WO2021196372A1 - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种显示面板(100)及其制备方法,显示面板(100)包括弯折区(102)和非弯折区(101);以及薄膜晶体管结构层(110),具有阵列分布的薄膜晶体管;至少一孔槽(150),至少设于弯折区(102);有机填充层(160),填充于孔槽(150)中,且有机填充层(160)的表面高出孔槽(150)的槽口;信号线(170),电连接于薄膜晶体管,且覆于有机填充层(160)的表面形成凹凸不平的走线结构。
Description
本发明涉及显示面板技术领域,特别涉及一种显示面板及其制备方法。
OLED(Organic Light-Emitting Diode)由于其重量轻,自发光,广视角、驱动电压低、发光效率高功耗低、响应速度快等优点,应用范围越来越广泛,尤其是柔性OLED显示装置具有可弯折易携带的特点,成为显示技术领域研究和开发的主要领域。
图1a为现有技术中提供的显示面板的剖视结构示意图,显示面板包括薄膜晶体管结构层110、信号线170、平坦层120、像素电极层130和像素定义层140;其中薄膜晶体管结构层110包括基板111、阻隔层112、缓冲层113、有源层114、第一栅极绝缘层1151、第一栅极层1161、第二栅极绝缘层1152、第二栅极层1162、层间介质层117、漏极1181、以及源极1182。
但目前柔性显示装置经过多次弯折后较易发生断裂,造成显示异常,所以急需对结构进行优化。
因此,确有必要来开发一种新型的显示面板,以克服现有技术的缺陷。
本发明的一个目的是提供一种显示面板,其能够解决现有技术中柔性显示装置经过多次弯折后较易发生断裂,造成显示异常的问题。
为实现上述目的,本发明还提供一种显示面板,包括弯折区和非弯折区;以及薄膜晶体管结构层,具有阵列分布地薄膜晶体管;至少一孔槽,至少设于所述弯折区;有机填充层,填充于所述孔槽中,且所述有机填充层的表面高出所述孔槽的槽口;信号线,电连接于所述薄膜晶体管,且覆于所述有机填充层的表面形成凹凸不平的走线结构。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述至少一孔槽设于两个相邻的薄膜晶体管之间;所述信号线桥接于两个薄膜晶体管之间。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述薄膜晶体管结构层包括:基板;有源层,设于所述基板上;第一栅极绝缘层,设于所述有源层上;第一栅极层;设于所述第一栅极绝缘层上;源极和漏极,设于所述第一栅极层上,所述源极和所述漏极对应连接至所述有源层;每一薄膜晶体管具有所述有源层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极层、所述源极和所述漏极。
进一步的,在其他实施方式中,其还包括相互平行设置的若干数据线和相互平行设置的若干扫描线,所述扫描线垂直于所述数据线;所述信号线包括第一桥接线,连接在同一列的两个相邻薄膜晶体管的所述源极或漏极之间,所述第一桥接线平行于所述数据线;或/和第二桥接线,连接在同一行的两个相邻薄膜晶体管的所述栅极层之间,所述第二桥接线平行于所述扫描线。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述薄膜晶体管结构层还包括:第二栅极绝缘层,设于所述第一栅极层和所述源极之间;第二栅极层,设于所述第二栅极绝缘层和所述源极之间;层间介质层,设于所述第二栅极层和所述源极之间;所述孔槽从所述层间介质层的表面贯穿至所述基板的表面。
进一步的,在其他实施方式中,其还包括平坦层,设于所述源极、漏极和所述信号线上;像素电极层,设于所述平坦化层上,所述像素电极层与所述漏极相接;像素定义层,设于所述像素电极层上。
进一步的,在其他实施方式中,其中孔槽位于所述非弯折区或所述弯折区内。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述孔槽非连续地成排设置。
进一步的,在其他实施方式中,其中所述孔槽设置于同一列的两个相邻薄膜晶体管之间;或/和所述孔槽设置于同一行的两个相邻薄膜晶体管之间。
本发明的另一目的是提供一种制备方法,用以制备本发明涉及的所述显示面板,所述显示面板包括弯折区和非弯折区,所述制备方法包括以下步骤:提供一所述薄膜晶体管结构层,其具有阵列分布地薄膜晶体管;形成所述孔槽于所述弯折区内;在所述孔槽中填充有机填充层,且所述有机填充层的表面高出所述孔槽的槽口;沉积金属材料于所述有机填充层的表面形成凹凸不平的信号线,所述信号线电连接于所述薄膜晶体管。
进一步的,在其他实施方式中,其中在提供一薄膜晶体管结构层的步骤中,包括提供一基板;形成阻隔层于所述基板上;形成缓冲层于所述阻隔层上;沉积半导体材料于所述缓冲层上形成有源层;形成栅极绝缘层于所述有源层上;沉积金属材料于所述栅极绝缘层上形成栅极层;形成层间介质层于所述栅极层上;沉积金属材料于所述层间介质层上以及所述通孔中形成源漏极层,所述源漏极层通过所述通孔与所述有源层相接。
进一步的,在其他实施方式中,其中在沉积金属材料于所述有机填充层的表面形成凹凸不平的信号线的步骤后,还包括形成平坦层于所述层间介质层和所述信号线上;形成像素电极层于所述平坦层上;形成像素定义层于所述像素电极层上。
相对于现有技术,本发明的有益效果在于:本发明提供一种显示面板及其制备方法,在同一列或同一行的两个相邻薄膜晶体管之间设置孔槽,在孔槽内填充柔韧性较好的有机填充层,能够减小显示面板动态弯折时的应力集中并有效防止裂纹扩展;并且在有机填充层的表面形成凹凸不平走线结构的信号线,信号线电连接相邻的两个薄膜晶体管并与扫描线或数据线连接,由于有机填充层的表面高出孔槽的槽口,故信号线呈上下波浪型,能够提高信号线的弯折特性,降低信号线断裂的风险。
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1a为现有技术中提供的显示面板的剖视结构示意图;
图1为本发明实施例1提供的显示面板的剖视结构示意图;
图2为本发明实施例1提供的显示面板的俯视结构示意图;
图3为本发明实施例1提供的孔槽的俯视视结构示意图;
图4为本发明实施例1提供的显示面板的俯视结构示意图
图5为本发明实施例1提供的显示面板的制备方法的流程图;
图6为本发明实施例2提供的孔槽的俯视视结构示意图;
图7为本发明实施例3提供的显示面板的剖视结构示意图;
图8为本发明实施例3提供的显示面板的俯视结构示意图;
图9为本发明实施例4提供的显示面板的俯视结构示意图。
具体实施方式中的附图标记:
显示面板-100;非弯折区-101;弯折区-102;
薄膜晶体管结构层-110;基板-111;阻隔层-112;
缓冲层-113;
有源层-114;第一栅极绝缘层-1151;第一栅极层-1161;
第二栅极绝缘层-1152;第二栅极层-1162;
层间介质层-117;漏极-1181;源极-1182;
平坦层-120;像素电极层-130;像素定义层-140;
孔槽-150;有机填充层-160;
信号线-170;第一桥接线-171;第二桥接线-172。
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的,并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现,并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
实施例1
本实施例提供一种显示面板,请参阅图1和图2,图1和图2分别为本实施例提供的显示面板100的剖视结构示意图和俯视结构示意图。显示面板100包括弯折区102和非弯折区101以及薄膜晶体管结构层110、孔槽150、信号线170、平坦层120、像素电极层130和像素定义层140。
其中薄膜晶体管结构层110具有阵列分布的薄膜晶体管,包括基板111、阻隔层112、缓冲层113、有源层114、第一栅极绝缘层1151、第一栅极层1161、第二栅极绝缘层1152、第二栅极层1162、层间介质层117、漏极1181、以及源极1182。其中阻隔层112设于基板111上;所述缓冲层113设于阻隔层112上;所述有源层114设于缓冲层113上;有源层114的材料采用铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物中的至少一种。所述第一栅极绝缘层1151设于有源层114上;所述第一栅极层1161设于第一栅极绝缘层1151上,第一栅极层1161的材料采用钼、铝、铜或钛金属中的至少一种。所述第二栅极绝缘层1152设于第一栅极层1161上;所述第二栅极层1162设于第二栅极绝缘层1152上,第二栅极层1162的材料采用钼、铝、铜或钛金属中的至少一种。所述层间介质层117设于第二栅极层1162上,层间介质层117的材料采用氧化硅或氮化硅中的一种。漏极1181和源极1182设于层间介质层117上,漏极1181与有源层114相接;所述漏极1181的材料采用钼、铝、铜或钛金属中的至少一种。每一薄膜晶体管具有所述有源层114、所述第一栅极绝缘层1151、所述第一栅极层1161、所述源极1182和所述漏极1181。
在本实施例中,孔槽150设于弯折区102,在其他实施方式中,孔槽150也可以设于非弯折区101,在此不做限定。两个相邻的薄膜晶体管之间至少设有一孔槽150,在本实施例中,两个相邻的薄膜晶体管之间设有2个孔槽150,孔槽150从层间介质层117的表面贯穿至基板111的表面。
请参阅图3,图3所示为本实施例提供的孔槽150的俯视结构示意图。孔槽150连续地成排设置。
孔槽150中填充有有机填充层160,有机填充层160采用柔韧性较好的有机材料,能够减小显示面板动态弯折时的应力集中并有效防止裂纹扩展。
信号线170覆于有机填充层160的表面,在本实施例中,有机填充层160的表面高出孔槽150的槽口,以使覆于有机填充层160上的信号线170形成凹凸不平的走线结构,能够提高信号线的弯折特性,降低信号线断裂的风险。
所述显示面板包括相互平行设置的若干数据线和相互平行设置的若干扫描线,所述扫描线垂直于所述数据线。
信号线170为第一桥接线171,桥接于两个薄膜晶体管之间。请参阅图4,图4所示为本实施例提供的显示面板100的俯视结构示意图。在本实施例中,孔槽150设置于同一列的两个相邻薄膜晶体管之间,第一桥接线171连接在同一列的两个相邻薄膜晶体管的所述源极1182之间,第一桥接线171平行于所述数据线。
本实施例还提供一种制备方法,用以制备本实施例涉及的所述显示面板100,所述显示面板100包括弯折区和非弯折区,所述制备方法包括步骤S1-步骤S4。
请参阅图5,图5为本实施例提供的显示面板的制备方法的流程图。
步骤S1:提供一所述薄膜晶体管结构层,其具有阵列分布地薄膜晶体管。
其中在提供一薄膜晶体管结构层的步骤中,包括提供一基板;形成阻隔层于所述基板上;形成缓冲层于所述阻隔层上;沉积半导体材料于所述缓冲层上形成有源层;形成栅极绝缘层于所述有源层上;沉积金属材料于所述栅极绝缘层上形成栅极层;形成层间介质层于所述栅极层上;沉积金属材料于所述层间介质层上以及所述通孔中形成源漏极层,所述源漏极层通过所述通孔与所述有源层相接。
步骤S2:形成所述孔槽于所述弯折区内。
其中两个相邻的薄膜晶体管之间设有2个所述孔槽,所述孔槽从所述层间介质层的表面贯穿至所述基板的表面。
步骤S3:在所述孔槽中填充有机填充层,且所述有机填充层的表面高出所述孔槽的槽口。
其中有机填充层采用柔韧性较好的有机材料,能够减小显示面板动态弯折时的应力集中并有效防止裂纹扩展。
步骤S4:沉积金属材料于所述有机填充层的表面形成凹凸不平的信号线,所述信号线电连接于所述薄膜晶体管。
在本实施例中,有机填充层的表面高出孔槽的槽口,以使覆于有机填充层上的信号线形成凹凸不平的走线结构,能够提高信号线的弯折特性,降低信号线断裂的风险。孔槽设置于同一列的两个相邻薄膜晶体管之间,第一桥接线连接在同一列的两个相邻薄膜晶体管的所述源极之间,第一桥接线平行于所述数据线。
步骤S4之后还包括形成平坦层于所述层间介质层和所述信号线上;形成像素电极层于所述平坦层上;形成像素定义层于所述像素电极层上。
实施例2
本实施例中的显示面板结构与实施例1中的对应结构大致相同,其相同的结构可参照实施例1中的对应描述,此处不再赘述。其中两者的主要不同之处在于,孔槽150非连续地成排设置。请参阅图6,图6所示为本实施例提供的孔槽150的俯视结构示意图。
相对于实施例1,本实施例中的孔槽150在显示面板中占比更小,孔槽150中填充的有机填充层需求量更少,能够节约成本。
实施例3
本实施例中的显示面板结构与实施例1中的对应结构大致相同,其相同的结构可参照实施例1中的对应描述,此处不再赘述。其中两者的主要不同之处在于,信号线170为第二桥接线172,连接在同一行的两个相邻薄膜晶体管的所述第一栅极层1161之间。请参阅图7和图8所示,图7为本实施例提供的显示面板100的剖视结构示意图,图8为本实施例提供的显示面板100的俯视结构示意图。在本实施例中,孔槽150设置于同一行的两个相邻薄膜晶体管之间,第二桥接线172连接在同一行的两个相邻薄膜晶体管的第一栅极层1161之间,第二桥接线172平行于所述扫描线。
在其他实施方式中,第二桥接线172也同时连接在同一行的两个相邻薄膜晶体管的第二栅极层1162之间。
实施例4
本实施例中的显示面板结构与实施例1中的对应结构大致相同,其相同的结构可参照实施例1中的对应描述,此处不再赘述。其中两者的主要不同之处在于,信号线170包括第一桥接线171和第二桥接线172,第一桥接线171连接在同一列的两个相邻薄膜晶体管的所述源极1182之间,同时第二桥接线172连接在同一行的两个相邻薄膜晶体管的所述第一栅极层1161之间。
请参阅图9,图9所示为本实施例提供的显示面板100的俯视结构示意图。在本实施例中,孔槽150设置于同一列的两个相邻薄膜晶体管之间和同一行的两个相邻薄膜晶体管之间,第一桥接线171连接在同一列的两个相邻薄膜晶体管的所述源极1182之间,第一桥接线171平行于所述数据线,第二桥接线172连接在同一行的两个相邻薄膜晶体管的第一栅极层1161之间,第二桥接线172平行于所述扫描线。
本发明的有益效果在于:本发明提供一种显示面板及其制备方法,在同一列或同一行的两个相邻薄膜晶体管之间设置孔槽,在孔槽内填充柔韧性较好的有机填充层,能够减小显示面板动态弯折时的应力集中并有效防止裂纹扩展;并且在有机填充层的表面形成凹凸不平走线结构的信号线,信号线电连接相邻的两个薄膜晶体管并与扫描线或数据线连接,由于有机填充层的表面高出孔槽的槽口,故信号线呈上下波浪型,能够提高信号线的弯折特性,降低信号线断裂的风险。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (20)
- 一种显示面板,其中,包括弯折区和非弯折区;以及薄膜晶体管结构层,具有阵列分布地薄膜晶体管;至少一孔槽,至少设于所述弯折区;有机填充层,填充于所述孔槽中,且所述有机填充层的表面高出所述孔槽的槽口;信号线,电连接于所述薄膜晶体管,且覆于所述有机填充层的表面形成凹凸不平的走线结构。
- 根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述至少一孔槽设于两个相邻的薄膜晶体管之间;所述信号线桥接于两个薄膜晶体管之间。
- 根据权利要求2所述的显示面板,其中,所述薄膜晶体管结构层包括:基板;有源层,设于所述基板上;第一栅极绝缘层,设于所述有源层上;第一栅极层;设于所述第一栅极绝缘层上;源极和漏极,设于所述第一栅极层上,所述源极和所述漏极对应连接至所述有源层;每一薄膜晶体管具有所述有源层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极层、所述源极和所述漏极。
- 根据权利要求3所述的显示面板,其中,还包括相互平行设置的若干数据线和相互平行设置的若干扫描线,所述扫描线垂直于所述数据线;所述信号线包括第一桥接线,连接在同一列的两个相邻薄膜晶体管的所述源极或漏极之间,所述第一桥接线平行于所述数据线;或/和第二桥接线,连接在同一行的两个相邻薄膜晶体管的所述栅极层之间,所述第二桥接线平行于所述扫描线。
- 根据权利要求4所述的显示面板,其中,还包括:平坦层,设于所述源极、漏极和所述信号线上;像素电极层,设于所述平坦化层上,所述像素电极层与所述漏极相接;像素定义层,设于所述像素电极层上。
- 根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述孔槽位于所述非弯折区或所述弯折区内。
- 根据权利要求1所述的显示面板,其中,所述孔槽非连续地成排设置。
- 根据权利要求7所述的显示面板,其中,所述孔槽设置于同一列的两个相邻薄膜晶体管之间;或/和所述孔槽设置于同一行的两个相邻薄膜晶体管之间。
- 一种制备方法,用以制备如权利要求1所述的显示面板,所述显示面板包括弯折区和非弯折区,其中,所述制备方法包括以下步骤:提供一所述薄膜晶体管结构层,其具有阵列分布地薄膜晶体管;形成所述孔槽于所述弯折区内;在所述孔槽中填充有机填充层,且所述有机填充层的表面高出所述孔槽的槽口;沉积金属材料于所述有机填充层的表面形成凹凸不平的信号线,所述信号线电连接于所述薄膜晶体管。
- 根据权利要求9所述的制备方法,其中,在沉积金属材料于所述有机填充层的表面形成凹凸不平的信号线的步骤后,还包括形成平坦层于所述薄膜晶体管结构层和所述信号线上;形成像素电极层于所述平坦层上;形成像素定义层于所述像素电极层上。
- 根据权利要求9所述的制备方法,其中,所述至少一孔槽设于两个相邻的薄膜晶体管之间;所述信号线桥接于两个薄膜晶体管之间。
- 根据权利要求9所述的制备方法,其中,所述孔槽非连续地成排设置。
- 根据权利要求9所述的制备方法,其中,所述孔槽设置于同一列的两个相邻薄膜晶体管之间;或/和所述孔槽设置于同一行的两个相邻薄膜晶体管之间。
- 一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1所述的显示面板。
- 根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述薄膜晶体管结构层包括:基板;有源层,设于所述基板上;第一栅极绝缘层,设于所述有源层上;第一栅极层;设于所述第一栅极绝缘层上;源极和漏极,设于所述第一栅极层上,所述源极和所述漏极对应连接至所述有源层;每一薄膜晶体管具有所述有源层、所述第一栅极绝缘层、所述第一栅极层、所述源极和所述漏极。
- 根据权利要求15所述的显示装置,其中,还包括相互平行设置的若干数据线和相互平行设置的若干扫描线,所述扫描线垂直于所述数据线;所述信号线包括第一桥接线,连接在同一列的两个相邻薄膜晶体管的所述源极或漏极之间,所述第一桥接线平行于所述数据线;或/和第二桥接线,连接在同一行的两个相邻薄膜晶体管的所述栅极层之间,所述第二桥接线平行于所述扫描线。
- 根据权利要求16所述的显示装置,其中,还包括:平坦层,设于所述源极、漏极和所述信号线上;像素电极层,设于所述平坦化层上,所述像素电极层与所述漏极相接;像素定义层,设于所述像素电极层上。
- 根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述孔槽位于所述非弯折区或所述弯折区内。
- 根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述孔槽非连续地成排设置。
- 根据权利要求14所述的显示装置,其中,所述孔槽设置于同一列的两个相邻薄膜晶体管之间;或/和所述孔槽设置于同一行的两个相邻薄膜晶体管之间。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17/051,182 US20210305348A1 (en) | 2020-03-31 | 2020-05-25 | Display panel and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010246054.1 | 2020-03-31 | ||
CN202010246054.1A CN111430417B (zh) | 2020-03-31 | 2020-03-31 | 一种显示面板及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2021196372A1 true WO2021196372A1 (zh) | 2021-10-07 |
Family
ID=71549394
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/CN2020/092133 WO2021196372A1 (zh) | 2020-03-31 | 2020-05-25 | 一种显示面板及其制备方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111430417B (zh) |
WO (1) | WO2021196372A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112002702B (zh) * | 2020-08-06 | 2022-09-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及可卷曲显示装置 |
CN112259555A (zh) * | 2020-10-13 | 2021-01-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
CN114171567B (zh) * | 2021-12-07 | 2023-05-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及电子设备 |
CN114495722A (zh) * | 2022-02-10 | 2022-05-13 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160131942A1 (en) * | 2014-11-11 | 2016-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of manufacturing a polarizer |
CN108288637A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板 |
CN109585514A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-04-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及具有该显示面板的显示装置 |
CN109671761A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN110444578A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及其制造方法 |
CN110444549A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及其制造方法 |
-
2020
- 2020-03-31 CN CN202010246054.1A patent/CN111430417B/zh active Active
- 2020-05-25 WO PCT/CN2020/092133 patent/WO2021196372A1/zh active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20160131942A1 (en) * | 2014-11-11 | 2016-05-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Display panel and method of manufacturing a polarizer |
CN108288637A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板 |
CN109585514A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-04-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及具有该显示面板的显示装置 |
CN109671761A (zh) * | 2018-12-19 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
CN110444578A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及其制造方法 |
CN110444549A (zh) * | 2019-08-14 | 2019-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111430417B (zh) | 2022-09-09 |
CN111430417A (zh) | 2020-07-17 |
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