JP2022084716A - 表示装置の作製方法 - Google Patents

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Akihiro Senda
達哉 作石
Tatsuya Sakuishi
太紀 中村
Daiki Nakamura
智哉 青山
Tomoya Aoyama
浩平 横山
Kohei Yokoyama
大介 久保田
Daisuke Kubota
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Abstract

【課題】信頼性の良好な表示装置の作製方法を提供する。【解決手段】第１の基板の第１の表面上に第１の層、第１の絶縁層、電極を設ける工程と、第１の絶縁層に第１の開口を設ける工程と、第１の絶縁層上に表示素子、第２の層を設ける工程と、第２の基板の第２の表面上に第３の層、第２の絶縁層を設ける工程と、第３の層および第２の絶縁層に第２の開口を設ける工程と、第１の表面と第２の表面を向かい合わせ、第１の開口と第２の開口が重なる領域を有するように接着層を介して第１の基板と第２の基板を重ねる工程と、第１の基板を第１の層から剥離する工程と、第１の絶縁層と重ねて第３の基板を設ける工程と、第２の基板を第２の層、接着層の一部とともに第３の層から剥離する工程と、第２の絶縁層と第４の基板とが重なるように第４の基板を設ける工程を有し、第１の層と第２の層の少なくとも一は有機膜を有する。【選択図】図９

Description

本発明は、表示装置の作製方法、及び電子機器の作製方法に関する。
なお本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
技術分野は、物、方法、又は、製造方法に関するものである。又は、本発明の一態様は、
プロセス、マシン、マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）
に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術
分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、蓄電装置、撮像装置、
記憶装置、プロセッサ、電子機器、それらの駆動方法、それらの製造方法、それらの検査
方法、又はそれらのシステムを一例として挙げることができる。
近年、表示装置の表示領域に用いる表示素子として、液晶素子の研究開発が盛んに行わ
れている。また、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）を利用した発光素子の研究開発も盛
んに行われている。発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を
挟んだものである。この発光素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光
が得られる。
特に、上述の発光素子は自発光型であるため、これを用いた表示装置は、視認性に優れ
バックライトが不要であり、消費電力が少ない等の利点を有する。さらに、薄型軽量に作
製でき、応答速度が高いなどの利点も有する。
また、上述の発光素子を有する表示装置としては、可撓性が図れることから、可撓性を
有する基板の採用が検討されている。
可撓性を有する基板を用いた表示装置の作製方法としては、基板と半導体素子との間に
酸化物層および金属層を形成し、酸化物層と金属層との界面における密着性が低いことを
利用して半導体素子を基板から分離し、基板を分離した後に他の基板（例えば可撓性を有
する基板）へと半導体素子を転置する技術が開発されている（特許文献１）。
可撓性を有する基板上に形成された発光素子は、発光素子表面の保護や外部からの水分
や不純物の浸入を防ぐため、発光素子上にさらに可撓性を有する基板を設けることがある
。
特開２００３－１７４１５３号公報
可撓性を有する基板を用いた表示装置へ信号や電力を供給するためには、可撓性を有す
る基板の一部をレーザ光や刃物を用いて除去して電極を露出させ、ＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂ
ｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）等の外部電極を接続する必要がある。
しかしながら、可撓性を有する基板の一部をレーザ光や刃物を用いて除去する方法では
、表示装置が有する電極にダメージを与えやすく、表示装置の信頼性や作製歩留まりが低
下しやすい。また、上記方法による表示領域へのダメージを防ぐため、表示領域と電極を
十分に離して設置する必要があり、配線抵抗の増加による信号や電力の減衰が生じやすい
。
本発明の一態様は、電極にダメージを与えにくい表示装置の作製方法を提供することを
課題の一つとする。または、本発明の一態様は、表示領域にダメージを与えにくい表示装
置の作製方法を提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信頼性の
良好な表示装置、およびその作製方法を提供することを課題の一つとする。
または、本発明の一態様は、視認性に優れた表示装置、もしくは電子機器などを提供す
ることを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、表示品位が良好な表示装置、も
しくは電子機器などを提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、信
頼性が高い表示装置、もしくは電子機器などを提供することを課題の一つとする。または
、本発明の一態様は、破損しにくい表示装置、もしくは電子機器などを提供することを課
題の一つとする。または、発明の一態様は、消費電力が低い表示装置、もしくは電子機器
などを提供することを課題の一つとする。または、本発明の一態様は、新規な表示装置、
もしくは電子機器などを提供することを課題の一つとする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課
題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、
図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
（１）
本発明の一態様は、表示領域を有する表示装置の作製方法であって、第１乃至第７の工
程を有し、第１の工程は、第１の基板の第１の表面上に、第１の層を設ける工程と、第１
の層上に電極を設ける工程と、電極上と第１の層上とに第１の絶縁層を設ける工程と、電
極と重畳する領域において第１の絶縁層の一部を除去して第１の開口を設ける工程と、第
１の絶縁層上に表示素子を設ける工程と、第１の絶縁層上と第１の開口の電極上とに第２
の層を設ける工程と、を有し、第２の工程は、第２の基板の第２の表面上に、第３の層を
設ける工程と、第３の層の一部を除去して第２の開口を設ける工程と、を有し、第３の工
程は、第１の表面と第２の表面を向かい合わせ、第１の開口と第２の開口とが互いに重な
る領域を有するように、接着層を介して第１の基板と第２の基板とを互いに重ねる工程を
有し、第４の工程は、第１の基板を第１の層から剥離する工程を有し、第５の工程は、第
１の層と第３の基板とを互いに重ねる工程を有し、第６の工程は、第２の基板を第３の層
から剥離する工程を有し、第７の工程は、第３の層と第４の基板とを互いに重ねる工程を
有し、第３の工程において、接着層は、接着層と第２の開口とが互いに重なる第１の領域
を有し、第２の層は、第２の層と第２の開口とが互いに重なる第２の領域を有し、第６の
工程において、第１の領域の少なくとも一部の接着層と、第２の領域の少なくとも一部の
第２の層と、が第２の基板とともに剥離されて、電極の少なくとも一部が露出し、第１の
層は、第１の有機膜を有し、第３の層は、第２の有機膜を有することを特徴とする表示装
置の作製方法である。
（２）
又は、本発明の一態様は、前記（１）において、第１の層は、第１の有機膜上に第２の
絶縁層を有することを特徴とする表示装置の作製方法である。
（３）
又は、本発明の一態様は、前記（１）、又は前記（２）において、第３の層は、第２の
有機膜上に第３の絶縁層を有することを特徴とする表示装置の作製方法である。
（４）
又は、本発明の一態様は、前記（１）乃至（３）において、第１の有機膜及び／又は第
２の有機膜は、感光性、及び熱硬化性の少なくとも一を有する有機材料を用いて、光照射
処理、及び熱処理の少なくとも一を行うことで形成されることを特徴とする表示装置の作
製方法である。
（５）
又は、本発明の一態様は、前記（１）乃至（４）において、第４の工程において、レー
ザを用いて、第１の層に光を照射して、第１の基板と、第１の層と、を分離する工程、及
び、第６の工程において、レーザを用いて、第３の層に光を照射して、第２の基板と、第
３の層と、を分離する工程、を有することを特徴とする表示装置の作製方法である。
（６）
又は、本発明の一態様は、前記（１）乃至（５）のいずれかにおいて、第２の層は、Ｅ
Ｌ層及び導電層の積層であることを特徴とする表示装置の作製方法である。
（７）
又は、本発明の一態様は、前記（１）乃至（６）のいずれかにおいて、第１の基板は、
ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板、半導体基板、また
はプラスチック基板を有し、第２の基板は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セ
ラミック基板、金属基板、半導体基板、またはプラスチック基板を有することを特徴とす
る表示装置の作製方法である。
（８）
又は、本発明の一態様は、前記（１）乃至（７）のいずれかにおいて、第３の基板およ
び第４の基板は、可撓性を有することを特徴とする表示装置の作製方法である。
（９）
又は、本発明の一態様は、前記（１）乃至（８）のいずれかにおいて、表示素子は、発
光素子であることを特徴とする表示装置の作製方法である。
（１０）
又は、本発明の一態様は、表示装置を有する電子機器の作製方法であって、電子機器は
、バッテリ、タッチセンサ、または、筐体を有し、表示装置は、前記（１）乃至（９）の
いずれかに記載の表示装置の作製方法によって作製されていることを特徴とする電子機器
の作製方法である。
本発明の一態様によれば、電極にダメージを与えにくい表示装置の作製方法を提供する
ことができる。または、本発明の一態様によれば、表示領域にダメージを与えにくい表示
装置の作製方法を提供することができる。または、本発明の一態様によれば、信頼性の良
好な表示装置、およびその作製方法を提供することができる。
または、本発明の一態様は、視認性に優れた表示装置、もしくは電子機器などを提供す
ることができる。または、本発明の一態様は、表示品位が良好な表示装置、もしくは電子
機器などを提供することができる。または、本発明の一態様は、信頼性が高い表示装置、
もしくは電子機器などを提供することができる。または、本発明の一態様は、破損しにく
い表示装置、もしくは電子機器などを提供することができる。または、発明の一態様は、
消費電力が低い表示装置、もしくは電子機器などを提供することができる。または、本発
明の一態様は、新規な表示装置、もしくは電子機器などを提供することを提供することが
できる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の
一態様は、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書
、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項
などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の画素構成の一例を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態の作製工程を説明する図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態を説明する斜視図および断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態を説明する断面図。 表示装置の一形態を説明するブロック図及び回路図。 トランジスタの一形態を説明する断面図。 トランジスタの一形態を説明する断面図。 発光素子の構成例を説明する図。 表示モジュールを説明する図。 電子機器および照明装置の一例を説明する図。 電子機器の一例を説明する図。 電子機器の一例を説明する図。
（実施の形態１）
本発明の一態様の表示装置１００の構成例について、図１乃至図１３を用いて説明する
。図１（Ａ）は外部電極１２４が接続された表示装置１００の斜視図であり、図１（Ｂ）
は、図１（Ａ）にＡ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面図である。なお、本明細書に開
示する表示装置１００は、表示素子として発光素子を用いた表示装置である。また、本発
明の一態様の表示装置１００として、トップエミッション構造（上面射出構造）の表示装
置を例示する。なお、本発明の一態様は、表示装置１００をボトムエミッション構造（下
面射出構造）、またはデュアルエミッション構造（両面射出構造）の表示装置とすること
も可能である。
＜表示装置１００の構成＞
図１（Ａ）、（Ｂ）に示す表示装置１００は、パッシブマトリクス型の表示装置の一例
である。表示装置１００は、表示領域１３１を有し、また、表示領域１３１は、複数の画
素１３０を有する。一つの画素１３０は、少なくとも一つの発光素子１２５を有する。
本実施の形態に示す表示装置１００は、電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８、隔壁
１１４、および電極１１６を有する。また、電極１１６上に絶縁層１４１を有し、絶縁層
１４１に設けられた開口１２８において、電極１１５と電極１１６は電気的に接続されて
いる。また、隔壁１１４は電極１１５上に設けられ、電極１１５および隔壁１１４上にＥ
Ｌ層１１７が設けられ、ＥＬ層１１７上に電極１１８が設けられている。
基板１１１上には、接着層１１２、有機膜１１３、絶縁層１１９、および絶縁層１４１
を介して発光素子１２５が設けられている。発光素子１２５は、電極１１５、ＥＬ層１１
７、および電極１１８を含む。
また、本実施の形態に示す表示装置１００は、電極１１８上に接着層１２０を介して設
けられた基板１２１を有する。また、基板１２１には、接着層１２２、有機膜１２３、お
よび絶縁層１２９を介して、遮光層２６４、着色層（「カラーフィルタ」ともいう。）２
６６、およびオーバーコート層２６８が設けられている。
本実施の形態に示す表示装置１００は、トップエミッション構造の表示装置であるため
、ＥＬ層１１７から射出された光１５１は、基板１２１側から射出される。ＥＬ層１１７
から射出された光１５１（例えば、白色光）は、着色層２６６を透過する時にその一部が
吸収されて、特定の色の光に変換される。換言すると、着色層２６６は、特定の波長領域
の光を透過する。着色層２６６は、光１５１を異なる色の光に変換するための光学フィル
ター層として機能できる。
また、本実施の形態では電極１１６を単層として示しているが、電極１１６は２層以上
の積層としてもよい。
また、基板１２１、接着層１２２、有機膜１２３、絶縁層１２９、接着層１２０、およ
び絶縁層１４１は、それぞれが開口部を有する。それぞれの開口部は互いに重なる領域を
有し、かつ、電極１１６と重なる領域を有する。本明細書等では、これらの開口部を併せ
て開口１３２と呼ぶ。開口１３２において、外部電極１２４と電極１１６が、異方性導電
接続層１３８を介して電気的に接続されている。
なお、剥離層１１０ｃは、表示装置１００を作製する工程の最中において、絶縁層１４
１上で、かつ開口１３２付近に残存する層である。剥離層１１０ｃについては、表示装置
の作製方法にて、説明する。
なお、図２に示すように、表示装置１００の構成を、遮光層２６４、着色層２６６、お
よびオーバーコート層２６８を設けない構成とすることもできる。図２（Ａ）は、遮光層
２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けない表示装置１００の斜視
図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）にＡ３－Ａ４の一点鎖線で示す部位の断面図である
。
特に、ＥＬ層１１７を、画素ごとに射出する光１５１の色を変える、いわゆる塗り分け
方式で形成する場合は、着色層２６６を設けてもよいし、設けなくてもよい。
遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８のうち、少なくとも１つ
または全てを設けないことで、表示装置１００の製造コストの低減、または、歩留まりの
向上などを実現することができる。また、着色層２６６を設けないことで光１５１を効率
よく射出することができるので、輝度の向上や、消費電力の低減などを実現することがで
きる。
一方、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けると、外光
の映り込みを軽減し、コントラスト比の向上や、色再現性の向上などを実現することがで
きる。
なお、表示装置１００をボトムエミッション構造の表示装置とする場合は、基板１１１
側に、遮光層２６４、着色層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けてもよい（図
３（Ａ）参照）。また、表示装置１００をデュアルエミッション構造の表示装置とする場
合は、基板１１１側および基板１２１側のどちらか一方または両方に遮光層２６４、着色
層２６６、およびオーバーコート層２６８を設けてもよい（図３（Ｂ）参照）。
また、発光素子１２５と電極１１６の間に、発光素子１２５に信号を供給する機能を有
するスイッチング素子を設けてもよい。例えば、発光素子１２５と電極１１６の間に、ト
ランジスタを設けてもよい。
トランジスタは半導体素子の一種であり、電流および／または電圧の増幅や、導通また
は非導通を制御するスイッチング動作などを実現することができる。発光素子１２５と電
極１１６の間にトランジスタを設けることで、表示領域１３１の大面積化や、高精細化な
どの実現を容易とすることができる。なお、トランジスタなどのスイッチング素子に限ら
ず、抵抗素子、インダクタ、キャパシタ、整流素子などを表示領域１３１内に設けること
もできる。
〔基板１１１、１２１〕
基板１１１および基板１２１としては、有機樹脂材料や可撓性を有する程度の厚さのガ
ラス材料などを用いることができる。表示装置１００をボトムエミッション構造の表示装
置、またはデュアルエミッション構造の表示装置とする場合には、基板１１１にＥＬ層１
１７からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。また、表示装置１００をトップエ
ミッション構造の表示装置、またはデュアルエミッション構造の表示装置とする場合には
、基板１２１にＥＬ層１１７からの発光に対して透光性を有する材料を用いる。
基板１１１および基板１２１に用いることが可能な可撓性および可視光に対する透光性
を有する材料として、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタ
レート樹脂（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアクリロニトリル
樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリアミド樹脂、ポリシクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリハロゲン化ビニル樹脂、アラミ
ド樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。また、これらの材料を混合または積層
して用いてもよい。なお、基板１１１および基板１２１は、それぞれ同じ材料を用いても
よいし、互いに異なる材料を用いてもよい。
また、基板１２１および基板１１１の熱膨張係数は、好ましくは３０ｐｐｍ／Ｋ以下、
さらに好ましくは１０ｐｐｍ／Ｋ以下とする。また、基板１２１および基板１１１の表面
に、窒化シリコンや酸化窒化シリコン等の窒素とシリコンを含む膜や窒化アルミニウム等
の窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しても良い。なお、基
板１２１および基板１１１として、繊維体に有機樹脂が含浸された構造物（所謂、プリプ
レグとも言う）を用いてもよい。
〔有機膜１１３、１２３〕
有機膜１１３および有機膜１２３としては、感光性を有する樹脂材料によって形成され
ることが好ましい。具体的には、光硬化性を有する樹脂材料を用いて、光照射によって有
機膜１１３及び有機膜１２３を形成するのが好ましい。また、場合によっては、光硬化性
に限定せず、熱硬化性を有する樹脂材料を用いて、熱処理を行って有機膜１１３及び有機
膜１２３を形成してもよい。
有機膜１１３及び有機膜１２３の厚さは、薄いことが好ましく、具体的には０．０１μ
ｍ以上１０μｍ未満、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ未満であるとよい。有機膜１１３
及び有機膜１２３を薄く形成することで、表示装置１００の製造コストを低減することが
できる。また、表示装置１００の軽量化及び薄膜化が可能となる。また、表示装置１００
の可撓性を高めることができる。また、ボトムエミッション構造、又はデュアルエミッシ
ョン構造の表示装置の場合、有機膜１１３を薄く形成することで、発光素子１２５が呈す
る光の吸収を低減し、より高い効率で外部へ光を取り出すことが可能となるため、表示装
置１００の消費電力を低減することができる。同様に、トップエミッション構造、又はデ
ュアルエミッション構造の表示装置の場合、有機膜１２３を薄く形成することで、発光素
子１２５が呈する光の吸収を低減し、より高い効率で外部へ光を取り出すことが可能とな
るため、表示装置１００の消費電力を低減することができる。
ところで、有機膜１１３および有機膜１２３に感光性の樹脂材料を用いる場合、光照射
を行うことにより、有機膜１１３および有機膜１２３を形成する。そのため、有機膜１１
３及び有機膜１２３として用いる樹脂材料は、樹脂の硬化を行うための光を吸収する機能
と、発光素子１２５が呈する可視光を透過する機能と、を有することが好ましい。前者と
しては、紫外光の波長領域の光を吸収する機能を有する化合物が樹脂材料に含まれている
ことが好ましい。当該波長領域としては、３００ｎｍ以上４５０ｎｍ以下、好ましくは３
００ｎｍ以上４００ｎｍ以下である。また、有機膜１１３及び有機膜１２３には、例えば
アクリル、ポリイミド、またはシリコーン（シロキサン結合を有する）など様々な樹脂を
用いることができるが、耐熱性および不純物の遮蔽性等に優れていることから、ポリイミ
ドを用いることが好ましい。
また、有機膜１１３および有機膜１２３の熱膨張係数は、０．１ｐｐｍ／℃以上２０ｐ
ｐｍ／℃以下であることが好ましく、０．１ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下であるこ
とがより好ましい。有機膜１１３および有機膜１２３の熱膨張係数が低いほど、加熱によ
る膨張または収縮に伴う応力により、トランジスタ等が破損することを抑制できる。
〔絶縁層１１９〕
絶縁層１１９は、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリ
コン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ラ
ンタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム及び酸化タンタルなどの酸化物材料や、窒化シリ
コン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムなどの窒化物材料な
どを、単層または多層で形成することができる。例えば、絶縁層１１９を、酸化シリコン
と窒化シリコンを積層した２層構造としてもよいし、上記材料を組み合わせた５層構造と
してもよい。絶縁層１１９は、スパッタリング法やＣＶＤ法、熱酸化法、塗布法、印刷法
等を用いて形成することが可能である。
絶縁層１１９により、基板１１１、接着層１１２、及び有機膜１１３などから発光素子
１２５への不純物元素の拡散を防止、または低減することができる。
なお、本明細書中において、窒化酸化物とは、酸素よりも窒素の含有量が多い化合物を
いう。また、酸化窒化物とは、窒素よりも酸素の含有量が多い化合物をいう。なお、各元
素の含有量は、例えば、ラザフォード後方散乱法（ＲＢＳ：Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ Ｂａ
ｃｋｓｃａｔｔｅｒｉｎｇ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）等を用いて測定することができ
る。
〔電極１１６〕
電極１１６は、導電性材料を用いて形成することができる。例えば、アルミニウム、ク
ロム、銅、銀、金、白金、タンタル、ニッケル、チタン、モリブデン、タングステン、ハ
フニウム、バナジウム、ニオブ、マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウム等
から選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金、または上述した金属元素を
組み合わせた合金などを用いることができる。また、リン等の不純物元素を含有させた多
結晶シリコンに代表される半導体、ニッケルシリサイドなどのシリサイドを用いてもよい
。導電性材料の形成方法は特に限定されず、蒸着法、ＣＶＤ法、スパッタリング法、スピ
ンコート法などの各種形成方法を用いることができる。
また、電極１１６は、インジウム錫酸化物、タングステンを含むインジウム酸化物、タ
ングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、チタンを含むインジウム酸化物、チタンを含む
インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、シリコンを添加したインジウム錫酸化物な
どの酸素を有する導電性材料を適用することもできる。また、窒化チタン、窒化タンタル
、窒化タングステンなどの窒素を含む導電性材料を適用することもできる。また、上記酸
素を有する導電性材料と、上記金属元素を含む材料の積層構造とすることもできる。
電極１１６は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、シリコンを
含むアルミニウム層の単層構造、アルミニウム層上にチタン層を積層する二層構造、窒化
チタン層上にチタン層を積層する二層構造、窒化チタン層上にタングステン層を積層する
二層構造、窒化タンタル層上にタングステン層を積層する二層構造、チタン層と、そのチ
タン層上にアルミニウム層を積層し、さらにその上にチタン層を形成する三層構造などが
ある。また、電極１１６に、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネ
オジム、スカンジウムから選ばれた一または複数の元素を含むアルミニウム合金を用いて
もよい。
〔絶縁層１４１〕
絶縁層１４１は、絶縁層１１９と同様の材料および方法を用いて形成することができる
。
〔電極１１５〕
電極１１５は、後に形成されるＥＬ層１１７が発する光を効率よく反射する導電性材料
を用いて形成することが好ましい。なお、電極１１５は単層に限らず、複数層の積層構造
としてもよい。例えば、電極１１５を陽極として用いる場合、ＥＬ層１１７と接する層を
、インジウム錫酸化物などの透光性を有する層とし、その層に接して反射率の高い層を設
けてもよい。反射率の高い層として、適用できる材料は、例えば、アルミニウム、アルミ
ニウムを含む合金、銀、または銀を含む合金などが挙げられる。なお、当該銀を含む合金
としては、銀、パラジウム、及び銅を含む合金が挙げられる。
なお、本実施の形態においては、トップエミッション構造の表示装置について例示して
いるが、表示装置をボトムエミッション構造、またはデュアルエミッション構造の表示装
置とする場合においては、電極１１５に透光性を有する導電性材料を用いればよい。
〔隔壁１１４〕
隔壁１１４は、隣接する電極１１８間の電気的ショートを防止するために設ける。また
、後述するＥＬ層１１７の形成にメタルマスクを用いる場合、メタルマスクが発光素子１
２５を形成する領域に接触しないようにする機能も有する。隔壁１１４は、エポキシ樹脂
、アクリル樹脂、イミド樹脂などの有機樹脂材料や、酸化シリコンなどの無機材料で形成
することができる。隔壁１１４は、その側壁がテーパーまたは連続した曲率を持って形成
される傾斜面となるように形成することが好ましい。隔壁１１４の側壁をこのような形状
とすることで、後に形成されるＥＬ層１１７や電極１１８の被覆性を良好なものとするこ
とができる。
〔ＥＬ層１１７〕
ＥＬ層１１７の構成については、実施の形態５で説明する。
〔電極１１８〕
本実施の形態では電極１１８を陰極として用いる。電極１１８は、後述するＥＬ層１１
７に電子を注入できる仕事関数の小さい材料を用いて形成することが好ましい。また、仕
事関数の小さい金属単体ではなく、仕事関数の小さいアルカリ金属、またはアルカリ土類
金属を数ｎｍ形成した層を緩衝層として形成し、その上にアルミニウムなどの金属材料、
インジウム錫酸化物等の導電性を有する酸化物材料、または半導体材料を用いて形成して
もよい。また、緩衝層として、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、または、マグ
ネシウム－銀等を用いることもできる。
また、電極１１８を介して、ＥＬ層１１７が発する光を取り出す場合は、電極１１８は
、可視光に対し透光性を有することが好ましい。
〔接着層１２０、１１２、１２２〕
接着層１２０、接着層１１２、および接着層１２２としては、光硬化型の接着剤、反応
硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤を用いることができる。例えば、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂等を用いることができる。トップエミッション構
造の場合は接着層１２０に、ボトムエミッション構造の場合は接着層１１２に、光の波長
以下の大きさの乾燥剤（ゼオライト等）や、屈折率の大きいフィラー（酸化チタンや、ジ
ルコニウム等）を混合すると、ＥＬ層１１７が発する光の取り出し効率が低下しにくく、
また、表示装置の信頼性が向上するため好適である。
〔異方性導電接続層１３８〕
異方性導電接続層１３８は、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏ
ｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いて形成することができる
。
異方性導電接続層１３８は、熱硬化性、又は熱硬化性及び光硬化性の樹脂に導電性粒子
を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を硬化させたものである。異方性導電接続
層１３８は、光照射や熱圧着によって異方性の導電性を示す材料となる。異方性導電接続
層１３８に用いられる導電性粒子としては、例えば球状の有機樹脂をＡｕやＮｉ、Ｃｏ等
の薄膜状の金属で被覆した粒子を用いることができる。
＜表示装置の作製方法＞
次に、図４乃至図１４を用いて、表示装置１００の作製方法を例示する。図４乃至図６
、図８乃至図１１、及び図１４は、図１中の、Ａ１－Ａ２の一点鎖線で示す部位の断面に
相当する。
〔有機膜１１３の形成〕
まず、基板１０１上に有機膜１１３を形成する（図４（Ａ）参照）。基板の一例として
は、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英
基板、サファイア基板、セラミック基板、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有
するプラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイ
ルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、などがある。
ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又
はソーダライムガラスなどがある。
有機膜１１３の一例として、感光性のポリイミドを用いるのが好ましい。感光性の樹脂
材料を用いることで、容易に有機膜を形成することができる。また、感光性を有する樹脂
材料を用いることにより、所望の形状の有機膜を容易に形成することができる。例えば、
開口を有する有機膜、又は、それぞれ厚さが異なる２以上の領域を有する有機膜などを、
容易に形成することができる。これらは、例えばハーフトーンマスクやグレートーンマス
クを用いた露光技術、又は多重露光技術などを用いることにより形成することができる。
また、感光性の樹脂材料は、例えば平坦化膜などに用いる絶縁膜にも好適に用いること
ができる材料である。そのため、剥離のための有機膜と、他の絶縁膜などと、で材料や形
成装置を共有することができ、表示装置の製造コストを低減することができる。
有機膜１１３は、塗布法、印刷法等を行った後に硬化させる処理を施すことにより形成
することができる。なお、塗布法はスピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法
、スプレー塗布などを含む。また、印刷法は、スクリーン印刷、オフセット印刷、インク
ジェット印刷などを含む。
例えば、有機膜１１３は、基板１０１上に低粘度（例えば、粘度が５ｃＰ以上５０ｃＰ
未満）の感光性の樹脂を塗布して、光照射を行うことにより、形成することができる。ま
た、例えば、有機膜１１３は、基板１０１上に低粘度の熱硬化性の樹脂を塗布して、熱処
理を行うことにより、形成することができる。
本実施の形態では、基板１０１にアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。また、基板１０
１上に形成する有機膜１１３として、感光性のポリイミドを用いる。
〔絶縁層１１９の形成〕
次に、有機膜１１３上に絶縁層１１９を形成する（図４（Ａ）参照）。絶縁層１１９は
、基板１０１などからの不純物元素の拡散を防止または低減することができる。また、基
板１０１を基板１１１に置換した後も、基板１１１や接着層１１２などから発光素子１２
５への不純物元素の拡散を防止または低減することができる。絶縁層１１９の厚さは、好
ましくは３０ｎｍ以上２μｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以上１μｍ以下、さらに好ま
しくは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすればよい。
なお、絶縁層１１９は、必ずしも設ける構成でなくてもよい。例えば、絶縁層１１９を
形成しないことで、表示装置１００の生産に要する時間を短縮することができる。また、
例えば、ボトムエミッション構造、又はデュアルエミッション構造の表示装置の場合、絶
縁層１１９を形成しないことで、発光素子１２５の光を基板１１１側に射出する場合の発
光効率を高めることができる。
〔電極１１６の形成〕
次に、絶縁層１１９上に電極１１６を形成するための導電層１２６を形成する。例えば
、導電層１２６として絶縁層１１９上にスパッタリング法により二層のモリブデンの間に
アルミニウムを挟んだ三層の金属膜を形成する（図４（Ａ）参照）。
続いて、導電層１２６上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、導電
層１２６を所望の形状にエッチングして、電極１１６を形成することができる。レジスト
マスクの形成は、リソグラフィ法、印刷法、インクジェット法等を適宜用いて行うことが
できる。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため
、製造コストを低減できる。
導電層１２６のエッチングは、ドライエッチング法でもウェットエッチング法でもよく
、両方を用いてもよい。ウェットエッチング法により、導電層１２６のエッチングを行う
場合は、エッチング液として、燐酸と酢酸と硝酸を混ぜた溶液や、シュウ酸を含む溶液や
、リン酸を含む溶液などを用いることができる。エッチング処理終了後に、レジストマス
クを除去する（図４（Ｂ）参照）。
また、電極１１６（これらと同じ層で形成される他の電極または配線を含む。）は、そ
の端部をテーパー形状とすることで、電極１１６の側面を被覆する層の被覆性を向上させ
ることができる。具体的には、端部のテーパー角θを、８０°以下、好ましくは６０°以
下、さらに好ましくは４５°以下とする。なお、テーパー角とは、当該層の側面と底面が
なす角度を示す。また、テーパー角が９０°未満である端部形状を順テーパー形状といい
、テーパー角が９０°以上である端部形状を逆テーパー形状という。図４（Ｂ）は、電極
１１６の端部が順テーパー形状となっている場合を示している。
また、電極１１６の端部の断面形状を複数段の階段形状とすることで、その上に被覆す
る層の被覆性を向上させることもできる。なお、電極１１６に限らず、各層の端部の断面
形状を順テーパー形状または階段形状とすることで、該端部を覆って形成する層が、該端
部で途切れてしまう現象（段切れ）を防ぎ、被覆性を良好なものとすることができる。
〔絶縁層１２７の形成〕
次に、電極１１６上に絶縁層１２７を形成する（図４（Ｃ）参照）。本実施の形態では
、絶縁層１２７としてプラズマＣＶＤ法により酸化窒化シリコン膜を形成する。
次に、絶縁層１２７上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、電極１
１６と重なる絶縁層１２７の一部を選択的に除去し、開口１２８及び開口１３７を有する
絶縁層１４１を形成する（図４（Ｄ）参照）。絶縁層１２７のエッチングは、ドライエッ
チング法でもウェットエッチング法でもよく、両方を用いてもよい。
〔電極１１５の形成〕
次に、絶縁層１４１上に電極１１５を形成するための導電層１４５を形成する（図４（
Ｅ）参照）。導電層１４５は、導電層１２６（電極１１６）と同様の材料および方法で形
成することができる。
次に、導電層１４５上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、導電層
１４５の一部を選択的に除去し、電極１１５を形成する（図５（Ａ）参照）。導電層１４
５のエッチングは、ドライエッチング法でもウェットエッチング法でもよく、両方を用い
てもよい。本実施の形態では、導電層１４５（電極１１５）を、銀の上にインジウム錫酸
化物を積層した材料で形成する。電極１１５と電極１１６は、開口１２８で電気的に接続
する。
〔隔壁１１４の形成〕
次に、隔壁１１４を形成する（図５（Ｂ）参照）。本実施の形態では、隔壁１１４を感
光性の有機樹脂材料を用いて塗布法で形成し、所望の形状に加工することにより形成する
。本実施の形態では、隔壁１１４を、感光性を有するポリイミド樹脂を用いて形成する。
〔ＥＬ層１１７、電極１１８及び剥離層１１０の形成〕
本実施の形態では、ＥＬ層１１７と同一の材料で形成される剥離層１１０ａ及び電極１
１８と同一の材料で形成される剥離層１１０ｂの２層の積層を有する剥離層１１０を形成
する。このようにすることで、製造工程を増やすことなく剥離層１１０を形成できるため
好ましい。
隔壁１１４を形成した後に、ＥＬ層１１７を電極１１５及び隔壁１１４上に形成し、同
じ工程で電極１１６上の開口１３７と重なる領域に剥離層１１０ａを形成する（図５（Ｃ
）参照）。
次に、電極１１８をＥＬ層１１７上に形成し、同じ工程で剥離層１１０ｂを剥離層１１
０ａ上に形成する。本実施の形態では、電極１１８及び剥離層１１０ｂとしてマグネシウ
ムと銀の合金を用いる。電極１１８及び剥離層１１０ｂは、蒸着法、スパッタリング法等
で形成することができる（図５（Ｄ）参照）。
なお、電極１１６上の開口１３７に形成する剥離層１１０は、単層で形成してもよく、
二層以上の積層で形成してもよい。剥離層１１０を単層で形成する場合、電極１１６と密
着性の低い材料を用いることができる。また、剥離層１１０を積層で形成する場合は、積
層を構成する複数の層の間で密着性が低くなるように、複数の材料を用いることができる
。
本実施の形態では、基板１０１上に発光素子１２５を形成した基板を、素子基板１７１
と呼ぶ。
続いて、対向基板１８１の作製方法について説明する。
〔有機膜１４３の形成〕
まず、基板１０２上に有機膜１４３を形成する（図６（Ａ）参照）。基板１０２は、基
板１０１と同様の材料を用いることができる。なお、基板１０１と基板１０２は、それぞ
れ同じ材料を用いてもよいし、互いに異なる材料を用いてもよい。また、有機膜１４３は
、有機膜１１３と同様に形成することができる。基板１０２と有機膜１４３の間に絶縁層
を設けてもよい。本実施の形態では、基板１０２にアルミノホウケイ酸ガラスを用いる。
また、基板１０２上に形成する有機膜１４３として、感光性のポリイミドを用いる。
〔絶縁層１４９の形成〕
次に、有機膜１４３上に絶縁層１４９を形成する（図６（Ａ）参照）。絶縁層１４９は
、絶縁層１１９と同様の材料および方法で形成することができる。
〔有機膜１２３及び絶縁層１２９の形成〕
続いて、絶縁層１４９上にレジストマスクを形成し、該レジストマスクを用いて、絶縁
層１４９および有機膜１４３の一部を選択的に除去して、開口１３９を有する有機膜１２
３および絶縁層１２９を形成する。レジストマスクの形成は、リソグラフィ法、印刷法、
インクジェット法等を適宜用いて行うことができる。レジストマスクをインクジェット法
で形成するとフォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる。
絶縁層１４９および有機膜１４３のエッチングは、ドライエッチング法でもウェットエ
ッチング法でもよく、両方を用いてもよい。エッチング処理終了後に、レジストマスクを
除去する（図６（Ｂ）参照）。
なお、本発明の一態様の作製方法において、有機膜１２３及び絶縁層１２９の形成方法
及び構造は、上述に限定されない。例えば、初めに、基板１０２上に有機膜１４３を形成
後に、有機膜１４３上にレジストマスクを形成して、有機膜１４３の一部を選択的に除去
し、開口１３９を有する有機膜１２３を形成する。そして、レジストマスクの除去後に、
絶縁層１４９を形成する工程としてもよい。この場合、有機膜１２３の開口１３９におい
て、基板１０２上に絶縁層１４９が形成されることになる（図示しない）。このような形
成方法及び構造であっても、表示装置１００を作製することができる。
なお、絶縁層１２９は、必ずしも設ける構成でなくてもよい。例えば、絶縁層１２９を
形成しないことで、表示装置１００の生産に要する時間を短縮することができる。また、
例えば、トップエミッション構造、又はデュアルエミッション構造の表示装置の場合、絶
縁層１２９を形成しないことで、発光素子１２５の光を基板１２１側に射出する場合の発
光効率を高めることができる。
〔遮光層２６４の形成〕
次に、絶縁層１２９上に、遮光層２６４を形成するための層２７４を形成する（図６（
Ｃ）参照）。層２７４は、単層構造であっても２層以上の積層構造であってもよい。層２
７４に用いることができる材料として、例えば、クロム、チタン、またはニッケルなどを
含む金属材料、または、クロム、チタン、またはニッケルなどを含む酸化物材料などが挙
げられる。
層２７４を金属材料や酸化物材料で形成する場合は、層２７４上にレジストマスクを形
成し、該レジストマスクを用いて、層２７４を所望の形状にエッチングして、遮光層２６
４を形成することができる（図６（Ｄ）参照）。また、カーボンブラックを分散した高分
子材料を用いると、インクジェット法により絶縁層１２９上に遮光層２６４を直接描画す
ることができる。
〔着色層２６６の形成〕
次に、絶縁層１２９上に、着色層２６６を形成する（図６（Ｅ）参照）。着色層２６６
は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いて、
それぞれ所望の位置に形成する。この時、着色層２６６の一部が遮光層２６４と重なるよ
うに設けることが好ましい。画素毎に着色層２６６の色を変えることで、カラー表示を行
うことができる。
ここで、カラー表示を実現するための画素構成の一例を、図７を用いて説明する。図７
（Ａ）、図７（Ｂ）、および図７（Ｃ）は、図１（Ａ）の表示領域１３１中に示した領域
１７０を拡大した平面図である。例えば、図７（Ａ）に示すように、ストライプ配列を適
用した３つの画素１３０を副画素として機能させて、まとめて１つの画素１４０として用
いることができる。３つの画素１３０それぞれに対応する着色層２６６を、赤、緑、青、
とすることで、フルカラー表示を実現することができる。なお、図７（Ａ）では、赤色の
光を発する画素１３０を画素１３０Ｒと示し、緑色の光を発する画素１３０を画素１３０
Ｇと示し、青色の光を発する画素１３０を画素１３０Ｂと示している。また、着色層２６
６の色は、赤、緑、青、以外であってもよく、例えば、着色層２６６に黄、シアン、マゼ
ンタなどを用いてもよい。
また、図７（Ｂ）に示すように、４つの画素１３０を副画素として機能させて、まとめ
て１つの画素１４０として用いてもよい。例えば、４つの画素１３０それぞれに対応する
着色層２６６を、赤、緑、青、黄としてもよい。なお、図７（Ｂ）では、赤色の光を発す
る画素１３０を画素１３０Ｒと示し、緑色の光を発する画素１３０を画素１３０Ｇと示し
、青色の光を発する画素１３０を画素１３０Ｂと示し、黄色の光を発する画素１３０を画
素１３０Ｙと示している。１つの画素１４０として用いる画素１３０の数を増やすことで
、特に色の再現性を高めることができる。よって、表示装置の表示品位を高めることがで
きる。
また、図７（Ｂ）において、４つの画素１３０それぞれに対応する着色層２６６を、赤
、緑、青、白としてもよい。白の光を発する画素１３０（画素１３０Ｗ）を設けることで
、表示領域の発光輝度を高めることができる。なお、白の光を発する画素１３０の場合は
、着色層２６６を設けなくてもよい。白の着色層２６６を設けないことで、着色層２６６
透過時の輝度低下がなくなるため、表示装置の消費電力を低減することができる。一方で
、白の着色層２６６を設けることにより、白色光の色温度を制御することができる。よっ
て、表示装置の表示品位を高めることができる。また、表示装置の用途によっては、４つ
の画素１３０のうちの任意の２つの画素１３０を１つの画素１４０として用いてもよい。
なお、各画素１３０の占有面積や形状などは、それぞれ同じでもよいし、それぞれ異な
っていてもよい。また、配列方法として、ストライプ配列以外の方法でもよい。例えば、
デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などを適用することもできる。３つの画素１
３０にペンタイル配列を適用した場合の例を、図７（Ｃ）に示す。
〔オーバーコート層２６８の形成〕
次に、遮光層２６４および着色層２６６上にオーバーコート層２６８を形成する（図６
（Ｆ）参照）。
オーバーコート層２６８としては、例えばアクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド等
の有機絶縁層を用いることができる。オーバーコート層２６８を形成することによって、
例えば、着色層２６６中に含まれる不純物等が発光素子１２５側に拡散することを抑制す
ることができる。また、図６（Ｆ）では、開口１３９にオーバーコート層２６８を形成し
ていないが、開口１３９にオーバーコート層２６８を形成してもよい。ただし、オーバー
コート層２６８は、必ずしも設ける必要はなく、オーバーコート層２６８を形成しない構
造としてもよい。
また、オーバーコート層２６８として透光性を有する導電膜を形成してもよい。これに
より、発光素子１２５から発せられた光１５１を透過し、かつ、イオン化した不純物の透
過を防ぐことができる。
透光性を有する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム
亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる
。また、グラフェン等の他、透光性を有する程度に薄く形成された金属膜を用いてもよい
。
本実施の形態では、基板１０２上に着色層２６６などを形成した基板を、対向基板１８
１と呼ぶ。以上の工程により対向基板１８１を形成することができる。ただし、対向基板
１８１に着色層２６６などを設けない場合がある。
〔素子基板１７１と対向基板１８１を貼り合わせる〕
次に、素子基板１７１と対向基板１８１を、接着層１２０を介して貼り合わせる。この
時、素子基板１７１上の発光素子１２５と、対向基板１８１上の着色層２６６と、が向か
い合うように配置し、かつ、素子基板１７１の剥離層１１０と、対向基板１８１の開口１
３９が重なるように配置する（図８（Ａ）参照）。
〔基板１０１の剥離〕
次に、素子基板１７１が有する基板１０１を、絶縁層１１９から剥離する。剥離方法と
しては、例えば、有機膜１１３にレーザを照射する方法が挙げられる（図８（Ｂ）参照）
。有機膜１１３にレーザ６５を照射することにより、絶縁層１１９と有機膜１１３との密
着性を低下することができる。その結果、素子基板１７１が有する基板１０１に対して物
理的な力などを与えることによって、基板１０１を絶縁層１１９から剥離することができ
る（図９（Ａ）参照）。
レーザ６５としては、線状レーザを用い、基板１０１と有機膜１１３との間に照射する
ことが好ましい。これにより素子基板１７１の面積を大きくした際の工程時間を短縮する
ことができる。また例えばレーザ６５としては、波長が３０８ｎｍのエキシマレーザを好
適に用いることができる。
図９（Ａ）では、基板１０１側に有機膜１１３の一部である有機膜１１３ａが残存して
いる例を示す。レーザ６５の照射条件によっては、有機膜１１３の内部で分離（破断）が
生じ、このように有機膜１１３ａが残存する場合がある。または、有機膜１１３の表面の
一部が融解する場合にも、同様に基板１０１側に有機膜１１３ａの一部が残存することが
ある。なお、基板１０１と有機膜１１３の界面で剥離する場合、基板１０１側に有機膜１
１３ａが残存しないことがある。
基板１０１側に残存する有機膜１１３ａの厚さは、例えば、１００ｎｍ以下、具体的に
は４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下程度とすることができる。残存した有機膜１１３ａを除去す
ることで、基板１０１は再利用が可能である。例えば、基板１０１にガラスを用い、有機
膜１１３にポリイミド樹脂を用いた場合は、発煙硝酸を用いて有機膜１１３ａを除去する
ことができる。
ところで、上述した物理的な力としては、人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラ
ーを回転させながら剥離する処理、超音波等が挙げられる。
また、上述とは別の一例としては、基板１０１と有機膜１１３の界面に鋭利な刃物また
はレーザ光照射等で切り込みをいれ、その切り込みに水を注入する方法が挙げられる。こ
れによって、毛細管現象により水が基板１０１と有機膜１１３の界面にしみこんでいくた
め、有機膜１１３と基板１０１とを容易に剥離することができる。
〔基板１１１の貼り合わせ〕
次に、接着層１１２を介して基板１１１を有機膜１１３に貼り合わせる（図９（Ｂ）参
照）。
〔基板１０２の剥離〕
次に、対向基板１８１が有する基板１０２を、絶縁層１２９から剥離する。なお、剥離
方法としては、基板１０１の剥離と同様に、有機膜１２３にレーザを照射する方法が挙げ
られる（図１０（Ａ）参照）。なお、図１０（Ａ）では、レーザとして、レーザ６５を図
示しており、図１０（Ａ）のレーザ６５としては、基板１０１の剥離の際に用いたレーザ
６５の記載を参照する。これにより、基板１０１を絶縁層１１９から剥離する方法と同様
に、基板１０２を絶縁層１２９から剥離することができる。
図１０（Ｂ）に、対向基板１８１が有する基板１０２を、絶縁層１２９から剥離する様
子を示す。この時、開口１３９と概ね重なる領域の接着層１２０の一部と、開口１３９と
概ね重なる領域の剥離層１１０ｂも一緒に除去され、開口１３２ａが形成される。または
、開口１３９と概ね重なる領域の接着層１２０と、開口１３９と概ね重なる領域の剥離層
１１０ｂと、開口１３９と概ね重なる領域の剥離層１１０ａの一部と、が一緒に除去され
、開口１３２ａが形成される。また、開口１３９が電極１１６の内側に位置するように基
板１０２を配置すると、開口１３２ａの形成を容易とすることができるため好ましい。す
なわち、断面視において、開口１３２ａが電極１１６の端部よりも内側に形成されている
ことが好ましい。また、開口１３９の幅Ｗ１が、剥離層１１０ａと剥離層１１０ｂが接す
る面の幅Ｗ２よりも小さいと、剥離層１１０ａから剥離層１１０ｂを剥がしやすくなるた
め好ましい（図９（Ｂ）参照）。
ただ一方で、幅Ｗ１が幅Ｗ２よりも小さいと、剥離の際に剥離層１１０ｂの開口１３２
ａと重ならない部分が剥離層１１０ａから垂直方向に対して斜めに持ち上げられることで
、剥離層１１０ｂの開口１３２ａと重ならない部分、前記部分と重なる接着層１２０の部
分などが剥離層１１０ａとの界面から離れずに、剥離層１１０ａ上に残る場合がある。こ
のため、幅Ｗ１と幅Ｗ２の差を小さくすることが好ましい。
なお、基板１０２を絶縁層１２９から剥離した後に、電極１１６上に剥離層１１０ａが
残存する場合がある。剥離層１１０ａが電極１１６上に残存していると、電極１１６と異
方性導電接続層１３８との間で接触不良が生じる場合がある。そのため、基板１０２を剥
離した後に、アセトンなどの有機溶媒等を用いて電極１１６上に残存して付着した剥離層
１１０ａを除去することが好ましい。本実施の形態では、アセトンを用いて電極１１６上
の剥離層１１０ａを除去する。なお、剥離層１１０ａが電極１１６上に残存していても電
極１１６と異方性導電接続層１３８との間の電気的接続に問題が生じない場合には、電極
１１６上に残存した剥離層１１０ａを除去しなくてもよい。
また、基板１０２を絶縁層１２９から剥離する方法については、上記で説明した内容と
同様に、物理的な力などを加えるなどの方法を用いて、基板１０２を剥離すればよい。
図１０（Ｂ）では、基板１０２側に有機膜１２３の一部である有機膜１２３ａが残存し
ている例を示す。レーザの照射条件によっては、有機膜１２３の内部で分離（破断）が生
じ、このように有機膜１２３ａが残存する場合がある。または、有機膜１２３の表面の一
部が融解する場合にも、同様に基板１０２側に有機膜１２３ａの一部が残存することがあ
る。なお、基板１０２と有機膜１２３の界面で剥離する場合、基板１０２側に有機膜１２
３ａが残存しないことがある。
基板１０２側に残存する有機膜１２３ａの厚さは、例えば、１００ｎｍ以下、具体的に
は４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下程度とすることができる。
〔基板１２１の貼り合わせ〕
次に、接着層１２２を介して、開口１３２ｂを有する基板１２１を絶縁層１２９に貼り
合わせる（図１１（Ａ）参照）。この時、開口１３２ａと開口１３２ｂが重なるように貼
り合わせる。本実施の形態では、開口１３２ａと開口１３２ｂを合わせて開口１３２と呼
ぶ。開口１３２において、電極１１６の表面が露出する。
基板１２１を絶縁層１２９に貼り合わせた時に、図１１（Ｂ）に示すように接着層１２
２が開口１３２ａにおける各層の側面を覆うように、開口１３２ｂの幅や接着層１２２と
して用いる接着剤の量などを調整することが好ましい。このようにすることで、開口１３
２ａの側面において露出している絶縁層１２９などに膜割れやひびが発生することを抑制
できる。また、剥離層１１０ｂを除去した後に絶縁層１４１上の開口１３２ａ近傍に残存
する剥離層１１０ｃを接着層１２２で覆うことで、異方性導電接続層１３８への剥離層１
１０を構成する材料の拡散などを抑制できる。例えば、開口１３２ｂの幅Ｗ３は、開口１
３２の幅Ｗ４よりも小さいことが好ましい（図１１（Ｂ）参照）。図１１（Ｂ）に、基板
１２１を絶縁層１２９に貼り合わせた後の表示装置１００の断面図を示す。
なお、本発明の一態様の表示装置１００は、１つの開口１３２内に電極１１６を複数設
けてもよいし、電極１１６毎に開口１３２を設けてもよい。図１２（Ａ）は、１つの開口
１３２内に複数の電極１１６を設けた表示装置１００の斜視図であり、図１２（Ｂ）は、
図１２（Ａ）にＢ１－Ｂ２の一点鎖線で示した部位の断面図である。図１３（Ａ）は、電
極１１６毎に開口１３２を設けた表示装置１００の斜視図であり、図１３（Ｂ）は、図１
３（Ａ）にＢ３－Ｂ４の一点鎖線で示した部位の断面図である。
平面図において開口１３２を基板１２１の端部より内側に設けることで、開口１３２の
外周部分を基板１２１と基板１１１で支える構造とすることができる。よって、外部電極
１２４と電極１１６が接続する領域の機械的強度が低下しづらく、同領域の意図しない変
形を軽減することができる。なお、１つの開口１３２内に電極１１６を複数設けるよりも
、電極１１６毎に開口１３２を設ける方が、同領域の変形を軽減する効果を高めることが
できる（図１３（Ｂ）参照）。本発明の一態様によれば、表示装置１００の破損を防ぎ、
表示装置１００の信頼性を高めることができる。
また、基板１１１または基板１２１のうち、光１５１が射出される側の基板の外側に、
反射防止層、光拡散層、マイクロレンズアレイ、プリズムシート、位相差板、偏光板など
の特定の機能を有する材料で形成された層（以下、「機能層」ともいう。）を一種以上設
けてもよい。反射防止層としては、例えば円偏光板などを用いることができる。機能層を
設けることで、より表示品位の良好な表示装置を実現することができる。または、表示装
置の消費電力を低減することができる。
図１４（Ａ）は、機能層１６１を有するトップエミッション構造の表示装置１００の断
面図である。また、図１４（Ｂ）は、機能層１６１を有するボトムエミッション構造の表
示装置１００の断面図である。また、図１４（Ｃ）は、機能層１６１を有するデュアルエ
ミッション構造の表示装置１００の断面図である。
また、基板１１１または基板１２１として、特定の機能を有する材料を用いてもよい。
例えば、基板１１１または基板１２１として、円偏光板を用いてもよい。また、例えば、
基板１１１または基板１２１を、位相差板を用いて形成し、当該基板と重ねて偏光板を設
けてもよい。また、例えば、基板１１１または基板１２１を、プリズムシートを用いて形
成し、当該基板と重ねて円偏光板を設けてもよい。基板１１１または基板１２１として、
特定の機能を有する材料を用いることで、表示品位の向上と、製造コストの低減を実現す
ることができる。
なお、量産を考えると、大型の基板に複数の表示装置１００を作製した後に分断する、
いわゆる多面取りによって表示装置１００を作製することで、製造コストの低下を図るこ
とができるため好ましい。多面取りの場合、例えば基板１２１の貼り合わせの後に、大型
の基板を分断することで個々の表示装置１００を作製することができる。実施の形態２で
後述するように、表示装置がトランジスタ等を含んでいる場合は、基板の分断工程におい
てショートリングも分断できるような構成にすることが好ましい。ショートリングとは、
表示装置の作製途中で表示装置の一部において過電流が発生した場合に、トランジスタを
含むある回路に局所的に電流が流れることを防ぐために、複数の回路に電圧を供給する複
数の配線同士をショートさせる配線のことをいう。
〔外部電極１２４の貼り付け〕
次に、開口１３２に異方性導電接続層１３８を形成し、異方性導電接続層１３８上に、
表示装置１００に電力や信号を入力するための外部電極１２４を形成する（図１参照）。
異方性導電接続層１３８を介して外部電極１２４と電極１１６を電気的に接続する。この
ようにして、表示装置１００に電力や信号を入力することが可能となる。なお、外部電極
１２４として、ＦＰＣを用いることができる。また、外部電極１２４として金属線を用い
ることもできる。該金属線と電極１１６の接続は、異方性導電接続層１３８を用いてもよ
いが、異方性導電接続層１３８を用いずに、ワイヤーボンディング法により行ってもよい
。また、該金属線と電極１１６の接続をハンダ付けで行ってもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態に示した表示装置１００と異なる構成を有する表示
装置２００について、図１５を用いて説明する。図１５（Ａ）は表示装置２００の斜視図
であり、図１５（Ｂ）は、図１５（Ａ）中にＡ５－Ａ６の一点鎖線で示す部位の断面図で
ある。
＜表示装置２００の構成＞
本実施の形態に示す表示装置２００は、表示領域２３１と、周辺回路２５１を有する。
また、表示装置２００は、電極１１５、ＥＬ層１１７、電極１１８を含む発光素子１２５
と、電極１１６を有する。発光素子１２５は、表示領域２３１中に複数形成されている。
また、各発光素子１２５には、発光素子１２５の発光量を制御するトランジスタ２３２が
接続されている。
電極１１６は、開口１３２に形成された異方性導電接続層１３８を介して外部電極１２
４と電気的に接続されている。また、図示しないが電極１１６は周辺回路２５１に電気的
に接続されている。
周辺回路２５１は、複数のトランジスタ２５２により構成されている。周辺回路２５１
は、外部電極１２４から供給された信号を、表示領域２３１中のどの発光素子１２５に供
給するかを決定する機能を有する。
図１５に示す表示装置２００は、接着層１２０を介して基板１１１と基板１２１が貼り
合わされた構造を有する。基板１１１上には、接着層１１２を介して、有機膜１１３が形
成されている。有機膜１１３上には、絶縁層２０５が形成されている。絶縁層２０５は、
酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム
、酸化窒化アルミニウム、または窒化酸化アルミニウム等を、単層または多層で形成する
のが好ましい。絶縁層２０５は、スパッタリング法やＣＶＤ法、熱酸化法、塗布法、印刷
法等を用いて形成することが可能である。
なお、絶縁層２０５は下地層として機能し、基板１１１、接着層１１２及び有機膜１１
３などからトランジスタや発光素子への不純物元素の拡散を防止、または低減することが
できる。
また、絶縁層２０５上に、トランジスタ２３２、トランジスタ２５２が形成されている
。なお、本実施の形態では、トランジスタ２３２および／またはトランジスタ２５２とし
て、ボトムゲート型のトランジスタの１つであるチャネルエッチング型のトランジスタを
例示しているが、チャネル保護型のトランジスタや、トップゲート型のトランジスタなど
を用いることも可能である。また、逆スタガ型のトランジスタや、順スタガ型のトランジ
スタを用いることも可能である。また、チャネルが形成される半導体層を２つのゲート電
極で挟む構造の、デュアルゲート型のトランジスタを用いることも可能である。また、シ
ングルゲート構造のトランジスタに限定されず、複数のチャネル形成領域を有するマルチ
ゲート型トランジスタ、例えばダブルゲート型トランジスタとしてもよい。
また、トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２として、プレーナ型、ＦＩＮ型（
フィン型）、ＴＲＩ－ＧＡＴＥ型（トライゲート型）などの、様々な構成のトランジスタ
を用いることが出来る。
トランジスタ２３２とトランジスタ２５２は、それぞれが同様の構造を有していてもよ
いし、異なる構造を有していてもよい。トランジスタのサイズ（例えば、チャネル長、チ
ャネル幅など）は、各トランジスタで適宜調整することができる。
トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２は、ゲート電極として機能できる電極２
０６、ゲート絶縁層として機能できる絶縁層２０７、半導体層２０８、ソース電極または
ドレイン電極の一方として機能できる電極２１４、ソース電極またはドレイン電極の他方
として機能できる電極２１５を有する。
電極１１６、配線２１９、電極２１４、および電極２１５は、絶縁層２０７上に形成さ
れている。また、配線２１９、電極２１４、および電極２１５は、電極１１６を形成する
ための導電層の一部を用いて、電極１１６と同じ工程で形成することができる。また、絶
縁層２０７は、絶縁層２０５と同様の材料および方法により形成することができる。
半導体層２０８は、単結晶半導体、多結晶半導体、微結晶半導体、ナノクリスタル半導
体、セミアモルファス半導体、非晶質半導体、等を用いて形成することができる。例えば
、非晶質シリコンや、微結晶ゲルマニウム等を用いることができる。また、炭化シリコン
、ガリウム砒素、酸化物半導体、窒化物半導体などの化合物半導体や、有機半導体等を用
いることができる。また、半導体層２０８として酸化物半導体を用いる場合は、ＣＡＡＣ
－ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍ
ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、多結晶酸化物半導体、微結晶酸化物半導体、ｎｃ－ＯＳ（ｎａ
ｎｏ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸
化物半導体などを用いることができる。
ＣＡＡＣ－ＯＳとは、ｃ軸配向性を有し、かつａ－ｂ面方向において複数のナノ結晶が
連結し、歪みを有した結晶構造を指す。なお、歪みとは、複数のナノ結晶が連結する領域
において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向
きが変化している箇所を指す。
ナノ結晶は、六角形を基本とするが、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合
がある。また、歪みにおいて、五角形、七角形などの格子配列を有する場合がある。なお
、ＣＡＡＣ－ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリ
ーともいう）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形
成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ－ＯＳが、ａ－ｂ面方向において酸
素原子の配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変化す
ることなどによって、歪みを許容することができるためと考えられる。
ｎｃ－ＯＳとは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以
上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する結晶構造を指す。また、ｎｃ－
ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性
が見られない。
なお、酸化物半導体は、エネルギーギャップが２．０ｅＶ以上と大きく、可視光に対す
る透過率が大きい。また、酸化物半導体を適切な条件で加工して得られたトランジスタに
おいては、オフ電流（トランジスタがオフ状態の時にソースとドレイン間に流れる電流）
を極めて小さくすることができる。例えばソースとドレイン間の電圧が３．５Ｖ、温度２
５℃においては、チャネル幅１μｍあたり１００ｚＡ（１×１０－１９Ａ）以下、もしく
は１０ｚＡ（１×１０－２０Ａ）以下、さらには１ｚＡ（１×１０－２１Ａ）以下とする
ことができる。このため、消費電力の少ない表示装置を提供することができる。
また、半導体層２０８に酸化物半導体を用いる場合は、半導体層２０８に接する絶縁層
に酸素を有する絶縁層を用いることが好ましい。特に、半導体層２０８に接する絶縁層と
して、加熱処理により酸素を放出する絶縁層を用いることが好ましい。
また、トランジスタ２３２およびトランジスタ２５２上に絶縁層２１０が形成され、絶
縁層２１０上に絶縁層２１１が形成されている。絶縁層２１０及び絶縁層２１１は、保護
絶縁層として機能し、絶縁層２１１よりも上の層からトランジスタ２３２およびトランジ
スタ２５２への不純物元素が拡散することを防止または低減することができる。絶縁層２
１０及び絶縁層２１１は、絶縁層２０５と同様の材料及び方法で形成することができる。
絶縁層２１１上に層間絶縁層２１２が形成される。層間絶縁層２１２は、トランジスタ
２３２やトランジスタ２５２に起因する凹凸を吸収することができる。層間絶縁層２１２
の表面に平坦化処理を行ってもよい。平坦化処理としては特に限定されないが、研磨処理
（例えば、化学的機械研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈ
ｉｎｇ：ＣＭＰ））、やドライエッチング処理により行うことができる。
また、平坦化機能を有する絶縁材料を用いて層間絶縁層２１２を形成することで、研磨
処理を省略することもできる。平坦化機能を有する絶縁材料として、例えば、ポリイミド
樹脂、アクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘
電率材料（ｌｏｗ－ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される
絶縁膜を複数積層させることで、層間絶縁層２１２を形成してもよい。
また、層間絶縁層２１２上に、発光素子１２５と、隣接する発光素子１２５を隔てるた
めの隔壁１１４が形成されている。電極１１５が電極１１６と重なるように開口１３２に
形成される。
また、基板１２１には、遮光層２６４、着色層２６６、及びオーバーコート層２６８が
形成されている。表示装置２００は、発光素子１２５からの光を、着色層２６６を介して
基板１２１側から射出する、所謂トップエミッション構造の表示装置である。
また、発光素子１２５は、層間絶縁層２１２、絶縁層２１１、および絶縁層２１０に設
けられた開口を介してトランジスタ２３２と電気的に接続されている。
また、発光素子１２５を、ＥＬ層１１７から発する光を共振させる微小光共振器（「マ
イクロキャビティ」ともいう）構造とすることで、異なる発光素子１２５で同じＥＬ層１
１７を用いても、異なる波長の光を狭線化して取り出すことができる。
一例として、図１６に、発光素子１２５をマイクロキャビティ構造とした表示装置２０
０の断面図を示す。なお、図１６（Ａ）は、図１５（Ａ）中にＡ５－Ａ６の一点鎖線で示
す部位近傍の断面図に相当する。また、図１６（Ｂ）は、図１６（Ａ）に示した部位２８
０の拡大図である。
発光素子１２５をマイクロキャビティ構造とする場合、電極１１８を入射光量のうち一
定光量の光を透過して一定光量の光を反射する（半透過）導電性材料を用いて形成し、電
極１１５を、反射率の高い（可視光の反射率が５０％以上１００％以下、好ましくは７０
％以上１００％以下）導電性材料と、透過率の高い（可視光の透過率が５０％以上１００
％以下、好ましくは７０％以上１００％以下）導電性材料の積層で形成する。ここでは、
電極１１５を、光を反射する導電性材料で形成された電極１１５ａと、光を透過する導電
性材料で形成された電極１１５ｂの積層としている。電極１１５ｂは、ＥＬ層１１７と電
極１１５ａの間に設ける（図１６（Ｂ）参照）。電極１１８は半透過電極として、電極１
１５ａは反射電極として機能できる。
例えば、電極１１８として、厚さ１ｎｍ乃至３０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ乃至１５ｎｍ
の銀（Ａｇ）を含む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料などを用
いればよい。本実施の形態では、電極１１８として厚さ１０ｎｍの銀とマグネシウムを含
む導電性材料を用いる。
また、電極１１５ａとして厚さ５０ｎｍ乃至５００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ乃至２０
０ｎｍの銀（Ａｇ）を含む導電性材料、またはアルミニウム（Ａｌ）を含む導電性材料な
どを用いればよい。本実施の形態では、電極１１５ａとして厚さ１００ｎｍの銀を含む導
電性材料を用いる。
また、電極１１５ｂとして厚さ１ｎｍ乃至２００ｎｍ、好ましくは５ｎｍ乃至１００ｎ
ｍのインジウム（Ｉｎ）を含む導電性酸化物、または亜鉛（Ｚｎ）を含む導電性酸化物な
どを用いればよい。本実施の形態では、電極１１５ｂとしてインジウム錫酸化物を用いる
。また、電極１１５ａの下に、さらに導電性酸化物を設けてもよい。
電極１１５ｂの厚さｔを変えることで、電極１１８とＥＬ層１１７の界面から電極１１
５ａと電極１１５ｂの界面までの距離ｄを任意の値に設定することができる。画素ごとに
電極１１５ｂの厚さｔを変えることで、同じＥＬ層１１７を用いても、画素ごとに異なる
発光スペクトルを有する発光素子１２５を設けることができる。よって、各発光色の色純
度を高め、色再現性の良好な表示装置を実現することができる。また、画素ごと（発光色
ごと）にＥＬ層１１７を形成する必要がないため、表示装置の作製工程を少なくし、生産
性を高めることができる。また、表示装置の高精細化を容易とすることができる。
なお、光学的距離ｄの調整方法は上記の調整方法に限定されない。例えば、ＥＬ層１１
７の膜厚を変えることで光学的距離ｄを調整してもよい。
図１６（Ａ）は、赤色の光１５１Ｒを発光することができる画素１３０Ｒ、緑色の光１
５１Ｇを発光することができる画素１３０Ｇ、青色の光１５１Ｂを発光することができる
画素１３０Ｂ、および黄色の光１５１Ｙを発光することができる画素１３０Ｙを１つの画
素１４０として用いる例を示している。なお、本発明の一態様はこれに限定されず、画素
１４０として、赤、緑、青、黄、シアン、マゼンタ、または白などの光を発光することが
できる副画素を適宜組み合わせて用いればよい。例えば、画素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、
および画素１３０Ｂの３つの副画素で画素１４０を構成してもよい。
また、発光素子１２５と重畳する位置に着色層２６６を設けて、光１５１が着色層２６
６を透過して外部に射出する構成としてもよい。図１７に、図１６に示した表示装置２０
０に着色層２６６を組み合わせた構成の一例を示す。図１７に示す表示装置２００は、赤
色の光１５１Ｒを発光することができる画素１３０Ｒと重ねて赤色の波長帯域の光を透過
する着色層２６６Ｒが設けられ、緑色の光１５１Ｇを発光することができる画素１３０Ｇ
と重ねて緑色の波長帯域の光を透過する着色層２６６Ｇが設けられ、青色の光１５１Ｂを
発光することができる画素１３０Ｂと重ねて青色の波長帯域の光を透過する着色層２６６
Ｂが設けられ、黄色の光１５１Ｙを発光することができる画素１３０Ｙと重ねて黄色の波
長帯域の光を透過する着色層２６６Ｙが設けられている。
画素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、画素１３０Ｂに加えて画素１３０Ｙを用いることで、表
示装置の色再現性を高めることができる。また、画素１４０を画素１３０Ｒ、画素１３０
Ｇ、および画素１３０Ｂのみで構成する場合、画素１４０の発光色を白としたい時は、画
素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、および画素１３０Ｂの全てを発光させる必要がある。一方、
画素１３０Ｒ、画素１３０Ｇ、および画素１３０Ｂに加えて、画素１３０Ｙを設けること
で、画素１３０Ｂと画素１３０Ｙのみを発光させて、白色光を得ることが可能となる。よ
って、画素１３０Ｒと画素１３０Ｇを発光させなくても白色光を得ることができるため、
表示装置の消費電力を低減することができる。
また、画素１３０Ｙに代えて、白色の光１５１Ｗを発光することができる画素１３０Ｗ
を用いてもよい。画素１３０Ｙに代えて、画素１３０Ｗを用いることで、画素１３０Ｗの
みの発光により白色光を得ることができるため、表示装置の消費電力をより低減すること
ができる。
なお、画素１３０Ｗを用いる場合は、画素１３０Ｗに着色層を設けなくてもよい。着色
層を設けないことで、表示領域の輝度が向上し、視認性の良好な表示装置を実現すること
ができる。また、表示装置の消費電力をより低減することができる。
また、画素１３０Ｗに可視光領域のほぼ全体を透過する着色層２６６Ｗを設けてもよい
。これにより、白色の光１５１Ｗの色温度を変化させることができる。よって、表示品位
の良好な表示装置を実現することができる。
また、マイクロキャビティ構造の発光素子１２５と着色層２６６を組み合わせて用いる
ことにより、光１５１の色純度をさらに高めることができる。よって、表示装置２００の
色再現性を高めることができる。また、外部から入射した光は、着色層２６６で大部分が
吸収されるため、外部から入射した光の表示領域２３１への映り込みを軽減し、表示装置
の視認性を高めることができる。よって、表示品位の良好な表示装置を実現することがで
きる。
また、本実施の形態では、表示装置の一例として、アクティブマトリクス型の表示装置
について例示したが、パッシブマトリクス型の表示装置に適用することも可能である。ま
た、ボトムエミッション構造の表示装置、デュアルエミッション構造の表示装置にも適用
可能である。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
（実施の形態３）
本実施の形態では、表示装置２００のより具体的な構成例について、図１８を用いて説
明する。図１８（Ａ）は、表示装置２００の構成例を説明するためのブロック図である。
図１８（Ａ）に示す表示装置２００は、表示領域２３１、駆動回路１４２ａ、駆動回路
１４２ｂ、および駆動回路１３３を有する。駆動回路１４２ａ、駆動回路１４２ｂ、およ
び駆動回路１３３は、上記実施の形態に示した周辺回路２５１に相当する。また、駆動回
路１４２ａ、駆動回路１４２ｂ、および駆動回路１３３をまとめて駆動回路部という場合
がある。
駆動回路１４２ａ、駆動回路１４２ｂは、例えば走査線駆動回路として機能する。また
、駆動回路１３３は、例えば信号線駆動回路として機能する。なお、駆動回路１４２ａ、
および駆動回路１４２ｂは、どちらか一方のみとしてもよい。また、表示領域２３１を挟
んで駆動回路１３３と向き合う位置に、何らかの回路を設けてもよい。
また、表示装置２００は、各々が略平行に配設され、且つ、駆動回路１４２ａ、および
／または駆動回路１４２ｂによって電位が制御されるｍ本の配線１３５と、各々が略平行
に配設され、且つ、駆動回路１３３によって電位が制御されるｎ本の配線１３６と、を有
する。さらに、表示領域２３１はマトリクス状に配設された複数の画素回路１３４を有す
る。なお、一つの画素回路１３４により、一つの副画素（画素１３０）が駆動される。
各配線１３５は、表示領域２３１においてｍ行ｎ列に配設された画素回路１３４のうち
、いずれかの行に配設されたｎ個の画素回路１３４と電気的に接続される。また、各配線
１３６は、ｍ行ｎ列に配設された画素回路１３４のうち、いずれかの列に配設されたｍ個
の画素回路１３４に電気的に接続される。ｍ、ｎは、ともに１以上の整数である。
〔表示装置用画素回路の一例〕
図１８（Ｂ）および図１８（Ｃ）は、図１８（Ａ）に示す表示装置の画素回路１３４に
用いることができる回路構成例を示している。
図１８（Ｂ）に示す画素回路１３４は、トランジスタ４３１と、容量素子２３３と、ト
ランジスタ２３２と、トランジスタ４３４と、を有する。また、画素回路１３４は、発光
素子１２５と電気的に接続されている。
トランジスタ４３１のソースおよびドレインの一方は、データ信号が与えられる配線（
以下、信号線ＤＬ＿ｊ（ｊは１以上ｎ以下の整数である。）という）に電気的に接続され
る。さらに、トランジスタ４３１のゲートは、ゲート信号が与えられる配線（以下、走査
線ＧＬ＿ｉ（ｉは１以上ｍ以下の整数である。）という）に電気的に接続される。信号線
ＤＬ＿ｊと走査線ＧＬ＿ｉはそれぞれ配線１３６と配線１３５に相当する。
トランジスタ４３１は、データ信号のノード４３５への書き込みを制御する機能を有す
る。
容量素子２３３の一対の電極の一方は、ノード４３５に電気的に接続され、他方は、ノ
ード４３７に電気的に接続される。また、トランジスタ４３１のソースおよびドレインの
他方は、ノード４３５に電気的に接続される。
容量素子２３３は、ノード４３５に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機
能を有する。
トランジスタ２３２のソースおよびドレインの一方は、電位供給線ＶＬ＿ａに電気的に
接続され、他方はノード４３７に電気的に接続される。さらに、トランジスタ２３２のゲ
ートは、ノード４３５に電気的に接続される。
トランジスタ４３４のソースおよびドレインの一方は、電位供給線Ｖ０に電気的に接続
され、他方はノード４３７に電気的に接続される。さらに、トランジスタ４３４のゲート
は、走査線ＧＬ＿ｉに電気的に接続される。
発光素子１２５のアノードおよびカソードの一方は、電位供給線ＶＬ＿ｂに電気的に接
続され、他方は、ノード４３７に電気的に接続される。
発光素子１２５としては、例えば有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子とも
いう）などを用いることができる。ただし、発光素子１２５としては、これに限定されず
、例えば無機材料からなる無機ＥＬ素子を用いても良い。
なお、電源電位としては、例えば相対的に高電位側の電位または低電位側の電位を用い
ることができる。高電位側の電源電位を高電源電位（「ＶＤＤ」ともいう）といい、低電
位側の電源電位を低電源電位（「ＶＳＳ」ともいう）という。また、接地電位を高電源電
位または低電源電位として用いることもできる。例えば高電源電位が接地電位の場合には
、低電源電位は接地電位より低い電位であり、低電源電位が接地電位の場合には、高電源
電位は接地電位より高い電位である。
例えば、電位供給線ＶＬ＿ａまたは電位供給線ＶＬ＿ｂの一方には、高電源電位ＶＤＤ
が与えられ、他方には、低電源電位ＶＳＳが与えられる。
図１８（Ｂ）の画素回路１３４を有する表示装置では、駆動回路１４２ａ、および／ま
たは駆動回路１４２ｂにより各行の画素回路１３４を順次選択し、トランジスタ４３１、
およびトランジスタ４３４をオン状態にしてデータ信号をノード４３５に書き込む。
ノード４３５にデータが書き込まれた画素回路１３４は、トランジスタ４３１、および
トランジスタ４３４がオフ状態になることで保持状態になる。さらに、ノード４３５に書
き込まれたデータの電位に応じてトランジスタ２３２のソース電極とドレイン電極の間に
流れる電流量が制御され、発光素子１２５は、流れる電流量に応じた輝度で発光する。こ
れを行毎に順次行うことにより、画像を表示できる。
〔液晶表示装置用画素回路の一例〕
図１８（Ｃ）に示す画素回路１３４は、トランジスタ４３１と、容量素子２３３と、を
有する。また、画素回路１３４は、液晶素子４３２と電気的に接続されている。
液晶素子４３２の一対の電極の一方の電位は、画素回路１３４の仕様に応じて適宜設定
される。液晶素子４３２は、ノード４３６に書き込まれるデータにより配向状態が設定さ
れる。なお、複数の画素回路１３４のそれぞれが有する液晶素子４３２の一対の電極の一
方に、共通の電位（コモン電位）を与えてもよい。また、各行の画素回路１３４毎の液晶
素子４３２の一対の電極の一方に異なる電位を与えてもよい。
液晶素子４３２を備える表示装置の駆動方法としては、例えば、ＴＮモード、ＳＴＮモ
ード、ＶＡモード、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍ
ｉｃｒｏ－ｃｅｌｌ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ
Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕ
ｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＡＦＬＣ（ＡｎｔｉＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉ
ｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＭＶＡモード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ Ｖｅ
ｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳモード、ＦＦＳモード、またはＴＢ
Ａ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ Ｂｅｎｄ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードなどを用いてもよい
。また、表示装置の駆動方法としては、上述した駆動方法の他、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉ
ｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）モード、ＰＤＬＣ（
Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｄｉｓｐｅｒｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ＰＮＬ
Ｃ（Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）モード、ゲスト
ホストモードなどがある。ただし、これに限定されず、液晶素子およびその駆動方式とし
て様々なものを用いることができる。
また、ブルー相（Ｂｌｕｅ Ｐｈａｓｅ）を示す液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物
により液晶素子４３２を構成してもよい。ブルー相を示す液晶は、光学的等方性であるた
め、当該液晶表示装置の作製において、配向処理が不要となる。そのため、当該液晶装置
の視野角依存性は小さくなる。また、当該液晶装置の応答速度は１ｍｓｅｃ以下と短くな
る。
ｉ行ｊ列目の画素回路１３４において、トランジスタ４３１のソースおよびドレインの
一方は、信号線ＤＬ＿ｊに電気的に接続され、他方はノード４３６に電気的に接続される
。トランジスタ４３１のゲートは、走査線ＧＬ＿ｉに電気的に接続される。トランジスタ
４３１は、ノード４３６へのデータ信号の書き込みを制御する機能を有する。
容量素子２３３の一対の電極の一方は、特定の電位が供給される配線（以下、容量線Ｃ
Ｌ）に電気的に接続され、他方は、ノード４３６に電気的に接続される。また、液晶素子
４３２の一対の電極の他方はノード４３６に電気的に接続される。なお、容量線ＣＬの電
位の値は、画素回路１３４の仕様に応じて適宜設定される。容量素子２３３は、ノード４
３６に書き込まれたデータを保持する保持容量としての機能を有する。
例えば、図１８（Ｃ）の画素回路１３４を有する表示装置では、駆動回路１４２ａ、お
よび／または駆動回路１４２ｂにより各行の画素回路１３４を順次選択し、トランジスタ
４３１をオン状態にしてノード４３６にデータ信号を書き込む。
ノード４３６にデータ信号が書き込まれた画素回路１３４は、トランジスタ４３１がオ
フ状態になることで保持状態になる。これを行毎に順次行うことにより、表示領域２３１
に画像を表示できる。
〔表示素子〕
本発明の一態様の表示装置は、様々な形態を用いること、または様々な表示素子を有す
ることが出来る。表示素子は、例えば、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、
青色ＬＥＤなど）などを含むＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（有機物および無機
物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、トランジスタ（電流に応じて発光す
るトランジスタ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、電子放出素子、液晶素子、
電気泳動素子、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）やデジタルマイクロミラーデバイ
ス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）素子、ＭＩＲＡＳＯＬ（登録
商標）ディスプレイ、ＩＭＯＤ（インターフェロメトリック・モジュレーション）素子、
圧電セラミックディスプレイなどのＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・シス
テム）を用いた表示素子、エレクトロウェッティング素子などが挙げられる。これらの他
にも、電気的または磁気的作用により、コントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化
する表示媒体を有していても良い。また、表示素子として量子ドットを用いてもよい。Ｅ
Ｌ素子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を
用いた表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳ
ＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ－ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ－ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。量子ドットを用いた表示装
置の一例としては、量子ドットディスプレイなどがある。液晶素子を用いた表示装置の一
例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、
反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがあ
る。電気泳動素子を用いた表示装置の一例としては、電子ペーパーなどがある。なお、半
透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部
、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極
の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、
その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これに
より、さらに、消費電力を低減することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態に示したトランジスタ２３２、および／またはトラ
ンジスタ２５２に置き換えて用いることができるトランジスタの一例について、図１９を
用いて説明する。なお、本明細書等に開示するトランジスタは、トランジスタ４３１やト
ランジスタ４３４などにも用いることができる。
〔ボトムゲート型トランジスタ〕
図１９（Ａ１）に例示するトランジスタ４１０は、ボトムゲート型のトランジスタの１
つであるチャネル保護型のトランジスタである。トランジスタ４１０は、実施の形態１で
説明した剥離工程、及び貼り合わせ工程によって、基板１１１上に設けられた構成となっ
ている。具体的には、剥離工程後に有機膜１１３と、基板１１１と、を、接着層１１２を
介して貼り合わせ、基板１１１上にトランジスタ４１０を設けている。基板１１１、接着
層１１２、有機膜１１３のそれぞれは、実施の形態１で説明した基板１１１、接着層１１
２、有機膜１１３と同様の材料を用いることができる。トランジスタ４１０は、半導体層
２０８のチャネル形成領域上に、チャネル保護層として機能できる絶縁層２０９を有する
。絶縁層２０９は、実施の形態２で説明した絶縁層２０５と同様の材料および方法により
形成することができる。電極２１４の一部、および電極２１５の一部は、絶縁層２０９上
に形成される。
チャネル形成領域上に絶縁層２０９を設けることで、電極２１４および電極２１５の形
成時に生じる半導体層２０８の露出を防ぐことができる。よって、電極２１４および電極
２１５の形成時に半導体層２０８の薄膜化を防ぐことができる。
図１９（Ａ２）に示すトランジスタ４１１は、絶縁層２１１上にバックゲート電極とし
て機能できる電極２１３を有する点が、トランジスタ４１０と異なる。電極２１３は、電
極２０６と同様の材料および方法で形成することができる。また、電極２１３は、絶縁層
２１０と絶縁層２１１の間に形成してもよい。
一般に、バックゲート電極は導電層で形成され、ゲート電極とバックゲート電極で半導
体層のチャネル形成領域を挟むように配置される。よって、バックゲート電極は、ゲート
電極と同様に機能させることができる。バックゲート電極の電位は、ゲート電極と同電位
としてもよいし、ＧＮＤ電位や、任意の電位としてもよい。また、バックゲート電極の電
位をゲート電極と連動させず独立して変化させることで、トランジスタのしきい値電圧を
変化させることができる。
電極２０６および電極２１３は、どちらもゲート電極として機能することができる。よ
って、絶縁層２０７、絶縁層２０９、絶縁層２１０、および絶縁層２１１は、ゲート絶縁
層として機能することができる。
なお、電極２０６または電極２１３の一方を、「ゲート電極」という場合、他方を「バ
ックゲート電極」という場合がある。例えば、トランジスタ４１１において、電極２１３
を「ゲート電極」と言う場合、電極２０６を「バックゲート電極」と言う場合がある。ま
た、電極２１３を「ゲート電極」として用いる場合は、トランジスタ４１１をトップゲー
ト型のトランジスタの一種と考えることができる。また、電極２０６および電極２１３の
どちらか一方を、「第１のゲート電極」といい、他方を「第２のゲート電極」という場合
がある。
半導体層２０８を挟んで電極２０６および電極２１３を設けることで、更には、電極２
０６および電極２１３を同電位とすることで、半導体層２０８においてキャリアの流れる
領域が膜厚方向においてより大きくなるため、キャリアの移動量が増加する。この結果、
トランジスタ４１１のオン電流が大きくなると共に、電界効果移動度が高くなる。
したがって、トランジスタ４１１は、占有面積に対して大きいオン電流を有するトラン
ジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ４１１の占有面積
を小さくすることができる。
また、ゲート電極とバックゲート電極は導電層で形成されるため、トランジスタの外部
で生じる電界が、チャネルが形成される半導体層に作用しないようにする機能（特に静電
気に対する静電遮蔽機能）を有する。
また、電極２０６および電極２１３は、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有
するため、基板１１１側もしくは電極２１３上方に生じる荷電粒子等の電荷が半導体層２
０８のチャネル形成領域に影響しない。この結果、ＢＴストレス試験（例えば、ゲートに
負の電荷を印加する－ＧＢＴ（Ｇａｔｅ Ｂｉａｓ－Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス
試験）の劣化が抑制されると共に、閾値電圧の変動を抑制することができる。なお、この
効果は、電極２０６および電極２１３が、同電位、または異なる電位の場合において生じ
る。
なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトラン
ジスタの特性変化（すなわち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、Ｂ
Ｔストレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるた
めの重要な指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ない
ほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。
また、電極２０６および電極２１３を有し、且つ電極２０６および電極２１３を同電位
とすることで、しきい値電圧の変動量が低減される。このため、複数のトランジスタにお
ける電気特性のばらつきも同時に低減される。
また、バックゲート電極を有するトランジスタは、ゲートに正の電荷を印加する＋ＧＢ
Ｔストレス試験前後におけるしきい値電圧の変動も、バックゲート電極を有さないトラン
ジスタより小さい。
また、バックゲート電極を、遮光性を有する導電膜で形成することで、バックゲート電
極側から半導体層に光が入射することを防ぐことができる。よって、半導体層の光劣化を
防ぎ、トランジスタのしきい値電圧がシフトするなどの電気特性の劣化を防ぐことができ
る。
図１９（Ｂ１）に例示するトランジスタ４２０は、ボトムゲート型のトランジスタの１
つであるチャネル保護型のトランジスタである。トランジスタ４２０は、トランジスタ４
１０とほぼ同様の構造を有しているが、絶縁層２０９が半導体層２０８の側面を覆ってい
る点が異なる。
また、絶縁層２０９の一部を選択的に除去して形成した開口部において、半導体層２０
８と電極２１４が電気的に接続している。また、絶縁層２０９の一部を選択的に除去して
形成した開口部において、半導体層２０８と電極２１５が電気的に接続している。絶縁層
２０９の、チャネル形成領域と重なる領域は、チャネル保護層として機能できる。
図１９（Ｂ２）に示すトランジスタ４２１は、絶縁層２１１上にバックゲート電極とし
て機能できる電極２１３を有する点が、トランジスタ４２０と異なる。
絶縁層２０９を設けることで、電極２１４および電極２１５の形成時に生じる半導体層
２０８の露出を防ぐことができる。よって、電極２１４および電極２１５の形成時に半導
体層２０８の薄膜化を防ぐことができる。
また、トランジスタ４２０およびトランジスタ４２１は、トランジスタ４１０およびト
ランジスタ４１１よりも、電極２１４と電極２０６の間の距離と、電極２１５と電極２０
６の間の距離が長くなる。よって、電極２１４と電極２０６の間に生じる寄生容量を小さ
くすることができる。また、電極２１５と電極２０６の間に生じる寄生容量を小さくする
ことができる。
〔トップゲート型トランジスタ〕
図２０（Ａ１）に例示するトランジスタ４３０は、トップゲート型のトランジスタの１
つである。トランジスタ４３０は、絶縁層１１９の上に半導体層２０８を有し、半導体層
２０８および絶縁層１１９上に、半導体層２０８の一部に接する電極２１４および半導体
層２０８の他の一部に接する電極２１５を有し、半導体層２０８、電極２１４、および電
極２１５上に絶縁層２０７を有し、絶縁層２０７上に電極２０６を有する。また、電極２
０６上に絶縁層２１０と、絶縁層２１１を有する。
トランジスタ４３０は、電極２０６および電極２１４、並びに、電極２０６および電極
２１５が重ならないため、電極２０６および電極２１４間に生じる寄生容量、並びに、電
極２０６および電極２１５間に生じる寄生容量を小さくすることができる。また、電極２
０６を形成した後に、電極２０６をマスクとして用いて不純物元素２２１を半導体層２０
８に導入することで、半導体層２０８中に自己整合（セルフアライメント）的に不純物領
域を形成することができる（図２０（Ａ３）参照）。
なお、不純物元素２２１の導入は、イオン注入装置、イオンドーピング装置またはプラ
ズマ処理装置を用いて行うことができる。
不純物元素２２１としては、例えば、第１３族元素または第１５族元素のうち、少なく
とも一種類の元素を用いることができる。また、半導体層２０８に酸化物半導体を用いる
場合は、不純物元素２２１として、希ガス、水素、および窒素のうち、少なくとも一種類
の元素を用いることも可能である。
図２０（Ａ２）に示すトランジスタ４３１は、電極２１３および絶縁層２１７を有する
点がトランジスタ４３０と異なる。トランジスタ４３１は、絶縁層１１９の上に形成され
た電極２１３を有し、電極２１３上に形成された絶縁層２１７を有する。前述した通り、
電極２１３は、バックゲート電極として機能することができる。よって、絶縁層２１７は
、ゲート絶縁層として機能することができる。絶縁層２１７は、絶縁層２０５と同様の材
料および方法により形成することができる。
トランジスタ４１１と同様に、トランジスタ４３１は、占有面積に対して大きいオン電
流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ
４３１の占有面積を小さくすることができる。本発明の一態様によれば、トランジスタの
占有面積を小さくすることができる。よって、本発明の一態様によれば、集積度の高い半
導体装置を実現することができる。
図２０（Ｂ１）と図２０（Ｂ２）に例示するトランジスタ４４０、４４１は、トップゲ
ート型のトランジスタの１つである。トランジスタ４４０、４４１は、電極２１４および
電極２１５を形成した後に半導体層２０８を形成する点が、トランジスタ４３０、４３１
とそれぞれ異なる。よって、トランジスタ４４０およびトランジスタ４４１において、半
導体層２０８の一部は電極２１４上に形成され、半導体層２０８の他の一部は電極２１５
上に形成される。
トランジスタ４１１と同様に、トランジスタ４４１は、占有面積に対して大きいオン電
流を有するトランジスタである。すなわち、求められるオン電流に対して、トランジスタ
４４１の占有面積を小さくすることができる。よって、集積度の高い半導体装置を実現す
ることができる。
トランジスタ４４０およびトランジスタ４４１も、電極２０６を形成した後に、電極２
０６をマスクとして用いて不純物元素２２１を半導体層２０８に導入することで、半導体
層２０８中に自己整合的に不純物領域を形成することができる。
なお、本明細書等で開示された、金属膜、半導体膜、無機絶縁膜など様々な膜はスパッ
タ法やプラズマＣＶＤ法により形成することができるが、他の方法、例えば、熱ＣＶＤ（
Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成してもよい。熱Ｃ
ＶＤ法の例としてＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐ
ｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法やＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔ
ｉｏｎ）法を使っても良い。
熱ＣＶＤ法は、プラズマを使わない成膜方法のため、プラズマダメージにより欠陥が生
成されることが無いという利点を有する。
熱ＣＶＤ法は、原料ガスと酸化剤を同時にチャンバー内に送り、チャンバー内を大気圧
または減圧下とし、基板近傍または基板上で反応させて基板上に堆積させることで成膜を
行ってもよい。
また、ＡＬＤ法は、チャンバー内を大気圧または減圧下とし、反応のための原料ガスが
順次にチャンバーに導入され、そのガス導入の順序を繰り返すことで成膜を行ってもよい
。例えば、それぞれのスイッチングバルブ（高速バルブとも呼ぶ）を切り替えて２種類以
上の原料ガスを順番にチャンバーに供給し、複数種の原料ガスが混ざらないように第１の
原料ガスと同時またはその後に不活性ガス（アルゴン、或いは窒素など）などを導入し、
第２の原料ガスを導入する。なお、同時に不活性ガスを導入する場合には、不活性ガスは
キャリアガスとなり、また、第２の原料ガスの導入時にも同時に不活性ガスを導入しても
よい。また、不活性ガスを導入する代わりに真空排気によって第１の原料ガスを排出した
後、第２の原料ガスを導入してもよい。第１の原料ガスが基板の表面に吸着して第１の薄
い層を成膜し、後から導入される第２の原料ガスと反応して、第２の薄い層が第１の薄い
層上に積層されて薄膜が形成される。このガス導入順序を制御しつつ所望の厚さになるま
で複数回繰り返すことで、段差被覆性に優れた薄膜を形成することができる。薄膜の厚さ
は、ガス導入順序を繰り返す回数によって調節することができるため、精密な膜厚調節が
可能であり、微細なＦＥＴを作製する場合に適している。
ＭＯＣＶＤ法やＡＬＤ法などの熱ＣＶＤ法は、これまでに記載した実施形態に開示され
た金属膜、半導体膜、無機絶縁膜など様々な膜を形成することができ、例えば、Ｉｎ－Ｇ
ａ－Ｚｎ－Ｏ膜を成膜する場合には、トリメチルインジウム（Ｉｎ（ＣＨ３）３）、トリ
メチルガリウム（Ｇａ（ＣＨ３）３）、及びジメチル亜鉛（Ｚｎ（ＣＨ３）２）を用いる
。また、これらの組み合わせに限定されず、トリメチルガリウムに代えてトリエチルガリ
ウム（Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３）を用いることもでき、ジメチル亜鉛に代えてジエチル亜鉛（
Ｚｎ（Ｃ２Ｈ５）２）を用いることもできる。
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化ハフニウム膜を形成する場合には、溶媒
とハフニウム前駆体化合物を含む液体（ハフニウムアルコキシドや、テトラキスジメチル
アミドハフニウム（ＴＤＭＡＨ、Ｈｆ［Ｎ（ＣＨ３）２］４）などのハフニウムアミド）
を気化させた原料ガスと、酸化剤としてオゾン（Ｏ３）の２種類のガスを用いる。また、
他の材料としては、テトラキス（エチルメチルアミド）ハフニウムなどがある。
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化アルミニウム膜を形成する場合には、溶
媒とアルミニウム前駆体化合物を含む液体（トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ、Ａｌ（Ｃ
Ｈ３）３）など）を気化させた原料ガスと、酸化剤としてＨ２Ｏの２種類のガスを用いる
。また、他の材料としては、トリス（ジメチルアミド）アルミニウム、トリイソブチルア
ルミニウム、アルミニウムトリス（２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジ
オナート）などがある。
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化シリコン膜を形成する場合には、ヘキサ
クロロジシランを被成膜面に吸着させ、酸化性ガス（Ｏ２、一酸化二窒素）のラジカルを
供給して吸着物と反応させる。
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置によりタングステン膜を成膜する場合には、ＷＦ６
ガスとＢ２Ｈ６ガスを順次繰り返し導入して初期タングステン膜を形成し、その後、ＷＦ
６ガスとＨ２ガスを順次繰り返し導入してタングステン膜を形成する。なお、Ｂ２Ｈ６ガ
スに代えてＳｉＨ４ガスを用いてもよい。
例えば、ＡＬＤを利用する成膜装置により酸化物半導体膜、例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－
Ｏ膜を成膜する場合には、Ｉｎ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入してＩｎ
－Ｏ層を形成し、その後、Ｇａ（ＣＨ３）３ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入してＧａ
Ｏ層を形成し、更にその後Ｚｎ（ＣＨ３）２ガスとＯ３ガスを順次繰り返し導入してＺｎ
Ｏ層を形成する。なお、これらの層の順番はこの例に限らない。また、これらのガスを用
いてＩｎ－Ｇａ－Ｏ層やＩｎ－Ｚｎ－Ｏ層、Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ層などの混合酸化物層を形成
しても良い。なお、Ｏ３ガスに代えてＡｒ等の不活性ガスで水をバブリングして得られた
Ｈ２Ｏガスを用いても良いが、Ｈを含まないＯ３ガスを用いる方が好ましい。また、Ｉｎ
（ＣＨ３）３ガスに代えて、Ｉｎ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｇａ（ＣＨ
３）３ガスに代えて、Ｇａ（Ｃ２Ｈ５）３ガスを用いても良い。また、Ｚｎ（ＣＨ３）２
ガスを用いても良い。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
（実施の形態５）
本実施の形態では、発光素子１２５に用いることができる発光素子の構成例について説
明する。なお、本実施の形態に示すＥＬ層３２０が、他の実施の形態に示したＥＬ層１１
７に相当する。
＜発光素子の構成＞
図２１（Ａ）に示す発光素子３３０は、一対の電極（電極３１８、電極３２２）間にＥ
Ｌ層３２０が挟まれた構造を有する。なお、以下の本実施の形態の説明においては、例と
して、電極３１８を陽極として用い、電極３２２を陰極として用いるものとする。
また、ＥＬ層３２０は、少なくとも発光層を含んで形成されていればよく、発光層以外
の機能層を含む積層構造であっても良い。発光層以外の機能層としては、正孔注入性の高
い物質、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、バイポ
ーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質等を含む層を用いることができる。具
体的には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能層を適宜組み合わ
せて用いることができる。
図２１（Ａ）に示す発光素子３３０は、電極３１８と電極３２２との間に与えられた電
位差により電流が流れ、ＥＬ層３２０において正孔と電子とが再結合し、発光するもので
ある。つまりＥＬ層３２０に発光領域が形成されるような構成となっている。
本発明において、発光素子３３０からの発光は、電極３１８、または電極３２２側から
外部へ射出される。従って、電極３１８、または電極３２２の少なくとも一方は透光性を
有する物質で成る。
なお、ＥＬ層３２０は図２１（Ｂ）に示す発光素子３３１のように、電極３１８と電極
３２２との間に複数積層されていても良い。ｎ層（ｎは２以上の自然数）の積層構造を有
する場合には、ｍ番目（ｍは、１以上かつｎより小さい自然数）のＥＬ層３２０と、（ｍ
＋１）番目のＥＬ層３２０との間には、それぞれ電荷発生層３２０ａを設けることが好ま
しい。電極３１８と電極３２２を除く構成が上記実施の形態のＥＬ層１１７に相当する。
電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料を用いて形成することがで
きる。金属酸化物としては、例えば、酸化バナジウムや酸化モリブデンや酸化タングステ
ン等が挙げられる。有機化合物としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳
香族炭化水素、または、それらを基本骨格とするオリゴマー、デンドリマー、ポリマー等
など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物としては、正孔輸送性有機
化合物として正孔移動度が１０－６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるものを適用することが好まし
い。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよ
い。なお、電荷発生層３２０ａに用いるこれらの材料は、キャリア注入性、キャリア輸送
性に優れているため、発光素子３３１の低電流駆動、および低電圧駆動を実現することが
できる。上記複合材料以外にも、上記複合材料にアルカリ金属、アルカリ土類金属、アル
カリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物などを加えた材料を電荷発生層３２０ａに用い
ることができる。
なお、電荷発生層３２０ａは、有機化合物と金属酸化物の複合材料と他の材料とを組み
合わせて形成してもよい。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、電子
供与性物質の中から選ばれた一の化合物と電子輸送性の高い化合物とを含む層とを組み合
わせて形成してもよい。また、有機化合物と金属酸化物の複合材料を含む層と、透明導電
膜とを組み合わせて形成してもよい。
このような構成を有する発光素子３３１は、隣接するＥＬ層３２０同士でのエネルギー
の移動が起こり難く、高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光素子とすることが容易で
ある。また、一方の発光層で燐光発光、別の発光層で蛍光発光を得ることも容易である。
なお、電荷発生層３２０ａとは、電極３１８と電極３２２に電圧を印加したときに、電
荷発生層３２０ａに接して形成される一方のＥＬ層３２０に対して正孔を注入する機能を
有し、他方のＥＬ層３２０に電子を注入する機能を有する。
図２１（Ｂ）に示す発光素子３３１は、ＥＬ層３２０に用いる発光物質の種類を変える
ことにより様々な発光色を得ることができる。また、発光物質として発光色の異なる複数
の発光物質を用いることにより、ブロードなスペクトルの発光や白色発光を得ることもで
きる。
図２１（Ｂ）に示す発光素子３３１を用いて、白色発光を得る場合、複数のＥＬ層の組
み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成であればよく、例え
ば、青色の蛍光材料を発光物質として含むＥＬ層と、緑色と赤色の燐光材料を発光物質と
して含むＥＬ層を有する構成が挙げられる。また、赤色の発光を示すＥＬ層と、緑色の発
光を示すＥＬ層と、青色の発光を示すＥＬ層とを有する構成とすることもできる。または
、補色の関係にある光を発するＥＬ層を有する構成であっても白色発光が得られる。ＥＬ
層が２層積層された積層型素子において、これらのＥＬ層からの発光色を補色の関係にす
る場合、補色の関係としては、青色と黄色、あるいは青緑色と赤色の組合せなどが挙げら
れる。
なお、上述した積層型素子の構成において、積層される発光層の間に電荷発生層を配置
することにより、電流密度を低く保ったまま高輝度発光が得られ、また、長寿命素子を実
現することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る表示装置を用いた表示モジュールについて、
図２２を用いて説明を行う。
図２２に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２と
の間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチセンサ８００４、ＦＰＣ８００５に接続され
たセル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、バッテリ８０１１を有する
。なお、上部カバー８００１、下部カバー８００２、フレーム８００９、プリント基板８
０１０、バッテリ８０１１、タッチセンサ８００４などの少なくとも１つを有さない場合
もある。
本発明の一態様に係る表示装置は、例えば、セル８００６に用いることができる。
上部カバー８００１および下部カバー８００２は、タッチセンサ８００４およびセル８
００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。
タッチセンサ８００４は、抵抗膜方式または静電容量方式のタッチセンサをセル８００
６に重畳して用いることができる。また、セル８００６の対向基板（封止基板）に、タッ
チセンサ機能を持たせるようにすることも可能である。または、セル８００６の各画素内
に光センサを設け、光学式のタッチセンサとすることも可能である。または、セル８００
６の各画素内にタッチセンサ用電極を設け、容量方式のタッチセンサとすることも可能で
ある。
フレーム８００９は、セル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作によ
り発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有してもよい。またフレ
ーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。
プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号およびクロック信号を出力するための
信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部電源であってもよ
いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。外部電源を用いる場合に
は、バッテリ８０１１を有さなくてもよい。
また、表示モジュール８０００には、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を
追加して設けてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が適用された電子機器や照明装置の例に
ついて、図面を参照して説明する。
本発明の一態様に係る表示装置を用いた電子機器として、テレビ、モニタ等の表示装置
、照明装置、デスクトップ型或いはノート型のパーソナルコンピュータ、ワードプロセッ
サ、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ）などの記録媒体に記憶さ
れた静止画又は動画を再生する画像再生装置、ポータブルＣＤプレーヤ、ラジオ、テープ
レコーダ、ヘッドホンステレオ、ステレオ、置き時計、壁掛け時計、コードレス電話子機
、トランシーバ、携帯電話、自動車電話、携帯型ゲーム機、タブレット型端末、パチンコ
機などの大型ゲーム機、電卓、携帯情報端末、電子手帳、電子書籍端末、電子翻訳機、音
声入力機器、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電気シェーバ、電子レンジ等の高周
波加熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、電気掃除機、温水器、扇風機、毛髪乾燥機、エア
コンディショナー、加湿器、除湿器などの空調設備、食器洗い器、食器乾燥器、衣類乾燥
器、布団乾燥器、電気冷蔵庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、ＤＮＡ保存用冷凍庫、懐中
電灯、チェーンソー等の工具、煙感知器、透析装置等の医療機器などが挙げられる。さら
に、誘導灯、信号機、ベルトコンベア、エレベータ、エスカレータ、産業用ロボット、電
力貯蔵システム、電力の平準化やスマートグリッドのための蓄電装置等の産業機器が挙げ
られる。また、蓄電体からの電力を用いて電動機により推進する移動体なども、電子機器
の範疇に含まれるものとする。上記移動体として、例えば、電気自動車（ＥＶ）、内燃機
関と電動機を併せ持ったハイブリッド車（ＨＥＶ）、プラグインハイブリッド車（ＰＨＥ
Ｖ）、これらのタイヤ車輪を無限軌道に変えた装軌車両、電動アシスト自転車を含む原動
機付自転車、自動二輪車、電動車椅子、ゴルフ用カート、小型又は大型船舶、潜水艦、ヘ
リコプター、航空機、ロケット、人工衛星、宇宙探査機や惑星探査機、宇宙船などが挙げ
られる。
特に、フレキシブルな形状を備える表示装置を適用した電子機器として、例えば、テレ
ビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニ
タ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携
帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチ
ンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、照明装置や表示装置を、家屋やビルの内壁または外壁や、自動車の内装または外
装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
図２３（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０
１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、
スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、表
示装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
図２３（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２にタッチセンサを設けてお
り、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話
を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、表示部７４０２を指などで触れ
ることにより行うことができる。
また操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部７４０２に表示
される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニ
ュー画面に切り替えることができる。
ここで、表示部７４０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したが
って、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機とすることができる。
図２３（Ｂ）は、リストバンド型の表示装置の一例を示している。携帯表示装置７１０
０は、筐体７１０１、表示部７１０２、操作ボタン７１０３、及び送受信装置７１０４を
備える。
携帯表示装置７１００は、送受信装置７１０４によって映像信号を受信可能で、受信し
た映像を表示部７１０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信
することもできる。
また、操作ボタン７１０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替
え、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。
ここで、表示部７１０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したが
って、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置とすることができる。
図２３（Ｃ）乃至図２３（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、
照明装置７２１０、照明装置７２２０はそれぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７
２０１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。
図２３（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備え
る。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
図２３（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つ
の発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に
全方位を照らすことができる。
図２３（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。し
たがって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定
の範囲を明るく照らす場合に適している。
また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０が備える各々の発光
部はフレキシブル性を有しているため、当該発光部を可塑性の部材や可動なフレームなど
の部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
ここで、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０が備える各々の発
光部には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、表示部を任意の
形状に湾曲または屈曲可能であり、且つ信頼性の高い照明装置とすることができる。
図２４（Ａ）に、携帯型の表示装置の一例を示す。表示装置７３００は、筐体７３０１
、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部７３０５を備え
る。
表示装置７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表示
部７３０２を備える。
また、表示装置７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した映
像を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５には蓄電装置を備え
る。また、制御部７３０５にコネクタを備え、映像信号や電力を直接供給する構成として
もよい。
また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替
え等を行うことができる。
図２４（Ｂ）に、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態を示す
。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。また、筐体７３０１の表面
に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作することができる。
なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２が湾曲しないよう、表示部７３
０２の端部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によ
って音声を出力する構成としてもよい。
表示部７３０２には、本発明の一態様の表示装置が組み込まれている。したがって、表
示部７３０２はフレキシブルで且つ信頼性の高い表示装置であるため、表示装置７３００
は軽量で且つ信頼性の高い表示装置とすることができる。
図２５（Ａ）および図２５（Ｂ）は、２つ折り可能なタブレット型端末９６００を例示
している。図２５（Ａ）は、タブレット型端末９６００を開いた状態であり、タブレット
型端末９６００は、筐体９６３０、表示部９６３１、表示モード切り替えスイッチ９６２
６、電源スイッチ９６２７、省電力モード切り替えスイッチ９６２５、留め具９６２９、
操作スイッチ９６２８、を有する。
筐体９６３０は、筐体９６３０ａと筐体９６３０ｂを有し、筐体９６３０ａと筐体９６
３０ｂは、ヒンジ部９６３９により結合されている。また、筐体９６３０は、ヒンジ部９
６３９により２つ折りが可能となっている。
また、表示部９６３１は、筐体９６３０ａ、筐体９６３０ｂ、およびヒンジ部９６３９
上に形成されている。表示部９６３１に本明細書等に開示した表示装置を用いることによ
り、表示部９６３１の屈曲が可能で、信頼性の高いタブレット型端末とすることが可能と
なる。
表示部９６３１は、一部をタッチセンサの領域９６３２とすることができ、表示された
操作キー９６３８にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３１
は、例えば、半分の領域が表示のみの機能を有する構成とし、もう半分の領域をタッチセ
ンサの機能を有する構成とすることができる。また、表示部９６３１全ての領域がタッチ
センサの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６３１の全面にキーボードボ
タン表示させて、データ入力端末とすることもできる。
また、表示モード切り替えスイッチ９６２６は、縦表示又は横表示などの表示の向きを
切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えス
イッチ９６２５は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光
の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光セン
サだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を
内蔵させてもよい。
図２５（Ｂ）は、タブレット型端末９６００を閉じた状態であり、タブレット型端末９
６００は、筐体９６３０、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４を有する。なお、
図２５（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリ９６３５、ＤＣＤＣコン
バータ９６３６を有する構成について示している。
表示部９６３１に本明細書等に開示した表示装置を用いることにより、表示部９６３１
を折り曲げることができる。例えば、タブレット型端末９６００は２つ折り可能なため、
未使用時に筐体９６３０を閉じた状態にすることができる。従って、可搬性に優れ、また
、筐体９６３０を閉じることで表示部９６３１を保護できるため、耐久性に優れ、長期使
用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末とすることができる。
また、この他にも図２５（Ａ）及び図２５（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な
情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻な
どを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ
入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有する
ことができる。
タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチセンサ
、表示部、又は映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、
筐体９６３０の片面または両面に設けることができ、バッテリ９６３５の充電を効率的に
行う構成とすることができるため好適である。なおバッテリ９６３５としては、リチウム
イオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
また、図２５（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、及び動作について図２５（
Ｃ）にブロック図を示し説明する。図２５（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリ９６
３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１、スイッチＳ
Ｗ２、スイッチＳＷ３、表示部９６３１について示しており、バッテリ９６３５、ＤＣＤ
Ｃコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１、スイッチＳＷ２、スイッ
チＳＷ３が、図２５（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４に対応する箇所となる。
まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する
。太陽電池で発電した電力は、バッテリ９６３５を充電するための電圧となるようＤＣＤ
Ｃコンバータ９６３６で昇圧又は降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太陽
電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９６
３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧又は降圧をすることとなる。また、表示部９６
３１での表示を行わない際には、スイッチＳＷ１をオフにし、スイッチＳＷ２をオンにし
てバッテリ９６３５の充電を行う構成とすればよい。
なお太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、
圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバ
ッテリ９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受
信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成
としてもよい。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可
能である。
（本明細書等の記載に関する付記）
以上の実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。
＜実施の形態で述べた本発明の一態様に関する付記＞
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の
一態様とすることができる。また、１つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場
合は、互いに構成例を適宜組み合わせることが可能である。
なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の
形態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）と、一つ若しくは複数の別の実施の形態で
述べる内容（一部の内容でもよい）との少なくとも一つの内容に対して、適用、組み合わ
せ、又は置き換えなどを行うことができる。
なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用い
て述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分
、その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）と、一つ若しくは複数の別の実
施の形態において述べる図（一部でもよい）との少なくとも一つの図に対して、組み合わ
せることにより、さらに多くの図を構成させることができる。
＜序数詞に関する付記＞
本明細書等において、「第１」、「第２」、「第３」という序数詞は、構成要素の混同
を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また
、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一に
おいて「第１」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲にお
いて「第２」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実
施の形態の一において「第１」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許
請求の範囲において省略することもありうる。
＜図面を説明する記載に関する付記＞
実施の形態について図面を参照しながら説明している。但し、実施の形態は多くの異な
る態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなく、その形態
及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は
、実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態の発明の
構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共
通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
また、本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の
位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。構成同士の位置関係は
、各構成を描写する方向に応じて適宜変化する。そのため、配置を示す語句は、明細書で
説明した記載に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上又は直下で、かつ、直接接
していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層Ａ上の電極Ｂ」の表現であれば
、絶縁層Ａの上に電極Ｂが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Ａと電極Ｂとの
間に他の構成要素を含むものを除外しない。
また本明細書等において、ブロック図では、構成要素を機能毎に分類し、互いに独立し
たブロックとして示している。しかしながら実際の回路等においては、構成要素を機能毎
に切り分けることが難しく、一つの回路に複数の機能が係わる場合や、複数の回路にわた
って一つの機能が関わる場合があり得る。そのため、ブロック図のブロックは、明細書で
説明した構成要素に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、説明の便宜上任意の大きさに示
したものである。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は明確性を期
すために模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば
、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信
号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
また、図面において、斜視図などにおいて、図面の明確性を期すために、一部の構成要
素の記載を省略している場合がある。
また、図面において、同一の要素又は同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あ
るいは同じ工程で形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説
明は省略する場合がある。
＜言い換え可能な記載に関する付記＞
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一
方を、「ソース又はドレインの一方」（又は第１電極、又は第１端子）と表記し、ソース
とドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」（又は第２電極、又は第２端子）と
表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動
作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称につい
ては、ソース（ドレイン）端子や、ソース（ドレイン）電極等、状況に応じて適切に言い
換えることができる。また、本明細書等では、ゲート以外の２つの端子を第１端子、第２
端子と呼ぶ場合や、第３端子、第４端子と呼ぶ場合がある。また、本明細書等に記載する
トランジスタが２つ以上のゲートを有するとき（この構成をデュアルゲート構造という場
合がある）、それらのゲートを第１ゲート、第２ゲートと呼ぶ場合や、フロントゲート、
バックゲートと呼ぶ場合がある。特に、「フロントゲート」という語句は、単に「ゲート
」という語句に互いに言い換えることができる。また、「バックゲート」という語句は、
単に「ゲート」という語句に互いに言い換えることができる。なお、ボトムゲートとは、
トランジスタの作製時において、チャネル形成領域よりも先に形成される端子のことをい
い、「トップゲート」とは、トランジスタの作製時において、チャネル形成領域よりも後
に形成される端子のことをいう。
トランジスタは、ゲート、ソース、及びドレインと呼ばれる３つの端子を有する。ゲー
トは、トランジスタの導通状態を制御する制御端子として機能する端子である。ソース又
はドレインとして機能する２つの入出力端子は、トランジスタの型及び各端子に与えられ
る電位の高低によって、一方がソースとなり他方がドレインとなる。このため、本明細書
等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとする。
また、本明細書等では、ゲート以外の２つの端子を第１端子、第２端子と呼ぶ場合や、第
３端子、第４端子と呼ぶ場合がある。
また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に
限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり
、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「
配線」が一体となって形成されている場合なども含む。
また、本明細書等において、電圧と電位は、適宜言い換えることができる。電圧は、基
準となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電位（接地
電位）とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも０Ｖ
を意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、
配線等に与える電位を変化させる場合がある。
なお本明細書等において、「膜」、「層」などの語句は、場合によっては、又は、状況
に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導
電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁膜」という
用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。又は、場合によって
は、又は、状況に応じて、「膜」、「層」などの語句を使わずに、別の用語に入れ替える
ことが可能である。例えば、「導電層」又は「導電膜」という用語を、「導電体」という
用語に変更することが可能な場合がある。又は、例えば、「絶縁層」「絶縁膜」という用
語を、「絶縁体」という用語に変更することが可能な場合がある。
なお本明細書等において、「配線」、「信号線」、「電源線」などの用語は、場合によ
っては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「配線」と
いう用語を、「信号線」という用語に変更することが可能な場合がある。また、例えば、
「配線」という用語を、「電源線」などの用語に変更することが可能な場合がある。また
、その逆も同様で、「信号線」「電源線」などの用語を、「配線」という用語に変更する
ことが可能な場合がある。「電源線」などの用語は、「信号線」などの用語に変更するこ
とが可能な場合がある。また、その逆も同様で「信号線」などの用語は、「電源線」など
の用語に変更することが可能な場合がある。また、配線に印加されている「電位」という
用語を、場合によっては、又は、状況に応じて、「信号」などという用語に変更すること
が可能な場合がある。また、その逆も同様で、「信号」などの用語は、「電位」という用
語に変更することが可能な場合がある。
＜語句の定義に関する付記＞
以下では、上記実施の形態中で言及した語句の定義について説明する。
＜＜半導体について＞＞
本明細書において、「半導体」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分低い場合は
「絶縁体」としての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「絶縁体」は境界が曖
昧であり、厳密に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は
、「絶縁体」と言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「絶縁体
」は、「半導体」と言い換えることができる場合がある。
また、「半導体」と表記した場合でも、例えば、導電性が十分高い場合は「導電体」と
しての特性を有する場合がある。また、「半導体」と「導電体」は境界が曖昧であり、厳
密に区別できない場合がある。したがって、本明細書に記載の「半導体」は、「導電体」
と言い換えることができる場合がある。同様に、本明細書に記載の「導電体」は、「半導
体」と言い換えることができる場合がある。
なお、半導体の不純物とは、例えば、半導体層を構成する主成分以外をいう。例えば、
濃度が０．１原子％未満の元素は不純物である。不純物が含まれることにより、例えば、
半導体にＤＯＳ（Ｄｅｎｓｉｔｙ ｏｆ Ｓｔａｔｅｓ）が形成されることや、キャリア
移動度が低下することや、結晶性が低下することなどが起こる場合がある。半導体が酸化
物半導体である場合、半導体の特性を変化させる不純物としては、例えば、第１族元素、
第２族元素、第１３族元素、第１４族元素、第１５族元素、主成分以外の遷移金属などが
あり、特に、例えば、水素（水にも含まれる）、リチウム、ナトリウム、シリコン、ホウ
素、リン、炭素、窒素などがある。酸化物半導体の場合、例えば水素などの不純物の混入
によって酸素欠損を形成する場合がある。また、半導体がシリコン層である場合、半導体
の特性を変化させる不純物としては、例えば、酸素、水素を除く第１族元素、第２族元素
、第１３族元素、第１５族元素などがある。
＜＜トランジスタについて＞＞
本明細書において、トランジスタとは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なく
とも三つの端子を有する素子である。そして、ドレイン（ドレイン端子、ドレイン領域又
はドレイン電極）とソース（ソース端子、ソース領域又はソース電極）の間にチャネル形
成領域を有しており、チャネル形成領域を介して電流を流すことができるものである。
また、ソースやドレインの機能は、異なる極性のトランジスタを採用する場合や、回路
動作において電流の方向が変化する場合などには入れ替わることがある。このため、本明
細書等においては、ソースやドレインの用語は、入れ替えて用いることができるものとす
る。
＜＜スイッチについて＞＞
本明細書等において、スイッチとは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ
状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。又は、スイ
ッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
一例としては、電気的スイッチ又は機械的なスイッチなどを用いることができる。つま
り、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。
電気的なスイッチの一例としては、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、
ＭＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、
ショットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）ダイ
オード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイ
オード、ダイオード接続のトランジスタなど）、又はこれらを組み合わせた論理回路など
がある。
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、トランジスタの「導通状態」とは、
トランジスタのソース電極とドレイン電極が電気的に短絡されているとみなせる状態をい
う。また、トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソース電極とドレイン電
極が電気的に遮断されているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチ
として動作させる場合には、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。
機械的なスイッチの一例としては、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）のよう
に、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）技術を用いたスイッチが
ある。そのスイッチは、機械的に動かすことが可能な電極を有し、その電極が動くことに
よって、導通と非導通とを制御して動作する。
＜＜接続について＞＞
本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と記載する場合は、ＸとＹとが電気
的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接
接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図又は
文章に示された接続関係に限定されず、図又は文章に示された接続関係以外のものも含む
ものとする。
ここで使用するＸ、Ｙなどは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子
、導電膜、層、など）であるとする。
ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可
能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダ
イオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されること
が可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、ス
イッチは、導通状態（オン状態）、又は、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。
ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可
能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号
変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（
電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など
）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅又は電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号
がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。
なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電
気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続
されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に
別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合
（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含
むものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接
続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。
なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は
介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、
Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソー
ス（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直
接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接
的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表
現することが出来る。
例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第
２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は
第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的
に接続されている。」と表現することができる。又は、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。又は、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など
）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）
、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な
表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジ
スタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別し
て、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、これ
らの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、
素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。
なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されて
いる場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も
ある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及
び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における
電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている
場合も、その範疇に含める。
＜＜平行、垂直について＞＞
本明細書において、「平行」とは、二つの直線が－１０°以上１０°以下の角度で配置
されている状態をいう。したがって、－５°以上５°以下の場合も含まれる。また、「略
平行」とは、二つの直線が－３０°以上３０°以下の角度で配置されている状態をいう。
また、「垂直」とは、二つの直線が８０°以上１００°以下の角度で配置されている状態
をいう。したがって、８５°以上９５°以下の場合も含まれる。また、「略垂直」とは、
二つの直線が６０°以上１２０°以下の角度で配置されている状態をいう。
ＤＬ＿ｊ 信号線
ＧＬ＿ｉ 走査線
Ｖ０ 電位供給線
ＶＬ＿ａ 電位供給線
ＶＬ＿ｂ 電位供給線
ＣＬ 容量線
ＳＷ１ スイッチ
ＳＷ２ スイッチ
ＳＷ３ スイッチ
１００ 表示装置
１０１ 基板
１０２ 基板
１１０ 剥離層
１１０ａ 剥離層
１１０ｂ 剥離層
１１０ｃ 剥離層
１１１ 基板
１１２ 接着層
１１３ 有機膜
１１３ａ 有機膜
１１４ 隔壁
１１５ 電極
１１５ａ 電極
１１５ｂ 電極
１１６ 電極
１１７ ＥＬ層
１１８ 電極
１１９ 絶縁層
１２０ 接着層
１２１ 基板
１２２ 接着層
１２３ 有機膜
１２３ａ 有機膜
１２４ 外部電極
１２５ 発光素子
１２６ 導電層
１２７ 絶縁層
１２８ 開口
１２９ 絶縁層
１３０ 画素
１３０Ｒ 画素
１３０Ｇ 画素
１３０Ｂ 画素
１３０Ｙ 画素
１３０Ｗ 画素
１３１ 表示領域
１３２ 開口
１３２ａ 開口
１３２ｂ 開口
１３３ 駆動回路
１３４ 画素回路
１３５ 配線
１３６ 配線
１３７ 開口
１３８ 異方性導電接続層
１３９ 開口
１４０ 画素
１４１ 絶縁層
１４２ａ 駆動回路
１４２ｂ 駆動回路
１４３ 有機膜
１４５ 導電層
１４９ 絶縁層
１５１ 光
１５１Ｒ 光
１５１Ｇ 光
１５１Ｂ 光
１５１Ｙ 光
１５１Ｗ 光
１６１ 機能層
１７０ 領域
１７１ 素子基板
１８１ 対向基板
２００ 表示装置
２０５ 絶縁層
２０６ 電極
２０７ 絶縁層
２０８ 半導体層
２０９ 絶縁層
２１０ 絶縁層
２１１ 絶縁層
２１２ 層間絶縁層
２１３ 電極
２１４ 電極
２１５ 電極
２１７ 絶縁層
２１９ 配線
２３１ 表示領域
２３２ トランジスタ
２３３ 容量素子
２５１ 周辺回路
２５２ トランジスタ
２６４ 遮光層
２６６ 着色層
２６６Ｒ 着色層
２６６Ｇ 着色層
２６６Ｂ 着色層
２６６Ｙ 着色層
２６６Ｗ 着色層
２６８ オーバーコート層
２７４ 層
２８０ 部位
３１８ 電極
３２０ ＥＬ層
３２０ａ 電荷発生層
３２２ 電極
３３０ 発光素子
３３１ 発光素子
４１０ トランジスタ
４１１ トランジスタ
４２０ トランジスタ
４２１ トランジスタ
４３０ トランジスタ
４３１ トランジスタ
４３２ 液晶素子
４３４ トランジスタ
４３５ ノード
４３６ ノード
４３７ ノード
４４０ トランジスタ
４４１ トランジスタ
７１００ 携帯表示装置
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 送受信装置
７２００ 照明装置
７２０１ 台部
７２０２ 発光部
７２０３ 操作スイッチ
７２１０ 照明装置
７２１２ 発光部
７２２０ 照明装置
７２２２ 発光部
７３００ 表示装置
７３０１ 筐体
７３０２ 表示部
７３０３ 操作ボタン
７３０４ 引き出し部材
７３０５ 制御部
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチセンサ
８００５ ＦＰＣ
８００６ セル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ
９６００ タブレット型端末
９６２５ 省電力モード切り替えスイッチ
９６２６ 表示モード切り替えスイッチ
９６２７ 電源スイッチ
９６２８ 操作スイッチ
９６３０ 筐体
９６３０ａ 筐体
９６３０ｂ 筐体
９６３１ 表示部
９６３２ 領域
９６３３ 太陽電池
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリ
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ コンバータ
９６３８ 操作キー
９６３９ ヒンジ部

Claims (10)

  1. 表示領域を有する表示装置の作製方法であって、
    第１乃至第７の工程を有し、
    前記第１の工程は、第１の基板の第１の表面上に、第１の層を設ける工程と、前記第１の層上に電極を設ける工程と、前記電極上と前記第１の層上に第１の絶縁層を設ける工程と、前記電極と重畳する領域において前記第１の絶縁層の一部を除去して第１の開口を設ける工程と、前記第１の絶縁層上に表示素子を設ける工程と、前記第１の絶縁層上と前記第１の開口の前記電極上とに第２の層を設ける工程と、を有し、
    前記第２の工程は、第２の基板の第２の表面上に、第３の層を設ける工程と、前記第３の層の一部を除去して第２の開口を設ける工程と、を有し、
    前記第３の工程は、前記第１の表面と前記第２の表面を向かい合わせ、前記第１の開口と前記第２の開口とが互いに重なる領域を有するように、接着層を介して前記第１の基板と前記第２の基板とを互いに重ねる工程を有し、
    前記第４の工程は、前記第１の基板を前記第１の層から剥離する工程を有し、
    前記第５の工程は、前記第１の層と第３の基板とを互いに重ねる工程を有し、
    前記第６の工程は、前記第２の基板を前記第３の層から剥離する工程を有し、
    前記第７の工程は、前記第３の層と第４の基板とを互いに重ねる工程を有し、
    前記第３の工程において、前記接着層は、前記接着層と前記第２の開口とが互いに重なる第１の領域を有し、前記第２の層は、前記第２の層と前記第２の開口とが互いに重なる第２の領域を有し、
    前記第６の工程において、前記第１の領域の少なくとも一部の前記接着層と、前記第２の領域の少なくとも一部の前記第２の層と、が、前記第２の基板とともに剥離されて、前記電極の少なくとも一部が露出し、
    前記第１の層は、第１の有機膜を有し、
    前記第３の層は、第２の有機膜を有する、表示装置の作製方法。
  2. 請求項１において、
    前記第１の層は、前記第１の有機膜上に第２の絶縁層を有する、表示装置の作製方法。
  3. 請求項１、又は請求項２において、
    前記第３の層は、前記第２の有機膜上に第３の絶縁層を有する、表示装置の作製方法。
  4. 請求項１乃至請求項３において、
    前記第１の有機膜及び／又は前記第２の有機膜は、感光性、及び熱硬化性の少なくとも一を有する有機材料を用いて、光照射処理、及び熱処理の少なくとも一を行うことで形成される、表示装置の作製方法。
  5. 請求項１乃至請求項４において、
    前記第４の工程において、レーザを用いて、前記第１の層に光を照射して、前記第１の基板と、前記第１の層と、を分離する工程と、
    及び、前記第６の工程において、レーザを用いて、前記第３の層に光を照射して、前記第２の基板と、前記第３の層と、を分離する工程と、を有する、表示装置の作製方法。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれかにおいて、
    前記第２の層は、ＥＬ層及び導電層の積層である、表示装置の作製方法。
  7. 請求項１乃至請求項６のいずれかにおいて、
    前記第１の基板は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板、半導体基板、またはプラスチック基板を有し、
    前記第２の基板は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板、半導体基板、またはプラスチック基板を有する、表示装置の作製方法。
  8. 請求項１乃至請求項７のいずれかにおいて、
    前記第３の基板および前記第４の基板は、可撓性を有する、表示装置の作製方法。
  9. 請求項１乃至請求項８のいずれかにおいて、
    前記表示素子は、発光素子である、表示装置の作製方法。
  10. 表示装置を有する電子機器の作製方法であって、
    前記電子機器は、バッテリ、タッチセンサ、または、筐体を有し、
    前記表示装置は、請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の表示装置の作製方法によって作製されている、電子機器の作製方法。
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