JP6228444B2 - 有機el表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
(有機EL表示装置の構成)
図1は、本発明の第1の実施形態に係るトップエミッション型の有機EL表示装置を示す断面図である。
以上のように構成される有機EL表示装置1においては、駆動回路12により、下部電極層13および上部電極層15に電圧が印加されると、有機EL層14へカソード電極から電子が、アノード電極から正孔が流れ込み、有機EL層14の発光分子で電子と正孔が再結合することにより発光し、金属膜である下部電極層13により反射されて基板11と反対側の封止層17側から有機EL層14からの光をとり出す。
次に、ALD法による成膜例について上部電極層15としてIZO膜を成膜する場合を例にとって説明する。
図4は、本発明の第2の実施形態に係るトップエミッション型有機EL表示装置を示す断面図である。
この図に示すように、第2の実施形態に係る有機EL表示装置2は、基板21と、その上に形成された駆動回路(薄膜トランジスタ(TFT))22と、その上に形成された下部電極層23、有機EL層(発光層)24、および上部電極層25が順次積層されてなる有機EL素子26と、さらにその有機EL素子26の上に形成された封止層27とを有しており、基板21と反対側の封止層27側から有機EL層24からの光をとり出す。
図5は、本発明の第3の実施形態に係るトップエミッション型有機EL表示装置を示す断面図である。
この図に示すように、第3の実施形態に係る有機EL表示装置3は、基板31と、その上に形成された駆動回路(薄膜トランジスタ(TFT))32と、その上に形成された下部電極層33、有機EL層(発光層)34、電子注入層38および上部電極層35が順次積層されてなる有機EL素子36と、さらにその有機EL素子36の上に形成された封止層37とを有しており、基板31と反対側の封止層37側から有機EL層34からの光をとり出す。
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施形態では、有機EL表示装置の層構成をいくつか例示したが、基本的に上部電極層の少なくとも封止層に隣接した領域と、その上の封止層とが連続してALD法で成膜されたものであれば、層構成は限定されず、適切な仕事関数になるように適宜構成すればよい。
11,21,31;基板
12,22,32;駆動回路
13,23,33;下部電極層
14,24,34;有機EL層
15,25,35;上部電極層
16,26,36;有機EL素子
17,27,37;封止層
25a;第1層
25b;第2層
38;電子注入層
Claims (5)
- 下部電極層、有機EL層を有する発光機能層、および上部電極層が順に積層された有機EL素子と、前記有機EL素子の上面を封止する封止層とを備え、前記発光機能層で発光した光を前記封止層側へ取り出すトップエミッション型の有機EL表示装置であって、
前記下部電極層がアノード電極であり、前記上部電極層がカソード電極であり、
前記カソード電極である上部電極層が2層構造であり、
前記上部電極層の前記発光機能層側の第1層が金属膜または合金膜からなり、前記上部電極層の上面を含む領域を構成する第2層がIZO膜で構成されており、
前記上部電極の前記第2層と、その上に隣接する前記封止層とがいずれも原子層堆積法によって形成されていることを特徴とする有機EL表示装置。 - 前記封止層は、Al2O3膜で構成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示装置。
- 前記上部電極層の前記第2層は、封止層として機能することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機EL表示装置。
- 下部電極層、有機EL層を有する発光機能層、および上部電極層が順に積層された有機EL素子と、前記有機EL素子の上面を封止する封止層とを備え、前記発光機能層で発光した光を前記封止層側へ取り出すトップエミッション型の有機EL表示装置の製造方法であって、
前記下部電極層がアノード電極であり、前記上部電極層がカソード電極であり、
前記カソード電極である上部電極層を形成する際に、前記上部電極層の前記発光機能層側の第1層として金属膜または合金膜を形成し、前記上部電極層の上面を含む領域を構成する第2層としてIZO膜を原子層堆積法により形成し、その後、前記上部電極層の前記第2層の上に、原子層堆積法によって前記封止層を形成することを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 前記封止層は、Al2O3膜で形成されることを特徴とする請求項4に記載の有機EL表示装置の製造方法。
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