CN110610968B - 一种显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种显示面板及显示装置，所述显示面板被划分为显示区、过渡区以及弯折区；所述显示面板包括第一凹槽以及第二凹槽，所述第一凹槽设于所述弯折区，所述第二凹槽设于所述过渡区。本发明的技术效果在于，提供一种显示面板及显示装置，一方面，在弯折区设置第一凹槽，可以提升显示面板的弯折特性、降低断线风险，增加使用寿命；另一方面，在过渡区设置第二凹槽，可以缩短过渡区的宽度，从而使得显示面板实现超窄边框，进一步提升显示面板的屏占比。

Description

一种显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light Emitting Diode)显示屏是利用有机电自发光二极管制成的显示屏。由于同时具备自发光有机电激发光二极管，不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、反应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异之特性。
具体地，OLED显示屏具备柔性的原因在于，没有采用传统OLED的玻璃基底，而是采用了塑料或金属等材料作为基底。除了具备柔性外，由于基底材质和构成的不同，使得OLED显示屏的防碎能力大增，同时也更加轻薄。另外，由于OLED 显示屏是自发光的，所以该显示屏在显示最深的颜色时，能够做到纯黑。关于 OLED显示屏的视角，该显示屏即使在很大的视角下，画面仍然不会失真；在柔性状态下依旧有很好的色彩均匀性，有非常好的色彩准确度和视觉体验，因此成为取代液晶显示屏的新一代潮流科技。
目前，全屏无边框的显示产品，可以使用户获得更好的观看体验，必将引爆新的消费市场。Pad弯折(Pad Bending)是全屏无边框的OLED显示产品的核心技术，因此各家都在开发pad bending技术，以求降低边框的大小，实现更大的屏占比。
如图1所示，显示面板包括柔性衬底基板1、缓冲层2、阵列基板3、像素定义层5、支撑层6以及薄膜封装层9。其中，所述阵列基板包括栅极绝缘层32、第一源漏极层35、第一平坦层36；薄膜封装层9包括第一无机层91、有机层92 以及第二无机层93。显示面板被划分为显示区100、过渡区200以及弯折区300，现有技术中，在位于弯折区300的缓冲层2及栅极绝缘层32对应的位置设置有机填充层(ODH)101，从而降低弯折区的应力，同时在弯折区和显示区之间的过渡区设置堤坝102(dam)，从而防止有机层92中被喷墨打印(IJP)的材料溢流。但是，设置堤坝102容易导致过渡区200的宽度增大，使得显示面板的边框增大，不利于实现窄边框。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种显示面板及显示装置，以解决现有技术存在过渡区宽度较大，不利于显示面板实现窄边框的技术问题。
为了实现上述目的，本发明提供一种显示面板，所述显示面板被划分为显示区、过渡区以及弯折区，所述显示面板包括层叠设置的柔性衬底基板、缓冲层、阵列基板、像素定义层、支撑层、以及薄膜封装层；所述阵列基板包括栅极绝缘层、介电层、第一平坦层、以及第二平坦层；所述显示面板包括第一凹槽以及第二凹槽，所述第一凹槽设于所述弯折区，所述第一凹槽贯穿于所述介电层、所述栅极绝缘层以及所述缓冲层，且下凹于所述柔性衬底基板一侧的表面；所述第二凹槽设于所述过渡区，所述第二凹槽贯穿于所述支撑层、所述像素定义层、所述第二平坦层以及所述第一平坦层。
进一步地，所述第一平坦层填满所述第一凹槽；所述薄膜封装层填充所述第二凹槽。
进一步地，所述缓冲层在所述弯折区设有缓冲层通孔；以及所述阵列基板在所述弯折区设有栅极绝缘层通孔以及介电层通孔；其中，所述缓冲层通孔与所述栅极绝缘层通孔、所述介电层通孔相对设置。
进一步地，所述阵列基板在所述过渡区设有第一平坦层通孔以及第二平坦层通孔；所述像素定义层在所述过渡区设有像素定义层通孔；以及所述支撑层在所述过渡区设有支撑层通孔；其中，所述第一平坦层通孔与所述第二平坦层通孔、所述像素定义层通孔、所述支撑层通孔相对设置。
进一步地，所述柔性衬底基板包括第一基板、绝缘层以及第二基板；所述绝缘层设于所述第一基板一侧的表面；所述第二基板设于所述绝缘层远离所述第一基板一侧的表面；其中，在所述弯折区中，所述第二基板凹槽下凹于位于所述弯折区的所述第二基板一侧的表面，与所述缓冲层通孔相对设置。
进一步地，位于所述弯折区的所述第二基板的厚度小于位于所述显示区或所述过渡区的所述第二基板的厚度；其中，位于所述弯折区的所述第二基板的厚度为2um～8um。
进一步地，所述阵列基板还包括第一源漏极层及第二源漏极层，所述第一源漏极层及所述第二源漏极层从所述过渡区延伸至所述弯折区。
进一步地，所述第一源漏极层在所述过渡区设于所述介电层上表面，所述第二源漏极层在所述过渡区设于所述第一平坦层上表面，连接至所述第一源漏极层。
进一步地，所述第一源漏极层在所述弯折区设于所述第一凹槽的侧壁和底面；所述第二源漏极层在所述弯折区设于所述第一平坦层上表面。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示装置，包括前文所述的显示面板。
本发明的技术效果在于，提供一种显示面板及显示装置，一方面，在弯折区设置第一凹槽，可以提升显示面板的弯折特性、降低断线风险，增加使用寿命；另一方面，在过渡区设置第二凹槽，可以缩短过渡区的宽度，从而使得显示面板实现超窄边框，进一步提升显示面板的屏占比。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术所述显示面板的结构示意图；
图2为本实例所述显示面板的结构示意图；
图3为本实例所述显示面板弯折时产生中性层的结构示意图；
图4为本实施例所述显示面板制备方法的流程图；
图5为本实施例所述柔性衬底基板制备步骤的流程图；
图6为本实施例所述阵列基板制备步骤的流程图；
图7为本实例所述薄膜封装层制备步骤的流程图；
附图中部分标识如下：
100显示区；200过渡区；300弯折区；301中性层；
1柔性衬底基板；2缓冲层；3阵列基板；4第一电极；
5像素定义层；6支撑层；7发光层；8第二电极；9薄膜封装层；
11第一基板；12绝缘层；13第二基板；
31有源层；32栅极绝缘层；33栅极层；34介电层；
35第一源漏极层；36第一平坦层；37第二源漏极层；38第二平坦层；
91第一无机层；92有机层；93第二无机层；101有机填充层；102堤坝；
110第二基板凹槽；111缓冲层通孔；120第一凹槽；121第二凹槽；
113像素定义层通孔；114支撑层通孔；
115第一平坦层通孔；116第二平坦层通孔；
1121栅极绝缘层通孔；1122介电层通孔。
具体实施方式
以下参考说明书附图介绍本发明的优选实施例，用以举例证明本发明可以实施，这些实施例可以向本领域中的技术人员完整介绍本发明的技术内容，使得本发明的技术内容更加清楚和便于理解。然而本发明可以通过许多不同形式的实施例来得以体现，本发明的保护范围并非仅限于文中提到的实施例。
如图2所示，本实施提供一种显示面板，从图中的左侧至右侧依次被划分为显示区100、过渡区200以及弯折区300，显示区100用以实现显示功能；弯折区300邦定有相关电路模块，且向面板下方弯折，将电路模块置于面板下方的空间；过渡区200设于显示区100与弯折区200之间，用以连接显示区100与弯折区200。本实施例中，在弯折区300设置第一凹槽120以提升所述显示面板的弯折特性以及降低该区域金属走线的断线风险；在过渡区200设置第二凹槽121，以实现超窄边框的显示面板。
所述显示面板从图中的下方至上方依次包括柔性衬底基板1、缓冲层2、阵列基板3、第一电极4、像素定义层5、支撑层6、发光层7、第二电极8以及薄膜封装层9。
柔性衬底基板1包括第一基板11、绝缘层12、第二基板13、第二基板凹槽 110。第一基板11为PI基板，其材质聚酰亚胺，其厚度为10um。绝缘层12设于第一基板11上表面，绝缘层12的材质为氮化硅(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等具有吸水性能的材质。第二基板13设于绝缘层12上表面，第二基板13为PI基板，其材质聚酰亚胺，一第二基板凹槽110下凹于位于弯折区300的第二基板 13的上表面。本实施中，第二基板13的厚度不均，第二基板13在弯折区300 的厚度小于其在显示区100或过渡区200的厚度。在一实施例中，位于显示区 100、过渡区200的第二基板13厚度为10um，位于弯折区300的第二基板13 厚度为2um～8um。
缓冲层2设于柔性衬底基板1上表面，位于弯折区300的缓冲层2形成一缓冲层通孔111，缓冲层通孔111与第二基板凹槽110相对设置。
阵列基板3设于缓冲层2上表面，阵列基板3形成多个通孔。阵列基板3包括有源层31、栅极绝缘层32、栅极层33、介电层34、第一源漏极层35、第一平坦层36、第二源漏极层37以及第二平坦层38。其中，所述通孔包括栅极绝缘层通孔1121、介电层通孔1122、第一平坦层通孔115以及第二平坦层通孔116。
有源层31、栅极绝缘层32以及栅极层33依次设于缓冲层2上表面，栅极绝缘层32形成栅极绝缘层通孔1121，与缓冲层通孔111相对设置。
介电层34设于栅极绝缘层32、栅极层33上表面，介电层34形成介电层通孔1122。其中，介电层通孔1122与栅极绝缘层通孔1121相对设置，栅极绝缘层通孔1121与缓冲层通孔111相对设置。
第一源漏极层35设于介电层34上表面、介电层通孔1122的孔壁、栅极绝缘层通孔1121的孔壁、缓冲层通孔111的孔壁、以及第二基板凹槽110的侧壁和底面。
第一平坦层36设于第一源漏极层35、介电层34上表面，第一平坦层36形成第一平坦层通孔115。第一平坦层36填满第一凹槽120，第一平坦层36填满第二基板凹槽110、缓冲层通孔111、栅极绝缘层通孔1121以及介电层通孔1122。
第二源漏极层37设于第一平坦层36上表面，连接至第一源漏极层35。第二平坦层38设于第二源漏极层37、第一平坦层36上表面，第二平坦层38形成第二平坦层通孔116，与第一平坦层通孔115相对设置。
需要说明的是，第一源漏极层35在显示区100及过渡区200设于介电层34 上表面；第一源漏极层35在弯折区300设于第一凹槽120的侧壁和底面，第一平坦层36填满第一凹槽120。第二源漏极层37在过渡区200设于第一平坦层36上表面，连接至第一源漏极层35；第二源漏极层37在弯折区300设于第一平坦层36上表面。进一步地，第一源漏极层35从过渡区200延伸至弯折区300；第二源漏极层37从过渡区200延伸至弯折区300，第二源漏极层37电连接至第一源漏极层35实现双层源漏极走线(SD)，提升显示面板的性能。
第一电极4设于阵列基板3上表面，第一电极4为阳极，其材质为氧化铟锡 (ITO)、银(Ag)等。
像素定义层5设于第一电极4、阵列基板3上表面，在过渡区200的像素定义层5形成像素定义层通孔113，与第二平坦层通孔116相对设置，像素定义层 5的材质包括但不限于聚酰亚胺，其厚度优选为1um～2um。
支撑层6设于像素定义层5上表面，在过渡区200支撑层6形成支撑层通孔 114，与像素定义层通孔113相对设置，支撑层6的材质包括但不限于聚酰亚胺，其厚度优选为1um～2um。
发光层7设于第一电极4、像素定义层5上表面。发光层7的材质为有机发光材料，其厚度优选为0.2um～0.5um。
第二电极8设于发光层7、像素定义层5上表面，第二电极8为阴极。
薄膜封装层9设于第二电极8、像素定义层5上表面；薄膜封装层9填充第一平坦层通孔115、第二平坦层通孔116、像素定义层通孔113以及支撑层通孔 114。薄膜封装层9包括第一无机层91、有机层92以及第二无机层93。第一无机层91设于第二电极8、像素定义层5上表面，第一无机层91的材质包括透明的氧化物、氟化物以及氮化硅，厚度为0.5um～2um，具有阻水氧性能。有机层 92设于第一无机层91上表面，其材质优选为亚克力材料，其厚度为6um～10um。第二无机层93设于有机层92上表面，其材质包括透明的氧化物、氟化物和氮化硅，厚度为0.5um～2um，具有阻水氧性能。
如图2～3所示，本实施例中，第一凹槽120设于弯折区300，第二凹槽121 设于过渡区200。其中，第一凹槽120贯穿于介电层34、栅极绝缘层32以及缓冲层2，且下凹于柔性衬底基板1一侧的表面。具体地，第一凹槽120包括第二基板凹槽110、缓冲层通孔111、栅极绝缘层通孔1121、介电层通孔1122，因此，第一凹槽120被第一平坦层36填满。在设置第一凹槽120的过程中，位于弯折区300的第二基板13的厚度小于显示区100、过渡区200的第二基板13的厚度，相当于将位于弯折区300的第二基板13的厚度减薄，由于第二基板13的弹性模量比较大，使得显示面板具有较好的弯折特性。
具体地，当所述显示面板被弯折时，在弯折区300产生一中性层301，由于位于弯折区300的第二基板13的厚度被减薄，该中性层301会往上移动，靠近第二源漏极层37，降低第二源漏极层37的弯折应力，防止第二源漏极层37的走线出现断线风险，提升显示面板的弯折特性，从而提高显示面板的良率。另外，大部分的第一源漏极层35设于第二基板13的上表面，而第一基板11和第二基板13具有良好的柔韧性，因此，可以防止第一源漏极层35的走线出现断线风险，提升显示面板的良率。
现有技术中，参照图1，在显示面板中设置单层的第一源漏极35，并通过位于弯折区的缓冲层2及栅极绝缘层32对应的位置设置有机填充层(ODH)101，提升弯折区柔韧性，从而降低弯折区被弯折后产生的应力。但是，所述显示面板在弯折的过程中，产生的中性层301远离第一源漏极层35，容易使得第一源漏极层35的走线容易出现断线风险，从而影响显示面板的弯折特性。然而，本实施例中，采用双层的源漏极层，并将位于所述弯折区的所述第二基板减薄，使得所述中性层靠近所述第二源漏极层，从而进一步提升弯折区柔韧性，降低所述弯折区被弯折后产生的应力，提升显示面板的弯折特性、降低断线风险，增加使用寿命。
需要说明的是，本实例所述的中性层指的是所述显示面板在弯折时，既不受压应力亦不受张应力的位置，该处弯折应力为零，金属走线(源漏极)越接近中性面，在弯折区被弯折后越不容易断。
如图2～3所示，第二凹槽121设于过渡区200，第二凹槽121贯穿于支撑层 6、像素定义层5、第二平坦层38以及第一平坦层37。具体地，第二凹槽121 包括第一平坦层通孔115、第二平坦层通孔116、像素定义层通孔113以及支撑层通孔114，第二凹槽121被薄膜封装层9填充。在设置第二凹槽121的过程中，去除了现有技术中存在的堤坝，利用位于过渡区200的第一平坦层36、第二平坦层38、像素定义层5以及支撑层6阻挡后续形成的有机层92，防止有机材料溢出。本实施例与现有技术相比，去除了堤坝，缩短了过渡区200的宽度，从而有利于显示面板实现窄边框，进一步提升显示面板的屏占比。
本实例提供一种显示面板，一方面，在弯折区设置第一凹槽，可以提升显示面板的弯折特性、降低断线风险，增加使用寿命；另一方面，在过渡区设置第二凹槽，可以缩短过渡区的宽度，从而使得显示面板实现超窄边框。
如图4所示，本实施例提供一种显示面板制备方法，包括如下步骤S1～S9。
如图5所示，S1柔性衬底基板制备步骤，制备一柔性衬底基板。所述柔性衬底基板包括如下步骤S11～S13。
具体地，S11第一基板制备步骤，在一玻璃盖板表面涂布聚酰亚胺溶液，形成一第一基板，其厚度为10um。S12绝缘层制备步骤，在所述第一基板上表面制备一绝缘层，所述绝缘层的材质为氮化硅(SiNx)、硅氧化物(SiOx)等具有吸水性能的材质。S13第二基板制备步骤，在所述绝缘层上表面涂布聚酰亚胺溶液，形成一第二基板，所述第二基板形成一第二基板凹槽，所述第二基板凹槽位于所述显示面板的弯折区。其中，位于弯折区的所述第二基板的厚度小于位于显示区或过渡区的所述第二基板的厚度，位于弯折区的所述第二基板的厚度为 2um～8um，优选为4um、5um以及6um。位于显示区的所述第二基板的厚度与位于过渡区的所述第二基板的厚度为10um。
S2缓冲层制备步骤，在所述柔性衬底基板上表面制备一缓冲层，所述缓冲层形成缓冲层通孔。所述缓冲层通孔与所述第二基板凹槽相对设置。
如图6所示，S3阵列基板制备步骤，在所述缓冲层上表面制备一阵列基板，所述阵列基板形成通孔。所述阵列基板制备步骤包括步骤S31～S38。
S31有源层制备步骤，通过化学蒸汽沉积的方式(chemical vapor deposition，CVD)在所述缓冲层上表面制备一有源层。
S32栅极绝缘层制备步骤，采用CVD工艺在所述有源层上表面制备一栅极绝缘层，所述栅极绝缘层形成栅极绝缘层通孔，与所述缓冲层通孔相对设置。
S33栅极层制备步骤，采用物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD) 工艺在所述栅极绝缘层上表面制备一栅极层。
S34介电层制备步骤，采用CVD工艺在所述第一栅极绝缘层、所述栅极层上表面制备一介电层，所述介电层形成介电层通孔，所述介电层通孔与所述栅极绝缘层通孔相对设置。
S35第一源漏极层制备步骤，采用PVD工艺制备一第一源漏极层，所述第一源漏极层设于所述介电层上表面、所述介电层通孔的孔壁、所述栅极绝缘层通孔的孔壁、所述缓冲层通孔的孔壁以及所述第二基板凹槽的侧壁及底面。
S36第一平坦层制备步骤，采用PVD工艺在所述第一源漏极层、所述介电层上表面制备一第一平坦层，所述第一平坦层形成第一平坦层通孔。所述第一平坦层填满所述第二基板凹槽、所述缓冲层通孔、所述栅极绝缘层通孔以及所述介电层通孔。
S37第二源漏极层制备步骤，在所述第一平坦层上表面制备一第二源漏极层。
S38第二平坦层制备步骤，在所述第二源漏极层、所述第一平坦层上表面制备一第二平坦层，所述第二平坦层形成第二平坦层通孔，与所述第一平坦层通孔相对设置。
S4第一电极制备步骤，在所述阵列基板上表面制备一第一电极。
S5像素定义层制备步骤，采用CVD工艺在所述第一电极、所述阵列基板上表面沉积聚酰亚胺材料形成一像素定义层，所述像素定义层形成像素定义层通孔，与所述第二平坦层通孔相对设置。其中，所述像素定义层厚度优选为 1um～2um。
S6支撑层制备步骤，采用CVD工艺在所述像素定义层上表面沉积聚酰亚胺材料形成一支撑层，所述支撑层形成支撑层通孔，与所述像素定义层通孔相对设置。
S7发光层制备步骤，在所述第一电极、所述像素定义层上表面沉积有机发光材料形成一发光层，其厚度优选为0.2um～0.5um。
S8第二电极制备步骤，在所述发光层、所述像素定义层上表面制备一第二电极。
如图7所示，S9薄膜封装层制备步骤，在所述发光层、所述像素定义层、所述第二电极上表面制备一薄膜封装层，所述薄膜封装层填充所述第一平坦层通孔、所述第二平坦层通孔、所述像素定义层通孔以及所述支撑层通孔。所述薄膜封装层制备步骤包括如下步骤S91～S93。
S91第一无机层制备步骤，采用CVD工艺在所述第二电极、所述像素定义层上表面沉积无机材料形成一第一无机层，所述第一无机层延伸至所述支撑层，所述第一无机层的材质包括透明的氧化物、氟化物以及氮化硅，厚度为0.5um～2um，具有阻水氧性能。
S92有机层制备步骤，在所述第一无机层上表面喷墨打印(IJP)有机材料形成一有机层，厚度为6um～10um。
S93第二无机层制备步骤，采用CVD工艺在所述有机层上表面沉积无机材料形成一第二无机层，所述第二无机层延伸至所述第一无机层、所述支撑层上表面，所述第二无机层的材质包括透明的氧化物、氟化物以及氮化硅，厚度为0.5um～2um，具有阻水氧性能。
本实施例中，所述通孔包括所述栅极绝缘层通孔、所述介电层通孔、所述第一平坦层通孔以及所述第二平坦层通孔。其中，所述第二基板凹槽与所述缓冲层通孔、所述栅极绝缘层通孔、所述介电层通孔相对设置；所述第一平坦层通孔与所述第二平坦层通孔、所述像素定义层、所述支撑层通孔相对设置。
进一步地，所述第二基板凹槽、所述缓冲层通孔、所述栅极绝缘层通孔及所述介电层通孔形成第一凹槽，所述第一凹槽设于所述显示面板的弯折区。本实施例中，所述第一凹槽被所述第一平坦层填满。在设置所述第一凹槽的过程中，位于所述弯折区的所述第二基板的厚度小于所述显示区、所述过渡区的所述第二基板的厚度，相当于将位于所述弯折区的所述第二基板的厚度减薄，由于所述第二基板的弹性模量比较大，使得显示面板具有较好的弯折特性。
具体地，当所述显示面板被弯折时，在所述弯折区产生一中性层，由于位于所述弯折区的所述第二基板的厚度被减薄，该中性层会往上移动，靠近所述第二源漏极层，降低所述第二源漏极层的弯折应力，防止所述第二源漏极层的走线出现断线风险，提升显示面板的弯折特性，从而提高显示面板的良率。另外，大部分的所述第一源漏极层设于所述第二基板的上表面，而所述第一基板和所述第二基板具有良好的柔韧性，因此，可以防止所述第一源漏极层的走线出现断线风险，提升显示面板的良率。
所述第二凹槽包括所述第一平坦层通孔、所述第二平坦层通孔、所述像素定义层通孔及所述支撑层通孔形成第二凹槽，所述第二凹槽设于所述显示面板的过渡区。本实施例中，去除了现有技术中存在的堤坝，利用位于所述过渡区的所述第一平坦层、所述第二平坦层、所述像素定义层以及所述支撑层阻挡后续形成的所述有机层，防止有机材料溢出。本实施例与现有技术相比，去除了堤坝，缩短了所述过渡区的宽度，从而有利于显示面板实现窄边框，进一步提升显示面板的屏占比。
本实例提供一种显示面板制备方法，一方面，在弯折区设置第一凹槽，可以提升显示面板的弯折特性、降低断线风险，增加使用寿命；另一方面，在过渡区设置第二凹槽，可以缩短过渡区的宽度，从而使得显示面板实现超窄边框，进一步提升显示面板的屏占比。
本实施例还提供一种显示装置，包括前文所述的显示面板及其制备方法。该显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置通过实现超窄边框的显示面板，提高显示装置的性能，从而提高用户体验。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板被划分为显示区、过渡区以及弯折区，所述显示面板包括层叠设置的柔性衬底基板、缓冲层、阵列基板、像素定义层、支撑层以及薄膜封装层；
所述阵列基板包括栅极绝缘层、介电层、第一平坦层、第二源漏极层以及第二平坦层；
所述显示面板包括第一凹槽，设于所述弯折区，所述第一凹槽贯穿于所述介电层、所述栅极绝缘层以及所述缓冲层，且下凹于所述柔性衬底基板的一侧表面；以及
第二凹槽，设于所述过渡区，所述第二凹槽贯穿于所述支撑层、所述像素定义层、所述第二平坦层以及所述第一平坦层；
其中，所述第一平坦层填满所述第一凹槽；
所述薄膜封装层填充所述第二凹槽。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述缓冲层在所述弯折区设有缓冲层通孔；以及
所述阵列基板在所述弯折区设有栅极绝缘层通孔以及介电层通孔；
其中，所述缓冲层通孔与所述栅极绝缘层通孔、所述介电层通孔相对设置。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板在所述过渡区设有第一平坦层通孔以及第二平坦层通孔；
所述像素定义层在所述过渡区设有像素定义层通孔；以及
所述支撑层在所述过渡区设有支撑层通孔；
其中，所述第一平坦层通孔与所述第二平坦层通孔、所述像素定义层通孔、所述支撑层通孔相对设置。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述柔性衬底基板包括：
第一基板；
绝缘层，设于所述第一基板一侧的表面；
第二基板，设于所述绝缘层远离所述第一基板一侧的表面；
其中，在所述弯折区中，
第二基板凹槽，下凹于位于所述弯折区的所述第二基板一侧的表面，与所述缓冲层通孔相对设置。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
位于所述弯折区的所述第二基板的厚度小于位于所述显示区或所述过渡区的所述第二基板的厚度；
其中，位于所述弯折区的所述第二基板的厚度为2um～8um。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述阵列基板还包括第一源漏极层及第二源漏极层；
所述第一源漏极层从所述过渡区延伸至所述弯折区；
所述第二源漏极层从所述过渡区延伸至所述弯折区。
7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第一源漏极层在所述过渡区设于所述介电层上表面，
所述第二源漏极层在所述过渡区设于所述第一平坦层上表面，连接至所述第一源漏极层。
8.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，
所述第一源漏极层在所述弯折区设于所述第一凹槽的侧壁和底面；
所述第二源漏极层在所述弯折区设于所述第一平坦层上表面。
9.一种显示装置，包括如权利要求1～8任一项所述的显示面板。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111863891A (zh) * 2020-07-07 2020-10-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及其制备方法
CN112002702B (zh) * 2020-08-06 2022-09-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及可卷曲显示装置
CN112002248B (zh) * 2020-08-18 2022-05-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 曲面显示面板
CN113745247A (zh) * 2021-08-20 2021-12-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
CN115019635B (zh) * 2021-09-30 2023-10-27 荣耀终端有限公司 一种折叠电子设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107204154A (zh) * 2016-03-17 2017-09-26 三星显示有限公司 显示设备
CN107833906A (zh) * 2017-11-08 2018-03-23 武汉天马微电子有限公司 一种柔性显示装置及其制造方法
CN108288637A (zh) * 2018-01-24 2018-07-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板
CN108615734A (zh) * 2018-05-03 2018-10-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN109065616A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及制造方法
CN109671719A (zh) * 2018-12-04 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN109671761A (zh) * 2018-12-19 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102282997B1 (ko) * 2014-09-05 2021-07-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법
JP7002855B2 (ja) * 2017-04-05 2022-01-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102357392B1 (ko) * 2017-04-26 2022-02-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN108364961B (zh) * 2018-02-24 2024-03-01 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板
KR102632614B1 (ko) * 2018-07-06 2024-02-02 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109671762B (zh) * 2018-12-21 2020-11-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板、其制造方法及柔性显示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107204154A (zh) * 2016-03-17 2017-09-26 三星显示有限公司 显示设备
CN107833906A (zh) * 2017-11-08 2018-03-23 武汉天马微电子有限公司 一种柔性显示装置及其制造方法
CN108288637A (zh) * 2018-01-24 2018-07-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板的制作方法及柔性显示面板
CN108615734A (zh) * 2018-05-03 2018-10-02 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置
CN109065616A (zh) * 2018-08-06 2018-12-21 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板及制造方法
CN109671719A (zh) * 2018-12-04 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN109671761A (zh) * 2018-12-19 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制作方法

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