JP7002855B2 - 表示装置 - Google Patents
表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7002855B2 JP7002855B2 JP2017075519A JP2017075519A JP7002855B2 JP 7002855 B2 JP7002855 B2 JP 7002855B2 JP 2017075519 A JP2017075519 A JP 2017075519A JP 2017075519 A JP2017075519 A JP 2017075519A JP 7002855 B2 JP7002855 B2 JP 7002855B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- sealing film
- pixel array
- organic
- bent portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 62
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 48
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 170
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 9
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
- G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
- H10K59/8731—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2380/00—Specific applications
- G09G2380/02—Flexible displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/341—Short-circuit prevention
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
本発明は、表示装置に関する。
有機EL（electroluminescence）表示装置などのフラットパネルディスプレイは基板上に薄膜トランジスタ（thin film transistor）や有機発光ダイオード（organic light-emitting diode）などが形成された表示パネルを有する。表示パネルの基材には従来、ガラス基板が用いられていたが近年、当該基材にポリイミド膜などの樹脂フィルム等を用いて、表示パネルを曲げることができるフレキシブルディスプレイの開発が進められている。
フレキシブルディスプレイの用途として、表示パネルの画像表示領域より外側に設けられる、集積回路（integrated circuit）やフレキシブルプリント基板（flexible printed circuit）の実装部を表示領域の裏側に折り曲げて狭額縁化を図ることが考えられている。
下記特許文献１は、画素アレイ部を基板本体部に搭載し、画素アレイ部の周辺の少なくとも１辺において、折り曲げられて表示裏面側に位置する基板端部に周辺回路部を配置する点を開示している。
表示装置は、内部に水分等が侵入すると品質が劣化する。水分等の侵入を防止する為に、表示装置を封止膜で覆う構成が考えられる。しかしながら、上記特許文献のように、表示装置を折り曲げて、周辺回路を画素アレイ部の裏面に配置する構成とした場合に、折り曲げられる領域に封止膜を形成すると、当該領域を折り曲げにくくなる。また、当該領域を無理に折り曲げようとすると、封止膜の下層に配置された配線の断線や、配線間の短絡が生じるおそれがある。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、周辺回路を画素アレイ部の裏面に配置することで額縁を狭くしつつ、折り曲げ時に配線の断線及び短絡が生じにくい表示装置を提供することにある。
本発明の一態様は、表示装置であって、マトリクス状に配置された画素によって構成された画素アレイ部と、少なくとも前記画素アレイ部の外側に配置されて折り曲げられる折り曲げ部と、前記折り曲げ部によって前記画素アレイ部と連結され、前記複数の画素に供給する信号を生成する周辺回路と、前記折り曲げ部を避けて配置されるとともに、前記画素アレイ部及び前記周辺回路に対する水分子の侵入を防止する封止膜と、を有することを特徴とする。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
図１は、本発明の実施形態に係る表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された表示パネル１３０から構成されている。
図２は、図１の表示パネル１３０の構成を示す概略図である。図２に示すように、表示パネル１３０は、絶縁基板２００と、第１配線基板２０２と、第２配線基板２０４と、を含んで構成される。
絶縁基板２００、第１配線基板２０２及び第２配線基板２０４は、それぞれ樹脂製の基板又はフィルムであって、例えば、ポリイミドによって形成される。また、絶縁基板２００は、画素アレイ部２０６と、折り曲げ部２０８と、周辺回路２１０と、を含む。また、絶縁基板は２００、画素アレイ部２０６と折り曲げ部２０８との間に、後述する陰極コンタクト部３３６を有する。
画素アレイ部２０６は、マトリクス状に配置された画素によって構成される。具体的には、例えば、画素アレイ部２０６は、光を発する有機ＥＬ素子５１６（図６参照）がそれぞれ配置された画素がマトリクス状に配置されて構成される。また、マトリクス状に配置された画素は、それぞれ異なる色の光を発する複数の副画素５００で構成される。
折り曲げ部２０８は、少なくとも画素アレイ部２０６の外側に配置されて折り曲げられる。具体的には、例えば図２に示すように、折り曲げ部２０８は、画素アレイ部２０６の上下及び左右に配置される。折り曲げ部２０８は、少なくとも画素アレイ部２０６の左右の一方で、画素アレイ部２０６の裏面側へ向かって折り曲げられる。また、折り曲げ部２０８は、周辺回路２１０と画素アレイ部２０６を電気的に接続する第１配線層３１０（図３参照）を含む。
周辺回路２１０は、折り曲げ部２０８によって画素アレイ部２０６と連結され、複数の画素に供給する信号を生成する。具体的には、周辺回路２１０は、折り曲げ部２０８によって画素アレイ部２０６と連結される。また、周辺回路２１０は、折り曲げ部２０８が折り曲げられることによって画素アレイ部２０６の裏面に配置される。
周辺回路２１０は、複数のトランジスタ３０６を含んで形成された電子回路であって、画素アレイ部２０６に配置された画素を駆動する信号を生成する。具体的には、例えば、周辺回路２１０は、ゲート信号線５０１（図６参照）に供給する信号を生成する走査信号生成回路である。周辺回路２１０が生成した信号は、折り曲げ部２０８に配置された接続配線を介して、画素アレイ部２０６に供給される。なお、周辺回路２１０は、後述するリセット信号線５０６または発光制御信号線５０８に供給する信号を生成する回路であってもよい。
また、周辺回路２１０は、各画素に含まれる副画素５００から、電流を供給する副画素５００を選択する信号選択回路であってもよい。具体的には、画素は、赤色の光を発する赤色副画素と、緑色の光を発する緑色副画素と、青色の光を発する青色副画素を含んで構成される場合について説明する。この場合、例えば、周辺回路２１０は、ある時点において、赤色副画素に電流を供給するか、緑色副画素に電流を供給するか、又は、青色副画素に電流を供給するか選択する信号を生成する回路であってもよい。
さらに、周辺回路２１０は、画素アレイ部２０６の動作を検査する検査回路であってもよい。具体的には、検査回路は、表示パネル１３０を製造する過程で用いられる回路であって、画素アレイ部２０６に配置された各画素が点灯するか否かを検査するための検査信号を生成する回路であってもよい。検査信号は、例えば、第１配線基板２０２が接続される前の状態の絶縁基板２００に対して供給される信号であって、全ての副画素５００を予め設定された輝度で点灯させる信号であってもよい。
第１配線基板２０２は、第２配線基板２０４及び絶縁基板２００と接続され、駆動用半導体２１２が配置される。駆動用半導体２１２は、第２配線基板２０４から供給された信号や電源に基づいて、周辺回路２１０や画素アレイ部２０６に供給する信号や電源を生成する。
第２配線基板２０４は、第１配線基板２０２と接続され、接続端子部や回路部品が配置される。接続端子部は、例えば外部接続用コネクタであって、表示パネル１３０に電源や信号を供給する外部装置と接続される。また、接続端子部は、当該電源や信号を回路部品によって形成される電子回路（図示なし）に供給する。当該電子回路が生成した電源や信号は、第１配線基板２０２に供給される。
第１配線基板２０２及び第２配線基板２０４は、画素アレイ部２０６の図面上下側に配置された折り曲げ部２０８が折り曲げられることによって、画素アレイ部２０６の裏面に配置されるようにしてもよい。また、画素アレイ部２０６の左右に配置された折り曲げ部２０８と、画素アレイ部２０６の上下に配置された折り曲げ部２０８と、を共に折り曲げる場合には、絶縁基板２００は、４つの角部が切り落とされる形状であってもよい。
続いて、折り曲げられる前の状態における、画素アレイ部２０６の図面上右側の端部付近の断面構成について説明する。図３は、図２のIII-III断面を示す図である。
図３に示すように、表示パネル１３０は、裏保護フィルム３００と、接着層３０２と、絶縁基板２００と、半導体層３０４と、ゲート絶縁膜３０８と、第１配線層３１０と、第１無機絶縁膜３１２と、第２配線層３１４と、有機平坦化膜３１６と、第２無機絶縁膜３１８と、下部電極３２０と、有機バンク３２２と、有機ＥＬ膜３２４と、上部電極３２６と、封止膜３３３と、表保護フィルム３３４と、を含む。
裏保護フィルム３００は、絶縁基板２００の裏側を保護するフィルムである。具体的には、裏保護フィルム３００は、ポリエチレンテレフタレートやポリプロピレンで形成されたフィルムである。裏保護フィルム３００は、折り曲げ部２０８を含む絶縁基板２００の裏面全体に接着層３０２で貼り合わされる。裏保護フィルム３００は、折り曲げ部２０８が折り曲げにくくならないように薄く形成される。
絶縁基板２００は、表示パネル１３０の基材となる基板またはフィルムである。具体的には、絶縁基板２００は、ポリイミドやポリエチレンテレフタラート等の可撓性を有する材料で形成された基板又はフィルムである。なお、絶縁基板２００の表面は、窒化膜と酸化膜を積層して形成される無機膜（図示なし）で覆う構成としてもよい。
半導体層３０４は、絶縁基板２００の上に配置される。具体的には、半導体層３０４は、トランジスタ３０６が形成される画素アレイ部２０６及び周辺回路２１０に配置される。また、絶縁基板２００の表面に無機膜が配置される場合には、半導体層３０４は、無機膜の上に配置される。
画素回路及び周辺回路２１０に含まれるトランジスタ３０６のチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域は、半導体層３０４によって形成される。周辺回路２１０に用いられるトランジスタ３０６が折り曲げ部２０８の外側に配置される構成とすることによって、表示パネル１３０の額縁を狭くすることができる。画素回路については後述する。
ゲート絶縁膜３０８は、半導体層３０４の上に配置される。具体的には、例えば、ゲート絶縁膜３０８は、シリコン酸化物によって形成され、半導体層３０４及び絶縁基板２００の上に配置される。
第１配線層３１０は、ゲート絶縁膜３０８の上に配置される。具体的には、第１配線層３１０は、半導体層３０４が配置された領域の上側の領域、及び、折り曲げ部２０８に配置される。折り曲げ部２０８に配置された第１配線層３１０は、周辺回路２１０が生成した信号や第１配線基板２０２から供給される電源を、画素アレイ部２０６に供給する。また、第１配線層３１０は、画素回路及び周辺回路２１０に含まれるトランジスタ３０６のゲート電極として用いられる。
第１無機絶縁膜３１２は、第１配線層３１０の上に配置される。具体的には、第１無機絶縁膜３１２は、窒化膜と酸化膜を積層して形成され、第１配線層３１０とゲート絶縁膜３０８の上に配置される。
第２配線層３１４は、第１無機絶縁膜３１２の上に配置される。具体的には、第２配線層３１４は、Ｍｏ、Ａｌ及びＭｏを積層して形成され、第１無機絶縁膜３１２の上に配置される。また、第２配線層３１４は、第１無機絶縁膜３１２に設けられたコンタクトホールを介して、半導体層３０４と下部電極３２０とを電気的に接続する。
有機平坦化膜３１６は、第２配線層３１４の上側に配置される。具体的には、有機平坦化膜３１６は、ポリイミドやアクリル樹脂等によって形成され、第２配線層３１４と第１無機絶縁膜３１２の上に配置される。有機平坦化膜３１６は、有機平坦化膜３１６の下層の段差を平坦にする。
第２無機絶縁膜３１８は、有機平坦化膜３１６の上に配置される。具体的には、第２無機絶縁膜３１８は、防湿性及び絶縁性を有する材料で形成され、有機平坦化膜３１６の上に配置される。例えば、第２無機絶縁膜３１８は、窒化膜と酸化膜を積層して形成される。第２無機絶縁膜３１８によって、有機平坦化膜３１６を介した有機ＥＬ膜３２４への水分浸入を防止できる。
下部電極３２０は、第２無機絶縁膜３１８の上に配置される。具体的には、下部電極３２０は、酸化インジウム・スズ（Indium Tin Oxide）によって形成され、第２無機絶縁膜３１８の上に配置される。下部電極３２０は、第２無機絶縁膜３１８及び有機平坦化膜３１６を貫通するコンタクトホール（図示なし）を介して、トランジスタ３０６のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続される。下部電極３２０は、各画素に配置される有機ＥＬ素子５１６のアノード端子に相当する。なお、下部電極３２０と第２無機絶縁膜３１８の間に、ＭｇＡｇ等の光を反射する材料で形成された反射膜を設ける構成としてもよい。
有機バンク３２２は、下部電極３２０の上に配置される。具体的には、有機バンク３２２は、下部電極３２０の上に副画素５００の境界に沿って配置される。また、有機バンク３２２は、下部電極３２０の上面の一部を露出し周辺を覆うよう有機ＥＬ膜３２４の発光面の位置に開口部を有するように形成される。
有機ＥＬ膜３２４は、有機バンク３２２の上に配置される。具体的には、有機ＥＬ膜３２４は、有機バンク３２２に設けられた開口部の底部で、下部電極３２０と接するように配置される。有機ＥＬ膜３２４は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を含んで形成される。発光層は、副画素５００毎に、赤色、緑色及び青色の光を発する材料を用いて形成される。
上部電極３２６は、有機ＥＬ膜３２４の上に配置される。具体的には、上部電極３２６は、有機ＥＬ膜３２４の上に、画素アレイ部２０６から陰極コンタクト部３３６にかけて配置される。陰極コンタクト部３３６は、画素アレイ部２０６と折り曲げ部２０８の間に設けられる領域である。陰極コンタクト部３３６において、上部電極３２６と、折り曲げ部２０８に配置された下部電極３２０と、が電気的に接続される。
上部電極３２６は、折り曲げ部２０８に配置された下部電極３２０を介して、周辺回路２１０または第１配線基板２０２から電源が供給される。これにより、上部電極３２６は、各副画素５００に配置される有機ＥＬ素子５１６のカソード端子として機能する。また、上部電極３２６は、有機ＥＬ膜３２４が発する光を透過する材料で形成される。例えば、上部電極３２６は酸化インジウム亜鉛や酸化インジウム・スズなどの透明導電材で形成される。有機バンクに開口が設けられた領域において、下部電極３２０、有機ＥＬ膜３２４及び上部電極３２６によって発光素子３２７が形成される。なお、発光素子３２７は、図６における有機ＥＬ素子５１６に相当する。
封止膜３３３は、折り曲げ部２０８を避けて配置されるとともに、画素アレイ部２０６及び周辺回路２１０に対する水分子の侵入を防止する。封止膜３３３は、第１無機封止膜３２８と、有機封止膜３３０と、第２無機封止膜３３２と、を積層して形成される。
具体的には、第１無機封止膜３２８は、画素アレイ部２０６において、上部電極３２６を覆うように配置される。また、第１無機封止膜３２８は、折り曲げ部２０８の内側であって、画素アレイ部２０６の外側の領域において、上部電極３２６、下部電極３２０及び有機バンク３２２を覆うように配置される。さらに、第１無機封止膜３２８は、周辺回路２１０において、トランジスタ３０６の上側に配置される。
有機封止膜３３０は、画素アレイ部２０６において、第１無機封止膜３２８を覆うように配置される。また、有機封止膜３３０は、折り曲げ部２０８の内側であって、画素アレイ部２０６の外側の領域の一部において、第１無機封止膜３２８の上側に配置される。さらに、有機封止膜３３０は、周辺回路２１０に設けられた第１無機封止膜３２８の一部の上に配置される。
第２無機封止膜３３２は、画素アレイ部２０６において、有機封止膜３３０を覆うように配置される。また、第２無機封止膜３３２は、折り曲げ部２０８の内側であって、画素アレイ部２０６の外側の領域において、有機封止膜３３０と第１無機封止膜３２８を覆うように配置される。さらに、第２無機封止膜３３２は、周辺回路２１０において、有機封止膜３３０と第１無機封止膜３２８を覆うように配置される。
第１無機封止膜３２８及び第２無機封止膜３３２は、ケイ素（Si）と、酸素（O）、窒素（N）又は炭素（C）との化合物で形成された無機絶縁材料によって形成される。具体的には、例えば、第１無機封止膜３２８及び第２無機封止膜３３２は、シリコン酸化膜（SiO）、シリコン窒化膜（SiN）、シリコン炭化膜（SiC）、シリコン酸窒化膜（SiON）、シリコン炭窒化膜（SiCN）、シリコン酸炭窒化膜（SiOCN）である。また、有機封止膜３３０は、アクリル、エポキシ、シロキサン系の樹脂で形成された有機材料である。
表保護フィルム３３４は、封止膜３３３の上側に接着層３０２で貼り合わされる。具体的には、表保護フィルム３３４は、画素アレイ部２０６、折り曲げ部２０８及び周辺回路２１０を覆うように配置される。表保護フィルム３３４は、裏保護フィルム３００と同じ材料で形成される。表保護フィルム３３４は、折り曲げ部２０８が折り曲げにくくならないように薄く形成される。また、表示パネル１３０の左右の額縁において、表保護フィルム３３４の端部は、絶縁基板２００の端部と一致するように配置される。
さらに、折り曲げ部２０８の内側及び周辺回路２１０において、第１無機封止膜３２８と第２無機封止膜３３２が接して配置される領域が設けられる。当該構成によれば、封止膜３３３の端部において、有機封止膜３３０が露出しないため、有機封止膜３３０の端部から水分が侵入することを防止できる。
また、封止膜３３３が折り曲げ部２０８を避けて配置されるため、折り曲げ部２０８が折り曲げにくくなることを防止できる。これにより、折り曲げ部２０８に配置された第１配線層３１０の断線及び短絡が生じにくくすることができる。なお、陰極コンタクト部３３６は、図２における画素アレイ部２０６と折り曲げ部２０８の間にある枠状の領域の一部に配置される。
続いて、画素アレイ部２０６の図面上下側の端部付近の断面構成について説明する。図４は、図２のIV-IV断面を示す図である。
裏保護フィルム３００は、図２で示した構成と同様に、折り曲げ部２０８を含む絶縁基板２００の裏面全体に接着層３０２で貼り合わされる。絶縁基板２００は、図２で示した構成と同様に、無機膜で覆うようにしてもよい。半導体層３０４は、トランジスタ３０６が形成される画素アレイ部２０６及び周辺回路２１０に配置される。ゲート絶縁膜３０８は、半導体層３０４及び絶縁基板２００を覆うように配置される。
第１配線層３１０は、半導体層３０４が配置された領域の上側の領域、及び、折り曲げ部２０８に配置される。図２で示した構成と同様に、折り曲げ部２０８に配置された第１配線層３１０は、周辺回路２１０が生成した信号や駆動用半導体２１２から供給される電源等を、画素アレイ部２０６に供給する。第１無機絶縁膜３１２、第２配線層３１４、有機平坦化膜３１６及び第２無機絶縁膜３１８は、図３で示した構成と同様であるため説明を省略する。
周辺回路２１０の端部において、第１配線基板２０２の第１無機絶縁膜３１２の上に、第１配線基板２０２が配置される。具体的には、第１配線基板２０２は、第１無機絶縁膜３１２の上に、ＡＣＦ(Anisotropic Conductive Film)を用いて圧着される。第１配線基板２０２と第１無機絶縁膜３１２が圧着される領域の一部において、第１無機絶縁膜３１２には、開口部（図示なし）が設けられる。当該開口部において、第１配線基板２０２に設けられた端子部（図示なし）は、ＡＣＦを介して第１配線層３１０と電気的に接続される。
また、駆動用半導体２１２は、第１配線基板２０２の上に配置される。具体的には、例えば、駆動用半導体２１２のバンプ（図示なし）は、第１配線基板２０２に設けられた配線と電気的に接続される。駆動用半導体２１２は、折り曲げ部２０８が折り曲げられることによって、画素アレイ部２０６の裏面に配置される。なお、駆動用半導体２１２は、図面上、第１配線基板２０２の下側に配置されてもよい。
第３無機絶縁膜４００は、陰極コンタクト部３３６に配置された第２配線層３１４を覆うように配置される。具体的には、第３無機絶縁膜４００は、第１無機絶縁膜３１２または第２無機絶縁膜３１８と同じ材料で形成され、陰極コンタクト部３３６に配置された第２配線層３１４を覆うように配置される。
第３無機絶縁膜４００によって、第２配線層３１４と下部電極３２０との短絡を防止できる。なお、第３無機絶縁膜４００の代わりに、第２無機絶縁膜３１８が第２配線層３１４を覆う構成としてもよい。下部電極３２０、有機バンク３２２、有機ＥＬ膜３２４、上部電極３２６及び封止膜３３３の構成は、図２で示した構成と同様であるため説明を省略する。
表保護フィルム３３４は、封止膜３３３の上に接着層３０２で貼り合わされる。具体的には、表保護フィルム３３４は、画素アレイ部２０６、陰極コンタクト部３３６及び折り曲げ部２０８の一部を覆うように配置される。
上記のように、画素アレイ部２０６の下側においても、封止膜３３３が折り曲げ部２０８を避けて配置されるため、折り曲げ部２０８が折り曲げにくくなることを防止できる。これにより、折り曲げ部２０８に配置された第１配線層３１０の断線及び短絡が生じにくくすることができる。また、接着層３０２や表保護フィルム３３４が折り曲げ部２０８で途切れていることで、折り曲げ部を折り返す作業がスムーズに実行できる。
なお、周辺回路２１０が画素アレイ部２０６の下側には配置されない場合には、折り曲げ部２０８の外側に配置される半導体層３０４、第１配線層３１０、第２配線層３１４及び封止膜３３３は省略してもよい。
図５は、折り曲げ部２０８の近傍における表示パネル１３０の模式的な断面を示す図である。図５に示すように、表示パネル１３０は、絶縁基板２００と、第１配線基板２０２と、第２配線基板２０４と、駆動用半導体２１２と、表保護フィルム３３４と、偏光板５１と、第１補強フィルム５２と、熱拡散シート５３と、スペーサ５４と、第２補強フィルム５５と、を含む。なお、図５においては、裏保護フィルム３００、接着層３０２及び半導体層３０４乃至接着層３０２の構成の記載を省略する。
絶縁基板２００は、折り曲げ部２０８において折り曲げられる。第２配線基板２０４は、スペーサ５４の下側に配置される。第１配線基板２０２は、絶縁基板２００及び第２配線基板２０４を繋ぐように配置される。駆動用半導体２１２は、折り曲げ部２０８が折り曲げられることによって、第１配線基板２０２の図面上下側に配置される。なお、駆動用半導体２１２は、第１配線基板２０２の上側に配置されてもよい。
表保護フィルム３３４は、上述のように、表示パネル１３０を保護するフィルムである。表保護フィルム３３４が表示パネル１３０の平坦な領域にのみ配置されることにより、折り曲げ部２０８を折り曲げる作業が容易となる。
偏光板５１は、表示パネル１３０に入射した外光の反射を低減する。これにより、表示パネル１３０の視認性が向上する。
第１補強フィルム５２は、表示パネル１３０を補強するフィルムである。第１補強フィルム５２は、湾曲された状態の表示パネル１３０の平坦な領域に配置される。具体的には、第１補強フィルム５２は、表示パネル１３０の画素アレイ部２０６の裏面に配置される。
熱拡散シート５３は、表示パネル１３０の熱を拡散するシートである。具体的には、熱拡散シート５３は、表示パネル１３０の周囲に配置された駆動回路で生じた熱を、表示パネル１３０全体に拡散する。これにより、表示パネル１３０の一部だけ高温になる状態を防止する。
スペーサ５４は、折り曲げられた表示パネル１３０の表面側の部分と裏面側の部分との間に配置される。スペーサ５４は、表面側の部分と裏面側の部分との間隔を一定以上に保つ。これにより、表示パネル１３０に厚み方向の圧力が加わっても折り曲げ部２０８の曲率が許容範囲に保たれる。
また、スペーサ５４の端部は、折り曲げ部２０８の背面に応じた曲率の曲面となるように形成される。スペーサ５４の端部を折り曲げ部２０８の背面に当接させることで、折り曲げ部２０８の表面に圧力が加わっても折り曲げ部２０８の形状を一定に保つことができる。
第２補強フィルム５５は、表示パネル１３０を補強するフィルムである。第２補強フィルム５５は、湾曲された状態の表示パネル１３０の折り曲げ部２０８に配置される。第２補強フィルム５５は、第１補強フィルム５２よりも曲げやすい材質及び厚さで形成される。
なお、折り曲げ部２０８には第２補強フィルム５５を貼り付けない構成としてもよい。当該構成によれば、折り曲げ部２０８の柔軟性を増し、より小さい曲率半径で表示パネル１３０を湾曲させることができる。折り曲げ部２０８の曲率半径が小さくなるほど、折り曲げられた表示パネル１３０の平面視でのサイズも小さくなり、また折り曲げられた表示パネル１３０の厚さも小さくなる。
なお、スペーサ５４は省略してもよい。具体的には、スペーサ５４を省略し、折り曲げ部２０８をより鋭角に折り曲げる構成としてもよい。当該構成によれば、表示パネル１３０を薄くすることができる。
以上のように、画素アレイ部２０６から見て折り曲げ部２０８より先の第１配線基板２０２及び第２配線基板２０４を画素アレイ部２０６の裏側に折り返すことができる。このように折り返すことで、表示装置１００の平面視のサイズを小さくすることができ、表示装置１００の小型化を図ることができる。また、表示パネル１３０のうち絶縁基板２００の折り曲げ部２０８から先の部分が裏面に隠れることにより、表示パネル１３０の正面に占める画素アレイ部２０６の割合を大きくすることができる。
さらに、駆動用半導体２１２などを表示パネル１３０のうち裏面に折り返される部分に搭載し、表示面側の端部はＩＣ等の部品の配置領域として用いないようにすることができる。これにより、額縁の面積を小さくできる。すなわち、表示装置１００の狭額縁化を進めることができる。
続いて、画素アレイ部２０６を構成する各副画素５００に配置される画素回路について説明する。図６は、副画素５００に形成される回路を示す図である。図６に示すように、副画素５００は、ゲート信号線５０１と、映像信号線５０２と、リセット電源線５０４と、リセット信号線５０６と、発光制御信号線５０８と、画素選択トランジスタ５１０と、保持容量５１２と、補助容量５１３と、駆動トランジスタ５１４と、有機ＥＬ素子５１６と、カソード端子５１８と、電源５２０と、発光制御トランジスタ５２２と、リセットトランジスタ５２４と、を含んで構成される。
ゲート信号線５０１は、画素選択トランジスタ５１０のゲート端子と接続される。具体的には、ゲート信号線５０１は、周辺回路２１０と画素選択トランジスタ５１０のゲート端子とを電気的に接続する。また、ゲート信号線５０１は、周辺回路２１０から取得した画素選択信号を画素選択トランジスタ５１０のゲート端子に供給する。
映像信号線５０２は、画素選択トランジスタ５１０のソース端子又はドレイン端子の一方と接続される。具体的には、映像信号線５０２は、駆動用半導体２１２と画素選択トランジスタ５１０のソース端子又はドレイン端子の一方とを電気的に接続する。また、映像信号線５０２は、駆動用半導体２１２から取得した映像信号に応じた電圧を画素選択トランジスタ５１０のソース端子又はドレイン端子の一方に供給する。
リセット電源線５０４は、リセットトランジスタ５２４のソース端子又はドレイン端子の一方と接続される。具体的には、リセット電源線５０４は、駆動用半導体２１２とリセットトランジスタ５２４のソース端子又はドレイン端子の一方とを電気的に接続する。また、リセット電源線５０４は、駆動用半導体２１２から取得したリセット信号に応じた電圧をリセットトランジスタ５２４のソース端子又はドレイン端子の一方に供給する。
リセット信号線５０６は、リセットトランジスタ５２４のゲート端子と接続される。具体的には、リセット信号線５０６は、駆動用半導体２１２とリセットトランジスタ５２４のゲート端子とを電気的に接続する。また、リセット電源線５０４は、駆動用半導体２１２から取得したリセット信号をリセットトランジスタ５２４のゲート端子に供給する。
発光制御信号線５０８は、発光制御トランジスタ５２２のゲート端子と接続される。具体的には、発光制御信号線５０８は、周辺回路２１０と発光制御トランジスタ５２２のゲート端子と電気的に接続する。また、発光制御信号線５０８は、周辺回路２１０から取得した発光制御信号を発光制御トランジスタ５２２のゲート端子に供給する。
画素選択トランジスタ５１０は、保持容量５１２に蓄えられる映像信号に基づいた電圧入力を制御する。具体的には、画素選択トランジスタ５１０は、ゲート端子に印加される電圧がハイ状態又はロー状態のいずれか一方の状態で、画素選択トランジスタ５１０のソース端子とドレイン端子を導通する（以下、オン状態とする）。画素選択トランジスタ５１０は、ゲート端子に供給されるゲート信号の状態に応じて、映像信号線５０２の電圧を保持容量５１２に供給する。これにより、画素選択トランジスタ５１０は、映像信号に基づいて、保持容量５１２に蓄えられる電圧を制御する。
保持容量５１２は、映像信号線５０２から供給された電圧を保持する。具体的には、保持容量５１２は、画素選択トランジスタ５１０がオン状態であるタイミングで、映像信号線５０２の電圧と同電位となる。その後、ゲート信号によって、画素選択トランジスタ５１０は、ソース端子とドレイン端子が電気的に遮断された状態（以下、オフ状態とする）となる。保持容量５１２は、次に画素選択トランジスタ５１０またはリセットトランジスタ５２４がオン状態となるまで、フローティング状態となるため、映像信号線５０２から供給された電圧を保持する。
駆動トランジスタ５１４は、画素選択トランジスタ５１０、保持容量５１２、発光制御トランジスタ５２２、及び、有機ＥＬ素子５１６と接続される。具体的には、駆動トランジスタ５１４のゲート端子は、画素選択トランジスタ５１０のソース端子又はドレイン端子、及び、保持容量５１２と電気的に接続される。駆動トランジスタ５１４のソース端子又はドレイン端子の一方は、発光制御トランジスタ５２２のソース端子またはドレイン端子と電気的に接続される。また、駆動トランジスタ５１４のソース端子又はドレイン端子の他の一方は、保持容量５１２、補助容量５１３、有機ＥＬ素子５１６のアノード端子、及び、リセットトランジスタ５２４のソース端子またはドレイン端子の一方と電気的に接続される。
また、駆動トランジスタ５１４は、有機ＥＬ素子５１６に電流を供給する。具体的には、駆動トランジスタ５１４は、保持容量５１２に印加された電圧に応じて、電源５２０から供給される電流を有機ＥＬ素子５１６に供給する。
有機ＥＬ素子５１６は、電流を供給されることで発光する。具体的には、有機ＥＬ素子５１６は、保持容量５１２に保持された電圧に応じた電流が、駆動トランジスタ５１４によって供給されることで発光する。なお、有機ＥＬ素子５１６は、上述の下部電極３２０、有機ＥＬ膜３２４及び上部電極３２６によって構成される。
カソード端子５１８は、有機ＥＬ素子５１６と電気的に接続される。具体的には、カソード端子５１８は、有機ＥＬ素子５１６のカソード端子と電気的に接続される。また、カソード端子５１８は、電源５２０との間で電圧を印加されることにより、有機ＥＬ素子５１６に電流を供給する。なお、カソード端子５１８は、上述の上部電極３２６に相当する。
電源５２０は、発光制御トランジスタ５２２と接続され、有機ＥＬ素子５１６に電流を供給する。具体的には、電源５２０は、発光制御トランジスタ５２２のソース端子またはドレイン端子と電気的に接続される。また、電源５２０は、駆動用半導体２１２または周辺回路２１０と接続され、一定の電圧が印加される。これにより、電源５２０は、駆動トランジスタ５１４及び発光制御トランジスタ５２２がオン状態であるときに、有機ＥＬ素子５１６に電流を供給する。
発光制御トランジスタ５２２は、有機ＥＬ素子５１６に対する電源５２０の供給を遮断するか否かを制御する。具体的には、発光制御トランジスタ５２２のソース端子またはドレイン端子の一方は、電源５２０に接続され、他の一方は、駆動トランジスタ５１４のソース端子又はドレイン端子と電気的に接続される。また、駆動トランジスタ５１４のゲート端子は、発光制御信号線５０８と電気的に接続される。
発光制御トランジスタ５２２は、発光制御信号線５０８から供給される発光制御信号によって、オン状態またはオフ状態となるように制御される。発光制御トランジスタ５２２がオン状態の場合、発光制御トランジスタ５２２は、電源５２０から供給される電流を、駆動トランジスタ５１４を介して有機ＥＬ素子５１６に供給する。一方、発光制御トランジスタ５２２がオフ状態の場合、発光制御トランジスタ５２２は、有機ＥＬ素子５１６に対する電源５２０の供給を遮断する。
リセットトランジスタ５２４は、保持容量５１２に保持された電圧をリセットするタイミングを制御する。具体的には、リセットトランジスタ５２４のゲート端子は、リセット信号線５０６と接続される。リセットトランジスタ５２４のソース端子又はドレイン端子の一方は、リセット電源線５０４と接続される。リセットトランジスタ５２４のソース端子又はドレイン端子の他の一方は、保持容量５１２、補助容量５１３、有機ＥＬ素子５１６のアノード端子及び駆動トランジスタ５１４のソース端子又はドレイン端子の一方と接続される。
リセットトランジスタ５２４は、保持容量５１２及び補助容量５１３に保持された電圧が、初期状態の電圧となるように制御する。具体的には、リセットトランジスタ５２４は、リセット信号線５０６から供給されるリセット信号によって、オン状態またはオフ状態となるように制御される。リセットトランジスタ５２４がオン状態の場合、保持容量５１２及び補助容量５１３は、初期状態の電圧であるリセット電源線５０４の電圧が供給される。保持容量５１２及び補助容量５１３に保持された電圧が初期状態の電圧となった後、画素選択トランジスタ５１０がオン状態となることで、保持容量５１２及び補助容量５１３に保持される電圧が変更される。
以上のように、折り曲げ部２０８に配置された第１配線層３１０を介して、周辺回路２１０又は駆動用半導体２１２が生成した信号又は電源５２０が画素回路に供給される。これにより、表示パネル１３０は、画素アレイ部２０６に画像を表示する。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
１００ 表示装置、１１０ 上フレーム、１２０ 下フレーム、１３０ 表示パネル、２００ 絶縁基板、２０２ 第１配線基板、２０４ 第２配線基板、２０６ 画素アレイ部、２０８ 折り曲げ部、２１０ 周辺回路、２１２ 駆動用半導体、３００ 裏保護フィルム、３０２ 接着層、３０４ 半導体層、３０６ トランジスタ、３０８ ゲート絶縁膜、３１０ 第１配線層、３１２ 第１無機絶縁膜、３１４ 第２配線層、３１６ 有機平坦化膜、３１８ 第２無機絶縁膜、３２０ 下部電極、３２２ 有機バンク、３２４ 有機ＥＬ膜、３２６ 上部電極、３２７ 発光素子、３２８ 第１無機封止膜、３３０ 有機封止膜、３３２ 第２無機封止膜、３３３ 封止膜、３３４ 表保護フィルム、３３６ 陰極コンタクト部、４００ 第３無機絶縁膜、５１ 偏光板、５２ 第１補強フィルム、５３ 熱拡散シート、５４ スペーサ、５５ 第２補強フィルム、５００ 副画素、５０１ ゲート信号線、５０２ 映像信号線、５０４ リセット電源線、５０６ リセット信号線、５０８ 発光制御信号線、５１０ 画素選択トランジスタ、５１２ 保持容量、５１３ 補助容量、５１４ 駆動トランジスタ、５１６ 有機ＥＬ素子、５１８ カソード端子、５２０ 電源、５２２ 発光制御トランジスタ、５２４ リセットトランジスタ。
Claims (5)
- マトリクス状に配置された複数の画素によって構成された画素アレイ部と、
少なくとも前記画素アレイ部の外側に配置されて折り曲げられる折り曲げ部と、
前記折り曲げ部によって前記画素アレイ部と連結され、前記複数の画素に供給する信号を生成する周辺回路と、
前記折り曲げ部を避けて配置されるとともに、前記画素アレイ部及び前記周辺回路に対する水分子の侵入を防止する封止膜と、
前記封止膜を保護する保護フィルムと、
を有し、
前記封止膜は、第１無機封止膜と、第２無機封止膜と、前記第１無機封止膜と前記第２無機封止膜との間の有機封止膜と、を有し、
前記封止膜は、前記画素アレイ部を覆う第１領域と、前記周辺回路を覆う第２領域と、
を有し、
前記第１領域に設けられた前記有機封止膜と、前記第２領域に設けられた前記有機封止膜とはそれぞれ、前記第１無機封止膜と前記第２無機封止膜とによって、前記有機封止膜が前記封止膜の端部において露出しないように封じられ、
前記保護フィルムは、前記第１領域、前記折り曲げ部及び前記第２領域に亘って連続的に配置されると共に、前記折り曲げ部における上面の高さが、前記第１領域及び前記第２領域における上面の高さのいずれよりも低くなるように形成される、ことを特徴とする表示装置。 - 前記周辺回路は、前記複数の画素に電流を供給するタイミングを選択する走査信号を生成する走査信号生成回路、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
- 前記複数の画素は、それぞれ異なる色の光を発する複数の副画素で構成され、
前記周辺回路は、前記複数の画素にそれぞれ含まれる副画素から、電流を供給する副画素を選択する選択信号を生成する選択信号生成回路を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。 - 前記周辺回路は、前記画素アレイ部の動作を検査する検査回路を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の表示装置。
- 前記第１領域と前記第２領域とは、前記折り曲げ部で分断されていることを特徴とする、請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の表示装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017075519A JP7002855B2 (ja) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 表示装置 |
| US15/940,086 US10553666B2 (en) | 2017-04-05 | 2018-03-29 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017075519A JP7002855B2 (ja) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 表示装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2018180100A JP2018180100A (ja) | 2018-11-15 |
| JP2018180100A5 JP2018180100A5 (ja) | 2020-05-14 |
| JP7002855B2 true JP7002855B2 (ja) | 2022-01-20 |
Family
ID=63711214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017075519A Active JP7002855B2 (ja) | 2017-04-05 | 2017-04-05 | 表示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10553666B2 (ja) |
| JP (1) | JP7002855B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018198262A1 (ja) * | 2017-04-27 | 2018-11-01 | シャープ株式会社 | フレキシブル表示装置 |
| KR102482991B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2022-12-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 |
| US10566555B2 (en) * | 2018-01-30 | 2020-02-18 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode (OLED) display panel and the manufacturing method thereof |
| CN109638060B (zh) * | 2018-12-21 | 2020-10-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及柔性显示面板 |
| CN109742118B (zh) * | 2019-01-08 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、阵列基板及其制备方法 |
| CN110010010A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-07-12 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 信号线结构、显示面板及显示装置 |
| CN110610968B (zh) * | 2019-08-28 | 2021-09-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| KR102698616B1 (ko) * | 2020-11-20 | 2024-08-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 및 그의 구동방법 |
| US11335258B2 (en) * | 2020-04-29 | 2022-05-17 | Dell Products L.P. | Information handling system thin display with minimal bezel |
| KR20230050545A (ko) * | 2021-10-07 | 2023-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004047411A (ja) | 2001-11-09 | 2004-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2004102245A (ja) | 2002-07-18 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、配線基板及び電子機器 |
| JP2011008969A (ja) | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Canon Inc | 表示装置 |
| JP2011034066A (ja) | 2009-07-07 | 2011-02-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| WO2013069236A1 (ja) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | パナソニック株式会社 | 発光パネルの製造方法及び該製造方法により得られた発光パネルを備える表示装置 |
| US20140306941A1 (en) | 2013-04-11 | 2014-10-16 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display panel |
| US20160064691A1 (en) | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| US20160204183A1 (en) | 2015-01-09 | 2016-07-14 | Apple Inc. | Organic Light-Emitting Diode Display With Bent Substrate |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011209405A (ja) | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Sony Corp | 表示装置及び電子機器 |
| US10210798B2 (en) * | 2016-07-04 | 2019-02-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having protective structure |
| KR102556022B1 (ko) * | 2016-07-06 | 2023-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
-
2017
- 2017-04-05 JP JP2017075519A patent/JP7002855B2/ja active Active
-
2018
- 2018-03-29 US US15/940,086 patent/US10553666B2/en active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004047411A (ja) | 2001-11-09 | 2004-02-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
| JP2004102245A (ja) | 2002-07-18 | 2004-04-02 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、配線基板及び電子機器 |
| JP2011008969A (ja) | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Canon Inc | 表示装置 |
| JP2011034066A (ja) | 2009-07-07 | 2011-02-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| WO2013069236A1 (ja) | 2011-11-08 | 2013-05-16 | パナソニック株式会社 | 発光パネルの製造方法及び該製造方法により得られた発光パネルを備える表示装置 |
| US20140306941A1 (en) | 2013-04-11 | 2014-10-16 | Lg Display Co., Ltd. | Flexible display panel |
| US20160064691A1 (en) | 2014-08-29 | 2016-03-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of manufacturing the same |
| US20160204183A1 (en) | 2015-01-09 | 2016-07-14 | Apple Inc. | Organic Light-Emitting Diode Display With Bent Substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2018180100A (ja) | 2018-11-15 |
| US10553666B2 (en) | 2020-02-04 |
| US20180294328A1 (en) | 2018-10-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7002855B2 (ja) | 表示装置 | |
| TWI648851B (zh) | 顯示裝置 | |
| EP3188244A1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| EP2105964A1 (en) | Organic light emitting display device | |
| US11765925B2 (en) | Display device | |
| US10268092B2 (en) | Display device | |
| JP2009200025A (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
| KR102610245B1 (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| JP2019191525A (ja) | 表示装置 | |
| JP7271246B2 (ja) | 表示装置 | |
| JP2019003040A (ja) | 表示装置 | |
| JP7112999B2 (ja) | 表示装置 | |
| US9960388B2 (en) | Display device with light emitting elements and pixel electrodes | |
| KR102533228B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| US11574592B2 (en) | Display device | |
| KR102538361B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| JP7028616B2 (ja) | 表示装置 | |
| KR102610485B1 (ko) | 전계발광 표시장치 | |
| JP7246534B2 (ja) | アレイ基板 | |
| JP2019035835A (ja) | 表示装置 | |
| KR20200074657A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| CN118281029A (zh) | 具有可修复子像素的显示装置 | |
| KR20200058821A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| KR20170125485A (ko) | 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법 | |
| JP2007095733A (ja) | エレクトロルミネッセンス装置および電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200403 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200403 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210225 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210302 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210430 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210928 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211129 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20211214 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20211228 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7002855 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |