CN114220832A

CN114220832A - 一种阵列基板及显示面板

Info

Publication number: CN114220832A
Application number: CN202111509858.7A
Authority: CN
Inventors: 胡凯
Original assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Current assignee: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date: 2021-12-10
Filing date: 2021-12-10
Publication date: 2022-03-22
Anticipated expiration: 2041-12-10
Also published as: CN114220832B

Abstract

本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板。本申请实施例提供的阵列基板包括非弯折区和弯折区。在弯折区设置了多个通孔。在阵列基板弯折时可能因应力集中导致膜层裂开。通孔可以有效防止裂纹延伸。当因弯折出现裂纹时，裂纹延伸至通孔处，通孔将阻止裂纹进一步延伸至走线和非弯折区。由此，可以有效保护阵列基板上的器件和走线，防止阵列基板上的连接走线被损坏。并且，由于阵列基板弯折时，应力最大的区域在弯折区的边缘。因此，弯折区的边缘出现裂纹的概率更大。而深度较大的通孔更容易阻挡裂纹的延伸，由此，将通孔的深度与弯折区受到应力的大小区域做差异性设计，可以更有效的防止裂纹向阵列基板内延伸。

Description

一种阵列基板及显示面板

技术领域

本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

随着显示技术的不断发展，主动矩阵有机发光二极管(Active-matrix organiclight-emitting diode,AMOLED)技术越来越多的应用于柔性显示中。在实现窄边框及无边框设计时会引入一个弯折结构。在弯折区域由于机械应力的存在，可能会在弯折的边缘区域形成裂纹。当裂纹从弯曲区域的端部延伸到中间部分时,布置在弯曲区域的中间部分中的布线可能会损坏，从而在显示装置中引起缺陷。

发明内容

本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板，可以防止阵列基板的弯折区域产生裂纹，改善布线损坏形成缺陷的情况。

本申请实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板具有相邻设置的弯折区和非弯折区，所述弯折区沿弯折轴弯折，所述阵列基板包括：

衬底；

绝缘层，所述绝缘层设置在衬底上，所述绝缘层在所述弯折区设置有多个通孔，在所述弯折轴延伸的方向上，至少部分所述通孔的深度沿所述阵列基板的边缘向所述阵列基板的中心逐渐减小；

连接走线，所述连接走线设置在所述衬底上；所述通孔沿所述弯折轴延伸的方向，设置在所述连接走线的至少一侧。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述弯折区包括第一应力区、第二应力区以及第三应力区，所述第一应力区位于所述弯折区的弯折轴上，所述第二应力区位于所述第一应力区平行所述弯折轴的两侧，所述第三应力区位于所述第一应力区与所述第二应力区之间；其中，所述第一应力区的所述通孔的密度大于所述第二应力区的所述通孔的密度，所述第二应力区的所述通孔的密度大于所述第三应力区的所述通孔的密度。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一应力区的所述通孔、所述第二应力区的所述通孔以及所述第三应力区的所述通孔的孔径不同。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一应力区的所述通孔、所述第二应力区的所述通孔以及所述第三应力区的所述通孔的孔径均介于3微米至5微米之间。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一应力区的所述通孔、所述第二应力区的所述通孔以及所述第三应力区的所述通孔的形状不同。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述非弯折区包括显示区和绑定区，所述显示区和所述绑定区沿垂直所述弯折轴的方向设置在所述弯折区的两侧；

所述阵列基板还包括驱动模块，所述连接走线设置在所述显示区和所述弯折区，所述连接走线用于连接所述阵列基板上的走线和所述驱动模块，所述驱动模块设置在所述绑定区。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括应力层，所述应力层设置在所述衬底上。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述绝缘层包括两层以上子绝缘层，所述通孔贯穿至少一层所述子绝缘层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述阵列基板还包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层、有源层、层间绝缘层、源漏金属层以及钝化层，所述绝缘层包括所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层，所述通孔至少贯穿所述栅极绝缘层或所述层间绝缘层。

相应的，本申请实施例还提供一种显示面板，包括阵列基板以及发光结构层，所述阵列基板为以上任一项所述的阵列基板，所述发光结构层设置在所述阵列基板上。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的阵列基板的第一种局部结构俯视示意图；

图2是本申请实施例提供的阵列基板的一种结构示意图；

图3是本申请实施例提供的阵列基板的一种中间结构示意图；

图4是本申请实施例提供的阵列基板的第二种局部结构俯视示意图；

图5是本申请实施例提供的阵列基板的第三种局部结构俯视示意图；

图6是本申请实施例提供的显示面板的一种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。

本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。

请参阅图1至图3，图1是本申请实施例提供的阵列基板的第一种局部结构俯视示意图。图2是本申请实施例提供的阵列基板的一种结构示意图。图3是本申请实施例提供的阵列基板的一种中间结构示意图。具体的，请参阅图1。阵列基板100具有相邻设置的非弯折区100A和弯折区100B。弯折区100B沿弯折轴x弯折。结合图2和图3所示，阵列基板100包括衬底101、绝缘层IN以及连接走线106。绝缘层IN设置在衬底101上。绝缘层IN在弯折区100B设置有多个通孔109a。在弯折轴x延伸的方向上，至少部分通孔109a的深度沿阵列基板100的边缘向阵列基板100的中心逐渐减小。连接走线106设置在衬底101上。通孔109a沿弯折轴x延伸的方向，设置在连接走线106的至少一侧。

其中，连接走线106设置在衬底101上，绝缘层IN设置在衬底101上。连接走线106可以设置在绝缘层IN靠近衬底101的一侧，也可以设置在绝缘层IN远离衬底101的一侧。

本申请实施例提供的阵列基板100包括非弯折区100A和弯折区100B。在弯折区100B设置了多个通孔109a。在阵列基板100弯折时可能因应力集中导致膜层裂开。通孔109a可以有效防止裂纹延伸。当因弯折出现裂纹时，裂纹延伸至通孔109a处，通孔109a将阻止裂纹进一步延伸至走线区和非弯折区100A。由此，可以有效保护阵列基板100上的器件和走线，防止阵列基板100走线被损坏。并且，由于阵列基板100弯折时，应力最大的区域在弯折区100B的边缘。因此，弯折区100B的边缘出现裂纹的概率更大。而深度较大的通孔109a更容易阻挡裂纹的延伸，由此，将通孔109a的深度与弯折区100B受到应力的大小区域做差异性设计，可以更有效的防止裂纹向阵列基板100内延伸。

其中，图1中示出的是通孔109a设置在连接走线106的一侧的示例。由于在阵列基板100弯折时，弯折区100B的两侧产生裂纹的可能性较高，因此，通孔109a还可以设置在连接走线106的两侧，防止裂纹由两端延伸至阵列基板100内部。

可选的，弯折区100B包括第一应力区1001b、第二应力区1002b以及第三应力区1003b。第一应力区1001b位于弯折区100B的弯折轴x上。第二应力区1002b位于第一应力区1001b平行弯折轴x的两侧。第三应力区1003b位于第一应力区1001b与第二应力区1002b之间。结合图1、图2和图3所示，阵列基板100包括衬底101以及绝缘层IN。绝缘层IN设置在衬底101上。绝缘层IN在弯折区100B设置有多个通孔109a。其中，第一应力区1001b的通孔109a的密度大于第二应力区1002b的通孔109a的密度，第二应力区1002b的通孔109a的密度大于第三应力区1003b的通孔109a的密度。

其中，弯折区100B包括第一应力区1001b、第二应力区1002b7以及第三应力区1003b。第一应力区1001b、第二应力区1002b7以及第三应力区1003b的宽度根据弯折情况的不同也不同。但第一应力区1001b是指是弯折的中心轴，即弯折轴x。第二应力区1002b是靠近弯折末端的位置。第三应力区1003b是介于第一应力区1001b和第二应力区1002b之间的区域。根据弯折的程度不同，第一应力区1001b受到的弯折应力最大，第二应力区1002b受到的弯折应力次之，第三应力区1003b受到的弯折应力最小。因此，在本申请实施例中，根据第一应力区1001b、第二应力区1002b7以及第三应力区1003b的应力分布情况，适应性的设计不同区域的通孔109a的密度。在应力最大的区域，通孔109a的密度最大。即，第一应力区1001b的通孔109a的密度大于第二应力区1002b的通孔109a的密度，第二应力区1002b的通孔109a的密度大于第三应力区1003b的通孔109a的密度。由此，可以更好的利用通孔109a分散应力，防止裂纹延伸。

需要说明的是，由于在图2所示的阵列基板100的结构中，通孔109a已被其他膜层填充。为了清楚示意通孔109a的位置，请同时参阅图3的阵列基板100的中间结构示意图。另外，图2并非是图1中沿弯折轴x延伸方向的剖面图。图2是为了示意通孔109a与阵列基板100上薄膜晶体管器件上膜层的相对位置示意的剖面图，仅用于示意膜层之间的位置关系。

可选的，请继续参阅图1。非弯折区100A包括显示区100a和绑定区100b。显示区100a和绑定区100b沿垂直弯折轴x的方向设置在弯折区100B的两侧。阵列基板100驱动模块116。连接走线106设置在显示区100a和弯折区100B。连接走线106用于连接阵列基板100上的信号走线和驱动模块116。驱动模块116设置在绑定区100b。

可选的，请继续参阅图2。绝缘层IN包括两层以上子绝缘层，通孔109a贯穿至少一层子绝缘层。绝缘层IN可以是氮化硅层、氧化硅层和氮氧化硅层中一层或多层的叠层。可选的，绝缘层IN可以包括依次层叠设置的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。通孔109a贯穿绝缘层IN中第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层的至少一层。另外，绝缘层IN可以包括阵列基板100中的两层以上绝缘材料层。

如图2所示，阵列基板100还包括依次层叠设置的栅极层103、栅极绝缘层104、有源层105、顶栅极绝缘层107、顶栅极层108、层间绝缘层109、源漏金属层110以及钝化层111。绝缘层IN包括层间绝缘层109和栅极绝缘层104。通孔109a至少贯穿栅极绝缘层104或层间绝缘层109。其中，图2是以双栅晶体管为示例进行说明，本申请实施例不限制薄膜晶体管的类型。本申请实施例提供的阵列基板100中的薄膜晶体管可以是顶栅型薄膜晶体管，也可以是底栅型薄膜晶体管，其可以是图2所示的双栅极型薄膜晶体管，也可以是单栅极型薄膜晶体管。对于薄膜晶体管的具体结构在本申请中不再赘述。如图2所示的阵列基板100，可以将通孔109a设置在层间绝缘层109和/或栅极绝缘层104上，利用阵列基板100上原有的绝缘层IN来设置通孔，无需增加其他的制程步骤，可以避免增加成本。另外，阵列基板100上原有的绝缘层IN厚度可以使通孔109a进行深浅不同的设计，并保证其防裂纹的效果。

需要说明的是，通常阵列基板100弯折应力最大的位置出现在弯折区100B的边缘，因此本申请实施例提供的阵列基板以部分通孔109a的深度沿阵列基板100的边缘向阵列基板100的中心逐渐减小为例进行说明。但还可以在其他可能的弯折应力较大的区域增大通孔109a的深度，本申请实施例对此不作限制。

如前所述，连接走线106可以设置在绝缘层IN靠近衬底101的一侧，也可以设置在绝缘层IN远离衬底101的一侧。可选的，连接走线106可以设置在衬底的一侧表面，也可以设置在栅极绝缘层104上，还可以设置在层间绝缘层109上。另外，连接走线106是金属走线，可以与栅极层103同层制作，也可以与顶栅极层108同层制作。

可选的，请继续参阅图2。阵列基板100还包括应力层102。应力层102设置在衬底101上。在阵列基板100弯折时，应力层102可减小弯折产生的应力作用于阵列基板100。应力层102采用的材料可以为氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中一种或多种的组合。因此，应力层102还可以从衬底101侧有效的隔绝水氧入侵，进而保护阵列基板100中的器件，最终提高阵列基板100制成的显示面板的稳定性。

可选的，请参阅图4，图4是本申请实施例提供的阵列基板的第二种局部结构俯视示意图。第一应力区1001b的通孔109a、第二应力区1002b的通孔109a以及第三应力区1003b的通孔109a的孔径不同。

可选的，第一应力区1001b的通孔109a、第二应力区1002b的通孔109a以及第三应力区1003b的通孔109a的孔径均介于3微米至5微米之间。具体的，第一应力区1001b的通孔109a、第二应力区1002b的通孔109a以及第三应力区1003b的通孔109a的孔径可以是3微米、3.1微米、3.2微米、3.3微米、3.4微米、3.5微米、3.6微米、3.7微米、3.8微米、3.9微米、4微米、4.1微米、4.2微米、4.3微米、4.4微米、4.5微米、4.6微米、4.7微米、4.8微米、4.9微米或5微米。其中，通孔109a的孔径可以根据面板尺寸大小不同来选择。另外，孔径介于3微米至5微米的通孔109a可以对裂纹的延伸起到更好的防护效果。若孔径小于3微米，可能因通孔109a过小而无法阻挡裂纹；若孔径大于5微米，则可能因通孔109a过大而使阵列基板100的膜层稳定性下降，还可能影响绝缘层IN的绝缘性。

可选的，请参阅图5，图5是本申请实施例提供的阵列基板的第三种局部结构俯视示意图。第一应力区1001b的通孔109a、第二应力区1002b的通孔109a以及第三应力区1003b的通孔109a的形状不同。可以理解的是，通孔109a可以在防止裂纹延伸的同时，分散弯折应力。对于应力的分散，孔的形状是有一定影响的。通常，通孔109a的截面形状可以为三角形、方形以及圆形等。通孔109a的截面形状的边数越多，其分散应力的效果越好。因此，本申请实施例选择在第一应力区1001b设置圆形通孔，在第二应力区1002b设置方形通孔，在第三应力区1003b设置三角形通孔，以适应不同区域的应力大小差异。

另外，对于通孔109a的密度，还可通过调节通孔109a之间的数量和间距来实现。如本申请实施例的图1所示，在第一应力区1001b设置的通孔109a数量最多，且间距最小。同时，在第三应力区1003b设置的通孔109a数量最少，且间距最大。同时，也可以结合通孔109a数量、间距、孔径和形状来调节通孔109a密度。本申请实施例对通孔109a的密度设计方式不做限制。

相应的，本申请实施例还提供一种显示面板。请参阅图6，图6是本申请实施例提供的显示面板的一种结构示意图。显示面板10包括阵列基板100以及发光结构层EL。阵列基板100为以上任一项的阵列基板100。发光结构层EL设置在阵列基板100上。

其中，发光结构层EL包括第一电极112、发光功能层113、像素定义层114以及第二电极115。第一电极112穿过钝化层111连接至源漏金属层110。像素定义层114设置在第一电极112上，并对应第一电极112设置有开口。发光功能层113设置在开口内。第二电极115设置在发光功能层113和像素定义层114上。发光结构层EL的设置为本领域技术人员熟知的技术手段，在此不再赘述。另外，本申请实施例以发光结构层EL为OLED发光结构为例进行描述，但不作为对本申请的限制。

本申请实施例提供的显示面板10中包括一种阵列基板100。阵列基板100包括非弯折区100A和弯折区100B。在弯折区100B设置了多个通孔109a。在阵列基板100弯折时可能因应力集中导致膜层裂开。通孔109a可以有效防止裂纹延伸。当因弯折出现裂纹时，裂纹延伸至通孔109a处，通孔109a将阻止裂纹进一步延伸至走线区和非弯折区100A。由此，可以有效保护阵列基板100上的器件和走线，防止阵列基板100走线被损坏。

另外，以下对本申请实施例提供的显示面板制作方法进行简述。

首先，对玻璃基板进行清洗和预烘烤。玻璃基板是用于承载阵列基板100的基体构件。阵列基板100制备过程就是采用玻璃基板作为支撑，后续将阵列基板100与玻璃基板剥离。其中，在阵列基板100和玻璃基板之间还可以设置隔离层。隔离层可以采用α-Si。一方面，隔离层可以提高表面粗糙度，有利于阵列基板100中衬底101附着在玻璃基板上。另一方面，可采用激光剥离技术使得α-Si气化，便于衬底101与玻璃基板分离。

然后在玻璃基板上制备柔性聚酰亚胺(PI)层作为衬底101。在此实施例中，以聚酰亚胺为例进行说明。衬底101可采用的材料还可以是聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的任一种或多种组合。

在衬底101上沉积硅氧化合物(SiOx)薄膜、硅氮化合物(SiNx)薄膜中的一种或多种组合作为应力层102。应力层102用于改善弯折时的应力。然后在应力层102上沉积栅极层103。栅极层103采用的材料可以是钼(Mo)、铝(Al)，铜(Cu)、钛(Ti)中的一种或多种组合。栅极层103的厚度介于2000埃至8000埃之间。并利用光罩定义出栅极图形，最终得到栅极层103。

在栅极层103以及应力层102上沉积硅氧化合物(SiOx)薄膜、硅氮化合物(SiNx)薄膜中的一种或多种组合作为栅极绝缘层104。沉积的厚度介于5000埃至10000埃之间。

在栅极绝缘层104上沉积有源层105。有源层105采用的材料可以为铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟镓锌锡氧化物(IGZTO)、铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锡氧化物(IGTO)或锑锡氧化物(ATO)中的任一种。以上材料具有很好的导电性和透明性，并且厚度较小，不会影响显示面板的整体厚度。同时，还可以减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外光。有源层105的厚度介于200埃至800埃之间。在一种实施例中，有源层105采用的材料为IGZO。其中，In：Ga：Zn＝1:1:1。

在有源层105上沉积硅氧化合物(SiOx)薄膜、硅氮化合物(SiNx)薄膜中的一种或多种组合作为顶栅极绝缘层107。顶栅极绝缘层107的厚度介于1000埃至3000埃之间。

在顶栅极绝缘层107上沉积顶栅极层108。顶栅极层108采用的材料可以是Mo、Al、Cu、Ti中的一种或多种组合。顶栅极层108的厚度介于2000埃至8000埃之间。

然后利用一道黄光，先蚀刻出顶栅极层108的图形.再利用顶栅极层108图形为自对准，蚀刻顶栅极绝缘层107。之后，进行整面的等离子体处理，使得上方没有顶栅极绝缘层107及顶栅极层108保护的有源层105被处理以后电阻明显降低，形成N+导体层，即薄膜晶体管的源漏接触区。而顶栅极层108下方有源层105没有被处理到，保持半导体特性，作为薄膜晶体管的导电沟道层。

沉积硅氧化合物(SiOx)薄膜、硅氮化合物(SiNx)薄膜中的一种或多种组合作为层间绝缘层109。层间绝缘层109的厚度介于2000埃至10000埃。并且对应薄膜晶体管的源漏接触区在层间绝缘层109上设置开孔。同时，利用光罩在弯折区100B制作出通孔109a作为防裂纹扩散孔。

在层间绝缘层109上沉积源漏金属层110。源漏金属层110采用的材料可以是Mo、Al、Cu和Ti中的一种或多种组合。源漏金属层110的厚度介于2000埃至8000埃。并对源漏金属层110进行图案化处理。

然后在源漏金属层110和层间绝缘层109上沉积钝化层111。钝化层111采用硅氧化合物(SiOx)薄膜、硅氮化合物(SiNx)薄膜中的一种或多种组合。钝化层111的厚度介于1000埃至5000埃之间。在一些实施例中，在钝化层111上进对应源漏金属层110进行开孔处理，并制作阳极。在另一些实施例中，在钝化层111上设置第一电极112，即阳极之后，制作像素定义层114，并在像素定义层114上开孔。

在钝化层111的开孔内或在像素定义层114的开孔内沉积发光层材料，以形成发光功能层113。再制作第二电极115，即阴极金属，完成OLED面板的制作。

以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板具有相邻设置的弯折区和非弯折区，所述弯折区沿弯折轴弯折，所述阵列基板包括：

衬底；

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述弯折区包括第一应力区、第二应力区以及第三应力区，所述第一应力区位于所述弯折区的弯折轴上，所述第二应力区位于所述第一应力区平行所述弯折轴的两侧，所述第三应力区位于所述第一应力区与所述第二应力区之间；其中，所述第一应力区的所述通孔的密度大于所述第二应力区的所述通孔的密度，所述第二应力区的所述通孔的密度大于所述第三应力区的所述通孔的密度。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一应力区的所述通孔、所述第二应力区的所述通孔以及所述第三应力区的所述通孔的孔径不同。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述第一应力区的所述通孔、所述第二应力区的所述通孔以及所述第三应力区的所述通孔的孔径均介于3微米至5微米之间。

5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一应力区的所述通孔、所述第二应力区的所述通孔以及所述第三应力区的所述通孔的形状不同。

6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述非弯折区包括显示区和绑定区，所述显示区和所述绑定区沿垂直所述弯折轴的方向设置在所述弯折区的两侧；

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括应力层，所述应力层设置在所述衬底上。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括两层以上子绝缘层，所述通孔贯穿至少一层所述子绝缘层。

9.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括依次层叠设置的栅极层、栅极绝缘层、有源层、层间绝缘层、源漏金属层以及钝化层，所述绝缘层包括所述层间绝缘层和所述栅极绝缘层，所述通孔至少贯穿所述栅极绝缘层或所述层间绝缘层。

10.一种显示面板，其特征在于，包括阵列基板以及发光结构层，所述阵列基板为权利要求1至9任一项所述的阵列基板，所述发光结构层设置在所述阵列基板上。