2进行可靠性测试之前的显示状态。另外，图 19F示出在高温高湿环境下保持并经过500小时之后的样品2的显示 状态。此外，图19G示出在高温高湿环境下保持并经过1000小时之后 的样品2的显示状态。
在对比样品中，在从可靠性测试开始起经过100小时之后，确认 到收缩(在此是指从发光部端部开始的亮度劣化或发光部的非发光区 的扩大)的发生。另外，虽然在样品1中从可靠性测试开始起经过500 小时之后，确认到收缩稍微发生，但是在样品2中没有确认到收缩的 发生。此外，从可靠性测试开始起经过1000小时之后，在样品2中， 在一般收缩容易发生的区域的发光部四角中也没有确认到收缩的发生。
由本实施例的结果可知，使用本发明的一个方式的样品1及样品 2的可靠性高于对比样品。如样品1及样品2那样，通过采用包括围绕 第一接合层的框状的接合层的结构，能够抑制水分侵入第一接合层以 及有机EL元件等元件。
另外，如样品2那样，通过作为围绕第一接合层的框状的第三接 合层使用包含干燥剂的树脂并作为围绕第三接合层的框状的第二接合 层使用不包含干燥剂的树脂，能够提高发光装置的可靠性。气体阻隔性 高的第二接合层能够抑制水分等侵入，即便水分透过第二接合层包含 在第三接合层中的干燥剂也可以吸附该水分，因此能够抑制水分侵入 第一接合层以及有机EL元件等元件。

Claims (20)

1.一种发光装置，包括：
第一柔性衬底；
第二柔性衬底；
所述第一柔性衬底与所述第二柔性衬底之间的发光元件；
所述第二柔性衬底与所述发光元件之间的第一接合层；
围绕所述第一接合层的一部分的第二接合层；
围绕所述第二接合层的第三接合层；
发光部；以及
比所述发光部更靠外侧的端部，
其中，所述发光元件在一对电极之间包括含有发光有机化合物的层，
其中，所述第二接合层和所述第三接合层中的至少一个具有高于所述第一接合层的气体阻隔性，并且
其中，所述发光部的厚度不同于所述端部的厚度。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第二接合层具有框状。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其中所述第二接合层和所述第三接合层中的一个或两个的水蒸气透过量为1×10-8[g/m2·day]以下。
4.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：
所述第一柔性衬底与所述发光元件之间的晶体管；以及
所述第一柔性衬底与所述晶体管之间的粘合层。
5.根据权利要求1所述的发光装置，还包括：
所述第一柔性衬底与所述发光元件之间的第一绝缘层；
所述第一绝缘层与所述发光元件之间的晶体管；
所述发光元件与所述第二柔性衬底之间的着色层；以及
所述着色层与所述第二柔性衬底之间的第二绝缘层。
6.一种包括根据权利要求1所述的发光装置的电子设备。
7.一种包括根据权利要求1所述的发光装置的照明装置。
8.一种发光装置，包括：
第一柔性衬底；
第二柔性衬底；
所述第一柔性衬底与所述第二柔性衬底之间的发光元件；
所述第二柔性衬底与所述发光元件之间的第一接合层；
围绕所述第一接合层的一部分的第二接合层；
发光部；以及
比所述发光部更靠外侧的端部，
其中，所述发光元件在一对电极之间包括含有发光有机化合物的层，
其中，所述第二接合层具有高于所述第一接合层的气体阻隔性，
其中，所述第一接合层具有高于所述第二接合层的折射率，
其中，所述第一接合层具有高于所述第二接合层的透光性，并且其中，所述发光部的厚度不同于所述端部的厚度。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其中所述第二接合层具有框状。
10.根据权利要求8所述的发光装置，其中所述第二接合层的水蒸气透过量为1×10-8[g/m2·day]以下。
11.根据权利要求8所述的发光装置，还包括：
所述第一柔性衬底与所述发光元件之间的晶体管；以及
所述第一柔性衬底与所述晶体管之间的粘合层。
12.根据权利要求8所述的发光装置，还包括：
所述第一柔性衬底与所述发光元件之间的第一绝缘层；
所述第一绝缘层与所述发光元件之间的晶体管；
所述发光元件与所述第二柔性衬底之间的着色层；以及
所述着色层与所述第二柔性衬底之间的第二绝缘层。
13.一种包括根据权利要求8所述的发光装置的电子设备。
14.一种包括根据权利要求8所述的发光装置的照明装置。
15.一种发光装置的制造方法，包括如下步骤：
在第一衬底上形成第一剥离层；
在所述第一剥离层上形成第一被剥离层，该第一被剥离层包括发光元件；
在第二衬底上形成第二剥离层；
在所述第二剥离层上形成第二被剥离层，该第二被剥离层包括着色层；
使用第一接合层以及第二接合层将所述第一衬底与所述第二衬底贴合在一起，该第一接合层由该第二接合层围绕；
使所述第一接合层以及所述第二接合层固化；
以使所述第一被剥离层残留在所述第二衬底上的方式将所述第一衬底与所述第一被剥离层分离；
以所述第一被剥离层由第三接合层覆盖的方式使用所述第三接合层以及第四接合层将第一柔性衬底贴合到所述第二衬底；
使所述第三接合层以及所述第四接合层固化；以及
以使所述第二被剥离层残留在所述第一柔性衬底上的方式将所述第二衬底与所述第二被剥离层分离。
16.根据权利要求15所述的发光装置的制造方法，其中通过经过所述第二剥离层对所述第一接合层以及所述第二接合层照射紫外光来进行使所述第一接合层以及所述第二接合层固化的步骤。
17.根据权利要求15所述的发光装置的制造方法，还包括在将所述第一衬底从所述第一被剥离层剥离之前经过所述第一衬底对所述第一剥离层照射激光束的步骤。
18.根据权利要求15所述的发光装置的制造方法，还包括在将所述第二衬底从所述第二被剥离层剥离之前经过所述第二衬底对所述第二剥离层照射激光束的步骤。
19.根据权利要求15所述的发光装置的制造方法，还包括如下步骤：
在所述第二衬底与所述第二剥离层之间形成反射层；以及
在所述反射层与所述第二剥离层之间形成吸收层。
20.根据权利要求19所述的发光装置的制造方法，
其中所述吸收层被光照射而发热，并且
其中使用所述吸收层所产生的热使所述第二接合层固化。
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