CN112289948A - 有机发光二极体显示面板及其制作方法 - Google Patents
有机发光二极体显示面板及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112289948A CN112289948A CN202011160204.3A CN202011160204A CN112289948A CN 112289948 A CN112289948 A CN 112289948A CN 202011160204 A CN202011160204 A CN 202011160204A CN 112289948 A CN112289948 A CN 112289948A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- trench
- display panel
- film transistor
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 39
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 16
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 157
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
一种有机发光二极体显示面板以及其制作方法，通过刻蚀薄膜电晶体层形成围绕走线层的第一沟槽，并使得第一封装层填充所述第一沟槽，增加了所述有机发光二极体显示面板的封装效果，此外，所述第一沟槽的图案被设计成具有长周长，不仅增加了所述第一封装层的封装界面，还增加了水气及氧气的扩散路径，进一步增加了封装效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极体显示面板及其制作方法。
背景技术
作为新一代显示技术，有机发光二极体(organic light-emitting diode,OLED)显示面板具有低功耗，高色域，高亮度，高分辨率，宽视角，高响应速度等优点，广泛受到市场的青睐。
目前市场上小尺寸手机显示屏的主流方向是全面屏显示，而影响全面屏显示效果的因素包括各种感应器件的配置以及边框区的大小，通过减少边框区的尺寸能够有效增加显示屏的屏占比，然而，现有技术中为了保证显示屏的封装效果，需使用较多的框胶进行贴合，这导致了显示屏边框区的尺寸难以减小，使得全面屏技术的发展受到了限制。
因此，有必要提出一种方案在不影响显示屏封装效果的前提下将显示屏边框区的尺寸减小。
发明内容
本申请的目的在于提供一种OLED显示面板以及其制作方法，用于解决以下问题：现有技术中为了保证显示屏的封装效果，需使用较多的框胶进行贴合，这导致了显示屏边框区的尺寸难以减小，使得全面屏技术的发展受到了限制。
本申请提供一种OLED显示面板，包括边框区和有效区，其中，所述边框区包括：衬底基板、薄膜电晶体层、驱动电路层、走线层、平坦层、阳极、框胶、像素定义层、有机发光层、阴极以及第一封装层。
所述薄膜电晶体设置于所述衬底基板之上，所述驱动电路层设置于所述薄膜电晶体之上，所述走线层设置于所述驱动电路层之上，所述平坦层设置于所述驱动电路层和所述走线层之上，所述阳极设置于所述平坦层之上，所述框胶设置于所述平坦层之上，所述像素定义层设置于所述阳极之上，所述有机发光层设置于所述像素定义层之上，所述阴极设置于所述有机发光层之上，所述第一封装层包覆所述阴极、所述阳极、所述框胶、所述平坦层和所述走线层。
其中，所述薄膜电晶体层还包括第一沟槽，所述第一沟槽的水平位置较所述框胶的水平位置更远离所述有机发光层，所述第一封装层填充所述第一沟槽。在本申请实施例所提供的OLED显示面板中，所述第一沟槽的外边缘为直线型或锯齿状型。
在本申请实施例所提供的OLED显示面板中，所述第一沟槽内部具有残留的口字形的薄膜电晶体层。
在本申请实施例所提供的OLED显示面板中，所述有源层还包括底部为所述衬底基板且设置于所述走线层之下的第二沟槽，所述第一沟槽围绕所述走线层设置且底部为衬底基板。
在本申请实施例所提供的OLED显示面板中，所述第二沟槽的水平位置较所述框胶的水平位置更靠近所述有机发光层。
本申请还提供一种OLED显示面板的制作方法，包括以下步骤：
S1、提供一衬底基板；
S2、在所述衬底基板之上形成薄膜电晶体层；
S3、对所述薄膜电晶体层进行刻蚀，形成底部为所述衬底基板的第一沟槽；
S4、在所述薄膜电晶体层之上形成驱动电路层和走线层，其中，所述第一沟槽围绕所述走线层；
S5、在所述驱动电路层和所述走线层之上形成平坦层；
S6、在所述平坦层上形成框胶和阳极；
S7、在所述阳极上依次形成像素定义层、有机发光层、阴极以及第一封装层，其中，所述第一封装层包覆所述阴极、所述阳极、所述框胶、所述平坦层和所述走线层且填充所述第一沟槽。
在本申请所提供的一种OLED显示面板的制作方法中，所述步骤S3还包括以下步骤：
S31、对所述薄膜电晶体层进行刻蚀，形成底部为衬底基板的第二沟槽，其中，所述走线层填充所述第二沟槽，且所述第二沟槽的水平位置较所述框胶的水平位置更靠近所述有机发光层。
在本申请所提供的一种OLED显示面板的制作方法中，所述第一沟槽的外边缘为直线型或锯齿状型。
在本申请所提供的一种OLED显示面板的制作方法中，所述第一沟槽内部具有残留的口字形的薄膜电晶体层。
本申请提供了一种OLED显示面板以及其制作方法，通过刻蚀薄膜电晶体层形成围绕走线层的第一沟槽，并使得第一封装层填充所述第一沟槽，增加了所述OLED显示面板的封装效果，此外，所述第一沟槽的图案被设计成具有长周长，不仅增加了所述第一封装层的封装界面，还增加了水气和氧气的扩散路径，进一步增强了封装效果。在本申请的另一个实施例中，所述有源层还具有位于所述走线层之下的第二沟槽，所述走线层填充所述第二沟槽，避免了水气和氧气从所述OLED显示面板的下方入侵。通过以上设计，能够在不影响封装效果的情况下减少框胶的宽度，进一步地减少了所述OLED显示面板的边框宽度。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
附图中，
图1为本申请实施例所提供的OLED显示面板的平面示意图。
图2为本申请实施例所提供的OLED显示面板边框区的剖面示意图。
图3为本申请实施例所提供的OLED显示面板边框区的第一沟槽的外边缘为直线时的俯视图。
图4为本申请实施例所提供的OLED显示面板边框区的第一沟槽的外边缘为锯齿状时的俯视图。
图5为本申请实施例所提供的OLED显示面板边框区的第一沟槽内部具有残留的口字形的薄膜电晶体层时的俯视图。
图6为本申请另一个实施例所提供的OLED显示面板边框区的剖面示意图。
图7为本申请实施例所提供的OLED显示面板的制作方法的步骤流程图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
请参考图1和图2，本申请的一个实施例提供一种OLED显示面板，包括边框区1和有效区2，其中，所述边框区1包括：衬底基板10、薄膜电晶体层11、驱动电路层12、走线层13、平坦层14、阳极15、框胶16、像素定义层17、有机发光层18、阴极19以及第一封装层20。
所述薄膜电晶体层11设置于所述衬底基板10之上，所述驱动电路层12设置于所述薄膜电晶体层11之上，所述走线层13设置于所述薄膜电晶体层11之上，所述平坦层14设置于所述驱动电路层12和所述走线层13之上，所述阳极15设置于所述平坦层14之上，所述框胶16设置于所述平坦层14之上，所述像素定义层17设置于所述阳极15之上，所述有机发光层18设置于所述像素定义层17之上，所述阴极19设置于所述有机发光层18之上，所述第一封装层20包覆所述阴极19、所述阳极15、所述框胶16、所述平坦层14和所述走线层13。
其中，所述薄膜电晶体层11由下至上还包括；有缘层、第一栅级绝缘层、第一栅级层、第二栅级绝缘层、第二栅级层、层间绝缘层、源漏极层；
所述薄膜电晶体层10还包括贯穿所述有缘层、所述第一栅级绝缘层、所述第一栅级层、所述第二栅级绝缘层、所述第二栅级层、所述层间绝缘层的第一沟槽21，所述第一封装层20填充所述第一沟槽21。
在本实施例中，通过刻蚀薄膜电晶体层11形成底部为衬底基板10所述第一沟槽21，并将所述第一封装层20填充至所述第一沟槽21中，能够增加所述第一封装层20的封装效果，减少所述OLED显示面板对所述框胶16尺寸的要求，此外，即便在喷墨打印的过程中，有少量的墨水从所述框胶16溢出，由于第一封装层20的封装效果增强，不会影响所述OLED显示面板的良率。
在本实施例中，所述第一沟槽21的水平位置较所述框胶16的水平位置更远离所述有机发光层18，且所述第一沟槽21围绕所述走线层23设置。
在本实施例中，请参考图3至图4，图3为所述第一沟槽21的外边缘为直线时的俯视图，图4所述第一沟槽21的外边缘为锯齿状型时的俯视图，具体地，通过将所述第一沟槽21的外边缘设置为锯齿状，可以增加所述第一沟槽21的外边缘的总周长以增加水气和氧气的扩散路径并扩大所述第一封装层20与所述第一沟槽21的接触面积，因此，水气和氧气不易进入所述OLED显示面板的内部，所述OLED显示面板的封装效果得到了提升，当然，所述第一沟槽21的外边缘也可被设置为直线型以简化制程。在本申请的另外一个实施例中，请参考图5，图5为所述第一沟槽21内部具有残留的口字形的薄膜电晶体层11时的俯视图，残留的口字形的所述薄膜电晶体层11同样可以扩大所述第一封装层20与所述第一沟槽21的接触面积以增加水气和氧气的扩散路径并提升封装效果。需要说明的是，所述第一沟槽21并不限于上述实施例所提到的形状，任何根据通过改变所述第一沟槽21的形状以增加所述第一沟槽21与所述第一封装层20接触面积的设计都应属于本申请所保护的范围。
需要说明的是，在本实施例中，所述走线层13为VSS走线层，所述驱动电路层12为GOA电路层，所述第一沟槽21的数量可以根据预设的封装效果进行调整，本申请不对所述第一沟槽21的数量进行限制。
在本申请还提供另一种实施例，请参考图6，本实施例与上述实施例的差别仅在于：所述薄膜电晶体层11还包括底部为所述衬底基板10且设置于所述走线层13之下的第二沟槽22。具体地，所述第二沟槽22的水平位置较所述框胶16的水平位置更靠近所述有机发光层18，所述走线层13填充所述第二沟槽22，通过将所述走线层13填充至所述第二沟槽22中，能够有效地防止水气和氧气从所述OLED显示面板的底部入侵，提高封装效果。
在本实施例中，所述框胶16围绕着所述阳极15设置，通过以上提升封装效果的设计，所述框胶16的宽度可以被制作的更小，相应地，所述OLED显示面板的边框也可以被制作的更小，因此，高屏占比的OLED显示面板可以被实现。在本申请的另一个实施例中，所述阴极19和所述第一封装层20之间还可以包括耦合出光层21和氟化锂层22，所述耦合出光层21用于增加所述OLED显示面板的出光效率，所述第一封装层20之上还可以包括喷墨打印层23和第二封装层24，所述喷墨打印层23用于增加所述第一封装层20上方的平整度，所述第二封装层24用于更进一步的增强封装效果，所述薄膜晶体管层11上还可以包括围绕着所述第二封装层24设置的裂缝阻挡结构25，需要说明的是，本申请不对OLED显示面板中的膜层结构作出限制，在不影响封装效果的情况下，所述OLED显示面板还可以包括其他的膜层。
本申请的一个实施例还提供一种OLED显示面板的制作方法，请参考图7，包括以下步骤：
S1、提供一衬底基板；
S2、在所述衬底基板之上形成薄膜电晶体层；
S3、对所述薄膜电晶体层进行刻蚀，形成底部为所述衬底基板的第一沟槽；
S4、在所述薄膜电晶体层之上形成驱动电路层和走线层，其中，所述第一沟槽围绕所述走线层；
S5、在所述驱动电路层和所述走线层之上形成平坦层；
S6、在所述平坦层上形成框胶和阳极；
S7、在所述阳极上依次形成像素定义层、有机发光层、阴极以及第一封装层，其中，所述第一封装层包覆所述阴极、所述阳极、所述框胶、所述平坦层和所述走线层且填充所述第一沟槽。
需要注意的是，除了所述第一封装层以外，必须确保所述步骤S3到S7中形成的各个膜层没有残留在所述第一沟槽中。
在本申请的一个实施例中，所述步骤S3还包括以下步骤：
S31、对所述薄膜电晶体层进行刻蚀，形成底部为衬底基板的第二沟槽，其中，所述走线层填充所述第二沟槽，且所述第二沟槽的水平位置较所述框胶的水平位置更靠近所述有机发光层。
在本申请的一个实施例中，所述第一沟槽的外边缘为直线型或锯齿状型。
在本申请的一个实施例中，所述第一沟槽内部具有残留的口字形的所述薄膜电晶体层。
本申请提供了一种OLED显示面板以及其制作方法，通过刻蚀薄膜电晶体层形成围绕走线层的第一沟槽，并使得第一封装层填充所述第一沟槽，增加了所述OLED显示面板的封装效果，此外，所述第一沟槽的图案被设计成具有长周长，不仅增加了所述第一封装层的封装界面，还增加了水气和氧气的扩散路径，进一步增强了封装效果。在本申请的另一个实施例中，所述有源层还具有位于所述走线层之下的第二沟槽，所述走线层填充所述第二沟槽，避免了水气和氧气从所述OLED显示面板的下方入侵。通过以上设计，能够在不影响封装效果的情况下减少框胶的宽度，进一步地减少了所述OLED显示面板的边框宽度。具备上述结构的OLED显示面板能够减少0.2mm以上的边框厚度。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种有机发光二极体显示面板，包括边框区和有效区，其特征在于，所述边框区包括：
衬底基板；
薄膜电晶体层，设置于所述衬底基板之上；
驱动电路层，设置于所述薄膜电晶体层之上；
走线层，设置于所述薄膜电晶体层之上；
平坦层，设置于所述驱动电路层和所述走线层之上；
阳极，设置于所述平坦层之上；
框胶，设置于所述平坦层之上；
像素定义层，设置于所述阳极之上；
有机发光层，设置于所述像素定义层之上；
阴极，设置于所述有机发光层之上；
第一封装层，所述第一封装层包覆所述阴极、所述阳极、所述框胶、所述平坦层和所述走线层；
其中，所述薄膜电晶体层还包括第一沟槽，所述第一沟槽的水平位置较所述框胶的水平位置更远离所述有机发光层，所述第一封装层填充所述第一沟槽。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极体显示面板，其特征在于，所述第一沟槽的外边缘为直线型或锯齿状型。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极体显示面板，其特征在于，所述第一沟槽内部具有残留的口字形的所述薄膜电晶体层。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极体显示面板，其特征在于，所述有源层还包括底部为所述衬底基板且设置于所述走线层之下的第二沟槽，所述走线层填充所述第二沟槽。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极体显示面板，其特征在于，所述第二沟槽的水平位置较所述框胶的水平位置更靠近所述有机发光层。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极体显示面板，其特征在于，所述第一沟槽围绕所述走线层设置且底部为衬底基板。
7.一种有机发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一衬底基板；
S2、在所述衬底基板之上形成薄膜电晶体层；
S3、对所述薄膜电晶体层进行刻蚀，形成底部为所述衬底基板的第一沟槽；
S4、在所述薄膜电晶体层之上形成驱动电路层和走线层，其中，所述第一沟槽围绕所述走线层；
S5、在所述驱动电路层和所述走线层之上形成平坦层；
S6、在所述平坦层上形成框胶和阳极；
S7、在所述阳极上依次形成像素定义层、有机发光层、阴极以及第一封装层，其中，所述第一封装层包覆所述阴极、所述阳极、所述框胶、所述平坦层和所述走线层且填充所述第一沟槽。
8.根据权利要求7所述的有机发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤S3还包括以下步骤：
S31、对所述薄膜电晶体层进行刻蚀，形成底部为衬底基板的第二沟槽，其中，所述走线层填充所述第二沟槽，且所述第二沟槽的水平位置较所述框胶的水平位置更靠近所述有机发光层。
9.根据权利要求7所述的有机发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽的外边缘为直线型或锯齿状型。
10.根据权利要求7所述的有机发光二极体显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一沟槽内部具有残留的口字形的所述薄膜电晶体层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011160204.3A CN112289948B (zh) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | 有机发光二极体显示面板及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011160204.3A CN112289948B (zh) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | 有机发光二极体显示面板及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112289948A true CN112289948A (zh) | 2021-01-29 |
| CN112289948B CN112289948B (zh) | 2022-06-10 |
Family
ID=74372331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011160204.3A Active CN112289948B (zh) | 2020-10-27 | 2020-10-27 | 有机发光二极体显示面板及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112289948B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113097413A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105609529A (zh) * | 2014-11-14 | 2016-05-25 | 乐金显示有限公司 | 窄边框大面积有机发光二极管显示器 |
| US20170012246A1 (en) * | 2014-02-10 | 2017-01-12 | Joled Inc. | Bank repair method, organic el display device, and production method for same |
| CN106876328A (zh) * | 2017-02-20 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN106981584A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-07-25 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 柔性有机发光二极管显示面板、显示装置及其制作方法 |
| CN107046105A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-08-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板、制作方法、封装结构及显示装置 |
| CN207637803U (zh) * | 2017-12-26 | 2018-07-20 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN109031740A (zh) * | 2018-07-10 | 2018-12-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN109148525A (zh) * | 2018-08-13 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制作方法 |
| CN109300910A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-02-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法 |
| CN109904341A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-06-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
| CN109935619A (zh) * | 2019-03-12 | 2019-06-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110311054A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-10-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN110600506A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN110767735A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示器 |
| US20200052051A1 (en) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| CN111446265A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-07-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
| US20200251683A1 (en) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and preparation method thereof |
| CN111554693A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-18 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
-
2020
- 2020-10-27 CN CN202011160204.3A patent/CN112289948B/zh active Active
Patent Citations (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170012246A1 (en) * | 2014-02-10 | 2017-01-12 | Joled Inc. | Bank repair method, organic el display device, and production method for same |
| CN105609529A (zh) * | 2014-11-14 | 2016-05-25 | 乐金显示有限公司 | 窄边框大面积有机发光二极管显示器 |
| CN106876328A (zh) * | 2017-02-20 | 2017-06-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN106981584A (zh) * | 2017-03-20 | 2017-07-25 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 柔性有机发光二极管显示面板、显示装置及其制作方法 |
| CN107046105A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-08-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示基板、制作方法、封装结构及显示装置 |
| CN207637803U (zh) * | 2017-12-26 | 2018-07-20 | 上海和辉光电有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN109031740A (zh) * | 2018-07-10 | 2018-12-18 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| US20200052051A1 (en) * | 2018-08-09 | 2020-02-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus |
| CN109148525A (zh) * | 2018-08-13 | 2019-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制作方法 |
| CN109300910A (zh) * | 2018-08-31 | 2019-02-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光二极管显示面板及其制造方法 |
| CN109904341A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-06-18 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
| US20200251683A1 (en) * | 2019-01-31 | 2020-08-06 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and preparation method thereof |
| CN109935619A (zh) * | 2019-03-12 | 2019-06-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
| CN110311054A (zh) * | 2019-07-16 | 2019-10-08 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
| CN110600506A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-12-20 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
| CN110767735A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示器 |
| CN111554693A (zh) * | 2020-04-27 | 2020-08-18 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| CN111446265A (zh) * | 2020-05-08 | 2020-07-24 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113097413A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| CN113097413B (zh) * | 2021-03-24 | 2022-11-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN112289948B (zh) | 2022-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10431771B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
| CN110120463B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN110544714B (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| CN110047898A (zh) | 显示基板及其制造方法、显示装置 | |
| US11164918B2 (en) | Organic light emitting diode display panel having connection portion connecting organic light emitting diode to peripheral circuit and manufacturing method thereof | |
| JP7343614B2 (ja) | 表示基板及びその製造方法、表示装置 | |
| KR20190044016A (ko) | 표시 장치 및 표시 장치 제조 방법 | |
| CN109671722B (zh) | 有机发光二极管阵列基板及其制造方法 | |
| US20210118972A1 (en) | Organic electroluminescent display substrate, method for fabricating the same, and display device | |
| KR20120115838A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20190070446A (ko) | 디스플레이 장치 | |
| CN113725380B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN113327987B (zh) | 搭载图像传感功能的三极管显示器 | |
| CN112289948B (zh) | 有机发光二极体显示面板及其制作方法 | |
| CN114122234A (zh) | 显示面板及移动终端 | |
| CN213042915U (zh) | 显示基板和显示装置 | |
| CN115275045B (zh) | 显示面板及显示终端 | |
| CN111415963A (zh) | 显示面板及其制备方法 | |
| CN217903125U (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN115020611A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN115148928A (zh) | 一种显示基板、显示装置 | |
| CN112599583A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN111384094B (zh) | 一种oled显示面板及其制作方法 | |
| CN114824128B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN113314683B (zh) | 挡墙结构、显示面板及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |