WO2021027164A1 - 显示器及其制造方法 - Google Patents

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WO2021027164A1
WO2021027164A1 PCT/CN2019/118709 CN2019118709W WO2021027164A1 WO 2021027164 A1 WO2021027164 A1 WO 2021027164A1 CN 2019118709 W CN2019118709 W CN 2019118709W WO 2021027164 A1 WO2021027164 A1 WO 2021027164A1
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flexible layer
display
area
layer
rigid substrate
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Inventor
牛柏澄
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武汉华星光电半导体显示技术有限公司
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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    • H—ELECTRICITY
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    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates

Definitions

  • the invention relates to the field of displays, in particular to a thinning technology of flexible films of displays.
  • a layer of polyimide (PI) 120 is first coated on the glass substrate 110 as a lining.
  • the manufacturing process of the transistor array 130 is performed on the PI layer 120, as shown in FIG.
  • the PI layer 120 and the integrated circuit (IC) 140 will be bent to the back of the substrate to reduce the width of the black edge of the mobile phone, as shown in FIG. 2.
  • IC integrated circuit
  • the PI layer 120 has a large internal stress during the bending process, and the PI layer 120 is easily deformed and transfers stress, causing the metal traces 150 distributed thereon to be stressed. Deformation or breakage will cause abnormal line contact, resulting in abnormal signal in the AMOLED display area, affecting AMOLED luminescence stability and reducing product yield.
  • the present invention provides a new display and a manufacturing method thereof, by patterning a rigid substrate (such as a glass substrate) before forming a flexible layer (such as a PI layer) to form a reserved groove for the flexible layer
  • a rigid substrate such as a glass substrate
  • a flexible layer such as a PI layer
  • the flexible layer sags in the reserved pattern area at the same time, but the film thickness remains unchanged.
  • laser cutting is used to remove the flexible layer in the substrate pattern, so that the flexible layer is successfully thinned.
  • the advantage of this design is that the etching area required for glass patterning is small, the process is simple, and it is easy to implement.
  • the thinning requirements of the flexible layer of different thicknesses can be achieved, so as to prevent wire breakage and improve yield.
  • the subsequent transistor array process does not need to add a photomask, which reduces the process difficulty and cost.
  • the present invention provides a method for manufacturing a display, including the following steps:
  • the rigid substrate is removed from the flexible layer, and the flexible layer in the groove is also removed, so that the recessed area of the flexible layer has a second thickness, wherein The second thickness is smaller than the first thickness.
  • step S30 the thickness of the flexible layer is uniform.
  • step S30 the method of forming a flexible layer on the patterned rigid substrate includes coating.
  • steps S40 and S50 it further includes filling the deep hole and the recessed area with an organic photoresist material.
  • step S50 the method of removing the rigid substrate from the flexible layer includes laser cutting.
  • the display includes an active area and a wiring area, wherein the thin film transistor layer is located in the active area, and the deep hole is located in the wiring area.
  • the rigid substrate is a glass substrate
  • the flexible layer is a polyimide layer
  • the display is a flexible display, and includes a bending area and a non-bending area, wherein the recessed area corresponds to the bending area of the flexible display.
  • Another embodiment of the present invention also provides a display, including:
  • the flexible layer is configured on the rigid substrate, wherein the flexible layer has a recessed area, the flexible layer has a first thickness outside the recessed area, and the recessed area has a second thickness, wherein the first thickness The second thickness is less than the first thickness;
  • the thin film transistor layer and the deep hole are disposed on the flexible layer, wherein the deep hole corresponds to and connects to the recessed area.
  • the display further includes an organic photoresist material filled in the deep hole and the recessed area.
  • the display includes an active area and a wiring area, wherein the thin film transistor layer is located in the active area, and the deep hole is located in the wiring area.
  • the rigid substrate is a glass substrate
  • the flexible layer is a polyimide layer
  • the display is a flexible display, and includes a bending area and a non-bending area, wherein the recessed area corresponds to the bending area of the flexible display.
  • the present invention provides a new display and a manufacturing method thereof, by patterning a rigid substrate (such as a glass substrate) before forming a flexible layer (such as a PI layer) to form a reserved groove for the flexible layer
  • a rigid substrate such as a glass substrate
  • a flexible layer such as a PI layer
  • the flexible layer sags in the reserved pattern area at the same time, but the film thickness remains unchanged.
  • laser cutting is used to remove the flexible layer in the substrate pattern, so that the flexible layer is successfully thinned.
  • the advantage of this design is that the etching area required for glass patterning is small, the process is simple, and it is easy to implement.
  • the thinning requirements of the flexible layer of different thicknesses can be achieved, so as to prevent wire breakage and improve yield.
  • the subsequent transistor array process does not need to add a photomask, which reduces the process difficulty and cost.
  • Figure 1 is a conventional flexible active matrix organic light-emitting diode (active-matrix Schematic diagram of organic light-emitting diode (AMOLED) display.
  • active-matrix Schematic diagram of organic light-emitting diode (AMOLED) display active-matrix Schematic diagram of organic light-emitting diode (AMOLED) display.
  • Fig. 2 is a schematic diagram of bending of a flexible active matrix organic light emitting diode display screen.
  • FIG. 3 is a schematic diagram of the bending area of the flexible active matrix organic light emitting diode display screen.
  • FIG. 4 is a flowchart of a method for manufacturing a display according to an embodiment of the invention.
  • 5A and 5B are schematic diagrams of the display at different stages of the manufacturing method of the display according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a display according to an embodiment of the invention.
  • the present invention will provide many different implementation aspects or embodiments to implement different features of the present invention.
  • the composition and configuration of each specific embodiment will be described below to simplify the present invention. These are examples only as a model and not intended to limit the present invention.
  • “above” or “above” a first component formed on a second component may include the direct contact between the first component and the second component in the embodiment, or it may include more space between the first component and the second component. Other additional components make the first component and the second component have no direct contact.
  • component symbols and/or letters will be used repeatedly. This repetition is for the purpose of simplification and clarity, and does not itself determine the relationship between the various embodiments and/or structural configurations.
  • the present invention provides a new display and a manufacturing method thereof, by patterning a rigid substrate (such as a glass substrate) before forming a flexible layer (such as a PI layer) to form a flexible layer
  • a rigid substrate such as a glass substrate
  • a flexible layer such as a PI layer
  • the groove is reserved.
  • the flexible layer sinks in the reserved pattern area at the same time, but the film thickness remains unchanged.
  • laser cutting is used to remove the flexible layer in the substrate pattern, so that the flexible layer is successfully thinned.
  • the advantage of this design is that the etching area required for glass patterning is small, the process is simple, and it is easy to implement.
  • the thinning requirements of the flexible layer of different thicknesses can be achieved, so as to prevent the wire from breaking and improve the yield.
  • the subsequent transistor array process does not need to add a photomask, which reduces the process difficulty and cost.
  • FIG. 4 is a flowchart of a method for manufacturing a display according to an embodiment of the invention.
  • 5A and 5B are schematic diagrams of the display at different stages of the manufacturing method of the display according to an embodiment of the present invention. Referring to FIG. 4, FIG. 5A and FIG. 5B together, specifically, the manufacturing method of the display 200 of the present invention includes the following steps:
  • S10 provides rigid substrate 210
  • the rigid substrate 210 is removed from the flexible layer 220, and the flexible layer 220 in the groove 210a is also removed, so that the concave region 220a of the flexible layer 220 has a first Two thicknesses, wherein the second thickness is smaller than the first thickness.
  • step S30 the thickness of the flexible layer 220 is uniform.
  • step S30 the method of forming the flexible layer 220 on the patterned rigid substrate 210 includes coating.
  • steps S40 and S50 it further includes filling the deep hole 240 and the recessed area 220a with an organic photoresist material 250.
  • step S50 the method of removing the rigid substrate 210 from the flexible layer 220 includes laser cutting.
  • the display 200 includes an active area 200a and a wiring area 200b, wherein the thin film transistor layer 230 is located in the active area 200a, and the deep hole 240 is located at the In the wiring area 200b.
  • the rigid substrate 210 is a glass substrate
  • the flexible layer 220 is a polyimide layer.
  • the display 200 is a flexible display, and includes a bending area 200B and a non-bending area 200A, wherein the recessed area 220a corresponds to the bending area of the flexible display 200 200B.
  • FIG. 6 is a schematic diagram of a display according to an embodiment of the invention.
  • another embodiment of the present invention further provides a display 200, including: a flexible layer 220 disposed on the rigid substrate 210, wherein the flexible layer 220 has a recessed area 220a , The flexible layer 220 has a first thickness outside the recessed area 220a, and the recessed area 220a has a second thickness, wherein the second thickness is smaller than the first thickness; and the thin film transistor layer 230 and the deep
  • the hole 240 is configured on the flexible layer 220, wherein the deep hole 240 corresponds to and connects to the recessed area 220a.
  • the display 200 further includes an organic photoresist material 250 filled in the deep hole 240 and the recessed area 220a.
  • the display 200 includes an active area 200a and a wiring area 200b, wherein the thin film transistor layer 230 is located in the active area 200a, and the deep hole 240 is located in the wiring area 200b Inside.
  • the rigid substrate 210 is a glass substrate
  • the flexible layer 220 is a polyimide layer.
  • the display 200 is a flexible display and includes a bending area 200B and a non-bending area 200A, wherein the recessed area 220a corresponds to the bending area 200B of the flexible display.
  • the present invention provides a new display and a manufacturing method thereof, by patterning a rigid substrate (such as a glass substrate) before forming a flexible layer (such as a PI layer) to form a reserved groove for the flexible layer.
  • a rigid substrate such as a glass substrate
  • a flexible layer such as a PI layer
  • the flexible layer sags in the reserved pattern area at the same time, but the film thickness remains unchanged.
  • laser cutting is used to remove the flexible layer in the substrate pattern, so that the flexible layer is successfully thinned.
  • the advantage of this design is that the etching area required for glass patterning is small, the process is simple, and it is easy to implement.
  • the thinning requirements of the flexible layer of different thicknesses can be achieved, so as to prevent wire breakage and improve yield.
  • the subsequent transistor array process does not need to add a photomask, which reduces the process difficulty and cost.

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Abstract

本发明提供了一种显示器及其制造方法，所述显示器包括：柔性层，配置于所述刚性基板上，其中所述柔性层具有凹陷区，所述柔性层在凹陷区以外部分具有第一厚度，而所述凹陷区具有第二厚度，其中所述第二厚度小于所述第一厚度；以及薄膜晶体管层以及深孔配置于所述柔性层上，其中所述深孔对应并连接所述凹陷区。

Description

显示器及其制造方法 技术领域
本发明涉及一种显示器领域，尤其涉及一种显示器的柔性膜减薄技术。
 背景技术
目前柔性主动矩阵有机发光二极体(active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)显示屏100生产工艺过程中，首先会在玻璃基板110上涂覆一层聚酰亚胺(PI)120作为衬底，之后在PI层120上进行晶体管数组130的制程，如图1所示。随着全面屏手机的市场需求日益提高，对手机黑边宽度要求越来越高。因此在模组段，PI层120及集成电路(IC)140将弯折至基板背面以达到减少手机边缘黑边宽度的目的，如图2所示。然而，上述弯折存在一个技术风险：如图3所示，PI层120在弯折过程中存在较大内应力，PI层120容易变形并传递应力，导致分布其上的金属走线150受到压力而变形或折断，进而引起线路接触异常，导致AMOLED显示区信号异常，影响AMOLED发光稳定性，降低产品良率。
 技术问题
为了解决显示器在弯折过程中，柔性层(例如PI层)产生较大内应力，导致分布其上的金属走线受到压力而变形或折断的问题，亟需一种可将在显示器的弯折区的柔性膜减薄的技术。
 技术解决方案
有鉴于此，本发明提供一种新的显示器及其制造方法，藉由在进行柔性层(例如PI层)成膜前先将刚性基板(例如玻璃基板)图案化，形成柔性层预留凹槽，在柔性层涂膜过程中，柔性层同时在预留图案区域下陷，但成膜厚度不变。在之后模组工艺中，利用雷射切割，将基板图案中的柔性层切除，使柔性层成功减薄。这样设计的优点在于玻璃图案化所需蚀刻区域小，工艺简单，易于实现。同时通过控制图案化凹槽深度可以进行不同厚度的柔性层减薄要求，达到防止走线断裂，提升良率的目的。除此之外，后续晶体管数组工艺不需要增加光罩，减少了工艺难度和成本。
据此，依据本发明的一实施例，本发明提供了一种显示器的制造方法，包括以下步骤：
S10 提供刚性基板；
S20 将所述刚性基板进行图案化，使所述刚性基板具有凹槽；
S30形成柔性层于经图案化的所述刚性基板上，其中所述柔性层具有一第一厚度，且所述柔性层对应所述凹槽保形地形成凹陷区；
S40 形成薄膜晶体管层以及深孔于所述柔性层上，其中所述深孔对应并连接所述凹陷区；以及
S50将所述刚性基板自所述柔性层移除, 且一并移除在所述凹槽中的所述柔性层，使所述柔性层的所述凹陷区具有一第二厚度，其中所述第二厚度小于所述第一厚度。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，在步骤S30中，所述柔性层的厚度均等。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，在步骤S30中，形成柔性层于经图案化的所述刚性基板上的方法包括涂布。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，在步骤S40与S50之间更包括填充有机光阻材料于所述深孔及所述凹陷区。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，在步骤S50中，将所述刚性基板自所述柔性层移除的方法包括雷射切割。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，所述显示器包括主动区以及排线区，其中所述薄膜晶体管层位于所述主动区内，所述深孔位于所述排线区内。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，所述刚性基板为玻璃基板，所述柔性层为聚酰亚胺层。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，所述显示器为柔性显示器，包括弯折区以及非弯折区，其中所述凹陷区对应所述柔性显示器的弯折区。
本发明的另一实施例还提供了一种显示器，包括：
柔性层，配置于所述刚性基板上，其中所述柔性层具有凹陷区，所述柔性层在凹陷区以外部分具有一第一厚度，而所述凹陷区具有一第二厚度，其中所述第二厚度小于所述第一厚度；以及
薄膜晶体管层以及深孔配置于所述柔性层上，其中所述深孔对应并连接所述凹陷区。
在依据本发明一实施例的显示器中，所述显示器更包括有机光阻材料，填充于所述深孔及所述凹陷区。
在依据本发明一实施例的显示器中，所述显示器包括主动区以及排线区，其中所述薄膜晶体管层位于所述主动区内，所述深孔位于所述排线区内。
在依据本发明一实施例的显示器中，所述刚性基板为玻璃基板，所述柔性层为聚酰亚胺层。
在依据本发明一实施例的显示器中，所述显示器为柔性显示器，包括弯折区以及非弯折区，其中所述凹陷区对应所述柔性显示器的弯折区。
 有益效果
有鉴于此，本发明提供一种新的显示器及其制造方法，藉由在进行柔性层(例如PI层)成膜前先将刚性基板(例如玻璃基板)图案化，形成柔性层预留凹槽，在柔性层涂膜过程中，柔性层同时在预留图案区域下陷，但成膜厚度不变。在之后模组工艺中，利用雷射切割，将基板图案中的柔性层切除，使柔性层成功减薄。这样设计的优点在于玻璃图案化所需蚀刻区域小，工艺简单，易于实现。同时通过控制图案化凹槽深度可以进行不同厚度的柔性层减薄要求，达到防止走线断裂，提升良率的目的。除此之外，后续晶体管数组工艺不需要增加光罩，减少了工艺难度和成本。
 附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为习知柔性主动矩阵有机发光二极体(active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)显示屏的示意图。
图2为柔性主动矩阵有机发光二极体显示屏的弯折示意图。
图3为柔性主动矩阵有机发光二极体显示屏的弯折区的示意图。
图4为依据本发明一实施例的显示器的制造方法的流程图。
图5A及图5B分别为依据本发明一实施例的显示器的制造方法在不同阶段的显示器示意图。
图6为依据本发明一实施例的显示器的示意图。
 本发明的最佳实施方式
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式作详细说明。
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[纵向]、[横向]、[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
本发明接下来将会提供许多不同的实施态样或实施例以实施本发明中不同的特征。各特定实施例中的组成及配置将会在以下作描述以简化本发明。这些为实施例仅作为式范并非用于限定本发明。例如，一第一组件形成于一第二组件“上方”或“之上”可包含实施例中的第一组件与第二组件直接接触，亦可包含第一组件与第二组件之间更有其他额外组件使第一组件与第二组件无直接接触。此外，在本发明各种不同的范例中，将重复地使用组件符号及/或字母。此重复乃为了简化与清晰的目的，而其本身并不决定各种实施例及/或结构配置之间的关系。
为解决习知技术的问题，本发明提供一种新的显示器及其制造方法，藉由在进行柔性层(例如PI层)成膜前先将刚性基板(例如玻璃基板)图案化，形成柔性层预留凹槽，在柔性层涂膜过程中，柔性层同时在预留图案区域下陷，但成膜厚度不变。在之后模组工艺中，利用雷射切割，将基板图案中的柔性层切除，使柔性层成功减薄。这样设计的优点在于玻璃图案化所需蚀刻区域小，工艺简单，易于实现。同时通过控制图案化凹槽深度可以进行不同厚度的柔性层减薄要求，达到防止走线断裂，提升良率的目的。除此之外，后续晶体管数组工艺不需要增加光罩，减少了工艺难度和成本。
图4为依据本发明一实施例的显示器的制造方法的流程图。图5A及图5B分别为依据本发明一实施例的显示器的制造方法在不同阶段的显示器示意图。一并参见图4、图5A及图5B，具体而言，本发明的显示器200的制造方法，包括以下步骤：
S10 提供刚性基板210；
S20 将所述刚性基板210进行图案化，使所述刚性基板210具有凹槽210a；
S30形成柔性层220于经图案化的所述刚性基板210上，其中所述柔性层220具有一第一厚度，且所述柔性层220对应所述凹槽210a保形地形成凹陷区220a；
S40 形成薄膜晶体管层230以及深孔240于所述柔性层220上，其中所述深孔240对应并连接所述凹陷区220a；以及
S50将所述刚性基板210自所述柔性层220移除, 且一并移除在所述凹槽210a中的所述柔性层220，使所述柔性层220的所述凹陷区220a具有一第二厚度，其中所述第二厚度小于所述第一厚度。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，在步骤S30中，所述柔性层220的厚度均等。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，在步骤S30中，形成柔性层220于经图案化的所述刚性基板210上的方法包括涂布。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，在步骤S40与S50之间更包括填充有机光阻材料250于所述深孔240及所述凹陷区220a。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，在步骤S50中，将所述刚性基板210自所述柔性层220移除的方法包括雷射切割。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，所述显示器200包括主动区200a以及排线区200b，其中所述薄膜晶体管层230位于所述主动区200a内，所述深孔240位于所述排线区200b内。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，所述刚性基板210为玻璃基板，所述柔性层220为聚酰亚胺层。
在依据本发明一实施例的显示器的制造方法中，所述显示器200为柔性显示器，包括弯折区200B以及非弯折区200A，其中所述凹陷区220a对应所述柔性显示器200的弯折区200B。
图6为依据本发明一实施例的显示器的示意图。如图6所示，具体而言，本发明的另一实施例还提供了一种显示器200，包括：柔性层220，配置于所述刚性基板210上，其中所述柔性层220具有凹陷区220a，所述柔性层220在凹陷区220a以外部分具有一第一厚度，而所述凹陷区220a具有一第二厚度，其中所述第二厚度小于所述第一厚度；以及薄膜晶体管层230以及深孔240配置于所述柔性层220上，其中所述深孔240对应并连接所述凹陷区220a。
在本发明的一实施例中，所述显示器200更包括有机光阻材料250，填充于所述深孔240及所述凹陷区220a。
在本发明的一实施例中，所述显示器200包括主动区200a以及排线区200b，其中所述薄膜晶体管层230位于所述主动区200a内，所述深孔240位于所述排线区200b内。
在依据本发明一实施例的显示器中，所述刚性基板210为玻璃基板，所述柔性层220为聚酰亚胺层。
在依据本发明一实施例的显示器中，所述显示器200为柔性显示器，包括弯折区200B以及非弯折区200A，其中所述凹陷区220a对应所述柔性显示器的弯折区200B。
据此，本发明提供一种新的显示器及其制造方法，藉由在进行柔性层(例如PI层)成膜前先将刚性基板(例如玻璃基板)图案化，形成柔性层预留凹槽，在柔性层涂膜过程中，柔性层同时在预留图案区域下陷，但成膜厚度不变。在之后模组工艺中，利用雷射切割，将基板图案中的柔性层切除，使柔性层成功减薄。这样设计的优点在于玻璃图案化所需蚀刻区域小，工艺简单，易于实现。同时通过控制图案化凹槽深度可以进行不同厚度的柔性层减薄要求，达到防止走线断裂，提升良率的目的。除此之外，后续晶体管数组工艺不需要增加光罩，减少了工艺难度和成本。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (16)

  1. 一种显示器的制造方法，包括以下步骤：
    S10 提供刚性基板；
    S20 将所述刚性基板进行图案化，使所述刚性基板具有凹槽；
    S30形成柔性层于经图案化的所述刚性基板上，其中所述柔性层具有第一厚度，且所述柔性层对应所述凹槽保形地形成凹陷区；
    S40 形成薄膜晶体管层以及深孔于所述柔性层上，其中所述深孔对应并连接所述凹陷区；以及
    S50将所述刚性基板自所述柔性层移除, 且一并移除在所述凹槽中的所述柔性层，使所述柔性层的所述凹陷区具有第二厚度，
    其中所述第二厚度小于所述第一厚度，且在步骤S40与S50之间更包括填充有机光阻材料于所述深孔及所述凹陷区，以及所述显示器包括主动区以及排线区，其中所述薄膜晶体管层位于所述主动区内，所述深孔位于所述排线区内。
  2. 根据权利要求1所述的显示器的制造方法，其中，在步骤S30中，所述柔性层的厚度均等。
  3. 根据权利要求1所述的显示器的制造方法，其中，在步骤S30中，形成柔性层于经图案化的所述刚性基板上的方法包括涂布。
  4. 根据权利要求1所述的显示器的制造方法，其中，在步骤S50中，将所述刚性基板自所述柔性层移除的方法包括雷射切割。
  5. 根据权利要求1所述的显示器的制造方法，其中所述刚性基板为玻璃基板，所述柔性层为聚酰亚胺层
  6. 根据权利要求1所述的显示器的制造方法，其中所述显示器为柔性显示器，包括弯折区以及非弯折区，其中所述凹陷区对应所述柔性显示器的弯折区。
  7. 一种显示器的制造方法，包括以下步骤：
    S10 提供刚性基板；
    S20 将所述刚性基板进行图案化，使所述刚性基板具有凹槽；
    S30形成柔性层于经图案化的所述刚性基板上，其中所述柔性层具有第一厚度，且所述柔性层对应所述凹槽保形地形成凹陷区；
    S40 形成薄膜晶体管层以及深孔于所述柔性层上，其中所述深孔对应并连接所述凹陷区；以及
    S50将所述刚性基板自所述柔性层移除, 且一并移除在所述凹槽中的所述柔性层，使所述柔性层的所述凹陷区具有第二厚度，其中所述第二厚度小于所述第一厚度。
  8. 根据权利要求7所述的显示器的制造方法，其中，在步骤S30中，所述柔性层的厚度均等。
  9. 根据权利要求7所述的显示器的制造方法，其中，在步骤S30中，形成柔性层于经图案化的所述刚性基板上的方法包括涂布。
  10. 根据权利要求7所述的显示器的制造方法，其中在步骤S40与S50之间更包括填充有机光阻材料于所述深孔及所述凹陷区。
  11. 根据权利要求7所述的显示器的制造方法，其中，在步骤S50中，将所述刚性基板自所述柔性层移除的方法包括雷射切割。
  12. 根据权利要求7所述的显示器的制造方法，其中，所述显示器包括主动区以及排线区，其中
    所述薄膜晶体管层位于所述主动区内，所述深孔位于所述排线区内；以及
    所述刚性基板为玻璃基板，所述柔性层为聚酰亚胺层。
  13. 根据权利要求7所述的显示器的制造方法，其中所述显示器为柔性显示器，包括弯折区以及非弯折区，其中所述凹陷区对应所述柔性显示器的弯折区。
  14. 一种显示器，包括：
    柔性层，配置于所述刚性基板上，其中所述柔性层具有凹陷区，所述柔性层在凹陷区以外部分具有第一厚度，而所述凹陷区具有第二厚度，其中所述第二厚度小于所述第一厚度；以及
    薄膜晶体管层以及深孔配置于所述柔性层上，其中所述深孔对应并连接所述凹陷区。
  15. 根据权利要求14所述的显示器，更包括有机光阻材料，填充于所述深孔及所述凹陷区。
  16. 根据权利要求14所述的显示器，所述显示器包括主动区以及排线区，其中所述薄膜晶体管层位于所述主动区内，所述深孔位于所述排线区内；
    所述刚性基板为玻璃基板，所述柔性层为聚酰亚胺层；以及
    所述显示器为柔性显示器，包括弯折区以及非弯折区，其中所述凹陷区对应所述柔性显示器的弯折区。
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