CN107195662A - 显示面板及其制备方法、显示装置以及显示方法 - Google Patents
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Abstract
本发明的实施例涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置以及显示方法。该显示面板包括:基板;位于基板上的薄膜晶体管;覆盖基板和薄膜晶体管的绝缘层;位于绝缘层上且电绝缘的第一电极和第二电极,其中,第一电极在基板上的正投影与薄膜晶体管在基板上的正投影不重叠,第二电极在基板上的正投影与薄膜晶体管在基板上的正投影重叠;位于第一电极和第二电极上的发光层;以及位于发光层上的第三电极和第四电极,其中,第三电极在基板上的正投影与第一电极在基板上的正投影重叠,第四电极在基板上的正投影与第二电极在基板上的正投影重叠。
Description
技术领域
本发明的实施例涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置以及显示方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode,简称QLED)显示器件由于具备自发光、不需要背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于柔性面板、使用温度范围广等优异特性,被公认为是下一代显示的主流技术,得到了各大显示器制造商的青睐。
发明内容
本发明的实施例提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置以及显示方法,能够提高显示面板的开口率,实现显示和照明两种功能。
根据本发明的第一方面,提供一种显示面板。所述显示面板包括:基板;位于所述基板上的薄膜晶体管;覆盖所述基板和所述薄膜晶体管的绝缘层;位于所述绝缘层上且电绝缘的第一电极和第二电极,其中,所述第一电极在所述基板上的正投影与所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影不重叠,所述第二电极在所述基板上的正投影与所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影重叠;位于所述第一电极和所述第二电极上的发光层;以及位于所述发光层上的第三电极和第四电极,其中,所述第三电极在所述基板上的正投影与所述第一电极在所述基板上的正投影重叠,所述第四电极在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影重叠。所述第一电极、所述第三电极以及位于所述第一电极与所述第三电极之间的所述发光层的第一部分构成第一像素,所述第二电极、所述第四电极以及位于所述第二电极与所述第四电极之间的所述发光层的第二部分构成第二像素。
在本发明的实施例中,所述第一电极经由穿过所述绝缘层的过孔连接到所述薄膜晶体管的源/漏电极,从而将所述第一像素作为显示像素以及将所述第二像素作为照明像素。
在本发明的实施例中,所述第二电极经由穿过所述绝缘层的过孔连接到所述薄膜晶体管的源/漏电极,从而将所述第一像素作为照明像素以及将所述第二像素作为显示像素。
在本发明的实施例中,所述第一电极、所述第三电极以及所述第四电极为透明电极,所述第二电极为非透明电极。
在本发明的实施例中,所述透明电极包括透明导电材料,所述非透明电极包括金属。
在本发明的实施例中,所述第三电极与所述第四电极被形成为一体。
在本发明的实施例中,所述显示面板还包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的像素定义层。
根据本发明的第二方面,提供一种制备显示面板的方法。所述方法包括:在基板上形成薄膜晶体管;形成绝缘层以覆盖所述基板和所述薄膜晶体管;在所述绝缘层上形成电绝缘的第一电极和第二电极,其中,所述第一电极在所述基板上的正投影与所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影不重叠,所述第二电极在所述基板上的正投影与所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影重叠;在所述第一电极和所述第二电极上形成发光层;以及在所述发光层上形成第三电极和第四电极,其中,所述第三电极在所述基板上的正投影与所述第一电极在所述基板上的正投影重叠,所述第四电极在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影重叠。所述第一电极、所述第三电极以及位于所述第一电极与所述第三电极之间的所述发光层的第一部分构成第一像素,所述第二电极、所述第四电极以及位于所述第二电极与所述第四电极之间的所述发光层的第二部分构成第二像素。
在本发明的实施例中,形成所述绝缘层还包括:构图所述绝缘层以形成穿过所述绝缘层的过孔。
在本发明的实施例中,所述第一电极经由所述过孔连接到所述薄膜晶体管的源/漏电极,从而将所述第一像素作为显示像素以及将所述第二像素作为照明像素。
在本发明的实施例中,所述第二电极经由所述过孔连接到所述薄膜晶体管的源/漏电极,从而将所述第一像素作为照明像素以及将所述第二像素作为显示像素。
在本发明的实施例中,所述第一电极、所述第三电极以及所述第四电极为透明电极,所述第二电极为非透明电极。
在本发明的实施例中,所述透明电极包括透明导电材料,所述非透明电极包括金属。
在本发明的实施例中,所述第三电极与所述第四电极被形成为一体。
在本发明的实施例中,在形成所述发光层之前还包括在所述第一电极与所述第二电极之间形成像素定义层。
根据本发明的第三方面,提供一种包括在本发明的第一方面中描述的显示面板的显示装置。
根据本发明的第四方面,提供一种使用在本发明的第一方面中描述的显示面板的显示方法。该方法以下列模式中的一种来控制上述显示面板:第一模式,其中,所述第一像素作为显示像素,所述第二像素作为照明像素,所述第一像素发光,所述第二像素不发光;第二模式,其中,所述第一像素作为显示像素,所述第二像素作为照明像素,所述第一像素和所述第二像素同时发光;第三模式,其中,所述第一像素作为显示像素,所述第二像素作为照明像素,所述第一像素不发光,所述第二像素发光第四模式,其中,所述第一像素作为照明像素,所述第二像素作为显示像素,所述第一像素不发光,所述第二像素发光;以及第五模式,其中,所述第一像素作为照明像素,所述第二像素作为显示像素,所述第一像素发光,所述第二像素不发光。
在本发明的实施例中,在显示面板的薄膜晶体管与发光层之间设置一个阳极,以将与该阳极对应的发光层利用起来,从而提高了显示面板的开口率,并且使显示面板能够实现显示和照明两种功能。
适应性的进一步的方面和范围从本文中提供的描述变得明显。应当理解,本申请的各个方面可以单独或者与一个或多个其他方面组合实施。还应当理解,本文中的描述和特定实施例旨在仅说明的目的并不旨在限制本申请的范围。
附图说明
本文中描述的附图用于仅对所选择的实施例的说明的目的,并不是所有可能的实施方式,并且不旨在限制本申请的范围,其中:
图1是根据本发明实施例的显示面板的截面的示意图;
图2是根据本发明另一实施例的显示面板的截面的示意图;
图3是根据本发明实施例的显示面板的平面示意图;
图4是根据本发明实施例的制备显示面板的方法的流程图;
图5是根据本发明实施例的显示面板的制备方法的形成薄膜晶体管的示意图;
图6是根据本发明实施例的显示面板的制备方法的形成绝缘层的示意图;
图7是根据本发明实施例的显示面板的制备方法的形成第一电极和第二电极的示意图;
图8是根据本发明实施例的显示面板的制备方法的形成像素定义层的示意图;
图9是根据本发明实施例的显示面板的制备方法的形成发光层的示意图;
图10是根据本发明实施例的显示面板的制备方法的形成电极层的示意图;
图11是根据本发明实施例的显示面板的第一模式的示意图;
图12是根据本发明实施例的显示面板的第二模式的示意图;
图13是根据本发明实施例的显示面板的第三模式的示意图;
图14是根据本发明实施例的显示面板的第四模式的示意图;以及
图15是根据本发明实施例的显示面板的第五模式的示意图。
贯穿这些附图的各个视图,相应的参考编号指示相应的部件或特征。
具体实施方式
首先,需要说明的是,除非上下文中另外明确地指出,否则在本文和所附权利要求中所使用的词语的单数形式包括复数,反之亦然。因而,当提及单数时,通常包括相应术语的复数。相似地,措辞“包含”和“包括”将解释为包含在内而不是独占性地。同样地,术语“包括”和“或”应当解释为包括在内的,除非本文中另有说明。在本文中使用术语“实例”之处,特别是当其位于一组术语之后时,所述“实例”仅仅是示例性的和阐述性的,且不应当被认为是独占性的或广泛性的。
另外,还需要说明的是,在本公开的描述中,术语“上”、“之上”、“下”、“之下”、“顶”、“底”、“之间”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本公开和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本公开的限制。此外,当元件或层被称为在另一元件或层“上”时,它可以直接在该另一元件或层上,或者可以存在中间的元件或层;同样,当元件或层被称为在另一元件或层“下”时,它可以直接在该另一元件或层下,或者可以存在至少一个中间的元件或层;当元件或层被称为在两元件或两层“之间”时,其可以为该两元件或两层之间的唯一的元件或层,或者可以存在一个以上的中间元件或层。
此外,还需要说明的是,当介绍本申请的元素及其实施例时,冠词“一”、“一个”、“该”和“所述”旨在表示存在一个或者多个要素;除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上;用语“包含”、“包括”、“含有”和“具有”旨在包括性的并且表示可以存在除所列要素之外的另外的要素;术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述的目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性及形成顺序。
本发明中描绘的流程图仅仅是一个例子。在不脱离本发明精神的情况下,可以存在该流程图或其中描述的步骤的很多变型。例如,所述步骤可以以不同的顺序进行,或者可以添加、删除或者修改步骤。这些变型都被认为是所要求保护的方面的一部分。
现将参照附图更全面地描述示例性的实施例。
在本发明的实施例中,提供了一种显示面板。该显示面板可以为OLED显示面板或QLED显示面板。在该显示面板的薄膜晶体管与发光层之间设置一个阳极,以将与该阳极对应的发光层利用起来,从而提高了显示面板的开口率,并且使显示面板能够实现显示和照明两种功能。
图1是根据本发明实施例的显示面板10的截面的示意图。如图1所示,显示面板10包括:基板1;位于基板1上的薄膜晶体管2;覆盖基板1和薄膜晶体管2的绝缘层3,其中,绝缘层3中包括贯穿绝缘层3的过孔31;位于绝缘层3上且电绝缘的第一电极41和第二电极42,其中,第一电极41在基板1上的正投影与薄膜晶体管2在基板1上的正投影不重叠,第二电极42在基板1上的正投影与薄膜晶体管2在基板1上的正投影重叠;位于第一电极41与第二电极42之间的像素定义层5;位于第一电极41、第二电极42和像素定义层5上的发光层6;以及位于发光层6上的电极层7。电极层7包括第三电极71和第四电极72。第三电极71在基板1上的正投影与第一电极41在基板1上的正投影重叠,第四电极72在基板1上的正投影与第二电极42在基板1上的正投影重叠。根据本发明的实施例,第三电极71和第四电极72可以被形成为一体。
在本发明的实施例中,第一电极41、第三电极71以及位于第一电极41与第三电极71之间的发光层6的第一部分61构成第一像素81,第二电极42、第四电极72以及位于第二电极42与第四电极72之间的发光层6的第二部分62构成第二像素82。
如图1所示,第一电极41经由过孔31连接到薄膜晶体管2的源/漏电极,从而将第一像素81作为显示像素以及将第二像素82作为照明像素。
图2是根据本发明另一实施例的显示面板20的截面的示意图。图2与图1的区别在于,如图2所示,第二电极42经由过孔31连接到薄膜晶体管2的源/漏电极,从而将第一像素81作为照明像素以及将第二像素82作为显示像素。图2的其他部分与图1类似,在此不再赘述。
在本发明的实施例中,第一电极41、第三电极71和第四电极72为透明电极,第二电极为非透明电极。作为一个示例,透明电极可以包括透明导电材料,例如,诸如铟锡氧化物、铟锡锌氧化物以及氧化锡等的透明导电氧化物。非透明电极可以包括诸如银或铝等的金属。根据本发明的实施例,当金属为银或铝等易于氧化的金属时,还可以在金属表面上形成抗氧化层,例如,铟锡氧化物。在本发明的实施例中,非透明电极可以为铟锡氧化物/银/铟锡氧化物的叠层,如图1中的第二电极42所示。
在本发明的实施例中,基板1为透明的。基板1可以为玻璃基板。
在本发明的实施例中,薄膜晶体管2可以是顶栅型薄膜晶体管,也可以是底栅型薄膜晶体管,在此不作具体限定。
在本发明的实施例中,绝缘层3可以为包括钝化层和保护层的叠层。
图3是根据本发明实施例的显示面板的平面示意图。如图3所示,显示面板的像素区包括显示像素和照明像素。其中,在如图1所示的实施例中,图3中的显示像素对应于第一像素81,照明像素对应于第二像素82。在如图2所示的实施例中,图3中的显示像素对应于第二像素82,照明像素对应于第一像素81。另外,显示像素之间还可以包括黑矩阵,以防止光的串扰。
在本发明的实施例中,还提供了一种制备上述显示面板的方法。制备出的显示面板能够实现显示和照明两种功能。
图4是根据本发明实施例的制备显示面板的方法的流程图。如图4所示,在步骤401中,在基板上形成薄膜晶体管。图5进一步示出了形成薄膜晶体管2的示意图。
在本发明的实施例中,如图5所示,在基板1上形成薄膜晶体管2。基板1可以为诸如玻璃基板等的透明基板。在本发明的实施例中,对形成薄膜晶体管2的方法不作具体限定,可以使用本领域技术人员公知的方法形成薄膜晶体管2。另外,薄膜晶体管2可以为顶栅型薄膜晶体管或底栅型薄膜晶体管。
如图4所示,在步骤S402中,形成绝缘层以覆盖基板和薄膜晶体管。图6进一步示出了形成绝缘层3的示意图。
在本发明的实施例中,如图6所示,形成绝缘层3以覆盖基板1和薄膜晶体管2。另外,步骤S402还包括构图绝缘层3以形成穿过绝缘层3且暴露薄膜晶体管2的源/漏电极的过孔31。
在本发明的实施例中,绝缘层3可以为包括钝化层和保护层的叠层。
如图4所示,在步骤S403中,在绝缘层上形成第一电极和第二电极。图7进一步示出了形成第一电极41和第二电极42的示意图。
在本发明的实施例中,如图7所示,在绝缘层3上形成图案化的第一电极41和第二电极42。第一电极41在基板1上的正投影与薄膜晶体管2在基板1上的正投影不重叠,第二电极42在基板1上的正投影与薄膜晶体管2在基板1上的正投影重叠。第一电极41为透明电极。第二电极42为非透明电极。
如图4所示,在步骤S404中,在第一电极与第二电极之间形成像素定义层。图8进一步示出了形成像素定义层5的示意图。
在本发明的实施例中,如图8所示,在第一电极41与第二电极42之间形成图案化的像素定义层5。像素定义层5围成像素开口,从而形成多个子像素单元。
如图4所示,在步骤S405中,在第一电极、第二电极和像素定义层上形成发光层。图9进一步示出了形成发光层6的示意图。
在本发明的实施例中,如图9所示,形成发光层6以覆盖第一电极41、第二电极42和像素定义层5。在此,发光层5可以是OLED发光层或QLED发光层。本领域的技术人员可以根据实际需要而进行选择。
如图4所示,在步骤S406中,在发光层上形成电极层。图10进一步示出了形成电极层7的示意图。
在本发明的实施例中,如图10所示,在发光层6上形成电极层7。电极层7可以包括第三电极71和第四电极72。第三电极71在基板1上的正投影与第一电极41在基板1上的正投影重叠,第四电极72在基板1上的正投影与第二电极42在基板1上的正投影重叠。第一电极41和第二电极42为阳极。第三电极71和第四电极72为阴极。第一电极41、第三电极71和发光层6的第一部分61可以构成第一像素81。第二电极42、第四电极72和发光层6的第二部分62可以构成第二像素82。
在图10中,第一电极41经由过孔31连接到薄膜晶体管2的源/漏电极,以使第一像素81作为显示像素以及使第二像素82作为照明像素。此外,第二电极42也可以经由过孔31连接到薄膜晶体管2的源/漏电极,从而使第一像素81作为照明像素以及使第二像素82作为显示像素,如图2所示。
在本发明的实施例中,还提供了一种使用上述显示面板进行显示的显示方法,使显示面板实现显示和照明两种功能。
图11是根据本发明实施例的显示面板的第一模式的示意图。如图11所示,在第一模式下,第一电极41经由过孔31连接到薄膜晶体管2的源/漏电极,使第一像素81作为显示像素,第二像素82作为照明像素。在第一模式下,第一像素81发光,第二像素82不发光,从而实现双面显示。也就是说,第一模式可以称为双面显示模式。
图12是根据本发明实施例的显示面板的第二模式的示意图。如图12所示,在第二模式下,第一电极41经由过孔31连接到薄膜晶体管2的源/漏电极,使第一像素81作为显示像素,第二像素82作为照明像素。在第二模式下,第一像素81和第二像素82同时发光,从而同时实现双面显示和照明。由于第二像素82发光以用于照明,照明的亮度会影响同侧显示区域的显示效果,以形成保密显示,从而实现一面显示另一面照明。也就是说,第二模式可以称为保密显示模式。
图13是根据本发明实施例的显示面板的第三模式的示意图。如图13所示,在第三模式下,第一电极41经由过孔31连接到薄膜晶体管2的源/漏电极,使第一像素81作为显示像素,第二像素82作为照明像素。在第三模式下,第一像素81不发光,第二像素82发光,从而实现单面照明。也就是说,第三模式可以成为单面照明模式。
图14是根据本发明实施例的显示面板的第四模式的示意图。如图14所示,第二电极42经由过孔31连接到薄膜晶体管2的源/漏电极,使第一像素81作为照明像素,第二像素82作为显示像素。在第四模式下,第一像素81不发光,第二像素82发光,从而实现单面显示。也就是说,第三模式可以称为单面显示模式。
图15是根据本发明实施例的显示面板的第五模式的示意图。如图15所示,在第五模式下,第二电极42经由过孔31连接到薄膜晶体管2的源/漏电极,使第一像素81作为照明像素,第二像素82作为显示像素。在第五模式下,第一像素81发光,第二像素82不发光,从而实现双面照明。也就是说,第五模式可以称为双面照明模式。
在本发明的实施例中,还提供了一种包括上述显示面板的显示装置,该显示装置能够实现显示和照明两种功能。
在本发明的实施例中,在显示面板的薄膜晶体管与发光层之间设置一个阳极,以将与该阳极对应的发光层利用起来,从而提高了显示面板的开口率,并且使显示面板能够实现显示和照明两种功能。
以上为了说明和描述的目的提供了实施例的前述描述。其并不旨在是穷举的或者限制本申请。特定实施例的各个元件或特征通常不限于特定的实施例,但是,在合适的情况下,这些元件和特征是可互换的并且可用在所选择的实施例中,即使没有具体示出或描述。同样也可以以许多方式来改变。这种改变不能被认为脱离了本申请,并且所有这些修改都包含在本申请的范围内。
Claims (15)
1.一种显示面板,包括:
基板;
位于所述基板上的薄膜晶体管;
覆盖所述基板和所述薄膜晶体管的绝缘层;
位于所述绝缘层上且电绝缘的第一电极和第二电极,其中,所述第一电极在所述基板上的正投影与所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影不重叠,所述第二电极在所述基板上的正投影与所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影重叠;
位于所述第一电极和所述第二电极上的发光层;以及
位于所述发光层上的第三电极和第四电极,其中,所述第三电极在所述基板上的正投影与所述第一电极在所述基板上的正投影重叠,所述第四电极在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影重叠,
其中,所述第一电极、所述第三电极以及位于所述第一电极与所述第三电极之间的所述发光层的第一部分构成第一像素,所述第二电极、所述第四电极以及位于所述第二电极与所述第四电极之间的所述发光层的第二部分构成第二像素。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第一电极经由穿过所述绝缘层的过孔连接到所述薄膜晶体管的源/漏电极,从而将所述第一像素作为显示像素以及将所述第二像素作为照明像素。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述第二电极经由穿过所述绝缘层的过孔连接到所述薄膜晶体管的源/漏电极,从而将所述第一像素作为照明像素以及将所述第二像素作为显示像素。
4.根据权利要求2或3所述的显示面板,其中,所述第一电极、所述第三电极以及所述第四电极为透明电极,所述第二电极为非透明电极。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其中,所述透明电极包括透明导电材料,所述非透明电极包括金属。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其中,还包括位于所述第一电极与所述第二电极之间的像素定义层。
7.一种制备显示面板的方法,包括:
在基板上形成薄膜晶体管;
形成绝缘层以覆盖所述基板和所述薄膜晶体管;
在所述绝缘层上形成电绝缘的第一电极和第二电极,其中,所述第一电极在所述基板上的正投影与所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影不重叠,所述第二电极在所述基板上的正投影与所述薄膜晶体管在所述基板上的正投影重叠;
在所述第一电极和所述第二电极上形成发光层;以及
在所述发光层上形成第三电极和第四电极,其中,所述第三电极在所述基板上的正投影与所述第一电极在所述基板上的正投影重叠,所述第四电极在所述基板上的正投影与所述第二电极在所述基板上的正投影重叠,
其中,所述第一电极、所述第三电极以及位于所述第一电极与所述第三电极之间的所述发光层的第一部分构成第一像素,所述第二电极、所述第四电极以及位于所述第二电极与所述第四电极之间的所述发光层的第二部分构成第二像素。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,形成所述绝缘层还包括:构图所述绝缘层以形成穿过所述绝缘层的过孔。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第一电极经由所述过孔连接到所述薄膜晶体管的源/漏电极,从而将所述第一像素作为显示像素以及将所述第二像素作为照明像素。
10.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第二电极经由所述过孔连接到所述薄膜晶体管的源/漏电极,从而将所述第一像素作为照明像素以及将所述第二像素作为显示像素。
11.根据权利要求9或10所述的方法,其中,所述第一电极、所述第三电极以及所述第四电极为透明电极,所述第二电极为非透明电极。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述透明电极包括透明导电材料,所述非透明电极包括金属。
13.根据权利要求7所述的方法,其中,在形成所述发光层之前还包括在所述第一电极与所述第二电极之间的形成像素定义层。
14.一种包括根据权利要求1至6中任一项所述的显示面板的显示装置。
15.一种使用根据权利要求1至6中任一项所述的显示面板的显示方法,所述方法以下列模式中的一种来控制所述显示面板:
第一模式,其中,所述第一像素作为显示像素,所述第二像素作为照明像素,所述第一像素发光,所述第二像素不发光;
第二模式,其中,所述第一像素作为显示像素,所述第二像素作为照明像素,所述第一像素和所述第二像素同时发光;
第三模式,其中,所述第一像素作为显示像素,所述第二像素作为照明像素,所述第一像素不发光,所述第二像素发光
第四模式,其中,所述第一像素作为照明像素,所述第二像素作为显示像素,所述第一像素不发光,所述第二像素发光;以及
第五模式,其中,所述第一像素作为照明像素,所述第二像素作为显示像素,所述第一像素发光,所述第二像素不发光。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20170922 |