JP2008277530A - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
不揮発性半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008277530A JP2008277530A JP2007119122A JP2007119122A JP2008277530A JP 2008277530 A JP2008277530 A JP 2008277530A JP 2007119122 A JP2007119122 A JP 2007119122A JP 2007119122 A JP2007119122 A JP 2007119122A JP 2008277530 A JP2008277530 A JP 2008277530A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride film
- memory device
- semiconductor memory
- nonvolatile semiconductor
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 104
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 49
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 42
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 39
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 39
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 139
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 139
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 11
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 8
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 6
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 101710117542 Botulinum neurotoxin type A Proteins 0.000 abstract description 15
- 229940089093 botox Drugs 0.000 abstract description 15
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 139
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 139
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 130
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 77
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 24
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 19
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 12
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 11
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 8
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-yl-1-oxa-3-azonia-2-azanidacyclopent-3-en-5-imine;hydrochloride Chemical compound Cl.[N-]1OC(=N)C=[N+]1N1CCOCC1 NCGICGYLBXGBGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 6
- 101100421779 Arabidopsis thaliana SNL3 gene Proteins 0.000 description 5
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 101100042631 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SIN3 gene Proteins 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 5
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101150089655 Ins2 gene Proteins 0.000 description 3
- 102100034272 Sacsin Human genes 0.000 description 3
- 101710102928 Sacsin Proteins 0.000 description 3
- 101100072652 Xenopus laevis ins-b gene Proteins 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Metal Oxide Nitride Chemical class 0.000 description 2
- 108090000699 N-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 2
- 102000004129 N-Type Calcium Channels Human genes 0.000 description 2
- 108010075750 P-Type Calcium Channels Proteins 0.000 description 2
- 229910008284 Si—F Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N [N].[Si] Chemical compound [N].[Si] UMVBXBACMIOFDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000003949 trap density measurement Methods 0.000 description 1
- LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)[Si](Cl)(Cl)Cl LXEXBJXDGVGRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
- H01L21/82—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
- H01L21/822—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components the substrate being a semiconductor, using silicon technology
- H01L21/8232—Field-effect technology
- H01L21/8234—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type
- H01L21/823493—MIS technology, i.e. integration processes of field effect transistors of the conductor-insulator-semiconductor type with a particular manufacturing method of the wells or tubs, e.g. twin tubs, high energy well implants, buried implanted layers for lateral isolation [BILLI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40117—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a charge-trapping insulator
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/4234—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator
- H01L29/42344—Gate electrodes for transistors with charge trapping gate insulator with at least one additional gate, e.g. program gate, erase gate or select gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
- H01L29/51—Insulating materials associated therewith
- H01L29/511—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures
- H01L29/513—Insulating materials associated therewith with a compositional variation, e.g. multilayer structures the variation being perpendicular to the channel plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66833—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET with a charge trapping gate insulator, e.g. MNOS transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】電荷蓄積部である窒化シリコン膜SINと、その上下に位置する酸化膜BOTOX、TOPOXの積層膜からなるONO膜、その上部のメモリゲート電極MG、ソース領域MSおよびドレイン領域MDを有し、ホットキャリア注入により書込みもしくは消去を行うメモリセルにおいて、窒化シリコン膜SINに含まれるN−H結合とSi−H結合の合計密度を5×1020cm−3以下にする。
【選択図】図1
Description
第1の実施の形態では、データ保持特性の悪化を引き起こす3つのメカニズムのうち「水素の放出」を減らすことで、データ保持特性の悪化を抑制する。具体的には、電荷蓄積部である窒化シリコン膜中に存在するN−H結合とSi−H結合を減らして、ホットキャリア注入による水素の放出量を減らす。以下、水素濃度はN−H結合とSi−H結合の合計の濃度を表しており、水素濃度は、SIMS(Secondary Ion Mass Spectroscopy)又は、昇温脱離分析TDS(thermal desorption spectroscopy)で測定することができる。
dR(t)/dt=−E(t)=−A×J×R(t) 式(1)
で表される。式(1)よりR(t)をtの関数で表すと、
R(t)=R0×exp(−αt) 式(2)
となる。ここで、R0、αは定数である。
ΔVth_r(t)=ΔVth_H(t)+ΔVth_e=B×R(t)+ΔVth_e=C×exp(−αt)+ ΔVth_e 式(3)
となる。式(3)を、図23の測定データのうちリテンション劣化が拡散律則で決まっている1000s以降の3点にフィッティングした結果を図24に示す。この結果より、式(3)の定数C、α、ΔVth_eを求めると、C=0.4、α=0.0004、ΔVth_e=0.5となる。
R(1000s)=R0exp(−α×1000)=9×1020×exp(−0.0004×1000)=6×1020
となる。以上より、水素密度低減によるリテンション劣化抑制効果が現れる窒化膜中の水素濃度は約6×1020/cm2と見積もられ、図3に示したリテンション劣化抑制効果が現れる窒化膜中の水素濃度が少なくとも5×1020/cm2以下で効果が得られることが別の方法により確認された。
本実施の形態では、データ保持特性の悪化を引き起こす3つのメカニズムのうち「水素の拡散」を制御することで、放出された水素の濃度を低下させ、データ保持特性の悪化を抑制する。具体的には、メモリセル上のSAC用の窒化シリコン膜を無くすことで、水素がメモリセルの上方へ拡散する経路を確保し、メモリセル近傍の水素濃度を低下させる。ただし、SAC技術は近年のMOSトランジスタを使った半導体装置では必須の技術であり、SAC用の窒化シリコン膜を不揮発性半導体記憶装置の全領域で無くすことはできない。したがって、メモリアレイの領域のみでSAC用の窒化シリコン膜を無くす。
本実施の形態では、データ保持特性の悪化を引き起こす3つのメカニズムのうち「水素による劣化反応」を抑えることで、データ保持特性の悪化を抑制する。具体的には、メモリセルのシリコン基板/ボトム酸化膜界面およびボトム酸化膜中に、水素よりもシリコンとの結合エネルギーが大きい元素、例えば、ハロゲン元素を導入することで、水素が引き起こす界面準位や正の固定電荷の生成反応を起こりにくくする。
CAP 酸化シリコン膜
CONT コンタクトの金属層(プラグ)
GAPSW 側壁スペーサ
INS1 配線層間絶縁膜
INS2 配線層間絶縁膜
LO 素子分離の酸化シリコン膜
M1 第1層配線
MD ドレイン領域
MDM 低濃度n型不純物領域
ME メモリのしきい値調整用不純物領域
MG メモリゲート電極
MS ソース領域
MSM 低濃度n型不純物領域
NMG n型ポリシリコン層
ONO ONO膜
PSUB p型シリコン基板
PWEL p型ウェル領域
SACSIN SAC用の窒化シリコン膜
SG 選択ゲート電極
SGOX ゲート絶縁膜
SIN、SIN1、SIN2、SIN3 電荷蓄積用の窒化シリコン膜
SW 側壁スペーサ
TOPOX 上部酸化膜(酸化膜)
Claims (19)
- 半導体基板中に形成された一対のソース及びドレイン領域と、
前記ソース及びドレイン領域の間の前記半導体基板の領域上に形成された第1のゲート電極と、
前記半導体基板の表面と前記第1のゲート電極との間に形成された電荷蓄積部と、
を有し、
前記電荷蓄積部は、N−H結合とシリコンとSi−H結合との合計の密度が5×1020cm−3以下の第1の窒化膜を含み、
前記電荷蓄積部にホットキャリアの注入により書込み又は消去が行なわれることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
さらに、前記電荷蓄積部は第2の窒化膜を含み、
前記第1の窒化膜は前記第2の窒化膜と前記半導体基板の表面との間に配置されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1の窒化膜の膜厚は3nm以下であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項2記載の不揮発性半導体記憶装置において、
さらに、前記電荷蓄積部は第3の窒化膜を含み、
前記第3の窒化膜は前記第2の窒化膜と前記第1のゲート電極との間に配置され、
前記第3の窒化膜は、N−H結合とSi−H結合との合計の密度が5×1020cm−3以下の窒化膜であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項4記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第3の窒化膜の膜厚は3nm以下であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
さらに、前記ソース及びドレイン領域の間の前記半導体基板の領域上に形成された第2のゲート電極とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1の窒化膜は、化学的気相堆積法により窒化膜を堆積した後、プラズマ状態の窒素で窒化して形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1の窒化膜は、スパッタリング法により堆積して形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1の窒化膜は、SiCl4もしくはSi2Cl6とプラズマ状態の窒素ガスとを交互に暴露する原子層堆積法により堆積して形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
さらに、前記第1の窒化膜と前記半導体基板の表面との間に酸化膜が配置され、
前記第1の窒化膜は、前記酸化膜の一部をプラズマ窒化することにより形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記第1の窒化膜は酸窒化膜であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記窒化膜は、窒化シリコン膜であって、前記窒化シリコン膜の組成をSi3+XN4とした場合に、Xが0.05以下であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
更に、メモリ領域内に形成された第1のメモリセルと第2のメモリセルとを有し、
前記第1のメモリセルは、前記ソース及びドレイン領域と、前記第1のゲート電極と、前記電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部と前記半導体基板の表面との間に酸化膜とを有し、
前記第2のメモリセルは、第2のゲート電極と、前記半導体基板の表面と前記第2のゲート電極との間に第2の窒化膜とを有し、
前記第1の窒化膜は、前記第2の窒化膜の膜の一部であり、
前記第2の窒化膜は、前記メモリ領域の前記半導体基板の表面のコンタクト部以外の全面を覆っていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項1記載の不揮発性半導体記憶装置において、
更に、前記半導体基板の表面と前記電荷蓄積部との間に形成された酸化膜と、
を有し
前記酸化膜と前記半導体基板との界面もしくは前記酸化膜内に、ハロゲン元素とシリコン元素との結合を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項14記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記ハロゲン元素は、フッ素であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - メモリ領域内に形成され、窒化膜を含むゲート絶縁膜を有する、ホットキャリアの注入により書込み又は消去を行なう第1のトランジスタと、
ロジック領域内に形成された第2のトランジスタと、
前記第1トランジスタの第1のソース又は第1のドレインに対し電気的に接続された第1のコンタクトと、
前記第2トランジスタの第2のソース又は第2のドレインに対し電気的に接続された第2のコンタクトと、
を有し、
前記第1のトランジスタの前記第1のゲート電極、前記第1のソース及び第1のドレインは、自己整合コンタクトを形成するための窒化シリコン膜に覆われていないか、又は、一部が覆われており、
前記第2のトランジスタの前記第2のコンタクトが接続されている前記第2のソース又は第2のドレイン上に、自己整合コンタクトを形成するための窒化シリコン膜が形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項16記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記一部は、前記第1のコンタクトが接続されている前記第1のソース又は前記第1のドレインであることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 半導体基板中に形成された一対のソース及びドレイン領域と、
前記ソース及びドレイン領域の間の前記半導体基板の領域上に形成された第1のゲート電極と、
前記半導体基板の表面と前記第1のゲート電極との間に形成された電荷蓄積部と、
前記半導体基板の表面と前記電荷蓄積部との間に形成された酸化膜と、
を有し、
前記酸化膜と前記半導体基板との界面もしくは前記酸化膜内に、ハロゲン元素とシリコン元素との結合を有し、
前記電荷蓄積部にホットキャリアの注入により書込み又は消去が行なわれることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 請求項18記載の不揮発性半導体記憶装置において、
前記ハロゲン元素は、フッ素であることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007119122A JP2008277530A (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 不揮発性半導体記憶装置 |
TW097109686A TW200908342A (en) | 2007-04-27 | 2008-03-19 | Nonvolatile semiconductor memory device |
KR1020080033183A KR100998106B1 (ko) | 2007-04-27 | 2008-04-10 | 불휘발성 반도체 기억 장치 |
US12/109,340 US8063433B2 (en) | 2007-04-27 | 2008-04-24 | Nonvolatile semiconductor memory device |
CN2008100953115A CN101295735B (zh) | 2007-04-27 | 2008-04-25 | 非易失性半导体存储器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007119122A JP2008277530A (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008277530A true JP2008277530A (ja) | 2008-11-13 |
JP2008277530A5 JP2008277530A5 (ja) | 2010-04-22 |
Family
ID=39885897
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007119122A Pending JP2008277530A (ja) | 2007-04-27 | 2007-04-27 | 不揮発性半導体記憶装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8063433B2 (ja) |
JP (1) | JP2008277530A (ja) |
KR (1) | KR100998106B1 (ja) |
CN (1) | CN101295735B (ja) |
TW (1) | TW200908342A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010050204A1 (ja) | 2008-10-29 | 2010-05-06 | 株式会社岡村製作所 | 椅子の背凭れ |
WO2011040396A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化珪素膜の成膜方法および半導体メモリ装置の製造方法 |
JP2018087906A (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4659527B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2011-03-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5230274B2 (ja) * | 2008-06-02 | 2013-07-10 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8692310B2 (en) | 2009-02-09 | 2014-04-08 | Spansion Llc | Gate fringing effect based channel formation for semiconductor device |
WO2011102233A1 (en) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8951864B2 (en) * | 2012-02-13 | 2015-02-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Split-gate device and method of fabricating the same |
US9466496B2 (en) * | 2013-10-11 | 2016-10-11 | Cypress Semiconductor Corporation | Spacer formation with straight sidewall |
CN104404476A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-03-11 | 中国电子科技集团公司第四十七研究所 | 低压气相淀积Si3N4薄膜的制备方法 |
TWI548000B (zh) * | 2014-12-22 | 2016-09-01 | 力晶科技股份有限公司 | 半導體元件及其製作方法 |
US10304848B2 (en) | 2017-09-01 | 2019-05-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Flash memory structure with reduced dimension of gate structure |
JP2021034650A (ja) * | 2019-08-28 | 2021-03-01 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP2021044426A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | キオクシア株式会社 | 半導体記憶装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03159166A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-07-09 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004356562A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2006319082A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリデバイス |
JP2007504668A (ja) * | 2003-09-04 | 2007-03-01 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 電荷損失が減少された窒化物層を備えるメモリセル構造及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0773685A (ja) | 1993-09-06 | 1995-03-17 | Hitachi Ltd | 半導体不揮発性記憶装置 |
JP4151229B2 (ja) | 2000-10-26 | 2008-09-17 | ソニー株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US6794764B1 (en) * | 2003-03-05 | 2004-09-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Charge-trapping memory arrays resistant to damage from contact hole information |
KR100539158B1 (ko) | 2004-04-20 | 2005-12-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 게이트간 유전막 형성 방법 |
JP4951861B2 (ja) | 2004-09-29 | 2012-06-13 | ソニー株式会社 | 不揮発性メモリデバイスおよびその製造方法 |
-
2007
- 2007-04-27 JP JP2007119122A patent/JP2008277530A/ja active Pending
-
2008
- 2008-03-19 TW TW097109686A patent/TW200908342A/zh unknown
- 2008-04-10 KR KR1020080033183A patent/KR100998106B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-04-24 US US12/109,340 patent/US8063433B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-04-25 CN CN2008100953115A patent/CN101295735B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03159166A (ja) * | 1989-11-08 | 1991-07-09 | Samsung Electron Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2004356562A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2007504668A (ja) * | 2003-09-04 | 2007-03-01 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 電荷損失が減少された窒化物層を備えるメモリセル構造及びその製造方法 |
JP2006319082A (ja) * | 2005-05-12 | 2006-11-24 | Sony Corp | 不揮発性半導体メモリデバイス |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010050204A1 (ja) | 2008-10-29 | 2010-05-06 | 株式会社岡村製作所 | 椅子の背凭れ |
WO2011040396A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化珪素膜の成膜方法および半導体メモリ装置の製造方法 |
JP2018087906A (ja) * | 2016-11-29 | 2018-06-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080265286A1 (en) | 2008-10-30 |
CN101295735B (zh) | 2010-09-08 |
KR100998106B1 (ko) | 2010-12-02 |
KR20080096388A (ko) | 2008-10-30 |
CN101295735A (zh) | 2008-10-29 |
TW200908342A (en) | 2009-02-16 |
US8063433B2 (en) | 2011-11-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100998106B1 (ko) | 불휘발성 반도체 기억 장치 | |
US7087955B2 (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same | |
US7872298B2 (en) | Split-gate type memory device | |
JP5878797B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP5007017B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US8125012B2 (en) | Non-volatile memory device with a silicon nitride charge holding film having an excess of silicon | |
US20080185635A1 (en) | Semiconductor storage device and manufacturing method thereof | |
US8654592B2 (en) | Memory devices with isolation structures | |
US8482053B2 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device with high-K insulating film | |
JP4909708B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
US20100072535A1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device | |
US20070269972A1 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
US20090242969A1 (en) | Semiconductor storage device and method of manufacturing the same | |
JP2015228399A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4792620B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP5161494B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US10192879B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
JP4907999B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2002289708A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2004221448A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
US8723248B2 (en) | Nonvolatile semiconductor storage device | |
JP2011096772A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2016034045A (ja) | 半導体装置 | |
US20090068850A1 (en) | Method of Fabricating Flash Memory Device | |
JP2004103902A (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置、および、その製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100302 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100309 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100528 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120828 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130129 |