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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 622
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 205
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 205
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 20
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910004129 HfSiO Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 151
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 26
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 26
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 23
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 16
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 16
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 7
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 7
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910016909 AlxOy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L Zinc carbonate Chemical compound [Zn+2].[O-]C([O-])=O FMRLDPWIRHBCCC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Description
本発明は、表示装置に関する。
従来、表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス材料（有機ＥＬ材料）を表示部の発光素子（有機ＥＬ素子）に用いた有機ＥＬ表示装置（Organic Electroluminescence Display）が知られている。有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置等とは異なり、有機ＥＬ材料を発光させることにより表示を実現するいわゆる自発光型の表示装置である。
近年、このような有機ＥＬ表示装置において、発光素子を水分などから保護するために、封止膜で覆うことが検討されている。例えば、特許文献１には、表示素子上に、封止膜を設けて、水分などから表示素子を保護する有機ＥＬ表示装置が開示されている。
有機ＥＬ表示装置では、プラスチック等のフレキシブルな樹脂基板に有機ＥＬ素子を設けたフレキシブルディスプレイが開発されている。しかしながら、フレキシブルディスプレイを曲げる際、有機ＥＬ素子を外気から遮断するためのバリア層として設けられた無機膜が割れてしまうおそれがある。バリア層である無機膜が割れると、外部から侵入した水分や酸素などにより有機ＥＬ素子が劣化し、有機ＥＬ表示装置の信頼性が低下するという問題がある。
上記問題に鑑み、曲げ耐性が向上した信頼性の高い表示装置を提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態における表示装置は、有機材料で構成された有機層を有する発光素子が配置された表示領域及び駆動回路を有する第１基板と、表示領域の一部及び駆動回路の一部上に設けられた第１金属酸化物層と、表示領域及び駆動回路上に設けられ、第１金属酸化物層を露出させる開口部を有する第１無機絶縁層と、第１金属酸化物層及び第１無機絶縁層上に設けられた有機絶縁層と、有機絶縁層上に、第１金属酸化物層と重なる領域に設けられた第２金属酸化物層と、表示領域及び駆動回路上に設けられ、第２金属酸化物層を露出させる開口部を有する第２無機絶縁層と、第２無機絶縁層上に設けられた第２基板と、を有し、第１金属酸化物層の膜厚は、第１無機絶縁層の膜厚よりも薄く、第２金属酸化物層の膜厚は、第２無機絶縁層の膜厚よりも薄いことを含む。
本発明の一実施形態に係る表示装置は、有機材料で構成された有機層を有する発光素子が配置された表示領域及び駆動回路を有する第１基板と、表示領域及び駆動回路上に設けられた有機絶縁層と、表示領域の一部及び駆動回路の一部上に設けられた金属酸化物層と、表示領域及び駆動回路上に設けられ、金属酸化物層を露出させる開口部を有する無機絶縁層と、無機絶縁層上に設けられた第２基板と、を有し、金属酸化物層の膜厚は、無機絶縁層の膜厚よりも薄いことを含む。
以下、本発明の各実施の形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面に関して、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて各部の幅、厚さ、形状等を模式的に表す場合があるが、それら模式的な図は一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同一又は類似の要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
なお、本明細書中において、図面を説明する際の「上」、「下」などの表現は、着目する構造体と他の構造体との相対的な位置関係を表現している。本明細書中では、側面視において、後述する絶縁表面から封止膜に向かう方向を「上」と定義し、その逆の方向を「下」と定義する。本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
（第１実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を示した概略図であり、表示装置１００を平面視した場合における概略構成を示している。本明細書では、表示装置１００を画面（表示領域）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。
図１は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の構成を示した概略図であり、表示装置１００を平面視した場合における概略構成を示している。本明細書では、表示装置１００を画面（表示領域）に垂直な方向から見た様子を「平面視」と呼ぶ。
図１に示すように、表示装置１００は、絶縁表面上に形成された、表示領域１０３と、走査線駆動回路１０４と、データ線駆動回路１０５と、ドライバＩＣ１０６と、を有する。表示領域１０３には、有機材料で構成された有機層を有する発光素子が配置されている。また、表示領域１０３の周囲を周辺領域１１０が取り囲んでいる。ドライバＩＣ１０６は、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０５に信号を与える制御部として機能する。データ線駆動回路１０５は、ドライバＩＣ１０６内に組み込まれていてもよい。また、ドライバＩＣ１０６は、フレキシブルプリント回路（Flexible Print Circuit：ＦＰＣ）１０８上に設けて外付けされているが、第１基板１０１上に配置してもよい。フレキシブルプリント回路は、周辺領域１１０に設けられた端子１０７と接続される。
ここで、絶縁表面は、第１基板１０１の表面である。第１基板１０１は、その表面上に設けられる画素電極や絶縁層などの各層を支持する。なお、第１基板１０１は、それ自体が絶縁性材料からなり、絶縁表面を有していても良いし、第１基板１０１上に別途絶縁膜を形成して絶縁表面を形成しても良い。絶縁表面が得られる限りにおいて、第１基板１０１の材質や、絶縁膜を形成する材料は特に限定しない。
図１に示す表示領域１０３には、複数の画素１０９がマトリクス状に配置される。各画素１０９は、後述する画素電極と、該画素電極の一部（アノード）、該画素電極上に積層された発光層を含む有機層（発光部）及び陰極（カソード）からなる発光素子と、を含む。各画素１０９には、データ線駆動回路１０５から画像データに応じたデータ信号が与えられる。それらデータ信号に従って、各画素１０９に設けられた画素電極に電気的に接続されたトランジスタを駆動し、画像データに応じた画面表示を行うことができる。トランジスタとしては、典型的には、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）を用いることができる。但し、薄膜トランジスタに限らず、電流制御機能を備える素子であれば、如何なる素子を用いても良い。
図１に示す表示装置１００は、表示領域１０３の一部及び走査線駆動回路１０４の一部上に設けられた第１金属酸化物層１５１が設けられている。また、表示領域の一部及び走査線駆動回路の一部上において、第１金属酸化物層１５１と重なる領域に第２金属酸化物層１５２が設けられている。第１金属酸化物層１５１及び第２金属酸化物層１５２は、曲げ耐性の高い膜である。そのため、表示装置１００を折り曲げる場合、第１金属酸化物層１５１と第２金属酸化物層１５２とが重なる領域を折り曲げ箇所とすることで、曲げ耐性の高い表示装置とすることができる。第１金属酸化物層１５１及び第２金属酸化物層１５２については、後に詳述する。
図２は、第１実施形態の表示装置１００における画素の構成の一例を示す図である。具体的には、図１に示した表示領域１０３をＡ１−Ａ２線で切断した断面の構成を示す図である。図２に、表示領域１０３の一部として、３つの発光素子１３０の断面を示す。なお、図２では、３つの発光素子１３０について例示しているが、実際には、表示領域１０３では、数百万個以上の発光素子が画素に対応してマトリクス状に配置されている。
図２に示すように、表示装置１００は、第１基板１０１、第２基板１１２、及び対向基板１０２を有する。第１基板１０１、第２基板１１２、及び対向基板１０２として、ガラス基板、石英基板、フレキシブル基板（ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、環状オレフィン・コポリマー、シクロオレフィンポリマー、その他の可撓性を有する樹脂基板）を用いることができる。第１基板１０１、第２基板１１２、及び対向基板１０２が透光性を有する必要がない場合には、金属基板、セラミックス基板、半導体基板を用いることも可能である。第１基板１０１、第２基板１１２、及び対向基板１０２として、可撓性を有する基板を用いることにより、折り曲げ可能な表示装置とすることができる。
第１基板１０１上には、下地膜１１３が設けられる。下地膜１１３は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の無機材料で構成される絶縁層である。下地膜１１３は、単層に限定されるわけではなく、例えば、酸化シリコン層と窒化シリコン層とを組み合わせた積層構造を有してもよい。この構成は、第１基板１０１との密着性や、後述するトランジスタ１２０に対するガスバリア性を考慮して適宜決定すれば良い。
下地膜１１３上には、トランジスタ１２０が設けられる。トランジスタ１２０の構造は、トップゲート型であってもボトムゲート型であってもよい。本実施形態では、トランジスタ１２０は、下地膜１１３上に設けられた半導体層１１４、半導体層１１４を覆うゲート絶縁膜１１５、ゲート絶縁膜１１５上に設けられたゲート電極１１６を含む。また、トランジスタ１２０上には、ゲート電極１１６を覆う層間絶縁膜１２２、層間絶縁膜１２２上に設けられ、それぞれ半導体層１１４に接続されたソース電極又はドレイン電極１１７、ソース電極又はドレイン電極１１８が設けられている。なお、本実施形態では、層間絶縁膜１２２が単層構造を有している例を説明しているが、層間絶縁膜１２２は積層構造を有していてもよい。
なお、トランジスタ１２０を構成する各層の材料は、公知の材料を用いればよく、特に限定はない。例えば、半導体層１１４としては、一般的にはポリシリコン、アモルファスシリコン又は酸化物半導体を用いることができる。ゲート絶縁膜１１５としては、酸化シリコン又は窒化シリコンを用いることができる。ゲート電極１１６は、銅、モリブデン、タンタル、タングステン、アルミニウムなどの金属材料で構成される。層間絶縁膜１２２としては、酸化シリコンまたは窒化シリコンを用いることができる。ソース電極又はドレイン電極１１７、ソース電極又はドレイン電極１１８は、それぞれ銅、チタン、モリブデン、アルミニウムなどの金属材料で構成される。
なお、図２には図示しないが、ゲート電極１１６と同じ層には、ゲート電極１１６を構成する金属材料と同一の金属材料で構成された第１配線を設けることができる。第１配線は、例えば、走査線駆動回路１０４によって駆動される走査線等として設けることができる。また、図２には図示しないが、ソース電極又はドレイン電極１１７、ソース電極又はドレイン電極１１８と同じ層には、第１配線と交差する方向に延在する第２配線を設けることができる。該第２配線は、例えば、データ線駆動回路１０５によって駆動されるデータ線等として設けることができる。
トランジスタ１２０上には、平坦化膜１２３が設けられる。平坦化膜１２３は、有機樹脂材料を含んで構成される。有機樹脂材料としては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、アクリル、エポキシ等の公知の有機樹脂材料を用いることができる。これらの材料は、溶液塗布法により膜形成が可能であり、平坦化効果が高いという特長がある。特に図示しないが、平坦化膜１２３は、単層構造に限定されず、有機樹脂材料を含む層と無機絶縁層との積層構造を有してもよい。
平坦化膜１２３は、ソース電極又はドレイン電極１１８の一部を露出させるコンタクトホールを有する。コンタクトホールは、後述する画素電極１２５とソース電極又はドレイン電極１１８とを電気的に接続するための開口部である。したがって、コンタクトホールは、ソース電極又はドレイン電極１１８の一部に重畳して設けられる。コンタクトホールの底面では、ソース電極又はドレイン電極１１８が露出される。
平坦化膜１２３上には、保護膜１２４が設けられる。保護膜１２４は、平坦化膜１２３に形成されたコンタクトホールに重畳する。保護膜１２４は、水分や酸素に対するバリア機能を有することが好ましく、例えば、窒化シリコン膜や酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料を用いて形成される。
保護膜１２４上には、画素電極１２５が設けられる。画素電極１２５は、平坦化膜１２３及び保護膜１２４が有するコンタクトホールに重畳し、コンタクトホールの底面で露出されたソース電極又はドレイン電極１１８と電気的に接続する。本実施形態の表示装置１００において、画素電極１２５は、発光素子１３０を構成する陽極（アノード）として機能する。画素電極１２５は、トップエミッション型であるかボトムエミッション型であるかで異なる構成とする。例えば、トップエミッション型である場合、画素電極１２５として反射率の高い金属膜を用いるか、酸化インジウム系透明導電膜（例えばＩＴＯ）や酸化亜鉛系透明導電膜（例えばＩＺＯ、ＺｎＯ）といった仕事関数の高い透明導電膜と金属膜との積層構造を用いる。逆に、ボトムエミッション型である場合、画素電極１２５として上述した透明導電膜を用いる。本実施形態では、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。画素電極１２５の端部は、後述する第１絶縁層１２６によって覆われている。
画素電極１２５上には、有機樹脂材料で構成される第１絶縁層１２６が設けられる。有機樹脂材料としては、ポリイミド系、ポリアミド系、アクリル系、エポキシ系もしくはシロキサン系といった公知の樹脂材料を用いることができる。第１絶縁層１２６は、画素電極１２５上の一部に開口部を有する。第１絶縁層１２６は、互いに隣接する画素電極１２５の間に、画素電極１２５の端部（エッジ部）を覆うように設けられ、隣接する画素電極１２５を離隔する部材として機能する。このため、第１絶縁層１２６は、一般的に「隔壁」、「バンク」とも呼ばれる。この第１絶縁層１２６から露出された画素電極１２５の一部が、発光素子１３０の発光領域となる。第１絶縁層１２６の開口部は、内壁がテーパー形状となるようにしておくことが好ましい。これにより後述する発光層の形成時に、画素電極１２５の端部におけるカバレッジ不良を低減することができる。第１絶縁層１２６は、画素電極１２５の端部を覆うだけでなく、平坦化膜１２３及び保護膜１２４が有するコンタクトホールに起因する凹部を埋める充填材として機能させてもよい。
画素電極１２５上には、有機材料で構成された有機層１２７が設けられる。有機層１２７は、少なくとも有機材料で構成される発光層を有し、発光素子１３０の発光部として機能する。有機層１２７には、発光層以外に、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層といった各種の電荷輸送層も含まれ得る。有機層１２７は、発光領域を覆うように、即ち、発光領域における第１絶縁層１２６の開口部及び第１絶縁層１２６の開口部を覆うように設けられる。
なお、本実施形態では、所望の色の光を発する発光層を有機層１２７に設け、各画素電極１２５上に異なる発光層を有する有機層１２７を形成することで、ＲＧＢの各色を表示する構成とする。つまり、本実施形態において、有機層１２７は、隣接する画素電極１２５の間では不連続である。なお、各種の電荷輸送層は隣接する画素電極１２５の間で連続である。有機層１２７には、公知の構造や公知の材料を用いることが可能であり、特に本実施形態の構成に限定されるものではない。また、有機層１２７は、白色光を発する発光層を有し、カラーフィルタを通してＲＧＢの各色を表示してもよい。この場合、有機層１２７は、第１絶縁層１２６上にも設けられてもよい。
有機層１２７上及び第１絶縁層１２６上には、対向電極１２８が設けられる。対向電極１２８は、発光素子１３０を構成する陰極（カソード）として機能する。本実施形態の表示装置１００は、トップエミッション型であるため、対向電極１２８としては透明電極を用いる。透明電極を構成する薄膜としては、ＭｇＡｇ薄膜もしくは透明導電膜（ＩＴＯやＩＺＯ）を用いる。対向電極１２８は、各画素１０９間を跨いで第１絶縁層１２６上にも設けられる。対向電極１２８は、表示領域１０３の端部付近の周辺領域において下層の導電層を介して外部端子へと電気的に接続される。上述したように、本実施形態では、第１絶縁層１２６から露出した画素電極１２５の一部（アノード）、有機層１２７（発光部）及び対向電極１２８（カソード）によって発光素子１３０が構成される。
表示領域１０３上には、封止膜を設けることが好ましい。封止膜は、水や酸素が侵入することを防止するために設ける。封止膜は、無機絶縁材料と有機絶縁材料とを、組み合わせて設けることができる。図２では、封止膜として、第１無機絶縁層１３１、第１有機絶縁層１３２、及び第２無機絶縁層１３３を設ける例を示している。表示領域１０３上に封止膜を設けることにより、発光素子１３０に水や酸素が侵入することを防止することができる。
第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３として、例えば、ＣＶＤ法又はスパッタリング法により、窒化シリコン（ＳｉｘＮｙ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、窒化酸化シリコン（ＳｉＮｘＯｙ）、酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）、窒化アルミニウム（ＡｌｘＮｙ）、酸化窒化アルミニウム（ＡｌｘＯｙＮｚ）、窒化酸化アルミニウム （ＡｌｘＮｙＯｚ）等の膜などを用いて形成することができる（ｘ、ｙ、ｚは任意）。第１無機絶縁層１３１の膜厚は、５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることが好ましく、第２無機絶縁層１３３の膜厚は、５００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とすることが好ましい。第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３の膜厚を、上記の膜厚で設けることにより、発光素子１３０に、水や酸素が侵入することを防止することができる。また、第１有機絶縁層１３２として、第１有機絶縁層１３２として、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、シロキサン樹脂などを用いることができる。第１有機絶縁層１３２の膜厚は、５μｍ以上１５μｍ以下とすることが好ましい。
第２無機絶縁層１３３上には、充填材１３５が設けられている。充填材１３５は、例えば、アクリル系、ゴム系、シリコーン系、ウレタン系の粘着材を用いることができる。また、充填材１３５には、第１基板１０１と対向基板１０２との間の間隙を確保するためにスペーサを設けてもよい。このようなスペーサは、充填材１３５に混ぜてもよいし、第１基板１０１上に樹脂等により形成してもよい。
対向基板１０２には、例えば、平坦化を兼ねてオーバーコート層が設けられてもよい。有機層１２７が白色光を出射する場合、対向基板１０２には、主面（第１基板１０１に対向する面）にＲＧＢの各色にそれぞれ対応するカラーフィルタ、及びカラーフィルタ間に設けられたブラックマトリクスが設けられていてもよい。対向基板１０２側にカラーフィルタを形成しない場合は、例えば、第２無機絶縁層１３３上などに直接カラーフィルタを形成し、その上から充填材１３５を形成すればよい。なお、第１有機絶縁層１３２は平坦化作用があり、第１有機絶縁層１３２よりも上層の各層は平らに形成される。そのため、第１有機絶縁層１３２は発光素子１３０上では厚く、第１絶縁層１２６上では薄くなる。
上述したように、発光素子１３０を水や酸素から保護するためには、封止膜が必要となる。しかし、折り曲げ可能な表示装置として使用する場合、表示装置を折り曲げることで、封止膜として機能する無機絶縁層が割れてしまうおそれがある。無機絶縁層が割れると、外部から水や酸素などが侵入し、発光素子１３０が劣化してしまう。また、発光素子１３０の劣化により、表示装置の信頼性が低下してしまうおそれがある。ここで、膜の曲げ耐性に関して説明すると、膜の曲げ耐性は、膜の幅の大きさに反比例し、膜の厚さの３乗に反比例する。しかし、ＣＶＤ法により形成された第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３では膜厚を薄くできないため、膜の曲げ耐性が低くなってしまう。
そこで、本実施形態に係る表示装置では、表示装置の折り曲げ箇所においては、封止膜として機能する無機絶縁層を除去し、無機絶縁層の代わりに、曲げ耐性を高くすることができる絶縁層を設けることとする。曲げ耐性が高い絶縁層として、例えば、金属酸化物を用いることができる。これは、後に説明するＡＬＤ法にて形成できる好適な膜であるために、その膜厚を薄くすることができる。薄くできるので膜の曲げ耐性が膜厚の３乗に反比例する法則から、この金属酸化膜の曲げ耐性は高くなる。図１に、表示領域１０３の少なくとも一部において、第１金属酸化物層１５１及び第２金属酸化物層１５２を設ける例を示す。また、図１に示す表示装置では、第２金属酸化物層１５２が第１金属酸化物層１５１と重なる領域において、折り曲げることが可能である。図１では、例えば、Ｂ１−Ｂ２線に沿って、表示装置を折り曲げることが可能である。
図３に、図１におけるＣ１−Ｃ２線に沿った断面図を示す。なお、図３においては、表示領域１０３におけるトランジスタ１２０や発光素子１３０などを含む層を、素子形成層１５３として図示している。第１基板１０１の上には、素子形成層１５３が設けられ、第１基板１０１の下には第２基板１１２が設けられている。また、素子形成層１５３上には、第１金属酸化物層１５１が設けられている。
第１金属酸化物層１５１として、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＨｆＯ2、ＨｆＳｉＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳＴＯなどを用いることができる。また、第１金属酸化物層１５１は、原子堆積法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＡＬＤ）により、成膜することが好ましい。ＡＬＤ法とは、単原子層を１サイクルで成膜する手法で、サイクルを繰り返すことにより、薄膜を形成する方法である。原子層レベルの均一なレイヤーコントロールが可能であるため、均一性や緻密性が高い膜とすることができる。第１金属酸化物層１５１を、ＡＬＤ法により形成することで、第１金属酸化物層１５１の膜厚を、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることができる。第１金属酸化物層１５１を、ＡＬＤ法により形成することで、膜厚を薄くすることができるため、曲げ耐性の高い膜にすることができる。これにより、表示装置を折り曲げた場合であっても、第１金属酸化物層１５１が割れてしまうことを防止することができる。また、第１金属酸化物層１５１を、ＡＬＤ法により形成することで、薄くても均一性や緻密性が高い膜とすることができるため、水や酸素が発光素子１３０に侵入することを防止することができる。
図３に示すように、第１金属酸化物層１５１が設けられている領域においては、第１無機絶縁層１３１が、第１金属酸化物層１５１の上面部を露出させるように除去されている。第１金属酸化物層１５１の上面部を露出させる第１無機絶縁層１３１の開口部において、表示装置を折り曲げることにより、第１無機絶縁層１３１の割れを防止できる。また、表示装置を折り曲げない領域では、第１無機絶縁層１３１を設けることで、水や酸素が発光素子１３０に侵入することを防止することができる。
そして、第１金属酸化物層１５１及び第１無機絶縁層１３１上には、第１有機絶縁層１３２が設けられている。第１有機絶縁層１３２は、第１金属酸化物層１５１と重なる第１領域と、第１無機絶縁層１３１と重なる第２領域と、を有している。ここで、第１有機絶縁層１３２において、第１領域の膜厚Ｘは、第２領域の膜厚Ｙと、略同一であることが好ましい。第１有機絶縁層１３２の膜厚を、第１領域と第２領域とで略同一にすることにより、発光素子１３０の光の射出経路の屈折率を均一化することができるため、光学的なズレをなくすことができる。
第１有機絶縁層１３２上には、第２金属酸化物層１５２が設けられている。また、第２金属酸化物層１５２は、第１金属酸化物層１５１と重なる領域に設けられている。第２金属酸化物層１５２は、第１金属酸化物層１５１と同様に、ＡＬＤ法により、Ａｌ2Ｏ3、ＨｆＯ2、ＨｆＳｉＯ、Ｌａ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳＴＯを用いて形成する。第２金属酸化物層１５２を、ＡＬＤ法により形成することで、第２金属酸化物層１５２の膜厚を、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることができる。第２金属酸化物層１５２を、ＡＬＤ法により形成することで、膜厚を薄くすることができるため、曲げ耐性の高い膜にすることができる。これにより、表示装置を折り曲げた場合であっても、第２金属酸化物層１５２が割れてしまうことを防止することができる。また、第２金属酸化物層１５２を、ＡＬＤ法により形成することで、薄くても均一性や緻密性が高い膜とすることができるため、水や酸素が侵入することを防止することができる。
図３に示すように、第２金属酸化物層１５２が設けられている領域においては、第２無機絶縁層１３３が、第２金属酸化物層１５２の上面部を露出させるように除去されている。第２金属酸化物層１５２の上面部を露出させる第２無機絶縁層１３３の開口部において、表示装置を折り曲げることにより、第２無機絶縁層１３３が割れることを防止できる。また、表示装置を折り曲げない領域では、第２無機絶縁層１３３が設けられていることで、水や酸素が発光素子１３０に侵入することを防止することができる。
ここで、ＣＶＤ法により成膜された膜と、ＡＬＤ法により成膜された膜の違いについて、Ａｌ2Ｏ3を例に説明する。Ａｌ2Ｏ3をＣＶＤ法により成膜する場合には、前駆体であるトリメチルアルミニウム（trimethylaluminum：ＴＭＡ）とＨ2Ｏが同時に反応チャンバーに導入され、Ａｌ2Ｏ3を生成して、Ａｌ2Ｏ3を基板に堆積させる。これに対し、Ａｌ2Ｏ3をＡＬＤ法により成膜する場合には、まず、前駆体のＴＭＡを反応チャンバーに導入すると、基板にＴＭＡが化学吸着されてＴＭＡの単層を形成する。ＴＭＡの単層が形成されると、分解されたＴＭＡ及び後から導入されたＴＭＡは不要となるため排気を行う（パージともいう）。次に、Ｈ2Ｏを反応チャンバーに導入すると、ＴＭＡの単層と、Ｈ2Ｏとが反応して、単層のＡｌ2Ｏ3が形成される。また、分解されたＨ2Ｏ及び後から導入されたＨ2Ｏは不要となるため排気を行う。これらの工程を繰り返すことで、１層ずつＡｌ2Ｏ3が成膜される。
ＣＶＤ法は、複数のガスの反応生成物を堆積させるため、チャンバー内の水素が膜中に取り込まれやすい。そのため、第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３を、ＣＶＤ法により成膜すると、水素濃度が高くなる。これに対して、ＡＬＤ法は、基板上に、１層分のＴＭＡを吸着させ、Ｈ2Ｏと反応させることで、１層ずつ膜が成膜される。このとき、不要になった前駆体は、その度にパージされるため、水素が膜中に取り込まれにくい。そのため、ＡＬＤ法によって成膜された第１金属酸化物層１５１及び第２金属酸化物層１５２の水素濃度は、第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３の水素濃度よりも低くなる。
図３に示すように、素子形成層１５３上に、第１金属酸化物層１５１及び第１無機絶縁層１３１が設けられている。また、第１有機絶縁層１３２上に、第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３が設けられている。また、第１金属酸化物層１５１は、第１無機絶縁層１３１と重ならない領域を有し、第２金属酸化物層１５２は、第２無機絶縁層１３３と重ならない領域を有する。つまり、表示装置の折り曲げ箇所においては、第１金属酸化物層１５１、第１有機絶縁層１３２、第２金属酸化物層１５２の積層構造となるため、折り曲げ耐性の高い表示装置とすることができる。また、表示装置の折り曲げ箇所以外の領域では、第１無機絶縁層１３１、第１有機絶縁層１３２、第２無機絶縁層１３３の積層構造となるため、水や酸素の遮断機能が高い表示装置とすることができる。
図４に、図１に示すＤ１−Ｄ２線に沿った断面図を示す。具体的には、走査線駆動回路１０４と、表示領域１０３の外側の周辺領域１１０における断面図である。図４に示すように、周辺領域１１０において、第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３が除去されており、代わりに第１金属酸化物層１５１及び第２金属酸化物層１５２が設けられている。
図４において、第２基板１１２上に第１基板１０１が設けられている。第１基板１０１上に、下地膜１１３を介してトランジスタ１４０及びトランジスタ１５０が設けられている。トランジスタ１４０及びトランジスタ１５０を含む複数のトランジスタによって走査線駆動回路１０４が構成される。なお、トランジスタ１４０及びトランジスタ１５０は、同じ極性を有していてもよいし、異なる極性を有するＣＭＯＳ構造であってもよい。トランジスタ１４０及びトランジスタ１５０上には、表示領域１０３と同様に、層間絶縁膜１２２が形成されている。層間絶縁膜１２２にはコンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介してソース電極又はドレイン電極１１７、１１８が、トランジスタ１４０の半導体層１１４と接続されている。また、周辺領域１１０において、層間絶縁膜１２２上に、配線１４４が設けられている。配線１４４は、ソース電極又はドレイン電極１１７、１１８と同じ膜から形成されている。
走査線駆動回路１０４において、層間絶縁膜１２２上に、平坦化膜１２３が設けられている。また、周辺領域１１０において、平坦化膜１２３は端部を有している。また、周辺領域１１０において、層間絶縁膜１２２上に、第１凸部１４２が設けられている。第１凸部１４２は、平坦化膜１２３と同じ膜から形成される。
平坦化膜１２３上に、保護膜１２４が設けられている。保護膜１２４は、平坦化膜１２３の端部に接して設けられている。保護膜１２４は、水分や酸素に対するバリア機能を有することが好ましい。保護膜１２４を、平坦化膜１２３の端部に接して設けることにより、平坦化膜１２３の端部から水分や酸素が侵入することを防止することができる。また、保護膜１２４を、層間絶縁膜１２２や配線１４４と接して設けることにより、保護膜１２４と層間絶縁膜１２２の隙間から水分や酸素が侵入することを防止することができる。
保護膜１２４には開口部が設けられ、配線１４４が開口部を介して電極１４５と接続される。電極１４５は、発光素子１３０が有する画素電極１２５と同じ膜から形成される。保護膜１２４及び電極１４５上に、バンク１４６が設けられている。バンク１４６は、平坦化膜１２３と重なる領域に端部を有する。また、第１凸部１４２と重なる領域に、保護膜１２４を介して第２凸部１４３が設けられている。バンク１４６及び第２凸部１４３は、第１絶縁層１２６と同じ膜から形成される。
バンク１４６上には、対向電極１２８が設けられている。対向電極１２８は、表示領域１０３及び走査線駆動回路１０４の全面を覆うように形成されている。そして、対向電極１２８が、電極１４５と接続された箇所が、陰極コンタクトとなる。また、電極１４５は、保護膜１２４に形成された開口部を介して配線１４４と接続される。陰極コンタクトは、陰極抵抗の上昇を防ぐために、周辺領域１１０において表示領域１０３及び走査線駆動回路１０４を囲むように設けられている。また、配線１４４も同様に、周辺領域１１０において表示領域１０３及び走査線駆動回路１０４を囲むように設けられている。陰極コンタクトは閉ループ形状で連続的に表示領域１０３および走査線駆動回路１０４を取り囲む形状であってもよく、島状の陰極コンタクトが複数あり、この複数の陰極コンタクトが飛び飛びに表示領域１０３および走査線駆動回路１０４を取り囲む形状であってもよい。また、フレキシブルプリント回路１０８がある表示装置１００の辺においてはは陰極コンタクトが配置されず、コの字型に配置されていてもよい。なお、対向電極１２８と電極１４５との陰極コンタクトを、周辺領域１１０に設ける例を示したが、表示領域１０３と走査線駆動回路１０４との間の領域に設けてもよい。また、対向電極１２８を、バンク１４６の端部と接して設けることにより、第１絶縁層１２６の端部から水分や酸素が侵入することを防止することができる。
保護膜１２４や対向電極１２８上には、第１金属酸化物層１５１が設けられている。第１金属酸化物層１５１は、周辺領域１１０において、保護膜１２４と接して設けられている。第１金属酸化物層１５１と保護膜１２４とは、それぞれ無機絶縁材料で形成されているため、密着性を向上させることができる。また、保護膜１２４は、平坦化膜１２３の端部及びバンク１４６の端部を覆うように設けられている。水分や酸素の侵入経路となる有機樹脂で形成された平坦化膜１２３の端部及びバンク１４６の端部を、第１金属酸化物層１５１で覆うことが好ましい。
第１金属酸化物層１５１上に、第１有機絶縁層１３２が設けられている。第１有機絶縁層１３２は、平坦化膜１２３の端部、及びバンク１４６の端部を覆うように設けられている。また、第１金属酸化物層１５１及び第１有機絶縁層１３２上に、第２金属酸化物層１５２が設けられている。第２金属酸化物層１５２は、第１有機絶縁層１３２が形成されていない領域、第１金属酸化物層１５１と接している。
図４に示すように、第１金属酸化物層１５１と第２金属酸化物層１５２とが接することにより、密着性を向上させることができる。また、周辺領域１１０において、第１凸部及び第２凸部を設けることにより、第１金属酸化物層１５１と第２金属酸化物層１５２とが接する領域を増加させることができる。これにより、第１金属酸化物層１５１と第２金属酸化物層１５２とが剥がれることを防止することができる。また、表示装置の外部からの水や酸素の侵入を防止することができる。さらに、第１金属酸化物層１５１が、保護膜１２４と接して設けられることにより、第１金属酸化物層１５１と保護膜１２４との密着性を向上できるため、好ましい。
図５に、図１に示すＥ１−Ｅ２線に沿った断面図を示す。具体的には、走査線駆動回路１０４と、表示領域１０３の外側の周辺領域１１０における断面図である。図６の構成は、第１金属酸化物層１５１及び第２金属酸化物層１５２に代えて、第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３が設けられていること以外は、図４と同様の構成である。
図５に示すように、走査線駆動回路１０４上の封止膜は、第１無機絶縁層１３１、第１有機絶縁層１３２、及び第２無機絶縁層１３３が重なる構成となっている。第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３は、第１金属酸化物層１５１及び第２金属酸化物層１５２よりも膜厚が厚い。そのため、第１金属酸化物層１５１及び第２金属酸化物層１５２と比較して、水や酸素が侵入することを、より防止することができる。また、周辺領域１１０において、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３と、が接している。そのため、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３との密着性を向上させることができる。また、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３との間から、水や酸素が侵入することを防止することができる。これにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。
図６に、図３に示す表示装置とは一部異なる構成を有する表示装置を示す。図６に示す表示装置には、図６に示す表示装置の構成に加えて、素子形成層１５３上に、第１金属酸化物層１５１及び第１無機絶縁層１３１が設けられている。また、第１金属酸化物層１５１及び第１無機絶縁層１３１と、第１有機絶縁層１３２との間に、無機界面層１５４が設けられている。また、第１有機絶縁層１３２と、第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３との間に、無機界面層１５５が設けられている。無機界面層１５４及び無機界面層１５５として、一酸化シリコン（ＳｉＯ）や、アモルファスシリコンを用いることができる。第１有機絶縁層１３２と、第１金属酸化物層１５１及び第１無機絶縁層１３１との間に、無機界面層１５４を設けることにより、第１有機絶縁層１３２と、第１金属酸化物層１５１及び第１無機絶縁層１３１との密着性を向上させることができる。これにより、第１金属酸化物層１５１及び第１無機絶縁層１３１と、第１有機絶縁層１３２とが剥がれることを防止できるため、表示装置の信頼性が向上する。同様に、第１有機絶縁層１３２と、第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３との間に、無機界面層１５５を設けることにより、第１有機絶縁層１３２と、第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３との密着性を向上させることができる。これにより、第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３と、第１有機絶縁層１３２とが剥がれることを防止できるため、表示装置の信頼性が向上する。
図７に、図１に示す表示装置とは一部異なる構成を有する表示装置を示す。図７に示す表示装置では、第１無機絶縁層１３１及び第１金属酸化物層１５１が省略されている。図７では、素子形成層１５３上に第１有機絶縁層１３２が設けられており、第１有機絶縁層１３２上に第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３が設けられている。第２金属酸化物層１５２が設けられている領域においては、第２無機絶縁層１３３が、第２金属酸化物層１５２の上面部を露出させるように除去されている。第２金属酸化物層１５２の上面部を露出させる第２無機絶縁層１３３の開口部において、表示装置を折り曲げることにより、第２無機絶縁層１３３が割れることを防止することができる。図７に示す表示装置では、第２金属酸化物層１５２及び第１無機絶縁層１３１を省略することができるため、図３の表示装置の製造工程と比較して簡略化することができる。
図８に、図７に示す表示装置とは一部異なる構成を有する表示装置を示す。図８に示す表示装置では、図７に示す表示装置の構成に加えて、第１有機絶縁層１３２と、第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３との間に、無機界面層１５５が設けられている。これにより、第１有機絶縁層１３２と、第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３との密着性を向上させることができる。これにより、第１有機絶縁層１３２と、第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３とが剥がれることを防止することができるため、表示装置の信頼性を向上させることができる。
図９に示す表示装置では、素子形成層１５３上に第１金属酸化物層１５１が設けられている。また、第１無機絶縁層１３１上に、第１有機絶縁層１３２が設けられている。また、第１金属酸化物層１５１は、第１無機絶縁層１３１及び第１有機絶縁層１３２と重ならない領域を有する。さらに、第１金属酸化物層１５１の第１無機絶縁層１３１及び第１有機絶縁層１３２が重ならない領域において、第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３が接して設けられている。また、第１金属酸化物層１５１の第１無機絶縁層１３１及び第１有機絶縁層１３２が重ならない領域において、第２有機絶縁層１３６が設けられている。第２有機絶縁層１３６は、第１有機絶縁層１３２と、同じ材料を用いて形成することができる。第１有機絶縁層１３２の膜厚Ｙと、第２有機絶縁層１３６の膜厚Ｘとは、略同一であることが好ましい。
図９に示す表示装置では、第１金属酸化物層１５１の第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３が重ならない領域において、表示装置を折り曲げることにより、第１無機絶縁層１３１及び第２無機絶縁層１３３が割れることを防止することができる。また、第１金属酸化物層１５１上で、第１無機絶縁層１３１と、第２無機絶縁層１３３とが接して設けられている。これにより、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３との密着性を向上させることができる。また、表示装置の折り曲げ箇所において、折り曲げを行っても、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３とが剥がれることを防止することができる。また、第１無機絶縁層１３１と第２無機絶縁層１３３との間から、水や酸素の侵入を防止することができるため、発光素子の１３０の劣化を防止できる。これにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。また、第１金属酸化物層１５１上に、第１有機絶縁層１３２と同じ膜厚で、第２有機絶縁層１３６を設けることにより、発光素子１３０の光の射出経路の屈折率を均一化することができるため、光学的なズレをなくすことができる。
図１０に、図９に示す表示装置とは、一部異なる構成を有する表示装置を示す。図１０に示す表示装置には、図９に示す表示装置の構成に加えて、第２無機絶縁層１３３及び第２有機絶縁層１３６上に、さらにＡＬＤ法により成膜された第２金属酸化物層１５２が設けられている。第１有機絶縁層１３２及び第２無機絶縁層１３３上に、第２金属酸化物層１５２を設けることにより、外部から水や酸素が侵入することを防止することができる。また、第２金属酸化物層１５２を、第２無機絶縁層１３３に接して設けることにより、第２金属酸化物層１５２と、第２無機絶縁層１３３との密着性を向上させることができる。これにより、表示装置の折り曲げ箇所において、折り曲げを行っても、第２金属酸化物層１５２と第２無機絶縁層１３３とが剥がれることを防止することができる。また、第２金属酸化物層１５２と第２無機絶縁層１３３との間から、水や酸素の侵入を防止することができるため、発光素子の１３０の劣化を防止できる。これにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。
図１１に、図９に示す表示装置とは、一部異なる構成を有する表示装置を示す。図１１に示す表示装置は、図９に示す表示装置の構成に加えて、無機絶縁層と有機絶縁層との間に、無機界面層を設けている。具体的には、第１無機絶縁層１３１と、第１有機絶縁層１３２との間に無機界面層１５４が設けられている。第１金属酸化物層１５１は、第１無機絶縁層１３１、無機界面層１５５、及び第１有機絶縁層１３２と重ならない領域を有する。また、第１金属酸化物層１５１及び第１有機絶縁層１３２上に、無機界面層１５５が設けられている。また、第１金属酸化物層１５１及び第１有機絶縁層１３２上に、無機界面層１５５を介して、第２無機絶縁層１３３が設けられており、第１金属酸化物層１５１は、第２無機絶縁層１３３と重ならない領域を有する。また、第２無機絶縁層１３３上には、無機界面層１５６が設けられており、第１金属酸化物層１５１は、無機界面層１５６と重ならない領域を有する。また、第１金属酸化物層１５１は、第２無機絶縁層１３３及び無機界面層１５６と重ならない領域において、第２有機絶縁層１３６が設けられている。
第１無機絶縁層１３１と第１有機絶縁層１３２との間に無機界面層１５５を設けることにより、第１無機絶縁層１３１と第１有機絶縁層１３２との密着性を向上させることができる。また、第１有機絶縁層１３２と第２無機絶縁層１３３との間に無機界面層１５６を設けることにより、第１有機絶縁層１３２と第２無機絶縁層１３３との密着性を向上させることができる。また、第２無機絶縁層１３３と第２有機絶縁層１３６との間に、無機界面層１５６を設けることにより、第２無機絶縁層１３３と第２有機絶縁層１３６との密着性を向上させることができる。さらに、第１金属酸化物層１５１と第２有機絶縁層１３６との間に無機界面層１５６を設けることにより、第１金属酸化物層１５１と第２有機絶縁層１３６との密着性を向上させることができる。つまり、有機絶縁層及び無機絶縁層との間に無機界面層を設けることにより、表示装置を折り曲げた際に、有機絶縁層と無機絶縁層との間で、膜が剥がれてしまうことを防止できる。これにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。また、第１有機絶縁層１３２の膜厚Ｙと、第２有機絶縁層１３６の膜厚Ｘとを略同一にすることで、発光素子１３０の光の射出経路の屈折率を均一化することができるため、光学的なズレをなくすことができる。
図１２に、図１１に示す表示装置とは、一部異なる一部異なる構成を有する表示装置を示す。図１２に示す表示装置では、図１１に示す表示装置の構成に加えて、第２無機絶縁層１３３及び第２有機絶縁層１３６上に、さらに第２金属酸化物層１５２が設けられている。第１有機絶縁層１３２及び第２無機絶縁層１３３上に、第２金属酸化物層１５２を設けることにより、外部から水や酸素が侵入することを防止することができる。また、第２金属酸化物層１５２を、第２無機絶縁層１３３に接して設けることにより、第２金属酸化物層１５２と、第２無機絶縁層１３３との密着性を向上させることができる。これにより、表示装置を折り曲げた際に、第１有機絶縁層１３２と、無機界面層１５６とが剥がれてしまうことを防止できる。これにより、表示装置の信頼性を向上させることができる。
図１３に、図１に示す表示装置とは一部異なる表示装置について、平面視した場合における概略構成を示している。
図１３に示す表示装置では、表示領域１０３の全体及び走査線駆動回路１０４の全体を覆うように、第１金属酸化物層１５１が設けられている。第１金属酸化物層１５１は、第１無機絶縁層１３１や第２無機絶縁層１３３と比較して、膜厚が薄い。そのため、第１金属酸化物層１５１を、表示領域１０３全体及び走査線駆動回路１０４の全体に設けることができる。なお、図１３においては、第１金属酸化物層１５１を表示領域１０３の全体及び走査線駆動回路１０４の全体に設ける構成を示したが、本発明はこれに限定されない。第２金属酸化物層１５２を、表示領域１０３の全体及び走査線駆動回路１０４の全体に設ける構成としてもよい。この場合には、表示領域１０３の一部及び走査線駆動回路１０４の一部上に、第１金属酸化物層１５１を設ける構成としてもよい。また、第１金属酸化物層１５１及び第２金属酸化物層１５２を、表示領域１０３の全体及び走査線駆動回路１０４の全体に設ける構成としてもよい。
図１４に、図１３におけるＣ１−Ｃ２線に沿った断面図を示す。第１基板１０１上には、素子形成層１５３が設けられており、素子形成層１５３上に、第１金属酸化物層１５１が設けられている。また、第１金属酸化物層１５１上に、無機界面層１５４が設けられており、無機界面層１５４上に第１有機絶縁層１３２が設けられている。第１金属酸化物層１５１と、第１有機絶縁層１３２との間に、無機界面層１５４を設けることにより、第１金属酸化物層１５１と、第１有機絶縁層１３２との密着性を向上させることができる。また、第１有機絶縁層１３２上には、無機界面層１５５が設けられており、無機界面層１５５上には、第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３が設けられている。
第２金属酸化物層１５２が設けられている領域においては、第２無機絶縁層１３３が、第２金属酸化物層１５２の上面部を露出させるように除去されている。第２金属酸化物層１５２の上面部を露出させる第２無機絶縁層１３３の開口部において、表示装置を折り曲げることにより、第２無機絶縁層１３３が割れることを防止することができる。また、第１金属酸化物層１５１と第１有機絶縁層１３２との間に無機界面層１５４を設けることにより、第１金属酸化物層１５１と第１有機絶縁層１３２との密着性を向上させることができる。また、第１有機絶縁層１３２と、第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３との間に無機界面層１５５を設けることにより、第１有機絶縁層１３２と、第２金属酸化物層１５２及び第２無機絶縁層１３３との密着性を向上させることができる。これにより、表示装置を折り曲げた場合であっても、有機絶縁層と無機絶縁層との間で膜が剥がれることを防止できるため、表示装置の信頼性を向上させることができる。第２金属酸化物層１５２を、第１金属酸化物層１５１のように、表示領域１０３全体及び走査線駆動回路１０４の全体に設ける構成としてもよい。
図１３及び図１４に示すように、第１金属酸化物層１５１や第２金属酸化物層１５２を、表示領域１０３全体及び走査線駆動回路１０４の全体に設ける構成とする。金属酸化物層に対してレジストパターニングを行う際に、現像等で素子形成層１５３に対するダメージが懸念されるが、そのダメージを避けることができる。また、図１に示す第１金属酸化物層１５１及び第２金属酸化物層１５２を形成する場合には、スパッタリングにより金属酸化物層を成膜した後、マスクを用いたパターニングが必要となる。しかし、第１金属酸化物層１５１及び第２金属酸化物層１５２を、表示領域１０３全体及び走査線駆動回路１０４の全体に設ける構成とすることにより、寸法精度が低くてもよい、又はパターニングが不要となるため、マスクのコストを削減できる。
図１５に、図１２に示す表示装置と一部異なる構成を有する表示装置を示す。図１５に示す表示装置では、第１金属酸化物層１５１上に、無機界面層１５４が設けられており、無機界面層１５４上には、第１有機絶縁層１３２が設けられている。また、第１有機絶縁層１３２上に、無機界面層１５５を介して、第２無機絶縁層１３３が設けられており、第１有機絶縁層１３２は、無機界面層１５４の上面部を露出させるように除去されている。また、第１有機絶縁層１３２上に、無機界面層１５５が設けられており、無機界面層１５５は、無機界面層１５４の上面部を露出させるように除去されている。また、無機界面層１５５上には、第２無機絶縁層１３３が設けられており、無機界面層１５４の上面部を露出させるように除去されている。さらに、第２無機絶縁層１３３上には、無機界面層１５５が設けられており、無機界面層１５４の上面部を露出させるように除去されている。そして、第１金属酸化物層１５１が無機界面層１５４を介して、第１有機絶縁層１３２と重ならない領域、無機界面層１５５と重ならない領域、第２無機絶縁層１３３と重ならない領域、及び無機界面層１５６と重ならない領域において、第２有機絶縁層１３６が設けられている。
第１金属酸化物層１５１が無機界面層１５４を介して、及び第２無機絶縁層１３３と重ならない領域において、表示装置を折り曲げることにより、第２無機絶縁層１３３が割れることを防止することができる。また、第１金属酸化物層１５１と第１有機絶縁層１３２との間に無機界面層１５４を設けることにより、第１金属酸化物層１５１と第１有機絶縁層１３２との密着性を向上させることができる。また、第１有機絶縁層１３２と、第２無機絶縁層１３３との間に、無機界面層１５５を設けることにより、第１有機絶縁層１３２と第２無機絶縁層１３３との密着性を向上させることができる。また、第２無機絶縁層１３３と第２有機絶縁層１３６との間に、無機界面層１５６を設けることにより、第２無機絶縁層１３３と第２有機絶縁層１３６との密着性を向上させることができる。これにより、表示装置を折り曲げた場合であっても、有機絶縁層と無機絶縁層との間で膜が剥がれることを防止できるため、表示装置の信頼性を向上させることができる。
図１６に、図１５に示す表示装置と一部異なる構成を有する表示装置を示す。図１５に示す表示装置では、図１５に示す表示装置の構成に加えて、第２有機絶縁層１３６及び無機界面層１５６上に、さらに第２金属酸化物層１５２が設けられている。無機界面層１５６及び第２有機絶縁層１３６上に、第２金属酸化物層１５２を設けることにより、無機界面層１５６と第２金属酸化物層１５２との密着性を向上させることができる。これにより、表示装置を折り曲げた場合であっても、無機絶縁層と有機絶縁層との間から膜が剥がれることを防止することができるため、表示装置の信頼性を向上させることができる。第２金属酸化物層１５２を、表示領域１０３全体及び走査線駆動回路１０４の全体に設ける構成としてもよい。
本発明において、金属酸化物層と無機絶縁層を場所によって使い分けるのは以下の理由である。金属酸化物層の方が、無機絶縁層よりも膜の付き周りが良いとはいえ、無機絶縁層に比べて劇的に薄い為、水分や酸素の遮断機能が落ちる可能性が有る。特に、異物が付着した後、異物が移動するリスクは、無機絶縁層に比べて金属酸化物層の方が高い。それは、無機絶縁層に比べて金属酸化物層が劇的に薄く、何らかの力が異物にかかると、その異物が移動するからである。その結果、異物の移動箇所から水分や酸素が侵入するリスクが高まる。よって、本発明は、表示装置の領域によって金属酸化物層と無機絶縁層との使い分けを行う。表示装置の曲げ耐性の必要な領域では、金属酸化物層を設けて曲げ耐性を上げる。また、表示装置を曲げない領域では、無機絶縁層を設けて異物起因の封止不良を十分に抑える構成とする。
本発明の実施形態及び実施例として説明した表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。また、上述した各実施形態は、技術的矛盾の生じない範囲において、相互に組み合わせることが可能である。
また、上述した実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
１００：表示装置、１０１：第１基板、１０２：対向基板、１０３：表示領域、１０４：走査線駆動回路、１０５：データ線駆動回路、１０６：ドライバＩＣ、１０７：端子、１０８：フレキシブルプリント回路、１０９：画素、１１０：周辺領域、１１２：第２基板、１１３：下地膜、１１４：半導体層、１１５：ゲート絶縁膜、１１６：ゲート電極、１１７：ソース電極又はドレイン電極、１１８：ソース電極又はドレイン電極、１２０：トランジスタ、１２２：層間絶縁膜、１２３：平坦化膜、１２４：保護膜、１２５：画素電極、１２６：第１絶縁層、１２７：有機層、１２８：対向電極、１３０：発光素子、１３１：第１無機絶縁層、１３２：第１有機絶縁層、１３３：第２無機絶縁層、１３５：充填材、１３６：第２有機絶縁層、１４０：トランジスタ、１４２：第１凸部、１４３：第２凸部、１４４：配線、１４５：電極、１４６：バンク、１５０：トランジスタ、１５１：第１金属酸化物層、１５２：第２金属酸化物層、１５３：素子形成層、１５４：無機界面層、１５５：無機界面層、１５６：無機界面層
Claims (17)
- 有機材料で構成された有機層を有する発光素子が配置された表示領域及び駆動回路を有する第１基板と、
前記発光素子よりも上層に配置され、前記表示領域の一部及び前記駆動回路の一部と重なるように一方向に延びる第１金属酸化物層と、
前記表示領域及び前記駆動回路と重なる領域に設けられた第１無機絶縁層と、
前記第１金属酸化物層及び前記第１無機絶縁層上に設けられた有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に配置され、前記表示領域の一部及び前記駆動回路の一部と重なり、かつ前記第１金属酸化物層と重なるように前記一方向と同じ方向に延びる第２金属酸化物層と、
前記有機絶縁層上に、前記第１無機絶縁層と重なる領域に設けられた第２無機絶縁層と、
前記第２無機絶縁層上に設けられた第２基板と、を有し、
前記第１無機絶縁層は、前記第１金属酸化物層の上面を前記一方向と同じ方向に沿って露出させる第１開口部を有し、
前記第２無機絶縁層は、前記第２金属酸化物層の上面を前記一方向と同じ方向に沿って露出させる第２開口部を有し、
前記第１金属酸化物層の膜厚は、前記第１無機絶縁層の膜厚よりも薄く、
前記第２金属酸化物層の膜厚は、前記第２無機絶縁層の膜厚よりも薄く、
前記第１金属酸化物層と前記第２金属酸化物層とが重なる領域は、折り曲げ可能であることを特徴とする表示装置。 - 前記第１金属酸化物層及び前記第２金属酸化物層は、ＡＬＤ法により成膜されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記第１無機絶縁層及び前記第２無機絶縁層は、ＣＶＤ法により成膜されることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記第１金属酸化物層は、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＨｆＳｉＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＳｉＯ２、又はＳＴＯのうち、少なくとも一つを含み、
前記第２金属酸化物層は、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＨｆＳｉＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＳｉＯ２、又はＳＴＯのうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記第１無機絶縁層は、ＳｉＮ又はＳｉＯＮを含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記有機絶縁層は、
前記第１金属酸化物層と重なる第１領域と、前記第１無機絶縁層と重なる第２領域と、を有し、
前記第１領域における膜厚は、前記第２領域における膜厚と、略同一であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 第１無機界面層及び第２無機界面層と、をさらに有し、
前記第１無機界面層は、前記第１金属酸化物層及び前記第１無機絶縁層と、前記有機絶縁層と、の間に設けられ、
前記第２無機界面層は、前記第２金属酸化物層及び前記第２無機絶縁層と、前記有機絶縁層と、の間に設けられることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記第１金属酸化物層の水素濃度は、前記第１無機絶縁層の水素濃度よりも低く、
前記第２金属酸化物層の水素濃度は、前記第２無機絶縁層の水素濃度よりも低いことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。 - 前記第１基板及び前記第２基板は、可撓性を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 有機材料で構成された有機層を有する発光素子が配置された表示領域及び駆動回路を有する第１基板と、
前記発光素子よりも上層に配置され、前記表示領域及び前記駆動回路と重なる領域に設けられた有機絶縁層と、
前記有機絶縁層上に配置され、前記表示領域の一部及び前記駆動回路の一部と重なるように一方向に延びる金属酸化物層と、
前記有機絶縁層上に配置され、前記表示領域及び前記駆動回路と重なる領域に設けられた無機絶縁層と、
前記無機絶縁層上に設けられた第２基板と、を有し、
前記無機絶縁層は、前記金属酸化物層の上面を前記一方向と同じ方向に沿って露出させる開口部を有し、
前記金属酸化物層の膜厚は、前記無機絶縁層の膜厚よりも薄く、
前記金属酸化物層が設けられた領域は、折り曲げ可能であることを特徴とする表示装置。 - 前金属酸化物層は、ＡＬＤ法により成膜されることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
- 前記無機絶縁層は、ＣＶＤ法により成膜されることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
- 前記金属酸化物層は、Ａｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＨｆＳｉＯ、Ｌａ２Ｏ３、ＳｉＯ２、又はＳＴＯのうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
- 前記無機絶縁層は、ＳｉＮ又はＳｉＯＮを含むことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
- 無機界面層をさらに有し、
前記無機界面層は、前記金属酸化物層及び前記無機絶縁層と、前記有機絶縁層と、の間に設けられることを特徴とする請求項１０に表示装置。 - 前記金属酸化物層の水素濃度は、前記無機絶縁層の水素濃度よりも低いことを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
- 前記第１基板及び前記第２基板は、可撓性を有することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016231115A JP6890003B2 (ja) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 表示装置 |
| US15/814,461 US10529274B2 (en) | 2016-11-29 | 2017-11-16 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016231115A JP6890003B2 (ja) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018087906A JP2018087906A (ja) | 2018-06-07 |
| JP6890003B2 true JP6890003B2 (ja) | 2021-06-18 |
Family
ID=62192784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016231115A Active JP6890003B2 (ja) | 2016-11-29 | 2016-11-29 | 表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10529274B2 (ja) |
| JP (1) | JP6890003B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6890003B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2021-06-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US11943955B2 (en) * | 2018-09-27 | 2024-03-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for manufacturing display device |
| US11730017B2 (en) | 2018-11-13 | 2023-08-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of fabricating the same |
| US11296156B2 (en) * | 2018-11-28 | 2022-04-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode device |
| JP7267748B2 (ja) * | 2019-01-10 | 2023-05-02 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| US20240057403A1 (en) * | 2020-12-29 | 2024-02-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3594392B2 (ja) * | 1995-12-09 | 2004-11-24 | 東京応化工業株式会社 | 遮光膜形成用感光性樹脂組成物、これを用いたブラックマトリックス及びその製造方法 |
| US6952194B1 (en) * | 1999-03-31 | 2005-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
| JP3675427B2 (ja) * | 2001-09-25 | 2005-07-27 | セイコーエプソン株式会社 | 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器 |
| TWI268744B (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-11 | Ritdisplay Corp | An organic electroluminescent display panel |
| US8309453B2 (en) * | 2007-01-29 | 2012-11-13 | United Microelectronics Corp. | Multilevel interconnects structure with shielding function and fabricating method thereof |
| JP2008277530A (ja) * | 2007-04-27 | 2008-11-13 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| WO2010041227A1 (en) * | 2008-10-12 | 2010-04-15 | Barit, Efrat | Flexible devices and related methods of use |
| JP2011003522A (ja) * | 2008-10-16 | 2011-01-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法 |
| CN104133314B (zh) * | 2009-05-02 | 2019-07-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示设备 |
| KR101149433B1 (ko) * | 2009-08-28 | 2012-05-22 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR101893376B1 (ko) * | 2011-06-28 | 2018-08-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| JP2013254021A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
| CN102832356B (zh) * | 2012-08-30 | 2015-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled封装结构及其制造方法、发光器件 |
| US9349988B2 (en) * | 2012-11-20 | 2016-05-24 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
| TWI505460B (zh) * | 2013-02-18 | 2015-10-21 | Innolux Corp | 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法 |
| JP2015005672A (ja) * | 2013-06-21 | 2015-01-08 | 出光興産株式会社 | 酸化物トランジスタ |
| KR102204976B1 (ko) * | 2013-11-13 | 2021-01-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그것의 제조 방법 |
| JP6228444B2 (ja) * | 2013-12-06 | 2017-11-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法 |
| JP2015128003A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-09 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| US20170012239A1 (en) * | 2014-01-21 | 2017-01-12 | Pioneer Oled Lighting Devices Corporation | Light emitting apparatus |
| US10147906B2 (en) * | 2014-02-06 | 2018-12-04 | Emagin Corporation | High efficacy seal for organic light emitting diode displays |
| JP6468686B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2019-02-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入出力装置 |
| KR102239842B1 (ko) * | 2014-07-30 | 2021-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP2016072127A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ソニー株式会社 | 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
| TWI718208B (zh) * | 2016-06-30 | 2021-02-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及其工作方法以及電子裝置 |
| KR101913394B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2018-10-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| JP6890003B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2021-06-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
2016
- 2016-11-29 JP JP2016231115A patent/JP6890003B2/ja active Active
-
2017
- 2017-11-16 US US15/814,461 patent/US10529274B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018087906A (ja) | 2018-06-07 |
| US20180151116A1 (en) | 2018-05-31 |
| US10529274B2 (en) | 2020-01-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
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