CN108288637A - 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种柔性显示面板的制作方法，包括如下步骤：提供一阵列基板，阵列基板包括半导体层，将柔性显示面板划分为相邻的像素区和弯折区，像素区包括半导体层；在弯折区挖设第二凹槽，第二凹槽在阵列基板内形成台阶结构，台阶结构由阵列基板内部向相对第二凹槽内壁的方向延伸；在第二凹槽内填充有机材料，第二凹槽填充的有机材料与阵列基板平齐的表面形成内凹的锥形槽；在阵列基板上制作源极、漏极和源漏极走线，源极和漏极连接至半导体层，源漏极走线覆盖锥形槽。通过上述设置，可以降低源漏极走线在锥形槽位置的弯折程度，从而可以有效改善源漏极走线在锥形槽位置发生断裂的问题。本发明还提供了一种柔性显示面板。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板。
背景技术
传统的柔性OLED显示面板制作过程中，为增强显示面板的弯折性能，会在OLED内的层结构中的无机层上开设若干孔，并在若干孔中填充有机材料，由于有机材料的弯折性能显著优于无机材料，借此提高OLED显示面板的弯折性能。
但在填充有机材料时，由于开设的孔较深，有机材料不能在太深的孔中填满，会在外表面形成一锥形槽，且锥型槽的深度过深且坡度过陡，在制作源漏极走线时在锥形槽位置走线弯折角度过大，容易造成走线断裂。
发明内容
本发明的目的是提供一种柔性显示面板的制作方法，可以降低源漏极走线在锥形槽位置的弯折程度，从而可以有效改善源漏极走线在锥形槽位置发生断裂的问题。
为实现本发明的目的，本发明提供了如下的技术方案：
第一方面，本发明提供一种柔性显示面板的制作方法，包括如下步骤：
提供一阵列基板，所述阵列基板包括半导体层，将柔性显示面板划分为相邻的像素区和弯折区，所述像素区包括所述半导体层；
在所述弯折区挖设第二凹槽，所述第二凹槽在所述阵列基板内形成台阶结构，所述台阶结构由所述阵列基板内部向相对第二凹槽内壁的方向延伸；
在所述第二凹槽内填充有机材料，所述第二凹槽填充的有机材料与所述阵列基板平齐的表面形成内凹的锥形槽；
在所述阵列基板上制作源极、漏极和源漏极走线，所述源极和所述漏极连接至所述半导体层，所述源漏极走线覆盖所述锥形槽。
在第一方面的第一种可能的实现方式中，在所述像素区挖设第一凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽的图形由同一掩膜版制作，在所述第一凹槽内填充有机材料。
结合第一方面及第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述掩膜版包括第一透过区和第二透过区，所述第一透过区对应所述第一凹槽的位置，所述第二透过区对应所述第二凹槽的位置，所述第一透过区对光具有第一透过率，所述第二透过区包括中心区和第一边缘区，所述中心区对光具有第二透过率，所述第一边缘区对光具有第三透过率，所述第二透过率大于所述第三透过率，挖设所述第一凹槽和所述第二凹槽的步骤包括：
通过所述掩膜版对所述像素区和所述弯折区进行曝光；
显影所述像素区和所述弯折区曝光区域，得到所述第一凹槽和所述第二凹槽的图形；
刻蚀所述第一凹槽和所述第二凹槽的图形，得到所述第一凹槽和所述第二凹槽，且所述第二凹槽在所述阵列基板内形成所述台阶结构。
结合第一方面及第一方面的第二种可能的实现方式，在第一方面的第三种可能的实现方式中，所述第一透过率为30％～60％，所述第二透过率为90％～100％。
结合第一方面及第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第四种可能的实现方式中，刻蚀所述第一凹槽和所述第二凹槽时控制所述第一凹槽和所述第二凹槽呈从所述阵列基板表面向内逐渐缩小的形状。
结合第一方面及第一方面的第一种可能的实现方式，在第一方面的第五种可能的实现方式中，在所述掩膜版的所述第二透过区设置第二边缘区，所述第二边缘区和所述第一边缘区相对设置于所述中心区两侧，以使所述第二凹槽的所述台阶结构形成相对的第一台阶结构和第二台阶结构。
结合第一方面及第一方面的第一种至第五种可能的任一实现方式，在第一方面的第六种可能的实现方式中，所述阵列基板包括依次层叠设置的基材层、阻隔层、缓冲层、所述半导体层、第一栅极绝缘层、所述第一栅极层、第二栅极绝缘层、所述第二栅极层和介电层，所述第一凹槽贯通所述介电层、所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层，所述第二凹槽贯通所述介电层、所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层、所述缓冲层和所述阻隔层，所述台阶结构设于所述缓冲层。
结合第一方面及第一方面的第六种可能的实现方式，在第一方面的第七种可能的实现方式中，还包括步骤如下：
在所述介电层上层叠一平坦层，所述平坦层覆盖所述源极、所述漏极和所述源漏极走线，在所述平坦层上制作阳极，所述阳极连接至所述漏极，在所述平坦层上层叠一像素定义层，所述像素定义层覆盖所述阳极，在所述像素定义层上制作OLED发光层并连接至所述阳极。
结合第一方面及第一方面的第七种可能的实现方式，在第一方面的第八种可能的实现方式中，所述基材层、所述平坦层和所述像素定义层的材料为有机材料，所述阻隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层的材料为无机材料。
第二方面，本发明还提供了一种柔性显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括半导体层，柔性显示面板包括相邻的像素区和弯折区，所述像素区包括所述半导体层，所述弯折区设有第二凹槽，所述第二凹槽在所述阵列基板内形成台阶结构，所述台阶结构由所述阵列基板内部向相对第二凹槽内壁的方向延伸，所述第二凹槽内填充有有机材料，所述第二凹槽填充的有机材料与所述阵列基板平齐的表面形成内凹的锥形槽，所述阵列基板上还设有源极、漏极和源漏极走线，所述源极和所述漏极连接至所述半导体层，所述源漏极走线覆盖所述锥形槽。
本发明的有益效果：
本发明提供的一种柔性显示面板的制作方法，通过挖设第二凹槽在阵列基板内形成台阶结构，使得在第二凹槽内填充的有机材料可以填充至更深的位置，可以将第二凹槽填的更满，从而使得锥形槽可以更浅，坡度也可以更缓，可以降低源漏极走线在锥形槽位置的弯折程度，从而可以有效改善源漏极走线在锥形槽位置发生断裂的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明一种实施方式的柔性显示面板制作方法的第一步的结构示意图；
图2是本发明的柔性显示面板制作方法的第二步的结构示意图；
图3是本发明的柔性显示面板制作方法的第三步的结构示意图；
图4是本发明的柔性显示面板制作方法的第四步的结构示意图；
图5是图4中的A处的局部放大结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，图1是本发明一种实施方式的柔性显示面板制作方法的第一步的结构示意图，本发明提供一种柔性显示面板的制作方法，其第一步为：
提供一阵列基板，所述阵列基板包括半导体层500，将柔性显示面板划分为相邻的像素区10和弯折区20，所述像素区10包括所述半导体层500。进一步的，所述阵列基板包括依次层叠设置的基材层100、阻隔层200、缓冲层300、所述半导体层500、第一栅极绝缘层400、第一栅极层700、第二栅极绝缘层600、第二栅极层900和介电层800。
请参考图2，图2是本发明的柔性显示面板制作方法的第二步的结构示意图，本发明提供一种柔性显示面板的制作方法的第二步为：
在所述弯折区20挖设第二凹槽51，所述第二凹槽51在所述阵列基板内形成台阶结构53，所述台阶结构53由所述阵列基板内部向相对第二凹槽51内壁的方向延伸。进一步的，在所述像素区10挖设第一凹槽41，所述第一凹槽41与所述第二凹槽51的图形由同一掩膜版30制作。挖设第一凹槽41和第二凹槽51可以同步进行，也可以分先后顺序进行。进一步的，第一凹槽41贯通所述介电层800、所述第二栅极绝缘层600和所述第一栅极绝缘层400，所述第二凹槽51贯通所述介电层800、所述第二栅极绝缘层600、所述第一栅极绝缘层400、所述缓冲层300和所述阻隔层200，所述台阶结构53设于所述缓冲层300。
请参考图3，图3是本发明的柔性显示面板制作方法的第三步的结构示意图，本发明提供一种柔性显示面板的制作方法的第三步为：
在所述第二凹槽51内填充有机材料62，所述第二凹槽51填充的有机材料62与所述阵列基板平齐的表面形成内凹的锥形槽63。具体而言，有机材料62与介电层800的表面平齐的表面形成向介电层内部方向内凹的锥形槽63，锥形槽63的开口方向与第二凹槽51的开口方向相同，均为背离基材层100的方向。本实施方式中，还包括在第一凹槽41内填充有机材料61的步骤。
请参考图4，图4是本发明的柔性显示面板制作方法的第四步的结构示意图，本发明提供一种柔性显示面板的制作方法的第四步为：
在所述阵列基板上制作源极150、漏极250和源漏极走线70，所述源极150和所述漏极250连接至所述半导体层500，所述源漏极走线70覆盖所述锥形槽63。进一步的，在所述介电层800上制作源极150、漏极250和源漏极走线70，在所述介电层800上层叠一平坦层350，所述平坦层350覆盖所述源极150、所述漏极250和所述源漏极走线70，在所述平坦层350上制作阳极450，所述阳极450连接至所述漏极250，在所述平坦层350上层叠一像素定义层550，所述像素定义层550覆盖所述阳极450，在所述像素定义层550上制作OLED发光层650并连接至所述阳极450。
通过挖设第二凹槽51在阵列基板内形成台阶结构，使得在第二凹槽51内填充的有机材料62可以填充至更深的位置，可以将第二凹槽51填的更满，从而使得锥形槽63可以更浅，坡度也可以更缓，可以降低源漏极走线70在锥形槽63位置的弯折程度，从而可以有效改善源漏极走线70在锥形槽63位置发生断裂的问题。
本实施方式中，所述阻隔层200、所述缓冲层300、所述第一栅极绝缘层400、所述第二栅极绝缘层600和所述介电层800的材料为无机材料。具体的，基材层100具有柔性，基材层100的材质有机材料，优选为聚酰亚胺(polyimide)，在基材层100上层叠阻隔层200和缓冲层300的工艺可以采用沉积法，阻隔层200的的材料可以为硅氧化物(SiOx)，缓冲层300的材料可以为氮化硅和氧化硅(SiNx+SiOx)。层叠半导体层500的工艺可以为曝光显影蚀刻工艺，得到图形化的半导体层500，半导体层500的材料可以为低温多晶硅(Poly-Si)。第一栅极绝缘层400用于使第一栅极层700与半导体层500绝缘，第一栅极绝缘层400的制作工艺为沉积法。第一栅极层700的制作工艺可以为曝光显影蚀刻工艺，得到图形化的第一栅极层700，第一栅极层700的材料可以为钼(Mo)。第二栅极绝缘层600的制作方法可以与第一栅极绝缘层400的制作方法相同，即采用沉积法。第二栅极层900的制作方法可以与第一栅极层700的制作方法相同，即采用曝光显影蚀刻工艺，得到图形化的第二栅极层900，第二栅极层900的材质可以为钼(Mo)。介电层800的制作方法也可以采用沉积法，介电层800的材质可以为氮化硅和氧化硅(SiNx+SiOx)，介电层800制作完毕后进行退火氢化和活化，以便于进行下一步制程。
本实施方式中，制作源极150和漏极250的工艺可以为先制作一过孔联通介电层800至半导体层500，然后在介电层800上沉积一金属层，该金属层的材质可以可以为钛铝钛(Ti/Al/Ti)，该金属层的金属填满过孔，接着使用曝光显影蚀刻工艺图形化该金属层，得到源极150和漏极250的图案。制作源漏极走线70可以采用沉积与源极150和漏极250相同的金属层，并通过曝光显影蚀刻工艺图案化形成，源漏极走线70用于与柔性显示面板外的驱动IC连接，本实施方式中，第一凹槽41内填充的有机材料61处未设置源漏极走线，因此，第一凹槽41处不需要进行处理源漏极走线易断裂的问题。制作平坦层350的工艺可以为沉积法，所述平坦层350和所述像素定义层550的材料为有机材料，优选为聚酰亚胺(polyimide)，以提供良好的柔性。阳极450的制作方法可以为在平坦层350上制作一过孔联通至漏极250，然后沉积一金属层，该金属层的材质可以为氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)，该金属层填满该过孔，然后通过曝光显影蚀刻工艺图形化该金属层，得到阳极450的图案。制作像素定义层550也可以采用沉积法。OLED发光层650采用蒸镀工艺制作，将OLED有机发光材料形成的蒸汽通过掩膜版沉积在像素定义层550上与阳极联通的过孔里。
一种实施方式中，所述锥形槽63与所述台阶结构53具有在所述基材层100上部分重合的投影，优选的，锥形槽63与台阶结构53具有比例为1/3～1/2的投影比例。通过设置锥形槽63与台阶结构53在基材层100上有重合的投影，可以使得有机材料在第二凹槽51内流动并填满时，锥形槽63的位置处于台阶结构53与第二凹槽51内的更深的槽52之间的位置的正上方，由于台阶结构53可以填充的更深，因此有机材料在更深的槽52的位置不易塌陷，使得锥形槽63的深度更浅，坡度更缓。
一种实施方式中，请参考图2，挖设所述第一凹槽41和所述第二凹槽51的步骤包括：
提供一所述掩膜版30，所述掩膜版30包括第一透过区31和第二透过区32，所述第一透过区31对应所述第一凹槽41的位置，所述第二透过区32对应所述第二凹槽51的位置，所述第一透过区31对光具有第一透过率，所述第二透过区32包括中心区33和第一边缘区34，所述中心区33对光具有第二透过率，所述第一边缘区34对光具有第三透过率，所述第二透过率大于所述第三透过率，通过所述掩膜版30对所述像素区10和所述弯折区20进行曝光；
显影所述像素区10和所述弯折区20曝光区域，得到所述第一凹槽41和所述第二凹槽51的图形；
刻蚀所述第一凹槽41和所述第二凹槽51的图形，得到所述第一凹槽41和所述第二凹槽51，且在所述第二凹槽52的所述阵列基板内形成所述台阶结构53。
本实施方式中，由于掩膜版30具有第一透过区31和第二透过区32，并且在第一透过区31、第二透过区32对光具有不同的透过率，可以实现对不同深度和形状的图案的制作，因此，通过设置一块掩膜版30即可一次性制作第一凹槽41和第二凹槽51的图形，相比于现有技术采用多块掩膜版分多次进行制作图形的技术方案，本实施方式的技术方案大幅的简化了工艺流程，可以节省制造成本。
一种实施方式中，所述第一透过率为30％～60％，所述第二透过率为90％～100％。进一步的，所述第一透过率为40％～50％，所述第二透过率为95％～100％。新一步优选的，所述第一透过率为50％，所述第二透过率为100％。透过率越高穿透掩膜版30的光线越多，光所制作的图形的深度就越深，本实施方式中，中心区33的透过率最高，光透过中心区33所制作的图形的深度贯穿介电层800、第二栅极绝缘层600、第一栅极绝缘层400、缓冲层300和阻隔层200，而第一透过区31和第一边缘区34透过的光比中心区34透过的光更少，使得第一透过区31和第一边缘区34透过的光所制作的图形的深度比中心区34所制作的图形的深度更浅，中心区34所制作的更深的图形如图2中标号52所示，从而使得第二凹槽52能形成台阶结构53。
进一步的，所述第三透过率与所述第一透过率相同。如此可以使第一透过区31所制作的图形的深度与第二透过区32的第一边缘区34所制作的图形的深度相同。本实施方式中，第一透过区31及第二透过区32的第一边缘区34所制作的图形的深度贯穿所述介电层800、所述第二栅极绝缘层600和所述第一栅极绝缘层400。
进一步的，在所述掩膜版30的所述第二透过区32设置第二边缘区35，所述第二边缘区35和所述第一边缘区34相对设置于所述中心区33两侧，以使所述第二凹槽51的所述台阶结构形成相对的第一台阶结构53和第二台阶结构54。
进一步的，所述第二边缘区35的尺寸与第一边缘区34的尺寸相同，即第二边缘区35和第一边缘区34对称设置于中心区33的两侧，使得形成的第一台阶结构53和第二台阶结构54的尺寸相同，使得后续填充有机材料62所形成的锥形槽63的形状和结构也呈对称状，有利于源漏极走线70的走线。
一种实施方式中，刻蚀所述第一凹槽41和所述第二凹槽51时控制所述第一凹槽41和所述第二凹槽51呈从所述阵列基板表面向内逐渐缩小的形状。进一步的，刻蚀所述第一凹槽41时控制所述第一凹槽41呈从所述介电层800尺寸向所述第一栅极绝缘层400逐渐缩小的形状，刻蚀所述第二凹槽51时控制所述第二凹槽51呈从所述缓冲层300向所述阻隔层200尺寸逐渐缩小的形状，所述介电层800向所述第一栅极绝缘层400尺寸逐渐缩小的形状，且第二凹槽51位于所述第一栅极绝缘层400底边的尺寸大于所述缓冲层300顶边的尺寸，以形成所述台阶结构53。通过上述设置，使得第一凹槽41呈倒梯形的形状，第二凹槽51呈2个倒梯形叠加的形状，便于刻刀的退刀，同时也便于有机材料填满第一凹槽41和第二凹槽51。
一种实施方式中，请参考图5，图5是图4中A处的局部放大结构图，图中将源漏极走线70与有机材料62进行分离示出。所述第二凹槽51内填充的所述有机材料62形成的锥形槽63的坡度与所述介电层800的延伸平面的夹角α为0～45°。由于设置有台阶结构53，使得有机材料62可以填充更深的位置，有机材料表面下凹形成的锥形槽63会更浅，坡度也会更缓，本实施方式中，锥形槽63包括一底面以及坡面，坡面连接在底面与有机材料62外表面之间，有机材料62外表面与介电层800的表面齐平共面。进一步的，所述锥形槽63的坡度与所述介电层800的延伸平面的夹角α为5～35°，进一步的，所述锥形槽63的坡度与所述介电层800的延伸平面的夹角α为15～30°。
请参考图4，本发明还提供了一种柔性显示面板，包括阵列基板，所述阵列基板包括半导体层500，柔性显示面板包括相邻的像素区10和弯折区20，所述像素区10包括所述半导体层500，所述弯折区20设有第二凹槽(参考图2中标号51)，所述第二凹槽51在所述阵列基板内形成台阶结构53，所述台阶结构53由所述阵列基板内部向相对第二凹槽53内壁的方向延伸，所述第二凹槽51内填充有有机材料62，所述第二凹槽51填充的有机材料62与所述阵列基板平齐的表面形成内凹的锥形槽(参考图3中标号63)，所述阵列基板上还设有源极150、漏极250和源漏极走线70，所述源极150和所述漏极250连接至所述半导体层500，所述源漏极走线70覆盖所述锥形槽63。
本实施方式的柔性显示面板通过设置具有台阶结构53的第二凹槽51，并在第二凹槽51内填充有机材料62，由于有机材料相比无机材料具有更好的柔性性能，使得本实施方式的柔性显示面板的柔性性能更强，同时，有机材料62在第二凹槽51内能填充至更深的位置，可以将第二凹槽51填的更满，使得有机材料62外表面形成的锥形槽63的深度更浅，坡度更缓，可以降低源漏极走线70在锥形槽63位置的弯折程度，有利于改善源漏极走线70在锥形槽63位置的断裂问题。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施方式而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施方式的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种柔性显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供一阵列基板，所述阵列基板包括半导体层，将柔性显示面板划分为相邻的像素区和弯折区，所述像素区包括所述半导体层；
在所述弯折区挖设第二凹槽，所述第二凹槽在所述阵列基板内形成台阶结构，所述台阶结构由所述阵列基板内部向相对第二凹槽内壁的方向延伸；
在所述第二凹槽内填充有机材料，所述第二凹槽填充的有机材料与所述阵列基板平齐的表面形成内凹的锥形槽；
在所述阵列基板上制作源极、漏极和源漏极走线，所述源极和所述漏极连接至所述半导体层，所述源漏极走线覆盖所述锥形槽。
2.如权利要求1所述的柔性显示面板的制作方法，其特征在于，还包括步骤如下：
在所述像素区挖设第一凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽的图形由同一掩膜版制作，在所述第一凹槽内填充有机材料。
3.如权利要求2所述的柔性显示面板的制作方法，其特征在于，所述掩膜版包括第一透过区和第二透过区，所述第一透过区对应所述第一凹槽的位置，所述第二透过区对应所述第二凹槽的位置，所述第一透过区对光具有第一透过率，所述第二透过区包括中心区和第一边缘区，所述中心区对光具有第二透过率，所述第一边缘区对光具有第三透过率，所述第二透过率大于所述第三透过率，挖设所述第一凹槽和所述第二凹槽的步骤包括：
通过所述掩膜版对所述像素区和所述弯折区进行曝光，形成所述像素区和所述弯折区的曝光区域；
显影所述像素区和所述弯折区的曝光区域，得到所述第一凹槽和所述第二凹槽的图形；
刻蚀所述第一凹槽和所述第二凹槽的图形，得到所述第一凹槽和所述第二凹槽，且所述第二凹槽在所述阵列基板内形成所述台阶结构。
4.如权利要求3所述的柔性显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一透过率为30％～60％，所述第二透过率为90％～100％。
5.如权利要求3所述的柔性显示面板的制作方法，其特征在于，刻蚀所述第一凹槽和所述第二凹槽时控制所述第一凹槽和所述第二凹槽呈从所述阵列基板表面向内逐渐缩小的形状。
6.如权利要求3所述的柔性显示面板的制作方法，其特征在于，在所述掩膜版的所述第二透过区设置第二边缘区，所述第二边缘区和所述第一边缘区相对设置于所述中心区两侧，以使所述第二凹槽的所述台阶结构形成相对的第一台阶结构和第二台阶结构。
7.如权利要求1至6任一所述的柔性显示面板的制作方法，其特征在于，所述阵列基板包括依次层叠设置的基材层、阻隔层、缓冲层、所述半导体层、第一栅极绝缘层、所述第一栅极层、第二栅极绝缘层、所述第二栅极层和介电层，所述第一凹槽贯通所述介电层、所述第二栅极绝缘层和所述第一栅极绝缘层，所述第二凹槽贯通所述介电层、所述第二栅极绝缘层、所述第一栅极绝缘层、所述缓冲层和所述阻隔层，所述台阶结构设于所述缓冲层。
8.如权利要求7所述的柔性显示面板的制作方法，其特征在于，还包括步骤如下：
在所述介电层上层叠一平坦层，所述平坦层覆盖所述源极、所述漏极和所述源漏极走线，在所述平坦层上制作阳极，所述阳极连接至所述漏极，在所述平坦层上层叠一像素定义层，所述像素定义层覆盖所述阳极，在所述像素定义层上制作OLED发光层并连接至所述阳极。
9.如权利要求8所述的柔性显示面板的制作方法，其特征在于，所述基材层、所述平坦层和所述像素定义层的材料为有机材料，所述阻隔层、所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述介电层的材料为无机材料。
10.一种柔性显示面板，其特征在于，包括阵列基板，所述阵列基板包括半导体层，柔性显示面板包括相邻的像素区和弯折区，所述像素区包括所述半导体层，所述弯折区设有第二凹槽，所述第二凹槽在所述阵列基板内形成台阶结构，所述台阶结构由所述阵列基板内部向相对第二凹槽内壁的方向延伸，所述第二凹槽内填充有有机材料，所述第二凹槽填充的有机材料与所述阵列基板平齐的表面形成内凹的锥形槽，所述阵列基板上还设有源极、漏极和源漏极走线，所述源极和所述漏极连接至所述半导体层，所述源漏极走线覆盖所述锥形槽。
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|---|---|
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|---|---|
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Cited By (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109003573A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-12-14 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
| CN109037244A (zh) * | 2018-08-02 | 2018-12-18 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN109065575A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-12-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN109166880A (zh) * | 2018-07-25 | 2019-01-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制备方法 |
| CN109273503A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN109300964A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled面板及其制作方法 |
| CN109493728A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-19 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN109494313A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-03-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN109585514A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-04-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及具有该显示面板的显示装置 |
| CN109638054A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及制作方法 |
| CN109671719A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN109860252A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-06-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN109887928A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-06-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板 |
| CN109920332A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板、其制备方法及显示面板 |
| CN110047880A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-07-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| WO2019144472A1 (zh) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板 |
| CN110112142A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板及电子装置 |
| CN110112186A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-08-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 |
| CN110610968A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| WO2020029390A1 (zh) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN111063697A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-04-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| CN111129027A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器的结构及其制作方法 |
| CN111312659A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111354741A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 上海和辉光电有限公司 | 柔性阵列基板及其制作方法、柔性显示面板 |
| CN111415947A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-14 | 维沃移动通信有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示面板和电子设备 |
| CN111430417A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| WO2020155517A1 (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板、显示面板及制备方法 |
| CN111505897A (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、柔性显示面板及其制作方法 |
| CN111508349A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制造方法及电子设备 |
| CN111627928A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-09-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示面板制备方法以及柔性显示器 |
| CN111627926A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-09-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
| CN111755624A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| WO2020228199A1 (zh) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN112002702A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及可卷曲显示装置 |
| WO2020258550A1 (zh) * | 2019-06-26 | 2020-12-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
| WO2021027164A1 (zh) * | 2019-08-14 | 2021-02-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示器及其制造方法 |
| WO2021027024A1 (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
| WO2021031337A1 (zh) * | 2019-08-20 | 2021-02-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
| US10964731B2 (en) | 2018-12-04 | 2021-03-30 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof and display device |
| US11088234B2 (en) | 2019-04-29 | 2021-08-10 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel |
| WO2021217840A1 (zh) * | 2020-04-26 | 2021-11-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
| US11271057B2 (en) * | 2020-02-12 | 2022-03-08 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel |
| CN114188380A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN114220832A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
| WO2022233069A1 (zh) * | 2021-05-07 | 2022-11-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
| US11881133B2 (en) | 2019-07-15 | 2024-01-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110544710A (zh) * | 2019-08-08 | 2019-12-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板及显示装置 |
| CN111261643B (zh) * | 2020-02-10 | 2022-12-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160260790A1 (en) * | 2012-09-19 | 2016-09-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and organic light-emitting diode display |
| CN106601133A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 |
| CN106783917A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性显示屏结构及其制作方法 |
| CN107086236A (zh) * | 2016-02-12 | 2017-08-22 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| CN107546247A (zh) * | 2017-07-26 | 2018-01-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102292148B1 (ko) * | 2014-03-13 | 2021-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기의 제작 방법 |
| CN105845701A (zh) | 2015-01-16 | 2016-08-10 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示装置及其制作方法 |
| KR102513332B1 (ko) * | 2015-09-25 | 2023-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 패널 |
| JP2017192659A (ja) | 2016-04-22 | 2017-10-26 | 株式会社ナチュラレーザ・ワン | ウェアラブル・バンド並びにこれを取り付けた電子機器 |
| KR20180034780A (ko) * | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 디스플레이 장치의 제조 방법 |
| CN107170758B (zh) | 2017-05-25 | 2020-08-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制作方法、显示装置 |
| CN107195794B (zh) * | 2017-06-06 | 2019-07-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及其制作方法、显示面板、显示装置 |
| CN107424519B (zh) | 2017-06-26 | 2019-09-24 | 武汉天马微电子有限公司 | 柔性显示面板及柔性显示装置 |
| CN107204357B (zh) | 2017-07-05 | 2019-08-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法、柔性显示装置 |
| CN108288637B (zh) * | 2018-01-24 | 2021-03-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板 |
| KR102584517B1 (ko) * | 2018-02-28 | 2023-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102441330B1 (ko) * | 2019-03-27 | 2022-09-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 |
-
2018
- 2018-01-24 CN CN201810069797.9A patent/CN108288637B/zh active Active
- 2018-03-08 US US15/780,023 patent/US11114627B2/en active Active
- 2018-03-08 WO PCT/CN2018/078473 patent/WO2019144472A1/zh active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160260790A1 (en) * | 2012-09-19 | 2016-09-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array substrate and organic light-emitting diode display |
| CN107086236A (zh) * | 2016-02-12 | 2017-08-22 | 三星显示有限公司 | 显示装置 |
| CN106783917A (zh) * | 2016-12-15 | 2017-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 柔性显示屏结构及其制作方法 |
| CN106601133A (zh) * | 2017-02-28 | 2017-04-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置 |
| CN107546247A (zh) * | 2017-07-26 | 2018-01-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有源矩阵有机发光二极管显示器及其制作方法 |
Cited By (72)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019144472A1 (zh) * | 2018-01-24 | 2019-08-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板 |
| CN109065575A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-12-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN109166880A (zh) * | 2018-07-25 | 2019-01-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled显示面板及其制备方法 |
| CN109037244A (zh) * | 2018-08-02 | 2018-12-18 | 武汉天马微电子有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN109003573A (zh) * | 2018-08-08 | 2018-12-14 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 有机发光显示面板和显示装置 |
| WO2020029390A1 (zh) * | 2018-08-10 | 2020-02-13 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制造方法 |
| CN109273503B (zh) * | 2018-09-27 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| US11271018B2 (en) | 2018-09-27 | 2022-03-08 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Array substrate, display panel and display device |
| CN109273503A (zh) * | 2018-09-27 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板及显示装置 |
| CN109494313A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-03-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| US11349104B2 (en) | 2018-10-15 | 2022-05-31 | Wuhan China Star Optoelectrenics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and method of manufacturing the same |
| WO2020077704A1 (zh) * | 2018-10-15 | 2020-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN109300964A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled面板及其制作方法 |
| CN109300964B (zh) * | 2018-10-26 | 2020-10-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled面板及其制作方法 |
| US11196012B2 (en) | 2018-10-26 | 2021-12-07 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible organic light-emitting panel and manufacturing method thereof |
| CN109671719A (zh) * | 2018-12-04 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| US10964731B2 (en) | 2018-12-04 | 2021-03-30 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof and display device |
| WO2020113761A1 (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| US11043547B2 (en) | 2018-12-12 | 2021-06-22 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and display device having same |
| CN109585514A (zh) * | 2018-12-12 | 2019-04-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及具有该显示面板的显示装置 |
| CN109493728A (zh) * | 2018-12-13 | 2019-03-19 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN109493728B (zh) * | 2018-12-13 | 2022-10-14 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| US11217642B2 (en) | 2018-12-18 | 2022-01-04 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel, manufacturing method thereof, and display device |
| CN109638054A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及制作方法 |
| CN111354741A (zh) * | 2018-12-21 | 2020-06-30 | 上海和辉光电有限公司 | 柔性阵列基板及其制作方法、柔性显示面板 |
| CN109887928A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-06-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种柔性显示面板 |
| WO2020155287A1 (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN109860252B (zh) * | 2019-01-30 | 2021-07-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| US11963431B2 (en) | 2019-01-30 | 2024-04-16 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Mask, flexible display panel and manufacturing method thereof |
| WO2020155517A1 (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板、显示面板及制备方法 |
| CN111505897A (zh) * | 2019-01-30 | 2020-08-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板、柔性显示面板及其制作方法 |
| CN109860252A (zh) * | 2019-01-30 | 2019-06-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN111508349A (zh) * | 2019-01-31 | 2020-08-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制造方法及电子设备 |
| CN111508349B (zh) * | 2019-01-31 | 2022-03-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制造方法及电子设备 |
| CN109920332A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板、其制备方法及显示面板 |
| US10916718B2 (en) | 2019-02-28 | 2021-02-09 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible array substrate, method for manufacturing same, and display panel |
| CN110047880B (zh) * | 2019-03-28 | 2021-03-16 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN110047880A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-07-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN110112186A (zh) * | 2019-04-19 | 2019-08-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 |
| US11088234B2 (en) | 2019-04-29 | 2021-08-10 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate and manufacturing method thereof, and display panel |
| CN110112142A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板及电子装置 |
| WO2020228199A1 (zh) * | 2019-05-16 | 2020-11-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| WO2020258550A1 (zh) * | 2019-06-26 | 2020-12-30 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
| US11881133B2 (en) | 2019-07-15 | 2024-01-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
| WO2021027024A1 (zh) * | 2019-08-09 | 2021-02-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 |
| WO2021027164A1 (zh) * | 2019-08-14 | 2021-02-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示器及其制造方法 |
| WO2021031337A1 (zh) * | 2019-08-20 | 2021-02-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
| US11910658B2 (en) * | 2019-08-20 | 2024-02-20 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd | Display device and manufacturing method thereof |
| US20230225157A1 (en) * | 2019-08-20 | 2023-07-13 | Wuhan China Star Optelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
| US11271056B2 (en) | 2019-08-28 | 2022-03-08 | Wuhan China Star Optoeleetronies Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel having a recess disposed in the transistion area |
| CN110610968A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-12-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN110610968B (zh) * | 2019-08-28 | 2021-09-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN111129027A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-05-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示器的结构及其制作方法 |
| CN111063697A (zh) * | 2019-12-11 | 2020-04-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 |
| US11271057B2 (en) * | 2020-02-12 | 2022-03-08 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof, and display panel |
| CN111312659A (zh) * | 2020-02-25 | 2020-06-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
| CN111415947A (zh) * | 2020-03-27 | 2020-07-14 | 维沃移动通信有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示面板和电子设备 |
| CN111430417B (zh) * | 2020-03-31 | 2022-09-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| CN111430417A (zh) * | 2020-03-31 | 2020-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| WO2021196372A1 (zh) * | 2020-03-31 | 2021-10-07 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制备方法 |
| WO2021217840A1 (zh) * | 2020-04-26 | 2021-11-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
| US11825701B2 (en) | 2020-04-26 | 2023-11-21 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Display panel and manufacturing method thereof |
| CN111627926A (zh) * | 2020-05-19 | 2020-09-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及显示装置 |
| CN111627928A (zh) * | 2020-05-20 | 2020-09-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板、柔性显示面板制备方法以及柔性显示器 |
| CN111755624A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-10-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| US11670198B2 (en) | 2020-08-06 | 2023-06-06 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd | Flexible display panel and rollable display device |
| WO2022027779A1 (zh) * | 2020-08-06 | 2022-02-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及可卷曲显示装置 |
| CN112002702A (zh) * | 2020-08-06 | 2020-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板及可卷曲显示装置 |
| WO2022233069A1 (zh) * | 2021-05-07 | 2022-11-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
| CN114188380B (zh) * | 2021-12-02 | 2023-05-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN114188380A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-15 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法 |
| CN114220832A (zh) * | 2021-12-10 | 2022-03-22 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及显示面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210083208A1 (en) | 2021-03-18 |
| WO2019144472A1 (zh) | 2019-08-01 |
| US11114627B2 (en) | 2021-09-07 |
| CN108288637B (zh) | 2021-03-02 |
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