CN113053915A - 一种显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法，包括：第一柔性层；第一阻隔层，设于所述第一柔性层上；以及第二柔性层，设于所述第一阻隔层上；其中，所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅，所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x：7y，且x＝1‑4，y＝1‑4。本申请在两层柔性层之间设置阻隔层，可以提高两层柔性层之间的粘附力，实现所述柔性基板阻水阻氧能力、粘附力、弯折性能、高温高湿性能和光学透过率。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
随着现代显示技术的快速发展，显示技术领域正朝着更轻、更薄、更柔、更透明的方向发展。传统的玻璃基板由于自身硬和脆等特性，难以满足未来柔性显示技术的要求；而高分子薄膜基板具有质轻、柔性、综合性能优异等特点，可以很好地满足显示技术对柔性的要求。因此，柔性高分子基板材料是未来柔性显示技术的首选材料。
目前，聚酰亚胺(Polyimide,PI)为柔性基板最具发展前景的高分子材料。聚酰亚胺具有优异的耐热性、耐辐射性能、耐化学性、电绝缘性、机械性能等，但其自身的阻水阻氧能力较弱。通常柔性聚酰亚胺基板的阻水阻氧能力是采用多层聚酰亚胺/无机二氧化硅(Silicon Oxide,SiO2)交替堆叠的结构，但该结构粘附力明显不足，制备薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,TFT)后，容易发生弯折时膜层脱落或高温高湿时膜层分离等问题。
发明内容
本发明的目的在于，本发明提供一种显示面板及其制备方法，以解决现有柔性基板阻水阻氧能力较弱，在弯折时膜层脱落或高温高湿时膜层分离的技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种显示面板，包括：第一柔性层；第一阻隔层，设于所述第一柔性层上；以及第二柔性层，设于所述第一阻隔层上；其中，所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅，所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4。
进一步地，当x＝3，y＝1时，所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为9：7。
进一步地，所述氧化硅为二氧化硅；所述氮化硅为四氮化三硅。
进一步地，所述的显示面板还包括：第二阻隔层，设于所述第二柔性层上。
进一步地，所述第二阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅，所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4。
进一步地，所述第一柔性层的厚度为4000-12000nm；和/或所述第一阻隔层的厚度为100-600nm；和/或所述第二柔性层的厚度为4000-12000nm；和/或所述第二阻隔层的厚度为100-600nm。
进一步地，所述第一柔性层与所述第一阻隔层、所述第二柔性层、所述第二阻隔层的厚度之和为8200-25200nm。
为实现上述目的，本发明还提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：形成一第一柔性层于一玻璃基板上；形成一第一阻隔层于所述第一柔性层上，其中所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅，所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4。
进一步地，在所述形成一第二柔性层于所述第一阻隔层上的步骤之后还包括：形成一第二阻隔层于所述第二柔性层上。
进一步地，在所述形成一第二柔性层于所述第一阻隔层上的步骤之后还包括：采用机械剥离技术和/或激光剥离技术对所述玻璃基板和所述第一柔性层进行剥离处理。
本发明的技术效果在于，提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括两层柔性层和两层阻隔层，且所述柔性层与所述阻隔层间隔设置，既可以提高两层柔性层之间的粘附力，还可以提高所述柔性层与其他膜层的粘附力，实现所述柔性基板阻水阻氧能力、粘附力、弯折性能、高温高湿性能和光学透过率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的柔性基板的结构示意图；
图3为本申请实施例柔性基板水汽透过率的曲线图；
图4为本申请实施例柔性基板粘附力的曲线图；
图5为本申请实施例柔性基板光学透过率的曲线图；
图6为本实施例提供的柔性基板的制备方法的流程图。
附图标记说明：
100柔性基板、第三柔性基板； 11第一柔性层；
12第一阻隔层； 13第二柔性层；
14第二阻隔层； 101第一柔性基板；
102第二柔性基板； 1000显示面板；
200薄膜晶体管层； 300平坦层；
400阳极； 500像素定义层；
600有机发光层； 700薄膜封装层；
201有源层； 202第一栅极绝缘层；
203第一栅极层； 204第二栅极绝缘层；
205第二栅极层； 206介电层；
207源漏极层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
如图1所示，图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图。
本实施例还提供一种显示面板1000，其包括前文所述的柔性基板100、薄膜晶体管层200、平坦层300、阳极400、像素定义层500、有机发光层600以及薄膜封装层700。
如图2所示，图2为本申请实施例提供的柔性基板的结构示意图。
所述柔性基板100包括第一柔性层11、第一阻隔层12、第二柔性层13以及第二阻隔层14。
所述第一阻隔层12设于所述第一柔性层11上，所述第二柔性层13设于所述第一阻隔层12上，所述第二阻隔层14设于所述第二柔性层13上。其中，所述第一柔性层11和所述第二柔性层13所用的材料相同或者不同，在此不做限定。所述第一柔性层11和所述第二柔性层13所用的材料可以为聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。所述第一柔性层11的厚度小于或等于所述第二柔性层的厚度，在此不做特别的限定。所述第一阻隔层12的厚度为100-600nm，所述第一阻隔层12所用的材料包括氧化硅和氮化硅。所述第二阻隔层14的厚度也可以为100-600nm，其材料也可以为氧化硅和氮化硅，所述氧化硅包括但不限于SiO2，所述氮化硅包括但不限于Si3N4。所述第一柔性层11与所述第一阻隔层12、所述第二柔性层13、所述第二阻隔层14的厚度之和为8200-25200nm。
在本实施例中，当所述第一阻隔层12的所述氧化硅和所述氮化硅在化学气相法成膜时的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4时，有利于提升所述第一柔性层11与所述第二柔性层13之间的粘附力，且可以将粘附力提升至138％以上，使得柔性基板100实现更优异的弯折性能和高温高湿性能，并且提升光学透过率，下面结合实验数据进行详细地说明。
如图3-5所示，图3为本申请实施例柔性基板水汽透过率的曲线图；图3为本申请实施例柔性基板粘附力的曲线图；图5为本申请实施例柔性基板光学透过率的曲线图。
在本实施例中，所述柔性基板100采用所述第一柔性层11、所述第一阻隔层12和所述第二柔性层13的结构设计。以下将提供三个不同的柔性基板，分别为第一柔性基板101、第二柔性基板102以及第三柔性基板100，其中为本申请所提供的的柔性基板100。
从图3可以看出，当所述第一柔性基板101为单层的柔性层与阻隔层的组合结构所述阻隔层所采用的材料仅为SiO2时，所述第一柔性基板的水汽透过率为500mg/m2day。当所述第二柔性基板102为双层的柔性层与阻隔层的组合结构(即阻隔层设两层柔性层之间)且所述阻隔层所采用的材料仅为SiO2时，所述第二柔性基板102的水汽透过率为0.05mg/m2day。当第三柔性基板100为双层的柔性层与阻隔层的组合结构(即阻隔层设两层柔性层之间)且所述阻隔层所采用的材料为SiO2和Si3N4时，所述第三柔性基板的水汽透过率为0.05mg/m2day。由此可见，当所述阻隔层所用的材料为Dual(SiO2)，与所述阻隔层所用的材料为Dual(SiO2：Si3N4＝x:y)时，Dual(SiO2)的曲线与Dual(SiO2：Si3N4＝x:y)的曲线基板重叠，即所述第二柔性基板102和所述第三柔性基板100的水汽透过率的数值明显小于所述第一柔性基板101的水汽透过率的数值，表面所述第二柔性基板102和所述第三柔性基板100的阻隔能力相当优异。
从图4可以看出，当所述第一柔性基板101和所述第二柔性基板102二者的阻隔层所采用的材料均为SiO2时，所述第一柔性基板101和所述第二柔性基板102的粘附力(peeling force)为0.196。当所述第三柔性基板100的阻隔层所采用的材料为SiO2和Si3N4时，所述第三柔性基板100的粘附力为0.271，所述第三柔性基板100远大于所述第一柔性基板101或者所述第二柔性基板102的粘附力。当所采用的材料为SiO2和Si3N4时，在化学气相法成膜时x＝3，y＝1，质量比为9：7，，所述第三柔性基板100与所述第一柔性基板101或者所述第二柔性基板102的粘附力提升至138％(即0.271/0.196＝138％)以上。由此可见，本申请的所述阻隔层具有更高的粘附力，并实现更优异的弯折性能和高温高湿性能。
结合图3-图5所示，当所述第一柔性基板101和所述第二柔性基板102二者的阻隔层所采用的材料均为SiO2(参照图5)时，所述第一柔性基板101和所述第二柔性基板102的光学透过率(Optical Transmission)为66.72。当所述第三柔性基板100的阻隔层所采用的材料为SiO2和Si3N4时，所述第三柔性基板100的光学透过率为65.95-67.48，所述第三柔性基板100与所述第一柔性基板101或者所述第二柔性基板102的基本相同。
当所述氧化硅和所述氮化硅在化学气相法成膜时的的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4时，所述阻隔层的具有更低水汽透过率，较佳的粘附力，较佳的光学透过率。因此，当该阻隔层应用于所述柔性基板100中形成所述第一阻隔层12时，可以提升所述第一柔性层12和所述第二柔性层13的粘附力，从而使得柔性基板100实现优异的阻水阻氧性能、弯折性能、高温高湿性能和光学透过率。优选地，当所采用的材料为SiO2和Si3N4时，在化学气相法成膜时x＝3，y＝1，质量比为9：7，所述第一阻隔层12可以将所述第一柔性层12和所述第二柔性层13的粘附力提升至138％以上，使得柔性基板100实现更优异的弯折性能和高温高湿性能，并且提升光学透过率。
同理，当该阻隔层应用于所述柔性基板100中形成所述第二阻隔层13时，可以提高所述柔性基板100与其他膜层的粘附力，进而提升所述柔性基板100与其他膜层的阻水阻氧性能、弯折性能、高温高湿性能和光学透过率。优选地，当所采用的材料为SiO2和Si3N4在化学气相法成膜时的质量比为9：7(即x＝3，y＝1)时，所述第二阻隔层13可以将所述柔性基板100的粘附力提升至138％以上，使得柔性基板100与其他膜层实现更优异的弯折性能和高温高湿性能，并且提升光学透过率。
请继续参照图1所示，所述薄膜晶体管层200设于所述柔性基板100上。所述柔性基板100包括所述第二阻隔层13，其设于所述薄膜晶体管层200与所述第二柔性层12之间，所述第二阻隔层13用以提高所述薄膜晶体管层200与所述第二柔性层12之间的粘附力，从而使得所述柔性基板100与所述薄膜晶体管层200紧密地贴合在一起，进而提升所述柔性基板100与所述薄膜晶体管层200的阻水阻氧性能、弯折性能、高温高湿性能和光学透过率。
所述薄膜晶体管层200包括有源层201、第一栅极绝缘层202、第一栅极层203、第二栅极绝缘层204、第二栅极层205、介电层206以及源漏极层207。
所述平坦层300设于所述薄膜晶体管层200上。具体的，所述有源层201设于所述第二阻隔层14上。所述第一栅极绝缘层202覆盖所述有源层201且延伸至所述第二阻隔层14的表面。所述第一栅极层203设于所述第一栅极绝缘层202上，其具有多个第一栅极和第一扫描线，所述第一栅极正对于所述有源层201。所述第二栅极绝缘层204设于所述第一栅极层203上且延伸至所述第一栅极绝缘层202表面。所述第二栅极层205设于所述第二栅极绝缘层204，其具有多个第二栅极和第二扫描线，所述第二栅极正对于所述第一栅极。所述介电层206覆盖所述第二栅极层205且延伸至所述第二栅极绝缘层204表面。所述源漏极层207设于所述介电层206上，且从所述介电层206贯穿连接至所述有源层201表面或者所述第一扫描线或者所述第二扫描线。
所述平坦层300覆盖所述源漏极层207且延伸至所述介电层表面。
所述阳极400设于所述平坦层300上，且电连接至所述薄膜晶体管层200。具体的，所述阳极400电连接至所述源漏极层207。
所述像素定义层500设于所述平坦层300上。
所述有机发光层600设于所述像素定义层500上，且连接至所述阳极400。具体的，所述有机发光层600为OLED器件，其包括电子传输层、电子注入层、发光层、空穴注入层、空穴传输层以及阴极等膜层，可参照现有OLED器件的结构，在此不一一赘述。
所述薄膜封装层700设于所述有机发光层600上。所述薄膜封装层700包括有机、无机材料形成的叠膜层，只要可以提高所述显示面板1000的阻隔水氧能力以及提升所述显示面板1000的柔性弯折能力即可。
本实施例提供一种显示面板，包括两层柔性层和两层阻隔层，且所述柔性层与所述阻隔层间隔设置，既可以提高两层柔性层之间的粘附力还可以提高所述柔性层与其他膜层的粘附力。另外，当所述阻隔层的所用的材料为氧化硅和氮化硅，且所述氧化硅和所述氮化硅在化学气相法成膜时的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4时，有利于提升所述阻隔层与两层柔性层之间的粘附力，或者阻隔层与柔性层和其他膜层之间的粘附力。进一步地，当所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为9：7时，所述阻隔层与两层柔性层之间的粘附力，或者阻隔层与柔性层和其他膜层之间的粘附力提升至138％以上。因此，所述阻隔层应用于所述显示面板中，可以使得所述显示面板具有更高的粘附力，并实现更优异的弯折性能和高温高湿性能。
需要说明的是，本实施例所提及到的水汽透过率(Water vapor TransmissionRate，WVTR)指的是膜层对水蒸气的阻隔能力；粘附力(peeling force)指的是阻隔层的粘附能力；光学透过率(Optical Transmission)指的是阻隔层的光学透过率。
本实施例提供一种显示面板的制备方法，其包括如下步骤：形成一柔性基板；形成一薄膜晶体管层于所述柔性基板上；形成一平坦层于所述薄膜晶体管层上；形成一阳极于所述平坦层上；形成一像素定义层于所述平坦层上，且覆盖所述阳极；形成一有机发光层于所述像素定义层上；以及形成一薄膜封装层于所述发光层上。
如图6所示，图6为本实施例提供的柔性基板的制备方法的流程图。
本实施例还提供一种柔性基板的制备方法，包括如下步骤S1)-S4)。
S1)形成一第一柔性层于一玻璃基板上。
结合图2所示，所述第二柔性层13所用的材料可以为聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。
S2)形成一第一阻隔层于所述第一柔性层上，其中所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅，所述氧化硅和所述氮化硅在化学气相法成膜时的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4。
请继续结合图2所示，采用化学气相法(PECVD)成膜工艺在所述第一柔性层11上形成均匀的第一阻隔层12。所述第一阻隔层12的厚度为100-600nm，所述第一阻隔层12所用的材料包括氧化硅和氮化硅。
S3)形成一第二柔性层于所述第一阻隔层上。
请继续结合图2所示，所述第二柔性层13所用的材料可以为聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。所述第一柔性层11的厚度小于或等于所述第二柔性层的厚度，在此不做特别的限定。
S4)形成一第二阻隔层于所述第二柔性层上。
请继续结合图2所示，所述第二阻隔层14的厚度也可以为100-600nm，其材料也可以为氧化硅和氮化硅，所述氧化硅包括但不限于SiO2，所述氮化硅包括但不限于Si3N4。
S5)采用机械剥离技术和/或激光剥离技术对所述玻璃基板和所述第一柔性层进行剥离处理。
在本实施例中，所述步骤S4)和步骤S5)可以相互调换，在此不做特别的限定。
在本实施例中，所述柔性基板100采用所述第一柔性层11、所述第一阻隔层12和所述第二柔性层13的结构设计。以下将提供三个不同的柔性基板，分别为第一柔性基板101、第二柔性基板102以及第三柔性基板100，其中为本申请所提供的的柔性基板100。
从图3可以看出，当所述第一柔性基板101为单层的柔性层与阻隔层的组合结构所述阻隔层所采用的材料仅为SiO2时，所述第一柔性基板的水汽透过率为500mg/m2day。当所述第二柔性基板102为双层的柔性层与阻隔层的组合结构(即阻隔层设两层柔性层之间)且所述阻隔层所采用的材料仅为SiO2时，所述第二柔性基板102的水汽透过率为0.05mg/m2day。当第三柔性基板100为双层的柔性层与阻隔层的组合结构(即阻隔层设两层柔性层之间)且所述阻隔层所采用的材料为SiO2和Si3N4时，所述第三柔性基板的水汽透过率为0.05mg/m2day。由此可见，当所述阻隔层所用的材料为Dual(SiO2)，与所述阻隔层所用的材料为Dual(SiO2：Si3N4＝3x:7y)时，Dual(SiO2)的曲线与Dual(SiO2：Si3N4＝3x:7y)的曲线基板重叠，即所述第二柔性基板102和所述第三柔性基板100的水汽透过率的数值明显小于所述第一柔性基板101的水汽透过率的数值，表面所述第二柔性基板102和所述第三柔性基板100的阻隔能力相当优异。
从图4可以看出，当所述第一柔性基板101和所述第二柔性基板102二者的阻隔层所采用的材料均为SiO2时，所述第一柔性基板101和所述第二柔性基板102的粘附力(peeling force)为0.196。当所述第三柔性基板100的阻隔层所采用的材料为SiO2和Si3N4时，所述第三柔性基板100的粘附力为0.271，所述第三柔性基板100远大于所述第一柔性基板101或者所述第二柔性基板102的粘附力。当所采用的材料为氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)在化学气相法成膜时的分子摩尔比例为x：y＝3:1时，所述第三柔性基板100与所述第一柔性基板101或者所述第二柔性基板102的粘附力提升至138％(即0.271/0.196＝138％)以上。由此可见，本申请的所述阻隔层具有更高的粘附力，并实现更优异的弯折性能和高温高湿性能。
结合图3-图5所示，当所述第一柔性基板101和所述第二柔性基板102二者的阻隔层所采用的材料均为SiO2(参照图5)时，所述第一柔性基板101和所述第二柔性基板102的光学透过率(Optical Transmission)为66.72。当所述第三柔性基板100的阻隔层所采用的材料为SiO2和Si3N4时，所述第三柔性基板100的光学透过率为65.95-67.48，所述第三柔性基板100与所述第一柔性基板101或者所述第二柔性基板102的基本相同。
当所述氧化硅和所述氮化硅在化学气相法成膜时的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4时，所述阻隔层的具有更低水汽透过率，较佳的粘附力，较佳的光学透过率。因此，当该阻隔层应用于所述柔性基板100中形成所述第一阻隔层12时，可以提升所述第一柔性层12和所述第二柔性层13的粘附力，从而使得柔性基板100实现优异的阻水阻氧性能、弯折性能、高温高湿性能和光学透过率。优选地，当所采用的材料为SiO2和Si3N4在化学气相法成膜时的分子摩尔比例为x：y＝3:1时，所述第一阻隔层12可以将所述第一柔性层12和所述第二柔性层13的粘附力提升至138％以上，使得柔性基板100实现更优异的弯折性能和高温高湿性能，并且提升光学透过率。
同理，当该阻隔层应用于所述柔性基板100中形成所述第二阻隔层13时，可以提高所述柔性基板100与其他膜层的粘附力，进而提升所述柔性基板100与其他膜层的阻水阻氧性能、弯折性能、高温高湿性能和光学透过率。优选地，当所采用的材料为SiO2和Si3N4在化学气相法成膜时的质量比为9:7(即x＝3，y＝1)时，所述第二阻隔层13可以将所述柔性基板100的粘附力提升至138％以上，使得柔性基板100与其他膜层实现更优异的弯折性能和高温高湿性能，并且提升光学透过率。
本发明的技术效果在于，提供一种显示面板及其制备方法，所述显示面板包括两层柔性层和两层阻隔层，且所述柔性层与所述阻隔层间隔设置，既可以提高两层柔性层之间的粘附力，还可以提高所述柔性层与其他膜层的粘附力，实现所述柔性基板阻水阻氧能力、粘附力、弯折性能、高温高湿性能和光学透过率。
另外，当所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅，所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4时，有利于提升所述阻隔层与两层柔性层之间的粘附力，或者阻隔层与柔性层和其他膜层之间的粘附力。进一步地，当所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为9：7(x＝3，y＝1)时，所述阻隔层与两层柔性层之间的粘附力，或者阻隔层与柔性层和其他膜层之间的粘附力提升至138％以上。因此，所述阻隔层应用于所述显示面板中，可以使得所述显示面板具有更高的粘附力，并实现更优异的弯折性能和高温高湿性能。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
第一柔性层；
第一阻隔层，设于所述第一柔性层上；以及
第二柔性层，设于所述第一阻隔层上；
其中，所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅，所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
当x＝3，y＝1时，所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为9：7。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述氧化硅为二氧化硅；
所述氮化硅为四氮化三硅。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
第二阻隔层，设于所述第二柔性层上。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第二阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅，所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4。
6.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第一柔性层的厚度为4000-12000nm；和/或
所述第一阻隔层的厚度为100-600nm；和/或
所述第二柔性层的厚度为4000-12000nm；和/或
所述第二阻隔层的厚度为100-600nm。
7.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，
所述第一柔性层与所述第一阻隔层、所述第二柔性层、所述第二阻隔层的厚度之和为8200-25200nm。
8.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
形成一第一柔性层于一玻璃基板上；
形成一第一阻隔层于所述第一柔性层上，其中所述第一阻隔层所用的材料包括氧化硅和氮化硅，所述氧化硅和所述氮化硅的质量比为3x：7y，且x＝1-4，y＝1-4；以及
形成一第二柔性层于所述第一阻隔层上。
9.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述形成一第二柔性层于所述第一阻隔层上的步骤之后还包括：
形成一第二阻隔层于所述第二柔性层上。
10.根据权利要求8所述的显示面板的制备方法，其特征在于，
在所述形成一第二柔性层于所述第一阻隔层上的步骤之后还包括：
采用机械剥离技术和/或激光剥离技术对所述玻璃基板和所述第一柔性层进行剥离处理。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20210629 |