CN109920800A - 一种显示装置及其制作方法 - Google Patents

一种显示装置及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109920800A
CN109920800A CN201910149955.6A CN201910149955A CN109920800A CN 109920800 A CN109920800 A CN 109920800A CN 201910149955 A CN201910149955 A CN 201910149955A CN 109920800 A CN109920800 A CN 109920800A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
insulating layer
viewing area
grid
far
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201910149955.6A
Other languages
English (en)
Inventor
方亮
丁玎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN201910149955.6A priority Critical patent/CN109920800A/zh
Priority to US16/489,402 priority patent/US11239291B2/en
Priority to PCT/CN2019/083246 priority patent/WO2020172971A1/zh
Publication of CN109920800A publication Critical patent/CN109920800A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种显示装置及其制作方法，所述显示装置包括显示区及非显示区；所述显示区包括基板、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层以及第二栅极层；所述非显示区包括集成电路区；所述第二绝缘层的厚度从靠近所述集成电路区处向远离所述集成电路区方向逐渐递减。所述显示装置的制作方法包括基板设置步骤、第一绝缘层制备步骤、第一栅极层制备步骤、第二绝缘层制备步骤以及第二栅极层制备步骤；所述第二绝缘层的厚度从靠近所述集成电路区处向远离所述集成电路区方向逐渐递减。本发明通过电流补偿的方式，改善显示装置发光亮度不均的现象。

Description

一种显示装置及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种显示装置及其制作方法。
背景技术
有机电致发光显示装置(OLED)以其低功耗、高饱和度、快响应时间及宽视角等独特优势逐渐成为显示领域的主流技术，未来在车载、手机、平板、电脑及电视产品上具有广阔的应用空间。
OLED显示装置主流驱动方式为电流驱动，工作电流由显示装置通过源漏极(SD：Source/Drain)进行传输，因为SD自身存在一定电阻，信号传输存在电压下降(IR Drop)现象，在显示区内，靠近驱动电路的区域内，电压及电流偏大，远离驱动电路的区域内，电压及电流偏小，因此，显示区两端的亮度有明显差异，显示装置出现亮度不均现象，影响产品的使用性能。
如图1所示，目前，解决OLED显示装置发光亮度不均的方法为双层SD结构，包括第一源漏极131以及第二源漏极132。其中，第二源漏极层132采用网状结构设计，通过并联电路控制电压下降，进而改善产品亮度不均现象。但双层SD结构设计因制作工艺复杂、成本高昂等缺点制约其普及应用。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种显示装置及其制作方法，以解决现有技术中存在的源漏极双层结构的制作工艺复杂、成本昂贵、显示装置发光亮度不均以及应用范围较窄的技术问题。
本发明提供一种显示装置，包括显示区及非显示区，所述显示区被所述非显示区环绕，所述显示区依次包括基板、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层以及第二栅极层；所述非显示区包括集成电路区；所述第二绝缘层的厚度从靠近所述集成电路区向远离所述集成电路区方向依次递减。
进一步地，所述显示区被分成N个并排设置的子显示区；所述N个子显示区从靠近所述集成电路区向远离所述集成电路区方向依次排列。
进一步地，位于第(X+1)子显示区的第二绝缘层的厚度小于位于第X子显示区的第二绝缘层的厚度；和/或，第(X+1)子显示区的电容大于第X子显示区的电容；其中，N≥X≥2。
进一步地，在所述显示区中，所述第一栅极层设于所述第一绝缘层远离所述基板一侧表面；所述第二绝缘层设于所述第一栅极层远离第一绝缘层一侧表面；所述第二栅极层设于所述第二绝缘层远离第一栅极层一侧表面。
进一步地，所述显示区包括屏障层、缓冲层、有源层、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层、第二栅极层、介电层、源漏极层以及平坦层；所述屏障层设于所述基板一侧表面；所述缓冲层设于所述屏障层远离所述基板一侧表面；所述有源层设于所述缓冲层远离所述屏障层一侧表面；所述第一绝缘层设于所述有源层及所述缓冲层远离所述屏障层一侧表面；所述第一栅极层设于所述第一绝缘层远离所述有源层一侧表面；所述第二绝缘层设于所述第一栅极层及所述第一绝缘层远离所述有源层一侧表面；所述第二栅极层设于所述第二绝缘层远离所述第一栅极层一侧表面；所述介电层设于所述第二栅极层及所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层一侧表面；所述源漏极层依次贯穿所述介电层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层，连接至所述有源层；以及所述平坦层设于所述源漏极层及所述介电层远离所述基板一侧表面。
本发明还提供一种显示装置的制作方法，所述显示装置包括显示区及非显示区，所述显示区被所述非显示区环绕，所述非显示区包括集成电路区；所述制作方法依次包括如下步骤：基板设置步骤；第一绝缘层制备步骤；第一栅极层制备步骤；第二绝缘层制备步骤；以及第二栅极层制备步骤；在所述第二绝缘层制备步骤中，所述第二绝缘层的厚度从靠近所述集成电路区处向远离所述集成电路区方向逐渐递减。
进一步地，所述第二绝缘层制备步骤依次包括如下步骤：光阻层涂覆步骤，在所述第二绝缘层上涂覆光阻溶液，形成一光阻层；曝光步骤，利用半色调光罩对所述光阻层进行曝光处理，使得所述光阻层的厚度从靠近所述集成电路区处向远离所述集成电路区方向逐渐递减；以及刻蚀步骤，以所述光阻层为遮蔽物，对所述第二绝缘层进行刻蚀处理。
进一步地，所述显示区被分成N个并排设置的子显示区；所述N个子显示区从靠近所述集成电路区向远离所述集成电路区方向依次排列；在所述曝光步骤中，位于第(X+1)子显示区的光阻层的厚度小于位于第X子显示区的光阻层的厚度；其中，N≥X≥2。
进一步地，在所述第一绝缘层制备步骤中，在所述基板上表面沉积形成所述第一绝缘层；在所述第一栅极层制备步骤中，在所述第一绝缘层上表面沉积形成所述第一栅极层；在所述第二绝缘层制备步骤中，在所述第一栅极层上表面沉积形成所述第二绝缘层；在所述第二栅极层制备步骤中，在所述第二绝缘层上表面沉积形成所述第二栅极层。
进一步地，所述基板设置步骤，依次包括如下步骤：屏障层沉积步骤，在所述基板上表面沉积形成一屏障层；缓冲层沉积步骤，在所述屏障层上表面沉积形成一缓冲层；有源层沉积步骤，在所述缓冲层上表面沉积形成一有源层远离所述屏障层一侧面。在形成第二栅极层沉积步骤之后，所述显示装置的制作方法还包括如下步骤：介电层沉积步骤，在所述第二栅极层上表面沉积形成一介电层；挖孔步骤，设置至少两个源漏极孔，依次贯穿所述介电层、所述第二绝缘层及所述第一绝缘层；源漏极层沉积步骤，在每一源漏极孔内沉积形成一源漏极层，连接至所述有源层；平坦层沉积步骤，在所述源漏极层及所述介电层上表面沉积形成一平坦层。
本发明的技术效果在于，提供一种显示装置及其制作方法，在所述显示装置的显示区中，电压从靠近集成电路区处向远离集成电路区方向逐渐递减，因而输入电流也逐渐减小，本发明中两个栅极层及二者之间的绝缘层共同形成存储电容，当绝缘层的厚度从靠近集成电路区处向远离集成电路区方向逐渐递减时，存储电容的电容值从靠近集成电路区处向远离集成电路区方向逐渐递增，通过电流补偿的方式，改善显示装置发光亮度不均的现象，并简化产品制作工艺、降低生产成本，提升产品的广泛使用性。
附图说明
图1是背景技术中显示装置的剖面图；
图2是本发明实施例中显示装置的结构示意图；
图3是本发明实施例中另一显示装置的剖面图；
图4是本发明实施例中显示装置的制作方法的流程图；
图5是本发明实施例中基板形成的流程图；
图6是本发明实施例中第二绝缘层的显示装置的剖面图；
图7是本发明实施例中第二绝缘层的流程图；
图8是本发明实施例中在曝光后的显示装置的剖面图；
图9是本发明实施例中第二绝缘层被刻蚀后的显示装置的剖面图。
图中部件标识如下：
1基板；2屏障层；3缓冲层；4有源层；5第一绝缘层；6第一栅极层；7P型半导体层；8第二绝缘层；9光阻层；10第二栅极层；11介电层；13源漏极层；131第一源漏极；132第二源漏极；14平坦层；16像素电极层；17像素定义层；18光阻间隙层；100第一子显示区；200第二子显示区；300第X子显示区；301第(X+1)子显示区；400第N子显示区；1000显示区；2000非显示区；3000像素点；4000集成电路区；5000信号传输线。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的一个优选实施例，证明本发明可以实施，这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明,使其技术内容更加清楚和便于理解。本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
在附图中，结构相同的部件以相同数字标号表示，各处结构或功能相似的组件以相似数字标号表示。附图所示的每一组件的尺寸和厚度是任意示出的，本发明并没有限定每个组件的尺寸和厚度。为了使图示更清晰，附图中有些地方适当夸大了部件的厚度。
本发明所提到的方向用语，例如[上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「内」、「外」、「侧面」等，仅是附图中的方向，只是用来解释和说明本发明，而不是用来限定本发明的保护范围。
如图2所示，本实施例提供一种显示装置，包括显示区1000及非显示区2000，显示区1000被非显示区2000环绕，非显示区2000包括集成电路区4000(IC芯片)，工作信号通过信号传输线5000从集成电路区4000向显示区1000进行传输。
显示区1000被分成N(N≥2)个并排设置的子显示区；所述N个子显示区从靠近集成电路区4000向远离集成电路区4000方向依次排列，分别为第一子显示区1000、第二子显示区200、第X子显示区300、第N子显示区400(N≥X≥2)。
每个子显示区均包含多个像素点3000，同一子显示区内像素点3000的设计完全相同，每个像素点3000为一个电路控制单元，独自控制OLED发光单元进行显示，而且每个像素点3000包含一个储存电容，不同子显示区内对应像素点的存储电容的大小不一样，本实施例中的存储电容从靠近集成电路区4000处向远离集成电路区4000方向逐渐递增，通过电流补偿的方式使得显示区装置发光更加均匀，并简化产品制作工艺、降低生产成本，提升产品的广泛应用性。
下文将以第X子显示区300、第(X+1)子显示区301为例进行详细说明。
如图3所示，显示区1000依次包括基板1、屏障层2、缓冲层3、有源层4第一绝缘层5、第一栅极层6、第二绝缘层8、第二栅极层10、介电层11、源漏极孔12、源漏极层13、平坦层14、像素电极层16、像素定义层17、光阻间隙层18。
基板1为柔性的PI基板，基板1上方从下至上依次设有屏障层2、缓冲层3及有源层4，有源层4上表面依次设有第一绝缘层5、第一栅极层6、第二绝缘层8及第二栅极层10，两个栅极层6、10及二者之间的第二绝缘层8形成存储电容。
在显示区中，当第二绝缘层8在第(X+1)子显示区300的厚度与其在第X子显示区301的厚度一致时，由于源漏极存在一定电阻，电压从靠近集成电路区处向远离集成电路区方向逐渐递减，因而第(X+1)子显示区301的电流小于第X子显示区300的电流，第(X+1)子显示区301的亮度比第X子显示区300的亮度弱，进而导致整个显示区的亮度不均匀。
当位于第X子显示区300的第二绝缘层8的厚度大于位于第(X+1)子显示区301的第二绝缘层8的厚度时，第(X+1)子显示区301的存储电容的电容值大于第X子显示区300的存储电容的电容值，通过电流补偿的方式，使得第(X+1)子显示区301的实时电流与第X子显示区300的实时电流近似相等，进而使得整个显示区的亮度更加均匀。
第二绝缘层8上方从下至上依次设有介电层11、平坦层14，源漏极层13穿过介电层11、平坦层14且连接至有源层4。
平坦层14上方从下至上依次设有像素电极层16、像素定义层17及光阻间隙层18，像素电极层16连接至源漏极层13。
如图4所示，本实施例还提供前文所述的显示装置的制作方法，包括步骤S1～S12。
如图5所示，S1基板设置步骤，依次包括如下步骤S101～S103。S101屏障层沉积步骤，在柔性PI基板1上表面沉积一层无机材料形成屏障层2，用于保护基板1等部件。S102缓冲层沉积步骤，在屏障层2上表面沉积一层无机材料形成缓冲层3，用于在基板与其他部件之间形成缓冲。S103有源层沉积步骤，在缓冲层3上表面沉积形成有源层4，利用准分子激光晶化技术使有源层4实现多晶硅化，参见图6。
S2第一绝缘层制备步骤，在有源层4上表面沉积形成第一绝缘层5，参见图6。
S3第一栅极层制备步骤，在第一绝缘层5上表面沉积形成第一栅极层6，并利用单次光刻掩模的方法，使得第一栅极层6进行图案化处理。以图案化后的第一栅极层6为光罩，对有源层4进行离子植入，在有源层4形成P型半导体层，参见图6。
S4第二绝缘层制备步骤，在第一栅极层6上表面沉积形成第二绝缘层8，第二绝缘层8在不同位置处的厚度相同，参见图6。
如图7所示，S4所述第二绝缘层制备步骤，依次包括如下步骤S401～S403。
S401光阻层涂覆步骤，在第二绝缘层8上涂覆光阻溶液，形成一光阻层，此时，位于第X子显示区300的光阻层9的厚度与位于第(X+1)子显示区301的光阻层9的厚度相同。
S402曝光步骤，在曝光强度、曝光时长一定的条件下，利用半色调光罩对光阻层9进行曝光处理，使得位于第X子显示区300的所述光阻层的厚度大于位于第(X+1)子显示区301的所述光阻层的厚度，参见图8。
本实施例中，半色调光罩通过调节光的透过率，使得各子显示区的透过率从靠近集成电路区处向远离集成电路区方向逐渐升高，因此，光阻层9的厚度从靠近集成电路区处向远离集成电路区方向逐渐递减，参见图8。
S403刻蚀步骤，以光阻层9为遮蔽物，采用干法刻蚀的方法对第二绝缘层8进行刻蚀处理，此时，位于第X子显示区300的第二绝缘层8的厚度大于位于第(X+1)子显示区301的第二绝缘层8，参见图9。
S5第二栅极层制备步骤，在第二绝缘层8的上表面沉积第二栅极层10，并对第二栅极层10通过单次光刻掩模的方法，使得第二栅极层10进行图案化处理，参见图3。
本实施例中，第一栅极层6为电容的下极板，第二栅极层10为电容的上极板；第一栅极层6、第二栅极层10以及二者之间的第二绝缘层8共同形成存储电容。第二绝缘层8在第(X+1)子显示区301内的厚度小于在第X子显示区300内的厚度，第(X+1)子显示区301的存储电容的电容值大于第X子显示区300的存储电容的电容值，通过电流补偿的方式，使得第(X+1)子显示区301的实时电流与第X子显示区300的实时电流近似相等，进而使得整个显示区的亮度更加均匀。
S6介电层沉积步骤，在第二栅极层上表面沉积形成介电层11。参见图2。
S7挖孔步骤，通过单次光刻掩模的方法在介电层11设置至少两个源漏极孔(图未示)，所述源漏极孔从介电层11贯穿至所述有源层4。参见图3。
S8源漏极层沉积步骤，在所述源漏极孔内沉积形成源漏极层13，并通过单次光刻掩模的方法使得源漏极层13进行图案化处理，源漏极层13连接至所述有源层4。在所述显示装置的显示区中，电压从靠近集成电路区处向远离集成电路区方向逐渐递减，因而输入电流也逐渐减小，因此，现有技术采用网状结构设计第二源漏极层，通过并联电路控制电压下降，进而改善产品亮度不均现象。而本实施例中的源漏极层12为单层结构，本实施例通过设置各子显示区的存储电容来改善显示装置发光亮度不均的现象，还可以简化所述源漏极层的制作工艺，进而降低生产成本，提升产品使用的广泛性，参见图3。
S9平坦层沉积步骤，在源漏极层13的上表面沉积形成平坦层14，在平坦层14设置至少一个通孔(图未示)，所述通孔贯穿至源漏极层13的上表面，参见图3。
S10像素电极层沉积步骤，在所述通孔内沉积形成像素电极层16，像素电极层16覆盖一部分的平坦层14，该像素电极层16通过单次光刻掩模的方法使得像素电极层16进行图案化处理，参见图3。
S11像素定义层沉积步骤，在像素电极层16上表面沉积形成像素定义层17，并通过单次光刻掩模或两次光刻掩模的方法使得像素定义层17进行图案化处理，参见图3。
S12光阻间隙层沉积步骤，在像素定义层17上表面形成光阻间隙层18，并通过单次光刻掩模或两次光刻掩模的方法使得光阻间隙层18进行图案化处理，参见图3。
在后续的步骤中，在所述像素定义层进行开孔处理，在开孔区域进行发光层制备，进而形成显示装置的基本结构。
本实施例中，提供显示装置及其制作方法，在所述显示装置的显示区中，电压从靠近集成电路区处向远离集成电路区方向逐渐递减，因而输入电流也逐渐减小，两个栅极层及二者之间的绝缘层共同形成存储电容，当绝缘层的厚度从靠近集成电路区处向远离集成电路区方向逐渐递减时，存储电容的电容值从靠近集成电路区处向远离集成电路区方向逐渐递增，通过电流补偿的方式改善显示装置发光亮度不均的现象，并简化产品制作工艺、降低生产成本，提升产品的广泛使用性。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括显示区及非显示区，所述显示区被所述非显示区环绕，
所述显示区包括基板、第一绝缘层、第一栅极层、第二绝缘层以及第二栅极层；
所述非显示区包括集成电路区；其特征在于，
所述第二绝缘层的厚度从靠近所述集成电路区处向远离所述集成电路区方向逐渐递减。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述显示区被分成N个并排设置的子显示区；
所述N个子显示区从靠近所述集成电路区向远离所述集成电路区方向依次排列。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
位于第(X+1)子显示区的第二绝缘层的厚度小于位于第X子显示区的第二绝缘层的厚度；和/或，
第(X+1)子显示区的电容大于第X子显示区的电容；
其中，N≥X≥2。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述显示区中，
所述第一栅极层设于所述第一绝缘层远离所述基板一侧表面；
所述第二绝缘层设于所述第一栅极层远离第一绝缘层一侧表面；
所述第二栅极层设于所述第二绝缘层远离第一栅极层一侧表面。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示区包括
屏障层，设于所述基板一侧表面；
缓冲层，设于所述屏障层远离所述基板一侧表面；
有源层，设于所述缓冲层远离所述屏障层一侧表面；
第一绝缘层，设于所述有源层及所述缓冲层远离所述屏障层一侧表面；
第一栅极层，设于所述第一绝缘层远离所述有源层一侧表面；
第二绝缘层，设于所述第一栅极层及所述第一绝缘层远离所述有源层一侧表面；
第二栅极层，设于所述第二绝缘层远离所述第一栅极层一侧表面；
介电层，设于所述第二栅极层及所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层一侧表面；
源漏极层，依次贯穿所述介电层、所述第一绝缘层、所述第二绝缘层，连接至所述有源层；以及
平坦层，设于所述源漏极层及所述介电层远离所述基板一侧表面。
6.一种显示装置的制作方法，所述显示装置包括显示区及非显示区，所述显示区被所述非显示区环绕，所述非显示区包括集成电路区；
其特征在于，所述制作方法依次包括如下步骤：
基板设置步骤；
第一绝缘层制备步骤；
第一栅极层制备步骤；
第二绝缘层制备步骤；以及
第二栅极层制备步骤；
在所述第二绝缘层制备步骤中，
所述第二绝缘层的厚度从靠近所述集成电路区处向远离所述集成电路区方向逐渐递减。
7.如权利要求6所述的显示装置的制作方法，其特征在于，
所述第二绝缘层制备步骤，依次包括如下步骤：
光阻层涂覆步骤，在所述第二绝缘层上涂覆光阻溶液，形成一光阻层；
曝光步骤，利用半色调光罩对所述光阻层进行曝光处理，使得所述光阻层的厚度从靠近所述集成电路区处向远离所述集成电路区方向逐渐递减；以及
刻蚀步骤，以所述光阻层为遮蔽物，对所述第二绝缘层进行刻蚀处理。
8.如权利要求6所述的显示装置的制作方法，其特征在于，
所述显示区被分成N个并排设置的子显示区；
所述N个子显示区从靠近所述集成电路区向远离所述集成电路区方向依次排列；
在所述曝光步骤中，
位于第(X+1)子显示区的光阻层的厚度小于位于第X子显示区的光阻层的厚度；
其中，N≥X≥2。
9.如权利要求6所述的显示装置的制作方法，其特征在于，
在所述第一绝缘层制备步骤中，在所述基板上表面沉积形成所述第一绝缘层；
在所述第一栅极层制备步骤中，在所述第一绝缘层上表面沉积形成所述第一栅极层；
在所述第二绝缘层制备步骤中，在所述第一栅极层上表面沉积形成所述第二绝缘层；
在所述第二栅极层制备步骤中，在所述第二绝缘层上表面沉积形成所述第二栅极层。
10.如权利要求6所述的显示装置的制作方法，其特征在于，
所述基板设置步骤，依次包括如下步骤：屏障层沉积步骤，在所述基板上表面沉积形成一屏障层；缓冲层沉积步骤，在所述屏障层上表面沉积形成一缓冲层；有源层沉积步骤，在所述缓冲层上表面沉积形成一有源层远离所述屏障层一侧面；
在形成第二栅极层沉积步骤之后，包括如下步骤：
介电层沉积步骤，在所述第二栅极层上表面沉积形成一介电层；
挖孔步骤，设置至少两个源漏极孔，依次贯穿所述介电层、所述第二绝缘层及所述第一绝缘层；
源漏极层沉积步骤，在每一源漏极孔内沉积形成一源漏极层，连接至所述有源层；以及
平坦层沉积步骤，在所述源漏极层及所述介电层上表面沉积形成一平坦层。
CN201910149955.6A 2019-02-28 2019-02-28 一种显示装置及其制作方法 Pending CN109920800A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910149955.6A CN109920800A (zh) 2019-02-28 2019-02-28 一种显示装置及其制作方法
US16/489,402 US11239291B2 (en) 2019-02-28 2019-04-18 Display device with current compensation and manufacturing method thereof
PCT/CN2019/083246 WO2020172971A1 (zh) 2019-02-28 2019-04-18 一种显示装置及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910149955.6A CN109920800A (zh) 2019-02-28 2019-02-28 一种显示装置及其制作方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109920800A true CN109920800A (zh) 2019-06-21

Family

ID=66962695

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910149955.6A Pending CN109920800A (zh) 2019-02-28 2019-02-28 一种显示装置及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11239291B2 (zh)
CN (1) CN109920800A (zh)
WO (1) WO2020172971A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110619819A (zh) * 2019-09-17 2019-12-27 Oppo广东移动通信有限公司 折叠屏及电子设备
CN111768706A (zh) * 2020-06-24 2020-10-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、其制备方法及显示装置
WO2021012429A1 (zh) * 2019-07-22 2021-01-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板
CN112310124A (zh) * 2020-10-28 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN113707692A (zh) * 2021-07-13 2021-11-26 信利（惠州）智能显示有限公司 Amoled显示屏制造方法及结构

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070279566A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Au Optronics Corporation Array Substrate and Liquid Crystal Display Panel
CN106024838A (zh) * 2016-06-21 2016-10-12 武汉华星光电技术有限公司 基于混合tft结构的显示元件
US20160321996A1 (en) * 2015-04-29 2016-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
CN107481686A (zh) * 2017-08-21 2017-12-15 武汉华星光电技术有限公司 改善液晶面板显示状态的方法、液晶面板及液晶显示器
CN107507838A (zh) * 2017-08-24 2017-12-22 惠科股份有限公司 显示面板和显示面板的制备方法
CN107994055A (zh) * 2017-11-10 2018-05-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折显示面板及其制作方法
CN108269529A (zh) * 2018-02-24 2018-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种改善amoled面板显示亮度不均的方法及amoled面板
CN108666345A (zh) * 2017-03-27 2018-10-16 三星显示有限公司 有机发光显示设备

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008135259A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Toppan Printing Co Ltd 有機ｅｌディスプレイパネルおよびその製造方法
JP2012119532A (ja) * 2010-12-01 2012-06-21 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ形成用基板、半導体装置、電気装置
TWI690085B (zh) * 2013-05-16 2020-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
CN103943627B (zh) * 2013-07-30 2017-06-06 上海中航光电子有限公司 一种tft阵列基板
WO2015083042A1 (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
CN104078469B (zh) * 2014-06-17 2017-01-25 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制备方法，显示面板、显示装置
US20170125452A1 (en) * 2014-06-17 2017-05-04 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US9934723B2 (en) * 2014-06-25 2018-04-03 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate, display panel including the same, and method of manufacturing the same
JP2016208020A (ja) * 2015-04-22 2016-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 回路基板の作製方法、発光装置の作製方法、及び発光装置
CN105161497A (zh) * 2015-08-06 2015-12-16 友达光电股份有限公司 一种内嵌式触控面板的阵列基板及其制造方法
CN105136378B (zh) * 2015-09-24 2018-04-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
CN105511188A (zh) * 2016-02-01 2016-04-20 昆山龙腾光电有限公司 阵列基板和阵列基板的制作方法以及液晶显示装置
KR101695652B1 (ko) * 2016-04-11 2017-01-12 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치와 그의 제조방법
KR102553910B1 (ko) * 2016-08-31 2023-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치와 그의 검사방법
US10825839B2 (en) * 2016-12-02 2020-11-03 Innolux Corporation Touch display device
CN106783895B (zh) * 2017-03-16 2020-05-12 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及其制造方法和显示装置
US10290666B2 (en) * 2017-05-12 2019-05-14 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd Thin film transistor (TFT) array substrates and manufacturing methods thereof
US11069722B2 (en) * 2017-05-31 2021-07-20 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and method of manufacturing same
US10847596B2 (en) 2017-11-10 2020-11-24 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Bendable display panel and fabricating method thereof
US10803798B2 (en) 2018-02-24 2020-10-13 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. AMOLED panel and method for reducing display luminance unevenness thereof

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070279566A1 (en) * 2006-06-02 2007-12-06 Au Optronics Corporation Array Substrate and Liquid Crystal Display Panel
US20160321996A1 (en) * 2015-04-29 2016-11-03 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display
CN106024838A (zh) * 2016-06-21 2016-10-12 武汉华星光电技术有限公司 基于混合tft结构的显示元件
CN108666345A (zh) * 2017-03-27 2018-10-16 三星显示有限公司 有机发光显示设备
CN107481686A (zh) * 2017-08-21 2017-12-15 武汉华星光电技术有限公司 改善液晶面板显示状态的方法、液晶面板及液晶显示器
CN107507838A (zh) * 2017-08-24 2017-12-22 惠科股份有限公司 显示面板和显示面板的制备方法
CN107994055A (zh) * 2017-11-10 2018-05-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折显示面板及其制作方法
CN108269529A (zh) * 2018-02-24 2018-07-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种改善amoled面板显示亮度不均的方法及amoled面板

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021012429A1 (zh) * 2019-07-22 2021-01-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板
CN110619819A (zh) * 2019-09-17 2019-12-27 Oppo广东移动通信有限公司 折叠屏及电子设备
CN111768706A (zh) * 2020-06-24 2020-10-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、其制备方法及显示装置
CN112310124A (zh) * 2020-10-28 2021-02-02 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN112310124B (zh) * 2020-10-28 2024-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板、显示装置及显示面板的制备方法
CN113707692A (zh) * 2021-07-13 2021-11-26 信利（惠州）智能显示有限公司 Amoled显示屏制造方法及结构

Also Published As

Publication number Publication date
US11239291B2 (en) 2022-02-01
WO2020172971A1 (zh) 2020-09-03
US20210335923A1 (en) 2021-10-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109920800A (zh) 一种显示装置及其制作方法
CN109671739B (zh) 大面积有机发光二极管显示器
CN104022139B (zh) 一种有机电致发光显示面板及显示装置
CN109935730A (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
CN108538890A (zh) 一种有机发光显示装置
CN106531770A (zh) 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
KR101574390B1 (ko) 유기 발광 다이오드, 터치 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
CN107808895A (zh) 透明oled显示器及其制作方法
CN103178082B (zh) 显示设备及其制造方法
KR20130025806A (ko) 유기전압 발광소자 및 이의 제조방법
CN110047886A (zh) 一种有机发光二极管显示器及其制作方法
CN105789479B (zh) Oled及其制备方法、以及oled显示装置
WO2020220588A1 (zh) 显示面板及其制备方法、显示装置
CN108598114A (zh) 有机发光显示面板及其制备方法、显示装置
CN103022375A (zh) 一种oled器件及其制备方法
WO2021012529A1 (zh) 显示面板的制备方法、显示面板及显示装置
US20190157355A1 (en) Touch screen panel and manufacturing method thereof
CN105914229A (zh) 一种 amoled 显示基板及其制作方法、显示装置
CN109671722B (zh) 有机发光二极管阵列基板及其制造方法
WO2023010603A1 (zh) 显示面板及电子设备
CN110854157A (zh) 一种显示面板及其制作方法、显示装置
CN104503164B (zh) 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
KR20100094220A (ko) 박막 트랜지스터 표시판
KR20100133725A (ko) 유기발광다이오드 표시장치와 그의 제조방법
CN102723351B (zh) 一种oled基板及其制造方法、显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20190621

RJ01 Rejection of invention patent application after publication