CN110504291B - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括多个像素岛区、空区以及连接桥区，制备方法包括：提供硬质衬底；在所述衬底的一侧上形成第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽与像素岛区对应，第二凹槽与连接桥区对应；在所述衬底的形成第一凹槽和第二凹槽的一侧上制备所述显示基板，像素岛区位于所述第一凹槽区域，连接桥区位于所述第二凹槽区域，空区位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之外的区域；将所述衬底和所述显示基板分离，获得所述显示基板。采用该方法制备显示基板过程中，空区与其它区域的段差大大减小，避免了后段工艺中空区膜层残留，避免了局部断开不佳导致的不良，提高了显示基板的良率。

Description

一种显示基板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机电致发光显示面板(Organic Electro luminescent Display，OLED/LED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流，可以广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。其中，又以柔性OLED/LED产品最为显著，逐步以其可以满足各种特殊结构而成为OLED/LED显示主流。
随着柔性工艺的发展，柔性显示面板从弯曲(Bendable)、弯折(Foldable)，逐步过渡到弹性柔性(Stretchable)。随着对器件柔性方面的要求逐步提升，弹性柔性面板已经进入了大家的视野。现有的可拉伸显示面板中，普遍采用岛-桥-空位的结构方式进行工艺设计，图1为现有技术中采用岛-桥-空结构的可拉伸显示面板示意图。如图1所示，岛-桥-空位结构的显示面板，包括多个像素岛区、位于相邻像素岛区之间的空区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，发光单元设置在像素岛区。
图2为一种可拉伸显示面板截面结构示意图。如图2所示，在左侧像素岛区和右侧像素岛区分别设置有OLED发光单元，左侧像素岛区和右侧像素岛区之间设置有空区。
为了形成空区，需要将位于空区的膜层提前进行挖除，甚至需要将柔性基底一起挖除。柔性基底普遍厚度较大(现阶段普遍在10um或更高)，再加上基板制备工艺中累加的膜层厚度，因此，空区在工艺中与其他区域的段差较大，可达12～15um左右，如图2所示。在图2中，在后续工艺中，涂覆光刻胶后，由于空区与像素岛区段差较大，空区光刻胶膜层较厚，在去除光刻胶时，空区容易出现光刻胶残留。在现有工艺中，虽然已经采用了延迟在空区挖开开孔的方式，但仍需要在源漏极层形成前进行开孔，以将基板膜层和底部的柔性基底进行挖除。完成开孔后，由于段差原因，空区在后段工艺中普遍出现光阻残留、有机膜残留、金属残留、阳极残留等，乃至对后段的发光层断开及封装层断开结构形状造成影响，从而导致局部断开不佳而导致不良。另外，在将柔性显示基板与硬质衬底剥离时，往往由于剥离工艺的不良而导致局部膜层结构开裂。同时，由于需要保证像素岛区的形状，像素岛区需要一定的强度，相应的，连接桥区往往也需要保留相应的厚度，这就使得在拉伸时连接桥区的柔韧效果有限。
发明内容
本发明实施例的目的是，提供一种显示基板及其制备方法、显示装置，以解决空区与其它区域段差过大导致的不良。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示基板的制备方法，所述显示基板包括多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的空区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，所述制备方法包括：
提供硬质衬底；
在所述衬底的一侧上形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽与所述像素岛区对应，所述第二凹槽与所述连接桥区对应；
在所述衬底的形成所述第一凹槽和所述第二凹槽的一侧上制备所述显示基板，所述像素岛区位于所述第一凹槽区域，所述连接桥区位于所述第二凹槽区域，所述空区位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之外的区域；
将所述衬底和所述显示基板分离，获得所述显示基板。
可选地，在所述衬底的一侧上形成第一凹槽和第二凹槽，包括：采用激光烧灼或刻蚀方法形成所述第一凹槽和所述第二凹槽。
可选地，所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度。
可选地，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。
可选地，在所述衬底的形成所述第一凹槽和所述第二凹槽的一侧上制备所述显示基板，包括：
在所述衬底的形成所述第一凹槽和第二凹槽的一侧上涂布柔性材料，固化成膜，形成基底；
在所述基底上制备位于像素岛区的驱动结构和位于连接桥区的连接线；
在形成前述图案的基底上制备发光单元，所述发光单元位于像素岛区；
在形成前述图案的基底上形成封装结构层，所述封装结构层位于所述像素岛区。
可选地，所述基底具有与所述第一凹槽对应的第一厚度、与所述第二凹槽对应的第二厚度，以及与所述第一凹槽和所述第二凹槽之外区域对应的第三厚度，所述第一厚度为4μm～15μm，所述第二厚度为3μm～12μm，所述第三厚度为0μm～10μm。
可选地，所述基底具有与所述第一凹槽对应的第一厚度、与所述第二凹槽对应的第二厚度，以及与所述第一凹槽和所述第二凹槽之外区域对应的第三厚度，所述第一厚度为4μm～12μm，所述第二厚度为5μm～15μm，所述第三厚度为0μm～10μm。
可选地，在形成前述图案的基底上形成封装结构层，包括：
在形成前述图案的基底上形成第一无机薄膜，通过构图工艺对第一无机薄膜进行构图，去除位于连接桥区和空区的第一无机薄膜，在像素岛区形成第一无机封装层；
通过喷墨打印的方法在所述第一无机封装层上形成有机封装层；
在形成前述图案的基底上形成第二无机薄膜，通过构图工艺对第二无机薄膜进行构图，去除位于连接桥区和空区的第二无机薄膜，在像素岛区形成第二无机封装层。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示基板，包括基底以及设置在所述基底上的多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的空区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，所述像素岛区设置有发光单元，在所述基底的背离所述发光单元的一侧，
所述像素岛区对应的基底表面凸出于所述连接桥区对应的基底表面，或者，所述连接桥区对应的基底表面凸出于所述像素岛区对应的基底表面。
可选地，所述显示基板还包括设置在像素岛区用于封装所述发光单元的封装结构层，每个像素岛区的封装结构层相互独立。
为了解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括以上所述的显示基板。
本发明实施例的显示基板的制备方法，像素岛区位于第一凹槽，连接桥区位于第二凹槽，因此，在衬底的制备显示基板的一侧，空区的衬底上表面凸出于像素岛区和连接桥区的衬底上表面，从而，在空区挖开开孔即将位于空区的膜层去除后，空区的凸出表面可以弥补空区与像素岛区的段差，使得空区与像素岛区、连接桥区的段差相比于现有技术大大减小，从而，在后段工艺中就可以避免空区出现光刻胶残留、有机膜残留、金属残留、阳极残留等，保证了后段工艺中发光层断开及封装层断开，避免了局部断开不佳导致的不良，提高了显示基板的产品良率。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本发明技术方案的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本发明的技术方案，并不构成对本发明技术方案的限制。
图1为现有技术中采用岛-桥-空结构的可拉伸显示面板示意图；
图2为一种可拉伸显示面板截面结构示意图；
图3为一种采用岛-桥-空结构的可拉伸显示基板的截面结构示意图；
图4为本发明第一实施例显示基板的制备方法的示意图；
图5为在衬底的一侧形成第一凹槽和第二凹槽后的结构示意图；
图6a为显示基板中形成基底后的结构示意图；
图6b为显示基板中形成栅电极后的结构示意图；
图6c为显示基板中形成第二绝缘层后的结构示意图；
图6d为显示基板中形成栅电极、漏电极和连接线后的结构示意图；
图6e为显示基板中形成阳极后的结构示意图；
图6f为显示基板中形成像素定义层后的结构示意图；
图6g为显示基板中形成阴极后的结构示意图；
图6h为显示基板中形成封装结构层后的结构示意图；
图7本发明第一实施例中制备出的显示基板的结构示意图；
图8为本发明第二实施例在衬底的一侧形成第一凹槽和第二凹槽后的结构示意图；
图9为本发明第二实施例中在衬底上形成基底后的结构示意图；
图10为本发明第二实施例制备出的显示基板的结构示意图。
附图标记说明：
100—柔性基板； 200—OLED发光单元； 10—衬底；
11—第一凹槽； 12—第二凹槽； 20—基底；
21—阻挡层； 22—有源层； 23—第一绝缘层；
24—栅电极； 25—第二绝缘层； 26—源电极；
27—漏电极； 30—第三绝缘层； 301—连接线；
302—第二像素定义层； 31—阳极； 32—第一像素定义层；
33—有机发光层； 34—阴极； 40—封装结构层；
41—第一无机封装层； 42—有机封装层； 43—第二无机封装层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下文中将结合附图对本发明的实施例进行详细说明。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
图3为一种采用岛-桥-空结构的可拉伸显示基板的截面结构示意图，如图3所示，可拉伸显示基板包括像素岛区、连接桥区(图中未示出)和空区。OLED发光单元位于像素岛区。可拉伸显示基板包括柔性基板100、设置在柔性基板100上的OLED发光单元200以及封装OLED发光单元的封装结构层40，柔性基板100、OLED发光单元200和封装结构层40均位于像素岛区，OLED发光单元的发光层和封装结构层在空区断开，以保证每个像素岛区的封装结构层的独立性和完整性。在图3中，像素结构层40包括第一无机封装层41、有机封装层42和第二无机封装层43。
在制备可拉伸显示基板过程中，由于空区与像素岛区的段差较大，空区普遍存在膜层残留等。残留的膜层使得空区的深度变小，在后段形成发光层和封装层过程中，发光层和封装层会和空区残留的膜层复合，进而对发光层断开和封装层断开产生影响，导致发光层和封装层在空区不能完全断开，导致局部断开不佳而产生不良。
为了解决上述技术问题，本发明实施例提出了一种显示基板的制备方法。显示基板包括多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的空区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，显示基板的制备方法包括：
提供硬质衬底；
在所述衬底的一侧上形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽与所述像素岛区对应，所述第二凹槽与所述连接桥区对应；
在所述衬底的形成所述第一凹槽和所述第二凹槽的一侧上制备所述显示基板，所述像素岛区位于所述第一凹槽区域，所述连接桥区位于所述第二凹槽区域，所述空区位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之外的区域；
将所述衬底从所述显示基板上剥离，获得所述显示基板。
本发明实施例的显示基板的制备方法，像素岛区位于第一凹槽，连接桥区位于第二凹槽，因此，在衬底的制备显示基板的一侧，空区的衬底上表面凸出于像素岛区和连接桥区的衬底上表面，从而，在空区挖开开孔即将位于空区的膜层去除后，空区的凸出表面可以弥补空区与像素岛区的段差，使得空区与像素岛区、连接桥区的段差相比于现有技术大大减小，从而，在后段工艺中就可以避免空区出现光刻胶残留、有机膜残留、金属残留、阳极残留等，保证了后段工艺中发光层断开及封装层断开，避免了局部断开不佳导致的不良。
下面将通过具体的实施例详细介绍本发明的技术内容。
第一实施例：
本发明第一实施例提供了一种显示基板的制备方法，显示基板包括多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的空区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，像素岛区设置有发光单元，相邻像素岛间的连接线设置在连接桥区。
图4为本发明第一实施例显示基板的制备方法的示意图，如图4所示，该显示基板的制备方法包括：
提供硬质衬底；
在衬底的一侧形成第一凹槽11和第二凹槽12，第一凹槽11与像素岛区对应，第二凹槽12与连接桥区对应，衬底的第一凹槽11和第二凹槽12之外的区域与空区对应；
在衬底的形成第一凹槽11和第二凹槽12的一侧上制备显示基板，所述显示基板包括像素岛区、连接桥区和空区，所述像素岛区位于第一凹槽11区域，连接桥区位于第二凹槽12区域，空区位于第一凹槽11和第二凹槽12之外的区域；
将衬底和显示基板上分离，获得显示基板。
本发明实施例的显示基板的制备方法，像素岛区位于第一凹槽，连接桥区位于第二凹槽，因此，在衬底的制备显示基板的一侧，空区的衬底上表面凸出于像素岛区和连接桥区的衬底上表面，从而，在空区挖开开孔即将位于空区的膜层去除后，空区的凸出表面可以弥补空区与像素岛区的段差，使得空区与像素岛区、连接桥区的段差相比于现有技术大大减小，从而，在后段工艺中就可以避免空区出现光刻胶残留、有机膜残留、金属残留、阳极残留等，保证了后段工艺中发光层断开及封装层断开，避免了局部断开不佳导致的不良。
下面通过显示基板的制备过程详细说明本发明实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩膜曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩膜曝光、显影等处理，本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
(1)提供硬质衬底10。衬底10可以为玻璃衬底或硅基衬底。
(2)在衬底10的一侧(在图5中为衬底10的上表面侧)形成第一凹槽11和第二凹槽12，第一凹槽11与像素岛区对应，第二凹槽12与连接桥区对应，第一凹槽11和第二凹槽12之外的区域与空区对应，如图5所示，图5为在衬底的一侧形成第一凹槽和第二凹槽后的结构示意图。可以采用激光烧灼或涂胶-曝光-显影-刻蚀的方法形成第一凹槽11和第二凹槽12。刻蚀为本领域常用工艺，可以采用干法刻蚀(采用含氟气体)或湿法刻蚀(含氟溶液)对衬底10进行刻蚀，以形成第一凹槽和第二凹槽。第一凹槽11的深度为w1，第二凹槽12的深度为w2。在本实施例中，w1>w2。第一凹槽11的深度w1可以为5000nm～15000nm，第二凹槽12的深度w2可以为2000nm～8000nm。在具体实施中，第一凹槽和第二凹槽的深度可以根据实际需要确定。
(3)在衬底10的形成第一凹槽11和第二凹槽12的一侧上制备显示基板，所述显示基板包括像素岛区、连接桥区和空区，所述像素岛区位于第一凹槽11区域，连接桥区位于第二凹槽12区域，空区位于第一凹槽11和第二凹槽12之外的区域。
在一个实施例中，在衬底10的形成第一凹槽11和第二凹槽12的一侧上制备显示基板，具体包括：
S11：在衬底10的形成第一凹槽11和第二凹槽12的一侧上涂布柔性材料，固化成膜，形成基底20，如图6a所示，图6a为显示基板中形成基底后的结构示意图。本实施例中，基底20为柔性基底，基底20具有与第一凹槽11对应的第一厚度m1、与第二凹槽12对应的第二厚度m2以及与第一凹槽11和第二凹槽12之外的区域对应的第三厚度m3。由于w1>w2，因此，m1>m2>m3。在一个实施例中，第一厚度m1为4μm～15μm，第二厚度m2为3μm～12μm，第三厚度为0μm～10μm，在图6a中，m3为0。柔性材料可以采用聚酰亚胺PI、聚对苯二甲酸乙二酯PET或经表面处理的聚合物软膜等材料。
S12：在基底20上制备驱动结构和连接线图案。驱动结构设置在像素岛区，连接线设置在连接桥区，驱动结构包括多条栅线和多条数据线，多条栅线和多条数据线垂直交叉限定出多个矩阵排布的子像素，每个子像素设置有薄膜晶体管。具体地，相关制备过程包括(在本实施例中，薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管，在其它实施例中，薄膜晶体管还可以为底栅型或双栅型薄膜晶体管等)：
S121：先在基底20上沉积一层阻挡薄膜21’，形成阻挡(Barrier)层21图案。阻挡薄膜可以采用氮化硅SiNx或氧化硅SiOx等，可以是单层，也可以是氮化硅/氧化硅的多层结构。本实施例中，阻挡层21用于提高基底20的抗水氧能力。阻挡薄膜的厚度为50nm～1000nm。
S122：随后沉积一层有源层薄膜，通过构图工艺对有源层薄膜进行构图，在像素岛区形成设置在阻挡层21上的有源层22的图案。本次构图工艺中，连接桥区和空区的有源层薄膜均被刻蚀掉，保留阻挡薄膜。
S123：随后依次沉积第一绝缘薄膜23’和第一金属薄膜，通过构图工艺对第一金属薄膜进行构图，在像素岛区形成覆盖有源层22的第一绝缘层23、设置在第一绝缘层23上的栅电极24和栅线(图中未示出)图案。本次构图工艺中，连接桥区和空区的第一金属薄膜被刻蚀掉，保留有第一绝缘薄膜，如图6b所示，图6b为显示基板中形成栅电极后的结构示意图。
S124：随后沉积第二绝缘薄膜，通过构图工艺对第二绝缘薄膜进行构图，在像素岛区形成开设有两个第一过孔的第二绝缘层25，两个第一过孔中的第二绝缘薄膜和第一绝缘薄膜被刻蚀掉，暴露出有源层22。本次构图工艺中，连接桥区的第二绝缘薄膜、第一绝缘薄膜和阻挡薄膜均被刻蚀掉，暴露出基底20，空区的第二绝缘薄膜、第一绝缘薄膜、阻挡薄膜和基底均被刻蚀掉，暴露出衬底10，如图6c所示，图6c为显示基板中形成第二绝缘层后的结构示意图。容易理解的是，如果在形成基底20过程中，空区形成有基底20，则在本次构图工艺中需要将空区的基底刻蚀掉；如果在形成基底20过程中，空区没有形成基底20，则在本次构图工艺中当然不需要对空区进行刻蚀。
S125：随后沉积第二金属薄膜，通过构图工艺对第二金属薄膜进行构图，在像素岛区形成源电极26、漏电极27和数据线(图中未示出)图案，源电极26和漏电极27分别通过两个第一过孔与有源层22电连接；在连接桥区形成连接线301图案，连接线301设置在基底20上。本次构图工艺中，空区的第二金属薄膜被刻蚀掉。至此，在基底20上制备完成驱动结构和连接线图案，如图6d所示，图6d为显示基板中形成栅电极、漏电极和连接线后的结构示意图。
现有技术中，硬质衬底用于制备显示基板的表面为平坦表面，即衬底在空区的上表面与像素岛区的上表面平齐，在空区挖开开孔后(即将位于空区的包括基底的所有膜层均挖除后)，在形成源漏极层前，空区与像素岛区的段差如图6d中d1所示。在本实施例中，如图6d所示，由于像素岛区位于第一凹槽11，因此，空区的上表面凸出于像素岛区的上表面，从而，在空区挖开开孔后(即将位于空区的膜层均挖除后)，在形成源漏极层前，空区的凸出表面可以弥补空区与像素岛区的段差，使得空区与像素岛区的段差从d1减小为如图6d中d2，显然，d2<d1。因此，本发明实施例的显示基板的制备过程中，在空区挖开开孔后，空区与像素岛区的段差相比于现有技术大大减小，从而，在后段工艺中就可以避免空区出现光刻胶残留、有机膜残留、金属残留、阳极残留等，保证了后段工艺中发光层断开及封装层断开，避免了局部断开不佳导致的不良。
在图6d中，空区与像素岛区的段差减小为d2，避免了形成栅电极、漏电极和连接线过程中，光刻胶、第二金属薄膜在空区残留。
S13：在形成前述图案的基底上制备发光单元，所述发光单元位于像素岛区，具体包括：
S131：在形成前述图案的基底20上涂覆第三绝缘薄膜，通过掩膜曝光显影的工艺在像素岛区形成覆盖源电极26和漏电极27的第三绝缘层30图案，第三绝缘层30开设有第二过孔，第二过孔暴露出漏电极27。其中，第三绝缘层也称之为平坦化层。本次工艺中，连接桥区和空区的第三绝缘薄膜被显影去除。
S132：在形成前述图案的基底上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺对透明导电薄膜进行构图，在像素岛区形成阳极31的图案，阳极31通过第二过孔与漏电极27电连接，如图6e所示，图6e为显示基板中形成阳极后的结构示意图。其中，透明导电薄膜可以采用氧化铟锡或氧化铟锌。本次构图工艺中，连接桥区和空区的透明导电薄膜被刻蚀掉。
S133：在形成前述图案的基底上涂覆像素定义薄膜，通过光刻工艺形成像素定义层图案，像素定义层包括位于像素岛区的第一像素定义层32图案和位于连接桥区的第二像素定义层302图案，即第一像素定义层32图案和第二像素定义层302图案通过一次光刻工艺形成，两者采用相同材料。第一像素定义层32在每个子像素限定出暴露阳极31的像素开口区域，第二像素定义层302覆盖连接线301，如图6f所示，图6f为显示基板中形成像素定义层后的结构示意图。其中，像素定义层可以采用聚酰亚胺、亚克力或聚对苯二甲酸乙二醇酯等。本次光刻工艺中，空区的像素定义薄膜被显影去除。
S134：在形成前述图案的基底上依次形成有机发光材料和阴极金属薄膜，形成有机发光层33和阴极34图案。在像素岛区，有机发光层33与第一像素定义层32限定出的像素开口区域内的阳极31连接，阴极34设置在有机发光层33上，在连接桥区和空区也形成有有机发光层和阴极，如图6g所示，图6g为显示基板中形成阴极后的结构示意图。其中，有机发光层33可以包括依次设置空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
为了避免像素岛区的水氧侵蚀，有机发光材料和阴极金属薄膜在空区、连接岛区和像素岛区需要彼此断开。由于空区与像素岛区的段差减小，所以空区不会残留前段工艺中的膜层，避免了有机发光材料和阴极金属薄膜与空区残留膜层的复合，避免了残留膜层对发光层和阴极断开结构的影响，使得有机发光材料和阴极金属薄膜在空区、连接岛区和像素岛区可以彼此断开，避免了有机发光材料和阴极金属薄膜的断开不佳导致的显示不良。
S14：在形成前述图案的基底上形成封装结构层，所述封装结构层位于像素岛区，如图6h所示，图6h为显示基板中形成封装结构层后的结构示意图，具体包括：
S141：在形成前述图案的基底形成第一无机薄膜，第一无机薄膜覆盖像素岛区、连接桥区和空区，通过构图工艺对第一无机薄膜进行构图，在像素岛区形成第一无机封装层41的图案。如图6h所示。本次构图工艺中，连接桥区和空区的第一无机薄膜被刻蚀掉。
S142：在形成前述图案的基底上形成有机封装层42，有机封装层42位于像素岛区的第一无机封装层41上。在一个实施例中，可以通过喷墨打印的方式形成有机封装层42，有机封装层42的厚度可以为5000nm～12000nm。
S143：在形成前述图案的基底形成第二无机薄膜，第二无机薄膜覆盖像素岛区、连接桥区和空区，通过构图工艺对第二无机薄膜进行构图，在像素岛区形成第二无机封装层43的图案，如图6h所示。本次构图工艺中，连接桥区和空区的第一无机薄膜被刻蚀掉。
(4)最后，剥离硬质衬底10，形成本发明实施例可拉伸OLED显示基板，如图7所示，图7本发明第一实施例中制备出的显示基板的结构示意图。其中，由于空区的有机发光层和阴极直接形成在硬质衬底10上，因此，剥离硬质衬底10时一同将上述膜层从空区去除。
本发明实施例的显示基板的制备过程中，在空区挖开开孔后，空区与像素岛区的段差相比于现有技术大大减小，从而，通过构图工艺去除位于空区的第一无机封装薄膜和第二无机封装薄膜时，会将空区的第一无机封装薄膜和第二无机封装薄膜完全去除，避免了第一无机封装薄膜和第二无机封装薄膜在空区残留，避免了对封装层断开结构形状造成影响，提高了显示基板的显示品质。
本发明实施例显示基板的制备方法，在制备显示基板过程中，空区与像素岛区的段差大大减小，避免了膜层在空区残留，从而，在衬底剥离过程中，可以防止局部膜层结构开裂，保证了像素岛区的形状和强度。
本发明实施例显示基板的制备方法，在制备显示基板过程中，通过在衬底的与像素岛区对应的位置开设第一凹槽、与连接桥区对应的位置开设第二凹槽，从而可以获得像素岛区、连接桥区、空区相应的柔性基底图形。空区的衬底上表面凸出于像素岛区和连接桥区的衬底上表面，从而，在制备过程中可以减小空区与像素岛区、连接桥区的段差，减小了段差引发的不良，提高了产品的良率。另外，空区与像素岛区、连接桥区的段差减小，有利于发光层和封装薄膜在空区断开，提高了发光层和封装层断开结构的形状可靠性，保证了断开效果，降低了断开不佳导致的不良。另外，本发明实施例显示基板的制备方法，不会对显示基板的制备过程产生影响，保证了连接桥区基底的厚度，提高了显示基板的可拉伸结构的良率和可靠性，可以获得更好的良率和工艺效果。
此外，本发明实施例显示基板的制备方法，在衬底上开设与像素岛区对应的第一凹槽，而没有改变显示基板的后续工艺，使得像素岛区可以维持其固定的结构，保证了像素岛区驱动结构中电路的稳定性。在衬底上开设与连接桥区对应的第二凹槽，保证了连接桥区基底的厚度，使得连接桥区具有更强的弹性，有利于形成可拉伸性更强更大的可拉伸显示基板，减少由于弹性不足导致的拉伸损伤。空区对应的衬底向上凸起，从而空区对应的基底更薄，从而，在后段工艺中，对空区的膜层和基底挖除后，空区不会与像素岛区、连接桥区形成极大的段差，段差的减小避免了后段工艺中膜层在空区残留，避免了不良的发生。
通过本发明实施例显示基板制备方法制备出的显示基板，如图7所示，显示基板包括基底20，以及设置在基底20上彼此隔开的多个像素岛区、位于相邻像素岛区的空区以及连接相邻像素岛区的连接桥区。像素岛区设置有多个发光单元。在基底20的背离发光单元的一侧(在图7中为基底20的下侧)，像素岛区对应的基底表面与连接桥区对应的基底表面不平齐。在图7中，像素岛区对应的基底表面凸出于连接桥区对应的基底表面。基底20在像素岛区具有第一厚度m1，基底20在连接桥区具有第二厚度m2，m1>m2>0。
相比于现有技术中连接桥区基底厚度等于像素岛区基底厚度，通过本发明实施例显示基板制备方法制备出的显示基板，连接桥区的基底厚度小于像素岛区的基底厚度，并且保证了连接桥区的基底厚度，因此，本发明实施例制备出的显示基板，在拉伸过程中，连接桥区的柔韧效果更好。
第二实施例：
本发明第二实施例提出了一种显示基板的制备方法。图8为本发明第二实施例在衬底的一侧形成第一凹槽和第二凹槽后的结构示意图。与第一实施例不同的是，在本实施例中，第一凹槽11的深度为w1，第二凹槽12的深度为w2。在本实施例中，w1<w2。
图9为本发明第二实施例中在衬底上形成基底后的结构示意图。本实施例中，基底20为柔性基底，基底20具有与第一凹槽11对应的第一厚度m1、与第二凹槽12对应的第二厚度m2以及与第一凹槽11和第二凹槽12之外的区域对应的第三厚度m3。由于w1<w2，因此，m2>m1>m3。在一个实施例中，第一厚度m1为4μm～12μm，第二厚度m2为5μm～15μm，第三厚度为0μm～10μm，在图9中，m3为0。柔性材料可以采用聚酰亚胺PI、聚对苯二甲酸乙二酯PET或经表面处理的聚合物软膜等材料。
本实施例的在衬底上制备显示基板的过程与第一实施例相同，在此不再赘述。
图10为本发明第二实施例制备出的显示基板的结构示意图。如图10所示，显示基板包括基底20，以及设置在基底20上彼此隔开的多个像素岛区、位于相邻像素岛区的空区以及连接相邻像素岛区的连接桥区。像素岛区设置有多个发光单元。在基底20的背离发光单元的一侧(在图10中为基底20的下侧)，像素岛区对应的基底表面与连接桥区对应的基底表面不平齐。在图10中，连接桥区对应的基底表面凸出于像素岛区对应的基底表面。基底20在像素岛区具有第一厚度m1，基底20在连接桥区具有第二厚度m2，m2>m1>0。
本发明实施例制备的显示基板，保证了连接桥区基底的厚度，连接桥区基底的厚度大于像素岛区基底的厚度，进一步增强了连接桥区的强度，避免显示基板在拉伸过程中连接桥区开裂。
第三实施例：
基于前述实施例的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括采用前述实施例的显示基板。显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
在本发明实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
虽然本发明所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本发明而采用的实施方式，并非用以限定本发明。任何本发明所属领域内的技术人员，在不脱离本发明所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本发明的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (11)

1.一种柔性显示基板的制备方法，其特征在于，所述柔性显示基板包括多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的空区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，所述制备方法包括：
提供硬质衬底；
在所述衬底的一侧上形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽与所述像素岛区对应，所述第二凹槽与所述连接桥区对应；
在所述衬底的形成所述第一凹槽和所述第二凹槽的一侧上制备所述显示基板，所述像素岛区位于所述第一凹槽区域，所述连接桥区位于所述第二凹槽区域，所述空区位于所述第一凹槽和所述第二凹槽之外的区域；
将所述衬底和所述显示基板分离，获得所述柔性显示基板。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底的一侧上形成第一凹槽和第二凹槽，包括：采用激光烧灼或刻蚀方法形成所述第一凹槽和所述第二凹槽。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度大于所述第二凹槽的深度。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二凹槽的深度大于所述第一凹槽的深度。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底的形成所述第一凹槽和所述第二凹槽的一侧上制备所述显示基板，包括：
在所述衬底的形成所述第一凹槽和第二凹槽的一侧上涂布柔性材料，固化成膜，形成基底；
在所述基底上制备位于像素岛区的驱动结构和位于连接桥区的连接线；
在形成前述图案的基底上制备发光单元，所述发光单元位于像素岛区；
在形成前述图案的基底上形成封装结构层，所述封装结构层位于所述像素岛区。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述基底具有与所述第一凹槽对应的第一厚度、与所述第二凹槽对应的第二厚度，以及与所述第一凹槽和所述第二凹槽之外区域对应的第三厚度，所述第一厚度为4μm～15μm，所述第二厚度为3μm～12μm，所述第三厚度为0μm～10μm。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述基底具有与所述第一凹槽对应的第一厚度、与所述第二凹槽对应的第二厚度，以及与所述第一凹槽和所述第二凹槽之外区域对应的第三厚度，所述第一厚度为4μm～12μm，所述第二厚度为5μm～15μm，所述第三厚度为0μm～10μm。
8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在形成前述图案的基底上形成封装结构层，包括：
在形成前述图案的基底上形成第一无机薄膜，通过构图工艺对第一无机薄膜进行构图，去除位于连接桥区和空区的第一无机薄膜，在像素岛区形成第一无机封装层；
通过喷墨打印的方法在所述第一无机封装层上形成有机封装层；
在形成前述图案的基底上形成第二无机薄膜，通过构图工艺对第二无机薄膜进行构图，去除位于连接桥区和空区的第二无机薄膜，在像素岛区形成第二无机封装层。
9.一种柔性显示基板，其特征在于，采用如权利要求1至8任一项所述的柔性显示基板的制备方法制成，包括基底以及设置在所述基底上的多个像素岛区、设置在相邻像素岛区之间的空区以及连接相邻像素岛区的连接桥区，所述像素岛区设置有发光单元，在所述基底的背离所述发光单元的一侧，
所述像素岛区对应的基底表面凸出于所述连接桥区对应的基底表面，或者，所述连接桥区对应的基底表面凸出于所述像素岛区对应的基底表面。
10.根据权利要求9所述的柔性显示基板，其特征在于，所述柔性显示基板还包括设置在像素岛区用于封装所述发光单元的封装结构层，每个像素岛区的封装结构层相互独立。
11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9或10所述的柔性显示基板。
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