JP2015181099A - 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の一態様の表示装置100の構成例について、図1乃至図13を用いて説明する。図1(A)は外部電極124が接続された表示装置100の斜視図であり、図1(B)は、図1(A)にA1−A2の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、本明細書に開示する表示装置100は、表示素子として発光素子を用いた表示装置である。また、本発明の一態様の表示装置100として、トップエミッション構造(上面射出構造)の表示装置を例示する。なお、表示装置100をボトムエミッション構造(下面射出構造)、またはデュアルエミッション構造(両面射出構造)の表示装置とすることも可能である。
本実施の形態に示す表示装置100は、表示領域131を有する。また、表示領域131は、複数の画素130を有する。一つの画素130は、少なくとも一つの発光素子125を有する。
基板111および/または基板121としては、有機樹脂材料や可撓性を有する程度の厚さのガラス材料、または可撓性を有する程度の厚さの金属材料(合金材料を含む)などを用いることができる。表示装置100を下面射出型の表示装置、または両面射出型の表示装置とする場合には、基板111にEL層117からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。また、表示装置100を上面射出型の表示装置、または両面射出型の表示装置とする場合には、基板121にEL層117からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。
絶縁層119は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウムおよび酸化タンタルなどの酸化物材料や、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物材料などを、単層または多層で形成することができる。例えば、絶縁層119を、酸化シリコンと窒化シリコンを積層した2層構造としてもよいし、上記材料を組み合わせた5層構造としてもよい。絶縁層119は、スパッタリング法やCVD法、熱酸化法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能である。
電極116aは、導電性材料を用いて形成することができる。例えば、アルミニウム、クロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム等から選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金、または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい。導電性材料の形成方法は特に限定されず、蒸着法、CVD法、スパッタリング法、スピンコート法などの各種形成方法を用いることができる。
絶縁層141は、絶縁層119と同様の材料および方法を用いて形成することができる。また、絶縁層141は、酸素を有する材料を用いることが好ましい。
電極115は、後に形成されるEL層117が発する光を効率よく反射する導電性材料を用いて形成することが好ましい。なお、電極115は単層に限らず、複数層の積層構造としてもよい。例えば、電極115を陽極として用いる場合、EL層117と接する層を、インジウム錫酸化物などの透光性を有する層とし、その層に接して反射率の高い層(アルミニウム、アルミニウムを含む合金、または銀など)を設けてもよい。
隔壁114は、隣接する電極118間の電気的ショートを防止するために設ける。また、後述するEL層117の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが発光素子125を形成する領域に接触しないようにする機能も有する。隔壁114は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂などの有機樹脂材料や、酸化シリコンなどの無機材料で形成することができる。隔壁114は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁114の側壁をこのような形状とすることで、後に形成されるEL層117や電極118の被覆性を良好なものとすることができる。
EL層117の構成については、実施の形態6で説明する。
本実施の形態では電極118を陰極として用いる。電極118は、後述するEL層117に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕事関数の小さい金属単体ではなく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類金属を数nm形成した層を緩衝層として形成し、その上にアルミニウムなどの金属材料、インジウム錫酸化物等の導電性を有する酸化物材料、または半導体材料を用いて形成してもよい。また、緩衝層として、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグネシウム−銀等を用いることもできる。
接着層120、接着層112、および接着層122としては、光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、イミド樹脂、PVC(ポリビニルクロライド)樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)樹脂、EVA(エチレンビニルアセテート)樹脂等を用いることができる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、接着シート等を用いてもよい。
異方性導電接続層138は、様々な異方性導電フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)や、異方性導電ペースト(ACP:Anisotropic Conductive Paste)などを用いて形成することができる。
次に、図4乃至図9を用いて、表示装置100の作製方法を例示する。図4乃至図9は、図1および図2中、A1−A2の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。
はじめに、素子基板171の作製方法について例示する。なお、本実施の形態において、基板101上に発光素子125を形成した基板を、素子基板171と呼ぶ。
まず、基板101上に剥離層113を形成する(図4(A)参照。)。基板101の一例としては、半導体基板(例えば単結晶基板またはシリコン基板)、SOI基板、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、などがある。ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、またはソーダライムガラスなどがある。
次に、剥離層113上に絶縁層119を形成する(図4(A)参照。)。絶縁層119は、基板101などからの不純物元素の拡散を防止または低減することができる。また、基板101を基板111に置換した後も、基板111や接着層112などから発光素子125への不純物元素の拡散を防止または低減することができる。絶縁層119の厚さは、好ましくは30nm以上2μm以下、より好ましくは50nm以上1μm以下、さらに好ましくは50nm以上500nm以下とすればよい。本実施の形態では、絶縁層119として、基板101側から、厚さ600nmの酸化窒化シリコン、厚さ200nmの窒化シリコン、厚さ200nmの酸化窒化シリコン、厚さ140nmの窒化酸化シリコン、厚さ100nmの酸化窒化シリコンの積層膜をプラズマCVD法により形成する。
次に、絶縁層119上に電極116を形成するための導電層126aと導電層126bを形成する。まず、導電層126aとして絶縁層119上にスパッタリング法により二層のモリブデンの間にアルミニウムを挟んだ三層の金属膜を形成する。続いて、導電層126a上に、導電層126bとしてスパッタリング法によりタングステンを形成する(図4(A)参照。)。
次に、電極116および絶縁層119上に絶縁層127を形成する(図4(C)参照)。本実施の形態では、絶縁層127としてプラズマCVD法により酸化窒化シリコンを形成する。また、絶縁層127の形成に先立ち、電極116bの表面を酸化させることが好ましい。例えば、絶縁層127の形成前に電極116bの表面を、酸素を有するガス雰囲気または酸素を有するプラズマ雰囲気に曝すことが好ましい。電極116bの表面を酸化することで、後の工程で行われる開口132の形成を容易とすることができる。
次に、絶縁層127上に電極115を形成するための導電層145を形成する(図4(E)参照)。導電層145は、導電層126a(電極116a)と同様の材料および方法で形成することができる。
次に、隔壁114を形成する(図5(B)参照)。本実施の形態では、隔壁114を感光性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工することにより形成する。本実施の形態では、隔壁114を、感光性を有するポリイミド樹脂を用いて形成する。
次に、EL層117を電極115および隔壁114上に形成する(図5(C)参照)。
次に、電極118をEL層117上に形成する。本実施の形態では、電極118としてマグネシウムと銀の合金を用いる。電極118は、蒸着法、スパッタリング法等で形成することができる(図5(D)参照)。
続いて、対向基板181の作製方法について例示する。なお、本実施の形態において、基板102上に着色層266などを形成した基板を、対向基板181と呼ぶ。
まず、基板102上に剥離層143を形成する(図6(A)参照。)。基板102は、基板101と同様の材料を用いて形成することができる。なお、基板101と基板102は、それぞれ同じ材料を用いてもよいし、互いに異なる材料を用いてもよい。また、剥離層143は、剥離層113と同様に形成することができる。基板102と剥離層143の間に絶縁層を設けてもよい。本実施の形態では、基板102にアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。また、基板102上に形成する剥離層143として、スパッタリング法によりタングステンを形成する。
次に、剥離層143上に絶縁層149を形成する(図6(A)参照。)。絶縁層149は、絶縁層119と同様の材料および方法で形成することができる。本実施の形態では、絶縁層149として、基板102側から、厚さ200nmの酸化窒化シリコン、厚さ140nmの窒化酸化シリコン、厚さ100nmの酸化窒化シリコンの積層膜をプラズマCVD法により形成する。
続いて、絶縁層149上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、絶縁層149および剥離層143の一部を選択的に除去して、開口139を有する剥離層123および絶縁層129を形成する。レジストマスクの形成は、リソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
次に、絶縁層129上に、遮光層264を形成するための層274を形成する(図6(C)参照)。層274は、単層構造であっても2層以上の積層構造であってもよい。層274に用いることができる材料として、例えば、クロム、チタン、もしくはニッケルなどを含む金属材料、または、クロム、チタン、もしくはニッケルなどを含む酸化物材料、または、金属材料、顔料、もしくは染料を含む樹脂材料などが挙げられる。
次に、絶縁層129上に、着色層266を形成する(図6(E)参照)。着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色(R)のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色(G)のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色(B)のカラーフィルタなどを用いることができる。着色層266は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いて、それぞれ所望の位置に形成する。この時、着色層266の一部が遮光層264と重なるように設けることが、光漏れを抑制することができるので好ましい。画素毎に着色層266の色を変えることで、カラー表示を行うことができる。
次に、遮光層264および着色層266上にオーバーコート層268を形成する(図6(F)参照)。
次に、素子基板171と対向基板181を、接着層120を介して貼り合せる。この時、素子基板171上の発光素子125と、対向基板181上の着色層266が向かい合うように配置する(図8(A)参照)。
次に、基板101を基板111に置換し、基板102を基板121に置換する方法について例示する。
まず、素子基板171が有する基板101を、剥離層113とともに絶縁層119から剥離する(図8(B)参照)。剥離方法としては、機械的な力を加えること(人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理、超音波等)を用いて行えばよい。たとえば、素子基板171の側面から、剥離層113と絶縁層119の界面に鋭利な刃物またはレーザー光照射等で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入する。毛細管現象により水が剥離層113と絶縁層119の界面にしみこむことにより、剥離層113とともに基板101を絶縁層119から容易に剥離することができる。
次に、接着層112を介して基板111を絶縁層119に貼り合わせる(図9(A)参照)。
次に、対向基板181が有する基板102を剥離層143とともに絶縁層129から剥離する。
次に、接着層122を介して、開口132bを有する基板121を絶縁層129に貼り合わせる(図10(B)参照)。この時、開口132aと開口132bが重なるように貼り合せる。本実施の形態では、開口132aと開口132bを合わせて開口132と呼ぶ。開口132において、電極116の表面が露出する。
次に、開口132に異方性導電接続層138を形成し、異方性導電接続層138上に、表示装置100に電力や信号を入力するための外部電極124を形成する(図1参照。)。異方性導電接続層138を介して外部電極124と電極116を電気的に接続することができる。このようにして、表示装置100に電力や信号を入力することが可能となる。なお、外部電極124としてFPCを用いることができる。また、外部電極124として金属線を用いることもできる。該金属線と電極116の接続は、異方性導電接続層138を用いてもよいが、異方性導電接続層138を用いずに、ワイヤーボンディング法により行うことができる。また、該金属線と電極116の接続をハンダ付けで行ってもよい。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した表示装置100と異なる構成を有する表示装置200について、図15を用いて説明する。図15(A)は表示装置200の上面図であり、図15(B)は、図15(A)中にA3−A4の一点鎖線で示す部位の断面図である。
本実施の形態に示す表示装置200は、表示領域231と、周辺回路251を有する。また、表示装置200は、電極115、EL層117、電極118を含む発光素子125と、電極116を有する。発光素子125は、表示領域231中に複数形成されている。また、各発光素子125には、発光素子125の発光量を制御するトランジスタ232が接続されている。
本発明の一態様の表示装置1100の構成例について、図18乃至図31を用いて説明する。図18(A)は外部電極124が接続された表示装置1100の斜視図であり、図18(B)は、図18(A)にA5−A6の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、本明細書に開示する表示装置1100は、表示素子として発光素子を用いた表示装置である。また、本発明の一態様の表示装置1100として、トップエミッション構造(上面射出構造)の表示装置を例示する。なお、表示装置1100をボトムエミッション構造(下面射出構造)、またはデュアルエミッション構造(両面射出構造)の表示装置とすることも可能である。
本実施の形態に示す表示装置1100は、表示領域131を有する。また、表示領域131は、複数の画素130を有する。一つの画素130は、少なくとも一つの発光素子125を有する。
次に、図21乃至図27を用いて、表示装置1100の作製方法を例示する。なお、図21乃至図27は、図18中にA5−A6の一点鎖線で示す部位の断面に相当する。なお、説明の繰り返しを減らすため、表示装置100の作製方法と共通する部分の説明は、実施の形態1を参酌するものとする。本実施の形態では、主に表示装置100の作製方法と異なる部分について説明する。
はじめに、素子基板1171の作製方法について例示する。なお、本実施の形態において、基板101上に発光素子125を形成した基板を、素子基板1171と呼ぶ。
まず、基板101上に剥離層113を形成する(図21(A)参照。)。本実施の形態では、基板101にアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。また、基板101上に形成する剥離層113として、スパッタリング法によりタングステンを形成する。
次に、剥離層144上に絶縁層119を形成する(図21(C)参照。)。本実施の形態では、絶縁層119として、基板101側から、厚さ600nmの酸化窒化シリコン、厚さ200nmの窒化シリコン、厚さ200nmの酸化窒化シリコン、厚さ140nmの窒化酸化シリコン、厚さ100nmの酸化窒化シリコンの積層膜をプラズマCVD法により形成する。
次に、絶縁層119上に電極116を形成するための導電層126aと導電層126bを形成する。まず、導電層126bとして絶縁層119上にスパッタリング法によりタングステン膜を形成する。続いて、導電層126b上に、導電層126aとしてスパッタリング法により二層のモリブデンの間にアルミニウムを挟んだ三層の金属膜を形成する(図21(C)参照。)。
次に、電極116および絶縁層119上に絶縁層127を形成する(図22(A)参照)。本実施の形態では、絶縁層127としてプラズマCVD法により酸化窒化シリコンを形成する。
次に、絶縁層141上に電極115を形成するための導電層145を形成する(図22(C)参照)。導電層145は、導電層126a(電極116a)と同様の材料および方法で形成することができる。
次に、電極115上に隔壁114を形成する(図23(A)参照)。本実施の形態では、隔壁114を感光性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工することにより形成する。本実施の形態では、隔壁114を、感光性を有するポリイミド樹脂を用いて形成する。
次に、EL層117を、電極115および隔壁114上に形成する(図23(B)参照)。
次に、電極118をEL層117上に形成する。本実施の形態では、電極118としてマグネシウムと銀の合金を用いる(図23(C)参照)。
続いて、対向基板1181の作製方法について説明する。
まず、基板102上に剥離層143を形成する(図24(A)参照。)。本実施の形態では、基板102にアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。また、基板102上に形成する剥離層143として、スパッタリング法によりタングステンを形成する。
次に、剥離層143上に絶縁層129を形成する(図24(A)参照。)。絶縁層129は、絶縁層119と同様の材料および方法で形成することができる。本実施の形態では、絶縁層129として、基板102側から、厚さ200nmの酸化窒化シリコン、厚さ140nmの窒化酸化シリコン、厚さ100nmの酸化窒化シリコンの積層膜をプラズマCVD法により形成する。
次に、絶縁層129上に、遮光層264を形成するための層274を形成する(図24(B)参照)。次に、層274上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、層274の一部を選択的に除去し、遮光層264を形成する(図24(C)参照)。
次に、絶縁層149上に、着色層266を形成する(図24(D)参照)。画素毎に着色層266の色を変えることで、カラー表示を行うことができる。
次に、遮光層264および着色層266上にオーバーコート層268を形成する(図24(E)参照)。
次に、素子基板1171と対向基板1181を、接着層120を介して貼り合せる。この時、素子基板1171上の発光素子125と、対向基板1181上の着色層266が向かい合うように配置する(図25(A)参照)。
次に、対向基板1181が有する基板102を、剥離層143とともに絶縁層129から剥離する(図25(B)参照)。剥離方法としては、機械的な力を加えること(人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理、超音波等)を用いて行えばよい。たとえば、対向基板1181の側面から、剥離層143と絶縁層129の界面に鋭利な刃物またはレーザー光照射等で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入する。毛細管現象により水が剥離層143と絶縁層129の界面にしみこむことにより、剥離層143とともに基板102を絶縁層129から容易に剥離することができる。
次に、接着層122を介して基板121を絶縁層129に貼り合わせる(図26(A)参照)。
次に、素子基板1171が有する基板101を、剥離層144とともに絶縁層119から剥離する。
次に、接着層112を介して、開口1132を有する基板111を絶縁層119に貼り合わせる(図27(A)参照)。この時、開口1132と開口137が重なるように貼り合せる。開口1132の内側において、電極116の表面が露出する(図27(B)参照)。
次に、開口1132に異方性導電接続層138を形成し、異方性導電接続層138上に、表示装置1100に電力や信号を入力するための外部電極124を形成する(図18参照。)。異方性導電接続層138を介して外部電極124と電極116を電気的に接続することができる。このようにして、表示装置1100に電力や信号を入力することが可能となる。
本実施の形態では、上記実施の形態に示した表示装置1100と異なる構成を有する表示装置1200について、図32を用いて説明する。図32(A)は表示装置1200の上面図であり、図32(B)は、図32(A)中にA7−A8の一点鎖線で示す部位の断面図である。
本実施の形態に示す表示装置1200は、表示領域231と、周辺回路251を有する。また、表示装置1200は、電極115、EL層117、電極118を含む発光素子125と、電極116を有する。発光素子125は、表示領域231中に複数形成されている。また、各発光素子125には、発光素子125の発光量を制御するトランジスタ232が接続されている。
本実施の形態では、表示装置200のより具体的な構成例について、図35を用いて説明する。図35(A)は、表示装置200の構成例を説明するためのブロック図である。
図35(B)および図35(C)は、図35(A)に示す表示装置の画素回路134に用いることができる回路構成例を示している。
図35(C)に示す画素回路134は、トランジスタ431と、容量素子233と、を有する。また、画素回路134は、液晶素子432と電気的に接続されている。
本発明の一態様の表示装置は、様々な形態を用いること、または様々な表示素子を有することが出来る。表示素子は、例えば、LED(白色LED、赤色LED、緑色LED、青色LEDなど)などを含むEL(エレクトロルミネッセンス)素子(有機物および無機物を含むEL素子、有機EL素子、無機EL素子)、トランジスタ(電流に応じて発光するトランジスタ)、プラズマディスプレイ(PDP)、電子放出素子、液晶素子、電気泳動素子、グレーティングライトバルブ(GLV)やデジタルマイクロミラーデバイス(DMD)、DMS(デジタル・マイクロ・シャッター)素子、MIRASOL(登録商標)ディスプレイ、IMOD(インターフェアレンス・モジュレーション)素子、圧電セラミックディスプレイなどのMEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)を用いた表示素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。これらの他にも、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していても良い。また、表示素子として量子ドットを用いてもよい。
本実施の形態では、上記実施の形態に示したトランジスタ232、および/またはトランジスタ252に置き換えて用いることができるトランジスタの一例について、図36を用いて説明する。なお、本明細書等に開示するトランジスタは、トランジスタ431やトランジスタ434などにも用いることができる。
図36(A1)に例示するトランジスタ410は、ボトムゲート型のトランジスタの1つであるチャネル保護型のトランジスタである。トランジスタ410は、半導体層208のチャネル形成領域上に、チャネル保護層として機能できる絶縁層209を有する。絶縁層209は、絶縁層205と同様の材料および方法により形成することができる。電極214の一部、および電極215の一部は、絶縁層209上に形成される。
図37(A1)に例示するトランジスタ430は、トップゲート型のトランジスタの1つである。トランジスタ430は、絶縁層119の上に半導体層208を有し、半導体層208および絶縁層119上に、半導体層208の一部に接する電極214および半導体層208の一部に接する電極215を有し、半導体層208、電極214、および電極215上に絶縁層207を有し、絶縁層207上に電極206を有する。また、電極206上に絶縁層210と、絶縁層211を有する。
本実施の形態では、発光素子125に用いることができる発光素子の構成例について説明する。なお、本実施の形態に示すEL層320が、他の実施の形態に示したEL層117に相当する。
図38(A)に示す発光素子330は、一対の電極(電極318、電極322)間にEL層320が挟まれた構造を有する。電極318、電極322、EL層320は、それぞれ上記実施の形態の電極115、電極118、EL層117に相当する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例として、電極318を陽極として用い、電極322を陰極として用いるものとする。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る表示装置を用いた表示モジュールについて、図39を用いて説明を行う。
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が適用された電子機器や照明装置の例について、図面を参照して説明する。
101 基板
102 基板
111 基板
112 接着層
113 剥離層
114 隔壁
115 電極
116 電極
117 EL層
118 電極
119 絶縁層
120 接着層
121 基板
122 接着層
123 剥離層
124 外部電極
125 発光素子
127 絶縁層
128 開口
129 絶縁層
130 画素
131 表示領域
132 開口
133 駆動回路
134 画素回路
135 配線
136 配線
137 開口
138 異方性導電接続層
139 開口
140 画素
141 絶縁層
143 剥離層
144 剥離層
145 導電層
149 絶縁層
151 光
152 開口
161 機能層
170 領域
171 素子基板
181 対向基板
200 表示装置
205 絶縁層
206 電極
207 絶縁層
208 半導体層
209 絶縁層
210 絶縁層
211 絶縁層
212 層間絶縁層
213 電極
214 電極
215 電極
217 絶縁層
219 配線
220 光
221 不純物元素
231 表示領域
232 トランジスタ
233 容量素子
251 周辺回路
252 トランジスタ
264 遮光層
266 着色層
268 オーバーコート層
274 層
280 部位
318 電極
320 EL層
322 電極
330 発光素子
331 発光素子
410 トランジスタ
411 トランジスタ
420 トランジスタ
421 トランジスタ
430 トランジスタ
431 トランジスタ
432 液晶素子
434 トランジスタ
435 ノード
436 ノード
437 ノード
440 トランジスタ
441 トランジスタ
1100 表示装置
1132 開口
1171 素子基板
1181 対向基板
1200 表示装置
1280 部位
7100 携帯表示装置
7101 筐体
7102 表示部
7103 操作ボタン
7104 送受信装置
7200 照明装置
7201 台部
7202 発光部
7203 操作スイッチ
7210 照明装置
7212 発光部
7220 照明装置
7222 発光部
7300 表示装置
7301 筐体
7302 表示部
7303 操作ボタン
7304 部材
7305 制御部
7400 携帯電話機
7401 筐体
7402 表示部
7403 操作ボタン
7404 外部接続ポート
7405 スピーカ
7406 マイク
7700 電子機器
7701 ヒンジ
7702 表示部
7703 ヒンジ
7704 蓄電装置
8000 表示モジュール
8001 上部カバー
8002 下部カバー
8003 FPC
8004 タッチセンサ
8005 FPC
8006 セル
8007 バックライトユニット
8008 光源
8009 フレーム
8010 プリント基板
8011 バッテリー
9600 タブレット型端末
9625 スイッチ
9626 スイッチ
9627 電源スイッチ
9628 操作スイッチ
9629 留め具
9630 筐体
9631 表示部
9632 領域
9633 太陽電池
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 コンバータ
9638 操作キー
9639 ヒンジ部
115a 電極
115b 電極
116a 電極
116b 電極
126a 導電層
126b 導電層
130B 画素
130G 画素
130R 画素
130Y 画素
132a 開口
132b 開口
142a 駆動回路
142b 駆動回路
151B 光
151G 光
151R 光
151Y 光
266B 着色層
266G 着色層
266R 着色層
266Y 着色層
320a 電荷発生層
9630a 筐体
9630b 筐体
Claims (11)
- 表示領域を有する表示装置の作製方法であって、
第1乃至第7の工程を有し、
前記第1の工程は、第1の基板の第1の表面上に、第1の層を設ける工程と、前記第1の層上に第1の絶縁層を設ける工程と、前記第1の絶縁層上に電極を設ける工程と、前記電極上に第2の絶縁層を設ける工程と、第2の絶縁層上に表示素子を設ける工程と、を有し、
前記第2の工程は、第2の基板の第2の表面上に、第2の層を設ける工程と、前記第2の層上に第3の絶縁層を設ける工程と、前記第2の層および第3の絶縁層の一部を除去して開口を設ける工程と、を有し、
前記第3の工程は、前記第1の表面と前記第2の表面を向かい合わせ、前記電極と前記開口とが互いに重なる領域を有するように、接着層を介して第1の基板と第2の基板とを互いに重ねる工程を有し、
前記第4の工程は、前記第1の基板を前記第1の層とともに前記第1の絶縁層から剥離する工程を有し、
前記第5の工程は、前記第1の絶縁層と第3の基板とを互いに重ねて前記第3の基板を設ける工程を有し、
前記第6の工程は、前記第2の基板を前記第2の層とともに前記第3の絶縁層から剥離する工程を有し、
前記第7の工程は、前記第3の絶縁層と第4の基板とが互いに重なるように前記第4の基板を設ける工程を有し、
前記第3の工程において、前記接着層は、前記接着層と前記開口とが互いに重なる第1の領域を有し、前記第2の絶縁層は、前記第2の絶縁層と前記開口とが互いに重なる第2の領域を有し、
前記第6の工程において、前記第1の領域の少なくとも一部の前記接着層と、前記第2の領域の少なくとも一部の前記第2の絶縁層と、を前記第2の基板とともに剥離し、
前記電極の少なくとも一部が露出することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第1の工程において、
前記第2の絶縁層を設ける前に、前記電極の表面を、酸素を有する雰囲気に曝すことを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項2において、
前記雰囲気は、プラズマ雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 表示領域を有する表示装置の作製方法であって、
第1乃至第7の工程を有し、
前記第1の工程は、第1の基板の第1の表面上に、第1の層を設ける工程と、前記第1の層の一部を除去して開口を設ける工程と、前記第1の層および前記開口の上に第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層および前記開口の上に電極を設ける工程と、前記電極上に第2の絶縁層を設ける工程と、第2の絶縁層上に表示素子を設ける工程と、を有し、
前記第2の工程は、第2の基板の第2の表面上に、第2の層を設ける工程と、前記第2の層上に第3の絶縁層を設ける工程と、を有し、
前記第3の工程は、前記第1の表面と前記第2の表面を向かい合わせ、接着層を介して第1の基板と第2の基板とを互いに重ねる工程を有し、
前記第4の工程は、前記第2の基板を前記第2の層とともに前記第3の絶縁層から剥離する工程を有し、
前記第5の工程は、前記第3の絶縁層と第3の基板とを互いに重ねて前記第3の基板を設ける工程を有し、
前記第6の工程は、前記第1の基板を前記第1の層とともに前記第1の絶縁層から剥離する工程を有し、
前記第7の工程は、前記第2の絶縁層と第4の基板とが互いに重なるように前記第4の基板を設ける工程を有し、
前記第6の工程において、前記開口と重なる前記第1の絶縁層の少なくとも一部を前記第1の基板とともに剥離し、前記電極の少なくとも一部が露出することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記第6の工程の前に、前記開口を介して前記電極の少なくとも一部に光を照射することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項5において、
前記光はレーザー光であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記第1の基板は、
ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板、半導体基板、またはプラスチック基板を有し、
前記第2の基板は、
ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板、半導体基板、またはプラスチック基板を有することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記第3の基板および前記第4の基板は、
可撓性を有することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記第1の層は、
タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、またはシリコンを有し、
前記第2の層は、
タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、またはシリコンを有することを特徴とする表示装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、
前記表示素子は、発光素子であることを特徴とする表示装置の作製方法。 - 表示装置を有する電子機器の作製方法であって、
前記電子機器は、バッテリ、タッチセンサ、または、筐体を有し、
前記表示装置は、請求項1乃至請求項9のいずれか一項に記載の表示装置の作製方法によって作製されていることを特徴とする電子機器の作製方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022113742A (ja) * | 2017-05-18 | 2022-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び表示モジュール |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI696023B (zh) * | 2014-02-28 | 2020-06-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置的製造方法及電子裝置的製造方法 |
US9588549B2 (en) | 2014-02-28 | 2017-03-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device |
KR20240069820A (ko) | 2014-02-28 | 2024-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 전자 기기 |
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WO2015198183A1 (en) | 2014-06-23 | 2015-12-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP6636736B2 (ja) | 2014-07-18 | 2020-01-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、電子機器の作製方法、及び発光装置 |
JP6761276B2 (ja) | 2015-05-28 | 2020-09-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法、および電子機器の作製方法 |
EP4178317A1 (en) * | 2015-07-23 | 2023-05-10 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Display apparatus |
KR102490624B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2023-01-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법 |
KR102417986B1 (ko) * | 2015-12-28 | 2022-07-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102498258B1 (ko) | 2016-01-20 | 2023-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
EP3410477A4 (en) * | 2016-01-31 | 2019-09-11 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | SEMICONDUCTOR MODULE |
KR102289220B1 (ko) * | 2016-03-18 | 2021-08-13 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 |
KR102340066B1 (ko) * | 2016-04-07 | 2021-12-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법 |
US10522574B2 (en) * | 2016-05-16 | 2019-12-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of display device and manufacturing method of electronic device |
CN107416950A (zh) * | 2017-06-16 | 2017-12-01 | 福州金慧健康科技有限公司 | 一种自由基产生装置以及带有该自由基产生装置的洗碗机 |
US11022823B2 (en) * | 2017-08-08 | 2021-06-01 | University Of North Texas | Switchable optical filter for imaging and optical beam modulation |
CN107742628A (zh) * | 2017-09-12 | 2018-02-27 | 奕瑞影像科技(太仓)有限公司 | 柔性闪烁屏、放射线图像传感器及其制备方法 |
KR102462421B1 (ko) * | 2017-11-15 | 2022-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
DE102017129524A1 (de) * | 2017-12-12 | 2019-06-13 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum Herstellen eines semitransparenten Displays sowie ein semitransparentes Display |
TWI745515B (zh) * | 2017-12-22 | 2021-11-11 | 啟耀光電股份有限公司 | 電子裝置與其製造方法 |
CN108375864A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-08-07 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 激光投射模组及其破裂的检测方法、深度相机和电子装置 |
EP3561590A4 (en) | 2018-02-27 | 2020-04-15 | Guangdong Oppo Mobile Telecommunications Corp., Ltd. | LASER PROJECTION MODULE AND DETECTION METHOD FOR CRACKING, DEPTH CAMERA AND ELECTRONIC DEVICE |
CN108196418A (zh) * | 2018-02-27 | 2018-06-22 | 广东欧珀移动通信有限公司 | 激光投射模组、深度相机和电子装置 |
KR102612713B1 (ko) * | 2018-12-10 | 2023-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102628645B1 (ko) * | 2019-01-21 | 2024-01-29 | 규슈 나노텍 코가쿠 가부시키가이샤 | 액정 소자의 전극취부방법 |
KR20200108139A (ko) * | 2019-03-06 | 2020-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
TWI698786B (zh) | 2019-05-14 | 2020-07-11 | 欣興電子股份有限公司 | 觸控顯示面板及其製造方法 |
CN111258054A (zh) | 2020-03-30 | 2020-06-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种量子点显示装置及其制造方法 |
TWI748811B (zh) * | 2020-12-18 | 2021-12-01 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 顯示裝置的製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010038171A1 (en) * | 1995-12-20 | 2001-11-08 | Plastipak Packaging, Inc. | Multi-layer container blow molding |
JP2004349152A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | 有機el表示装置、電子機器及びその製造方法 |
JP2013251255A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP2014029853A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-02-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
US9887392B2 (en) * | 2014-02-28 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device and method for manufacturing electronic device |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE38466E1 (en) * | 1996-11-12 | 2004-03-16 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
JP3056471B2 (ja) | 1998-11-13 | 2000-06-26 | 俊一 植澤 | エレクトロルミネセンス素子 |
JP2000184026A (ja) * | 1998-12-14 | 2000-06-30 | Samsung Sdi Co Ltd | 携帯用通信装置 |
US7060153B2 (en) * | 2000-01-17 | 2006-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
JP4027740B2 (ja) | 2001-07-16 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US8415208B2 (en) | 2001-07-16 | 2013-04-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
JP2005141715A (ja) * | 2003-04-21 | 2005-06-02 | Masanobu Kujirada | 携帯型端末装置 |
JP2005023955A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Casio Comput Co Ltd | ヒンジ構造、撮像装置および携帯電話装置 |
JP2005114759A (ja) | 2003-10-02 | 2005-04-28 | Canon Inc | ディスプレイ装置、携帯電話機、及び電子機器 |
US7229900B2 (en) * | 2003-10-28 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material |
JP2006157769A (ja) * | 2004-12-01 | 2006-06-15 | Nec Access Technica Ltd | 携帯端末 |
KR101090258B1 (ko) * | 2005-01-03 | 2011-12-06 | 삼성전자주식회사 | 플라스틱 기판을 이용한 박막 트랜지스터 표시판의 제조방법 |
US8222116B2 (en) * | 2006-03-03 | 2012-07-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8900970B2 (en) * | 2006-04-28 | 2014-12-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device using a flexible substrate |
KR20100017578A (ko) * | 2007-05-02 | 2010-02-16 | 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 접이식 또는 전개식 구성으로 oled 패널들을 사용하는 발광 장치 |
CN101772842B (zh) | 2007-08-07 | 2011-08-17 | 松下电器产业株式会社 | 半导体装置及其制造方法以及图像显示装置 |
US8455331B2 (en) * | 2007-10-10 | 2013-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2009109770A (ja) | 2007-10-30 | 2009-05-21 | Fujitsu Ltd | 表示装置製造方法および表示装置 |
KR101432764B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2014-08-21 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치의 제조방법 |
CN101814511B (zh) * | 2009-02-23 | 2012-11-21 | 北京京东方光电科技有限公司 | Tft-lcd阵列基板及其制造方法 |
JP5574680B2 (ja) | 2009-11-27 | 2014-08-20 | 京セラ株式会社 | 携帯型表示装置 |
TWM395341U (en) * | 2010-08-04 | 2010-12-21 | Micro Star Int Co Ltd | Foldable electronic apparatus |
KR101672345B1 (ko) * | 2010-12-08 | 2016-11-04 | 삼성전자주식회사 | 접이식 디스플레이 장치 |
US8804324B2 (en) * | 2011-06-03 | 2014-08-12 | Microsoft Corporation | Flexible display overcenter assembly |
EP3428774A1 (en) * | 2011-07-11 | 2019-01-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible display with display support |
US8929085B2 (en) * | 2011-09-30 | 2015-01-06 | Apple Inc. | Flexible electronic devices |
JP5970865B2 (ja) | 2012-03-05 | 2016-08-17 | 大日本印刷株式会社 | 薄膜素子用基板、薄膜素子、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、および電子ペーパー |
CN102931214A (zh) | 2012-11-26 | 2013-02-13 | 李崇 | Oled显示单元以及采用该显示单元的oled显示装置 |
JP6490901B2 (ja) | 2013-03-14 | 2019-03-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
KR102292148B1 (ko) | 2014-03-13 | 2021-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법 |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20010038171A1 (en) * | 1995-12-20 | 2001-11-08 | Plastipak Packaging, Inc. | Multi-layer container blow molding |
JP2004349152A (ja) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Seiko Epson Corp | 有機el表示装置、電子機器及びその製造方法 |
JP2013251255A (ja) * | 2012-05-04 | 2013-12-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置の作製方法 |
JP2014029853A (ja) * | 2012-07-05 | 2014-02-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
US9887392B2 (en) * | 2014-02-28 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing display device and method for manufacturing electronic device |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022113742A (ja) * | 2017-05-18 | 2022-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び表示モジュール |
JP7321323B2 (ja) | 2017-05-18 | 2023-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び表示モジュール |
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Publication number | Publication date |
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