CN103779390B - 一种柔性显示基板及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种柔性显示基板及其制备方法，涉及显示技术领域，可以避免设置在柔性基底上的膜层的破裂或脱落，并进一步缓解承载基板与位于承载基板上方的柔性基底分离时发生翘曲的程度；该柔性显示基板包括分别设置在所述柔性基底上表面和下表面的第一缓冲层和第二缓冲层；至少设置在所述第一缓冲层上方的薄膜晶体管和电极结构；其中，至少由所述薄膜晶体管和所述电极结构构成显示结构。该柔性显示基板制备方法用于防止设置在柔性基底上的膜层破裂或脱落，并需要缓解承载基板与柔性基底分离时发生翘曲的柔性显示基板的制造。

Description

一种柔性显示基板及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示基板及其制备方法。
背景技术
柔性显示技术在近几年有了飞速的发展，由此带动柔性显示器从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。无论是濒临消失的阴极射线管（Cathode Ray Tube，简称CRT），还是现今主流的液晶显示器（Liquid Crystal Display，简称LCD），本质上都属于传统的刚性显示器。与传统的刚性显示器相比，柔性显示器具有诸多优点，例如耐冲击，抗震能力强，重量轻，体积小，携带更加方便等。
其中，柔性显示器的制作方法一般包括：在承载基板上形成柔性基底，然后在柔性基底上再形成构成显示结构的各膜层等。其中，柔性基底一般的制作方法可分为两种,一种在承载基板(例如玻璃基板)上贴膜,另一种为在承载基板上涂膜。
然而，由于柔性基底的表面粗糙度往往大于玻璃衬底基板的表面粗糙度，因此在弯折的情况下，很容易因为柔性基底表面的凹凸不平和应力作用而导致设置在所述柔性基底上的膜层的破裂或脱落。
另外，在柔性显示器的制作过程中，在高温时，柔性基底以及各膜层发生膨胀，从高温降到常温时，柔性基底以及各膜层发生收缩，在这个过程中，由于柔性基底与各膜层的膨胀系数不同，而通常柔性基底会产生较大的形变，这里，较大的形变可以理解为较大的应力所导致，这样，在柔性基底与承载基板分离时，常常会发生翘曲现象。
发明内容
本发明的实施例提供一种柔性显示基板及其制备方法，可以避免设置在柔性基底上的膜层的破裂或脱落，并进一步缓解承载基板与位于承载基板上方的柔性基底分离时发生翘曲的程度。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种柔性显示基板，包括：
分别设置在所述柔性基底上表面和下表面的第一缓冲层和第二缓冲层；
至少设置在所述第一缓冲层上方的薄膜晶体管和电极结构；
其中，至少由所述薄膜晶体管和所述电极结构构成显示结构。
优选的，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层材料相同且厚度相同。
进一步可选的，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层均为单层膜层结构或多层膜层结构；
在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层均为多层膜层结构的情况下，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层中所有膜层相对所述柔性基底对称设置。
优选的，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的厚度在1000～5000之间。
基于上述描述，可选的，在所述第二缓冲层远离所述柔性基底的一侧还设置有与构成所述薄膜晶体管的各图案层相同材料且相同厚度的膜层。
进一步优选的，相对所述柔性基底，设置在所述第二缓冲层远离所述柔性基底一侧的各膜层的顺序与相同材料的构成所述薄膜晶体管的各图案层的顺序相同。
可选的，在所述第二缓冲层远离所述柔性基底的一侧还设置有所述薄膜晶体管，且位于所述第一缓冲层上方的所述薄膜晶体管和位于所述第二缓冲层下方的所述薄膜晶体管一一对应。
可选的，所述电极结构包括阴极和阳极；其中，所述阳极和所述薄膜晶体管的漏极电连接；
所述显示结构还包括封装层以及设置在所述阴极和所述阳极之间的有机材料功能层。
可选的，所述电极结构包括像素电极；其中，所述像素电极和所述薄膜晶体管的漏极电连接。
另一方面，提供一种柔性显示基板的制备方法，包括：
在承载基板上形成包括第一缓冲层、第二缓冲层、柔性基底的结构；其中，所述第一缓冲层位于所述柔性基底的上方，所述第二缓冲层位于所述柔性基底的下方；
至少在所述第一缓冲层的上方形成薄膜晶体管和电极结构；其中，至少由所述薄膜晶体管和所述电极结构构成显示结构；
完成所述显示结构后，将所述承载基板和与所述承载基板接触的膜层分离，形成所述柔性显示基板。
可选的，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层均为单层膜层结构或多层膜层结构；
在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层均为多层膜层结构的情况下，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层中所有膜层相对所述柔性基底对称形成。
进一步可选的，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层采用相同的工艺条件制备形成。
基于上述描述，可选的，所述方法还包括：在所述第二缓冲层与所述承载基板之间形成与构成所述薄膜晶体管的各图案层相同材料且相同厚度的膜层。
进一步优选的，相对所述柔性基底，形成于所述第二缓冲层与所述承载基板之间的各膜层的顺序与相同材料的构成所述薄膜晶体管的各图案层的顺序相同。
可选的，所述方法还包括：在所述第二缓冲层与所述承载基板之间形成所述薄膜晶体管，且形成于所述第一缓冲层上方的所述薄膜晶体管和形成于所述第二缓冲层下方的所述薄膜晶体管一一对应。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板及其制备方法，该柔性显示基板包括分别设置在所述柔性基底上表面和下表面的第一缓冲层和第二缓冲层；至少设置在所述第一缓冲层上方的薄膜晶体管和电极结构；其中，至少由所述薄膜晶体管和所述电极结构构成显示结构。
一方面，通过在所述柔性基底的上表面形成第一缓冲层可以使第一缓冲层与所述柔性基底、以及第一缓冲层和位于所述第一缓冲层上方的膜层均有较强的附着力，既可以解决柔性基底表面粗糙的问题，也可以避免设置在柔性基底上的膜层的破裂或脱落。
另一方面，通过在所述柔性基底的下表面形成第二缓冲层，可以抵消一部分位于柔性基底上方的膜层对该柔性基底产生的应力，这样在柔性基底与所述承载基板分离时，可以减缓柔性基底发生翘曲的程度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种制备柔性显示基板的过程示意图一；
图2为本发明实施例提供的一种制备柔性显示基板的过程示意图二；
图3为本发明实施例提供的一种制备柔性显示基板的过程示意图三；
图4为本发明实施例提供的一种制备柔性显示基板的过程示意图四；
图5为本发明实施例提供的一种制备柔性显示基板的过程示意图五；
图6为本发明实施例提供的一种包括像素电极的柔性显示基板的结构示意图；
图7为本发明实施例提供的一种包括像素电极和公共电极的柔性显示基板的结构示意图一；
图8为本发明实施例提供的一种包括像素电极和公共电极的柔性显示基板的结构示意图二；
图9为本发明实施例提供的一种包括阳极、有机材料功能层、阴极的柔性显示基板的结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种制备柔性显示基板的过程示意图六；
图11为本发明实施例提供的一种制备柔性显示基板的过程示意图七；
图12为本发明实施例提供的一种对称结构的柔性显示基板一；
图13为本发明实施例提供的一种对称结构的柔性显示基板二。
附图标记：
10-柔性显示基板；101-承载基板；102-柔性基底；201-第一缓冲层；202-第二缓冲层；30-薄膜晶体管；301-栅极；302-栅绝缘层；303-半导体有源层；304-源极；305-漏极；401-像素电极；402-公共电极；403-阳极；404-阴极；501-有机材料功能层；60-封装层；701-第一膜层；702-第二膜层；703-第三膜层；704-第四膜层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板的制备方法，该方法包括：在承载基板上形成包括第一缓冲层、第二缓冲层、柔性基底的结构；其中，所述第一缓冲层位于所述柔性基底的上方，所述第二缓冲层位于所述柔性基底的下方；至少在所述第一缓冲层的上方形成薄膜晶体管和电极结构；其中，至少由所述薄膜晶体管和所述电极结构构成显示结构；完成所述显示结构后，将所述承载基板和与所述承载基板接触的膜层分离，形成所述柔性显示基板。
所述薄膜晶体管包括栅极、栅绝缘层、有源层、源极和漏极等；在此情况下，所述柔性显示基板还包括与所述栅极电连接的栅线、栅线引线，与所述源极电连接的数据线、数据线引线等。
需要说明的是，第一、在本发明实施例中，所述显示结构可以理解为，设置在柔性基底上的必不可少的、且由各层图案组成的结构。
第二，所述电极结构依据柔性显示基板的类型的不同而不同。例如：
当所述柔性显示基板为液晶显示器（Liquid Crystal Display，简称LCD）的阵列基板时，所述电极结构包括像素电极，当然还可以包括公共电极。
在此情况下，所述显示结构可以包括薄膜晶体管、与薄膜晶体管的漏极电连接的像素电极，当然还可以包括公共电极，层间绝缘层等。
当所述柔性显示基板为有机电致发光二极管（OrganicLight-Emitting Diode，简称OLED）时，所述电极结构包括阳极和阴极。
在此情况下，所述显示结构可以包括薄膜晶体管、与薄膜晶体管的漏极电连接的阳极、阴极，当然还包括位于所述阳极、阴极之间的有机材料功能层等。这里，由于有机材料功能层材料的特殊性，在制作完上述显示结构后，还必须形成用于封装有机材料的封装层。
第三，所述薄膜晶体管是一种具有开关特性的半导体单元，例如可以是非晶硅型薄膜晶体管、或低温多晶硅型薄膜晶体管、或氧化物型薄膜晶体管、或有机物型薄膜晶体管等，在此不做限定。
所述薄膜晶体管可以是顶栅型，也可以是底栅型，在此不作限定。其中，顶栅、底栅是相对所述栅极和栅绝缘层的位置而定的，即：相对所述柔性基底，当栅极靠近所述柔性基底，栅绝缘层远离所述柔性基底时，为底栅型薄膜晶体管；当栅极远离所述柔性基底，栅绝缘层靠近所述柔性基底时，为顶栅型薄膜晶体管。
第四，在本发明实施例中，上方和下方是相对于制备工艺的顺序而言的；在所述柔性显示基板的制备过程中，先形成的称为下方，后形成的称为上方。
例如：所述第一缓冲层位于所述柔性基底的上方，所述第二缓冲层位于所述柔性基底的下方，即为：在承载基板上先形成所述第二缓冲层、再形成柔性基底，然后形成所述第一缓冲层。
第五，本发明实施例中，在无特别说明的情况下，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层均优选为没有进行图案化的膜层。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板的制备方法，包括：在承载基板上形成包括第一缓冲层、第二缓冲层、柔性基底的结构；其中，所述第一缓冲层位于所述柔性基底的上方，所述第二缓冲层位于所述柔性基底的下方；至少在所述第一缓冲层的上方形成薄膜晶体管和电极结构，其中至少由所述薄膜晶体管和所述电极结构构成显示结构；完成所述显示结构后，将所述承载基板和与所述承载基板接触的膜层分离，形成所述柔性显示基板。
一方面，通过在所述柔性基底的上表面形成第一缓冲层可以使第一缓冲层与所述柔性基底、以及第一缓冲层和位于所述第一缓冲层上方的膜层均有较强的附着力，既可以解决粗糙度的问题，也可以避免设置在柔性基底上的膜层的破裂或脱落。
另一方面，通过在所述承载基板和所述柔性基底之间形成第二缓冲层，可以抵消一部分位于柔性基底上方的膜层对该柔性基底产生的应力，这样在柔性基底与所述承载基底分离时，可以减缓柔性基底发生翘曲的程度。
基于上述描述，该制备方法可以具体包括如下步骤：
S01、如图1所示，在承载基板101上形成第二缓冲层202。
其中，所述承载基板101可以是玻璃基板。
第二缓冲层202可以单层或多层结构，其材料例如可以是SiN（氮化硅）、SiOx（氧化硅）、A-Si（非晶硅）、ITO（氧化铟锡）中的至少一种。
S02、参考图1所示，在所述第二缓冲层202上形成柔性基底102。
其中，所述柔性基底102的材料可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种。
S03、参考图1所示，在所述柔性基底102上形成第一缓冲层201。
其中，所述第一缓冲层201的材料可以与第二缓冲层202的材料相同。
S04、在所述第一缓冲层201上形成薄膜晶体管30和电极结构。
其中，至少由所述薄膜晶体管30和所述电极结构构成显示结构。即：除形成所述薄膜晶体管30和所述电极结构外，根据柔性显示基板的类型的不同，还可形成一些必不可少的图案层例如保护层、钝化层、以及针对不同类型的柔性显示基板所需要的实现相应的功能的必不可少的图案层。
基于此，下面分两种情况进行示例性说明：
第一种情况：如图2所示，所述电极包括像素电极401，进一步如图3和图4所示，还可以包括公共电极402。在此情况下，S04例如具体可以是：在第一缓冲层201上依次形成包括栅极301、栅线（图中未标识出）的栅金属层、栅绝缘层302、半导体有源层303、包括源极304、漏极305、数据线（图中未标识出）的源漏金属层、以及像素电极401和公共电极402。
其中，所述像素电极401与所述漏极305通过形成在二者之间的保护层上的过孔电连接。参考图3所示，像素电极401和公共电极402位于不同层，且二者之间还形成有钝化层；参考图4所示，所述像素电极401和公共电极402位于同层。
第二种情况：如图5所示，所述电极包括阳极403和阴极404。在此情况下，S04例如具体可以是：在第一缓冲层201上依次形成包括栅极301、栅线（图中未标识出）的栅金属层、栅绝缘层302、半导体有源层303、包括源极304、漏极305、数据线（图中未标识出）的源漏金属层、以及阳极403、有机材料功能层501、阴极404和封装层60。
其中，所述阳极403与所述漏极305通过形成在二者之间的保护层上的过孔电连接。
所述有机材料功能层501至少包括电子传输层、发光层和空穴传输层；为了能够提高所述电子和所述空穴注入发光层的效率，所述有机材料功能层还可以包括设置在所述阴极与所述电子传输层之间的电子注入层，以及在所述阳极与所述空穴传输层之间的空穴注入层。
S05、完成所述显示结构后，将所述承载基板101和与所述承载基板101接触的膜层分离，形成如图6至图9所示的所述柔性显示基板10。
这里，例如采用激光照射方式，将所述承载基板101和与所述承载基板101直接接触的第二缓冲层202分离。
优选的，所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202均为单层膜层结构或多层膜层结构。
在所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202均为多层膜层结构的情况下，所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202中所有膜层相对所述柔性基底102对称形成。
例如：若第一缓冲层201包括氧化硅层和氮化硅层，第二缓冲层201包括氧化硅层和氮化硅层；则，所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202相对所述柔性基底102对称，即为：在承载基板101上先依次形成氮化硅层和氧化硅层，然后形成所述柔性基底102，之后在所述柔性基底102上依次形成所述氧化硅层和所述氮化硅层，且两次形成所述氧化硅层和所述氮化硅层的工艺完全相同。
这样，当所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202相对于所述柔性基底102对称时，可以最大化的将所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202施加在所述柔性基底上的应力抵消，在承载基板101和柔性基底102分离时可缓减柔性基底102发生翘曲的程度。
进一步优选的，可以使所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202采用相同的工艺条件制备形成。
这里，所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202的厚度例如在1000～5000之间。
由于位于所述柔性基底102的上方和下方的所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202具有相同的材料、相同的厚度、相同的结构，且所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202相对于所述柔性基底102对称，因此，可将所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202对所述柔性基底102的应力完全抵消。
基于上述描述，优选的，所述方法还包括：在所述第二缓冲层202与所述承载基板101之间形成与构成所述薄膜晶体管30的各图案层相同材料且相同厚度的膜层。
这样，通过所述第二缓冲层202和位于所述第二缓冲层202下方的与构成所述薄膜晶体管30的各图案层相同材料且相同厚度的膜层的共同作用，可以将所述柔性基底102上方的所有膜层对所述柔性基底102的应力的大部分进行抵消，从而在承载基板101和柔性基底102分离时可进一步缓减柔性基底102发生翘曲的程度。
进一步优选的，相对所述柔性基底102，可以使形成在所述第二缓冲层202与所述承载基板101之间的各膜层的顺序与相同材料的构成所述薄膜晶体管的各图案层的顺序相同。
例如，如图10所示，在构成薄膜晶体管的图案依次包括栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层的情况下，则，在所述第二缓冲层202与所述承载基板101之间相应的形成与所述栅金属层相同材料且相同厚度的第一膜层701、与栅绝缘层相同材料且相同厚度的第二膜层702、与半导体有源层相同材料其相同厚度的第三膜层703、与源漏金属层相同材料且相同厚度的第四膜层704；即：在承载基板101上先依次形成第四膜层704、第三膜层703、第二膜层702、第一膜层701、第二缓冲层202，之后形成柔性基底102，然后依次形成第一缓冲层201、包括栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层。
由于薄膜晶体管30和与构成所述薄膜晶体管30的各图案层相同材料的膜层，具有相同厚度，且相对所述柔性基底102顺序相同，即，一定程度上可以理解为相对于所述柔性基底102，薄膜晶体管30和与构成所述薄膜晶体管30的各图案层相同材料的膜层对称，因此，通过所述第二缓冲层202和位于所述第二缓冲层202下方的与构成所述薄膜晶体管30的各图案层相同材料且相同厚度的膜层的共同作用，可以最大化的抵消所述柔性基底102上方的包括第一缓冲层201、薄膜晶体管30等所有膜层对所述柔性基底102的应力。
可选的，如图11所示，所述方法还包括：在所述第二缓冲层202与所述承载基板101之间形成所述薄膜晶体管30，且形成于所述第一缓冲层201上方的所述薄膜晶体管30和形成于所述第二缓冲层201下方的所述薄膜晶体管30一一对应。
这里，一一对应为，任一个位于第一缓冲层201上方的所述薄膜晶体管30总是在垂直方向上对应一个位于第二缓冲层202下方的所述薄膜晶体管30。并且，形成于第一缓冲层201上方的所述薄膜晶体管30和形成于所述第二缓冲层201下方的所述薄膜晶体管30的膜层一一对应。
这样，通过所述第二缓冲层202和位于所述第二缓冲层202下方的所述薄膜晶体管30的共同作用，可以将所述柔性基底102上方的第一缓冲层201和薄膜晶体管30共同对所述柔性基底102的应力抵消，从而在承载基板101和柔性基底102分离时可进一步缓减柔性基底102发生翘曲的程度。
需要说明的是，本发明实施例中还可以在所述第二缓冲层202与所述承载基板101之间形成与电极结构相同材料且相同厚度的膜层，以及形成与显示结构必不可少的膜层相同材料且相同厚度的膜层。
本发明实施例还提供了一种柔性显示基板10，如图6至图9所示，该柔性显示基板10包括：分别设置在所述柔性基底102上表面和下表面的第一缓冲层201和第二缓冲层202；至少设置在所述第一缓冲层201上方的薄膜晶体管30和电极结构。
其中，至少由所述薄膜晶体管30和所述电极结构构成显示结构。
所述薄膜晶体管30包括栅极301、栅绝缘层302、有源层303、源极304和漏极305等；在此情况下，所述柔性显示基板10还包括与所述栅极301电连接的栅线、栅线引线，与所述源极304电连接的数据线、数据线引线。
当所述柔性显示基板10为液晶显示器的阵列基板时，如图6所示，所述电极结构包括与所述漏极305相连接的像素电极401。当然，如图7和图8所示，所述电极结构还可以包括公共电极402；在此情况下，对于共平面切换型（In-Plane Switch，简称IPS）阵列基板而言，如图8所示，所述像素电极401和所述公共电极402同层间隔设置，且均为条状电极；对于高级超维场转换型（Advanced-super Dimensional Switching，简称ADS）阵列基板而言，如图7所示，所述像素电极401和所述公共电极402不同层设置，其中在上的电极为条状电极，在下的电极为板状电极。
当所述柔性显示基板10为有机电致发光二极管显示基板时，如图9所示，电极结构包括与所述漏极305相连接的阳极403、以及阴极404，在此情况下，所述显示结构还包括设置于所述阳极403和所述阴极404之间的有机材料功能层501。进一步所述柔性显示基板10还包括封装层60。
基于此，根据所述阳极403和所述阴极404的材料的不同，可以分为单面发光型柔性显示基板和双面发光型柔性显示基板；即：当所述阳极403和所述阴极404中其中一个电极的材料为不透明材料时，所述柔性显示基板为单面发光型；当所述阳极403和所述阴极404的材料均为透明材料时，所述柔性显示基板为双面发光型。
对于单面发光型柔性显示基板，根据所述阳极403和所述阴极404的材料的不同，又可以分为上发光型和下发光型。具体的，当所述阳极403靠近所述柔性基底102设置，所述阴极404远离所述柔性基底102设置，且所述阳极403的材料为透明导电材料，所述阴极404的材料为不透明导电材料时，由于光从阳极403、再经柔性基底102一侧出射，因此，可以称为下发光型；当所述阳极403的材料为不透明导电材料，所述阴极404的材料为透明导电材料时，由于光从阴极404、再经与柔性基底102相对设置的封装层60出射，因此，可以称为上发光型。当然，也可以将上述两种阳极403和阴极404的相对位置进行替换，在此再赘述。
这里，所述封装层60可以是柔性封装基板，也可以是一层或基层薄膜，当然还可以是其他封装结构，在此不作限定。
对于双面发光型柔性显示基板，当所述阳极403靠近所述柔性基底102设置，所述阴极404远离所述柔性基底102设置，且所述阳极403和所述阴极404的材料均为透明导电材料例如ITO（Indium TinOxides，氧化铟锡）时，由于光一方面从阳极403、再经柔性基底102一侧出射，另一方面从阴极404、再经与所述柔性基底102相对设置的封装层出射，因此可以称为双面发光型。这里，也可以是所述阳极403远离所述柔性基底102设置，所述阴极404靠近所述柔性基底102设置。
基于上述描述，所述显示结构除包括薄膜晶体管30和电极结构外，还可以包括一些必要的图案层例如保护层、钝化层、层间绝缘层、用于隔离像素单元的像素隔离层等或为改善显示效果或某些缺陷增加的一些图案层。当然，在所述柔性显示基板10为OLED时，所述显示结构还应该包括位于阳极403和阴极404之间的有机材料功能层501，以及用于封装所述有机材料封装层501的封装层60等。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板10，所述柔性显示基板10包括分别设置在所述柔性基底102上表面和下表面的第一缓冲层201和第二缓冲层202；至少设置在所述第一缓冲层201上方的薄膜晶体管30和电极结构；其中，至少由所述薄膜晶体管30和所述电极结构构成显示结构。
一方面，通过在所述柔性基底102的上表面形成第一缓冲层201可以使第一缓冲层201与所述柔性基底102、以及第一缓冲层201和位于所述第一缓冲层201上方的膜层均有较强的附着力，既可以解决柔性基底102表面粗糙的问题，也可以避免设置在柔性基底102上的膜层的破裂或脱落。
另一方面，通过在所述承载基板101和所述柔性基底102之间形成第二缓冲层202，可以抵消一部分位于柔性基底102上方的膜层对该柔性基底102产生的应力，这样在柔性基底102与所述承载基板101分离时，可以减缓柔性基底102发生翘曲的程度。
优选的，所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202材料相同且厚度相同。
由于位于所述柔性基底102的上方和下方的所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202具有相同的材料、相同的厚度、相同的结构，因此，可以在最大化的将所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202施加在所述柔性基底上的应力相互抵消，在承载基板101和柔性基底102分离时可缓减柔性基底102发生翘曲的程度。
进一步的，所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202均为单层膜层结构或多层膜层结构；
在所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202均为多层膜层结构的情况下，所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202中所有膜层相对所述柔性基底102对称设置。
例如：若第一缓冲层201包括氧化硅层和氮化硅层，第二缓冲层201包括氧化硅层和氮化硅层；则，所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202相对所述柔性基底102对称，即为：第一缓冲层201的氧化硅层和第二缓冲层202的氧化硅层均靠近所述柔性基底102，第一缓冲层201的氮化硅层和第二缓冲层202的氮化硅层均远离所述柔性基底102。
这样，当所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202相对于所述柔性基底102完全对称时，可将所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202对所述柔性基底102的应力可以完全抵消。
进一步的，考虑到柔性显示基板10整体的厚度，本发明实施例中，所述第一缓冲层201和所述第二缓冲层202的厚度可以在1000～5000之间。
基于上述描述，优选的，在所述第二缓冲层202远离所述柔性基底102的一侧还设置有与构成所述薄膜晶体管30的各图案层相同材料且相同厚度的膜层。
这样，通过所述第二缓冲层202和位于所述第二缓冲层202下方的与构成所述薄膜晶体管30的各图案层相同材料且相同厚度的膜层的共同作用，可以将所述柔性基底102上方的所有膜层对所述柔性基底102的应力的大部分进行抵消，从而在承载基板101和柔性基底102分离时可进一步缓减柔性基底102发生翘曲的程度。
进一步优选的，相对所述柔性基底102，设置在所述第二缓冲层202远离所述柔性基底102一侧的各膜层的顺序与相同材料的构成所述薄膜晶体管30的各图案层的顺序相同。
例如，如图12所示，在构成薄膜晶体管的图案依次包括栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层的情况下，则，在所述第二缓冲层202远离所述柔性基底102一侧相应的形成与所述栅金属层相同材料且相同厚度的第一膜层701、与栅绝缘层相同材料且相同厚度的第二膜层702、与半导体有源层相同材料其相同厚度的第三膜层703、与源漏金属层相同材料且相同厚度的第四膜层704；即：相对所述柔性基底102，位于所述柔性基底102上方的包括栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层依次远离所述柔性基底102，位于所述柔性基底102下方的所述第一膜层701、第二膜层702、第三膜层703、第四膜层704依次远离所述柔性基底。
由于薄膜晶体管30和与构成所述薄膜晶体管30的各图案层相同材料的膜层，具有相同厚度，且相对所述柔性基底102顺序相同，即，一定程度上可以理解为相对于所述柔性基底102，薄膜晶体管30和与构成所述薄膜晶体管30的各图案层相同材料的膜层对称，因此，通过所述第二缓冲层202和位于所述第二缓冲层202下方的与构成所述薄膜晶体管30的各图案层相同材料且相同厚度的膜层的共同作用，可以最大化的抵消所述柔性基底102上方的包括第一缓冲层201、薄膜晶体管30等所有膜层对所述柔性基底102的应力。
可选的，如图13所示，在所述第二缓冲层202远离所述柔性基底102的一侧还设置有所述薄膜晶体管30，且位于所述第一缓冲层201上方的所述薄膜晶体管30和位于所述第二缓冲层202下方的所述薄膜晶体管30一一对应。
需要说明的是，一一对应为，任一个位于第一缓冲层201上方的所述薄膜晶体管30总是在垂直方向上对应一个位于第二缓冲层202下方的所述薄膜晶体管30。并且，位于第一缓冲层201上方的所述薄膜晶体管30和位于所述第二缓冲层201下方的所述薄膜晶体管30的膜层一一对应。
这样，通过所述第二缓冲层202和位于所述第二缓冲层202下方的所述薄膜晶体管30的共同作用，可以将所述柔性基底102上方的第一缓冲层201和薄膜晶体管30共同对所述柔性基底102的应力抵消，从而在承载基板101和柔性基底102分离时可进一步缓减柔性基底102发生翘曲的程度。
需要说明的是，本发明实施例中还可以在所述第二缓冲层202远离所述柔性基底102的一侧设置与电极结构相同材料且相同厚度的膜层，以及形成与显示结构必不可少的膜层相同材料且相同厚度的膜层。
此外，本发明实施例所有附图中仅以底栅型薄膜晶体管的一种情况进行示意，但本发明实施例并不限于此，所述薄膜晶体管可以是任意类型的薄膜晶体管。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (11)

1.一种柔性显示基板，其特征在于，包括：
分别设置在柔性基底上表面和下表面的第一缓冲层和第二缓冲层；
至少设置在所述第一缓冲层上方的薄膜晶体管和电极结构；所述薄膜晶体管为非晶硅型薄膜晶体管、或低温多晶硅型薄膜晶体管、或氧化物型薄膜晶体管、或有机物型薄膜晶体管；
其中，至少由所述薄膜晶体管和所述电极结构构成显示结构；
在所述第二缓冲层远离所述柔性基底的一侧还设置有与构成所述薄膜晶体管的各图案层相同材料且相同厚度的膜层；或者，
在所述第二缓冲层远离所述柔性基底的一侧还设置有薄膜晶体管，且位于所述第一缓冲层上方的所述薄膜晶体管和位于所述第二缓冲层下方的所述薄膜晶体管一一对应。
2.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层材料相同且厚度相同。
3.根据权利要求2所述的柔性显示基板，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层均为单层膜层结构或多层膜层结构；
在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层均为多层膜层结构的情况下，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层中所有膜层相对所述柔性基底对称设置。
4.根据权利要求2所述的柔性显示基板，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的厚度在之间。
5.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，相对所述柔性基底，设置在所述第二缓冲层远离所述柔性基底一侧的各膜层的顺序与相同材料的构成所述薄膜晶体管的各图案层的顺序相同。
6.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述电极结构包括阴极和阳极；其中，所述阳极和所述薄膜晶体管的漏极电连接；
所述显示结构还包括封装层以及设置在所述阴极和所述阳极之间的有机材料功能层。
7.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述电极结构包括像素电极；其中，所述像素电极和所述薄膜晶体管的漏极电连接。
8.一种柔性显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在承载基板上形成包括第一缓冲层、第二缓冲层、柔性基底的结构；其中，所述第一缓冲层位于所述柔性基底的上方，所述第二缓冲层位于所述柔性基底的下方；
至少在所述第一缓冲层的上方形成薄膜晶体管和电极结构；其中，至少由所述薄膜晶体管和所述电极结构构成显示结构；
在所述第二缓冲层与所述承载基板之间形成与构成所述薄膜晶体管的各图案层相同材料且相同厚度的膜层；或者，在所述第二缓冲层与所述承载基板之间形成薄膜晶体管，且形成于所述第一缓冲层上方的所述薄膜晶体管和形成于所述第二缓冲层下方的所述薄膜晶体管一一对应；
完成所述显示结构后，将所述承载基板和与所述承载基板接触的膜层分离，形成所述柔性显示基板。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层均为单层膜层结构或多层膜层结构；
在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层均为多层膜层结构的情况下，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层中所有膜层相对所述柔性基底对称形成。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层采用相同的工艺条件制备形成。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，相对所述柔性基底，形成于所述第二缓冲层与所述承载基板之间的各膜层的顺序与相同材料的构成所述薄膜晶体管的各图案层的顺序相同。
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