CN118281029A - 具有可修复子像素的显示装置 - Google Patents

Abstract

根据本公开内容的一个方面，一种显示装置包括：基板，在基板上设置有包括多个子像素的像素；结合层，结合层位于基板上；多个发光元件，多个发光元件在多个子像素中的第一子集合中并且设置在结合层上；平坦化层，平坦化层位于结合层和多个发光元件上；以及额外发光元件，额外发光元件在多个子像素中的第二子集合中并且设置在平坦化层上。

Description

具有可修复子像素的显示装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年12月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0189037号的优先权，通过引用将该专利申请的公开内容结合到本申请中。

技术领域

本申请涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种使用发光二极管(LED)的显示装置。

背景技术

显示装置被用于广泛的应用，包括用作计算机、电视机、移动电话等的显示器。显示设备可包括配置为自发光的有机发光显示器(OLED)、需要单独光源的液晶显示器(LCD)等。

在此空间中的研究和开发部分地集中于开发具有宽显示区域和/或减小的体积和重量的显示装置。

近来，具有发光二极管(LED)的显示装置已作为下一代显示装置而引起了兴趣和关注。因为LED由无机材料而不是有机材料制成，所以LED装置比液晶显示装置或有机发光显示装置更可靠并且具有更长的寿命。此外，LED可快速导通或截止，具有优异的发光效率、高抗冲击性和高稳定性，并且显示高亮度图像。

发明内容

本公开内容的一个或更多个方面涉及一种显示装置，在该显示装置中，具有发光元件的转移缺陷的子像素被修复。

在一个方面中，一种显示装置包括：基板，在所述基板上设置有包括多个子像素的像素；结合层，所述结合层位于所述基板上；多个发光元件，所述多个发光元件在所述多个子像素中的第一子集合中并且设置在所述结合层上；平坦化层，所述平坦化层位于所述结合层和所述多个发光元件上；以及额外发光元件，所述额外发光元件在所述多个子像素中的第二子集合中并且设置在所述平坦化层上。

在另一个方面中，所述多个发光元件分别包括：位于所述结合层上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层；位于所述第一半导体层上的第一电极；和位于所述第二半导体层上的第二电极。

在另一个方面中，所述额外发光元件包括：第一额外半导体层；位于所述第一额外半导体层下方的第二额外半导体层；位于所述第一额外半导体层与所述第二额外半导体层之间的额外发光层；设置在所述第一额外半导体层下方的第一额外电极；和设置在所述第二额外半导体层下方的第二额外电极。

在另一个方面中，所述显示装置进一步包括：第一连接电极，所述第一连接电极设置在所述多个子像素中的每个子像素中并且设置在所述平坦化层上；和第二连接电极，所述第二连接电极设置在所述多个子像素中的每个子像素中，设置在所述平坦化层上，并且与所述第一连接电极分隔开，其中所述第一连接电极电连接至所述第一电极和所述第一额外电极，并且其中所述第二连接电极电连接至所述第二电极和所述第二额外电极。

在另一个方面中，所述平坦化层进一步包括凹槽，所述凹槽在所述多个子像素之中的设置有所述额外发光元件的子像素中与所述第一额外电极和所述第二额外电极重叠，并且其中所述第一连接电极和所述第二连接电极沿所述凹槽形成为凹入形状。

在另一个方面中，所述显示装置进一步包括：第一结合电极，所述第一结合电极设置在所述凹槽中并且设置在所述第一连接电极与所述第一额外电极之间；和第二结合电极，所述第二结合电极设置在所述凹槽中并且设置在所述第二连接电极与所述第二额外电极之间。

在另一个方面中，所述第一结合电极的上部和所述第二结合电极的上部设置在所述第一连接电极的上部和所述第二连接电极的上部上，并且所述第一结合电极的上部和所述第二结合电极的上部分别具有倒锥形形状。

在另一个方面中，所述第一连接电极和所述第二连接电极分别由透明导电材料制成，并且所述第一结合电极和所述第二结合电极分别由不透明导电材料制成。

在另一个方面中，所述多个发光元件设置在与设置有所述第一结合电极和所述第二结合电极的子像素不同的子像素中。

在另一个方面中，所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及一个或更多个缺陷子像素，设置有所述多个发光元件的所述多个子像素中的第一子集合包括所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素，并且设置有所述额外发光元件的所述多个子像素中的第二子集合包括所述一个或更多个缺陷子像素。

在另一个方面中，所述第一结合电极和所述第二结合电极设置在所述一个或更多个缺陷子像素中。

在另一个方面中，所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及多个修复子像素，设置有所述多个发光元件的所述多个子像素中的第一子集合包括所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素，并且设置有所述额外发光元件的所述多个子像素中的第二子集合包括所述多个修复子像素中的一个。

在另一个方面中，所述第一结合电极和所述第二结合电极设置在所述多个修复子像素中。

在一个方面中，一种显示装置包括：多个子像素，所述多个子像素形成在基板上；结合层，所述结合层位于所述基板上；多个发光元件，所述多个发光元件形成在所述结合层上；平坦化层，所述平坦化层位于在所述结合层和所述多个发光元件上；以及至少一个额外发光元件，所述至少一个额外发光元件形成在所述平坦化层上。

在另一个方面中，所述多个发光元件和所述至少一个额外发光元件形成在所述多个子像素中的不同子集合中。

在另一个方面中，所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及一个或更多个缺陷子像素，所述多个发光元件形成在所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素中，并且所述额外发光元件形成在所述一个或更多个缺陷子像素中。

在另一个方面中，所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及多个修复子像素，所述多个发光元件形成在所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素中，并且所述额外发光元件形成在所述多个修复子像素中的一个中。

在另一个方面中，所述多个发光元件分别包括：位于所述结合层上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层；位于所述第一半导体层上的第一电极；和位于所述第二半导体层上的第二电极。

在另一个方面中，所述额外发光元件包括：第一额外半导体层；位于所述第一额外半导体层下方的第二额外半导体层；位于所述第一额外半导体层与所述第二额外半导体层之间的额外发光层；设置在所述第一额外半导体层下方的第一额外电极；和设置在所述第二额外半导体层下方的第二额外电极。

在另一个方面中，所述显示装置进一步包括：位于所述平坦化层上的由不透明材料形成的堤部层。

附图说明

将从以下结合附图的详细描述更清楚地理解到本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点，其中：

图1是根据本申请示例性方面的显示装置的示意性配置图；

图2A是根据本申请示例性方面的显示装置的局部剖面图；

图2B是根据本申请示例性方面的拼接(tiling)显示装置的透视图；

图3A是根据本申请示例性方面的显示装置的示意性放大俯视图；

图3B是根据本申请示例性方面的显示装置的示意性俯视图；

图4是根据本申请示例性方面的显示装置的第一子像素的剖面图；

图5是根据本申请示例性方面的显示装置的放大俯视图；

图6是根据本申请示例性方面的显示装置的缺陷子像素的剖面图；

图7A至图7D是用于说明制造根据本申请示例性方面的显示装置的方法的工序图；

图8是根据本申请示例性方面的显示装置的示意性放大俯视图；以及

图9是根据本申请示例性方面的显示装置的修复子像素的剖面图。

具体实施方式

下面详细讨论本公开内容的各种示例。虽然讨论了具体的实现，但应理解，这仅是为了说明的目的。相关领域的技术人员将认识到，在不背离本公开内容的精神和范围的情况下，可使用其他部件和配置。因此，下面的描述和附图是说明性的，并且不应被解释为限制的。描述了许多具体细节以提供对本公开内容的透彻理解。然而，在某些情况下，不描述公知或常规的细节以避免使描述模糊。对本公开内容中的一个实施方式或一实施方式的引用可以是对相同实施方式或任意实施方式的引用；而且，这种引用是指这些实施方式中的至少一个。

为了描述本公开内容的示例性实施方式而在附图中示出的形状、尺寸、比例、角度、数量等仅仅是示例，本公开内容并不限于此。在整个申请中相同的附图标记一般表示相同的元件。此外，在本公开内容下面的描述中，可省略已知相关技术的详细解释，以避免不必要地使本公开内容的主题模糊不清。在此使用的诸如“包括”、“具有”和“由……构成”之类的术语一般旨在允许添加其他部件，除非这些术语使用了术语“仅”。任何单数形式的指代可包括复数形式，除非另有明确说明。

即使没有明确说明，部件仍被解释为包含通常的误差范围。

当使用诸如“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……之后”之类的术语描述两个部分之间的位置关系时，可在这两个部分之间设置一个或多个部分，除非这些术语使用了术语“紧接”或“直接”。

当一元件或层设置在另一元件或层“上”时，该一元件或层可直接设置在该另一元件或层上或者在它们之间可插置其他元件或其他层。

尽管使用术语“第一”、“第二”等描述各种部件，但这些部件不受这些术语限制。这些术语仅仅是用于区分一个部件与其他部件。因此，在本公开内容的技术构思内，下面提到的第一部件可以是第二部件。

在整个申请中相同的附图标记一般表示相同的元件。

为了便于描述而显示出图中所示的每个部件的尺寸和厚度，本公开内容不限于图中示出的部件的尺寸和厚度。

本公开内容各实施方式的特征可彼此部分或整体地组合或结合，并且可以以各种技术方式相互联系和操作，并且各实施方式可彼此独立实施，或者彼此关联地实施。

下文中，将参照附图详细地描述根据本公开内容示例性实施方式的显示装置。

图1是根据本申请示例性方面的显示装置的示意性配置图。为了便于描述，图1仅示出了显示装置100的各种构成元件之中的显示面板PN、栅极驱动器GD、数据驱动器DD以及时序控制器TC。然而，本公开内容的显示装置及其部件不限于图1中示出的那些，并且显示装置100可包括任意其他已知的部件或者待开发的部件。

参照图1，显示装置100包括：显示面板PN，显示面板PN包括多个子像素SP；栅极驱动器GD和数据驱动器DD，栅极驱动器GD和数据驱动器DD配置为给显示面板PN提供各种类型的信号；以及时序控制器TC，时序控制器TC配置为控制栅极驱动器GD和数据驱动器DD。

栅极驱动器GD响应于从时序控制器TC提供的多个栅极控制信号，将多个扫描信号提供给多条扫描线SL。图1示出了设置成与显示面板PN的一侧分隔开的单个栅极驱动器GD。然而，栅极驱动器GD的数量和配置不限于此。

数据驱动器DD响应于从时序控制器TC提供的多个数据控制信号，通过使用基准伽马电压将从时序控制器TC输入的图像数据转换成数据电压。数据驱动器DD可将转换的数据电压提供给多个数据线DL。

时序控制器TC对从外部输入的图像数据进行对准，并且将图像数据提供给数据驱动器DD。时序控制器TC可通过使用同步信号(例如，从外部输入的点时钟信号、数据使能信号和水平/垂直同步信号)来产生栅极控制信号和数据控制信号。此外，时序控制器TC可通过将产生的栅极控制信号和数据控制信号提供给栅极驱动器GD和数据驱动器DD来控制栅极驱动器GD和数据驱动器DD。

显示面板PN配置为显示用于观看的图像，并且包括多个子像素SP。在显示面板PN中，多条扫描线SL和多条数据线DL彼此交叉，并且多个子像素SP中的每一个连接至扫描线SL和数据线DL。此外，尽管未在图中示出，多个子像素SP可分别连接至高电位电源线、低电位电源线、基准线等。

显示面板PN可具有显示区域AA和配置为围绕显示区域AA的非显示区域NA。

显示区域AA是显示装置100的显示图像的区域。显示区域AA可包括构成多个像素PX的多个子像素SP、以及配置为操作多个子像素SP的电路。多个子像素SP是构成显示区域AA的最小单位。n个子像素SP可构成单个像素PX。可在多个子像素SP中的每一个中设置发光元件、用于操作发光元件的薄膜晶体管等。根据显示面板PN的类型，多个发光元件可具有不同的配置。例如，在显示面板PN是无机发光显示面板的情况下，发光元件可以是发光二极管(LED)或微型发光二极管(微型LED)。

在显示区域AA中设置有用于将各种类型的信号传输至多个子像素SP的多条信号线。例如，多条信号线可包括用于将数据电压提供给多个子像素SP的多条数据线DL和用于将栅极电压提供给多个子像素SP的多条扫描线SL。多条扫描线SL可在显示区域AA中沿一个方向延伸并且连接至多个子像素SP。多条数据线DL可在显示区域AA中沿与该一个方向不同的方向延伸并且连接至多个子像素SP。此外，可在显示区域AA中进一步设置低电位电源线、高电位电源线等。然而，本公开内容不限于此。

非显示区域NA可被定义为不显示图像的区域，即，从显示区域AA延伸至显示面板PN的边缘的区域。非显示区域NA可包括用于给显示区域AA中的子像素SP传输信号的连线和焊盘电极。或者，非显示区域NA可包括诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC之类的驱动IC。

非显示区域NA可位于显示面板PN的后表面上，即，没有子像素SP的表面上。或者，可不包括非显示区域NA。然而，本公开内容不限于附图中示出的配置。

诸如栅极驱动器GD、数据驱动器DD和时序控制器TC之类的驱动器可以以各种方式连接至显示面板PN。例如，栅极驱动器GD可通过面板内栅极(GIP)方法安装在非显示区域NA中，或者可通过显示区域AA中的有源区内栅极(GIA)方法安装在多个子像素SP之间。例如，数据驱动器DD和时序控制器TC可形成在单独的柔性膜和印刷电路板上，并且通过将柔性膜和印刷电路板结合至形成在显示面板PN的非显示区域NA中的焊盘电极的方法电连接至显示面板PN。在通过GIP方法安装栅极驱动器GD，并且数据驱动器DD和时序控制器TC通过非显示区域NA中的焊盘电极给显示面板PN传输信号的情况下，需要确保非显示区域NA的区域，栅极驱动器GD和焊盘电极可设置在非显示区域NA的区域中。该区域会增加边框。

或者，在栅极驱动器GD通过GIA方法安装在显示区域AA中，并且形成将显示面板PN的前表面上的信号线连接至显示面板PN的后表面上的焊盘电极的侧方线SRL，以将柔性膜和印刷电路板结合至显示面板PN的后表面的情况下，可使显示面板PN的前表面上的非显示区域NA最小化。就是说，在栅极驱动器GD、数据驱动器DD和时序控制器TC通过上述方法连接至显示面板PN的情况下，可实现实质上没有边框的零边框。将参照图2A和图2B进行更详细的描述。

图2A是根据本申请示例性方面的显示装置的局部剖面图。图2B是根据本申请示例性方面的拼接显示装置的透视图。

在显示面板PN的非显示区域NA中设置用于将各种类型的信号传输至多个子像素SP的多个焊盘电极。例如，在显示面板PN的前表面上的非显示区域NA中设置配置为将信号传输至多个子像素SP的第一焊盘电极PAD1。在显示面板PN后表面上的非显示区域NA中设置电连接至诸如柔性膜和印刷电路板之类的驱动部件的第二焊盘电极PAD2。

在这种情况下，虽然未在图中示出，但是连接至多个子像素SP的各种类型的信号线(例如，扫描线SL、数据线DL等)可从显示区域AA延伸至非显示区域NA并且电连接至第一焊盘电极PAD1。

此外，侧方线SRL沿显示面板PN的侧表面设置。侧方线SRL可将显示面板PN的前表面上的第一焊盘电极PAD1和显示面板PN的后表面上的第二焊盘电极PAD2电连接。因此，从显示面板PN的后表面上的驱动部件接收的信号可通过第二焊盘电极PAD2、侧方线SRL和第一焊盘电极PAD1传输至多个子像素SP。因此，从显示面板PN的前表面至侧表面和后表面限定了信号传输路径，这使得显示面板PN的非显示区域NA的面积最小化。

此外，参照图2B，通过连接多个显示装置100，可实现具有大屏幕的拼接显示装置TD。在这种情况下，如图2A中所示，在通过使用具有最小化的边框的显示装置100实现拼接显示装置TD的情况下，可使显示装置100之间不显示图像的空白区域最小化，从而提高显示质量。

例如，多个子像素SP可构成单个像素PX。一个显示装置100的最外围像素PX和与一个显示装置100相邻的另一个显示装置100的最外围像素PX之间的间隔D1可实现为等于一个显示装置100中的像素PX之间的间隔D1。因此，由于在一个显示装置100和另一个显示装置100之间实现了恒定间隔的像素PX，所以可使空白区域最小化。

图2A和图2B是说明性的，根据本申请示例性方面的显示装置100可以是其中存在边框的一般显示装置100。然而，本公开内容不限于此。

图3A是根据本申请示例性方面的显示装置的示意性放大俯视图。图3B是根据本申请示例性方面的显示装置的示意性俯视图。图4是根据本申请示例性方面的显示装置的第一子像素的剖面图。

参照图3A和图3B，显示面板PN包括多个像素PX，多个像素PX中的每一个具有多个子像素SP。多个子像素SP可分别包括发光元件120和像素电路并且独立地发光。单个像素PX可包括一个或更多个第一子像素SP1、一个或更多个第二子像素SP2、以及一个或更多个第三子像素SP3。例如，单个像素PX可包括两个第一子像素SP1、两个第二子像素SP2、以及两个第三子像素SP3。在这种情况下，第一子像素SP1可以是红色子像素，第二子像素SP2可以是绿色子像素，并且第三子像素SP3可以是蓝色子像素。然而，本公开内容不限于此。

接下来，参照图4，在根据本申请示例性方面的显示装置100的显示面板PN的多个子像素SP中设置基板110、缓冲层111、栅极绝缘层112、第一层间绝缘层113、第二层间绝缘层114，第一平坦化层115、结合层AD、第二平坦化层116、第三平坦化层117、堤部BB、驱动晶体管DT、发光元件120，反射层RF、多个第一连接电极CE1、第二连接电极CE2、遮光层LS和辅助电极LE。

首先，基板110是用于支撑显示装置100中包括的各种构成元件的部件，并且可由绝缘材料制成。例如，基板110可由玻璃、树脂等制成。此外，基板110可包括诸如聚合物之类的塑料，并且可由具有柔性的材料制成。

遮光层LS设置在多个子像素SP中的每一个中的基板110上。遮光层LS阻挡从基板110的下侧进入将在下面描述的驱动晶体管DT的有源层ACT的光。遮光层LS可阻挡进入驱动晶体管DT的有源层ACT的光，从而使漏电流最小化。

缓冲层111设置在基板110和遮光层LS上。缓冲层111可减少水分或杂质穿过基板110。例如，缓冲层111可配置为由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成的单层或多层。根据基板110的类型或者晶体管的类型，可不包括缓冲层111。然而，本公开内容不限于此。

驱动晶体管DT设置在缓冲层111上。驱动晶体管DT包括有源层ACT、栅极电极GE、源极电极SE和漏极电极DE。

有源层ACT设置在缓冲层111上。有源层ACT可由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅之类的半导体材料制成。然而，本公开内容不限于此。

栅极绝缘层112设置在有源层ACT上。栅极绝缘层112是用于使有源层ACT与栅极GE绝缘的绝缘层。栅极绝缘层112可配置为由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成的单层或多层。然而，本公开内容不限于此。

栅极电极GE设置在栅极绝缘层112上。栅极电极GE可由导电材料制成，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)、或它们的合金。然而，本公开内容不限于此。

第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114设置在栅极电极GE上。在第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114中形成接触孔，源极电极SE和漏极电极DE通过接触孔与有源层ACT连接。第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114可以是用于保护源极电极SE的下部和漏极电极DE的下部的绝缘层，并且第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114分别配置为由氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成的单层或多层。然而，本公开内容不限于此。

源极电极SE和漏极电极DE设置在第二层间绝缘层114上并且电连接至有源层ACT。源极电极SE和漏极电极DE可分别由导电材料制成，例如，铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)、或者它们的合金。然而，本公开内容不限于此。

在本申请中，已经描述了在栅极电极GE与源极电极SE和漏极电极DE之间设置第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114，即多个绝缘层的示例配置。在另一示例中，可在栅极电极GE与源极电极SE和漏极电极DE之间设置仅单个绝缘层。然而，本公开内容不限于这些配置。

此外，如图中所示，在在栅极电极GE与源极电极SE和漏极电极DE之间设置诸如第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114之类的多个绝缘层的情况下，可在第一层间绝缘层113和第二层间绝缘层114之间额外形成电极。额外形成的电极可与设置在第一层间绝缘层113的下部或第二层间绝缘层114的上部的其他部件一起限定电容器。

辅助电极LE设置在栅极绝缘层112上。辅助电极LE是将设置在缓冲层111下方的遮光层LS电连接至第二层间绝缘层114上的源极SE和漏极DE中的任意一个的电极。例如，遮光层LS可通过辅助电极LE电连接至源极电极SE或漏极电极DE中的任意一个以便不作为浮置栅极操作，从而使由浮置的遮光层LS引起的驱动晶体管DT的阈值电压的变化最小化。附图示出了遮光层LS连接至源极电极SE。在另一示例中，遮光层LS可连接至漏极电极DE。然而，本公开内容不限于此。

第一平坦化层115设置在驱动晶体管DT上。第一平坦化层115可使基板110的设置有驱动晶体管DT的上部平坦化。第一平坦化层115可配置为单层或多层，并且例如由光致抗蚀剂或丙烯酸类的有机材料制成。然而，本公开内容不限于此。

反射层RF可设置在第一平坦化层115上。反射层RF可将从发光元件120发射的光朝向发光元件120的上部反射，从而提高显示装置100的发光效率。反射层RF可由具有优异反射性能的导电材料制成，并且将从发光元件120发射的光朝向发光元件120的上部反射。此外，反射层RF可用作反射板，并且还用作将发光元件120电连接至驱动晶体管DT的电极。

结合层AD设置在反射层RF上。基板110的前表面可涂覆有结合层AD，并且结合层AD可将设置在结合层AD上的发光元件120固定。例如，结合层AD可由选自粘合剂聚合物、环氧抗蚀剂、UV树脂、聚酰亚胺类材料、丙烯酸酯类材料、聚氨酯类材料、和聚二甲基硅氧烷(PDMS)中的任意一种材料制成。然而，本公开内容不限于此。

多个发光元件120设置在结合层AD上并且设置在多个子像素SP中的每一个中。多个发光元件120可以是配置为通过使用电流来发光的元件，并且包括配置为发射红光、绿光、蓝光等的发光元件120。多个发光元件120可通过使用红光、绿光、蓝光等的组合来实现包括白色在内的各种颜色的光。例如，多个发光元件120可分别是发光二极管(LED)或微型LED。然而，本公开内容不限于此。

发光元件120包括第一半导体层121、发光层122、第二半导体层123、第一电极124、第二电极125和钝化层126。

第一半导体层121设置在结合层AD上，并且第二半导体层123设置在第一半导体层121上。第一半导体层121和第二半导体层123可分别是通过用n型杂质和p型杂质掺杂特定材料而形成的层。例如，第一半导体层121和第二半导体层123可分别是通过将诸如氮化镓(GaN)、磷化铟铝(InAlP)或砷化镓(GaAs)之类的材料掺杂n型杂质和p型杂质而形成的层。此外，p型杂质可以是镁、锌(Zn)、铍(Be)等。n型杂质可以是硅(Si)、锗、锡(Sn)等。然而，本公开内容不限于此。

发光层122设置在第一半导体层121与第二半导体层123之间。发光层122可通过从第一半导体层121和第二半导体层123接收空穴和电子来发光。发光层122可配置为单层或多量子阱(MQW)结构。例如，发光层122可由氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)等制成。然而，本公开内容不限于此。

第一电极124设置在第一半导体层121上。第一电极124是将电源线和第一半导体层121电连接的电极。第一电极124可设置在从发光层122和第二半导体层123暴露的第一半导体层121的顶表面上。第一电极124可由导电材料制成，例如，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料或诸如钛(Ti)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、或它们的合金之类的不透明导电材料。然而，本公开内容不限于此。

第二电极125设置在第二半导体层123上。第二电极125可设置在第二半导体层123的顶表面上。第二电极125是将驱动晶体管DT和第二半导体层123电连接的电极。第二电极125可由导电材料制成，例如，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料或诸如钛(Ti)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、或它们的合金之类的不透明导电材料。然而，本公开内容不限于此。

接下来，钝化层126设置成包围第一半导体层121、发光层122、第二半导体层123、第一电极124和第二电极125。钝化层126可由绝缘材料制成，并且保护第一半导体层121、发光层122和第二半导体层123。此外，可在钝化层126中形成接触孔，第一电极124和第二电极125通过接触孔暴露，使得第一连接电极CE1、第二连接电极CE2、第一电极124和第二电极125可电连接。

第一半导体层121的侧表面的一部分可从钝化层126暴露。在晶片上制造的发光元件120可与晶片分离并且转移到显示面板PN。然而，在将发光元件120从晶片分离的过程中，钝化层126的一部分可被撕裂。例如，在将发光元件120从晶片分离的过程中，与发光元件120的第一半导体层121的下边缘相邻的钝化层126中的一部分可被撕裂，使得第一半导体层121的侧表面的下部可被暴露到外部。然而，即使发光元件120的下部从钝化层126暴露，在形成覆盖第一半导体层121的侧表面的第二平坦化层116和第三平坦化层117之后形成第一连接电极CE1和第二连接电极CE2，从而最小化短路缺陷。

第二平坦化层116和第三平坦化层117设置在结合层AD和发光元件120上。第二平坦化层116可与多个发光元件120的侧表面部分地重叠，并且固定和保护多个发光元件120。第三平坦化层117可形成为覆盖第二平坦化层116的上部和发光元件120的上部。可在第三平坦化层117中形成接触孔，发光元件120的第一电极124和第二电极125通过该接触孔暴露。发光元件120的第一电极124和第二电极125可从第三平坦化层117暴露，并且第三平坦化层117部分地设置在第一电极124与第二电极125之间的区域中，从而使短路缺陷最小化。第二平坦化层116和第三平坦化层117可分别配置为单层或多层，并且例如由光致抗蚀剂或丙烯酸类的有机材料制成。然而，本公开内容不限于此。另外，在本申请中，已经描述了其中设置第二平坦化层116和第三平坦化层117的配置。在另一示例中，平坦化层可配置为单层。然而，本公开内容不限于此。

在另一示例中，第三平坦化层117可仅覆盖与发光元件120相邻的区域。第三平坦化层117可仅形成在未形成堤部BB的区域中。第三平坦化层117可设置在被堤部BB包围的子像素SP的区域中，并且以岛的形式设置。因此，堤部BB可设置在第二平坦化层116的顶表面的一部分上，并且第三平坦化层117可设置在第二平坦化层116的顶表面的另一部分上。

第一连接电极CE1和第二连接电极CE2设置在第三平坦化层117上。第一连接电极CE1是将电源线和发光元件120的第二电极125电连接的电极。第一连接电极CE1可通过形成在第三平坦化层117中的接触孔电连接至发光元件120的第二电极125。

第二连接电极CE2是将驱动晶体管DT和发光元件120的第一电极124电连接的电极。第二连接电极CE2可通过形成在第三平坦化层117、第二平坦化层116和结合层AD中的接触孔连接至多个子像素SP中的每一个的反射层RF。在这种情况下，因为反射层RF也连接至驱动晶体管DT，所以驱动晶体管DT和发光元件120的第一电极124可通过反射层RF与第二连接电极CE2电连接。

第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可分别由透明导电材料制成，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。覆盖发光元件120的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2由透明材料制成，使得从发光元件120发射的光可传播到显示装置100的外部。

堤部BB设置在从第三平坦化层117暴露的第二平坦化层116上。堤部BB可设置为以预定间隔与第三平坦化层117和发光元件120分隔开。堤部BB可由不透明材料，例如，黑色树脂制成，以减少多个子像素SP之间的色混合。然而，本公开内容不限于此。

保护层118设置在连接电极和堤部BB上。保护层118可以是用于保护设置在保护层118下方的部件的层，并且配置为由透光性环氧树脂、氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)制成的单层或多层。然而，本公开内容不限于此。

参照图3B，将驱动晶体管DT与设置在多个子像素SP中的每一个中的发光元件120连接的第二连接电极CE2可独立地设置在多个子像素SP中的每一个中。此外，设置在多个子像素SP中的每一个中并且将电源线和发光元件120连接的第一连接电极CE1可彼此连接。就是说，因为给多个子像素SP的所有多个发光元件120共同施加电源线的电源电压，所以可在所有多个子像素SP上设置单个第一连接电极CE1。

在本申请示例性方面中，可通过将多个发光元件120转移到形成有结合层AD的显示面板PN上来形成显示装置100。然而，在发光元件120由于发光元件120的转移缺陷而从多个子像素SP中的每一个丢失，或者发光元件120在偏离精确位置的同时被转移的情况下，可执行去除缺陷发光元件120并且在子像素上形成第二平坦化层116、第三平坦化层117、第一连接电极CE1和第二连接电极CE2的工序。因此，在具有转移缺陷的子像素SP上可没有设置发光元件120。然而，在根据本申请示例性实施方式的显示装置100中，通过将额外发光元件130转移到没有设置发光元件120的缺陷子像素DSP上，可修复缺陷子像素DSP。将参照图5至图7D来描述该示例配置。

图5是根据本申请示例性方面的显示装置的放大俯视图。图6是根据本说明书示例性方面的显示装置的缺陷子像素的剖面图。图5是图解多个子像素SP之中的一个第一子像素SP1是缺陷子像素DSP的情况的放大俯视图。图6是图解对缺陷子像素DSP执行修复工序的情况的剖面图。

参照图5，在多个子像素SP之中的任意一个子像素SP是缺陷子像素DSP的情况下，可对缺陷子像素DSP执行修复工序。例如，发光元件120在转移过程中从多个子像素SP之中的一个第一子像素SP1丢失，使得不存在发光元件120，或者由于发光元件120在偏离精确位置的同时被转移而导致发光元件120被去除。因此，第一子像素SP1可成为其上没有设置发光元件120的缺陷子像素DSP。

此外，在根据本申请示例性方面的显示装置100中，可通过在整个显示面板PN上形成第一连接电极CE1和第二连接电极CE2，仅在缺陷子像素DSP中额外形成第一结合电极BE1和第二结合电极BE2，并且转移额外发光元件130来修复缺陷子像素DSP。

具体地，参照图6，第一结合电极BE1和第二结合电极BE2设置在缺陷子像素DSP中的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2上。第一结合电极BE1可设置在第一连接电极CE1上，第二结合电极BE2可设置在第二连接电极CE2上。第一结合电极BE1可将第一连接电极CE1与额外发光元件130的第二额外电极135电连接，并且第二结合电极BE2可将第二连接电极CE2与额外发光元件130的第一额外电极134电连接。第一结合电极BE1和第二结合电极BE2可分别由具有高反射率的导电材料制成，并且可将额外发光元件130结合到第一连接电极CE1和第二连接电极CE2上。例如，第一结合电极BE1和第二结合电极BE2可由浆料(Ag浆料)、铟等制成。

在一些示例中，设置在第一连接电极CE1的上部的第一结合电极BE1的上部、以及设置在第二连接电极CE2的上部的第二结合电极BE2的上部可分别形成为具有倒锥形形状。在形成第一结合电极BE1和第二结合电极BE2时，第一结合电极BE1和第二结合电极BE2的上部可分别通过形成在第一连接电极CE1和第二连接电极CE2上的光致抗蚀剂图案PR的倾斜表面形成为具有倒锥形形状。下面将参照图7A至图7D来进行详细描述。

额外发光元件130设置在第一结合电极BE1和第二结合电极BE2上。额外发光元件130包括第一额外半导体层131、额外发光层132、第二额外半导体层133、第一额外电极134、第二额外电极135和额外钝化层136。

第二额外半导体层133设置在第一结合电极BE1和第二结合电极BE2上，并且第一额外半导体层131设置在第二额外半导体层133上。第一额外半导体层131可突出到第二额外半导体层133的外部，并且第一额外半导体层131的底表面的一部分可从第二额外半导体层133暴露。第一额外半导体层131和第二额外半导体层133可分别是通过用n型和p型杂质掺杂特定材料形成的层。例如，第一额外半导体层131和第二额外半导体层133可分别是通过用n型杂质和p型杂质掺杂诸如氮化镓(GaN)、磷化铟铝(InAlP)或砷化镓(GaAs)之类的材料而形成的层。此外，p型杂质可以是镁、锌(Zn)、铍(Be)等。n型杂质可以是硅(Si)、锗、锡(Sn)等。然而，本公开内容不限于此。

额外发光层132设置在第一额外半导体层131与第二额外半导体层133之间。额外发光层132可通过从第一额外半导体层131和第二额外半导体层133接收空穴和电子来发光。额外发光层132可配置为单层或多量子阱(MQW)结构。例如，额外发光层132可由氮化铟镓(InGaN)、氮化镓(GaN)等制成。然而，本公开内容不限于此。

第一额外电极134设置在从第二额外半导体层133暴露的第一额外半导体层131的底表面上。第一额外电极134可设置在从额外发光层132和第二额外半导体层133暴露的第一额外半导体层131的底表面上。第一额外电极134是将驱动晶体管与第一额外半导体层131电连接的电极。第一额外电极134可由导电材料制成，例如，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料或诸如钛(Ti)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、或它们的合金之类的不透明导电材料。然而，本公开内容不限于此。

第二额外电极135设置在第二额外半导体层133的底表面上。第二额外电极135是将电源线和第二额外半导体层133电连接的电极。第二额外电极135可由导电材料制成，例如，诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料或诸如钛(Ti)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、或它们的合金之类的不透明导电材料。然而，本公开内容不限于此。

因此，发光元件120是具有水平(横向)结构的LED芯片，水平(横向)结构具有其上设置有一对电极的上部。相反，额外发光元件130是具有倒装芯片结构的LED芯片，倒装芯片结构具有其上设置有一对电极的下部。因此，发光元件120和额外发光元件130可配置为不同类型的发光元件120。

接下来，钝化层126设置成围绕第一额外半导体层131、额外发光层132、第二额外半导体层133、第一额外电极134和第二额外电极135。钝化层126可由绝缘材料制成并且保护第一额外半导体层131、额外发光层132和第二额外半导体层133。此外，可在额外钝化层136中形成接触孔，通过该接触孔暴露第一额外电极134和第二额外电极135，使得可电连接第一结合电极BE1、第二结合电极BE2、第一额外电极134和第二额外电极135。

在一些示例中，第一额外半导体层131的侧表面的一部分可从钝化层126暴露。如上所述，在将晶片上制造的发光元件120从晶片分离的过程中，额外钝化层136的一部分可被撕裂。例如，在将发光元件120从晶片分离的过程中，与额外发光元件130的第一额外半导体层131的上边缘相邻的额外钝化层136的一部分可被撕裂，使得第一额外半导体层131的侧表面的上部的一部分可被暴露到外部。然而，通过将第一额外电极134和第二额外电极135结合到设置在额外发光元件130下方的第一结合电极BE1和第二结合电极BE2的方法，额外发光元件130连接至像素电路和电源线。因此，可使由从额外钝化层136暴露的第一额外半导体层131引起的短路缺陷最小化。

最后，保护层118可形成在额外发光元件130上并且保护额外发光元件130免受外部影响。

在一些示例中，第一结合电极BE1和第二结合电极BE2配置为填充因在第三平坦化层117中形成接触孔的工序而形成的间隙，并且将额外发光元件130连接至第一连接电极CE1和第二连接电极CE2。具体地，在第三平坦化层117中形成接触孔以暴露发光元件120的第一电极124和第二电极125的工序中，在缺陷子像素DSP中也形成第三平坦化层117的接触孔。因此，在形成接触孔的工序中，在缺陷子像素DSP中形成第三平坦化层117的凹槽。

此外，在第三平坦化层117中形成接触孔和凹槽之后，在基板110的前表面上形成导电层，第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可通过将导电层图案化来形成。在缺陷子像素DSP中，第一连接电极CE1和第二连接电极CE2沿第三平坦化层117的凹槽的形状形成，使得第一连接电极CE1和第二连接电极CE2可分别形成为凹入形状。

在额外发光元件130被直接配置在分别具有由凹槽形成的凹入形状的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2上的示例中，会在第一连接电极CE1和第二连接电极CE2的凹入部分中形成间隙。因为第一连接电极CE1和第二连接电极CE2未形成为平坦的，所以额外发光元件130的第一额外电极134和第二额外电极135可能会无法适当地连接至第一连接电极CE1和第二连接电极CE2，并且可能会在凹槽中形成存在氧或水分的间隙，这会引起显示面板PN中的各种类型的金属层ML被氧化的缺陷。

因此，在根据本申请示例性方面的显示装置100中，可通过形成填充由第三平坦化层117的凹槽形成的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2的凹入部分的第一结合电极BE1和第二结合电极BE2来去除间隙。此外，额外发光元件130可被容易地结合并固定到分别具有平坦的顶表面并且电连接至第一连接电极CE1和第二连接电极CE2的第一结合电极BE1和第二结合电极BE2上，从而使额外发光元件130的导通-截止缺陷最小化。此外，第一结合电极BE1和第二结合电极BE2可分别由具有高反射率的导电材料制成并且将从额外发光元件130发射的光朝向显示面板PN的上部反射。因此，第一结合电极BE1和第二结合电极BE2可分别用作反射层RF，从而提高显示装置100的发光效率。

下文中，将参照图7A至图7D描述制造根据本申请示例性方面的显示装置100的方法。

图7A至图7D是用于说明制造根据本申请示例性方面的显示装置的方法的工序图。图7A至图7D是用于说明当产生缺陷子像素DSP时，通过形成第一结合电极BE1和第二结合电极BE2并且转移额外发光元件130来修复缺陷子像素DSP的修复工序的示图。

参照图7A，当将发光元件120转移到结合层AD上的转移工序完成时，在包括缺陷子像素DSP在内的所有多个子像素SP中形成第二平坦化层116和第三平坦化层117。此外，在第三平坦化层117中形成暴露发光元件120的第一电极124和第二电极125的接触孔，并且在第三平坦化层117上形成第一连接电极CE1和第二连接电极CE2。在这种情况下，在缺陷子像素DSP中不存在发光元件120，但是在形成接触孔的过程中，也可在第三平坦化层117中形成凹槽117G。因为难以制造考虑到缺陷子像素DSP的位置的用于形成接触孔的掩模，所以可在包括缺陷子像素DSP在内的所有多个子像素SP中形成接触孔。此外，第一连接电极CE1和第二连接电极CE2也可形成在凹槽117G，即，缺陷子像素DSP的第三平坦化层117的接触孔上。

接下来，在基板110的前表面上形成光致抗蚀剂层，并且形成使缺陷子像素DSP中的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2的凹入部分暴露的光致抗蚀剂图案PR。仅缺陷子像素DSP中的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2的凹入部分，即，仅第三平坦化层117的凹槽117G可从光致抗蚀剂图案PR暴露。在这种情况下，设置在第一连接电极CE1和第二连接电极CE2上的光致抗蚀剂图案PR的侧表面可形成为倾斜表面。

参照图7B，金属层ML形成在光致抗蚀剂图案PR上并且设置在基板110的前表面上。金属层ML可设置为在覆盖光致抗蚀剂图案PR的同时填充凹槽117G上的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2的凹入部分。金属层ML可由诸如银(Ag)或铟之类的高反射率金属材料制成。例如，金属层ML可利用印刷或喷墨涂覆方法施加浆料(Ag浆料)形成，或者通过沉积铟形成。

接下来，参照图7C，剥离光致抗蚀剂图案PR的工序。在去除光致抗蚀剂图案PR的工序中，还可去除金属层ML的覆盖光致抗蚀剂图案PR的部分。因此，仅在基板110上保留与光致抗蚀剂图案PR不重叠的金属层ML的一部分，即第一连接电极CE1和第二连接电极CE2的凹部，即填充槽117G的金属层ML，使得能够形成第一结合电极BE1和第二结合电极BE2。

在这种情况下，金属层ML可邻接作为倾斜表面的光致抗蚀剂的侧表面。此外，光致抗蚀剂图案PR被去除，并且金属层ML的侧表面，即第一结合电极BE1和第二结合电极BE2中的每一个的侧部形成为倾斜表面，使得第一结合电极BE1和第二结合电极BE2中的每一个的上部可形成为具有倒锥形形状。

最后，参照图7D，将额外发光元件130转移到第一结合电极BE1和第二结合电极BE2上。可通过施加压力或热量的方法将额外发光元件130固定到第一结合电极BE1和第二结合电极BE2上。因此，通过将额外发光元件130连接至第一结合电极BE1和第二结合电极BE2，可修复缺陷子像素DSP。

因此，在根据本申请示例性方面的示例显示装置100和制造显示装置100的方法中，形成第一结合电极BE1和第二结合电极BE2以填充缺陷子像素DSP中的第三平坦化层117的凹槽117G，从而将额外发光元件130稳定地连接至像素电路。因为形成在缺陷子像素DSP中的第三平坦层117的凹槽117G上的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2是凹入地形成的，所以难以确保额外发光元件130与第一额外电极134和第二额外电极135的接触面积。然而，因为第一结合电极BE1和第二结合电极BE2形成为填充凹槽117G，即第一连接电极CE1和第二连接电极CE2的凹入部分，所以可增加与第一额外电极134和第二额外电极135的接触面积，并且额外发光元件130可稳定地电连接至第一连接电极CE1和第二连接电极CE2。此外，第一结合电极BE1和第二结合电极BE2可设置为填充凹槽117G的内部，从而去除凹槽117G中形成的间隙并且保护显示面板PN中的组件免受水分和氧的影响。因此，在缺陷子像素DSP上形成第一结合电极BE1和第二结合电极BE2以填充第一连接电极CE1和第二连接电极CE2的凹入部分，从而容易修复缺陷子像素DSP，提高修复工序的可靠性。

图8是根据本申请另一示例性方面的显示装置的示意性放大俯视图。图9是根据本申请另一示例性方面的显示装置的修复子像素的剖面图。除了子像素SP的配置之外，图8和图9中示出的显示装置800与图1至图6中示出的显示装置100的配置基本相同。因此，将省略对相同部件的重复描述。

参照图8，单个像素PX包括多个子像素SP。此外，多个子像素SP包括第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3和修复子像素SPR。例如，单个像素PX可包括单个第一子像素SP1、单个第二子像素SP2、单个第三子像素SP3和单个修复子像素SPR。

在在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的任意一个中出现发光元件120的转移缺陷的情况下，可通过使用修复子像素SPR来修复缺陷子像素DSP。例如，在由于发光元件120未被转移到第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的任意一个或发光元件120在偏离精确位置的同时被转移而出现暗点缺陷的情况下，在后续工序中，额外发光元件130被转移到修复子像素SPR，使得可用修复子像素SPR来取代缺陷子像素DSP。

参照图9，第一结合电极BE1和第二结合电极BE2可设置在修复子像素SPR中的第一连接电极CE1和第二连接电极CE2上。在发光元件120被正常转移至所有第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的情况下，可不在修复子像素SPR中设置单独的额外发光元件130。因此，可直接在第一结合电极BE1和第二结合电极BE2上形成保护层118。

相反，在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的任意一个中发生转移缺陷的情况下，额外发光元件130可被转移到修复子像素SPR的第一结合电极BE1和第二结合电极BE2上，并且修复子像素SPR可替代缺陷子像素DSP来操作。

因此，根据本申请另一示例性方面的显示装置800可进一步包括当产生缺陷子像素DSP时替代缺陷子像素DSP的单独的修复子像素SPR。可不将发光元件120转移到修复子像素SPR，并且可在结合层AD上形成第二平坦化层116、第三平坦化层117、第一连接电极CE1、第二连接电极CE2、第一结合电极BE1和第二结合电极BE2。此外，在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中出现发光元件120的转移缺陷的情况下，可将额外发光元件130转移到修复子像素SPR的第一结合电极BE1和第二结合电极BE2上，并且修复子像素SPR可替代缺陷子像素DSP来操作。

本公开内容的各方面还可被描述如下：

方面1.一种显示装置包括：基板，在所述基板上设置有包括多个子像素的像素；结合层，所述结合层位于所述基板上；多个发光元件，所述多个发光元件在所述多个子像素中的第一子集合中并且设置在所述结合层上；平坦化层，所述平坦化层位于所述结合层和所述多个发光元件上；以及额外发光元件，所述额外发光元件在所述多个子像素中的第二子集合中并且设置在所述平坦化层上。

方面2.根据方面1所述的显示装置，其中所述多个发光元件分别包括：位于所述结合层上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层；位于所述第一半导体层上的第一电极；和位于所述第二半导体层上的第二电极。

方面3.根据方面1至2中任一项所述的显示装置，其中所述额外发光元件包括：第一额外半导体层；位于所述第一额外半导体层下方的第二额外半导体层；位于所述第一额外半导体层与所述第二额外半导体层之间的额外发光层；设置在所述第一额外半导体层下方的第一额外电极；和设置在所述第二额外半导体层下方的第二额外电极。

方面4.根据方面1至3中任一项所述的显示装置，进一步包括：第一连接电极，所述第一连接电极设置在所述多个子像素中的每个子像素中并且设置在所述平坦化层上；和第二连接电极，所述第二连接电极设置在所述多个子像素中的每个子像素中，设置在所述平坦化层上，并且与所述第一连接电极分隔开，其中所述第一连接电极电连接至所述第一电极和所述第一额外电极，并且其中所述第二连接电极电连接至所述第二电极和所述第二额外电极。

方面5.根据方面1至4中任一项所述的显示装置，其中所述平坦化层进一步包括凹槽，所述凹槽在所述多个子像素之中的设置有所述额外发光元件的子像素中与所述第一额外电极和所述第二额外电极重叠，并且其中所述第一连接电极和所述第二连接电极沿所述凹槽形成为凹入形状。

方面6.根据方面1至5中任一项所述的显示装置，进一步包括：第一结合电极，所述第一结合电极设置在所述凹槽中并且设置在所述第一连接电极与所述第一额外电极之间；和第二结合电极，所述第二结合电极设置在所述凹槽中并且设置在所述第二连接电极与所述第二额外电极之间。

方面7.根据方面1至6中任一项所述的显示装置，其中所述第一结合电极的上部和所述第二结合电极的上部设置在所述第一连接电极的上部和所述第二连接电极的上部上，并且所述第一结合电极的上部和所述第二结合电极的上部分别具有倒锥形形状。

方面8.根据方面1至7中任一项所述的显示装置，其中所述第一连接电极和所述第二连接电极分别由透明导电材料制成，并且所述第一结合电极和所述第二结合电极分别由不透明导电材料制成。

方面9.根据方面1至8中任一项所述的显示装置，其中所述多个发光元件设置在与设置有所述第一结合电极和所述第二结合电极的子像素不同的子像素中。

方面10.根据方面1至9中任一项所述的显示装置，其中所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及一个或更多个缺陷子像素，设置有所述多个发光元件的所述多个子像素中的第一子集合包括所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素，并且设置有所述额外发光元件的所述多个子像素中的第二子集合包括所述一个或更多个缺陷子像素。

方面11.根据方面1至10中任一项所述的显示装置，其中所述第一结合电极和所述第二结合电极设置在所述一个或更多个缺陷子像素中。

方面12.根据方面1至11中任一项所述的显示装置，其中所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及多个修复子像素，设置有所述多个发光元件的所述多个子像素中的第一子集合包括所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素，并且设置有所述额外发光元件的所述多个子像素中的第二子集合包括所述多个修复子像素中的一个。

方面13.根据方面1至12中任一项所述的显示装置，其中所述第一结合电极和所述第二结合电极设置在所述多个修复子像素中。

方面14.根据方面1至13中任一项所述的显示装置，其中所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及多个修复子像素，所述多个发光元件形成在所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素中，并且所述额外发光元件形成在所述多个修复子像素中的一个中。

方面15.一种显示装置包括：多个子像素，所述多个子像素形成在基板上；结合层，所述结合层位于所述基板上；多个发光元件，所述多个发光元件形成在所述结合层上；平坦化层，所述平坦化层位于在所述结合层和所述多个发光元件上；以及至少一个额外发光元件，所述至少一个额外发光元件形成在所述平坦化层上。

方面16.根据方面15所述的显示装置，其中所述多个发光元件和所述至少一个额外发光元件形成在所述多个子像素中的不同子集合中。

方面17.根据方面15至16中任一项所述的显示装置，其中所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及一个或更多个缺陷子像素，所述多个发光元件形成在所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素中，并且所述额外发光元件形成在所述一个或更多个缺陷子像素中。

方面18.根据方面15至17中任一项所述的显示装置，其中所述多个发光元件分别包括：位于所述结合层上的第一半导体层；位于所述第一半导体层上的第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层；位于所述第一半导体层上的第一电极；和位于所述第二半导体层上的第二电极。

方面19.根据方面15至18中任一项所述的显示装置，其中所述额外发光元件包括：第一额外半导体层；位于所述第一额外半导体层下方的第二额外半导体层；位于所述第一额外半导体层与所述第二额外半导体层之间的额外发光层；设置在所述第一额外半导体层下方的第一额外电极；和设置在所述第二额外半导体层下方的第二额外电极。

方面20.根据方面15至19中任一项所述的显示装置，进一步包括：位于所述平坦化层上的由不透明材料形成的堤部层。

尽管已参照附图详细描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容并不限于此，并且可在不背离本公开内容的技术构思的情况下以诸多不同的形式实施。因此，提供本公开内容的示例性实施方式仅是为了举例说明的目的，而不旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，并不限制本公开内容。

记载集合中的“至少一个”和/或集合中的“一个或更多个”的权利要求语言或其他语言表示满足该权利要求的集合中的一个成员或集合中的(以任何组合的)多个成员。例如，记载“A和B中的至少一个”或“A或B中的至少一个”的权利要求语言表示A、B、或A和B。在另一示例中，记载“A、B和C中的至少一个”或“A、B或C中的至少一个”的权利要求语言指的是A、B、C、或A和B、或A和C、或B和C、或A和B和C。语言集合中的“至少一个”和/或集合中的“一个或更多个”不将集合限制为在该集合中列出的项。例如，记载“A和B中的至少一个”或“A或B中的至少一个”的权利要求语言可指的是A、B、或A和B，并且可另外包括未在A和B的集合中列出的项。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：

基板，在所述基板上设置有包括多个子像素的像素；

结合层，所述结合层位于所述基板上；

多个发光元件，所述多个发光元件在所述多个子像素中的第一子集合中并且设置在所述结合层上；

平坦化层，所述平坦化层位于所述结合层和所述多个发光元件上；以及

额外发光元件，所述额外发光元件在所述多个子像素中的第二子集合中并且设置在所述平坦化层上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述多个发光元件分别包括：

位于所述结合层上的第一半导体层；

位于所述第一半导体层上的第二半导体层；

位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层；

位于所述第一半导体层上的第一电极；和

位于所述第二半导体层上的第二电极。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述额外发光元件包括：

第一额外半导体层；

位于所述第一额外半导体层下方的第二额外半导体层；

位于所述第一额外半导体层与所述第二额外半导体层之间的额外发光层；

设置在所述第一额外半导体层下方的第一额外电极；和

设置在所述第二额外半导体层下方的第二额外电极。

4.根据权利要求3所述的显示装置，进一步包括：

第一连接电极，所述第一连接电极设置在所述多个子像素中的每个子像素中并且设置在所述平坦化层上；和

第二连接电极，所述第二连接电极设置在所述多个子像素中的每个子像素中，设置在所述平坦化层上，并且与所述第一连接电极分隔开，

其中所述第一连接电极电连接至所述第一电极和所述第一额外电极，并且

其中所述第二连接电极电连接至所述第二电极和所述第二额外电极。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述平坦化层进一步包括凹槽，所述凹槽在所述多个子像素之中的设置有所述额外发光元件的子像素中与所述第一额外电极和所述第二额外电极重叠，并且

其中所述第一连接电极和所述第二连接电极沿所述凹槽形成为凹入形状。

6.根据权利要求5所述的显示装置，进一步包括：

第一结合电极，所述第一结合电极设置在所述凹槽中并且设置在所述第一连接电极与所述第一额外电极之间；和

第二结合电极，所述第二结合电极设置在所述凹槽中并且设置在所述第二连接电极与所述第二额外电极之间。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述第一结合电极的上部和所述第二结合电极的上部设置在所述第一连接电极的上部和所述第二连接电极的上部上，并且所述第一结合电极的上部和所述第二结合电极的上部分别具有倒锥形形状。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述第一连接电极和所述第二连接电极分别由透明导电材料制成，并且所述第一结合电极和所述第二结合电极分别由不透明导电材料制成。

9.根据权利要求6所述的显示装置，其中所述多个发光元件设置在与设置有所述第一结合电极和所述第二结合电极的子像素不同的子像素中。

10.根据权利要求6所述的显示装置，其中

所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及一个或更多个缺陷子像素，

设置有所述多个发光元件的所述多个子像素中的第一子集合包括所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素，并且

设置有所述额外发光元件的所述多个子像素中的第二子集合包括所述一个或更多个缺陷子像素。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述第一结合电极和所述第二结合电极设置在所述一个或更多个缺陷子像素中。

12.根据权利要求6所述的显示装置，其中

所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及多个修复子像素，

设置有所述多个发光元件的所述多个子像素中的第一子集合包括所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素，并且

设置有所述额外发光元件的所述多个子像素中的第二子集合包括所述多个修复子像素中的一个。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述第一结合电极和所述第二结合电极设置在所述多个修复子像素中。

14.一种显示装置，包括：

多个子像素，所述多个子像素形成在基板上；

结合层，所述结合层位于所述基板上；

多个发光元件，所述多个发光元件形成在所述结合层上；

平坦化层，所述平坦化层位于在所述结合层和所述多个发光元件上；以及

至少一个额外发光元件，所述至少一个额外发光元件形成在所述平坦化层上。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述多个发光元件和所述至少一个额外发光元件形成在所述多个子像素中的不同子集合中。

16.根据权利要求14所述的显示装置，其中

所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及一个或更多个缺陷子像素，

所述多个发光元件形成在所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素中，并且

所述额外发光元件形成在所述一个或更多个缺陷子像素中。

17.根据权利要求6所述的显示装置，其中

所述多个子像素包括多个第一子像素、多个第二子像素、多个第三子像素、以及多个修复子像素，

所述多个发光元件形成在所述多个第一子像素、所述多个第二子像素和所述多个第三子像素中，并且

所述额外发光元件形成在所述多个修复子像素中的一个中。

18.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述多个发光元件分别包括：

位于所述结合层上的第一半导体层；

位于所述第一半导体层上的第二半导体层；

位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的发光层；

位于所述第一半导体层上的第一电极；和

位于所述第二半导体层上的第二电极。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中所述额外发光元件包括：

第一额外半导体层；

位于所述第一额外半导体层下方的第二额外半导体层；

位于所述第一额外半导体层与所述第二额外半导体层之间的额外发光层；

设置在所述第一额外半导体层下方的第一额外电极；和

设置在所述第二额外半导体层下方的第二额外电极。

20.根据权利要求14所述的显示装置，进一步包括：

位于所述平坦化层上的由不透明材料形成的堤部层。