TWI687143B - 顯示裝置及電子裝置 - Google Patents

顯示裝置及電子裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI687143B
TWI687143B TW104112232A TW104112232A TWI687143B TW I687143 B TWI687143 B TW I687143B TW 104112232 A TW104112232 A TW 104112232A TW 104112232 A TW104112232 A TW 104112232A TW I687143 B TWI687143 B TW I687143B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
electrode
layer
substrate
addition
display device
Prior art date
Application number
TW104112232A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201543982A (zh
Inventor
作石達哉
青山智哉
千田章裕
中村太紀
Original Assignee
日商半導體能源研究所股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商半導體能源研究所股份有限公司 filed Critical 日商半導體能源研究所股份有限公司
Publication of TW201543982A publication Critical patent/TW201543982A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI687143B publication Critical patent/TWI687143B/zh

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/13338—Input devices, e.g. touch panels
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
    • G02F1/13458—Terminal pads
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/13629—Multilayer wirings
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/10—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
    • H01L2221/1005—Formation and after-treatment of dielectrics
    • H01L2221/101—Forming openings in dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates

Abstract

本發明題為顯示裝置及電子裝置。本發明的一個方式提供一種設計彈性高的顯示裝置。本發明的一個方式提供一種顯示裝置，包括：被具有撓性的兩個基板夾著的顯示元件；觸控感測器；以及電晶體。對顯示元件供應信號的外部電極與對觸控感測器供應信號的外部電極從一個基板的同一面一側連接。

Description

顯示裝置及電子裝置
本發明的一個方式係關於一種顯示裝置。或者，本發明的一個方式係關於一種顯示裝置的製造方法。
注意，本發明的一個方式不限定於上述技術領域。例如，本發明的一個方式係關於一種物體、方法或製造方法。此外，本發明係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。另外，本發明的一個方式係關於一種記憶體裝置、處理器、它們的驅動方法或它們的製造方法。
注意，在本說明書等中，半導體裝置是指能夠藉由利用半導體特性而工作的所有裝置。因此，電晶體或二極體等半導體元件和半導體電路是半導體裝置。另外，顯示裝置、發光裝置、照明設備、電光裝置及電子裝置等有時包括半導體元件或半導體電路。因此，顯示裝置、發光裝置、照明設備、電光裝置及電子裝置等也有時包括半導體裝置。
近年來，作為用於顯示裝置的顯示區域的顯示元件，對液晶元件的研究開發日益盛行。另外，關於利用電致發光(EL：Electroluminescence)的發光元件的研究開發也日益盛行。在發光元件的基本結構中，在一對電極之間夾有包含發光物質的層。藉由將電壓施加到該發光元件，可以得到來自發光物質的發光。
尤其是，因為上述發光元件是自發光型發光元件，所以使用該發光元件的顯示裝置具有如下優點：具有良好的可見度；不需要背光；以及耗電量低等。而且，使用發光元件的顯示裝置還具有如下優點：能夠將其製造得薄且輕；以及回應速度快等。
另外，由於具有上述顯示元件的顯示裝置能夠具有撓性，因此正在探討將上述顯示裝置應用於撓性基板。
作為使用撓性基板的顯示裝置的製造方法，已對如下技術進行了開發：例如，在於玻璃基板或石英基板等基板上製造薄膜電晶體等半導體元件之後，在該半導體元件與基板之間填充有機樹脂，從玻璃基板或石英基板將半導體元件轉置到其他基板(例如撓性基板)的技術(參照專利文獻1)。
關於形成在撓性基板上的發光元件，為了保護發光元件表面或防止來自外部的水分及雜質的侵入，有時在發光元件上還設置撓性基板。
另外，顯示裝置被期待應用於各種用途，並存在多樣化的需要。例如，作為可攜式資訊終端，具備觸控感測器的智慧手機或平板終端的開發正日益盛行。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2003-174153號公報
為了將信號或電力供應到使用撓性基板的顯示裝置，需要使用雷射或刀具去除撓性基板的一部分而使電極露出，並使FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)等外部電極連接到電極。
然而，在使用雷射或刀具去除撓性基板的一部分的方法中有如下問題：容易損傷顯示裝置所具有的電極，由此容易降低顯示裝置的可靠性或製造良率。另外，為了防止因使用上述方法導致的對顯示區域的損傷，需要充分分離地設置顯示區域與電極，這容易產生因佈線電阻的增加導致的信號或電力的衰減。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種不容易損傷電極的顯示裝置的製造方法。另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種不容易損傷顯示區域的顯示裝置的製造方法。此外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性良好的顯示裝置及其製造方法。或者，本發明的一個方式的目的之一是提供一種設計彈性大的顯示 裝置及其製造方法。
另外，本發明的一個方式的目的之一是提供一種可見度高的顯示裝置或電子裝置等。本發明的一個方式的目的之一是提供一種顯示品質高的顯示裝置或電子裝置等。本發明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置或電子裝置等。本發明的一個方式的目的之一是提供一種不易損壞的顯示裝置或電子裝置等。本發明的一個方式的目的之一是提供一種耗電量低的顯示裝置或電子裝置等。本發明的一個方式的目的之一是提供一種生產性高的顯示裝置或電子裝置等。本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置或電子裝置等。
注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發明的一個方式並不需要實現所有上述目的。另外，根據說明書、圖式、申請專利範圍等的記載，這些目的以外的目的是顯然的，可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中抽取這些以外的目的。
本發明的一個方式是一種顯示裝置，包括被具有撓性的兩個基板夾著的顯示元件及觸控感測器，對顯示元件供應信號的外部電極與對觸控感測器供應信號的外部電極從一個基板的同一面一側連接的顯示裝置。
本發明的一個方式是一種顯示裝置，包括：第一基板；第二基板；顯示元件；觸控感測器；第一電極；以及第二電極，其中，第一基板與第二基板夾著顯示元件、觸控感測器、第一電極及第二電極具有彼此重疊的 區域，第一電極能夠對顯示元件供應信號，第二電極能夠對觸控感測器供應信號，第一電極及第二電極在第二基板的開口中與外部電極電連接。
作為外部電極可以使用FPC等。另外，外部電極包括多個電極，第一電極可以與外部電極所包括的一部分電極電連接。另外，第二電極可以與外部電極所包括的另一部分電極電連接。另外，當對第一電極和第二電極供應共同的電位或共同的信號時，也可以將第一電極及第二電極電連接於外部電極所包括的一個電極。
本發明的一個方式是一種顯示裝置，包括：第一基板；第二基板；顯示元件；觸控感測器；第一電極；以及第二電極，其中，第一基板與第二基板夾著顯示元件、觸控感測器、第一電極及第二電極具有彼此重疊的區域，第一電極能夠對顯示元件供應信號，第二電極能夠對觸控感測器供應信號，第一電極在第二基板的第一開口中與第一外部電極電連接，第二電極在第二基板的第二開口中與第二外部電極電連接。
本發明的一個方式是一種顯示裝置，包括：第一基板；第二基板；顯示元件；觸控感測器；電晶體；第一電極；以及第二電極，其中，第一基板與第二基板夾著顯示元件、觸控感測器、電晶體、第一電極及第二電極具有彼此重疊的區域，第一電極能夠對電晶體供應信號，電晶體能夠對顯示元件供應信號，第二電極能夠對觸控感測器供應信號，第一電極及第二電極在第二基板的開口中 與外部電極電連接。
本發明的一個方式是一種顯示裝置，包括：第一基板；第二基板；顯示元件；觸控感測器；電晶體；第一電極；以及第二電極，其中，第一基板與第二基板夾著顯示元件、觸控感測器、第一電極及第二電極具有彼此重疊的區域，第一電極能夠對電晶體供應信號，電晶體能夠對顯示元件供應信號，第二電極能夠對觸控感測器供應信號，第一電極在第二基板的第一開口中與第一外部電極電連接，第二電極在第二基板的第二開口中與第二外部電極電連接。
根據本發明的一個方式，可以提供一種不容易損傷電極的顯示裝置的製造方法。另外，根據本發明的一個方式，可以提供一種不容易損傷顯示區域的顯示裝置的製造方法。此外，根據本發明的一個方式，可以提供一種可靠性良好的顯示裝置及其製造方法。或者，根據本發明的一個方式，可以提供一種設計的彈性大的顯示裝置及其製造方法。
另外，根據本發明的一個方式，可以提供一種可見度高的顯示裝置或電子裝置等。此外，根據本發明的一個方式，可以提供一種顯示品質高的顯示裝置或電子裝置等。另外，根據本發明的一個方式，可以提供一種可靠性高的顯示裝置或電子裝置等。此外，根據本發明的一個方式，可以提供一種不易損壞的顯示裝置或電子裝置等。另外，根據本發明的一個方式，可以提供一種耗電量 低的顯示裝置或電子裝置等。或者，根據本發明的一個方式，可以提供一種生產性高的顯示裝置或電子裝置等。此外，根據本發明的一個方式，可以提供一種新穎的顯示裝置或電子裝置等。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個方式並不需要具有所有上述效果。另外，根據說明書、圖式、申請專利範圍等的記載，這些效果以外的效果是顯然的，而可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載中抽取這些以外的效果。
100‧‧‧顯示裝置
101‧‧‧基板
102‧‧‧基板
109‧‧‧絕緣層
111‧‧‧基板
112‧‧‧黏合層
113‧‧‧剝離層
114‧‧‧分隔壁
115‧‧‧電極
116‧‧‧電極
117‧‧‧EL層
118‧‧‧電極
119‧‧‧絕緣層
120‧‧‧黏合層
121‧‧‧基板
122‧‧‧黏合層
123‧‧‧剝離層
124‧‧‧外部電極
125‧‧‧發光元件
128‧‧‧開口
129‧‧‧絕緣層
130‧‧‧像素
131‧‧‧顯示區域
132‧‧‧開口
133‧‧‧驅動電路
134‧‧‧像素電路
135‧‧‧佈線
136‧‧‧佈線
138‧‧‧各向異性導電連接層
139a‧‧‧開口
139b‧‧‧開口
140‧‧‧像素
141‧‧‧絕緣層
144‧‧‧剝離層
145‧‧‧導電層
149‧‧‧絕緣層
151‧‧‧光
154‧‧‧剝離層
170‧‧‧區域
171‧‧‧元件基板
181‧‧‧相對基板
200‧‧‧顯示裝置
205‧‧‧絕緣層
206‧‧‧電極
207‧‧‧絕緣層
208‧‧‧半導體層
209‧‧‧絕緣層
210‧‧‧絕緣層
211‧‧‧絕緣層
213‧‧‧電極
214‧‧‧電極
215‧‧‧電極
217‧‧‧絕緣層
219‧‧‧佈線
220‧‧‧光
221‧‧‧雜質元素
231‧‧‧顯示區域
232‧‧‧電晶體
233‧‧‧電容元件
235‧‧‧光
242‧‧‧半導體層
243‧‧‧電極
251‧‧‧週邊電路
252‧‧‧電晶體
264‧‧‧遮光層
266‧‧‧彩色層
268‧‧‧保護層
271‧‧‧觸控感測器
272‧‧‧電極
273‧‧‧絕緣層
274‧‧‧電極
275‧‧‧絕緣層
276‧‧‧電極
318‧‧‧電極
320‧‧‧EL層
322‧‧‧電極
330‧‧‧發光元件
331‧‧‧發光元件
410‧‧‧電晶體
411‧‧‧電晶體
420‧‧‧電晶體
421‧‧‧電晶體
430‧‧‧電晶體
431‧‧‧電晶體
432‧‧‧液晶元件
434‧‧‧電晶體
435‧‧‧節點
436‧‧‧節點
437‧‧‧節點
440‧‧‧電晶體
441‧‧‧電晶體
450‧‧‧電晶體
451‧‧‧電晶體
500‧‧‧觸控感測器
510‧‧‧檢測單元
518‧‧‧檢測元件
519‧‧‧檢測電路
1100‧‧‧顯示裝置
1171‧‧‧元件基板
1181‧‧‧相對基板
1200‧‧‧顯示裝置
7100‧‧‧可攜式顯示裝置
7101‧‧‧外殼
7102‧‧‧顯示部
7103‧‧‧操作按鈕
7104‧‧‧收發信裝置
7200‧‧‧照明設備
7201‧‧‧底座
7202‧‧‧發光部
7203‧‧‧操作開關
7210‧‧‧照明設備
7212‧‧‧發光部
7220‧‧‧照明設備
7222‧‧‧發光部
7300‧‧‧顯示裝置
7301‧‧‧外殼
7302‧‧‧顯示部
7303‧‧‧操作按鈕
7304‧‧‧構件
7305‧‧‧控制部
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
7410‧‧‧行動電話機
7411‧‧‧外殼
7412‧‧‧顯示部
7413‧‧‧操作按鈕
7414‧‧‧外部連接部
7415‧‧‧揚聲器
7416‧‧‧麥克風
7417‧‧‧照相機
9310‧‧‧可攜式資訊終端
9313‧‧‧鉸鏈
9315‧‧‧外殼
9316‧‧‧顯示面板
9320‧‧‧可攜式資訊終端
9322‧‧‧顯示部
9325‧‧‧非顯示部
9330‧‧‧可攜式資訊終端
9333‧‧‧顯示部
9335‧‧‧外殼
9336‧‧‧外殼
9337‧‧‧資訊
9339‧‧‧操作按鈕
9340‧‧‧可攜式資訊終端
9345‧‧‧可攜式資訊終端
9354‧‧‧外殼
9355‧‧‧資訊
9356‧‧‧資訊
9357‧‧‧資訊
9358‧‧‧顯示部
9600‧‧‧平板終端
9625‧‧‧開關
9626‧‧‧開關
9627‧‧‧電源開關
9628‧‧‧操作開關
9629‧‧‧扣件
9630‧‧‧外殼
9631‧‧‧顯示部
9632‧‧‧區域
9633‧‧‧太陽能電池
9634‧‧‧充放電控制電路
9635‧‧‧電池
9636‧‧‧DCDC轉換器
9637‧‧‧轉換器
9638‧‧‧操作鍵
9639‧‧‧鉸鏈部
9700‧‧‧汽車
9701‧‧‧車體
9702‧‧‧車輪
9703‧‧‧儀表板
9704‧‧‧燈
9710‧‧‧顯示部
9711‧‧‧顯示部
9712‧‧‧顯示部
9713‧‧‧顯示部
9714‧‧‧顯示部
9715‧‧‧顯示部
116a‧‧‧電極
116b‧‧‧電極
124a‧‧‧外部電極
124b‧‧‧外部電極
126a‧‧‧導電層
126b‧‧‧導電層
130B‧‧‧像素
130G‧‧‧像素
130R‧‧‧像素
130Y‧‧‧像素
132a‧‧‧開口
132a1‧‧‧開口
132a2‧‧‧開口
132b‧‧‧開口
132b1‧‧‧開口
132b2‧‧‧開口
138a‧‧‧各向異性導電連接層
138b‧‧‧各向異性導電連接層
139a‧‧‧開口
139a1‧‧‧開口
139b‧‧‧開口
139b1‧‧‧開口
142a‧‧‧驅動電路
142b‧‧‧驅動電路
276a‧‧‧電極
276b‧‧‧電極
286a‧‧‧導電層
286b‧‧‧導電層
320a‧‧‧電荷產生層
500B‧‧‧觸控感測器
510B‧‧‧檢測單元
519B‧‧‧檢測電路
9630a‧‧‧外殼
9630b‧‧‧外殼
在圖式中：圖1A至圖1C是說明本發明的一個方式的透視圖及剖面圖；圖2A及圖2B是說明本發明的一個方式的透視圖及剖面圖；圖3A及圖3B是說明本發明的一個方式的剖面圖；圖4A至圖4E是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖5A至圖5C是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖6A及圖6B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖7A至圖7D是說明本發明的一個方式的製程的 圖；圖8A至圖8D是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖9A至圖9D是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖10A至圖10C是說明顯示裝置的一個方式的像素結構的一個例子的圖；圖11A及圖11B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖12A及圖12B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖13A及圖13B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖14A及圖14B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖15A及圖15B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖16A及圖16B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖17A及圖17B是說明本發明的一個方式的透視圖及剖面圖；圖18A及圖18B是說明本發明的一個方式的透視圖及剖面圖；圖19A至圖19C是說明本發明的一個方式的透視圖 及剖面圖；圖20A至圖20C是說明本發明的一個方式的透視圖及剖面圖；圖21A及圖21B是說明本發明的一個方式的透視圖及剖面圖；圖22A及圖22B是說明本發明的一個方式的透視圖及剖面圖；圖23A至圖23C是說明本發明的一個方式的透視圖及剖面圖；圖24A至圖24D是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖25A至圖25D是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖26A至圖26D是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖27A及圖27B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖28A及圖28B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖29A及圖29B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖30A及圖30B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖31A及圖31B是說明本發明的一個方式的製程的 圖；圖32A及圖32B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖33A及圖33B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖34A及圖34B是說明本發明的一個方式的製程的圖；圖35A及圖35B是說明本發明的一個方式的透視圖及剖面圖；圖36A及圖36B是說明本發明的一個方式的透視圖及剖面圖；圖37A至圖37C是說明顯示裝置的一個方式的方塊圖及電路圖；圖38A1、圖38A2、圖38B1及圖38B2是說明電晶體的一個方式的剖面圖；圖39A1、圖39A2、圖39A3、圖39B1及圖39B2是說明電晶體的一個方式的剖面圖；圖40A至圖40C是說明電晶體的一個方式的平面圖及剖面圖；圖41A至圖41C是說明電晶體的一個方式的平面圖及剖面圖；圖42A、圖42B、圖42C、圖42D1及圖42D2是說明觸控感測器的結構實例及驅動方法的一個例子的圖；圖43A至圖43D是說明觸控感測器的結構實例及驅 動方法的一個例子的圖；圖44A及圖44B是說明發光元件的結構實例的圖；圖45A至圖45F是說明電子裝置及照明設備的一個例子的圖；圖46A及圖46B是說明電子裝置的一個例子的圖；圖47A至圖47C是說明電子裝置的一個例子的圖；圖48A至圖48I是說明電子裝置的一個例子的圖；圖49A及圖49B是說明電子裝置的一個例子的圖。
參照圖式對實施方式進行詳細的說明。注意，本發明不限定於以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定於下面所示的實施方式所記載的內容中。注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。
另外，為了便於理解，有時在圖式等中示出的各構成要素的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定限定於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。例如，在實際的製程中，有時由於蝕刻等處理而光阻遮罩等被非意圖性地蝕 刻，但是為了便於理解有時省略圖示。
另外，在俯視圖(也稱為平面圖)或透視圖等中，為了便於理解圖式，有時省略構成要素的一部分。
注意，在本說明書等中，“電極”或“佈線”這樣的術語不在功能上限定其構成要素。例如，有時將“電極”用作“佈線”的一部分，反之亦然。再者，“電極”或“佈線”這樣的術語還包括多個“電極”或“佈線”被形成為一體的情況等。
另外，在本說明書等中，“上”或“下”這樣的術語不限定於構成要素的位置關係為“正上”或“正下”且直接接觸的情況。例如，如果是“絕緣層A上的電極B”的表述，則不一定必須在絕緣層A上直接接觸地形成有電極B，也可以包括在絕緣層A與電極B之間包括其他構成要素的情況。
另外，由於“源極”及“汲極”的功能例如在採用不同極性的電晶體時或在電路工作中電流的方向變化時等，根據工作條件等而相互調換，因此很難限定哪個是“源極”哪個是“汲極”。因此，在本說明書中，可以將“源極”和“汲極”互相調換地使用。
注意，在本說明書等中，“電連接”包括隔著“具有某種電作用的元件”連接的情況。這裡，“具有某種電作用的元件”只要可以進行連接目標間的電信號的交換，就對其沒有特別的限制。因此，即便在表述為“電連接”的情況下，在實際電路中有時也沒有物理連接的部分 而只是佈線延伸。
此外，在本說明書中，“平行”是指兩條直線形成的角度為-10°以上且10°以下的狀態。因此，也包括該角度為-5°以上且5°以下的狀態。另外，“垂直”或“正交”是指兩條直線形成的角度為80°以上且100°以下的狀態。因此，也包括該角度為85°以上且95°以下的狀態。
另外，在本說明書中，當在進行光微影製程之後進行蝕刻製程時，在沒有特別說明的情況下，在蝕刻製程結束之後去除在光微影製程中形成的光阻遮罩。
注意，“電壓”大多是指某個電位與參考電位(例如，接地電位(GND電位)或源極電位)之間的電位差。由此，可以將電壓換稱為電位。
此外，半導體的雜質例如是指構成半導體的主要成分以外的元素。例如，濃度小於0.1atomic%的元素可以說是雜質。由於半導體包含雜質，而例如有時導致半導體中的DOS(Density of State：態密度)的增高、載子移動率的降低或結晶性的降低等。當半導體是氧化物半導體時，作為改變半導體的特性的雜質，例如有第1族元素、第2族元素、第13族元素、第14族元素、第15族元素以及氧化物半導體的主要成分以外的過渡金屬等。尤其是，例如有氫(也包含在水中)、鋰、鈉、矽、硼、磷、碳、氮等。當採用氧化物半導體時，例如由於氫等雜質混入，而有可能形成氧缺陷。當半導體是矽時，作為改變半導體的特性的雜質，例如有氧、除了氫以外的第1族 元素、第2族元素、第13族元素、第15族元素等。
注意，本說明書等中的“第一”、“第二”等序數詞是為了避免構成要素的混淆而附加的，其並不表示製程順序或者層疊順序等某種順序或次序。注意，關於本說明書等中不附加有序數詞的術語，為了避免構成要素的混淆，在申請專利範圍中有時對該術語附加序數詞。注意，關於本說明書等中附加有序數詞的術語，在申請專利範圍中有時對該術語附加不同的序數詞。注意，關於本說明書等中附加有序數詞的術語，在申請專利範圍中有時省略其序數詞。
注意，例如，“通道長度”是指在電晶體的俯視圖中，在半導體(或在電晶體處於導通狀態時，在半導體中電流流過的部分)和閘極電極重疊的區域或者形成通道的區域中的源極(源極區域或源極電極)和汲極(汲極區域或汲極電極)之間的距離。另外，在一個電晶體中，通道長度不一定在所有的區域中都是相同的值。也就是說，一個電晶體的通道長度有時不限定於一個值。因此，在本說明書中，通道長度是形成通道的區域中的任一個值、最大值、最小值或平均值。
例如，“通道寬度”是指在半導體(或在電晶體處於導通狀態時，在半導體中電流流過的部分)和閘極電極重疊的區域或者形成通道的區域中的源極和汲極相對的部分的長度。另外，在一個電晶體中，通道寬度不一定在所有的區域中都是相同的值。也就是說，一個電晶體的 通道寬度有時不限定於一個值。因此，在本說明書中，通道寬度是形成通道的區域中的任一個值、最大值、最小值或平均值。
另外，根據電晶體的結構，有時實際上形成通道的區域中的通道寬度(下面稱為有效通道寬度)和電晶體的俯視圖所示的通道寬度(下面稱為視在通道寬度)不同。例如，在閘極電極覆蓋半導體的側面的情況下，有時有效通道寬度大於視在通道寬度，不能忽略其影響。例如，在具有微型結構且閘極電極覆蓋半導體的側面的電晶體中，有時形成在半導體的側面的通道區域的比例大於形成在半導體的頂面的通道區域的比例。在此情況下，有效通道寬度大於視在通道寬度。
在此情況下，有時難以藉由實測估計有效通道寬度。例如，為了根據設計值估計有效通道寬度，需要假定預先知道半導體的形狀。因此，當不準確知道半導體的形狀時，難以準確地測量有效通道寬度。
於是，在本說明書中，有時將視在通道寬度稱為“圍繞通道寬度(SCW：Surrounded Channel Width)”。此外，在本說明書中，在簡單地表示“通道寬度”時，有時是指圍繞通道寬度或視在通道寬度。或者，在本說明書中，在簡單地表示“通道寬度”時，有時是指有效通道寬度。注意，藉由對剖面TEM影像等進行分析等，可以決定通道長度、通道寬度、有效通道寬度、視在通道寬度、圍繞通道寬度等的值。
另外，在藉由計算求得電晶體的場效移動率或每個通道寬度的電流值等時，有時使用圍繞通道寬度進行計算。在此情況下，有時成為與使用有效通道寬度進行計算時不同的值。
實施方式1
參照圖1A至圖19C說明本發明的一個方式的顯示裝置100的結構實例及製造方法例子。另外，本說明書所公開的顯示裝置100是作為顯示元件使用發光元件的顯示裝置。此外，作為本發明的一個方式的顯示裝置100，例示出頂部發射結構(上表面發射結構)的顯示裝置。另外，顯示裝置100也可以採用底部發射結構(下表面發射結構)或者雙發射結構(雙表面發射結構：dual emission structure)的顯示裝置。
〈顯示裝置的結構〉
參照圖1A至圖3B說明本發明的一個方式的顯示裝置100的結構實例。圖1A是顯示裝置100的透視圖。另外，圖1B是沿圖1A中的點劃線A1-A2所示的部分的剖面圖。另外，圖1C是沿圖1A中的點劃線B1-B2所示的部分的剖面圖。本實施方式所示的顯示裝置100包括顯示區域131。另外，顯示區域131包括多個像素130。一個像素130至少包括一個發光元件125。
本實施方式所示的顯示裝置100包括：電極 115；EL層117；包括電極118的發光元件125；分隔壁114；以及電極116。另外，在電極116上包括絕緣層141，在設置在絕緣層141中的開口中，電極115與電極116電連接。此外，分隔壁114設置在電極115上，在電極115及分隔壁114上設置有EL層117，在EL層117上設置有電極118。
另外，本實施方式所示的顯示裝置100在發光元件125上隔著黏合層120包括基板121。另外，在基板121上，隔著黏合層122及絕緣層129具有包括電極272、絕緣層273及電極274的觸控感測器271、電極276、絕緣層275、遮光層264、彩色層(也稱為“濾色片”)266及保護層268。在本實施方式中，作為觸控感測器271例示出靜電電容式的觸控感測器。
因為本實施方式所示的顯示裝置100是頂部發射結構(上表面發射結構)的顯示裝置，所以從發光元件125發射的光151從基板121一側被發射。從EL層117發射的光151(例如，白色光)的一部分在經過彩色層266時被吸收而轉換為特定的顏色的光。換言之，彩色層266使特定波長區域的光透射。彩色層266可以被用作將光151轉換為不同顏色的光的光學濾色層。
另外，在本實施方式中，雖然將電極116示為電極116a與電極116b的疊層，但是電極116既可以是單層又可以是三層以上的疊層。另外，雖然將電極276示為電極276a與電極276b的疊層，但是電極276既可以是 單層又可以是三層以上的疊層。
另外，本實施方式所示的顯示裝置100包括穿過基板121、黏合層122、絕緣層129、黏合層120、絕緣層273、絕緣層275及絕緣層141且與電極116重疊的開口132a。另外，還包括穿過基板121、黏合層122及絕緣層129且與電極276重疊的開口132b。
在開口132a中，外部電極124a與電極116藉由各向異性導電連接層138a電連接。另外，在開口132b中，外部電極124b與電極276藉由各向異性導電連接層138b電連接。
另外，如圖2A和圖2B所示，作為顯示裝置100的結構也可以採用不包括遮光層264、彩色層266及保護層268的結構。圖2A是不設置遮光層264、彩色層266及保護層268的顯示裝置100的立體圖，圖2B是圖2A中的點劃線A1-A2所示的部分的剖面圖。
尤其是，在利用針對每個像素而改變所發射的光151的顏色的所謂的分別塗布方式形成EL層117的情況下，既可以設置彩色層266，又可以不設置彩色層266。
藉由不設置遮光層264、彩色層266和保護層268中的至少一個或全部，可以實現顯示裝置100的製造成本的降低或良率的提高等。另外，藉由不設置彩色層266，可以有效地發射光151，因此可以實現亮度的提高和耗電量的降低等。
另一方面，當設置遮光層264、彩色層266及保護層268時，則可以減輕外光的反射，可以實現對比度的提高和顏色再現性的提高等。
另外，在作為顯示裝置100採用底部發射結構的顯示裝置的情況下，也可以在基板111一側設置觸控感測器271、遮光層264、彩色層266及保護層268(參照圖3A)。
此外，在作為顯示裝置100採用雙表面發射結構的顯示裝置的情況下，也可以在基板111一側及基板121一側中的某一側或兩側設置觸控感測器271、遮光層264、彩色層266及保護層268(參照圖3B)。另外，也可以將觸控感測器271和彩色層266設置在不同的基板一側。
另外，也可以在發光元件125與電極116之間設置具有對發光元件125供應信號的功能的切換元件。例如，也可以在發光元件125與電極116之間設置電晶體。
電晶體是半導體元件的一種，可以進行電流和/或電壓的放大、控制導通或非導通的切換工作等。藉由在發光元件125與電極116之間設置電晶體，可以更容易地實現顯示區域131的大面積化或高清晰化等。此外，不限定於電晶體等切換元件，也可以在顯示區域131內設置電阻元件、電感器、電容器、整流元件等。
[基板111、121]
作為基板111和/或基板121可以使用有機樹脂材料或其厚度允許其具有撓性的玻璃材料、或者其厚度允許其具有撓性的金屬材料(包括合金材料)等。在作為顯示裝置100使用下表面發射型顯示裝置或雙表面發射型顯示裝置的情況下，作為基板111使用對於來自EL層117的發光具有透光性的材料。在作為顯示裝置100使用上表面發射型顯示裝置或雙表面發射型顯示裝置的情況下，作為基板121使用對於來自EL層117的發光具有透光性的材料。
尤其是，有機樹脂材料的比重比玻璃材料或金屬材料小。因此，藉由作為基板111及/或基板121使用有機樹脂材料，可以實現顯示裝置的輕量化。
另外，作為基板111及/或基板121，較佳為使用韌性高的材料。由此，能夠實現耐衝擊性高的不易損壞的顯示裝置。在大多情況下，有機樹脂材料及金屬材料的韌性比玻璃材料高。當作為基板111及/或基板121使用有機樹脂材料或金屬材料時，與使用玻璃材料的情況相比，可以實現不易損壞的顯示裝置。
金屬材料的導熱性比有機樹脂材料或玻璃材料高，由此容易將熱量傳到整個基板。因此，能夠抑制顯示裝置的局部溫度上升。在作為基板111及/或基板121使用金屬材料的情況下，基板的厚度較佳為10μm以上且200μm以下，更佳為20μm以上且50μm以下。
對用於基板111及/或基板121的金屬材料沒有特別的限制，例如可以使用鋁、銅、鎳、鋁合金或不鏽鋼等合金等。
另外，當作為基板111及/或基板121使用熱發射率高的材料時，能夠抑制顯示裝置的表面溫度上升，從而能夠抑制顯示裝置的損壞及可靠性的下降。例如，基板也可以採用使用金屬材料形成的層(下面也稱為“金屬層”)與熱發射率高的材料(例如，金屬氧化物或陶瓷材料等)的疊層結構。
此外，也可以在基板111及/或基板121上層疊保護顯示裝置的表面免受損傷等的硬塗層(例如，氮化矽層等)或能夠分散壓力的層(例如，芳族聚醯胺樹脂層等)等。
基板111及/或基板121也可以是使用上述材料的多個層的疊層。尤其是，當採用具有使用玻璃材料形成的層(下面，也稱為“玻璃層”)的結構時，提高顯示裝置對於水或氧的阻擋性，可以提供可靠性高的顯示裝置。
例如，可以使用從近於顯示元件的一側層疊有玻璃層、黏合層及使用有機樹脂材料形成的層(以下也稱為“有機樹脂層”)的撓性基板。將該玻璃層的厚度設定為20μm以上且200μm以下，較佳為25μm以上且100μm以下。該厚度的玻璃層可以同時實現對水或氧的高阻擋性和撓性。此外，將有機樹脂層的厚度設定為10μm以上且200μm以下，較佳為20μm以上且50μm以下。藉由將這 種有機樹脂層設置於玻璃層外側，可以防止玻璃層破裂或裂縫，從而提高顯示裝置的機械強度。藉由將玻璃層與有機樹脂層的複合層應用於基板，可以實現可靠性極高的撓性顯示裝置。
作為可用於基板111及基板121的具有撓性及對可見光的透光性的材料，可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂(PEN)、聚醚碸樹脂(PES)、聚丙烯腈樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚丙烯樹脂、聚酯樹脂、聚鹵化乙烯樹脂、芳綸樹脂、環氧樹脂等。另外，也可以使用這些材料的混合物或疊層。此外，作為基板111及基板121，既可以使用相同的材料，又可以使用不同的材料。
此外，基板121及基板111的熱膨脹係數較佳為30ppm/K以下，更佳為10ppm/K以下。另外，也可以在基板121及基板111表面上形成具有低透水性的保護膜，諸如氮化矽或氧氮化矽等含有氮和矽的膜、氮化鋁等含有氮和鋁的膜等。另外，也可以將在纖維體中浸滲有有機樹脂的結構體(也稱為所謂的預浸料)用作基板121及基板111。
[絕緣層119、129、141、273、275]
絕緣層119、絕緣層129、絕緣層141、絕緣層273、 絕緣層275可以使用氧化鋁、氧化鎂、氧化矽、氧氮化矽、氧化鎵、氧化鍺、氧化釔、氧化鋯、氧化鑭、氧化釹、氧化鉿和氧化鉭等氧化物材料、或者氮化矽、氮氧化矽、氮化鋁、氮氧化鋁等氮化物材料等的單層或多層形成。例如，絕緣層119、絕緣層129、絕緣層141、絕緣層273、絕緣層275既可以採用層疊有氧化矽和氮化矽的兩層結構，又可以採用組合有上述材料的五層結構。絕緣層119可以藉由濺射法、CVD法、熱氧化法、塗佈法、印刷法等形成。
藉由絕緣層119，可以防止或減緩雜質元素從基板111或黏合層112等擴散到發光元件125中。另外，絕緣層119較佳為使用透水性低的絕緣膜形成。例如，水蒸氣透過量為1×10-5g/(m2．day)以下，較佳為1×10-6g/(m2．day)以下，更佳為1×10-7g/(m2．day)以下，進一步較佳為1×10-8g/(m2．day)以下。
注意，在本說明書中，氮氧化物是指氮含量大於氧含量的化合物。另外，氧氮化物是指氧含量大於氮含量的化合物。另外，例如可以使用拉塞福背散射光譜學法(RBS：Rutherford Backscattering Spectrometry)等來測定各元素的含量。
[電極116、276]
電極116a及電極276a可以使用導電材料形成。例如，可以使用選自鋁、鉻、銅、銀、金、鉑、鉭、鎳、 鈦、鉬、鎢、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、錳、鎂、鋯、鈹等中的金屬元素、以上述金屬元素為成分的合金或者組合上述金屬元素的合金等。此外，也可以使用以包含磷等雜質元素的多晶矽為代表的半導體以及鎳矽化物等矽化物。對電極116a及電極276a的形成方法沒有特別的限制，可以使用蒸鍍法、CVD法、濺射法、旋塗法等各種形成方法。
另外，作為電極116a及電極276a，也可以應用銦錫氧化物(下面也稱為“ITO”)、包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加了氧化矽的銦錫氧化物等包含氧的導電材料。此外，也可以應用包含氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢等包含氮的導電材料。另外，也可以採用上述包含氧的導電材料與上述包含金屬元素的材料的疊層結構。
電極116a及電極276a可以具有單層結構或兩層以上的疊層結構。例如，有包含矽的鋁層的單層結構、在鋁層上層疊有鈦層的兩層結構、在氮化鈦層上層疊有鈦層的兩層結構、在氮化鈦層上層疊有鎢層的兩層結構、在氮化鉭層上層疊有鎢層的兩層結構、以及鈦層、在該鈦層上層疊有鋁層進而在該鋁層上形成有鈦層的三層結構等。另外，也可以作為電極116a及電極276a使用包含選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧中的一種或多種元素的鋁合金。
作為電極116b及電極276b可以使用選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素、含有該元素的合金、含有該元素的化合物形成。還可以使用上述材料的單層或疊層形成。此外，電極116b及電極276b的結晶結構也可以是非晶、微晶、多晶中的任一種。此外，剝離層113也可以使用氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅、二氧化鈦、氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅或包含銦、鎵、鋅的氧化物(In-Ga-Zn-O、IGZO)等金屬氧化物形成。
在以單層形成電極116b及電極276b的情況下，較佳為使用鎢、鉬或含有鎢和鉬的材料。或者，較佳為使用鎢的氧化物或氧氮化物、鉬的氧化物或氧氮化物或者包含鎢和鉬的材料的氧化物或氧氮化物。
[電極115]
電極115較佳為使用高效地反射後面形成的EL層117所發射的光的導電材料形成。此外，電極115不侷限於單層，也可以採用多層的疊層結構。例如，也可以當將電極115用作陽極時，作為接觸於EL層117的層使用銦錫氧化物等具有透光性的層，與該層接觸地設置反射率較高的層(鋁、包含鋁的合金或銀等)。
作為反射可見光的導電材料，例如可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述 金屬材料或合金中添加有鑭、釹或鍺等。此外，反射可見光的導電膜可以使用鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金等包含鋁的合金(鋁合金)、以及、銀和銅的合金、銀和鈀和銅的合金、銀和鎂的合金等包含銀的合金來形成。包含銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。並且，也可以層疊金屬膜或合金膜和金屬氧化物膜。例如，藉由以與鋁合金膜相接的方式層疊金屬膜或金屬氧化物膜，可以抑制鋁合金膜的氧化。作為金屬膜、金屬氧化物膜的其他例子，可以舉出鈦、氧化鈦等。另外，如上所述，也可以層疊具有透光性的導電膜與由金屬材料構成的膜。例如，可以使用銀與銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)的疊層膜、銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等。
另外，雖然本實施方式例示出頂部發射結構的顯示裝置，但是當採用底部發射結構(下面發射結構)及雙發射結構(雙表面發射結構)的顯示裝置時，將透光導電材料用於電極115，即可。
作為具有透光性的導電材料，例如可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等。另外，也可以藉由將金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含這些金屬材料的合金或這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等形成為薄到其允許具有透光性的程度來使用。此外，可以將上述材料的疊層膜用作導電層。例如，當使用銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等時，可以提高導電性，所 以是較佳的。另外，也可以使用石墨烯等。
[分隔壁114]
分隔壁114是為了防止相鄰的電極118之間的電氣短路而設置的。此外，在當形成後面所述的EL層117時使用金屬遮罩的情況下，分隔壁114也具有防止金屬遮罩與形成發光元件125的區域接觸的功能。分隔壁114可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、醯亞胺樹脂等有機樹脂材料、氧化矽等無機材料形成。分隔壁114的側壁較佳為形成為錐形形狀或具有連續曲率的傾斜面。藉由作為分隔壁114的側壁採用上述形狀，可以實現後面形成的EL層117或電極118的良好的覆蓋性。
[EL層117]
在實施方式7中說明EL層117的結構。
[電極118]
在本實施方式中將電極118用作陰極。較佳為使用能夠對後面所述的EL層117注入電子的功函數小的材料形成電極118。此外，也可以不將功函數小的金屬用作緩衝層，而將形成幾nm的功函數小的鹼金屬或鹼土金屬的層用作緩衝層，在其上使用鋁等金屬材料、銦錫氧化物等具有導電性的氧化物材料或半導體材料來形成電極118。此外，緩衝層也可以使用鹼土金屬的氧化物、鹵化物或鎂- 銀等形成。
此外，在經由電極118提取EL層117所發射的光的情況下，電極118較佳為對可見光具有透光性。
[電極272、274]
電極272及電極274較佳為使用具有透光性的導電材料形成。
[黏合層120、112、122]
為黏合層120、黏合層112及黏合層122，可以使用光固化黏合劑、反應固化型黏合劑、熱固性黏合劑或厭氧型黏合劑。例如，可以使用環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。此外，也可以使用黏合薄片等。
也可以使黏合層120含有乾燥劑。尤其是，當顯示裝置為頂部發射結構或雙表面發射結構時，若對黏合層120混合大小為光的波長以下的乾燥劑(藉由化學吸附來吸附水分的物質(例如，氧化鈣或氧化鋇等鹼土金屬的氧化物等)，或者，沸石或矽膠等的藉由物理吸附來吸收水分的物質等)、折射率大的填料(氧化鈦或鋯等)，EL層117所發射的光的提取效率則不容易降低，可以抑制水分等雜質進入顯示元件，從而顯示裝置的可靠性提 高，所以是較佳的。
[各向異性導電連接層138a、138b]
各向異性導電連接層138a及各向異性導電連接層138b可以使用各種異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)或異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等來形成。
各向異性導電連接層138是使對熱固性或熱固性及光固化性的樹脂混合了導電粒子的膏狀或片狀的材料固化的。各向異性導電連接層138藉由光照射或熱壓接合而成為呈現各向異性的導電材料。作為用於各向異性導電連接層138的導電粒子，例如可以使用由薄膜狀的金屬諸如Au、Ni、Co等覆蓋球狀的有機樹脂而得到的粒子。
〈顯示裝置的製造方法〉
接著，參照圖4A至圖16B說明顯示裝置100的製造方法例子。圖4A至圖9D以及圖11A至圖16B相當於圖1A和圖1B中的點劃線A1-A2或B1-B2所示的部分的剖面。首先，對元件基板171的製造方法進行說明。
[剝離層113的形成]
首先，在基板101上形成剝離層113(參照圖4A)。作為基板101，可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、陶瓷基板、金屬基板、半導體基板等。另外，也可以 使用其耐熱性能夠承受本實施方式的處理溫度的塑膠基板。作為該基板的例子，可以舉出半導體基板(例如單晶基板或矽基板)、SOI基板、玻璃基板、石英基板、塑膠基板、金屬基板、不鏽鋼基板、具有不鏽鋼箔的基板、鎢基板、具有鎢箔的基板等。作為玻璃基板的例子，可以舉出鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃等。
剝離層113可以使用選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素、含有該元素的合金材料、含有該元素的化合物材料來形成。此外，可以使用上述材料的單層或疊層來形成。此外，剝離層113的結晶結構也可以是非晶、微晶、多晶中的任何一種。此外，剝離層113也可以使用氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅、二氧化鈦、氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅或In-Ga-Zn-O(IGZO)等金屬氧化物來形成。
剝離層113可以藉由濺射法、CVD法、塗佈法、印刷法等來形成。另外，塗佈法包括旋塗法、液滴噴射法、分配法。
在以單層形成剝離層113的情況下，較佳為使用鎢、鉬或含有鎢和鉬的材料。或者，在以單層形成剝離層113的情況下，較佳為使用鎢的氧化物或氧氮化物、鉬的氧化物或氧氮化物、或者包含鎢和鉬的材料的氧化物或氧氮化物。
另外，當作為剝離層113例如形成包含鎢的層和包含鎢的氧化物的層的疊層結構時，可以利用如下方 式：藉由以與包含鎢的層相接的方式形成絕緣氧化物層，在包含鎢的層與絕緣氧化物層的介面形成包含鎢的氧化物的層。此外，也可以對包含鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、使用諸如臭氧水等具有氧化力的溶液的處理等來形成包含鎢的氧化物的層。另外，也可以在基板101與剝離層113之間設置絕緣層。
在本實施方式中，作為基板101使用鋁硼矽酸鹽玻璃。另外，作為在基板101上形成的剝離層113，藉由濺射法來形成鎢膜。
[絕緣層119的形成]
接著，在剝離層113上形成絕緣層119(參照圖4A)。絕緣層119能夠防止或減緩雜質元素從基板101等擴散。另外，在將基板101替換為基板111之後也能夠防止或減緩雜質元素從基板111或黏合層112等擴散到發光元件125。將絕緣層119的厚度較佳為設定為30nm以上且2μm以下，更佳為50nm以上且1μm以下，進一步較佳為50nm以上且500nm以下。在本實施方式中，作為絕緣層119，藉由電漿CVD法，從基板101一側形成厚度為600nm的氧氮化矽、厚度為200nm的氮化矽、厚度為200nm的氧氮化矽、厚度為140nm的氮氧化矽、厚度為100nm的氧氮化矽的疊層膜。
另外，在形成絕緣層119之前，較佳為使剝離層113的表面暴露於包含氧的氛圍。
作為用於包含氧的氛圍的氣體，可以使用氧、一氧化二氮、二氧化氮、二氧化碳、一氧化碳等。另外，也可以使用包含氧的氣體和其他氣體的混合氣體。例如，可以使用包含氧的氣體和稀有氣體的混合氣體，諸如二氧化碳和氬的混合氣體等。藉由使剝離層113的表面氧化，可以更容易地進行後面製程中的基板101的剝離。
[電極116的形成]
接著，在絕緣層119上形成用來形成電極116的導電層126a和導電層126b。首先，作為導電層126a，藉由濺射法在絕緣層119上形成兩層的鉬之間夾著鋁的三層的金屬膜。接著，作為導電層126b，藉由濺射法在導電層126a上形成鎢膜(參照圖4A)。
接著，在導電層126b上形成光阻遮罩，使用該光阻遮罩將導電層126a及導電層126b蝕刻為所希望的形狀，由此可以形成電極116(電極116a及電極116b)。光阻遮罩可以適當地使用光微影法、印刷法、噴墨法等來形成。當藉由噴墨法形成光阻遮罩時不使用光罩，由此可以降低製造成本。
關於導電層126a及導電層126b的蝕刻，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一種或兩種。在蝕刻處理結束之後去除光阻遮罩(參照圖4B)。
另外，藉由使電極116(包括使用與它們相同的層形成的其他電極或佈線)的端部具有錐形形狀，可以 提高覆蓋電極116的側面的層的覆蓋性。明確而言，將端部的錐角θ設定為80°以下，較佳為60°以下，更佳為45°以下。注意，“錐角”表示由該層的側面和底面所形成的角度。另外，將錐角小於90°的形狀稱為正錐形，並且將錐角是90°以上的形狀稱為反錐形(參照圖4B)。
另外，藉由使電極116的端部的剖面具有多級的步階狀，可以提高其上覆蓋的層的覆蓋性。此外，不限定於電極116，藉由使各層的端部的剖面形狀具有正錐形或步階狀，可以防止以覆蓋該端部的方式形成的層在該端部斷開的現象(斷裂)，可以實現良好的覆蓋性。
[絕緣層141的形成]
接著，在電極116上形成絕緣層141(參照圖4C)。在本實施方式中，作為絕緣層141，藉由電漿CVD法形成氧氮化矽膜。另外，較佳的是，在形成絕緣層141之前使電極116b的表面氧化。例如，較佳的是，在形成絕緣層141之前使電極116b的表面暴露於包含氧的氣體氛圍或包含氧的電漿氛圍。藉由使電極116b的表面氧化，可以更容易地進行後面製程中的開口132a的形成。
在本實施方式中，將樣本配置在電漿CVD設備的處理室內，然後將一氧化二氮供應到該處理室內而產生電漿氛圍，使樣本表面暴露於該氛圍。接著，在樣本表面形成氧氮化矽膜。
接著，在絕緣層141上形成光阻遮罩，利用 該光阻遮罩選擇性地去除重疊於電極116的絕緣層141的一部分，由此形成具有開口128的絕緣層141(參照圖4D)。作為絕緣層141的蝕刻，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一種或兩種。同時，重疊於開口128的電極116b的表面上的氧化物也被去除。
[電極115的形成]
接著，在絕緣層141上形成用來形成電極115的導電層145(參照圖4E)。導電層145可以利用與導電層126a(電極116a)同樣的材料及方法來形成。
接著，在導電層145上形成光阻遮罩，使用該光阻遮罩選擇性地去除導電層145的一部分，由此形成電極115(參照圖5A)。關於導電層145的蝕刻，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一種或兩種。在本實施方式中，作為導電層145(電極115)，使用在銀上層疊了銦錫氧化物的材料來形成。電極115與電極116藉由開口128電連接。
[分隔壁114的形成]
接著，形成分隔壁114(參照圖5B)。在本實施方式中，使用感光性有機樹脂材料藉由塗佈法來形成，並加工為所希望的形狀，從而形成分隔壁114。在本實施方式中，使用具有感光性的聚醯亞胺樹脂形成分隔壁114。
[EL層117的形成]
接著，在電極115及分隔壁114上形成EL層117(參照圖5C)。
[電極118的形成]
接著，在EL層117上形成電極118。在本實施方式中，作為電極118使用鎂和銀的合金。電極118可以利用蒸鍍法、濺射法等形成(參照圖6A)。
在本實施方式中，將在基板101上形成有發光元件125的基板稱為元件基板171。圖6A是相當於沿圖1A中的點劃線A1-A2所示的部分的元件基板171的剖面圖。另外，圖6B是相當於沿圖1A中的點劃線B1-B2所示的部分的元件基板171的剖面圖。
接著，對包括濾色片的相對基板的製造方法進行說明。
[剝離層123的形成]
首先，在基板102上形成剝離層144(參照圖7A)。基板102可以使用與基板101同樣的材料來形成。另外，基板101和基板102既可以使用相同的材料又可以使用不同的材料。此外，剝離層144可以與剝離層113使用同樣的材料及方法形成。也可以在基板102與剝離層144之間設置絕緣層。在本實施方式中，作為基板102使用鋁硼矽酸鹽玻璃。另外，作為形成在基板102上的剝離層144， 藉由濺射法來形成鎢膜。
接著，在剝離層144上形成光阻遮罩，使用該光阻遮罩，選擇性地去除剝離層144的一部分，由此形成具有開口139a(在圖7A至圖7D中未圖示)及開口139b的剝離層123。光阻遮罩可以適當地使用光微影法、印刷法、噴墨法等來形成。在利用過噴墨法形成光阻遮罩時不使用光罩，由此可以降低製造成本。
關於剝離層144的蝕刻，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一種或兩種。在蝕刻處理結束之後，去除光阻遮罩(參照圖7B)。
另外，在形成剝離層123之後，較佳為使剝離層123的表面暴露於包含氧的氛圍或包含氧的電漿氛圍。藉由使剝離層123的表面氧化，可以在後面的製程中較容易地剝離基板102。
[絕緣層129的形成]
接著，在剝離層123上形成絕緣層129(參照圖7C)。絕緣層129可以使用與絕緣層119同樣的材料及方法形成。在本實施方式中，作為絕緣層129，藉由電漿CVD法，從基板102一側形成厚度為200nm的氧氮化矽、厚度為140nm的氮氧化矽、厚度為100nm的氧氮化矽的疊層膜。
[電極276的形成]
接著，在絕緣層129上形成用來形成電極276的導電層286a及導電層286b。導電層286a可以使用與導電層126a同樣的材料及方法來形成。導電層286b可以使用與導電層126b同樣的材料及方法來形成。
在本實施方式中，在絕緣層129及開口139b上作為導電層286b利用濺射法形成鎢膜。接著，在導電層286b上作為導電層286a利用濺射法形成在兩層鉬之間夾有鋁的三層的金屬膜(參照圖7C)。
接著，在導電層286a上形成光阻遮罩，利用該光阻遮罩將導電層286a及導電層286b蝕刻為所希望的形狀，由此可以形成電極276(電極276a及電極276b)。可以適當地利用光微影法、印刷法、噴墨法等來形成光阻遮罩。在利用噴墨法形成光阻遮罩時不需要光罩，因此可以減少製造成本。
作為導電層286a及導電層286b的蝕刻，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一種或兩種。在蝕刻處理結束之後去除光阻遮罩(參照圖7D)。
[電極272的形成]
接著，在絕緣層129上形成與電極276電連接的電極272。在絕緣層129及電極276上形成具有透光性的導電層，並選擇性地蝕刻該導電層的一部分，由此可以形成電極272。具有透光性的導電膜例如可以使用上述具有透光性的導電材料形成。在本實施方式中，使用銦錫氧化物形 成電極272(參照圖8A)。
[絕緣層273的形成]
接著，在電極272及電極276上形成絕緣層273。在本實施方式中，作為絕緣層273利用電漿CVD法形成氧氮化矽膜(參照圖8B)。
[電極274的形成]
接著，在絕緣層273上形成電極274。在絕緣層273上形成具有透光性的導電層，並選擇性地蝕刻該導電層的一部分，由此可以形成電極274。在本實施方式中，使用銦錫氧化物形成電極274(參照圖8C)。
[絕緣層275的形成]
接著，在電極274上形成絕緣層275。在本實施方式中，作為絕緣層275利用電漿CVD法形成氧氮化矽膜(參照圖8D)。但是，並不一定必須要設置絕緣層275，也可以不形成絕緣層275。
[遮光層264的形成]
接著，在絕緣層275上形成遮光層264(參照圖9A)。遮光層264遮擋來自鄰接的顯示元件的光，從而抑制鄰接的顯示元件之間的混色。另外，藉由使彩色層266的端部與遮光層264的端部重疊，可以抑制漏光。遮光層 264既可以是單層結構又可以是兩層以上的疊層結構。作為可以用於遮光層264的材料，例如可以舉出包含鉻、鈦或鎳等的金屬材料、包含鉻、鈦或鎳等的氧化物材料、包括金屬材料、顏料或染料的樹脂材料等。
遮光層264可以經光微影製程形成。另外，當作為遮光層264使用分散有碳黑的高分子材料時，利用噴墨法可以在絕緣層275上直接形成遮光層264。
[彩色層266的形成]
接著，在絕緣層275上形成彩色層266(參照圖9B)。如上所述，彩色層是使特定的波長區域的光透射的有色層。例如可以使用使紅色的波長區域的光透射的紅色(R)的濾光片、使綠色的波長區域的光透射的綠色(G)的濾光片或使藍色的波長區域的光透射的藍色B的濾光片等。彩色層266使用各種材料並利用印刷法、噴墨法、光微影法在所需的位置形成。此時，藉由以彩色層266的一部分與遮光層264重疊的方式設置，可以抑制漏光，所以是較佳的。藉由按像素來改變彩色層266的顏色，可以進行彩色顯示。
[保護層268的形成]
接著，在遮光層264及彩色層266上形成保護層268(參照圖9C)。
作為保護層268，例如可以使用丙烯酸樹脂、 環氧樹脂、聚醯亞胺等有機絕緣層。藉由形成保護層268，能夠抑制例如包含在彩色層266中的雜質等擴散到發光元件125一側。但是，不一定必須要設置保護層268，也可以不形成保護層268。
另外，可以使用具有透光性的導電膜形成保護層268。藉由作為保護層268設置具有透光性的導電膜，可以使來自發光元件125的光151透射，並且防止離子化的雜質透過。
具有透光性的導電膜例如可以使用上述具有透光性的導電材料形成。另外，還可以使用薄到具有透光性的程度的金屬膜。
在本實施方式中，將在基板102上形成有彩色層266等的基板稱為相對基板181。經上述製程可以形成相對基板181。但是，在不需要彩色層266的情況下，有時在相對基板181上不設置彩色層266等。圖9C是相當於沿圖1A中的點劃線B1-B2所示的部分的相對基板181的剖面圖。圖9D是相當於沿圖1A中的點劃線A1-A2所示的部分的相對基板181的剖面圖。
[像素結構的一個例子]
在此，參照圖10A至圖10C對用來實現彩色顯示的像素結構的一個例子進行說明。圖10A、圖10B及圖10C是放大了在圖1A的顯示區域131中示出的區域170的平面圖。
如圖10A所示，例如，也可以將三個像素130用作子像素，統一作為一個像素140使用。作為分別對應於三個像素130的彩色層266的顏色採用紅色、綠色、藍色，從而可以實現全彩色顯示。在圖10A中，將發出紅色的光的像素130稱為像素130R，將發出綠色的光的像素130稱為像素130G，將發出藍色的光的像素130稱為像素130B。另外，彩色層266的顏色也可以為紅色、綠色、藍色之外的顏色，例如，可以為黃色(yellow)、青色(cyan)、洋紅色(magenta)等。
另外，如圖10B所示，也可以將四個像素130用作子像素，統一作為一個像素140使用。例如，也可以作為分別對應於四個像素130的彩色層266的顏色採用紅色、綠色、藍色、黃色。此外，在圖10B中，將發出紅色的光的像素130稱為像素130R，將發出綠色的光的像素130稱為像素130G，將發出藍色的光的像素130稱為像素130B，將發出黃色的光的像素130稱為像素130Y。藉由增加一個像素140所包括的子像素(像素130)的個數，尤其能夠提高顏色的再現性。因此，能夠提高顯示裝置的顯示品質。另外，藉由設置發射黃色光的像素130(像素130Y)，可以提高顯示區域的發光亮度。由此可以降低顯示裝置的耗電量。
另外，也可以作為分別對應於四個像素130的彩色層266採用紅色、綠色、藍色、白色(參照圖10B)。藉由設置發出白色光的像素130(像素130W)， 可以提高顯示區域的發光亮度。由此可以降低顯示裝置的耗電量。
此外，在設置發出白色光的像素130的情況下，也可以不設置對應於像素130W的彩色層266。藉由不設置白色的彩色層266，可以消除光透射彩色層266時的亮度降低，由此可以進一步提高顯示區域的發光亮度。因此，可以降低顯示裝置的耗電量。另一方面，藉由設置白色的彩色層266，可以改變白色光的色溫。因此，可以提高顯示裝置的顯示品質。此外，根據顯示裝置的用途，也可以將兩個像素130用作子像素，統一作為一個像素140使用。
另外，每個像素130的佔有面積或形狀等既可以相同又可以不同。此外，作為排列方法，也可以採用條紋排列之外的方法。例如，還可以應用三角狀排列、拜耳排列(Bayer arrangement)、PenTile排列等。作為一個例子，圖10C示出應用PenTile排列時的例子。
[貼合元件基板171和相對基板181]
接著，隔著黏合層120貼合元件基板171和相對基板181。此時，以元件基板171上的發光元件125與相對基板181上的彩色層266相對的方式設置。圖11A是相當於圖1A中的點劃線A1-A2所示的部分的剖面圖。圖11B是相當於圖1A中的點劃線B1-B2所示的部分的剖面圖。
[基板101的剝離]
接著，將元件基板171所具有的基板101連同剝離層113一起從絕緣層119剝離(參照圖12A及圖12B)。作為剝離方法，施加機械力(藉由人的手或夾具進行剝離的處理、使滾筒轉動進行分離的處理、超音波處理等)，即可。例如，使用鋒利的刀具或者照射雷射等從元件基板171的側面在剝離層113與絕緣層119的介面中形成切口，且向該切口中注入水。由於毛細現象而水滲到剝離層113與絕緣層119的介面，從而可以更容易地將基板101連同剝離層113一起從絕緣層119剝離。
[貼合基板111]
接著，隔著黏合層112將基板111貼合到絕緣層119(參照圖13A及圖13B)。
[基板102的剝離]
接著，與剝離層123一起將相對基板181所具有的基板102從絕緣層129剝離。
另外，如圖14A所示，在剝離基板102之前，藉由開口139a將光220照射到電極116的至少一部分。另外，如圖14B所示，也可以藉由開口139b將光220照射到電極276的至少一部分。作為光220，可以使用從鹵素燈、高壓汞燈等發射的紅外光、可見光、紫外光。另外，作為光220，可以使用連續振盪雷射、脈衝振 盪雷射等強光。尤其是，脈衝振盪雷射可以在瞬時間發射高能量的脈衝雷射，所以是較佳的。光220的波長較佳為400nm至1.2μm，更佳為500nm至900nm，進一步較佳為500nm至700nm。另外，作為光220使用脈衝雷射的情況下，脈衝寬度較佳為1ns(奈秒)至1μs(微秒)，更佳為5ns至500ns，進一步較佳為5ns至100ns。例如，可以使用波長為532nm、脈衝寬度為10ns的脈衝雷射。
藉由照射光220，電極116及電極276的溫度上升，熱應力和殘留在層內的氣體的釋放等導致電極116與絕緣層141之間的緊密性降低。另外，電極276與絕緣層129之間的緊密性降低。其結果，容易將絕緣層141從電極116剝離。也容易將絕緣層129從電極276剝離。
圖15A及圖15B示出與剝離層123一起將相對基板181所具有的基板102從絕緣層129剝離的狀況。此時，在與開口139a重疊的區域，絕緣層129的一部分、絕緣層273的一部分、絕緣層275的一部分、黏合層120的一部分及絕緣層141的一部分被去除，由此形成開口132a1。另外，在平面看來，較佳為將開口132a1形成在電極116的內側。換言之，在剖面看來，較佳為將開口132a1形成在電極116端部的內側。也就是說，開口132a1的寬度W1較佳為小於電極116表面的寬度W2(參照圖15A)。
另外，在與開口139b重疊的區域，絕緣層129的一部分也同時被去除，從而形成開口132b1。另 外，在平面看來，較佳為將開口132b1形成在電極276的內側。換言之，在剖面看來，較佳為將開口132b1形成在電極276端部的內側。也就是說，開口132b1的寬度W1較佳為小於電極276表面的寬度W2(參照圖15B)。
在同時剝離基板102和剝離層123的製程中，可以同時形成開口132a1及開口132b1。根據本發明的一個方式可以減少顯示裝置的製程數，因此可以提高顯示裝置的生產性。
[基板121的貼合]
接著，將具有開口132a2及開口132b2的基板121隔著黏合層122貼合到絕緣層129(參照圖16A及圖16B)。此時，以開口132a1重疊於開口132a2的方式進行貼合。另外，以開口132b1重疊於開口132b2的方式進行貼合。在本實施方式中，將開口132a1和開口132a2總稱為開口132a。另外，將開口132b1和開口132b2總稱為開口132b。在開口132a中，電極116的表面露出。在開口132b中，電極276的表面露出。
另外，在本發明的一個方式的顯示裝置100中，也可以一個開口132a與一個或多個電極116重疊，並且一個開口132b與一個或多個電極276重疊。圖17A是顯示裝置100的透視圖，該顯示裝置100包括與一個開口132a重疊的多個電極116以及與一個開口132b重疊的多個電極276。另外，圖17B是示出沿圖17A中的點劃線 C1-C2所示的部分的剖面圖。
另外，在本發明的一個方式的顯示裝置100中，可以每個電極116都具有開口132a，每個電極276都具有開口132b。也就是說，本發明的一個方式的顯示裝置100可以具有多個開口132a和多個開口132b。圖18A是顯示裝置100的透視圖，在該顯示裝置100中，每個電極116都具有與電極116重疊的開口132b，每個電極276都具有與電極276重疊的開口132a。另外，圖18B是示出沿圖18A中的點劃線C1-C2所示的部分的剖面圖。
本發明的一個方式的顯示裝置100可以具有與電極116及電極276重疊的一個開口132。圖19A是具有與電極116及電極276重疊的一個開口132的顯示裝置100的透視圖。另外，圖19B是示出沿圖19A中的點劃線C1-C2所示的部分的剖面圖。另外，圖19C是示出外部電極124在開口132中與電極116及電極276電連接的狀態的透視圖。另外，外部電極124也可以藉由各向異性導電層等與電極116及電極276電連接。
另外，藉由在平面圖中將開口132a及開口132b設置在基板121端部的內側，可以以基板111和基板121支撐開口132a及開口132b附近的區域。由此，不容易降低外部電極124與電極116連接的區域的機械強度，從而可以減輕上述區域的非意圖的變形。另外，開口132a及/或開口132b附近的佈線等被基板111和基板121 夾著，因此不容易受到來自外部的衝擊或變形的影響。因此，可以防止該佈線等的損傷。另外，與在一個開口132a中形成多個電極116的情況相比，在每個電極116中形成開口132可以進一步提高減輕上述區域的變形的效果。根據本發明的一個方式，可以防止顯示裝置100的損壞，而可以提高顯示裝置100的可靠性。
根據本發明的一個方式，不需要為了使電極116及電極276的表面露出而使用雷射或刀具將具有撓性的基板的一部分去除，因此不容易給電極116、電極276及顯示區域131等帶來損傷。
另外，由於可以同時形成開口132a及開口132b，所以能夠提高顯示裝置的生產性。
另外，也可以在基板111或基板121中的發射光151一側的基板的外側設置如下層中的一種以上：防反射層、光擴散層、微透鏡陣列、稜鏡片、相位差板、偏光板等使用具有特定的功能的材料形成的層(以下也稱為“功能層”)。作為防反射層，例如可以使用圓偏光板等。藉由設置功能層，可以實現顯示品質更良好的顯示裝置。另外，可以降低顯示裝置的耗電量。
另外，作為基板111或基板121，也可以使用具有特定的功能的材料。例如，作為基板111或基板121，也可以使用圓偏光板。此外，例如，也可以使用相位差板形成基板111或基板121，以與該基板重疊的方式設置偏光板。另外，例如，也可以使用稜鏡片形成基板 111或基板121，以與該基板重疊的方式設置圓偏光板。藉由作為基板111或基板121使用具有特定的功能的材料，可以實現顯示品質的提高和製造成本的降低。
[外部電極的形成]
接著，在開口132a中形成各向異性導電連接層138a，在各向異性導電連接層138a上形成用來對顯示裝置100輸入電力或信號的外部電極124a。在開口132b中形成各向異性導電連接層138b，在各向異性導電連接層138b上形成用來對顯示裝置100輸入電力或信號的外部電極124b(參照圖1A至圖1C)。藉由經過各向異性導電連接層138a電連接外部電極124a與電極116，可以對顯示裝置100輸入電力或信號。另外，藉由經過各向異性導電連接層138b電連接外部電極124b與電極276，可以對顯示裝置100輸入電力或信號。
根據本發明的一個方式，可以使電極116和電極276從顯示裝置100的同一面一側(在本實施方式中指基板121一側)露出。由此，容易連接外部電極124a與電極116以及外部電極124b與電極276。例如，可以在同一製程中進行外部電極124a與電極116的連接以及外部電極124b與電極276的連接。由此，可以提高顯示裝置的製造良率。另外，可以減少顯示裝置的製程數，從而能夠提高顯示裝置的生產性。
另外，作為外部電極124a及外部電極124b 可以使用FPC。作為外部電極124a及外部電極124b還可以使用金屬線。可以利用各向異性導電連接層進行該金屬線與電極116的連接或與電極276的連接，也可以利用引線接合法進行。還可以藉由銲錫進行該金屬線與電極116的連接或電極276的連接。
另外，根據本發明的一個方式，可以將外部電極124a及外部電極124b等外部電極設置在顯示裝置100的同一面，從而可以實現設計的彈性高的顯示裝置。另外，可以提高使用本發明的一個方式的顯示裝置100的半導體裝置的設計彈性。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式2
在本實施方式中，對具有與上述實施方式例示的顯示裝置100不同結構的顯示裝置1100進行說明。注意，為了避免重複的說明，在本實施方式中，主要對與顯示裝置100不同的部分進行說明。
本實施方式所示的顯示裝置1100與顯示裝置100的不同之處在於外部電極124(外部電極124a及外部電極124b)的連接位置。明確而言，顯示裝置100的外部電極124從基板121一側連接，而顯示裝置1100的外部電極124則從基板111一側連接。另外，顯示裝置1100的電極116a與電極116b的層疊順序與顯示裝置100 不同。另外，顯示裝置1100的電極276a與電極276b的層疊順序與顯示裝置100不同。
〈顯示裝置的結構〉
參照圖20A至圖23C對本發明的一個方式的顯示裝置1100的結構實例進行說明。圖20A是顯示裝置1100的透視圖。圖20B是示出沿圖20A中的點劃線A1-A2所示的部分的剖面圖。圖20C是示出沿圖20A中的點劃線B1-B2所示的部分的剖面圖。
本實施方式所示的顯示裝置1100包括穿過基板111、黏合層112及絕緣層119且與電極116重疊的開口132a。還包括穿過基板111、黏合層112、絕緣層119、絕緣層141、黏合層120、絕緣層275及絕緣層273且與電極276重疊的開口132b。
在開口132a中，外部電極124a與電極116藉由各向異性導電連接層138a電連接。另外，在開口132b中，外部電極124b與電極276藉由各向異性導電連接層138b電連接。
另外，與顯示裝置100同樣地，可以在發光元件125與電極116之間設置能夠對發光元件125供應信號的切換元件。例如，可以在發光元件125與電極116之間設置電晶體。
另外，與顯示裝置100同樣地，在顯示裝置1100中，可以一個開口132a與一個或多個電極116重 疊，並且一個開口132b與一個或多個電極276重疊。圖21A是顯示裝置1100的透視圖，該顯示裝置1100包括與一個開口132a重疊的多個電極116以及與一個開口132b重疊的多個電極276。另外，圖21B是示出沿圖21A中的點劃線C1-C2所示的部分的剖面圖。
另外，與顯示裝置100同樣地，在顯示裝置1100中，可以每個電極116都具有開口132a，每個電極276都具有開口132b。也就是說，本發明的一個方式的顯示裝置1100可以具有多個開口132a和多個開口132b。圖22A是顯示裝置1100的透視圖，在該顯示裝置1100中，每個電極116都具有與電極116重疊的開口132a，每個電極276都具有與電極276重疊的開口132b。另外，圖22B是示出沿圖22A中的點劃線C1-C2所示的部分的剖面圖。
與顯示裝置100同樣地，顯示裝置1100可以具有與電極116及電極276重疊的一個開口132。圖23A是具有與電極116及電極276重疊的一個開口132的顯示裝置1100的透視圖。另外，圖23B是示出沿圖23A中的點劃線C1-C2所示的部分的剖面圖。另外，圖23C是示出外部電極124在開口132中與電極116及電極276電連接的狀態的透視圖。另外，外部電極124也可以藉由各向異性導電層等與電極116及電極276電連接。
〈顯示裝置的製造方法〉
接著，參照圖24A至圖27B對顯示裝置1100的製造方法例子進行說明。注意，圖24A至圖27B相當於沿圖20A至圖20C中的點劃線A1-A2或B1-B2所示的部分的剖面。首先，對元件基板1171的製造方法進行說明。
[剝離層113的形成]
首先，在基板101上形成剝離層154(參照圖24A)。剝離層154可以使用與剝離層113同樣的材料及方法形成。另外，可以在基板101與剝離層154之間設置絕緣層。
接著，在剝離層154上形成光阻遮罩，利用該光阻遮罩選擇性地去除剝離層154的一部分，由此形成具有開口139a及開口139b(在圖24A至圖24D中未圖示)的剝離層113。可以適當地使用光微影法、印刷法、噴墨法等形成光阻遮罩。在利用噴墨法形成光阻遮罩時不需要光罩，所以可以降低製造成本。
作為剝離層154的蝕刻，可以使用乾蝕刻法和濕蝕刻法中的一種或兩種。在蝕刻處理結束之後去除光阻遮罩(參照圖24B)。
另外，在形成剝離層113之後，較佳為將剝離層113的表面暴露於包含氧的氛圍或包含氧的電漿氛圍。藉由使剝離層113的表面氧化，可以在後面的製程中較容易地剝離基板101。
[絕緣層119的形成]
接著，剝離層113上形成絕緣層119(圖24C參照)。
[電極116的形成]
接著，在絕緣層119上形成用來形成電極116的導電層126a和導電層126b。首先，作為導電層126b，藉由濺射法在絕緣層119上形成鎢膜。接著，作為導電層126a，藉由濺射法在導電層126b上形成兩層鉬之間夾有鋁的三層的金屬膜(參照圖24C)。
接著，在導電層126a上形成光阻遮罩，使用該光阻遮罩將導電層126b及導電層126a蝕刻為所希望的形狀，由此可以形成電極116(電極116b及電極116a)(參照圖24D)。光阻遮罩可以適當地使用光微影法、印刷法、噴墨法等來形成。在利用噴墨法形成光阻遮罩時不需要光罩，由此可以降低製造成本。
[絕緣層141的形成]
接著，在電極116上形成絕緣層141(參照圖25A)。接著，在絕緣層141上形成光阻遮罩，利用該光阻遮罩選擇性地去除與電極116重疊的絕緣層141的一部分，由此形成具有開口128的絕緣層141(參照圖25B)。
下面的製程可以與上述實施方式所示的元件 基板171的製程同樣地進行。如此，可以製造元件基板1171。圖25C是相當於沿圖20A中的點劃線A1-A2所示的部分的元件基板1171的剖面圖。另外，圖25D是相當於沿圖20A中的點劃線B1-B2所示的部分的元件基板1171的剖面圖。
接著，對相對基板1181的製造方法進行說明。
[剝離層144的形成]
首先，在基板102上形成剝離層144(參照圖26A)。剝離層144可以使用與剝離層113同樣的材料及方法形成。另外，可以在基板102與剝離層144之間設置絕緣層。
另外，在形成剝離層144之後，較佳為將剝離層144的表面暴露於包含氧的氛圍或包含氧的電漿氛圍。藉由使剝離層144的表面氧化，可以在後面的製程中較容易地剝離基板102。
[絕緣層129的形成]
接著，在剝離層144上形成絕緣層129(參照圖26A)。
[電極276的形成]
接著，在絕緣層129上形成用來形成電極276的導電 層286a及導電層286b。首先，作為導電層286a，藉由濺射法在絕緣層129上形成兩層鉬之間夾有鋁的三層的金屬膜。接著，作為導電層286b，藉由濺射法在導電層286a上形成鎢膜(參照圖26A)。
接著，在導電層286b上形成光阻遮罩，利用該光阻遮罩將導電層286a及導電層286b蝕刻為所希望的形狀，由此可以形成電極276(電極276a及電極276b)。可以適當地利用光微影法、印刷法、噴墨法等來形成光阻遮罩。在利用噴墨法形成光阻遮罩時不需要光罩，因此可以減少製造成本(參照圖26B)。
[電極272的形成]
接著，在絕緣層129上形成與電極276電連接的電極272。在絕緣層129及電極276上形成具有透光性的導電層，並選擇性地蝕刻該導電層的一部分，由此可以形成電極272(參照圖26C)。
[絕緣層273的形成]
接著，在電極272及電極276上形成絕緣層273(參照圖26D)。
下面的製程可以與上述實施方式所示的相對基板181的製程同樣地進行。如此，可以製造相對基板1181。圖27A是相當於沿圖20A中的點劃線B1-B2所示的部分的相對基板1181的剖面圖。另外，圖27B是相當 於沿圖20A中的點劃線A1-A2所示的部分的相對基板1181的剖面圖。
[貼合元件基板1171和相對基板1181]
接著，隔著黏合層120貼合元件基板1171和相對基板1181。此時，使元件基板1171上的發光元件125與相對基板1181上的彩色層266相對。圖28A是相當於沿圖20A中的點劃線A1-A2所示的部分的剖面圖。另外，圖28B是相當於沿圖20A中的點劃線B1-B2所示的部分的剖面圖。
[基板102的剝離]
接著，將基板102連同剝離層123一起從絕緣層129剝離(參照圖29A及圖29B)。作為剝離方法，施加機械力(藉由人的手或夾具進行剝離的處理、使滾筒轉動進行分離的處理、超音波處理等)，即可。例如，使用鋒利的刀具或者照射雷射等在剝離層123與絕緣層129的介面中形成切口，且向該切口中注入水。水由於毛細現象而滲到剝離層123與絕緣層129的介面，從而可以更容易地將基板102連同剝離層123一起從絕緣層129剝離。
[貼合基板121]
接著，隔著黏合層122將基板121貼合到絕緣層129(參照圖30A及圖30B)。
[基板101的剝離]
接著，與剝離層113一起將基板101從絕緣層119剝離。
另外，如圖31A所示，在剝離基板101之前，可以藉由開口139a將光220照射到電極116的至少一部分。另外，如圖31B所示，也可以藉由開口139b將光220照射到電極276的至少一部分。
圖32A及圖32B示出與剝離層113一起將基板101從絕緣層119剝離的狀況。此時，在與開口139a重疊的區域，絕緣層119的一部分也同時被去除，由此形成開口132a1(參照圖32A)。另外，在平面看來，較佳為將開口132a1形成在電極116的內側。換言之，在剖面看來，較佳為將開口132a1形成在電極116端部的內側。也就是說，開口132a1的寬度W1較佳為小於電極116表面的寬度W2。
另外，在與開口139b重疊的區域，絕緣層119的一部分、絕緣層141的一部分、黏合層120的一部分、絕緣層275的一部分及絕緣層273的一部分被去除，從而形成開口132b1(參照圖32B)。另外，在平面看來，較佳為將開口139b1形成在電極276的內側。換言之，在剖面看來，較佳為將開口139b1形成在電極276端部的內側。也就是說，開口132b1的寬度W1較佳為小於電極276表面的寬度W2。
在同時剝離基板101和剝離層113的製程中，可以同時形成開口132a1及開口132b1。根據本發明的一個方式可以減少顯示裝置的製程數，因此可以提高顯示裝置的生產性。
[基板111的貼合]
接著，將具有開口132a2及開口132b2的基板111隔著黏合層112貼合到絕緣層119(參照圖33A及圖33B)。此時，以開口132a1重疊於開口132a2的方式進行貼合。另外，以開口132b1重疊於開口132b2的方式進行貼合。在本實施方式中，將開口132a1和開口132a2總稱為開口132a。另外，將開口132b1和開口132b2總稱為開口132b。在開口132a中，電極116的表面露出。在開口132b中，電極276的表面露出。如此，可以製造顯示裝置1100(參照圖34A及圖34B)。
根據本發明的一個方式，不需要為了使電極116及電極276的表面露出而使用雷射或刀具將具有撓性的基板的一部分去除，因此不容易給電極116、電極276及顯示區域131等帶來損傷。
另外，由於可以同時形成開口132a及開口132b，所以能夠提高顯示裝置的生產性。
[外部電極的形成]
接著，在開口132a中形成各向異性導電連接層 138a，在各向異性導電連接層138a上形成用來對顯示裝置1100輸入電力或信號的外部電極124a。在開口132b中形成各向異性導電連接層138b，在各向異性導電連接層138b上形成用來對顯示裝置1100輸入電力或信號的外部電極124b(參照圖20A至圖20C)。藉由經過各向異性導電連接層138a電連接外部電極124a與電極116，可以對顯示裝置1100輸入電力或信號。另外，藉由經過各向異性導電連接層138b電連接外部電極124b與電極276，可以對顯示裝置1100輸入電力或信號。
另外，根據本發明的一個方式，可以將外部電極124a及外部電極124b等外部電極設置在顯示裝置1100的同一面，從而可以實現設計的彈性高的顯示裝置。另外，可以提高使用本發明的一個方式的顯示裝置1100的半導體裝置的設計彈性。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖35A至圖36B說明其結構與上述實施方式中的顯示裝置100及顯示裝置1100不同的顯示裝置200及顯示裝置1200。圖35A是顯示裝置200的俯視圖，圖35B是圖35A中的點劃線A3-A4所示的部分的剖面圖。圖36A是顯示裝置1200的俯視圖，圖36B是圖36A中的點劃線A3-A4所示的部分的剖面圖。
〈顯示裝置的結構〉
本實施方式所示的顯示裝置200及顯示裝置1200具有顯示區域231及週邊電路251。此外，顯示裝置200及顯示裝置1200具有包括電極115、EL層117及電極118的發光元件125以及電極116。在顯示區域231中形成有多個發光元件125。此外，各發光元件125與用來控制發光元件125的發光量的電晶體232連接。顯示裝置200的外部電極124a從基板121一側連接。另外，顯示裝置1200的外部電極124a從基板111一側連接。
電極116經由形成在開口132a中的各向異性導電連接層138a與外部電極124a電連接。此外，電極116與週邊電路251電連接。注意，在圖35A至圖36B中，雖然示出電極116為電極116a與電極116b的疊層的狀況，但是電極116也可以為單層或三層以上的疊層。另外，圖35A及圖35B所示的顯示裝置200與圖36A及圖36B所示的顯示裝置1200的不同之處在於電極116a與電極116b的層疊順序。
週邊電路251由多個電晶體252構成。週邊電路251具有決定將從外部電極124供應的信號供應給顯示區域231中的發光元件125中的哪一個的功能。
顯示裝置200及顯示裝置1200具有隔著黏合層120使基板111與基板121貼合的結構。在基板111上隔著黏合層112形成有絕緣層205。絕緣層205較佳為使 用氧化矽、氮化矽、氧氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氧氮化鋁或氮氧化鋁等的單層或疊層形成。可以藉由濺射法、CVD法、熱氧化法、塗佈法、印刷法等來形成絕緣層205。
此外，絕緣層205用作基底層，可以防止或減緩雜質元素從基板111或黏合層112等擴散到電晶體或發光元件中。
此外，在絕緣層205上形成有電晶體232、電晶體252、電極116、佈線219。注意，在本實施方式中，作為電晶體232和/或電晶體252，例示出作為底閘極型電晶體之一的通道蝕刻型電晶體，但是也可以使用通道保護型電晶體或頂閘極型電晶體等。另外，也可以使用反交錯型電晶體或正交錯型電晶體。此外，也可以使用由兩個閘極電極夾住形成有通道的半導體層的結構的雙重閘極(dual gate)型電晶體。另外，不限定於單閘極結構的電晶體，還可以使用具有多個通道形成區域的多閘極型電晶體，例如雙閘極(double gate)型電晶體。
另外，作為電晶體232及電晶體252，可以使用平面型、FIN(鰭)型、TRI-GATE(三閘極)型等各種結構的電晶體。
電晶體232與電晶體252既可以分別具有同樣的結構，又可以分別採用不同的結構。可以在各電晶體中適當地調整電晶體的尺寸(例如，通道長度及通道寬度)等。
電晶體232及電晶體252具有能夠用作閘極電極的電極206、能夠用作閘極絕緣層的絕緣層207、半導體層208、能夠用作源極電極和汲極電極中的一個的電極214、以及能夠用作源極電極和汲極電極中的另一個的電極215。
作為用來形成電極206的導電材料，可以使用選自鋁、鉻、銅、銀、金、鉑、鉭、鎳、鈦、鉬、鎢、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、錳、鎂、鋯、鈹等中的金屬元素、以上述金屬元素為成分的合金或者組合上述金屬元素的合金等。另外，也可以使用以包含磷等雜質元素的多晶矽為代表的導電率高的半導體以及鎳矽化物等矽化物。對導電層的形成方法沒有特別的限制，可以使用蒸鍍法、CVD法、濺射法、旋塗法等各種形成方法。
另外，作為電極206，也可以使用銦錫氧化物，包含氧化鎢的銦氧化物、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的銦氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加氧化矽的銦錫氧化物等包含氧的導電材料、氮化鈦、氮化鉭等包含氮的導電材料。另外，也可以採用組合包含上述金屬元素的材料和包含氧的導電材料的疊層結構。此外，也可以採用組合包含上述金屬元素的材料和包含氮的導電材料的疊層結構。另外，也可以採用組合包含上述金屬元素的材料、包含氧的導電材料和包含氮的導電材料的疊層結構。
另外，電極206也可以使用導電高分子材料 (也稱為導電聚合物)形成。作為導電高分子材料，可以使用π電子共軛高分子材料。例如，可以舉出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物或者由苯胺、吡咯和噻吩中的兩種以上構成的共聚物或其衍生物等。
電極206可以具有單層結構或者兩層以上的疊層結構。例如，可以舉出包含矽的鋁層的單層結構、在鋁層上層疊鈦層的兩層結構、在氮化鈦層上層疊鈦層的兩層結構、在氮化鈦層上層疊鎢層的兩層結構、在氮化鉭層上層疊鎢層的兩層結構以及依次層疊鈦層、鋁層和鈦層的三層結構等。另外，也可以作為電極206使用包含選自鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧中的一種或多種元素的鋁合金。
佈線219、電極214及電極215可以使用用來形成電極116的導電層的一部分並與電極116同時形成。此外，絕緣層207可以使用與絕緣層205同樣的材料及方法形成。另外，當作為半導體層208使用有機半導體時，作為絕緣層207可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂等有機材料。
半導體層208可以使用單晶半導體、多晶半導體、微晶半導體、奈米晶半導體、半非晶半導體(Semi Amorphous Semiconductor)、非晶半導體等形成。例如，可以使用非晶矽或微晶鍺等。此外，也可以使用碳化矽、鎵砷、氧化物半導體、氮化物半導體等化合物半導體、有 機半導體等。
另外，當作為半導體層208使用有機物半導體時，可以使用具有芳環的低分子有機材料或π電子共軛導電高分子等。例如，可以使用紅螢烯、稠四苯、稠五苯、苝二醯亞胺、四氰基對醌二甲烷、聚噻吩、聚乙炔、聚對伸苯基伸乙烯基等。
另外，在作為半導體層208使用氧化物半導體的情況下，可以使用CAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：C軸對準結晶氧化物半導體)、多晶氧化物半導體、微晶氧化物半導體、nc-OS(nano Crystalline Oxide Semiconductor：奈米結晶氧化物半導體)、非晶氧化物半導體等。
此外，氧化物半導體的能隙大，為3.0eV以上，針對可見光的透射率較大。此外，在以適當的條件對氧化物半導體進行加工而得到的電晶體中，可以使關態電流(off-state current，當電晶體處於截止狀態時流過源極與汲極之間的電流)極小。例如，在源極與汲極之間的電壓為3.5V，溫度為25℃的條件下，可以將每1μm通道寬度的關態電流設定為100zA(1×10-19A)以下、10zA(1×10-20A)以下或1zA(1×10-21A)以下。由此，可以提供耗電量低的顯示裝置。
此外，當作為半導體層208使用氧化物半導體時，較佳為作為與半導體層208相接的絕緣層使用含氧的絕緣層。尤其是，作為與半導體層208相接的絕緣層， 較佳為使用藉由加熱處理而釋放氧的絕緣膜。
此外，在電晶體232及電晶體252上形成有絕緣層210，在絕緣層210上形成有絕緣層211。絕緣層210用作保護絕緣層，並可以防止或減緩雜質元素從絕緣層210的上層擴散到電晶體232及電晶體252中。絕緣層210可以使用與絕緣層205相同的材料及方法形成。
在絕緣層211上形成層間絕緣層212。層間絕緣層212可以吸收起因於電晶體232和電晶體252的凹凸。也可以對絕緣層212的表面進行平坦化處理。對平坦化處理沒有特別的限制，可以使用拋光處理(例如化學機械拋光(Chemical Mechanical Polishing：CMP))或乾蝕刻處理。
此外，藉由使用具有平坦化功能的絕緣材料形成層間絕緣層212，可以省略拋光處理。作為具有平坦化功能的絕緣材料，例如可以使用聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂等有機材料。此外，除了上述有機材料之外，還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。另外，也可以層疊多個由上述材料形成的絕緣膜來形成層間絕緣層212。
此外，在層間絕緣層212上形成用來將發光元件125與各發光元件125隔開的分隔壁114。
此外，基板121設置有包括電極272、絕緣層273及電極274的觸控感測器271、遮光層264、彩色層266及保護層268。顯示裝置200是來自發光元件125的光經由彩色層266從基板121一側發射的所謂頂部發射結 構(上表面發射結構)的顯示裝置。
此外，發光元件125在設置在層間絕緣層212、絕緣層211及絕緣層210中的開口中與電晶體232電連接。
另外，藉由作為發光元件125採用使從EL層117發射的光諧振的微小光共振器(也稱為“光學微諧振腔”)結構，即使在不同的發光元件125中使用相同的EL層117，也可以使不同波長的光變窄而將其提取。
注意，關於本實施方式未公開的製造方法等，參照實施方式1及實施方式2所公開的製造方法或已知的製造方法等即可。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式4
在本實施方式中，參照圖37A至圖37C說明顯示裝置200的更具體的結構實例。圖37A是用來說明顯示裝置200的結構實例的方塊圖。
圖37A所示的顯示裝置200包括顯示區域231、驅動電路142a、驅動電路142b以及驅動電路133。驅動電路142a、驅動電路142b及驅動電路133相當於上述實施方式所示的週邊電路251。另外，有時將驅動電路142a、驅動電路142b及驅動電路133合併稱為驅動電路部。
將驅動電路142a、驅動電路142b用作例如掃描線驅動電路。另外，將驅動電路133用作例如信號線驅動電路。另外，也可以僅採用驅動電路142a和驅動電路142b中的某一個。此外，也可以在隔著顯示區域231與驅動電路133相對的位置設置某種電路。
另外，顯示裝置200包括分別大致平行地設置且由驅動電路142a和/或驅動電路142b控制電位的m條佈線135、和分別大致平行地設置且由驅動電路133控制電位的n條佈線136。並且，顯示區域231包括配置為矩陣狀的多個像素電路134。此外，由一個像素電路134驅動一個子像素(像素130)。
各佈線135與在顯示區域231中配置為m行n列的像素電路134中的配置在某一行的n個像素電路134電連接。另外，各佈線136與在配置為m行n列的像素電路134中的配置在某一列的m個像素電路134電連接。m、n都是1以上的整數。
[發光顯示裝置用像素電路的一個例子]
圖37B及圖37C示出可用於圖37A所示的顯示裝置的像素電路134的電路結構實例。
另外，圖37B所示的像素電路134包括電晶體431、電容元件233、電晶體232以及電晶體434。另外，像素電路134與發光元件125電連接。
電晶體431的源極電極和汲極電極中的一個 電連接於被供應資料信號的佈線(下面，稱為信號線DL_n)。並且，電晶體431的閘極電極電連接於被供應閘極信號的佈線(下面，稱為掃描線GL_m)。信號線DL_n和掃描線GL_m分別對應於佈線136和佈線135。
電晶體431具有控制將資料信號寫入節點435的功能。
電容元件233的一對電極中的一個電極連接於節點435，另一個電極電連接於節點437。另外，電晶體431的源極電極和汲極電極中的另一個電連接於節點435。
電容元件233具有保持寫入到節點435的資料的儲存電容的功能。
電晶體232的源極電極和汲極電極中的一個電連接於電位供應線VL_a，另一個電連接於節點437。並且，電晶體232的閘極電極電連接於節點435。
電晶體434的源極電極和汲極電極中的一個電連接於電位供應線V0，另一個電連接於節點437。並且，電晶體434的閘極電極電連接於掃描線GL_m。
發光元件125的陽極和陰極中的一個電連接於電位供應線VL_b，另一個電連接於節點437。
作為發光元件125，例如可以使用有機電致發光元件(也稱為有機EL元件)等。但是，發光元件125不限定於此，例如也可以使用由無機材料構成的無機EL元件。
另外，作為電源電位，例如可以使用相對高電位一側的電位或低電位一側的電位。將高電位一側的電位稱為高電源電位(也稱為“VDD”)，將低電位一側的電源電位稱為低電源電位(也稱為“VSS”)。此外，也可以將接地電位用作高電源電位或低電源電位。例如，在高電源電位為接地電位的情況下，低電源電位為低於接地電位的電位，在低電源電位為接地電位的情況下，高電源電位為高於接地電位的電位。
例如，高電源電位VDD施加到電位供應線VL_a和電位供應線VL_b中的一個，低電源電位VSS施加到另一個。
在包括圖37B所示的像素電路134的顯示裝置中，由驅動電路142a和/或驅動電路142b依次選擇各行的像素電路134，從而使電晶體431及電晶體434成為導通狀態來將資料信號寫入節點435。
由於電晶體431及電晶體434處於截止狀態，資料被寫入到節點435的像素電路134成為保持狀態。再者，根據寫入到節點435的資料的電位，來控制流過在電晶體232的源極電極與汲極電極之間的電流量，並且，發光元件125以對應於流過的電流量的亮度發光。藉由逐行依次進行上述步驟，可以顯示影像。
[液晶顯示裝置用像素電路的一個例子]
圖37C所示的像素電路134包括電晶體431以及電容 元件233。另外，像素電路134與液晶元件432電連接。
液晶元件432的一對電極中的一個的電位根據像素電路134的規格適當地設定。液晶元件432的配向狀態取決於寫入到節點436的資料。另外，可以給多個像素電路134的每一個所具有的液晶元件432的一對電極中的一個供應共用電位(common potential)。此外，也可以對各行的每個像素電路134的液晶元件432的一對電極中的一個供應不同的電位。
作為具備液晶元件432的顯示裝置的驅動方法，例如可以使用下列模式：TN模式；STN模式；VA模式；ASM(Axially Symmetric Aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式；OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償雙折射)模式；FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電液晶)模式；AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶)模式；MVA模式；PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式；IPS模式；FFS模式；或者TBA(Transverse Bend Alignment：橫向彎曲配向)模式等。另外，作為顯示裝置的驅動方法，除了上述驅動方法之外，還有ECB(Electrically Controlled Birefringence：電控雙折射)模式、PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散液晶)模式、PNLC(Polymer Network Liquid Crystal：聚合物網路液晶)模式、賓主模式等。注意，並不限定於此，作為液晶元件及其驅動方式 可以使用各種液晶元件及其驅動方式。
液晶元件432可以使用包含呈現藍相(Blue Phase)的液晶和手性材料的液晶組成物來形成。含有呈現藍相的液晶的液晶顯示裝置具有1msec以下的回應時間，並具有光學各向同性，因此無需配向處理。並且視角依賴性小。
在第m行第n列的像素電路134中，電晶體431的源極電極和汲極電極中的一個電連接於信號線DL_n，另一個電連接於節點436。電晶體431的閘極電極電連接於掃描線GL_m。電晶體431具有控制將資料信號寫入節點436的功能。
電容元件233的一對電極中的一個電連接於被供應特定電位的佈線(下面，稱為電容線CL)，另一個電連接於節點436。另外，液晶元件432的一對電極的另一個電極電連接於節點436。此外，電容線CL的電位值根據像素電路134的規格適當地設定。電容元件233具有保持寫入到節點436的資料的儲存電容的功能。
例如，在包括圖37C所示的像素電路134的顯示裝置中，由驅動電路142a和/或驅動電路142b依次選擇各行的像素電路134，從而使電晶體431成為導通狀態來將資料信號寫入節點436。
藉由使電晶體431處於截止狀態，資料被寫入到節點436的像素電路134成為保持狀態。藉由逐行依次進行上述步驟，可以在顯示區域231上顯示影像。
[顯示元件]
作為本發明的一個方式的顯示裝置可以採用各種方式或具有各種顯示元件。作為顯示元件，例如可以舉出包括LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)等的EL(電致發光)元件(包含有機和無機材料的EL元件、有機EL元件或無機EL元件)、電晶體(根據電流而發光的電晶體)、電漿顯示器(PDP)、電子發射元件、液晶元件、電泳元件、諸如柵光閥(GLV)、數位微鏡裝置(DMD)、數位微快門(DMS)元件、MIRASOL(在日本註冊的商標)顯示器、IMOD(干涉調變)元件、壓電陶瓷顯示器等的使用MEMS(微機電系統)的顯示元件、電潤濕(electrowetting)元件等。除此以外，還可以包括其對比度、亮度、反射率、透射率等因電或磁作用而變化的顯示介質。另外，也可以作為顯示元件使用量子點。作為使用量子點的顯示裝置的一個例子，有量子點顯示器等。作為使用EL元件的顯示裝置的一個例子，有EL顯示器等。作為使用電子發射元件的顯示裝置的一個例子，有場致發射顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)等。作為使用液晶元件的顯示裝置的一個例子，有液晶顯示器(透射型液晶顯示器、半透射型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)等。作為使用電泳元件的顯示裝 置的一個例子，有電子紙等。注意，當實現半透射型液晶顯示器或反射式液晶顯示器時，使像素電極的一部分或全部具有作為反射電極的功能即可。例如，使像素電極的一部分或全部包含鋁、銀等即可。並且，此時也可以將SRAM等記憶體電路設置在反射電極下方。由此，可以進一步降低耗電量。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式6
在本實施方式中，參照圖38A1、圖38A2、圖38B1和圖38B2說明可以代替上述實施方式所示的電晶體232和/或電晶體252來使用的電晶體的一個例子。另外，本說明書等所公開的電晶體也可以應用於電晶體431或電晶體434等。
[底閘極型電晶體]
圖38A1所例示的電晶體410是作為底閘極型電晶體之一的通道保護型電晶體。電晶體410在半導體層208的通道形成區上具有能夠用作通道保護層的絕緣層209。絕緣層209可以使用與絕緣層205同樣的材料及方法來形成。電極214的一部分及電極215的一部分形成在絕緣層209上。
藉由在通道形成區上設置絕緣層209，可以防 止在形成電極214及電極215時產生的半導體層208的露出。因此，在形成電極214及電極215時可以防止半導體層208的薄膜化。根據本發明的一個方式，可以實現電特性良好的電晶體。
圖38A2所示的電晶體411與電晶體410之間的不同之處在於：電晶體411在絕緣層211上具有可以用作背閘極電極的電極213。電極213可以藉由與電極206同樣的材料及方法來形成。此外，電極213也可以形成在絕緣層210與絕緣層211之間。
一般而言，背閘極電極使用導電層來形成，並以半導體層的通道形成區被閘極電極與背閘極電極夾住的方式設置。因此，背閘極電極可以具有與閘極電極同樣的功能。背閘極電極的電位可以與閘極電極相等，也可以為GND電位或任意電位。另外，藉由不跟閘極電極聯動而獨立地改變背閘極電極的電位，可以改變電晶體的臨界電壓。
電極206及電極213都可以用作閘極電極。因此，絕緣層207、絕緣層209、絕緣層210及絕緣層211可以用作閘極絕緣層。
注意，有時將電極206或電極213中的一個稱為“閘極電極”，將另一個稱為“背閘極電極”。例如，在電晶體411中，有時將電極213稱為“閘極電極”，將電極206稱為“背閘極電極”。另外，當將電極213用作“閘極電極”時，可以將電晶體411認為頂閘極型電晶體 的一種。此外，有時將電極206和電極213中的某一個稱為“第一閘極電極”，將另一方稱為“第二閘極電極”。
藉由隔著半導體層208設置電極206以及電極213並將閘極電極206及電極213的電位設定為相等，半導體層208中的載子流過的區域在膜厚度方向上更加擴大，所以載子的移動量增加。其結果，電晶體411的通態電流(on-state current)增大，並且場效移動率也增高。
因此，電晶體411是相對於佔有面積而具有較大的通態電流的電晶體。也就是說，可以相對於所要求的通態電流而縮小電晶體411的佔有面積。
另外，由於閘極電極及背閘極電極使用導電層來形成，因此具有防止在電晶體的外部產生的電場影響到形成有通道的半導體層的功能(尤其是針對靜電的靜電遮蔽功能)。
另外，因為電極206及電極213分別具有遮罩來自外部的電場的功能，所以產生在基板111一側或電極213上方的帶電粒子等電荷不影響到半導體層208的通道形成區。其結果是，可以抑制應力測試(例如，對閘極施加負電荷的-GBT(Gate Bias-Temperature：閘極偏壓-溫度)應力測試)所導致的劣化，並且還可以抑制不同的汲極電壓中的通態電流的上升電壓的變動。注意，在電極206及電極213具有相同的電位時或不同的電位時得到這效果。
注意，BT應力測試是一種加速試驗，它可以 在短時間內評估由於使用很長時間而產生的電晶體的特性變化(即，隨時間變化)。尤其是，BT應力測試前後的電晶體的臨界電壓的變動量是用於檢查可靠性的重要指標。可以說，在BT應力測試前後，臨界電壓的變動量越少，則電晶體的可靠性越高。
另外，藉由具有電極206及電極213且將電極206及電極213設定為相同電位，臨界電壓的變動量得到降低。因此，多個電晶體中的電特性的不均勻也同時被降低。
另外，具有背閘極電極的電晶體的對閘極施加正電荷的+GBT應力測試前後的臨界電壓的變動也比不具有背閘極電極的電晶體小。
另外，藉由作為背閘極電極使用具有遮光性的導電膜形成，能夠防止光從背閘極電極一側入射到半導體層。由此，能夠防止半導體層的光劣化，並防止電晶體的臨界電壓偏移等電特性劣化。
圖38B1所例示的電晶體420是作為底閘極型的電晶體之一的通道保護型電晶體。雖然電晶體420具有與電晶體410大致同樣的結構，但是不同的之處在於：在電晶體420中，絕緣層209覆蓋半導體層208的側面。另外，在選擇性地去除絕緣層209的一部分而形成的開口部中，半導體層208與電極214電連接。此外，在選擇性地去除絕緣層209的一部分而形成的開口部中，半導體層208與電極215電連接。絕緣層209的與通道形成區重疊 的區域可以用作通道保護層。
圖38B2所示的電晶體421與電晶體420之間的不同之處在於：電晶體421在絕緣層211上具有能夠用作背閘極電極的電極213。
藉由設置絕緣層209，可以防止在形成電極214及電極215時產生的半導體層208的露出。因此，可以防止在形成電極214及電極215時半導體層208被薄膜化。
另外，與電晶體410及電晶體411相比，電晶體420及電晶體421的電極214與電極206之間的距離及電極215與電極206之間的距離變長。因此，可以減少產生在電極214與電極206之間的寄生電容。此外，可以減少產生在電極215與電極206之間的寄生電容。
[頂閘極型電晶體]
圖39A1所例示的電晶體430是頂閘極型電晶體之一。電晶體430在絕緣層119上具有半導體層208，在半導體層208及絕緣層119上具有與半導體層208的一部分相接的電極214以及與半導體層208的一部分相接的電極215，在半導體層208、電極214及電極215上具有絕緣層207，在絕緣層207上具有電極206。此外，在電極206上具有絕緣層210和絕緣層211。
因為在電晶體430中，電極206和電極214以及電極206和電極215不重疊，所以可以減少產生在電 極206與電極214之間的寄生電容以及產生在電極206與電極215之間的寄生電容。另外，在形成電極206之後，將電極206用作遮罩將雜質元素221引入到半導體層208，由此可以在半導體層208中以自對準(Self-alignment)的方式形成雜質區(參照圖39A3)。根據本發明的一個方式，可以實現電特性良好的電晶體。
另外，可以使用離子植入裝置、離子摻雜裝置或電漿處理裝置進行雜質元素221的引入。
作為雜質元素221，例如可以使用第13族元素和第15族元素中的至少一種元素。另外，在作為半導體層208使用氧化物半導體的情況下，作為雜質元素221，也可以使用稀有氣體、氫和氮中的至少一種元素。
圖39A2所示的電晶體431與電晶體430之間的不同之處在於：電晶體431具有電極213及絕緣層217。電晶體431具有形成在絕緣層119上的電極213、形成在電極213上的絕緣層217。如上所述，電極213可以用作背閘極電極。因此，絕緣層217可以用作閘極絕緣層。絕緣層217可以藉由與絕緣層205同樣的材料及方法來形成。
與電晶體411同樣，電晶體431是相對於佔有面積而具有較大的通態電流的電晶體。即，可以相對於所要求的通態電流而縮小電晶體431的佔有面積。根據本發明的一個方式，可以縮小電晶體的佔有面積。因此，根據本發明的一個方式，可以實現集成度高的半導體裝置。
圖39B1所例示的電晶體440是頂閘極型電晶體之一。電晶體440與電晶體430之間的不同之處在於：在電晶體440中，在形成電極214及電極215之後形成半導體層208。另外，圖39B2所例示的電晶體441與電晶體440之間的不同之處在於：電晶體441包括電極213及絕緣層217。因此，在電晶體440及電晶體441中，半導體層208的一部分形成在電極214上，半導體層208的其他一部分形成在電極215上。
與電晶體411同樣，電晶體441是相對於佔有面積而具有較大的通態電流的電晶體。即，可以相對於所需要的通態電流而縮小電晶體441的佔有面積。根據本發明的一個方式，可以縮小電晶體的佔有面積。因此，根據本發明的一個方式，可以實現集成度高的半導體裝置。
在電晶體440及電晶體441中，也在形成電極206之後將電極206用作遮罩將雜質元素221引入到半導體層208，由此可以在半導體層208中以自對準的方式形成雜質區。根據本發明的一個方式，可以實現電特性良好的電晶體。另外，根據本發明的一個方式，可以實現集成度高的半導體裝置。
[s-channel型電晶體]
圖40A是電晶體450的俯視圖。圖40B是沿圖40A中的點劃線X1-X2所示的部分的剖面圖(通道長度方向上的剖面圖)。圖40C是沿圖40A中的點劃線Y1-Y2所 示的部分的剖面圖(通道寬度方向上的剖面圖)。
藉由在絕緣層109的凸部上設置半導體層242，可以使半導體層242的側面也被電極243覆蓋。也就是說，在電晶體450中，可以由電極243的電場電性包圍半導體層242。如此，將由導電膜的電場電性包圍半導體的電晶體的結構稱為“surrounded channel(s-channel)結構”。另外，也可以將具有s-channel結構的電晶體稱為“s-channel型電晶體”或“s-channel電晶體”。
在s-channel結構中，有時在半導體層242整體(bulk)中形成通道。在s-channel結構中可以使電晶體的汲極電流增大，從而可以得到更大的通態電流。由此，可以減小電晶體所占的面積，從而可以實現顯示裝置的高清晰化。另外，可以實現半導體裝置的高集成化。
另外，也可以利用電極243的電場使形成在半導體層242中的通道形成區域整體空乏化。因此，在s-channel結構中，可以進一步降低電晶體的關態電流。由此可以降低顯示裝置的耗電量。另外，可以降低半導體裝置的耗電量。
藉由增高絕緣層109的凸部且減小通道寬度，可以進一步提高s-channel結構所帶來的通態電流的增大效果以及關態電流的減小效果等。
另外，如圖41A至圖41C所示的電晶體451，可以在半導體層242下方隔著絕緣層設置電極213。圖41A是電晶體451的俯視圖。圖41B是沿圖41A 中的點劃線X1-X2所示的部分的剖面圖。圖41C是沿圖41A中的點劃線Y1-Y2所示的部分的剖面圖。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式6
在上述實施方式中，雖然作為觸控感測器271的一個例子示出靜電電容式觸控感測器，但是本發明的一個方式不侷限於此。作為觸控感測器271，可以使用電阻膜式觸控感測器。另外，作為靜電電容式觸控感測器，例如，可以使用表面型靜電電容式觸控感測器、投影型靜電電容式觸控感測器等。還可以使用利用電晶體等主動元件的主動矩陣式觸控感測器。
在本實施方式中，參照圖42A至圖43D說明能夠用作觸控感測器271的主動矩陣式觸控感測器500的結構實例及驅動方法例子。
圖42A是說明主動矩陣式觸控感測器500的結構的方塊圖。圖42B是說明轉換器CONV的結構的電路圖，圖42C是說明檢測單元510的結構的電路圖。圖42D1及圖42D2是說明檢測單元510的驅動方法的時序圖。
另外，圖43A是說明主動矩陣式觸控感測器500B的結構的方塊圖。圖43B是說明轉換器CONV的結構的電路圖，圖43C是說明檢測單元510B的結構的電路 圖。圖43D是說明檢測單元510B的驅動方法的時序圖。
〈位置資訊輸入部的結構實例1〉
圖42A至圖42C、圖42D1及圖42D2所例示的觸控感測器500包括：配置為矩陣狀的多個檢測單元510；配置在行方向上的多個檢測單元510所電連接的掃描線G1；以及配置在列方向上的多個檢測單元510所電連接的信號線DL(參照圖42A)。
例如，可以將多個檢測單元510配置為n行、m列(n及m是1以上的自然數)的矩陣狀。
檢測單元510包括可以用作電容元件的檢測元件518以及檢測電路519。檢測元件518的第一電極與佈線CS電連接。另外，檢測元件518的第二電極與節點A電連接。由此，可以利用佈線CS所供應的控制信號來控制節點A的電位。
〈〈檢測電路519〉〉
圖42C所例示的檢測電路519包括電晶體M1、電晶體M2、電晶體M3。另外，電晶體M1的閘極與節點A電連接，源極和汲極中的一個與可以供應接地電位的佈線VPI電連接，源極和汲極中的另一個與電晶體M2的源極和汲極中的一個電連接。
另外，電晶體M2的源極和汲極中的另一個與可以供應檢測信號DATA的信號線DL電連接，電晶體 M2的閘極與可以供應選擇信號的掃描線G1電連接。
另外，電晶體M3的源極和汲極中的一個與節點A電連接，源極和汲極中的另一個與可以供應使電晶體M1成為導通狀態的電位的佈線VRES電連接，閘極與可以供應重設信號的佈線RES電連接。
檢測元件518的靜電電容例如因物體靠近檢測元件518的第一電極或第二電極(節點A)，或者因第一電極與第二電極之間的間隔變化而有所變動。由此，檢測單元510可以供應基於檢測元件518的電容變化的檢測信號DATA。
佈線VRES及佈線VPI例如可以供應接地電位，佈線VPO及佈線BR例如可以供應高電源電位。
佈線RES可以供應重設信號，掃描線G1可以供應選擇信號，佈線CS可以供應控制檢測元件的第二電極的電位(節點A的電位)的控制信號。
信號線DL可以供應檢測信號DATA，端子OUT可以供應根據檢測信號DATA被轉換的信號。
〈〈轉換器CONV〉〉
轉換器CONV具備轉換電路。可以將能夠轉換檢測信號DATA並將其供應到端子OUT的各種電路用於轉換器CONV。可以藉由使轉換器CONV與檢測電路519電連接，而構成源極隨耦器電路或電流鏡電路等。
明確而言，使用包括電晶體M4的轉換器 CONV可以構成源極隨耦器電路(參照圖42B)。另外，也可以將能夠與電晶體M1至電晶體M3經同一製程製造的電晶體用於電晶體M4。
另外，作為電晶體M1至電晶體M4可以使用上述實施方式所示的電晶體。例如，可以將4族的元素、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。明確而言，可以使用包含矽的半導體、包含鎵砷的半導體或包含銦的氧化物半導體等。
另外，也可以將轉換器CONV及驅動電路GD設置在其他基板(例如，單晶半導體基板或多晶半導體基板)上，並利用COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方法或引線結合方法等與檢測單元510電連接。另外，也可以使用FPC等與檢測單元510電連接。
〈檢測電路519的驅動方法〉
對檢測電路519的驅動方法進行說明。
〈〈第一步驟〉〉
在第一步驟中，在使電晶體M3成為導通狀態之後，對閘極供應使其成為非導通狀態的重設信號，由此將節點A的電位設定為指定的電位(參照圖42D1中的期間T1)。
明確而言，經過佈線RES將重設信號供應到電晶體M3的閘極。被供應重設信號的電晶體M3將節點 A的電位設定為例如可以使電晶體M1成為非導通狀態的電位(參照圖42D1中的期間T1)。
〈〈第二步驟〉〉
在第二步驟中，供應使電晶體M2成為導通狀態的選擇信號，並使電晶體M1的源極和汲極中的另一個與信號線DL電連接。
明確而言，經過掃描線G1將選擇信號供應到電晶體M2的閘極。被供應選擇信號的電晶體M2使電晶體M1的源極和汲極中的另一個與信號線DL電連接(參照圖42D1中的期間T2)。
〈〈第三步驟〉〉
在第三步驟中，對檢測元件518的第一電極供應控制信號，並經過節點A將根據控制信號及檢測元件518的靜電電容而變化的電位供應到電晶體M1的閘極。
明確而言，對佈線CS供應矩形波的控制信號。當矩形波的控制信號被供應到檢測元件518的第一電極時，節點A的電位根據檢測元件518的靜電電容上升(參照圖42D1中的期間T2的後半期)。
例如，在檢測元件518被放置在大氣中的情況下，當介電常數高於大氣的物質以靠近檢測元件518的第一電極的方式配置時，檢測元件518的靜電電容視在變大。此時，與介電常數高於大氣的物質沒有靠近地配置的 情況相比，矩形波的控制信號所引起的節點A的電位的變化小(參照圖42D2中的實線)。
〈〈第四步驟〉〉
在第四步驟中，將電晶體M1的閘極的電位變化所引起的信號供應到信號線DL。
例如，將電晶體M1的閘極的電位變化所引起的電流的變化供應到信號線DL。
轉換器CONV將流過信號線DL的電流的變化轉換為電壓的變化，並將該電壓供應到端子OUT。
〈〈第五步驟〉〉
在第五步驟中，將使電晶體M2成為非導通狀態的選擇信號供應到閘極。
接下來，對掃描線G1(1)至掃描線G1(n)的每一個都反復進行第一步驟至第五步驟，由此可以得知觸控感測器500的哪一個區域是被選擇的。
〈位置資訊輸入部的結構實例2〉
圖43A至圖43D所例示的觸控感測器500B與觸控感測器500的不同之處在於觸控感測器500B不包括檢測單元510而包括檢測單元510B。
另外，檢測單元510B與檢測單元510的不同之處在於：在檢測單元510中與佈線CS電連接的檢測元 件518的第一電極在檢測單元510B中與掃描線G1電連接；在檢測單元510中經過電晶體M2與信號線DL電連接的電晶體M1的源極和汲極中的另一個在檢測單元510B中與信號線DL電連接而不經過電晶體M2。在此，對不同的結構進行詳細說明，而關於可以應用同樣結構的部分則參照上述說明。
觸控感測器500B包括：配置為矩陣狀的多個檢測單元510B；配置在行方向上的多個檢測單元510B所電連接的掃描線G1；以及配置在列方向上的多個檢測單元510B所電連接的信號線DL(參照圖43A)。
例如，可以將多個檢測單元510B配置為n行、m列(n及m是1以上的自然數)的矩陣狀。
檢測單元510B包括檢測元件518，檢測元件518的第一電極與掃描線G1電連接。由此，在每個電連接於被選擇的一個掃描線G1的多個檢測單元510B中都可以利用掃描線G1所供應的選擇信號來控制節點A的電位。
另外，信號線DL和掃描線G1可以使用同一導電膜形成。
另外，檢測元件518的第一電極和掃描線G1可以使用同一導電膜形成。例如，可以將在行方向上鄰接的檢測單元510B中的檢測元件518的第一電極彼此連接，並將被連接的電極用作掃描線G1。
〈〈檢測電路519B〉〉
圖43C所例示的檢測電路519B包括電晶體M1及電晶體M3。另外，電晶體M1的閘極與節點A電連接，源極和汲極中的一個與可以供應接地電位的佈線VPI電連接，源極和汲極中的另一個與可以供應檢測信號DATA的信號線DL電連接。
另外，電晶體M3的源極和汲極中的一個與節點A電連接，源極和汲極中的另一個與可以供應使電晶體M1成為導通狀態的電位的佈線VRES電連接，閘極與可以供應重設信號的佈線RES電連接。
檢測元件518的靜電電容例如因物體靠近檢測元件518的第一電極或第二電極(節點A)，或者因第一電極與第二電極之間的間隔變化而有所變動。由此，檢測單元510可以供應基於檢測元件518的電容變化的檢測信號DATA。
佈線VRES及佈線VPI例如可以供應接地電位，佈線VPO及佈線BR例如可以供應高電源電位。
佈線RES可以供應重設信號，掃描線G1可以供應選擇信號。
信號線DL可以供應檢測信號DATA，端子OUT可以供應根據檢測信號DATA被轉換的信號。
〈檢測電路519B的驅動方法〉
對檢測電路519B的驅動方法進行說明。
〈〈第一步驟〉〉
在第一步驟中，在使電晶體M3成為導通狀態之後，對閘極供應使其成為非導通狀態的重設信號，由此將檢測元件518的第一電極的電位設定為指定的電位(參照圖43D中的期間T1)。
明確而言，使佈線RES供應重設信號。被供應重設信號的電晶體M3將節點A的電位設定為例如可以使電晶體M1成為導通狀態的電位(參照圖43C)。
〈〈第二步驟〉〉
在第二步驟中，對檢測元件518的第一電極供應選擇信號，並經過節點A將根據選擇信號及檢測元件518的靜電電容而變化的電位供應到電晶體M1的閘極(參照圖43D中的期間T2)。
明確而言，使掃描線G1(i-1)供應矩形波的選擇信號。當矩形波的選擇信號被供應到檢測元件518的第一電極時，節點A的電位根據檢測元件518的靜電電容上升。
例如，在檢測元件518被放置在大氣中的情況下，當介電常數高於大氣的物質以靠近檢測元件518的第一電極的方式配置時，檢測元件518的靜電電容在視在變大。此時，與介電常數高於大氣的物質沒有靠近地配置的情況相比，矩形波的選擇信號所引起的節點A的電位的 變化小。
〈〈第三步驟〉〉
在第三步驟中，將電晶體M1的閘極的電位變化所引起的信號供應到信號線DL。
例如，將電晶體M1的閘極的電位變化所引起的電流的變化供應到信號線DL。
轉換器CONV將流過信號線DL的電流的變化轉換為電壓的變化，並將該電壓供應到端子OUT。
接下來，對掃描線G1(1)至掃描線G1(n)的每一個都反復進行第一步驟至第三步驟(參照圖43D中的期間T2至期間T4)。注意，在圖43D中，將第i行(i是1以上且n以下的自然數)掃描線G1示為掃描線G1(i)。根據上述結構實例及工作例子，可以得知觸控感測器500B的哪一個區域是被選擇的。
在主動矩陣式觸控感測器中，可以利用電晶體停止對檢測時不需要的檢測單元510的信號供應。由此，可以減少沒有被選擇的檢測單元510給被選擇的檢測單元510帶來的影響。因此，主動矩陣式觸控感測器的抗雜訊性能強，並且可以提高檢測靈敏度。
由於主動矩陣式觸控感測器可以提高檢測靈敏度，所以即使檢測單元510或檢測元件518很小，也能夠準確地檢測出被選擇的區域。因此，在主動矩陣式觸控感測器中，可以增加檢測單元510的每單位面積的個數 (面密度)。也就是說，主動矩陣式觸控感測器可以提高被選擇的區域的位置檢測準確度。
另外，例如從能夠用於手環型的尺寸到能夠用於電子黑板的尺寸，主動矩陣式觸控感測器可以實現各種各樣尺寸的觸控感測器。尤其是，主動矩陣式觸控感測器與其他方式的觸控感測器相比，容易使檢測區域整體大面積化。使用主動矩陣式觸控感測器可以實現準確度高且大面積的觸控感測器。
實施方式7
在本實施方式中，對可用於發光元件125的發光元件的結構實例進行說明。注意，本實施方式所示的EL層320相當於其他實施方式所示的EL層117。
〈發光元件的結構〉
圖44A所示的發光元件330具有在一對電極(電極318、電極322)之間夾有EL層320的結構。電極318、電極322、EL層320分別相當於上述實施方式的電極115、電極118、EL層117。此外，在下面本實施方式的說明中，作為例子，將電極318用作陽極，將電極322用作陰極。
此外，EL層320至少包括發光層地形成即可，也可以採用除發光層外還包括功能層的疊層結構。作為發光層以外的功能層，可以使用包含電洞注入性高的物 質、電洞傳輸性高的物質、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質、雙極性(電子及電洞的傳輸性高的物質)的物質等的層。明確而言，可以適當地組合電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等功能層而使用。
圖44A所示的發光元件330在由於施加到電極318和電極322之間的電位差而使電流流過並在EL層320中電洞和電子再結合時進行發光。換言之，採用在EL層320中形成有發光區域的結構。
在本發明中，來自發光元件330的發光從電極318一側或電極322一側被提取到外部。因此，電極318和電極322中的某一個由透光物質構成。
另外，如圖44B所示的發光元件331那樣，可以在電極318和電極322之間層疊多個EL層320。當EL層320具有n(n是2以上的自然數)層的疊層結構時，較佳為在第m(m是滿足1
Figure 104112232-A0202-12-0092-153
m<n的自然數)個EL層320和第(m+1)個EL層320之間分別設置電荷產生層320a。除了電極318和電極322之外的結構相當於上述實施方式的EL層117。
電荷產生層320a可以使用有機化合物和金屬氧化物的複合材料形成。作為金屬氧化物，例如可以舉出氧化釩、氧化鉬或氧化鎢等。作為有機化合物，可以使用各種化合物：芳香胺化合物、咔唑衍生物、芳烴等；或者以這些化合物為基本骨架的低聚物、樹枝狀聚合物、聚合物等。此外，作為有機化合物，較佳為使用具有電洞傳輸 性且其電洞移動率為10-6cm2/Vs以上的有機化合物。但是，只要是電洞傳輸性高於電子傳輸性的物質，也可以使用上述以外的物質。另外，由於用於電荷產生層320a的這些材料具有優異的載子注入性、載子傳輸性，所以可以實現發光元件330的低電流驅動及低電壓驅動。除了上述複合材料之外，可以將上述金屬氧化物、有機化合物和鹼金屬、鹼土金屬、鹼金屬化合物、鹼土金屬化合物等用於電荷產生層320a。
另外，電荷產生層320a也可以使用有機化合物和金屬氧化物的複合材料與其他材料的組合來形成。例如，也可以組合包含有機化合物和金屬氧化物的複合材料的層與包含選自電子供給物質中的一種化合物和電子傳輸性高的化合物的層而形成。另外，也可以組合包含有機化合物和金屬氧化物的複合材料的層與透明導電膜而形成。
具有上述結構的發光元件331不容易引起相鄰的EL層320彼此之間的能量的移動，所以可以更容易地形成兼有高發光效率和長使用壽命的發光元件。另外，也容易從一個發光層得到磷光發光而從另一個發光層得到螢光發光。
另外，當對電極318和電極322之間施加電壓時，電荷產生層320a具有對與電荷產生層320a相接地形成的一個EL層320注入電洞的功能，並具有對另一個EL層320注入電子的功能。
在圖44B所示的發光元件331中，藉由改變 用於EL層320的發光物質的種類，可以得到各種發光顏色。另外，藉由作為發光物質使用多個不同發光顏色的物質，也可以得到寬光譜的發光或白色發光。
當使用圖44B所示的發光元件331得到白色發光時，多個EL層的組合採用包括紅色、藍色及綠色的光而發射白色光的結構即可，例如可以舉出包括作為發光物質包含藍色螢光材料的EL層以及作為發光物質包含綠色及紅色的磷光材料的EL層的結構。也可以採用包括呈現紅色發光的EL層、呈現綠色發光的EL層以及呈現藍色發光的EL層的結構。或者，藉由採用包括發出存在互補色關係的光的EL層的結構，也可以獲得白色發光。在層疊有兩層EL層的疊層型元件中，當使來自這些EL層的發光顏色處於補色關係時，作為補色關係可以舉出藍色和黃色或者藍綠色和紅色等的組合。
另外，在上述疊層型元件的結構中，藉由在被層疊的發光層之間配置電荷產生層，能夠在保持低電流密度的狀態下得到高亮度發光，並且可以實現使用壽命長的元件。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式8
在本實施方式中，參照圖式說明應用了本發明的一個方式的顯示裝置的電子裝置的例子。
作為使用了根據本發明的一個方式的顯示裝置的電子裝置的具體例子，可以舉出電視機、監視器等顯示裝置、照明設備、臺式或膝上型個人電腦、文字處理機、再現儲存在DVD(Digital Versatile Disc：數位影音光碟)等儲存介質中的靜態影像或動態影像的影像再現裝置、可攜式CD播放機、收音機、磁帶錄音機、頭戴式耳機音響、音響、臺鐘、掛鐘、無線電話子機、收發機、行動電話、車載電話、可攜式遊戲機、平板終端、彈珠機等大型遊戲機、計算器、可攜式資訊終端、電子筆記本、電子書閱讀器、電子翻譯器、聲音輸入器、攝影機、數位靜物照相機、電動剃鬚刀、微波爐等高頻加熱裝置、電鍋、洗衣機、吸塵器、熱水器、電扇、吹風機、空調設備諸如空調器、加濕器、除濕器等、洗碗機、烘碗機、乾衣機、烘被機、電冰箱、電冷凍箱、電冷藏冷凍箱、DNA保存用冰凍器、手電筒、鏈鋸等工具、煙探測器、透析裝置等醫療設備等。再者，還可以舉出工業設備諸如引導燈、信號機、傳送帶、自動扶梯、電梯、工業機器人、蓄電系統、用於使電力均勻化或智慧電網的蓄電裝置。另外，利用來自蓄電體的電力藉由電動機推進的移動體等也包括在電子裝置的範疇內。作為上述移動體，例如可以舉出電動汽車(EV)、兼具內燃機和電動機的混合動力汽車(HEV)、插電式混合動力汽車(PHEV)、使用履帶代替這些的車輪的履帶式車輛、包括電動輔助自行車的電動自行車、摩托車、電動輪椅、高爾夫球車、小型或大型船 舶、潛水艇、直升機、飛機、火箭、人造衛星、太空探測器、行星探測器、太空船等。
尤其是，作為應用本發明的一個方式的顯示裝置的電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的監視器、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音頻再生裝置、彈珠機等的大型遊戲機等。
此外，也可以將照明設備或顯示裝置沿著在房屋及高樓等的內壁或外壁、汽車的內部裝修或外部裝修的曲面組裝。
圖45A示出行動電話機(包括智慧手機)的一個例子。行動電話機7400除組裝在外殼7401中的顯示部7402之外，還包括操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，藉由將本發明的一個方式的顯示裝置用於顯示部7402來製造行動電話機7400。
圖45A所示的行動電話機7400在顯示部7402中包括觸控感測器，並且藉由用手指等觸摸顯示部7402，可以輸入資訊。此外，藉由用手指等觸摸顯示部7402可以進行打電話或輸入文字等的所有操作。
此外，藉由操作按鈕7403的操作，可以切換電源的ON、OFF或顯示在顯示部7402的影像的種類。例如，可以從電子郵件的編寫畫面切換到主功能表畫面。
在此，在顯示部7402中組裝有本發明的一個方式的顯示裝置。因此，可以做成一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的行動電話機。
圖45B示出行動電話機(包括智慧手機)的一個例子。行動電話機7410在外殼7411中具備顯示部7412、麥克風7416、揚聲器7415、照相機7417、外部連接部7414、操作按鈕7413等。另外，藉由使用具有撓性的基板形成本發明的一個方式的顯示裝置，可以將該顯示裝置應用於具有曲面的顯示部7412。
圖45B所示的行動電話機7410可以用手指等觸摸顯示部7412來輸入資訊。另外，可以用手指等觸摸顯示部7412來進行打電話或編寫電子郵件等操作。
顯示部7412主要有三種螢幕模式。第一是以影像的顯示為主的顯示模式，第二是以文字等的資訊的輸入為主的輸入模式，第三是混合顯示模式和輸入模式的兩個模式的顯示+輸入模式。
例如，在打電話或編寫電子郵件的情況下，將顯示部7412設定為以文字輸入為主的文字輸入模式，並進行顯示在螢幕上的文字的輸入操作，即可。在此情況下，較佳為在顯示部7412的螢幕的大多部分上顯示鍵盤或號碼按鈕。
另外，也可以根據顯示在顯示部7412上的影像種類來切換模式。例如，當顯示在顯示部上的影像信號為動態影像的資料時，將螢幕模式切換成顯示模式，而當 顯示在顯示部上的影像信號為文字資料時，將螢幕模式切換成輸入模式。
另外，當在輸入模式下使用顯示部7412的觸控感測器判斷出在一定期間內沒有顯示部7412的觸摸操作輸入時，也可以將螢幕模式從輸入模式切換成顯示模式。
另外，藉由在行動電話機7410內部設置包括陀螺儀感測器和加速度感測器等的檢測裝置，可以判斷行動電話機7410的方向(縱向或橫向)，而對顯示部7412的螢幕顯示方向進行自動切換。螢幕顯示方向的切換也可以藉由觸摸顯示部7412或操作外殼7411的操作按鈕7413來進行。
圖45C示出腕帶型的顯示裝置的一個例子。可攜式顯示裝置7100包括外殼7101、顯示部7102、操作按鈕7103以及收發裝置7104。
可攜式顯示裝置7100能夠由收發裝置7104接收影像信號，且可以將所接收的影像顯示在顯示部7102。此外，也可以將聲音信號發送到其他接收設備。
此外，可以由操作按鈕7103進行電源的ON、OFF工作或所顯示的影像的切換或者音量調整等。
在此，顯示部7102組裝有本發明的一個方式的顯示裝置。因此，可以提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的可攜式顯示裝置。
圖45D至圖45F示出照明設備的一個例子。 照明設備7200、照明設備7210、照明設備7220分別包括具備操作開關7203的底座7201、以及由底座7201支撐的發光部。
圖45D所示的照明設備7200具備具有波狀發光面的發光部7202。因此，提供一種設計性高的照明設備。
圖45E所示的照明設備7210所具備的發光部7212採用對稱地配置彎曲為凸狀的兩個發光部的結構。因此，可以以照明設備7210為中心全方位地照射光。
圖45F所示的照明設備7220具備彎曲為凹狀的發光部7222。因此，因為將來自發光部7222的發光會聚到照明設備7220的前面，所以適合應用於照亮特定的範圍的情況。
此外，因為照明設備7200、照明設備7210、照明設備7220所具備的各發光部具有柔軟性，所以也可以採用使用可塑性構件或可動框架等構件來固定該發光部，並且按照用途可以隨意彎曲發光部的發光面的結構。
在此，在照明設備7200、照明設備7210及照明設備7220所具備的各個發光部中組裝有本發明的一個方式的顯示裝置。因此，可以做成一種能夠將發光部彎曲或彎折為任意形狀且可靠性高的照明設備。
圖46A示出可攜式顯示裝置的一個例子。顯示裝置7300具備外殼7301、顯示部7302、操作按鈕7303、取出構件7304以及控制部7305。
顯示裝置7300在筒狀的外殼7301中具備輥狀地捲起來的具有柔軟性的顯示部7302。
此外，顯示裝置7300可以由控制部7305接收影像信號，而將所接收到的影像顯示在顯示部7302。此外，控制部7305中具備蓄電裝置。此外，也可以採用控制部7305具備連接器而直接供應影像信號或電力的結構。
此外，可以由操作按鈕7303進行電源的ON、OFF工作或所顯示的影像的切換等。
圖46B示出使用取出構件7304取出了顯示部7302的狀態。在該狀態下，可以在顯示部7302上顯示影像。此外，藉由使用配置在外殼7301的表面上的操作按鈕7303可以以單手簡易地進行操作。
此外，也可以在顯示部7302的端部設置用來加強的框，以防止在取出顯示部7302時該顯示部7302彎曲。
此外，除了該結構以外，也可以採用在外殼中設置揚聲器而藉由與影像信號同時接收到的聲音信號輸出聲音的結構。
顯示部7302組裝有本發明的一個方式的顯示裝置。因此，因為顯示部7302是具有柔軟性和高可靠性的顯示裝置，所以作為顯示裝置7300可以實現輕質且可靠性高的顯示裝置。
圖47A和47B例示出能夠對折的平板終端 9600。圖47A示出打開平板終端9600的狀態，平板終端9600包括外殼9630、顯示部9631、顯示模式切換開關9626、電源開關9627、省電模式切換開關9625、扣件9629以及操作開關9628。
外殼9630具有外殼9630a和外殼9630b，並且外殼9630a和外殼9630b由鉸鏈部9639結合。外殼9630可以由鉸鏈部9639對折。
顯示部9631形成在外殼9630a和外殼9630b以及鉸鏈部9639上。藉由將本說明書等所公開的顯示裝置應用於顯示部9631，可以做成能夠彎折顯示部9631且可靠性高的平板終端。
在顯示部9631中，可以將其一部分用作觸控感測器區域9632，並且可以藉由觸摸所顯示的操作鍵9638來輸入資料。例如，顯示部9631可以採用其一半區域只具有顯示功能而其另一半區域具有觸控感測器的功能的結構。另外，顯示部9631也可以採用所有區域都具有觸控感測器的功能的結構。例如，可以在顯示部9631的整個面上顯示鍵盤按鈕來將平板終端用作資料輸入終端。
另外，顯示模式切換開關9626能夠選擇進行豎屏顯示和橫屏顯示等顯示的方向的切換以及黑白顯示和彩色顯示的切換等。根據內置於平板終端的光感測器所檢測到的使用時的外光的光量，省電模式切換開關9625可以將顯示的亮度設定為最適合的亮度。平板終端除了光感測器以外還可以內置陀螺儀和加速度感測器等檢測傾斜度 的感測器等其他檢測裝置。
圖47B是合上平板終端9600時的狀態，並且平板終端9600包括外殼9630、太陽能電池9633、充放電控制電路9634。在圖47B中，作為充放電控制電路9634的一個例子示出具有電池9635和DCDC轉換器9636的結構。
藉由將本發明的一個方式的顯示裝置應用於顯示部9631，可以彎曲顯示部9631。例如，平板終端9600可以對折，因此可以在不使用時合上外殼9630。因此，平板終端9600的可移動性高，並且因為可以藉由合上外殼9630保護顯示部9631，所以平板終端9600具有良好的耐久性且從長期使用的觀點來看也具有高可靠性。
此外，圖47A和圖47B所示的平板終端還可以具有如下功能：顯示各種各樣的資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)的功能；將日曆、日期或時間等顯示在顯示部上的功能；對顯示在顯示部上的資訊進行觸摸輸入操作或編輯的觸摸輸入功能；藉由各種各樣的軟體(程式)來控制處理的功能等。
藉由利用安裝在平板終端的表面上的太陽能電池9633，可以將電力供應到觸控感測器、顯示部或視訊信號處理部等。另外，藉由將太陽能電池9633設置在外殼9630的單面或兩面，可以進行高效的電池9635的充電，所以是較佳的。另外，當使用鋰離子電池作為電池9635時，有可以實現小型化等的優點。
另外，參照圖47C的方塊圖對圖47B所示的充放電控制電路9634的結構和工作進行說明。圖47C示出太陽能電池9633、電池9635、DCDC轉換器9636、轉換器9637、開關SW1至SW3以及顯示部9631，電池9635、DCDC轉換器9636、轉換器9637、開關SW1至SW3對應於圖47B所示的充放電控制電路9634。
首先，說明在利用外光使太陽能電池9633進行發電時的工作的例子。使用DCDC轉換器9636對太陽能電池所產生的電力進行升壓或降壓以使它成為用來對電池9635進行充電的電壓。並且，當利用來自太陽能電池9633的電力使顯示部9631工作時，使開關SW1導通，並且，利用轉換器9637將其升壓或降壓到顯示部9631所需要的電壓。另外，當不進行顯示部9631中的顯示時，可以採用使開關SW1截止且使開關SW2導通以對電池9635進行充電的結構。
注意，作為發電單元的一個例子，示出太陽能電池9633，但是並不限定於此，也可以是使用壓電元件(piezoelectric element)或熱電轉換元件(珀耳帖元件(Peltier element))等其他發電單元來對電池9635進行充電的結構。例如，也可以使用以無線(不接觸)的方式收發電力來進行充電的非接觸電力傳輸模組或組合其他充電方法來進行充電。
另外，只要具備本發明的一個方式的顯示裝置，當然不限定於上述所示的電子裝置或照明設備。
作為電子裝置的一個例子，圖48A至圖48C示出可折疊的可攜式資訊終端9310。圖48A示出展開狀態的可攜式資訊終端9310。圖48B示出從展開狀態和折疊狀態中的一個狀態變為另一個狀態時的中途狀態的可攜式資訊終端9310。圖48C示出折疊狀態的可攜式資訊終端9310。可攜式資訊終端9310包括顯示面板9316、外殼9315及鉸鏈9313。可攜式資訊終端9310在折疊狀態下可攜性好，而在展開狀態下則可以實現沒有接縫的大顯示區域。因此顯示影像的一覽性強。
另外，可攜式資訊終端9310所具有的顯示面板9316被由鉸鏈9313連接的三個外殼9315支撐。可以在鉸鏈9313部分使顯示面板9316彎折。可攜式資訊終端9310可以從展開狀態可逆地變形為折疊狀態。另外，可以將本發明的一個方式的顯示裝置用於顯示面板9316。例如，可以使用能夠以1mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲的顯示裝置。另外，顯示面板9316可以包括觸控感測器。
本發明的一個方式也可以具備檢測顯示面板9316是折疊狀態還是展開狀態的感測器。顯示面板9316的控制裝置也可以從該感測器接收表示顯示面板9316為折疊狀態的資訊，並停止折疊部分(或折疊時使用者看不到的部分)的工作。明確而言，可以停止顯示。另外，當具備觸控感測器時，也可以停止觸控感測器的檢測。
同樣地，顯示面板9316的控制裝置也可以接 收表示顯示面板9316為展開狀態的資訊，並重新開始顯示或觸控感測器的檢測等。
圖48D及圖48E示出可折疊的可攜式資訊終端9320。圖48D示出以顯示部9322位於外側的方式折疊的狀態的可攜式資訊終端9320。圖48E示出以顯示部9322位於內側的方式折疊的狀態的可攜式資訊終端9320。當不使用可攜式資訊終端9320時，藉由將非顯示部9325折疊在外側，可以抑制弄髒或損傷顯示部9322。可以將根據本發明的一個方式的顯示裝置用於顯示部9322。
圖48F是說明可攜式資訊終端9330的外形的透視圖。圖48G是可攜式資訊終端9330的俯視圖。圖48H是說明可攜式資訊終端9340的外形的透視圖。
可攜式資訊終端9330及可攜式資訊終端9340例如具有選自電話機、電子筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種的功能。明確而言，可以將可攜式資訊終端9330及可攜式資訊終端9340分別用作智慧手機。
可攜式資訊終端9330及可攜式資訊終端9340將文字或影像資訊顯示在多個面上。例如，可以將一個或多個操作按鈕9339顯示在正面(參照圖48F)。另外，可以將虛線的矩形所表示的資訊9337顯示在頂面(參照圖48G)。也可以將虛線的矩形所表示的資訊9337顯示在側面(參照圖48H)。此外，作為資訊9337的例子，可以舉出提示收到來自SNS(Social Networking Services：社交網路服務)的資訊、電子郵件或電話等的顯示、電子郵件等的標題、電子郵件等的發送者姓名、日期、時間、電池餘量、天線接收強度等。或者，也可以在顯示有資訊9337的位置顯示操作按鈕9339、圖示等，而不顯示資訊9337。注意，雖然圖48F及圖48G示出在頂面或側面顯示資訊9337的例子，但是並不侷限於此。例如，也可以在底面或背面顯示資訊9337。
例如，可攜式資訊終端9330的使用者能夠在將可攜式資訊終端9330放在上衣口袋裡的狀態下確認其顯示(這裡指資訊9337)。
明確而言，將打來電話的人的電話號碼或姓名等顯示在可攜式資訊終端9330的頂面。使用者無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端9330就能夠確認到該顯示，並且判斷是否接電話。
可攜式資訊終端9330的外殼9335所包括的顯示部9333以及可攜式資訊終端9340的外殼9336所包括的顯示部9333可以使用本發明的一個方式的顯示裝置。根據本發明的一個方式可以以高良率提供具備彎曲的顯示部且可靠性高的顯示裝置。
另外，如圖48I所示的可攜式資訊終端9345，可以在三個以上的面顯示資訊。在此，示出資訊9355、資訊9356、資訊9357分別顯示在不同面上的例子。
作為可攜式資訊終端9345的外殼9354所包 括的顯示部9358，可以使用本發明的一個方式的顯示裝置。根據本發明的一個方式可以以高良率提供具備彎曲的顯示部且可靠性高的顯示裝置。
圖49A示出汽車9700。圖49B示出汽車9700的駕駛座位。汽車9700包括車體9701、車輪9702、儀表板9703、燈9704等。本發明的一個方式的顯示裝置可以用於汽車9700的顯示部等。例如，可以在圖49B所示的顯示部9710至顯示部9715中設置本發明的一個方式的顯示裝置。
顯示部9710和顯示部9711是設置在汽車的擋風玻璃上的顯示部。藉由使用具有透光性的導電材料來製造顯示裝置中的電極，可以使本發明的一個方式的顯示裝置成為能看到對面的所謂的透視式顯示裝置。透視式顯示裝置即使在駕駛汽車9700時也不會成為視野的障礙。因此，可以將本發明的一個方式的顯示裝置設置在汽車9700的擋風玻璃上。另外，當在顯示裝置中設置用來驅動顯示裝置的電晶體等時，較佳為採用使用有機半導體材料的有機電晶體、使用氧化物半導體的電晶體等具有透光性的電晶體。
顯示部9712是設置在立柱部分的顯示部。例如，藉由將來自設置在車體的成像單元的影像顯示在顯示部9712，可以補充被立柱遮擋的視野。顯示部9713是設置在儀表板部分的顯示部。例如，藉由將來自設置在車體的成像單元的影像顯示在顯示部9713，可以補充被儀表 板遮擋的視野。也就是說，藉由顯示來自設置在汽車外側的成像單元的影像，可以補充死角，從而提高安全性。另外，藉由顯示補充看不到的部分的影像，可以更自然、更自在地確認安全。
顯示部9714和顯示部9715可以提供導航資訊、速度表、轉速計、行駛距離、加油量、排檔狀態、空調的設定以及其他各種資訊。另外，使用者可以適當地改變顯示部所顯示的顯示內容及佈置等。另外，顯示部9710至顯示部9713也可以顯示上述資訊。顯示部9710至顯示部9715還可以用作照明設備。
本實施方式可以與其他實施方式所記載的結構適當地組合而實施。
100‧‧‧顯示裝置
111‧‧‧基板
121‧‧‧基板
124a‧‧‧外部電極
124b‧‧‧外部電極
131‧‧‧顯示區域
170‧‧‧區域
A1、A2‧‧‧點劃線
B1、B2‧‧‧點劃線

Claims (9)

  1. 一種顯示裝置，包括：第一基板；第二基板；顯示元件；觸控感測器；電晶體；第一電極；以及第二電極，其中該第一基板與該第二基板夾著該顯示元件、該觸控感測器、該電晶體、該第一電極及該第二電極而彼此重疊，其中該第一電極配置以對該電晶體供應信號，其中該電晶體配置以對該顯示元件供應信號，其中該第二電極配置以對該觸控感測器供應信號，其中該第一電極設置在該第一基板上，其中該第二電極設置在該第二基板上，並且其中該第一電極及該第二電極透過該第二基板中的開口與外部電極電連接。
  2. 根據申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中該外部電極包括多個電極，其中該第一電極與該外部電極中所包括的一部分電極電連接，並且其中該第二電極與該外部電極中所包括的另一部分電 極電連接。
  3. 一種顯示裝置，包括：第一基板；第二基板；顯示元件；觸控感測器；電晶體；第一電極；以及第二電極，其中該第一基板與該第二基板夾著該顯示元件、該觸控感測器、該第一電極及該第二電極而彼此重疊，其中該第一電極配置以對該電晶體供應信號，其中該電晶體配置以對該顯示元件供應信號，其中該第二電極配置以對該觸控感測器供應信號，其中該第一電極設置在該第一基板上，其中該第二電極設置在該第二基板上，其中該第一電極透過該第二基板中的第一開口與第一外部電極電連接，並且其中該第二電極透過該第二基板中的第二開口與第二外部電極電連接。
  4. 根據申請專利範圍第1或3項之顯示裝置，其中該第一基板和該第二基板是撓性基板。
  5. 根據申請專利範圍第1或3項之顯示裝置，其中該顯示元件是發光元件。
  6. 根據申請專利範圍第1或3項之顯示裝置，其中該觸控感測器是靜電電容式觸控感測器。
  7. 根據申請專利範圍第1或3項之顯示裝置，其中該觸控感測器是主動矩陣式觸控感測器。
  8. 根據申請專利範圍第1或3項之顯示裝置，其中該第一電極和該第二電極包含鎢。
  9. 一種電子裝置，包括：申請專利範圍第1或3項之顯示裝置；以及鉸鏈。
TW104112232A 2014-04-25 2015-04-16 顯示裝置及電子裝置 TWI687143B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014091849 2014-04-25
JP2014-091849 2014-04-25
JP2014095018 2014-05-02
JP2014-095018 2014-05-02

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201543982A TW201543982A (zh) 2015-11-16
TWI687143B true TWI687143B (zh) 2020-03-01

Family

ID=54334763

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104112232A TWI687143B (zh) 2014-04-25 2015-04-16 顯示裝置及電子裝置

Country Status (5)

Country Link
US (4) US9772706B2 (zh)
JP (3) JP6564609B2 (zh)
KR (4) KR102273589B1 (zh)
CN (2) CN111106148B (zh)
TW (1) TWI687143B (zh)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI687143B (zh) * 2014-04-25 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
KR102377341B1 (ko) * 2014-06-23 2022-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 장치
TWI564761B (zh) * 2015-01-16 2017-01-01 友達光電股份有限公司 觸控電極層
JP2016143971A (ja) * 2015-01-30 2016-08-08 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10204535B2 (en) 2015-04-06 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP2016208020A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、及び発光装置
US10978489B2 (en) 2015-07-24 2021-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display panel, method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing display panel, and information processing device
US10558265B2 (en) 2015-12-11 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input device and system of input device
WO2017103737A1 (en) 2015-12-18 2017-06-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display panel, input/output device, data processing device, and method for manufacturing display panel
US10749126B2 (en) * 2016-03-10 2020-08-18 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Method for manufacturing flexible electronic device
US10181424B2 (en) * 2016-04-12 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
KR20180014296A (ko) * 2016-07-28 2018-02-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6815781B2 (ja) * 2016-07-29 2021-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 電子機器
CN108153440B (zh) * 2016-12-06 2021-01-26 和鑫光电股份有限公司 软性可挠触摸显示屏及其制造方法
US10528180B2 (en) * 2016-12-30 2020-01-07 Cirque Corporation Waterproof touch keypad with skimmer detection
JP6827332B2 (ja) * 2017-02-01 2021-02-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN106847827A (zh) * 2017-02-08 2017-06-13 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示面板、显示装置及邦定方法
CN108570819B (zh) * 2017-03-07 2021-12-14 青岛胶南海尔洗衣机有限公司 一种应用于家用电器的显示装置及洗衣机
JPWO2018178793A1 (ja) * 2017-03-29 2020-02-06 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、半導体装置の作製方法
KR102367881B1 (ko) * 2017-07-03 2022-02-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
DE102017129524A1 (de) 2017-12-12 2019-06-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Herstellen eines semitransparenten Displays sowie ein semitransparentes Display
KR102402040B1 (ko) * 2017-12-21 2022-05-26 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치 및 이의 제조방법
CN108196732B (zh) * 2018-01-04 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 超声波触控装置及显示装置
JP7293190B2 (ja) 2018-03-16 2023-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10770496B2 (en) 2018-04-16 2020-09-08 Visera Technologies Company Limited Optical sensors and methods for forming the same
CN108878676A (zh) * 2018-05-31 2018-11-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种amoled薄膜封装结构及其制造方法
CN109461381B (zh) * 2018-11-30 2021-03-23 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法
US20220102469A1 (en) * 2019-02-01 2022-03-31 Sony Semiconductor Solutions Corporation Display device and method for manufacturing display device, and electronic device
CN109961694B (zh) * 2019-02-28 2023-02-28 重庆京东方显示技术有限公司 一种柔性显示装置
KR20200108148A (ko) * 2019-03-06 2020-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110514230B (zh) * 2019-08-06 2021-10-29 东南大学 拉伸弯曲柔性传感器及其制备方法
CN112750365A (zh) * 2019-10-31 2021-05-04 华为技术有限公司 一种柔性显示屏及电子设备
CN111785764B (zh) * 2020-07-31 2022-12-23 广东聚华印刷显示技术有限公司 发光元件及检测装置
KR102414162B1 (ko) * 2022-01-25 2022-06-28 주식회사 에이치디티 태블릿 기능 및 모니터 기능을 제공하는 디스플레이 장치 및 이를 이용한 모드 전환 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08332649A (ja) * 1995-06-07 1996-12-17 Gunze Ltd 透明タッチパネル用基板の製造方法
US20090237365A1 (en) * 2008-03-20 2009-09-24 Sang-Gun Choi Display panel and method for manufacturing the same
US20100045919A1 (en) * 2008-08-20 2010-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, and Method for Fabricating the Same
US20100300862A1 (en) * 2009-05-28 2010-12-02 Semiconductor Energy Laboratories, Co., Ltd. Touch Panel
TW201329593A (zh) * 2011-11-11 2013-07-16 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置、el顯示裝置以及其製造方法
TW201336078A (zh) * 2011-12-27 2013-09-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP2013251255A (ja) * 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
US20140070350A1 (en) * 2012-09-11 2014-03-13 Samsung Display Co., Ltd. Sensor substrate, method of manufacturing the same and sensing display panel having the same

Family Cites Families (81)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9406702D0 (en) 1994-04-05 1994-05-25 Binstead Ronald P Multiple input proximity detector and touchpad system
JP2900229B2 (ja) * 1994-12-27 1999-06-02 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置
USRE38466E1 (en) * 1996-11-12 2004-03-16 Seiko Epson Corporation Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device
JP3056471B2 (ja) 1998-11-13 2000-06-26 俊一 植澤 エレクトロルミネセンス素子
JP2000200884A (ja) * 1998-12-29 2000-07-18 Kazuhiro Kawakami 半導体装置
TW494447B (en) 2000-02-01 2002-07-11 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6608449B2 (en) * 2000-05-08 2003-08-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent apparatus and method of manufacturing the same
US8610645B2 (en) 2000-05-12 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP3937701B2 (ja) * 2000-07-31 2007-06-27 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
US6781309B2 (en) * 2000-11-29 2004-08-24 Cld, Inc. Plasma switched organic electroluminescent display
US6465280B1 (en) * 2001-03-07 2002-10-15 Analog Devices, Inc. In-situ cap and method of fabricating same for an integrated circuit device
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW564471B (en) 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP3559554B2 (ja) * 2001-08-08 2004-09-02 松下電器産業株式会社 半導体装置およびその製造方法
TW558772B (en) 2001-08-08 2003-10-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor wafer, semiconductor device and fabrication method thereof
US6903377B2 (en) 2001-11-09 2005-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
US6822264B2 (en) 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4507480B2 (ja) * 2001-12-27 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置
JP3897173B2 (ja) 2003-05-23 2007-03-22 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US7314785B2 (en) 2003-10-24 2008-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR100579184B1 (ko) * 2003-11-24 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치
US8217396B2 (en) * 2004-07-30 2012-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising electrode layer contacting wiring in the connection region and extending to pixel region
DE102004057181A1 (de) * 2004-11-26 2006-06-01 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines vergrabenen leitenden Anschlusses an einen Grabenkondensator und einer Speicherzelle mit einem solchen Anschluss
KR100846711B1 (ko) * 2007-03-13 2008-07-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US7897482B2 (en) * 2007-05-31 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2009109770A (ja) 2007-10-30 2009-05-21 Fujitsu Ltd 表示装置製造方法および表示装置
JP4616324B2 (ja) * 2007-11-16 2011-01-19 Ｓｍｋ株式会社 タッチセンサ
US20090141004A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US9645431B2 (en) * 2008-03-19 2017-05-09 Egalax_Empia Technology Inc. Touch display and method for driving a plurality of touch driving electrodes of touch display
US8928597B2 (en) 2008-07-11 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US8629842B2 (en) 2008-07-11 2014-01-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US20100008068A1 (en) 2008-07-11 2010-01-14 Joo-Young Kim Electron emission device, electron emission type backlight unit including the same and method of fabricating the electron emission device
US9342176B2 (en) * 2008-07-21 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US8754997B2 (en) 2011-02-11 2014-06-17 Japan Display West Inc. Electro-optical device and electronic equipment
JP2011003522A (ja) 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
JP2010140919A (ja) 2008-12-09 2010-06-24 Hitachi Ltd 酸化物半導体装置及びその製造方法並びにアクティブマトリクス基板
KR101525802B1 (ko) * 2008-12-11 2015-06-11 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR101824425B1 (ko) 2008-12-17 2018-02-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
US8624849B2 (en) * 2009-04-20 2014-01-07 Apple Inc. Touch actuated sensor configuration integrated with an OLED structure
JP5340837B2 (ja) * 2009-07-16 2013-11-13 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル及びタッチパネルの作製方法
JP2011128481A (ja) * 2009-12-21 2011-06-30 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
EP2521117A1 (en) 2010-02-23 2012-11-07 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR101142664B1 (ko) * 2010-05-17 2012-05-03 삼성모바일디스플레이주식회사 터치패널 일체형 액정표시장치 및 그 제조방법
JP5352009B2 (ja) * 2010-07-29 2013-11-27 京セラ株式会社 入力装置、表示装置、および機器
KR20120017587A (ko) * 2010-08-19 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 터치스크린패널 일체형 액정표시장치
JP5615647B2 (ja) 2010-09-24 2014-10-29 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出機能付き表示装置および電子機器
JP5778961B2 (ja) 2011-03-29 2015-09-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
KR101855245B1 (ko) 2011-07-13 2018-05-08 삼성전자 주식회사 터치스크린패널 능동형유기발광다이오드 표시장치
JP5724105B2 (ja) * 2011-09-30 2015-05-27 株式会社Ｊｏｌｅｄ 薄膜トランジスタアレイ装置、ｅｌ表示パネル、ｅｌ表示装置、薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法、ｅｌ表示パネルの製造方法
US8785258B2 (en) 2011-12-20 2014-07-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP5812887B2 (ja) 2012-01-31 2015-11-17 株式会社沖データ 表示モジュール、表示装置、表示モジュールの製造方法、および表示装置の製造方法
KR101971147B1 (ko) * 2012-04-09 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서를 포함하는 표시 장치
US9226347B2 (en) * 2012-06-25 2015-12-29 Apple Inc. Displays with vias
KR102173801B1 (ko) 2012-07-12 2020-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치의 제작 방법
KR102114212B1 (ko) * 2012-08-10 2020-05-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR20140026257A (ko) * 2012-08-23 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN102830560A (zh) * 2012-08-27 2012-12-19 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法
US20140062916A1 (en) * 2012-08-28 2014-03-06 Lg Display Co., Ltd. Touch panel and method of manufacturing the same and display device using the same
KR101552994B1 (ko) 2012-08-31 2015-09-15 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11074025B2 (en) 2012-09-03 2021-07-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US9504124B2 (en) * 2013-01-03 2016-11-22 Apple Inc. Narrow border displays for electronic devices
JP6131071B2 (ja) * 2013-03-14 2017-05-17 株式会社ジャパンディスプレイ タッチパネル内蔵型表示装置
JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP5419054B2 (ja) * 2013-04-18 2014-02-19 株式会社ジャパンディスプレイ 静電容量結合方式タッチパネルおよびタッチパネル付き表示装置
CN203433234U (zh) * 2013-05-09 2014-02-12 晟光科技股份有限公司 一种集成触摸屏的液晶显示器
KR102140235B1 (ko) * 2013-05-31 2020-08-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR20150021000A (ko) * 2013-08-19 2015-02-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
JP6199667B2 (ja) * 2013-09-11 2017-09-20 株式会社ジャパンディスプレイ 入力機能付き有機エレクトロルミネセンス装置
JP6219659B2 (ja) * 2013-10-04 2017-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102124906B1 (ko) * 2013-12-26 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 터치스크린을 구비한 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
TWI696023B (zh) * 2014-02-28 2020-06-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置的製造方法及電子裝置的製造方法
KR102292148B1 (ko) 2014-03-13 2021-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법
KR20160144492A (ko) * 2014-04-18 2016-12-16 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 장치
TWI687143B (zh) * 2014-04-25 2020-03-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置及電子裝置
JP6468686B2 (ja) * 2014-04-25 2019-02-13 株式会社半導体エネルギー研究所 入出力装置
US10204535B2 (en) * 2015-04-06 2019-02-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP6761276B2 (ja) * 2015-05-28 2020-09-23 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法
KR102525982B1 (ko) * 2015-12-28 2023-04-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11003884B2 (en) * 2016-06-16 2021-05-11 Qualcomm Incorporated Fingerprint sensor device and methods thereof
JP2018010216A (ja) * 2016-07-15 2018-01-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08332649A (ja) * 1995-06-07 1996-12-17 Gunze Ltd 透明タッチパネル用基板の製造方法
US20090237365A1 (en) * 2008-03-20 2009-09-24 Sang-Gun Choi Display panel and method for manufacturing the same
US20100045919A1 (en) * 2008-08-20 2010-02-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, and Method for Fabricating the Same
US20100300862A1 (en) * 2009-05-28 2010-12-02 Semiconductor Energy Laboratories, Co., Ltd. Touch Panel
TW201329593A (zh) * 2011-11-11 2013-07-16 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置、el顯示裝置以及其製造方法
TW201336078A (zh) * 2011-12-27 2013-09-01 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置及半導體裝置的製造方法
JP2013251255A (ja) * 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
US20140070350A1 (en) * 2012-09-11 2014-03-13 Samsung Display Co., Ltd. Sensor substrate, method of manufacturing the same and sensing display panel having the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW202027576A (zh) 2020-07-16
US20180024680A1 (en) 2018-01-25
KR102443065B1 (ko) 2022-09-13
JP2020013131A (ja) 2020-01-23
KR102487557B1 (ko) 2023-01-10
KR102395566B1 (ko) 2022-05-06
CN105006481A (zh) 2015-10-28
US9772706B2 (en) 2017-09-26
US10496203B2 (en) 2019-12-03
JP7029007B2 (ja) 2022-03-02
KR20210084391A (ko) 2021-07-07
US11199920B2 (en) 2021-12-14
JP6564609B2 (ja) 2019-08-21
TW201543982A (zh) 2015-11-16
US20220100306A1 (en) 2022-03-31
JP2015228018A (ja) 2015-12-17
KR102273589B1 (ko) 2021-07-05
KR20220127213A (ko) 2022-09-19
CN111106148B (zh) 2023-11-10
KR20220061081A (ko) 2022-05-12
CN111106148A (zh) 2020-05-05
CN105006481B (zh) 2019-12-17
KR20150123717A (ko) 2015-11-04
US11669181B2 (en) 2023-06-06
TW202332342A (zh) 2023-08-01
JP2021099509A (ja) 2021-07-01
JP6843928B2 (ja) 2021-03-17
US20150309637A1 (en) 2015-10-29
US20200104001A1 (en) 2020-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI687143B (zh) 顯示裝置及電子裝置
JP6768874B2 (ja) 表示装置
JP7157186B2 (ja) 電子機器
JP2022025102A (ja) 表示装置
TWI682534B (zh) 顯示裝置、顯示裝置的製造方法以及電子裝置
TWI831924B (zh) 顯示裝置及電子裝置
TWI832717B (zh) 顯示裝置及電子裝置