CN102832356B - Oled封装结构及其制造方法、发光器件 - Google Patents

Oled封装结构及其制造方法、发光器件 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种OLED封装结构及其制造方法、发光器件。该OLED封装结构包括：衬底基板、OLED、阻隔层和光学调制层，所述OLED形成于所述衬底基板上，所述阻隔层和所述光学调制层交替形成于所述OLED之上。本发明提供的OLED封装结构及其制造方法的技术方案中，阻隔层和光学调制层交替形成于OLED之上，光学调制层增强了OLED的散射出光能力并改变了部分光线的传播方向，从而降低了OLED因微腔效应引起的观测角度依赖性。

Description

OLED封装结构及其制造方法、发光器件
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示器制造领域，特别涉及一种OLED封装结构及其制造方法，以及发光器件。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，以下简称：OLED)因具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点，而被称之为第三代梦幻显示技术。目前，在全球厂商持续资金投入与技术研发的推动下，OLED平板显示技术正趋向于量产技术日益成熟与市场需求高速增长阶段。
OLED按照出光方向可以分为三种，即：底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED。底发射OLED是指光从基板射出的OLED，双面发射OLED是指光同时从基板和器件顶部射出的OLED，顶发射OLED是指光从器件顶部射出的OLED。其中，顶发射OLED由于不受基板是否透光的影响，可有效提高显示面板的开口率，拓展了基板上TFT电路的设计，丰富了电极材料的选择，有利于器件与TFT电路的集成。由于OLED对水汽和氧气非常敏感，渗入OLED内的水汽和氧气会腐蚀有机功能层及电极材料，严重影响器件寿命，因此为了延长器件寿命以及提高器件稳定性，需要对OLED进行封装处理以形成OLED封装结构，具体地，可在OLED上形成一阻隔层，该阻隔层可包括无机绝缘层和有机绝缘层，从而达到避免水汽和氧气渗入OLED的目的。
顶发射OLED可以提高器件效率、窄化光谱和提高色纯度，但往往具有微腔效应。微腔效应会使OLED的电致发光光谱随观测角度变化，导致OLED出现观测角度依赖性问题。
发明内容
本发明提供一种OLED封装结构及其制造方法、发光器件，用以降低OLED因微腔效应引起的观测角度依赖性。
为实现上述目的，本发明提供了一种OLED封装结构，包括：衬底基板、OLED、阻隔层和光学调制层，所述OLED形成于所述衬底基板上，所述阻隔层和所述光学调制层交替形成于所述OLED之上。
可选地，所述阻隔层和所述光学调制层按照交替周期数交替形成于所述OLED之上，且在每个交替周期内所述光学调制层位于所述阻隔层之上。
可选地，所述交替周期数为大于或等于1且小于或等于10的正整数。
可选地，所述光学调制层包括：网格层和位于所述网格层之上的填充层。
可选地，所述网格层由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成，所述金属包括：银、铝或者银铝混合物，所述介质包括：二氧化硅或者氟化镁。
可选地，所述填充层由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成，所述填充层的材料包括：二氧化钛、三氧化二铝、氧化锌、氧化镁或者氧化锆。
可选地，所述OLED包括：顶发射OLED或者双面发射OLED。
为实现上述目的，本发明提供了一种OLED封装结构的制造方法，包括：
在衬底基板上形成OLED；
在所述OLED上交替形成阻隔层和光学调制层。
可选地，所述在所述OLED上交替形成阻隔层和光学调制层包括：
在所述OLED上按照交替周期数交替形成所述阻隔层和所述光学调制层，且在每个交替周期内所述光学调制层位于所述阻隔层之上。
可选地，所述在所述OLED上按照交替周期数交替形成阻隔层和光学调制层包括：
形成所述阻隔层；
在所述阻隔层上形成所述光学调制层；
重复执行n-1次所述形成所述阻隔层的步骤和所述在所述阻隔层上形成所述光学调制层的步骤，其中，n为所述交替周期数，n为大于1的正整数。
可选地，所述光学调制层包括：网格层和位于所述网格层之上的填充层；所述在所述阻隔层上形成所述光学调制层包括：
在所述阻隔层上形成网格层；
在所述网格层上形成所述填充层。
可选地，所述网格层由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成，所述在所述阻隔层上形成网格层包括：
以设定入射角度，通过电子束蒸发的方式在所述隔离层上形成依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜。
可选地，所述设定入射角度大于85°且小于90°。
可选地，所述填充层由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成，所述在所述网格层上形成所述填充层包括：
以在设定角度范围内角度阶梯增大的入射角度，通过电子束蒸发的方式在所述网格层上形成斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜。
可选地，所述设定角度范围为位于30°至90°之间的角度范围。
本发明实施例还提供一种发光器件，包括上述任一所述的OLED封装结构。
本发明具有以下有益效果：
本发明提供的OLED封装结构及其制造方法、发光器件的技术方案中，阻隔层和光学调制层交替形成于OLED之上，光学调制层增强了OLED的散射出光能力并改变了部分光线的传播方向，从而降低了OLED因微腔效应引起的观测角度依赖性。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种OLED封装结构的结构示意图；
图2为斜角入射沉积技术的应用示意图；
图3为纳米柱状结构的示意图；
图4为图1中网格层的局部放大剖视图；
图5为网格层介质光线传播的示意图；
图6为填充层介质光线散射传播的示意图；
图7为本发明实施例二提供的一种OLED封装结构的制造方法的流程图；
图8为本发明实施例三提供的一种OLED封装结构的制造方法的流程图；
图9为本发明实施例四提供的一种OLED封装结构的制造方法的流程图；
图10为本发明实施例五提供的一种OLED封装结构的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的OLED封装结构及其制造方法、发光器件进行详细描述。
图1为本发明实施例一提供的一种OLED封装结构的结构示意图，如图1所示，该OLED封装结构可包括：衬底基板4、OLED 1、阻隔层2和光学调制层3，阻隔层2和光学调制层3交替形成于OLED 1上。
本实施例中，优选地，阻隔层2和光学调制层3可按照交替周期数交替形成于OLED 1之上，且在每个交替周期内光学调制层3位于阻隔层2之上。即：在OLED 1上，阻隔层2和光学调制层3以阻隔层2-光学调制层3的顺序按照交替周期数重复形成于OLED 1上。
其中，交替周期数为正整数。优选地，交替周期数n为大于或等于1且小于或等于10的正整数，即：1≤n≤10。
本实施例中，光学调制层3与阻隔层2交替形成于OLED之上，且在每一个交替周期内，光学调制层3均位于阻隔层2之上。如图1所示，在n大于或者等于2的情况下，则在第一个交替周期内，阻隔层2直接形成于OLED 1之上，而在其余交替周期内，阻隔层2形成于上一个交替周期内的光学调制层3之上。
在实际应用中，可选地，阻隔层2和光学调制层3还可以按照其它的交替方式交替形成于OLED 1上。例如：阻隔层2和光学调制层3以阻隔层2-光学调制层3-阻隔层2的顺序交替形成于OLED 1上。
OLED 1可包括：顶发射OLED或者双面发射OLED。本实施例中，OLED1为顶发射OLED。OLED 1可包括：阳极、有机发光层和阴极，其中，阳极形成于衬底基板4之上，有机发光层形成于阳极之上，阴极形成于有机发光层之上。可选地，OLED 1还可包括：有机功能层，具体地，该有机功能层包括：空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层中的一层或者多层。其中，空穴注入层、空穴传输层可以设置在阳极与有机发光层之间，电子传输层、电子注入层可以设置在有机发光层和阴极层之间。
优选的，OLED 1包括衬底基板4上的阳极，在阳极的表面由下至上依次形成的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极。
例如：阳极的材料可以包括：银(Ag)、氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)或者镍铬合金(Ni:Cr合金)。空穴注入层的材料可以包括：4，4’，4”-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4，4’，4″-三(N，N联苯氨基)三苯胺(TDATA)、4，4’，4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺(2-TNATA)或者N，N，N’，N’-四甲氧基苯基)-对二氨基联苯(MeO-TPD)等。空穴传输层的材料可以包括：N，N’-二苯基-N，N’-(1-萘基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺(alpha-NPB)、N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-1，1’-联苯-4，4’-二胺(TPD)或者3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑(TAZ)等。有机发光层的材料可包括：荧光主体材料，例如：该荧光主体材料可包括：金属配合物如8-羟基喹啉铝(Alq3)或者二芳香基蒽衍生物如9，10-二(2-萘基)蒽(AND)等，上述荧光主体材料中可掺杂香豆素类如N，N’-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、10-(2-苯并噻唑)-2，3，6，7-四氢-1，1，7，7，-四甲基l-1H，5H，11H-[1]苯丙吡喃酮基[6，7，8-ij]喹嗪-11-酮(C545T)，或者荧光主体材料中可掺杂双吡喃类如4-(二氰基亚甲基)-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久罗尼定基-4-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，或者荧光主体材料中可掺杂其他类4，4’-(二(9-乙基-3-乙烯咔唑)-1，1’-联苯(BczVBi)、1，4，7，10-四叔丁基二萘嵌苯(TBPe)、红荧烯(Rubrene)等；或者有机发光层的材料也可以包括：磷光主体咔唑衍生物，例如：(9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑(MCP)或者4，4’-二(9-咔唑)联苯(CBP)等，上述磷光主体咔唑衍生物中可掺杂磷光染料，例如：磷光染料可包括：三(二苯甲酰甲烷)单(菲罗啉)铒(Er(dbm)3(phen))、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)或者双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(Firpic)等。电子传输层的材料可以包括：8-羟基喹啉-锂(Liq)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)或者双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1，O8)-(1，1’-联苯-4-羟基)铝(Balq)等，电子注入层的材料可以包括：有机材料如8-羟基喹啉-锂(Liq)或者四(8-羟基喹啉)硼锂(LiBq4)等，也可包括：无机材料如氟化锂(LiF)或者氮化锂(Li3N)等，阴极的材料可以包括：镁银合金(Mg:Ag合金)、铝/银(Al/Ag)或者钙/银(Ca/Ag)。
阻隔层2包括：无机绝缘层21和位于无机绝缘层21之上的有机绝缘层22。无机绝缘层21的材料可包括：氧化物、硫化物、氮化物、氮氧化物或者碳膜。例如：无机绝缘层21的材料可以为：三氧化二铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)或者类金刚石。无机绝缘层21的厚度可包括：50nm至500nm，优选为100nm。如图1所示，需要特别说明的是：在第一个交替周期内，由于无机绝缘层21需要覆盖于OLED 1之上，则第一个交替周期内的无机绝缘层21的厚度大于其余交替周期内的无机绝缘层21的厚度。有机绝缘层22的材料可包括：UV固化胶、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚对二甲苯、聚丙烯酸酯或者丙烯酸脂单体。有机绝缘层22的厚度包括：500nm-2000nm，优选为1000nm。阻隔层2具有水氧阻挡功能，能够阻挡水汽和氧气渗入OLED中，从而避免了水汽和氧气与OLED接触。
本发明中，可选地，阻隔层2还可以仅包括无机绝缘层，或者阻隔层2还可以仅包括：有机绝缘层。
光学调制层3包括：网格层31和位于网格层31之上的填充层32。填充层32填充于网格层31中的中空空间内并覆盖于网格层31之上。网格层31和填充层32是通过斜角入射沉积技术制备的。图2为斜角入射沉积技术的应用示意图，如图2所示，斜角入射沉积技术是指在真空中以倾斜角度将薄膜材料沉积在目标基板41上的技术，是制备光学薄膜的方法之一。当蒸发源42将蒸发物料相对基板法线以入射角α向目标基板41沉积时，在自我遮蔽效应(self-shadowing effect)的作用下，蒸发物料优先朝蒸气注入的方向生长成带空隙的薄膜纳米柱状结构43，纳米柱状结构如图3所示，图3为纳米柱状结构的示意图。蒸发物料的材料可包括：金属、氧化物或者氟化物，例如，金属可包括：Au、Ag、Co、Fe、Ni或者W，氧化物可包括：SiO2、TiO2或者ZrO2，氟化物可包括：MgF2。而且随着蒸镀过程入射角α的变化，薄膜纳米柱状结构43将产生不同的空隙率，从而改变膜层的折射率分布，折射率的变化具有可连续性。斜角入射沉积生成的多孔性纳米柱状结构43折射率相对于自然材料具有更低的折射率，能够接近空气的折射率，有效减少反射，并且这种纳米柱状结构43也具备散射特性。网格层31和填充层32均是由斜向上生长的纳米柱薄膜构成。图4为图1中网格层的局部放大剖视图，如图4所示，网格层31位于有机绝缘层22之上，并位于填充层32的下方。网格层31呈网格结构，填充层32填充于网格结构的中空空间内，并覆盖于整个网格层31之上。网格层31可分布在衬底基板的像素单元的非发光区域。为使网格层31形成网格结构，可在网格层31的薄膜生长过程中使用图形化了的掩膜板(Mask)遮挡以实现在网格层31上形成网格结构的图案。网格层31由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成，其中，金属可包括：银(Ag)、铝(Al)或者银铝混合物，介质可包括：二氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)中的一种或者多种，其中，优选地介质采用二氧化硅(SiO2)、氟化镁(MgF2)中的一种。填充层32由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成，该纳米柱薄膜的折射率沿远离网格层31的方向由大变小。这样当光从填充层32的折射率大的一侧入射并从折射率小的一侧出射的过程中，极大的减小了光发生全反射的几率，从而增加了光的出射量。其中，氧化物可包括：二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)、氧化锌、氧化镁(MgO)或者氧化锆(ZrO2)，换言之，填充层32的材料可包括：二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)或者氧化锆(ZrO2)。由于网格层31中的两层金属纳米柱薄膜的反相电偶极共振，使得介质纳米柱薄膜呈现负折射率特性。负折射率的介质具有的物理特性为：光在其中的能量与相位的传播方向相反，当光从一种折射率为正的物质传播到折射率为负的物质中时，入射光线与折射光线位于法线的同一侧，从而改变了光线的传播方向，图5为网格层介质光线传播的示意图，如图5所示，入射光线52入射至正负折射率介质界面51上时，其反射光线53被正负折射率介质界面51反射至法线55的另一侧，其折射光线54穿过正负折射率介质界面51后偏折至法线55的同一侧。填充层介质是由折射率沿远离网格层31的方向由大变小渐变的斜向生长纳米柱薄膜构成。图6为填充层介质光线散射传播的示意图，如图6所示，光线经过填充层32时，填充层32中的纳米柱状结构43使光线发生散射，光线会向多个方向传播，从而使得OLED发光更加均匀，因此具有光散射与增透功能。
本实施例提供的OLED封装结构包括：OLED、阻隔层和光学调制层，阻隔层和光学调制层按照交替周期数交替形成于OLED之上，光学调制层增强了OLED的散射出光能力并改变了部分光线的传播方向，从而降低了OLED因微腔效应引起的观测角度依赖性，提高了OLED的对比度。阻隔层可有效阻隔水汽和氧气，防止水汽和氧气渗入OLED内部，从而避免了水汽和氧气腐蚀OLED的有机功能层和电极材料，提高了器件寿命。特别是当与光学调制层交替形成的阻隔层为多层时，能够更加有效的避免渗入的水汽和氧气腐蚀OLED的有机功能层和电极材料，从而提高了OLED的密封性能。并且当与阻隔层交替形成的光学调制层为多层时，能够更加有效的降低因微腔效应引起的观测角度依赖性。
图7为本发明实施例二提供的一种OLED封装结构的制造方法的流程图，如图7所示，该方法包括：
步骤1、在衬底基板上制备OLED。
本实施例中，步骤1具体包括：
步骤11、在衬底基板上形成阳极。例如：阳极12的材料可以包括：银(Ag)、氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)或者镍铬合金(Ni:Cr合金)。
步骤12、在阳极之上形成有机发光层。具体地，对有机发光层的描述可上述实施例一的描述，此处不再赘述。
步骤13、在有机发光层之上形成阴极。例如：阴极的材料可以包括：镁银合金(Mg:Ag合金)、铝/银(Al/Ag)或者钙/银(Ca/Ag)。
步骤2、在OLED上交替形成阻隔层和光学调制层。
具体地，本实施例中可在OLED上按照交替周期数交替形成阻隔层和光学调制层，且在每个交替周期内光学调制层位于阻隔层之上。
其中，交替周期数为正整数。优选地，交替周期数n为大于或等于1且小于或等于10的正整数，即：1≤n≤10。
本实施例中，步骤2具体包括：
步骤21、形成阻隔层。
其中，阻隔层包括无机绝缘层和有机绝缘层，则步骤21具体可包括：
步骤211、形成无机绝缘层。
具体地，以磁控溅射的方式形成无机绝缘层，以等离子体增强化学气相沉积的方式形成无机绝缘层，或者以等离子体辅助化学气相沉积的方式形成无机绝缘层。其中，无机绝缘层的材料可包括：氧化物、硫化物、氮化物、氮氧化物或者碳膜，例如：无机绝缘层的材料可以为：三氧化二铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)或者类金刚石。
步骤212、在无机绝缘层上形成有机绝缘层。
具体地，可通过喷涂、旋涂或者真空热蒸镀的方式在无机绝缘层上形成有机绝缘层的材料，并对有机绝缘层的材料进行固化处理形成有机绝缘层。其中，有机绝缘层的材料可以包括：UV固化胶、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亚胺、聚对二甲苯、聚丙烯酸酯或者丙烯酸脂单体。
步骤22、在阻隔层上形成光学调制层。
其中，光学调制层可包括：网格层和位于网格层之上的填充层，则步骤22可包括：
步骤221、在阻隔层上形成网格层。具体地，在阻隔层中的有机绝缘层上形成网格层。其中，网格层由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成，则具体地，以设定入射角度，通过电子束蒸发的方式在所述隔离层上形成依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜。其中，金属可包括：银(Ag)、铝(Al)或者银铝混合物，介质可包括：二氧化硅(SiO2)或者氟化镁(MgF2)。优选地，以衬底基板的法线为参照，设定入射角度θ1大于85°且小于90°即：85°＜θ1＜90°。本发明中，可根据网格层的功能确定设定入射角度θ1的工艺值，换言之，确定出的设定入射角度θ1的工艺值能够实现网格层的功能即可。
步骤222、在网格层上形成填充层。其中，填充层由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成，则具体地，以在设定角度范围内角度阶梯增大的入射角度，通过电子束蒸发的方式在网格层上形成斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜。其中，氧化物可包括：二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)、氧化锌(ZnO)、氧化镁(MgO)或者氧化锆(ZrO2)。其中，设定角度范围内的入射角度均是以衬底基板法线为参照。优选地，设定角度范围为位于30°至90°之间的角度范围。例如：设定角度范围可以为：40°至90°的角度范围或者30°至90°的角度范围。
步骤23、重复执行n-1次步骤21和步骤22，其中，n为交替周期数，n为大于1的正整数。
本实施例中，当n＝1时，则无需再执行步骤23。
需要说明的是：本实施例中当第一次执行步骤21时，直接在制备出的OLED上形成阻隔层，而在后续重复执行步骤21时，是在上一个交替周内形成的光学调制层中的填充层上形成阻隔层。
在实际应用中，可选地，在OLED上还可以按照其它的交替方式交替形成阻隔层和光学调制层。例如：在OLED上以阻隔层-光学调制层-阻隔层的顺序交替形成阻隔层和光学调制层。
本实施例提供的OLED封装结构的制造方法包括：在制备出的OLED上按照交替周期数交替形成阻隔层和光学调制层，光学调制层增强了OLED的散射出光能力并改变了部分光线的传播方向，从而降低了OLED因微腔效应引起的观测角度依赖性，提高了OLED的对比度。阻隔层可有效阻隔水汽和氧气，防止水汽和氧气渗入OLED内部，从而避免了水汽和氧气腐蚀OLED的有机功能层和电极材料，提高了器件寿命。特别是当与光学调制层交替形成的阻隔层为多层时，能够更加有效的避免渗入的水汽和氧气腐蚀OLED的有机功能层和电极材料，从而提高了OLED的密封性能。并且当与阻隔层交替形成的光学调制层为多层时，能够更加有效的降低因微腔效应引起的观测角度依赖性。本实施例提供的OLED封装结构的制造方法中，光学调制层与OLED都是在真空环境中制备的，也就是说，光学调制层与OLED的制备工艺条件是相似的，从而在工艺上光学调制层与OLED具有兼容性；通过斜角入射沉积技术制备光学调制层的工艺，有利于大面积成膜，从而有利于连续大规模生产。
下面通过具体的实例对上述实施例二中的方案进行详细描述。
图8为本发明实施例三提供的一种OLED封装结构的制造方法的流程图，如图8所示，该方法包括：
步骤301、在衬底基板上制备OLED。
对步骤301的具体描述可参见上述实施例二中对步骤1的描述。本实施例中，阳极的材料为银(Ag)，阴极的材料为镁银合金(Mg:Ag合金)。
步骤302、以磁控溅射的方式形成无机绝缘层。无机绝缘层的材料为类金刚石。
步骤303、在无机绝缘层上喷涂UV固化胶，并对UV固化胶进行紫外线固化处理，形成有机绝缘层。
步骤304、以设定入射角度，通过电子束蒸发的方式在阻隔层中的有机绝缘层上形成依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜，形成的依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜为网格层。金属为银(Ag)，介质为二氧化硅(SiO2)，设定入射角度为89°。
步骤305、以在40°至90°的角度范围内角度阶梯增大的入射角度，通过电子束蒸发的方式在网格层上形成斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜，形成的斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜为填充层。其中，氧化物可以为二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)或者氧化锌(ZnO)。
步骤306、重复执行n-1次步骤302至步骤305，其中，n为交替周期数，n为大于1的正整数。优选地，n为4或者6。
本实施例中，若n为1时，则无需执行步骤306。
图9为本发明实施例四提供的一种OLED封装结构的制造方法的流程图，如图9所示，该方法包括：
步骤401、在衬底基板上制备OLED。
对步骤401的具体描述可参见上述实施例二中对步骤1的描述。本实施例中，阳极的材料为氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)，阴极的材料为铝/银(Al/Ag)。
步骤402、以等离子体增强化学气相沉积的方式形成无机绝缘层。无机绝缘层的材料为氮化硅(Si3N4)。
步骤403、通过真空热蒸镀的方式在无机绝缘层上形成丙烯酸脂单体，并对丙烯酸脂单体进行紫外线固化处理，形成有机绝缘层。
步骤404、以设定入射角度，通过电子束蒸发的方式在阻隔层中的有机绝缘层上形成依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜，形成的依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜为网格层。金属为银(Ag)，介质为氟化镁(MgF2)，设定入射角度为86°。
步骤405、以在30°至90°的角度范围内角度阶梯增大的入射角度，通过电子束蒸发的方式在网格层上形成斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜，形成的斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜为填充层。其中，氧化物可以为二氧化钛(TiO2)、三氧化二铝(Al2O3)或者氧化锌(ZnO)。
步骤406、重复执行n-1次步骤402至步骤405，其中，n为交替周期数，n为大于1的正整数。优选地，n为4或者3。
本实施例中，若n为1时，则无需执行步骤406。
图10为本发明实施例五提供的一种OLED封装结构的制造方法的流程图，如图10所示，该方法包括：
步骤501、在衬底基板上制备OLED。
对步骤501的具体描述可参见上述实施例二中对步骤1的描述。本实施例中，阳极的材料为氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)，阴极的材料为铝/银(Al/Ag)。
步骤502、以等离子体辅助化学气相沉积的方式形成无机绝缘层。无机绝缘层的材料为氮氧化硅(SiOxNy)。
步骤503、在无机绝缘层上喷涂或者旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，并对聚甲基丙烯酸甲酯进行紫外线固化处理，形成有机绝缘层。
步骤504、以设定入射角度，通过电子束蒸发的方式在阻隔层中的有机绝缘层上形成依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜，形成的依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜为网格层。金属为铝(Al)或者银铝混合物，介质为二氧化硅(SiO2)，设定入射角度为88°。
步骤505、以在30°至90°的角度范围内角度阶梯增大的入射角度，通过电子束蒸发的方式在网格层上形成斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜，形成的斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜为填充层。其中，氧化物可以为氧化镁(MgO)、二氧化钛(TiO2)或者氧化锆(ZrO2)。
步骤506、重复执行n-1次步骤502至步骤505，其中，n为交替周期数，n为大于1的正整数。优选地，n为4或者3。
本实施例中，若n为1时，则无需执行步骤506。
本发明实施例还提供一种发光器件，包括上述任一所述的OLED封装结构。通过本发明的技术方案封装后的有机电致发光器件可以应用在制备有机电致发光显示器、有机晶体管、有机集成电路、有机太阳能电池、有机激光器和/或有机传感器中。所述有机电致发光显示器可以为：OLED面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件等。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种OLED封装结构，其特征在于，包括：衬底基板、OLED、阻隔层和光学调制层，所述OLED形成于所述衬底基板上，所述阻隔层和所述光学调制层交替形成于所述OLED之上，所述光学调制层包括：网格层和位于所述网格层之上的填充层，所述网格层由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成，所述金属包括：银、铝或者银铝混合物，所述介质包括：二氧化硅或者氟化镁。
2.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述阻隔层和所述光学调制层按照交替周期数交替形成于所述OLED之上，且在每个交替周期内所述光学调制层位于所述阻隔层之上。
3.根据权利要求2所述的OLED封装结构，其特征在于，所述交替周期数为大于或等于1且小于或等于10的正整数。
4.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述填充层由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成，所述填充层的材料包括：二氧化钛、三氧化二铝、氧化锌、氧化镁或者氧化锆。
5.根据权利要求1所述的OLED封装结构，其特征在于，所述OLED包括：顶发射OLED或者双面发射OLED。
6.一种OLED封装结构的制造方法，其特征在于，包括：
在衬底基板上形成OLED；
在所述OLED上交替形成阻隔层和光学调制层；
所述在所述OLED上交替形成阻隔层和光学调制层包括：
在所述OLED上按照交替周期数交替形成所述阻隔层和所述光学调制层，且在每个交替周期内所述光学调制层位于所述阻隔层之上；
所述在所述OLED上按照交替周期数交替形成阻隔层和光学调制层包括：
形成所述阻隔层；
在所述阻隔层上形成所述光学调制层；
重复执行n-1次所述形成所述阻隔层的步骤和所述在所述阻隔层上形成所述光学调制层的步骤，其中，n为所述交替周期数，n为大于1的正整数；
所述光学调制层包括：网格层和位于所述网格层之上的填充层；
所述在所述阻隔层上形成所述光学调制层包括：
在所述阻隔层上形成网格层；
在所述网格层上形成所述填充层；
所述网格层由依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜构成，所述在所述阻隔层上形成网格层包括：
以设定入射角度，通过电子束蒸发的方式在所述阻隔层上形成依次斜向生长的金属/介质/金属三层纳米柱薄膜。
7.根据权利要求6所述的OLED封装结构的制造方法，其特征在于，所述设定入射角度大于85°且小于90°。
8.根据权利要求6所述的OLED封装结构的制造方法，其特征在于，所述填充层由斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜构成，所述在所述网格层上形成所述填充层包括：以在设定角度范围内角度阶梯增大的入射角度，通过电子束蒸发的方式在所述网格层上形成斜向上生长的氧化物纳米柱薄膜。
9.根据权利要求8所述的OLED封装结构的制造方法，其特征在于，所述设定角度范围为位于30°至90°之间的角度范围。
10.一种发光器件，其特征在于，包括权利要求1至5任一所述的OLED封装结构。
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