JP2020140968A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】可撓性を有し、信頼性の高い発光装置を提供する。【解決手段】第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、第１の可撓性基板及び第２の可撓性基板の間の発光素子と、第２の可撓性基板及び発光素子の間の第１の接合層、及び第１の接合層を囲う枠状の第２の接合層と、を有し、発光素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有し、第２の接合層は、第１の接合層よりもガスバリア性が高い発光装置。【選択図】図１

Description

本発明は、物、方法、又は製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マ
ニュファクチャ、又は組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。本発明の一態
様は、半導体装置、発光装置、表示装置、電子機器、照明装置及びそれらの作製方法に関
する。特に、本発明の一態様は、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍ
ｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光装置とその作製方法に関す
る。

近年、発光装置や表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められて
いる。

例えば、携帯機器用途等の発光装置や表示装置では、薄型であること、軽量であること、
又は破損しにくいこと等が求められている。

ＥＬ現象を利用した発光素子（ＥＬ素子とも記す）は、薄型軽量化が容易である、入力信
号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し
、発光装置や表示装置への応用が検討されている。

例えば、特許文献１に、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有機
ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。

有機ＥＬ素子は、外部から侵入する水分や酸素などの不純物により信頼性が損なわれてし
まうという課題がある。

有機ＥＬ素子の外部から、水分や酸素などの不純物が、有機ＥＬ素子を構成する有機化合
物や金属材料に侵入することで、有機ＥＬ素子の寿命は大幅に低減されてしまう場合があ
る。有機ＥＬ素子に用いる有機化合物や金属材料が、水分や酸素などの不純物と反応し、
劣化してしまうためである。

したがって、不純物の侵入を防ぐために有機ＥＬ素子を封止する技術について、研究開発
が進められている。

特開２００３−１７４１５３号公報

本発明の一態様は、可撓性を有し、信頼性の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしく
は照明装置を提供することを目的の一とする。

また、本発明の一態様は、可撓性を有し、信頼性の高い発光装置の作製工程における歩留
まりを向上することを目的の一とする。また、本発明の一態様は、該発光装置の作製工程
における不純物の混入を抑制することを目的の一とする。

また、本発明の一態様は、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提
供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、軽量な発光装置、表示装置、
電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様
は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目
的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さが薄い発光装置、表示装置、電子機器、
もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら
以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、
明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様の発光装置は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、第１の可撓性
基板及び第２の可撓性基板の間の発光素子と、第２の可撓性基板及び発光素子の間の第１
の接合層、及び第１の接合層を囲う枠状の第２の接合層と、を有し、発光素子は、一対の
電極間に発光性の有機化合物を含む層を有し、第２の接合層は、第１の接合層よりもガス
バリア性が高い。

また、本発明の一態様の発光装置は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、第１の
可撓性基板及び第２の可撓性基板の間のトランジスタと、トランジスタ及び第２の可撓性
基板の間の発光素子と、第１の可撓性基板及びトランジスタの間の接着層と、第２の可撓
性基板及び発光素子の間の第１の接合層、及び第１の接合層を囲う枠状の第２の接合層と
、を有し、発光素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有し、第２の接合
層は、第１の接合層よりもガスバリア性が高い。

また、本発明の一態様の発光装置は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、第１の
可撓性基板及び第２の可撓性基板の間のガスバリア性が高い絶縁層と、絶縁層及び第２の
可撓性基板の間の発光素子と、第１の可撓性基板及び絶縁層の間の接着層と、第２の可撓
性基板及び発光素子の間の第１の接合層、及び第１の接合層を囲う枠状の第２の接合層と
、を有し、発光素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有し、第２の接合
層は、第１の接合層よりもガスバリア性が高い。

また、本発明の一態様の発光装置は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、第１の
可撓性基板及び第２の可撓性基板の間のガスバリア性が高い第１の絶縁層と、第１の絶縁
層及び第２の可撓性基板の間のトランジスタと、トランジスタ及び第２の可撓性基板の間
の発光素子と、発光素子及び第２の可撓性基板の間の着色層と、着色層及び第２の可撓性
基板の間のガスバリア性が高い第２の絶縁層と、第１の可撓性基板及び第１の絶縁層の間
の第１の接着層と、着色層及び発光素子の間の第１の接合層、及び第１の接合層を囲う枠
状の第２の接合層と、第２の絶縁層及び第２の可撓性基板の間の第２の接着層と、を有し
、発光素子は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を有し、第１の接合層、着色
層、第２の絶縁層、第２の接着層、及び第２の可撓性基板は、発光素子が発する光を透過
し、第２の接合層は、第１の接合層よりもガスバリア性が高い。

また、上記各構成の発光装置を表示部に有する電子機器も本発明の一態様である。

また、上記各構成の発光装置を発光部に有する照明装置も本発明の一態様である。

なお、本明細書中において、発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発
光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒ
ｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が
設けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によ
りＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。さら
に、照明器具等に用いられる発光装置も含むものとする。

本発明の一態様により、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供
することができる。また、本発明の一態様により、可撓性を有し、信頼性の高い発光装置
、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。

また、本発明の一態様により、可撓性を有し、信頼性の高い発光装置の作製工程における
歩留まりを向上することができる。また、本発明の一態様により、該発光装置の作製工程
における不純物の混入を抑制することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

発光装置の一例を説明する図。 発光装置の一例を説明する図。 発光装置の一例を説明する図。 発光装置の一例を説明する図。 発光装置の一例を説明する図。 発光装置の作製方法の一例を説明する図。 発光装置の作製方法の一例を説明する図。 発光装置の作製方法の一例を説明する図。 発光装置の作製方法の一例を説明する図。 発光装置の作製方法の一例を説明する図。 発光装置の作製方法の一例を説明する図。 剥離層の平面形状を説明する図。 剥離層の作製方法の一例を説明する図。 発光装置の作製方法の一例を説明する図。 電子機器及び照明装置の一例を説明する図。 試料の透過率を示す図。 実施例の試料である発光装置を示す図。 実施例の比較試料である発光装置を示す図。 実施例の発光装置を示す写真。 剥離及び転置を用いたフレキシブルな試料の作製を説明する写真。 発光部に用いることができる発光装置の一例を示す図。 発光部に用いることができる発光装置の一例を示す写真。 発光装置の作製方法の一例を説明する図。 発光装置の作製方法の一例を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様のフレキシブルな発光装置と、該発光装置の作製方法
について図１〜図１２を用いて説明する。

本発明の一態様の発光装置は、一対の可撓性基板及び接合層によって封止された発光素子
を有する。

接合層は発光装置の側面に露出する層であるため、該接合層のガスバリア性が低いと、有
機ＥＬ素子に外部から水分や酸素等の不純物が侵入してしまう。有機ＥＬ素子中に不純物
が侵入することで、例えば、発光部のシュリンク（ここでは、発光部端部からの輝度劣化
や、発光部の非発光領域の拡大を指す）が生じてしまう。したがって、有機ＥＬ素子を覆
う接合層は、ガスバリア性が高い（特に水蒸気透過性や酸素透過性が低い）ことが好まし
い。

また、接合層の材料として液状組成物を用いる場合、硬化に伴う体積の収縮が大きいと、
有機ＥＬ素子に応力が加わり、有機ＥＬ素子が損傷し、発光不良が生じる場合がある。し
たがって、接合層に用いる材料の硬化に伴う体積の収縮は小さいことが好ましい。

また、接合層が有機ＥＬ素子の発光を透過する側に位置する場合は、発光装置の光取り出
し効率を高めるため、接合層の透光性は高いことが好ましい。同様の理由により、接合層
の屈折率は高いことが好ましい。

このように、接合層に求められる性質は複数あり、接合層の材料がこれらのいずれか２つ
以上を両立することは非常に困難である。

そこで、本発明の一態様の発光装置は、可撓性基板と有機ＥＬ素子との間に２種類の接合
層を用いる。具体的には、例えば、接合層を、該接合層よりもガスバリア性の高い接合層
で囲う。外側の接合層に、内側の接合層よりガスバリア性の高い材料を用いることで、内
側の接合層に、硬化時の体積の収縮が小さい、透光性（特に可視光の透過性）が高い、も
しくは屈折率が高い等の性質をもつガスバリア性の低い材料等を用いても、外部から水分
や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。したがって、発光部のシュリンクが抑制
された、信頼性の高い発光装置を実現することができる。

ガスバリア性の高い層は、例えば、ガス透過量、酸素透過量、又は水蒸気透過量が１×１
０^−５［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、
より好ましくは１×１０^−７［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０^−８
［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下とする。

本発明の一態様の発光装置を図１（Ａ）〜（Ｃ）に示す。

図１（Ａ）に示す発光装置は、第１の可撓性基板１０１と、第２の可撓性基板１１１と、
第１の可撓性基板１０１及び第２の可撓性基板１１１の間の素子層１０５と、第１の可撓
性基板１０１及び素子層１０５の間の接着層１０３と、第２の可撓性基板１１１及び素子
層１０５の間の第１の接合層１０７、及び第１の接合層１０７を囲う枠状の第２の接合層
１０９と、を有する。素子層１０５は、有機ＥＬ素子を有する。

第２の接合層１０９は、第１の接合層１０７よりもガスバリア性が高い。第２の接合層１
０９は、例えば、ガス透過量、酸素透過量、又は水蒸気透過量が１×１０^−５［ｇ／ｍ^２
・ｄａｙ］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１
×１０^−７［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／ｍ^２・ｄａ
ｙ］以下とする。

膜厚方向において、有機ＥＬ素子と接着層１０３の間の最短距離よりも有機ＥＬ素子と第
１の接合層１０７の間の最短距離のほうが短いことが好ましい。膜厚方向において、有機
ＥＬ素子と第１の接合層１０７の間の距離が短くても、第１の接合層１０７はよりガスバ
リア性が高い第２の接合層１０９に囲われているため、有機ＥＬ素子に不純物が侵入する
ことを抑制できる。

例えば、素子層１０５は、接着層１０３と第１の接合層１０７の間のトランジスタと、ト
ランジスタと第１の接合層１０７の間の有機ＥＬ素子を有していてもよい。また、例えば
、素子層１０５は、接着層１０３と第１の接合層１０７の間の絶縁層と、絶縁層と第１の
接合層１０７の間の有機ＥＬ素子を有していてもよい。このとき、絶縁層のガスバリア性
は高いことが好ましい。絶縁層によって、第１の可撓性基板１０１側から有機ＥＬ素子に
不純物が侵入することを抑制できる。該絶縁層は接着層１０３とトランジスタの間に設け
られていてもよいし、トランジスタを構成する絶縁層であってもよいし、トランジスタと
有機ＥＬ素子の間に設けられていてもよい。

図１（Ｂ）、（Ｃ）に示す発光装置は、それぞれ、第１の可撓性基板１０１と、第２の可
撓性基板１１１と、第１の可撓性基板１０１及び第２の可撓性基板１１１の間の素子層１
０５と、第１の可撓性基板１０１及び素子層１０５の間の第３の接合層１１３、及び第３
の接合層１１３を囲う枠状の第４の接合層１１５と、第２の可撓性基板１１１及び素子層
１０５の間の第１の接合層１０７、及び第１の接合層１０７を囲う枠状の第２の接合層１
０９と、を有する。素子層１０５は、有機ＥＬ素子を有する。第２の接合層１０９は、第
１の接合層１０７よりもガスバリア性が高く、第４の接合層１１５は、第３の接合層１１
３よりもガスバリア性が高い。

本発明の一態様の発光装置は、図１（Ｂ）に示すように、発光装置の側面に第２の接合層
１０９及び第４の接合層１１５が露出する構成であってもよい。また、図１（Ｃ）に示す
ように、第２の接合層１０９又は第４の接合層１１５の一方が他方を覆い、発光装置の側
面に第２の接合層１０９又は第４の接合層１１５の一方が露出する構成であってもよい。

以下では、より具体的な構成例を説明する。

＜構成例１＞
図２（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図２（Ｂ）、（Ｃ）に、図２（Ａ）の一点鎖線Ｘ
１−Ｙ１間の断面図の一例をそれぞれ示す。図２（Ａ）〜（Ｃ）に示す発光装置はカラー
フィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。

図２（Ａ）に示す発光装置は、発光部４９１、駆動回路部４９３、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂ
ｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）４９５を有する。発光部４９１及び駆動回路部
４９３に含まれる有機ＥＬ素子やトランジスタは可撓性基板４２０、可撓性基板４２８、
第１の接合層４０７、及び第２の接合層４０４によって封止されている。

図２（Ｂ）、（Ｃ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４
、トランジスタ４５５、絶縁層４６３、絶縁層４６５、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５
０（第１の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び第２の電極４０３）、第１の接合層４０７、
第２の接合層４０４、オーバーコート４５３、遮光層４３１、着色層４３２、絶縁層２２
６、接着層４２６、可撓性基板４２８、及び導電層４５７を有する。可撓性基板４２８、
接着層４２６、絶縁層２２６、第１の接合層４０７、オーバーコート４５３、及び第２の
電極４０３は可視光を透過する。

図２（Ｂ）、（Ｃ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４
を介して可撓性基板４２０上にトランジスタ４５５及び有機ＥＬ素子４５０が設けられて
いる。有機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４６５上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１
上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。第１の電極４０１
は、トランジスタ４５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第１の
電極４０１の端部は絶縁層４０５で覆われている。第１の電極４０１は可視光を反射する
ことが好ましい。また、発光装置は、第１の接合層４０７を介して有機ＥＬ素子４５０と
重なる着色層４３２を有し、第１の接合層４０７を介して絶縁層４０５と重なる遮光層４
３１を有する。

駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図２（Ｂ）、（Ｃ）では、駆動回路部
４９３が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。本実施の形態で
は、駆動回路部４９３が枠状の第２の接合層４０４の内側に位置する例を示すが、外側に
位置していてもよい。

導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタ
ート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。こ
こでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。また、ここでは、導
電層４５７を、トランジスタ４５５のソース電極及びドレイン電極と同一の材料、同一の
工程で作製した例を示す。絶縁層２２６上の接続体４９７は導電層４５７と接続している
。また、接続体４９７はＦＰＣ４９５に接続している。接続体４９７を介してＦＰＣ４９
５と導電層４５７は電気的に接続する。

導電層４５７が第２の接合層４０４の外側に位置することで、ＦＰＣ４９５と接続体４９
７の接続部、及び接続体４９７と導電層４５７の接続部において、水分等が侵入しやすい
場合でも、有機ＥＬ素子４５０に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、好ましい。

絶縁層４６３は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層４６５は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を
有する絶縁層を選択することが好適である。

図２（Ｃ）は、絶縁層４６５が発光装置の側面に露出していない点で、図２（Ｂ）と異な
る。絶縁層４６５の材料としてガスバリア性の低い有機絶縁材料等を用いる場合、絶縁層
４６５が発光装置の側面に露出しないことが好ましい。そして、ガスバリア性の高い第２
の接合層４０４が発光装置の側面に位置することで、発光装置の信頼性を高めることがで
きるため好ましい。なお、絶縁層４６５の材料等によっては、図２（Ｂ）に示すように、
発光装置の端部に絶縁層４６５が露出していてもよい。

第２の接合層４０４は、第１の接合層４０７よりもガスバリア性が高い層である。したが
って、発光装置の側面から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。したがっ
て、信頼性の高い発光装置を実現することができる。

構成例１では、第１の接合層４０７を介して有機ＥＬ素子４５０の発光が発光装置から取
り出される。したがって、第１の接合層４０７は、第２の接合層４０４に比べて透光性が
高いことが好ましい。また、第１の接合層４０７は、第２の接合層４０４に比べて屈折率
が高いことが好ましい。また、第１の接合層４０７は、第２の接合層４０４に比べて硬化
時の体積の収縮が小さいことが好ましい。

絶縁層４２４は、ガスバリア性が高いことが好ましい。これにより、可撓性基板４２０側
から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。同様に、絶縁層２２６は、ガス
バリア性が高いことが好ましい。これにより、可撓性基板４２８側から水分や酸素が発光
装置に侵入することを抑制できる。

＜構成例２＞
図３（Ａ１）に発光装置の平面図を示し、図３（Ｂ）に、図３（Ａ１）の一点鎖線Ｘ２１
−Ｙ２１間の断面図を示す。図３（Ｂ）に示す発光装置は塗り分け方式を用いたトップエ
ミッション型の発光装置である。

図３（Ａ１）に示す発光装置は、発光部４９１、駆動回路部４９３、ＦＰＣ４９５を有す
る。発光部４９１及び駆動回路部４９３に含まれる有機ＥＬ素子やトランジスタは可撓性
基板４２０、可撓性基板４２８、第１の接合層４０７、及び第２の接合層４０４によって
封止されている。図３（Ｂ）では、第２の接合層４０４の開口部において、導電層４５７
と接続体４９７が接続している例を示す。

図３（Ｂ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラン
ジスタ４５５、絶縁層４６３、絶縁層４６５、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第１
の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び第２の電極４０３）、第２の接合層４０４、第１の接
合層４０７、可撓性基板４２８、及び導電層４５７を有する。可撓性基板４２８、第１の
接合層４０７、及び第２の電極４０３は可視光を透過する。

図３（Ｂ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介して
可撓性基板４２０上にトランジスタ４５５及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。有
機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４６５上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥＬ
層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する。第１の電極４０１は、トラ
ンジスタ４５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第１の電極４０
１は可視光を反射することが好ましい。第１の電極４０１の端部は絶縁層４０５で覆われ
ている。

駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図３（Ｂ）では、駆動回路部４９３が
有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。

導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。

工程数の増加を防ぐため、導電層４５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同
一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層４５７をトランジス
タ４５５のソース電極及びドレイン電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

第２の接合層４０４は、第１の接合層４０７よりもガスバリア性が高い層である。したが
って、外部から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。したがって、信頼性
の高い発光装置を実現することができる。

構成例２では、第１の接合層４０７を介して有機ＥＬ素子４５０の発光が発光装置から取
り出される。したがって、第１の接合層４０７は、第２の接合層４０４に比べて透光性が
高いことが好ましい。また、第１の接合層４０７は、第２の接合層４０４に比べて屈折率
が高いことが好ましい。また、第１の接合層４０７は、第２の接合層４０４に比べて硬化
時の体積の収縮が小さいことが好ましい。

＜構成例３＞
図３（Ａ２）に発光装置の平面図を示し、図３（Ｃ）に、図３（Ａ２）の一点鎖線Ｘ２２
−Ｙ２２間の断面図を示す。図３（Ｃ）に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用いたボ
トムエミッション型の発光装置である。

図３（Ｃ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラン
ジスタ４５４、トランジスタ４５５、絶縁層４６３、着色層４３２、絶縁層４６５、導電
層４３５、絶縁層４６７、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第１の電極４０１、ＥＬ
層４０２、及び第２の電極４０３）、第２の接合層４０４、第１の接合層４０７、可撓性
基板４２８、及び導電層４５７を有する。可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２
４、絶縁層４６３、絶縁層４６５、絶縁層４６７、及び第１の電極４０１は可視光を透過
する。

図３（Ｃ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介して
可撓性基板４２０上にスイッチング用のトランジスタ４５４、電流制御用のトランジスタ
４５５、及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。有機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４６
７上の第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第
２の電極４０３とを有する。第１の電極４０１は、導電層４３５を介してトランジスタ４
５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。第１の電極４０１の端部は
絶縁層４０５で覆われている。第２の電極４０３は可視光を反射することが好ましい。ま
た、発光装置は、絶縁層４６３上に有機ＥＬ素子４５０と重なる着色層４３２を有する。

駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図３（Ｃ）では、駆動回路部４９３が
有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。

導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層４５７をトランジスタ４５５のソース電極及びドレイン電極と同
一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図３（Ｃ）では、枠状の第２の接合層４０４の外側に枠状の第１の接合層４０７をさらに
有し、該枠状の第１の接合層４０７の開口部において、導電層４５７と接続体４９７が接
続する例を示す。

第２の接合層４０４の外側に位置する、第２の接合層４０４よりもガスバリア性の低い第
１の接合層４０７の開口部では、ＦＰＣ４９５と接続体４９７の接続部、及び接続体４９
７と導電層４５７の接続部等において、水分等が侵入しやすい場合がある。しかし、該接
続部と有機ＥＬ素子４５０との間に、ガスバリア性の高い第２の接合層４０４が位置する
ため、有機ＥＬ素子４５０に水分等の不純物が侵入することを抑制でき、好ましい。

絶縁層４６３は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層４６５及び絶縁層４６７は、トランジスタや配線起因の表面凹凸を低減
するために平坦化機能を有する絶縁層を選択することが好適である。

第２の接合層４０４は、第１の接合層４０７よりもガスバリア性が高い層である。したが
って、外部から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。したがって、信頼性
の高い発光装置を実現することができる。

構成例３では、第１の接合層４０７は、第２の接合層４０４に比べて硬化時の体積の収縮
が小さいことが好ましい。

なお、本発明の一態様では、画素に能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を有するア
クティブマトリクス方式、又は画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用い
ることができる。

アクティブマトリクス方式では、能動素子として、トランジスタだけでなく、さまざまな
能動素子を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍ
ｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能で
ある。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上
を図ることができる。また、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上
させることができ、低消費電力化や高輝度化を図ることができる。

パッシブマトリクス方式では、能動素子を用いないため、製造工程が少なく、製造コスト
の低減や歩留まりの向上を図ることができる。また、能動素子を用いないため、開口率を
向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることができる。

＜構成例４＞
図４（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図４（Ｂ）に、図４（Ａ）の一点鎖線Ｘ３−Ｙ３
間の断面図を示す。図４（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置はボトムエミッション型の発光装
置である。

図４（Ｂ）に示す発光装置は、可撓性基板４１９、接着層４２２、絶縁層４２４、導電層
４０６、導電層４１６、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第１の電極４０１、ＥＬ層
４０２、及び第２の電極４０３）、第２の接合層４０４、第１の接合層４０７、及び可撓
性基板４２８を有する。第１の電極４０１、絶縁層４２４、接着層４２２、及び可撓性基
板４１９は可視光を透過する。

可撓性基板４１９上には、接着層４２２及び絶縁層４２４を介して有機ＥＬ素子４５０が
設けられている。可撓性基板４１９、第２の接合層４０４、第１の接合層４０７、及び可
撓性基板４２８によって、有機ＥＬ素子４５０は封止されている。有機ＥＬ素子４５０は
、第１の電極４０１と、第１の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の
電極４０３とを有する。第２の電極４０３は可視光を反射することが好ましい。

第１の電極４０１、導電層４０６、導電層４１６の端部は絶縁層４０５で覆われている。
導電層４０６は第１の電極４０１と電気的に接続し、導電層４１６は第２の電極４０３と
電気的に接続する。第１の電極４０１を介して絶縁層４０５に覆われた導電層４０６は、
補助配線として機能し、第１の電極４０１と電気的に接続する。有機ＥＬ素子の電極と電
気的に接続する補助配線を有すると、電極の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、
好ましい。導電層４０６は、第１の電極４０１上に設けられていてもよい。また、絶縁層
４０５上等に、第２の電極４０３と電気的に接続する補助配線を有していてもよい。

発光装置の光取り出し効率を高めるため、発光素子からの光を取り出す側に光取り出し構
造を有することが好ましい。図４（Ｂ）では、発光素子からの光を取り出す側に位置する
可撓性基板４１９が光取り出し構造を兼ねている例を示す。

第２の接合層４０４は、第１の接合層４０７よりもガスバリア性が高い層である。したが
って、外部から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。したがって、信頼性
の高い発光装置を実現することができる。

構成例４では、第１の接合層４０７は、第２の接合層４０４に比べて硬化時の体積の収縮
が小さいことが好ましい。

＜構成例５＞
図５（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図５（Ｂ）に、図５（Ａ）の一点鎖線Ｘ４−Ｙ４
間の断面図を示す。図５（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置はトップエミッション型の発光装
置である。

図５（Ｂ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、導電層
４０８、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（第１の電極４０１、ＥＬ層４０２、及び第
２の電極４０３）、導電層４１０、第２の接合層４０４、第１の接合層４０７、可撓性基
板４２８、及び光取り出し構造４０９を有する。第２の電極４０３、第１の接合層４０７
、可撓性基板４２８、及び光取り出し構造４０９は可視光を透過する。

可撓性基板４２０上には、接着層４２２及び絶縁層４２４を介して有機ＥＬ素子４５０が
設けられている。可撓性基板４２０、第１の接合層４０７、及び可撓性基板４２８によっ
て、有機ＥＬ素子４５０は封止されている。有機ＥＬ素子４５０は、第１の電極４０１と
、第１の電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の第２の電極４０３とを有する
。第１の電極４０１は可視光を反射することが好ましい。可撓性基板４２８の表面には光
取り出し構造４０９が貼り合わされている。

第１の電極４０１、導電層４１０の端部は絶縁層４０５で覆われている。導電層４１０は
第１の電極４０１と同一の工程、同一の材料で形成することができ、第２の電極４０３と
電気的に接続する。

絶縁層４０５上の導電層４０８は、補助配線として機能し、第２の電極４０３と電気的に
接続する。導電層４０８は、第２の電極４０３上に設けられていてもよい。また、構成例
４と同様に、第１の電極４０１と電気的に接続する補助配線を有していてもよい。

第２の接合層４０４は、第１の接合層４０７よりもガスバリア性が高い層である。したが
って、発光装置の側面から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。したがっ
て、信頼性の高い発光装置を実現することができる。

構成例５では、第１の接合層４０７を介して有機ＥＬ素子４５０の発光が発光装置から取
り出される。したがって、第１の接合層４０７は、第２の接合層４０４に比べて透光性が
高いことが好ましい。また、第１の接合層４０７は、第２の接合層４０４に比べて屈折率
が高いことが好ましい。また、第１の接合層４０７は、第２の接合層４０４に比べて硬化
時の体積の収縮が小さいことが好ましい。

＜装置の材料＞
次に、発光装置に用いることができる材料の一例を示す。

［可撓性基板］
可撓性基板には、可撓性を有する材料を用いる。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度
の厚さのガラスを用いることができる。さらに、発光装置における発光を取り出す側の基
板には、可視光を透過する材料を用いる。可撓性基板が可視光を透過しなくてもよい場合
、金属基板等も用いることができる。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂
、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨
張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹
脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプ
レグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用するこ
ともできる。

可撓性及び透光性を有する材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物又は
無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率又はヤング率
の高い繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル
系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレン
ベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維とし
ては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。こ
れらは、織布又は不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構
造物を可撓性基板として用いてもよい。可撓性基板として、繊維体と樹脂からなる構造物
を用いると、曲げや局所的押圧による破壊に対する信頼性が向上するため、好ましい。

光の取り出し効率向上のためには、可撓性及び透光性を有する材料の屈折率は高い方が好
ましい。例えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂
のみからなる基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。特に粒子径４０ｎｍ以下の小さ
な無機フィラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。

金属基板の厚さは、可撓性や曲げ性を得るために、１０μｍ以上２００μｍ以下、好まし
くは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。金属基板は熱伝導性が高いため、
発光素子の発光に伴う発熱を効果的に放熱することができる。

金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッ
ケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いるこ
とができる。

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコ
ート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミ
ド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による機能素子（特
に有機ＥＬ素子等）の寿命の低下を抑制するために、後述のガスバリア性の高い絶縁層を
備えていてもよい。

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成と
すると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光装置とすることができ
る。

例えば、有機ＥＬ素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性
基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、
好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素
に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、
１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような
有機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制
し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料
を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光装置とすることが
できる。

ただし、本発明の一態様は、一対の基板を貼り合わせる接合層に関し、第１の接合層を、
第１の接合層よりもガスバリア性の高い第２の接合層で囲う点が特徴の一つである。した
がって、基板としては、可撓性基板だけでなく、可撓性を有さないガラス基板や強化ガラ
スを用いてもよい。その際、接着層を用いず、基板に素子を直接形成してもよい。この場
合であっても、発光部のシュリンクが抑制された、信頼性の高い発光装置を実現すること
ができる。

［接着層、接合層］
接着層や接合層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接
着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤として
はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イ
ミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、
ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等のガス
バリア性の高い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シ
ート等を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子か
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。

［絶縁層］
絶縁層４２４や絶縁層２２６には、ガスバリア性の高い絶縁層を用いることが好ましい。
また、第１の接合層４０７と第２の電極４０３の間に、ガスバリア性の高い絶縁層が形成
されていてもよい。

ガスバリア性の高い絶縁層としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪
素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。ま
た、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、ガスバリア性の高い絶縁層のガス透過量、酸素透過量、又は水蒸気透過量は、１
×１０^−５［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以
下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０
^−８［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下とする。

なお、上記に挙げた無機絶縁層は他の絶縁層にも用いることができる。

絶縁層４６３としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウ
ム膜などの無機絶縁層を用いることができる。また、絶縁層４６５や絶縁層４６７として
は、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテ
ン系樹脂等の有機材料を用いることができる。また、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等
を用いることができる。また、絶縁層を複数積層させることで、絶縁層４６５や絶縁層４
６７を形成してもよい。

絶縁層４０５としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては
、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ
樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、絶縁
層４０５の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好
ましい。

絶縁層４０５の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、
蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷
等）等を用いればよい。

［トランジスタ］
本発明の一態様の発光装置に用いるトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、ス
タガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、
トップゲート型又はボトムゲート型のトランジスタのいずれのトランジスタ構造としても
よい。また、トランジスタに用いる材料についても特に限定されない。例えば、シリコン
やゲルマニウム、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタを適用すること
ができる。半導体の結晶性については特に限定されず、非晶質半導体、又は結晶性を有す
る半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれ
を用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化が抑制され
るため好ましい。シリコンとしては、非晶質シリコン、単結晶シリコン、多結晶シリコン
等を用いることができ、酸化物半導体としては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系金属酸化物等を
用いることができる。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁層を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無け
れば設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁層４２４がトランジスタの下地膜を兼ね
ることができる。

［有機ＥＬ素子］
本発明の一態様の発光装置に用いる有機ＥＬ素子の構造は特に限定されない。トップエミ
ッション構造の有機ＥＬ素子を用いてもよいし、ボトムエミッション構造の有機ＥＬ素子
を用いてもよいし、デュアルエミッション構造の有機ＥＬ素子を用いてもよい。

一対の電極間に有機ＥＬ素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層４０２に陽極
側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層４
０２において再結合し、ＥＬ層４０２に含まれる発光物質が発光する。

有機ＥＬ素子において、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。
また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい
。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例え
ば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。

ＥＬ層４０２は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層４０２は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層４０２には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層４０２を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着
法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。

なお、ここでは、発光素子の一例として有機ＥＬ素子について述べたが、本発明はこれに
限定されず、他の表示素子、発光素子、半導体素子等を用いてもよい。本発明の一態様は
、一対の基板を貼り合わせる接合層に関し、第１の接合層を、第１の接合層よりもガスバ
リア性の高い第２の接合層で囲う点が特徴の一つである。該一対の基板と該接合層によっ
て封止する素子としては、表示素子、発光素子、又は半導体素子等が挙げられる。

例えば、本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素
子、及び発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な
素子を有することが出来る。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置の一例としては
、ＥＬ素子（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ
（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じ
て発光するトランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレ
ーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ
（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）、デジタルマイクロミラーデバイス（
ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＩＭＯＤ（インターフェアレン
ス・モジュレーション）素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプ
レイ、カーボンナノチューブなど、電気磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率
、透過率などが変化する表示媒体を有するものがある。ＥＬ素子を用いた表示装置の一例
としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用いた表示装置の一例としては
、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（
ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ
Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一例としては、液晶ディスプ
レイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、
直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがある。電子インク又は電気泳
動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。

［着色層、遮光層、及びオーバーコート］
着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透
過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラー
フィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いること
ができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグ
ラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する有機ＥＬ素子からの
光を遮光し、隣接する有機ＥＬ素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を
、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層とし
ては、有機ＥＬ素子からの発光を遮光する材料を用いることができ、例えば、金属材料や
顔料や染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層
は、駆動回路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れ
を抑制できるため好ましい。

また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設ける
ことで、着色層に含有された不純物等の有機ＥＬ素子への拡散を防止することができる。
オーバーコートは、有機ＥＬ素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シ
リコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁層や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁層
を用いることができ、有機絶縁層と無機絶縁層との積層構造としてもよい。

また、第１の接合層４０７の材料を着色層４３２及び遮光層４３１上に塗布する場合、オ
ーバーコートの材料として第１の接合層４０７の材料に対してぬれ性の高い材料を用いる
ことが好ましい。例えば、オーバーコート４５３（図２（Ｃ）参照）として、ＩＴＯ膜な
どの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜を用いることが好まし
い。

［導電層］
トランジスタの電極や配線、又は有機ＥＬ素子の補助電極や補助配線等として機能する導
電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム
、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、
単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を用い
て形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等）、酸化
スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３
−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることが
できる。

また、補助配線の膜厚は、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０
．１μｍ以上０．５μｍ以下である。

補助配線の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いると、補助配線を構成する金属が粒
状になって凝集する。そのため、補助配線の表面が粗く隙間の多い構成となり、ＥＬ層が
補助配線を完全に覆うことが難しく、上部電極と補助配線との電気的な接続をとることが
容易になり好ましい。

［光取り出し構造］
光取り出し構造としては、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィ
ルム、光拡散フィルム等を用いることができる。例えば、基板上に上記レンズやフィルム
を、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接
着することで、光取り出し構造を形成することができる。

［接続体］
接続体４９７としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート
状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子として
は、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子
を用いることが好ましい。

＜装置の作製方法１＞
以下では、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すカラーフィルタ方式を用いたトップエミッション構
造の発光装置（上記構成例１）を作製する例を示す。

まず、図６（Ａ）に示すように、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０
３上に被剥離層２０５を形成する。ここでは、島状の剥離層を形成する例を示したがこれ
に限られない。また、被剥離層２０５を島状に形成してもよい。この工程では、作製基板
２０１から被剥離層２０５を剥離する際に、作製基板２０１と剥離層２０３の界面、剥離
層２０３と被剥離層２０５の界面、又は剥離層２０３中で剥離が生じるような材料を選択
する。本実施の形態では、被剥離層２０５と剥離層２０３の界面で剥離が生じる場合を例
示するが、剥離層２０３や被剥離層２０５に用いる材料の組み合わせによってはこれに限
られない。なお、被剥離層２０５が積層構造である場合、剥離層２０３と接する層を特に
第１の層と記す。

例えば、剥離層２０３がタングステン膜と酸化タングステン膜との積層構造である場合、
タングステン膜と酸化タングステン膜との界面（又は界面近傍）で剥離が生じることで、
被剥離層２０５側に剥離層２０３の一部（ここでは酸化タングステン膜）が残ってもよい
。また被剥離層２０５側に残った剥離層２０３は、その後除去してもよい。

作製基板２０１には、少なくとも作製行程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を
用いる。作製基板２０１としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導
体基板、セラミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。

なお、量産性を向上させるため、作製基板２０１として大型のガラス基板を用いることが
好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００ｍｍ×
７２０ｍｍ、または６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、ま
たは７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代（
１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（
２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ
×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板、又はこ
れよりも大型のガラス基板を用いることができる。

作製基板２０１にガラス基板を用いる場合、作製基板２０１と剥離層２０３との間に、下
地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン
膜等の絶縁層を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層２０３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コ
バルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジ
ウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材
料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のい
ずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化
インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物等
の金属酸化物を用いてもよい。剥離層２０３に、タングステン、チタン、モリブデンなど
の高融点金属材料を用いると、被剥離層２０５の形成工程の自由度が高まるため好ましい
。

剥離層２０３は、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法（スピンコーティ
ング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、印刷法等により形成できる。剥離層２
０３の厚さは例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以
下とする。

剥離層２０３が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモ
リブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もし
くは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタング
ステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。な
お、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金
に相当する。

また、剥離層２０３として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積
層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される
絶縁層を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を
含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸
化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の
強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラ
ズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスと
の混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層２０３
の表面状態を変えることにより、剥離層２０３と後に形成される絶縁層との密着性を制御
することが可能である。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、又はアクリル等の有機樹脂を形成し、有機
樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を、レーザ光等を用い
て局所的に加熱することにより、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。ま
たは、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を
加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。このとき、有機樹脂を発光装置
の基板として用いることができる。また、有機樹脂と他の基板を接着剤により貼り合わせ
てもよい。

被剥離層２０５として形成する層に特に限定は無い。ここでは、図２（Ｂ）に示す構成の
発光装置を作製するため、まず、絶縁層４２４、トランジスタ４５５、絶縁層４６３、絶
縁層４６５をこの順で形成する。そして、絶縁層４６３、絶縁層４６５の一部を開口し、
トランジスタのソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する第１の電極４０１を形成
する。なお、トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一の工程、同一の材料で、
導電層４５７も形成する。

絶縁層４２４は、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、又は窒化酸化
シリコン膜等を用いて、単層又は多層で形成することが好ましい。

該絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成する
ことが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃
以下として形成することで、緻密で非常にガスバリア性の高い膜とすることができる。な
お、絶縁層の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎ
ｍ以下が好ましい。

そして、第１の電極４０１の端部を覆う絶縁層４０５を形成する。次に、第１の電極４０
１及び絶縁層４０５上にＥＬ層４０２を形成し、ＥＬ層４０２上に第２の電極４０３を形
成する。ここで、絶縁層４２４から第２の電極４０３までが被剥離層２０５に相当する。

また、図６（Ｂ）に示すように、作製基板２２１上に剥離層２２３及び被剥離層２２５を
この順で形成する。ここでは、被剥離層２２５として、剥離層２２３上に絶縁層２２６を
形成し、絶縁層２２６上に遮光層４３１及び着色層４３２を形成し、遮光層４３１及び着
色層４３２上にオーバーコート４５３を形成する。

次に、作製基板２０１と作製基板２２１とを、それぞれの被剥離層が形成された面が対向
するように、第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４を用いて貼り合わせ、第１の接
合層４０７及び第２の接合層４０４を硬化させる（図６（Ｃ））。ここでは、被剥離層２
２５上に枠状の第２の接合層４０４と、枠状の第２の接合層４０４の内側の第１の接合層
４０７とを設けた後、作製基板２０１と作製基板２２１とを、対向させ、貼り合わせる。

第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４を硬化する方法は、それぞれの層に用いる材
料によるが、例えば、常温で硬化させてもよいし、加熱や光照射によって硬化させてもよ
い。

被剥離層に耐熱性の低い材料を用いる場合は、その材料が耐えうる温度以下で加熱をする
ことが好ましい。例えば、本実施の形態において、被剥離層は有機ＥＬ素子を含むため、
接合層の材料として熱硬化樹脂を用いる場合には、８０℃以下の温度で加熱することが好
ましい。

また、接合層の材料として光硬化樹脂を用いる場合には、作製基板２０１、剥離層２０３
、及び被剥離層２０５、又は、作製基板２２１、剥離層２２３、及び被剥離層２２５に、
光硬化樹脂を硬化させるための光を透過する材料を用いる。このとき、各層の該光の透過
率は０％より大きければよく、１％以上が好ましく、より高いほど好ましい。

第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４を硬化する方法の具体例は、実施の形態２に
て説明する。

なお、作製基板２０１と作製基板２２１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好まし
い。

ここで、図２３（Ａ）に示すように、被剥離層２２５上に形成される第１の接合層４０７
及び第２の接合層４０４は接していなくてもよい。作製基板２０１と作製基板２２１を貼
り合わせる際に、第１の接合層４０７又は第２の接合層４０４の一方又は双方が押し潰さ
れて広がることで、図６（Ｃ）や図１１（Ａ）に示す状態に第１の接合層４０７又は第２
の接合層４０４の一方又は双方を変形させてもよい。

また、作製基板２０１と作製基板２２１を貼り合わせる際に、第１の接合層４０７と第２
の接合層４０４の間に気泡が残る場合がある。気泡が含まれている部分は機械的強度が弱
く、クラックが発生しやすいことがある。したがって、図２３（Ｂ）、（Ｃ）等に示すよ
うに、基板の角部近傍に第２の接合層４０４を有さない部分を設け、気泡が第２の接合層
４０４の外側に抜けやすくなるようにしてもよい。なお、作製基板２０１と作製基板２２
１を貼り合わせた後の第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４の形状は図１１（Ａ）
に限られず、図２３（Ｄ）に示すように、第２の接合層４０４が一つに繋がっていなくて
もよい。

例えば、図２４（Ａ）に示すように、第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４を被剥
離層（ここでは被剥離層２２５）上に形成し、作製基板２０１と作製基板２２１とを、減
圧雰囲気下で貼り合わせる。すると、図２４（Ｂ）に示すように、第２の接合層４０４が
押し潰され、紙面横方向に広がる。ここで、横方向への広がりが小さく、第１の接合層４
０７と第２の接合層４０４の膜厚（紙面縦方向の長さ）に差があると、図２４（Ｂ）の点
線で囲った部分のように、段差ができる場合がある。

さらに、図２４（Ｂ）に示すように、第１の接合層４０７と第２の接合層４０４の間に、
減圧された中空領域を有する場合、減圧雰囲気下で基板どうしを貼り合わせた作製中の発
光装置を大気圧下に曝すことで、第１の接合層４０７又は第２の接合層４０４のいずれか
一方又は双方が中空領域に広がる。例えば、図２４（Ｃ）に示すように、中空領域に第１
の接合層４０７が広がり、第１の接合層４０７の膜厚が小さくなることで、さらに第１の
接合層４０７と第２の接合層４０４の膜厚の差が広がり、大きな段差となる場合もある。

したがって、本発明の一態様の発光装置は、端部付近の膜厚と、該端部よりも内側の中央
部の膜厚とが異なるという特徴を有する。例えば、図２４（Ｃ）に示すように発光装置の
端部付近の膜厚が、中央部の膜厚よりも厚くてもよく、図２４（Ｄ）に示すように薄くて
もよい。

また、作製途中又は作製された発光装置における膜厚差（段差）のある部分では、被剥離
層を構成する層の膜剥がれなどが起こりやすく、剥離の歩留まりの低減、装置の信頼性の
低下につながる場合がある。また、発光領域において発光装置の厚さに差があると、干渉
縞が生じるなど、表示品質が低下する場合がある。

したがって、本発明の一態様の発光装置は、発光部の端部付近の膜厚と、該端部よりも内
側の中央部の膜厚とが概略等しいことが好ましい。このとき、発光部の端部付近の膜厚と
、該発光部の端部よりも外側の、発光装置の端部付近の膜厚と、が異なっていてもよい。
また、本発明の一態様の発光装置は、干渉縞から発光装置の端部までの距離が短いことが
好ましい。例えば、３０ｍｍ以内、２０ｍｍ以内、１０ｍｍ以内等とすればよい。干渉縞
から発光装置の端部までの距離を短くすることで、発光装置において発光領域に用いるこ
とができる領域を広げることができ、好ましい。

さらに、本発明の一態様の発光装置は、端部付近の膜厚と、該端部よりも内側の中央部の
膜厚（例えば、発光部の中央部の膜厚や、発光部の端部付近の膜厚）とが概略等しいこと
が好ましい。

具体的には、第１の接合層４０７と第２の接合層４０４の膜厚、材料、塗布量などを適宜
決定することで、第１の接合層４０７と第２の接合層４０４の界面付近において、発光装
置の厚さに差が生じることを抑制できる。

図６（Ｃ）では、剥離層２０３との剥離層２２３の大きさが同じである場合を示したが、
図６（Ｄ）に示すように、異なる大きさの剥離層を用いてもよい。

第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４は剥離層２０３、被剥離層２０５、被剥離層
２２５、及び剥離層２２３と重なるように配置する。そして、第２の接合層４０４の端部
は、剥離層２０３又は剥離層２２３の少なくとも一方（先に剥離したい方）の端部よりも
内側に位置することが好ましい。これにより、作製基板２０１と作製基板２２１が強く密
着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。

ここで、第２の接合層４０４の材料の硬化前の流動性が、第１の接合層４０７の材料の硬
化前の流動性よりも低いことが好ましい。枠状の第２の接合層４０４に囲まれた内部に第
１の接合層４０７を充填することで、第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４が剥離
層２０３の外側に広がること、さらには剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる
。

第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４の形成順序は問わない。例えば、スクリーン
印刷法等を用いて第１の接合層４０７を形成した後、塗布法等を用いて第２の接合層４０
４を形成してもよい。または、塗布法等を用いて第２の接合層４０４を形成した後、ＯＤ
Ｆ（Ｏｎｅ Ｄｒｏｐ Ｆｉｌｌ）方式の装置等を用いて第１の接合層４０７を形成して
もよい。

次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図７（Ａ）、（Ｂ））。

レーザ光は、硬化状態の第２の接合層４０４と、被剥離層２０５と、剥離層２０３とが重
なる領域に対して照射する（図７（Ａ）の矢印Ｐ１参照）。

少なくとも第１の層（被剥離層２０５に含まれる、剥離層２０３と接する層）にクラック
を入れる（膜割れやひびを生じさせる）ことで、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を
形成できる（図７（Ｂ）の点線で囲った領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被
剥離層２０５の他の層や、剥離層２０３、第２の接合層４０４の一部を除去してもよい。
レーザ光の照射によって、膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。

レーザ光は、どちらの基板側から照射してもよいが、剥離したい剥離層が設けられた基板
側から照射することが好ましい。剥離層２０３と剥離層２２３が重なる領域にレーザ光の
照射をする場合は、被剥離層２０５及び被剥離層２２５のうち被剥離層２０５のみにクラ
ックを入れることで、選択的に作製基板２０１及び剥離層２０３を剥離することができる
。なお、レーザ光を照射する側の基板は、該レーザ光を透過する材料を用いる。

図１１（Ａ）の一点鎖線で囲んだ領域Ｅの拡大図を図１１（Ｂ−１）〜（Ｂ−４）に示す
。各拡大図では、レーザ光の照射領域２１５を例示している。

剥離工程時、剥離の起点に、被剥離層２０５と剥離層２０３を引き離す力が集中すること
が好ましいため、硬化状態の第２の接合層４０４の中央部よりも端部近傍に剥離の起点を
形成することが好ましい。特に、端部近傍の中でも、辺部近傍に比べて、角部近傍に剥離
の起点を形成することが好ましい。

例えば、図１１（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）に示すように、硬化状態の第２の接合層４０４と
剥離層２０３とが重なる領域にレーザ光の照射領域２１５が位置してもよい。なお、図１
１（Ｂ−４）に示すように、レーザ光を第２の接合層４０４の辺に接して照射することも
、硬化状態の第２の接合層４０４と剥離層２０３とが重なる領域にレーザ光を照射する態
様の一つである。

また、図１１（Ｂ−１）、（Ｂ−３）、（Ｂ−４）に示すように、第２の接合層４０４の
端部近傍に断続的にレーザ光を照射することで、破線状に剥離の起点を形成すると、剥離
が容易となるため好ましい。

また、硬化状態の第２の接合層４０４と剥離層２０３とが重なる領域に連続的もしくは断
続的にレーザ光を照射することで、実線状もしくは破線状の剥離の起点を枠状に形成して
もよい。

剥離の起点を形成するために用いるレーザには特に限定はない。例えば、連続発振型のレ
ーザやパルス発振型のレーザを用いることができる。レーザ光の照射条件（周波数、パワ
ー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等）は、作製基板や剥離層の厚さ、材料等
を考慮して適宜制御する。

そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２０５と作製基板２０１とを分離する（図７
（Ｃ）、（Ｄ））。これにより、被剥離層２０５を作製基板２０１から作製基板２２１に
転置することができる。

このとき、一方の基板を吸着ステージ等に固定することが好ましい。例えば、作製基板２
０１を吸着ステージに固定し、作製基板２０１から被剥離層２０５を剥離してもよい。ま
た、作製基板２２１を吸着ステージに固定し、作製基板２２１から作製基板２０１を剥離
してもよい。

例えば、剥離の起点から、物理的な力（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを
回転させながら分離する処理等）によって被剥離層２０５と作製基板２０１とを分離すれ
ばよい。

また、剥離層２０３と被剥離層２０５との界面に水などの液体を浸透させて作製基板２０
１と被剥離層２０５とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層２０３と被剥離
層２０５の間にしみこむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静
電気が、被剥離層２０５に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気
により破壊されるなど）を抑制できる。

次に、作製基板２０１から剥離した被剥離層２０５と、可撓性基板４２０とを接着層４２
２を用いて貼り合わせ、接着層４２２を硬化させる（図８（Ａ））。

次に、カッターなどの鋭利な刃物により、剥離の起点を形成する（図８（Ｂ）、（Ｃ））
。

剥離層２２３が設けられていない側の可撓性基板４２０が刃物等で切断できる場合、可撓
性基板４２０、接着層４２２、及び被剥離層２２５に切り込みを入れてもよい（図８（Ｂ
）の矢印Ｐ２参照）。これにより、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成できる（
図８（Ｃ）の点線で囲った領域参照）。

ここでは、硬化状態の第２の接合層４０４と剥離層２２３とが重なる領域に枠状に切り込
みを入れることで、実線状に剥離の起点を形成する例を示すが、これに限られない。なお
、剥離層２２３にも切り込みが入っていてもよい。

図８（Ｂ）、（Ｃ）で示すように、剥離層２２３と重ならずに、作製基板２２１及び可撓
性基板４２０が接着層４２２によって貼り合わされている領域がある場合、作製基板２２
１と可撓性基板４２０の密着性の程度により、後の剥離工程の歩留まりが低下することが
ある。したがって、硬化状態の接着層４２２と剥離層２２３とが重なる領域に枠状に切り
込みを入れ、実線状に剥離の起点を形成することが好ましい。これにより、剥離工程の歩
留まりを高めることができる。

そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２２５と作製基板２２１とを分離する（図８
（Ｄ））。これにより、被剥離層２２５を作製基板２２１から可撓性基板４２０に転置す
ることができる。

その後、導電層４５７を露出する工程と、絶縁層２２６及び可撓性基板４２８を、接着層
４２６を用いて貼り合わせる工程と、を行う。どちらの工程を先に行ってもよい。

導電層４５７を露出するために導電層４５７と重なる層を除去する方法は問わない。例え
ば、絶縁層２２６等を針やカッターなどの刃物で傷つける、レーザ光を照射する等により
、絶縁層２２６等の一部の領域を除去し、該除去した領域をきっかけに導電層４５７と重
なる層を除去してもよい。例えば、粘着性のローラーを絶縁層２２６に押し付け、ローラ
ーを回転させながら相対的に移動させる。または、粘着性のテープを絶縁層２２６に貼り
付け、剥してもよい。

なお、事前に絶縁層４６３及び絶縁層４６５の導電層４５７と重なる領域に開口部を設け
、該開口部に、ＥＬ層４０２と同一の工程、同一の材料で、ＥＬ層を形成し、第２の電極
４０３と同一の工程、同一の材料で、導電層を形成してもよい。ＥＬ層と導電層の密着性
や、ＥＬ層を構成する層どうしの密着性が低いため、ＥＬ層と導電層の界面、又はＥＬ層
中で分離が生じる。これにより、絶縁層２２６、接合層、ＥＬ層、又は導電層の導電層４
５７と重なる領域を選択的に除去することができる。なお、導電層４５７上にＥＬ層等が
残存した場合は、有機溶剤等により除去すればよい。

以上に示した本発明の一態様の発光装置の作製方法では、レーザ光の照射や鋭利な刃物等
により剥離の起点を形成し、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を
行う。これにより、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。

また、本作製方法では、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り
合わせた後に、剥離をし、可撓性基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥離
層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓性
基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることができ
る。したがって、有機ＥＬ素子とカラーフィルタの貼り合わせの位置合わせ精度が高い作
製方法であるといえる。

また、硬化状態の第２の接合層４０４と剥離層が重なる領域で剥離を始めることで、被剥
離層を第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４で２重に封止することができる。した
がって、有機ＥＬ素子が水分や酸素により劣化することを抑制できる、信頼性の高い発光
装置を作製できる。

なお、図８（Ｄ）では、第２の接合層４０４の端部を接着層４２２が覆っている状態を示
したが、本発明の一態様の発光装置はこれに限られない。接着層４２２のガスバリア性が
高い場合には、第２の接合層４０４の端部を接着層４２２が覆っている構成とすることで
、発光装置に不純物が侵入することを抑制でき好ましい。または、発光装置の端部を切断
することで、発光装置の側面に第２の接合層４０４を露出させてもよい。これにより、発
光装置の非発光領域を狭くできる（狭額縁にできる）。本発明の一態様では、第２の接合
層４０４にガスバリア性の高い層を用いるため、発光装置の側面に第２の接合層４０４が
露出しても、発光装置の信頼性の低下を抑制できる。

＜装置の作製方法２＞
装置の作製方法２は、１回目の剥離工程までは装置の作製方法１と同様に行う。以降では
、図７（Ｄ）の後の工程を詳述する。

作製基板２０１から分離された被剥離層２０５と可撓性基板２３１とを、第３の接合層２
３３及び第４の接合層２３５を用いて貼り合わせ、第３の接合層２３３及び第４の接合層
２３５を硬化させる（図９（Ａ））。ここでは、被剥離層２２５上に枠状の第４の接合層
２３５と、第４の接合層２３５の内側の第３の接合層２３３と、を設け、被剥離層２２５
と可撓性基板２３１とを貼り合わせる。

なお、被剥離層２０５と可撓性基板２３１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ま
しい。

次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図９（Ｂ）、（Ｃ））。

ここでは、硬化状態の第４の接合層２３５にレーザ光を照射する（図９（Ｂ）の矢印Ｐ３
参照）。第１の層の一部を除去することで、剥離の起点を形成できる（図９（Ｃ）の点線
で囲った領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層２２５の他の層や、剥離
層２２３、第４の接合層２３５の一部を除去してもよい。

レーザ光は、剥離層２２３が設けられた作製基板２２１側から照射することが好ましい。

そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２２５と作製基板２２１とを分離する（図９
（Ｄ））。これにより、被剥離層２０５及び被剥離層２２５を可撓性基板２３１に転置す
ることができる。

その後、導電層４５７を露出する工程と、絶縁層２２６及び可撓性基板４２８を、接着層
４２６を用いて貼り合わせる工程と、を行う。どちらの工程を先に行ってもよい。

以上に示した本発明の一態様の発光装置の作製方法では、それぞれ剥離層及び被剥離層が
設けられた一対の作製基板を貼り合わせた後、レーザ光の照射により剥離の起点を形成し
、それぞれの剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これによ
り、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。

また、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥
離をし、作製したい装置を構成する基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥
離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓
性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることがで
きる。

また、硬化状態の第２の接合層４０４と剥離層が重なる領域で剥離を始めることで、被剥
離層を第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４で２重に封止することができる。した
がって、有機ＥＬ素子が水分や酸素により劣化することを抑制できる、信頼性の高い発光
装置を作製できる。

図９（Ｄ）に示す構成では、有機ＥＬ素子４５０が、第１の接合層４０７及び第２の接合
層４０４、並びに第３の接合層２３３及び第４の接合層２３５によって、封止されている
ため、発光装置に不純物が侵入することを抑制できる。なお、本発明の一態様の発光装置
の構成はこれに限られない。発光装置の端部を切断することで、第３の接合層２３３及び
第４の接合層２３５の少なくとも一部を除去し、発光装置の側面に第２の接合層４０４を
露出させてもよい。これにより、発光装置の非発光領域を狭くできる（狭額縁にできる）
。本発明の一態様では、第２の接合層４０４にガスバリア性の高い層を用いるため、発光
装置の側面に第２の接合層４０４が露出しても、発光装置の信頼性の低下を抑制できる。

＜装置の作製方法３＞
以下では、図３（Ａ）、（Ｂ）に示す塗り分け方式を用いたトップエミッション構造の発
光装置（上記構成例２）を作製する例を示す。

なお、被剥離層の構成を変えることで、上記構成例３〜５も同様の方法により作製できる
。

まず、図１０（Ａ）に示すように、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２
０３上に被剥離層２０５を形成する。被剥離層２０５としては、装置の作製方法１と同様
の層を形成する。ただし、ここでは塗り分け方式を用いるため、有機ＥＬ素子４５０が有
するＥＬ層４０２の少なくとも一部は画素ごとに分断されている。

次に、作製基板２０１と可撓性基板４２８とを、第１の接合層４０７及び第２の接合層４
０４を用いて貼り合わせ、第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４を硬化させる（図
１０（Ｂ））。ここでは、可撓性基板４２８上に枠状の第２の接合層４０４と、枠状の第
２の接合層４０４の内側の第１の接合層４０７とを設けた後、作製基板２０１と可撓性基
板４２８とを、対向させ、貼り合わせる。

なお、作製基板２０１と可撓性基板４２８の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うことが好ま
しい。

ここで、第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４は剥離層２０３及び被剥離層２０５
と重なるように配置する。そして、図１０（Ｂ）に示すように、第２の接合層４０４の端
部は、剥離層２０３の端部よりも外側に位置しないことが好ましい。第２の接合層４０４
が剥離層２０３と重ならない領域を有すると、その領域の広さや、第２の接合層４０４と
接する層との密着性の程度によって、剥離不良が生じやすくなる場合がある。したがって
、第２の接合層４０４は剥離層２０３の内側に位置する、もしくは、第２の接合層４０４
の端部と剥離層２０３の端部とが揃っていることが好ましい。

また、図１１（Ｃ）に示すように、第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４の外側に
、樹脂層２１３を設けてもよい。図１１（Ｃ）には、可撓性基板４２８側から見た平面図
と、該平面図における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図を示す（平面図にて可撓性基板４２
８は図示しない）。樹脂層２１３を設けることで、作製工程中に大気雰囲気に露出しても
、被剥離層２０５に水分等の不純物が混入することを抑制できる。

また、樹脂層２１３は、硬化状態であると、作製基板２０１と可撓性基板４２８の密着性
の程度により、後の剥離工程の歩留まりが低下する場合がある。したがって、樹脂層２１
３の少なくとも一部を、半硬化状態又は未硬化状態とすることが好ましい。樹脂層２１３
に粘度の高い材料を用いることで、半硬化状態又は未硬化状態であっても、大気中の水分
等の不純物が被剥離層２０５に混入することを抑制する効果を高めることができる。

また、例えば、樹脂層２１３として、光硬化樹脂を用い、一部に光を照射することで、樹
脂層２１３の一部を硬化状態としてもよい。一部を硬化状態とすることで、工程中に、減
圧雰囲気から大気圧雰囲気に移動した場合でも、作製基板２０１及び可撓性基板４２８の
間隔及び位置を一定に保つことができ、好ましい。なお、装置の作製方法１、２において
も、樹脂層２１３を形成することが好ましい。

次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１０（Ｂ）、（Ｃ））。

レーザ光は、硬化状態の第２の接合層４０４と、被剥離層２０５と、剥離層２０３とが重
なる領域に対して照射する（図１０（Ｂ）の矢印Ｐ４参照）。

第１の層の一部を除去することで、剥離の起点を形成できる（図１０（Ｃ）の点線で囲っ
た領域参照）。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層２０５の他の層や、剥離層２０
３、第２の接合層４０４の一部を除去してもよい。

レーザ光は、どちらの基板側から照射してもよいが、散乱した光が有機ＥＬ素子等に照射
されることを抑制するため、剥離層２０３が設けられた作製基板２０１側から照射するこ
とが好ましい。

そして、形成した剥離の起点から、被剥離層２０５と作製基板２０１とを分離する（図１
０（Ｄ））。これにより、被剥離層２０５を作製基板２０１から可撓性基板４２８に転置
することができる。

以上に示した本発明の一態様の発光装置の作製方法では、レーザ光の照射により剥離の起
点を形成し、剥離層２０３と被剥離層２０５とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行
う。これにより、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。

なお、上記では、レーザ光を用いて剥離の起点を形成したが、可撓性基板４２８がカッタ
ーなどの鋭利な刃物で切断できる場合、可撓性基板４２８、第２の接合層４０４、及び被
剥離層２０５に切り込みを入れてもよい。これにより、第１の層の一部を除去し、剥離の
起点を形成できる。

その後、導電層４５７を露出する工程と、被剥離層２０５及び可撓性基板４２０を、接着
層４２２を用いて貼り合わせる工程と、を行う。どちらの工程を先に行ってもよい。

また、硬化状態の第２の接合層４０４と剥離層２０３が重なる領域で剥離を始めることで
、被剥離層２０５を第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４で２重に封止することが
できる。したがって、有機ＥＬ素子が水分や酸素により劣化することを抑制できる、信頼
性の高い発光装置を作製できる。

上述したように、剥離及び転置できる領域の端部は、剥離層２０３の端部よりも内側であ
る。図１２（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、剥離したい被剥離層２０５の端部は、剥離層２
０３の端部よりも内側に位置するよう形成する。剥離したい被剥離層２０５が複数ある場
合、図１２（Ｂ）に示すように、被剥離層２０５ごとに剥離層２０３を設けてもよいし、
図１２（Ｃ）に示すように、１つの剥離層２０３上に複数の被剥離層２０５を設けてもよ
い。

剥離及び転置によりフレキシブルな試料を作製する一例について、図２０を用いて説明す
る。ここでは、ガラス基板から有機樹脂フィルム基板に被剥離層を転置した例を示す。

試料の作製方法としては、まず、６００ｍｍ×７２０ｍｍのガラス基板上に、島状のタン
グステン膜（５７９ｍｍ×６９６ｍｍ）を剥離層として形成した。そして、剥離層上に被
剥離層を形成した。被剥離層としては、タングステン膜上の無機絶縁膜と、無機絶縁膜上
の複数のトランジスタと、複数のトランジスタ上の接着層と、接着層上の有機樹脂フィル
ム基板と、を積層した。図２０（Ａ）に、ガラス基板上に形成された複数のトランジスタ
を示す。

そして、剥離層を用いて、ガラス基板と被剥離層とを分離した。図２０（Ｂ）に示すよう
に、ガラス基板から剥離した被剥離層は可撓性を有する。その後、接着層を用いて、露出
した無機絶縁膜に、有機樹脂フィルム基板を貼り合わせた。これにより、図２０（Ｃ）、
（Ｄ）に示す、一対の有機樹脂フィルム基板に被剥離層が挟持されたフレキシブルな試料
を作製することができた。なお、図２０（Ｃ）、（Ｄ）は有機樹脂フィルム基板として用
いた材料が異なる。図２０（Ｄ）では、図２０（Ｃ）に比べて可視光に対する透光性が高
いフィルム（具体的にはＰＥＮフィルム）を用いた。

本発明の一態様を適用し、被剥離層として、有機ＥＬ素子や、第１の接合層及び第２の接
合層を形成することで、上記同様、６００ｍｍ×７２０ｍｍ以上の大型の発光装置を形成
することができる。

以上のように、本発明の一態様の発光装置は、可撓性基板と有機ＥＬ素子との間に第１の
接合層及び第２の接合層を用いる。第１の接合層を、第１の接合層よりもガスバリア性の
高い第２の接合層で囲うことで、第１の接合層に、硬化時の体積の収縮が小さい、透光性
（特に可視光の透過性）が高い、もしくは屈折率が高い等の性質をもつガスバリア性の低
い材料等を用いても、外部から水分や酸素が発光装置に侵入することを抑制できる。した
がって、発光部のシュリンクが抑制された、信頼性の高い発光装置を実現することができ
る。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製における、接合層を硬化させる方法
の一例を説明する。

本実施の形態では、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置における、第１の接合層４０７や
第２の接合層４０４を硬化させる場合について説明する。図６（Ｃ）に示すように、第１
の接合層４０７や第２の接合層４０４は、一方の面側で作製基板２０１、剥離層２０３、
及び被剥離層２０５と重なり、他方の面側で作製基板２２１、剥離層２２３、及び被剥離
層２２５と重なる。

剥離及び転置できる領域の端部は、剥離層の端部よりも内側であるため、第１の接合層４
０７及び第２の接合層４０４を有する発光装置を作製するためには、第１の接合層４０７
及び第２の接合層４０４を、剥離層と重ねて設ける必要がある。さらには、剥離層を介し
て、第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４を硬化する必要がある。

以下では、接合層を硬化させる工程の例を２つ挙げる。１つ目では、第１の接合層４０７
や第２の接合層４０４に、光硬化樹脂を用いる場合の例を示す。２つ目では、第２の接合
層４０４に、熱硬化樹脂を用いる場合の例を示す。

＜接合層の硬化方法１＞
接合層の材料として光硬化樹脂を用いる場合、光硬化樹脂を硬化するための光を、作製基
板や剥離層、被剥離層が透過する必要がある。

本発明の一態様の発光装置の作製方法では、剥離層としてタングステン膜と酸化タングス
テン膜との積層構造を用い、タングステン膜と酸化タングステン膜との界面（又は界面近
傍）で剥離が生じることで、作製基板と被剥離層とを分離することができる。

ここで、タングステン膜等の金属膜のように、剥離層は、材料によっては、厚すぎると透
光性が低くなり、光硬化樹脂を硬化させるための光を透過しにくくなる。これにより、光
硬化樹脂が硬化しない、又は光硬化樹脂を硬化させるのに長い時間を要する、等の問題が
生じる。

したがって、剥離層における、光硬化樹脂を硬化させるための光の透過率は、０％より大
きく、１％以上がより好ましい。

一方、剥離層の膜厚を薄くしすぎると、剥離工程の歩留まりが低下する場合がある。また
、膜厚が薄いと、均一な厚さで成膜することが困難な場合がある。

したがって、剥離層の膜厚は、２ｎｍ以上が好ましく、５ｎｍ以上がより好ましい。

例えば、図６（Ａ）に示す作製基板２０１としてガラス基板を用い、剥離層２０３として
タングステン膜を用い、被剥離層２０５として膜厚６００ｎｍの酸化窒化シリコン膜と膜
厚２００ｎｍの窒化シリコン膜の積層を用いた試料の透過率を図１６に示す。

図１６では、タングステン膜の膜厚が、５ｎｍ、１５ｎｍ、及び３０ｎｍの場合の結果を
示す。

タングステン膜は、膜厚が３０ｎｍであっても紫外光の透過率が２〜３％程度であり、試
料を介して紫外光硬化樹脂を硬化させることが可能であるとわかる。また、タングステン
膜をより薄くすることで、透過率が高くなり、試料を介して紫外光硬化樹脂を確実に硬化
させる、又は短時間で硬化させることが可能であると示唆される。

本発明の一態様の発光装置の作製方法で用いる剥離層の上面形状の一例を図１２（Ｄ）〜
（Ｆ）に示す。

図１２（Ｄ）は、第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４にそれぞれ光硬化樹脂を用
いる場合に用いる剥離層の例である。図１２（Ｄ）では、作製基板３０１上に、剥離層３
０３が島状に設けられている。このとき、剥離層３０３の膜厚は、各接合層に用いる光硬
化樹脂を硬化させるための光を透過するよう決定する。これにより、第１の接合層４０７
及び第２の接合層４０４に用いた光硬化樹脂を硬化することができ、発光装置の信頼性を
高めることができる。また、膜厚を２ｎｍ以上とすると、剥離層３０３の成膜工程や剥離
工程における歩留まりの低下を抑制でき、より好ましい。

図１２（Ｅ）、（Ｆ）は、第２の接合層４０４に光硬化樹脂を用いる場合に用いる剥離層
の例である。

図１２（Ｅ）では、作製基板３０１上に設けられた島状の剥離層が、領域３０３ｂに比べ
て膜厚の薄い領域３０３ａを枠状に有する。領域３０３ａは、第２の接合層４０４と重な
るように形成する。

図１２（Ｆ）では、作製基板３０１上に設けられた島状の剥離層が、領域３０３ｂに比べ
て膜厚の薄い、格子状の領域３０３ａを枠状に有する。領域３０３ａは、第２の接合層４
０４と重なるように形成する。

図１２（Ｅ）、（Ｆ）に示す領域３０３ａの膜厚は、第２の接合層４０４に用いる光硬化
樹脂を硬化させるための光を透過するよう決定する。これにより、第２の接合層４０４に
用いた光硬化樹脂を硬化することができ、発光装置の信頼性を高めることができる。また
、膜厚を２ｎｍ以上とすると、剥離層の成膜工程や剥離工程における歩留まりの低下を抑
制でき、より好ましい。なお、領域３０３ａよりも厚い領域３０３ｂが厚すぎると、成膜
や膜の加工に時間を要してしまうため、２ｎｍ以上１０００ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ
以上１００ｎｍ以下がより好ましい。

図１３を用いて、膜厚の薄い領域３０３ａと、膜厚の厚い領域３０３ｂとを有する剥離層
の作製方法の一例を説明する。

まず、図１３（Ａ）に示すように、作製基板３０１上に下地膜３０２を形成し、下地膜３
０２上に剥離層３０３を形成する。

剥離層３０３としては、ここでは膜厚２５ｎｍのタングステン膜を形成する。

次に、図１３（Ｂ）に示すように、剥離層３０３上にレジスト３０４を形成する。

そして、剥離層３０３をフォトリソグラフィ工程により複数の島状の剥離層３０３ｃに加
工する。

そして、下地膜３０２及び剥離層３０３ｃ上にさらに剥離層を形成する。ここでは、膜厚
５ｎｍのタングステン膜を形成する。

以上により、膜厚約３０ｎｍの領域３０３ｂと、膜厚約５ｎｍの領域３０３ａを有する剥
離層を形成することができる。膜厚の薄い領域３０３ａを硬化したい接合層と重ねて設け
ることで、接合層を短時間でより確実に硬化することができる。

以上では、剥離層にタングステンを用いる場合を例示したが、本発明はこれに限られない
。膜厚によって透光性が変化する材料（金属など）を剥離層に用いる場合には、同様に、
接合層と重なる領域の少なくとも一部を、光硬化樹脂を硬化するための光を透過する程度
に薄くすることで、接合層の硬化をより確実に行うことができる。剥離層を介して接合層
を硬化させることで、発光装置に接合層を含むことができるため、発光装置の信頼性を高
めることができる。

＜接合層の硬化方法２＞
次に、第２の接合層４０４に、熱硬化樹脂を用いる場合の例を示す。

接合層に熱硬化樹脂を用いる場合、ヒータ等の熱源や、ランプ又はレーザ等の光源を用い
た加熱処理によって接合層を硬化することができる。ランプ光やレーザ光を用いる場合は
、作製基板や剥離層、被剥離層が該光を透過する必要がある。

被剥離層に耐熱性の低いカラーフィルタや有機ＥＬ素子を有する場合、接合層の材料とし
て熱硬化樹脂を用いると、加熱処理の際に、カラーフィルタや有機ＥＬ素子が熱によるダ
メージを受ける恐れがある。

そこで、本発明の一態様の発光装置の作製方法では、接合層と重ねて吸収層を形成する。
そして、吸収層を介して接合層に熱を与えることで、接合層を硬化させる。これにより、
吸収層と重なる接合層のみを選択的に加熱することができる。また、耐熱性の低い材料が
加熱されることを抑制できる。

吸収層は、接合層を加熱するために照射する光を吸収して、熱へと変換する層である。吸
収層は、照射される光に対して７０％以下の低い反射率を有し、また、高い吸収率を有す
る材料で形成されていることが好ましい。また、吸収層は、それ自体が熱によって変化し
ないように、耐熱性に優れた材料で形成されていることが好ましい。吸収層に用いること
ができる材料としては、例えば、窒化チタン、窒化タンタル、窒化モリブデン、窒化タン
グステン、窒化クロム、窒化マンガンなどの金属窒化物や、モリブデン、チタン、タング
ステン、カーボンなどを用いることが好ましい。

剥離層が吸収層を兼ねる場合は、別途、吸収層を設けなくてもよい。

例えば、図１４（Ａ）に示すように、作製基板２２１上に島状の吸収層２２２を形成し、
吸収層２２２を覆う剥離層２２３を形成し、剥離層２２３上の被剥離層２２５を形成する
。そして、作製基板２０１上に剥離層２０３を介して設けられた被剥離層２０５と、被剥
離層２２５と、を、第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４を用いて貼り合わせる。

なお、図１４（Ａ）では、第２の接合層４０４全体が吸収層２２２と重なる例を示したが
、少なくとも一部が重なっていればよい。

作製基板２２１側からランプ光やレーザ光を照射することで、吸収層２２２が光を熱に変
換する。そしてその熱によって、第２の接合層４０４を硬化することができる。

また、本発明の一態様の発光装置の作製方法では、接合層と重ねて吸収層を形成し、耐熱
性の低い有機ＥＬ素子等と重ねて反射層を形成する。そして、吸収層を介して接合層に熱
を与えることで、接合層を硬化させる。これにより、吸収層と重なる接合層のみを選択的
に加熱することができる。また、反射層を有することで、有機ＥＬ素子等が加熱されるこ
とを抑制できる。

反射層は、有機ＥＬ素子等に熱を与えないよう、接合層を加熱するために照射する光を反
射して遮断する層である。反射層は、照射する光に対して高い反射率を有する材料で形成
されていることが好ましい。具体的には、反射層は、照射される光に対して、８５％以上
、好ましくは９０％以上の高い反射率を有する材料で形成されていることが好ましい。

反射層に用いることができる材料としては、例えば、アルミニウム、銀、金、白金、銅、
アルミニウムを含む合金（例えば、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム
合金）、または銀を含む合金（銀−ネオジム合金）などを用いることができる。

例えば、図１４（Ｂ）に示すように、作製基板２２１上に有機ＥＬ素子やカラーフィルタ
と重なる反射層２２４を設け、作製基板２２１及び反射層２２４上に吸収層２２２を設け
、吸収層２２２上に剥離層２２３及び被剥離層２２５を順に積層する。そして、作製基板
２０１上に剥離層２０３を介して設けられた被剥離層２０５と、被剥離層２２５と、を、
第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４を用いて貼り合わせる。

なお、図１４（Ｂ）では、反射層２２４と第２の接合層４０４が重ならない例を示したが
、一部重なっていてもよい。

作製基板２２１側から、ランプ光やレーザ光を照射することで、吸収層２２２が光を熱に
変換する。そしてその熱によって、第２の接合層４０４を硬化することができる。

また、有機ＥＬ素子やカラーフィルタと重なる断熱層を設ける場合は、ヒータ等の熱源を
用いることもできる。断熱層としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化窒化珪素、
酸化ジルコニウム、炭化チタン等を好ましく用いることができる。断熱層には、反射層及
び吸収層に用いる材料よりも熱伝導率の低い材料を用いる。

加熱処理に用いるランプとしては、フラッシュランプ（キセノンフラッシュランプ、クリ
プトンフラッシュランプ等）、キセノンランプ、メタルハライドランプに代表される放電
灯、ハロゲンランプ、タングステンランプに代表される発熱灯を用いることができる。

また、加熱処理に用いるレーザとしては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザなど
の気体レーザ、単結晶のＹＡＧ、ＹＶＯ_４、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）、ＹＡ
ｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４、若しくは多結晶（セラミック）のＹＡＧ、Ｙ_２Ｏ_３、ＹＶＯ_４、Ｙ
ＡｌＯ_３、ＧｄＶＯ_４に、ドーパントとしてＮｄ、Ｙｂ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ
、Ｔａのうち１種または複数種添加されているものを媒質とするレーザ、ガラスレーザ、
ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、銅蒸気レーザまた
は金蒸気レーザ等を用いることができる。

また、作製する発光装置に吸収層２２２や反射層２２４を有してもよい場合は、図１４（
Ｃ）に示すように、剥離層２２３上に吸収層２２２や反射層２２４を形成してもよい。こ
のとき、被剥離層２２５を構成する各層、吸収層、及び反射層を形成する順序は問わない
。

以上のように、熱硬化樹脂を用いて接合層を形成する場合には、吸収層を設けることで、
接合層を選択的に加熱することができる。また、反射層を設けることで、耐熱性の低い有
機ＥＬ素子が熱によりダメージを受けることを抑制できる。これにより、接合層の硬化を
より確実に行うことができる。また、発光装置の信頼性の低下を抑制できる。

本実施の形態で説明した接合層を硬化させる方法を用いることで、接合層に熱硬化樹脂や
光硬化樹脂を用いることができる。また、接合層を短時間で確実に硬化させることができ
る。また、加熱処理を行っても、有機ＥＬ素子やカラーフィルタが熱によるダメージを受
けることを抑制できる。また、剥離層の膜厚を光を透過する程度に薄くしても、剥離工程
の歩留まりの低下を抑制できる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置を用いた電子機器及び照明装置について、
図１５を用いて説明する。

本発明の一態様の発光装置を用いることで、信頼性が高い、フレキシブルな電子機器や照
明装置を作製できる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともい
う）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタル
フォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携
帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

また、本発明の一態様の発光装置は可撓性を有するため、家屋やビルの内壁もしくは外壁
、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。

図１５（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２のほか、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、
スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、本
発明の一態様の発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。本発明の一態
様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を提供できる。

図１５（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、指などで表示部７４０２に触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、指などで表示部７４０２に触れることにより行うことができる。

また、操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７４０２に
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。

図１５（Ｂ）は、リストバンド型の携帯表示装置の一例を示している。携帯表示装置７１
００は、筐体７１０１、表示部７１０２、操作ボタン７１０３、及び送受信装置７１０４
を備える。

携帯表示装置７１００は、送受信装置７１０４によって映像信号を受信可能で、受信した
映像を表示部７１０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。

また、操作ボタン７１０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作、表示する映像の切り替え
、又は音声のボリュームの調整などを行うことができる。

ここで、表示部７１０２には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。本発明の
一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置を提供できる。

図１５（Ｃ）〜（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照明装置７
２１０、及び照明装置７２２０は、それぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２０
１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。

図１５（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備える
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。

図１５（Ｃ）に示す発光部７２０２に用いることができる発光装置の一例を図２１（Ａ）
に示す。図２１（Ａ）に示す発光装置７２０９は、湾曲させた状態で発光させることがで
きる発光パネル７２０５を有する。発光パネル７２０５は、可撓性を有し、凸曲面及び凹
曲面を有する発光領域７２０４を有する。なお、発光領域７２０４は、発光装置７２０９
のおもて面に位置する。

発光装置７２０９の裏面の平面図の例を図２１（Ｂ）、（Ｃ）に示す。さらに、図２１（
Ｂ）では、平面図における一点鎖線Ｚ１−Ｚ２間の断面図、図２１（Ｃ）では、平面図に
おける一点鎖線Ｚ３−Ｚ４間の断面図も合わせて示す。なお、図２１（Ｂ）、（Ｃ）では
湾曲させていない状態の発光装置７２０９を例示する。

図２１（Ｂ）に示すように、発光装置は、裏面に、発光パネル７２０５と電気的に接続す
るＦＰＣ７２０７と、支持体７２０６と、を有する構成であってもよい。

また、図２１（Ｃ）に示すように、発光装置は、裏面に、発光パネル７２０５と電気的に
接続するＦＰＣ７２０７と、ＦＰＣ７２０７を覆う支持体７２０６と、を有する構成であ
ってもよい。

また、図２２（Ｄ）に示すように、支持体７２０６の対向する一対の面のそれぞれにＦＰ
Ｃ及び発光パネルを有することで、両面発光の発光装置を作製することができる。

支持体７２０６としては、実施の形態１で例示した可撓性基板のほか、湾曲した可撓性を
有さない基板を用いることができる。支持体７２０６に沿って発光パネル７２０５を湾曲
させることで、波状の発光面を有する発光部７２０２を実現することができる。

発光装置７２０９の一例の斜視図を図２２（Ａ）に、平面図を図２２（Ｂ）に示す。また
、図２１（Ｂ）に示す構成における、ＦＰＣ７２０７と支持体７２０６の位置関係につい
て図２２（Ｃ）に示す。

図１５（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つの
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に全
方位を照らすことができる。

図１５（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。した
がって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。

また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０の備える各々の発光部
はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。

なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を
備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光
面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく
照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。

ここで、各発光部には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。本発明の一態様
により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を提供できる。

図１５（Ｆ）には、携帯型の表示装置の一例を示している。表示装置７３００は、筐体７
３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部７３０５
を備える。

表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示部
７３０２を備える。

また、表示装置７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した映像
を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリをそなえ
る。また、制御部７３０５にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線
により外部から直接供給する構成としてもよい。

また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
等を行うことができる。

図１５（Ｇ）には、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態の表示
装置７３００を示す。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。また、
筐体７３０１の表面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作するこ
とができる。また、図１５（Ｆ）のように操作ボタン７３０３を筐体７３０１の中央でな
く片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。

なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２の表示面が平面状となるように固
定するため、表示部７３０２の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。

なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によっ
て音声を出力する構成としてもよい。

表示部７３０２には、本発明の一態様の発光装置が組み込まれている。本発明の一態様に
より、軽量で、且つ信頼性の高い表示装置を提供できる。

本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

本実施例では、本発明の一態様のフレキシブルな発光装置を作製し、その信頼性を評価し
た結果について、説明する。

本実施例で作製した試料１の平面図を図１７（Ａ１）に示し、図１７（Ａ１）の一点鎖線
Ｘ５−Ｙ５間の断面図を図１７（Ｂ）に示す。また、本実施例で作製した試料２の平面図
を図１７（Ａ２）に示し、図１７（Ａ２）の一点鎖線Ｘ６−Ｙ６間の断面図を図１７（Ｃ
）に示す。また、比較例として作製した比較試料の平面図を図１８（Ａ）に示し、図１８
（Ａ）の一点鎖線Ｘ７−Ｙ７間の断面図を図１８（Ｂ）に示す。

なお、本実施例の試料において、実施の形態１で説明した構成例１（図２（Ａ）、（Ｂ）
）と同様の構成については、説明を省略する場合がある。また、本実施例の試料の作製方
法において、実施の形態１で説明した装置の作製方法１（図６〜８）と同様の作製工程に
ついては、説明を省略する場合がある。

試料１は、可撓性基板４２０と、可撓性基板４２８と、可撓性基板４２０及び可撓性基板
４２８の間のトランジスタ４５５と、トランジスタ４５５及び可撓性基板４２８の間の有
機ＥＬ素子４５０と、可撓性基板４２８及び有機ＥＬ素子４５０の間の第１の接合層４０
７、及び第１の接合層４０７を囲う枠状の第２の接合層４０４ａと、を有する。

試料１において、発光部４９１及び駆動回路部４９３に含まれる有機ＥＬ素子やトランジ
スタは、可撓性基板４２０、可撓性基板４２８、第１の接合層４０７、及び第２の接合層
４０４ａによって封止されている。

試料１は、絶縁層２２６と第２の接合層４０４ａの間に第１の接合層４０７を有する点で
、構成例１（図２（Ａ）、（Ｂ））と異なる。

試料２は、可撓性基板４２０と、可撓性基板４２８と、可撓性基板４２０及び可撓性基板
４２８の間のトランジスタ４５５と、トランジスタ４５５及び可撓性基板４２８の間の有
機ＥＬ素子４５０と、可撓性基板４２８及び有機ＥＬ素子４５０の間の第１の接合層４０
７、第１の接合層４０７を囲う枠状の第３の接合層４０４ｂ、及び第３の接合層４０４ｂ
を囲う枠状の第２の接合層４０４ａと、を有する。

試料２において、発光部４９１及び駆動回路部４９３に含まれる有機ＥＬ素子やトランジ
スタは、可撓性基板４２０、可撓性基板４２８、第１の接合層４０７、第３の接合層４０
４ｂ、及び第２の接合層４０４ａによって封止されている。

本発明の一態様の発光装置では、第１の接合層４０７を囲う、第２の接合層４０４ａ及び
第３の接合層４０４ｂの少なくとも一方が、第１の接合層４０７よりもガスバリア性が高
いことが好ましく、両方が第１の接合層４０７よりもガスバリア性が高いことがより好ま
しい。

試料２は、第３の接合層４０４ｂを有する点、並びに、絶縁層２２６と第２の接合層４０
４ａの間、及び、絶縁層２２６と第３の接合層４０４ｂの間にそれぞれ第１の接合層４０
７を有する点で、構成例１（図２（Ａ）、（Ｂ））と異なる。

比較試料は、可撓性基板４２０と、可撓性基板４２８と、可撓性基板４２０及び可撓性基
板４２８の間のトランジスタ４５５と、トランジスタ４５５及び可撓性基板４２８の間の
有機ＥＬ素子４５０と、可撓性基板４２８及び有機ＥＬ素子４５０の間の第１の接合層４
０７と、を有する。

比較試料において、発光部４９１及び駆動回路部４９３に含まれる有機ＥＬ素子やトラン
ジスタは、可撓性基板４２０、可撓性基板４２８、及び第１の接合層４０７によって封止
されている。

比較試料は、第２の接合層４０４を有していない点で、構成例１（図２（Ａ）、（Ｂ））
と異なる。

試料１、２及び比較試料の作製方法としては、まず、一対の作製基板上にそれぞれ剥離層
を形成し、剥離層上に被剥離層を形成した。剥離層としては、いずれも膜厚３０ｎｍのタ
ングステン膜を形成した。一方の作製基板上の被剥離層としては、図１７（Ｂ）における
絶縁層４２４から有機ＥＬ素子４５０までの積層構造を形成した。他方の作製基板上の被
剥離層としては、図１７（Ｂ）における絶縁層２２６からオーバーコート４５３までの積
層構造を形成した。

次に、試料１では、一対の作製基板を、それぞれ被剥離層が形成された面が対向するよう
に、第１の接合層４０７及び第２の接合層４０４ａを用いて貼り合わせ、第１の接合層４
０７及び第２の接合層４０４ａを硬化させた。

また、試料２では、一対の作製基板を、それぞれ被剥離層が形成された面が対向するよう
に、第１の接合層４０７、第２の接合層４０４ａ、及び第３の接合層４０４ｂを用いて貼
り合わせ、第１の接合層４０７、第２の接合層４０４ａ、及び第３の接合層４０４ｂを硬
化させた。

また、比較試料では、一対の作製基板を、それぞれ被剥離層が形成された面が対向するよ
うに、第１の接合層４０７を用いて貼り合わせ、第１の接合層４０７を硬化させた。

各試料において、第１の接合層４０７には、熱硬化樹脂を用いた。第１の接合層４０７は
、８０℃で２時間の加熱処理を行うことで硬化させた。

試料１において、第２の接合層４０４ａには、紫外光硬化樹脂を用いた。第２の接合層４
０４ａは、紫外光を２００秒間照射することで硬化させた。

試料２において、第２の接合層４０４ａには、紫外光硬化樹脂を用い、第３の接合層４０
４ｂには、ゼオライトを含む紫外光硬化樹脂を用いた。ゼオライトは乾燥剤として機能す
ることができる。第２の接合層４０４ａ及び第３の接合層４０４ｂは、紫外光を２００秒
間照射することで硬化させた。なお、乾燥剤を含む樹脂を用いて形成した接合層は、樹脂
自体のガスバリア性が低くても、乾燥剤が水分等を吸着することで水蒸気透過量が少ない
場合には、ガスバリア性が高い層であるといえる。

実施の形態２で説明した接合層の硬化方法１で示した透過率の結果通り、試料１、２では
、膜厚３０ｎｍのタングステン膜を介して、紫外光硬化樹脂を硬化させることができた。

なお、各試料では、それぞれ減圧雰囲気で貼り合わせを行った。

次に、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成した。特に、試料１、２では、レーザ光
を、硬化状態の第２の接合層４０４ａと重なる領域に照射した。これにより、試料１を、
第２の接合層４０４ａ及び第１の接合層４０７を有する構成、試料２を、第２の接合層４
０４ａ、第３の接合層４０４ｂ、及び第１の接合層４０７を有する構成の発光装置とする
ことができる。

そして、形成した剥離の起点から、被剥離層と１つ目の作製基板とを分離した。

その後、露出した被剥離層と、可撓性基板とを接着層を用いて貼り合わせ、接着層を硬化
させた。次に、カッターで剥離の起点を形成し、形成した剥離の起点から被剥離層と２つ
目の作製基板とを分離した。

その後、露出した被剥離層と、可撓性基板とを接着層を用いて貼り合わせ、接着層を硬化
させた。また、導電層４５７を露出させ、ＦＰＣ４９５と電気的に接続した。

作製した各試料の信頼性試験を行った。具体的には、各試料を高温高湿環境下（温度６５
℃、湿度９０％）で保持した。図１９（Ａ）〜（Ｇ）に各試料の表示状態を光学顕微鏡で
観察した結果を示す。図１９（Ａ）〜（Ｆ）では、上段に倍率１００倍の写真、下段に倍
率５００倍の写真をそれぞれ示す。図１９（Ｇ）は倍率１００倍の写真のみを示す。

図１９（Ａ）に比較試料の信頼性試験を行う前の表示状態を示す。また、図１９（Ｂ）に
比較試料の高温高湿環境下に保持して１００時間経過した後の表示状態を示す。

図１９（Ｃ）に試料１の信頼性試験を行う前の表示状態を示す。また、図１９（Ｄ）に試
料１の高温高湿環境下に保持して５００時間経過した後の表示状態を示す。

図１９（Ｅ）に試料２の信頼性試験を行う前の表示状態を示す。また、図１９（Ｆ）に試
料２の高温高湿環境下に保持して５００時間経過した後の表示状態を示す。また、図１９
（Ｇ）に試料２の高温高湿環境下に保持して１０００時間経過した後の表示状態を示す。

比較試料では、信頼性試験を開始した１００時間後において、シュリンク（ここでは、発
光部端部からの輝度劣化や、発光部の非発光領域の拡大を指す）の発生が確認された。ま
た、信頼性試験を開始した５００時間後において、試料１では若干シュリンクが発生して
いることが確認されたが、試料２ではシュリンクの発生は確認されなかった。また、信頼
性試験を開始した１０００時間後でも、試料２では、一般的にシュリンクが発生しやすい
箇所である発光部四隅において、シュリンクの発生は確認されなかった。

本実施例の結果から、本発明の一態様を適用した試料１、２は、比較試料に比べて信頼性
が高いことがわかった。試料１、２のように、第１の接合層を囲う枠状の接合層を有する
構成とすることで、第１の接合層、さらには有機ＥＬ素子等の素子に水分が侵入すること
を抑制できることが示唆された。

また、試料２のように、第１の接合層を囲う枠状の第３の接合層として、乾燥剤を含む樹
脂を用い、第３の接合層を囲う枠状の第２の接合層として、乾燥剤を含まない樹脂を用い
ることで、発光装置の信頼性をより高めることができる。ガスバリア性の高い第２の接合
層が水分等の侵入を抑制することができ、たとえ第２の接合層を水分が透過してしまった
としても、第３の接合層に含まれる乾燥剤が該水分を吸着できるため、第１の接合層、さ
らには有機ＥＬ素子等の素子に水分が侵入することを抑制できることが示唆された。

１０１ 第１の可撓性基板
１０３ 接着層
１０５ 素子層
１０７ 第１の接合層
１０９ 第２の接合層
１１１ 第２の可撓性基板
１１３ 第３の接合層
１１５ 第４の接合層
２０１ 作製基板
２０３ 剥離層
２０５ 被剥離層
２１３ 樹脂層
２１５ 照射領域
２２１ 作製基板
２２２ 吸収層
２２３ 剥離層
２２４ 反射層
２２５ 被剥離層
２２６ 絶縁層
２３１ 可撓性基板
２３３ 第３の接合層
２３５ 第４の接合層
３０１ 作製基板
３０２ 下地膜
３０３ 剥離層
３０３ａ 領域
３０３ｂ 領域
３０３ｃ 剥離層
３０４ レジスト
４０１ 第１の電極
４０２ ＥＬ層
４０３ 第２の電極
４０４ 第２の接合層
４０４ａ 第２の接合層
４０４ｂ 第３の接合層
４０５ 絶縁層
４０６ 導電層
４０７ 第１の接合層
４０８ 導電層
４０９ 光取り出し構造
４１０ 導電層
４１６ 導電層
４１９ 可撓性基板
４２０ 可撓性基板
４２２ 接着層
４２４ 絶縁層
４２６ 接着層
４２８ 可撓性基板
４３１ 遮光層
４３２ 着色層
４３５ 導電層
４５０ 有機ＥＬ素子
４５３ オーバーコート
４５４ トランジスタ
４５５ トランジスタ
４５７ 導電層
４６３ 絶縁層
４６５ 絶縁層
４６７ 絶縁層
４９１ 発光部
４９３ 駆動回路部
４９５ ＦＰＣ
４９７ 接続体
７１００ 携帯表示装置
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 送受信装置
７２００ 照明装置
７２０１ 台部
７２０２ 発光部
７２０３ 操作スイッチ
７２０４ 発光領域
７２０７ ＦＰＣ
７２１０ 照明装置
７２１２ 発光部
７２２０ 照明装置
７２２２ 発光部
７３００ 表示装置
７３０１ 筐体
７３０２ 表示部
７３０３ 操作ボタン
７３０４ 部材
７３０５ 制御部
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク

Claims (2)

1. 第１の可撓性基板と、
   前記第１の可撓性基板上の発光素子と、
   前記発光素子上の第１の接合層と、
   前記第１の接合層の外周に接するように配置されている第２の接合層と、
   前記第１の接合層上及び前記第２の接合層上の第２の可撓性基板と、
   前記第１の可撓性基板と前記発光素子との間に、前記第２の接合層の外周に接するように配置されている第３の接合層と、
   前記第１の可撓性基板と前記第２の可撓性基板とが対向する領域に、前記第３の接合層の外周に接するように配置されている第４の接合層と、を有し、
   前記第２の接合層の酸素透過性は、前記第１の接合層の酸素透過性よりも低い、発光装置。
2. 第１の可撓性基板と、
   前記第１の可撓性基板上の発光素子と、
   前記発光素子上の第１の接合層と、
   前記第１の接合層の外周に接するように配置されている第２の接合層と、
   前記第１の接合層上及び前記第２の接合層上の第２の可撓性基板と、
   前記第１の可撓性基板と前記発光素子との間に、前記第２の接合層の外周に接するように配置されている第３の接合層と、
   前記第１の可撓性基板と前記第２の可撓性基板とが対向する領域に、前記第３の接合層の外周に接するように第４の接合層と、を有し、
   前記第２の接合層の水蒸気透過性は、前記第１の接合層の水蒸気透過性よりも低い、発光装置。