CN111768706A - 一种显示面板、其制备方法及显示装置 - Google Patents

一种显示面板、其制备方法及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111768706A
CN111768706A CN202010589553.0A CN202010589553A CN111768706A CN 111768706 A CN111768706 A CN 111768706A CN 202010589553 A CN202010589553 A CN 202010589553A CN 111768706 A CN111768706 A CN 111768706A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
display panel
bending
film transistor
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010589553.0A
Other languages
English (en)
Inventor
胡俊艳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202010589553.0A priority Critical patent/CN111768706A/zh
Publication of CN111768706A publication Critical patent/CN111768706A/zh
Priority to US17/262,700 priority patent/US20230209913A1/en
Priority to PCT/CN2020/124612 priority patent/WO2021258593A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201Manufacture or treatment
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111Flexible substrates
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示面板、其制备方法及显示装置。所述显示面板区分为弯折区和非弯折区,包括衬底层、位于所述衬底层上且对应于所述非弯折区的薄膜晶体管层、位于所述衬底层上且对应于所述弯折区的有机填充层、位于所述薄膜晶体管层和所述有机填充层上的平坦化层、以及位于所述平坦化层上的像素电极;其中,所述弯折区内的所述像素电极通过金属走线与所述非弯折区内的所述薄膜晶体管层的源极相连,所述有机填充层包括多个第二过孔,所述多个第二过孔内填充有机光阻。本发明弯折区内金属走线下方设置多个过孔并填充有机光阻,可减小金属走线断裂的风险,极大的缓解弯折时各膜层的应力。

Description

一种显示面板、其制备方法及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、其制备方法及显示装置。
背景技术
刚性OLED显示面板变成可弯折的柔性OLED显示面板,其最大的挑战便是应力问题,因整个显示屏由多层材料构成,弯折时材料受到挤压,容易发生破裂,影响显示。
现有技术的可弯折OLED显示面板,采用对弯折区的无机膜层进行刻蚀,填充有机光阻的方法,释放弯折时的应力,然而此结构具有一定的局限性,如无法实现高分辨率,工艺复杂,制程难度大等特点,除此之外,因弯折时,整个薄膜晶体管都在弯折,走线仍有断裂风险,且薄膜晶体管电性会随着弯折而发生漂移,无法保证显示效果。故,有必要改善这一缺陷。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板,用于解决现有技术的可弯折显示面板无法实现高分辨率、工艺复杂、制程难度大,且弯折时薄膜晶体管的电性会随着弯折而发生漂移,影响显示效果的技术问题。
本发明实施例提供一种显示面板,区分为弯折区和非弯折区,包括:衬底层;薄膜晶体管层,位于所述衬底层上,且对应于所述非弯折区设置;有机填充层,位于所述衬底层上,且对应于所述弯折区设置;平坦化层,位于所述薄膜晶体管层和所述有机填充层上;像素电极,位于所述平坦化层上,且通过第一过孔与所述薄膜晶体管层的源极相连;以及像素定义层,位于所述平坦化层上,且对应于所述像素电极的间隙设置;其中,所述弯折区内的所述像素电极通过金属走线与所述非弯折区内的所述薄膜晶体管层的源极相连,所述有机填充层包括多个第二过孔,所述多个第二过孔内填充有机光阻。
进一步的,所述第二过孔等间距分布。
进一步的,所述第二过孔的分布密度由所述弯折区的中央向两侧逐渐减小。
进一步的,所述第二过孔的截面宽度由所述弯折区的中央向两侧逐渐减小。
进一步的,所述第二过孔的深度范围为大于0且小于或者等于20微米。
进一步的,所述第二过孔的深度均相同。
进一步的,所述第二过孔的深度由所述弯折区的中央向两侧逐渐减小。
进一步的,所述第二过孔的形状为圆形、椭圆形、扇形、多边形中的一种或多种。
本发明实施例提供一种显示面板的制备方法,所述显示面板区分为弯折区和非弯折区,包括步骤:提供一衬底层;在所述衬底层上且对应于所述非弯折区内制备薄膜晶体管层;在所述衬底层上且对应于所述弯折区内制备多个第二过孔;在所述多个第二过孔内填充有机光阻,形成有机填充层;在所述薄膜晶体管层和所述有机填充层上制备平坦化层;在所述平坦化层上制备像素电极,所述像素电极通过第一过孔与所述薄膜晶体管层的源极相连,其中,所述弯折区内的所述像素电极通过金属走线与所述非弯折区内的所述薄膜晶体管层的源极相连;以及在所述平坦化层上且对应于所述像素电极的间隙制备像素定义层。
本发明实施例提供一种显示装置,包括上述的显示面板。
有益效果:本发明实施例提供的一种显示面板,通过将薄膜晶体管置于非弯折区内,将弯折区内的像素电极通过金属走线与非弯折区内的薄膜晶体管相连,可避免扫描线弯折断裂,弯折时薄膜晶体管的电性并不会发生较大偏移,且弯折区内金属走线下方设置多个过孔并填充有机光阻,可减小金属走线断裂的风险,极大的缓解弯折时各膜层的应力。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的显示面板的基本结构示意图。
图2a~2e是本发明实施例提供的对应于弯折区的第二过孔的截面示意图。
图3是本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,本发明实施例提供的显示面板的基本结构示意图,从图中可以很直观地看到本发明的各组成部分,以及各组成部分之间的相对位置关系,所述显示面板区分为弯折区A1和非弯折区A2,所述显示面板包括:衬底层101;薄膜晶体管层102,位于所述衬底层101上,且对应于所述非弯折区A2设置;有机填充层103,位于所述衬底层101上,且对应于所述弯折区A1设置;平坦化层104,位于所述薄膜晶体管层102和所述有机填充层103上;像素电极105,位于所述平坦化层104上,且通过第一过孔106与所述薄膜晶体管层102的源极1021相连;以及像素定义层107,位于所述平坦化层104上,且对应于所述像素电极105的间隙设置;其中,所述弯折区A1内的所述像素电极105通过金属走线与所述非弯折区A2内的所述薄膜晶体管层102的源极1021相连,所述有机填充层103包括多个第二过孔109,所述多个第二过孔109内填充有机光阻。
在一种实施例中,所述衬底层101包括第一衬底层1011、位于所述第一衬底层1011上的第一缓冲层1012、位于所述第一缓冲层1012上的第二衬底层1013、以及位于所述第二衬底层1013上的第二缓冲层1014。
在一种实施例中,所述薄膜晶体管层102还包括有源层1022、位于所述有源层1022上的栅绝缘层1023、位于所述栅绝缘层1023上的栅极1024、位于所述栅极1024上的第二绝缘层1025、位于所述第二绝缘层1025上的第二金属层1026、位于所述第二金属层1026上的介电层1027、以及位于所述介电层1027上的漏极1028,其中,所述源极1021通过第三过孔110与所述有源层1022的一端相连,所述漏极1028通过第四过孔111与所述有源层1022的另一端相连。
在一种实施例中,所述显示面板还包括间隔柱108,所述间隔柱108设置于所述像素定义层107上。
需要说明的是,本发明实施例提供的显示面板包括至少一个弯折区A1,本发明通过将薄膜晶体管层102设置于非弯折区A2内,不在弯折区A1内设置薄膜晶体管,如此弯折时可避免薄膜晶体管的电性发生漂移,影响显示效果;同时,弯折区A1内的像素电极105通过金属走线与非弯折区A2内的薄膜晶体管层102的源极1021相连,即可以通过非弯折区A2内的薄膜晶体管控制弯折区A1内的像素电极,即弯折区A1也可以正常显示,不会对显示面板的分辨率造成影响,且本发明在金属走线下方设置多个第二过孔109,并填充有机光阻,可减小金属走线因弯折断裂的风险,缓解弯折时各膜层的应力。本发明仅对弯折区A1内的像素结构进行变更,影响范围小,不会对非弯折区A2信赖性造成影响。
在一种实施例中,连接所述弯折区A1内的像素电极105与所述非弯折区A2内的薄膜晶体管层102的金属走线可以是源极1021本身(如图1),也可以通过换线替换为其他更耐弯折的走线。本实施例通过源极1021进行连接弯折区A1内的像素电极105与非弯折区A2内的薄膜晶体管层102,此结构可避免扫描线发生断裂产生显示不良,而源极走线的材料耐弯折能力强,因弯折断裂的风险较小,且所述源极1021下设置多个第二过孔109,并填充有机光阻,能极大缓解弯折时各膜层的应力。
需要说明的是,本发明实施例提供的显示面板,其弯折区A1所对应的部位可以由内向外进行弯折,也可以由外向内进行弯折,弯折半径的范围均为0至20毫米。
需要说明的是,所述多个第二过孔109是通过刻蚀形成的,刻蚀区域的宽度可大于所述弯折区A1的宽度,即大于πR,以提供更好的弯折应力缓解。此处R指显示面板的弯折半径。所述多个第二过孔109至少经一次干刻形成。在一些实施例中,所述多个第二过孔109内还可填充其他耐弯折特性强的有机物。
在一种实施例中,所述第二过孔109的截面宽度均相等(图中未示出),或者由所述弯折区A1的中央向两侧逐渐减小(如图1所示,W1>W2)。本发明通过对弯折区A1进行挖孔填充,对第二过孔109的宽度进行设定,根据弯折区A1所受应力大小调整第二过孔109的宽度,极大的缓解了弯折时各膜层的应力,减小了金属走线断裂的风险。
在一种实施例中,所述第二过孔109的深度范围为大于0且小于或者等于20微米,所述第二过孔109的深度可以均相同(图中未示出),或者由所述弯折区A1的中央向两侧逐渐减小(如图1所示,D1>D2),本实施例通过对第二过孔109的深度进行设定,根据弯折区A1所受应力大小调整第二过孔109的深度,极大的缓解了弯折时各膜层的应力,减小了金属走线断裂的风险。
如图2a~2e所示,本发明实施例提供的对应于弯折区的第二过孔的截面示意图,所述第二过孔109可以等间距分布(如图2a所示),或者其分布密度由所述弯折区的中央向两侧逐渐减小(如图2b所示),本实施例通过对第二过孔109之间的间距进行设定,根据弯折区A1所受应力大小调整第二过孔109之间的间距,极大的缓解了弯折时各膜层的应力,减小了金属走线断裂的风险。
在一种实施例中,在所述弯折区的大小不变的前提下,可以增加所述第二过孔109的数量,如图2c所示,通过对第二过孔109的数量进行设定,根据弯折区A1所受应力大小调整第二过孔109的数量,极大的缓解了弯折时各膜层的应力,减小了金属走线断裂的风险。
在一种实施例中,所述第二过孔109的形状为圆形(如图2a~2c所示)、椭圆形(如图2d所示)、扇形(图中未示出)、多边形(如图2e所示的六边形)中的一种或多种,本实施例通过对第二过孔109的形状进行设定,根据弯折区A1所受应力大小调整第二过孔109的形状,极大的缓解了弯折时各膜层的应力,减小了金属走线断裂的风险。
如图3所示,本发明实施例提供的显示面板的制备方法流程图,所述显示面板区分为弯折区和非弯折区,所述制备方法包括步骤:
S301、提供一衬底层;
S302、在所述衬底层上且对应于所述非弯折区内制备薄膜晶体管层;
S303、在所述衬底层上且对应于所述弯折区内制备多个第二过孔;
S304、在所述多个第二过孔内填充有机光阻,形成有机填充层;
S305、在所述薄膜晶体管层和所述有机填充层上制备平坦化层;
S306、在所述平坦化层上制备像素电极,所述像素电极通过第一过孔与所述薄膜晶体管层的源极相连,其中,所述弯折区内的所述像素电极通过金属走线与所述非弯折区内的所述薄膜晶体管层的源极相连;以及
S307、在所述平坦化层上且对应于所述像素电极的间隙制备像素定义层。
需要说明的是,所述步骤S301具体包括:在玻璃基板上涂布第一衬底层;在所述第一衬底层上沉积第一缓冲层;在所述第一缓冲层上再涂布第二衬底层,形成双PI结构;在所述第二衬底层上沉积第二缓冲层。
需要说明的是,所述步骤S302具体包括:在所述第二缓冲层上制备有源层,对所述有源层进行结晶,并进行图案化,形成TFT的沟道和走线;在所述有源层上方沉积栅绝缘层和第一金属层,并对所述第一金属层进行图案化,形成栅极和扫描线;在所述栅极上方沉积第二绝缘层和第二金属层,并对所述第二金属层图案化,形成存储电容的第二极板和泄放线;在所述第二金属层上方沉积介电层;在所述介电层上制备源极和漏极走线,所述源极通过第三过孔与所述有源层的一端相连,所述漏极通过第四过孔与所述有源层的另一端相连。
需要说明的是,本实施例通过将薄膜晶体管层设置于非弯折区内,不在弯折区内设置薄膜晶体管,如此弯折时可避免薄膜晶体管的电性发生漂移,影响显示效果;同时,弯折区内的像素电极通过金属走线与非弯折区内的薄膜晶体管层的源极相连,即可以通过非弯折区内的薄膜晶体管控制弯折区内的像素电极,即弯折区也可以正常显示,不会对显示面板的分辨率造成影响,且本实施例在金属走线下方设置多个第二过孔,并填充有机光阻,可减小金属走线因弯折断裂的风险,缓解弯折时各膜层的应力。
需要说明的是,所述步骤S303中,多个第二过孔可以等间距分布、或者分布密度由所述弯折区的中央向两侧逐渐减小;其截面宽度可以均相等、或者由所述弯折区的中央向两侧逐渐减小;其深度范围为大于0且小于或者等于20微米,其深度可以均相同、或者由所述弯折区的中央向两侧逐渐减小;其截面形状为圆形、椭圆形、扇形、多边形中的一种或多种。本发明实施例对弯折区孔的大小和深度进行渐变,根据弯折区所受应力大小调整孔密度和深度,极大的缓解了弯折时各膜层的应力,减小了金属走线断裂的风险。
需要说明的是,所述制备方法还包括步骤:在所述像素定义层上制备间隔柱。
本发明实施例还提供一种显示装置,包括驱动芯片和上述的显示面板。本发明实施例提供的显示装置可以为:手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
综上所述,本发明实施例提供的一种显示面板,通过将薄膜晶体管置于非弯折区内,将弯折区内的像素电极通过金属走线与非弯折区内的薄膜晶体管相连,可避免扫描线弯折断裂,弯折时薄膜晶体管的电性并不会发生较大偏移,且弯折区内金属走线下方设置多个过孔并填充有机光阻,可减小金属走线断裂的风险,极大的缓解弯折时各膜层的应力,解决了现有技术的可弯折显示面板无法实现高分辨率、工艺复杂、制程难度大,且弯折时薄膜晶体管的电性会随着弯折而发生漂移,影响显示效果的技术问题。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板、其制备方法及显示装置进行了详细介绍。应理解,本文所述的示例性实施方式应仅被认为是描述性的,用于帮助理解本发明的方法及其核心思想,而并不用于限制本发明。

Claims (10)

1.一种显示面板,区分为弯折区和非弯折区,其特征在于,包括:
衬底层;
薄膜晶体管层,位于所述衬底层上,且对应于所述非弯折区设置;
有机填充层,位于所述衬底层上,且对应于所述弯折区设置;
平坦化层,位于所述薄膜晶体管层和所述有机填充层上;
像素电极,位于所述平坦化层上,且通过第一过孔与所述薄膜晶体管层的源极相连;以及
像素定义层,位于所述平坦化层上,且对应于所述像素电极的间隙设置;
其中,所述弯折区内的所述像素电极通过金属走线与所述非弯折区内的所述薄膜晶体管层的源极相连,所述有机填充层包括多个第二过孔,所述多个第二过孔内填充有机光阻。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二过孔等间距分布。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二过孔的分布密度由所述弯折区的中央向两侧逐渐减小。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二过孔的截面宽度由所述弯折区的中央向两侧逐渐减小。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二过孔的深度范围为大于0且小于或者等于20微米。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二过孔的深度均相同。
7.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二过孔的深度由所述弯折区的中央向两侧逐渐减小。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二过孔的形状为圆形、椭圆形、扇形、多边形中的一种或多种。
9.一种显示面板的制备方法,所述显示面板区分为弯折区和非弯折区,其特征在于,包括步骤:
提供一衬底层;
在所述衬底层上且对应于所述非弯折区内制备薄膜晶体管层;
在所述衬底层上且对应于所述弯折区内制备多个第二过孔;
在所述多个第二过孔内填充有机光阻,形成有机填充层;
在所述薄膜晶体管层和所述有机填充层上制备平坦化层;
在所述平坦化层上制备像素电极,所述像素电极通过第一过孔与所述薄膜晶体管层的源极相连,其中,所述弯折区内的所述像素电极通过金属走线与所述非弯折区内的所述薄膜晶体管层的源极相连;以及
在所述平坦化层上且对应于所述像素电极的间隙制备像素定义层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的显示面板。
CN202010589553.0A 2020-06-24 2020-06-24 一种显示面板、其制备方法及显示装置 Pending CN111768706A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010589553.0A CN111768706A (zh) 2020-06-24 2020-06-24 一种显示面板、其制备方法及显示装置
US17/262,700 US20230209913A1 (en) 2020-06-24 2020-10-29 Display panel, manufacturing method thereof, and display device
PCT/CN2020/124612 WO2021258593A1 (zh) 2020-06-24 2020-10-29 一种显示面板、其制备方法及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010589553.0A CN111768706A (zh) 2020-06-24 2020-06-24 一种显示面板、其制备方法及显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN111768706A true CN111768706A (zh) 2020-10-13

Family

ID=72721799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010589553.0A Pending CN111768706A (zh) 2020-06-24 2020-06-24 一种显示面板、其制备方法及显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230209913A1 (zh)
CN (1) CN111768706A (zh)
WO (1) WO2021258593A1 (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112331681A (zh) * 2020-11-25 2021-02-05 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板和显示装置
CN112435578A (zh) * 2020-11-23 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 面板支撑结构及其制备方法、显示装置
CN112864180A (zh) * 2021-03-04 2021-05-28 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、柔性显示面板及显示装置
WO2021258593A1 (zh) * 2020-06-24 2021-12-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN114141825A (zh) * 2021-11-09 2022-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端
CN114220832A (zh) * 2021-12-10 2022-03-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
CN115000124A (zh) * 2021-11-11 2022-09-02 荣耀终端有限公司 显示面板、显示屏及电子设备
WO2023019646A1 (zh) * 2021-08-20 2023-02-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9525070B1 (en) * 2015-07-27 2016-12-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. TFT substrate structure and manufacturing method thereof
CN107658333A (zh) * 2017-10-31 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置
CN108269835A (zh) * 2018-01-19 2018-07-10 云谷(固安)科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
US10186684B2 (en) * 2016-03-10 2019-01-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN109860252A (zh) * 2019-01-30 2019-06-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN109887935A (zh) * 2019-03-04 2019-06-14 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN109920800A (zh) * 2019-02-28 2019-06-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示装置及其制作方法
CN110518039A (zh) * 2019-08-29 2019-11-29 武汉天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN111129027A (zh) * 2019-12-03 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器的结构及其制作方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9911762B2 (en) * 2015-12-03 2018-03-06 Innolux Corporation Display device
CN109032251A (zh) * 2018-06-28 2018-12-18 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示模组及其承载中框
CN109461742B (zh) * 2018-10-11 2020-11-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种柔性显示面板
CN109671761B (zh) * 2018-12-19 2020-06-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN209401247U (zh) * 2019-03-20 2019-09-17 云谷(固安)科技有限公司 显示面板及显示装置
CN111063721A (zh) * 2020-01-06 2020-04-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及显示装置
CN111768706A (zh) * 2020-06-24 2020-10-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、其制备方法及显示装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9525070B1 (en) * 2015-07-27 2016-12-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. TFT substrate structure and manufacturing method thereof
US10186684B2 (en) * 2016-03-10 2019-01-22 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN107658333A (zh) * 2017-10-31 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置
CN108269835A (zh) * 2018-01-19 2018-07-10 云谷(固安)科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN109860252A (zh) * 2019-01-30 2019-06-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN109920800A (zh) * 2019-02-28 2019-06-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示装置及其制作方法
CN109887935A (zh) * 2019-03-04 2019-06-14 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN110518039A (zh) * 2019-08-29 2019-11-29 武汉天马微电子有限公司 一种柔性显示面板及显示装置
CN111129027A (zh) * 2019-12-03 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示器的结构及其制作方法

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021258593A1 (zh) * 2020-06-24 2021-12-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN112435578A (zh) * 2020-11-23 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 面板支撑结构及其制备方法、显示装置
CN112435578B (zh) * 2020-11-23 2023-08-25 京东方科技集团股份有限公司 面板支撑结构及其制备方法、显示装置
CN112331681A (zh) * 2020-11-25 2021-02-05 湖北长江新型显示产业创新中心有限公司 一种显示面板和显示装置
CN112864180A (zh) * 2021-03-04 2021-05-28 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、柔性显示面板及显示装置
CN112864180B (zh) * 2021-03-04 2023-12-15 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、柔性显示面板及显示装置
WO2023019646A1 (zh) * 2021-08-20 2023-02-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和电子装置
CN114141825A (zh) * 2021-11-09 2022-03-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及移动终端
CN115000124A (zh) * 2021-11-11 2022-09-02 荣耀终端有限公司 显示面板、显示屏及电子设备
CN115000124B (zh) * 2021-11-11 2023-09-01 荣耀终端有限公司 显示面板、显示屏及电子设备
CN114220832A (zh) * 2021-12-10 2022-03-22 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
US20230209913A1 (en) 2023-06-29
WO2021258593A1 (zh) 2021-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111768706A (zh) 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN109300964B (zh) 柔性oled面板及其制作方法
CN111564458B (zh) 显示面板
CN111682055B (zh) 显示基板及其制备方法、显示面板和显示装置
US10916570B2 (en) Array substrate and manufacturing method thereof
CN107579081B (zh) 一种显示面板和显示装置
US10763450B2 (en) Display substrate, method for manufacturing display substrate, display panel, and display device
CN108428705A (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置
WO2019144610A1 (zh) 扇出结构及其制造方法、显示面板
CN111708237B (zh) 一种阵列基板、显示面板及显示装置
US20240045541A1 (en) Display panel, display device and method for fabricating the display panel
KR20190110617A (ko) 어레이 기판 및 어레이 기판의 제작 방법
US10361261B2 (en) Manufacturing method of TFT substrate, TFT substrate, and OLED display panel
CN110233155B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
CN112558800A (zh) 阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
CN113345923B (zh) 一种显示面板及显示装置
CN108535925B (zh) 显示面板和显示装置
CN101494226B (zh) 薄膜晶体管基板及其制造方法、布线结构及其制造方法
WO2024027397A1 (zh) 阵列基板及显示面板
CN209784704U (zh) 显示基板、显示面板
CN106990632A (zh) 阵列基板及显示装置
WO2017206659A1 (zh) Tft阵列基板及其制备方法、显示装置
US11417689B2 (en) Display panel
CN112669710A (zh) 显示面板及显示装置
CN111554721A (zh) 一种显示基板及制作方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20201013

RJ01 Rejection of invention patent application after publication