JP7157186B2 - 電子機器 - Google Patents

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    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Description

本発明は、表示装置に関する。または、表示装置の作製方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。例えば、本発明の一態様は、
物、方法、もしくは製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュフ
ァクチャ、もしくは組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。または、本発明
の一態様は、記憶装置、プロセッサ、それらの駆動方法またはそれらの製造方法に関する
。
なお、本明細書等において半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうるもの
全般を指す。よって、トランジスタやダイオードなどの半導体素子や半導体回路は半導体
装置である。また、表示装置、発光装置、照明装置、電気光学装置、および電子機器など
は、半導体素子や半導体回路を含む場合がある。よって、表示装置、発光装置、照明装置
、電気光学装置、および電子機器なども半導体装置を有する場合がある。
近年、表示装置の表示領域に用いる表示素子として、液晶素子の研究開発が盛んに行われ
ている。また、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：
ＥＬ）を利用した発光素子の研究開発も盛んに行われている。発光素子の基本的な構成は
、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この発光素子に電圧を印加
することにより、発光性の物質からの発光が得られる。
特に、上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた表示装置は、視認性に優れバ
ックライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作製
でき、応答速度が高いなどの利点も有する。
また、上述の表示素子を有する表示装置としては、可撓性が図れることから、可撓性を有
する基板の採用が検討されている。
可撓性を有する基板を用いた表示装置の作製方法としては、ガラス基板や石英基板といっ
た基板上に薄膜トランジスタなどの半導体素子を作製した後、例えば該半導体素子を有機
樹脂を用いて他の基板（例えば可撓性を有する基板）に固定し、その後ガラス基板や石英
基板から他の基板へと半導体素子を転置する技術が開発されている（特許文献１）。
可撓性を有する基板上に形成された発光素子は、発光素子表面の保護や外部からの水分や
不純物の浸入を防ぐため、発光素子上にさらに可撓性を有する基板を設けることがある。
特開２００３－１７４１５３号公報
可撓性を有する基板を用いた表示装置へ信号や電力を供給するためには、可撓性を有する
基板の一部をレーザー光や刃物を用いて除去して電極を露出させ、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂ
ｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）等の外部電極を接続する必要がある。
しかしながら、可撓性を有する基板の一部をレーザー光や刃物を用いて除去する方法では
、表示装置が有する電極にダメージを与えやすく、表示装置の信頼性や作製歩留まりが低
下しやすいという問題がある。また、上記方法による表示領域へのダメージを防ぐため、
表示領域と電極を十分に離して設置する必要があり、配線抵抗の増加による信号や電力の
減衰が生じやすい。
本発明の一態様は、電極にダメージを与えにくい表示装置の作製方法を提供することを課
題の一つとする。または、本発明の一態様は、表示領域にダメージを与えにくい表示装置
の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼性の良
好な表示装置、およびその作製方法を提供することを課題の一つとする。
または、本発明の一態様は、視認性に優れた表示装置、もしくは電子機器などを提供する
ことを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、表示品位が良好な表示装置、もし
くは電子機器などを提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼
性が高い表示装置、もしくは電子機器などを提供することを課題の一つとする。または、
本発明の一態様は、破損しにくい表示装置、もしくは電子機器などを提供することを課題
の一つとする。または、本発明の一態様は、消費電力が低い表示装置、もしくは電子機器
などを提供することを課題の一つとする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、第１乃至第７の工程を有し、第１の工程は、第１の基板の第１の表面
上に、第１の層を設ける工程と、第１の層上に第１の絶縁層を設ける工程と、第１の絶縁
層上に電極を設ける工程と、電極上に第２の絶縁層を設ける工程と、第２の絶縁層上に表
示素子を設ける工程と、を有し、第２の工程は、第２の基板の第２の表面上に、第２の層
を設ける工程と、第２の層上に第３の絶縁層を設ける工程と、第２の層および第３の絶縁
層の一部を除去して開口を設ける工程と、を有し、第３の工程は、第１の表面と第２の表
面を向かい合わせ、電極と開口とが互いに重なる領域を有するように、接着層を介して第
１の基板と第２の基板とを互いに重ねる工程を有し、第４の工程は、第１の基板を第１の
層とともに第１の絶縁層から剥離する工程を有し、第５の工程は、第１の絶縁層と第３の
基板とを互いに重ねて第３の基板を設ける工程を有し、第６の工程は、第２の基板を第２
の層とともに第３の絶縁層から剥離する工程を有し、第７の工程は、第３の絶縁層と第４
の基板とが互いに重なるように第４の基板を設ける工程を有し、第３の工程によって、接
着層は、接着層と開口とが互いに重なる第１の領域を有し、第２の絶縁層は、第２の絶縁
層と開口とが互いに重なる第２の領域を有し、第６の工程において、第１の領域の少なく
とも一部の接着層と、第２の領域の少なくとも一部の第２の絶縁層と、を第２の基板とと
もに剥離し、電極の少なくとも一部が露出することを特徴とする表示装置の作製方法であ
る。
また、第１の工程において、第２の絶縁層を設ける前に、電極の表面を、酸素を有する雰
囲気に曝してもよい。また、酸素を有する雰囲気は、プラズマ雰囲気でもよい。
また、第６の工程を行う前に、開口を介して電極の一部に光を照射してもよい。
本発明の一態様によれば、電極にダメージを与えにくい表示装置の作製方法を提供するこ
とができる。または、本発明の一態様によれば、表示領域にダメージを与えにくい表示装
置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様によれば、信頼性の良好
な表示装置、およびその作製方法を提供することができる。
または、本発明の一態様は、視認性に優れた表示装置、もしくは電子機器などを提供する
ことができる。または、本発明の一態様は、表示品位が良好な表示装置、もしくは電子機
器などを提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性が高い表示装置、も
しくは電子機器などを提供することができる。または、本発明の一態様は、破損しにくい
表示装置、もしくは電子機器などを提供することができる。または、本発明の一態様は、
消費電力が低い表示装置、もしくは電子機器などを提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、
図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項な
どの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の画素構成の一例を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態を説明するブロック図および回路図。 トランジスタの一形態を説明する断面図。 トランジスタの一形態を説明する断面図。 発光素子の構成例を説明する図。 表示モジュールを説明する図。 電子機器および照明装置の一例を説明する図。 電子機器の一例を説明する図。 電子機器の一例を説明する図。 電子機器の一例を説明する平面図および断面図。 電子機器の一例を説明する斜視図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨およびその範囲から逸脱することなくその形態および詳細を様々に変
更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形
態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成にお
いて、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して
用い、その繰り返しの説明は省略する。
また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、発明の理解を容易とす
るため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する
発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。例えば
、実際の製造工程において、エッチングなどの処理によりレジストマスクなどが意図せず
に目減りすることがあるが、理解を容易とするために省略して示すことがある。
また、特に上面図（「平面図」ともいう。）において、図面をわかりやすくするために、
一部の構成要素の記載を省略する場合がある。
また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限
定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、
その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配
線」が一体となって形成されている場合なども含む。
なお、本明細書等において「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上または直
下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極
Ｂ」の表現であれば、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶
縁層Ａと電極Ｂとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。
また、ソースおよびドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回
路動作において電流の方向が変化する場合など、動作条件などによって互いに入れ替わる
ため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。このため、
本明細書においては、ソースおよびドレインの用語は、入れ替えて用いることができるも
のとする。
また、本明細書等において、「電気的に接続」には、「何らかの電気的作用を有するもの
」を介して接続されている場合が含まれる。ここで、「何らかの電気的作用を有するもの
」は、接続対象間での電気信号の授受を可能とするものであれば、特に制限を受けない。
よって、「電気的に接続する」と表現される場合であっても、現実の回路においては、物
理的な接続部分がなく、配線が延在しているだけの場合もある。
また、本明細書において、「平行」とは、二つの直線が－１０°以上１０°以下の角度で
配置されている状態をいう。従って、－５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「垂
直」および「直交」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている
状態をいう。従って、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。
また、本明細書において、リソグラフィ工程を行った後にエッチング工程を行う場合は、
特段の説明がない限り、リソグラフィ工程で形成したレジストマスクは、エッチング工程
終了後に除去するものとする。
また、電圧は、ある電位と、基準の電位（例えば接地電位（ＧＮＤ電位）またはソース電
位）との電位差のことを示す場合が多い。よって、電圧を電位と言い換えることが可能で
ある。
なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度
が０．１原子％未満の元素は不純物と言える。不純物が含まれることにより、例えば、半
導体のＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅ）が高くなることや、キャリア移動度
が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化物半導
体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、第２族
元素、第１３族元素、第１４族元素、第１５族元素、および酸化物半導体の主成分以外の
遷移金属などがあり、特に、例えば、水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、
シリコン、ホウ素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素など
の不純物の混入によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコンである
場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素
、第２族元素、第１３族元素、第１５族元素などがある。
なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるた
めに付すものであり、工程順または積層順など、なんらかの順番や順位を示すものではな
い。また、本明細書等において序数詞が付されていない用語であっても、構成要素の混同
を避けるため、特許請求の範囲において序数詞が付される場合がある。また、本明細書等
において序数詞が付されている用語であっても、特許請求の範囲において異なる序数詞が
付される場合がある。また、本明細書等において序数詞が付されている用語であっても、
特許請求の範囲などにおいて序数詞を省略する場合がある。
なお、「チャネル長」とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体（またはト
ランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが重なる
領域、またはチャネルが形成される領域における、ソース（ソース領域またはソース電極
）とドレイン（ドレイン領域またはドレイン電極）との間の距離をいう。なお、一つのト
ランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。すなわち、
一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明
細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値
、最小値または平均値とする。
また、「チャネル幅」とは、例えば、半導体（またはトランジスタがオン状態のときに半
導体の中で電流の流れる部分）とゲート電極とが重なる領域、またはチャネルが形成され
る領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。なお、一つ
のトランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。すな
わち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため
、本明細書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、
最大値、最小値または平均値とする。
なお、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネ
ル幅（以下、実効的なチャネル幅と呼ぶ。）と、トランジスタの上面図において示される
チャネル幅（以下、見かけ上のチャネル幅と呼ぶ。）と、が異なる場合がある。例えば、
ゲート電極が半導体の側面を覆う場合、実効的なチャネル幅が、見かけ上のチャネル幅よ
りも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細かつゲート電極
が半導体の側面を覆うトランジスタでは、半導体の上面に形成されるチャネル領域の割合
に対して、半導体の側面に形成されるチャネル領域の割合が大きくなる場合がある。その
場合は、見かけ上のチャネル幅よりも実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
このような場合、実効的なチャネル幅の、実測による見積もりが困難となる場合がある。
例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知という
仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的なチ
ャネル幅を正確に測定することは困難である。
そこで、本明細書では、見かけ上のチャネル幅を、「囲い込みチャネル幅（ＳＣＷ：Ｓｕ
ｒｒｏｕｎｄｅｄ Ｃｈａｎｎｅｌ Ｗｉｄｔｈ）」と呼ぶ場合がある。また、本明細書
では、単にチャネル幅と記載した場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネ
ル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実
効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル
幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチャネル幅などは、断面ＴＥＭ像などを解析するこ
となどによって、値を決定することができる。
なお、トランジスタの電界効果移動度や、チャネル幅当たりの電流値などを計算して求め
る場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャ
ネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。
（実施の形態１）
本発明の一態様の表示装置１００の構成例について、図１乃至図１３を用いて説明する。
図１（Ａ）は外部電極１２４が接続された表示装置１００の斜視図であり、図１（Ｂ）は
、図１（Ａ）にＡ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、本明細書に開示
する表示装置１００は、表示素子として発光素子を用いた表示装置である。また、本発明
の一態様の表示装置１００として、トップエミッション構造（上面射出構造）の表示装置
を例示する。なお、表示装置１００をボトムエミッション構造（下面射出構造）、または
デュアルエミッション構造（両面射出構造）の表示装置とすることも可能である。
＜表示装置の構成＞
本実施の形態に示す表示装置１００は、表示領域１３１を有する。また、表示領域１３１
は、複数の画素１３０を有する。一つの画素１３０は、少なくとも一つの発光素子１２５
を有する。
本実施の形態に示す表示装置１００は、電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８、隔壁１
１４、および電極１１６を有する。また、電極１１６上に絶縁層１４１を有し、絶縁層１
４１に設けられた開口において、電極１１５と電極１１６は電気的に接続されている。ま
た、隔壁１１４は電極１１５上に設けられ、電極１１５および隔壁１１４上にＥＬ層１１
７が設けられ、ＥＬ層１１７上に電極１１８が設けられている。
基板１１１上には、接着層１１２、絶縁層１１９、および絶縁層１４１を介して発光素子
１２５が設けられている。発光素子１２５は、電極１１５、ＥＬ層１１７、および電極１
１８を含む。
また、本実施の形態に示す表示装置１００は、電極１１８上に接着層１２０を介して設け
られた基板１２１を有する。また、基板１２１には、接着層１２２および絶縁層１２９を
介して、遮光層２６４、着色層（「カラーフィルタ」ともいう。）２６６、およびオーバ
ーコート層２６８が設けられている。
本実施の形態に示す表示装置１００は、トップエミッション構造（上面射出構造）の表示
装置であるため、ＥＬ層１１７から射出された光１５１は、基板１２１側から射出される
。ＥＬ層１１７から射出された光１５１（例えば、白色光）は、着色層２６６透過時にそ
の一部が吸収されて、特定の色の光に変換される。換言すると、着色層２６６は、特定の
波長領域の光を透過する。着色層２６６は、光１５１を異なる色の光に変換するための光
学フィルター層として機能できる。
また、本実施の形態では電極１１６を電極１１６ａと電極１１６ｂの積層として示してい
るが、電極１１６は単層でもよいし３層以上の積層としてもよい。
また、基板１２１、接着層１２２、絶縁層１２９、接着層１２０、および絶縁層１４１は
、それぞれが開口部を有する。それぞれの開口部は互いに重なる領域を有し、かつ、電極
１１６と重なる領域を有する。本明細書等では、これらの開口部を併せて開口１３２と呼
ぶ。開口１３２において、外部電極１２４と電極１１６が、異方性導電接続層１３８を介
して電気的に接続されている。
なお、図２に示すように、表示装置１００の構成を、遮光層２６４、着色層２６６、およ
びオーバーコート層２６８を設けない構成とすることもできる。図２（Ａ）は、遮光層２
６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けない表示装置１００の斜視図
であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）にＡ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。
特に、ＥＬ層１１７を、画素ごとに射出する光１５１の色を変える、いわゆる塗り分け方
式で形成する場合は、着色層２６６を設けてもよいし、設けなくてもよい。
遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８のうち、少なくとも１つま
たは全てを設けないことで、表示装置１００の製造コストの低減、または、歩留まりの向
上などを実現することができる。また、着色層２６６を設けないことで光１５１を効率よ
く射出することができるので、輝度の向上や、消費電力の低減などを実現することができ
る。
一方、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けると、外光の
映り込みを軽減し、コントラスト比の向上や、色再現性の向上などを実現することができ
る。
なお、表示装置１００をボトムエミッション構造の表示装置とする場合は、基板１１１側
に、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けてもよい（図３
（Ａ）参照）。また、表示装置１００をデュアルエミッション構造の表示装置とする場合
は、基板１１１側および基板１２１側のどちらか一方または両方に遮光層２６４、着色層
２６６、およびオーバーコート層２６８を設けてもよい（図３（Ｂ）参照）。
また、発光素子１２５と電極１１６の間に、発光素子１２５に信号を供給する機能を有す
るスイッチング素子を設けてもよい。例えば、発光素子１２５と電極１１６の間に、トラ
ンジスタを設けてもよい。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流および／または電圧の増幅や、導通または
非導通を制御するスイッチング動作などを実現することができる。発光素子１２５と電極
１１６の間にトランジスタを設けることで、表示領域１３１の大面積化や、高精細化など
の実現を容易とすることができる。なお、トランジスタなどのスイッチング素子に限らず
、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、整流素子などを表示領域１３１内に設けることも
できる。
〔基板１１１、１２１〕
基板１１１および／または基板１２１としては、有機樹脂材料や可撓性を有する程度の厚
さのガラス材料、または可撓性を有する程度の厚さの金属材料（合金材料を含む）などを
用いることができる。表示装置１００を下面射出型の表示装置、または両面射出型の表示
装置とする場合には、基板１１１にＥＬ層１１７からの発光に対して透光性を有する材料
を用いる。また、表示装置１００を上面射出型の表示装置、または両面射出型の表示装置
とする場合には、基板１２１にＥＬ層１１７からの発光に対して透光性を有する材料を用
いる。
特に、有機樹脂材料は、ガラス材料や金属材料に比べて比重が小さい。よって、基板１１
１および／または基板１２１として有機樹脂材料を用いると、表示装置を軽量化できる。
また、基板１１１および／または基板１２１には、靱性が高い材料を用いることが好まし
い。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置を実現できる。有機樹脂材料お
よび金属材料は、ガラス材料に比べて靱性が高いことが多い。基板１１１および／または
基板１２１として有機樹脂材料または金属材料を用いると、ガラス材料を用いた場合と比
較して、破損しにくい表示装置を実現できる。
金属材料は、有機樹脂材料やガラス材料よりも熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝
導できる。よって、表示装置の局所的な温度上昇を抑制することができる。基板１１１お
よび／または基板１２１として金属材料を用いる場合、基板の厚さは、１０μｍ以上２０
０μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下がより好ましい。
基板１１１および／または基板１２１に用いる金属材料としては、特に限定はないが、例
えば、アルミニウム、銅、ニッケル、または、アルミニウム合金もしくはステンレスなど
の合金などを用いることができる。
また、基板１１１および／または基板１２１に、熱放射率が高い材料を用いると表示装置
の表面温度が高くなることを抑制でき、表示装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例
えば、基板を、金属材料を用いて形成した層（以下、「金属層」ともいう。）と熱放射率
の高い材料（例えば、金属酸化物やセラミック材料など）の積層構造としてもよい。
また、基板１１１および／または基板１２１に、表示装置の表面を傷などから保護するハ
ードコート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、
アラミド樹脂層など）などを積層してもよい。
基板１１１および／または基板１２１は、上記材料を用いた複数層の積層としてもよい。
特に、ガラス材料を用いて形成した層（以下、「ガラス層」ともいう。）を有する構成と
すると、水や酸素に対する表示装置のバリア性を向上させ、信頼性の高い表示装置を実現
できる。
例えば、表示素子に近い側からガラス層、接着層、および有機樹脂材料を用いて形成した
層（以下、「有機樹脂層」ともいう。）を積層した可撓性基板を用いることができる。当
該ガラス層の厚さは２０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以
下である。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対する高いバリア性と可撓性を同時
に実現できる。また、有機樹脂層の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２
０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機樹脂層をガラス層よりも外側に設けるこ
とにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、表示装置の、機械的強度を向上させるこ
とができる。ガラス層と有機樹脂層の複合層を基板として用いることにより、極めて信頼
性が高いフレキシブルな表示装置を実現できる。
基板１１１および基板１２１に用いることが可能な可撓性および可視光に対する透光性を
有する材料として、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ
ート樹脂（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアクリロニトリル樹
脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート
樹脂、ポリアミド樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミ
ド樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリハロゲン化ビニル樹脂、アラミド
樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。また、これらの材料を混合または積層し
て用いてもよい。なお、基板１１１および基板１２１は、それぞれ同じ材料を用いてもよ
いし、互いに異なる材料を用いてもよい。
また、基板１２１および基板１１１の熱膨張係数は、好ましくは３０ｐｐｍ／Ｋ以下、さ
らに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下とする。また、基板１２１および基板１１１の表面に
、窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素と珪素を含む膜や窒化アルミニウム等の窒素
とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しても良い。なお、基板１２
１および基板１１１として、繊維体に有機樹脂が含浸された構造物（所謂、プリプレグと
も言う）を用いてもよい。
〔絶縁層１１９〕
絶縁層１１９は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコ
ン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ラン
タン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルなどの酸化物材料や、窒化シリ
コン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物材料な
どを、単層または多層で形成することができる。例えば、絶縁層１１９を、酸化シリコン
と窒化シリコンを積層した２層構造としてもよいし、上記材料を組み合わせた５層構造と
してもよい。絶縁層１１９は、スパッタリング法やＣＶＤ法、熱酸化法、塗布法、印刷法
等を用いて形成することが可能である。
絶縁層１１９により、基板１１１や接着層１１２などから発光素子１２５への不純物元素
の拡散を防止、または低減することができる。また、絶縁層１１９は、透水性の低い絶縁
膜を用いて形成することが好ましい。例えば、水蒸気透過量は、１×１０－５ｇ／（ｍ２
・ｄａｙ）以下、好ましくは１×１０－６ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、より好ましくは１
×１０－７ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）以下、さらに好ましくは１×１０－８ｇ／（ｍ２・ｄａ
ｙ）以下である。
なお、本明細書中において、窒化酸化物とは、酸素よりも窒素の含有量が多い化合物をい
う。また、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い化合物をいう。なお、各元素
の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａｃ
ｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）等を用いて測定することができる
。
〔電極１１６〕
電極１１６ａは、導電性材料を用いて形成することができる。例えば、アルミニウム、ク
ロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハ
フニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、マンガン、マグネシウム、ジル
コニウム、ベリリウム等から選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金、ま
たは上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。また、リン等の不
純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイドなどのシ
リサイドを用いてもよい。導電性材料の形成方法は特に限定されず、蒸着法、ＣＶＤ法、
スパッタリング法、スピンコート法などの各種形成方法を用いることができる。
また、電極１１６ａは、インジウム錫酸化物、酸化タングステンを含むインジウム酸化物
、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、
酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したイ
ンジウム錫酸化物などの酸素を有する導電性材料を適用することもできる。また、窒化チ
タン、窒化タンタル、窒化タングステンなどの窒素を含む導電性材料を適用することもで
きる。また、上記酸素を有する導電性材料と、上記金属元素を含む材料の積層構造とする
こともできる。
電極１１６ａは、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを
含むアルミニウム層の単層構造、アルミニウム層上にチタン層を積層する二層構造、窒化
チタン層上にチタン層を積層する二層構造、窒化チタン層上にタングステン層を積層する
二層構造、窒化タンタル層上にタングステン層を積層する二層構造、チタン層と、そのチ
タン層上にアルミニウム層を積層し、さらにその上にチタン層を形成する三層構造などが
ある。また、電極１１６ａに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、
ネオジム、スカンジウムから選ばれた一または複数の元素を含むアルミニウム合金を用い
てもよい。
電極１１６ｂは、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コ
バルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、
シリコンから選択された元素、または該元素を含む合金、または該元素を含む化合物を用
いて形成することができる。また、これらの材料を単層または積層して形成することがで
きる。なお、電極１１６ｂの結晶構造は、非晶質、ナノクリスタル、微結晶、多結晶など
のいずれの場合でもよい。
電極１１６ｂを単層で形成する場合、タングステン、モリブデン、またはタングステンと
モリブデンを含む材料、を用いることが好ましい。または、タングステンの酸化物若しく
は酸化窒化物、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物、またはタングステンとモリブデ
ンを含む材料の酸化物若しくは酸化窒化物を用いることが好ましい。
〔絶縁層１４１〕
絶縁層１４１は、絶縁層１１９と同様の材料および方法を用いて形成することができる。
また、絶縁層１４１は、酸素を有する材料を用いることが好ましい。
〔電極１１５〕
電極１１５は、後に形成されるＥＬ層１１７が発する光を効率よく反射する導電性材料を
用いて形成することが好ましい。なお、電極１１５は単層に限らず、複数層の積層構造と
してもよい。例えば、電極１１５を陽極として用いる場合、ＥＬ層１１７と接する層を、
インジウム錫酸化物などの透光性を有する層とし、その層に接して反射率の高い層（アル
ミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など）を設けてもよい。
可視光を反射する導電性材料としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル
、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属
材料、またはこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合
金に、ランタン、ネオジム、またはゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アル
ミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合
金等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウム
と銅の合金、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。
銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、金属膜または合金膜と金属酸
化物膜を積層してもよい。例えばアルミニウム合金膜に接するように金属膜あるいは金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。金属膜
、金属酸化物膜の他の例としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上述し
たように、透光性を有する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀
とインジウム錫酸化物の積層膜、銀とマグネシウムの合金とインジウム錫酸化物（ＩＴＯ
：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）の積層膜などを用いることができる。
なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造の表示装置について例示してい
るが、表示装置をボトムエミッション構造（下面射出構造）、またはデュアルエミッショ
ン構造（両面射出構造）の表示装置とする場合においては、電極１１５に透光性を有する
導電性材料を用いればよい。
透光性を有する導電性材料としては、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、イ
ンジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成すること
ができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリ
ブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料
を含む合金、またはこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有す
る程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層とし
て用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いる
と、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
〔隔壁１１４〕
隔壁１１４は、隣接する電極１１８間の電気的ショートを防止するために設ける。また、
後述するＥＬ層１１７の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが発光素子１２
５を形成する領域に接触しないようにする機能も有する。隔壁１１４は、エポキシ樹脂、
アクリル樹脂、イミド樹脂などの有機樹脂材料や、酸化シリコンなどの無機材料で形成す
ることができる。隔壁１１４は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成さ
れる傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁１１４の側壁をこのような形状と
することで、後に形成されるＥＬ層１１７や電極１１８の被覆性を良好なものとすること
ができる。
〔ＥＬ層１１７〕
ＥＬ層１１７の構成については、実施の形態６で説明する。
〔電極１１８〕
本実施の形態では電極１１８を陰極として用いる。電極１１８は、後述するＥＬ層１１７
に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕事
関数の小さい金属単体ではなく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類金
属を数ｎｍ形成した層を緩衝層として形成し、その上にアルミニウムなどの金属材料、イ
ンジウム錫酸化物等の導電性を有する酸化物材料、または半導体材料を用いて形成しても
よい。また、緩衝層として、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグネ
シウム－銀等を用いることもできる。
また、電極１１８を介して、ＥＬ層１１７が発する光を取り出す場合は、電極１１８は、
可視光に対し透光性を有することが好ましい。
〔接着層１２０、１１２、１２２〕
接着層１２０、接着層１１２、および接着層１２２としては、光硬化型の接着剤、反応硬
化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤を用いることができる。例えば、エポ
キシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリ
ビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニル
アセテート）樹脂等を用いることができる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が
好ましい。また、接着シート等を用いてもよい。
また、トップエミッション構造の表示装置である場合は接着層１２０に、ボトムエミッシ
ョン構造の表示装置である場合は接着層１１２に、ＥＬ層１１７が発する光の波長以下の
大きさの乾燥剤を混合すると、光の取り出し効率が低下しにくく、かつ、水分などの不純
物が表示素子に侵入することを抑制できるため好適である。上記乾燥剤としては、例えば
、酸化カルシウムや酸化バリウムなどのアルカリ土類金属の酸化物などの化学吸着によっ
て水分を吸着する物質や、ゼオライトやシリカゲルなどの物理吸着によって水分を吸着す
る物質などを用いることができる。なお、接着層１２０に屈折率の大きいフィラー（酸化
チタンや、ジルコニウム等）を混合してもよい。
〔異方性導電接続層１３８〕
異方性導電接続層１３８は、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉ
ｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔ
ｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いて形成することができる。
異方性導電接続層１３８は、熱硬化性、または熱硬化性および光硬化性の樹脂に導電性粒
子を混ぜ合わせたペースト状またはシート状の材料を硬化させたものである。異方性導電
接続層１３８は、光照射や熱圧着によって異方性の導電性を示す材料となる。異方性導電
接続層１３８に用いられる導電性粒子としては、例えば球状の有機樹脂をＡｕやＮｉ、Ｃ
ｏ等の薄膜状の金属で被覆した粒子を用いることができる。
＜表示装置の作製方法＞
次に、図４乃至図９を用いて、表示装置１００の作製方法を例示する。図４乃至図９は、
図１および図２中、Ａ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
《１．素子基板１７１の作製》
はじめに、素子基板１７１の作製方法について例示する。なお、本実施の形態において、
基板１０１上に発光素子１２５を形成した基板を、素子基板１７１と呼ぶ。
〔剥離層１１３の形成〕
まず、基板１０１上に剥離層１１３を形成する（図４（Ａ）参照。）。基板１０１の一例
としては、半導体基板（例えば単結晶基板またはシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基
板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐
熱性を有するプラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチ
ル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、など
がある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス、またはソーダライムガラスなどがある。
剥離層１１３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コ
バルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、
シリコンから選択された元素、または該元素を含む合金材料、または該元素を含む化合物
材料を用いて形成することができる。また、これらの材料を単層または積層して形成する
ことができる。なお、剥離層１１３の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場
合でもよい。また、剥離層１１３を、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸
化チタン、酸化インジウム、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、またはインジウ
ムとガリウムと亜鉛を含む酸化物（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ、ＩＧＺＯ）等の金属酸化物を
用いて形成することもできる。
剥離層１１３は、スパッタリング法やＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。な
お、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
剥離層１１３を単層で形成する場合、タングステン、モリブデン、またはタングステンと
モリブデンを含む材料を用いることが好ましい。または、剥離層１１３を単層で形成する
場合、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化
物、またはタングステンとモリブデンを含む合金材料の酸化物若しくは酸化窒化物を用い
ることが好ましい。
また、剥離層１１３として、例えば、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含
む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層に接して絶縁性酸化物層を形成す
ることで、タングステンを含む層と絶縁性酸化物層との界面に、タングステンの酸化物を
含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸
化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力を有する溶液での処理等を行ってタング
ステンの酸化物を含む層を形成してもよい。また、基板１０１と剥離層１１３の間に絶縁
層を設けてもよい。
本実施の形態では、基板１０１にアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。また、基板１０１
上に形成する剥離層１１３として、スパッタリング法によりタングステン膜を形成する。
〔絶縁層１１９の形成〕
次に、剥離層１１３上に絶縁層１１９を形成する（図４（Ａ）参照。）。絶縁層１１９は
、基板１０１などからの不純物元素の拡散を防止または低減することができる。また、基
板１０１を基板１１１に置換した後も、基板１１１や接着層１１２などから発光素子１２
５への不純物元素の拡散を防止または低減することができる。絶縁層１１９の厚さは、好
ましくは３０ｎｍ以上２μｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１μｍ以下、さらに好ま
しくは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすればよい。本実施の形態では、絶縁層１１９とし
て、基板１０１側から、厚さ６００ｎｍの酸化窒化シリコン、厚さ２００ｎｍの窒化シリ
コン、厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコン、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化シリコン、厚さ１
００ｎｍの酸化窒化シリコンの積層膜をプラズマＣＶＤ法により形成する。
なお、絶縁層１１９の形成前に、剥離層１１３の表面を、酸素を有する雰囲気に曝すこと
が好ましい。
酸素を有する雰囲気に用いるガスとしては、酸素、一酸化二窒素、二酸化窒素、二酸化炭
素、一酸化炭素などを用いることができる。また、酸素を有するガスと他のガスの混合ガ
スを用いてもよい。例えば、二酸化炭素とアルゴンの混合ガスなどの、酸素を有するガス
と希ガスの混合ガスを用いることができる。剥離層１１３の表面を酸化することで、後の
工程で行われる基板１０１の剥離を容易とすることができる。
本実施の形態では、試料をプラズマＣＶＤ装置の処理室内に配置した後、当該処理室内に
一酸化二窒素を供給してプラズマ雰囲気を発生させて試料表面を該雰囲気に曝す。続いて
、試料表面に絶縁層１１９を形成する。
〔電極１１６の形成〕
次に、絶縁層１１９上に電極１１６を形成するための導電層１２６ａと導電層１２６ｂを
形成する。まず、導電層１２６ａとして絶縁層１１９上にスパッタリング法により二層の
モリブデンの間にアルミニウムを挟んだ三層の金属膜を形成する。続いて、導電層１２６
ａ上に、導電層１２６ｂとしてスパッタリング法によりタングステンを形成する（図４（
Ａ）参照。）。
続いて、導電層１２６ｂ上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、導電
層１２６ａおよび導電層１２６ｂを所望の形状にエッチングして、電極１１６（電極１１
６ａおよび電極１１６ｂ）を形成することができる。レジストマスクの形成は、リソグラ
フィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクを
インクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる
。
導電層１２６ａおよび導電層１２６ｂのエッチングは、ドライエッチング法でもウェット
エッチング法でもよく、両方を用いてもよい。ウェットエッチング法により、導電層１２
６ａおよび導電層１２６ｂのエッチングを行う場合は、エッチング液として、燐酸と酢酸
と硝酸を混ぜた溶液や、シュウ酸を含む溶液や、リン酸を含む溶液などを用いることがで
きる。エッチング処理終了後に、レジストマスクを除去する（図４（Ｂ）参照）。
また、電極１１６（これらと同じ層で形成される他の電極または配線を含む）は、その端
部をテーパー形状とすることで、電極１１６の側面を被覆する層の被覆性を向上させるこ
とができる。具体的には、端部のテーパー角θを、８０°以下、好ましくは６０°以下、
さらに好ましくは４５°以下とする。なお、「テーパー角」とは、当該層の側面と底面が
なす角度を示す。また、テーパー角が９０°未満である場合を順テーパーといい、テーパ
ー角が９０°以上である場合を逆テーパーという（図４（Ｂ）参照。）。
また、電極１１６の端部の断面形状を複数段の階段形状とすることで、その上に被覆する
層の被覆性を向上させることもできる。なお、電極１１６に限らず、各層の端部の断面形
状を順テーパー形状または階段形状とすることで、該端部を覆って形成する層が、該端部
で途切れてしまう現象（段切れ）を防ぎ、被覆性を良好なものとすることができる。
〔絶縁層１２７の形成〕
次に、電極１１６および絶縁層１１９上に絶縁層１２７を形成する（図４（Ｃ）参照）。
本実施の形態では、絶縁層１２７としてプラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコンを形成
する。また、絶縁層１２７の形成に先立ち、電極１１６ｂの表面を酸化させることが好ま
しい。例えば、絶縁層１２７の形成前に電極１１６ｂの表面を、酸素を有するガス雰囲気
または酸素を有するプラズマ雰囲気に曝すことが好ましい。電極１１６ｂの表面を酸化す
ることで、後の工程で行われる開口１３２の形成を容易とすることができる。
本実施の形態では、試料をプラズマＣＶＤ装置の処理室内に配置した後、当該処理室内に
一酸化二窒素を供給してプラズマ雰囲気を発生させて試料表面を該雰囲気に曝す。続いて
、試料表面に酸化窒化シリコン膜を形成する。
次に、絶縁層１２７上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、電極１１
６と重なる絶縁層１２７の一部を選択的に除去し、開口１２８を有する絶縁層１４１を形
成する（図４（Ｄ）参照）。絶縁層１２７のエッチングは、ドライエッチング法でもウェ
ットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。この時、開口１２８と重なる電極１１
６ｂ表面上の酸化物も同時に除去される。
〔電極１１５の形成〕
次に、絶縁層１２７上に電極１１５を形成するための導電層１４５を形成する（図４（Ｅ
）参照）。導電層１４５は、導電層１２６ａ（電極１１６ａ）と同様の材料および方法で
形成することができる。
次に、導電層１４５上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、導電層１
４５の一部を選択的に除去し、電極１１５を形成する（図５（Ａ）参照）。導電層１４５
のエッチングは、ドライエッチング法でもウェットエッチング法でもよく、両方を用いて
もよい。本実施の形態では、導電層１４５（電極１１５）を、銀の上にインジウム錫酸化
物を積層した材料で形成する。電極１１５と電極１１６は、開口１２８で電気的に接続す
る。
〔隔壁１１４の形成〕
次に、隔壁１１４を形成する（図５（Ｂ）参照）。本実施の形態では、隔壁１１４を感光
性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工することにより形成する。
本実施の形態では、隔壁１１４を、感光性を有するポリイミド樹脂を用いて形成する。
〔ＥＬ層１１７の形成〕
次に、ＥＬ層１１７を電極１１５および隔壁１１４上に形成する（図５（Ｃ）参照）。
〔電極１１８の形成〕
次に、電極１１８をＥＬ層１１７上に形成する。本実施の形態では、電極１１８としてマ
グネシウムと銀の合金を用いる。電極１１８は、蒸着法、スパッタリング法等で形成する
ことができる（図５（Ｄ）参照）。
《２．対向基板１８１の作製》
続いて、対向基板１８１の作製方法について例示する。なお、本実施の形態において、基
板１０２上に着色層２６６などを形成した基板を、対向基板１８１と呼ぶ。
〔剥離層１４３の形成〕
まず、基板１０２上に剥離層１４３を形成する（図６（Ａ）参照。）。基板１０２は、基
板１０１と同様の材料を用いて形成することができる。なお、基板１０１と基板１０２は
、それぞれ同じ材料を用いてもよいし、互いに異なる材料を用いてもよい。また、剥離層
１４３は、剥離層１１３と同様に形成することができる。基板１０２と剥離層１４３の間
に絶縁層を設けてもよい。本実施の形態では、基板１０２にアルミノホウケイ酸ガラスを
用いる。また、基板１０２上に形成する剥離層１４３として、スパッタリング法によりタ
ングステンを形成する。
なお、剥離層１４３の形成後に、剥離層１４３の表面を、酸素を有する雰囲気または酸素
を有するプラズマ雰囲気に曝すことが好ましい。剥離層１４３の表面を酸化することで、
後の工程で行われる基板１０２の剥離を容易とすることができる。
〔絶縁層１４９の形成〕
次に、剥離層１４３上に絶縁層１４９を形成する（図６（Ａ）参照。）。絶縁層１４９は
、絶縁層１１９と同様の材料および方法で形成することができる。本実施の形態では、絶
縁層１４９として、基板１０２側から、厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコン、厚さ１４０
ｎｍの窒化酸化シリコン、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコンの積層膜をプラズマＣＶＤ
法により形成する。
〔剥離層１２３および絶縁層１２９の形成〕
続いて、絶縁層１４９上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、絶縁層
１４９および剥離層１４３の一部を選択的に除去して、開口１３９を有する剥離層１２３
および絶縁層１２９を形成する。レジストマスクの形成は、リソグラフィ法、印刷法、イ
ンクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で
形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
絶縁層１４９および剥離層１４３のエッチングは、ドライエッチング法でもウェットエッ
チング法でもよく、両方を用いてもよい。エッチング処理終了後に、レジストマスクを除
去する（図６（Ｂ）参照）。
〔遮光層２６４の形成〕
次に、絶縁層１２９上に、遮光層２６４を形成するための層２７４を形成する（図６（Ｃ
）参照）。層２７４は、単層構造であっても２層以上の積層構造であってもよい。層２７
４に用いることができる材料として、例えば、クロム、チタン、もしくはニッケルなどを
含む金属材料、または、クロム、チタン、もしくはニッケルなどを含む酸化物材料、また
は、金属材料、顔料、もしくは染料を含む樹脂材料などが挙げられる。
層２７４を金属材料、酸化物材料、または樹脂材料で形成する場合は、層２７４上にレジ
ストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、層２７４を所望の形状にエッチングし
て、遮光層２６４を形成することができる（図６（Ｄ）参照）。また、カーボンブラック
を分散した高分子材料を用いると、インクジェット法により絶縁層１２９上に遮光層２６
４を直接描画することができる。
遮光層２６４は隣接する表示素子からの光を遮光し、隣接する表示素子間における混色を
抑制する機能を有する。
〔着色層２６６の形成〕
次に、絶縁層１２９上に、着色層２６６を形成する（図６（Ｅ）参照）。着色層は特定の
波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ
）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色
の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いることができる。着色
層２６６は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を
用いて、それぞれ所望の位置に形成する。この時、着色層２６６の一部が遮光層２６４と
重なるように設けることが、光漏れを抑制することができるので好ましい。画素毎に着色
層２６６の色を変えることで、カラー表示を行うことができる。
ここで、カラー表示を実現するための画素構成の一例を、図７を用いて説明する。図７（
Ａ）、図７（Ｂ）、および図７（Ｃ）は、図１（Ａ）の表示領域１３１中に示した領域１
７０を拡大した平面図である。例えば、図７（Ａ）に示すように、３つの画素１３０を１
つの画素１４０として用いて、３つの画素１３０それぞれに対応する着色層２６６を、赤
、緑、青、とすることで、フルカラー表示を実現することができる。この時、画素１３０
は画素１４０の副画素として機能する。図７（Ａ）では、赤色の光を発する画素１３０を
画素１３０Ｒと示し、緑色の光を発する画素１３０を画素１３０Ｇと示し、青色の光を発
する画素１３０を画素１３０Ｂと示している。なお、着色層２６６の色は、赤、緑、青、
以外であってもよく、例えば、着色層２６６に黄、シアン、マゼンダなどを用いてもよい
。
また、図７（Ｂ）に示すように、４つの画素１３０をまとめて１つの画素１４０として用
いてもよい。例えば、４つの画素１３０それぞれに対応する着色層２６６を、赤、緑、青
、黄としてもよい。なお、図７（Ｂ）では、赤色の光を発する画素１３０を画素１３０Ｒ
と示し、緑色の光を発する画素１３０を画素１３０Ｇと示し、青色の光を発する画素１３
０を画素１３０Ｂと示し、黄色の光を発する画素１３０を画素１３０Ｙと示している。１
つの画素１４０に含まれる副画素（画素１３０）の数を増やすことで、特に色の再現性を
高めることができる。よって、表示装置の表示品位を高めることができる。
また、４つの画素１３０それぞれに対応する着色層２６６を、赤、緑、青、白としてもよ
い。白色の光を発する画素１３０（画素１３０Ｗ）を設けることで、表示領域の発光輝度
を高めることができる。なお、白色の光を発する画素１３０の場合は、着色層２６６を設
けなくてもよい。白色の着色層２６６を設けないことで、着色層２６６透過時の輝度低下
がなくなるため、表示領域の発光輝度をより高めることができる。また、表示装置の消費
電力を低減することができる。一方で、白色の着色層２６６を設けることにより、白色光
の色温度を制御することができる。よって、表示装置の表示品位を高めることができる。
また、表示装置の用途によっては、２つの画素１３０を１つの画素１４０として用いても
よい。
なお、各画素１３０の占有面積や形状などは、それぞれ同じでもよいし、それぞれ異なっ
ていてもよい。また、配列方法として、ストライプ配列以外の方法でもよい。例えば、デ
ルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などを適用することもできる。ペンタイル配列
を適用した場合の例を、図７（Ｃ）に示す。
〔オーバーコート層２６８の形成〕
次に、遮光層２６４および着色層２６６上にオーバーコート層２６８を形成する（図６（
Ｆ）参照）。
オーバーコート層２６８としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等の
有機絶縁層を用いることができる。オーバーコート層２６８を形成することによって、例
えば、着色層２６６中に含まれる不純物等を発光素子１２５側に拡散することを抑制する
ことができる。ただし、オーバーコート層２６８は、必ずしも設ける必要はなく、オーバ
ーコート層２６８を形成しない構造としてもよい。
また、オーバーコート層２６８として透光性を有する導電膜を形成してもよい。これによ
り、発光素子１２５から発せられた光１５１を透過し、かつ、イオン化した不純物の透過
を防ぐことができる。
透光性を有する導電膜は、例えば、前述の透光性を有する導電性材料を用いて形成するこ
とができる。また、透光性を有する程度に薄く形成された金属膜を用いてもよい。
以上の工程により対向基板１８１を形成することができる。ただし、対向基板１８１に着
色層２６６などを設けない場合がある。
《３．素子基板１７１と対向基板１８１を貼り合せる》
次に、素子基板１７１と対向基板１８１を、接着層１２０を介して貼り合せる。この時、
素子基板１７１上の発光素子１２５と、対向基板１８１上の着色層２６６が向かい合うよ
うに配置する（図８（Ａ）参照）。
《４．基板１０１および基板１０２の剥離と、基板１１１および基板１２１の貼り合わせ
》
次に、基板１０１を基板１１１に置換し、基板１０２を基板１２１に置換する方法につい
て例示する。
〔基板１０１の剥離〕
まず、素子基板１７１が有する基板１０１を、剥離層１１３とともに絶縁層１１９から剥
離する（図８（Ｂ）参照）。剥離方法としては、機械的な力を加えること（人間の手や治
具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理、超音波等）を用いて行
えばよい。たとえば、素子基板１７１の側面から、剥離層１１３と絶縁層１１９の界面に
鋭利な刃物またはレーザー光照射等で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入する。毛
細管現象により水が剥離層１１３と絶縁層１１９の界面にしみこむことにより、剥離層１
１３とともに基板１０１を絶縁層１１９から容易に剥離することができる。
〔基板１１１の貼り合わせ〕
次に、接着層１１２を介して基板１１１を絶縁層１１９に貼り合わせる（図９（Ａ）参照
）。
〔基板１０２の剥離〕
次に、対向基板１８１が有する基板１０２を剥離層１４３とともに絶縁層１２９から剥離
する。
なお、基板１０２を剥離する前に、図９（Ｂ）に示すように、開口１３９を通して光２２
０を電極１１６ｂの少なくとも一部に照射してもよい。光２２０としては、ハロゲンラン
プや、高圧水銀ランプなどから放射される赤外光、可視光、紫外光を用いることができる
。また、光２２０として、連続発振レーザー光や、パルス発振レーザー光などを用いるこ
とができる。特に、パルス発振レーザー光は、瞬間的に高エネルギーのパルスレーザー光
を発振することができるため好ましい。光２２０の波長は、４００ｎｍ乃至１．２μｍが
好ましく、５００ｎｍ乃至９００ｎｍがより好ましく、５００ｎｍ乃至７００ｎｍがさら
に好ましい。また、光２２０としてパルスレーザー光を用いる場合、パルス幅は１ｎｓ（
ナノ秒）乃至１μｓ（マイクロ秒）が好ましく、５ｎｓ乃至５００ｎｓがより好ましく、
５ｎｓ乃至１００ｎｓがさらに好ましい。例えば、波長５３２ｎｍ、パルス幅１０ｎｓの
パルスレーザー光を用いればよい。
光２２０の照射により、電極１１６ｂの温度が上昇し、熱応力や層内に残存した気体の放
出などに起因して、電極１１６ｂと絶縁層１４１の密着性が低下する。その結果、電極１
１６ｂから絶縁層１４１が剥離しやすくなる。
図１０（Ａ）に、対向基板１８１が有する基板１０２を、剥離層１４３とともに絶縁層１
２９から剥離する様子を示す。この時、開口１３９と重なる領域の接着層１２０と、開口
１３９と重なる領域の絶縁層１４１も一緒に除去され、開口１３２ａが形成される。なお
、開口１３９が電極１１６の内側に位置するように基板１０２を配置すると、開口１３２
ａの形成を容易とすることができるため好ましい。すなわち、断面図において、開口１３
２ａが電極１１６の端部よりも内側に形成されていることが好ましい。また、開口１３２
ａの幅Ｗ１は、電極１１６表面の幅Ｗ２よりも小さいことが好ましい（図１０（Ｂ）参照
）。
〔基板１２１の貼り合わせ〕
次に、接着層１２２を介して、開口１３２ｂを有する基板１２１を絶縁層１２９に貼り合
わせる（図１０（Ｂ）参照）。この時、開口１３２ａと開口１３２ｂが重なるように貼り
合せる。本実施の形態では、開口１３２ａと開口１３２ｂを合わせて開口１３２と呼ぶ。
開口１３２において、電極１１６の表面が露出する。
なお、本発明の一態様の表示装置１００は、１つの開口１３２内に電極１１６を複数設け
てもよいし、電極１１６毎に開口１３２を設けてもよい。図１１（Ａ）は、１つの開口１
３２内に複数の電極１１６を設けた表示装置１００の斜視図であり、図１１（Ｂ）は、図
１１（Ａ）にＢ１－Ｂ２の一点鎖線で示した部位の断面図である。図１２（Ａ）は、電極
１１６毎に開口１３２を設けた表示装置１００の斜視図であり、図１２（Ｂ）は、図１２
（Ａ）にＢ１－Ｂ２の一点鎖線で示した部位の断面図である。
平面図において開口１３２を基板１２１の端部より内側に設けることで、開口１３２の外
周部分を基板１２１と基板１１１で支える構造とすることができる。よって、外部電極１
２４と電極１１６が接続する領域の機械的強度が低下しづらく、同領域の意図しない変形
を軽減することができる。なお、１つの開口１３２内に電極１１６を複数設けるよりも、
電極１１６毎に開口１３２を設ける方が、同領域の変形を軽減する効果をより高めること
ができる（図１２（Ｂ）参照）。本発明の一態様によれば、表示装置１００の破損を防ぎ
、表示装置１００の信頼性を高めることができる。
また、基板１１１に開口１３２を設けず、基板１１１の端部と基板１２１の端部が一致し
ないように基板１２１を絶縁層１２９に貼り合せ、電極１１６の表面を露出させてもよい
。図１３（Ａ）は、基板１１１の端部と基板１２１の端部が一致しないようにして電極１
１６の表面を露出させた表示装置１００の斜視図であり、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）
にＢ１－Ｂ２の一点鎖線で示した部位の断面図である。なお、図１３（Ａ）では、基板１
１１よりも小さい基板１２１を、基板１１１上に設ける例を示しているが、基板１２１と
基板１１１が同じ大きさであってもよいし、基板１１１よりも基板１２１が大きくてもよ
い。
図１３に示した表示装置１００は、基板１２１に開口１３２が無いため、開口１３２と電
極１１６の位置合わせを行う必要がない。本発明の一態様によれば、表示装置１００の生
産性を高めることができる。
また、本発明の一態様によれば、電極１１６の表面を露出するための開口１３２を設ける
必要が無いため、基板１２１の一部をレーザー光や刃物を用いて除去する必要がなく、電
極１１６や表示領域１３１にダメージが生じにくい。
また、基板１１１または基板１２１のうち、光１５１が射出される側の基板の外側に、反
射防止層、光拡散層、マイクロレンズアレイ、プリズムシート、位相差板、偏光板などの
特定の機能を有する材料で形成された層（以下、「機能層」ともいう。）を一種以上設け
てもよい。反射防止層としては、例えば円偏光板などを用いることができる。機能層を設
けることで、より表示品位の良好な表示装置を実現することができる。または、表示装置
の消費電力を低減することができる。
図１４（Ａ）は、機能層１６１を有するトップエミッション構造の表示装置１００の断面
図である。また、図１４（Ｂ）は、機能層１６１を有するボトムエミッション構造の表示
装置１００の断面図である。また、図１４（Ｃ）は、機能層１６１を有するデュアルエミ
ッション構造の表示装置１００の断面図である。
また、基板１１１または基板１２１として、特定の機能を有する材料を用いてもよい。例
えば、基板１１１または基板１２１として、円偏光板を用いてもよい。また、例えば、基
板１１１または基板１２１を、位相差板を用いて形成し、当該基板と重ねて偏光板を設け
てもよい。また、例えば、基板１１１または基板１２１を、プリズムシートを用いて形成
し、当該基板と重ねて円偏光板を設けてもよい。基板１１１または基板１２１として、特
定の機能を有する材料を用いることで、表示品位の向上と、製造コストの低減を実現する
ことができる。
〔外部電極１２４の形成〕
次に、開口１３２に異方性導電接続層１３８を形成し、異方性導電接続層１３８上に、表
示装置１００に電力や信号を入力するための外部電極１２４を形成する（図１参照。）。
異方性導電接続層１３８を介して外部電極１２４と電極１１６を電気的に接続することが
できる。このようにして、表示装置１００に電力や信号を入力することが可能となる。な
お、外部電極１２４としてＦＰＣを用いることができる。また、外部電極１２４として金
属線を用いることもできる。該金属線と電極１１６の接続は、異方性導電接続層１３８を
用いてもよいが、異方性導電接続層１３８を用いずに、ワイヤーボンディング法により行
うことができる。また、該金属線と電極１１６の接続をハンダ付けで行ってもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した表示装置１００と異なる構成を有する表示装
置２００について、図１５を用いて説明する。図１５（Ａ）は表示装置２００の上面図で
あり、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）中にＡ３－Ａ４の一点鎖線で示す部位の断面図であ
る。
＜表示装置の構成＞
本実施の形態に示す表示装置２００は、表示領域２３１と、周辺回路２５１を有する。ま
た、表示装置２００は、電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８を含む発光素子１２５と
、電極１１６を有する。発光素子１２５は、表示領域２３１中に複数形成されている。ま
た、各発光素子１２５には、発光素子１２５の発光量を制御するトランジスタ２３２が接
続されている。
電極１１６は、開口１３２に形成された異方性導電接続層１３８を介して外部電極１２４
と電気的に接続されている。また、電極１１６は、周辺回路２５１に電気的に接続されて
いる。
周辺回路２５１は、複数のトランジスタ２５２により構成されている。周辺回路２５１は
、外部電極１２４から供給された信号を、表示領域２３１中のどの発光素子１２５に供給
するかを決定する機能を有する。
図１５に示す表示装置２００は、接着層１２０を介して基板１１１と基板１２１が貼り合
わされた構造を有する。基板１１１上には、接着層１１２を介して絶縁層２０５が形成さ
れている。絶縁層２０５は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化
シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等を
、単層または多層で形成するのが好ましい。絶縁層２０５は、スパッタリング法やＣＶＤ
法、熱酸化法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能である。
なお、絶縁層２０５は下地層として機能し、基板１１１や接着層１１２などからトランジ
スタや発光素子への不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。
また、絶縁層２０５上に、トランジスタ２３２、トランジスタ２５２、電極１１６、配線
２１９が形成されている。なお、本実施の形態では、トランジスタ２３２および／または
トランジスタ２５２として、ボトムゲート型のトランジスタの１つであるチャネルエッチ
ング型のトランジスタを例示しているが、チャネル保護型のトランジスタや、トップゲー
ト型のトランジスタなどを用いることも可能である。また、逆スタガ型のトランジスタや
、順スタガ型のトランジスタを用いることも可能である。また、チャネルが形成される半
導体層を２つのゲート電極で挟む構造の、デュアルゲート型のトランジスタを用いること
も可能である。また、シングルゲート構造のトランジスタに限定されず、複数のチャネル
形成領域を有するマルチゲート型トランジスタ、例えばダブルゲート型トランジスタとし
てもよい。
また、トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２として、プレーナ型、ＦＩＮ型（フ
ィン型）、ＴＲＩ－ＧＡＴＥ型（トライゲート型）などの、様々な構成のトランジスタを
用いることが出来る。
トランジスタ２３２とトランジスタ２５２は、それぞれが同様の構造を有していてもよい
し、異なる構造を有していてもよい。トランジスタのサイズ（例えば、チャネル長、およ
びチャネル幅）等は、各トランジスタで適宜調整することができる。
トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２は、ゲート電極として機能できる電極２０
６、ゲート絶縁層として機能できる絶縁層２０７、半導体層２０８、ソース電極またはド
レイン電極の一方として機能できる電極２１４、ソース電極またはドレイン電極の他方と
して機能できる電極２１５を有する。
配線２１９、電極２１４、および電極２１５は、電極１１６を形成するための導電層の一
部を用いて、電極１１６と同時に形成することができる。また、絶縁層２０７は、絶縁層
２０５と同様の材料および方法により形成することができる。
半導体層２０８は、単結晶半導体、多結晶半導体、微結晶半導体、ナノクリスタル半導体
、セミアモルファス半導体、非晶質半導体、等を用いて形成することができる。例えば、
非晶質シリコンや、微結晶ゲルマニウム等を用いることができる。また、炭化シリコン、
ガリウム砒素、酸化物半導体、窒化物半導体などの化合物半導体や、有機半導体等を用い
ることができる。また、半導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、ＣＡＡＣ－
ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉ
ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａｎ
ｏ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸
化物半導体などを用いることができる。
なお、酸化物半導体は、エネルギーギャップが３．０ｅＶ以上と大きく、可視光に対する
透過率が大きい。また、酸化物半導体を適切な条件で加工して得られたトランジスタにお
いては、オフ電流（トランジスタがオフ状態の時にソースとドレイン間に流れる電流）を
極めて小さくすることができる。例えばソースとドレイン間の電圧が３．５Ｖ、温度２５
℃においては、オフ電流を、チャネル幅１μｍあたり１００ｚＡ（１×１０－１９Ａ）以
下、もしくは１０ｚＡ（１×１０－２０Ａ）以下、さらには１ｚＡ（１×１０－２１Ａ）
以下とすることができる。このため、消費電力の少ない表示装置を提供することができる
。
また、半導体層２０８に酸化物半導体を用いる場合は、半導体層２０８に接する絶縁層に
酸素を有する絶縁層を用いることが好ましい。特に、半導体層２０８に接する絶縁層とし
て、加熱処理により酸素を放出する絶縁層を用いることが好ましい。
また、トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２上に絶縁層２１０が形成され、絶縁
層２１０上に絶縁層２１１が形成されている。絶縁層２１０は、保護絶縁層として機能し
、絶縁層２１０よりも上の層からトランジスタ２３２およびトランジスタ２５２への不純
物元素が拡散することを防止または低減することができる。絶縁層２１０は、絶縁層２０
５と同様の材料および方法で形成することができる。
絶縁層２１１上に層間絶縁層２１２が形成される。層間絶縁層２１２は、トランジスタ２
３２やトランジスタ２５２に起因する凹凸を吸収することができる。層間絶縁層２１２の
表面に平坦化処理を行ってもよい。平坦化処理としては特に限定されないが、研磨処理（
例えば、化学的機械研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉ
ｎｇ：ＣＭＰ））、やドライエッチング処理により行うことができる。
また、平坦化機能を有する絶縁材料を用いて層間絶縁層２１２を形成することで、研磨処
理を省略することもできる。平坦化機能を有する絶縁材料として、例えば、ポリイミド樹
脂、アクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電
率材料（ｌｏｗ－ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶
縁膜を複数積層させることで、層間絶縁層２１２を形成してもよい。
また、層間絶縁層２１２上に、発光素子１２５と、各発光素子１２５を離間するための隔
壁１１４が形成されている。
また、基板１２１には、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８が
形成されている。表示装置２００は、発光素子１２５からの光を、着色層２６６を介して
基板１２１側から射出する、所謂トップエミッション構造（上面射出構造）の表示装置で
ある。
また、発光素子１２５は、層間絶縁層２１２、絶縁層２１１、および絶縁層２１０に設け
られた開口でトランジスタ２３２と電気的に接続されている。
また、発光素子１２５を、ＥＬ層１１７から発する光を共振させる微小光共振器（「マイ
クロキャビティ」ともいう）構造とすることで、異なる発光素子１２５で同じＥＬ層１１
７を用いても、異なる波長の光を狭線化して取り出すことができる。
一例として、図１６に、発光素子１２５をマイクロキャビティ構造とした表示装置２００
の断面図を示す。なお、図１６（Ａ）は、図１５（Ａ）中にＡ３－Ａ４の一点鎖線で示す
部位近傍の断面図に相当する。また、図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）に示した部位２８０
の拡大図である。
発光素子１２５をマイクロキャビティ構造とする場合、電極１１８を入射光量のうち一定
光量の光を透過して一定光量の光を反射する（半透過）導電性材料を用いて形成し、電極
１１５を、反射率の高い（可視光の反射率が５０％以上１００％以下、好ましくは７０％
以上１００％以下）導電性材料と、透過率の高い（可視光の透過率が５０％以上１００％
以下、好ましくは７０％以上１００％以下）導電性材料の積層で形成する。ここでは、電
極１１５を、光を反射する導電性材料で形成された電極１１５ａと、光を透過する導電性
材料で形成された電極１１５ｂの積層としている。電極１１５ｂは、ＥＬ層１１７と電極
１１５ａの間に設ける（図１６（Ｂ）参照）。電極１１５ａは反射電極として、電極１１
８は半反射電極として機能できる。
例えば、電極１１８として、厚さ１ｎｍ乃至３０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ乃至１５ｎｍの
銀（Ａｇ）を含む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料などを用い
ればよい。本実施の形態では、電極１１８として厚さ１０ｎｍの銀とマグネシウムを含む
導電性材料を用いる。
また、電極１１５ａとして厚さ５０ｎｍ乃至５００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ乃至２００
ｎｍの銀（Ａｇ）を含む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料など
を用いればよい。本実施の形態では、電極１１５ａとして厚さ１００ｎｍの銀を含む導電
性材料を用いる。
また、電極１１５ｂとして厚さ１ｎｍ乃至２００ｎｍ、好ましくは５ｎｍ乃至１００ｎｍ
のインジウム（Ｉｎ）を含む導電性酸化物、または亜鉛（Ｚｎ）を含む導電性酸化物など
を用いればよい。本実施の形態では、電極１１５ｂとしてインジウム錫酸化物を用いる。
また、電極１１５ａの下に、さらに導電性酸化物を設けてもよい。
電極１１５ｂの厚さｔを変えることで、電極１１８とＥＬ層１１７の界面から電極１１５
ａと電極１１５ｂの界面までの距離ｄを任意の値に設定することができる。画素ごとに電
極１１５ｂの厚さｔを変えることで、同じＥＬ層１１７を用いても、画素ごとに異なる発
光スペクトルを有する発光素子１２５を設けることができる。よって、各発光色の色純度
を高め、色再現性の良好な表示装置を実現することができる。また、画素ごと（発光色ご
と）にＥＬ層１１７を形成する必要がないため、表示装置の作製工程を少なくし、生産性
を高めることができる。また、表示装置の高精細化を容易とすることができる。
なお、距離ｄの調整方法は上記の調整方法に限定されない。例えば、ＥＬ層１１７の膜厚
を変えることで距離ｄを調整してもよい。
図１６（Ａ）は、赤色の光１５１Ｒを発光することができる画素１３０Ｒ、緑色の光１５
１Ｇを発光することができる画素１３０Ｇ、青色の光１５１Ｂを発光することができる画
素１３０Ｂ、および黄色の光１５１Ｙを発光することができる画素１３０Ｙを１つの画素
１４０として用いる例を示している。なお、本発明の一態様はこれに限定されず、画素１
４０として、赤、緑、青、黄、シアン、マゼンダ、または白などの光を発光することがで
きる副画素を適宜組み合わせて用いればよい。例えば、画素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、お
よび画素１３０Ｂの３つの副画素で画素１４０を構成してもよい。
また、発光素子１２５と重畳する位置に着色層２６６を設けて、光１５１が着色層２６６
を透過して外部に射出する構成としてもよい。図１７に、図１６に示した表示装置２００
に着色層２６６を組み合わせた場合の構成例を示す。図１７に示す表示装置２００は、赤
色の光１５１Ｒを発光することができる画素１３０Ｒと重ねて赤色の波長帯域の光を透過
する着色層２６６Ｒが設けられ、緑色の光１５１Ｇを発光することができる画素１３０Ｇ
と重ねて緑色の波長帯域の光を透過する着色層２６６Ｇが設けられ、青色の光１５１Ｂを
発光することができる画素１３０Ｂと重ねて青色の波長帯域の光を透過する着色層２６６
Ｂが設けられ、黄色の光１５１Ｙを発光することができる画素１３０Ｙと重ねて黄色の波
長帯域の光を透過する着色層２６６Ｙが設けられている。
画素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、画素１３０Ｂに加えて画素１３０Ｙを用いることで、表示
装置の色再現性を高めることができる。また、画素１４０を画素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ
、および画素１３０Ｂのみで構成する場合、画素１４０の発光色を白としたい時は、画素
１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、および画素１３０Ｂの全てを発光させる必要がある。一方、画
素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、および画素１３０Ｂに加えて、画素１３０Ｙを設けることで
、画素１３０Ｂと画素１３０Ｙのみを発光させて、白色光を得ることが可能となる。よっ
て、画素１３０Ｒと画素１３０Ｇを発光させなくても白色光を得ることができるため、表
示装置の消費電力を低減することができる。
また、画素１３０Ｙに代えて、白色の光１５１Ｗを発光することができる画素１３０Ｗを
用いてもよい。画素１３０Ｙに代えて、画素１３０Ｗを用いることで、画素１３０Ｗのみ
の発光により白色光を得ることができるため、表示装置の消費電力をより低減することが
できる。
なお、画素１３０Ｗを用いる場合は、画素１３０Ｗに着色層を設けなくてもよい。着色層
を設けないことで、表示領域の輝度が向上し、視認性の良好な表示装置を実現することが
できる。また、表示装置の消費電力をより低減することができる。
また、画素１３０Ｗに可視光領域のほぼ全体を透過する着色層２６６Ｗを設けてもよい。
画素１３０Ｗに、可視光領域のほぼ全体を透過する着色層２６６Ｗを設けることで、白色
の光１５１Ｗの色温度を変化させることができる。よって、表示品位の良好な表示装置を
実現することができる。
また、マイクロキャビティ構造の発光素子１２５と着色層２６６を組み合わせて用いるこ
とにより、光１５１の色純度をさらに高めることができる。よって、表示装置２００の色
再現性を高めることができる。また、外部から入射した光は、着色層２６６で大部分が吸
収されるため、外部から入射した光の表示領域２３１への映り込みを軽減し、表示装置の
視認性を高めることができる。よって、表示品位の良好な表示装置を実現することができ
る。
また、本実施の形態では、表示装置の一例として、アクティブマトリクス型の表示装置に
ついて例示したが、パッシブマトリクス型の表示装置に適用することも可能である。また
、ボトムエミッション構造の表示装置、デュアルエミッション構造の表示装置にも適用可
能である。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態３）
本発明の一態様の表示装置１１００の構成例について、図１８乃至図３１を用いて説明す
る。図１８（Ａ）は外部電極１２４が接続された表示装置１１００の斜視図であり、図１
８（Ｂ）は、図１８（Ａ）にＡ５－Ａ６の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、本
明細書に開示する表示装置１１００は、表示素子として発光素子を用いた表示装置である
。また、本発明の一態様の表示装置１１００として、トップエミッション構造（上面射出
構造）の表示装置を例示する。なお、表示装置１１００をボトムエミッション構造（下面
射出構造）、またはデュアルエミッション構造（両面射出構造）の表示装置とすることも
可能である。
＜表示装置の構成＞
本実施の形態に示す表示装置１１００は、表示領域１３１を有する。また、表示領域１３
１は、複数の画素１３０を有する。一つの画素１３０は、少なくとも一つの発光素子１２
５を有する。
本実施の形態に示す表示装置１１００は、発光素子１２５、隔壁１１４、および電極１１
６を有する。また、電極１１６上に絶縁層１４１を有し、絶縁層１４１に設けられた開口
において、電極１１５と電極１１６が電気的に接続されている。また、隔壁１１４は電極
１１５上に設けられ、電極１１５および隔壁１１４上にＥＬ層１１７が設けられ、ＥＬ層
１１７上に電極１１８が設けられている。
基板１１１上には、接着層１１２、絶縁層１１９、および絶縁層１４１を介して発光素子
１２５が設けられている。発光素子１２５は、電極１１５、ＥＬ層１１７、および電極１
１８を含む。
また、本実施の形態に示す表示装置１１００は、電極１１８上に接着層１２０を介して設
けられた基板１２１を有する。また、基板１２１には、接着層１２２および絶縁層１２９
を介して、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８が設けられてい
る。
本実施の形態に示す表示装置１１００は、トップエミッション構造の表示装置であるため
、ＥＬ層１１７から射出された光１５１は、基板１２１側から射出される。ＥＬ層１１７
から射出された光１５１は、着色層２６６透過時にその一部が吸収されて、特定の色の光
に変換される。換言すると、着色層２６６は、特定の波長領域の光を透過する。着色層２
６６は、光１５１を異なる色の光に変換するための光学フィルター層として機能できる。
また、本実施の形態では電極１１６を電極１１６ａと電極１１６ｂの積層として示してい
るが、電極１１６は単層でもよいし３層以上の積層としてもよい。
また、基板１１１、接着層１１２、および絶縁層１１９は、それぞれが開口部を有する。
それぞれの開口部は互いに重なる領域を有し、かつ、電極１１６と重なる領域を有する。
本明細書等では、これらの開口部を併せて開口１１３２と呼ぶ。開口１１３２において、
外部電極１２４と電極１１６が、異方性導電接続層１３８を介して電気的に接続されてい
る。
なお、図１９に示すように、表示装置１１００の構成を、遮光層２６４、着色層２６６、
およびオーバーコート層２６８を設けない構成とすることもできる。図１９（Ａ）は、遮
光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けない表示装置１１００
の斜視図であり、図１９（Ｂ）は、図１９（Ａ）にＡ５－Ａ６の一点鎖線で示す部位の断
面図である。
特に、ＥＬ層１１７を、画素ごとに射出する光１５１の色を変える、いわゆる塗り分け方
式で形成する場合は、着色層２６６を設けてもよいし、設けなくてもよい。
遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８のうち、少なくとも１つま
たは全てを設けないことで、表示装置１１００の製造コストの低減、または、歩留まりの
向上などを実現することができる。また、着色層２６６を設けないことで光１５１を効率
よく射出することができるので、輝度の向上や、消費電力の低減などを実現することがで
きる。
一方、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けると、外光の
映り込みを軽減し、コントラスト比の向上や、色再現性の向上などを実現することができ
る。
なお、表示装置１１００をボトムエミッション構造の表示装置とする場合は、基板１１１
側に、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けてもよい（図
２０（Ａ）参照）。また、表示装置１１００をデュアルエミッション構造の表示装置とす
る場合は、基板１１１側および基板１２１側のどちらか一方または両方に遮光層２６４、
着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けてもよい（図２０（Ｂ）参照）。
また、発光素子１２５と電極１１６の間に、発光素子１２５に信号を供給する機能を有す
るスイッチング素子を設けてもよい。例えば、発光素子１２５と電極１１６の間に、トラ
ンジスタを設けてもよい。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流および／または電圧の増幅や、導通または
非導通を制御するスイッチング動作などを実現することができる。発光素子１２５と電極
１１６の間にトランジスタを設けることで、表示領域１３１の大面積化や、高精細化など
の実現を容易とすることができる。なお、トランジスタなどのスイッチング素子に限らず
、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、整流素子などを表示領域１３１内に設けることも
できる。
表示装置１１００は、実施の形態１に示した表示装置１００と同様の材料を用いて作製す
ることができる。よって、ここでの表示装置１１００の構成材料についての詳細な説明は
省略する。
＜表示装置の作製方法＞
次に、図２１乃至図２７を用いて、表示装置１１００の作製方法を例示する。なお、図２
１乃至図２７は、図１８中にＡ５－Ａ６の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。なお、
説明の繰り返しを減らすため、表示装置１００の作製方法と共通する部分の説明は、実施
の形態１を参酌するものとする。本実施の形態では、主に表示装置１００の作製方法と異
なる部分について説明する。
《１．素子基板１１７１の作製》
はじめに、素子基板１１７１の作製方法について例示する。なお、本実施の形態において
、基板１０１上に発光素子１２５を形成した基板を、素子基板１１７１と呼ぶ。
〔剥離層１４４の形成〕
まず、基板１０１上に剥離層１１３を形成する（図２１（Ａ）参照。）。本実施の形態で
は、基板１０１にアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。また、基板１０１上に形成する剥
離層１１３として、スパッタリング法によりタングステンを形成する。
続いて、剥離層１１３上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、剥離層
１１３の一部を選択的に除去して、開口１５２を有する剥離層１４４を形成する（図２１
（Ｂ）参照）。
〔絶縁層１１９の形成〕
次に、剥離層１４４上に絶縁層１１９を形成する（図２１（Ｃ）参照。）。本実施の形態
では、絶縁層１１９として、基板１０１側から、厚さ６００ｎｍの酸化窒化シリコン、厚
さ２００ｎｍの窒化シリコン、厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコン、厚さ１４０ｎｍの窒
化酸化シリコン、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコンの積層膜をプラズマＣＶＤ法により
形成する。
なお、絶縁層１１９の形成前に、剥離層１４４の表面を、酸素を有する雰囲気に曝すこと
が好ましい。
本実施の形態では、試料をプラズマＣＶＤ装置の処理室内に配置した後、当該処理室内に
一酸化二窒素を供給してプラズマ雰囲気を発生させて試料表面を該雰囲気に曝す。続いて
、試料表面に絶縁層１１９を形成する。
〔電極１１６の形成〕
次に、絶縁層１１９上に電極１１６を形成するための導電層１２６ａと導電層１２６ｂを
形成する。まず、導電層１２６ｂとして絶縁層１１９上にスパッタリング法によりタング
ステン膜を形成する。続いて、導電層１２６ｂ上に、導電層１２６ａとしてスパッタリン
グ法により二層のモリブデンの間にアルミニウムを挟んだ三層の金属膜を形成する（図２
１（Ｃ）参照。）。
続いて、導電層１２６ａ上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、導電
層１２６ａおよび導電層１２６ｂを所望の形状にエッチングして、電極１１６（電極１１
６ａおよび電極１１６ｂ）を形成することができる（図２１（Ｄ）参照）。
また、電極１１６（これらと同じ層で形成される他の電極または配線を含む）は、その端
部をテーパー形状とすることで、電極１１６の側面を被覆する層の被覆性を向上させるこ
とができる。具体的には、端部のテーパー角θを、８０°以下、好ましくは６０°以下、
さらに好ましくは４５°以下とする（図２１（Ｄ）参照。）。また、電極１１６の端部の
断面形状を複数段の階段形状とすることで、その上に被覆する層の被覆性を向上させるこ
ともできる。
〔絶縁層１２７の形成〕
次に、電極１１６および絶縁層１１９上に絶縁層１２７を形成する（図２２（Ａ）参照）
。本実施の形態では、絶縁層１２７としてプラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコンを形
成する。
次に、絶縁層１２７上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、電極１１
６と重なる絶縁層１２７の一部を選択的に除去し、開口１２８を有する絶縁層１４１を形
成する（図２２（Ｂ）参照）。
〔電極１１５の形成〕
次に、絶縁層１４１上に電極１１５を形成するための導電層１４５を形成する（図２２（
Ｃ）参照）。導電層１４５は、導電層１２６ａ（電極１１６ａ）と同様の材料および方法
で形成することができる。
次に、導電層１４５上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、導電層１
４５の一部を選択的に除去し、電極１１５を形成する（図２２（Ｄ）参照）。本実施の形
態では、導電層１４５（電極１１５）を、銀の上にインジウム錫酸化物を積層した材料で
形成する。電極１１５と電極１１６は、開口１２８で電気的に接続する。
〔隔壁１１４の形成〕
次に、電極１１５上に隔壁１１４を形成する（図２３（Ａ）参照）。本実施の形態では、
隔壁１１４を感光性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工すること
により形成する。本実施の形態では、隔壁１１４を、感光性を有するポリイミド樹脂を用
いて形成する。
〔ＥＬ層１１７の形成〕
次に、ＥＬ層１１７を、電極１１５および隔壁１１４上に形成する（図２３（Ｂ）参照）
。
〔電極１１８の形成〕
次に、電極１１８をＥＬ層１１７上に形成する。本実施の形態では、電極１１８としてマ
グネシウムと銀の合金を用いる（図２３（Ｃ）参照）。
《２．対向基板１１８１の作製》
続いて、対向基板１１８１の作製方法について説明する。
〔剥離層１４３の形成〕
まず、基板１０２上に剥離層１４３を形成する（図２４（Ａ）参照。）。本実施の形態で
は、基板１０２にアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。また、基板１０２上に形成する剥
離層１４３として、スパッタリング法によりタングステンを形成する。
なお、剥離層１４３の形成後に、剥離層１４３の表面を、酸素を有する雰囲気または酸素
を有するプラズマ雰囲気に曝すことが好ましい。剥離層１４３の表面を酸化することで、
後の工程で行われる基板１０２の剥離を容易とすることができる。
〔絶縁層１２９の形成〕
次に、剥離層１４３上に絶縁層１２９を形成する（図２４（Ａ）参照。）。絶縁層１２９
は、絶縁層１１９と同様の材料および方法で形成することができる。本実施の形態では、
絶縁層１２９として、基板１０２側から、厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコン、厚さ１４
０ｎｍの窒化酸化シリコン、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコンの積層膜をプラズマＣＶ
Ｄ法により形成する。
〔遮光層２６４の形成〕
次に、絶縁層１２９上に、遮光層２６４を形成するための層２７４を形成する（図２４（
Ｂ）参照）。次に、層２７４上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、
層２７４の一部を選択的に除去し、遮光層２６４を形成する（図２４（Ｃ）参照）。
〔着色層２６６の形成〕
次に、絶縁層１４９上に、着色層２６６を形成する（図２４（Ｄ）参照）。画素毎に着色
層２６６の色を変えることで、カラー表示を行うことができる。
〔オーバーコート層２６８の形成〕
次に、遮光層２６４および着色層２６６上にオーバーコート層２６８を形成する（図２４
（Ｅ）参照）。
以上の工程により対向基板１１８１を形成することができる。ただし、対向基板１１８１
に着色層２６６などを設けない場合がある。
《３．素子基板１１７１と対向基板１１８１を貼り合せる》
次に、素子基板１１７１と対向基板１１８１を、接着層１２０を介して貼り合せる。この
時、素子基板１１７１上の発光素子１２５と、対向基板１１８１上の着色層２６６が向か
い合うように配置する（図２５（Ａ）参照）。
〔基板１０２の剥離〕
次に、対向基板１１８１が有する基板１０２を、剥離層１４３とともに絶縁層１２９から
剥離する（図２５（Ｂ）参照）。剥離方法としては、機械的な力を加えること（人間の手
や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理、超音波等）を用い
て行えばよい。たとえば、対向基板１１８１の側面から、剥離層１４３と絶縁層１２９の
界面に鋭利な刃物またはレーザー光照射等で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入す
る。毛細管現象により水が剥離層１４３と絶縁層１２９の界面にしみこむことにより、剥
離層１４３とともに基板１０２を絶縁層１２９から容易に剥離することができる。
〔基板１２１の貼り合わせ〕
次に、接着層１２２を介して基板１２１を絶縁層１２９に貼り合わせる（図２６（Ａ）参
照）。
〔基板１０１の剥離〕
次に、素子基板１１７１が有する基板１０１を、剥離層１４４とともに絶縁層１１９から
剥離する。
なお、図２６（Ａ）に示すように、基板１０１の剥離前に、開口１５２を通して光２２０
を電極１１６ｂの少なくとも一部に照射してもよい。
光２２０の照射により、電極１１６ｂの温度が上昇し、熱応力や層内に残存した気体の放
出などに起因して、電極１１６ｂと絶縁層１１９の密着性が低下する。その結果、電極１
１６ｂから絶縁層１１９が剥離しやすくなる。
図２６（Ｂ）に、素子基板１１７１が有する基板１０１を、剥離層１４４とともに絶縁層
１１９から剥離する様子を示す。この時、開口１５２と重なる領域の絶縁層１１９も一緒
に除去され、開口１３７が形成される。この時、開口１５２が電極１１６の内側に位置す
るように基板１０１を配置すると、開口１３７の形成を容易とすることができるため好ま
しい。すなわち、断面視において、開口１３７が電極１１６の端部よりも内側に形成され
ていることが好ましい。また、開口１３７の幅Ｗ１は、電極１１６表面の幅Ｗ２よりも小
さいことが好ましい。
〔基板１１１の貼り合わせ〕
次に、接着層１１２を介して、開口１１３２を有する基板１１１を絶縁層１１９に貼り合
わせる（図２７（Ａ）参照）。この時、開口１１３２と開口１３７が重なるように貼り合
せる。開口１１３２の内側において、電極１１６の表面が露出する（図２７（Ｂ）参照）
。
なお、本発明の一態様の表示装置１１００は、１つの開口１１３２内に電極１１６を複数
設けてもよいし、電極１１６毎に開口１１３２を設けてもよい。図２８（Ａ）は、１つの
開口１１３２内に複数の電極１１６を設けた表示装置１１００の斜視図であり、図２８（
Ｂ）は、図２８（Ａ）にＢ３－Ｂ４の一点鎖線で示した部位の断面図である。図２９（Ａ
）は、電極１１６毎に開口１１３２を設けた表示装置１１００の斜視図であり、図２９（
Ｂ）は、図２９（Ａ）にＢ３－Ｂ４の一点鎖線で示した部位の断面図である。
平面視において、開口１１３２を基板１１１の端部より内側に設けることで、開口１１３
２の外周部分を基板１１１と基板１２１で支える構造とすることができる。よって、外部
電極１２４と電極１１６が接続する領域の機械的強度が低下しづらく、同領域の意図しな
い変形を軽減することができる。なお、１つの開口１１３２内に電極１１６を複数設ける
よりも、電極１１６毎に開口１１３２を設ける方が、同領域の変形を軽減する効果を高め
ることができる（図２８（Ｂ）参照）。本発明の一態様によれば、表示装置１１００の破
損を防ぎ、表示装置１１００の信頼性を高めることができる。
また、基板１１１に開口１１３２を設けず、基板１１１の端部と基板１２１の端部が一致
しないように基板１１１を絶縁層１２９に貼り合せて、電極１１６の表面を露出させても
よい。図３０（Ａ）は、基板１１１の端部と基板１２１の端部が一致しないようにして電
極１１６の表面を露出させた表示装置１１００の斜視図であり、図３０（Ｂ）は、図３０
（Ａ）にＢ３－Ｂ４の一点鎖線で示した部位の断面図である。なお、図３０（Ａ）では、
基板１２１よりも小さい基板１１１を、基板１２１上に重ねる例を示しているが、基板１
１１と基板１２１が同じ大きさであってもよいし、基板１２１よりも基板１１１が大きく
てもよい。
図３０に示した表示装置１１００は、基板１１１に開口１１３２が無いため、開口１１３
２と電極１１６の位置合わせを行う必要がない。よって、本発明の一態様によれば、表示
装置１１００の生産性を高めることができる。
また、本発明の一態様によれば、電極１１６の表面を露出するための開口１１３２を設け
る必要が無いため、基板１１１の一部をレーザー光や刃物を用いて除去する必要がないた
め、電極１１６や表示領域１３１にダメージが生じにくい。
また、基板１１１または基板１２１のうち、光１５１が射出される側の基板の外側に、一
種以上の機能層１６１を設けてもよい。
図３１（Ａ）は、機能層１６１を有するトップエミッション構造の表示装置１１００の断
面図である。また、図３１（Ｂ）は、機能層１６１を有するボトムエミッション構造の表
示装置１１００の断面図である。また、図３１（Ｃ）は、機能層１６１を有するデュアル
エミッション構造の表示装置１１００の断面図である。
〔外部電極１２４の形成〕
次に、開口１１３２に異方性導電接続層１３８を形成し、異方性導電接続層１３８上に、
表示装置１１００に電力や信号を入力するための外部電極１２４を形成する（図１８参照
。）。異方性導電接続層１３８を介して外部電極１２４と電極１１６を電気的に接続する
ことができる。このようにして、表示装置１１００に電力や信号を入力することが可能と
なる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した表示装置１１００と異なる構成を有する表示
装置１２００について、図３２を用いて説明する。図３２（Ａ）は表示装置１２００の上
面図であり、図３２（Ｂ）は、図３２（Ａ）中にＡ７－Ａ８の一点鎖線で示す部位の断面
図である。
＜表示装置の構成＞
本実施の形態に示す表示装置１２００は、表示領域２３１と、周辺回路２５１を有する。
また、表示装置１２００は、電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８を含む発光素子１２
５と、電極１１６を有する。発光素子１２５は、表示領域２３１中に複数形成されている
。また、各発光素子１２５には、発光素子１２５の発光量を制御するトランジスタ２３２
が接続されている。
電極１１６は、開口１１３２に形成された異方性導電接続層１３８を介して外部電極１２
４と電気的に接続されている。また、電極１１６は、周辺回路２５１に電気的に接続され
ている。
図３３に、発光素子１２５をマイクロキャビティ構造とした表示装置１２００の断面図を
示す。なお、図３３（Ａ）は、図３２（Ａ）中にＡ７－Ａ８の一点鎖線で示す部位近傍の
断面図に相当する。図３３（Ｂ）は、図３３（Ａ）に示した部位１２８０の拡大図である
。また、図３４に、図３３に示した表示装置１２００に着色層２６６を組み合わせた場合
の構成例を示す。
なお、本実施の形態に示していない表示装置１２００の構成は、実施の形態２に示した表
示装置２００の説明を参酌して理解できる。よって、本実施の形態での詳細な説明は省略
する。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態５）
本実施の形態では、表示装置２００のより具体的な構成例について、図３５を用いて説明
する。図３５（Ａ）は、表示装置２００の構成例を説明するためのブロック図である。
図３５（Ａ）に示す表示装置２００は、表示領域２３１、駆動回路１４２ａ、駆動回路１
４２ｂ、および駆動回路１３３を有する。駆動回路１４２ａ、駆動回路１４２ｂ、および
駆動回路１３３は、上記実施の形態に示した周辺回路２５１に相当する。また、駆動回路
１４２ａ、駆動回路１４２ｂ、および駆動回路１３３をまとめて駆動回路部という場合が
ある。
駆動回路１４２ａ、駆動回路１４２ｂは、例えば走査線駆動回路として機能する。また、
駆動回路１３３は、例えば信号線駆動回路として機能する。なお、駆動回路１４２ａ、お
よび駆動回路１４２ｂは、どちらか一方のみとしてもよい。また、表示領域２３１を挟ん
で駆動回路１３３と向き合う位置に、何らかの回路を設けてもよい。
また、表示装置２００は、各々が略平行に配設され、且つ、駆動回路１４２ａ、および／
または駆動回路１４２ｂによって電位が制御されるｍ本の配線１３５と、各々が略平行に
配設され、且つ、駆動回路１３３によって電位が制御されるｎ本の配線１３６と、を有す
る。さらに、表示領域２３１はマトリクス状に配設された複数の画素回路１３４を有する
。なお、一つの画素回路１３４により、一つの副画素（画素１３０）が駆動される。
各配線１３５は、表示領域２３１においてｍ行ｎ列に配設された画素回路１３４のうち、
いずれかの行に配設されたｎ個の画素回路１３４と電気的に接続される。また、各配線１
３６は、ｍ行ｎ列に配設された画素回路１３４のうち、いずれかの列に配設されたｍ個の
画素回路１３４に電気的に接続される。ｍ、ｎは、ともに１以上の整数である。
〔発光表示装置用画素回路の一例〕
図３５（Ｂ）および図３５（Ｃ）は、図３５（Ａ）に示す表示装置の画素回路１３４に用
いることができる回路構成例を示している。
また、図３５（Ｂ）に示す画素回路１３４は、トランジスタ４３１と、容量素子２３３と
、トランジスタ２３２と、トランジスタ４３４と、を有する。また、画素回路１３４は、
発光素子１２５と電気的に接続されている。
トランジスタ４３１のソース電極およびドレイン電極の一方は、データ信号が与えられる
配線（以下、信号線ＤＬ＿ｎという）に電気的に接続される。さらに、トランジスタ４３
１のゲート電極は、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査線ＧＬ＿ｍという）に電気
的に接続される。信号線ＤＬ＿ｎと走査線ＧＬ＿ｍはそれぞれ配線１３６と配線１３５に
相当する。
トランジスタ４３１は、データ信号のノード４３５への書き込みを制御する機能を有する
。
容量素子２３３の一対の電極の一方は、ノード４３５に電気的に接続され、他方は、ノー
ド４３７に電気的に接続される。また、トランジスタ４３１のソース電極およびドレイン
電極の他方は、ノード４３５に電気的に接続される。
容量素子２３３は、ノード４３５に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能
を有する。
トランジスタ２３２のソース電極およびドレイン電極の一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電
気的に接続され、他方はノード４３７に電気的に接続される。さらに、トランジスタ２３
２のゲート電極は、ノード４３５に電気的に接続される。
トランジスタ４３４のソース電極およびドレイン電極の一方は、電位供給線Ｖ０に電気的
に接続され、他方はノード４３７に電気的に接続される。さらに、トランジスタ４３４の
ゲート電極は、走査線ＧＬ＿ｍに電気的に接続される。
発光素子１２５のアノードおよびカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接続
され、他方は、ノード４３７に電気的に接続される。
発光素子１２５としては、例えば有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子ともい
う）などを用いることができる。ただし、発光素子１２５としては、これに限定されず、
例えば無機材料からなる無機ＥＬ素子を用いても良い。
なお、電源電位としては、例えば相対的に高電位側の電位または低電位側の電位を用いる
ことができる。高電位側の電源電位を高電源電位（「ＶＤＤ」ともいう）といい、低電位
側の電源電位を低電源電位（「ＶＳＳ」ともいう）という。また、接地電位を高電源電位
または低電源電位として用いることもできる。例えば高電源電位が接地電位の場合には、
低電源電位は接地電位より低い電位であり、低電源電位が接地電位の場合には、高電源電
位は接地電位より高い電位である。
例えば、電位供給線ＶＬ＿ａまたは電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤが
与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
図３５（Ｂ）の画素回路１３４を有する表示装置では、駆動回路１４２ａ、および／また
は駆動回路１４２ｂにより各行の画素回路１３４を順次選択し、トランジスタ４３１、お
よびトランジスタ４３４をオン状態にしてデータ信号をノード４３５に書き込む。
ノード４３５にデータが書き込まれた画素回路１３４は、トランジスタ４３１、およびト
ランジスタ４３４がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、ノード４３５に書き
込まれたデータの電位に応じてトランジスタ２３２のソース電極とドレイン電極の間に流
れる電流量が制御され、発光素子１２５は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。これ
を行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
〔液晶表示装置用画素回路の一例〕
図３５（Ｃ）に示す画素回路１３４は、トランジスタ４３１と、容量素子２３３と、を有
する。また、画素回路１３４は、液晶素子４３２と電気的に接続されている。
液晶素子４３２の一対の電極の一方の電位は、画素回路１３４の仕様に応じて適宜設定さ
れる。液晶素子４３２は、ノード４３６に書き込まれるデータにより配向状態が設定され
る。なお、複数の画素回路１３４のそれぞれが有する液晶素子４３２の一対の電極の一方
に、共通の電位（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素回路１３４毎の液晶素
子４３２の一対の電極の一方に異なる電位を与えてもよい。
液晶素子４３２を備える表示装置の駆動方法としては、例えば、ＴＮモード、ＳＴＮモー
ド、ＶＡモード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉ
ｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ Ｂ
ｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅｒ
ｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、またはＴＢＡ
（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｂｅｎｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを用いてもよい。
また、表示装置の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃ
ａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＰＤＬＣ（Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬＣ
（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲストホ
ストモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子およびその駆動方式として
様々なものを用いることができる。
また、ブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈａｓｅ）を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物に
より液晶素子４３２を構成してもよい。ブルー相を示す液晶を含有する液晶表示装置は、
応答速度が１ｍｓｅｃ以下と短く、光学的等方性であるため、配向処理が不要であり、か
つ、視野角依存性が小さい。
なお、後述するように、表示素子として、発光素子１２５および液晶素子４３２以外の表
示素子を適用することも可能である。
ｍ行ｎ列目の画素回路１３４において、トランジスタ４３１のソース電極およびドレイン
電極の一方は、信号線ＤＬ＿ｎに電気的に接続され、他方はノード４３６に電気的に接続
される。トランジスタ４３１のゲート電極は、走査線ＧＬ＿ｍに電気的に接続される。ト
ランジスタ４３１は、ノード４３６へのデータ信号の書き込みを制御する機能を有する。
容量素子２３３の一対の電極の一方は、特定の電位が供給される配線（以下、容量線ＣＬ
）に電気的に接続され、他方は、ノード４３６に電気的に接続される。また、液晶素子４
３２の一対の電極の他方はノード４３６に電気的に接続される。なお、容量線ＣＬの電位
の値は、画素回路１３４の仕様に応じて適宜設定される。容量素子２３３は、ノード４３
６に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
例えば、図３５（Ｃ）の画素回路１３４を有する表示装置では、駆動回路１４２ａ、およ
び／または駆動回路１４２ｂにより各行の画素回路１３４を順次選択し、トランジスタ４
３１をオン状態にしてノード４３６にデータ信号を書き込む。
ノード４３６にデータ信号が書き込まれた画素回路１３４は、トランジスタ４３１がオフ
状態になることで保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、表示領域２３１に
画像を表示できる。
〔表示素子〕
本発明の一態様の表示装置は、様々な形態を用いること、または様々な表示素子を有する
ことが出来る。表示素子は、例えば、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青
色ＬＥＤなど）などを含むＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物および無機物
を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、トランジスタ（電流に応じて発光する
トランジスタ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電子放出素子、液晶素子、電気泳動
素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）やデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭ
Ｄ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）素子、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録商標）デ
ィスプレイ、ＩＭＯＤ（インターフェアレンス・モジュレーション）素子、圧電セラミッ
クディスプレイなどのＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用い
た表示素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。これらの他にも、電気的
または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体
を有していても良い。また、表示素子として量子ドットを用いてもよい。
ＥＬ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子
を用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）また
はＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ－ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎ－ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示
装置の一例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディス
プレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）
などがある。電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。
量子ドットを用いた表示装置の一例としては、量子ドットディスプレイなどがある。
なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電
極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、
画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。
さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である
。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態に示したトランジスタ２３２、および／またはトラン
ジスタ２５２に置き換えて用いることができるトランジスタの一例について、図３６を用
いて説明する。なお、本明細書等に開示するトランジスタは、トランジスタ４３１やトラ
ンジスタ４３４などにも用いることができる。
〔ボトムゲート型トランジスタ〕
図３６（Ａ１）に例示するトランジスタ４１０は、ボトムゲート型のトランジスタの１つ
であるチャネル保護型のトランジスタである。トランジスタ４１０は、半導体層２０８の
チャネル形成領域上に、チャネル保護層として機能できる絶縁層２０９を有する。絶縁層
２０９は、絶縁層２０５と同様の材料および方法により形成することができる。電極２１
４の一部、および電極２１５の一部は、絶縁層２０９上に形成される。
チャネル形成領域上に絶縁層２０９を設けることで、電極２１４および電極２１５の形成
時に生じる半導体層２０８の露出を防ぐことができる。よって、電極２１４および電極２
１５の形成時に半導体層２０８の薄膜化を防ぐことができる。
図３６（Ａ２）に示すトランジスタ４１１は、絶縁層２１１上にバックゲート電極として
機能できる電極２１３を有する点が、トランジスタ４１０と異なる。電極２１３は、電極
２０６と同様の材料および方法で形成することができる。また、電極２１３は、絶縁層２
１０と絶縁層２１１の間に形成してもよい。
一般に、バックゲート電極は導電層で形成され、ゲート電極とバックゲート電極で半導体
層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極は、ゲート電
極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同電位と
してもよいし、ＧＮＤ電位や、任意の電位としてもよい。また、バックゲート電極の電位
をゲート電極と連動させず独立して変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を変
化させることができる。
電極２０６および電極２１３は、どちらもゲート電極として機能することができる。よっ
て、絶縁層２０７、絶縁層２０９、絶縁層２１０、および絶縁層２１１は、ゲート絶縁層
として機能することができる。
なお、電極２０６または電極２１３の一方を、「ゲート電極」という場合、他方を「バッ
クゲート電極」という場合がある。例えば、トランジスタ４１１において、電極２１３を
「ゲート電極」と言う場合、電極２０６を「バックゲート電極」と言う場合がある。また
、電極２１３を「ゲート電極」として用いる場合は、トランジスタ４１１をトップゲート
型のトランジスタの一種と考えることができる。また、電極２０６および電極２１３のど
ちらか一方を、「第１のゲート電極」といい、他方を「第２のゲート電極」という場合が
ある。
半導体層２０８を挟んで電極２０６および電極２１３を設けることで、更には、電極２０
６および電極２１３を同電位とすることで、半導体層２０８においてキャリアの流れる領
域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。この結果、ト
ランジスタ４１１のオン電流が大きくなる共に、電界効果移動度が高くなる。
したがって、トランジスタ４１１は、占有面積に対して大きいオン電流を有するトランジ
スタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ４１１の占有面積を
小さくすることができる。
また、ゲート電極とバックゲート電極は導電層で形成されるため、トランジスタの外部で
生じる電界が、チャネルが形成される半導体層に作用しないようにする機能（特に静電気
に対する静電遮蔽機能）を有する。
また、電極２０６および電極２１３は、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有す
るため、基板１１１側もしくは電極２１３上方に生じる荷電粒子等の電荷が半導体層２０
８のチャネル形成領域に影響しない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲートに負の電
荷を印加する－ＧＢＴ（Ｇａｔｅ Ｂｉａｓ－Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）
の劣化が抑制されると共に、閾値電圧の変動を抑制することができる。なお、この効果は
、電極２０６および電極２１３が、同電位、または異なる電位の場合において生じる。
なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジ
スタの特性変化（すなわち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴ
ストレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるため
の重要な指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほ
ど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。
また、電極２０６および電極２１３を有し、且つ電極２０６および電極２１３を同電位と
することで、しきい値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトランジスタにおけ
る電気特性のばらつきも同時に低減される。
また、バックゲート電極を有するトランジスタは、ゲートに正の電荷を印加する＋ＧＢＴ
ストレス試験前後におけるしきい値電圧の変動も、バックゲート電極を有さないトランジ
スタより小さい。
また、バックゲート電極を遮光性を有する導電膜で形成することで、バックゲート電極側
から半導体層に光が入射することを防ぐことができる。よって、半導体層の光劣化を防ぎ
、トランジスタのしきい値電圧がシフトするなどの電気特性の劣化を防ぐことができる。
図３６（Ｂ１）に例示するトランジスタ４２０は、ボトムゲート型のトランジスタの１つ
であるチャネル保護型のトランジスタである。トランジスタ４２０は、トランジスタ４１
０とほぼ同様の構造を有しているが、絶縁層２０９が半導体層２０８の側面を覆っている
点が異なる。
絶縁層２０９の一部を選択的に除去して形成した開口部において、半導体層２０８と電極
２１４が電気的に接続している。また、絶縁層２０９の一部を選択的に除去して形成した
開口部において、半導体層２０８と電極２１５が電気的に接続している。絶縁層２０９の
、チャネル形成領域と重なる領域は、チャネル保護層として機能できる。
図３６（Ｂ２）に示すトランジスタ４２１は、絶縁層２１１上にバックゲート電極として
機能できる電極２１３を有する点が、トランジスタ４２０と異なる。
絶縁層２０９を設けることで、電極２１４および電極２１５の形成時に生じる半導体層２
０８の露出を防ぐことができる。よって、電極２１４および電極２１５の形成時に半導体
層２０８の薄膜化を防ぐことができる。
また、トランジスタ４２０およびトランジスタ４２１は、トランジスタ４１０およびトラ
ンジスタ４１１よりも、電極２１４と電極２０６の間の距離と、電極２１５と電極２０６
の間の距離が長くなる。よって、電極２１４と電極２０６の間に生じる寄生容量を小さく
することができる。また、電極２１５と電極２０６の間に生じる寄生容量を小さくするこ
とができる。
〔トップゲート型トランジスタ〕
図３７（Ａ１）に例示するトランジスタ４３０は、トップゲート型のトランジスタの１つ
である。トランジスタ４３０は、絶縁層１１９の上に半導体層２０８を有し、半導体層２
０８および絶縁層１１９上に、半導体層２０８の一部に接する電極２１４および半導体層
２０８の一部に接する電極２１５を有し、半導体層２０８、電極２１４、および電極２１
５上に絶縁層２０７を有し、絶縁層２０７上に電極２０６を有する。また、電極２０６上
に絶縁層２１０と、絶縁層２１１を有する。
トランジスタ４３０は、電極２０６および電極２１４、並びに、電極２０６および電極２
１５が重ならないため、電極２０６および電極２１４間に生じる寄生容量、並びに、電極
２０６および電極２１５間に生じる寄生容量を小さくすることができる。また、電極２０
６を形成した後に、電極２０６をマスクとして用いて不純物元素２２１を半導体層２０８
に導入することで、半導体層２０８中に自己整合（セルフアライメント）的に不純物領域
を形成することができる（図３７（Ａ３）参照）。。
なお、不純物元素２２１の導入は、イオン注入装置、イオンドーピング装置またはプラズ
マ処理装置を用いて行うことができる。
不純物元素２２１としては、例えば、第１３族元素または第１５族元素のうち、少なくと
も一種類の元素を用いることができる。また、半導体層２０８に酸化物半導体を用いる場
合は、不純物元素２２１として、希ガス、水素、および窒素のうち、少なくとも一種類の
元素を用いることも可能である。
図３７（Ａ２）に示すトランジスタ４３１は、電極２１３および絶縁層２１７を有する点
がトランジスタ４３０と異なる。トランジスタ４３１は、絶縁層１１９の上に形成された
電極２１３を有し、電極２１３上に形成された絶縁層２１７を有する。前述した通り、電
極２１３は、バックゲート電極として機能することができる。よって、絶縁層２１７は、
ゲート絶縁層として機能することができる。絶縁層２１７は、絶縁層２０５と同様の材料
および方法により形成することができる。
トランジスタ４１１と同様に、トランジスタ４３１は、占有面積に対して大きいオン電流
を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ４
３１の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの占
有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半導
体装置を実現することができる。
図３７（Ｂ１）に例示するトランジスタ４４０は、トップゲート型のトランジスタの１つ
である。トランジスタ４４０は、電極２１４および電極２１５を形成した後に半導体層２
０８を形成する点が、トランジスタ４３０と異なる。また、図３７（Ｂ２）に例示するト
ランジスタ４４１は、電極２１４および電極２１５を形成した後に半導体層２０８を形成
する点が、トランジスタ４３１と異なる。よって、トランジスタ４４０およびトランジス
タ４４１において、半導体層２０８の一部は電極２１４上に形成され、半導体層２０８の
他の一部は電極２１５上に形成される。
トランジスタ４４０およびトランジスタ４４１も、電極２０６を形成した後に、電極２０
６をマスクとして用いて不純物元素２２１を半導体層２０８に導入することで、半導体層
２０８中に自己整合的に不純物領域を形成することができる。
なお、本明細書等で開示された、金属膜、半導体膜、無機絶縁膜など様々な膜はスパッタ
法やプラズマＣＶＤ法により形成することができるが、他の方法、例えば、熱ＣＶＤ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成してもよい。熱ＣＶ
Ｄ法の例としてＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉ
ｏｎ）法を使っても良い。
熱ＣＶＤ法は、プラズマを使わない成膜方法のため、プラズマダメージにより欠陥が生成
されることが無いという利点を有する。
熱ＣＶＤ法は、原料ガスと酸化剤を同時にチャンバー内に送り、チャンバー内を大気圧ま
たは減圧下とし、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を行
ってもよい。
また、ＡＬＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、反応のための原料ガスが順
次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行ってもよい。
例えば、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブとも呼ぶ）を切り替えて２種類以上
の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の原
料ガスと同時またはその後に不活性ガス（アルゴン、或いは窒素など）などを導入し、第
２の原料ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスはキ
ャリアガスとなり、また、第２の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入してもよ
い。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排出した後
、第２の原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第１の層を
成膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の層が第１の層上に積層され
て薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるまで複数回繰り返
すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さは、ガス導入順
序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚調節が可能であり、微
細なＦＥＴを作製する場合に適している。
ＭＯＣＶＤ法やＡＬＤ法などの熱ＣＶＤ法は、これまでに記載した実施形態に開示された
金属膜、半導体膜、無機絶縁膜など様々な膜を形成することができ、例えば、Ｉｎ－Ｇａ
－Ｚｎ－Ｏ膜を成膜する場合には、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ３）３）、トリメ
チルガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）３）、およびジメチル亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ３）２）を用いる
。また、これらの組み合わせに限定されず、トリメチルガリウムに代えてトリエチルガリ
ウム（Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３）を用いることもでき、ジメチル亜鉛に代えてジエチル亜鉛（
Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２）を用いることもできる。
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化ハフニウム膜を形成する場合には、溶媒と
ハフニウム前駆体化合物を含む液体（ハフニウムアルコキシドや、テトラキスジメチルア
ミドハフニウム（ＴＤＭＡＨ、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ３）２］４）などのハフニウムアミド）を
気化させた原料ガスと、酸化剤としてオゾン（Ｏ３）の２種類のガスを用いる。他の材料
としては、テトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウムなどがある。
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化アルミニウム膜を形成する場合には、溶媒
とアルミニウム前駆体化合物を含む液体（トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ、Ａｌ（ＣＨ
３）３）など）を気化させた原料ガスと、酸化剤としてＨ２Ｏの２種類のガスを用いる。
また、他の材料としては、トリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブチルアル
ミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオ
ナート）などがある。
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化シリコン膜を形成する場合には、ヘキサク
ロロジシランを被成膜面に吸着させ、酸化性ガス（Ｏ２、一酸化二窒素）のラジカルを供
給して吸着物と反応させる。
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置によりタングステン膜を成膜する場合には、ＷＦ６ガ
スとＢ２Ｈ６ガスを順次繰り返し導入して初期タングステン膜を形成し、その後、ＷＦ６
ガスとＨ２ガスを順次繰り返し導入してタングステン膜を形成する。なお、Ｂ２Ｈ６ガス
に代えてＳｉＨ４ガスを用いてもよい。
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化物半導体膜、例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ
膜を成膜する場合には、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入してＩｎ－
Ｏ層を形成し、その後、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入してＧａＯ
層を形成し、更にその後Ｚｎ（ＣＨ３）２ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入してＺｎＯ
層を形成する。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを用い
てＩｎ－Ｇａ－Ｏ層やＩｎ－Ｚｎ－Ｏ層、Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ層などの混合酸化物層を形成し
ても良い。なお、Ｏ３ガスに変えてＡｒ等の不活性ガスで水をバブリングして得られたＨ
２Ｏガスを用いても良いが、Ｈを含まないＯ３ガスを用いる方が好ましい。また、Ｉｎ（
ＣＨ３）３ガスにかえて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｇａ（ＣＨ３
）３ガスにかえて、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｚｎ（ＣＨ３）２ガ
スを用いても良い。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態７）
本実施の形態では、発光素子１２５に用いることができる発光素子の構成例について説明
する。なお、本実施の形態に示すＥＬ層３２０が、他の実施の形態に示したＥＬ層１１７
に相当する。
＜発光素子の構成＞
図３８（Ａ）に示す発光素子３３０は、一対の電極（電極３１８、電極３２２）間にＥＬ
層３２０が挟まれた構造を有する。電極３１８、電極３２２、ＥＬ層３２０は、それぞれ
上記実施の形態の電極１１５、電極１１８、ＥＬ層１１７に相当する。なお、以下の本実
施の形態の説明においては、例として、電極３１８を陽極として用い、電極３２２を陰極
として用いるものとする。
また、ＥＬ層３２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外の
機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高い
物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポー
ラ性（電子および正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具
体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わ
せて用いることができる。
図３８（Ａ）に示す発光素子３３０は、電極３１８と電極３２２との間に与えられた電位
差により電流が流れ、ＥＬ層３２０において正孔と電子とが再結合し、発光するものであ
る。つまりＥＬ層３２０に発光領域が形成されるような構成となっている。
本発明において、発光素子３３０からの発光は、電極３１８、または電極３２２側から外
部に取り出される。従って、電極３１８、または電極３２２のいずれか一方は透光性を有
する物質で成る。
なお、ＥＬ層３２０は図３８（Ｂ）に示す発光素子３３１のように、電極３１８と電極３
２２との間に複数積層されていても良い。ｎ層（ｎは２以上の自然数）の積層構造を有す
る場合には、ｍ番目（ｍは、１≦ｍ＜ｎを満たす自然数）のＥＬ層３２０と、（ｍ＋１）
番目のＥＬ層３２０との間には、それぞれ電荷発生層３２０ａを設けることが好ましい。
電極３１８と電極３２２を除く構成が上記実施の形態のＥＬ層１１７に相当する。
電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料を用いて形成することができ
る。金属酸化物としては、例えば、酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステン
等が挙げられる。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香
族炭化水素、または、それらを基本骨格とするオリゴマー、デンドリマー、ポリマー等な
ど、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機化
合物として正孔移動度が１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好ましい
。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい
。なお、電荷発生層３２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送性
に優れているため、発光素子３３０の低電流駆動、および低電圧駆動を実現することがで
きる。上記複合材料以外にも、上記金属酸化物、有機化合物とアルカリ金属、アルカリ土
類金属、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物などを電荷発生層３２０ａに用い
ることができる。
なお、電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み合
わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子供
与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合わ
せて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電膜
とを組み合わせて形成してもよい。
このような構成を有する発光素子３３１は、隣接するＥＬ層３２０同士でのエネルギーの
移動が起こり難く、高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易であ
る。また、一方の発光層で燐光発光、他方で蛍光発光を得ることも容易である。
なお、電荷発生層３２０ａとは、電極３１８と電極３２２に電圧を印加したときに、電荷
発生層３２０ａに接して形成される一方のＥＬ層３２０に対して正孔を注入する機能を有
し、他方のＥＬ層３２０に電子を注入する機能を有する。
図３８（Ｂ）に示す発光素子３３１は、ＥＬ層３２０に用いる発光物質の種類を変えるこ
とにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数の
発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもでき
る。
図３８（Ｂ）に示す発光素子３３１を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の組み
合わせとしては、赤、青および緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例え
ば、青色の蛍光材料を発光物質として含むＥＬ層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質と
して含むＥＬ層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示すＥＬ層と、緑色の発
光を示すＥＬ層と、青色の発光を示すＥＬ層とを有する構成とすることもできる。または
、補色の関係にある光を発するＥＬ層を有する構成であっても白色発光が得られる。ＥＬ
層が２層積層された積層型素子において、これらのＥＬ層からの発光色を補色の関係にす
る場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色などの組合せが挙げら
れる。
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置す
ることにより、電流密度を低く保ったまま高輝度発光が得られ、また、長寿命の素子を実
現することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る表示装置を用いた表示モジュールについて、図
３９を用いて説明を行う。
図３９に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との
間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチセンサ８００４、ＦＰＣ８００５に接続された
セル８００６、バックライトユニット８００７、フレーム８００９、プリント基板８０１
０、バッテリー８０１１を有する。なお、上部カバー８００１、下部カバー８００２、バ
ックライトユニット８００７、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリー８
０１１、タッチセンサ８００４などの少なくとも１つを有さない場合もある。
本発明の一態様に係る表示装置は、例えば、セル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１および下部カバー８００２は、タッチセンサ８００４およびセル８０
０６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチセンサ８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサをセル８００６
に重畳して用いることができる。また、セル８００６の対向基板（封止基板）に、タッチ
センサ機能を持たせるようにすることも可能である。または、セル８００６の各画素内に
光センサを設け、光学式のタッチセンサとすることも可能である。または、セル８００６
の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、容量型式のタッチセンサとすることも可能であ
る。
バックライトユニット８００７は、光源８００８を有する。光源８００８をバックライト
ユニット８００７の端部に設け、光拡散板を用いる構成としてもよい。また、セル８００
６として、発光素子などを有する表示装置を用いる場合は、バックライトユニット８００
７を設けなくてもよい。
フレーム８００９は、セル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により
発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有してもよい。またフレー
ム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号およびクロック信号を出力するための信
号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であって
もよいし、別途設けたバッテリー８０１１による電源であってもよい。外部電源を用いる
場合には、バッテリー８０１１を有さなくてもよい。
また、表示モジュール８０００には、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追
加して設けてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が適用された電子機器や照明装置の例につ
いて、図面を参照して説明する。
本発明の一態様に係る表示装置を用いた電子機器として、テレビ、モニタ等の表示装置、
照明装置、デスクトップ型或いはノート型のパーソナルコンピュータ、ワードプロセッサ
、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）などの記録媒体に記憶され
た静止画または動画を再生する画像再生装置、ポータブルＣＤプレーヤ、ラジオ、テープ
レコーダ、ヘッドホンステレオ、ステレオ、置き時計、壁掛け時計、コードレス電話子機
、トランシーバ、携帯電話、自動車電話、携帯型ゲーム機、タブレット型端末、パチンコ
機などの大型ゲーム機、電卓、携帯情報端末、電子手帳、電子書籍、電子翻訳機、音声入
力機器、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電気シェーバ、電子レンジ等の高周波加
熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、電気掃除機、温水器、扇風機、毛髪乾燥機、エアコン
ディショナー、加湿器、除湿器などの空調設備、食器洗い器、食器乾燥器、衣類乾燥器、
布団乾燥器、電気冷蔵庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、ＤＮＡ保存用冷凍庫、懐中電灯
、チェーンソー等の工具、煙感知器、透析装置等の医療機器などが挙げられる。さらに、
誘導灯、信号機、ベルトコンベア、エレベータ、エスカレータ、産業用ロボット、電力貯
蔵システム、電力の平準化やスマートグリッドのための蓄電装置などの産業機器が挙げら
れる。また、蓄電体からの電力を用いて電動機により推進する移動体なども、電子機器の
範疇に含まれるものとする。上記移動体として、例えば、電気自動車（ＥＶ）、内燃機関
と電動機を併せ持ったハイブリッド車（ＨＥＶ）、プラグインハイブリッド車（ＰＨＥＶ
）、これらのタイヤ車輪を無限軌道に変えた装軌車両、電動アシスト自転車を含む原動機
付自転車、自動二輪車、電動車椅子、ゴルフ用カート、小型または大型船舶、潜水艦、ヘ
リコプター、航空機、ロケット、人工衛星、宇宙探査機や惑星探査機、宇宙船などが挙げ
られる。
特に、フレキシブルな形状を備える表示装置を適用した電子機器として、例えば、テレビ
ジョン装置（テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニ
タ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携
帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチ
ンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、照明装置や表示装置を、家屋やビルの内壁または外壁や、自動車の内装または外装
の曲面に沿って組み込むことも可能である。
図４０（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、ス
ピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、表示
装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
図４０（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
また操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部７４０２に表示さ
れる画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュ
ー画面に切り替えることができる。
ここで、表示部７４０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがっ
て、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機とすることができる。
図４０（Ｂ）は、リストバンド型の表示装置の一例を示している。携帯表示装置７１００
は、筐体７１０１、表示部７１０２、操作ボタン７１０３、および送受信装置７１０４を
備える。
携帯表示装置７１００は、送受信装置７１０４によって映像信号を受信可能で、受信した
映像を表示部７１０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。
また、操作ボタン７１０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。
ここで、表示部７１０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがっ
て、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置とすることができる。
図４０（Ｃ）乃至図４０（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照
明装置７２１０、照明装置７２２０はそれぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２
０１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。
図４０（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備える
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
図４０（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つの
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に全
方位を照らすことができる。
図４０（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。した
がって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。
また、照明装置７２００、照明装置７２１０および照明装置７２２０が備える各々の発光
部はフレキシブル性を有しているため、当該発光部を可塑性の部材や可動なフレームなど
の部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
ここで、照明装置７２００、照明装置７２１０および照明装置７２２０が備える各々の発
光部には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、表示部を任意の
形状に湾曲または屈曲可能であり、且つ信頼性の高い照明装置とすることができる。
図４１（Ａ）に、携帯型の表示装置の一例を示す。表示装置７３００は、筐体７３０１、
表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部７３０５を備える
。
表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示部
７３０２を備える。
また、表示装置７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した映像
を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５には蓄電装置を備える
。また、制御部７３０５にコネクタを備え、映像信号や電力を直接供給する構成としても
よい。
また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
等を行うことができる。
図４１（Ｂ）に、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態を示す。
この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。また、筐体７３０１の表面に
配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作することができる。
なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２が湾曲しないよう、表示部７３０
２の端部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によっ
て音声を出力する構成としてもよい。
表示部７３０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、表示
部７３０２はフレキシブルで且つ信頼性の高い表示装置であるため、表示装置７３００は
軽量で且つ信頼性の高い表示装置とすることができる。
図４２（Ａ）および図４２（Ｂ）は、２つ折り可能なタブレット型端末９６００を例示し
ている。図４２（Ａ）は、タブレット型端末９６００を開いた状態であり、タブレット型
端末９６００は、筐体９６３０、表示部９６３１、表示モード切り替えスイッチ９６２６
、電源スイッチ９６２７、省電力モード切り替えスイッチ９６２５、留め具９６２９、操
作スイッチ９６２８、を有する。
筐体９６３０は、筐体９６３０ａと筐体９６３０ｂを有し、筐体９６３０ａと筐体９６３
０ｂは、ヒンジ部９６３９により結合されている。また、筐体９６３０は、ヒンジ部９６
３９により２つ折り可能となっている。
また、表示部９６３１は、筐体９６３０ａ、筐体９６３０ｂ、およびヒンジ部９６３９上
に形成されている。表示部９６３１に本明細書等に開示した表示装置を用いることにより
、表示部９６３１の屈曲が可能で、信頼性の高いタブレット型端末とすることが可能とな
る。
表示部９６３１は、一部をタッチセンサの領域９６３２とすることができ、表示された操
作キー９６３８にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３１は
、例えば、半分の領域が表示のみの機能を有する構成とし、もう半分の領域をタッチセン
サの機能を有する構成とすることができる。また、表示部９６３１全ての領域がタッチセ
ンサの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６３１の全面にキーボードボタ
ン表示させて、データ入力端末とすることもできる。
また、表示モード切り替えスイッチ９６２６は、縦表示または横表示などの表示の向きを
切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えス
イッチ９６２５は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光
の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セン
サだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を
内蔵させてもよい。
図４２（Ｂ）は、タブレット型端末９６００を閉じた状態であり、タブレット型端末９６
００は、筐体９６３０、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４を有する。なお、図
４２（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコン
バータ９６３６を有する構成について示している。
表示部９６３１に本明細書等に開示した表示装置を用いることにより、表示部９６３１を
折り曲げることができる。例えば、タブレット型端末９６００は２つ折り可能なため、未
使用時に筐体９６３０を閉じた状態にすることができる。従って、可搬性に優れ、また、
筐体９６３０を閉じることで表示部９６３１を保護できるため、耐久性に優れ、長期使用
の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末とすることができる。
また、この他にも図４２（Ａ）および図４２（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な
情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付または時刻
などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作または編集するタ
ッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有
することができる。
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチセンサ、
表示部、または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、
筐体９６３０の片面または両面に設けることができ、バッテリー９６３５の充電を効率的
に行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリー９６３５としては、リチ
ウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
また、図４２（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、および動作について図４２（
Ｃ）にブロック図を示し説明する。図４２（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９
６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３
、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３
６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図４２（Ｂ）に示す充放電制御
回路９６３４に対応する箇所となる。
まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する。
太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣＤ
Ｃコンバータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太
陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９
６３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部
９６３１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテリー
９６３５の充電を行う構成とすればよい。
なお太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧
電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバッ
テリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受
信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成
としてもよい。
図４３および図４４に示す電子機器７７００は、折り曲げることができる上記実施の形態
に開示した表示装置を用いた表示部７７０２を有している。図４３（Ａ）は、表示部７７
０２を開いた状態の平面図を示している。また、電子機器７７００の断面図を図４３（Ｂ
）に示しており、蓄電装置７７０４が内部に設けられている。また、表示部７７０２を開
いた状態の外観斜視図が図４４（Ａ）に相当する。
また、折り曲げるためのヒンジ７７０１、ヒンジ７７０３が設けられており、表示部７７
０２は、プラスチック基板上に有機ＥＬ素子を有するアクティブマトリクス型表示装置で
あり、フレキシブル表示パネルである。例えば、酸化物半導体層を有するトランジスタを
有し、そのトランジスタと有機ＥＬ素子が電気的に接続し、トランジスタおよび有機ＥＬ
素子は、２枚のプラスチック基板の間に配置されている。図４３、および図４４に示す電
子機器は、ヒンジ７７０１、ヒンジ７７０３が設けられている部分で折り曲げることで小
型化することのできる電子機器７７００の一例である。
また、折り曲げた状態の断面図が図４３（Ｃ）であり、その外観斜視図が図４４（Ｂ）に
相当する。２つのヒンジ７７０１、７７０３を用いて２か所を折り曲げる例を示したが特
に限定されず、表示部７７０２のサイズを大きくしてヒンジを増やすことで３か所以上折
り曲げる電子機器としてもよい。また、１つのヒンジを用いて１か所を折り曲げる電子機
器としてもよい。
また、電子機器７７００の筐体の材料（シリコーンゴムやプラスチック材料）を選定し、
フレキシブルな筐体とし、内部に設けられた蓄電装置７７０４に曲げることのできる蓄電
装置を用いることで、電子機器７７００の全体または一部を曲げることもできる。本発明
の一態様により、可搬性に優れた電子機器を実現することができる。
なお、本発明の一態様の表示装置を具備していれば、上記で示した電子機器や照明装置に
特に限定されないことは言うまでもない。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形
態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、および／または、一つ若しくは複数の別の
実施の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、または置
き換えなどを行うことが出来る。
なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて
述べる内容、または明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、
その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、および／または、一つ若しくは
複数の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることに
より、さらに多くの図を構成させることが出来る。
なお、明細書の中の図面や文章において規定されていない内容について、その内容を除く
ことを規定した発明の一態様を構成することが出来る。または、ある値について、上限値
と下限値などで示される数値範囲が記載されている場合、その範囲を任意に狭めることで
、または、その範囲の中の一点を除くことで、その範囲を一部除いた発明の一態様を規定
することができる。これらにより、例えば、従来技術が本発明の一態様の技術的範囲内に
入らないことを規定することができる。
具体例としては、ある回路において、第１乃至第５のトランジスタを用いている回路図が
記載されているとする。その場合、その回路が、第６のトランジスタを有していないこと
を発明として規定することが可能である。または、その回路が、容量素子を有していない
ことを規定することが可能である。さらに、その回路が、ある特定の接続構造をとってい
るような第６のトランジスタを有していない、と規定して発明を構成することができる。
または、その回路が、ある特定の接続構造をとっている容量素子を有していない、と規定
して発明を構成することができる。例えば、ゲートが第３のトランジスタのゲートと接続
されている第６のトランジスタを有していない、と発明を規定することが可能である。ま
たは、例えば、第１の電極が第３のトランジスタのゲートと接続されている容量素子を有
していない、と発明を規定することが可能である。
別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であ
ることが好適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、－２Ｖ
以上１Ｖ以下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、
例えば、ある電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。なお、例えば、その電圧が、５Ｖ以上８Ｖ以下であると発明を規定することも
可能である。なお、例えば、その電圧が、概略９Ｖであると発明を規定することも可能で
ある。なお、例えば、その電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であるが、９Ｖである場合を除く
と発明を規定することも可能である。なお、ある値について、「このような範囲であるこ
とが好ましい」、「これらを満たすことが好適である」となどと記載されていたとしても
、ある値は、それらの記載に限定されない。つまり、「好ましい」、「好適である」など
と記載されていたとしても、必ずしも、それらの記載には、限定されない。
別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、１０Ｖであることが好適
である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、－２Ｖ以上１Ｖ以下
である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、ある
電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。
別の具体例としては、ある物質の性質について、例えば、「ある膜は、絶縁膜である」と
記載されているとする。その場合、例えば、その絶縁膜が、有機絶縁膜である場合を除く
、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その絶縁膜が、無機絶
縁膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、
その膜が、導電膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。また
は、例えば、その膜が、半導体膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。
別の具体例としては、ある積層構造について、例えば、「Ａ膜とＢ膜との間に、ある膜が
設けられている」と記載されているとする。その場合、例えば、その膜が、４層以上の積
層膜である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、Ａ膜とそ
の膜との間に、導電膜が設けられている場合を除く、と発明を規定することが可能である
。
なお、本明細書等において記載されている発明の一態様は、さまざまな人が実施すること
が出来る。しかしながら、その実施は、複数の人にまたがって実施される場合がある。例
えば、送受信システムの場合において、Ａ社が送信機を製造および販売し、Ｂ社が受信機
を製造および販売する場合がある。別の例としては、トランジスタおよび発光素子を有す
る発光装置の場合において、トランジスタが形成された半導体装置は、Ａ社が製造および
販売する。そして、Ｂ社がその半導体装置を購入して、その半導体装置に発光素子を成膜
して、発光装置として完成させる、という場合がある。
このような場合、Ａ社またはＢ社のいずれに対しても、特許侵害を主張できるような発明
の一態様を、構成することが出来る。つまり、Ａ社のみが実施するような発明の一態様を
構成することが可能であり、別の発明の一態様として、Ｂ社のみが実施するような発明の
一態様を構成することが可能である。また、Ａ社またはＢ社に対して、特許侵害を主張で
きるような発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断する事が出
来る。例えば、送受信システムの場合において、送信機のみの場合の記載や、受信機のみ
の場合の記載が本明細書等になかったとしても、送信機のみで発明の一態様を構成するこ
とができ、受信機のみで別の発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態様
は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断することが出来る。別の例としては
、トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の場合において、トランジスタが形成さ
れた半導体装置のみの場合の記載や、発光素子を有する発光装置のみの場合の記載が本明
細書等になかったとしても、トランジスタが形成された半導体装置のみで発明の一態様を
構成することができ、発光素子を有する発光装置のみで発明の一態様を構成することがで
き、それらの発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断すること
が出来る。
なお、本明細書等においては、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（
容量素子、抵抗素子など）などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなく
ても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続
先を特定しなくても、発明の一態様が明確であると言える。そして、接続先が特定された
内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細
書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先が複数の
ケース考えられる場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。した
がって、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素子な
ど）などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発明の
一態様を構成することが可能な場合がある。
なお、本明細書等においては、ある回路について、少なくとも接続先を特定すれば、当業
者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少な
くとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つ
まり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であると言える。そして、機能が特定され
た発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。し
たがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態
様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または
、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、
ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り
出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成する
ことが可能であるものとする。そして、その発明の一態様は明確であると言える。そのた
め、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子（容量素子、
抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、装置、動作方
法、製造方法などが単数もしくは複数記載された図面または文章において、その一部分を
取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。例えば、Ｎ個（Ｎは
整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個（
Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の一
態様を構成することは可能である。別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構成
される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構成
することは可能である。さらに別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成さ
れるフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一態
様を構成することは可能である。さらに別の例としては、「Ａは、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、また
は、Ｆを有する」と記載されている文章から、一部の要素を任意に抜き出して、「Ａは、
ＢとＥとを有する」、「Ａは、ＥとＦとを有する」、「Ａは、ＣとＥとＦとを有する」、
または、「Ａは、ＢとＣとＤとＥとを有する」などの発明の一態様を構成することは可能
である。
なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは
、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる
図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概
念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可
能である。そして、その発明の一態様は、明確であると言える。
なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）は
、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能で
ある。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていな
くても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構
成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様と
して開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、そ
の発明の一態様は明確であると言える。
１００ 表示装置
１０１ 基板
１０２ 基板
１１１ 基板
１１２ 接着層
１１３ 剥離層
１１４ 隔壁
１１５ 電極
１１６ 電極
１１７ ＥＬ層
１１８ 電極
１１９ 絶縁層
１２０ 接着層
１２１ 基板
１２２ 接着層
１２３ 剥離層
１２４ 外部電極
１２５ 発光素子
１２７ 絶縁層
１２８ 開口
１２９ 絶縁層
１３０ 画素
１３１ 表示領域
１３２ 開口
１３３ 駆動回路
１３４ 画素回路
１３５ 配線
１３６ 配線
１３７ 開口
１３８ 異方性導電接続層
１３９ 開口
１４０ 画素
１４１ 絶縁層
１４３ 剥離層
１４４ 剥離層
１４５ 導電層
１４９ 絶縁層
１５１ 光
１５２ 開口
１６１ 機能層
１７０ 領域
１７１ 素子基板
１８１ 対向基板
２００ 表示装置
２０５ 絶縁層
２０６ 電極
２０７ 絶縁層
２０８ 半導体層
２０９ 絶縁層
２１０ 絶縁層
２１１ 絶縁層
２１２ 層間絶縁層
２１３ 電極
２１４ 電極
２１５ 電極
２１７ 絶縁層
２１９ 配線
２２０ 光
２２１ 不純物元素
２３１ 表示領域
２３２ トランジスタ
２３３ 容量素子
２５１ 周辺回路
２５２ トランジスタ
２６４ 遮光層
２６６ 着色層
２６８ オーバーコート層
２７４ 層
２８０ 部位
３１８ 電極
３２０ ＥＬ層
３２２ 電極
３３０ 発光素子
３３１ 発光素子
４１０ トランジスタ
４１１ トランジスタ
４２０ トランジスタ
４２１ トランジスタ
４３０ トランジスタ
４３１ トランジスタ
４３２ 液晶素子
４３４ トランジスタ
４３５ ノード
４３６ ノード
４３７ ノード
４４０ トランジスタ
４４１ トランジスタ
１１００ 表示装置
１１３２ 開口
１１７１ 素子基板
１１８１ 対向基板
１２００ 表示装置
１２８０ 部位
７１００ 携帯表示装置
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 送受信装置
７２００ 照明装置
７２０１ 台部
７２０２ 発光部
７２０３ 操作スイッチ
７２１０ 照明装置
７２１２ 発光部
７２２０ 照明装置
７２２２ 発光部
７３００ 表示装置
７３０１ 筐体
７３０２ 表示部
７３０３ 操作ボタン
７３０４ 部材
７３０５ 制御部
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７７００ 電子機器
７７０１ ヒンジ
７７０２ 表示部
７７０３ ヒンジ
７７０４ 蓄電装置
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチセンサ
８００５ ＦＰＣ
８００６ セル
８００７ バックライトユニット
８００８ 光源
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリー
９６００ タブレット型端末
９６２５ スイッチ
９６２６ スイッチ
９６２７ 電源スイッチ
９６２８ 操作スイッチ
９６２９ 留め具
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３２ 領域
９６３３ 太陽電池
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリー
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ コンバータ
９６３８ 操作キー
９６３９ ヒンジ部
１１５ａ 電極
１１５ｂ 電極
１１６ａ 電極
１１６ｂ 電極
１２６ａ 導電層
１２６ｂ 導電層
１３０Ｂ 画素
１３０Ｇ 画素
１３０Ｒ 画素
１３０Ｙ 画素
１３２ａ 開口
１３２ｂ 開口
１４２ａ 駆動回路
１４２ｂ 駆動回路
１５１Ｂ 光
１５１Ｇ 光
１５１Ｒ 光
１５１Ｙ 光
２６６Ｂ 着色層
２６６Ｇ 着色層
２６６Ｒ 着色層
２６６Ｙ 着色層
３２０ａ 電荷発生層
９６３０ａ 筐体
９６３０ｂ 筐体

Claims (5)

  1. 折り曲げることができる電子機器であって、
    第１の筐体と、第２の筐体と、前記第１の筐体と前記第２の筐体とを結合する機能を有するヒンジと、
    前記第１の筐体、前記第２の筐体、及び前記ヒンジの各々と重なる領域を有する表示装置と、を有し、
    前記表示装置は、可撓性を有する基板と、前記可撓性を有する基板上の第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に設けられ、かつトランジスタ及び有機ＥＬ素子を有する画素部と、前記画素部の外側に設けられ、かつ前記画素部と電気的に接続された第１の電極と、前記第１の電極と電気的に接続された外部電極と、を有し、
    前記第１の電極は、前記第１の絶縁層に設けられた第１の開口部と重なるように設けられ、
    前記第１の電極は、前記第１の絶縁層上に位置する領域と、前記第１の開口部による段差を有する領域と、を有し、
    前記第１の電極は、前記基板に設けられた第２の開口部及び前記第１の開口部を介して、前記外部電極と電気的に接続されている、電子機器。
  2. 請求項１において、
    前記第１の電極の上面と接する領域と、前記第１の電極の側面と接する領域とを有する第２の絶縁層を有し、
    前記有機ＥＬ素子の下部電極は、前記第２の絶縁層に設けられた第３の開口部を介して、前記第１の電極と電気的に接続されている、電子機器。
  3. 請求項１又は２において、
    前記表示装置は、異方性導電接続層を有し、
    前記第１の電極は、前記異方性導電接続層を介して、前記外部電極と電気的に接続され、
    断面視において、前記異方性導電接続層の幅は、前記第１の開口部の幅よりも小さく、
    前記異方性導電接続層は、前記第１の絶縁層と接する領域を有さない、電子機器。
  4. 折り曲げることができる電子機器であって、
    第１の筐体と、第２の筐体と、前記第１の筐体と前記第２の筐体とを結合する機能を有するヒンジと、
    前記第１の筐体、前記第２の筐体、及び前記ヒンジの各々と重なる領域を有する表示装置と、を有し、
    前記表示装置は、可撓性を有する第１の基板と可撓性を有する第２の基板との間に、トランジスタ及び有機ＥＬ素子を有する画素部と、前記画素部の外側に設けられ、かつ前記画素部と電気的に接続された第１の電極と、第１の絶縁層と、前記第１の電極と電気的に接続された外部電極と、を有し、
    前記画素部と、前記第１の電極と、前記第１の絶縁層とは、前記第１の基板側に設けられ、
    前記第１の絶縁層は、前記トランジスタを覆う領域と、前記第１の電極の上面と接する領域と、前記第１の電極の側面と接する領域とを有し、
    前記第１の電極は、前記第１の絶縁層に設けられた開口部及び前記第２の基板に設けられた開口部を介して、前記外部電極と電気的に接続されている、電子機器。
  5. 折り曲げることができる電子機器であって、
    第１の筐体と、第２の筐体と、前記第１の筐体と前記第２の筐体とを結合する機能を有するヒンジと、
    前記第１の筐体、前記第２の筐体、及び前記ヒンジの各々と重なる領域を有する表示装置と、を有し、
    前記表示装置は、可撓性を有する第１の基板と可撓性を有する第２の基板との間に、トランジスタ及び有機ＥＬ素子を有する画素部と、前記画素部の外側に設けられ、かつ前記画素部と電気的に接続された第１の電極と、第１の絶縁層と、前記第１の電極と電気的に接続された外部電極と、を有し、
    前記画素部と、前記第１の電極と、前記第１の絶縁層とは、前記第１の基板側に設けられ、
    前記第１の絶縁層は、前記有機ＥＬ素子の下部電極の下面に接する領域と、前記第１の電極の上面と接する領域と、前記第１の電極の側面と接する領域とを有し、
    前記有機ＥＬ素子の下部電極は、前記第１の絶縁層に設けられた第１の開口部を介して、前記第１の電極と電気的に接続され、
    前記第１の電極は、前記第１の絶縁層に設けられた第２の開口部及び前記第２の基板に設けられた第３の開口部を介して、前記外部電極と電気的に接続されている、電子機器。
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