CN110112186A - 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 49
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 197
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 125000000896 monocarboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- HURSIASBWGCKKE-UHFFFAOYSA-N naphthalene naphthalene-1-carboxylic acid Chemical compound C1(=CC=CC2=CC=CC=C12)C(=O)O.C1=CC=CC2=CC=CC=C12 HURSIASBWGCKKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract
本发明提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，阵列基板包括依次设置的衬底基板层、阻隔层、缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间介质层和平坦层，所述阵列基板还包括一贯穿所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述层间介质层的过孔，所述过孔内填充有第一填充层。本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，一方面，通过对有机填充层进行图案化处理减少了有机填充层和平坦层的接触面积，降低有机填充层表面形成C‑F键的数量，从而降低平坦层易剥落的几率；另一方面，平坦层会填充有机填充层进行图案化后形成的凹槽，平坦层与有机填充层会互相咬合在一起，提高平坦层和有机填充层之间的粘着力。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、显示面板以及显示装置。
背景技术
柔性屏幕，指的是柔性OLED。柔性屏幕的成功量产不仅重大利好于新一代高端智能手机的制造，也因其低功耗、可弯曲的特性对可穿戴式设备的应用带来深远的影响，未来柔性屏幕将随着个人智能终端的不断渗透而广泛应用。
相较于传统屏幕，柔性屏幕优势明显，不仅在体积上更加轻薄，功耗上也低于原有器件，有助于提升设备的续航能力，同时基于其可弯曲、柔韧性佳的特性，其耐用程度也大大高于以往屏幕，降低设备以外损伤的概率。
现有的阵列基板，如图1所示，包括：基底层10、层间介质层20、有机填充层30、源漏极层40、平坦层50和像素电极层60，其中基底层包括依次设置的衬底基板11、阻隔层12、缓冲层13、有源层14、第一栅极绝缘层151、第一栅极161、第二栅极绝缘层152、第二栅极162，一过孔70贯穿缓冲层13、第一栅极绝缘层151、第二栅极绝缘层152、层间介质层20，有机填充层30通过过孔70与所述阻隔层12相接，有机填充层30能够提高柔性屏幕在弯折时的应力。
有机填充层表面形成C-F键，偏向疏水，平坦层含有COOH，俗称羟基，偏向亲水。有机填充层和平坦层的亲属水性不匹配，导致平坦层和有机填充层之间的粘附性较低，容易造成大面积的平坦层剥落的不良现象。
因此，确有必要来开发一种新型的阵列基板，以克服现有技术的缺陷。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种阵列基板，其能够解决现有技术中平坦层大面积剥落的问题。
为实现上述目的，本发明提供一种阵列基板，包括依次设置的衬底基板层、阻隔层、缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间介质层和平坦层，所述阵列基板还包括一贯穿所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述层间介质层的过孔，所述过孔内填充有第一填充层。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述第一填充层采用的材料为有机光阻材料。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述第一填充层上设置有第二填充层，所述第二填充层凸伸入所述平坦层中。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述第二填充层上表面向下凹陷形成一凹槽形状，所述平坦层向下对应填充所述凹槽。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述层间介质层上设置有第三填充层，所述第三填充层凸伸入所述平坦层中。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述第三填充层包括2个或以上的数量，这些所述第三填充层相互间隔设置。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述第三填充层的截面形状包括梯形形状、倒梯形形状、三角形形状、矩形形状以及多边形形状中的一种。每个所述第三填充层相互间隔设置，每个所述第三填充层之间形成凹槽形状，所述平坦层向下对应填充所述凹槽，如此的设置方式使得所述平坦层和所述第三填充层互相咬合，提供所述平坦层和所述第三填充层之间的粘着力。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述衬底基板材料包括聚酰亚胺和聚碳酸酯。
进一步的，在其他实施方式中，其中所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层材料包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅。
本发明的另一目的是提供一种显示面板，其包括基板，所述基板为本发明涉及的所述阵列基板。
本发明的另一目的是提供一种显示装置，其包括本体，所述本体上设置有本发明涉及的所述显示面板。
相对于现有技术，本发明的有益效果在于提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，一方面，通过对有机填充层进行图案化减少了有机填充层和平坦层的接触面积，降低有机填充层表面形成C-F键的数量，从而降低平坦层易剥落的几率；另一方面，平坦层会填充有机填充层进行图案化后形成的凹槽，平坦层与有机填充层会互相咬合在一起，提高平坦层和有机填充层之间的粘着力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中的阵列基板的剖面结构示意图；
图2为本发明实施例1提供的阵列基板的剖面结构示意图；
图3为本发明实施例2提供的阵列基板的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例3提供的阵列基板的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本发明的示例性实施例的目的。但是本发明可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，属于“第一”“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定由“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
实施例1
请参阅图2，图2所示为本实施例提供的阵列基板的剖面结构示意图，本发明提供一种阵列基板，包括基底层10、设置在基底层10上的层间介质层20、设置在层间介质层20上的源漏极层40、设置在源漏极层40上的平坦层50和设置在平坦层50上的像素电极层60。
基底层10包括设置在衬底基板11、设置在衬底基板11上的阻隔层12、设置在阻隔层12上的缓冲层13、设置于缓冲层13上的有源层14、设置在有源层14上的第一栅极绝缘层151、设置在第一栅极绝缘层151上的第一栅极161、设置在第一栅极161上的第二栅极绝缘层152、设置在第二栅极绝缘层152上的第二栅极162。
衬底基板1可为聚酰亚胺(PI)，聚碳酸酯(PC)，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等，在本实施例中优选为PI膜层，即聚酰亚胺薄膜，作为阵列基板的基底；聚酰亚胺薄膜是世界上性能较好的薄膜类绝缘材料，具有较强的拉伸强度，由均苯四甲酸二酐和二氨基二苯醚在强极性溶剂中经缩聚并流延成膜再经亚胺化而成。
在本实施例中，第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层材料为氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等，具体可以随需要而定，并无限定。
过孔70贯穿缓冲层13、第一栅极绝缘层141、第二栅极绝缘层142和层间介质层20，过孔70内填充有第一填充层31，第一填充层30采用的材料为有机光阻材料。相对于现有技术，本实施例中在层间介质层20上不设置有机填充层，减少了第一填充层31和平坦层50的接触面积，降低了第一填充层31表面形成C-F键的数量，从而降低平坦层50易剥落的几率。
实施例2
本实施例中的阵列基板结构，也包括过孔70和第一填充层31，其与实施例1中的对应结构大致相同，其相同的结构可参照实施例1中的对应描述，此处不再赘述。其中两者的主要不同之处在于，第一填充层31上设置有第二填充层32，第二填充层32凸伸入平坦层50中，能够提高柔性屏幕在弯折时的应力。
其中第二填充层32上表面向下凹陷形成凹槽形状，平坦层50向下对应填充第二填充层32上表面向下凹陷形成的凹槽，如此的设置方式使得平坦层50与第二填充层32互相咬合在一起，提高平坦层50和第二填充层32之间的粘着力。
实施例3
本实施例中的阵列基板结构，也包括过孔70、第一填充层31和第二填充层32，其与实施例2中的对应结构大致相同，其相同的结构可参照实施例2中的对应描述，此处不再赘述。其中两者的主要不同之处在于，层间介质层20上方设置有第三填充层33，第三填充层33凸伸入平坦层50中。在本实施例中，第三填充层33的数量为3个，其截面形状为梯形形状，这些第三填充层33互相间隔设置，每个第三填充层33之间形成凹槽。平坦层50填充第三填充层33之间形成的凹槽，如此的设置方式使得平坦层50与第三填充层33互相咬合在一起，提高平坦层50和第三填充层33之间的粘着力。
在其他实施方式中，第三填充层的截面形状还可以为倒梯形形状、三角形形状、矩形形状以及多边形形状中的一种，具体可随需要而定，在此不做限定。第三填充层33的数量也不限于3个，具体数量可根据产品实际空间布局进行调整，在此不做限定。
实施例4
本发明的另一目的是提供一种显示面板，其包括基板，所述基板为有本发明涉及的所述阵列基板。
实施例5
本发明的另一目的是提供一种显示装置，其包括本体，所述本体上设置有本发明涉及的所述显示面板。
相对于现有技术，本发明的有益效果在于提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，一方面，通过对有机填充层进行图案化减少了有机填充层和平坦层的接触面积，降低有机填充层表面形成C-F键的数量，从而降低平坦层易剥落的几率；另一方面，平坦层会填充有机填充层进行图案化后形成的凹槽，平坦层与有机填充层会互相咬合在一起，提高平坦层和有机填充层之间的粘着力。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，包括依次设置的衬底基板层、阻隔层、缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、层间介质层和平坦层；其特征在于，所述阵列基板还包括一贯穿所述缓冲层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述层间介质层的过孔，所述过孔内填充有第一填充层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一填充层采用的材料为有机光阻材料。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一填充层上设置有第二填充层，所述第二填充层凸伸入所述平坦层中。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第二填充层上表面向下凹陷形成一凹槽形状，所述平坦层向下对应填充所述凹槽。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述层间介质层上设置有第三填充层，所述第三填充层凸伸入所述平坦层中。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第三填充层包括2个或以上的数量，这些所述第三填充层相互间隔设置。
7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第三填充层的截面形状包括梯形形状、倒梯形形状、三角形形状、矩形形状以及多边形形状中的一种。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板材料包括聚酰亚胺和聚碳酸酯。
9.一种显示面板，其包括基板，其特征在于，其中所述基板为权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置，其特征在于，其包括本体，所述本体上设置有如权利要求9所述的显示面板。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910316555.XA CN110112186A (zh) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 |
Publications (1)
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|---|---|
| CN110112186A true CN110112186A (zh) | 2019-08-09 |
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ID=67485905
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910316555.XA Pending CN110112186A (zh) | 2019-04-19 | 2019-04-19 | 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110112186A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110544712A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-12-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
| WO2021077582A1 (zh) * | 2019-10-22 | 2021-04-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
| CN115032842A (zh) * | 2022-07-01 | 2022-09-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示终端 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107134474A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-09-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、有机电致发光显示器 |
| CN108288637A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板 |
| CN108899342A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及其制造方法、显示器及电子装置 |
| CN109494313A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-03-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN109599419A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-04-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
-
2019
- 2019-04-19 CN CN201910316555.XA patent/CN110112186A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107134474A (zh) * | 2017-06-12 | 2017-09-05 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、有机电致发光显示器 |
| CN108288637A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-17 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板 |
| CN108899342A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-11-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板及其制造方法、显示器及电子装置 |
| CN109494313A (zh) * | 2018-10-15 | 2019-03-19 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN109599419A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-04-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110544712A (zh) * | 2019-08-20 | 2019-12-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置及其制备方法 |
| US11910658B2 (en) | 2019-08-20 | 2024-02-20 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd | Display device and manufacturing method thereof |
| WO2021077582A1 (zh) * | 2019-10-22 | 2021-04-29 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
| CN115032842A (zh) * | 2022-07-01 | 2022-09-09 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示终端 |
| CN115032842B (zh) * | 2022-07-01 | 2023-11-28 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及显示终端 |
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