JP4684988B2 - デュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明に係るデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の製造方法は、複数の画素領域が定義されている表示領域と前記表示領域を囲むダミー画素領域が定義されている非表示領域を含む前記第1基板上の前記画素領域に複数の第1薄膜トランジスタを形成し、ダミー画素領域に複数の第2薄膜トランジスタを形成する段階と、前記非表示領域に電源端子を形成する段階と、前記第1薄膜トランジスタ上に位置し前記第1基板から第1高さを有する第1接続電極を形成する段階と、前記第2薄膜トランジスタ上に位置し前記第1基板から第1高さを有する第2接続電極を形成する段階と、前記第2基板の全面に位置する第1電極を形成する段階と、前記第1電極上に位置する複数のスペーサーを形成する段階と、前記第1電極上に位置する有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層上に位置する第2電極を形成する段階と、前記第2電極から延長され、前記スペーサーを覆い、前記画素領域それぞれに位置し、前記第1接続電極と接触する第3接続電極と、前記スペーサーを覆い、前記ダミー画素領域に位置し、前記第2接続電極と接触する第4接続電極とを形成する段階と、前記第3及び第4接続電極が前記第1及び第2接続電極とそれぞれ接触するように前記第1及び第2基板を合着する段階とを含み、前記第1及び第2接続電極は、透明導電性物質からなり、前記第1薄膜トランジスタ中1つに対応する前記第3接続電極は、前記第1薄膜トランジスタ中他の1つに対応する前記第3接続電極と電気的に絶縁されており、前記第4接続電極は、前記複数の第2薄膜トランジスタのすべてを電気的に連結し、前記第2接続電極は、前記電源端子に連結され、前記第4接続電極は、前記第1電極に連結されることを特徴とする。
Claims (11)
- 互いに対向する第1及び第2基板と、
複数の画素領域が定義されている表示領域と前記表示領域を囲むダミー画素領域が定義されている非表示領域を含む前記第1基板上に位置し、互いに交差して前記複数の画素領域を定義する複数のゲート配線及び複数のデータ配線と、
前記画素領域に位置し各ゲート配線及びデータ配線に連結される複数の第1薄膜トランジスタと、
前記第1薄膜トランジスタ上に位置し前記第1基板から第1高さを有する第1接続電極と、
前記ダミー画素領域に位置し前記第1薄膜トランジスタと実質的に同一な構造を有する複数の第2薄膜トランジスタと、
前記非表示領域に位置する電源パッドと、
前記第2薄膜トランジスタ上に位置し前記第1基板から第1高さを有する第2接続電極と、
前記第2基板の全面に位置する第1電極と、
前記第1電極上に位置する複数のスペーサーと、
前記第1電極上に位置する有機発光層と、
前記有機発光層上に位置する第2電極と、
前記第2電極から延長され、前記スペーサーを覆い、前記画素領域それぞれに位置し、前記第1接続電極と接触する第3接続電極と、
前記スペーサーを覆い、前記ダミー画素領域に位置し、前記第2接続電極と接触する第4接続電極と
を含み、
前記複数のゲート配線中2つの最外郭ゲート配線と前記複数のデータ配線中2つの最外郭データ配線により前記表示領域が囲まれ、
前記第1薄膜トランジスタ中1つに対応する前記第3接続電極は、前記第1薄膜トランジスタ中他の1つに対応する前記第3接続電極と電気的に絶縁されており、
前記第4接続電極は、前記複数の第2薄膜トランジスタのすべてを電気的に連結し、
前記第2接続電極は、電源端子の役割をし、前記電源パッドに連結され、
前記第4接続電極は、前記第1電極に連結される
ことを特徴とするデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。 - 前記複数の第1薄膜トランジスタのうち少なくとも一つは、
前記第1基板上にパターニングされた形状のゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート電極より大きい幅を有し前記ゲート絶縁膜上部に形成された半導体層と、前記半導体層上部に相互に離されて形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及びドレイン電極のうちのいずれか一つを露出させるコンタクトホールが形成され前記ソース電極及びドレイン電極上部に形成された保護層とを有し、前記第1接続電極は、前記コンタクトホールを介して前記ソース電極または前記ドレイン電極に接続され、
前記複数の第2薄膜トランジスタは、それぞれ、
前記第1基板上に形成され前記ゲート電極と実質的に同じ形状のダミーゲート電極と、前記ダミーゲート電極を覆うダミーゲート絶縁膜と、前記ダミーゲート電極より大きい幅を有し前記ダミーゲート絶縁膜上部に形成されたダミー半導体層と、前記ダミー半導体層上部に形成されたダミーソース電極及びダミードレイン電極と、前記ダミーソース電極及びダミードレイン電極上部に形成されたダミー保護層とを有する
ことを特徴とする請求項1記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。 - 前記ダミーソース電極及びダミードレイン電極は相互に離されて形成され、前記ダミー保護層は前記ダミーソース電極または前記ダミードレイン電極を露出させるダミーコンタクトホールがあり、前記第2接続電極は前記ダミーコンタクトホールを介して前記ダミーソース電極または前記ダミードレイン電極に接続された
ことを特徴とする請求項2記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。 - 前記第1及び第2接続電極は、透明導電性物質からなる
ことを特徴とする請求項1記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。 - 前記透明導電性物質は、ITO、IZO、ITZOのいずれかである
ことを特徴とする請求項4記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。 - 前記第1基板は、前記画素領域の外側に、
前記ゲート配線に接続するゲートパッドが形成されたゲートパッド部と、
前記データ配線に接続するデータパッドが形成されたデータパッド部とをさらに有する
ことを特徴とする請求項1記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。 - 前記ゲートパッド部及びデータパッド部は、それぞれ前記第2薄膜トランジスタに接続する電源パッドが形成された
ことを特徴とする請求項6記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。 - 前記画素領域の外側で前記第1及び第2基板間の縁に配置されて合着された状態を維持させるシールパターンがさらに形成された
ことを特徴とする請求項1記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置。 - 複数の画素領域が定義されている表示領域と前記表示領域を囲むダミー画素領域が定義されている非表示領域を含む前記第1基板上の前記画素領域に複数の第1薄膜トランジスタを形成し、ダミー画素領域に複数の第2薄膜トランジスタを形成する段階と、
前記非表示領域に電源端子を形成する段階と、
前記第1薄膜トランジスタ上に位置し前記第1基板から第1高さを有する第1接続電極を形成する段階と、
前記第2薄膜トランジスタ上に位置し前記第1基板から第1高さを有する第2接続電極を形成する段階と、
前記第2基板の全面に位置する第1電極を形成する段階と、
前記第1電極上に位置する複数のスペーサーを形成する段階と、
前記第1電極上に位置する有機発光層を形成する段階と、
前記有機発光層上に位置する第2電極を形成する段階と、
前記第2電極から延長され、前記スペーサーを覆い、前記画素領域それぞれに位置し、前記第1接続電極と接触する第3接続電極と、前記スペーサーを覆い、前記ダミー画素領域に位置し、前記第2接続電極と接触する第4接続電極とを形成する段階と、
前記第3及び第4接続電極が前記第1及び第2接続電極とそれぞれ接触するように前記第1及び第2基板を合着する段階と
を含み、
前記第1及び第2接続電極は、透明導電性物質からなり、
前記第1薄膜トランジスタ中1つに対応する前記第3接続電極は、前記第1薄膜トランジスタ中他の1つに対応する前記第3接続電極と電気的に絶縁されており、
前記第4接続電極は、前記複数の第2薄膜トランジスタのすべてを電気的に連結し、
前記第2接続電極は、前記電源端子に連結され、
前記第4接続電極は、前記第1電極に連結される
ことを特徴とするデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記透明導電性物質は、ITO、IZO、ITZOのいずれかである
ことを特徴とする請求項9記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の製造方法。 - 前記第1薄膜トランジスタ及び前記第2薄膜トランジスタを形成する工程は、
前記第1基板の複数の画素領域及び複数のダミー画素領域にパターニングされたゲート電極をそれぞれ形成する工程と、
前記ゲート電極が形成された第1基板の全面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート電極に対応して、前記ゲート絶縁膜上部に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上部に、相互に離れるソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及びドレイン電極を覆い、前記第1及び第2薄膜トランジスタそれぞれのドレイン電極を露出させるコンタクトホールを含む保護層を形成する工程とを含み、
前記第1接続電極は、前記コンタクトホールを介して前記第1薄膜トランジスタのドレイン電極に接触し、
前記第2接続電極は、前記コンタクトホールを介して前記第2薄膜トランジスタのドレイン電極に接触する
ことを特徴とする請求項9記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光表示装置の製造方法。
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