TWI718208B - 顯示裝置及其工作方法以及電子裝置 - Google Patents
顯示裝置及其工作方法以及電子裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI718208B TWI718208B TW105137934A TW105137934A TWI718208B TW I718208 B TWI718208 B TW I718208B TW 105137934 A TW105137934 A TW 105137934A TW 105137934 A TW105137934 A TW 105137934A TW I718208 B TWI718208 B TW I718208B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- circuit
- display
- light
- potential
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 173
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 180
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 159
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 46
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000012769 display material Substances 0.000 claims description 8
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 986
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 357
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 357
- 239000010408 film Substances 0.000 description 250
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 181
- 239000000463 material Substances 0.000 description 141
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 103
- 230000006870 function Effects 0.000 description 64
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 56
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 50
- 230000008569 process Effects 0.000 description 45
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 40
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 37
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 35
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 32
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 25
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 24
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 18
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 17
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 16
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 15
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 13
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 11
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 10
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 10
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 10
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 9
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 7
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 5
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 5
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 4
- 239000005262 ferroelectric liquid crystals (FLCs) Substances 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 2,6-dimethyl-n-[[(2s)-pyrrolidin-2-yl]methyl]aniline Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1NC[C@H]1NCCC1 UWCWUCKPEYNDNV-LBPRGKRZSA-N 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 3
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 3
- 239000004983 Polymer Dispersed Liquid Crystal Substances 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 3
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 3
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 3
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N cholesterol Chemical compound C1C=C2C[C@@H](O)CC[C@]2(C)[C@@H]2[C@@H]1[C@@H]1CC[C@H]([C@H](C)CCCC(C)C)[C@@]1(C)CC2 HVYWMOMLDIMFJA-DPAQBDIFSA-N 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 2
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 239000004986 Cholesteric liquid crystals (ChLC) Substances 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910000858 La alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 241000204357 Porites Species 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004990 Smectic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004974 Thermotropic liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009367 Zn M Inorganic materials 0.000 description 1
- QXCPKOVYHBLWCU-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[Sn+2]=O.[In+3] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[Sn+2]=O.[In+3] QXCPKOVYHBLWCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004397 blinking Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003098 cholesteric effect Effects 0.000 description 1
- 235000012000 cholesterol Nutrition 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052602 gypsum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010440 gypsum Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003094 microcapsule Substances 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/3406—Control of illumination source
- G09G3/3413—Details of control of colour illumination sources
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G5/00—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
- G09G5/10—Intensity circuits
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133553—Reflecting elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/2003—Display of colours
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/3406—Control of illumination source
- G09G3/342—Control of illumination source using several illumination sources separately controlled corresponding to different display panel areas, e.g. along one dimension such as lines
- G09G3/3426—Control of illumination source using several illumination sources separately controlled corresponding to different display panel areas, e.g. along one dimension such as lines the different display panel areas being distributed in two dimensions, e.g. matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
- G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
- G09G3/3696—Generation of voltages supplied to electrode drivers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/44—Arrangements combining different electro-active layers, e.g. electrochromic, liquid crystal or electroluminescent layers
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/02—Composition of display devices
- G09G2300/023—Display panel composed of stacked panels
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/027—Details of drivers for data electrodes, the drivers handling digital grey scale data, e.g. use of D/A converters
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0238—Improving the black level
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0242—Compensation of deficiencies in the appearance of colours
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2360/00—Aspects of the architecture of display systems
- G09G2360/14—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors
- G09G2360/144—Detecting light within display terminals, e.g. using a single or a plurality of photosensors the light being ambient light
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
- G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Abstract
本發明的一個實施方式可以提供一種能夠以高的顯示品質顯示低亮度的影像的顯示裝置。該顯示裝置包括第一至第四電路以及顯示部。第一電路具有生成第一顯示資料的功能，該第一顯示資料是具有與顯示部所顯示的影像的亮度有關的資訊的數位資料。第二電路具有生成第二顯示資料的功能，該第二顯示資料是藉由轉換第一顯示資料的數位值而得到的數位資料。第三電路具有生成第一類比信號及其電位低於第一類比信號的第二類比信號的功能，該第一類比信號及第二類比信號具有根據第一顯示資料的數位值而算出的電位。第四電路具有將第二顯示資料轉換為類比資料的第三顯示資料的功能。第三顯示資料的電位根據第一類比信號的電位、第二類比信號的電位及第二顯示資料的數位值而算出。
Description
本發明的一個實施方式係關於一種顯示裝置及其工作方法以及電子裝置。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個實施方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個實施方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。因此，明確而言，作為本說明書等所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的例子可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、這些裝置的驅動方法或這些裝置的製造方法。
已知藉由作為背光使用進行面發光的光源且與透射型液晶顯示裝置組合，來降低功耗且抑制顯示品質的下降的液晶顯示裝置(參照專利文獻1)。
另外，已知使用有機EL(Electro Luminescence)元件等發光元件的顯示裝置。該顯示裝置不需要背光(參照專利文獻2)。
[參考文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利申請公開第2011-248351號公報
[專利文獻2]日本專利申請公開第2002-324673號公報
在使用背光及液晶顯示元件的顯示裝置中，例如藉由使背光閃爍顯示影像，並以時間分割方式調整所顯示的影像的亮度。也就是說，不管所顯示的影像的亮度如何將背光亮度設定為恆定，在顯示暗影像時，縮短背光的點亮時間而延長熄滅時間。由此，當顯示暗影像時，在所顯示的影像中發生亮度不均勻及顏色不均勻等，而導致顯示品質的下降。為了維持一定水準以上的顯示品質，需要顯示具有一定水準以上的亮度的影像，但是在外光較暗的環境下，有時顯示裝置的使用者感到刺眼。
另一方面，在使用有機EL(Electro Luminescence)元件等發光元件的顯示裝置中，不使用時間分割方式，而藉由調整發光元件的發光亮度，可以調整所顯示的影像的亮度。然而，當顯示暗影像時，電晶體的不均勻性以及在EL元件的發光層中沿水平方向流過的電流等的影響會增大。由此，與上述使用背光的顯示裝置同樣地，在所顯示的影像中發生亮度不均勻及顏色不均勻等，而導致顯示品質的下降。
於是，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠顯示低亮度的影像的顯示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠顯示高顯示品質的影像的顯示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠顯示即使在外光較暗的環境下使用者也不感到刺眼的亮度的影像的顯示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種低功耗的顯示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式 的目的之一是提供一種高可靠性的顯示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種高速工作的顯示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置及其工作方法。
注意，這些目的的記載並不妨礙其他目的的存在。此外，本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。另外，根據說明書、圖式、申請專利範圍等的記載，這些目的以外的目的是顯然的，可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中衍生這些目的以外的目的。
本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，包括：第一電路；第二電路；第三電路；第四電路；以及顯示部，其中，第一電路具有生成第一顯示資料的功能，第一顯示資料是具有與顯示部所顯示的影像的亮度有關的資訊的數位資料，第二電路具有生成第二顯示資料的功能，第二顯示資料是藉由轉換第一顯示資料的數位值而得到的數位資料，第三電路具有生成第一類比信號及第二類比信號的功能，該第一類比信號及第二類比信號具有根據第一顯示資料的數位值而算出的電位，第一類比信號的電位低於第二類比信號的電位，第四電路具有將第二顯示資料轉換為第三顯示資料的功能，第三顯示資料是類比資料，第三顯示資料的電位根據第一類比信號的電位、第二類比信號的電位及第二顯示資料的數位值而算出，第三顯示資料的電位為第一類比信號的電位以上且第二類比信號的電位以下，並且，顯示部具有顯示與第三顯示資料的電位相對應的亮度的影像的功能。
另外，也可以在上述方式中，第二電路具有根據轉換式對第一顯示資料的數位值進行轉換的功能。
另外，也可以在上述方式中，第二電路具有根據第一顯示資料的數位值算出轉換式的係數的功能。
另外，也可以在上述方式中，本發明的一個實施方式的顯示裝置包括第五電路，其中，第五電路具有保持轉換式的功能，並且，第二電路具有從第五電路讀出轉換式的功能。
另外，也可以在上述方式中，包括第五電路，其中，第五電路具有保持轉換式的功能，第五電路具有保持由第二電路算出的係數的功能，第二電路具有從第五電路讀出轉換式的功能，並且，第二電路具有從第五電路讀出係數的功能。
另外，也可以在上述方式中，第五電路具有保持第一類比信號的電位的功能，第五電路具有保持第二類比信號的電位的功能，第三電路具有從第五電路讀出第一類比信號的電位的功能，並且，第三電路具有從第五電路讀出第二類比信號的電位的功能。
另外，也可以在上述方式中，第二電路具有判定第二顯示資料是否溢出的功能，並且，當第二顯示資料溢出時，第二電路對第五電路所保持的係數進行改寫。
另外，也可以在上述方式中，第二電路具有判定第二顯示資料是否溢出的功能，並且，當第二顯示資料溢出時，第三電路對第五電路所保持的第一類比信號的電位及第二類比信號的電位進行改寫。
另外，也可以在上述方式中，第五電路包括電晶體，電晶體在通道形成區域中包含氧化物半導體，並且，氧化物半導體包含In、Zn和M(M為Al、Ga、Y或Sn)。
另外，也可以在上述方式中，本發明的一個實施方式的顯示裝置包括第六電路，其中，第六電路具有檢測外光照度的功能，並且，顯示部所顯示的影像的亮度與外光照度相對應。
另外，也可以在上述方式中，顯示部包括顯示元件，並且，顯示元件包括發光層。
本發明的另一個實施方式是一種包括顯示部的顯示裝置的工作方法，包括如下步驟：在第一步驟中，生成第一顯示資料，其中，第一顯示資料是具有與顯示部所顯示的影像的亮度有關的資訊的數位資料，在第二步驟中，生成第二顯示資料，其中，第二顯示資料是藉由轉換第一顯示資料的數位值而得到的數位資料，在第三步驟中，生成第一類比信號及第二類比信號，該第一類比信號及第二類比信號具有根據第一顯示資料的數位值而算出的電位，其中，第一類比信號的電位低於第二類比信號的電位，在第四步驟中，將第二顯示資料轉換為第三顯示資料，其中，第三顯示資料是類比資料，第三顯示資料的電位根據第一類比信號的電位、第二類比信號的電位及第二顯示資料的數位值而算出，並且，第三顯示資料的電位為第一類比信號的電位以上且第二類比信號的電位以下，在第五步驟中，顯示部顯示與第三顯示資料的電位相對應的亮度的影像。
另外，也可以在上述方式的第二步驟中，根據轉換式對第一顯示資料的數位值進行轉換，來生成第二顯示資料。
另外，也可以在上述方式的第一步驟結束後，在第六步驟中，根據第一顯示資料的數位值算出轉換式的係數。
包括本發明的一個實施方式的顯示裝置及操作按鈕的電子裝置也是本發明的一個實施方式。
本發明的一個實施方式可以提供一種能夠顯示低亮度的影像的顯
示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式可以提供一種能夠顯示高顯示品質的影像的顯示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式可以提供一種能夠顯示即使在外光較暗的環境下使用者也不感到刺眼的亮度的影像的顯示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式可以提供一種低功耗的顯示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式可以提供一種高可靠性的顯示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式可以提供一種高速工作的顯示裝置及其工作方法。或者，本發明的一個實施方式可以提供一種新穎的顯示裝置及其工作方法。
注意，上述效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外，本發明的一個實施方式並不需要具有所有上述效果。另外，根據說明書、圖式、申請專利範圍等的記載，這些效果以外的效果是顯然的，可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中衍生這些以外的效果。
10‧‧‧顯示裝置
11‧‧‧算術電路
12‧‧‧數位資料轉換電路
13‧‧‧輸入信號生成電路
14‧‧‧D/A轉換電路
15‧‧‧顯示部
16‧‧‧記憶體
17‧‧‧光感測器
18‧‧‧校正電路
21‧‧‧電晶體
22‧‧‧電容元件
31‧‧‧電阻元件
32‧‧‧傳輸電晶體邏輯電路
50‧‧‧黏合層
51‧‧‧黏合層
52‧‧‧黏合層
61‧‧‧支撐基板
62‧‧‧支撐基板
63‧‧‧支撐基板
64‧‧‧支撐基板
70‧‧‧光
81‧‧‧區域
82‧‧‧區域
100‧‧‧顯示面板
101‧‧‧樹脂層
101a‧‧‧樹脂層
102‧‧‧樹脂層
102a‧‧‧樹脂層
102b‧‧‧樹脂層
102c‧‧‧樹脂層
103a‧‧‧光吸收層
103aa‧‧‧光吸收層
103b‧‧‧光吸收層
103c‧‧‧光吸收層
110‧‧‧電晶體
110a‧‧‧電晶體
110b‧‧‧電晶體
110c‧‧‧電晶體
111‧‧‧導電層
112‧‧‧半導體層
113a‧‧‧導電層
113b‧‧‧導電層
114‧‧‧導電層
115‧‧‧導電層
120‧‧‧發光元件
121‧‧‧導電層
122‧‧‧EL層
123‧‧‧導電層
131‧‧‧絕緣層
132‧‧‧絕緣層
133‧‧‧絕緣層
134‧‧‧絕緣層
135‧‧‧絕緣層
136‧‧‧絕緣層
137‧‧‧絕緣層
141‧‧‧絕緣層
151‧‧‧黏合層
152‧‧‧彩色層
153‧‧‧遮光層
200‧‧‧顯示面板
201‧‧‧樹脂層
202‧‧‧樹脂層
204‧‧‧絕緣層
210‧‧‧電晶體
211‧‧‧導電層
212‧‧‧半導體層
213a‧‧‧導電層
213b‧‧‧導電層
220‧‧‧液晶元件
221‧‧‧導電層
222‧‧‧液晶
223‧‧‧導電層
224a‧‧‧配向膜
224b‧‧‧配向膜
231‧‧‧絕緣層
232‧‧‧絕緣層
233‧‧‧絕緣層
234‧‧‧絕緣層
300‧‧‧顯示裝置
311‧‧‧電極
311b‧‧‧電極
340‧‧‧液晶元件
351‧‧‧基板
360‧‧‧發光元件
360b‧‧‧發光元件
360g‧‧‧發光元件
360r‧‧‧發光元件
360w‧‧‧發光元件
361‧‧‧基板
362‧‧‧顯示部
364‧‧‧電路部
365‧‧‧佈線
366‧‧‧電路部
367‧‧‧佈線
372‧‧‧FPC
373‧‧‧IC
374‧‧‧FPC
375‧‧‧IC
400‧‧‧顯示裝置
401‧‧‧電晶體
402‧‧‧電晶體
403‧‧‧電晶體
404‧‧‧發光元件
405‧‧‧電容元件
406‧‧‧連接部
407‧‧‧佈線
410‧‧‧像素
411‧‧‧絕緣層
412‧‧‧絕緣層
413‧‧‧絕緣層
414‧‧‧絕緣層
415‧‧‧絕緣層
416‧‧‧間隔物
417‧‧‧黏合層
419‧‧‧連接層
421‧‧‧電極
422‧‧‧EL層
423‧‧‧電極
424‧‧‧光學調整層
425‧‧‧彩色層
426‧‧‧遮光層
451‧‧‧開口
471‧‧‧基板
472‧‧‧基板
476‧‧‧絕緣層
478‧‧‧絕緣層
501‧‧‧電晶體
503‧‧‧電晶體
505‧‧‧電容元件
506‧‧‧連接部
511‧‧‧絕緣層
512‧‧‧絕緣層
513‧‧‧絕緣層
514‧‧‧絕緣層
517‧‧‧黏合層
519‧‧‧連接層
543‧‧‧連接器
562‧‧‧電極
563‧‧‧液晶
564a‧‧‧配向膜
564b‧‧‧配向膜
565‧‧‧彩色層
566‧‧‧遮光層
567‧‧‧絕緣層
572‧‧‧基板
576‧‧‧絕緣層
578‧‧‧絕緣層
591‧‧‧導電層
592‧‧‧導電層
599‧‧‧偏光板
611‧‧‧基板
612‧‧‧基板
621‧‧‧發光
622‧‧‧反射光
800‧‧‧可攜式資訊終端
801‧‧‧外殼
802‧‧‧外殼
803‧‧‧顯示部
804‧‧‧顯示部
805‧‧‧鉸鏈部
810‧‧‧可攜式資訊終端
811‧‧‧外殼
812‧‧‧顯示部
813‧‧‧操作按鈕
814‧‧‧外部連接埠
815‧‧‧揚聲器
816‧‧‧麥克風
817‧‧‧照相機
820‧‧‧照相機
821‧‧‧外殼
822‧‧‧顯示部
823‧‧‧操作按鈕
824‧‧‧快門按鈕
826‧‧‧鏡頭
8000‧‧‧顯示模組
8001‧‧‧上蓋
8002‧‧‧下蓋
8003‧‧‧FPC
8004‧‧‧觸控面板
8005‧‧‧FPC
8006‧‧‧顯示面板
8009‧‧‧框架
8010‧‧‧印刷電路板
8011‧‧‧電池
在圖式中：圖1是說明顯示裝置的方塊圖；圖2A至圖2D是說明數位資料轉換的圖表；圖3是說明D/A轉換電路的電路圖；圖4是說明D/A轉換電路的電路圖；圖5A和圖5B是說明顯示裝置的方塊圖；圖6A至圖6C是說明顯示裝置的方塊圖；圖7是說明顯示裝置的工作的流程圖；圖8是說明顯示裝置的工作的流程圖；圖9是說明顯示裝置的工作的流程圖；圖10是說明顯示裝置的結構例子的剖面圖；圖11A至圖11E是說明顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖12A至圖12E是說明顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖13A至圖13F是說明顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖14A、圖14B1和圖14B2是說明顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖15A和圖15B是說明顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖16A和圖16B是說明顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖17A和圖17B是說明顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖18A至圖18E是說明顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖19A至圖19D是說明顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖20是說明顯示裝置的結構例子的剖面圖；圖21是說明顯示裝置的結構例子的剖面圖；圖22A至圖22C是說明顯示裝置的結構例子的剖面圖；圖23是說明顯示裝置的結構例子的剖面圖；圖24A、圖24B1和圖24B2是說明顯示裝置的結構例子的俯視圖；圖25是說明像素的結構例子的電路圖；圖26A和圖26B是說明像素的結構例子的電路圖及方塊圖；圖27是說明顯示裝置的結構例子的俯視圖；圖28是說明顯示裝置的結構例子的剖面圖；圖29是說明顯示裝置的結構例子的剖面圖；圖30是說明顯示裝置的結構例子的剖面圖；圖31是說明顯示裝置的結構例子的剖面圖； 圖32是說明顯示模組的結構例子的圖；圖33A至圖33D是說明電子裝置的圖。
以下，參照圖式說明本發明的一個實施方式。但是，本發明的一個實施方式可以以多個不同方式來實施，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實，就是其方式和詳細內容可以被變換為各種各樣的形式而不脫離本發明的精神及其範圍。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。
在本說明書等的圖式中，根據其功能對組件進行分類而示出為彼此獨立的方塊的方塊圖，但是，實際上的組件難以根據其功能完全劃分，而一個組件會涉及多個功能。
在本說明書等中，電晶體所具有的源極和汲極的名稱根據電晶體的極性及施加到各端子的電位的高低互相調換。一般而言，在n通道型電晶體中，將被施加低電位的端子稱為源極，而將被施加高電位的端子稱為汲極。另外，在p通道型電晶體中，將被施加低電位的端子稱為汲極，而將被施加高電位的端子稱為源極。在本說明書等中，儘管為方便起見在一些情況下假定源和漏是固定的來描述電晶體的連接關係，但是實際上，源和漏的名稱根據電勢關係而相互交換。
在本說明書等中，電晶體的源極是指用作活性層的半導體膜的一部分的源極區或與上述半導體膜連接的源極電極。與此同樣，電晶體的汲極是指上述半導體膜的一部分的汲極區或與上述半導體膜連接的汲極電極。另外，閘極是指閘極電極。
在本說明書等中，電晶體串聯連接的狀態是指例如第一電晶體的 源極和汲極中的僅一個與第二電晶體的源極和汲極中的僅一個連接的狀態。另外，電晶體並聯連接的狀態是指第一電晶體的源極和汲極中的一方與第二電晶體的源極和汲極中的一方連接且第一電晶體的源極和汲極中的另一方與第二電晶體的源極和汲極中的另一方連接的狀態。
在本說明書等中，連接是指電連接，相當於能夠供應或傳送電流、電壓或電位的狀態。因此，連接狀態不一定必須是指直接連接的狀態，而在其範疇內還包括以能夠供應或傳送電流、電壓或電位的方式藉由佈線、電阻器、二極體、電晶體等的電路元件間接地連接的狀態。
即使當在本說明書等中在電路圖上獨立的組件彼此連接時，實際上也有一個導電膜兼具有多個組件的功能的情況，例如佈線的一部分用作電極的情況等。本說明書等中的連接的範疇內包括這種一個導電膜兼具有多個組件的功能的情況。
此外，在本說明書等中，電晶體的第一電極和第二電極中的其中一個是源極電極，而另一個是汲極電極。
例如，在本說明書等中，當明確地記載為“X與Y連接”時，意味著如下情況：X與Y電連接；X與Y在功能上連接；X與Y直接連接。因此，不侷限於規定的連接關係(例如，圖式或文中所示的連接關係等)，圖式或文中所示的連接關係以外的連接關係也包含於圖式或文中所記載的內容中。
這裡，X和Y為物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜及層等)。
作為X與Y直接連接的情況的一個例子，可以舉出在X與Y之間 沒有連接能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件及負載等)，並且X與Y沒有藉由能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件及負載等)連接的情況。
作為X與Y電連接的情況的一個例子，例如可以在X與Y之間連接一個以上的能夠電連接X與Y的元件(例如開關、電晶體、電容元件、電感器、電阻元件、二極體、顯示元件、發光元件及負載等)。另外，開關具有控制開啟和關閉的功能。換言之，藉由使開關處於導通狀態(開啟狀態)或非導通狀態(關閉狀態)來控制是否使電流流過。或者，開關具有選擇並切換電流路徑的功能。另外，X與Y電連接的情況包括X與Y直接連接的情況。
作為X與Y在功能上連接的情況的一個例子，例如可以在X與Y之間連接一個以上的能夠在功能上連接X與Y的電路(例如，邏輯電路(反相器、NAND電路、NOR電路等)、信號轉換電路(DA轉換電路、AD轉換電路、伽瑪校正電路等)、電位位準轉換電路(電源電路(升壓電路、降壓電路等)、改變信號的電位位準的位準轉移電路等)、電壓源、電流源、切換電路、放大電路(能夠增大信號振幅或電流量等的電路、運算放大器、差動放大電路、源極隨耦電路、緩衝電路等)、信號生成電路、記憶體電路、控制電路等)。注意，例如，即使在X與Y之間夾有其他電路，當從X輸出的信號傳送到Y時，也可以說X與Y在功能上是連接著的。另外，X與Y在功能上連接的情況包括X與Y直接連接的情況及X與Y電連接的情況。
此外，當明確地記載為“X與Y電連接”時，在本說明書等中意味著如下情況：X與Y電連接(亦即，以中間夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y)：X與Y在功能上連接(亦即，以中間夾有其他電路 的方式在功能上連接X與Y)；X與Y直接連接(亦即，以中間不夾有其他元件或其他電路的方式連接X與Y)。亦即，在本說明書等中，當明確地記載為“電連接”時與只明確地記載為“連接”時的情況相同。
注意，例如，在電晶體的源極(或第一端子等)藉由Z1(或沒有藉由Z1)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)藉由Z2(或沒有藉由Z2)與Y電連接的情況下以及在電晶體的源極(或第一端子等)與Z1的一部分直接連接，Z1的另一部分與X直接連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Z2的一部分直接連接，Z2的另一部分與Y直接連接的情況下，可以表示為如下。
例如，可以表示為“X、Y、電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)互相電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依次電連接”。或者，可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)與X電連接，電晶體的汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)與Y依次電連接”。或者，可以表示為“X藉由電晶體的源極(或第一端子等)及汲極(或第二端子等)與Y電連接，X、電晶體的源極(或第一端子等)、電晶體的汲極(或第二端子等)、Y依次設置為相互連接”。藉由使用與這種例子相同的表示方法規定電路結構中的連接順序，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)與汲極(或第二端子等)而決定技術範圍。
另外，作為其他表示方法，例如可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少經過第一連接路徑與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑是電晶體的源極(或第一端子等)與電晶體的汲極(或第二端子等)之間的路徑，所述第一連接路徑是藉由71的路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少經過第三 連接路徑與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑，所述第三連接路徑是藉由Z2的路徑”。或者，也可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少經過第一連接路徑，藉由Z1與X電連接，所述第一連接路徑不具有第二連接路徑，所述第二連接路徑具有藉由電晶體的連接路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少經過第三連接路徑，藉由Z2與Y電連接，所述第三連接路徑不具有所述第二連接路徑”。或者，也可以表示為“電晶體的源極(或第一端子等)至少經過第一電路徑，藉由Z1與X電連接，所述第一電路徑不具有第二電路徑，所述第二電路徑是從電晶體的源極(或第一端子等)到電晶體的汲極(或第二端子等)的電路徑，電晶體的汲極(或第二端子等)至少經過第三電路徑，藉由Z2與Y電連接，所述第三電路徑不具有第四電路徑，所述第四電路徑是從電晶體的汲極(或第二端子等)到電晶體的源極(或第一端子等)的電路徑”。藉由使用與這種例子同樣的表示方法規定電路結構中的連接路徑，可以區別電晶體的源極(或第一端子等)和汲極(或第二端子等)來決定技術範圍。
注意，這種表示方法只是一個例子而已，不侷限於上述表示方法。在此，X、Y、Z1及Z2為物件(例如，裝置、元件、電路、佈線、電極、端子、導電膜及層等)。
另外，即使圖式示出在電路圖上獨立的組件彼此電連接，也有一個組件兼有多個組件的功能的情況。例如，在佈線的一部分被用作電極時，一個導電膜兼有佈線和電極的兩個組件的功能。因此，本說明書中的“電連接”的範疇內還包括這種一個導電膜兼有多個組件的功能的情況。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖式說明本發明的一個實施方式的顯示裝 置的結構例子。
本發明的一個實施方式係關於一種包括算術電路、數位資料轉換電路、輸入信號生成電路、D/A(Digital to Analog)轉換電路及顯示部的顯示裝置及其工作方法。另外，顯示部包括顯示元件。作為該顯示元件，例如可以使用有機EL元件等發光元件。
算術電路具有生成數字顯示資料的功能，該顯示資料具有與顯示部所顯示的影像的亮度有關的資訊。例如，在用8位元表示顯示部所顯示的影像的亮度的情況下，可以當數位值為以10進制表示的0時，顯示部所顯示的影像的亮度最低，而當數字值為以10進制表示的255時，顯示部所顯示的影像的亮度最高。
算術電路所生成的數字顯示資料被輸出到數位資料轉換電路及輸入信號生成電路。數位資料轉換電路具有對算術電路所生成的顯示資料的數位值進行轉換的功能。例如，數位資料轉換電路可以具有將算術電路所生成的數字顯示資料轉換為其數位值更大的顯示資料的功能。
數位資料轉換電路可以例如根據指定的轉換式對算術電路所生成的顯示資料的數位值進行轉換。作為該轉換式，例如可以使用基本算術公式。另外，該轉換式的係數例如可以根據算術電路所生成的顯示資料的數位值而算出。例如，在算術電路所生成的顯示資料的數位值小，換言之，顯示部所顯示的影像暗的情況下，可以使上述係數的值增大。
輸入信號生成電路具有生成第一類比信號及第二類比信號並將其輸出到D/A轉換電路的功能。第一類比信號的電位及第二類比信號的電位可以根據算術電路所生成的顯示資料的數位值及上述轉換式的係 數而算出。另外，第一類比信號的電位例如可以低於第二類比信號的電位。
例如，在算術電路所生成的顯示資料的數位值小，換言之，顯示部所顯示的影像暗的情況下，可以使第一類比信號的電位及第二類比信號的電位降低。另外，例如在上述轉換式的係數大的情況下，可以使第一類比信號與第二類比信號之間的電位差減小。此外，例如第一類比信號的電位可以被固定。
其數位值被數位資料轉換電路轉換的顯示資料及輸入信號生成電路所生成的第一類比信號及第二類比信號被輸入到D/A轉換電路。D/A轉換電路具有將其數位值被數位資料轉換電路轉換的顯示資料轉換為類比資料的功能。該類比資料的電位可以根據從數位資料轉換電路輸出的顯示資料的數位值、輸入信號生成電路所生成的第一類比信號的電位及輸入信號生成電路所生成的第二類比信號的電位而算出。另外，從D/A轉換電路輸出的類比顯示資料的電位例如可以為第一類比信號的電位以上且第二類比信號的電位以下。從D/A轉換電路輸出的類比顯示資料被輸出到顯示部，並且，該顯示部顯示與所述顯示資料的電位相對應的亮度的影像。
藉由將從D/A轉換電路輸出的類比顯示資料的電位例如設定為第一類比信號的電位以上且第二類比信號的電位以下，可以縮小從D/A轉換電路輸出的類比顯示資料的電位範圍。由此，可以精細地調整從D/A轉換電路輸出的類比顯示資料的電位。因此，尤其是在顯示暗影像的情況下，可以防止亮度不均勻及顏色不均勻等的發生，從而可以進行高顯示品質的顯示。另外，上述轉換式的係數越大，越能夠縮小從D/A轉換電路輸出的類比顯示資料的電位範圍，由此，即使在顯示暗影像的情況下也可以得到高顯示品質的顯示。
圖1是示出本發明的一個實施方式的顯示裝置的顯示裝置10的結構例子的方塊圖。顯示裝置10包括算術電路11、數位資料轉換電路12、輸入信號生成電路13、D/A轉換電路14及顯示部15。在顯示部15中以矩陣狀設置有像素，該像素包括顯示元件。作為該顯示元件，可以使用包括發光層且利用從該發光層發射出的光進行顯示的發光元件，後面說明其詳細內容。這種元件所發射的光的亮度和色度不依靠外光，因此這種元件能夠進行色域大且對比度高的顯示。也就是說，能夠進行鮮明的顯示。作為顯示部15所包括的顯示元件，例如可以使用LED(Light Emitting Diode)、有機EL(Electro Luminescence)元件、無機EL元件等。
另外，顯示部15也可以具有包括發光元件的顯示部和包括液晶元件的顯示部的疊層結構，後面說明其詳細內容。當顯示部15具有該結構時，可以降低顯示裝置10的功耗。
輸入信號生成電路13與D/A轉換電路14藉由佈線In1及佈線In2電連接。D/A轉換電路14與顯示部15藉由輸出端子Out電連接。
算術電路11具有生成數字顯示資料的功能。該顯示資料具有與顯示部15所顯示的影像的亮度有關的資訊。例如，在按每一個像素用8位元表示顯示部15所顯示的影像的亮度的情況下，可以當數位值為以10進制表示的0時，該像素的亮度最低，而當數字值為以10進制表示的255時，該像素的亮度最高。算術電路11所生成的數字顯示資料被輸出到數位資料轉換電路12及輸入信號生成電路13。
作為算術電路11，例如可以使用CPU(Central Processing Unit：中央處理單元)、DSP(Digital Signal Processor：數位信號處理器)或GPU(Graphics Processing Unit：圖形處理器)等。另外，也可以利用FPGA(Field Programmable Gate Array：現場可程式邏輯閘陣列) 或FPAA(Field Programmable Analog Array：現場可程式類比陣列)等PLD(Programmable Logic Device：可程式邏輯裝置)來獲得上述處理器。
數位資料轉換電路12具有對算術電路11所生成的顯示資料的數位值進行轉換的功能。被數位資料轉換電路12轉換的數字顯示資料可以被輸出到D/A轉換電路14等。例如，可以根據指定的轉換式對算術電路11所生成的顯示資料的數位值進行轉換。另外，轉換後的顯示資料的數位值較佳為大於轉換前的顯示資料的數位值，後面說明其詳細內容。
圖2A至圖2D是說明上述轉換式的一個例子的圖表。橫軸(x軸)表示轉換前的顯示資料的數位值，縱軸(y軸)表示轉換後的顯示資料的數位值。a和b是實數。
在圖2A至圖2D中，虛線表示算術電路11所生成的顯示資料的數位值未被轉換時的數位值x和數位值y之間的關係。這情況可以視為相等於轉換前的顯示資料的數位值與轉換後的顯示資料的數位值彼此相等的情況，換言之，可以視為相等於y=x的情況。
圖2A是示出當轉換式為y=ax時的轉換前的顯示資料的數位值和轉換後的顯示資料的數位值之間的關係的圖表。例如，在a為以10進制表示的10的情況下，當轉換前的顯示資料的數位值x為10進制表示的5時，轉換後的顯示資料的數位值y為以10進制表示的50。
圖2B是示出當轉換式為y=ax+b時的轉換前的顯示資料的數位值和轉換後的顯示資料的數位值之間的關係的圖表。例如，在a為以10進制表示的10並且b為以10進制表示的20的情況下，當轉換前的顯示資料的數位值x為10進制表示的5時，轉換後的顯示資料的數位值 y為以10進制表示的70。
雖然在圖2A和圖2B中示出轉換式為基本算術公式的情況，但是轉換式也可以為二次算術公式或三次以上的算術公式。
如圖2C所示，轉換式可以為y=xa。例如，在a為以10進制表示的2的情況下，當轉換前的顯示資料的數位值x為10進制表示的5時，轉換後的顯示資料的數位值y為以10進制表示的25。
如圖2D所示，轉換式可以為y=xa+b。例如，在a為以10進制表示的2並且b為以10進制表示的20的情況下，當轉換前的顯示資料的數位值x為10進制表示的5時，轉換後的顯示資料的數位值y為以10進制表示的45。
在數位資料轉換電路12中，如圖2A至圖2D所示，較佳為將算術電路11所生成的數字顯示資料轉換為其數位值更大的顯示資料。因此，例如a較佳為大於1。另外，例如b較佳為0以上。
另外，a及b等的係數較佳為根據算術電路11所生成的顯示資料的數位值而算出。例如，在算術電路11所生成的顯示資料的數位值小，換言之，顯示部15所顯示的影像暗的情況下，較佳為使轉換式的係數增大。另外，a及b等的係數既可以不管算術電路11所生成的顯示資料的數位值如何也一定，又可以根據算術電路11所生成的顯示資料的數位值等任意地設定。
另外，雖然在圖2A至圖2D中的轉換式的項數為1或2，但是轉換式的項數可以為3，也可以為4以上。
另外，可以按顯示部15所包括的每一個像素或每多個像素算出a 及b等的係數。另外，也可以按顯示部15所包括的每一個像素或每多個像素使用不同的轉換式。
輸入信號生成電路13具有生成第一類比信號及第二類比信號並將其輸出到D/A轉換電路14的功能。第一類比信號藉由佈線In1供應給D/A轉換電路14，第二類比信號藉由佈線In2供應給D/A轉換電路14。第一類比信號的電位及第二類比信號的電位可以根據算術電路11所生成的顯示資料的數位值及圖2A至圖2D等所示的轉換式的係數等而算出，後面說明其詳細內容。另外，第一類比信號的電位例如可以低於第二類比信號的電位。
D/A轉換電路14具有將其數位值被數位資料轉換電路12轉換的顯示資料轉換為類比資料的功能。該類比資料的電位可以根據從數位資料轉換電路12輸出的顯示資料的數位值、輸入信號生成電路13所生成的第一類比信號的電位及第二類比信號的電位而算出，後面說明其詳細內容。另外，從D/A轉換電路14輸出的類比顯示資料的電位例如可以為第一類比信號的電位以上且第二類比信號的電位以下。從D/A轉換電路14輸出的類比顯示資料藉由輸出端子Out被輸出到顯示部15，並且，該顯示部15顯示與所述顯示資料的電位相對應的亮度的影像。
在本說明書等中，有時將算術電路11所生成的數字顯示資料稱為第一顯示資料，將從數位資料轉換電路12輸出的數字顯示資料稱為第二顯示資料，將從D/A轉換電路14輸出的類比顯示資料稱為第三顯示資料。
圖3示出D/A轉換電路14的具體結構例子。在圖3所示的結構的D/A轉換電路14中，可以將從數位資料轉換電路12輸出的n位元(n為2以上的整數)數字顯示資料轉換為類比資料。
圖3所示的結構的D/A轉換電路14包括電阻元件31[1]至電阻元件31[2n]以及傳輸電晶體邏輯電路32。
電阻元件31[j](j為2以上且2n-1以下的整數)的一個端子與電阻元件31[j-1]的另一個端子電連接。電阻元件31[j]的另一個端子與電阻元件31[j+1]的一個端子電連接。
電阻元件31[1]的一個端子與佈線In1電連接。電阻元件31[1]的另一個端子與電阻元件31[2]的一個端子電連接。電阻元件31[2n]的一個端子與電阻元件31[2n-1]的另一個端子電連接。電阻元件31[2n]的另一個端子與佈線Out電連接。
也就是說，電阻元件31[1]至電阻元件31[2n]彼此串聯連接。另外，電阻元件31[1]至電阻元件31[2n]的電阻值較佳為彼此相等。
輸入端子ITS[1]至輸入端子ITS[2n]及輸出端子Out與傳輸電晶體邏輯電路32電連接。傳輸電晶體邏輯電路32由n級傳輸電晶體構成。明確而言，在傳輸電晶體邏輯電路32中，在每一個級分支為兩條路徑，在輸出端子Out至輸入端子之間總計有2n條的路徑。另外，在每一個級中分支的兩條路徑中的一個與n通道型電晶體的源極和汲極中的一個電連接，分支的兩條路徑中的另一個與p通道型電晶體的源極和汲極中的一個電連接。設置在第k級(k為1以上且n以下的整數)中的電晶體的閘極分別與佈線e[k]電連接。
另外，輸入端子ITS[k]與電阻元件31[k-1]的另一個端子及電阻元件31[k]的一個端子電連接。輸入端子ITS[1]與佈線In1及電阻元件31[1]的一個端子電連接。
對佈線In1供應第一類比信號，對佈線In2供應第二類比信號。 另外，從輸出端子Out輸出類比顯示資料。另外，對佈線e[1]至佈線e[n]輸入從數位資料轉換電路12輸出的n位元(n為2以上的整數)數字顯示資料。例如，在從低位數第k位元的數字值為1時，佈線e[k]的電位為高電位，而在從低位數第k位元的數字值為0時，佈線e[k]的電位為低電位。另外，低電位例如可以為接地電位。
另外，輸入信號生成電路13的結構也可以與圖3所示的D/A轉換電路14的結構相同。
接著，參照圖4說明D/A轉換電路14的具體工作。圖4示出n=2時的D/A轉換電路14的結構例子。
例如，佈線In1的電位(第一類比信號的電位)為0V，佈線In2的電位(第二類比信號的電位)為4V，並且，電阻元件31[1]至電阻元件31[4]的電阻值彼此相等。此時，輸入端子ITS[1]的電位為0V，輸入端子ITS[2]的電位為1V，輸入端子ITS[3]的電位為2V，輸入端子ITS[4]的電位為3V。
當輸入到D/A轉換電路14中的數字顯示資料的數位值為以10進制表示的0時，佈線e[1]的電位為低電位，佈線e[2]的電位為低電位。由此，輸出端子Out的電位為與輸入端子ITS[1]的電位相同的電位的0V。當輸入到D/A轉換電路14中的數字顯示資料的數位值為以10進制表示的1時，佈線e[1]的電位為高電位，佈線e[2]的電位為低電位。由此，輸出端子Out的電位為與輸入端子ITS[2]的電位相同的電位的1V。與此同樣地，當輸入到D/A轉換電路14中的數字顯示資料的數位值為以10進制表示的2時，輸出端子Out的電位為與輸入端子ITS[3]的電位相同的電位的2V。另外，當輸入到D/A轉換電路14中的數字顯示資料的數位值為以10進制表示的3時，輸出端子Out的電位為與輸入端子ITS[4]的電位相同的電位的3V。
也就是說，輸入到D/A轉換電路14中的數字顯示資料的數位值越大，從輸出端子Out輸出的類比顯示資料的電位越高。據此，輸入到D/A轉換電路14中的數字顯示資料被轉換為類比顯示資料。
在此，例如考慮數位資料轉換電路12中的轉換式可表示為如圖2A所示那樣的y=ax且a為以10進制表示的2的情況。當其數位值被數位資料轉換電路12轉換之前的顯示資料的數位值x例如為以10進制表示的1時，其數位值被數位資料轉換電路12轉換之後的顯示資料的數位值y為以10進制表示的2。當將佈線In1的電位(第一類比信號的電位)設定為0V，且將佈線In2的電位(第二類比信號的電位)設定為2V，並將數位值y的顯示資料輸入到D/A轉換電路14時，從輸出端子Out輸出的類比顯示資料的電位為1V。另一方面，當將數位值x的顯示資料直接輸入到D/A轉換電路14時，在佈線In1的電位為0V且佈線In2的電位為4V時從輸出端子Out輸出的類比顯示資料的電位為1V。也就是說，藉由對數位值y的顯示資料進行D/A轉換，即使佈線In1的電位(第一類比信號的電位)與佈線In2的電位(第二類比信號的電位)之間的差值小，也可以將D/A轉換之後的顯示資料的電位相等於在對數位值x的顯示資料進行D/A轉換時的電位。
如此，可以精細地調整從D/A轉換電路14輸出的類比顯示資料的電位。因此，尤其是在顯示暗影像的情況下，可以防止亮度不均勻及顏色不均勻等的發生，從而可以進行高顯示品質的顯示。另外，圖2A至圖2D等所示的轉換式的係數越大，越能夠縮小從D/A轉換電路14輸出的類比顯示資料的電位範圍，由此，即使在顯示暗影像的情況下也可以得到高顯示品質的顯示。
另外，雖然在上文中佈線In1的電位為0V，但是也可以為0V以外的電位。例如，佈線In1及佈線In2的電位可以分別為0.5V及1.5V。
如圖5A所示，本發明的一個實施方式的顯示裝置10也可以包括記憶體16。記憶體16是具有保持圖2A至圖2D等所示的轉換式、數位資料轉換電路12所算出的該轉換式的係數、輸入信號生成電路13所生成的第一類比信號的電位及第二類比信號的電位等的功能的電路。此時，例如數位資料轉換電路12可以具有對算術電路11所生成的顯示資料的數位值進行轉換且判定轉換後的顯示資料的數位值是否溢出的功能。
例如，考慮如下情況：用8位元表示轉換後的顯示資料的數位值，並且，轉換式為圖2A所示的公式。就是說，轉換後的顯示資料能夠以10進制表示0至255。例如，在a為以10進制表示的10的情況下，當轉換前的顯示資料的數位值為10進制表示的30時，轉換後的顯示資料的數位值為以10進制表示的300。也就是說，這超過轉換後的顯示資料能夠表示的數值上限的255。在此情況下，轉換後的顯示資料的數位值溢出。
藉由例如只在其數位值被數位資料轉換電路12轉換的顯示資料溢出時改寫保持在記憶體16中的轉換式的係數、第一類比信號的電位及第二類比信號的電位等，可以減少算出轉換式的係數的頻率、算出第一類比信號的電位的頻率以及算出第二類比信號的電位的頻率等，後面說明其詳細內容。由此，可以降低顯示裝置10的功耗。
另外，可以預先按顯示部15所包括的每一個像素或每多個像素測定低亮度時的亮度不均勻，將該不均勻的資料保持在記憶體16中。此時，數位資料轉換電路12可以考慮該不均勻而算出轉換式的係數等。
記憶體16可以具有包括多個記憶單元的結構。圖5B示出記憶體16所包括的記憶單元的結構例子。
圖5B所示的結構的記憶單元包括電晶體21及電容元件22。電晶體21的源極和汲極中的一個與電容元件22的一個電極電連接。電晶體21的源極和汲極中的另一個與佈線BL電連接。電晶體21的閘極與佈線WL電連接。電容元件22的另一個電極與佈線PL電連接。此外，將與電晶體21的源極和汲極中的一個及電容元件22的一個電極電連接的節點記為節點FG。
可以對佈線WL供應將電晶體21控制為導通狀態或非導通狀態的信號作為選擇信號。可以對佈線BL供應與數位資料轉換電路12所算出的轉換式的係數、第一類比信號的電位及第二類比信號的電位等的資料相對應且控制電晶體21的導通狀態的信號。也就是說，藉由使電晶體21處於導通狀態，可以將節點FG的電位設定為與上述資料相對應的電位的佈線BL的電位。由此，可以對記憶單元寫入上述資料。此外，可以對佈線PL供應規定的電位。
在此，當電晶體21為關態電流(off-state current)低的電晶體時，藉由在記憶單元被寫入上述資料的狀態下使電晶體21處於非導通狀態，可以長期間保持節點FG的電位。換言之，可以長期間保持寫入在記憶單元中的上述資料。作為關態電流低的電晶體，可以舉出通道形成區域中包含氧化物半導體的電晶體(以下也稱為OS電晶體)。
與矽等的半導體相比，氧化物半導體具有大能隙且能夠降低載子密度，所以OS電晶體的關態電流極小，後面說明其詳細內容。因此，當作為電晶體21使用OS電晶體時，與使用在通道形成區域中包含矽的電晶體(以下也稱為Si電晶體)等的情況相比，可以長期間保持節點FG的電位。由此，可以長期間保持寫入在記憶單元中的資料，所以不需要進行更新工作或者可以極大地減少更新工作的頻率。因此，可以降低顯示裝置10的功耗。此外，即使沒有電力供應(但是，電位較 佳為被固定)也可以長期間保持資料。
此外，由於包括OS電晶體的記憶單元在寫入資料時不需要高電壓，所以其中不容易產生元件劣化。例如，由於不進行如習知的非揮發性記憶體那樣地經過絕緣層對浮動閘極注入電子或從浮動閘極抽出電子，所以不發生絕緣體劣化等的問題。就是說，與習知的非揮發性記憶體不同，包括OS電晶體的記憶單元對可重寫次數沒有限制，從而可以顯著提高可靠性。再者，由於利用電晶體21的導通狀態和非導通狀態而進行資料寫入，所以可以進行高速工作。
如圖6A所示，本發明的一個實施方式的顯示裝置10也可以包括光感測器17。光感測器17是具有檢測外光照度的功能的電路。由此，例如可以將顯示部15所顯示的影像的亮度設定為與外光照度相對應的亮度。因此，例如在外光暗的情況下，可以使顯示部15所顯示的影像的亮度降低，由此可以抑制使用者感到刺眼。
另外，如圖6B所示，本發明的一個實施方式的顯示裝置10也可以包括校正電路18。校正電路18具有對數字顯示資料進行伽瑪校正等的校正的功能。在圖6B所示的結構中，在數位資料轉換電路12進行數位值的轉換之後，校正電路18進行校正。注意，當對數字顯示資料進行校正時，有可能發生位元元錯誤等的錯誤。例如，在利用數位資料轉換電路12進行轉換之後的顯示資料中發生的一位元錯誤對類比顯示資料的電位造成的影響小於在利用數位資料轉換電路12進行轉換之前的顯示資料中發生的一位元錯誤對類比顯示資料的電位造成的影響。因此，較佳的是，對利用數位資料轉換電路12進行轉換之後的顯示資料進行利用校正電路18的校正。但是，也可以對利用數位資料轉換電路12進行轉換之前的顯示資料進行利用校正電路18的校正。
另外，可以適當地組合圖1、圖5A以及圖6A和圖6B所示的結構。 例如，如圖6C所示，可以在圖1所示的結構的顯示裝置10中還設置記憶體16及光感測器17。
接著，參照圖7及圖8所示的流程圖說明圖6C所示的結構的顯示裝置10的工作方法的一個例子。
如圖7所示，首先利用光感測器17檢測外光照度(步驟S101)。接著，利用算術電路11生成表示與外光照度相對應的亮度的顯示資料(步驟S102)。例如，在外光暗的情況下，生成表示低亮度的顯示資料。換言之，在外光暗的情況下，例如生成數位值小的顯示資料。
接著，數位資料轉換電路12從記憶體16讀出如圖2A至圖2D所示那樣的算術電路11所生成的顯示資料的數位值的轉換式(步驟S103)。然後，數位資料轉換電路12根據從算術電路11接收的顯示資料等算出從記憶體16讀出的轉換式的係數(步驟S104)。例如，當從算術電路11接收的顯示資料的數位值小時，較佳為使轉換式的係數增大。另外，也可以預先按顯示部15所包括的每一個像素或每多個像素測定低亮度時的亮度不均勻，考慮該不均勻按每一個像素或每多個像素算出轉換式的係數。
接著，將數位資料轉換電路12所算出的轉換式的係數寫入到記憶體16中(步驟S105)。然後，利用數位資料轉換電路12根據轉換式對從算術電路11接收的顯示資料的數位值進行轉換(步驟S106)。
接著，利用輸入信號生成電路13生成第一類比信號及第二類比信號，並將其輸出到D/A轉換電路(步驟S107)。第一類比信號的電位及第二類比信號的電位可以根據算術電路11所生成的顯示資料的數位值及圖2A至圖2D等所示的轉換式的係數等而算出。然後，將輸入信號生成電路13所生成的第一類比信號的電位及第二類比信號的電位寫入 到記憶體16中(步驟S108)。
接著，利用D/A轉換電路14將其數位值被數位資料轉換電路12轉換的顯示資料轉換為類比資料(步驟S109)。如上所述，該類比資料的電位可以根據從數位資料轉換電路12輸出的顯示資料的數位值、輸入信號生成電路13所生成的第一類比信號的電位及第二類比信號的電位而算出。然後，顯示部15從D/A轉換電路14接收類比顯示資料，並顯示與該類比顯示資料相對應的影像(步驟S110)。
接著，如圖8所示，利用光感測器17檢測外光照度(步驟S201)。然後，利用算術電路11生成表示與外光照度相對應的亮度的顯示資料(步驟S202)。如上所述，例如在外光暗的情況下，生成表示低亮度的顯示資料。換言之，在外光暗的情況下，例如生成數位值小的顯示資料。
接著，數位資料轉換電路12從記憶體16讀出如圖2A至圖2D所示那樣的算術電路11所生成的顯示資料的數位值的轉換式。此外，數位資料轉換電路12讀出在圖7所示的步驟S105中寫入到記憶體16的係數(步驟S203)。然後，利用數位資料轉換電路12根據轉換式對從算術電路11接收的顯示資料的數位值進行轉換(步驟S204)。
接著，利用數位資料轉換電路12判定轉換後的顯示資料的數位值是否溢出(步驟S205及步驟S206)。當該數位值溢出時，回到圖7所示的步驟S104，數位資料轉換電路12根據從算術電路11接收的顯示資料等算出從記憶體16讀出的轉換式的係數。當該數位值未溢出時，輸入信號生成電路13讀出保持在記憶體16中的第一類比信號的電位及第二類比信號的電位，並將該電位的第一類比信號及第二類比信號輸出到D/A轉換電路14(步驟S207)。然後，回到圖7所示的步驟S109，利用D/A轉換電路14將其數位值被數位資料轉換電路12轉換的顯示 資料轉換為類比資料。
以上是圖6C所示的結構的顯示裝置10的工作方法的一個例子。另外，在能夠實現顯示裝置10所具有的功能的範圍內，圖7及圖8所示的步驟的順序可以適當地替換。此外，在能夠實現顯示裝置10所具有的功能的範圍內，可以省略或追加一部分的步驟。
另外，在步驟S206中，即使在轉換後的數位值的顯示資料未溢出的情況下，也可以與溢出時同樣地回到步驟S104。例如，可以在經過預定時間或輸入信號時回到步驟S104。
在圖7及圖8所示的步驟中，可以只在其數位值被數位資料轉換電路12轉換的顯示資料溢出時改寫保持在記憶體16中的轉換式的係數、第一類比信號的電位及第二類比信號的電位。由此，可以減少算出轉換式的係數的頻率、算出第一類比信號的電位的頻率以及算出第二類比信號的電位的頻率。因此，可以降低顯示裝置10的功耗。
另外，在圖7及圖8所示的步驟中，可以利用光感測器17檢測外光照度，並且利用算術電路11生成表示與外光照度相對應的亮度的顯示資料。因此，例如在外光暗的情況下，可以使顯示部15所顯示的影像的亮度降低，由此可以抑制使用者感到刺眼。
另外，關於圖1及圖6A和圖6B所示的結構的顯示裝置10的工作方法，藉由適當地省略或追加步驟，可以參照圖7及圖8。例如，圖9示出說明圖1所示的結構的顯示裝置10的工作方法的一個例子的流程圖。如圖9所示，藉由進行步驟S102、步驟S104、步驟S106、步驟S107、步驟S109及步驟S110可以使圖1所示的結構的顯示裝置10工作。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式2
在本實施方式中，對本發明的一個實施方式的顯示裝置及其製造方法進行說明。
本發明的一個實施方式的顯示裝置具有設置有包括反射型液晶元件的第一像素的第一顯示面板與設置有包括發光元件的第二像素的第二顯示面板藉由黏合層貼合在一起的結構。反射型液晶元件可以藉由控制反射光的光量表示灰階。發光元件可以藉由控制發射光的光量表示灰階。
另外，第一像素也可以包括透過型液晶元件。在此情況下，可以將第二像素所包括的發光元件用作背光。另外，當在第一像素與第二像素之間沒有配置偏光板並且第二像素的發光未被偏振時，不能由第一像素的液晶元件遮蔽第二像素的發光，因此需要按每個像素改變第二像素的亮度。在本發明中，“將第二像素用作背光”還意味著按每個像素改變第二像素的亮度的情況。
顯示裝置例如可以只利用反射光進行顯示，也可以只利用來自發光元件的光進行顯示，還可以利用反射光及來自發光元件的光的兩者進行顯示。
第一顯示面板設置在觀看側，第二顯示面板設置在與觀看側相反的一側。第一顯示面板包括位於最靠近黏合層一側的第一樹脂層。第二顯示面板包括位於最靠近黏合層一側的第二樹脂層。
另外，較佳的是，在第一顯示面板的顯示面一側設置第三樹脂層，在第二顯示面板的背面一側(與顯示面相反的一側)設置第四樹脂層。由此，可以實現極輕且不容易破損的顯示裝置。
第一樹脂層至第四樹脂層(以下也總稱為樹脂層)具有極薄的特徵。明確而言，其厚度較佳為0.1μm以上且3μm以下。由此，即使層疊兩個顯示面板，也可以使其厚度很薄。另外，可以抑制位於第二像素的發光元件所發射的光的路徑上的樹脂層對光的吸收，因此可以高效地提取光並降低功耗。
樹脂層例如可以使用如下方式形成。在支撐基板上塗佈低黏度的熱固性樹脂材料，進行熱處理使其硬化來形成樹脂層。接著，在樹脂層上形成結構體。然後，在樹脂層與支撐基板之間進行剝離，以使樹脂層的一個表面露出。
在剝離支撐基板與樹脂層時，作為降低彼此之間的黏合性的方法，可以舉出照射雷射的方法。例如，較佳的是，作為雷射利用線狀雷射，掃描該雷射來照射雷射。由此，可以縮短支撐基板面積大時的製程時間。作為雷射，較佳為使用波長為308nm的準分子雷射。
作為能夠用於樹脂層的材料，典型地可以舉出熱固性聚醯亞胺。尤其是，較佳為使用感光性聚醯亞胺。感光性聚醯亞胺是適用於顯示面板的平坦化膜等的材料，因此可以利用已有的形成設備及材料。由此，不需要用於實現本發明的一個實施方式的結構的新的設備及材料。
另外，當作為樹脂層使用感光性樹脂材料時，藉由進行曝光及顯影處理，可以對樹脂層進行加工。例如，可以形成開口，並可以去除不需要的部分。此外，藉由對曝光方法及曝光條件實施最佳化，可以 在其表面形成凹凸形狀。例如，可以採用使用半色調遮罩或灰色調遮罩的曝光技術或者多重曝光技術等。
另外，也可以使用非感光性樹脂材料。此時，可以採用在樹脂層上形成光阻遮罩或硬質遮罩以形成開口或凹凸形狀的方法。
在此，較佳為部分地去除位於來自發光元件的光的路徑上的樹脂層。也就是說，在第一樹脂層及第二樹脂層中形成與發光元件重疊的開口。由此，可以抑制因來自發光元件的光的一部分被樹脂層吸收而導致的顏色再現性降低及光提取效率下降。
或者，可以以樹脂層中的位於來自發光元件的光的路徑上的部分薄於其他部分的方式在樹脂層中形成凹部。也就是說，樹脂層可以具有厚度不同的兩個部分，並且厚度薄的部分重疊於發光元件。當採用該結構時，也可以減小樹脂層對來自發光元件的光的吸收。
另外，在第一顯示面板包括第三樹脂層的情況下，與上述同樣地，較佳為形成與發光元件重疊的開口。由此，可以進一步提高顏色再現性及光提取效率。
另外，在第一顯示面板包括第三樹脂層的情況下，較佳為去除位於反射型液晶元件的光的路徑上的第三樹脂層的一部分。也就是說，在第三樹脂層中形成與反射型液晶元件重疊的開口。由此，可以提高反射型液晶元件的反射率。
當在樹脂層中形成開口時，在支撐基板上形成光吸收層，在該光吸收層上形成具有開口的樹脂層，並且形成覆蓋開口的透光層。光吸收層是藉由吸收光被加熱來釋放氫或氧等的氣體的層。因此，藉由從支撐基板一側照射光使光吸收層釋放氣體，可以降低光吸收層與支撐 基板之間的介面或光吸收層與透光層之間的黏合性而進行剝離。或者，可以使光吸收層本身產生斷裂而進行剝離。
或者，也可以使用如下方法。將樹脂層中的成為開口的部分形成得較薄，藉由上述方法剝離支撐基板與樹脂層。然後，對樹脂層的剝離表面進行電漿處理等減薄樹脂層的厚度，由此可以在樹脂層的較薄部分形成開口。
另外，第一像素及第二像素較佳為都包括電晶體。作為形成該電晶體的通道的半導體，較佳為使用氧化物半導體。當採用氧化物半導體時，即使降低電晶體的製程中的最高溫度(例如，降低到400℃以下，較佳為350℃以下)，也可以實現高通態電流，並可以獲得高可靠性。另外，當使用氧化物半導體時，用於位於電晶體的被形成面一側的樹脂層的材料不要求高耐熱性，所以可以擴大材料的選擇範圍。例如，也可以使用用於平坦化膜的樹脂材料。
在此，在使用低溫多晶矽(LTPS：Low Temperature Poly-Silicon)的情況下，雖然能夠得到高場效移動率，但是需要進行雷射晶化處理、晶化處理之前的預烤製程、使雜質元素啟動的烘烤製程等，在電晶體製程中的最高溫度比使用上述氧化物半導體時較高(例如，500℃以上、550℃以上或600℃以上)。因此，位於電晶體的被形成面一側的樹脂層需要具有高耐熱性。再者，在雷射晶化製程中，該樹脂層被照射雷射，因此需要將該樹脂層的厚度形成得較厚(例如，10μm以上或20μm以上)。
另一方面，在使用氧化物半導體的情況下，不需要特殊的耐熱性高的材料，並且不需要厚度較厚的樹脂層，因此可以降低在顯示面板整體中該樹脂層的成本比率。
氧化物半導體具有寬能帶間隙(例如，2.5eV以上或3.0eV以上)並具有透光性。因此，在剝離支撐基板與樹脂層的製程中，即使雷射照射到氧化物半導體也不容易被吸收，所以可以抑制對氧化物半導體的電特性帶來的影響。因此，如上所述那樣可以將樹脂層形成得薄。
本發明的一個實施方式藉由組合使用以感光性聚醯亞胺為代表的低黏度感光性樹脂材料而形成的薄樹脂層以及即使在低溫度環境下也能夠實現電特性優異的電晶體的氧化物半導體來可以實現生產率非常高的顯示裝置。
接著，對像素結構進行說明。多個第一像素及多個第二像素分別配置為矩陣形狀而構成顯示部。另外，顯示裝置較佳為包括驅動第一像素的第一驅動部及驅動第二像素的第二驅動部。第一驅動部及第二驅動部較佳為分別設置在第一顯示面板及第二顯示面板中。
另外，第一像素及第二像素較佳為以相同的週期配置在顯示區域內。並且，第一像素及第二像素較佳為混合配置在顯示裝置的顯示區域中。由此，如後面所述，可以將只有多個第一像素所顯示的影像、只有多個第二像素所顯示的影像以及多個第一像素和多個第二像素兩者所顯示的影像分別都顯示在相同的顯示區域中。
在此，第一像素例如較佳為由呈現白色(W)的一個像素構成。第二像素例如較佳為包括分別呈現紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)這三種顏色的光的子像素。除此之外，還可以包括呈現白色(W)或黃色(Y)的光的子像素。當這種第一像素及第二像素以相同的週期配置時，可以增大第一像素的面積而提高第一像素的開口率。
另外，第一像素例如也可以包括分別呈現紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)這三種顏色的光的子像素，除此之外，還可以包括呈現白色 (W)或黃色(Y)的光的子像素。
接著，對能夠用於第一顯示面板及第二顯示面板的電晶體進行說明。設置在第一顯示面板的第一像素中的電晶體與設置在第二顯示面板的第二像素中的電晶體既可以具有相同的結構，又可以具有不同的結構。
作為電晶體的結構，例如可以舉出底閘極結構的電晶體。底閘極結構的電晶體在半導體層的下方(被形成面一側)具有閘極電極。此外，例如，其源極電極及汲極電極與半導體層的頂面及側端部接觸。
另外，作為電晶體的其他結構，例如可以舉出頂閘極結構的電晶體。頂閘極結構的電晶體在半導體層的上方(與被形成面相反的一側)具有閘極電極。另外，例如，其第一源極電極及第一汲極電極設置在覆蓋半導體層的頂面的一部分及側端部的絕緣層上並藉由設置在該絕緣層中的開口與半導體層電連接。
另外，電晶體較佳為包括隔著半導體層彼此對置的第一閘極電極及第二閘極電極。
以下，參照圖式說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的更具體的例子。
[結構例子1]
圖10示出顯示裝置10的剖面示意圖。顯示裝置10具有將顯示面板100與顯示面板200藉由黏合層50貼合在一起的結構。另外，顯示裝置10在背面一側(與觀看側相反的一側)及表面一側(觀看側)分別包括基板611及基板612。
顯示面板100在樹脂層101與樹脂層102之間包括電晶體110及發光元件120。顯示面板200在樹脂層201與樹脂層202之間包括電晶體210及液晶元件220。樹脂層101藉由黏合層51貼合到基板611。樹脂層202藉由黏合層52貼合到基板612。
樹脂層102、樹脂層201及樹脂層202都設置有開口。圖10所示的區域81是重疊於發光元件120的區域，且是與樹脂層102的開口、樹脂層201的開口及樹脂層202的開口重疊的區域。
[顯示面板100]
在樹脂層101上設置有電晶體110、發光元件120、絕緣層131、絕緣層132、絕緣層133、絕緣層134及絕緣層135等。在樹脂層102上設置有遮光層153及彩色層152等。樹脂層101與樹脂層102由黏合層151貼合在一起。
電晶體110包括被設置在絕緣層131上的用作閘極電極的導電層111、用作閘極絕緣層的絕緣層132的一部分、半導體層112、用作源極電極和汲極電極中的一個的導電層113a以及用作源極電極和汲極電極中的另一個的導電層113b。
半導體層112較佳為包含氧化物半導體。
絕緣層133及絕緣層134覆蓋電晶體110。絕緣層134被用作平坦化層。
發光元件120具有導電層121、EL層122及導電層123的疊層結構。導電層121具有反射可見光的功能。導電層123具有使可見光透過的功能。由此，發光元件120是向與被形成面相反的一側發射光的頂部發射(top-emission)型發光元件。
導電層121藉由設置在絕緣層134及絕緣層133中的開口與導電層113b電連接。絕緣層135覆蓋導電層121的端部，並設置有使導電層121的頂面露出的開口。依次設置的EL層122及導電層123覆蓋絕緣層135及導電層121的露出部分。
在樹脂層102的樹脂層101一側設置有絕緣層141。在絕緣層141的樹脂層101一側設置有遮光層153及彩色層152。彩色層152設置在重疊於發光元件120的區域中。遮光層153在與發光元件120重疊的部分中具有開口。
絕緣層141覆蓋樹脂層102的開口。另外，絕緣層141的重疊於樹脂層102的開口的部分與黏合層50接觸。
[顯示面板200]
在樹脂層201上設置有電晶體210、導電層221、配向膜224a、絕緣層231、絕緣層232、絕緣層233及絕緣層234等。在樹脂層202上設置有絕緣層204、導電層223及配向膜224b等。在配向膜224a與配向膜224b之間夾有液晶222。樹脂層201與樹脂層202在未圖示的區域中由黏合層貼合在一起。
電晶體210包括被設置在絕緣層231上的用作閘極電極的導電層211、用作閘極絕緣層的絕緣層232的一部分、半導體層212、用作源極電極和汲極電極中的一個的導電層213a以及用作源極電極和汲極電極中的另一個的導電層213b。
半導體層212較佳為包含氧化物半導體。
絕緣層233及絕緣層234覆蓋電晶體210。絕緣層234被用作平坦 化層。
液晶元件220包括導電層221、導電層223及位於這些導電層之間的液晶222。導電層221具有反射可見光的功能。導電層223具有使可見光透過的功能。由此，液晶元件220是反射型液晶元件。
導電層221藉由設置在絕緣層234及絕緣層233中的開口與導電層213b電連接。配向膜224a覆蓋導電層211及絕緣層234的表面。
在樹脂層202的樹脂層201一側設置有導電層223與配向膜224b的疊層。在樹脂層202與導電層223之間設置有絕緣層204。另外，還可以設置用來使液晶元件220的反射光著色的彩色層。
絕緣層231覆蓋樹脂層201的開口。絕緣層231的重疊於樹脂層202的開口的部分與黏合層50接觸。另外，絕緣層204覆蓋樹脂層202的開口。絕緣層204的重疊於樹脂層202的開口的部分與黏合層52接觸。
[顯示裝置10]
顯示裝置10包括在俯視時發光元件120不與反射型液晶元件220重疊的部分。由此，如圖10所示，從發光元件120藉由彩色層152而被著色的發光621向觀看側射出。另外，在液晶元件220中，利用導電層221反射外光而成的反射光622經過液晶222射出。
從發光元件120發射的發光621經過樹脂層102的開口、樹脂層201的開口及樹脂層202的開口向觀看側射出。由此，即使樹脂層102、樹脂層201及樹脂層202吸收可見光的一部分，由於在發光621的光路徑上沒有上述樹脂層，所以可以提高光提取效率及顏色再現性。
另外，基板612被用作偏光板或圓偏光板。或者，也可以在基板612的外側設置偏光板或圓偏光板
雖然在此示出顯示面板200沒有彩色層而不進行彩色顯示的結構，但是也可以在樹脂層202一側設置彩色層而進行彩色顯示。
以上是結構例子的說明。
[製造方法的例子]
以下，參照圖式說明圖10所示的顯示裝置10的製造方法的例子。
構成顯示裝置的薄膜(絕緣膜、半導體膜、導電膜等)可以利用濺射法、化學氣相沉積(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸鍍法、脈衝雷射沉積(PLD：Pulsed Laser Deposition)法、原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)法等形成。作為CVD法，也可以利用電漿增強化學氣相沉積(PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法、熱CVD法。作為熱CVD法的例子，可以利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD：Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法。
另外，構成顯示裝置的薄膜(絕緣膜、半導體膜、導電膜等)可以利用旋塗法、浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配器法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀(doctor knife)法、狹縫式塗布法、輥塗法、簾式塗布法、刮刀式塗布法等方法形成。
另外，當對構成顯示裝置的薄膜進行加工時，可以利用光微影法等進行加工。另外，可以利用使用遮蔽遮罩的成膜方法形成島狀的薄膜。另外，可以利用奈米壓印法、噴砂法、剝離法等對薄膜進行加工。在光微影法中有如下方法：在要進行加工的薄膜上塗佈感光性光阻劑 材料，利用光微影法對其進行曝光之後進行顯影來形成光阻遮罩，藉由蝕刻等對該薄膜進行加工，並去除光阻遮罩的方法；在形成感光性薄膜之後，進行曝光及顯影來將該薄膜加工為所希望的形狀的方法。
在光微影法中，作為用於曝光的光，例如可以使用i線(波長為365nm)、g線(波長為436nm)、h線(波長為405nm)或將這些光混合而成的光。此外，還可以使用紫外光、KrF雷射或ArF雷射等。此外，也可以利用液浸曝光技術進行曝光。作為用於曝光的光，也可以使用極紫外光(EUV：Extreme Ultra-Violet light)或X射線。另外，也可以使用電子束代替用於曝光的光。當使用極紫外光、X射線或電子束時，可以進行極其微細的加工，所以是較佳的。另外，在藉由光或電子束等光束的掃描進行曝光時，不需要光遮罩。
作為薄膜的蝕刻方法，可以利用乾蝕刻法、濕蝕刻法及噴砂法等。
[樹脂層的形成]
首先，準備支撐基板61。作為支撐基板61的材料，可以使用具有容易傳送程度的剛性且對製程中被施加的溫度具有耐熱性的材料。例如，可以使用玻璃、石英、陶瓷、藍寶石、有機樹脂、半導體、金屬或合金等的材料。作為玻璃，例如可以使用無鹼玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃等。
接著，在支撐基板61上形成樹脂層101(圖11A)。
首先，在支撐基板61上塗佈樹脂層101的材料。當利用旋塗法進行塗佈時，可以在大型基板上均勻地形成薄厚度的樹脂層101，所以是較佳的。
作為其他塗佈方法，可以使用浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配器 法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀(doctor knife)法、狹縫式塗布法、輥塗法、簾式塗布法、刮刀式塗布法等的方法。
上述材料包含利用熱進行聚合的呈現熱固性(熱聚合性)的聚合性單體。此外，上述材料較佳為具有感光性。另外，上述材料較佳為包含用來調整黏度的溶劑。
上述材料較佳為包含聚合性單體，該聚合性單體在聚合後形成聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、矽氧烷樹脂、苯并環丁烯類樹脂或酚醛樹脂。也就是說，所形成的樹脂層101包含這些樹脂材料。尤其是，當藉由對上述材料使用具有醯亞胺鍵的聚合性單體來將以聚醯亞胺樹脂為代表的樹脂用於樹脂層101時，可以提高耐熱性及耐氣候性，所以是較佳的。
在進行塗佈時使用的上述材料的黏度為5cP以上且低於500cP，較佳為5cP以上且低於100cP，更佳為10cP以上且50cP以下。材料的黏度越低，越容易進行塗佈。此外，材料的黏度越低，越能夠抑制氣泡的混入，而形成優質薄膜。此外，材料的黏度越低，越能夠薄而均勻地塗佈該材料，由此可以形成較薄的樹脂層101。
接著，對支撐基板61進行加熱，使塗佈材料聚合，來形成樹脂層101。此時，材料中的溶劑藉由加熱被去除。另外，較佳為以高於後面的電晶體110的製程中的最高溫度的溫度進行該加熱。例如，以300℃以上且600℃以下，較佳為350℃以上且550℃以下，更佳為400℃以上且500℃以下，典型為450℃的溫度進行加熱。藉由在樹脂層101的形成製程中在其表面露出的狀態下進行上述溫度的加熱，可以去除有可能從樹脂層脫離的氣體，因此可以抑制在電晶體110的製程中的氣體脫離。
樹脂層101的厚度較佳為0.01μm以上且小於10μm，更佳為0.1μm以上且3μm以下，進一步較佳為0.5μm以上且1μm以下。藉由使用低黏度溶液，可以薄而均勻地形成樹脂層101。
另外，樹脂層101的熱膨脹係數較佳為0.1ppm/℃以上且20ppm/℃以下，更佳為0.1ppm/℃以上且10ppm/℃以下。樹脂層101的熱膨脹係數越低，越能夠抑制因加熱時的膨脹或收縮而導致的應力所帶來的電晶體等的破損。
另外，在作為電晶體110的半導體層112使用氧化物半導體膜的情況下，可以在較低溫度形成該電晶體，由此樹脂層101不需要具有高耐熱性。關於樹脂層101等的耐熱性，例如可以利用加熱失重率，具體來說，可以利用5%失重溫度等進行評價。樹脂層101等的5%失重溫度可以為450℃以下，較佳為400℃以下，更佳為低於400℃，進一步較佳為低於350℃。另外，電晶體110等的形成製程中的最高溫度較佳為350℃以下。
在此，當將感光性材料用於樹脂層101時，可以利用光微影法去除樹脂層101的一部分。明確而言，在塗佈材料之後進行熱處理以去除溶劑(也稱為預烤處理)，然後進行曝光。接著，進行顯影處理，來可以去除不需要的部分。此外，在上述製程之後，較佳為進行熱處理(也稱為後烘處理)。此時，第二次熱處理可以以上述溫度進行。
藉由上述方法在樹脂層101中設置開口，可以實現如下結構。例如，藉由以覆蓋開口的方式設置導電層，可以形成後面說明的剝離製程後其一部分露出於背面一側的電極(也稱為背面電極或貫通電極)。該電極可以被用作外部連接端子。另外，例如藉由採用在黏合兩個顯示面板時使用的標記部中不設置樹脂層101的結構，可以提高位置對準的準確度。
[絕緣層131的形成]
接著，在樹脂層101上形成絕緣層131(圖11B)。
絕緣層131可以被用作防止樹脂層101中含有的雜質擴散到後面形成的電晶體或發光元件中的障壁層。因此，較佳為使用阻擋性高的材料。
絕緣層131例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜等無機絕緣材料。此外，也可以層疊上述絕緣膜中的兩個以上。尤其是，較佳為使用從樹脂層101一側依次層疊有氮化矽膜和氧化矽膜的疊層膜。
另外，在樹脂層101的表面有凹凸形狀時，絕緣層131較佳為覆蓋該凹凸形狀。此外，絕緣層131可以具有使該凹凸形狀平坦的平坦化層的功能。例如，作為絕緣層131，較佳為使用有機絕緣材料和無機絕緣材料的疊層。作為有機絕緣材料，可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等有機樹脂。
絕緣層131例如在室溫以上且400℃以下，較佳為100℃以上且350℃以下，更佳為150℃以上且300℃以下的溫度下形成。
[電晶體的形成]
接著，如圖11C所示，在絕緣層131上形成電晶體110。在此示出作為電晶體110的一個例子製造底閘極結構的電晶體時的例子。
在絕緣層131上形成導電層111。導電層111可以藉由在形成導電 膜之後，形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩來形成。
接著，形成絕緣層132。作為絕緣層132，可以應用能夠用於絕緣層131的無機絕緣膜。
接著，形成半導體層112。半導體層112可以藉由在形成半導體膜之後，形成光阻遮罩，對該半導體膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩來形成。
半導體膜的成膜時的基板溫度為室溫以上且300℃以下，較佳為室溫以上且220℃以下，更佳為室溫以上且200℃以下，進一步較佳為室溫以上且170。℃以下。“成膜時的基板溫度為室溫”意味著不對基板進行意圖性的加熱。此時，因成膜時基板受到的能量而超過室溫的情況也包含在“室溫”的範疇內。此外，“室溫”例如是指10℃以上且30℃以下的溫度範圍，典型為25℃。
作為半導體膜，較佳為使用氧化物半導體。尤其是，較佳為使用其能帶間隙比矽大的氧化物半導體。當使用與矽相比能帶間隙寬且載子密度小的半導體材料時，可以降低電晶體的關閉狀態(off-state)時的電流，所以是較佳的。
另外，作為氧化物半導體，較佳為使用能帶間隙為2.5eV以上，較佳為2.8eV以上，更佳為3.0eV以上的材料。當利用這種氧化物半導體時，在後面說明的剝離製程的雷射等光的照射中，該光透過半導體膜，由此不容易產生對電晶體的電特性的負面影響。
尤其是，用於本發明的一個實施方式中的半導體膜較佳為在包含惰性氣體(例如Ar)和氧氣體中的任一者或兩者的氛圍下對基板進行 加熱並利用濺射法形成。
成膜時的基板溫度為室溫以上且200℃以下，較佳為室溫以上且170℃以下。藉由提高基板溫度，可以形成更多的具有配向性的結晶部，從而可以形成電穩定性高的半導體膜。藉由使用這種半導體膜，可以實現電穩定性高的電晶體。另外，藉由在基板溫度低或不進行意圖性的加熱的狀態下進行成膜，可以形成具有配向性的結晶部的比例小且載子移動率高的半導體膜。藉由使用這種半導體膜，可以實現呈現高場效移動率的電晶體。
另外，成膜時的氧流量比(氧分壓)為0%以上且低於100%，較佳為0%以上且50%以下，更佳為0%以上且33%以下，進一步較佳為0%以上且15%以下。藉由降低氧流量，可以形成載子移動率高的半導體膜，由此可以實現呈現進一步高的場效移動率的電晶體。
藉由將成膜時的基板溫度和成膜時的氧流量設定為上述範圍，可以得到其中具有配向性的結晶部和沒有配向性的結晶部混在一起的半導體膜。此外，藉由對基板溫度和氧流量在上述範圍內進行最佳化，可以控制具有配向性的結晶部和沒有配向性的結晶部的存在比例。
可以用於半導體膜的成膜的氧化物靶材不侷限於In-Ga-Zn類氧化物，例如可以使用In-M-Zn類氧化物(M是Al、Y或Sn)。
當使用包含具有多個晶粒的多晶氧化物的濺射靶材形成具有結晶部的半導體膜時，與使用不包含多晶氧化物的濺射靶材的情況相比，更容易得到具有結晶性的半導體膜。
尤其是，應用在膜厚度方向(也稱為與膜面方向、被形成膜的表面或膜表面垂直的方向)上具有配向性的結晶部和沒有這種配向性無序 地配向的結晶部混在一起的半導體膜的電晶體具有能夠提高電特性的穩定性、容易縮短通道長度等的特徵。另一方面，應用僅包括沒有配向性的結晶部的半導體膜的電晶體能夠提高場效移動率。如下面所述，藉由降低氧化物半導體中的氧缺陷，可以實現具有高場效移動率以及電特性高穩定性的電晶體。
如此，當使用氧化物半導體膜時，不需要進行LTPS時所需的高溫度的加熱處理和雷射晶化處理，可以在非常低的溫度下形成半導體層112。因此，可以形成較薄的樹脂層101。
接著，形成導電層113a及導電層113b。導電層113a及導電層113b可以藉由在形成導電膜之後，形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩來形成。
在對導電層113a及導電層113b進行加工時，有時不被光阻遮罩覆蓋的半導體層112的一部分因為蝕刻處理而被減薄。當作為半導體層112使用包括具有配向性的結晶部的氧化物半導體膜時，可以抑制半導體層被減薄，所以是較佳的。
藉由上述步驟，可以製造電晶體110。電晶體110是在形成通道的半導體層112中包含氧化物半導體的電晶體。在電晶體110中，導電層111的一部分被用作閘極，絕緣層132的一部分被用作閘極絕緣層，導電層113a及導電層113b分別被用作源極和汲極中的一個。
[絕緣層133的形成]
接著，形成覆蓋電晶體110的絕緣層133。絕緣層133可以藉由與絕緣層132相同的方法形成。
絕緣層133例如在室溫以上且400℃以下，較佳為100℃以上且350 ℃以下，更佳為150℃以上且300℃以下的溫度下形成。形成時的溫度越高，越可以形成緻密性及阻擋性高的絕緣膜。
作為絕緣層133，較佳為使用在包含氧的氛圍下以上述低溫度形成的氧化矽膜或氧氮化矽膜等氧化物絕緣膜。此外，較佳為在該氧化矽膜或氧氮化矽膜上層疊氮化矽膜等不容易使氧擴散和透過的絕緣膜。在包含氧的氛圍下以低溫度形成的氧化物絕緣膜可以是藉由加熱容易釋放多量的氧的絕緣膜。藉由在這種釋放氧的氧化物絕緣膜與不容易使氧擴散和透過的絕緣膜層疊在一起的狀態下進行加熱處理，可以對半導體層112供應氧。其結果是，可以填補半導體層112中的氧缺陷及半導體層112與絕緣層133之間的介面的缺陷，從而可以降低缺陷能階。由此，可以實現可靠性極高的半導體裝置。
藉由上述製程，可以在具有撓性的樹脂層101上形成電晶體110及覆蓋電晶體110的絕緣層133。在此階段，可以藉由後面說明的方法將樹脂層101與支撐基板61分離來製造沒有顯示元件的撓性裝置。例如，藉由除了電晶體110之外還形成電容元件、電阻元件及佈線等，可以製造具有半導體電路的撓性裝置。
[絕緣層134的形成]
接著，在絕緣層133上形成絕緣層134。絕緣層134是具有後面形成的顯示元件的被形成表面的層，由此較佳為具有平坦化層的功能。作為絕緣層134，可以應用能夠用於絕緣層131的有機絕緣膜或無機絕緣膜。
與樹脂層101同樣地，絕緣層134較佳為使用具有感光性和熱固性的樹脂材料。尤其是，較佳為對絕緣層134和樹脂層101使用相同的材料。由此，可以實現絕緣層134和樹脂層101的材料及用來形成這些層的設備的共通化。
另外，與樹脂層101同樣地，絕緣層134的厚度較佳為0.01μm以上且小於10μm，更佳為0.1μm以上且3μm以下，進一步較佳為0.5μm以上且1μm以下。藉由使用低黏度溶液，可以薄而均勻地形成絕緣層134。
[發光元件120的形成]
接著，在絕緣層134及絕緣層133中形成到達導電層113b的開口。
然後，形成導電層121。導電層121的一部分被用作像素電極。導電層121可以藉由在形成導電膜之後，形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩來形成。
接著，如圖11D所示，形成覆蓋導電層121的端部的絕緣層135。作為絕緣層135，可以應用能夠用於絕緣層131的有機絕緣膜或無機絕緣膜。
與樹脂層101同樣地，絕緣層135較佳為使用具有感光性和熱固性的樹脂材料。尤其是，較佳為對絕緣層135和樹脂層101使用相同的材料。由此，可以實現絕緣層135和樹脂層101的材料及用來形成這些層的設備的共通化。
另外，與樹脂層101同樣地，絕緣層135的厚度較佳為0.01μm以上且小於10μm，更佳為0.1μm以上且3μm以下，進一步較佳為0.5μm以上且1μm以下。藉由使用低黏度溶液，可以薄而均勻地形成絕緣層135。
接著，如圖11E所示，形成EL層122及導電層123。
EL層122可以藉由蒸鍍法、塗佈法、印刷法或噴射法等的方法形成。在按每個像素分別形成EL層122時，可以採用使用金屬遮罩等陰影遮罩的蒸鍍法或噴墨法等。在不按每個像素分別形成EL層122時，可以採用不使用金屬遮罩的蒸鍍法。在此示出藉由不使用金屬遮罩的蒸鍍法形成EL層122的例子。
導電層123可以藉由蒸鍍法或濺射法等形成。
藉由上述製程，可以形成發光元件120。發光元件120具有層疊有其一部分被用作像素電極的導電層121、EL層122以及其一部分被用作共用電極的導電層123的結構。
[光吸收層103a的形成]
準備支撐基板62。關於支撐基板62，可以參照支撐基板61的記載。
接著，在支撐基板62上形成光吸收層103a(圖12A)。光吸收層103a是在後面的光70的照射製程中吸收該光70而發熱來釋放氫或氧等的層。
作為光吸收層103a，例如可以使用藉由加熱釋放氫的氫化非晶矽(a-Si：H)膜。氫化非晶矽膜例如藉由利用包含SiH4的沉積氣體的電漿CVD法形成。此外，也可以在成膜後在包含氫的氛圍下進行加熱處理，以使該層包含進一步多的氫。
或者，作為光吸收層103a，也可以使用藉由加熱釋放氧的氧化物膜。尤其是，較佳為使用氧化物半導體膜或具有雜質能階的氧化物半導體膜(也稱為氧化物導電體膜)，因為這些膜具有比氧化矽膜等的絕緣膜窄的能帶間隙而容易吸收光。在使用氧化物半導體時，可以應用 上述半導體層112的形成方法及後面說明的可以用於半導體層的材料。氧化物膜例如可以在包含氧的氛圍下藉由電漿CVD法或濺射法等形成。尤其是，在使用氧化物半導體膜時，較佳為在包含氧的氛圍下藉由濺射法形成氧化物半導體膜。另外，也可以在成膜後在包含氧的氛圍下進行加熱處理，以使該層包含進一步多的氧。
或者，作為可以用於光吸收層103a的氧化物膜，也可以使用氧化物絕緣膜。例如，可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜、氧氮化鋁膜等。例如，藉由在包含氧的氛圍下以低溫度(例如250℃以下，較佳為220℃以下)形成上述氧化物絕緣膜，可以形成包含過量氧的氧化物絕緣膜。在成膜時，例如可以使用濺射法或電漿CVD法等。
[樹脂層102的形成]
接著，在光吸收層103a上形成具有開口的樹脂層102(圖12B)。作為樹脂層102的形成方法及材料，除了形成開口的部分之外，可以採用與樹脂層101相同的方法。
在樹脂層102的形成中，首先在光吸收層103a上塗佈感光性材料形成薄膜，並進行預烤處理。接著，使用光遮罩對該材料進行曝光並進行顯影處理，來可以形成具有開口的樹脂層102。然後，進行後烘處理，以使材料聚合並去除膜中的氣體。
[絕緣層141的形成]
接著，形成覆蓋樹脂層102及樹脂層102中的開口的絕緣層141(圖12C)。絕緣層141的一部分與光吸收層103a接觸。絕緣層141可以被用作防止樹脂層102中含有的雜質擴散到後面形成的電晶體或發光元件中的障壁層。因此，較佳為使用阻擋性高的材料。
關於絕緣層141的形成方法及材料，可以參照絕緣層131的記載。
[遮光層及彩色層的形成]
接著，在絕緣層141上形成遮光層153及彩色層152(圖12D)。
遮光層153可以使用金屬材料或樹脂材料。當使用金屬材料時，可以在形成導電膜之後利用光微影法等去除不需要的部分來形成遮光層153。當使用金屬材料、包含顏料或染料的感光性樹脂材料時可以利用光微影法等形成遮光層153。
另外，當作為彩色層152使用感光性材料時，可以藉由光微影法等將其加工為島狀。
藉由上述製程，可以在樹脂層102上形成絕緣層141、遮光層153及彩色層152。注意，由於可以獨立地進行樹脂層101一側的製程和樹脂層102一側的製程，所以對這些製程的順序沒有限制。或者，也可以同時進行這兩個製程。
[貼合]
接著，如圖12E所示，使用黏合層151將支撐基板62與支撐基板62貼合在一起。該貼合製程以使樹脂層102的開口與發光元件120重疊的方式進行。然後，使黏合層151固化。由此，可以使用黏合層151密封發光元件120。
黏合層151較佳為使用固化性材料。例如，可以使用具有光固化性的樹脂、具有反應固化性的樹脂、具有熱固性的樹脂等。尤其是，較佳為使用不包含溶劑的樹脂材料。
藉由上述製程，可以製造顯示面板100。在圖12E所示的階段，顯示面板100是夾在支撐基板61和支撐基板62之間的狀態。
[光吸收層103b的形成]
準備支撐基板63，在支撐基板63上形成光吸收層103b。關於支撐基板63，可以參照支撐基板61的記載。
光吸收層103b可以使用與上述光吸收層103a相同的材料及方法來形成。
[樹脂層201的形成]
接著，在光吸收層103b上形成具有開口的樹脂層201。作為樹脂層201的形成方法及材料，可以採用與樹脂層102相同的方法。
[絕緣層231的形成]
接著，形成覆蓋樹脂層201及樹脂層201中的開口的絕緣層231(圖13A)。關於絕緣層231的形成方法及材料，可以參照絕緣層131的記載。
[電晶體210的形成]
接著，如圖13B所示，在絕緣層231上形成電晶體210。
依次形成導電層211、絕緣層231、半導體層212以及導電層213a和導電層213b，來形成電晶體210。關於各層的形成方法，可以參照上述電晶體110的形成方法的記載。
電晶體210是在形成通道的半導體層212中包含氧化物半導體的電晶體。在電晶體210中，導電層211的一部分被用作閘極，絕緣層232的一部分被用作閘極絕緣層，導電層213a及導電層213b分別被用作源極和汲極中的一個。
[導電層221及配向膜224a的形成]
接著，在絕緣層234及絕緣層233中形成到達導電層213b的開口。
然後，形成導電層221。導電層221的一部分被用作像素電極。導電層221可以藉由在形成導電膜之後，形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩來形成。
接著，如圖13B所示，在導電層221及絕緣層234上形成配向膜224a。配向膜224a藉由在形成樹脂等的薄膜之後進行摩擦處理而形成。
藉由上述製程，可以在樹脂層201上形成電晶體210、導電層221及配向膜224a等。
[光吸收層103c的形成]
準備支撐基板64，在支撐基板64上形成光吸收層103c。關於支撐基板64，可以參照支撐基板61的記載。
光吸收層103c可以使用與上述光吸收層103a相同的材料及方法來形成。
[樹脂層202的形成]
接著，在光吸收層103c上形成具有開口的樹脂層202。作為樹脂層202的形成方法及材料，可以採用與樹脂層101相同的方法。
[絕緣層204的形成]
接著，形成覆蓋樹脂層202及樹脂層202中的開口的絕緣層204(圖13D)。關於絕緣層204的形成方法及材料，可以參照絕緣層131的記載。
[導電層223及配向膜224b的形成]
接著，在絕緣層204上形成導電層223。導電層223可以藉由形成導電膜而形成。另外，導電層223也可以藉由使用金屬遮罩等陰影遮罩的濺射法等的方法以在樹脂層202的外周部不設置導電層223的方式形成。或者，也可以在形成導電膜之後利用光微影法等的蝕刻處理去除不需要的部分。
接著，在導電層223上形成配向膜224b(圖13E)。配向膜224b可以利用與配向膜224a相同的方法形成。
藉由上述製程，可以在樹脂層202上形成絕緣層204、導電層223及配向膜224b。注意，由於可以獨立地進行樹脂層201一側的製程和樹脂層202一側的製程，所以對這些製程的順序沒有限制。或者，也可以同時進行這兩個製程。
[貼合]
接著，如圖13F所示，將支撐基板63與支撐基板64夾著液晶222貼合在一起。此時，以樹脂層201的開口重疊於樹脂層202的開口的方式進行貼合。另外，此時在週邊部利用未圖示的黏合層將樹脂層201與樹脂層202貼合在一起。
例如，在樹脂層201和樹脂層202中的一者或兩者上形成用來將它們貼合在一起的黏合層(未圖示)。黏合層以圍繞設置有像素的區域的方式形成。黏合層例如可以利用網版印刷法或分配器法等形成。作為黏合層，可以使用熱固性樹脂或紫外線硬化性樹脂等。另外，可以使用在用紫外光進行預固化之後施加熱而進行固化的樹脂等。或者，作為黏合層，也可以使用兼有紫外線固化性和熱固性的樹脂等。
接著，利用分配器法等將液晶222滴落在由黏合層圍繞的區域中。接著，以夾著液晶222的方式將支撐基板63與支撐基板64貼合在一起，使黏合層固化。當在減壓氛圍下進行貼合時，可以防止氣泡等混入支撐基板63與支撐基板64之間，所以是較佳的。
此外，可以在滴落液晶222之後在配置有像素的區域中或該區域的外側散佈粒子狀的間隙間隔物，或者也可以滴落包含該間隙間隔物的液晶222。另外，也可以在將支撐基板63與支撐基板64貼合在一起之後，在減壓氛圍下從設置在黏合層中的間隙注入液晶222。
藉由上述製程，可以製造顯示面板200。在圖13F所示的階段下，顯示面板200是夾在支撐基板63和支撐基板64之間的狀態。
[支撐基板62的分離]
接著，如圖14A所示，從顯示面板100的支撐基板62一側，經過支撐基板62將光70照射到光吸收層103a。
作為光70，較佳為使用雷射。尤其是，較佳為使用線狀雷射。
另外，只要能夠照射與雷射相等的能量，也可以使用閃光燈等。
作為光70，選擇至少其一部分透過支撐基板62且被光吸收層103a吸收的波長的光。此外，作為光70，較佳為使用被樹脂層102吸收的波長的光。尤其是，作為光70，較佳為使用從可見光到紫外線的波長區域的光。例如，使用波長為200nm以上且400nm以下的光，較佳為波長為250nm以上且350nm以下的光。尤其是，當使用波長為308nm的準分子雷射時，可以實現高生產率，所以是較佳的。準分子雷射還被用於LTPS的雷射晶化處理，因此可以利用習知的LTPS生產線的設備，而不需要新的設備投資，所以是較佳的。另外，也可以使用Nd： YAG雷射的第三諧波的波長為355nm的UV雷射等固體UV雷射(也稱為半導體UV雷射)。此外，也可以使用皮秒雷射等的脈衝雷射。
在作為光70使用線狀雷射的情況下，藉由相對地移動支撐基板61和光源來掃描光70，對要進行剝離的區域照射光70。在此階段，當對配置有樹脂層102的整個區域進行照射時，可以在樹脂層102的整體進行剝離，由此在後面的分離製程中不需要使用劃線器等分離支撐基板61的週邊部。另外，當在配置有樹脂層102的區域的週邊部設置不受光70照射的區域時，可以抑制在照射光70時樹脂層102與支撐基板62分離，所以是較佳的。
藉由光70的照射，光吸收層103a被加熱，由此光吸收層103a釋放氫或氧等。此時釋放的氫或氧等以氣體狀態被釋放。釋放的氣體停留在光吸收層103a與樹脂層102之間的介面附近或光吸收層103a與支撐基板62之間的介面附近，產生剝離這些構件的力量。其結果是，光吸收層103a與樹脂層102之間的黏合性或光吸收層103a與支撐基板62之間的黏合性下降，而成為容易進行剝離的狀態。
另外，從光吸收層103a釋放出的氣體的一部分有時停留在光吸收層103a中。因此，有時光吸收層103a變脆，而成為在光吸收層103a內容易發生分離的狀態。
另外，在作為光吸收層103a使用釋放氧的膜時，樹脂層102的一部分因被從光吸收層103a釋放出的氧氧化而變脆。由此，可以得到在樹脂層102與光吸收層103a之間的介面處容易進行剝離的狀態。
另外，根據與上述相同的理由，在與樹脂層102的開口重疊的區域中，光吸收層103a與絕緣層141之間的介面或光吸收層103b與支撐基板62之間的介面的黏合性下降，而成為容易進行剝離的狀態。或 者，有時光吸收層103b變脆而成為容易發生分離的狀態。
另一方面，未受光70照射的區域保持高黏合性。
在此，在將氧化物半導體膜用於光吸收層103a及半導體層112的情況下，作為光70，使用該氧化物半導體膜能夠吸收的波長的光。然而，電晶體110的下方配置有光吸收層103a和樹脂層101的疊層。此外，被充分進行加熱處理的樹脂層101有比氧化物半導體膜更容易吸收光的傾向，即使其厚度薄也能夠充分吸收光。因此，即使在光70中有不能被光吸收層103a完全吸收而透過的光，也被樹脂層101吸收，由此可以抑制該光到達半導體層112。其結果是，電晶體110的電特性幾乎不變。
接著，使支撐基板62與樹脂層102分離(圖14B1)。
藉由在將支撐基板61固定於載物台的狀態下對支撐基板62施加垂直方向的拉起力量，來可以進行分離。例如，藉由吸附支撐基板62的頂面的一部分並將其向上方拉起，來可以進行剝離。作為載物台，只要能夠固定支撐基板61就可以採用任何結構，例如既可以包括能夠進行真空吸附或靜電吸附等的吸附機構，又可以包括物理性地保持支撐基板61的機構。
另外，也可以將其表面具有黏合性的圓筒狀構件壓合到支撐基板62的頂面並使該圓筒狀構件旋轉來進行分離。此時，也可以在進行剝離的方向上移動載物台。
另外，當在樹脂層102的週邊部設置不受光70照射的區域時，可以在樹脂層102的被光照射的部分中的一部分形成缺口部，將其用作剝離起點。例如，藉由使用尖端銳利的刀或針狀構件或者藉由利用劃 線器同時切斷支撐基板61和樹脂層102的兩者，來可以形成上述缺口部。
圖14B1示出在光吸收層103a與樹脂層102之間的介面以及光吸收層103a與絕緣層141之間的介面產生剝離的例子。
此外，圖14B2示出作為光吸收層103的一部分的光吸收層103aa殘留在樹脂層102及絕緣層141的表面上的例子。例如，這相當於在光吸收層103a的內部產生分離(斷裂)的情況。另外，在光吸收層103a與支撐基板62之間的介面產生剝離的情況下，有時光吸收層103a的整體以與樹脂層102及絕緣層141接觸的方式殘留。
在如上所述那樣殘留有光吸收層103aa(或光吸收層103a)的情況下，較佳為去除該光吸收層。作為光吸收層103aa的去除方法，可以採用乾蝕刻法、濕蝕刻法或噴砂法等，尤其較佳為採用乾蝕刻法。另外，在去除光吸收層103aa的製程中，有時樹脂層102的一部分及絕緣層141的一部分因蝕刻而減薄。
另外，在將具有透光性的絕緣材料用於光吸收層103a的情況下，也可以留下殘留的光吸收層103aa。
[支撐基板63的分離]
接著，如圖15A所示，從顯示面板200的支撐基板63一側，經過支撐基板63將光70照射到光吸收層103b。
關於光70的照射方法，可以參照上述記載。
接著，使支撐基板63與樹脂層201分離(圖15B)。關於該分離製程，可以參照上述記載。圖15B示出在光吸收層103b與樹脂層201之 間的介面以及光吸收層103b與絕緣層231之間的介面發生分離的例子。
[顯示面板100與顯示面板200的貼合]
接著，如圖16A所示，使用黏合層50將顯示面板100的樹脂層102與顯示面板200的樹脂層201貼合在一起。關於黏合層50，可以參照上述黏合層151的記載。
重要的是，以樹脂層102的開口、樹脂層201的開口、樹脂層202的開口和發光元件120彼此重疊的方式將顯示面板100與顯示面板200貼合在一起。
此時，當顯示面板100與顯示面板200錯開時，有時來自發光元件120的光被顯示面板200的遮光性構件遮蔽。此外，有時樹脂層201或樹脂層202位於來自發光元件120的光的光路上。因此，較佳為在顯示面板100及顯示面板200上分別形成有位置對準用標記。此外，根據本製造方法的例子，在貼合製程的階段設置有支撐基板61和支撐基板64，因此與將撓性顯示面板彼此貼合的情況相比能夠提高位置對準的準確度，從而可以實現顯示裝置的高解析度化。例如，可以實現超過500ppi的解析度的顯示裝置。
[支撐基板61的分離]
接著，從支撐基板61一側，經過支撐基板61將光70(未圖示)照射到樹脂層101。關於光70(未圖示)的照射方法，可以參照上述記載。藉由光70的照射，樹脂層102的支撐基板61一側的表面附近或樹脂層102內部的一部分的性質被改變，由此支撐基板61與樹脂層102之間的黏合性下降。
然後，如圖16B所示，使支撐基板61與樹脂層101分離。
圖16B示出在支撐基板61一側殘留有樹脂層101的一部分的樹脂層101a的例子。根據光70的照射條件，有時在樹脂層101的內部發生分離(斷裂)而如上所述那樣殘留有樹脂層101a。或者，當樹脂層101的表面的一部分融化時，與上述同樣地，有時在支撐基板61一側殘留有樹脂層101a的一部分。此外，當在支撐基板61與樹脂層101之間的介面進行剝離時，有時在支撐基板61一側沒有殘留樹脂層101a。
殘留在支撐基板62一側的樹脂層102a的厚度例如可以為100nm以下，具體為40nm以上且70nm以下左右。藉由去除殘留的樹脂層102a，可以再次利用支撐基板62。例如，在將玻璃用於支撐基板且將聚醯亞胺樹脂用於樹脂層102的情況下，可以使用發煙硝酸等去除樹脂層102a。
可以在將支撐基板64固定於載物台等的狀態下進行分離。關於分離方法，可以參照上述記載。
[基板611的貼合]
接著，如圖17A所示，使用黏合層51將樹脂層101與基板611貼合在一起。
關於黏合層51，可以參照上述黏合層151的記載。
當作為基板611及後面說明的基板612使用樹脂材料時，與使用玻璃等的情況相比，即使是相同厚度，也可以實現顯示裝置的輕量化。此外，藉由使用薄到具有撓性的程度的材料，可以實現進一步的輕量化，所以是較佳的。另外，藉由使用樹脂材料，可以提高顯示裝置的抗衝擊性，從而可以實現不易碎裂的顯示裝置。
另外，由於基板611位於與觀看側相反的一側，所以不一定需要對可見光具有透過性。因此，也可以使用金屬材料。金屬材料具有高熱導率而容易將熱量傳至整個基板，由此可以抑制顯示裝置的局部溫度上升。
[支撐基板64的分離]
接著，從支撐基板64一側，經過支撐基板64將光70(未圖示)照射到光吸收層103c。然後，如圖17B所示，分離支撐基板64與樹脂層202。圖17B示出在光吸收層103c與樹脂層202之間的介面以及光吸收層103c與絕緣層204之間的介面產生剝離的例子。
關於光70(未圖示)的照射方法，可以參照上述記載。
可以在將基板611固定於載物台等的狀態下進行分離。關於分離方法，可以參照上述記載。
[基板612的貼合]
接著，使用黏合層52將樹脂層202與基板612貼合在一起。
關於黏合層52，可以參照上述黏合層151的記載。
由於基板611位於觀看側，所以可以使用對可見光具有透過性的材料。
藉由上述製程，可以製造圖10所示的結構的顯示裝置10。
[製造方法的例子的變形例子]
以下，對不使用光吸收層而形成具有開口的樹脂層的方法進行說 明。
注意，雖然在此以顯示面板100的樹脂層102為例子進行說明，但是也可以將相同的方法應用於顯示面板200所包括的樹脂層201及樹脂層202。
[變形例子1]
首先，如圖18A所示，形成具有凹部的樹脂層102。
首先，在支撐基板62上塗佈樹脂層102的材料，進行預烤處理。接著，使用光遮罩進行曝光。此時，藉由採用比在樹脂層102中形成開口時少的曝光量，可以在樹脂層102中形成凹部。例如，可以舉出如下方法：與在樹脂層102中形成開口時的曝光條件相比，以較短的曝光時間進行曝光、使用較弱的曝光強度或使曝光焦點錯開；或者將樹脂層102形成得較厚。
另外，當在樹脂層102中形成開口和凹部的兩者時，可以採用利用半色調遮罩或灰色調遮罩的曝光技術或利用兩個以上的光遮罩的多重曝光技術。
在如上述那樣進行曝光之後，進行顯影處理，來可以形成具有凹部的樹脂層102。然後，進行後烘處理。
接著，如圖18所示，形成覆蓋樹脂層102的頂面及凹部的絕緣層141。
圖18C是示出在將支撐基板61與支撐基板62貼合在一起之後照射光70的製程的圖。藉由照射光70，使樹脂層102與支撐基板62之間的黏合性下降。
圖18D是在剝離支撐基板62之後的狀態下的剖面示意圖。
然後，藉由以使絕緣層141的表面露出的方式對樹脂層102的表面一側的一部分進行蝕刻，如圖18E所示，可以形成具有開口的樹脂層102。作為蝕刻方法，例如採用在包含氧的氛圍下進行的電漿處理(灰化處理)，由此可以使其控制性得到提高而能夠進行均勻的蝕刻，所以是較佳的。
另外，也可以不對樹脂層102進行蝕刻，而保持圖18D所示的狀態。該結構也能夠抑制光的吸收而提高光提取效率，因為位於來自發光元件120的光的路徑上的樹脂層102的厚度比其他部分薄。
[變形例子2]
首先，如圖19A所示，在支撐基板62上形成樹脂層102b與具有開口的樹脂層102c的疊層。
樹脂層102b可以與上述樹脂層101同樣地形成。樹脂層102c可以與上述樹脂層102及樹脂層201等同樣地形成。
在此，較佳為對先形成的樹脂層102b進行充分的加熱處理，使其聚合。由此，即使將相同的材料用於樹脂層102b和樹脂層102c，也可以抑制在塗佈後面形成的樹脂層102c的材料時樹脂層102b溶解於樹脂層102c的材料所包含的溶劑中。
圖19B是示出在將支撐基板61與支撐基板62貼合在一起之後照射光70的製程的圖。藉由照射光70，使樹脂層102c與支撐基板62之間的黏合性下降。
圖19C是在剝離支撐基板62之後的狀態下的剖面示意圖。
然後，藉由以使絕緣層141的表面露出的方式對樹脂層102c進行蝕刻，如圖19D所示，可以形成具有開口的樹脂層102。作為蝕刻方法，例如採用在包含氧的氛圍下進行的電漿處理(灰化處理)，由此可以使其控制性得到提高而能夠進行均勻的蝕刻，所以是較佳的。
此外，當將相同的材料用於樹脂層102b和樹脂層102c時，可以實現材料及設備的共通化，所以可以提高生產率。另外，當將不同的材料用於這些樹脂層時，可以增大蝕刻速度的選擇比，所以可以擴大加工條件的彈性。
另外，也可以對樹脂層102b不進行蝕刻，而保持圖19C所示的狀態。該結構也能夠抑制光的吸收而提高光提取效率，因為位於來自發光元件120的光的路徑上的樹脂層102的厚度比其他部分薄。
以上是對製造方法的例子的變形例子的說明。
[結構例子的變形例子]
以下說明其一部分結構與圖10所示的結構例子不同的結構例子。
雖然圖10示出在位於來自發光元件120的光的路徑上的樹脂層中設置開口的結構，但是還可以在位於反射型液晶元件220的光的路徑上的樹脂層中設置開口。
圖20示出除了區域81之外還包括區域82的例子。區域82是與樹脂層202的開口及液晶元件220重疊的區域。
雖然圖20示出在樹脂層202中設置覆蓋發光元件120和液晶元件 220兩者的一個開口的例子，但是也可以分別設置與發光元件120重疊的開口及與液晶元件220重疊的開口。
雖然圖20示出顯示裝置10包括顯示面板100及顯示面板200的結構，但是如圖21所示那樣也可以不包括顯示面板200。藉由採用該結構，可以實現顯示裝置10的製程的簡化。
[關於電晶體]
圖10所示的顯示裝置是對電晶體110和電晶體210的兩者應用底閘極型結構電晶體的例子。
在電晶體110中，用作閘極電極的導電層111位於比半導體層112更靠近被形成面一側(樹脂層101一側)的位置。另外，絕緣層132覆蓋導電層111。另外，半導體層112覆蓋導電層111。半導體層112的與導電層111重疊的區域相當於通道形成區域。此外，導電層113a及導電層113b分別與半導體層112的頂面及側端部接觸。
另外，電晶體110示出半導體層112的寬度大於導電層111的寬度時的例子。當採用該結構時，半導體層112配置在導電層111與導電層113a或導電層113b之間，由此可以降低導電層111與導電層113a或導電層113b之間的寄生電容。
電晶體110是通道蝕刻型電晶體。縮小通道蝕刻型電晶體的佔有面積比較容易，因此其適用於高解析度的顯示裝置。
電晶體210具有與電晶體110相同的特徵。
在此，對能夠用於電晶體110及電晶體210的電晶體的結構例子進行說明。
圖22A所示的電晶體110a的與電晶體110不同之處在於包括導電層114及絕緣層136。導電層114設置在絕緣層133上並具有與半導體層112重疊的區域。另外，絕緣層136覆蓋導電層114及絕緣層133。
導電層114位於隔著半導體層112與導電層111相反一側。當將導電層111用作第一閘極電極時，可以將導電層114用作第二閘極電極。藉由對導電層111及導電層114施加相同的電位，可以提高電晶體110a的通態電流。此外，藉由對導電層111和導電層114中的一方施加用來控制臨界電壓的電位且對另一個導電層施加用來驅動的電位，可以控制電晶體110a的臨界電壓。
在此，作為導電層114，較佳為使用包含氧化物的導電材料。由此，在構成導電層114的導電膜的成膜時，藉由在包含氧的氛圍下進行成膜，可以對絕緣層133供應氧。較佳的是，沉積氣體中的氧氣體的比例為90%以上且100%以下。供應到絕緣層133中的氧藉由後面的熱處理被供應給半導體層112，由此可以實現半導體層112中的氧缺陷的降低。
尤其是，作為導電層114，較佳為使用低電阻化了的氧化物半導體。此時，較佳為使用向絕緣層136釋放氫的絕緣膜，例如氮化矽膜等。藉由在絕緣層136的成膜中或後面的熱處理，氫被供應給導電層114中，由此可以有效地降低導電層114的電阻。
圖22B所示的電晶體110b是頂閘極結構的電晶體。
在電晶體110b中，用作閘極電極的導電層111設置在半導體層112的上方(與被形成面一側相反的一側)。另外，在絕緣層131上形成有半導體層112。另外，在半導體層112上形成有絕緣層132及導電層 111的疊層。另外，絕緣層133覆蓋半導體層112的頂面及側端部、絕緣層133的側面以及導電層111。導電層113a及導電層113b設置在絕緣層133上。導電層113a及導電層113b藉由設置在絕緣層133中的開口與半導體層112的頂面電連接。
注意，雖然在此示出了絕緣層132不存在於不與導電層111重疊的部分中的例子，但是絕緣層132也可以覆蓋半導體層112的頂面及側端部。
在電晶體110b中，容易拉開導電層111與導電層113a或導電層113b之間的物理距離，由此可以降低這些導電層之間的寄生電容。
圖22C所示的電晶體110c的與電晶體110b不同之處在於包括導電層115及絕緣層137。導電層115設置在絕緣層131上並具有與半導體層112重疊的區域。另外，絕緣層137覆蓋導電層115及絕緣層131。
與上述導電層114同樣地，導電層115被用作第二閘極電極。因此，可以提高通態電流，並且可以控制臨界電壓。
在顯示裝置10中，也可以使用不同的電晶體構成顯示面板100所包括的電晶體及顯示面板200所包括的電晶體。其一個例子為如下：為了使較大的電流流過，作為與發光元件120電連接的電晶體採用電晶體110a或電晶體110c；為了減小電晶體所佔的面積，作為其他電晶體採用電晶體110。
作為一個例子，圖23示出採用電晶體110a和電晶體110c代替圖1中的電晶體210和電晶體110時的例子。
以上是對電晶體的說明。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中，說明本發明的一個實施方式的顯示裝置的更具體的例子。以下所述的顯示裝置包括反射型液晶元件及發光元件的兩種元件且能夠以透射模式和反射模式的兩種模式進行顯示。
[結構例子]
圖24A是示出顯示裝置400的結構的一個例子的方塊圖。顯示裝置400包括在顯示部362中排列為矩陣狀的多個像素410。另外，顯示裝置400包括電路GD及電路SD。此外，包括與在方向R上排列的多個像素410及電路GD電連接的多個佈線G1、多個佈線G2、多個佈線ANO及多個佈線CSCOM。此外，包括與在方向C上排列的多個像素410及電路SD電連接的多個佈線S1及多個佈線S2。
注意，雖然為了簡化在此示出了包括一個電路GD和一個電路SD的結構，但是也可以分別設置用來驅動液晶元件的電路GD和電路SD以及用來驅動發光元件的電路GD和電路SD。
像素410包括反射型液晶元件及發光元件。在像素410中，液晶元件及發光元件具有彼此重疊的部分。
圖24B1示出像素410所包括的電極311b的結構例子。電極311b被用作像素410中的液晶元件的反射電極。另外，在電極311b中設置有開口451。
在圖24B1中，以虛線示出位於與電極311b重疊的區域中的發光元件360。發光元件360與電極311b所包括的開口451重疊。由此，發光元件360所發射出的光藉由開口251射出到顯示面一側。
在圖24B1中，在方向R上相鄰的像素410是對應於不同的顏色的像素。此時，如圖24B1所示，較佳為在方向R上相鄰的兩個像素中開口451以不設置在一列上的方式設置於電極311b的不同位置上。由此，可以將兩個發光元件360分開地配置，從而可以抑制發光元件360所發射出的光入射到相鄰的像素410所包括的彩色層的現象(也稱為串擾)。另外，由於可以將相鄰的兩個發光元件360分開地配置，因此即使利用陰影遮罩等分別製造發光元件360的EL層，也可以實現高解析度的顯示裝置。
另外，也可以採用圖24B2所示的排列。
當開口451的總面積相對於非開口部的總面積的比例過大時，使用液晶元件的顯示會變暗。另外，當開口451的總面積相對於非開口部的總面積的比例過小時，使用發光元件360的顯示變暗。
另外，當設置於被用作反射電極的電極311b中的開口451的面積過小時，發光元件360所發射的光的提取效率變低。
開口451的形狀例如可以為多角形、四角形、橢圓形、圓形或十字狀等的形狀。另外，也可以為細長的條狀、狹縫狀、方格狀的形狀。另外，也可以以靠近相鄰的像素的方式配置開口451。較佳的是，將開口451配置為靠近顯示相同的顏色的其他像素。由此，可以抑制產生串擾。
[電路結構例子]
圖25是示出像素410的結構例子的電路圖。圖25示出相鄰的兩個像素410。
像素410包括開關SW1、電容元件C1、液晶元件340、開關SW2、電晶體M、電容元件C2以及發光元件360等。另外，佈線G1、佈線G2、佈線ANO、佈線CSCOM、佈線S1及佈線S2與像素410電連接。另外，圖25示出與液晶元件340電連接的佈線VCOM1以及與發光元件360電連接的佈線VCOM2。
圖25示出將電晶體用於開關SW1及開關SW2時的例子。
在開關SW1中，閘極與佈線G1連接，源極和汲極中的一個與佈線S1連接，源極和汲極中的另一個與電容元件C1的一個電極及液晶元件340的一個電極連接。在電容元件C1中，另一個電極與佈線CSCOM連接。在液晶元件340中，另一個電極與佈線VCOM1連接。
在開關SW2中，閘極與佈線G2連接，源極和汲極中的一個與佈線S2連接，源極和汲極中的另一個與電容元件C2的一個電極及電晶體M的閘極連接。在電容元件C2中，另一個電極與電晶體M的源極和汲極中的一個及佈線ANO連接。在電晶體M中，源極和汲極中的另一個與發光元件360的一個電極連接。在發光元件360中，另一個電極與佈線VCOM2連接。
圖25示出電晶體M包括夾著半導體的兩個互相連接著的閘極的例子。由此，可以提高電晶體M能夠流過的電流量。
可以對佈線G1供應將開關SW1控制為導通狀態或非導通狀態的信號。可以對佈線VCOM1供應規定的電位。可以對佈線S1供應控制液晶元件340所具有的液晶的配向狀態的信號。可以對佈線CSCOM供應規 定的電位。
可以對佈線G2供應將開關SW2控制為導通狀態或非導通狀態的信號。可以對佈線VCOM2及佈線ANO分別供應產生用來使發光元件360發光的電位差的電位。可以對佈線S2供應控制電晶體M的導通狀態的信號。
圖25所示的像素410例如在以反射模式進行顯示時，可以利用供應給佈線G1及佈線S1的信號驅動，並利用液晶元件340的光學調變而進行顯示。另外，在以透射模式進行顯示時，可以利用供應給佈線G2及佈線S2的信號驅動，並使發光元件360發光而進行顯示。另外，在以兩個模式驅動時，可以利用分別供應給佈線G1、佈線G2、佈線S1及佈線S2的信號而驅動。
注意，雖然圖25示出一個像素410包括一個液晶元件340及一個發光元件360的例子，但是不侷限於此。圖26A示出一個像素410包括一個液晶元件340及四個發光元件360(發光元件360r、360g、360b、360w)的例子。與圖25不同，圖26A所示的像素410可以利用一個像素進行全彩色顯示。
在圖26A中，除了圖25的結構例子之外，佈線G3及佈線S3與像素410連接。
在圖26A所示的例子中，例如作為四個發光元件360，可以使用分別呈現紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)的發光元件。另外，作為液晶元件340可以使用呈現白色的反射型液晶元件。由此，在以反射模式進行顯示時，可以進行高反射率的白色顯示。另外，在以透射模式進行顯示時，可以以低功耗進行高演色性的顯示。
另外，圖26B示出像素410的結構例子。像素410包括與電極311所包括的開口重疊的發光元件360w、配置在電極311周圍的發光元件360r、發光元件360g及發光元件360b。發光元件360r、發光元件360g及發光元件360b較佳為具有幾乎相同的發光面積。
[顯示裝置的結構例子]
圖27是本發明的一個實施方式的顯示裝置300的透視示意圖。顯示裝置300具有將基板351與基板361貼合在一起的結構。在圖27中，以虛線表示基板361。
顯示裝置300包括顯示部362、電路部364、佈線365、電路部366、佈線367等。在基板351上，例如設置有電路部364、佈線365、電路部366、佈線367以及被用作像素電極的電極311b等。圖27示出在基板351上安裝有IC373、FPC372、IC375及FPC374的例子。因此，也可以將圖27所示的結構稱為包括顯示裝置300、IC373、FPC372、IC375及FPC374的顯示模組。
作為電路部364，例如可以使用用作掃描線驅動電路的電路。
佈線365具有對顯示部及電路部364供應信號或電力的功能。該信號或電力從外部經由FPC372或者從IC373輸入到佈線365。
另外，圖27示出利用COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式等對基板351設置IC373的例子。作為IC373，例如可以應用用作掃描線驅動電路或信號線驅動電路等的IC。另外，當顯示裝置300具備用作掃描線驅動電路或信號線驅動電路的電路，或者將用作掃描線驅動電路或信號線驅動電路的電路設置在外部且藉由FPC372輸入用來驅動顯示裝置300的信號等時，也可以不設置IC373。另外，也可以利用COF(Chip On Film：薄膜覆晶封裝)方式等將IC373安裝於FPC372。
圖27示出顯示部362的一部分的放大圖。在顯示部362中以矩陣狀配置有多個顯示元件所包括的電極311b。電極311b具有反射可見光的功能且被用作液晶元件340的反射電極。
另外，如圖27所示，電極311b具有開口。此外，在比電極311b近於基板351一側設置有發光元件360。來自發光元件360的光經過電極311b的開口發射到基板361一側。
[剖面結構例子]
圖28示出將圖27所示的顯示裝置中的包括FPC372的區域的一部分、包括電路部364的區域的一部分、包括顯示部362的區域的一部分、包括電路部366的區域的一部分以及包括FPC374的區域的一部分分別切割時的剖面的一個例子。
圖28所示的顯示裝置具有層疊有顯示面板100及顯示面板200的結構。顯示面板100包括樹脂層101及樹脂層102。顯示面板200包括樹脂層201及樹脂層202。樹脂層102與樹脂層201由黏合層50黏合。樹脂層101由黏合層51與基板351黏合。樹脂層202由黏合層52與基板361黏合。
[顯示面板100]
顯示面板100包括樹脂層101、絕緣層478、多個電晶體、電容元件405、佈線407、絕緣層411、絕緣層412、絕緣層413、絕緣層414、絕緣層415、發光元件360、間隔體416、黏合層417、彩色層425、遮光層426、絕緣層476及樹脂層102。
樹脂層102在與發光元件360重疊的區域中具有開口。
電路部364包括電晶體401。顯示部362包括電晶體402及電晶體403。
各電晶體包括閘極、絕緣層411、半導體層、源極及汲極。閘極與半導體層隔著絕緣層411彼此重疊。絕緣層411的一部分具有閘極絕緣層的功能，其他一部分具有電容元件405的電介質的功能。用作電晶體402的源極或汲極的導電層還被用作電容元件405的一個電極。
圖28示出底閘極結構的電晶體。在電路部364和顯示部362中，電晶體的結構也可以彼此不同。在電路部364和顯示部362中，也可以分別包括多種電晶體。
電容元件405包括一對電極以及它們之間的電介質。電容元件405包括利用與電晶體的閘極相同的材料和相同的製程形成的導電層以及利用與電晶體的源極及汲極相同的材料和相同的製程形成的導電層。
絕緣層412、絕緣層413及絕緣層414分別覆蓋電晶體等。對覆蓋電晶體等的絕緣層的數量沒有特別的限制。絕緣層414具有平坦化層的功能。較佳為對絕緣層412、絕緣層413和絕緣層414中的至少一個使用水或氫等雜質不容易擴散的材料。由此，可以有效地抑制來自外部的雜質擴散到電晶體中，從而可以提高顯示裝置的可靠性。
在作為絕緣層414使用有機材料的情況下，有水分等雜質從顯示裝置的外部經過露出於顯示裝置的端部的絕緣層414侵入發光元件360等的擔憂。因雜質侵入導致的發光元件的劣化引起顯示裝置的劣化。因此，如圖28所示，絕緣層414較佳為不位於顯示裝置的端部。在圖28的結構中，由於使用有機材料的絕緣層不位於顯示裝置的端部，所以可以抑制雜質侵入到發光元件360中。
發光元件360包括電極421、EL層422及電極423。發光元件360也可以包括光學調整層424。發光元件360具有向彩色層425一側發射光的頂部發射結構。
藉由以與發光元件360的發光區域重疊的方式配置電晶體、電容元件及佈線等，可以提高顯示部362的開口率。
電極421和電極423中的一個被用作陽極，另一個被用作陰極。當對電極421與電極423之間施加高於發光元件360的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極一側而電子從陰極一側注入EL層422中。被注入的電子和電洞在EL層422中再結合，由此，包含在EL層422中的發光物質發光。
電極421電連接到電晶體403的源極或汲極。這些構件既可以直接連接，又可以藉由其他導電層彼此連接。電極421被用作像素電極，並設置在每個發光元件360中。相鄰的兩個電極421由絕緣層415電絕緣。
EL層422是包含發光性物質的層。
電極423被用作共用電極，並橫跨配置在多個發光元件360中。電極423被供應恆電位。
發光元件360隔著黏合層417與彩色層425重疊。間隔物416隔著黏合層417與遮光層426重疊。雖然圖28示出在電極423與遮光層426之間有間隙的情況，但是它們也可以彼此接觸。雖然圖28示出將間隔物416設置在基板471一側的結構，但是間隔物416也可以設置在基板472一側(例如，比遮光層426更靠近基板471的一側)。
藉由利用濾色片(彩色層425)與微腔結構(光學調整層424)的組合，可以從顯示裝置取出色純度高的光。根據各像素的顏色改變光學調整層424的厚度。
彩色層425是使特定波長區域的光透過的有色層。例如，可以使用使紅色、綠色、藍色或黃色的波長區域的光透過的濾色片等。
另外，本發明的一個實施方式不侷限於濾色片方式，也可以採用獨立顯色方式、顏色轉換方法或量子點方式等。
遮光層426設置在相鄰的彩色層425之間。遮光層426遮擋相鄰的發光元件404所發出的光，從而抑制相鄰的發光元件360之間的混色。這裡，藉由以其端部與遮光層426重疊的方式設置彩色層425，可以抑制漏光。作為遮光層426，可以使用遮擋發光元件360所發出的光的材料。另外，藉由將遮光層426設置於電路部364等顯示部362之外的區域中，可以抑制起因於導光等的非意圖的漏光，所以是較佳的。
在樹脂層101的一個表面上形成有絕緣層478。在絕緣層102的一個表面上形成有絕緣層476。作為絕緣層476及絕緣層478，較佳為使用防濕性高的膜。藉由將發光元件360及電晶體等配置於一對防濕性高的絕緣層之間，可以抑制水等雜質侵入這些元件，從而可以提高顯示裝置的可靠性，所以是較佳的。
作為防濕性高的絕緣膜，可以舉出氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮與矽的膜以及氮化鋁膜等含有氮與鋁的膜等。另外，也可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等。
例如，防濕性高的絕緣膜的水蒸氣透過量為1×10-5[g/(m2．day)]以 下，較佳為1×10-6[g/(m2．day)]以下，更佳為1×10-7[g/(m2．day)]以下，進一步較佳為1×10-8[g/(m2．day)]以下。
連接部406包括佈線365。佈線365可以使用與電晶體的源極及汲極相同的材料和相同的製程形成。連接部406與將來自外部的信號或電位傳達給電路部364的外部輸入端子電連接。在此示出作為外部輸入端子設置FPC372的例子。FPC372與連接部406藉由連接層419電連接。
作為連接層419，可以使用各種異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)及異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
以上是對顯示面板100的說明。
[顯示面板200]
顯示面板200是採用垂直電場方式的反射型液晶顯示裝置。
顯示面板200包括樹脂層201、絕緣層578、多個電晶體、電容元件505、佈線367、絕緣層511、絕緣層512、絕緣層513、絕緣層514、液晶元件340、配向膜564a、配向膜564b、黏合層517、絕緣層576及樹脂層202。
樹脂層201與樹脂層202隔著黏合層517貼合在一起。在由樹脂層201、樹脂層202及黏合層517圍繞的區域中密封有液晶563。偏光板599位於基板572外側的面上。
樹脂層201設置有與發光元件360重疊的開口。樹脂層202設置有與液晶元件340及發光元件360重疊的開口。
液晶元件340包括電極311b、電極562及液晶563。電極311b被用作像素電極。電極562被用作共用電極。藉由利用在電極311b與電極562之間產生的電場，可以控制液晶563的配向。在液晶563與電極311b之間設置有配向膜564a。在液晶563與電極562之間設置有配向膜564b。
在樹脂層202上，設置有絕緣層576、電極562及配向膜564b等。
在樹脂層201上，設置有電極311b、配向膜564a、電晶體501、電晶體503、電容元件505、連接部506及佈線367等。
在樹脂層201上，設置有絕緣層511、絕緣層512、絕緣層513、絕緣層514等的絕緣層。
在此，在電晶體503的源極和汲極中，不與電極311b電連接的導電層也可以被用作信號線的一部分。另外，用作電晶體503的閘極的導電層也可以被用作掃描線的一部分。
在圖28中，作為顯示部362的例子，示出沒有設置彩色層的結構。由此，液晶元件340是進行黑白灰階顯示的元件。
在圖28中，作為電路部366的例子，示出設置有電晶體501的結構例子。
覆蓋各電晶體的絕緣層512和絕緣層513中的至少一個較佳為使用水或氫等雜質不容易擴散的材料。
在絕緣層514上設置有電極311b。電極311b藉由形成在絕緣層 514、絕緣層513、絕緣層512等中的開口與電晶體503的源極和汲極中的一個電連接。另外，電極311b與電容元件505的一個電極電連接。
由於顯示面板200為反射型液晶顯示裝置，所以將反射可見光的導電材料用於電極311b，並且將使可見光透過的導電材料用於電極562。
作為使可見光透過的導電材料，例如較佳為使用包含選自銦(In)、鋅(Zn)、錫(Sn)中的一種的材料。明確而言，可以舉出氧化銦、銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、包含氧化矽的銦錫氧化物(ITSO)、氧化鋅、包含鎵的氧化鋅等。另外，也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以藉由還原形成為膜狀的氧化石墨烯而形成。
作為反射可見光的導電材料，例如可以舉出鋁、銀或包含這些金屬材料的合金等。此外，可以使用金、鉑、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述金屬材料或合金中添加有鑭、釹或鍺等。此外，也可以使用鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金、鋁、鎳和鑭的合金(Al-Ni-La)等包含鋁的合金(鋁合金)、銀和銅的合金、銀、鈀和銅的合金(Ag-Pd-Cu，也記為APC)或者銀和鎂的合金等包含銀的合金。
在此，作為偏光板599可以使用直線偏光板，也可以使用圓偏光板。作為圓偏光板，例如可以使用將直線偏光板和四分之一波相位差板層疊而成的偏光板。由此，可以抑制外光的反射。另外，藉由根據偏光板599的種類調整用於液晶元件340的液晶元件的單元間隙、配向及驅動電壓等，來實現所希望的對比度。
電極562在樹脂層202的端部附近藉由連接器543與設置在樹脂層201一側的導電層電連接。由此，可以從配置在樹脂層201一側的FPC374或IC等向電極562供應電位或信號。
作為連接器543，例如可以使用導電粒子。作為導電粒子，可以使用其表面被金屬材料覆蓋的有機樹脂或二氧化矽等的粒子。作為金屬材料，較佳為使用鎳或金，因為其可以降低接觸電阻。另外，較佳為使用如在鎳上還覆蓋有金等以層狀覆蓋有兩種以上的金屬材料的粒子。另外，作為連接器543，較佳為採用能夠彈性變形或塑性變形的材料。此時，有時導電粒子的連接器543成為圖28所示那樣的在縱向上被壓扁的形狀。藉由具有該形狀，可以增大連接器543與電連接於該連接器的導電層之間的接觸面積，從而可以降低接觸電阻並抑制接觸不良等問題發生。
連接器543較佳為以由黏合層517覆蓋的方式配置。例如，可以在塗佈成為黏合層517的膏料等之後配置連接器543。
在樹脂層201的端部附近的區域中設置有連接部506。連接部506藉由連接層519與FPC374電連接。在圖28所示的結構中，示出藉由層疊佈線367的一部分和對與電極311b同一導電膜進行加工而得到的導電層來構成連接部506的例子。
以上是對顯示面板200的說明。
[各組件]
下面，說明上述各組件。
[基板]
顯示面板所包括的基板可以使用具有平坦面的材料。作為提取來 自顯示元件的光的一側的基板，使用使該光透過的材料。例如，可以使用玻璃、石英、陶瓷、藍寶石或有機樹脂等的材料。
藉由使用厚度薄的基板，可以實現顯示面板的輕量化及薄型化。再者，藉由使用其厚度允許其具有撓性的基板，可以實現具有撓性的顯示面板。
不提取發光的一側的基板也可以不具有透光性，所以除了上述基板之外也可以使用金屬基板等。由於金屬基板的導熱性高，容易將熱傳導到基板整體，因此能夠抑制顯示面板的局部溫度上升，所以是較佳的。為了獲得撓性或彎曲性，較佳為將金屬基板的厚度設定為10μm以上且400μm以下，更佳為20μm以上且50μm以下。
對構成金屬基板的材料沒有特別的限制，例如，較佳為使用鋁、銅、鎳等的金屬、鋁合金或不鏽鋼等的合金等。
此外，也可以使用進行過使金屬基板的表面氧化或在其表面上形成絕緣膜等絕緣處理的基板。例如，既可以採用旋塗法或浸漬法等塗佈法、電沉積法、蒸鍍法或濺射法等的方法形成絕緣膜，又可以藉由在氧氛圍下放置或加熱基板或者採用陽極氧化法等的方法，在基板的表面形成氧化膜。
作為具有撓性及對可見光的透過性的材料，例如可以舉出如下材料：其厚度允許其具有撓性的玻璃、聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂或聚四氟乙烯(PTFE)樹脂等。尤其是，較佳為使用熱膨脹係數低的材料，例如較佳為使用熱膨脹係數為30×10-6/K以下的聚 醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂以及PET等。另外，也可以使用將有機樹脂浸滲於玻璃纖維中而成的基板或將無機填料混合到有機樹脂中來降低熱膨脹係數而成的基板。由於使用這種材料的基板的重量輕，所以使用該基板的顯示面板也可以實現輕量化。
當上述材料中含有纖維體時，作為纖維體使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維。明確而言，高強度纖維是指拉伸彈性模量或楊氏模量高的纖維。其典型例子為聚乙烯醇類纖維、聚酯類纖維、聚醯胺類纖維、聚乙烯類纖維、芳族聚醯胺類纖維、聚對苯撐苯并雙唑纖維、玻璃纖維或碳纖維。作為玻璃纖維可以舉出使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。可以將上述纖維體以織布或不織布的狀態使用，並且也可以使用在該纖維體中浸滲樹脂並使該樹脂固化而成的結構體作為具有撓性的基板。藉由作為具有撓性的基板使用由纖維體和樹脂構成的結構體，可以提高耐彎曲或局部擠壓所引起的破損的可靠性，所以是較佳的。
或者，可以將薄得足以具有撓性的玻璃、金屬等用於基板。或者，可以使用玻璃與樹脂材料由黏合層貼合在一起的複合材料。
另外，也可以在具有撓性的基板上層疊有保護顯示面板的表面免受損傷等的硬塗層(例如，氮化矽、氧化鋁等)、能夠分散按壓力的材質的層(例如，芳族聚醯胺樹脂層等)等。另外，為了抑制水分等導致顯示元件的使用壽命減少等，也可以在具有撓性的基板上層疊有低透水性的絕緣膜。例如，可以使用氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁等無機絕緣材料。
作為基板也可以使用層疊有多個層的基板。尤其是，藉由採用具有玻璃層的結構，可以提高對水或氧的阻擋性，從而可以提供可靠性高的顯示面板。
[電晶體]
電晶體包括用作閘極電極的導電層、半導體層、用作源極電極的導電層、用作汲極電極的導電層以及用作閘極絕緣層的絕緣層。上面示出採用底閘極結構電晶體的情況。
注意，對本發明的一個實施方式的顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用平面型電晶體、交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，還可以採用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。或者，也可以在通道的上下設置有閘極電極。
對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或具有結晶性的半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。當使用具有結晶性的半導體時可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。
另外，作為用於電晶體的半導體材料，可以使用氧化物半導體。典型的是，可以使用包含銦的氧化物半導體等。
尤其是，當使用能帶間隙比矽寬且載子密度比矽小的半導體材料時，可以降低電晶體的關態電流(off-state current)，所以是較佳的。
另外，使用其能帶間隙比矽寬的氧化物半導體的電晶體由於其關態電流低，因此能夠長期間保持儲存於與電晶體串聯連接的電容元件中的電荷。藉由將這種電晶體用於像素，可以在保持各像素的灰階的同時停止驅動電路。其結果是，可以實現功耗極小的顯示裝置。
例如，半導體層例如較佳為包括至少包含銦、鋅及M(鋁、鈦、鎵、 鍺、釔、鋯、鑭、鈰、錫、釹或鉿等金屬)的以“In-M-Zn類氧化物”表示的膜。另外，為了減少使用該氧化物半導體的電晶體的電特性不均勻，除了上述元素以外，較佳為還包含穩定劑(stabilizer)。
作為穩定劑，除了上述以M表示的金屬之外，例如還有鑭系元素的鐠、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鎦等。
作為構成半導體層的氧化物半導體，例如可以使用In-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Zn類氧化物、In-Hf-Zn類氧化物、In-La-Zn類氧化物、In-Ce-Zn類氧化物、In-Pr-Zn類氧化物、In-Nd-Zn類氧化物、In-Sm-Zn類氧化物、In-Eu-Zn類氧化物、In-Gd-Zn類氧化物、In-Tb-Zn類氧化物、In-Dy-Zn類氧化物、In-Ho-Zn類氧化物、In-Er-Zn類氧化物、In-Tm-Zn類氧化物、In-Yb-Zn類氧化物、In-Lu-Zn類氧化物、In-Sn-Ga-Zn類氧化物、In-Hf-Ga-Zn類氧化物、In-Al-Ga-Zn類氧化物、In-Sn-Al-Zn類氧化物、In-Sn-Hf-Zn類氧化物、In-Hf-Al-Zn類氧化物。
注意，在此In-Ga-Zn類氧化物是指作為主要成分具有In、Ga和Zn的氧化物，對In、Ga、Zn的比例沒有限制。此外，也可以包含In、Ga、Zn以外的金屬元素。
另外，半導體層和導電層也可以具有上述氧化物中的相同的金屬元素。藉由使半導體層和導電層具有相同的金屬元素，可以降低製造成本。例如，藉由使用由相同的金屬組成的金屬氧化物靶材，可以降低製造成本。另外，也可以共同使用對半導體層和導電層進行加工時的蝕刻氣體或蝕刻劑。然而，即使半導體層和導電層具有相同的金屬元素，有時其組成也互不相同。例如，在電晶體及電容元件的製程中，有時膜中的金屬元素脫離而成為不同的金屬組成。
構成半導體層的氧化物半導體的能隙較佳為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上。如此，藉由使用能隙寬的氧化物半導體，可以減少電晶體的關態電流。
當構成半導體層的氧化物半導體為In-M-Zn類氧化物時，較佳為用來形成In-M-Zn氧化物膜的濺射靶材的金屬元素的原子數比滿足In
M及Zn
M。這種濺射靶材的金屬元素的原子數比較佳為In：M：Zn=1：1：1、In：M：Zn=1：1：1.2、In：M：Zn=3：1：2、In：M：Zn=4：2：3、In：M：Zn=4：2：4.1、In：M：Zn=5：1：6、In：M：Zn=5：1：7、In：M：Zn=5：1：8等。注意，所形成的半導體層的原子數比分別可以在上述濺射靶材中的金屬元素的原子數比的±40%的範圍內變動。
本實施方式所示的底閘極結構的電晶體由於能夠減少製程，所以是較佳的。此外，此時藉由使用氧化物半導體，可以在比多晶矽低的溫度下形成氧化物半導體，並且作為半導體層下方的佈線或電極的材料及基板材料可以使用耐熱性低的材料，由此可以擴大材料的選擇範圍。例如，可以適當使用極大面積的玻璃基板等。
[導電層]
作為可用於電晶體的閘極、源極及汲極和構成顯示裝置的各種佈線及電極等導電層的材料，可以舉出鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等金屬或者以上述金屬為主要成分的合金等。另外，可以以單層或疊層結構使用包含這些材料的膜。例如，可以舉出包含矽的鋁膜的單層結構、在鈦膜上層疊鋁膜的兩層結構、在鎢膜上層疊鋁膜的兩層結構、在銅-鎂-鋁合金膜上層疊銅膜的兩層結構、在鈦膜上層疊銅膜的兩層結構、在鎢膜上層疊銅膜的兩層結構、依次層疊鈦膜或氮化鈦膜、鋁膜或銅膜以及鈦膜或氮化鈦膜的三層結構、以及依次層疊鉬膜或氮化鉬膜、鋁膜或銅膜以及鉬膜或氮化鉬膜的三層結構等。另外，可以使用氧化銦、氧化錫或氧化鋅等氧化物。另外，藉由 使用包含錳的銅，可以提高蝕刻時的形狀的控制性，所以是較佳的。
另外，作為透光性導電材料，可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物或石墨烯。或者，可以使用金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含該金屬材料的合金材料。或者，還可以使用該金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等。另外，當使用金屬材料、合金材料(或者它們的氮化物)時，可以將其形成得薄到具有透光性。此外，可以將上述材料的疊層膜用作導電層。例如，藉由使用銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等，可以提高導電性，所以是較佳的。上述材料也可以用於構成顯示裝置的各種佈線及電極等的導電層、顯示元件所包括的導電層(被用作像素電極及共用電極的導電層)。
[絕緣層]
作為可用於各絕緣層的絕緣材料，例如可以使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、環氧樹脂或矽酮樹脂等、無機絕緣材料諸如氧化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氮化矽或氧化鋁等。
另外，發光元件較佳為設置於一對透水性低的絕緣膜之間。由此，能夠抑制水等雜質進入發光元件，從而能夠抑制裝置的可靠性下降。
作為透水性低的絕緣膜，可以舉出氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮及矽的膜以及氮化鋁膜等含有氮及鋁的膜等。另外，也可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜以及氧化鋁膜等。
例如，透水性低的絕緣膜的水蒸氣透過量為1×10-5[g/(m2．day)]以下，較佳為1×10-6[g/(m2．day)]以下，更佳為1×10-7[g/(m2．day)]以下，進一步較佳為1×10-8[g/(m2．day)]以下。
[顯示元件]
作為位於顯示面一側的第一像素所包括的顯示元件，可以使用反射外光來進行顯示的元件。因為這種元件不包括光源，所以可以使顯示時的功耗為極小。作為第一像素所包括的顯示元件，可以典型地使用反射型液晶元件。或者，作為第一像素所包括的顯示元件，不僅可以使用快門方式的MEMS(Micro Electro Mechanical Systems：微機電系統)元件、光干涉方式的MEMS元件，而且還可以使用應用微囊方式、電泳方式、電潤濕方式、電子粉流體(註冊商標)方式等的元件。此外，作為第一像素所包括的顯示元件，也可以使用透過型液晶元件
此外，作為位於與顯示面相反一側的第二像素所包括的顯示元件，可以使用包括光源且利用來自該光源的光來進行顯示的元件。由於這種像素所發射的光的亮度及色度不受到外光的影響，因此這種像素可以進行色彩再現性高(色域寬)且對比度高的顯示，即可以進行鮮明的顯示。作為第二像素所包括的顯示元件，例如可以使用OLED(Organic Light Emitting Diode：有機發光二極體)、LED(Light Emitting Diode：發光二極體)、QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode：量子點發光二極體)等自發光性發光元件。另外，當作為第一像素所包括的顯示元件使用透過型液晶元件時，可以將第二像素所包括的顯示元件用作光源。
[液晶元件]
作為液晶元件，可以採用使用VA(Vertical Alignment：垂直配向)模式的元件。作為垂直配向模式，可以使用MVA(Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式、ASV(Advanced Super View：高級超視覺)模式等。
另外，作為液晶元件，可以採用使用各種模式的液晶元件。例如， 除了VA(Vertical Alignment：垂直配向)模式以外，可以使用TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching：平面切換)模式、FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場切換)模式；ASM(Axially Symmetric Aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶)模式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶)模式等的液晶元件。
另外，液晶元件是利用液晶的光學調變作用而控制光的透過或非透過的元件。液晶的光學調變作用由施加到液晶的電場(包括橫向電場、縱向電場或傾斜方向電場)控制。作為用於液晶元件的液晶可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC：Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散液晶)、鐵電液晶、反鐵電液晶等。這些液晶材料根據條件呈現出膽固醇相、層列相、立方相、手向列相、各向同性相等。
另外，作為液晶材料，可以使用正型液晶和負型液晶中的任一種，根據所適用的模式或設計可以採用適當的液晶材料。
另外，為了控制液晶的配向，可以設置配向膜。在採用橫向電場方式的情況下，也可以使用不使用配向膜的呈現藍相的液晶。藍相是液晶相的一種，是指當使膽固醇液晶的溫度上升時即將從膽固醇相轉變到均質相之前出現的相。因為藍相只在窄的溫度範圍內出現，所以將其中混合了幾wt%以上的手性試劑的液晶組合物用於液晶層，以擴大溫度範圍。包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物的回應速度快，並且其具有光學各向同性。此外，包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物不需要配向處理，並且視角依賴性小。另外，由於不需要設置配向膜而不需要摩擦處理，因此可以防止由於摩擦處理而 引起的靜電破壞，並可以降低製程中的液晶顯示裝置的不良及破損。
在本發明的一個實施方式中，尤其可以採用反射式液晶元件。
當採用反射式液晶元件時，將偏光板設置在顯示面一側。此外，當在顯示面一側還設置光擴散板時，可以提高可見度，所以是較佳的。
[發光元件]
發光元件可以使用能夠進行自發光的元件，並且在其範疇內包括由電流或電壓控制亮度的元件。例如，可以使用LED、QLED、有機EL元件以及無機EL元件等。
在本發明的一個實施方式中，尤其是，作為發光元件較佳為使用頂部發射型發光元件。作為提取光一側的電極使用使可見光透過的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
EL層至少包括發光層。作為發光層以外的層，EL層可以還包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。
EL層可以使用低分子化合物或高分子化合物，還可以包含無機化合物。構成EL層的層分別可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等方法形成。
當在陰極與陽極之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極一側注入到EL層中，而電子從陰極一側注入到EL層中。被注入的電子和電洞在EL層中再結合，由此，包含在EL層中的發光物 質發光。
當作為發光元件使用白色發光的發光元件時，較佳為使EL層包含兩種以上的發光物質。例如藉由以使兩個以上的發光物質的各發光處於互補色關係的方式選擇發光物質，可以獲得白色發光。例如，較佳為包含如下發光物質中的兩個以上：各呈現R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)、Y(黃色)、O(橙色)等發光的發光物質及呈現包含R、G、B中的兩種以上的顏色的光譜成分的發光的發光物質。另外，較佳為使用來自發光元件的發光的光譜在可見光區域的波長(例如350nm以上且750nm以下)的範圍內具有兩個以上的峰值的發光元件。另外，在黃色的波長範圍中具有峰值的材料的發射光譜較佳為在綠色及紅色的波長範圍具有光譜成分的材料。
EL層較佳為採用疊層結構，該疊層包括包含發射一種顏色的光的發光材料的發光層與包含發射其他顏色的光的發光材料的發光層。例如，EL層中的多個發光層既可以互相接觸而層疊，也可以隔著不包含任何發光材料的區域層疊。例如，可以在螢光發光層與磷光發光層之間設置如下區域：包含與該螢光發光層或磷光發光層相同的材料(例如主體材料、輔助材料)，並且不包含任何發光材料的區域。由此，發光元件的製造變得容易，另外，驅動電壓得到降低。
另外，發光元件既可以是包括一個EL層的單元件，又可以是隔著電荷產生層層疊有多個EL層的串聯元件。
另外，上述發光層以及包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電子傳輸性高的物質及電子注入性高的物質、雙極性物質等的層可以分別包含量子點等的無機化合物或高分子化合物(低聚物、枝狀聚合物或聚合物等)。例如，藉由將量子點用於發光層，也可以將其用作發光材料。
作為量子點材料，可以使用膠狀量子點材料、合金型量子點材料、核殼(Core Shell)型量子點材料、核型量子點材料等。另外，也可以使用包含第12族和第16族、第13族和第15族、第14族和第16族的元素組的材料。或者，可以使用包含鎘、硒、鋅、硫、磷、銦、碲、鉛、鎵、砷、鋁等元素的量子點材料。
作為使可見光透過的導電膜，例如可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等形成。另外，也可以藉由將金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含這些金屬材料的合金或這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等形成得薄到具有透光性來使用。此外，可以使用上述材料的疊層膜作為導電層。例如，當使用銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等時，可以提高導電性，所以是較佳的。另外，也可以使用石墨烯等。
作為反射可見光的導電膜，例如可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述金屬材料或合金中添加有鑭、釹或鍺等。此外，也可以使用包含鈦、鎳或釹與鋁的合金(鋁合金)。另外，也可以使用包含銅、鈀或鎂與銀的合金。包含銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。並且，藉由以與鋁膜或鋁合金膜接觸的方式層疊金屬膜或金屬氧化物膜，可以抑制氧化。作為這種金屬膜、金屬氧化物膜的材料，可以舉出鈦、氧化鈦等。另外，也可以層疊上述使可見光透過的導電膜與由金屬材料構成的膜。例如，可以使用銀與銦錫氧化物的疊層膜、銀和鎂的合金與銦錫氧化物的疊層膜等。
各電極可以藉由利用蒸鍍法或濺射法形成。除此之外，也可以藉由利用噴墨法等噴出法、網版印刷法等印刷法、或者鍍法形成。
[黏合層]
作為黏合層，可以使用紫外線硬化型黏合劑等光硬化型黏合劑、反應硬化型黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種硬化型黏合劑。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其是，較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。另外，也可以使用兩液混合型樹脂。此外，也可以使用黏合薄片等。
另外，在上述樹脂中也可以包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)那樣的藉由化學吸附吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當在樹脂中包含乾燥劑時，能夠抑制水分等雜質進入元件，從而提高顯示面板的可靠性，所以是較佳的。
此外，藉由在上述樹脂中混合折射率高的填料或光散射構件，可以提高光提取效率。例如，可以使用氧化鈦、氧化鋇、沸石、鋯等。
[連接層]
作為連接層，可以使用異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)、異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
[彩色層]
作為能夠用於彩色層的材料，可以舉出金屬材料、樹脂材料、包含顏料或染料的樹脂材料等。
[遮光層]
作為能夠用於遮光層的材料，可以舉出碳黑、鈦黑、金屬、金屬 氧化物或包含多個金屬氧化物的固溶體的複合氧化物等。遮光層也可以為包含樹脂材料的膜或包含金屬等無機材料的薄膜。另外，也可以對遮光層使用包含彩色層的材料的膜的疊層膜。例如，可以採用包含用於使某個顏色的光透過的彩色層的材料的膜與包含用於使其他顏色的光透過的彩色層的材料的膜的疊層結構。藉由使彩色層與遮光層的材料相同，除了可以使用相同的設備以外，還可以實現製程簡化，因此是較佳的。
以上是對各組件的說明。
[變形例子]
下面，對其一部分的結構與上述剖面結構例子中所示的顯示裝置不同的例子進行說明。在此省略與上述重複的部分的說明，只對不同點進行說明。
[剖面結構例子的變形例子1]
圖29的與圖28不同之處在於：電晶體及樹脂層202的結構；包括彩色層565、遮光層566及絕緣層567。
圖29所示的電晶體401、電晶體403及電晶體501包括第二閘極電極。如此，較佳為將包括一對閘極的電晶體用於設置在電路部364及電路部366中的電晶體以及用來流過控制發光元件360的電流的電晶體。
樹脂層202分別設置有與液晶元件340重疊的開口及與發光元件360重疊的開口。由此，可以提高液晶元件340的反射率。
另外，絕緣層576的液晶元件340一側的表面上設置有遮光層566及彩色層565。彩色層565與液晶元件340重疊。由此，顯示面板200 能夠進行彩色顯示。此外，遮光層566包括與液晶元件340重疊的開口及與發光元件360重疊的開口。由此，可以抑制相鄰像素間的混色，而可以實現顏色再現性高的顯示裝置。
[剖面結構例子的變形例子2]
圖30示出對各電晶體採用頂閘極型電晶體時的例子。如此，藉由採用頂閘極型電晶體，可以降低寄生電容，因此可以提高顯示時的圖框頻率。另外，例如可以將其適用於8英寸以上的大型顯示面板。
[剖面結構例子的變形例子3]
圖31示出對各電晶體採用包括第二閘極電極的頂閘極型電晶體時的例子。
各電晶體以與樹脂層101或樹脂層201上接觸的方式包括導電層591。另外，以覆蓋導電層591的方式設置有絕緣層578。
另外，在顯示面板200的連接部506中，樹脂層201的一部分形成有開口，並且以填充該開口的方式設置有導電層592。導電層592的背面一側(顯示面板100一側)的表面是露出的。導電層592與佈線367電連接。FPC374藉由連接層519與導電層592的露出的表面電連接。導電層592可以藉由對與導電層591相同的導電膜進行加工而形成。導電膜592具有也可被稱為背面電極的電極的功能。
上述結構可以藉由將感光性有機樹脂用於樹脂層201而得到。例如，當在支撐基板上形成樹脂層201時，在樹脂層201中形成開口，並以填充該開口的方式形成導電層592。然後，在將樹脂層201與支撐基板剝離時，將導電層592與支撐基板一起剝離，由此可以形成圖31所示那樣的導電層592。例如，可以採用：利用光吸收層的方法；或者在形成具有凹部的樹脂層或具有兩層結構的樹脂層之後，以使導電層 592的背面露出的方式對樹脂層的一部分進行蝕刻的方法；等。
藉由採用該結構，可以將與位於顯示面一側的顯示面板200連接的FPC374配置於與顯示面相反的一側。由此，當對電子裝置組裝顯示裝置時，可以省略使FPC374彎曲時需要的空間，從而可以實現更小型的電子裝置。
以上是對變形例子的說明。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式5
以下，對可用於本發明的一個實施方式所公開的電晶體中的CAC(Cloud Aligned Composete)-OS的構成進行說明。
CAC-OS例如是指構成氧化物半導體的元素以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸不均勻地分佈的材料的一種構成。注意，在下面也將在氧化物半導體中一個或多個金屬元素不均勻地分佈且包含該金屬元素的區域以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸混合的狀態稱為馬賽克(mosaic)狀或補丁(patch)狀。
氧化物半導體較佳為至少包含銦。尤其是，較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含選自鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種。
例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中，尤其可以將In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-IGZO)是指材料分成銦氧化物(以下，稱為InOX1(X1為大於0的實數))或銦鋅氧化物(以下，稱為InX2ZnY2OZ2(X2、Y2及Z2為大於0的實數))以及鎵氧化物(以下，稱為GaOX3(X3為大於0的實數))或鎵鋅氧化物(以下，稱為GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4及Z4為大於0的實數))等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InOX1或InX2ZnY2OZ2均勻地分佈在膜中的構成(以下，也稱為雲狀)。
換言之，CAC-OS是具有以GaOX3為主要成分的區域和以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域混在一起的構成的複合氧化物半導體。在本說明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子個數比大於第二區域的In與元素M的原子個數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。
注意，IGZO是通稱，有時是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作為典型例子，可以舉出以InGaO3(ZnO)m1(m1為自然數)或In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1
x0
1，m0為任意數)表示的結晶性化合物。
上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC(C-Axis Aligned Crystalline)結構。CAAC結構是多個IGZO的奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶結構。
另一方面，CAC-OS與氧化物半導體的材料構成有關。CAC-OS是指如下構成：在包含In、Ga、Zn及O的材料構成中，一部分中觀察到以Ga為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域分別以馬賽克狀無規律地分散。因此，在CAC-OS中，結晶結構是次要因素。
CAC-OS不包含組成不同的二種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層構成的結 構。
注意，有時觀察不到以GaOX3為主要成分的區域與以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域之間的明確的邊界。
在CAC-OS中包含選自鋁、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下構成：一部分中觀察到以該元素為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域以馬賽克狀無規律地分散。
CAC-OS例如可以藉由在對基板不進行意圖性的加熱的條件下利用濺射法來形成。在利用濺射法形成CAC-OS的情況下，作為沉積氣體，可以使用選自稀有氣體(典型的是氬)、氧氣體和氮氣體中的一種或多種。另外，成膜時的沉積氣體的總流量中的氧氣體的流量比越低越好，例如，將氧氣體的流量比設定為0%以上且低於30%，較佳為0%以上且10%以下。
CAC-OS具有如下特徵：藉由根據X射線繞射(XRD：X-ray diffraction)測定法之一的out-of-plane法利用θ/2θ掃描進行測定時，觀察不到明確的峰值。也就是說，根據X射線繞射，可知在測定區域中沒有a-b面方向及c軸方向上的配向。
另外，在藉由照射束徑為1nm的電子束(也稱為奈米束)而取得的CAC-OS的電子繞射圖案中，觀察到環狀的亮度高的區域以及在該環狀區域內的多個亮點。由此，根據電子繞射圖案，可知CAC-OS的結晶結構具有在平面方向及剖面方向上沒有配向的nc(nano-crystal)結構。
另外，例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根據藉由能量色散 型X射線分析法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得的EDX面分析影像，可確認到：具有以GaOX3為主要成分的區域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域不均勻地分佈而混合的構成。
CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，CAC-OS具有以GaOX3等為主要成分的區域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域互相分離且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構成。
在此，以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域的導電性高於以GaOX3等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域時，呈現氧化物半導體的導電性。因此，當以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域在氧化物半導體中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率(μ)。
另一方面，以GaOX3等為主要成分的區域的絕緣性高於以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域。換言之，當以GaOX3等為主要成分的區域在氧化物半導體中分佈時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換工作。
因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，藉由起因於GaOX3等的絕緣性及起因於InX2ZnY2OZ2或InOX1的導電性的互補作用可以實現高通態電流(Ion)及高場效移動率(μ)。
另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適用於顯示器等各種半導體裝置。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式5
在本實施方式中，說明可以使用本發明的一個實施方式製造的顯示模組。
圖32所示的顯示模組8000在上蓋8001與下蓋8002之間包括連接於FPC8003的觸控面板8004、連接於FPC8005的顯示面板8006、框架8009、印刷電路板8010及電池8011。
可以將使用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置例如用於顯示面板8006。由此，可以以高的顯示品質顯示低亮度的影像。
上蓋8001及下蓋8002可以根據觸控面板8004及顯示面板8006的尺寸適當地改變其形狀或尺寸。
作為觸控面板8004，可以使用重疊於顯示面板8006的電阻膜式觸控面板或靜電容量式觸控面板。此外，也可以不設置觸控面板8004而使顯示面板8006具有觸控面板的功能。
框架8009除了具有保護顯示面板8006的功能以外還具有用來遮斷因印刷電路板8010的工作而產生的電磁波的電磁屏蔽的功能。此外，框架8009也可以具有散熱板的功能。
印刷電路板8010包括電源電路以及用來輸出視訊信號及時脈信號的信號處理電路。作為對電源電路供應電力的電源，既可以使用外部的商業電源，又可以使用另行設置的電池8011的電源。當使用商業電源時，可以省略電池8011。
此外，在顯示模組8000中還可以設置偏光板、相位差板、稜鏡片 等構件。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式6
在本實施方式中，說明能夠適用本發明的一個實施方式的顯示裝置的電子裝置。
圖33A和圖33B示出可攜式資訊終端800的一個例子。可攜式資訊終端800包括外殼801、外殼802、顯示部803、顯示部804及鉸鏈部805等。藉由將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於可攜式資訊終端800，可以以高的顯示品質顯示低亮度的影像。
外殼801與外殼802藉由鉸鏈部805連接在一起。可攜式資訊終端800可以從圖33A所示的折疊狀態轉換成圖33B所示的外殼801和外殼802展開的狀態。
例如，可攜式資訊終端800可以在顯示部803及顯示部804上顯示文件資訊，由此可以被用作電子書閱讀器終端。此外，也可以在顯示部803及顯示部804上顯示靜態影像或動態影像。
如此，當攜帶時可以使可攜式資訊終端800為折疊狀態，因此通用性優越。
另外，在外殼801和外殼802中，也可以包括電源按鈕、操作按鈕、外部連接埠、揚聲器、麥克風等。
圖33C示出可攜式資訊終端的一個例子。圖33C所示的可攜式資訊終端810包括外殼811、顯示部812、操作按鈕813、外部連接埠814、揚聲器815、麥克風816、照相機817等。藉由將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於可攜式資訊終端810，可以以高的顯示品質顯示低亮度的影像。
在可攜式資訊終端810中，在顯示部812中具備觸控感測器。藉由用手指或觸控筆等觸摸顯示部812可以進行打電話或輸入文字等各種操作。
此外，藉由操作按鈕813的操作，可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部812上的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
另外，藉由在可攜式資訊終端810內部設置陀螺儀感測器或加速度感測器等檢測裝置，可以判斷可攜式資訊終端810的方向(縱向或橫向)，而對顯示部812的螢幕顯示方向進行自動切換。此外，螢幕顯示的切換也可以藉由觸摸顯示部812、操作操作按鈕813或者使用麥克風816輸入聲音來進行。
可攜式資訊終端810例如具有選自電話機、筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種功能。明確地說，可攜式資訊終端810可以被用作智慧手機。可攜式資訊終端810例如可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、動畫播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。
圖33B示出照相機的一個例子。照相機820包括外殼821、顯示部822、操作按鈕823、快門按鈕824等。另外，照相機820安裝有可裝卸的鏡頭826。藉由將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於照相機 820，可以以高的顯示品質顯示低亮度的影像。
在此，雖然照相機820具有能夠從外殼821拆卸下鏡頭826而交換的結構，但是鏡頭826和外殼也可以被形成為一體。
藉由按下快門按鈕824，照相機820可以拍攝靜態影像或動態影像。另外，也可以使顯示部822具有觸控面板的功能，藉由觸摸顯示部822可以進行攝像。
另外，照相機820還可以具備另外安裝的閃光燈裝置及取景器等。此外，這些構件也可以組裝在外殼821中。
本實施方式的至少一部分可以與本說明書所記載的其他實施方式適當地組合而實施。
10‧‧‧顯示裝置
11‧‧‧算術電路
12‧‧‧數位資料轉換電路
13‧‧‧輸入信號生成電路
14‧‧‧D/A轉換電路
15‧‧‧顯示部
Claims (12)
- 一種顯示裝置，包括：第一電路；第二電路；第三電路；第四電路；以及顯示部，其中，該第一電路具有生成第一顯示資料的功能，該第一顯示資料是具有與該顯示部所顯示的影像的亮度有關的資訊的數位資料，該第二電路具有生成第二顯示資料的功能，該第二顯示資料是根據轉換式對該第一顯示資料的數位值進行轉換而得到的數位資料，該第三電路具有生成第一類比信號及第二類比信號的功能，該第一類比信號及該第二類比信號具有根據該第一顯示資料的數位值而算出的電位，該第一類比信號的電位低於該第二類比信號的電位，該第四電路具有將該第二顯示資料轉換為第三顯示資料的功能，該第三顯示資料是類比資料，該第三顯示資料的電位根據該第一類比信號的電位、該第二類比信號的電位及該第二顯示資料的數位值而算出，該第三顯示資料的電位為該第一類比信號的電位以上且該第二類比信號的電位以下，並且，該顯示部具有顯示與該第三顯示資料的電位相對應的亮度的影像的功能。
- 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，該第二電路具有根據該第一顯示資料的數位值算出該轉換式的係數的功能。
- 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，還包括：第五電路，其中，該第五電路具有保持該轉換式的功能，並且，該第二電路具有從該第五電路讀出該轉換式的功能。
- 根據申請專利範圍第2項之顯示裝置，還包括： 第五電路，其中，該第五電路具有保持該轉換式的功能，該第五電路具有保持由該第二電路算出的該係數的功能，該第二電路具有從該第五電路讀出該轉換式的功能，並且，該第二電路具有從該第五電路讀出該係數的功能。
- 根據申請專利範圍第3或4項之顯示裝置，其中，該第五電路具有保持該第一類比信號的電位的功能，該第五電路具有保持該第二類比信號的電位的功能，該第三電路具有從該第五電路讀出該第一類比信號的電位的功能，並且，該第三電路具有從該第五電路讀出該第二類比信號的電位的功能。
- 根據申請專利範圍第4項之顯示裝置，其中，該第二電路具有判定該第二顯示資料是否溢出的功能，並且，當該第二顯示資料溢出時，該第二電路對該第五電路所保持的該係數進行改寫。
- 根據申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中，該第二電路具有判定該第二顯示資料是否溢出的功能，並且，當該第二顯示資料溢出時，該第三電路對該第五電路所保持的該第一類比信號的電位及該第二類比信號的電位進行改寫。
- 根據申請專利範圍第3或4項之顯示裝置，其中，該第五電路包括電晶體，該電晶體在通道形成區域中包含氧化物半導體，並且，該氧化物半導體包含In、Zn和M(M為Al、Ga、Y或Sn)。
- 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，還包括：第六電路，其中，該第六電路具有檢測外光照度的功能，並且，該顯示部所顯示的影像的亮度與該外光照度相對應。
- 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中，該顯示部包括顯示元件， 並且，該顯示元件包括發光層。
- 一種包括顯示部的顯示裝置的工作方法，包括如下步驟：在第一步驟中，生成第一顯示資料，其中，該第一顯示資料是具有與該顯示部所顯示的影像的亮度有關的資訊的數位資料，在第二步驟中，生成第二顯示資料，其中，該第二顯示資料是根據轉換式對該第一顯示資料的數位值進行轉換來生成的數位資料，在第三步驟中，生成第一類比信號及第二類比信號，該第一類比信號及該第二類比信號具有根據該第一顯示資料的數位值而算出的電位，其中，該第一類比信號的電位低於該第二類比信號的電位，在第四步驟中，將該第二顯示資料轉換為第三顯示資料，其中，該第三顯示資料是類比資料，該第三顯示資料的電位根據該第一類比信號的電位、該第二類比信號的電位及該第二顯示資料的數位值而算出，並且，該第三顯示資料的電位為該第一類比信號的電位以上且該第二類比信號的電位以下，在第五步驟中，該顯示部顯示與該第三顯示資料的電位相對應的亮度的影像。
- 根據申請專利範圍第11項之顯示裝置的工作方法，其中，在該第一步驟結束後，在第六步驟中，根據該第一顯示資料的數位值算出該轉換式的係數。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2016-129965 | 2016-06-30 | ||
| JP2016129965 | 2016-06-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201812738A TW201812738A (zh) | 2018-04-01 |
| TWI718208B true TWI718208B (zh) | 2021-02-11 |
Family
ID=60807095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW105137934A TWI718208B (zh) | 2016-06-30 | 2016-11-18 | 顯示裝置及其工作方法以及電子裝置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10515609B2 (zh) |
| JP (1) | JP7017327B2 (zh) |
| TW (1) | TWI718208B (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6890003B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2021-06-18 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN108520718B (zh) * | 2018-04-18 | 2019-12-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置的像素数据补偿方法及装置、显示装置 |
| CN112970053A (zh) * | 2018-11-02 | 2021-06-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示模块及电子设备 |
| KR102599722B1 (ko) * | 2018-12-28 | 2023-11-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 타일드 표시 장치 |
| TWI703372B (zh) * | 2019-05-15 | 2020-09-01 | 友達光電股份有限公司 | 光感測電路、光感測電路的驅動方法以及顯示面板 |
| TWI742519B (zh) * | 2019-07-26 | 2021-10-11 | 友達光電股份有限公司 | 可撓性顯示裝置及其製造方法 |
| TWI720883B (zh) * | 2020-04-30 | 2021-03-01 | 明基材料股份有限公司 | 電激發光顯示器 |
| CN111883546A (zh) * | 2020-09-04 | 2020-11-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| US11830881B2 (en) | 2020-09-04 | 2023-11-28 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1979616A (zh) * | 2005-12-08 | 2007-06-13 | 三星Sdi株式会社 | 数据驱动器及其有机发光显示设备的驱动方法 |
| TWI383360B (zh) * | 2006-06-30 | 2013-01-21 | Himax Tech Ltd | 低功率液晶顯示器源極驅動器 |
| US20140055505A1 (en) * | 2012-08-27 | 2014-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus and control method thereof |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06350943A (ja) * | 1993-06-10 | 1994-12-22 | Fujitsu General Ltd | 画像処理回路 |
| GB2333408A (en) * | 1998-01-17 | 1999-07-21 | Sharp Kk | Non-linear digital-to-analog converter |
| JP2000338922A (ja) * | 1999-03-25 | 2000-12-08 | Victor Co Of Japan Ltd | 映像処理装置 |
| DE10038064B4 (de) * | 2000-08-04 | 2005-02-03 | Deutsche Thomson-Brandt Gmbh | Schaltung mit kombiniertem Signal- und Umgebungslichtsensor |
| JP4051936B2 (ja) * | 2001-01-22 | 2008-02-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| SG118118A1 (en) | 2001-02-22 | 2006-01-27 | Semiconductor Energy Lab | Organic light emitting device and display using the same |
| JP2004138831A (ja) * | 2002-10-17 | 2004-05-13 | Kodak Kk | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP4617076B2 (ja) * | 2003-10-29 | 2011-01-19 | シャープ株式会社 | 表示補正回路及び表示装置 |
| KR100696693B1 (ko) * | 2005-04-13 | 2007-03-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| EP3614442A3 (en) | 2005-09-29 | 2020-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufactoring method thereof |
| JP2007219034A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 自発光表示装置 |
| JP2007232882A (ja) | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及び電子機器 |
| EP1845514B1 (en) | 2006-04-14 | 2013-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for driving the same |
| JP4966075B2 (ja) | 2006-04-14 | 2012-07-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| KR101823852B1 (ko) | 2009-09-16 | 2018-03-14 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 트랜지스터 및 표시 장치 |
| KR102321565B1 (ko) | 2009-09-24 | 2021-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막 및 반도체 장치 |
| US20110074803A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Louis Joseph Kerofsky | Methods and Systems for Ambient-Illumination-Selective Display Backlight Modification and Image Enhancement |
| KR102426613B1 (ko) | 2009-11-28 | 2022-07-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
| WO2011099376A1 (en) | 2010-02-12 | 2011-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| US9349325B2 (en) | 2010-04-28 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
| WO2012004920A1 (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-12 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタメモリ及びそれを備えた表示装置 |
| US9036099B2 (en) | 2011-02-14 | 2015-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device including the same |
| JP5607815B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2014-10-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | デジタルアナログ変換回路及び表示装置のデータドライバ |
| US9348362B2 (en) | 2013-02-08 | 2016-05-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible portable terminal |
| US20160042696A1 (en) | 2014-08-08 | 2016-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, data processing device, program |
| US9710013B2 (en) | 2014-08-08 | 2017-07-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display panel, data processing device, program |
| JP2016038581A (ja) | 2014-08-08 | 2016-03-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置および表示装置の駆動方法 |
-
2016
- 2016-11-18 TW TW105137934A patent/TWI718208B/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-06-22 US US15/629,831 patent/US10515609B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-06-28 JP JP2017125726A patent/JP7017327B2/ja active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1979616A (zh) * | 2005-12-08 | 2007-06-13 | 三星Sdi株式会社 | 数据驱动器及其有机发光显示设备的驱动方法 |
| TWI383360B (zh) * | 2006-06-30 | 2013-01-21 | Himax Tech Ltd | 低功率液晶顯示器源極驅動器 |
| US20140055505A1 (en) * | 2012-08-27 | 2014-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus and control method thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201812738A (zh) | 2018-04-01 |
| US20180005600A1 (en) | 2018-01-04 |
| JP7017327B2 (ja) | 2022-02-08 |
| US10515609B2 (en) | 2019-12-24 |
| JP2018010291A (ja) | 2018-01-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI718208B (zh) | 顯示裝置及其工作方法以及電子裝置 | |
| JP6863803B2 (ja) | 表示装置 | |
| US11550181B2 (en) | Display device and electronic device | |
| US11881177B2 (en) | Display device and electronic device | |
| US10345670B2 (en) | Display device including light-emitting element and light-condensing means | |
| US10460647B2 (en) | Display device and electronic device | |
| US20180033362A1 (en) | Display method, display device, electronic device, non-temporary memory medium, and program | |
| US20180033399A1 (en) | Electronic device and driving method thereof | |
| US10541375B2 (en) | Display device and electronic device | |
| JP6702781B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP6930864B2 (ja) | 表示装置 | |
| KR102446134B1 (ko) | 반도체 장치, 표시 시스템, 및 전자 기기 | |
| JP2017207701A (ja) | 表示装置 | |
| JP2018054901A (ja) | 表示システムおよび電子機器 | |
| WO2017195067A1 (ja) | 表示装置 | |
| JP2020144391A (ja) | 表示装置 | |
| JP2017227794A (ja) | 表示装置およびその動作方法、ならびに電子機器 | |
| JP2018036584A (ja) | 表示装置 | |
| JP2018036583A (ja) | 表示装置 | |
| JP2018010126A (ja) | 表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |