CN111627975B - 显示装置、模块及电子设备 - Google Patents

显示装置、模块及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN111627975B
CN111627975B CN202010541152.8A CN202010541152A CN111627975B CN 111627975 B CN111627975 B CN 111627975B CN 202010541152 A CN202010541152 A CN 202010541152A CN 111627975 B CN111627975 B CN 111627975B
Authority
CN
China
Prior art keywords
conductive layer
layer
display
display panel
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010541152.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111627975A (zh
Inventor
伊佐敏行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority to CN202010541152.8A priority Critical patent/CN111627975B/zh
Publication of CN111627975A publication Critical patent/CN111627975A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111627975B publication Critical patent/CN111627975B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/16Constructional details or arrangements
    • G06F1/1613Constructional details or arrangements for portable computers
    • G06F1/1633Constructional details or arrangements of portable computers not specific to the type of enclosures covered by groups G06F1/1615 - G06F1/1626
    • G06F1/1637Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing
    • G06F1/1652Details related to the display arrangement, including those related to the mounting of the display in the housing the display being flexible, e.g. mimicking a sheet of paper, or rollable
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40OLEDs integrated with touch screens
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412Digitisers structurally integrated in a display
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04102Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0445Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using two or more layers of sensing electrodes, e.g. using two layers of electrodes separated by a dielectric layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)

Abstract

本发明的一个方式的目的之一是减少显示装置的显示不良。提高显示装置的显示品质。本发明的一个方式是包括显示面板和第一导电层的显示装置。显示面板包括具有一对电极的显示元件。一对电极中的靠近于显示面板的一个表面的电极被供应恒定电位。第一导电层被供应恒定电位。当设置在显示面板的另一个表面上的第二导电层接触于第一导电层时,第二导电层也被供应恒定电位。第二导电层包括不与第一导电层固定的部分。

Description

显示装置、模块及电子设备
本发明申请是国际申请号为PCT/IB2016/054192,国际申请日为2016年7月14日,进入中国国家阶段的申请号为201680043037.X,名称为“显示装置、模块及电子设备”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明的一个方式涉及一种显示装置、模块及电子设备。本发明的一个方式尤其涉及一种利用电致发光(Electroluminescence,以下也称为EL)现象的显示装置、模块以及电子设备。
注意,本发明的一个方式不局限于上述技术领域。作为本发明的一个方式的技术领域的例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置(例如,触摸传感器等)、输入输出装置(例如,触摸面板等)、其驱动方法或者其制造方法。
背景技术
近年来,显示装置被期待应用于各种用途,并被要求多样化。
例如,用于移动设备等的显示装置需要为薄型、轻量且不易损坏等。
利用EL现象的发光元件(也记载为“EL元件”)具有容易实现薄型轻量化;能够高速地响应输入信号;以及能够使用直流低电压电源等而驱动的特征等,并且有望将其应用于显示装置。
例如,专利文献1公开了使用有机EL元件的具有柔性的发光装置。
[参考文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2014-197522号公报
发明内容
在为了轻量化或柔性化而使显示面板的厚度减薄时,显示面板容易受到噪声的影响。
作为噪声的原因之一,可以举出显示面板与框体或人体等之间的寄生电容。
例如,在使显示面板变形时,有时显示面板的至少一部分的相对于框体的位置变化。因此,有如下担忧:显示面板与框体之间的寄生电容的大小变化,像素的亮度局部性地变化,从而导致显示不良。
本发明的一个方式的目的之一是减少显示装置的显示不良。另外,本发明的一个方式的目的之一是提高显示装置的显示品质。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有曲面的显示装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有柔性的显示装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种轻量的显示装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种薄型显示装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。另外,本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的显示装置或电子设备等。
注意,上述目的的记载不妨碍其他目的的存在。此外,本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外,可以从说明书、附图、权利要求书等的记载显而易见地看出并抽出上述以外的目的。
本发明的一个方式的显示面板包括柔性衬底、晶体管、发光元件及导电层。晶体管及发光元件都位于柔性衬底上。发光元件包括柔性衬底上的第一电极、第一电极上的包含发光物质的层(以下,称为EL层)以及EL层上的第二电极。第一电极电连接于晶体管的源极或漏极。第二电极被供应恒定电位。晶体管及发光元件都与导电层电绝缘。晶体管及发光元件都隔着柔性衬底与导电层重叠。导电层被供应恒定电位。
本发明的一个方式的显示装置包括显示面板及第一导电层。显示面板具有柔性。显示面板包括柔性衬底、晶体管、发光元件及第二导电层。晶体管及发光元件都位于柔性衬底上。发光元件包括柔性衬底上的第一电极、第一电极上的EL层以及EL层上的第二电极。第一电极电连接于晶体管的源极或漏极。EL层包含发光物质。第二电极被供应恒定电位。晶体管及发光元件都与第二导电层电绝缘。晶体管及发光元件都隔着柔性衬底与第二导电层重叠。第二导电层包括与第一导电层接触的部分。第二导电层包括不与第一导电层固定的部分。第一导电层被供应恒定电位。
第一导电层优选在不重叠于显示面板的部分中接触于被供应恒定电位的布线。
第二导电层与显示面板的显示区域彼此重叠的面积优选为显示区域的面积的80%以上且100%以下。
第二导电层的面积优选大于显示面板的显示区域的面积。
第一导电层与显示面板彼此重叠的面积优选为显示面板的面积的80%以上且100%以下。
第一导电层的面积优选大于显示面板的面积。
显示装置优选包括隔着第一导电层与显示面板重叠的绝缘层。例如,绝缘层优选包含树脂。例如,显示装置也可以包括层叠有绝缘层和第一导电层的薄膜或薄片。薄膜或薄片的厚度优选为20μm以上且100μm以下。在绝缘层包含树脂的情况下,绝缘层的罗氏硬度(Rockwell hardness)优选为M60以上且M120以下。
显示面板的厚度优选为50μm以上且100μm以下。
在发光元件向柔性衬底一侧射出光的情况下,第一导电层及第二导电层都使可见光透过。在发光元件向与柔性衬底一侧相反的一侧射出光的情况下,第一导电层优选包括金属或合金。
本发明的一个方式是一种包括具有上述结构的显示装置的模块。该模块安装有柔性印刷电路板(Flexible printed circuit,以下记为FPC)或TCP(Tape Carrier Package:带载封装)等连接器或者利用COG(Chip On Glass:玻璃覆晶封装)方式或COF(Chip OnFilm:薄膜覆晶封装)方式等安装有集成电路(IC)。
在上述结构中,本发明的一个方式不局限于显示装置,也可以用于发光装置或输入输出装置(触摸面板等)。
本发明的一个方式是一种包括上述模块以及传感器的电子设备,其中,传感器隔着第二导电层与显示面板重叠。
本发明的一个方式是一种包括上述模块以及天线、电池、框体、照相机、扬声器、麦克风和操作按钮中的至少一个的电子设备。
根据本发明的一个方式,可以减少显示装置的显示不良。另外,根据本发明的一个方式,可以提高显示装置的显示品质。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种具有曲面的显示装置。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种具有柔性的显示装置。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种轻量的显示装置。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种薄型显示装置。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种可靠性高的显示装置。另外,根据本发明的一个方式,可以提供一种新颖的显示装置或电子设备等。
注意,上述效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外,本发明的一个方式并不需要必须实现所有上述效果。另外,可以从说明书、附图、权利要求书等的记载显而易见地看出并抽出上述以外的效果。
附图说明
图1A至1C是示出显示面板的一个例子的截面图;
图2A至2D是示出显示装置的一个例子的截面图;
图3A至3B是示出像素的电路图及显示面板的一个例子的截面图;
图4A至4C是示出显示面板的一个例子的截面图;
图5A至5C是示出显示面板的一个例子的俯视图及仰视图;
图6A至6D是示出显示装置的一个例子的俯视图及截面图;
图7A至7D是示出显示装置的一个例子的侧面图;
图8是示出显示面板的一个例子的截面图;
图9A至9C是示出显示面板的制造方法的一个例子的截面图;
图10A至10B是示出显示面板的制造方法的一个例子的截面图;
图11A至11B是示出显示面板的制造方法的一个例子的截面图;
图12A至12B是示出显示面板的一个例子的截面图;
图13A至13B是示出显示面板的一个例子的截面图;
图14A至14C是示出触摸面板的一个例子的立体图;
图15是示出触摸面板的一个例子的截面图;
图16A至16D是示出触摸面板的一个例子的截面图以及晶体管的俯视图及截面图。
图17是示出触摸面板的一个例子的截面图;
图18是示出触摸面板的一个例子的截面图;
图19是示出触摸面板的一个例子的截面图;
图20A至20C是示出触摸面板的一个例子的立体图;
图21是示出触摸面板的一个例子的截面图;
图22A和22B是示出触摸面板的一个例子的截面图;
图23A至23E是示出电子设备的一个例子的立体图;
图24A至24D是示出电子设备的一个例子的俯视图及仰视图;
图25A至25C是示出电子设备的一个例子的俯视图;
图26A至26C是示出电子设备的一个例子的立体图;
图27是示出电子设备的一个例子的立体图;
图28A至28D是电子设备的一个例子的图;
图29A至29B、29C1、29C2、29D至29H是示出电子设备的一个例子的图;
图30A至30D是示出电子设备的一个例子的图;
图31A至31E是示出电子设备的一个例子的图;
图32A至32C是说明实施例的显示装置的照片;
图33A至33B是实施例的显示装置的显示照片;
图34是说明样品的XRD谱的测定结果的图;
图35A至35L是说明样品的TEM图像及电子衍射图案的图;
图36A至36C是说明样品的EDX面分析图像的图。
具体实施方式
以下参照附图对实施方式进行详细的说明。注意,本发明不局限于以下说明,所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此,本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。
注意,在下面说明的发明的结构中,在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分,而省略反复说明。此外,当表示具有相同功能的部分时有时使用相同的阴影线,而不特别附加附图标记。
另外,为了便于理解,有时附图中示出的各构成的位置、大小及范围等并不表示其实际的位置、大小及范围等。因此,所公开的发明不一定局限于附图所公开的位置、大小、范围等。
另外,根据情况或状态,可以互相调换“膜”和“层”。例如,可以将“导电层”变换为“导电膜”或者可以将“绝缘膜”变换为“绝缘层”。
在本说明书中,“衬底”优选具有支撑功能电路、功能元件和功能膜等中的至少一个的功能。此外,“衬底”也可以不具有支撑这些构件的功能,例如也可以具有保护装置或面板的表面的功能或使功能电路、功能元件和功能膜等中的至少一个密封的功能等。另外,在本说明书中,将具有柔性的衬底称为“柔性衬底”。
实施方式1
在本实施方式中,参照图1至图7说明本发明的一个方式的显示装置。
在本实施方式中,主要以使用有机EL元件的情况为例进行说明。有机EL元件容易实现柔性化,所以是优选的。
图1是本发明的一个方式的显示面板的截面图,图2是本发明的一个方式的显示装置的截面图。图3A是示出显示面板的像素电路的一个例子的电路图。图3B及图4是比较用显示面板的截面图。
图3A所示的像素电路包括发光元件31、晶体管32、晶体管33及电容元件34。晶体管32被用作驱动晶体管。晶体管33被用作选择晶体管。
发光元件31的第一电极与第一布线11电连接。发光元件31的第二电极与晶体管32的第一电极电连接。晶体管32的第二电极与第二布线12电连接。晶体管32的栅极与晶体管33的第一电极及电容元件34的第一电极电连接。晶体管33的第二电极与第三布线13电连接。晶体管33的栅极与第四布线14电连接。电容元件34的第二电极与第五布线15电连接。
图3B所示的比较用显示面板16包括柔性衬底51、具有晶体管的层20、发光元件31、绝缘层53、粘合层55及柔性衬底57。
具有晶体管的层20包括晶体管的栅极、源极及漏极以及布线等多个导电层。图3B示出作为具有晶体管的层20所包括的导电层之一的导电层21。
发光元件31包括电极41、EL层43及电极45。发光元件31被柔性衬底51、粘合层55及柔性衬底57密封。
电极41和电极45中的一个被用作阳极,另一个被用作阴极。当对电极41与电极45之间施加高于发光元件31的阈值电压的电压时,空穴从阳极一侧而电子从阴极一侧注入EL层43中。被注入的电子和空穴在EL层43中复合,而使包含在EL层43中的发光物质发光。
电极41被用作像素电极,并设置在每个发光元件31中。相邻的两个电极41由绝缘层53电绝缘。电极45被用作公共电极,并横跨配置在多个发光元件31中。电极45相当于与图3A中的第一布线11电连接的电极。电极45被供应恒定电位。
在显示面板16的厚度越薄时,越能够实现显示面板16的轻量化、柔性化,但是显示面板16容易受到噪声的影响。
如图3B所示,显示面板16的使用者的手指99与导电层21之间形成有电容39。当手指99相对于导电层21移动时,手指99与导电层21之间的距离变化,电容39的大小也变化。
此外,图4A示出显示面板16配置在具有导电性的框体98上的例子。显示面板16的一部分与框体98接触,其他部分与框体98离开。图4B示出图4A中的显示面板16与框体98接触的区域22C的放大图。图4C示出图4A中的显示面板16不与框体98接触的区域22D的放大图。
框体98与导电层21接触(图4B的电容C3)时的框体98与导电层21之间的电容39的大小不同于框体98不与导电层21接触(图4C的电容C4)时的框体98与导电层21之间的电容39的大小。在图4B和图4C中,满足C3>C4。
即使将显示面板16配置在框体98上,有时显示面板16的一部分也与框体98离开。另外,当使显示面板16变形时,有时显示面板16的一部分与框体98离开。因此,在使用显示面板16时,有时框体98与导电层21之间的电容39的大小。
如图3A所示,电容39影响到节点N的电位。框体或人体与导电层21之间的距离越短,电容39越大。显示面板16的厚度越薄,框体或人体与导电层21之间的最短距离越短,由此容易产生较大的电容。也就是说,电容39的变化的范围变大,节点N的电位的范围也变大。因此,有像素的亮度局部性且大幅度地变化而导致显示不良的担忧。
于是,在本发明的一个方式中,将被供应恒定电位的导电层设置在显示面板中。作为恒定电位,可以举出低电源电位(VSS)及高电源电位(VDD)等电源电位、接地电位(GND电位)、公共电位、参考电位等。
图1A所示的显示面板10的与图3A所示的显示面板16不同之处在于:包括隔着柔性衬底51与导电层21重叠的导电层71。其他结构与显示面板16同样,因此省略详细的说明。
导电层71与供应恒定电位的布线19电连接。导电层71与具有晶体管的层20所包括的导电层21电绝缘。导电层71位于显示面板10的表面,由此从安全性的观点来看,供应到导电层71的恒定电位优选为GND电位。在本实施方式中,示出向导电层71供应GND电位的例子。
在导电层21与导电层71之间产生电容C1。如图1B和图1C所示,即使弯曲显示面板10,相对于导电层71的导电层21的位置也不变化。图1C是图1B中的区域22的放大图。在图1B所示的两个区域22中,导电层21与导电层71的距离相等,在导电层21与导电层71之间产生的电容C1的大小也相等。
此外,手指99与导电层71之间形成有电容C2。手指99与导电层71的距离越短,电容C2越大。在电容C2的大小变化时,导电层71的电位变化,有可能导电层21的电位也变化。另一方面,在本发明的一个方式中,恒定电位被供应到导电层71,因此,即使电容C2的大小变化,导电层21的电位也不变化。
此外,显示面板10包括被供应恒定电位的电极45。由此,即使人体或框体位于柔性衬底57一侧,人体或框体与电极45之间的电容的变化也不影响到导电层21的电位。
如此,在本发明的一个方式的显示面板中,具有晶体管的层的上层及下层的双方配置有被供应恒定电位的导电层。因此,可以抑制来自外部的噪声改变具有晶体管的层所包括的导电层的电位,从而可以减少显示面板的显示不良。
即便使其厚度减薄,使用本发明的一个方式的显示面板也不容易受到噪声的影响。显示面板10的厚度例如可以为30μm以上且300μm以下,优选为50μm以上且200μm以下,更优选为50μm以上且150μm以下,进一步优选为50μm以上且100μm以下。为了提高显示面板10的机械强度,显示面板10的厚度优选为50μm以上。此外,为了提高显示面板10的柔性,显示面板10的厚度优选为200μm以下,更优选为100μm以下。例如,当厚度为100μm以下时,显示面板可以进行曲率半径为1mm的弯曲工作或者交替反复显示面平坦的状态和弯曲的状态(例如10万次以上)的曲率半径为5mm的弯曲伸展工作。
图2A是包括显示面板10和导电层73的显示装置的截面图。显示面板10具有与结构实例1(图1A)同样的结构,所以省略详细的说明。
导电层71包括与导电层73接触的部分。导电层73与供应恒定电位的布线19电连接。恒定电位隔着导电层73供应到导电层71。导电层71也可以被固定为导电层73。只要导电层71的一部分与导电层73接触,恒定电位则供应到导电层71。
在导电层21与导电层71之间产生电容C1。如图2B至图2D所示,即使弯曲显示面板10,相对于导电层71的导电层21的位置也不变化。
在图2B中,显示面板10的一部分与导电层71接触,其他部分与导电层71离开。图2C示出图2B中的显示面板10与导电层71接触的区域22A。图2D示出图2B中的显示面板10不与导电层71接触的区域22B。在区域22A及区域22B中,导电层21与导电层71的距离相等,在导电层21与导电层71之间产生的电容C1的大小也相等。
此外,手指99与导电层73之间形成有电容C2。手指99与导电层73的距离越短,电容C2越大。在电容C2的大小变化时,导电层73及导电层71的电位变化,有可能导电层21的电位也变化。另一方面,在本发明的一个方式中,恒定电位被供应到导电层73及导电层71,因此,即使电容C2的大小变化,导电层21的电位也不变化。
如此,通过在至少一个点上接触被供应恒定电位的导电层73与位于显示面板10的表面的导电层71,可以向导电层71供应恒定电位。
图5A和图5B是图1A等所示的显示面板10的俯视图及仰视图。
图5A是显示面板10的正面(显示面)的图(也可以称为显示面板10的俯视图),图5B是显示面板10的背面(与显示面相反一侧的面)的图(也可以称为显示面板10的仰视图)。
显示面板10包括显示区域81及扫描线驱动电路82。显示区域81包括多个像素、多个信号线及多个扫描线,并具有显示图像的功能。扫描线驱动电路82具有向显示区域81所包括的扫描线输出扫描信号的功能。
在本实施方式中示出显示面板10包括扫描线驱动电路的例子,但是本发明的一个方式不局限于此。显示面板10既可以包括扫描线驱动电路和信号线驱动电路中的一方或双方,又可以不包括扫描线驱动电路和信号线驱动电路的双方。另外,在显示面板10被用作触摸传感器的情况下,显示面板10也可以包括传感器驱动电路。
在显示面板10中,IC84以COF方式等安装方式安装在柔性衬底51上。IC84例如包括信号线驱动电路、扫描线驱动电路和传感器驱动电路中的一个以上。通过使用环氧树脂等树脂覆盖IC84的侧面,可以提高显示面板10与IC84的连接部的机械强度。因此,即使在弯曲显示面板10时,在显示面板10中也不容易产生裂缝,而可以提高显示面板10的可靠性。作为树脂,例如可以使用被用作各种粘合剂的树脂。
此外,显示面板10与FPC83电连接。信号从外部通过FPC83供应到IC84及扫描线驱动电路。另外,可以将信号从IC84通过FPC83输出到外部。
FPC83也可以安装有IC。例如,FPC83也可以安装有包括信号线驱动电路、扫描线驱动电路及传感器驱动电路中的一个以上的IC。例如,能够以COF方式或TAB(Tape AutomatedBonding)方式等安装方式将IC安装于FPC83。
导电层71设置在显示面板10的背面。导电层71与显示区域81重叠。导电层71与显示区域81彼此重叠的面积优选为显示区域81的面积的80%以上且100%以下,更优选为90%以上且100%以下,进一步优选为95%以上且100%以下。此外,导电层71的面积优选大于显示区域81的面积。显示区域81的不与导电层71重叠的面积越小,显示面板10越不容易受到噪声的影响。
如图5C所示,导电层71也可以与扫描线驱动电路82重叠。
图5A至图5C示出导体74连接于导电层71的例子。导体74被供应恒定电位。导体74电连接被供应GND电位的布线(也称为GND线)与导电层71。作为导体74,可以举出导电胶带及导线等。例如,电池或电源电路等电源的GND线与导电层71通过导体74电连接。
如图5A至图5C所示,在发光元件31向柔性衬底57一侧射出光的情况下,导电层71位于显示面板的背面(与显示面相反一侧的面)。当直接将导电胶带或导线等连接于导电层71时,有时在显示面板10中产生沿着导电胶带或导线等的形状的台阶。显示面板10的厚度越薄,沿着这些形状的台阶越明显看出。当显示区域具有没有大的台阶且平滑时,显示清晰,所以是优选的。因此,导电层71与导体74的连接部优选不与显示区域81重叠。
图6A是图2A等所示的显示装置的俯视图。图6A是显示装置的正面(显示面)的图,图6B是沿着图6A中的点划线A-B间的截面图。显示面板10具有与图5A和图5B同样的结构,因此省略详细的说明。
在图6B中,将显示面板10在柔性衬底51与柔性衬底57之间包括的层总表示为元件层72。具体而言,元件层72包括图1A等所示的具有晶体管的层20、发光元件31、绝缘层53及粘合层55等。
图6A和图6B示出导电层73与导体74连接的例子。导体74是电连接GND线与导电层73的导体的一个例子。导体74被供应GND电位。
如图6A和图6B所示,导电层73与导体74的连接部位于不与显示面板10重叠的部分。沿着该连接部的形状的台阶产生在远离显示区域81的位置。由此,可以抑制在显示区域81中产生台阶。
如上所述,电连接显示面板10所包括的导电层71与供应恒定电位的布线的导体的连接部优选不与显示区域81重叠,更优选不与显示面板10重叠。因此,可以抑制在显示区域81中产生台阶,而可以提高显示区域81的显示品质。
另外,导电层73与显示面板10彼此重叠的面积优选为显示面板10的面积的80%以上且100%以下。此外,导电层73的面积优选大于显示面板10的面积。显示面板10的厚度越薄,在显示区域81中越容易产生沿着配置在显示装置的背面一侧的其他结构的形状的台阶。通过将导电层73重叠于显示区域81的整个面,可以降低产生在显示区域81中的台阶。
图6C是具有上述各结构不同的显示装置的俯视图。图6C是显示装置的正面(显示面)的图,图6D是沿着图6C中的点划线C-D间的截面图。显示面板10具有与图5A和图5B同样的结构,由此省略详细的说明。
图6A和图6B示出导电层73重叠于(接触于)导电层71的整个面的例子,但是如图6C和图6D所示,被供应恒定电位的导电层也可以与导电层71的一部分接触。
图6C和图6D所示的显示装置包括显示面板10、导电层73a及导电层73b。导电层73a包括与导电层71接触的部分。导电层73b包括与导电层71接触的部分。
如此,通过设置与导电层71接触的多个导电层,可以在显示装置中设置柔性高的区域和柔性低的区域。通过以重叠于FPC83与显示面板10的连接部等耐弯曲性低的区域的方式设置导电层73a,减少该耐弯曲性低的部分的柔性。在使显示面板10变形时,显示面板10容易在不设置有导电层73a、73b的柔性高的区域中弯曲,可以抑制耐弯曲性低的部分以较大的曲率被弯曲,由此可以提高显示装置的可靠性。
导电层73a与导体74a连接。导体74a是电连接GND线与导电层73a的导体的一个例子。与此同样,导电层73b与导体74b连接。
如图6C和图6D所示,导电层73a与导体74a的连接部及导电层73b与导体74b的连接部都位于不与显示面板10重叠的部分。沿着该连接部的形状的台阶产生在远离显示区域81的位置。由此,可以抑制在显示区域81中产生台阶。
注意,在导电层73与显示面板10完全被固定的情况下,当使显示装置变形时,有压缩应力或拉伸应力被施加到显示面板10而显示面板10被损坏的担忧。
于是,在本发明的一个方式中,在显示面板10所包括的导电层71中设置不与导电层73固定的部分。因此,在弯曲或展开显示装置时,显示面板10的至少一部分的相对于导电层73的位置变化。此外,因为可以在显示面板10中形成中和面,所以可以抑制力量被施加到显示面板10而显示面板10被损坏。另外,导电层71既可以包括与导电层73固定的部分,又可以完全不与导电层73固定。此外,即使导电层73较厚,也可以在显示面板10中形成中和面。由此,可以扩大导电层73的厚度的容许范围。
注意,中和面是指不发生因弯曲等变形而发生的压缩应力或拉伸应力等导致的应力弯曲的面,且是不伸缩的面。
图7A是被展开的显示装置。显示装置包括导电层73与显示面板10的叠层。在此,将连接有FPC83的一侧称为显示装置的显示面。图7B示出将显示面板10向内侧弯曲(下面,称为向内弯曲)的显示装置。在图7A的被虚线围绕的部分中,导电层73和显示面板10的端部对齐,另一方面,在图7B的被虚线围绕的部分中,导电层73和显示面板10的端部错位。与此同样,图7C示出将显示面板10向外侧弯曲(下面,称为向外弯曲)的显示装置。
弯曲显示装置的位置的个数为一个或多个。图7D示出包括一个向内弯曲部分和一个向外弯曲部分的折叠为三个部分的显示装置。
导电层71及导电层73分别可以使用铝、钛、铬、镍、铜、钇、锆、钼、银、钽或钨等金属或者以这些元素为主要成分的合金的单层结构或叠层结构。此外,导电层71及导电层73分别可以使用氧化铟、铟锡氧化物(ITO:Indium Tin Oxide)、包含钨的铟氧化物、包含钨的铟锌氧化物、包含钛的铟氧化物、包含钛的铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、包含镓的氧化锌或者包含硅的铟锌氧化物等具有透光性的导电材料。另外,也可以使用通过使其含有杂质元素等而被低电阻化的多晶硅或氧化物半导体等半导体或者镍硅化物等硅化物。此外,也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以使包含形成为膜状的氧化石墨烯的膜还原形成。此外,也可以使用包含杂质元素的氧化物半导体等半导体。另外,导电层71及导电层73分别可以使用银、碳或铜等的导电膏或者聚噻吩等导电聚合物形成。导电膏廉价,所以是优选的。导电聚合物容易涂布,所以是优选的。
当导电层71及导电层73位于显示面板10的显示面一侧时,作为导电层71及导电层73,分别使用使可见光透过的导电层。此外,当导电层71及导电层73位于与显示面相反一侧时,对导电层71及导电层73的透光性没有限制。
当在显示面板10的表面直接形成导电层71时,导电层71的厚度为1nm以上且1000nm以下,优选为1nm以上且100nm以下,更优选为1nm以上且50nm以下,进一步优选为1nm以上且25nm以下。导电层71的厚度越薄,导电层71的内部应力越小,显示面板10不容易翘曲,所以是优选的。
另外,作为导电层73,可以使用金属箔、金属板等。在导电层73与显示面板10的弯曲部分重叠的情况下,将导电层73的厚度及硬度设定为充分具有柔性的厚度及硬度。
此外,也可以使用绝缘层和包含导电材料的层的叠层结构的薄膜或薄片。包含该导电材料的层被用作导电层71或导电层73。作为绝缘层和包含导电材料的层的叠层结构的薄膜或薄片,可以举出树脂薄膜或树脂薄片上设置有包含导电材料的层的导电薄膜及导电薄片。具体而言,可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)薄膜上形成有铜、ITO、石墨烯或碳纳米管的薄膜或薄片等。此外,还可以使用使石墨固化而形成的薄片。石墨及石墨烯分别可以形成为薄膜且具有高导电性,所以是优选的。
作为导电薄膜及导电薄片等的厚度,优选为20μm以上且200μm以下,更优选为20μm以上且150μm以下,进一步优选为20μm以上且100μm以下。另外,在对导电薄片的柔性没有限制的情况下,其厚度也可以大于200μm。
在人的指甲或触屏笔等接触于显示面板10时,局部性地向显示面板10施加压力,有时显示面板10被受损或被损坏。当位于显示面板10之下的构件坚硬时,显示面板10的变形得到抑制,由此可以抑制显示面板10中的针孔的产生及显示面板10的损坏,所以是优选的。例如,优选使用罗氏硬度为M60以上且M120以下的树脂层上形成有包含导电材料的层(相当于导电层73)的薄膜。作为罗氏硬度为M60以上且M120以下的树脂层,可以举出PET薄膜。
另外,显示装置的框体也可以被用作导电层73。
作为柔性衬底51及柔性衬底57,可以使用其厚度为允许具有柔性的厚度的玻璃、石英、树脂、金属、合金、半导体等材料。提取发光元件的光一侧的衬底使用使该光透过的材料。例如,柔性衬底的厚度优选为1μm以上且200μm以下,更优选为1μm以上且100μm以下,进一步优选为10μm以上且50μm以下,更进一步优选为10μm以上且25μm以下。柔性衬底的厚度及硬度为可兼具机械强度及柔性的范围内。具柔性衬底既可以采用单层结构也可以采用叠层结构。
由于树脂的比重小于玻璃,因此通过作为柔性衬底使用树脂,与作为柔性衬底使用玻璃的情况相比,能够使发光面板的重量更轻,所以是优选的。
衬底优选使用韧性高的材料。由此,能够实现耐冲击性高的不易损坏的发光面板。例如,通过使用树脂衬底、厚度薄的金属衬底或合金衬底,与使用玻璃衬底的情况相比,能够实现轻量且不易损坏的发光面板。
由于金属材料以及合金材料的导热性高,并且容易将热传导到衬底整体,因此能够抑制发光面板的局部的温度上升,所以是优选的。使用金属材料或合金材料的衬底的厚度优选为10μm以上且200μm以下,更优选为20μm以上且50μm以下。
对于构成金属衬底或合金衬底的材料没有特别的限制,例如,优选使用铝、铜、镍、铝合金或不锈钢等金属的合金等。作为构成半导体衬底的材料,可以举出硅等。
另外,当作为衬底使用热辐射率高的材料时,能够抑制发光面板的表面温度上升,从而能够抑制发光面板的损坏或可靠性的下降。例如,衬底也可以采用金属衬底与热辐射率高的层(例如,可以使用金属氧化物或陶瓷材料)的叠层结构。
作为具有柔性及透光性的材料,例如可以举出如下材料:PET或PEN等聚酯树脂、聚丙烯腈树脂、丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、聚甲基丙烯酸甲酯树脂、聚碳酸酯(PC)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚酰胺树脂(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚硅氧烷树脂、环烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺-酰亚胺树脂、聚氨酯树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚丙烯树脂、聚四氟乙烯(PTFE)及ABS树脂等。尤其优选使用线膨胀系数低的材料,例如优选使用聚酰胺-酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂以及PET等。另外,也可以使用将树脂浸渗于纤维体中的衬底(也称为预浸料)或将无机填料混合到树脂中来降低线膨胀系数的衬底等。
柔性衬底可以是叠层结构,其中层叠使用上述材料的层与保护装置的表面免受损伤等的硬涂层(例如,氮化硅层等)、能够分散压力的材料的层(例如,芳族聚酰胺树脂层等)等中的至少一个。
通过作为柔性衬底采用具有玻璃层的结构,可以提高对水或氧的阻挡性而提供可靠性高的发光面板。
例如,可以使用从离发光元件近的一侧层叠有玻璃层、粘合层及树脂层的柔性衬底。将该玻璃层的厚度设定为20μm以上且200μm以下,优选为25μm以上且100μm以下。这种厚度的玻璃层可以同时实现对水及氧的高阻挡性和柔性。此外,将树脂层的厚度设定为10μm以上且200μm以下,优选为20μm以上且50μm以下。通过设置这种树脂层,可以防止玻璃层的破裂及裂缝,提高玻璃的机械强度。通过将这种玻璃材料和树脂的复合材料应用于衬底,可以实现可靠性极高的柔性显示面板。
作为粘合层,可以使用紫外线固化树脂等光固化粘合剂、反应固化粘合剂、热固化粘合剂、厌氧粘合剂等各种固化粘合剂。此外,也可以使用粘合薄片等。
另外,在粘合层中也可以包含干燥剂。例如,可以使用碱土金属的氧化物(氧化钙或氧化钡等)那样的通过化学吸附吸附水分的物质。或者,也可以使用沸石或硅胶等通过物理吸附来吸附水分的物质。当在树脂中包含干燥剂时,能够抑制水分等杂质侵入到功能元件,从而提高发光面板的可靠性,所以是优选的。
此外,通过使折射率高的填料或光散射构件包含在粘合层中,可以提高发光元件的光提取效率。例如,可以使用氧化钛、氧化钡、沸石、锆等。
作为发光元件,可以使用能够进行自发光的元件,并且在其范畴内包括由电流或电压控制亮度的元件。例如,可以使用发光二极管(LED)、有机EL元件以及无机EL元件等。此外,本发明的一个方式的显示装置可以使用各种显示元件形成。例如,也可以采用使用液晶元件、电泳元件或MEMS(微电子机械系统)的显示元件等。
发光元件也可以具有顶部发射结构、底部发射结构和双面发射结构中的任一个。作为提取光一侧的电极使用使可见光透过的导电膜。另外,作为不提取光一侧的电极优选使用反射可见光的导电膜。
作为使可见光透过的导电膜,例如可以使用氧化铟、ITO、铟锌氧化物、氧化锌(ZnO)、包含镓的氧化锌等形成。另外,也可以通过将金、银、铂、镁、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯或钛等金属材料、包含这些金属材料的合金或这些金属材料的氮化物(例如,氮化钛)等形成得薄到其具有透光性来使用。此外,可以将上述材料的叠层膜用作导电膜。例如,当使用银和镁的合金与ITO的叠层膜等时,可以提高导电性,所以是优选的。另外,也可以使用石墨烯等。
作为反射可见光的导电膜,例如可以使用铝、金、铂、银、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜或钯等金属材料或包含这些金属材料的合金。另外,也可以在上述金属材料或合金中添加有镧、钕或锗等。此外,反射可见光的导电膜可以使用铝和钛的合金、铝和镍的合金、铝和钕的合金、铝、镍和镧的合金(Al-Ni-La)等包含铝的合金(铝合金)、银和铜的合金、银、钯和铜的合金(Ag-Pd-Cu,也记载为APC)或者银和镁的合金等包含银的合金来形成。包含银和铜的合金具有高耐热性,所以是优选的。并且,通过以与铝合金膜接触的方式层叠金属膜或金属氧化物膜,可以抑制铝合金膜的氧化。作为该金属膜、该金属氧化膜的材料,可以举出钛、氧化钛等。另外,也可以层叠上述使可见光透过的导电膜与由金属材料构成的膜。例如,可以使用银与ITO的叠层膜、银和镁的合金与ITO的叠层膜等。
各电极可以通过利用蒸镀法或溅射法形成。除此之外,也可以通过利用喷墨法等喷出法、丝网印刷法等印刷法、或者镀法形成。
EL层43至少具有发光层。EL层43也可以具有多个发光层。作为发光层以外的层,EL层43还可以包括包含空穴注入性高的物质、空穴传输性高的物质、空穴阻挡材料、电子传输性高的物质、电子注入性高的物质或双极性的物质(电子传输性及空穴传输性高的物质)等的层。
作为EL层43可以使用低分子化合物或高分子化合物,还可以包含无机化合物。构成EL层43的层分别通过蒸镀法(包括真空蒸镀法)、转印法、印刷法、喷墨法、涂敷法等的方法形成。
发光元件31也可以包含两种以上的发光物质。由此,例如能够实现白色发光的发光元件。例如,通过以使两种以上的发光物质的各发光成为补色关系的方式选择发光物质,来能够得到白色发光。例如,可以使用呈现R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)、Y(黄色)或O(橙色)等的发光的发光物质或呈现包含R、G及B中之两种以上的颜色的光谱成分的发光的发光物质。例如,也可以使用呈现蓝色发光的发光物质及呈现黄色发光的发光物质。此时,呈现黄色发光的发光物质的发射光谱优选包含绿色及红色的光谱成分。另外,发光元件31的发射光谱优选在可见区域的波长(例如为350nm以上且750nm以下,或400nm以上且800nm以下等)的范围内具有两个以上的峰值。
此外,发光元件31也可以是包括一个EL层的单元件,又可以是包括隔着电荷产生层层叠的多个EL层的串联元件。
另外,在本发明的一个方式中,也可以采用使用了量子点等无机化合物的发光元件。作为量子点材料,可以举出胶状量子点材料、合金型量子点材料、核壳(Core Shell)型量子点材料、核型量子点材料等。例如,也可以包含镉(Cd)、硒(Se)、锌(Zn)、硫(S)、磷(P)、铟(In)、碲(Te)、铅(Pb)、镓(Ga)、砷(As)、铝(Al)等元素。
对显示面板所包括的晶体管的结构没有特别的限制。例如,可以采用平面型晶体管、交错型晶体管或反交错型晶体管。另外,还可以采用顶栅型或底栅型的晶体管结构。或者,也可以在沟道的上下设置有栅电极。
对用于晶体管的半导体材料的结晶性也没有特别的限制,可以使用非晶半导体或具有结晶性的半导体(微晶半导体、多晶半导体、单晶半导体或其一部分具有结晶区域的半导体)。当使用具有结晶性的半导体时可以抑制晶体管的特性劣化,所以是优选的。
对用于晶体管的半导体材料没有特别的限制,例如可以将第14族元素、化合物半导体或氧化物半导体用于半导体层。典型的是,可以使用包含硅的半导体、包含砷化镓的半导体或包含铟的氧化物半导体等。
尤其优选的是,作为形成晶体管的沟道的半导体使用氧化物半导体。尤其优选使用其带隙比硅宽的氧化物半导体。通过使用带隙比硅宽且载流子密度比硅小的半导体材料,可以降低晶体管的关态电流(off-state current),所以是优选的。
例如,作为上述氧化物半导体,优选至少包含铟(In)或锌(Zn)。更优选的是,包含表示为In-M-Zn氧化物(M是Al、Ti、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce、Hf或Nd等金属)的氧化物。
作为用于晶体管的半导体材料,优选使用CAAC-OS(C Axis Aligned CrystallineOxide Semiconductor:c轴取向结晶氧化物半导体)。CAAC-OS与非晶不同,缺陷能级密度低,从而能够提高晶体管的可靠性。另外,因为CAAC-OS具有观察不到晶界的特征,所以能够大面积地形成稳定且均匀的膜,并且CAAC-OS膜不容易因在使具有柔性的显示装置弯曲时产生的应力而产生裂缝。
CAAC-OS是结晶的c轴在大致垂直于膜面的方向上取向的结晶氧化物半导体。还确认到氧化物半导体除了单晶结构之外还具有多种结晶结构诸如纳米尺寸的微晶集合体的纳米晶(nc:nanocrystal)结构等。CAAC-OS的结晶性低于单晶结构而高于nc结构。
另外,CAAC-OS具有c轴取向性,其多个颗粒(纳米晶)在a-b面方向上连结而结晶结构具有畸变。因此,也可以将CAAC-OS称为具有CAA crystal (c-axis-aligned a-b-plane-anchored crystal)的氧化物半导体。
作为显示面板所包括的绝缘层,可以使用有机绝缘材料或无机绝缘材料。作为树脂,例如可以举出丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂等。作为无机绝缘膜,可以举出氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝膜、氧化铪膜、氧化钇膜、氧化锆膜、氧化镓膜、氧化钽膜、氧化镁膜、氧化镧膜、氧化铈膜及氧化钕膜等。
作为显示面板所包括的各导电层,分别可以使用上述能够用于导电层71及导电层73的各种材料。
如上所述,即便使显示面板的厚度非常薄,本实施方式的显示装置也可以抑制来自外部的噪声改变具有晶体管的层所包括的导电层的电位,从而可以减少显示面板的显示不良。此外,在显示区域中不容易产生台阶,因此可以抑制显示品质的下降。另外,显示面板可以采用具有柔性且不容易因弯曲而损坏的结构。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式2
在本实施方式中,参照图8至图22对本发明的一个方式的显示面板的结构及制造方法进行说明。在本实施方式中,以作为显示元件使用EL元件的显示面板为例进行说明。
在本实施方式中,显示面板例如可以采用:用R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)这三种颜色的子像素表示一个颜色的结构;用R、G、B、W(白色)这四种颜色的子像素表示一个颜色的结构;或者用R、G、B、Y(黄色)这四种颜色的子像素表示一个颜色的结构等。对颜色要素没有特别的限制,也可以使用RGBWY以外的颜色,例如可以使用青色(cyan)或品红色(magenta)等。
〈结构实例1〉
图8示出采用滤色片方式且具有顶部发射结构的显示面板370的截面图。
显示面板370包括导电层390、柔性衬底371、粘合层377、绝缘层378、多个晶体管、电容元件305、导电层307、绝缘层312、绝缘层313、绝缘层314、绝缘层315、发光元件304、导电层355、间隔物316、粘合层317、着色层325、遮光层326、柔性衬底372、粘合层375及绝缘层376。
导电层390至少设置在显示部381中。导电层390也可以设置在驱动电路部382等中。导电层390位于与显示面板370的显示面相反一侧,所以对可见光的透光性没有限制。
驱动电路部382包括晶体管301。显示部381包括晶体管302及晶体管303。
各晶体管包括栅极、栅极绝缘层311、半导体层、源极及漏极。栅极与半导体层隔着栅极绝缘层311重叠。栅极绝缘层311的一部分被用作电容元件305的介电质。被用作晶体管302的源极或漏极的导电层兼用作电容元件305的一个电极。
图8示出顶栅结构的晶体管。驱动电路部382和显示部381也可以具有互不相同的晶体管的结构。驱动电路部382及显示部381也可以都包括多种晶体管。
电容元件305包括一对电极以及它们之间的电介质。电容元件305包括利用与晶体管的栅极相同的材料和相同的工序形成的导电层以及利用与晶体管的源极及漏极相同的材料和相同的工序形成的导电层。
绝缘层312、绝缘层313及绝缘层314都以覆盖晶体管等的方式形成。对覆盖晶体管等的绝缘层的数量没有特别的限制。绝缘层314被用作平坦化层。优选对绝缘层312、绝缘层313和绝缘层314中的至少一个使用水或氢等杂质不容易扩散的材料。由此,可以有效地抑制来自外部的杂质扩散到晶体管中,从而可以提高显示面板的可靠性。
在作为绝缘层314使用有机材料的情况下,有水分等杂质从显示面板的外部经过露出于显示面板的端部的绝缘层314侵入发光元件304等的担忧。因杂质侵入导致的发光元件304的劣化引起显示面板的劣化。因此,如图8所示,优选通过在绝缘层314中设置到达无机膜(在此,绝缘层313)的开口,使显示面板具有即使水分等杂质从显示面板的外部侵入也不容易到达发光元件304的结构。
图12A示出绝缘层314中不设置有上述开口的情况的截面图。优选如图12A所示地对整个显示面板设置绝缘层314,由此可以提高后述剥离工序的良率。
图12B示出绝缘层314不位于显示面板的端部的截面图。在图12B的结构中,由于使用有机材料的绝缘层不位于显示面板的端部,所以可以抑制杂质侵入到发光元件304中。
发光元件304包括电极321、EL层322及电极323。发光元件304也可以包括光学调整层324。发光元件304具有向着色层325一侧发射光的顶部发射结构。
通过以与发光元件304的发光区域重叠的方式配置晶体管、电容元件及布线等,可以提高显示部381的开口率。
电极321和电极323中的一个被用作阳极,另一个被用作阴极。当对电极321与电极323之间施加高于发光元件304的阈值电压的电压时,空穴从阳极一侧而电子从阴极一侧注入EL层322中。被注入的电子和空穴在EL层322中重新结合,由此,包含在EL层322中的发光物质发光。
电极321电连接到晶体管303的源极或漏极。这些构件既可以直接连接,又可以通过其他导电层彼此连接。电极321被用作像素电极,并设置在每个发光元件304中。相邻的两个电极321由绝缘层315电绝缘。
EL层322是包含发光物质的层。
电极323被用作公共电极,并横跨配置在多个发光元件304中。电极323被供应恒定电位。
发光元件304隔着粘合层317与着色层325重叠。间隔物316隔着粘合层317与遮光层326重叠。虽然图8示出在发光元件304与遮光层326之间有间隙的情况,但是它们也可以彼此接触。虽然图8示出将间隔物316设置在柔性衬底371一侧的结构,但是间隔物316也可以设置在柔性衬底372一侧(例如,比遮光层326更靠近柔性衬底371的一侧)。
通过利用滤色片(着色层325)与微腔结构(光学调整层324)的组合,可以从显示面板取出色纯度高的光。根据各像素的颜色改变光学调整层324的厚度。
着色层是使特定波长区域的光透过的有色层。例如,可以使用使红色、绿色、蓝色或黄色的波长区域的光透过的滤色片等。作为能够用于着色层的材料,可以举出金属材料、树脂材料、包含颜料或染料的树脂材料等。
另外,本发明的一个方式不局限于滤色片方式,也可以采用独立显色方式、颜色转换方法或量子点方式等。
遮光层设置在相邻的着色层之间。遮光层遮挡相邻的发光元件所发出的光,从而抑制相邻的发光元件之间的混色。这里,通过以其端部与遮光层重叠的方式设置着色层,可以抑制漏光。遮光层可以使用遮挡发光元件所发出的光的材料,例如可以使用金属材料以及包含颜料或染料的树脂材料等形成黑矩阵。另外,通过将遮光层设置于驱动电路等像素部之外的区域中,可以抑制起因于波导光等的非意图的漏光,所以是优选的。
可以设置覆盖着色层和遮光层的保护层。保护层可以防止包含在着色层中的杂质等扩散到发光元件。保护层由透过发光元件所发出的光的材料构成,例如可以使用氮化硅膜、氧化硅膜等无机绝缘膜或丙烯酸树脂膜、聚酰亚胺膜等有机绝缘膜,也可以采用有机绝缘膜与无机绝缘膜的叠层结构。
此外,当将粘合层的材料涂敷于着色层及遮光层上时,作为保护层的材料优选使用对粘合层的材料具有高润湿性的材料。例如,作为保护层,优选使用ITO膜等氧化物导电膜或其厚度薄得足以具有透光性的Ag膜等金属膜。
通过作为保护层的材料使用对粘合层的材料具有高润湿性的材料,可以均匀地涂敷粘合层的材料。由此,可以防止当贴合一对衬底时混入气泡,从而可以防止显示缺陷。
绝缘层378与柔性衬底371被粘合层377贴合。此外,绝缘层376与柔性衬底372被粘合层375贴合。作为绝缘层376及绝缘层378,优选使用防湿性高的膜。通过将发光元件304及晶体管等配置于一对防湿性高的绝缘层之间,可以抑制水等杂质侵入这些元件,从而可以提高显示面板的可靠性,所以是优选的。
作为防湿性高的绝缘膜,可以举出氮化硅膜、氮氧化硅膜等含有氮与硅的膜以及氮化铝膜等含有氮与铝的膜等。另外,也可以使用氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等。
例如,防湿性高的绝缘膜的水蒸气透过量为1×10-5[g/(m2·day)]以下,优选为1×10-6[g/(m2·day)]以下,更优选为1×10-7[g/(m2·day)]以下,进一步优选为1×10-8[g/(m2·day)]以下。
连接部306包括导电层307及导电层355。导电层307与导电层355电连接。导电层307可以使用与晶体管的源极及漏极相同的材料和相同的工序形成。导电层355与将来自外部的信号或电位传达给驱动电路部382的外部输入端子电连接。在此示出作为外部输入端子设置FPC373的例子。FPC373与导电层355通过连接体319电连接。
作为连接体319,可以使用各种各向异性导电膜(ACF:Anisotropic ConductiveFilm)及各向异性导电膏(ACP:Anisotropic Conductive Paste)等。
〈结构实例1的制造方法实例〉
参照图9至图11说明结构实例1的制造方法的一个例子。图9至图11是说明显示面板370的显示部381的制造方法的截面图。
首先,如图9A所示,在形成用衬底401上形成剥离层403。接着,在剥离层403上形成被剥离层。在此,形成在剥离层403上的被剥离层相当于图8中的从绝缘层378到发光元件304的各层。
作为形成用衬底401,使用至少可承受制造工序中的处理温度的耐热性的衬底。作为形成用衬底401,例如可以使用玻璃衬底、石英衬底、蓝宝石衬底、半导体衬底、陶瓷衬底、金属衬底、树脂衬底以及塑料衬底等。
为了提高量产性,作为形成用衬底401优选使用大型玻璃衬底。例如,优选使用第3代(550mm×650mm)以上且第10代(2950mm×3400mm)以下的玻璃衬底,或者,优选使用比该玻璃衬底更大型的玻璃衬底。
在作为形成用衬底401使用玻璃衬底的情况下,在形成用衬底401与剥离层403之间作为基底膜形成氧化硅膜、氧氮化硅膜、氮化硅膜或氮氧化硅膜等绝缘膜时,可以防止来自玻璃衬底的污染,所以是优选的。
剥离层403可以使用如下材料形成:选自钨、钼、钛、钽、铌、镍、钴、锆、锌、钌、铑、钯、锇、铱、硅中的元素;包含该元素的合金材料;或者包含该元素的化合物材料等。包含硅的层的结晶结构可以为非晶、微晶或多晶。此外,也可以使用氧化铝、氧化镓、氧化锌、二氧化钛、氧化铟、氧化铟锡、氧化铟锌或In-Ga-Zn氧化物等金属氧化物。当将钨、钛、钼等高熔点金属材料用于剥离层403时,被剥离层的形成工序的自由度得到提高,所以是优选的。
剥离层403例如可以通过溅射法、等离子体CVD法、涂敷法(包括旋涂法、液滴喷射法、分配器法等)、印刷法等形成。剥离层403的厚度例如为1nm以上且200nm以下,优选为10nm以上且100nm以下。
当剥离层403采用单层结构时,优选形成钨层、钼层或者包含钨和钼的混合物的层。另外,也可以形成包含钨的氧化物或氧氮化物的层、包含钼的氧化物或氧氮化物的层、或者包含钨和钼的混合物的氧化物或氧氮化物的层。此外,钨和钼的混合物例如相当于钨和钼的合金。
另外,当作为剥离层403形成包含钨的层和包含钨的氧化物的层的叠层结构时,可以通过形成包含钨的层且在其上形成由氧化物形成的绝缘膜,来使包含钨的氧化物的层形成在钨层与绝缘膜的界面。此外,也可以对包含钨的层的表面进行热氧化处理、氧等离子体处理、一氧化二氮(N2O)等离子体处理、使用臭氧水等氧化性高的溶液的处理等形成包含钨的氧化物的层。等离子体处理或加热处理可以在单独使用氧、氮、一氧化二氮的气氛下或者在上述气体和其他气体的混合气体气氛下进行。通过进行上述等离子体处理或加热处理来改变剥离层403的表面状态,由此可以控制剥离层403和在后面形成的绝缘膜之间的密接性。
另外,当能够在形成用衬底与被剥离层的界面进行剥离时,也可以不设置剥离层。例如,作为形成用衬底使用玻璃衬底,以接触于玻璃衬底的方式形成聚酰亚胺、聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚碳酸酯以及丙烯酸树脂等有机树脂。接着,通过进行激光照射及加热处理,提高形成用衬底与有机树脂之间的紧密性。并且,在该有机树脂上形成绝缘膜以及晶体管等。然后,通过以比前面的激光照射高的能量密度进行激光照射或者以比前面的加热处理高的温度进行加热处理,可以在形成用衬底与有机树脂的界面进行剥离。此外,当剥离时,也可以通过将液体浸透到形成用衬底与有机树脂的界面进行分离。
另外,既可以将该有机树脂用作构成装置的衬底,又可以去除该有机树脂而使用粘合剂将被剥离层所露出的面与其他衬底贴合。
或者,也可以通过在形成用衬底与有机树脂之间设置金属层,并且通过使电流流过该金属层加热该金属层,在金属层与有机树脂的界面进行剥离。
绝缘层378优选使用氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化硅膜或氮氧化硅膜等以单层或叠层形成。
绝缘层378可以利用溅射法、等离子体CVD法、涂敷法或印刷法等形成,例如通过利用等离子体CVD法在250℃以上且400℃以下的成膜温度下形成绝缘层378,可以形成致密且防湿性高的膜。另外,绝缘层378的厚度优选为10nm以上且3000nm以下,更优选为200nm以上且1500nm以下。
另外,如图9B所示,在形成用衬底411上形成剥离层413。接着,在剥离层413上形成被剥离层。在此,形成在剥离层413上的被剥离层相当于图8中的绝缘层376、遮光层326及着色层325。
作为形成用衬底411、剥离层413及绝缘层376,分别可以使用能够用于形成用衬底401、剥离层403及绝缘层378的材料。
接着,如图9C所示,使用粘合层317贴合形成用衬底401与形成用衬底411。
接着,如图10A所示,将形成用衬底401与绝缘层378分离。注意,既可以先剥离形成用衬底401,又可以先剥离形成用衬底411。
优选在将形成用衬底401与绝缘层378剥离之前使用激光或锐利的刀具等形成剥离起点。通过在绝缘层378的一部分中形成裂缝(膜裂或裂口),可以形成剥离起点。例如,通过照射激光,可以使绝缘层378的一部分溶解、蒸发或热破坏。
并且,从所形成的剥离起点利用物理力(用手或夹具进行剥离的处理、或者使密接于衬底的辊子转动来进行分离的处理等)将绝缘层378与形成用衬底401分离。在图10A的底部示出从绝缘层378分离的剥离层403和形成用衬底401。然后,如图10A所示,使用粘合层377贴合露出的绝缘层378和柔性衬底371。
在很多情况下,适合用作柔性衬底371的薄膜的两面设置有剥离膜(也称为分离膜或脱膜)。在贴合柔性衬底371和绝缘层378时,优选仅剥离设置在柔性衬底371上的一个剥离膜而使另一个剥离膜留下。因此,容易进行后面的工序中的传送和加工。图10A示出柔性衬底371的一个面设置有剥离膜398的例子。
接着,如图10B所示,将形成用衬底411与绝缘层376分离。在图10B的底部示出从绝缘层376分离的剥离层413和形成用衬底411。并且,使用粘合层375贴合露出的绝缘层376和柔性衬底372。图10B示出柔性衬底372的一个面设置有剥离膜399的例子。
接着,如图11A所示,对剥离膜398进行剥离,在露出的柔性衬底371的表面形成导电层390。
然后,如图11B所示,对剥离膜399进行剥离。优选在形成导电层390之后对剥离膜399进行剥离。当在包括剥离膜399的状态下形成导电层390时,可以抑制因导电层390的内部应力而显示面板翘曲。
如此,在本发明的一个方式中,构成显示面板的功能元件等都形成在形成用衬底上,所以即使在制造分辨率高的显示面板的情况下,柔性衬底也不需要具有高位置对准精度。因此,可以简单地贴合柔性衬底。此外,也可以以高温度制造功能元件等,因此可以实现可靠性高的显示面板。
〈结构实例2〉
图13A示出采用滤色片方式的显示面板的截面图。注意,在以下结构实例中,关于与上述结构实例同样的构成要素,省略详细的说明。
图13A所示的显示面板包括导电层380、柔性衬底371、粘合层377、绝缘层378、多个晶体管、导电层307、绝缘层312、绝缘层313、绝缘层314、绝缘层315、发光元件304、导电层355、粘合层317、着色层325、柔性衬底372及绝缘层376。
导电层380至少设置在显示部381中。导电层380也可以设置在驱动电路部382等中。导电层380位于与显示面板的显示面,所以使用使可见光透过的材料形成。
驱动电路部382包括晶体管301。显示部381包括晶体管303。
各晶体管包括两个栅极、栅极绝缘层311、半导体层、源极及漏极。两个栅极都隔着栅极绝缘层311与半导体层重叠。图13A示出使各晶体管具有两个栅极夹持半导体层的结构的例子。与其他晶体管相比,这种晶体管能够提高场效应迁移率,而可以增大通态电流(on-state current)。其结果是,可以制造能够高速工作的电路。再者,可以缩小电路的占有面积。通过使用通态电流大的晶体管,即使在使显示面板大型化或高清晰化时布线数增多,也可以降低各布线中的信号延迟,而可以减少显示亮度的偏差。图13A示出与电极321使用同一材料及同一工序形成一个栅极的例子。
发光元件304具有向着色层325一侧发射光的底部发射结构。
发光元件304隔着绝缘层314与着色层325重叠。着色层325配置在发光元件304与柔性衬底371之间。图13A示出将着色层325配置在绝缘层313上的例子。图13A示出不设置遮光层及间隔物的例子。
〈结构实例3〉
图13B示出采用分别涂敷方式的显示面板的截面图。
图13B所示的显示面板包括导电层390、柔性衬底371、粘合层377、绝缘层378、多个晶体管、导电层307、绝缘层312、绝缘层313、绝缘层314、绝缘层315、间隔物316、发光元件304、粘合层317、柔性衬底372及绝缘层376。
图13B示出将导电层390设置在柔性衬底371的整个面的例子。
驱动电路部382包括晶体管301。显示部381包括晶体管302、晶体管303及电容元件305。
各晶体管包括两个栅极、栅极绝缘层311、半导体层、源极及漏极。两个栅极都隔着栅极绝缘层311与半导体层重叠。图13B示出使各晶体管具有两个栅极夹持半导体层的结构的例子。图13B示出在绝缘层313与绝缘层314之间形成一个栅极的例子。
发光元件304具有向柔性衬底372一侧发射光的顶部发射结构。图13B示出发光元件304不包括光学调整层的例子。绝缘层376被用作发光元件304的密封层。
连接部306包括导电层307。导电层307通过连接体319电连接于FPC373。
〈应用实例〉
在本发明的一个方式中,可以制造安装有触摸传感器的显示装置(以下,也被称为触摸面板)。
对本发明的一个方式的触摸面板所包括的检测元件(也称为传感器元件)没有特别的限制。还可以将能够检测出手指、触屏笔等检测对象的接近或接触的各种传感器用作检测元件。
例如,作为传感器的方式,可以利用静电电容式、电阻膜式、表面声波式、红外线式、光学式、压敏式等各种方式。
在本实施方式中,以包括静电电容式的检测元件的触摸面板为例进行说明。
作为静电电容式,有表面型静电电容式、投影型静电电容式等。另外,作为投影型静电电容式,有自电容式、互电容式等。当使用互电容式时,可以同时进行多点检测,所以是优选的。
本发明的一个方式的触摸面板可以采用贴合了分别形成的显示面板和检测元件的结构、在支撑显示元件的衬底和对置衬底中的一方或双方设置有构成检测元件的电极等的结构等各种各样的结构。
〈结构实例4〉
图14A是触摸面板300的立体示意图。图14B是将图14A展开时的立体示意图。注意,为了明确起见,只示出典型构成要素。在图14B中,用虚线只示出一部分的构成要素(柔性衬底330、柔性衬底372等)的轮廓。
触摸面板300包括输入装置310和显示面板370,它们以彼此重叠的方式设置。
输入装置310包括柔性衬底330、电极331、电极332、多个布线341及多个布线342。FPC350与多个布线341及多个布线342的每一个电连接。FPC350设置有IC351。
显示面板370包括设置为彼此相对的柔性衬底371和柔性衬底372。显示面板370包括显示部381及驱动电路部382。柔性衬底371上设置有布线383等。FPC373电连接于布线383。FPC373上设置有IC374。
布线383具有将信号及电力供应到显示部381及驱动电路部382的功能。该信号及电力从外部或IC374通过FPC373输入到布线383。
图15示出触摸面板300的截面图的一个例子。图15示出显示部381、驱动电路部382、包括FPC373的区域以及包括FPC350的区域等的截面结构。再者,图15还示出通过对与晶体管的栅极为同一导电层的层进行加工而形成的布线与通过对与晶体管的源极及漏极为同一导电层的层进行加工而形成的布线交叉的交叉部387的截面结构。
柔性衬底371与柔性衬底372被粘合层317贴合。柔性衬底372与柔性衬底330被粘合层396贴合。在此,从柔性衬底371到柔性衬底372的各层相当于显示面板370。此外,从柔性衬底330到电极334的各层相当于输入装置310。换言之,可以说粘合层396贴合显示面板370与输入装置310。此外,从柔性衬底371到绝缘层376的各层相当于显示面板370。并且,从柔性衬底330到柔性衬底372的各层相当于输入装置310。换言之,可以说粘合层375贴合显示面板370与输入装置310。
图15所示的显示面板370具有与图8所示的显示面板同样的结构,所以省略详细的说明。
〈输入装置310〉
柔性衬底330的柔性衬底372一侧设置有电极331及332。这里示出电极331包括电极333及电极334时的例子。如图15中的交叉部387所示,电极332与电极333形成在同一平面上。另外,设置有覆盖电极332及电极333的绝缘层395。电极334通过设置在绝缘层395中的开口与以夹持电极332的方式设置的两个电极333电连接。
离柔性衬底330的端部较近的区域设置有连接部308。连接部308中层叠有布线342和通过对与电极334为同一导电层的层进行加工而形成的层。连接部308通过连接体309与FPC350电连接。
柔性衬底330隔着粘合层391与绝缘层393贴合。与结构实例1的制造方法同样,输入装置310也可以通过如下工序制造:在形成用衬底上制造元件,对形成用衬底进行剥离,然后在柔性衬底330上转置元件。此外,也可以在柔性衬底330上直接形成绝缘层393或元件等(参照图16A)。
〈结构实例5〉
图16A所示的触摸面板的与图15所示的触摸面板不同之处在于:不包括粘合层391;以及晶体管301、302、303及电容元件305的结构。
图16A示出顶栅结构的晶体管。
各晶体管包括栅极、栅极绝缘层311、半导体层、源极及漏极。栅极与半导体层隔着栅极绝缘层311彼此重叠。半导体层也可以包括低电阻化区域348。低电阻化区域348被用作晶体管的源极及漏极。
设置在绝缘层313上的导电层被用作引线。该导电层通过设置在绝缘层313、绝缘层312以及栅极绝缘层311中的开口电连接于区域348。
在图16A中,电容元件305具有如下叠层结构:通过对与半导体层为同一半导体层的层进行加工而形成的层、栅极绝缘层311以及通过对与栅极为同一导电层的层进行加工而形成的层的叠层。这里,优选在电容元件305的半导体层的一部分中形成有导电性比晶体管的沟道形成区347高的区域349。
区域348及349可以为杂质含量比晶体管的沟道形成区347多的区域、载流子浓度高的区域或结晶性低的区域等。
本发明的一个方式的显示装置也可以使用图16B至图16D所示的晶体管848。
图16B示出晶体管848的俯视图。图16C是本发明的一个方式的显示装置的晶体管848的沟道长度方向的截面图。图16C所示的晶体管848的截面是沿着图16B中的点划线X1-X2的截面。图16D是本发明的一个方式的显示装置的晶体管848的沟道宽度方向的截面图。图16D所示的晶体管848的截面是沿着图16B中的点划线Y1-Y2的截面。
晶体管848是一种包括背栅电极的顶栅型晶体管。
在晶体管848中,绝缘层772的凸部上设置有半导体层742。通过在绝缘层772的凸部上设置半导体层742,半导体层742的侧面也可以被栅极743覆盖。即,晶体管848具有能够由栅极743的电场电围绕半导体层742的结构。如此,将由导电膜的电场电围绕形成沟道的半导体膜的晶体管结构称为
surrounded channel(s-channel)结构。另外,也可以将具有s-channel结构的晶体管称为“s-channel型晶体管”或“s-channel晶体管”。
在s-channel结构中,也可以在半导体层742的整体(块体)形成沟道。在s-channel结构中可以使晶体管的漏电流增大,来可以得到更高的通态电流。此外,也可以由栅极743的电场使形成在半导体层742中的沟道形成区域的整个区域耗尽化。因此,s-channel结构可以进一步降低晶体管的关态电流。
背栅极723设置在绝缘层378上。
设置在绝缘层729上的导电层744a在设置在栅极绝缘层311、绝缘层728及绝缘层729上的开口747c中与半导体层742电连接。另外,设置在绝缘层729上的导电层744b在设置在栅极绝缘层311、绝缘层728及绝缘层729中的开口747d中与半导体层742电连接。
设置在栅极绝缘层311上的栅极743通过设置于栅极绝缘层311及绝缘层772中的开口747a及开口747b与背栅极723电连接。由此,栅极743和背栅极723被供应相同的电位。另外,也可以不设置开口747a或开口747b之一。另外,也可以不设置开口747a及开口747b的双方。当不设置开口747a及开口747b的双方时,可以对背栅极723和栅极743供应不同的电位。
另外,作为用于具有s-channel结构的晶体管的半导体,可以举出氧化物半导体或者多晶硅或从单晶硅衬底等转置的单晶硅等的硅。
〈结构实例6〉
图17所示的触摸面板示出使用粘合层396贴合底部发射型显示面板和输入装置的例子。
此外,图17示出将导电层380不但设置在显示部381中而且还设置在驱动电路部382以及柔性衬底371的与FPC373重叠的端部中的例子。
图17的显示面板的与图13A的显示面板不同之处在于包括绝缘层376。另外,图17的输入装置的与图16的输入装置不同之处在于:不包括绝缘层393;柔性衬底330上直接设置有电极331及电极332等。
〈结构实例7〉
图18所示的触摸面板示出使用粘合层375贴合采用分别涂敷方式的显示面板和输入装置的例子。
图18的显示面板具有与图13B同样的结构。
图18的输入装置在柔性衬底392上包括绝缘层376,在绝缘层376上包括电极334及布线342。电极334及布线342被绝缘层395覆盖。在绝缘层395上包括电极332及电极333。柔性衬底330隔着粘合层396与柔性衬底392贴合。
〈结构实例8〉
图19示出在一对柔性衬底(柔性衬底371及柔性衬底372)之间包括触摸传感器及发光元件304的例子。通过使用两个柔性衬底,可以实现触摸面板的薄型化、轻量化、柔性化。
通过在结构实例1的制造方法实例中改变形成在形成用衬底411上的被剥离层的结构,可以制造图19的结构。在结构实例1的制造方法实例中,作为形成用衬底411上的被剥离层形成了绝缘层376、着色层325及遮光层326(参照图9B)。
在制造图19所示的结构的情况下,形成绝缘层376,然后在绝缘层376上形成电极332、电极333及布线342。接着,形成覆盖这些电极的绝缘层395。接着,在绝缘层395上形成电极334。接着,形成覆盖电极334的绝缘层327。接着,在绝缘层327上形成着色层325及遮光层326。接着,贴合形成用衬底401,对各形成用衬底进行剥离,贴合柔性衬底,由此可以制造具有图19所示的结构的触摸面板。
〈结构实例9〉
图20A和图20B是触摸面板320的立体示意图。
在图20A和图20B中,输入装置318设置在显示面板379所包括的柔性衬底372上。此外,输入装置318的布线341及布线342等与设置在显示面板379的FPC373电连接。
通过采用上述结构,可以将与触摸面板320连接的FPC只设置在一个衬底一侧(在此,柔性衬底371一侧)。另外,虽然也可以采用对触摸面板320设置两个以上的FPC的结构,但是当如图20A和图20B所示采用对触摸面板320设置一个FPC373并由该FPC373对显示面板379及输入装置318的双方供应信号的结构时,可以简化结构,所以是优选的。
既可以使IC374具有驱动输入装置318的功能,又可以另外设置驱动输入装置318的IC。此外,也可以在柔性衬底371上安装驱动输入装置318的IC。
图21是图20中的包括FPC373的区域、连接部385、驱动电路部382以及显示部381的截面图。
在连接部385中,一个布线342(或布线341)与一个导电层307通过连接体386电连接。
例如,连接体386可以使用导电粒子。作为导电粒子,可以采用表面覆盖有金属材料的有机树脂或二氧化硅等的粒子。作为金属材料,优选使用镍或金,因为其可以降低接触电阻。另外,优选使用如在镍上还覆盖有金等以层状覆盖有两种以上的金属材料的粒子。另外,连接体386优选采用能够弹性变形或塑性变形的材料。此时,有时导电粒子成为图21所示的那样的在纵向上被压扁的形状。通过具有该形状,可以增大连接体386与与其电连接的导电层的接触面积,从而可以降低接触电阻并抑制接触不良等问题发生。
连接体386优选以由粘合层317覆盖的方式配置。例如,可以在涂敷成为粘合层317的膏料等之后,在连接部385中散布连接体386。通过在设置有粘合层317的区域中配置连接部385,不仅可以应用于图21所示的发光元件304上配置有粘合层317的结构(也称为固体密封结构),而且还可以应用于周围设置有粘合层317的具有中空密封结构的发光面板及液晶显示面板等中。
图21示出电极321的端部不被光学调整层324覆盖的例子。图21示出还驱动电路部382中设置有间隔物316的例子。
〈结构实例10〉
图22A所示的触摸面板在构成触摸传感器的电极等与柔性衬底372之间设置有遮光层326。具体而言,绝缘层376与绝缘层328之间设置有遮光层326。绝缘层328上设置有电极332、电极333、布线342等导电层、覆盖它们的绝缘层395以及绝缘层395上的电极334等。另外,电极334及绝缘层395上设置有绝缘层327,绝缘层327上设置有着色层325。
绝缘层327及绝缘层328被用作平坦化膜。另外,如果不需要则可以不设置绝缘层327及绝缘层328。
通过采用上述结构,可以使用设置在比构成触摸传感器的电极等更靠近柔性衬底372一侧的遮光层326防止被使用者看到该电极等。因此,可以实现厚度薄且显示品质提高了的触摸面板。
另外,如图22B所示,触摸面板也可以在绝缘层376与绝缘层328之间包括遮光层326a且在绝缘层327与粘合层317之间包括遮光层326b。通过设置遮光层326b,更确实地抑制光泄漏。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式3
〈CAC-OS的构成〉
以下,对可用于在本发明的一个方式中公开的晶体管的CAC(Cloud AlignedComplementary)-OS的构成进行说明。
在本说明书等中,金属氧化物(metal oxide)是指广义上的金属的氧化物。金属氧化物被分类为氧化物绝缘体、氧化物导电体(包括透明氧化物导电体)和氧化物半导体(Oxide Semiconductor,也可以简称为OS)等。例如,在将金属氧化物用于晶体管的活性层的情况下,有时将该金属氧化物称为氧化物半导体。换言之,可以将OS FET称为包含金属氧化物或氧化物半导体的晶体管。
在本说明书中,将如下金属氧化物定义为CAC(Cloud Aligned Complementary)-OS(Oxide Semiconductor)或CAC-metal oxide:金属氧化物中具有导电体的功能的区域和具有电介质的功能的区域混合而使金属氧化物在整体上具有半导体的功能。
换言之,CAC-OS例如是指包含在氧化物半导体中的元素不均匀地分布的构成,其中包含不均匀地分布的元素的材料的尺寸为0.5nm以上且10nm以下,优选为0.5nm以上且3nm以下或近似的尺寸。注意,在下面也将在氧化物半导体中一个或多个元素不均匀地分布且包含该元素的区域混合的状态称为马赛克(mosaic)状或补丁(patch)状,该区域的尺寸为0.5nm以上且10nm以下,优选为0.5nm以上且3nm以下或近似的尺寸。
包含不均匀地分布的特定的元素的区域的物理特性由该元素所具有的性质决定。例如,包含不均匀地分布的包含在金属氧化物中的元素中更趋于成为绝缘体的元素的区域成为电介质区域。另一方面,包含不均匀地分布的包含在金属氧化物中的元素中更趋于成为导体的元素的区域成为导电体区域。当导电体区域及电介质区域以马赛克状混合时,该材料具有半导体的功能。
换言之,本发明的一个方式中的金属氧化物是物理特性不同的材料混合的基质复合材料(matrix composite)或金属基质复合材料(metal matrix composite)的一种。
氧化物半导体优选至少包含铟。尤其优选包含铟及锌。除此之外,也可以还包含元素M(M是选自镓、铝、硅、硼、钇、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁等中的一种或多种)。
例如,In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中,尤其可以将In-Ga-Zn氧化物称为CAC-IGZO)是指材料分成铟氧化物(以下,称为InOX1(X1为大于0的实数))或铟锌氧化物(以下,称为InX2ZnY2OZ2(X2、Y2及Z2为大于0的实数))等以及镓氧化物(以下,称为GaOX3(X3为大于0的实数))或镓锌氧化物(以下,称为GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4及Z4为大于0的实数))等而成为马赛克状,且马赛克状的InOX1或InX2ZnY2OZ2均匀地分布在膜中的构成(以下,也称为云状)。
换言之,CAC-OS是具有以GaOX3为主要成分的区域和以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域混在一起的构成的复合氧化物半导体。在本说明书中,例如,当第一区域的In与元素M的原子个数比大于第二区域的In与元素M的原子个数比时,第一区域的In浓度高于第二区域。
注意,IGZO是通称,有时是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作为典型例子,可以举出以InGaO3(ZnO)m1(m1为自然数)或In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1≤x0≤1,m0为任意数)表示的结晶性化合物。
上述结晶性化合物具有单晶结构、多晶结构或CAAC结构。CAAC结构是多个IGZO的纳米晶具有c轴取向性且在a-b面上以不取向的方式连接的结晶结构。
另一方面,CAC-OS与氧化物半导体的材料构成有关。CAC-OS是指如下构成:在包含In、Ga、Zn及O的材料构成中,一部分中观察到以Ga为主要成分的纳米粒子状区域,一部分中观察到以In为主要成分的纳米粒子状区域,并且,这些区域分别以马赛克状无规律地分散。因此,在CAC-OS中,结晶结构是次要因素。
CAC-OS不包含组成不同的二种以上的膜的叠层结构。例如,不包含由以In为主要成分的膜与以Ga为主要成分的膜的两层构成的结构。
注意,有时观察不到以GaOX3为主要成分的区域与以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域之间的明确的边界。
在CAC-OS中包含选自铝、硅、硼、钇、铜、钒、铍、钛、铁、镍、锗、锆、钼、镧、铈、钕、铪、钽、钨和镁等中的一种或多种以代替镓的情况下,CAC-OS是指如下结构:一部分中观察到以该元素为主要成分的纳米粒子状区域,一部分中观察到以In为主要成分的纳米粒子状区域,并且,这些区域以马赛克状无规律地分散。
〈CAC-OS的分析〉
接着,说明使用各种测定方法对在衬底上形成的氧化物半导体进行测定的结果。
《样品的结构及制造方法》
以下,对本发明的一个方式的九个样品进行说明。各样品在形成氧化物半导体时的衬底温度及氧气体流量比上不同。各样品包括衬底及衬底上的氧化物半导体。
对各样品的制造方法进行说明。
作为衬底使用玻璃衬底。使用溅射装置在玻璃衬底上作为氧化物半导体形成厚度为100nm的In-Ga-Zn氧化物。成膜条件为如下:将处理室内的压力设定为0.6Pa,作为靶材使用氧化物靶材(In:Ga:Zn=4:2:4.1[原子个数比])。另外,对设置在溅射装置内的氧化物靶材供应2500W的AC功率。
在形成氧化物时采用如下条件来制造九个样品:将衬底温度设定为不进行意图性的加热时的温度(以下,也称为室温或R.T.)、130℃或170℃。另外,将氧气体对Ar和氧的混合气体的流量比(以下,也称为氧气体流量比)设定为10%、30%或100%。
《X射线衍射分析》
在本节中,说明对九个样品进行X射线衍射(XRD:X-ray diffraction)测定的结果。作为XRD装置,使用Bruker公司制造的D8ADVANCE。测定条件为如下:利用Out-of-plane法进行θ/2θ扫描,扫描范围为15deg.至50deg.,步进宽度为0.02deg.,扫描速度为3.0deg./分。
图34示出利用Out-of-plane法测定XRD谱的结果。在图34中,最上行示出成膜时的衬底温度为170℃的样品的测定结果,中间行示出成膜时的衬底温度为130℃的样品的测定结果,最下行示出成膜时的衬底温度为R.T.的样品的测定结果。另外,最左列示出氧气体流量比为10%的样品的测定结果,中间列示出氧气体流量比为30%的样品的测定结果,最右列示出氧气体流量比为100%的样品的测定结果。
在图34所示的XRD谱中,成膜时的衬底温度越高或成膜时的氧气体流量比越高,2θ=31°附近的峰值强度则越大。另外,已知2θ=31°附近的峰值来源于在大致垂直于被形成面或顶面的方向上具有c轴取向性的结晶性IGZO化合物(也称为CAAC(c-axis alignedcrystalline)-IGZO)。
另外,如图34的XRD谱所示,成膜时的衬底温度越低或氧气体流量比越低,峰值则越不明显。因此,可知在成膜时的衬底温度低或氧气体流量比低的样品中,观察不到测定区域的a-b面方向及c轴方向的取向。
《电子显微镜分析》
在本节中,说明对在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品利用HAADF-STEM(High-Angle Annular Dark Field Scanning TransmissionElectron Microscope:高角度环形暗场-扫描透射电子显微镜)进行观察及分析的结果(以下,也将利用HAADF-STEM取得的图像称为TEM图像)。
说明对利用HAADF-STEM取得的平面图像(以下,也称为平面TEM图像)及截面图像(以下,也称为截面TEM图像)进行图像分析的结果。利用球面像差校正功能观察TEM图像。在取得HAADF-STEM图像时,使用日本电子株式会社制造的原子分辨率分析电子显微镜JEM-ARM200F,将加速电压设定为200kV,照射束径大致为0.1nmφ的电子束。
图35A为在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品的平面TEM图像。图35B为在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品的截面TEM图像。
《电子衍射图案的分析》
在本节中,说明通过对在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品照射束径为1nm的电子束(也称为纳米束),来取得电子衍射图案的结果。
观察图35A所示的在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品的平面TEM图像中的黑点a1、黑点a2、黑点a3、黑点a4及黑点a5的电子衍射图案。电子衍射图案的观察以固定速度照射电子束35秒钟的方式进行。图35C示出黑点a1的结果,图35D示出黑点a2的结果,图35E示出黑点a3的结果,图35F示出黑点a4的结果,图35G示出黑点a5的结果。
在图35C、图35D、图35E、图35F及图35G中,观察到如圆圈那样的(环状的)亮度高的区域。另外,在环状区域内观察到多个斑点。
观察图35B所示的在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品的截面TEM图像中的黑点b1、黑点b2、黑点b3、黑点b4及黑点b5的电子衍射图案。图35H示出黑点b1的结果,图35I示出黑点b2的结果,图35J示出黑点b3的结果,图35K示出黑点b4的结果,图35L示出黑点b5的结果。
在图35H、图35I、图35J、图35K及图35L中,观察到环状的亮度高的区域。另外,在环状区域内观察到多个斑点。
例如,当对包含InGaZnO4结晶的CAAC-OS在平行于样品面的方向上入射束径为300nm的电子束时,可以获得包含起因于InGaZnO4结晶的(009)面的斑点的衍射图案。换言之,CAAC-OS具有c轴取向性,并且c轴朝向大致垂直于被形成面或顶面的方向。另一方面,当对相同的样品在垂直于样品面的方向上入射束径为300nm的电子束时,确认到环状衍射图案。换言之,CAAC-OS不具有a轴取向性及b轴取向性。
当使用大束径(例如,50nm以上)的电子束对具有微晶的氧化物半导体(nanocrystalline oxide semiconductor,以下称为nc-OS)进行电子衍射时,观察到类似光晕图案的衍射图案。另外,当使用小束径(例如,小于50nm)的电子束对nc-OS进行纳米束电子衍射时,观察到亮点(斑点)。另外,在nc-OS的纳米束电子衍射图案中,有时观察到如圆圈那样的(环状的)亮度高的区域。而且,有时在环状区域内观察到多个亮点。
在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品的电子衍射图案具有环状的亮度高的区域且在该环状区域内出现多个亮点。因此,在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品呈现与nc-OS类似的电子衍射图案,在平面方向及截面方向上不具有取向性。
如上所述,成膜时的衬底温度低或氧气体流量比低的氧化物半导体的性质与非晶结构的氧化物半导体膜及单晶结构的氧化物半导体膜都明显不同。
《元素分析》
在本节中,说明使用能量分散型X射线分析法(EDX:Energy Dispersive X-rayspectroscopy)取得EDX面分析图像且进行评价,由此进行在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品的元素分析的结果。在EDX测定中,作为元素分析装置使用日本电子株式会社制造的能量分散型X射线分析装置JED-2300T。在检测从样品发射的X射线时,使用硅漂移探测器。
在EDX测定中,对样品的分析对象区域的各点照射电子束,并测定此时发生的样品的特性X射线的能量及发生次数,获得对应于各点的EDX谱。在本实施方式中,各点的EDX谱的峰值归属于In原子中的向L壳层的电子跃迁、Ga原子中的向K壳层的电子跃迁、Zn原子中的向K壳层的电子跃迁及O原子中的向K壳层的电子跃迁,并算出各点的各原子的比率。通过在样品的分析对象区域中进行上述步骤,可以获得示出各原子的比率分布的EDX面分析图像。
图36示出在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品的截面的EDX面分析图像。图36A示出Ga原子的EDX面分析图像(在所有的原子中Ga原子所占的比率为1.18至18.64[atomic%])。图36B示出In原子的EDX面分析图像(在所有的原子中In原子所占的比率为9.28至33.74[atomic%])。图36C示出Zn原子的EDX面分析图像(在所有的原子中Zn原子所占的比率为6.69至24.99[atomic%])。另外,图36A、图36B及图36C示出在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品的截面中的相同区域。在EDX面分析图像中,由明暗表示元素的比率:该区域内的测定元素越多该区域越亮,测定元素越少该区域就越暗。图36所示的EDX面分析图像的倍率为720万倍。
在图36A、图36B及图36C所示的EDX面分析图像中,确认到明暗的相对分布,在成膜时的衬底温度为R.T.且氧气体流量比为10%的条件下制造的样品中确认到各原子具有分布。在此,着眼于图36A、图36B及图36C所示的由实线围绕的区域及由虚线围绕的区域。
在图36A中,在由实线围绕的区域内相对较暗的区域较多,在由虚线围绕的区域内相对较亮的区域较多。另外,在图36B中,在由实线围绕的区域内相对较亮的区域较多,在由虚线围绕的区域内相对较暗的区域较多。
换言之,由实线围绕的区域为In原子相对较多的区域,由虚线围绕的区域为In原子相对较少的区域。在图36C中,在由实线围绕的区域内,右侧是相对较亮的区域,左侧是相对较暗的区域。因此,由实线围绕的区域为以InX2ZnY2OZ2或InOX1等为主要成分的区域。
另外,由实线围绕的区域为Ga原子相对较少的区域,由虚线围绕的区域为Ga原子相对较多的区域。在图36C中,在由虚线围绕的区域内,左上方的区域为相对较亮的区域,右下方的区域为相对较暗的区域。因此,由虚线围绕的区域为以GaOX3或GaX4ZnY4OZ4等为主要成分的区域。
如图36A、图36B及图36C所示,In原子的分布与Ga原子的分布相比更均匀,以InOX1为主要成分的区域看起来像是通过以InX2ZnY2OZ2为主要成分的区域互相连接的。如此,以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域以云状展开形成。
如此,可以将具有以GaOX3等为主要成分的区域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域不均匀地分布而混合的构成的In-Ga-Zn氧化物称为CAC-OS。
CAC-OS的结晶结构具有nc结构。在具有nc结构的CAC-OS的电子衍射图案中,除了起因于包含单晶、多晶或CAAC结构的IGZO的亮点(斑点)以外,还出现多个亮点(斑点)。或者,该结晶结构定义为除了出现多个亮点(斑点)之外,还出现环状的亮度高的区域。
另外,如图36A、图36B及图36C所示,以GaOX3等为主要成分的区域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域的尺寸为0.5nm以上且10nm以下或者1nm以上且3nm以下。在EDX面分析图像中,以各元素为主要成分的区域的直径优选为1nm以上且2nm以下。
如上所述,CAC-OS的结构与金属元素均匀地分布的IGZO化合物不同,其具有与IGZO化合物不同的性质。换言之,CAC-OS具有以GaOX3等为主要成分的区域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域互相分离且以各元素为主要成分的区域为马赛克状的构成。
在此,以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域的导电性高于以GaOX3等为主要成分的区域。换言之,当载流子流过以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域时,呈现氧化物半导体的导电性。因此,当以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域在氧化物半导体中以云状分布时,可以实现高场效应迁移率(μ)。
另一方面,以GaOX3等为主要成分的区域的绝缘性高于以InX2ZnY2OZ2或InOX1为主要成分的区域。换言之,当以GaOX3等为主要成分的区域在氧化物半导体中分布时,可以抑制泄漏电流而实现良好的开关工作。
因此,当将CAC-OS用于半导体元件时,通过起因于GaOX3等的绝缘性及起因于InX2ZnY2OZ2或InOX1的导电性的互补作用可以实现高通态电流(Ion)及高场效应迁移率(μ)。
另外,使用CAC-OS的半导体元件具有高可靠性。因此,CAC-OS适用于显示器等各种半导体装置。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施方式4
在本实施方式中,参照附图说明本发明的一个方式的电子设备及照明装置。
通过使用本发明的一个方式的显示装置,可以实现显示不良得到减少的电子设备。通过使用本发明的一个方式的显示装置,可以实现具有曲面或柔性的电子设备。通过使用本发明的一个方式的显示装置,可以实现轻量或薄型的电子设备。
作为电子设备,例如可以举出:电视装置;如手环型显示器、护目镜型显示器(头戴显示器)等可穿戴显示器;用于计算机等的监视器;如数码相机、数码摄像机等照相机;数码相框;移动电话机;便携式游戏机;便携式信息终端;声音再现装置;弹珠机等大型游戏机等。
由于本发明的一个方式的电子设备具有柔性,因此也可以将该电子设备沿着房屋或高楼的内壁或外壁或者汽车的内部装饰或外部装饰的曲面组装。
本发明的一个方式的电子设备也可以包括二次电池,优选通过非接触电力传送对该二次电池充电。
作为二次电池,例如,可以举出利用凝胶状电解质的锂聚合物电池(锂离子聚合物电池)等锂离子二次电池、镍氢电池、镍镉电池、有机自由基电池、铅蓄电池、空气二次电池、镍锌电池、银锌电池等。
本发明的一个方式的电子设备也可以包括天线。通过由天线接收信号,可以在显示部上显示图像或数据等。另外,在电子设备包括二次电池时,可以将天线用于非接触电力传送。
图23A至图23E示出具备具有柔性的显示部7001的电子设备的一个例子。
通过使用本发明的一个方式的显示装置,可以制造显示部7001。例如,可以使用能够以0.01mm以上且150mm以下的曲率半径弯曲的显示装置等。另外,显示部7001可以具备触摸传感器,通过用手指等触摸显示部7001可以进行电子设备的操作。
根据本发明的一个方式,可以提供一种显示不良得到减少且具备具有柔性的显示部的电子设备。
图23A至图23C示出能够折叠的电子设备的一个例子。图23A示出展开状态的电子设备7600,图23B示出从展开状态和折叠状态中的一个状态变为另一个状态的中途状态的电子设备7600,图23C示出折叠状态的电子设备7600。电子设备7600在折叠状态下可携带性好,在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域所以显示一览性强。
由铰链7602连接的三个框体7601支撑显示部7001。通过利用铰链7602在两个框体7601之间折叠,可以将电子设备7600从展开状态可逆性地变为折叠状态。
图23D及图23E示出能够折叠的电子设备的一个例子。图23D示出电子设备7650的向内弯曲的状态,图23E示出电子设备7650的向外弯曲的状态。电子设备7650包括显示部7001及非显示部7651。在不使用电子设备7650时,通过以使显示部7001位于内侧的方式折叠,能够抑制显示部7001被弄脏或受损伤。
电子设备7600和电子设备7650可以被用作便携式信息终端。本实施方式所例示出的便携式信息终端例如具有选自电话机、电子笔记本和信息阅读装置等中的一种或多种的功能。具体而言,可以将该便携式信息终端用作智能手机。该便携式信息终端例如可以执行移动电话、电子邮件、文章的阅读及编写、音乐播放、网络通讯、电脑游戏等各种应用程序。
参照图24至图27更具体地说明能够折叠的电子设备。图24至图27示出作为显示面板使用触摸面板300(参照图14及图15)。
在图24至图27所示的电子设备中,交替配置有带状的高柔性区域和带状的低柔性区域。通过弯曲高柔性区域,能够折叠该电子设备。该电子设备在折叠状态下具有较好的可携带性,在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域而具有较强的一览性。高柔性区域可以通过向内弯曲或向外弯曲。
当使用电子设备时,既可以通过展开使用整个无缝拼接的较大的显示区域,又可以通过以显示面板的显示面位于外侧的方式弯曲使用该显示区域的一部分。通过将被折叠的使用者看不到的显示区域作为非显示区域,能够抑制电子设备的功耗。
图24A至图24D示出包括两个带状的高柔性区域以及三个带状的低柔性区域且能够折叠为三折的电子设备90。图24A和图24C是电子设备90的显示面一侧的平面图,图24B和图24D是与电子设备90的显示面相对的面一侧的平面图。
注意,对高柔性区域和低柔性区域的数量没有特别的限制。图25A示出包括一个带状的高柔性区域以及两个带状的低柔性区域且能够折叠为两折的电子设备。另外,图25B示出包括三个带状的高柔性区域以及四个带状的低柔性区域的电子设备。另外,图25C示出包括四个带状的高柔性区域以及五个带状的低柔性区域的电子设备。
图24A至图24D所示的电子设备90包括具有柔性的触摸面板300、保护层93、导电层73、多个支撑面板95a以及多个支撑面板95b。各支撑面板95a、95b的柔性比触摸面板300低。多个支撑面板95a彼此离开。多个支撑面板95b彼此离开。
如图24A所示,在电子设备90中,在一个方向上交替配置有高柔性区域E1和低柔性区域E2。将高柔性区域以及低柔性区域分别形成为带状(条纹状)。本实施方式示出多个高柔性区域以及多个低柔性区域相互平行的例子,但是各区域也可以不平行地配置。
电子设备90中的高柔性区域E1至少包括具有柔性的显示面板。使用有机EL元件的显示面板是尤其优选的,因为该显示面板除了高柔性以及高耐冲击性之外还能够实现薄型轻量化,所以是优选的。
电子设备90中的低柔性区域E2以重叠的方式至少包括具有柔性的显示面板以及其柔性低于该显示面板的支撑面板。
图26A示出展开状态的图24A所示的电子设备90。图26B示出从展开状态和折叠状态中的一个状态变为另一个状态时的中途状态的电子设备90。图26C示出折叠状态的电子设备90。
图27是示出图24A所示的电子设备90的各构成要素的立体图。
当折叠电子设备90时,若触摸面板300的端部(还可以称为弯曲的部分或弯曲的状态下的端部等)位于支撑面板95a、95b的端部的外侧,则有时触摸面板300受伤或者触摸面板300所包含的元件受到损坏。
在图26C所示的折叠状态的电子设备90中,触摸面板300的端部与位于触摸面板300上下的支撑面板95a、95b的端部一致。由此,能够抑制触摸面板300受伤或者触摸面板300所包含的元件受到损坏等。
另外,在折叠图24C所示的电子设备90时,触摸面板300的端部位于支撑面板95a、95b的端部的内侧。由此,能够进一步抑制触摸面板300受伤或者触摸面板300所包含的元件受到损坏等。
在图24C中,将高柔性区域以及低柔性区域排列的方向上的低柔性区域的长度表示为长度W1至长度W3。
低柔性区域优选包括显示面板所具有的外部连接电极。在此,外部连接电极例如相当于图15所示的导电层355等。
在图24C中,具有长度W1的低柔性区域包括外部连接电极。在电子设备90中,与外部连接电极重叠的低柔性区域A的长度W1长于最靠近该区域A的低柔性区域B的长度W3。
在电子设备90中,与外部连接电极重叠的低柔性区域A的长度W1优选长于最靠近该区域A的低柔性区域B的长度W3。尤其优选的是,在区域A的长度W1、区域B的长度W3以及最远离区域A的低柔性区域C的长度W2当中,长度W1是最长的,长度W2是第二长的。
与此同样,在图25B所示的电子设备中,在长度W1至长度W4当中,长度W1是最长的,长度W2是第二长的,长度W3及长度W4是最短的。长度W3及长度W4的值也可以不同。
另外,在图25C所示的电子设备中,在长度W1至长度W5当中,长度W1是最长的,长度W2是第二长的,长度W3、长度W4及长度W5是最短的。长度W3、长度W4及长度W5的每个值也可以不同。
支撑面板设置在显示面板的显示面一侧和与该显示面相对的面一侧中的至少一方。
如支撑面板95a、95b那样,当在显示面板的显示面一侧及与该显示面相对的面一侧的双方设置有支撑面板时,可以由一对支撑面板夹住显示面板,因此提高低柔性区域的机械强度并使电子设备90不易损坏,所以是优选的。
高柔性区域E1及低柔性区域E2优选以重叠的方式包括显示面板和其柔性高于支撑面板的保护层。由此,电子设备90的高柔性区域E1具有柔性及高机械强度,从而进一步能够使电子设备90不易损坏。因此,通过采用该结构,除了低柔性区域之外,在高柔性区域中也可以使电子设备90不容易因为起因于外力等的变形而损坏。
例如,关于显示面板、支撑面板及保护层的各厚度,优选的是,支撑面板具有最大的厚度,而显示面板具有最小的厚度。或者,例如,关于显示面板、支撑面板及保护层的各柔性,优选的是,支撑面板具有最低的柔性,而显示面板具有最高的柔性。通过采用上述结构,高柔性区域和低柔性区域的柔性的差异变大。通过采用确实可以在高柔性区域折叠的结构,能够抑制在低柔性区域发生弯曲,从而能够提高电子设备的可靠性。并且,能够抑制电子设备在非意图的地方弯曲。
当在显示面板的显示面一侧及与该显示面相对的面一侧的双方设置保护层时,可以由一对保护层夹住显示面板,因此提高电子设备的机械强度并使电子设备不易损坏,所以是优选的。
在本实施方式中,示出导电层73被用作保护层的例子。导电层73在连接于支撑面板95b或电池时被供应恒定电位。
例如,如图24A和图27等所示,在低柔性区域E2中,保护层93及导电层73优选位于一对支撑面板95a与支撑面板95b之间,触摸面板300优选位于保护层93与导电层73之间。
当仅在显示面板的显示面一侧或与该显示面相对的面一侧设置有保护层时,能够使电子设备90更薄或更轻,所以是优选的。例如,可以为仅使用导电层73而不使用保护层93的电子设备90。
另外,当显示面板的显示面一侧的保护层93为遮光膜时,能够抑制外部光照射到显示面板的非显示区域。由此,能够抑制包括在非显示区域的驱动电路所具有的晶体管等的光劣化,所以是优选的。
当在触摸面板300中设置不与导电层73固定的部分时,在弯曲或展开电子设备90的情况下,触摸面板300的至少一部分的相对于导电层73的位置变化。此外,因为可以在显示面板300中形成中和面,所以可以抑制力量被施加到触摸面板300而触摸面板300被损坏。
保护层或支撑面板可以使用塑料、金属、合金、橡胶等形成。通过使用塑料或橡胶等,能够得到轻量且不易损坏的保护层或支撑面板,所以是优选的。例如,作为保护层93可以使用硅橡胶,作为导电层73可以使用导电薄膜,作为支撑面板可以使用不锈钢或铝。作为导电薄膜,例如可以使用层叠有ITO和PET薄膜的薄膜。
另外,保护层或支撑面板优选使用韧性高的材料。由此,能够实现耐冲击性高且不易损坏的电子设备。例如,通过使用树脂、厚度薄的金属材料或合金材料,能够实现轻量且不易损坏的电子设备。另外,出于相同的理由,优选将韧性高的材料用于构成显示面板的衬底。
若位于显示面一侧的保护层及支撑面板不与显示面板的显示区域重叠,该保护层及支撑面板则不需要具有透光性。当位于显示面一侧的保护层及支撑面板与显示区域的至少一部分重叠时,该保护层及支撑面板优选使用使发光元件所发射的光透过的材料。不限制位于与显示面相对的面一侧的保护层或支撑面板的透光性的有无。
当将保护层、支撑面板和显示面板中的任两个粘合在一起时,可以使用各种粘合剂,例如可以使用两液混合型树脂等在常温下固化的树脂、光固化树脂、热固化树脂等树脂。另外,也可以使用薄片状的粘合剂。此外,可以使用穿过保护层、支撑面板和显示面板中的任两个以上的螺丝、夹住保护层、支撑面板和显示面板中的任两个以上的夹子等来固定电子设备的各构成要素。此外,触摸面板300包括不与导电层73固定的部分。
电子设备90可以将一个显示面板(一个显示区域)以被弯曲的部分为界分成两个以上的区域而使用。例如,也可以将通过折叠而隐藏的区域作为非显示区域,而只将露出的区域作为显示区域。由此,能够减少使用者不使用的区域所消耗的电力。
电子设备90可以包括用来判断每个高柔性区域是否弯曲的传感器。该传感器例如可以使用开关、MEMS压力传感器或压力传感器等构成。
在电子设备90中,能够折叠一个显示面板一次以上。此时,曲率半径例如可以为1mm以上且150mm以下。
图28A至图28D示出臂带式电子设备及手表型电子设备的例子。图28示出作为显示面板使用触摸面板300(参照图14及图15)的例子。
对本发明的一个方式的电子设备的使用方法没有特别的限制。例如,既可以不被戴着地使用电子设备,又可以以戴在手臂、腰、腿等身体的一部分、机器人(工厂用机器人、人形机器人等)、柱状物体(建筑物的柱子、电线杆、标志杆)或工具等上的方式使用电子设备。
图28A示出臂带式电子设备60的俯视图,图28B示出沿着图28A中的点划线X-Y间的截面图。此外,在图28B中,以箭头表示取出触摸面板300所包括的发光元件的发光的方向。
电子设备60包括框体61及表带65。在框体61的内部包括触摸面板300、导电层73、电路及蓄电装置67等。框体61与表带65连接。框体61与表带65也可以可装卸地连接。
触摸面板300包括图15所示的导电层390。导电层390电连接于导电层73并被供应恒定电位。导电层73被供应恒定电位。导电层73也可以与蓄电装置67或框体61连接。例如,通过使导电层73电连接于框体61或电池的GND线,导电层73被供应GND电位。
导电层73可以被用作进行蓄电装置67的静电遮蔽的屏蔽。尤其优选使用不需要外包装体的二次电池(固体电池等)的遮蔽。另外,导电层73也可以被用作进行电子设备60所包括的各种传感器的静电遮蔽的屏蔽。
作为表带,可以使用带状的表带或锁状的表带。
图28C是包括锁状的表带68的例子。图28C示出在圆形的框体61中包括圆形的表示区域81的臂带式电子设备。
作为用来戴在手臂上的表带,例如可以使用金属、树脂和天然材料等中的一个以上。作为金属可以使用不锈钢、铝、钛合金等。此外,作为树脂可以使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等。另外,作为天然材料可以使用对木材、石头、骨头、皮革、纸、布进行加工的材料等。
图28D示出手表型电子设备的一个例子。电子设备7800包括表带7801、显示部7001、输入输出端子7802及操作按钮7803等。表带7801具有框体的功能。另外,电子设备7800可以组装有具有柔性的电池7805。电池7805也可以例如与显示部7001或表带7801重叠。
表带7801、显示部7001及电池7805具有柔性。因此,可以容易使电子设备7800弯曲为所希望的形状。
电子设备7800可以被用作便携式信息终端。
操作按钮7803除了时间设定之外还可以具有电源开关、无线通信的开关、静音模式的开启及关闭、省电模式的开启及关闭等各种功能。例如,通过利用组装在电子设备7800中的操作系统,还可以自由设定操作按钮7803的功能。
另外,通过用手指等触摸显示于显示部7001的图标7804,可以启动应用程序。
另外,电子设备7800可以进行被通信标准化的近距离无线通信。例如,通过与可进行无线通信的耳麦相互通信,可以进行免提通话。
此外,电子设备7800也可以包括输入输出端子7802。当包括输入输出端子7802时,电子设备7800可以通过连接器直接与其他信息终端进行数据的交换。另外,也可以通过输入输出端子7802进行充电。另外,充电也可以利用非接触电力传送进行,而不通过输入输出端子。
图29A、图29B、图29C1、图29C2、图29D及图29E示出具有弯曲的显示部7000的电子设备的一个例子。显示部7000的显示面是弯曲的,能够沿着弯曲的显示面进行显示。显示部7000也可以具有柔性。
通过使用本发明的一个方式的显示装置,可以制造显示部7000。
根据本发明的一个方式,可以提供一种显示不良得到减少且具备弯曲的显示部的电子设备。
图29A示出移动电话机的一个例子。移动电话机7100包括框体7101、显示部7000、操作按钮7103、外部连接端口7104、扬声器7105、麦克风7106等。
图29A所示的移动电话机7100在显示部7000中具备触摸传感器。通过用手指或触屏笔等触摸显示部7000可以进行打电话或输入文字等所有操作。
此外,通过操作按钮7103的操作,可以进行电源的ON、OFF工作或切换显示在显示部7000的图像的种类。例如,可以将电子邮件的编写画面切换为主菜单画面。
图29B示出电视装置的一个例子。在电视装置7200中,在框体7201中组装有显示部7000。在此示出利用支架7203支撑框体7201的结构。
可以通过利用框体7201所具备的操作开关或另外提供的遥控操作机7211进行图29B所示的电视装置7200的操作。另外,也可以在显示部7000中具备触摸传感器,通过用手指等触摸显示部7000可以进行操作。此外,也可以在遥控操作机7211中具备显示从该遥控操作机7211输出的数据的显示部。通过利用遥控操作机7211所具备的操作键或触摸面板,可以进行频道或音量的操作,并可以对显示在显示部7000上的图像进行操作。
另外,电视装置7200采用具备接收机或调制解调器等的结构。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者,通过调制解调器将电视装置7200连接到有线或无线方式的通信网络,从而进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的数据通信。
图29C1、图29C2、图29D及图29E示出便携式信息终端的一个例子。各便携式信息终端包括框体7301及显示部7000。并且,也可以包括操作按钮、外部连接端口、扬声器、麦克风、天线或电池等。显示部7000具备触摸传感器。通过用手指或触屏笔等触摸显示部7000可以进行便携式信息终端的操作。
图29C1是便携式信息终端7300的立体图,图29C2是便携式信息终端7300的俯视图。图29D是便携式信息终端7310的立体图。图29E是便携式信息终端7320的立体图。
便携式信息终端7300、便携式信息终端7310及便携式信息终端7320可以将文字或图像信息显示在其多个面上。例如,如图29C1和图29D所示,可以将三个操作按钮7302显示在一个面上,而将由矩形表示的信息7303显示在另一个面上。图29C1和图29C2示出在便携式信息终端的上表面显示信息的例子,而图29D示出在便携式信息终端的侧面显示信息的例子。另外,也可以在三个以上的面上显示信息,图29E示出在互不相同的面分别显示信息7304、信息7305及信息7306的例子。
此外,作为信息的例子,可以举出提示收到SNS(Social Networking Services:社交网络服务)的通知、电子邮件或电话等的显示;电子邮件等的标题或发送者姓名;日期;时间;电量;以及天线接收强度等。或者,也可以在显示信息的位置显示操作按钮或图标等而代替信息。
例如,便携式信息终端7300的使用者能够在将便携式信息终端7300放在上衣口袋里的状态下确认其显示(这里是信息7303)。
具体而言,将打来电话的人的电话号码或姓名等显示在能够从便携式信息终端7300的上方看到这些信息的位置。使用者可以确认到该显示而无需从口袋里拿出便携式信息终端7300,由此能够判断是否接电话。
图29F至图29H示出具有弯曲发光部的照明装置的例子。
使用本发明的一个方式的显示装置制造图29F至图29H所示的各照明装置所具有的发光部。
根据本发明的一个方式,可以提供一种发光不良得到减少且具备弯曲的发光部的照明装置。
图29F所示的照明装置7400具备具有波状发光面的发光部7402。因此,提供设计性高的照明装置。
图29G所示的照明装置7410所包括的发光部7412采用对称地配置弯曲为凸状的两个发光部的结构。因此,可以以照明装置7410为中心全方位地进行照射。
图29H所示的照明装置7420包括弯曲为凹状的发光部7422。因此,因为将来自发光部7422的发光聚集到照明装置7420的前面,所以适合应用于照亮特定的范围的情况。
此外,照明装置7400、照明装置7410及照明装置7420所具备的各种发光部也可以具有柔性。此外,也可以采用使用可塑性构件或可动框架等构件固定发光部并按照用途能够随意使发光部的发光面弯曲的结构。
照明装置7400、照明装置7410及照明装置7420都包括具备操作开关7403的底座7401以及由底座7401支撑的发光部。
虽然在此例示了由底座支撑发光部的照明装置,但是也可以以将具备发光部的框体固定或吊在天花板上的方式使用照明装置。由于能够在使发光面弯曲的状态下使用照明装置,因此能够使发光面以凹状弯曲而照亮特定区域或者使发光面以凸状弯曲而照亮整个房间。
通过使用本发明的一个方式的具有柔性的显示装置,也可以制造具有折叠显示部的结构(参照图23等)之外的结构的电子设备。
图30A至图30D示出具备具有柔性的显示部7001的便携式信息终端的一个例子。
图30A是示出便携式信息终端的一个例子的立体图,图30B是示出便携式信息终端的一个例子的侧面图。便携式信息终端7500包括框体7501、显示部7001、取出构件7502及操作按钮7503等。
便携式信息终端7500在框体7501内包括卷成卷筒状的柔性显示部7001。
便携式信息终端7500能够由内置的控制部接收视频信号,且能够将所接收的视频显示于显示部7001。另外,电池内置于便携式信息终端7500。此外,也可以采用框体7501具备连接连接器的端子部而以有线的方式从外部直接供应视频信号或电力的结构。
此外,可以由操作按钮7503进行电源的ON、OFF工作或显示的影像的切换等。图30A至图30C示出在便携式信息终端7500的侧面配置操作按钮7503的例子,但是不局限于此,也可以在与便携式信息终端7500的显示面(正面)相同的面或背面配置操作按钮7503。
图30C示出处于取出显示部7001的状态下的便携式信息终端7500。在此状态下,可以在显示部7001上显示影像。另外,便携式信息终端7500也可以以使显示部7001的一部分卷成卷筒状的图30A所示的状态以及使用取出构件7502取出显示部7001的图30C所示的状态进行不同的显示。例如,通过在图30A的状态下使显示部7001的卷成卷筒状的部分成为非显示状态,可以降低便携式信息终端7500的功耗。
另外,可以在显示部7001的侧部设置用来加固的边框,以便在取出显示部7001时该显示部7001的显示面被固定为平面状。
此外,除了该结构以外,也可以采用在框体中设置扬声器并使用与影像信号同时接收的音频信号输出声音的结构。
图30D示出具有柔性的便携式信息终端的一个例子。便携式信息终端7700包括框体7701及显示部7001。此外,还可以包括被用作输入单元的按钮7703a及7703b、被用作音频输出单元的扬声器7704a及7704b、外部连接端口7705及麦克风7706等。另外,便携式信息终端7700可以组装有具有柔性的电池7709。电池7709也可以例如与显示部7001重叠。
框体7701、显示部7001及电池7709具有柔性。因此,容易使便携式信息终端7700弯曲为所希望的形状,或者使便携式信息终端7700扭曲。例如,便携式信息终端7700也可以以使显示部7001位于内侧或外侧的方式折叠而使用。或者,也可以在将便携式信息终端7700卷成卷筒状的状态下使用。如此,由于能够将框体7701及显示部7001自由变形,所以便携式信息终端7700具有即使掉落或被施加非意图的外力也不容易破损的优点。
另外,由于便携式信息终端7700重量轻,所以可以在各种情况下方便地使用便携式信息终端7700,比如用夹子等夹住框体7701的上部而悬吊着使用或者将框体7701用磁铁等固定于墙壁上等使用。
图31A示出汽车9700的外观。图31B示出汽车9700的驾驶座位。汽车9700包括车体9701、车轮9702、仪表盘9703、灯9704等。本发明的一个方式的显示装置可用于汽车9700的显示部等。例如,本发明的一个方式的显示装置可设置于图31B所示的显示部9710至显示部9715。
显示部9710和显示部9711是设置在汽车的挡风玻璃上的显示装置。通过使用具有透光性的导电材料来制造显示装置中的电极或布线,可以使本发明的一个方式的显示装置成为能看到对面的所谓的透明式显示装置。透明式显示装置的显示部9710和显示部9711即使在驾驶汽车9700时也不会成为视野的障碍。因此,可以将本发明的一个方式的显示装置设置在汽车9700的挡风玻璃上。另外,当在显示装置中设置用来驱动显示装置等的晶体管等时,优选采用使用有机半导体材料的有机晶体管、使用氧化物半导体的晶体管等具有透光性的晶体管。
显示部9712是设置在立柱部分的显示装置。例如,通过将来自设置在车体的成像单元的影像显示在显示部9712,可以补充被立柱遮挡的视野。显示部9713是设置在仪表盘部分的显示装置。例如,通过将来自设置在车体的成像单元的影像显示在显示部9713,可以补充被仪表盘遮挡的视野。也就是说,通过显示来自设置在汽车外侧的成像单元的影像,可以补充死角,从而提高安全性。另外,通过显示补充看不到的部分的影像,可以更自然、更舒适地确认安全。
图31C示出采用长座椅作为驾驶座位及副驾驶座位的汽车室内。显示部9721是设置在车门部分的显示装置。例如,通过将来自设置在车体的成像单元的影像显示在显示部9721,可以补充被车门遮挡的视野。另外,显示部9722是设置在方向盘的显示装置。显示部9723是设置在长座椅的中央部的显示装置。另外,通过将显示装置设置在被坐面或靠背部分等,也可以将该显示装置用作以该显示装置为发热源的座椅取暖器。
显示部9714、显示部9715或显示部9722可以提供导航信息、速度表、转速计、行驶距离、加油量、排档状态、空调的设定以及其他各种信息。另外,使用者可以适当地改变显示部所显示的显示内容及布局等。另外,显示部9710至显示部9713、显示部9721及显示部9723也可以显示上述信息。显示部9710至显示部9715、显示部9721至显示部9723还可以被用作照明装置。此外,显示部9710至显示部9715、显示部9721至显示部9723还可以被用作加热装置。
使用本发明的一个方式的显示装置的显示部可以为平面。在此情况下,本发明的一个方式的显示装置也可以不具有曲面及柔性。通过使用本发明的一个方式的显示装置,可以实现电子设备的轻量化及薄型化。
图31D所示的便携式游戏机包括框体9801、框体9802、显示部9803、显示部9804、麦克风9805、扬声器9806、操作键9807以及触屏笔9808等。
图31D所示的便携式游戏机包括两个显示部(显示部9803和显示部9804)。注意,本发明的一个方式的电子设备所包括的显示部的数量不局限于两个,而可以包括一个或三个以上的显示部。在电子设备包括多个显示部的情况下,至少一个显示部包括本发明的一个方式的显示装置。
图31E示出笔记本式个人计算机,该笔记本式个人计算机包括框体9821、显示部9822、键盘9823、指向装置9824等。
本实施方式可以与其他实施方式适当地组合。
实施例
在本实施例中,说明制造本发明的一个方式的显示装置并进行显示的结果。
参照图6B说明本实施例的显示装置。本实施例的显示装置作为显示面板10包括采用滤色片方式的顶部发射结构的触摸面板。该触摸面板在一对柔性衬底之间包括发光元件及触摸传感器。显示面板10的厚度为100μm以下。显示面板10可以为向内弯曲及向外弯曲。
显示面板10的制造方法与实施方式2所示的结构实例1的制造方法同样,在两个形成用衬底上分别形成被剥离层之后,贴合两个形成用衬底,对各形成用衬底进行剥离,将被剥离层转置在一对柔性衬底之间。作为形成用衬底使用玻璃衬底。作为柔性衬底51及柔性衬底57使用树脂薄膜。作为晶体管的半导体材料使用CAAC-OS。作为发光元件使用有机EL元件。作为导电层71使用厚度为50nm的钛膜。
在显示面板10之下配置导电薄膜。导电薄膜在厚度为127μm的PET薄膜上包括厚度为100nm的ITO膜。ITO膜相当于导电层73。
图32A和图32B示出配置在框体上的导电薄膜。在导电薄膜所包括的导电层73上连接有导体74(铜箔胶带)。导电层73与导体74的连接部设置在不与显示面板10重叠的位置。导体74与导线焊接。导线被引导在电源的GND。通过将显示面板10的导电层71接触于导电层73,可以向导电层71供应GND电位。
图32C示出显示面板10的背面(与显示面相反一侧的面)的照片。导电层71设置在柔性衬底51上。导电层71重叠于显示面板10的显示区域并形成在比显示区域广的区域中。
图33A和图33B示出显示装置的显示照片。在图33A和图33B所示的显示装置中,可以通过框体将显示面板10折叠为三折,此时的曲率半径大约为3mm。显示面板10以重叠于导电薄膜的方式配置,由此导电层71与导电层73接触。如图33A和图33B所示,本实施例的显示装置在展开状态及弯曲状态下都可以进行良好的显示。即使在显示面板10的背面形成导电层71也不发生显示不良。此外,即使触摸或弯曲显示面板10也不影响到显示。
在本实施例中,在显示面板10的背面设置导电层71,向导电层71供应GND电位。因此,即使将显示面板10的厚度减薄到能够反复进行弯曲伸展工作的厚度也不容易受到来自外部的噪声,由此可以在显示面板10上进行良好的显示。另外,因为导电层71不与导电层73固定,所以可以抑制显示面板10的柔性的下降。此外,通过将导电层73与导体74的连接部设置在不与显示面板10重叠的位置,起因于该连接部的台阶不产生在显示区域中,从而可以抑制显示品质的下降。
符号说明
10 显示面板
11 第一布线
12 第二布线
13 第三布线
14 第四布线
15 第五布线
16 显示面板
19 布线
20 具有晶体管的层
21 导电层
22 区域
22A 区域
22B 区域
22C 区域
22D 区域
31 发光元件
32 晶体管
33 晶体管
34 电容元件
39 电容
41 电极
43 EL层
45 电极
51 柔性衬底
53 绝缘层
55 粘合层
57 柔性衬底
60 电子设备
61 框体
65 表带
67 蓄电装置
68 表带
71 导电层
72 元件层
73 导电层
73a 导电层
73b 导电层
74 导体
74a 导体
74b 导体
81 显示区域
82 扫描线驱动电路
83 FPC
84 IC
90 电子设备
93 保护层
95a 支撑面板
95b 支撑面板
98 框体
99 手指
300 触摸面板
301 晶体管
302 晶体管
303 晶体管
304 发光元件
305 电容元件
306 连接部
307 导电层
308 连接部
309 连接体
310 输入装置
311 栅极绝缘层
312 绝缘层
313 绝缘层
314 绝缘层
315 绝缘层
316 间隔物
317 粘合层
318 输入装置
319 连接体
320 触摸面板
321 电极
322 EL层
323 电极
324 光学调整层
325 着色层
326 遮光层
326a 遮光层
326b 遮光层
327 绝缘层
328 绝缘层
330 柔性衬底
331 电极
332 电极
333 电极
334 电极
341 布线
342 布线
347 区域
348 区域
349 区域
350 FPC
351 IC
355 导电层
370 显示面板
371 柔性衬底
372 柔性衬底
373 FPC
374 IC
375 粘合层
376 绝缘层
377 粘合层
378 绝缘层
379 显示面板
380 导电层
381 显示部
382 驱动电路部
383 布线
385 连接部
386 连接体
387 交叉部
390 导电层
391 粘合层
392 柔性衬底
393 绝缘层
395 绝缘层
396 粘合层
398 剥离膜
399 剥离膜
401 形成用衬底
403 剥离层
411 形成用衬底
413 剥离层
723 背栅极
728 绝缘层
729 绝缘层
742 半导体层
743 栅极
744a 导电层
744b 导电层
747a 开口
747b 开口
747c 开口
747d 开口
772 绝缘层
848 晶体管
7000 显示部
7001 显示部
7100 移动电话机
7101 框体
7103 操作按钮
7104 外部连接端口
7105 扬声器
7106 麦克风
7200 电视装置
7201 框体
7203 支架
7211 遥控操作机
7300 便携式信息终端
7301 框体
7302 操作按钮
7303 信息
7304 信息
7305 信息
7306 信息
7310 便携式信息终端
7320 便携式信息终端
7400 照明装置
7401 底座
7402 发光部
7403 操作开关
7410 照明装置
7412 发光部
7420 照明装置
7422 发光部
7500 便携式信息终端
7501 框体
7502 构件
7503 操作按钮
7600 电子设备
7601 框体
7602 铰链
7650 电子设备
7651 非显示部
7700 便携式信息终端
7701 框体
7703a 按钮
7703b 按钮
7704a 扬声器
7704b 扬声器
7705 外部连接端口
7706 麦克风
7709 电池
7800 电子设备
7801 表带
7802 输入输出端子
7803 操作按钮
7804 图标
7805 电池
9700 汽车
9701 车体
9702 车轮
9703 仪表盘
9704 灯
9710 显示部
9711 显示部
9712 显示部
9713 显示部
9714 显示部
9715 显示部
9721 显示部
9722 显示部
9723 显示部
9801 框体
9802 框体
9803 显示部
9804 显示部
9805 麦克风
9806 扬声器
9807 操作键
9808 触屏笔
9821 框体
9822 显示部
9823 键盘
9824 指向装置

Claims (19)

1.一种显示装置,包括:
柔性衬底;
包括所述柔性衬底的第一表面上的第一导电层的显示区域;
所述第一导电层上的发光元件;
所述柔性衬底的第二表面之下的第二导电层;以及
所述第二导电层之下的第三导电层,
其中,所述第二导电层与所述第一导电层电绝缘,
所述第一导电层隔着所述柔性衬底与所述第二导电层重叠,
所述第二导电层被供应恒定电位,并且
所述第三导电层包括不与所述第二导电层固定的部分。
2.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述第二导电层在不重叠于所述显示区域的部分中接触于被供应所述恒定电位的布线。
3.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述第二导电层与所述显示区域彼此重叠的面积为所述显示区域的面积的80%以上且100%以下。
4.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述第二导电层的面积大于所述显示区域的面积。
5.根据权利要求1所述的显示装置,
其中电容被配置为在所述第一导电层和所述第二导电层之间产生。
6.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述第二导电层包括钛。
7.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述发光元件包括第一电极、所述第一电极上的发光层、以及所述发光层上的第二电极,并且
所述第二电极被供应恒定电位。
8.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述显示区域被配置为折叠成两个部分。
9.根据权利要求1所述的显示装置,
其中所述显示区域被配置为折叠成三个部分。
10.一种显示装置,包括:
柔性衬底;
包括所述柔性衬底的第一表面上的第一导电层的显示区域;
所述第一导电层上的发光元件;
所述柔性衬底的第二表面之下的第二导电层;以及
所述第二导电层之下的第三导电层,
其中,所述第二导电层与所述第一导电层电绝缘,
所述第一导电层隔着所述柔性衬底与所述第二导电层重叠,
所述第三导电层被供应恒定电位,并且
所述第三导电层包括与所述第二导电层接触的部分并包括不与所述第二导电层固定的部分。
11.根据权利要求10所述的显示装置,
其中所述第二导电层在不重叠于所述显示区域的部分中接触于被供应所述恒定电位的布线。
12.根据权利要求10所述的显示装置,
其中所述第二导电层与所述显示区域彼此重叠的面积为所述显示区域的面积的80%以上且100%以下。
13.根据权利要求10所述的显示装置,
其中所述第二导电层的面积大于所述显示区域的面积。
14.根据权利要求10所述的显示装置,
其中电容被配置为在所述第一导电层和所述第二导电层之间产生。
15.根据权利要求10所述的显示装置,
其中所述第三导电层包括钛。
16.根据权利要求10所述的显示装置,
其中所述发光元件包括第一电极、所述第一电极上的发光层、以及所述发光层上的第二电极,并且
所述第二电极被供应恒定电位。
17.根据权利要求10所述的显示装置,
其中所述显示区域被配置为折叠成两个部分。
18.根据权利要求10所述的显示装置,
其中所述显示区域被配置为折叠成三个部分。
19.根据权利要求10所述的显示装置,
其中所述第二导电层包括金属。
CN202010541152.8A 2015-07-23 2016-07-14 显示装置、模块及电子设备 Active CN111627975B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010541152.8A CN111627975B (zh) 2015-07-23 2016-07-14 显示装置、模块及电子设备

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015-145504 2015-07-23
JP2015145504 2015-07-23
JP2016-119835 2016-06-16
JP2016119835 2016-06-16
CN202010541152.8A CN111627975B (zh) 2015-07-23 2016-07-14 显示装置、模块及电子设备
PCT/IB2016/054192 WO2017013538A1 (ja) 2015-07-23 2016-07-14 表示装置、モジュール、及び電子機器
CN201680043037.XA CN107851728B (zh) 2015-07-23 2016-07-14 显示装置、模块及电子设备

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680043037.XA Division CN107851728B (zh) 2015-07-23 2016-07-14 显示装置、模块及电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111627975A CN111627975A (zh) 2020-09-04
CN111627975B true CN111627975B (zh) 2023-11-07

Family

ID=57833919

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010541152.8A Active CN111627975B (zh) 2015-07-23 2016-07-14 显示装置、模块及电子设备
CN202010541003.1A Active CN111627974B (zh) 2015-07-23 2016-07-14 显示装置、模块及电子设备
CN201680043037.XA Active CN107851728B (zh) 2015-07-23 2016-07-14 显示装置、模块及电子设备

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010541003.1A Active CN111627974B (zh) 2015-07-23 2016-07-14 显示装置、模块及电子设备
CN201680043037.XA Active CN107851728B (zh) 2015-07-23 2016-07-14 显示装置、模块及电子设备

Country Status (5)

Country Link
US (4) US10325966B2 (zh)
JP (5) JP6669752B2 (zh)
KR (1) KR102547470B1 (zh)
CN (3) CN111627975B (zh)
WO (1) WO2017013538A1 (zh)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9973647B2 (en) 2016-06-17 2018-05-15 Microsoft Technology Licensing, Llc. Suggesting image files for deletion based on image file parameters
US20180095960A1 (en) * 2016-10-04 2018-04-05 Microsoft Technology Licensing, Llc. Automatically uploading image files based on image capture context
CN110192237A (zh) * 2017-01-13 2019-08-30 夏普株式会社 显示装置
US10073294B1 (en) * 2017-03-31 2018-09-11 Innolux Corporation Display device
CN106940965A (zh) * 2017-05-12 2017-07-11 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示装置及其显示方法
CN110741332A (zh) * 2017-09-26 2020-01-31 深圳市柔宇科技有限公司 柔性触摸屏及柔性显示装置
CN107994129B (zh) * 2017-11-20 2019-11-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性oled显示面板的制备方法
US10411206B2 (en) * 2017-11-22 2019-09-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible array substrate and method for manufacturing same
CN207818085U (zh) * 2017-12-29 2018-09-04 昆山国显光电有限公司 模组结构及包括模组结构的柔性显示装置
CN112675555B (zh) 2018-01-08 2022-09-27 克兹二世怡人合资有限公司 具有电容式触摸交互性的儿童玩具
JP7086610B2 (ja) * 2018-01-09 2022-06-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2019152772A (ja) * 2018-03-05 2019-09-12 株式会社Joled 半導体装置および表示装置
KR102622861B1 (ko) * 2018-06-22 2024-01-10 삼성디스플레이 주식회사 연성 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
JP6822450B2 (ja) * 2018-08-13 2021-01-27 セイコーエプソン株式会社 発光装置、および電子機器
WO2020044171A1 (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102600966B1 (ko) * 2018-09-21 2023-11-09 엘지디스플레이 주식회사 롤러블 표시 장치
JP7022043B2 (ja) * 2018-10-12 2022-02-17 本田技研工業株式会社 後方視認装置
JP2022510914A (ja) * 2018-11-30 2022-01-28 コーニング インコーポレイテッド 導光板を備えるバックライト、結果的に得られたディスプレイデバイス、それを製造する方法およびそれを使用する方法
KR102561819B1 (ko) * 2018-12-13 2023-07-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 전자 기기
KR102612785B1 (ko) * 2018-12-20 2023-12-13 엘지전자 주식회사 디스플레이 디바이스
CN109541834B (zh) * 2018-12-29 2021-11-02 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
USD945535S1 (en) 2019-01-07 2022-03-08 Kids Ii Hape Joint Venture Limited Children's play table
KR20200143075A (ko) * 2019-06-14 2020-12-23 삼성전자주식회사 압력 센서를 포함하는 전자 장치
CN112652240A (zh) * 2019-10-11 2021-04-13 群创光电股份有限公司 可挠性显示装置及可挠性显示装置的制造方法
JP2021064520A (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
US11147169B2 (en) * 2019-11-04 2021-10-12 Sharp Kabushiki Kaisha Impact absorbing element for display device
JP2023501804A (ja) * 2019-11-15 2023-01-19 ルミグローバル.カンパニー,リミテッド ウェアラブルel製品の電磁波遮蔽構造
WO2021117103A1 (ja) * 2019-12-09 2021-06-17 シャープ株式会社 発光デバイス
CN111092109B (zh) * 2020-01-02 2022-04-08 武汉天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
US11709568B2 (en) * 2020-02-25 2023-07-25 Promethean Limited Convex interactive touch displays and related systems and methods
US11612023B2 (en) * 2020-04-17 2023-03-21 Honda Motor Co., Ltd. Wireless vehicle lighting
CN111508359B (zh) * 2020-04-27 2021-11-09 昆山国显光电有限公司 可折叠显示终端
CN114072911B (zh) 2020-05-06 2024-04-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、其制作方法、显示装置和显示面板
WO2021224991A1 (ja) * 2020-05-08 2021-11-11 シャープ株式会社 表示装置
US20210397301A1 (en) * 2020-06-23 2021-12-23 Synaptics Incorporated Reducing connections from a sensing module associated with a display device
KR20220034265A (ko) * 2020-08-19 2022-03-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 지문 검출 방법
CN112331074A (zh) 2020-11-02 2021-02-05 京东方科技集团股份有限公司 显示模组、邦定方法、显示装置和显示终端
USD979656S1 (en) 2020-12-11 2023-02-28 Kids Ii Hape Joint Venture Limited Toy drum
USD985676S1 (en) 2021-01-11 2023-05-09 Kids Ii Hape Joint Venture Limited Toy drum
USD985677S1 (en) 2021-01-11 2023-05-09 Kids Ii Hape Joint Venture Limited Toy guitar
JP7542448B2 (ja) * 2021-01-14 2024-08-30 株式会社ジャパンディスプレイ 圧力センサ
CN112817482B (zh) * 2021-01-28 2024-03-01 维沃移动通信有限公司 电子设备及显示模组
EP4290505A1 (en) * 2022-06-07 2023-12-13 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Information display device and information device equipped with same
CN115061300B (zh) * 2022-06-17 2023-11-28 武汉华星光电技术有限公司 显示面板、显示面板的制作方法及显示装置
TWI812323B (zh) * 2022-07-04 2023-08-11 友達光電股份有限公司 感光元件基板及其製造方法
USD1023405S1 (en) 2023-12-11 2024-04-16 Shenzhen Yimai E-commerce Co., Ltd. Picture light

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0033159A2 (en) * 1980-01-29 1981-08-05 Nec Corporation Semiconductor device
JP2001057393A (ja) * 1999-06-09 2001-02-27 Seiko Epson Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
KR20060117175A (ko) * 2005-05-13 2006-11-16 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08201549A (ja) * 1995-01-30 1996-08-09 Casio Comput Co Ltd 照明装置
JP2000040586A (ja) 1998-07-21 2000-02-08 Tdk Corp 有機el素子モジュール
SG101479A1 (en) 2000-09-14 2004-01-30 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2003066867A (ja) * 2001-08-24 2003-03-05 Sony Corp 表示装置、有機電界発光素子の駆動回路および表示装置の製造方法
JP2003099193A (ja) 2001-09-21 2003-04-04 Tohoku Pioneer Corp 画面表示入力装置
WO2005088704A1 (en) 2004-03-12 2005-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2007188725A (ja) 2006-01-12 2007-07-26 Fujifilm Corp 無機分散型エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2008003120A (ja) 2006-06-20 2008-01-10 Epson Imaging Devices Corp 電気光学装置及び電子機器
US8047442B2 (en) 2007-12-03 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5316422B2 (ja) 2007-12-05 2013-10-16 コニカミノルタ株式会社 発光装置
JP5319161B2 (ja) * 2008-05-21 2013-10-16 パナソニック株式会社 固体撮像装置
KR101588576B1 (ko) 2008-07-10 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
WO2010106590A1 (ja) 2009-03-17 2010-09-23 シャープ株式会社 表示装置
JP2011009704A (ja) 2009-05-26 2011-01-13 Seiko Epson Corp 薄膜装置、薄膜装置を備えた可撓性回路基板、及び薄膜装置の製造方法
TWI634642B (zh) * 2009-08-07 2018-09-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR20110024531A (ko) * 2009-09-02 2011-03-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
JP5446790B2 (ja) 2009-12-02 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP5691167B2 (ja) 2009-12-24 2015-04-01 カシオ計算機株式会社 発光装置の製造方法
US9000442B2 (en) 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
US8664658B2 (en) 2010-05-14 2014-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101190630B1 (ko) 2012-01-30 2012-10-15 주식회사 지앤씨에스 유기 발광 표시 장치
CN102629015A (zh) 2012-03-27 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示装置及其制作方法
JP6015095B2 (ja) * 2012-04-25 2016-10-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
KR102079188B1 (ko) 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR101420329B1 (ko) 2012-06-11 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US9389737B2 (en) * 2012-09-14 2016-07-12 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of driving the same in two modes
JP2013077305A (ja) * 2012-11-15 2013-04-25 Seiko Epson Corp 表示装置及び電子機器
GB2508194A (en) 2012-11-23 2014-05-28 Averly Ip Ltd Memory material frame to cause flexible display panel to become rigid
KR101960387B1 (ko) 2012-12-21 2019-03-20 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법
JP6490901B2 (ja) 2013-03-14 2019-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
TWI692108B (zh) * 2013-04-10 2020-04-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
CN103309503B (zh) * 2013-05-17 2016-03-02 北京京东方光电科技有限公司 一种触摸屏及显示装置
JP6400961B2 (ja) * 2013-07-12 2018-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR102127791B1 (ko) 2013-07-31 2020-06-30 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치
WO2015030086A1 (en) 2013-08-30 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR102288238B1 (ko) * 2013-09-03 2021-08-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치
TWI777433B (zh) 2013-09-06 2022-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置以及發光裝置的製造方法
JP2015129917A (ja) 2013-12-02 2015-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 情報処理装置
KR102313990B1 (ko) * 2014-01-29 2021-10-18 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
CN103779390B (zh) * 2014-02-11 2016-08-17 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示基板及其制备方法
KR20150127499A (ko) * 2014-05-07 2015-11-17 삼성전자주식회사 터치 감지 장치, 이를 포함하는 디스플레이 장치 및 터치 감지 방법
US9356087B1 (en) * 2014-12-10 2016-05-31 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bridged wire traces
CN104681592B (zh) * 2014-12-23 2018-01-19 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法和显示装置
CN104699311B (zh) * 2015-04-01 2017-12-26 上海天马微电子有限公司 显示面板以及显示装置
US10168844B2 (en) * 2015-06-26 2019-01-01 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device
CN105487703A (zh) * 2015-07-22 2016-04-13 敦泰电子有限公司 压力检测器及其相关的显示模组
JP2017207744A (ja) * 2016-05-11 2017-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0033159A2 (en) * 1980-01-29 1981-08-05 Nec Corporation Semiconductor device
JP2001057393A (ja) * 1999-06-09 2001-02-27 Seiko Epson Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
KR20060117175A (ko) * 2005-05-13 2006-11-16 오끼 덴끼 고오교 가부시끼가이샤 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치

Also Published As

Publication number Publication date
CN111627975A (zh) 2020-09-04
US11696481B2 (en) 2023-07-04
JP7511064B2 (ja) 2024-07-04
JPWO2017013538A1 (ja) 2018-06-28
JP2024111291A (ja) 2024-08-16
CN111627974A (zh) 2020-09-04
JP2023153213A (ja) 2023-10-17
KR20180033510A (ko) 2018-04-03
US20190296089A1 (en) 2019-09-26
CN111627974B (zh) 2024-04-05
JP2020109521A (ja) 2020-07-16
JP6669752B2 (ja) 2020-03-18
US20210384263A1 (en) 2021-12-09
WO2017013538A1 (ja) 2017-01-26
JP2022033948A (ja) 2022-03-02
US20230301155A1 (en) 2023-09-21
KR20230093078A (ko) 2023-06-26
CN107851728B (zh) 2020-07-14
JP6994063B2 (ja) 2022-01-14
US20180204884A1 (en) 2018-07-19
CN107851728A (zh) 2018-03-27
US11101333B2 (en) 2021-08-24
US10325966B2 (en) 2019-06-18
KR102547470B1 (ko) 2023-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111627975B (zh) 显示装置、模块及电子设备
CN108738377B (zh) 发光装置的制造方法、发光装置、模块及电子设备
CN108369788B (zh) 显示装置及电子设备
CN110544436B (zh) 显示装置
US9960213B2 (en) Input and output device having touch sensor element as input device and display device
US20170271380A1 (en) Peeling method
KR102719741B1 (ko) 표시 장치, 모듈, 및 전자 기기
KR20240151283A (ko) 표시 장치, 모듈, 및 전자 기기

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant