JP2019109517A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】クラックに起因する不良を低減したフレキシブルな入出力装置を提供する。【解決手段】第１の可撓性基板１２１と、第２の可撓性基板１０１と、を有する入出力装置１００であって、第１のバッファ層１２０と、第１のクラック抑止層１２２と、入力装置１９０と、発光素子１１４と、を有し、第１のバッファ層と、第１のクラック抑止層と、入力装置とは、第１の可撓性基板の第１の面側に設けられ、第１のバッファ層と第１のクラック抑止層とは、互いに重なる領域を有し、第１のバッファ層は、第１のクラック抑止層と第１の面との間に設けられ、入力装置はトランジスタ１１６，１１７，１２９及び検知素子１１８を有し、検知素子は一対の電極と誘電体層とを有し、誘電体層は一対の電極の間に設けられ、トランジスタ及び検知素子は、互いに電気的に接続され、発光素子は、第２の可撓性基板の第２の面側に設けられている。【選択図】図２

Description

本発明の一態様は、表示装置に関する。特に、可撓性を有し、曲面に沿って表示を行う
ことのできる表示装置に関する。また、本発明の一態様は、入出力装置に関する。特に、
可撓性を有し、曲面に沿って信号の入出力を行うことのできる入出力装置に関する。

なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、電子機器、それらの駆
動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

近年、可撓性を有する基板上に半導体素子や発光素子などが設けられたフレキシブルデ
バイスの開発が進められている。フレキシブルデバイスの代表的な例としては、照明装置
、画像表示装置の他、トランジスタなどの半導体素子を有する種々の半導体回路などが挙
げられる。

可撓性を有する基板を用いた半導体装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板な
どの支持基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの半導体素子を作製したのち、可撓性
を有する基板に半導体素子を転置する技術が開発されている。この方法では、支持基板か
ら半導体素子を含む層を剥離する工程が必要である。

例えば、特許文献１には次のようなレーザアブレーションを用いた剥離技術が記載され
ている。基板上に非晶質シリコンなどからなる分離層、分離層上に被剥離層を設け、被剥
離層を接着層により転写体に接着させる。レーザ光の照射により分離層をアブレーション
させることで、分離層に剥離を生じさせている。

また、特許文献２には次のような剥離技術が記載されている。基板と酸化物層との間に
金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面の結合が弱いことを利用して、酸化物層と金
属層との界面で剥離を生じさせることで、被剥離層と基板とを分離している。

特開平１０−１２５９３１号公報 特開２００３−１７４１５３号公報

基板上に設けられた剥離層と、その上層に形成された被剥離層（以下、バッファ層とも
いう）との間で剥離を行う場合、剥離層の上層に形成される層は、被剥離層、薄膜トラン
ジスタ、配線、層間膜などを含む薄膜の積層体であり、その厚さは数μｍ以下と薄く、非
常に脆い場合がある。また剥離層と被剥離層の間で剥離を行う際に、剥離の起点となる基
板の端部では大きな曲げストレスがかかり、被剥離層に膜割れやひび（以下、クラックと
もいう）が生じやすい。

また、フレキシブルな入出力装置の生産性を向上させるためには、大型の基板を用いて
複数の入出力装置を同時に作製した後、基板をスクライバなどにより分断することが望ま
れる。このとき、基板の分断の際にかかるストレスにより、基板の端部における薄膜、特
に被剥離層にクラックが発生することがある。

また、上記のように剥離及び分断の工程を経て作製されたフレキシブルな入出力装置を
高温高湿環境下で保持すると、剥離及び分断の工程で被剥離層の端部に発生したクラック
が進行することがある。クラックが進行することによって、入出力装置における発光素子
の信頼性が低下し、またはクラックが発光素子まで達すると発光素子の一部が非発光にな
ることがある。

したがって本発明の一態様は、クラックに起因する不良を低減したフレキシブルな入出
力装置を提供することを課題の一とする。または、量産性に優れたフレキシブルな入出力
装置を提供することを課題の一とする。または、信頼性が高い入出力装置を提供すること
を課題の一とする。

または、本発明の一態様は、新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。また
は、本発明の一態様は、軽量な入出力装置を提供することを目的の一とする。または、本
発明の一態様は、破損しにくい入出力装置を提供することを目的の一とする。または、本
発明の一態様は、厚さが薄い入出力装置を提供することを目的の一とする。

なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお
、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、を有する入出力装置で
あって、第１のバッファ層と、第１のクラック抑止層と、入力装置と、発光素子と、を有
し、第１の可撓性基板の第１の面は、前記第２の可撓性基板の第２の面と対向するように
設けられ、第１のバッファ層と、第１のクラック抑止層と、入力装置とは、第１の可撓性
基板の第１の面側に設けられ、第１のバッファ層と前記第１のクラック抑止層とは、互い
に重なる領域を有し、入力装置はトランジスタ及び検知素子を有し、検知素子は一対の電
極と誘電体層とを有し、誘電体層は一対の電極の間に設けられ、トランジスタ及び検知素
子は、互いに電気的に接続され、発光素子は、第２の可撓性基板の第２の面側に設けられ
ている入出力装置である。

また、上記入出力装置において、第２のバッファ層と、第２のクラック抑止層とが、第
２の可撓性基板の第２の面側に設けられ、第２のバッファ層と第２のクラック抑止層とは
、互いに重なる領域を有していてもよい。

また、上記入出力装置において、第１のバッファ層または／及び第２のバッファ層は無
機材料を含み、発光素子は発光性の有機化合物を含み、第１のクラック抑止層または／及
び第２のクラック抑止層は、導電性材料または樹脂材料のいずれか一方を含み、かつ第１
の面に垂直な方向から見て、検知素子と第１の可撓性基板の端部との間に位置することが
好ましい。

また、上記入出力装置において、一対の電極の一方は酸化物半導体を含むことが好まし
い。

また、上記入出力装置において、カラーフィルタが、第１の可撓性基板の第１の面側に
設けられ、一対の電極のいずれか一方は、第１の面に平行な方向から見て、カラーフィル
タと第２の可撓性基板との間に位置することが好ましい。

また、上記入出力装置において、封止層を有し、封止層は、第１の面と第２の面とを接
着し、一対の電極のいずれか一方が、封止層と接することが好ましい。

また、本発明の一態様は、上記入出力装置と、ＦＰＣとを有するモジュールである。

また、本発明の一態様は、上記入出力装置、または上記モジュールと、スピーカ、マイ
クまたは操作ボタンとを有する電子機器である。

本発明の一態様によれば、クラックに起因する不良を低減したフレキシブルな入出力装
置を提供できる。または、量産性に優れたフレキシブルな入出力装置を提供できる。また
は、信頼性が高い入出力装置を提供できる。

または、本発明の一態様によれば、新規な入出力装置を提供できる。または、軽量な入
出力装置を提供できる。または、破損しにくい入出力装置を提供できる。または、厚さが
薄い入出力装置を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る、入出力装置の構成例。 実施の形態に係る、入出力装置の構成例。 実施の形態に係る、入出力装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、入出力装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、入出力装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、入出力装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、入出力装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、入出力装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る、入出力装置の構成例。 実施の形態に係る、入出力装置の構成例。 実施の形態に係る、入出力装置の構成例。 検知回路及び変換器の構成及び駆動方法の一例を示す図 検知回路の一例および画素の上面図の一例を示す図。 実施の形態に係る、電子機器及び発光装置の構成例。 実施の形態に係る、電子機器の構成例。 実施の形態に係る、入出力装置の構成例。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定
されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更
し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態
の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分または同様な機能を有する部分に
は同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する場合がある
。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場
合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、
明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されな
い。

なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避ける
ために付すものであり、数的に限定するものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の例として、画像表示装置に入力装置
を組み合わせたタッチパネルの構成例とその作製方法例について図面を参照して説明する
。以下では、画像表示装置の一例として、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃ
ｅｎｃｅ）素子を備えるタッチパネルについて説明する。

［タッチパネルの構成例］
図１に、本発明の一態様であるタッチパネル１００の構成を説明する投影図を示す。ま
た図２に、図１に示すタッチパネル１００の一点鎖線Ａ１―Ａ２における断面図を示す。
なお、図１及び図２は明瞭化のため、構成要素の一部を省略して示している。

タッチパネル１００は、画像表示装置１８０と、入力装置１９０と、を備える（図２参
照）。

タッチパネル１００は、第１の基板１２１の第２の基板１０１に対向する側の面上に、
検知部１０６、走査線駆動回路１０７、変換器１０８、外部接続端子１０９及びクラック
抑止領域１１０を有する。クラック抑止領域１１０は、検知部１０６を囲うようにして設
けられている。

ここで、クラック抑止領域１１０は、後述するクラック抑止層を一以上含む領域である
。

タッチパネル１００は、第１の基板１２１と第２の基板１０１が封止層１５３を介して
対向している。第１の基板１２１は接着層１２５を介して第１のバッファ層（被剥離層と
もいう。以下、単にバッファ層と表記する）１２０を有し、バッファ層１２０上に検知部
や変換器などを構成するトランジスタ（１１６，１１７及び１２９）、検知素子１１８が
設けられる。また、バッファ層１２０に接して複数のクラック抑止層１２２を含むクラッ
ク抑止領域１１０が設けられる。また、第２の基板１０１は接着層１３１を介して第２の
バッファ層１３２を有し、第２のバッファ層１３２上に表示素子として機能する発光素子
１１４や、表示部１０２、走査線駆動回路１０４などを構成するトランジスタ、外部接続
端子１０５が設けられる。

なお、第１の基板１２１及び第２の基板１０１は、可撓性基板であることが好ましい。

バッファ層１２０及び第２のバッファ層１３２は、基板（第１の基板１２１及び第２の
基板１０１）や接着層（接着層１２５及び接着層１３１）を透過した不純物がトランジス
タや発光素子１１４等に拡散することを抑制する機能を有する。

バッファ層１２０は、不純物の発光素子１１４への拡散を防ぐバリア膜としての機能を
有する。バッファ層１２０としては、例えば無機材料の単膜やその積層膜を用いることが
できる。このような材料を用いることで、第１の基板１２１にバリア性能、とくに防湿性
の低い材料を用いた場合でも、タッチパネルの防湿性を高めることができる。

しかし、無機膜はぜい性破壊が起きやすく、タッチパネル１００を湾曲させるなどした
場合に、バッファ層１２０にクラックが発生することがある。また、透湿性の低い無機膜
は膨潤率が低いため、例えばタッチパネル１００が高温高湿環境下に置かれた場合に、バ
ッファ層１２０と比べてその近傍の層がより大きく膨潤することにより、バッファ層１２
０の隣接する層との界面に応力集中が起こり、クラックが発生することがある。

そこで、バッファ層１２０に接するように、バッファ層１２０を構成する無機膜とは異
なる材料で形成されるクラック抑止層を設けることで、バッファ層１２０に発生したクラ
ックの進行を抑制することができる。

クラック抑止層１２２としては、無機膜よりも展延性が高く、かつ膨潤率が低い導電膜
を好適に用いることができる。

また、クラック抑止層１２２として、無機膜に対して密着性の高い樹脂材料を用いるこ
とで、バッファ層１２０の表面で起こる応力集中をその界面で緩和することができるため
好ましい。

クラック抑止領域１１０は、２つのクラック抑止層１２２で構成されている。図１にあ
るように、一のクラック抑止層１２２は検知部１０６を囲い、且つ上面から見て閉じた一
の曲線（閉曲線、または端部が一致した曲線ともいう）を形成している。また、クラック
抑止層１２２は、検知部１０６及び外部接続端子１０９を囲い、且つ上面から見て閉じた
一の曲線（閉曲線、または端部が一致した曲線ともいう）を形成していてもよい。

このように検知部１０６の周囲を囲うように設けられたクラック抑止領域１１０により
、大型の基板を用いて複数のタッチパネル１００を同時に作製した後にそれぞれ分断する
ような場合に、バッファ層１２０の端部に発生するクラックが、クラック抑止領域１１０
の内側に進行することを抑制できる。

また、後述するように、タッチパネル１００は支持基板を剥離する工程を経ることによ
り作製することができる。このとき、剥離が基板端部から進行する際にバッファ層１２０
に生じるクラックが、クラック抑止領域１１０の内側に進行することを抑制できる。

なお、本構成例ではクラック抑止層１２２を第１の基板１２１の面上、すなわち第１の
バッファ層１２０に重なるように検知部１０６の周囲に設けているが、クラック抑止層を
第２の基板１０１の面上に設けてもよい。すなわち、クラック抑止層１２２を第２のバッ
ファ層１３２に重なるように表示部１０２の周囲に設けることで、バッファ層１３２に発
生したクラックの進行を抑制することができる。また、クラック抑止層を第１の基板１２
１の面上及び第２の基板１０１の面上の両側に設けてもよい。

また、図１や図２ではクラック抑止領域１１０が検知部１０６を囲う閉曲線となるよう
に設ける構成を示しているが（図１６（Ａ）参照）、クラック抑止領域１１０は必ずしも
閉曲線となるように配置しなくてもよく、複数の線分に分断されていてもよい（図１６（
Ｂ）参照）。なお、図１６（Ａ）は図１において破線で囲んだ領域１５０内のクラック抑
止領域１１０の拡大上面図である。また図１６（Ｂ）はクラック抑止領域１１０を構成す
るクラック抑止層１２２が、複数の線分に分断されている一例を示す拡大上面図である。

以下では、図１及び図２を参照して、タッチパネル１００のそのほかの構成について説
明する。

外部接続端子１０５は、画像表示装置１８０内のトランジスタ（トランジスタ１１２、
１１３、１１９）または発光素子１１４を構成する導電層と同一の材料で構成すると、作
製工程を簡略化できるため好ましい。本構成例では、トランジスタのソース電極またはド
レイン電極を構成する電極１３６及び第１の電極１４３と同一の材料で構成する例を示し
ている。画像表示装置１８０には、外部接続端子１０５に異方性導電フィルム（ＡＣＦ：
Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（
ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを介してＦ
ＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ）やＩＣを実装することに
より、信号を入力することができる。本構成例では、接続体１５６を介してＦＰＣ１５５
が設けられている。

また、入力装置１９０の外部接続端子１０９には接続体１５７を介してＦＰＣ１２８が
接続されている。

図２には、画像表示装置１８０を構成する走査線駆動回路１０４の一部として、トラン
ジスタ１１９を有する例を示している。走査線駆動回路１０４としては、例えばｎチャネ
ル型のトランジスタとｐチャネル型のトランジスタとを組み合わせた回路、ｎチャネル型
のトランジスタで構成された回路、ｐチャネル型のトランジスタで構成された回路などを
有していてもよい。また、本構成例では、表示部１０２が形成される第２のバッファ層１
３２上に走査線駆動回路１０４が形成され、信号線駆動回路は駆動回路用ＩＣを用いて第
２の基板１０１に実装する構成を示しているが、走査線駆動回路と信号線駆動回路の両方
を第２のバッファ層１３２上に形成するドライバ一体型の構成としてもよい。

また、図２には、表示部１０２の一例として一画素分の断面構造を示している。画素は
、電流制御用のトランジスタ１１２と、スイッチング用のトランジスタ１１３と、電流制
御用のトランジスタ１１２が備える一対の電極１３６の一方と電気的に接続された第１の
電極１４３を含む。また第１の電極１４３の端部を覆う絶縁層１４４が設けられている。

画像表示装置１８０が備えるトランジスタ（トランジスタ１１２、１１３、１１９）は
、ボトムゲート型のトランジスタである例を示している。各トランジスタは、チャネルと
して機能する領域を含む半導体層１３５と、ゲート電極１３３と、ゲート絶縁膜として機
能する絶縁層１３４と、を有する。また半導体層１３５と接するように一対の電極１３６
が設けられ、半導体層１３５及び電極１３６を覆うように絶縁層１４１及び絶縁層１４２
が設けられている。なお、半導体層１３５において、チャネルとして機能する領域を挟ん
で低抵抗な領域が設けられていてもよい。

発光素子１１４は、絶縁層１４２上に第１の電極１４３、ＥＬ層１５１、第２の電極１
５２が順に積層された積層構造を有している。本構成例で例示する画像表示装置１８０は
トップエミッション方式の表示装置であるため、第２の電極１５２に透光性の材料を用い
る。また第１の電極１４３には反射性の材料を用いることが好ましい。ＥＬ層１５１は少
なくとも発光性の有機化合物を含む。ＥＬ層１５１を挟持する第１の電極１４３と第２の
電極１５２の間に電圧を印加し、ＥＬ層１５１に電流を流すことにより、発光素子１１４
を発光させることができる。

第２の基板１０１と対向するように第１の基板１２１が設けられ、第２の基板１０１と
第１の基板１２１とが、封止層１５３により接着されている。

入力装置１９０が備えるトランジスタ（トランジスタ１１６、１１７、１２９）は、ト
ランジスタ１１２等と同様にボトムゲート型のトランジスタである例を示している。各ト
ランジスタは、チャネルとして機能する領域を含む半導体層１７３と、ゲート電極１７１
と、ゲート絶縁膜として機能する絶縁層１７２と、を有する。また半導体層１７３と接す
るように一対の電極１７４が設けられ、半導体層１７３及び電極１７４を覆うように絶縁
層１７５が設けられている。なお、半導体層１７３において、チャネルとして機能する領
域を挟んで低抵抗な領域が設けられていてもよい。なお、入力装置１９０が備えるトラン
ジスタは、画像表示装置１８０が備えるトランジスタと異なっていてもよい。

検知素子１１８は、絶縁層１７５上に導電層１７６、絶縁層１７７、導電層１７８が順
に積層された積層構造を有している。検知素子１１８は複数の発光素子１１４と重なる位
置に設けられているため、導電層１７６及び導電層１７８には透光性の材料を用いる。導
電層１７６及び導電層１７８は検知素子１１８における一対の電極として機能し、絶縁層
１７７は誘電体として機能することができる。

導電層１７８上には絶縁層１７９が設けられる。絶縁層１７９上には、発光素子１１４
と重なる位置にカラーフィルタ１２７が設けられ、絶縁層１４４と重なる位置にブラック
マトリクス１２６が設けられる。

［材料及び形成方法について］
以下では、上述した各要素に用いることのできる材料及び形成方法について説明する。

〔可撓性基板〕
可撓性基板の材料としては、有機樹脂や可撓性を有する程度に薄いガラス材料などを用
いることができる。

例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ
）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタ
クリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂
、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、
ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨張係数の低い材料を用いることが好まし
く、例えば、熱膨張係数が３０×１０^−６／Ｋ以下であるポリアミドイミド樹脂、ポリイ
ミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（
プリプレグとも記す）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張係数を下げた基板を使
用することもできる。

上記材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物または無機化合物の高強
度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のこ
とを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリア
ミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキ
サゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラ
ス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布
または不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構造物を可撓
性を有する基板として用いてもよい。可撓性を有する基板として、繊維体と樹脂からなる
構造物を用いると、曲げや局所的押圧による破損に対する信頼性が向上するため、好まし
い。

発光素子１１４からの光を取り出す側の可撓性を有する基板には、ＥＬ層１５１からの
発光に対して透光性を有する材料を用いる。光射出側に設ける材料において、光の取り出
し効率向上のためには、可撓性及び透光性を有する材料の屈折率は高い方が好ましい。例
えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂のみからな
る基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。特に粒子径４０ｎｍ以下の小さな無機フィ
ラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。

また、光射出側とは反対側に設ける基板は、透光性を有していなくてもよいため、上記
に挙げた基板の他に、金属基板または合金基板等を用いることもできる。基板の厚さは、
可撓性や曲げ性を得るために、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５
０μｍ以下であることが好ましい。基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例
えば、アルミニウム、銅、ニッケル、または、アルミニウム合金もしくはステンレス等の
金属の合金などを好適に用いることができる。光を取り出さない側の可撓性を有する基板
に、金属または合金材料を含む導電性の基板を用いると、発光素子１１４からの発熱に対
する放熱性が高まるため好ましい。

また、導電性を有する基板を用いる場合には、基板の表面を酸化する、または表面に絶
縁膜を形成するなどし、絶縁処理が施された基板を用いることが好ましい。例えば、電着
法、スピンコート法やディップ法などの塗布法、スクリーン印刷法などの印刷法、蒸着法
やスパッタリング法、堆積法などの方法を用いて導電性の基板表面に絶縁膜を形成しても
よいし、酸素雰囲気下で放置または加熱する方法や、陽極酸化法などの方法により、基板
の表面を酸化してもよい。

また、可撓性を有する基板の表面に凹凸形状を有する場合、該凹凸形状を被覆して平坦
化した絶縁表面を形成するために平坦化層を設けてもよい。平坦化層としては絶縁性の材
料を用いることができ、有機材料または無機材料で形成することができる。例えば、平坦
化層は、スパッタリング法などの堆積法、スピンコート法やディップ法などの塗布法、イ
ンクジェット法やディスペンス法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法等を用い
て形成することができる。

また、可撓性を有する基板として、複数の層を積層した材料を用いることもできる。例
えば有機樹脂からなる層を２種類以上積層した材料、有機樹脂からなる層と無機材料から
なる層を積層した材料、無機材料からなる層を２種類以上積層した材料などを用いる。無
機材料からなる層を設けることにより、水分等の内部への浸入が抑制されるため、タッチ
パネルの信頼性を向上させることができる。

上記無機材料としては、金属や半導体の酸化物材料や窒化物材料、酸化窒化物材料など
を用いることができる。例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化
アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウムなどを用いればよい。なお、本
明細書中において、窒化酸化とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多いもの
であって、酸化窒化とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多いものを示す。
なお、各元素の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱分光法（ＲＢＳ）等を用いて測
定することができる。

例えば、有機樹脂からなる層と無機材料からなる層を積層する場合、有機樹脂からなる
層の上層または下層に、スパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法または塗布法などにより、上記無機材料からなる層を形成するこ
とができる。

また、可撓性を有する基板として、可撓性を有する程度に薄いガラス基板を用いてもよ
い。特に発光素子１１４に近い側から有機樹脂層、接着層、及びガラス層を積層したシー
トを用いることが好ましい。該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好
ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下の厚さとする。このような厚さのガラス層は、水や
酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとして
は、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このよ
うな有機樹脂層をガラス層と接して設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制
し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料
を、可撓性を有する基板に適用することにより、極めて信頼性が高く、且つフレキシブル
なタッチパネルとすることができる。

なお、ガラス基板などの可撓性を有しない基板を用いてもよい。

〔発光素子〕
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝
度が制御される素子をその範疇に含む。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素
子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

本実施の形態の画像表示装置１８０が有する発光素子１１４は、一対の電極（第１の電
極１４３及び第２の電極１５２）と、該一対の電極間に設けられたＥＬ層１５１とを有す
る。該一対の電極の一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。

発光素子１１４において、光射出側に設ける電極にはＥＬ層１５１からの発光に対して
透光性を有する材料を用いる。

透光性を有する材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジ
ウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。また
は、グラフェンを用いてもよい。また、上記導電層として、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、また
はチタンなどの金属材料や、これらを含む合金を用いることができる。または、これら金
属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料（またはそ
の窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の
積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と酸化イン
ジウム酸化スズの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。

このような電極は、蒸着法や、スパッタリング法などにより形成する。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形
成することができる。

なお、透光性を有する上述の導電性酸化物をスパッタリング法によって形成する場合、
該導電性酸化物を、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると、透光性を向上させる
ことができる。

また導電性酸化物膜をＥＬ層上に形成する場合、酸素濃度が低減されたアルゴンを含む
雰囲気下で成膜した第１の導電性酸化物膜と、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜し
た第２の導電性酸化物膜の積層膜とすると、ＥＬ層への成膜ダメージを低減できるため好
ましい。ここで特に第１の導電性酸化物膜を成膜する際に用いるアルゴンガスの純度が高
いことが好ましく、例えば露点が−７０℃以下、好ましくは−１００℃以下のアルゴンガ
スを用いる。

光射出側とは反対側に設ける電極には、ＥＬ層１５１からの発光に対して反射性を有す
る材料を用いることが好ましい。

光反射性を有する材料としては、例えばアルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タン
グステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、またはパラジウム等の金属、または
これらを含む合金を用いることができる。またこれら金属材料を含む金属または合金にラ
ンタンやネオジム、ゲルマニウムなどを添加してもよい。そのほか、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金などのアルミ
ニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、
銀とマグネシウムの合金などの銀を含む合金を用いることもできる。銀と銅を含む合金は
耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜、または金属酸
化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜
、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記透光
性を有する材料からなる膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀と酸化
インジウム酸化スズの積層膜、銀とマグネシウムの合金と酸化インジウム酸化スズの積層
膜などを用いることができる。

このような電極は、蒸着法や、スパッタリング法などにより形成する。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッキ法を用いて形
成することができる。

ＥＬ層１５１は、少なくとも発光性の有機化合物を含む層（以下、発光層ともいう）を
含めばよく、単数の層で構成されていても、複数の層が積層されていてもよい。複数の層
で構成されている構成としては、陽極側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送
層、並びに電子注入層が積層された構成を例に挙げることができる。なお、発光層を除く
これらの層はＥＬ層１５１中に必ずしも全て設ける必要はない。また、これらの層は重複
して設けることもできる。具体的にはＥＬ層１５１中に複数の発光層を重ねて設けてもよ
く、電子注入層に重ねて正孔注入層を設けてもよい。また、中間層として電荷発生層の他
、電子リレー層など他の構成を適宜加えることができる。また、例えば、異なる発光色を
呈する発光層を複数積層する構成としてもよい。例えば補色の関係にある２以上の発光層
を積層することにより白色発光を得ることができる。

ＥＬ層１５１は、真空蒸着法、またはインクジェット法やディスペンス法などの吐出法
、スピンコート法などの塗布法を用いて形成できる。

〔封止層、接着層〕
封止層１５３としては、例えば、二液混合型樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂などの
硬化性材料や、ゲルなどを用いることができる。例えば、エポキシ樹脂やアクリル樹脂、
シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド、ポリビニルクロライド（ＰＶＣ）、ポリ
ビニルブチラル（ＰＶＢ）、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）などを用いることがで
きる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。

封止層１５３には乾燥剤が含まれていてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（
酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用
いることができる。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸
着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。また、粒状の乾燥剤を設けることにより
、該乾燥剤により発光素子１１４からの発光が乱反射されるため、信頼性が高く、且つ視
野角依存性が改善した発光装置（特に照明用途等に有用）を実現できる。なお、接着層１
２５及び接着層１３１としては、封止層１５３と同様の材料を用いることができる。

〔トランジスタ〕
トランジスタ１１２、１１３、１１９、１１６、１１７、１２９の構造は特に限定され
ない。例えば、トランジスタの構成は、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジ
スタなどを用いてもよい。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトラン
ジスタ構造としてもよい。また、チャネルエッチ型のトランジスタ、または、チャネル保
護型のトランジスタを用いてもよい。チャネル保護型の場合、チャネル領域の上にのみ、
チャネル保護膜を設けてもよい。または、ソースドレイン電極と半導体層とを接触させる
部分のみ開口し、その開口以外の場所にも、チャネル保護膜を設けてもよい。

トランジスタのチャネルが形成される半導体層に適用可能な半導体として、例えばシリ
コンやゲルマニウムなどの半導体材料、化合物半導体材料、有機半導体材料、または酸化
物半導体材料を用いてもよい。

また、トランジスタに用いる半導体の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体
、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結
晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、ト
ランジスタ特性の劣化が抑制されるため好ましい。

例えば上記半導体としてシリコンを用いる場合、アモルファスシリコン、微結晶シリコ
ン、多結晶シリコン、または単結晶シリコンなどを用いることができる。

また、上記半導体として酸化物半導体を用いる場合、インジウム、ガリウム、亜鉛のう
ち少なくともひとつを含む酸化物半導体を用いることが好ましい。代表的にはＩｎ−Ｇａ
−Ｚｎ系金属酸化物などが挙げられる。シリコンよりもバンドギャップが広く、且つキャ
リア密度の小さい酸化物半導体を用いると、オフ状態におけるリーク電流を抑制できるた
め好ましい。

〔バッファ層、絶縁層〕
バッファ層１２０は、第１の基板１２１や接着層１２５を透過した不純物が拡散するこ
とを抑制する機能を有する。第２のバッファ層１３２は、第２の基板１０１や接着層１３
１を透過した不純物が拡散することを抑制する機能を有する。また、トランジスタの半導
体層に接する絶縁層１３４、絶縁層１７２及びトランジスタを覆う絶縁層１４１、絶縁層
１７５は、半導体層への不純物の拡散を抑制することが好ましい。これらの層には、例え
ばシリコンなどの半導体の酸化物または窒化物、アルミニウムなどの金属の酸化物または
窒化物を用いることができる。また、このような無機絶縁材料の積層膜、または無機絶縁
材料と有機絶縁材料の積層膜を用いてもよい。

上記無機絶縁材料としては、例えば窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、窒化酸化ア
ルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化ガリウム、窒化シリコン、
酸化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ゲルマニウム、酸化ジルコニ
ウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化タンタル等から選ばれた材料を、単層でまたは
積層して形成する。

また、上記無機絶縁材料として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯ_ｘ）、窒素が添加
されたハフニウムシリケート（ＨｆＳｉ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ）、窒素が添加されたハフニウムアル
ミネート（ＨｆＡｌ_ｘＯ_ｙＮ_ｚ）、酸化ハフニウム、酸化イットリウム等のｈｉｇｈ−ｋ
材料を用いてもよい。

絶縁層１４２及び絶縁層１７７は、トランジスタや配線などに起因する段差を被覆する
平坦化層として機能する。例えばポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等の有機
樹脂や、無機絶縁材料を用いることができる。絶縁層１４２としては感光性の樹脂（アク
リル、ポリイミドなど）を用いて形成することが好ましい。絶縁層１７７としては、感光
性の樹脂のほか、上記の絶縁層１３４等と同様の材料を用いることができる。また、絶縁
層１４４及び絶縁層１７９も、絶縁層１４２と同様の材料を用いて形成することができる
。

〔クラック抑止層〕
クラック抑止層１２２は、導電性材料を用いて形成することができる。また、クラック
抑止層１２２をトランジスタ１１６等のゲート電極１７１と同一の材料で形成することで
、工程を簡略化できるため好ましい。

クラック抑止層１２２はこれと接して設けられるバッファ層１２０のクラックの進行を
抑止するため、外部応力に強い導電性材料が好ましい。

クラック抑止層１２２は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングス
テン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む
合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、クラック抑止層１
２２は、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。

また、クラック抑止層１２２は、バッファ層１２０に対して密着性の高い樹脂材料を用
いてもよい。樹脂材料として、例えばポリイミド、アクリル、ポリアミド、エポキシ等が
挙げられる。

クラック抑止層１２２の厚さとしては、機械的強度が保持できる膜厚を選択する必要が
ある。具体的には、厚さ５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下で形成し、好ましくは１００ｎｍ
以上５００ｎｍ以下で形成する。

また、クラック抑止層１２２の幅としては、クラックの進行を抑止できる幅が必要であ
る。しかし、クラック抑止層１２２の幅を大きくすることで、多面取りによってタッチパ
ネル１００を作製する場合などにおいて、一の基板から所望のタッチパネルが取れる個数
（取り数ともいう）が減少する可能性がある。具体的には、幅２０μｍ以上１０００μｍ
以下で形成し、好ましくは５０μｍ以上５００μｍ以下で形成する。

〔導電層〕
検知素子１１８において、一対の電極として機能する導電層１７６及び導電層１７８に
は、透光性を有する材料を用いる。

透光性を有する材料としては、酸化インジウム、酸化インジウム酸化スズ、酸化インジ
ウム酸化亜鉛、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いることができる。また
は、グラフェンを用いてもよい。また、上記導電層として、金、銀、白金、マグネシウム
、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、また
はチタンなどの金属材料や、これらを含む合金を用いることができる。または、これら金
属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料（またはそ
の窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすればよい。また、上記材料の
積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金と酸化イン
ジウム酸化スズの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。

導電層１７６及び導電層１７８は、蒸着法や、スパッタリング法などにより形成する。
そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、またはメッ
キ法を用いて形成することができる。

なお、透光性を有する上述の導電性酸化物をスパッタリング法によって形成する場合、
該導電性酸化物を、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で成膜すると、透光性を向上させる
ことができる。

また、後に変形例で示すように、導電層の一方に酸化物導電体を用いてもよい。

〔接続体〕
接続体１５６としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシー
ト状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金
属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状
となった粒子を用いることが好ましい。

〔カラーフィルタ及びブラックマトリクス〕
カラーフィルタ１２７は、発光素子１１４からの発光色を調色し、色純度を高める目的
で設けられている。例えば、白色発光の発光素子を用いてフルカラーの画像表示装置１８
０とする場合には、異なる色のカラーフィルタを設けた複数の画素を用いる。その場合、
赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色のカラーフィルタを用いてもよいし、これに
黄色（Ｙ）を加えた４色とすることもできる。また、Ｒ、Ｇ、Ｂ、（及びＹ）に加えて白
色（Ｗ）の画素を用い、４色（または５色）としてもよい。

また、隣接するカラーフィルタ１２７の間には、ブラックマトリクス１２６が設けられ
ている。ブラックマトリクス１２６は隣接する画素の発光素子１１４から回り込む光を遮
光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、カラーフィルタ１２７の端部を、ブ
ラックマトリクス１２６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができ
る。ブラックマトリクス１２６は、発光素子１１４からの発光を遮光する材料を用いるこ
とができ、金属材料や、顔料を含む有機樹脂などを用いて形成することができる。なお、
ブラックマトリクス１２６は、走査線駆動回路１０４などの表示部１０２以外の領域に設
けてもよい。

また、カラーフィルタ１２７及びブラックマトリクス１２６を覆うオーバーコートを設
けてもよい。オーバーコートは、カラーフィルタ１２７やブラックマトリクス１２６を保
護するほか、これらに含まれる不純物が拡散することを抑制する。オーバーコートは発光
素子１１４からの発光を透過する材料から構成され、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いるこ
とができる。

また、本構成例ではカラーフィルタを設ける構成としたが、それぞれＲ、Ｇ、Ｂなど異
なる色の発光を呈する発光素子のうちいずれか一を画素に配置し、カラーフィルタを設け
ない構成としてもよい。

以上が各要素についての説明である。

［作製方法例］
以下では、上記タッチパネル１００の作製方法の一例について、図面を参照して説明す
る。

図３乃至図８は、以下で説明するタッチパネル１００の作製方法例での、各段階におけ
る断面概略図である。図３乃至図８は、図１、図２で示した箇所の断面構造に対応する。

〔剥離層の形成〕
まず、支持基板１６１上に剥離層１６２を形成する。

支持基板１６１としては、少なくとも後の工程にかかる熱に対して耐熱性を有する基板
を用いる。支持基板１６１としては、例えばガラス基板、樹脂基板の他、半導体基板、金
属基板、セラミック基板などを用いることができる。

なお、量産性を向上させるため、支持基板１６１として大型のガラス基板を用いること
が好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００ｍｍ
×７２０ｍｍ、または６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、
または７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代
（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代
（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍ
ｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板、また
はこれよりも大型のガラス基板を用いることができる。

剥離層１６２としては、例えばタングステン、チタン、モリブデンなどの高融点金属材
料を用いることができる。好ましくはタングステンを用いる。

剥離層１６２は、例えばスパッタリング法により形成することができる。

〔バッファ層の形成〕
続いて、剥離層１６２の上にバッファ層１２０を形成する（図３（Ａ）参照）。

バッファ層１２０としては、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒
化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いることができる。またバッファ
層１２０としては、上記無機絶縁材料を含む層を単層で、もしくは積層で用いることがで
きる。

バッファ層１２０は、支持基板１６１の外から不純物が浸入することを防ぐバリア膜の
機能を有する。また、後述するように加熱によって剥離層１６２に水素を放出する機能を
有する。そのため、特に、バッファ層１２０として２層以上の積層構造とし、そのうち少
なくとも１層には加熱により水素を放出する層を用い、剥離層１６２から見て該水素を放
出する層よりも遠い層には水素などの不純物を透過しない層を用いることが好ましい。例
えば、剥離層１６２から酸化窒化シリコンを含む層と、窒化シリコンを含む層の積層構造
とする。

バッファ層１２０は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法などの成膜方法により形成
できる。特に、水素を含む成膜ガスを用いたプラズマＣＶＤにより成膜することが好まし
い。

ここで、バッファ層１２０の成膜時に剥離層１６２の表面が酸化されることにより、剥
離層１６２とバッファ層１２０の間に酸化物（図示しない）が形成される。該酸化物は、
剥離層１６２に含まれる金属の酸化物を含む層である。好ましくは、タングステン酸化物
を含む層とする。

タングステン酸化物は一般にＷＯ_{（３−ｘ）}で表記され、代表的にはＷＯ_３、Ｗ_２Ｏ_５
、Ｗ_４Ｏ_１１、ＷＯ_２といった様々な組成をとりうる不定比性化合物である。またチタン
酸化物（ＴｉＯ_{（２−ｘ）}）、やモリブデン酸化物（ＭｏＯ_{（３−ｘ）}）も不定比性化合
物である。

この段階における酸化物層は、酸素を多く含む状態であることが好ましい。例えば剥離
層１６２としてタングステンを用いた場合には、酸化物層がＷＯ_３を主成分とするタング
ステン酸化物であることが好ましい。

ここで、バッファ層１２０の形成前に、剥離層１６２の表面に対して酸化性ガス、好ま
しくは一酸化二窒素ガスを含む雰囲気下でプラズマ処理を施し、剥離層１６２の表面に予
め酸化物層を形成することもできる。このような方法を用いると、酸化物層の厚さをプラ
ズマ処理の条件を異ならせることで変化させることができ、プラズマ処理を行わない場合
に比べて酸化物層の厚さの制御性を高めることができる。

酸化物層の厚さは、例えば０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以上
２０ｎｍ以下とする。なお、酸化物層が極めて薄い場合には、断面観察像では観察されな
い場合がある。

〔加熱処理〕
続いて、加熱処理を行い、酸化物層を変質させる。加熱処理を行うことにより、バッフ
ァ層１２０から水素が放出され、酸化物層に供給される。

酸化物層に供給された水素により、酸化物層内の金属酸化物が還元され、酸化物層中に
酸素の組成の異なる領域が複数混在した状態となる。例えば、剥離層１６２としてタング
ステンを用いた場合には、酸化物層中のＷＯ_３が還元されてこれよりも酸素の組成の少な
い状態（例えばＷＯ_２など）が生成され、これらが混在した状態となる。このような金属
酸化物は酸素の組成に応じて異なる結晶構造を示すため、酸化物層内に酸素の組成が異な
る複数の領域を形成することで酸化物層の機械的強度が脆弱化する。その結果、酸化物層
の内部で崩壊しやすい状態が実現され、後の剥離工程における剥離性を向上させることが
できる。

加熱処理は、バッファ層１２０から水素が脱離する温度以上、支持基板１６１の軟化点
以下で行えばよい。また酸化物層内の金属酸化物と水素の還元反応が生じる温度以上で行
うことが好ましい。例えば、剥離層１６２にタングステンを用いる場合には、４２０℃以
上、４５０℃以上、６００℃以上、または６５０℃以上の温度で加熱する。

加熱処理の温度が高いほど、バッファ層１２０からの水素の脱離量が高まるため、その
後の剥離性を向上させることができる。しかし、支持基板１６１の耐熱性や、生産性を考
慮して加熱温度を低くしたい場合には、上述のように予め剥離層１６２に対してプラズマ
処理を施して酸化物層を形成することにより、加熱処理の温度を低くしても高い剥離性を
実現できる。

〔ゲート電極及びクラック抑止層の形成〕
続いて、バッファ層１２０上に導電膜を成膜する。その後、導電膜上にフォトリソグラ
フィ法等を用いてレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去
する。その後レジストマスクを除去することにより、ゲート電極１７１及び複数のクラッ
ク抑止層１２２からなるクラック抑止領域１１０を形成する。

なお、このとき回路を構成する配線なども同時に形成してもよい。

ゲート電極１７１となる導電膜は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより成
膜する。

なお、クラック抑止層１２２はゲート電極１７１と同時に形成しなくてもよく、ゲート
電極１７１と異なる材料を用いてもよい。

〔ゲート絶縁層の形成〕
続いて、ゲート電極１７１を覆って絶縁層１７２を形成する。このとき、外部接続端子
１０９となる配線、及び該配線の走査線駆動回路用のトランジスタ１２９の一方の電極１
７４と接続する箇所のそれぞれに達する開口部を絶縁層１７２に形成する（図３（Ｂ）参
照）。

絶縁層１７２は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などにより形成することができ
る。

なお、本作製方法例では半導体層１７３上に形成される絶縁層として、絶縁層１７２の
単層を形成する構成としたが、これに限られず２層以上の積層構造としてもよい。

〔半導体層の形成〕
続いて、絶縁層１７２上に半導体層を成膜する。その後、半導体膜上にフォトリソグラ
フィ法等を用いてレジストマスクを形成し、半導体膜の不要な部分をエッチングにより除
去する。その後レジストマスクを除去することにより、トランジスタを構成する半導体層
１７３を形成する。

半導体膜の成膜は、用いる材料に応じて適切な方法を用いればよいが、例えばスパッタ
リング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法、またはＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用
いることができる。

半導体層に用いる半導体としては、酸化物半導体を用いることが好ましい。特にシリコ
ンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンより
もバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジス
タのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

例えば、上記酸化物半導体として、少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ
）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、
Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含
む。

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面
、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない
酸化物半導体膜を用いることが好ましい。

このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用
いることができる。

また、半導体膜に多結晶シリコンを適用する場合には、アモルファスシリコンを成膜し
た後に結晶化（例えばレーザ光の照射や、熱処理など）を行い、多結晶シリコンを有する
半導体膜を形成する。

〔ソース電極、ドレイン電極〕
続いて、絶縁層１７２及び半導体層１７３上に導電膜を成膜する。その後導電膜上にフ
ォトリソグラフィ法等を用いてレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチン
グにより除去する。その後レジストマスクを除去することにより、トランジスタのソース
電極またはドレイン電極として機能する電極１７４を形成する。

なおこのとき、回路を構成する配線なども同時に形成してもよい。本作製方法例では外
部接続端子となる部分で該導電膜がゲート電極１７１と同一の導電膜上に形成される。

導電膜はスパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより成膜する。

また、この時点でトランジスタ１１６、トランジスタ１１７、及びトランジスタ１２９
が形成される。

〔絶縁層の形成〕
続いて、絶縁層１７２、半導体層１７３及び電極１７４を覆う絶縁層１７５を成膜する
。このとき、トランジスタ１１７の一方の電極１７４及び外部接続端子となる配線のそれ
ぞれに達する開口部を絶縁層１７５に形成する（図３（Ｃ）参照）。

絶縁層１７５は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などにより形成することができ
る。

なお、本作製方法例では絶縁層１７２、半導体層１７３及び電極１７４上に形成される
絶縁層として、絶縁層１７５の単層を形成する構成としたが、これに限られず２層以上の
積層構造としてもよい。

〔電極及び絶縁層の形成〕
続いて、絶縁層１７５上に導電膜を成膜する。その後導電膜上にフォトリソグラフィ法
等を用いてレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。
その後レジストマスクを除去することにより、検知素子１１８の一方の電極として機能す
る導電層１７６を形成する。

なおこのとき、回路を構成する配線なども同時に形成してもよい。本作製方法例では外
部接続端子となる部分で該導電膜が電極１７４と同一の導電膜上に形成することにより、
外部接続端子１０９を形成する。

導電膜はスパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより成膜する。

続いて、絶縁層１７５及び導電層１７６上に絶縁層１７７を形成する。このとき、外部
接続端子１０９に達する開口部を絶縁層１７７に形成する。

また、検知部１０６となる領域を囲むように、絶縁層１７５に達する開口部を絶縁層１
７７に形成してもよい。絶縁層１７７に有機樹脂を用いる場合は、検知部１０６となる領
域を囲むように開口部を設けることで、絶縁層１７７を介して外部から水分が浸入するこ
とを抑制できる。本作製方法例では、支持基板１６１の端部と、走査線駆動回路１０７及
び変換器１０８との間に、検知部１０６となる領域を囲むように開口部を設けている。

絶縁層１７７は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などにより形成することができ
る。また、絶縁層１７７は、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法などでそ
れぞれ形成することができる。

なお、本作製方法例では導電層１７６上に形成される絶縁層として、絶縁層１７７の単
層を形成する構成としたが、これに限られず２層以上の積層構造としてもよい。

続いて、絶縁層１７７上に導電膜を成膜する。その後導電膜上にフォトリソグラフィ法
等を用いてレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。
その後レジストマスクを除去することにより、検知素子１１８の他方の電極として機能す
る導電層１７８を形成する。

導電膜はスパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより成膜する。

また、この時点で検知素子１１８が形成される（図４（Ａ）参照）。

続いて、絶縁層１７７及び導電層１７８上に絶縁層１７９を形成する。このとき、外部
接続端子１０９に達する開口部を絶縁層１７９に形成する。

また、検知部１０６となる領域を囲むように、絶縁層１７５に達する開口部を絶縁層１
７９に形成してもよい。本作製方法例では、支持基板１６１の端部と、走査線駆動回路１
０７及び変換器１０８の間に、検知部１０６となる領域を囲むように開口部を設けている
。

絶縁層１７９は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などにより形成することができ
る。また、絶縁層１７９は、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法などでそ
れぞれ形成することができる。

なお、本作製方法例では導電層１７８上に形成される絶縁層として、絶縁層１７９の単
層を形成する構成としたが、これに限られず２層以上の積層構造としてもよい。

〔ブラックマトリクス及びカラーフィルタの形成〕
続いて、絶縁層１７９上にブラックマトリクス１２６及びカラーフィルタ１２７を形成
する（図４（Ｂ）参照）。ブラックマトリクス１２６及びカラーフィルタ１２７は、印刷
法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法などでそれぞれ形成する。

〔ゲート電極の形成〕
次に、剥離層１６４及び第２のバッファ層１３２を形成した支持基板１６３を準備する
。剥離層１６４及び第２のバッファ層１３２の形成方法は前述の剥離層１６２及びバッフ
ァ層１２０と同様である。

続いて、第２のバッファ層１３２上に導電膜を成膜する。その後、導電膜上にフォトリ
ソグラフィ法等を用いてレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングによ
り除去する。その後レジストマスクを除去することにより、ゲート電極１３３を形成する
。

なお、このとき回路を構成する配線なども同時に形成してもよい。

ゲート電極１３３となる導電膜は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより成
膜する。

〔ゲート絶縁層の形成〕
続いて、ゲート電極１３３を覆って絶縁層１３４を形成する。

なお、このときゲート電極１３３と同一の導電膜で形成された回路を構成する配線に達
する開口部を形成してもよい。

絶縁層１３４は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などにより形成することができ
る。

〔半導体層の形成〕
続いて、絶縁層１３４上に半導体膜を成膜する。その後、半導体膜上にフォトリソグラ
フィ法等を用いてレジストマスクを形成し、半導体膜の不要な部分をエッチングにより除
去する。その後レジストマスクを除去することにより、トランジスタを構成する半導体層
１３５を形成する。

半導体膜の成膜は、用いる材料に応じて適切な方法を用いればよいが、例えばスパッタ
リング法、ＣＶＤ法、ＭＢＥ法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法、またはＰＬＤ（Ｐｕｌｓｅｄ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用
いることができる。

半導体層に用いる半導体としては、酸化物半導体を用いることが好ましい。特にシリコ
ンよりもバンドギャップの大きな酸化物半導体を適用することが好ましい。シリコンより
もバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジス
タのオフ状態における電流を低減できるため好ましい。

例えば、上記酸化物半導体として、少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ
）を含むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、
Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含
む。

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面
、または半導体層の上面に対し垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界を有さない
酸化物半導体膜を用いることが好ましい。

このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示パネルを湾曲させたときの
応力によって酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、
可撓性を有し、湾曲させて用いる表示パネルなどに、このような酸化物半導体を好適に用
いることができる。

また、半導体膜に多結晶シリコンを適用する場合には、アモルファスシリコンを成膜し
た後に結晶化（例えばレーザ光の照射や、熱処理など）を行い、多結晶シリコンを有する
半導体膜を形成する。

〔ソース電極、ドレイン電極〕
続いて、絶縁層１３４及び半導体層１３５上に導電膜を成膜する。その後導電膜上にフ
ォトリソグラフィ法等を用いてレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチン
グにより除去する。その後レジストマスクを除去することにより、トランジスタのソース
電極またはドレイン電極として機能する電極１３６を形成する。

なおこのとき、回路を構成する配線なども同時に形成してもよい。

導電膜はスパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより成膜する。

また、この時点でトランジスタ１１２、トランジスタ１１３、及びトランジスタ１１９
が形成される（図５（Ａ）参照）。

〔絶縁層の形成〕
続いて、絶縁層１３４、半導体層１３５及び電極１３６を覆う絶縁層１４１を成膜する
。このとき、電流制御用のトランジスタ１１２の一方の電極１３６及び外部接続端子１０
５となる配線のそれぞれに達する開口部を絶縁層１４１に形成する。

絶縁層１４１は、プラズマＣＶＤ法、スパッタリング法などにより形成することができ
る。

なお、本作製方法例では絶縁層１３４、半導体層１３５及び電極１３６上に形成される
絶縁層として、絶縁層１４１の単層を積層する構成としたが、これに限られず２層以上の
積層構造としてもよい。

〔平坦化層の形成〕
続いて、平坦化層として機能する絶縁層１４２を形成する。このとき、電流制御用のト
ランジスタ１１２の一方の電極１３６及び外部接続端子１０５となる配線のそれぞれに達
する開口部を絶縁層１４２に形成する。

また、表示部１０２となる領域を囲むように、絶縁層１４１に達する開口部を絶縁層１
４２に形成してもよい。絶縁層１４２に有機樹脂を用いる場合は、表示部１０２となる領
域を囲むように開口部を設けることで、絶縁層１４２を介して外部から水分等が浸入する
ことを抑制できる。本作製方法例では、基板１０１の端部と走査線駆動回路１０４の間に
、表示部１０２を囲むように開口部を設けている。

絶縁層１４２は、例えば感光性の有機樹脂をスピンコート法などにより塗布した後、選
択的に露光、現像を行って形成することが好ましい。このほかの形成方法としては、スパ
ッタリング法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法）、スクリーン印刷、オフセット
印刷等などを用いればよい。

〔第１の電極の形成〕
続いて、絶縁層１４２上に導電膜を成膜する。その後導電膜上にフォトリソグラフィ法
等を用いてレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。
その後レジストマスクを除去することにより、トランジスタ１１２の一方の電極１３６と
電気的に接続する第１の電極１４３を形成する。

なおこのとき、回路を構成する配線なども同時に形成してもよい。本作製方法例では外
部接続端子となる部分で電極１３６と同一の導電膜上に形成することにより、外部接続端
子１０５を形成する。

導電膜はスパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法などにより成膜する。

〔絶縁層の形成〕
続いて、第１の電極１４３の端部を覆う絶縁層１４４を形成する。このとき外部接続端
子１０５に達する開口部を絶縁層１４４に形成する。

また、表示部１０２となる領域を囲むように、絶縁層１４１に達する開口部を絶縁層１
４４に形成してもよい。本作製方法例では、基板１０１の端部と走査線駆動回路１０４の
間に、表示部１０２を囲むように開口部を設けている。

絶縁層１４４は、例えば感光性の有機樹脂をスピンコート法などにより塗布した後、選
択的に露光、現像を行って形成することが好ましい。このほかの形成方法としては、スパ
ッタリング法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法）、スクリーン印刷、オフセット
印刷等などを用いればよい。

なお、絶縁層１４４上に、絶縁層を設けてもよい。図２において、表示部１０２におけ
る絶縁層１４４上に該絶縁層を設けることで、第１の基板１２１と第２の基板１０１の間
隔を調整することができる。該絶縁層は、絶縁層１４４と同様の材料を用いて形成するこ
とができる。

〔発光素子の形成〕
続いて、第１の電極１４３上にＥＬ層１５１、第２の電極１５２を順次形成することに
より、発光素子１１４を形成する（図５（Ｂ）参照）。

ＥＬ層１５１を構成する層は、それぞれ真空蒸着法、またはインクジェット法やディス
ペンス法などの吐出法、スピンコート法などの塗布法を用いて形成する。第２の電極１５
２は蒸着法またはスパッタリング法などにより形成する。

〔貼り合わせ〕
続いて、支持基板１６１の検知素子１１８が設けられた面または支持基板１６３の発光
素子１１４が設けられた面に、封止層１５３を形成する。

封止層１５３は、例えばディスペンス法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法
等を用いて硬化性樹脂を塗布した後、該樹脂に含まれる溶媒を揮発させる。

このとき、支持基板１６１または支持基板１６３上に、検知部１０６または表示部１０
２を囲うように接着層１５４を形成してもよい。接着層１５４は、封止層１５３の封止性
能を補強するために設けることができる。接着層１５４は、封止層１５３と同様の方法に
より形成することができる。

続いて、支持基板１６１と支持基板１６３とを貼り合わせ、封止層１５３を硬化させる
ことにより、支持基板１６１と支持基板１６３とを接着する（図６参照）。

〔剥離〕
続いて、支持基板１６３を剥離し、露出した第２のバッファ層１３２と第２の基板１０
１を、接着層１３１を介して貼り合わせる。また、支持基板１６１を剥離し、露出したバ
ッファ層１２０と第１の基板１２１を、接着層１２５を介して貼り合わせる（図７参照）
。図７では、第２の基板１０１が外部接続端子１０９と重なる構成としたが、外部接続端
子１０９と第２の基板１０１が重ならない構成としてもよい。また、図７では、第１の基
板１２１が外部接続端子１０５と重ならない構成としたが、外部接続端子１０５と第１の
基板１２１が重なる構成としてもよい。

剥離の方法としては、例えば支持基板１６１を吸着ステージに固定し、剥離層１６４と
第２のバッファ層１３２との間に剥離の起点を形成する。例えば、これらの間に刃物など
の鋭利な形状の器具を差し込むことで剥離の起点を形成してもよい。また一部の領域に対
してレーザ光を照射し、剥離層１６４の一部を溶解、蒸発、または熱的に破壊することで
剥離の起点を形成してもよい。また液体（例えばアルコールや水、二酸化炭素を含む水な
ど）を剥離層１６４の端部に滴下し、毛細管現象を利用して該液体を剥離層１６４と第２
のバッファ層１３２の境界に浸透させることにより剥離の起点を形成してもよい。

次いで、剥離の起点が形成された部分において、密着面に対して略垂直方向に、緩やか
に物理的な力を加えることにより、バッファ層１３２及びその上層に設けられる層を破損
することなく剥離することができる。

続いて支持基板１６１の剥離方法を説明する。例えばまず基板１０１に除去可能な接着
層（例えば水溶性の接着剤や弱粘性の接着剤）を介して別の支持基板を貼り付ける。そし
て上記と同様に支持基板を固定し、剥離層１６２とバッファ層１２０の間に剥離の起点を
形成して剥離してもよい。また、支持基板１６１を固定し、基板１０１を吸着パッドなど
で固定した後、剥離層１６２とバッファ層１２０の間に剥離の起点を形成して、基板１０
１を含む基板がたわまないように吸着パッドを緩やかに引き上げることで剥離してもよい
。

ここで、剥離を行う際、支持基板１６１の端部に剥離の起点を形成し、そこから剥離を
進行させることが好ましい。また剥離の起点の形成時に、支持基板１６１の端部の近傍に
おいてバッファ層１２０にクラックが生じる場合がある。またこのとき生成されたクラッ
クは、剥離の進行と共にバッファ層１２０の外側から内側にかけて進行する場合がある。
しかしながら、クラック抑止領域１１０が検知部１０６を囲うように設けられていること
により、このようなクラックが生じた場合であってもクラックの進行をクラック抑止領域
１１０が設けられた領域で止めることができ、検知部１０６にまでクラックが到達するこ
とを効果的に抑制することができる。

最後に、バッファ層１２０、絶縁層１７２、絶縁層１７５、絶縁層１７７及び封止層１
５３を開口することで、外部接続端子１０５を露出させる。また、第２の基板１０１、接
着層１３１、バッファ層１３２、絶縁層１３４、絶縁層１４１、絶縁層１４２及び封止層
１５３を開口することで、外部接続端子１０９を露出させる（図８参照）。開口の手段は
特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタ
リング法などを用いればよい。また、外部接続端子１０５または／及び外部接続端子１０
９上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がして
もよい。このとき、外部接続端子１０５の最表面の電極１４３または／及び外部接続端子
１０９の最表面の導電層１７６上に、ＥＬ層など導電膜との密着性が低い膜を設けること
で、外部接続端子１０５を傷つけずに開口することができる。

以上の工程により、タッチパネル１００を作製することができる。

なお、上記剥離工程は本作製方法例の他にも様々な方法を適宜用いることができる。例
えば、剥離層として、バッファ層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、該
金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、バッファ層を支持基板から剥離することができる
。また、耐熱性の高い支持基板とバッファ層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素
膜を形成した場合はレーザ光の照射又はエッチングにより該非晶質珪素膜を除去すること
で、バッファ層を支持基板から剥離することができる。また、剥離層として、バッファ層
と接する側に金属酸化膜を含む層を形成し、該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さら
に剥離層の一部を溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを用いたエッチング
で除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離
層として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金
膜、酸素含有合金膜など）を用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素
、酸素や水素をガスとして放出させバッファ層と支持基板との剥離を促進する方法を用い
てもよい。また、バッファ層が形成された支持基板を機械的に削除又は溶液やＮＦ_３、Ｂ
ｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができ
る。この場合、剥離層を設けなくともよい。

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる
。つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフや
メスなどによる機械的な削除を行い、剥離層とバッファ層とを剥離しやすい状態にしてか
ら、物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。

また、剥離層とバッファ層との界面に液体を浸透させて支持基板からバッファ層を剥離
してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。

その他の剥離方法としては、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と
過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。

なお、支持基板とバッファ層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよ
い。

例えば、支持基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド等の有機樹脂を形成
し、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。この場合、有機樹脂を加熱するこ
とにより、支持基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。

また、支持基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層
を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。

以上により、クラックに起因する不良を低減した入出力装置を作製することができる。

［タッチパネルの変形例］
以下では、タッチパネル１００の変形例について説明する。

〔変形例１〕
図９は、本発明の一態様である、検知素子１１８を構成する一方の電極を、半導体層と
同一の工程で形成した場合のタッチパネル１００の断面概略図である。図２とは主に、以
下の２つの層に酸化物半導体を用いている点、絶縁層１７５ａを形成している点において
異なる。２つの層とは、入力装置１９０の各トランジスタにおいてチャネルとして機能す
る領域を含む酸化物半導体層１７３ａ、及び検知素子１１８を構成する一方の電極として
の機能を有する酸化物導電体層１７３ｂである。以下に、図２と異なる点についてのみ説
明する。

なお、本明細書等において、酸化物導電体層は、キャリア密度が高く低抵抗な酸化物半
導体層、導電性を有する酸化物半導体層、または導電性の高い酸化物半導体層等と言い換
えることもできる。

酸化物半導体層は、透光性が高い。また、酸化物半導体層において、酸素欠損を増加さ
せる、または／および酸化物半導体層の水素、水等の不純物を増加させることによって、
キャリア密度が高く、低抵抗な酸化物半導体層とすることができる。このような酸化物半
導体層を、タッチパネル１００の検知素子１１８を構成する電極として好適に用いること
ができる。

トランジスタの半導体層と検知素子を構成する電極と同一工程で形成することで、少な
い工程数でタッチパネル１００を作製することができ、好ましい。

酸化物半導体層１７３ａと、酸化物導電体層１７３ｂとは、同一の成膜工程及び同一の
エッチング工程を経て、それぞれ島状に加工された層である。酸化物半導体は、膜中の酸
素欠損又は／及び膜中の水素、水等の不純物濃度によって、抵抗を制御することができる
半導体材料である。そのため、それぞれ島状に加工された酸化物半導体層へ酸素欠損又は
／及び不純物濃度が増加する処理、又は酸素欠損又は／及び不純物濃度が低減する処理を
選択することによって、同一工程で形成された酸化物半導体層１７３ａ及び酸化物導電体
層１７３ｂの有する抵抗率を制御することができる。

具体的には、検知素子の電極として機能する酸化物導電体層１７３ｂとなる島状の酸化
物半導体層にプラズマ処理を行い、酸化物半導体層中の酸素欠損を増加させる、又は／及
び酸化物半導体層中の水素、水等の不純物を増加させることによって、キャリア密度が高
く、低抵抗な酸化物半導体層とすることができる。また、酸化物半導体層に水素を含む絶
縁膜を接して形成し、該水素を含む絶縁膜から酸化物半導体層に水素を拡散させることに
よって、キャリア密度が高く、低抵抗な酸化物半導体層とすることができる。

一方、トランジスタ１１６、１１７、１２９上には、酸化物半導体層１７３ａが上記プ
ラズマ処理に曝されないように、絶縁層１７５ａを設ける。また、絶縁層１７５ａを設け
ることによって、酸化物半導体層１７３ａが水素を含む絶縁層１７５と接しない構成とす
る。絶縁層１７５ａとして、酸素を放出することが可能な絶縁膜を用いることで、酸化物
半導体層１７３ａに酸素を供給することができる。酸素が供給された酸化物半導体層１７
３ａは、膜中又は界面の酸素欠損が低減され高抵抗な酸化物半導体となる。なお、酸素を
放出することが可能な絶縁膜として、例えば、酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜
を用いることができる。

また、酸化物導電体層１７３ｂに行うプラズマ処理としては、代表的には、希ガス（Ｈ
ｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ）、リン、ボロン、水素、及び窒素の中から選ばれた一種を
含むガスを用いたプラズマ処理が挙げられる。より具体的には、Ａｒ雰囲気下でのプラズ
マ処理、Ａｒと水素の混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、アンモニア雰囲気下でのプラ
ズマ処理、Ａｒとアンモニアの混合ガス雰囲気下でのプラズマ処理、又は窒素雰囲気下で
のプラズマ処理などが挙げられる。

上記プラズマ処理によって、酸化物導電体層１７３ｂは、酸素が脱離した格子（又は酸
素が脱離した部分）に酸素欠損が形成される。当該酸素欠損は、キャリアを発生する要因
になる場合がある。また、酸化物導電体層１７３ｂの近傍、より具体的には、酸化物導電
体層１７３ｂの下側又は上側に接する絶縁膜から水素が供給され、上記酸素欠損に水素が
入ると、キャリアである電子を生成する場合がある。したがって、プラズマ処理によって
酸素欠損が増加された酸化物導電体層１７３ｂは、酸化物半導体層１７３ａよりもキャリ
ア密度が高い。

一方、酸素欠損が低減され、水素濃度が低減された酸化物半導体層１７３ａは、高純度
真性化、又は実質的に高純度真性化された酸化物半導体層といえる。ここで、実質的に真
性とは、酸化物半導体のキャリア密度が、１×１０^１７／ｃｍ^３未満であること、好まし
くは１×１０^１５／ｃｍ^３未満であること、さらに好ましくは１×１０^１３／ｃｍ^３未満
であることを指す。または、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低い（酸素欠損の少ない
）ことを高純度真性又は実質的に高純度真性とよぶ。高純度真性又は実質的に高純度真性
である酸化物半導体は、キャリア発生源が少ないため、キャリア密度を低くすることがで
きる。従って、当該酸化物半導体膜にチャネル領域が形成されるトランジスタは、しきい
値電圧がプラスとなる電気特性（ノーマリーオフ特性ともいう。）になりやすい。また、
高純度真性又は実質的に高純度真性である酸化物半導体層１７３ａは、欠陥準位密度が低
いため、トラップ準位密度を低減することができる。

また、高純度真性又は実質的に高純度真性である酸化物半導体層１７３ａは、オフ電流
が著しく小さく、チャネル幅が１×１０^６μｍでチャネル長Ｌが１０μｍの素子であって
も、ソース電極とドレイン電極間の電圧（ドレイン電圧）が１Ｖから１０Ｖの範囲におい
て、オフ電流が、半導体パラメータアナライザの測定限界以下、すなわち１×１０^−１３
Ａ以下という特性を得ることができる。したがって、酸化物半導体層１７３ａにチャネル
領域が形成されるトランジスタ１１７等は、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトラ
ンジスタとなる。

また、図９においては、絶縁層１７５ａは、検知素子の電極として機能する酸化物導電
体層１７３ｂと重なる領域が選択的に除去されるように設けられている。また、絶縁層１
７５は、酸化物導電体層１７３ｂと接して形成した後に、除去されてもよい。絶縁層１７
５として、例えば、水素を含む絶縁膜、換言すると水素を放出することが可能な絶縁膜、
代表的には窒化シリコン膜を用いることで、酸化物導電体層１７３ｂに水素を供給するこ
とができる。水素を放出することが可能な絶縁膜は、膜中の含有水素濃度が１×１０^２２
ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であると好ましい。このような絶縁膜を酸化物導電体層１７３ｂ
に接して形成することで、酸化物導電体層１７３ｂに効果的に水素を含有させることがで
きる。このように、上述したプラズマ処理と合わせて、酸化物半導体層（又は酸化物導電
体層）に接する絶縁膜の構成を変えることによって、酸化物半導体層（又は酸化物導電体
層）の抵抗を任意に調整することができる。

酸化物導電体層１７３ｂに含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水にな
ると共に、酸素が脱離した格子（又は酸素が脱離した部分）に酸素欠損を形成する。当該
酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素
の一部が金属原子と結合する酸素と結合することで、キャリアである電子を生成する場合
がある。したがって、水素が含まれている酸化物導電体層１７３ｂは、酸化物半導体層１
７３ａよりもキャリア密度が高い。

トランジスタ１１７等のチャネル領域が形成される酸化物半導体層１７３ａは水素がで
きる限り低減されていることが好ましい。具体的には、酸化物半導体層１７３ａにおいて
、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃ
ｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる水素濃度を、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、
より好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３
未満、好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは５×１０^１７ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは１×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

一方、検知素子の電極として機能する酸化物導電体層１７３ｂは、酸化物半導体層１７
３ａよりも水素濃度又は／及び酸素欠損量が多く、低抵抗化されている。

酸化物半導体層１７３ａ及び酸化物導電体層１７３ｂは、代表的には、Ｉｎ−Ｇａ酸化
物、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物（Ｍは、Ｍｇ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｇａ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、又はＨｆ）等の金属酸化物で形成される。なお、酸化物半導体層
１７３ａ及び酸化物導電体層１７３ｂは、透光性を有する。

なお、酸化物半導体層１７３ａがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ及びＭの和を１０
０ａｔｏｍｉｃ％としたとき、Ｉｎが２５ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが７５ａｔｏｍｉｃ％
未満、又はＩｎが３４ａｔｏｍｉｃ％以上、Ｍが６６ａｔｏｍｉｃ％未満とする。

酸化物半導体層１７３ａは、エネルギーギャップが２ｅＶ以上、又は２．５ｅＶ以上、
又は３ｅＶ以上である。

酸化物半導体層１７３ａの厚さは、３ｎｍ以上２００ｎｍ以下、又は３ｎｍ以上１００
ｎｍ以下、又は３ｎｍ以上６０ｎｍ以下とすることができる。

酸化物半導体層１７３ａがＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物を成膜
するために用いるスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比は、Ｉｎ≧Ｍ、Ｚｎ≧
Ｍを満たすことが好ましい。このようなスパッタリングターゲットの金属元素の原子数比
として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２、Ｉｎ：Ｍ：Ｚ
ｎ＝２：１：１．５、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：２．３、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３、
Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２等が好ましい。なお、成膜される酸化物半導体層１７３ａの
原子数比はそれぞれ、誤差として上記のスパッタリングターゲットに含まれる金属元素の
原子数比のプラスマイナス４０％の変動を含む。

〔変形例２〕
図１０は、本発明の一態様である、検知素子１１８を構成する一方の電極を、半導体層
と同一の工程で形成した場合のタッチパネル１００の断面概略図である。図９とは主に、
検知素子を構成する他方の電極である導電層１７８を、カラーフィルタ１２７よりも発光
素子１１４に近い側に形成している点において異なる。以下に、図９と異なる点について
のみ説明する。

ブラックマトリクス１２６およびカラーフィルタ１２７を絶縁層１７７上に設ける。ま
た、カラーフィルタ１２７及びブラックマトリクス１２６上に絶縁層１７９を介して、導
電層１７８を設ける。なお、絶縁層１７９を設けずに、導電層１７８をカラーフィルタ１
２７及びブラックマトリクス１２６上に直接設けてもよい。また、導電層１７８上に絶縁
層を設けてもよい。

導電層１７８を、検知素子１１８を構成する一方の電極である酸化物導電体層１７３ｂ
との間隔を広げて設けることで、検知素子１１８の容量を小さくすることができる。これ
により、入力装置１９０の感度を上げることができる。

また、封止層１５３と接するように導電層１７８を形成することで、ぬれ性を高めるこ
とができる。これにより、支持基板１６１の検知素子１１８が設けられた面に封止層１５
３を形成する際（図６参照）、封止層１５３と導電層１７８の間に気泡が発生することを
抑制できる。

なお、検知素子１１８を構成する一対の電極の一方をカラーフィルタ１２７よりも発光
素子１１４に近い側に配置する構成も、本発明の一態様である。また、検知素子１１８を
構成する一対の電極の一方を封止層１５３と接して配置する構成も、本発明の一態様であ
る。

具体的には、本発明の一態様は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、を有する
入出力装置であって、入力装置と、発光素子と、カラーフィルタと、を有し、第１の可撓
性基板の第１の面は、前記第２の可撓性基板の第２の面と対向するように設けられ、入力
装置と、カラーフィルタとは、第１の可撓性基板の第１の面側に設けられ、入力装置はト
ランジスタと、検知素子とを有し、検知素子は一対の電極と誘電体層とを有し、誘電体層
は一対の電極の間に設けられ、一対の電極のいずれか一方は、第１の面に平行な方向から
見てカラーフィルタと第２の可撓性基板の間に位置し、トランジスタ及び検知素子は、互
いに電気的に接続され、発光素子は、第２の可撓性基板の第２の面側に設けられている入
出力装置である。

また、本発明の一態様は、第１の可撓性基板と、第２の可撓性基板と、を有する入出力
装置であって、入力装置と、発光素子と、封止層と、を有し、第１の可撓性基板の第１の
面は、前記第２の可撓性基板の第２の面と対向するように設けられ、入力装置は、第１の
可撓性基板の第１の面側に設けられ、入力装置はトランジスタと、検知素子とを有し、検
知素子は一対の電極と誘電体層とを有し、誘電体層は一対の電極の間に設けられ、封止層
は、第１の面と第２の面を接着し、一対の電極のいずれか一方は、封止層と接するように
設けられ、トランジスタ及び検知素子は、互いに電気的に接続され、発光素子は、第２の
可撓性基板の第２の面側に設けられている入出力装置である。

なお、本実施の形態では、発光素子を有するタッチパネルを例示したが、本発明の一態
様はこれに限られない。本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる装置として
は、各種半導体装置や各種表示装置が挙げられる。例えば、以下に示す素子もしくは装置
の基板として、本発明の一態様の特徴である可撓性基板を適用できる。例えば、ＥＬ素子
（有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥ
Ｄ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光する
トランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティング
ライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレ
クトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（
ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、ＩＭＯＤ（インターフェアレン
ス・モジュレーション）素子、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭ
Ｓ表示素子、エレクトロウェッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナ
ノチューブ、など、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過
率などが変化する表示媒体が挙げられる。また、電子放出素子を用いた表示装置の一例で
ある、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方式平面型ディスプレ
イ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅ
ｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などが挙げられる。また、液晶素子を用いた表示装置の一例である
、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶
ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などが挙げられる。
また、電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例
である、電子ペーパーなどが挙げられる。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶
ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての
機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウ
ム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭ
などの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減するこ
とができる。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態及び実施例と適宜組み合わせて
実施することができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の例として、画像表示装置に入力装置
を組み合わせたタッチパネルの構成例と、タッチパネルが備える検知回路の駆動方法につ
いて説明する。

なお、入力装置をタッチセンサということもできる。

本発明の一態様のタッチパネルは、一対の基板間にアクティブマトリクス方式のタッチ
センサと表示素子と、を有する。タッチセンサは、例えば、静電容量方式であってもよい
。なお、本明細書中では、各検知ユニットに能動素子を有するタッチセンサを、アクティ
ブマトリクス方式のタッチセンサと記す。

センサ部と表示部を重ねて有するタッチパネルにおいて、静電容量方式のタッチセンサ
を構成する配線や電極と、表示部を構成する配線や電極との間には、寄生容量が形成され
る場合がある。表示素子を駆動させたときに生じるノイズが、寄生容量を通してタッチセ
ンサ側に伝わることで、タッチセンサの検出感度が低下する恐れがある。

また、センサ部と表示部の距離を十分広くすることで、ノイズの影響を避け、タッチセ
ンサの検出感度の低下を抑制することができるが、タッチパネル全体の厚さが厚くなる場
合がある。

本発明の一態様では、アクティブマトリクス方式のタッチセンサを提供する。該タッチ
センサは、トランジスタ及び検知素子を有する。該トランジスタ及び該検知素子は電気的
に接続する。

本発明の一態様のアクティブマトリクス方式のタッチセンサは、検知素子を構成する電
極と、読み出し配線とを別の層で形成することができる。読み出し配線を細い幅で形成す
ることで、寄生容量を小さくでき、ノイズの影響を抑制することができる。これにより、
タッチセンサの検出感度の低下を抑制できる。また、検出信号を増幅して出力させること
でも、ノイズの影響を抑制することができる。

本発明の一態様のタッチパネルは、アクティブマトリクス方式のタッチセンサを用いる
ことで、センサ部と表示部の距離を狭くし、タッチパネルを薄型化することができる。ま
た、２枚の基板の間にタッチセンサ及び表示素子を配置することができることからも、タ
ッチパネルを薄型化することができる。ここで、本発明の一態様のタッチセンサを用いる
ことで、センサ部と表示部の距離を狭くしても、タッチセンサの検出感度の低下を抑制で
きる。したがって、本発明の一態様では、タッチセンサもしくはタッチパネルの薄型化と
、高い検出感度を両立することができる。また、一対の基板に可撓性を有する材料を用い
ることで、可撓性を有するタッチパネルとすることもできる。また、本発明の一態様では
、繰り返しの曲げに強いタッチパネルを提供することができる。または、大型のタッチパ
ネルを提供することができる。

本発明の一態様のタッチパネルが有するタッチセンサには、実施の形態１で詳述した通
り、検知素子の電極として酸化物導電体層を用いてもよい。アクティブマトリクス方式の
タッチセンサにおいて、トランジスタを構成する半導体層や導電膜と、検知素子の電極と
を同一工程で成膜することが好ましい。これにより、タッチパネルを作製するための工程
数が少なくなり、製造コストを低減させることができる。

なお、本発明の一態様のタッチパネルは、検知素子の電極として酸化物導電体層を用い
ることで、他の材料を用いる場合に比べて、視野角依存性が小さくなることがある。また
、本発明の一態様のタッチパネルは、検知素子の電極として酸化物導電体層を用いること
で、他の材料を用いる場合に比べて、ＮＴＳＣ比を大きくできることがある。

具体的には、本発明の一態様は、一対の基板間にタッチセンサ、遮光層、及び表示素子
を有するタッチパネルであり、遮光層は、タッチセンサと表示素子の間に位置し、遮光層
は、タッチセンサが有するトランジスタと重なる部分を有し、表示素子は、タッチセンサ
が有する検知素子と重なる部分を有する、タッチパネルである。

表示素子としては、特に限定はないが、例えば、有機ＥＬ素子を用いることができる。
したがって、上記構成において、表示素子は、第１の電極、第２の電極、及び発光性の有
機化合物を含む層を有し、第１の電極の端部を覆う絶縁膜を有し、発光性の有機化合物を
含む層は、第１の電極及び第２の電極の間に位置し、絶縁膜は、タッチセンサが有するト
ランジスタと重なる部分を有していてもよい。

［タッチパネルの構成例］
図１１は本発明の一態様のタッチパネルの構成を説明する投影図である。図１１（Ａ）
は本発明の一態様のタッチパネル５００の投影図であり、図１１（Ｂ）はタッチパネル５
００が備える検知ユニット１０Ｕの構成を説明する投影図である。

本実施の形態で説明するタッチパネル５００は、可視光を透過する窓部１４を具備し且
つマトリクス状に配設される複数の検知ユニット１０Ｕから構成される検知部１０、行方
向（図中に矢印Ｒで示す）に配置される複数の検知ユニット１０Ｕと電気的に接続する走
査線Ｇ１、列方向（図中に矢印Ｃで示す）に配置される複数の検知ユニット１０Ｕと電気
的に接続する信号線ＤＬ、並びに検知部１０、走査線Ｇ１及び信号線ＤＬを支持する可撓
性の第１の基材１６を備える可撓性の入力装置３００と、窓部１４に重なり且つマトリク
ス状に配設される複数の画素５０２及び画素５０２を支持する可撓性の第２の基材５１０
を備える表示装置５０１と、を有する（図１１（Ａ）乃至図１１（Ｃ））。

検知ユニット１０Ｕは、窓部１４に重なる検知素子Ｃ及び検知素子Ｃと電気的に接続さ
れる検知回路１９を備える。

検知素子Ｃは、実施の形態１に示した検知素子１１８を適用することができる。図１１
（Ｂ）では、検知素子Ｃを構成する要素のうち、一対の電極である、導電層１７８及び酸
化物導電体層１７３ｂを示す。

検知回路１９は、選択信号を供給され且つ検知素子Ｃの容量の変化に基づいて検知信号
ＤＡＴＡを供給する。

走査線Ｇ１は、選択信号を供給することができ、信号線ＤＬは、検知信号ＤＡＴＡを供
給することができ、検知回路１９は、複数の窓部１４の間隙に重なるように配置される。

また、本実施の形態で説明するタッチパネル５００は、検知ユニット１０Ｕ及び検知ユ
ニット１０Ｕの窓部１４と重なる画素５０２の間に、着色層を備える。

本実施の形態で説明するタッチパネル５００は、可視光を透過する窓部１４を具備する
検知ユニット１０Ｕを複数備える可撓性の入力装置３００と、窓部１４に重なる画素５０
２を複数備える可撓性の表示装置５０１と、を有し、窓部１４と画素５０２の間に着色層
を含んで構成される。

これにより、タッチパネルは容量の変化に基づく検知信号及びそれを供給する検知ユニ
ットの位置情報を供給すること、検知ユニットの位置情報と関連付けられた画像情報を表
示すること、並びに曲げることができる。その結果、利便性又は信頼性に優れた新規なタ
ッチパネルを提供することができる。

タッチパネル５００は、可撓性の第１の基材１６上に、検知部１０、走査線駆動回路Ｇ
Ｄ及び検知器ＣＯＮＶを囲むようにクラック抑止領域１１０を備える。これにより、クラ
ックによる不良を低減し、かつ信頼性の高いタッチパネルとすることができる。

また、タッチパネル５００は、入力装置３００が供給する信号を供給されるフレキシブ
ル基板であるＦＰＣ１又は／及び画像情報を含む信号を表示装置５０１に供給するフレキ
シブル基板ＦＰＣ２を備えていてもよい。

また、傷の発生を防いでタッチパネル５００を保護する保護層１７ｐ又は／及びタッチ
パネル５００が反射する外光の強度を弱める反射防止層５６７ｐを備えていてもよい。

また、タッチパネル５００は、表示装置５０１の走査線に選択信号を供給する走査線駆
動回路５０３ｇ、信号を供給する配線５１１及びフレキシブル基板ＦＰＣ２と電気的に接
続される端子５１９を有する。

以下に、タッチパネル５００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの
構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場
合がある。

例えば、複数の窓部１４に重なる位置に着色層を備える入力装置３００は、入力装置３
００であるとともにカラーフィルタでもある。

また、例えば入力装置３００が表示装置５０１に重ねられたタッチパネル５００は、入
力装置３００であるとともに表示装置５０１でもある。

タッチパネル５００は、入力装置３００と、表示装置５０１と、を備える（図１１（Ａ
））。

入力装置３００は複数の検知ユニット１０Ｕから構成される検知部１０及び検知ユニッ
トを支持する可撓性の基材１６を備える。例えば、４０行１５列のマトリクス状に複数の
検知ユニット１０Ｕを可撓性の基材１６に配設する。

窓部１４は可視光を透過する。

例えば、可視光を透過する材料または可視光を透過する程度に薄い材料を用いた基材１
６、検知素子Ｃ、及び可撓性の保護基材１７を、可視光の透過を妨げないように重ねて配
置して、窓部１４を構成すればよい。

例えば、可視光を透過しない材料に開口部を設けて用いてもよい。具体的には、矩形な
どさまざまな形の開口部を１つまたは複数設けて用いてもよい。

窓部１４に重なる位置に所定の色の光を透過する着色層を備える。例えば、青色の光を
透過する着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧ又は着色層ＣＦＲを備える（図１１（Ｂ））。

なお、青色、緑色又は／及び赤色に加えて、白色の光を透過する着色層又は黄色の光を
透過する着色層などさまざまな色の光を透過する着色層を備えることができる。

着色層に金属材料、樹脂材料、顔料又は染料等を用いることができる。

窓部１４を囲むように遮光層ＢＭを備える。遮光層ＢＭは窓部１４より光を透過しにく
い。

カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光
層ＢＭに用いることができる。

遮光層ＢＭと重なる位置に走査線Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳ及び配線
ＶＲＥＳ並びに検知回路１９を備える。

なお、着色層及び遮光層ＢＭを覆う透光性のオーバーコートを備えることができる。

有機材料、無機材料又は有機材料と無機材料の複合材料を可撓性の基材１６、基材５１
０に用いることができる。

５μｍ以上２５００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上６８０μｍ以下、より好ましくは
５μｍ以上１７０以下、より好ましくは５μｍ以上４５μｍ以下、より好ましくは８μｍ
以上２５μｍ以下の厚さを有する材料を、基材１６に用いることができる。

また、不純物の透過が抑制された材料を基材５１０に好適に用いることができる。例え
ば、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０^−６ｇ／（ｍ
^２・ｄａｙ）以下である材料を好適に用いることができる。

また、線膨張率がおよそ等しい材料を基材１６に好適に用いることができる。例えば、
線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／Ｋ以下、より好ましくは１
×１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルム又はプラスチックフィルム等の有機材料を、基材１６に用
いることができる。

例えば、金属板又は厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の薄板状のガラス板等の無機材料を
、基材１６に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板又は無機材料の膜を、樹脂層を用いて樹脂フィルム
等に貼り合せて形成された複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、繊維状又は粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料を樹脂又は樹脂フィルムに
分散した複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を樹脂層に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネ
ートもしくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム又は樹脂板を用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスもしくはクリスタルガ
ラス等を用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜もしくは金属酸化窒化物膜等を用いることが
できる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。

具体的には、開口部が設けられたＳＵＳ又はアルミニウム等を用いることができる。

具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、又はシロキサン結合を有する樹脂などの
樹脂を用いることができる。

例えば、基板１２１と、不純物の拡散を防ぐバッファ層１２０と、基板１２１及びバッ
ファ層１２０を貼り合わせる接着層１２５と、が積層された積層体を基材１６に好適に用
いることができる（図２参照）。

例えば、基板１０１と、不純物の拡散を防ぐバッファ層１３２と、基板１０１及びバッ
ファ層１３２を貼り合わせる接着層１３１と、が積層された積層体を基材５１０に好適に
用いることができる（図２参照）。

具体的には、６００ｎｍの酸化窒化珪素膜及び厚さ２００ｎｍの窒化珪素が積層された
積層材料を含む膜を、バッファ層１２０または／及びバッファ層１３２に用いることがで
きる。

具体的には、厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜、厚さ２
００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜及び厚さ１００ｎｍの酸化
窒化珪素膜がこの順に積層された積層材料を含む膜を、バッファ層１２０または／及びバ
ッファ層１３２に用いることができる。

可撓性の保護基材１７又は／及び保護層１７ｐを備えることができる。可撓性の保護基
材１７又は保護層１７ｐは傷の発生を防いで入力装置３００を保護する。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート
もしくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板又は積層体等を可撓性の保護基材１７に
用いることができる。

例えば、ハードコート層又はセラミックコート層を保護層１７ｐに用いることができる
。具体的には、ＵＶ硬化樹脂又は酸化アルミニウムを含む層を第２の電極に重なる位置に
形成してもよい。

表示装置５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素５０２を備える（図１１（Ｃ
））。例えば、画素５０２は副画素５０２Ｂ、副画素５０２Ｇ及び副画素５０２Ｒを含み
、それぞれの副画素 は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

なお、画素５０２の副画素５０２Ｂは着色層ＣＦＢと重なる位置に配置され、副画素５
０２Ｇは着色層ＣＦＧと重なる位置に配置され、副画素５０２Ｒは着色層ＣＦＲと重なる
位置に配置される。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子
に適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機エレクトロル
ミネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。

また、表示装置において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、又は、
画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、ト
ランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いるこ
とが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴ
ＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子
は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる
。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ
、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子
）を用いないパッシブマトリクス方式を用いることも可能である。能動素子（アクティブ
素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩
留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を
用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図る
ことが出来る。

表示装置５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備えていてもよい。反射
防止層５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

表示装置５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線
５１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができる
フレキシブル基板ＦＰＣ２が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、フレキシブル基板ＦＰＣ２にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられてい
ても良い。

また、本発明の一態様のタッチパネルは、二次電池を有していてもよい。このとき、非
接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。

二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイ
オンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、リチウムイオン電池、ニッケル水素電
池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜
鉛電池などが挙げられる。

本発明の一態様のタッチパネルは、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受
信することで、表示装置で映像や情報等の表示を行うことができる。また、タッチパネル
が二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

《検知素子Ｃ》
検知素子Ｃについて、図９に示す検知素子１１８を例に挙げて説明する。検知素子１１
８は、一対の電極として酸化物導電体層１７３ｂ及び導電層１７８を有する。一対の電極
間には、誘電体層として絶縁層１７５、１７７を有する。

酸化物導電体層１７３ｂは他の領域から分離されるように、例えば島状に形成される。
特に、タッチパネル５００の使用者に酸化物導電体層１７３ｂが識別されないように、酸
化物導電体層１７３ｂと同一の工程で作製することができる層を酸化物導電体層１７３ｂ
に近接して配置する構成が好ましい。より好ましくは、酸化物導電体層１７３ｂ及び酸化
物導電体層１７３ｂに近接して配置する層の間隙に配置する窓部１４の数をできるだけ少
なくするとよい。特に、当該間隙に窓部１４を配置しない構成が好ましい。

酸化物導電体層１７３ｂと重なるように導電層１７８を備え、酸化物導電体層１７３ｂ
と導電層１７８の間に誘電体層（ここでは絶縁層１７５、１７７）を備える。

例えば、大気中に置かれた検知素子Ｃの一対の電極のどちらかに、大気と異なる誘電率
を有するものが近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する。具体的には、指などのものが検
知素子Ｃに近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する。これにより、検知素子Ｃは近接検知
器に用いることができる。

本発明の一態様において、検知素子Ｃは実施の形態１に示す検知素子１１８に限られな
い。

例えば、変形することができる検知素子Ｃの容量は、変形に伴い変化する。

具体的には、指などのものが検知素子Ｃに触れることにより、一対の電極の間隔が狭く
なると、検知素子Ｃの容量は大きくなる。これにより、検知素子Ｃは接触検知器に用いる
ことができる。

具体的には、検知素子Ｃを折り曲げることにより、一対の電極の間隔が狭くなる。これ
により、検知素子Ｃの容量は大きくなる。これにより、検知素子Ｃは屈曲検知器に用いる
ことができる。

一対の電極は、導電性の材料を含む。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属又は導電性セラミックスなどを一対の
電極のそれぞれに用いることができる。

具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステ
ン、ニッケル、銀又はマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合
金又は上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。

又は、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。

又は、グラフェン又はグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、例
えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元す
る方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

又は、導電性高分子を用いることができる。なお、実施の形態１で示した酸化物導電体
層の構成、形成方法を参照できる。

《検知回路１９及び変換器ＣＯＮＶ》
図１２は本発明の一態様の検知回路１９及び変換器ＣＯＮＶの構成及び駆動方法を説明
する図である。

図１２（Ａ）は本発明の一態様の検知回路１９及び変換器ＣＯＮＶの構成を説明する回
路図であり、図１２（Ｂ−１）及び図１２（Ｂ−２）は駆動方法を説明するタイミングチ
ャートである。また、図１２（Ｃ）に図１２（Ａ）とは異なる構成の変換器ＣＯＮＶを示
し、図１３（Ａ）に図１２（Ａ）で示した検知回路１９をマトリクス状に配置した構成を
示す。

検知回路１９は例えばトランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３を含む（図１２（Ａ）、
図１３（Ａ））。また、検知回路１９は電源電位及び信号を供給する配線を含む。例えば
、配線ＶＰＩ、配線ＣＳ、走査線Ｇ１、配線ＲＥＳ、配線ＶＲＥＳ及び信号線ＤＬなどを
含む。

なお、検知回路１９を窓部１４と重ならない領域に配置してもよい。例えば、窓部１４
と重ならない領域に配線を配置することにより、入力装置３００の一方の側から他方の側
にあるものを視認し易くできる。

また、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３は半導体層を有する。例えば、４族の元
素、化合物半導体又は酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリ
コンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半導体などを
適用できる。

例えば、同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭ１乃至トラ
ンジスタＭ３に用いることができる。

トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３のいずれか一は、酸化物半導体層を有すること
が好ましい。このとき、該酸化物半導体層は、酸化物導電体層と同一表面上に位置するこ
とが好ましい。酸化物半導体層を有するトランジスタはオフ電流が小さいため、トランジ
スタＭ１は該酸化物半導体層を有することが特に好ましい。

導電性を有する材料を配線に適用できる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属又は導電性セラミックスなどを配線に
用いることができる。具体的には、検知素子の一対の電極に用いることができる材料と同
一の材料を適用できる。

アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン
、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を走査
線Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳ及び配線ＶＲＥＳに用いることができる。

基材１６に形成した膜を加工して、基材１６に検知回路１９を形成してもよい。

又は、他の基材に形成された検知回路１９を基材１６に転置してもよい。

検知ユニット１０Ｕが供給する検知信号ＤＡＴＡを変換してＦＰＣ１に供給することが
できるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる。例えば、図１２（Ａ）
に示すように、トランジスタＭ４を変換器ＣＯＮＶに用いることができる。また図１２（
Ｃ）に示すように、トランジスタＭ４、Ｍ５を変換器ＣＯＮＶに用いることができる。

本発明の一態様の検知回路１９は、ゲートが検知素子Ｃの一方の電極（ここでは酸化物
導電体層１７３ｂ）と電気的に接続され、第１の電極が例えば接地電位を供給することが
できる配線ＶＰＩと電気的に接続される第１のトランジスタＭ１を備える（図１２（Ａ）
）。

また、ゲートが選択信号を供給することができる走査線Ｇ１と電気的に接続され、第１
の電極が第１のトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が例えば
検知信号ＤＡＴＡを供給することができる信号線ＤＬと電気的に接続される第２のトラン
ジスタＭ２を備える構成であってもよい。

また、ゲートがリセット信号を供給することができる配線ＲＥＳと電気的に接続され、
第１の電極が検知素子Ｃの一方の電極（ここでは酸化物導電体層１７３ｂ）と電気的に接
続され、第２の電極が例えば接地電位を供給することができる配線ＶＲＥＳと電気的に接
続される第３のトランジスタＭ３を備える構成であってもよい。

検知素子Ｃの容量は、例えば、酸化物導電体層１７３ｂ又は導電層１７８にものが近接
すること、もしくは酸化物導電体層１７３ｂ又は導電層１７８の間隔が変化することによ
り変化する。これにより、検知ユニット１０Ｕは検知素子Ｃの容量の変化に基づく検知信
号ＤＡＴＡを供給することができる。

また、検知ユニット１０Ｕは、検知素子Ｃの他方の電極（ここでは導電層１７８）の電
位を制御することができる制御信号を供給することができる配線ＣＳを備える。

なお、検知素子Ｃの一方の電極（ここでは酸化物導電体層１７３ｂ）、第１のトランジ
スタＭ１のゲート及び第３のトランジスタの第１の電極が電気的に接続される結節部をノ
ードＡという。

配線ＶＲＥＳ及び配線ＶＰＩは例えば接地電位を供給することができ、配線ＶＰＯ及び
配線ＢＲは例えば高電源電位を供給することができる。また、配線ＲＥＳはリセット信号
を供給することができ、走査線Ｇ１は選択信号を供給することができる。また、信号線Ｄ
Ｌは検知信号ＤＡＴＡを供給することができ、端子ＯＵＴは検知信号ＤＡＴＡに基づいて
変換された信号を供給することができる。

なお、検知信号ＤＡＴＡを変換して端子ＯＵＴに供給することができるさまざまな回路
を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる。例えば、変換器ＣＯＮＶを検知回路１９と電
気的に接続することにより、ソースフォロワ回路又はカレントミラー回路などが構成され
るようにしてもよい。

具体的には、トランジスタＭ４を用いた変換器ＣＯＮＶを用いて、ソースフォロワ回路
を構成できる（図１２（Ａ））。また、図１２（Ｃ）に示すように、変換器ＣＯＮＶは、
トランジスタＭ４、Ｍ５を有していてもよい。なお、第１のトランジスタＭ１乃至第３の
トランジスタＭ３と同一の工程で作製することができるトランジスタをトランジスタＭ４
、Ｍ５に用いてもよい。トランジスタＭ４のゲートは、配線ＶＰＯＧに接続され、第１の
電極は配線ＭＬ［ｊ］に接続され、第２の電極は配線ＶＰＯに接続される。また、トラン
ジスタＭ５のゲートは、トランジスタＭ４の第１の電極に接続され、第１の電極は配線Ｓ
Ｆ＿ＧＮＤに接続され、第２の電極は端子ＯＵＴ［ｊ］に接続される。

前述の通り、本発明の一態様のアクティブマトリクス方式のタッチセンサは、検知素子
を構成する電極と、読み出し配線が別の層で形成することができる。図１３（Ｂ）に示す
ように、検知素子の一方の電極である酸化物導電体層１７３ｂと配線ＭＬとを別の層で形
成し、配線ＭＬを細い幅で形成することで、寄生容量を小さくでき、ノイズの影響を抑制
することができる。これにより、タッチセンサの検出感度の低下を抑制できる。なお、酸
化物導電体層１７３ｂは図１３（Ｃ）に拡大図で示す複数の画素５０２と重なる。

［検知回路１９の駆動方法］
以下では、検知回路１９の駆動方法について説明する。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、第３のトランジスタＭ３を導通状態にした後に非導通状態に
するリセット信号をゲートに供給し、検知素子Ｃの第１の電極の電位を所定の電位にする
（図１２（Ｂ−１）期間Ｔ１参照）。

具体的には、リセット信号を配線ＲＥＳに供給させる。リセット信号が供給された第３
のトランジスタＭ３は、ノードＡの電位を例えば接地電位にする（図１２（Ａ））。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、第２のトランジスタＭ２を導通状態にする選択信号をゲート
に供給し、第１のトランジスタＭ１の第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する。

具体的には、走査線Ｇ１に選択信号を供給させる。選択信号が供給された第２のトラン
ジスタＭ２は、第１のトランジスタＭ１の第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する（
図１２（Ｂ−１）期間Ｔ２参照）。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、制御信号を検知素子Ｃの第２の電極に供給し、制御信号及び
検知素子Ｃの容量に基づいて変化する電位を第１のトランジスタＭ１のゲートに供給する
。

具体的には、配線ＣＳに矩形の制御信号を供給させる。矩形の制御信号を第２の電極に
供給された検知素子Ｃは、検知素子Ｃの容量に基づいてノードＡの電位を上昇する（図１
２（Ｂ−１）期間Ｔ２の後半を参照）。

一方で、検知素子が大気中に置かれている場合、大気より誘電率の高いものが、検知素
子Ｃの第２の電極に近接して配置された場合、検知素子Ｃの容量は見かけ上大きくなる。

これにより、矩形の制御信号がもたらすノードＡの電位の変化は、大気より誘電率の高
いものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる（図１２（Ｂ−２）実線参照
）。

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす信
号を信号線ＤＬに供給する。

例えば、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす電流の変化を信号線
ＤＬに供給する。

変換器ＣＯＮＶは、信号線ＤＬを流れる電流の変化を電圧の変化に変換して供給する。

《第５のステップ》
第５のステップにおいて、第２のトランジスタＭ２を非導通状態にする選択信号をゲー
トに供給する。

本実施の形態は、本明細書中に記載する他の実施の形態及び実施例と適宜組み合わせて
実施することができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様を適用して作製できる電子機器及び照明装置につい
て、図１４及び図１５を用いて説明する。

本発明の一態様のタッチパネルは可撓性を有する構成とすることができる。したがって
、可撓性を有する電子機器や照明装置に好適に用いることができる。また、本発明の一態
様を適用することで、信頼性が高く、繰り返しの曲げに対して強い電子機器や照明装置を
作製できる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機とも
いう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタ
ルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、
携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

また、本発明の一態様のタッチパネルは可撓性を有するため、家屋やビルの内壁もしく
は外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。

図１４（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０
１に組み込まれた表示部７４０２のほか、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４
、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、
本発明の一態様のタッチパネルを表示部７４０２に用いることにより作製される。本発明
の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を歩留まりよく提
供できる。

図１４（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、指などで表示部７４０２に触れることで、
情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆ
る操作は、指などで表示部７４０２に触れることにより行うことができる。

また、操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７４０２
に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイ
ンメニュー画面に切り替えることができる。

図１４（Ｂ）は、腕時計型の携帯情報端末の一例を示している。携帯情報端末７１００
は、筐体７１０１、表示部７１０２、バンド７１０３、バックル７１０４、操作ボタン７
１０５、入出力端子７１０６などを備える。

携帯情報端末７１００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、イン
ターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することがで
きる。

表示部７１０２はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行う
ことができる。また、表示部７１０２はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面
に触れることで操作することができる。例えば、表示部７１０２に表示されたアイコン７
１０７に触れることで、アプリケーションを起動することができる。

操作ボタン７１０５は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オ
フ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を
持たせることができる。例えば、携帯情報端末７１００に組み込まれたオペレーティング
システムにより、操作ボタン７１０５の機能を自由に設定することもできる。

また、携帯情報端末７１００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能
である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリー
で通話することもできる。

また、携帯情報端末７１００は入出力端子７１０６を備え、他の情報端末とコネクター
を介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７１０６を介して充
電を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子７１０６を介さずに無線給電により
行ってもよい。

携帯情報端末７１００の表示部７１０２には、本発明の一態様のタッチパネルが組み込
まれている。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯情報
端末を歩留まりよく提供できる。

図１４（Ｃ）乃至図１４（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、
照明装置７２１０、及び照明装置７２２０は、それぞれ、操作スイッチ７２０３を備える
台部７２０１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。

図１４（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備え
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。

図１４（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つ
の発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に
全方位を照らすことができる。

図１４（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。し
たがって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。

また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０の備える各々の発光
部はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部
材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。

なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部
を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発
光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明る
く照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。

ここで、各発光部には、本発明の一態様のタッチパネルが組み込まれている。本発明の
一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を歩留まりよく提供で
きる。

図１４（Ｆ）には、携帯型のタッチパネルの一例を示している。タッチパネル７３００
は、筐体７３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御
部７３０５を備える。

タッチパネル７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな
表示部７１０２を備える。

また、タッチパネル７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信し
た映像を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリを
そなえる。また、制御部７３０５にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力
を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。

また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替
え等を行うことができる。

図１４（Ｇ）には、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態のタ
ッチパネル７３００を示す。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。
また、筐体７３０１の表面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作
することができる。また、図１４（Ｆ）のように操作ボタン７３０３を筐体７３０１の中
央でなく片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。

なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２の表示面が平面状となるように
固定するため、表示部７３０２の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。

なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によ
って音声を出力する構成としてもよい。

表示部７３０２には、本発明の一態様のタッチパネルが組み込まれている。本発明の一
態様により、軽量で、且つ信頼性の高いタッチパネルを歩留まりよく提供できる。

図１５（Ａ）乃至図１５（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３１０を示す。図１
５（Ａ）に展開した状態の携帯情報端末３１０を示す。図１５（Ｂ）に展開した状態又は
折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末３１０を示す。図
１５（Ｃ）に折りたたんだ状態の携帯情報端末３１０を示す。携帯情報端末３１０は、折
りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により
表示の一覧性に優れる。

表示パネル３１６はヒンジ３１３によって連結された３つの筐体３１５に支持されてい
る。ヒンジ３１３を介して２つの筐体３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末３
１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の
一態様のタッチパネルを表示パネル３１６に用いることができる。例えば、曲率半径１ｍ
ｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができるタッチパネルを適用できる。

なお、本発明の一態様において、タッチパネルが折りたたまれた状態又は展開された状
態であることを検知して、検知情報を供給するセンサを備える構成としてもよい。タッチ
パネルの制御装置は、タッチパネルが折りたたまれた状態であることを示す情報を取得し
て、折りたたまれた部分（又は折りたたまれて使用者から視認できなくなった部分）の動
作を停止してもよい。具体的には、表示を停止してもよい。また、タッチセンサによる検
知を停止してもよい。

同様に、タッチパネルの制御装置は、タッチパネルが展開された状態であることを示す
情報を取得して、表示やタッチセンサによる検知を再開してもよい。

図１５（Ｄ）（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３２０を示す。図１５（Ｄ）に
表示部３２２が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２０を示す。図１５
（Ｅ）に、表示部３２２が内側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２０を示
す。携帯情報端末３２０を使用しない際に、非表示部３２５を外側に折りたたむことで、
表示部３２２の汚れや傷つきを抑制できる。本発明の一態様のタッチパネルを表示部３２
２に用いることができる。

図１５（Ｆ）は携帯情報端末３３０の外形を説明する斜視図である。図１５（Ｇ）は、
携帯情報端末３３０の上面図である。図１５（Ｈ）は携帯情報端末３４０の外形を説明す
る斜視図である。

携帯情報端末３３０、３４０は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた
一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることが
できる。

携帯情報端末３３０、３４０は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができ
る。例えば、３つの操作ボタン３３９を一の面に表示することができる（図１５（Ｆ）（
Ｈ））。また、破線の矩形で示す情報３３７を他の面に表示することができる（図１５（
Ｇ）（Ｈ））。なお、情報３３７の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング
・サービス）の通知、電子メールやや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの
題名、電子メールなどの送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度な
どがある。または、情報３３７が表示されている位置に、情報３３７の代わりに、操作ボ
タン３３９、アイコンなどを表示してもよい。なお、図１５（Ｆ）（Ｇ）では、上側に情
報３３７が表示される例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、
図１５（Ｈ）に示す携帯情報端末３４０のように、横側に表示されていてもよい。

例えば、携帯情報端末３３０の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末３３０を収
納した状態で、その表示（ここでは情報３３７）を確認することができる。

具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末３３０の上
方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末３３０をポケットから取り出
すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。

携帯情報端末３３０の筐体３３５、携帯情報端末３４０の筐体３３６がそれぞれ有する
表示部３３３には、本発明の一態様のタッチパネルを用いることができる。本発明の一態
様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高いタッチパネルを歩留まりよく提供で
きる。

また、図１５（Ｉ）に示す携帯情報端末３４５のように、３面以上に情報を表示しても
よい。ここでは、情報３５５、情報３５６、情報３５７がそれぞれ異なる面に表示されて
いる例を示す。

携帯情報端末３４５の筐体３５４が有する表示部３５８には、本発明の一態様のタッチ
パネルを用いることができる。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼
性の高いタッチパネルを歩留まりよく提供できる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

１０ 検知部
１０Ｕ 検知ユニット
１４ 窓部
１６ 基材
１７ 保護基材
１７ｐ 保護層
１９ 検知回路
１００ タッチパネル
１０１ 基板
１０２ 表示部
１０４ 走査線駆動回路
１０５ 外部接続端子
１０６ 検知部
１０７ 走査線駆動回路
１０８ 変換器
１０９ 外部接続端子
１１０ クラック抑止領域
１１２ トランジスタ
１１３ トランジスタ
１１４ 発光素子
１１６ トランジスタ
１１７ トランジスタ
１１８ 検知素子
１１９ トランジスタ
１２０ バッファ層
１２１ 基板
１２２ クラック抑止層
１２５ 接着層
１２６ ブラックマトリクス
１２７ カラーフィルタ
１２８ ＦＰＣ
１２９ トランジスタ
１３１ 接着層
１３２ バッファ層
１３３ ゲート電極
１３４ 絶縁層
１３５ 半導体層
１３６ 電極
１４１ 絶縁層
１４２ 絶縁層
１４３ 電極
１４４ 絶縁層
１５０ 領域
１５１ ＥＬ層
１５２ 電極
１５３ 封止層
１５４ 接着層
１５５ ＦＰＣ
１５６ 接続体
１５７ 接続体
１６１ 支持基板
１６２ 剥離層
１６３ 支持基板
１６４ 剥離層
１７１ ゲート電極
１７２ 絶縁層
１７３ 半導体層
１７３ａ 酸化物半導体層
１７３ｂ 酸化物導電体層
１７４ 電極
１７５ 絶縁層
１７５ａ 絶縁層
１７６ 導電層
１７７ 絶縁層
１７８ 導電層
１７９ 絶縁層
１８０ 画像表示装置
１９０ 入力装置
３００ 入力装置
３１０ 携帯情報端末
３１３ ヒンジ
３１５ 筐体
３１６ 表示パネル
３２０ 携帯情報端末
３２２ 表示部
３２５ 非表示部
３３０ 携帯情報端末
３３３ 表示部
３３５ 筐体
３３６ 筐体
３３７ 情報
３３９ 操作ボタン
３４０ 携帯情報端末
３４５ 携帯情報端末
３５４ 筐体
３５５ 情報
３５６ 情報
３５７ 情報
３５８ 表示部
５００ タッチパネル
５０１ 表示装置
５０２ 画素
５０２Ｂ 副画素
５０２Ｇ 副画素
５０２Ｒ 副画素
５０３ｇ 走査線駆動回路
５１０ 基材
５１１ 配線
５１９ 端子
５６７ｐ 反射防止層
７１００ 携帯情報端末
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ バンド
７１０４ バックル
７１０５ 操作ボタン
７１０６ 入出力端子
７１０７ アイコン
７２００ 照明装置
７２０１ 台部
７２０２ 発光部
７２０３ 操作スイッチ
７２１０ 照明装置
７２１２ 発光部
７２２０ 照明装置
７２２２ 発光部
７３００ タッチパネル
７３０１ 筐体
７３０２ 表示部
７３０３ 操作ボタン
７３０４ 部材
７３０５ 制御部
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク

Claims (2)

1. 第１の可撓性基板と第２の可撓性基板との間に、無機材料を含む層と、前記無機材料を含む層上の複数のトランジスタを有する領域と、前記無機材料を含む層上の導電性材料を含む層と、を有し、
   平面視において、前記導電性材料を含む層は、前記複数のトランジスタを有する領域を囲む形状を有し、且つ前記複数のトランジスタを有する領域と重ならない、半導体装置。
2. 第１の可撓性基板と第２の可撓性基板との間に、無機材料を含む層と、前記無機材料を含む層上の表示部と、前記無機材料を含む層上の導電性材料を含む層と、を有し、
   前記表示部は、トランジスタと、前記トランジスタと接続された発光素子とを有し、
   前記導電性材料を含む層は、前記表示部を囲む形状を有し、且つ前記表示部と重ならない、半導体装置。

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