TWI429326B

TWI429326B - 發光裝置及其製造方法

Info

Publication number: TWI429326B
Application number: TW099138682A
Authority: TW
Inventors: Yuan Ming Chiang; Wen Hao Wu
Original assignee: Au Optronics Corp
Priority date: 2010-11-10
Filing date: 2010-11-10
Publication date: 2014-03-01
Also published as: US20120184059A1; TW201220940A; US8293570B2; US8174008B1; US20120112210A1

Description

發光裝置及其製造方法

本發明是有關於一種發光裝置及其製造方法。

資訊通訊產業已成為現今的主流產業，特別是可攜帶式的各種通訊顯示產品更是發展的重點。而由於平面顯示器是人與資訊之間的溝通界面，因此其發展顯得特別重要。有機發光顯示器即是一種有機發光裝置，由於其具有自發光、廣視角、省電、程序簡易、低成本、操作溫度廣泛、高應答速度以及全彩化等等的優點，使其具有極大的潛力，因此可望成為下一代平面顯示器之主流。

有機電致發光顯示器是一種利用有機發光材料的自發光特性來達到顯示效果的顯示器，其由設置在基板上之第一電極層、第二電極層以及夾於兩電極層之間之有機發光材料層所組成。當施加直流電壓時，電洞從陽極(anode)注入有機發光材料層，而電子從陰極(cathode)注入有機發光材料層，因為外加電場所造成的電位差，使得電洞與電子兩種載子(carrier)在有機發光材料層中移動並產生輻射性結合(Radiative Recombination)。部分由電子電洞再結合所放出之能量會將有機發光材料分子激發形成單一激態分子。當單一激態分子釋放能量回到基態時，其中一定比例的能量會以光子的方式放出而發光，此即為有機電致發光顯示器的發光原理。

隨著有機電致發光顯示器之大型化的發展，其所面臨的瓶頸為有機電致發光顯示器蒸鍍程序中所需的遮罩大小有所限制。因此，必須使用分割型遮罩來進行蒸鍍製程，也就是組合多個遮罩並使遮罩之間的間隙(gap)對應於子畫素與子畫素之間或者是直接對應於子畫素。然而，在製作分割型遮罩時，其邊緣處有製作精度控制不易的問題，且在組合分割型遮罩時會有組合精度控制不易的問題。如此一來，導致遮罩的製作成本較高且蒸鍍程序的時間較長。

本發明提供一種發光裝置，具有較佳的良率。

本發明另提供一種發光裝置的製造方法，具有簡單的製程與較低的製作成本。

本發明提出一種發光裝置，其包括一基板以及多個畫素行。畫素行排列於基板上，畫素行包括一第一子畫素行、一第二子畫素行以及一第三子畫素行，第一子畫素行包括多個第一子畫素，第二子畫素行包括多個第二子畫素，以及第三子畫素行包括多個第三子畫素。在第m畫素行中，第一子畫素包括一第一結構層，第一結構層彼此分離且分別對應於一第一子畫素，在第(m+n)畫素行中，第一子畫素包括一第一共用結構層，第一共用結構層對應於位於同一行的多個第一子畫素，其中第一結構層與第一共用結構層同為一有機功能層或一電極層，且m、n分別為正整數。

本發明提出另一種發光裝置的製造方法。首先，提供一基板，基板包括多個畫素區，畫素區包括分別排列成行的多個第一子畫素區、多個第二子畫素區以及多個第三子畫素區。接著，提供一遮罩於基板上，遮罩包括多個次遮罩單元以及位於次遮罩單元之間的組合間隙，次遮罩單元包括具有多個開口的一主體，主體遮蔽第二子畫素區與第三子畫素區，開口排列成多行且開口暴露出與其對應的一第一子畫素區，以及組合間隙暴露出與其對應且位於同一行的多個第一子畫素區，其中組合間隙的寬度至少大於25μm。然後，透過遮罩，於對應開口的一第一子畫素區中形成一第一結構層，以及於對應組合間隙之位於同一行的多個第一子畫素區中形成一第一共用結構層，其中第一結構層與第一共用結構層同為一有機功能層或一電極層。

基於上述，在本發明之發光裝置中，結構層與共同結構層構成有機功能層或電極層，其中一結構層對應於一子畫素，以及一共用結構層對應於同一行的多個子畫素。在本發明之發光裝置的製造方法中，使用包括多個次遮罩單元的遮罩，且令次遮罩單元之間的組合間隙對應於一整行的子畫素區。次遮罩單元包括多個開口以定義結構層，以及次遮罩單元之間的組合間隙定義出共用結構層。如此一來，使得次遮罩單元的製作較容易，以及次遮罩單元之間的組合精度較易控制。因此，可大幅縮減發光裝置的製程時間以及降低遮罩的製作成本，且所製作的發光裝置具有較佳的良率。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

圖1A為本發明之一實施例的一種發光裝置的上視示意圖，以及圖1B為沿圖1A之I-I’線、II-II’線、III-III’線以及IV-IV’線的剖面示意圖，其中為了詳細說明，圖1A省略繪示子畫素P₁ 、P₂ 、P₃ 的結構層142、144、146與共用結構層152、154、156，完整的子畫素P₁ 、P₂ 、P₃ 之剖面是繪示於圖1B中。請同時參照圖1A與圖1B，在本實施例中，發光裝置10包括一基板100以及多個畫素行110_m 、110_(m+n-1) 、110_(m+n) 、110_(m+n+1) 。畫素行110_m 、110_(m+n-1) 、、、110_(m+n) 、110_(m+n+1) 排列於基板100上，畫素行110_m 、110_(m+n-1) 、110_(m+n) 、110_(m+n+1) 包括一第一子畫素行112、一第二子畫素行114以及一第三子畫素行116，第一子畫素行112包括多個第一子畫素P₁ ，第二子畫素行114包括多個第二子畫素P₂ ，以及第三子畫素行116包括多個第三子畫素P₃ 。在本實施例中，多個第一子畫素P₁ 、多個第二子畫素P₂ 以及多個第三子畫素P₃ 例如是分別為多個紅色子畫素、多個綠色子畫素以及多個藍色子畫素。

首先，必須說明的是，在本發明中，第一結構層與第一共用結構層可以一同作為有機功能層，或者是第一結構層與第一共用結構層可以一同作為電極層，其中電極層例如是一陰極層或一陽極層。換言之，在發光裝置中，第一結構層與第一共用結構層可以一同作為陽極層、有機功能層、陰極層中的至少一者。在本實施例中，是以發光裝置10包括作為有機功能層的一第一結構層142與一第一共用層152，以及包括作為電極層的另一第一結構層162與另一第一共用結構層172為例。換言之，在本實施例中，第一結構層142與第一共用結構層152是被定義為有機功能層，以及另一第一結構層162與另一第一共用結構層172是被定義為電極層。

在第m畫素行110_m 中，第一子畫素P₁ 包括一第一結構層142，第一結構層142彼此分離且分別對應於一第一子畫素P₁ ，在第(m+n)畫素行110_(m+n) 中，多個第一子畫素P₁ 包括一第一共用結構層152，第一共用結構層152對應於位於同一行的多個第一子畫素P₁ ，其中第一結構層142與第一共用結構層152同為一有機功能層，且m、n分別為正整數。在本實施例中，第一結構層142與第一共用結構層152例如是作為有機功能層，其例如是包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一電子注入層以及一電子傳輸層。

相似地，在第m畫素行110_m 中，第一子畫素P₁ 包括一第一結構層162，第一結構層162彼此分離且分別對應於一第一子畫素P₁ ，在第(m+n)畫素行110_(m+n) 中，多個第一子畫素P₁ 包括一第一共用結構層172，第一共用結構層172對應於位於同一行的多個第一子畫素P₁ ，其中第一結構層162與第一共用結構層172同為一電極層，且m、n分別為正整數。在本實施例中，第一結構層162與第一共用結構層172例如是作為電極層。電極層可以是陰極層或陽極層。電極層的材料例如是不透明金屬或透明金屬，其中不透明金屬包括銅、鋁、銀、金、鈦、鉬、鎢、鉻以及其合金或疊層，透明金屬包括金屬氧化物層，其例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的金屬氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層。

特別注意的是，在本實施例中，第一子畫素P₁ 同時包括作為有機功能層的第一結構層142與第一共用結構層152以及作為電極層的另一第一結構層162與另一第一共用結構層172。然而，在其他實施例中，第一子畫素P₁ 可以僅包括作為有機功能層的第一結構層142與第一共用結構層152或者是作為電極層的第一結構層162與第一共用結構層172，舉例來說，在一實施例中，第一子畫素P₁ 包括作為有機功能層的第一結構層142與第一共用結構層152以及具有其他構型的一電極層，或者是第一子畫素P₁ 包括作為電極層的第一結構層162與第一共用結構層172以及具有其他構型的一有機功能層。

在本實施例中，是以第一結構層162與第一共用結構層172作為陰極層為例。因此，第一子畫素P₁ 更包括作為陽極層的另一電極層120。詳言之，在第m畫素行110_m 中，第一子畫素P₁ 包括依序堆疊於基板100上的作為陽極層的電極層120、作為有機功能層的第一結構層142以及作為陰極層的第一結構層162，其中第一結構層142位於電極層120與第一結構層162之間。也就是說，第一結構層142、162與第一子畫素P₁ 具有一對一的對應關係。第一結構層142、162例如是在行方向上呈島狀排列。

另一方面，在第(m+n)畫素行110_(m+n) 中，第一子畫素P₁ 包括依序堆疊於基板100上的電極層120、第一共用結構層152以及第一共用結構層172。其中，位於同一行的多個第一子畫素P₁ 共同包括作為有機功能層的第一共用結構層152以及作為陰極層的第一共用結構層172。換言之，在第(m+n)畫素行110_(m+n) 中，第一共用結構層152、172是對應於一第一子畫素行112，且第一共用結構層152、172與第一子畫素P₁ 具有一對多的對應關係。第一共用結構層152、172例如是呈條狀且在行方向上延伸。第一共用結構層152、172的寬度w1例如是對應於一第一子畫素行112的寬度。在本實施例中，第一共用結構層152、172的寬度w1例如是實質上為120μm至125μm。

在本實施例中，第一共用結構層152、172的配置例如是以n個畫素行為周期，也就是第一共用結構層152、172彼此例如是間隔n個畫素行的距離。詳言之，第(m-1)畫素行、第(m+n)畫素行、第(m+2n+1)畫素行、第(m+3n+2)畫素行、、、等畫素行中配置有對應一整行的第一子畫素P₁ 的第一共用結構層152、172。另一方面，第m畫素行至第(m+n-1)畫素行中的第一子畫素P₁ 、第(m+n+1)畫素行至第(m+2n)畫素行、第(m+2n+2)畫素行至第(m+3n+1)畫素行、、、等畫素行中配置有分別對應於一第一子畫素P₁ 的第一結構層142、162。在本實施例中，各第一共用結構層152、172之間的距離(未繪示)例如是實質上為50mm至580mm。

在本實施例中，第二子畫素P₂ 與第三子畫素P₃ 的配置方式例如是與第一子畫素P₁ 的配置方式相似。詳言之，在第m畫素行110_m 中，第二子畫素P₂ 包括一第二結構層144、164，第二結構層144、164彼此分離且分別對應於一第二子畫素P₂ ，在第(m+n)畫素行110_(m+n) 中，多個第二子畫素P₂ 包括一第二共用結構層154、174，第二共用結構層154、174對應於位於同一行的多個第二子畫素P₂ ，其中第二結構層144、164與第二共用結構層154、174同為一有機功能層或一電極層，電極層例如是一陰極層或一陽極層。在本實施例中，第二結構層144與第二共用結構層154例如是作為有機功能層，第二結構層164與第二共用結構層174例如是作為陰極層。因此，第二子畫素P₂ 更包括作為陽極層的另一電極層120。詳言之，在第m畫素行110_m 中，第二子畫素P₂ 包括依序堆疊於基板100上的作為陽極層的電極層120、作為有機功能層的第二結構層144以及作為陰極層的第二結構層164。在第(m+n)畫素行110_(m+n) 中，第二子畫素P₂ 包括依序堆疊於基板100上的作為陽極層的電極層120、作為有機功能層的第二共用結構層154以及作為陰極層的第二共用結構層174。第二共用結構層154、174的寬度w2例如是實質上為120μm至125μm。各第二共用結構層154、174彼此例如是間隔n個畫素行的距離，以及各第二共用結構層154、174之間的距離(未繪示)例如是實質上為50mm至580mm。

在本實施例中，在第m畫素行110_m 中，第三子畫素P₃ 包括一第三結構層146、166，第三結構層146、166彼此分離且分別對應於一第三子畫素P₃ ，在第(m+n)畫素行110_(m+n) 中，多個第三子畫素P₃ 包括一第三共用結構層156、176，第三共用結構層156、176對應於位於同一行的多個第三子畫素P₃ ，其中第三結構層146、166與第三共用結構層156、176同為一有機功能層或一電極層，電極層例如是一陰極層或一陽極層。在本實施例中，第三結構層146與第三共用結構層156例如是作為有機功能層，第三結構層166與第三共用結構層176例如是作為陰極層。因此，第三子畫素P₃ 更包括作為陽極層的一電極層120。詳言之，在第m畫素行110_m 中，第三子畫素P₃ 包括依序堆疊於基板100上的作為陽極層的電極層120、作為有機功能層的第三結構層146以及作為陰極層的第三結構層166。在第(m+n)畫素行110_(m+n) 中，第三子畫素P₃ 包括依序堆疊於基板100上的作為陽極層的電極層120、作為有機功能層的第三共用結構層156以及作為陰極層的第三共用結構層176。第三共用結構層156、176的寬度w3例如是實質上為120μm至125μm。各第三共用結構層156、176彼此例如是間隔n個畫素行的距離，以及各第三共用結構層156、176之間的距離(未繪示)是實質上為50mm至580mm。

在本實施例中，第一共用結構層152、172、第二共用結構層154、174、第三共用結構層156、176例如是位於同一畫素行110_(m+n) 中且彼此相連而具有實質上為360μm至375μm的總寬度。在本實施例中，結構層142、144、146與共用結構層152、154、156例如是構成有機功能層140，以及結構層162、164、166與共用結構層172、174、176例如是構成電極層160。

在本實施例中，發光裝置10例如是更包括一絕緣層130。絕緣層130具有會暴露出每一子畫素P₁ 、P₂ 、P₃ 中的電極層120的多個開口132，以及結構層142、144、146與共用結構層152、154、156例如是配置於開口132中。特別注意的是，雖然在圖1B的圖式中是以結構層142、144、146以及共用結構層152、154、156皆形成於絕緣層130的開口132中為例，然而結構層142、144、146以及共用結構層152、154、156在實務上可能會配置於絕緣層130的開口132中且覆蓋部分絕緣層130。另一方面，本發明之發光裝置10不限制必須具有絕緣層130。換言之，在其他實施例中，也可以省略絕緣層130的配置。此外，雖然在本實施例中是以結構層162、164、166與共用結構層172、174、176一同作為陰極層以及結構層142、144、146與共用結構層152、154、156一同作為有機功能層為例，但在本發明中，結構層與共用結構層可以一同作為陽極層、有機功能層、陰極層中的至少一者、至少兩者以及三者。舉例來說，在另一實施例中，結構層與共用結構層亦可以一同作為陽極層，而陰極層與有機功能層具有所屬領域具有通常知識者所周知的一般結構。換言之，除了由結構層與共用結構層所形成的膜層以外，其他膜層可以是具有所屬領域具有通常知識者所周知的一般結構。

在本實施例中，發光裝置包括由結構層與共同結構層所構成的有機功能層或電極層，其中一結構層對應於一子畫素，以及一共用結構層對應於同一行的多個子畫素，且共用結構層例如是周期性配置。舉例來說，在本實施例中，共用結構層配置於第(m-1)畫素行、第(m+n)畫素行、第(m+2n+1)畫素行、第(m+3n+2)畫素行、、、等畫素行中且對應於一整行的子畫素，結構層則配置於這些畫素行以外的各個子畫素中。

接下來將介紹圖1A與圖1B所示之發光裝置10的製造方法。圖2A至圖2F為本發明之一實施例的一種發光裝置的製造方法的上視示意圖，以及圖3A至圖3F分別為沿圖2A至圖2F之I-I’線、II-II’線、III-III’線以及IV-IV’線的剖面示意圖。請同時參照圖2A與圖3A，首先，提供一基板100，基板100包括多個畫素區102，畫素區102包括分別排列成行的多個第一子畫素區PA₁ 、多個第二子畫素區PA₂ 以及多個第三子畫素區PA₃ 。在本實施例中，多個第一子畫素區PA₁ 、多個第二子畫素區PA₂ 以及多個第三子畫素區PA₃ 例如是預定形成多個紅色子畫素、多個綠色子畫素以及多個藍色子畫素的區域。基板100之材質可為玻璃、石英、有機聚合物、塑膠、可撓性塑膠或是不透光/反射材料等等。

在本實施例中，基板100上已形成有多個電極層120，且每一電極層120對應於一個子畫素區PA₁ 、PA₂ 、PA₃ 。電極層120可以是一陰極層或一陽極層，電極層120例如是透明電極層，其例如是金屬氧化物層，其例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的金屬氧化物、或者是上述至少二者之堆疊層；或者是具有高透光度之薄金屬層或薄金屬疊層。在一實施例中，電極層120也可以是不透光之電極層。此外，在本實施例中，電極層120上例如是已形成一絕緣層130。絕緣層130具有會暴露出每一子畫素區PA₁ 、PA₂ 、PA₃ 中的電極層120的多個開口132。然而，特別注意的是，本發明不限制必須形成絕緣層130。換言之，在其他實施例中，也可以省略絕緣層130的製作。

請同時參照圖2B與圖3B，接著，提供一遮罩200於基板100上，遮罩200包括多個次遮罩單元210以及位於次遮罩單元210之間的組合間隙220。次遮罩單元210包括具有多個開口214的一主體212，開口214排列成多行且每一開口214暴露出與其對應的一第一子畫素區PA₁ ，主體212遮蔽第二子畫素區PA₂ 與第三子畫素區PA₃ 。組合間隙220暴露出與其對應且位於同一行的多個第一子畫素區PA₁ ，其中組合間隙220的寬度w4至少大於25μm。在本實施例中，每一次遮罩單元210例如是位於n個畫素區102上，次遮罩單元210的開口214暴露出該n個畫素區102中的每一第一子畫素區PA₁ ，次遮罩單元210之間的組合間隙220例如是暴露出位於第(m+n)個畫素區102、第(m+2n+1)個畫素區102、、、等畫素區102中的多個第一子畫素區PA₁ 。換言之，每一組合間隙220暴露出一行的多個第一子畫素區PA₁ 。在本實施例中，次遮罩單元210例如是位於n個畫素區102上且次遮罩單元210的寬度w5例如是實質上為50mm至580mm，以及開口212的寬度w6實質上為120μm至125μm。特別注意的是，組合間隙220的寬度w4至少為進行蒸鍍法、濺鍍法等製程時足以形成線寬的最小寬度，因此其至少大於25μm。在本實施例中，組合間隙220的寬度w4例如是實質上為120μm至125μm。

請同時參照圖2C與圖3C，然後，透過遮罩200，於對應開口214的一第一子畫素區PA₁ 中形成一第一結構層142，以及於對應組合間隙220之位於同一行的多個第一子畫素區PA₁ 中形成一第一共用結構層152，其中第一結構層142與第一共用結構層152同為一有機功能層或一電極層。其中，有機功能層包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一電子注入層以及一電子傳輸層。在本實施例中，以每一次遮罩單元210位於n個畫素區102上為例，第一結構層142形成於該n個畫素區102中的每一第一子畫素區PA₁ 中，第一結構層142與第一子畫素區PA₁ 為一對一的對應關係。第一共用結構層152則形成於由組合間隙220所暴露的一行第一子畫素區PA₁ 中，該行第一子畫素區PA₁ 例如是位於第(m+n)個畫素區102、第(m+2n+1)個畫素區102、、、等畫素區102中，以及第一共用結構層152與多個第一子畫素區PA₁ 為一對多的配置方式。在本實施例中，第一結構層142例如是在行方向上呈島狀排列以分別位於一個第一子畫素區PA₁ 中，以及第一共用結構層152例如是呈條狀且在行方向上延伸以位於多個第一子畫素區PA₁ 中。第一共用結構層152的寬度w1例如是對應於組合間隙220的寬度w4且例如是實質上為120μm至125μm。在本實施例中，第一結構層142與第一共用結構層152例如是有機功能層，以及第一結構層142與第一共用結構層152的形成方法例如是蒸鍍法或濺鍍法。舉例來說，在本實施例中，例如是使用第一顏色蒸鍍材料(諸如紅色蒸鍍材料)來蒸鍍第一結構層142與第一共用結構層152，以形成紅色發光層。

請同時參照圖2D與圖3D，在本實施例中，於形成第一結構層142與第一共用結構層152後，移動遮罩200，使遮罩200的主體212遮蔽第一子畫素區PA₁ 與第三子畫素區PA₃ ，開口214暴露出與其對應的一第二子畫素區PA₂ ，以及組合間隙220暴露出與其對應且位於同一行的多個第二子畫素區PA₂ 。而後，透過遮罩200，於對應開口214的一第二子畫素區PA₂ 中形成一第二結構層144，以及於對應組合間隙220之位於同一行的多個第二子畫素區PA₂ 中形成一第二共用結構層154，其中第二結構層144與第二共用結構層154同為一有機功能層或一電極層。其中，有機功能層包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一電子注入層以及一電子傳輸層。電極層包括一陰極層或一陽極層。

在本實施例中，以每一次遮罩單元210位於n個畫素區102上為例，第二結構層144形成於該n個畫素區102中的每一第二子畫素區PA₂ 中，第二結構層144與第二子畫素區PA₂ 為一對一的對應關係。第二共用結構層154則形成於由組合間隙220所暴露的一行第二子畫素區PA₂ 中，該行第二子畫素區PA₂ 例如是位於第(m+n)個畫素區102、第(m+2n+1)個畫素區102、、、等畫素區102中，以及第二共用結構層154與多個第二子畫素區PA₂ 為一對多的配置方式。在本實施例中，第二結構層144例如是在行方向上呈島狀排列以分別位於一個第二子畫素區PA₂ 中，以及第二共用結構層154例如是呈條狀且在行方向上延伸以位於多個第二子畫素區PA₂ 中。第二共用結構層154的寬度w2例如是對應於組合間隙220的寬度w4且例如是實質上為120μm至125μm。在本實施例中，第二結構層144與第二共用結構層154例如是同為有機功能層，以及第二結構層144與第二共用結構層154的形成方法例如是蒸鍍法或濺鍍法。在本實施例中，例如是使用第二顏色蒸鍍材料(諸如綠色蒸鍍材料)來蒸鍍第二結構層144與第二共用結構層154，以形成綠色發光層。

請同時參照圖2E與圖3E，在本實施例中，於形成第二結構層144與第二共用結構層154後，移動遮罩200，使遮罩200的主體212遮蔽第一子畫素區PA₁ 與第二子畫素區PA₂ ，開口214暴露出與其對應的一第三子畫素區PA₃ ，以及組合間隙220暴露出與其對應且位於同一行的多個第三子畫素區PA₃ 。而後，透過遮罩200，於對應開口214的一第三子畫素區PA₃ 中形成一第三結構層146，以及於對應組合間隙220之位於同一行的多個第三子畫素區PA₃ 中形成一第三共用結構層156，其中第三結構層146與第三共用結構層156同為一有機功能層或一電極層。其中，有機功能層包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一電子注入層以及一電子傳輸層。

在本實施例中，以每一次遮罩單元210位於n個畫素區102上為例，第三結構層146形成於該n個畫素區102中的每一第三子畫素區PA₃ 中，第三結構層146與第三子畫素區PA₃ 為一對一的對應關係。第三共用結構層156則形成於由組合間隙220所暴露的一行第三子畫素區PA₃ 中，該行第三子畫素區PA₃ 例如是位於第(m+n)個畫素區102、第(m+2n+1)個畫素區102、、、等畫素區102中，以及第三共用結構層156與多個第三子畫素區PA₃ 為一對多的配置方式。在本實施例中，第三結構層146例如是在行方向上呈島狀排列以分別位於一個第三子畫素區PA₃ 中，以及第三共用結構層156例如是呈條狀且在行方向上延伸以位於多個第三子畫素區PA₃ 中。第三共用結構層156的寬度w3例如是對應於組合間隙220的寬度w4且例如是實質上為120μm至125μm。在本實施例中，第三結構層146與第三共用結構層156例如是同為有機功能層，以及第三結構層146與第三共用結構層156的形成方法例如是蒸鍍法或濺鍍法。在本實施例中，例如是使用第三顏色蒸鍍材料(諸如藍色蒸鍍材料)來蒸鍍第三結構層146與第三共用結構層156，以形成藍色發光層。

請同時參照圖2F與圖3F，在本實施例中，結構層142、144、146與共用結構層152、154、156例如是構成有機功能層140。其中，第一共用結構層152、第二共用結構層154、第三共用結構層156例如是彼此相連而具有實質上為360μm至375μm的總寬度。特別一提的是，在本實施例中，是以有機功能層140為一有機發光層為例，然而在其他實施例中，有機功能層140可以是包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一電子注入層以及一電子傳輸層等膜層的多層結構。換言之，遮罩200可以用來形成發光裝置的多種膜層。

而後，於結構層142、144、146與共用結構層152、154、156上形成一電極層160。在本實施例中，例如是使用遮罩200來形成電極層160，其形成方法可以參照結構層142、144、146與共用結構層152、154、156的形成方法，於此不贅述。在本實施例中，電極層160例如是包括分別形成於結構層142、144、146與共用結構層152、154、156上的結構層162、164、166與共用結構層172、174、176。換言之，結構層162、164、166例如是在行方向上呈島狀排列以分別位於一個子畫素區PA₁ 、PA₂ 、PA₃ 中，以及共用結構層172、174、176例如是呈條狀且在行方向上延伸以位於多個子畫素區PA₁ 、PA₂ 、PA₃ 中。共用結構層172、174、176的寬度例如是實質上為120μm至125μm，以及共用結構層172、174、176例如具有實質上為360μm至375μm的總寬度。

特別一提的是，在發光裝置10中，電極層120為陽極層與陰極層中一者，以及電極層160為陽極層與陰極層中另一者。在本實施例中，電極層120例如是陽極層，以及電極層160例如是陰極層。再者，在本實施例中是以遮罩200來形成發光裝置10的有機功能層140與電極層160為例，但在其他實施例中，遮罩200可以用來形成電極層120、有機功能層140以及電極層160中的至少一者、至少兩者或三者。換言之，遮罩200可以用來形成發光裝置中的陽極層、有機功能層以及陰極層中的至少一者、至少兩者或三者。

施例中，以圖2B為例，由於次遮罩單元210之間的組合間隙220是對應於一個子畫素區PA₁ 的寬度，因此次遮罩單元210的組合精度例如是控制在一個子畫素區PA₁ 的寬度+/-0.04mm的範圍內即可。換言之，遮罩單元210的組合精度較易控制。再者，本實施例中，由於遮罩200的邊緣部分211至少遮蔽兩個子畫素區域PA₂ 、PA₃ ，因此次遮罩單元210的邊緣部分211的寬度(即次遮罩單元210的邊緣與最靠近邊緣的開口214之間的距離)實質上至少大於兩個子畫素區域PA₂ 、PA₃ 的寬度，諸如至少大於或等於0.1 mm。舉例來說，以一個子畫素區域的寬度約為120μm至125μm為例，次遮罩單元210的邊緣部分211的寬度至少大於240μm至250μm，但不加以限定，端視設計者需求。。因此，在次遮罩單元210的網板製作中，邊緣部分211的製作精度例如是控制成小於或等於兩個子畫素區域PA₂ 、PA₃ 的寬度+/-0.006~0.01mm的範圍內即可。換言之，次遮罩單元210的邊緣部分211的製作精度較易控制。此外，由於次遮罩單元210的邊緣部分211不會過細，因此遮罩200的張網穩定性較佳，而不會發生變形或斷裂等問題。再者，由於次遮罩單元210之間的組合間隙220只要能對應於一行的多個子畫素區PA₁ 即可，因此可在遮罩200中選擇適當的位置來分割成多個次遮罩單元210以製作出對稱的次遮罩單元210，如此一來可以大幅降低遮罩200的製作成本。因此，本發明之發光裝置的製造方法能大幅縮減發光裝置的製程時間以及降低遮罩的製作成本，且所製作的發光裝置具有較佳的良率。

綜上所述，在本發明之發光裝置中，結構層與共同結構層構成有機功能層或電極層，其中一結構層對應於一子畫素，以及一共用結構層對應於同一行的多個子畫素，且共用結構層例如是周期性配置。在本發明之發光裝置的製造方法中，使用包括多個次遮罩單元的遮罩，且令次遮罩單元之間的組合間隙對應於一整行的子畫素區。次遮罩單元包括多個開口以定義結構層，以及次遮罩單元之間的組合間隙定義出共用結構層。如此一來，使得次遮罩單元的製作較容易，以及次遮罩單元之間的組合精度較易控制。因此，可大幅縮減發光裝置的製程時間以及降低遮罩的製作成本，且所製作的發光裝置具有較佳的良率。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10．．．發光裝置

100．．．基板

102．．．畫素區

110_m 、110_(m+n-1) 、110_(m+n) 、110_(m+n+1) ．．．畫素行

112、114、116．．．子畫素行

120．．．電極層

130．．．絕緣層

132．．．開口

140．．．有機功能層

142、144、146、162、164、166．．．結構層

152、154、156、172、174、176．．．共用結構層

160．．．電極層

200．．．遮罩

210．．．次遮罩單元

211．．．邊緣部分

212．．．主體

214．．．開口

220．．．組合間隙

w1、w2、w3、w4、w5、w6．．．寬度

P₁ 、P₂ 、P₃ ．．．子畫素

PA₁ 、PA₂ 、PA₃ ．．．子畫素區

圖1A為本發明之一實施例的一種發光裝置的上視示意圖。

圖1B為沿圖1A之I-I’線、II-II’線、III-III’線以及IV-IV’線的剖面示意圖。

圖2A至圖2F為本發明之一實施例的一種發光裝置的製造方法的上視示意圖。

圖3A至圖3F分別為沿圖2A至圖2F之I-I’線、II-II’線、III-III’線以及IV-IV’線的剖面示意圖。

10．．．發光裝置

100．．．基板

110_m 、110_(m+n-1) 、110_(m+n) 、110_(m+n+1) ．．．畫素行

112、114、116．．．子畫素行

140．．．有機功能層

142、144、146．．．結構層

152、154、156．．．共用結構層

w1、w2、w3．．．寬度

P₁ 、P₂ 、P₃ ．．．子畫素

Claims

一種發光裝置，包括：一基板；以及多個畫素行，排列於該基板上，各該畫素行包括一第一子畫素行、一第二子畫素行以及一第三子畫素行，各該第一子畫素行包括多個第一子畫素，各該第二子畫素行包括多個第二子畫素，以及各該第三子畫素行包括多個第三子畫素，在第m畫素行中，各該第一子畫素包括一第一結構層，該些第一結構層彼此分離且分別對應於一第一子畫素，在第(m+n)畫素行中，該些第一子畫素包括一第一共用結構層，該第一共用結構層對應於位於同一行的多個第一子畫素，其中該第一結構層與該第一共用結構層同為一有機功能層或一電極層，且m、n分別為正整數。
如申請專範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一共用結構層的寬度實質上為120μm至125μm。
如申請專範圍第1項所述之發光裝置，其中第m畫素行的該第一子畫素行與第(m+n)畫素行的該第一子畫素行之間的距離實質上為50mm至580mm。
如申請專範圍第1項所述之發光裝置，其中該些第一結構層在行方向上呈島狀排列。
如申請專範圍第1項所述之發光裝置，其中該第一共用結構層呈條狀且在行方向上延伸。
如申請專範圍第1項所述之發光裝置，其中該電極層包括一陰極層。
如申請專範圍第1項所述之發光裝置，其中該電極層包括一陽極層。
如申請專範圍第1項所述之發光裝置，其中該有機功能層包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一電子注入層以及一電子傳輸層。
如申請專範圍第1項所述之發光裝置，其中該些第一子畫素、該些第二子畫素以及該些第三子畫素包括多個紅色子畫素、多個綠色子畫素以及多個藍色子畫素。
如申請專範圍第1項所述之發光裝置，在第m畫素行中，各該第二子畫素包括一第二結構層，該些第二結構層彼此分離且分別對應於一第二子畫素，在第(m+n)畫素行中，該些第二子畫素包括一第二共用結構層，該第二共用結構層對應於位於同一行的多個第二子畫素，其中該第二結構層與該第二共用結構層同為一有機功能層或一電極層。
如申請專範圍第10項所述之發光裝置，其中該第二共用結構層的寬度實質上為120μm至125μm。
如申請專範圍第1項所述之發光裝置，在第m畫素行中，各該第三子畫素包括一第三結構層，該些第三結構層彼此分離且分別對應於一第三子畫素，在第(m+n)畫素行中，該些第三子畫素包括一第三共用結構層，該第三共用結構層對應於位於同一行的多個第三子畫素，其中該第三結構層與該第三共用結構層同為一有機功能層或一電極層。
如申請專範圍第12項所述之發光裝置，其中該第三共用結構層的寬度實質上為120μm至125μm。
一種發光裝置的製造方法，包括：提供一基板，該基板包括多個畫素區，各該畫素區包括分別排列成行的多個第一子畫素區、多個第二子畫素區以及多個第三子畫素區；提供一遮罩於該基板上，該遮罩包括多個次遮罩單元以及位於該些次遮罩單元之間的組合間隙，各該次遮罩單元包括具有多個開口的一主體，該主體遮蔽該些第二子畫素區與該些第三子畫素區，該些開口排列成多行且各該開口暴露出與其對應的一第一子畫素區，以及各該組合間隙暴露出與其對應且位於同一行的多個第一子畫素區，其中各該組合間隙的寬度至少大於25μm；以及透過該遮罩，於對應各該開口的一第一子畫素區中形成一第一結構層，以及於對應各該組合間隙之位於同一行的多個第一子畫素區中形成一第一共用結構層，其中該第一結構層與該第一共用結構層同為一有機功能層或一電極層。
如申請專範圍第14項所述之發光裝置的製造方法，其中各該次遮罩單元的寬度實質上為50mm至580mm。
如申請專範圍第14項所述之發光裝置的製造方法，其中各該組合間隙的寬度實質上為120μm至125μm。
如申請專範圍第14項所述之發光裝置的製造方法，其中各該開口的寬度實質上為120μm至125μm。
如申請專範圍第14項所述之發光裝置的製造方法，其中該第一結構層與該第一共用結構層的形成方法包括蒸鍍法與濺鍍法。
如申請專範圍第14項所述之發光裝置的製造方法，其中該有機功能層包括一電洞注入層、一電洞傳輸層、一有機發光層、一電子注入層以及一電子傳輸層。
如申請專範圍第14項所述之發光裝置的製造方法，其中該電極層包括一陰極層。
如申請專範圍第14項所述之發光裝置的製造方法，其中該電極層包括一陽極層。
如申請專範圍第14項所述之發光裝置的製造方法，於形成該第一結構層與該第一共用結構層後，更包括：移動該遮罩，使該遮罩的該主體遮蔽該些第一子畫素區與該些第三子畫素區，各該開口暴露出與其對應的一第二子畫素區，以及各該組合間隙暴露出與其對應且位於同一行的多個第二子畫素區；以及透過該遮罩，於對應各該開口的一第二子畫素區中形成一第二結構層，以及於對應各該組合間隙之位於同一行的多個第二子畫素區中形成一第二共用結構層，其中該第二結構層與該第二共用結構層同為一有機功能層或一電極層。
如申請專範圍第14項所述之發光裝置的製造方法，於形成該第一結構層與該第一共用結構層後，更包括：移動該遮罩，使該遮罩的該主體遮蔽該些第一子畫素區與該些第二子畫素區，各該開口暴露出與其對應的一第三子畫素區，以及各該組合間隙暴露出與其對應且位於同一行的多個第三子畫素區；以及透過該遮罩，於對應各該開口的一第三子畫素區中形成一第三結構層，以及於對應各該組合間隙之位於同一行的多個第三子畫素區中形成一第三共用結構層，其中該第三結構層與該第三共用結構層同為一有機功能層或一電極層。