CN106784384A - 柔性显示器及其制备方法 - Google Patents

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卜凡中
徐磊
郭瑞
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Abstract

本发明涉及柔性显示器及其制备方法，包括：提供一柔性衬底；在所述柔性衬底上形成一阻挡层，所述阻挡层由依次位于所述柔性衬底上的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层组成。本发明中，能够保证阻挡层透光性的同时加强阻水性，从而实现显示器的透明和阻水氧。此外，对柔性衬底进行氧等离子体的预处理，使得柔性衬底的表面形成羟基的悬挂键，羟基的悬挂键能够进一步增加第一氧化硅层与柔性衬底之间的粘附力，进一步提高阻挡层与柔性衬底之间的附着力。

Description

柔性显示器及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域，尤其涉及一种柔性显示器及其制备方法。
背景技术
柔性显示装置是一种基于柔性基底材料制备形成的显示装置。由于柔性显示装置具有可弯曲、宽视角、便于携带等特点，因此，在携带产品、多数显示应用领域柔性显示装置具有广阔的应用前景以及良好的市场潜力。透明柔性显示既有透明显示的透光特性，又有柔性显示的柔性特性，因此透明柔性显示的结构设计较单独的柔性显示和透明显示复杂的多。
为保证柔性显示器的寿命，一般在柔性衬底上制备阻挡层以阻止水汽对柔性衬底上的器件结构的影响。阻挡层结构的透过率一般偏低，因此对透明柔性显示器来说，阻挡层和柔性衬底的透过率必须满足一定的条件。此外，因为无机物与有机物界面问题，导致阻挡层的附着力偏低，进而容易造成工艺过程中脱膜。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种柔性显示器及其制备方法，解决现有技术中阻挡层易脱落且透过率偏低的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种柔性显示器的制备方法，包括：
提供一柔性衬底；
在所述柔性衬底上形成一阻挡层，所述阻挡层包括依次位于所述柔性衬底上的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的厚度大于所述氮化硅层的厚度。
可选的，还包括：对所述柔性衬底进行氧气氛等离子体预处理。
可选的，进行氧气氛等离子体预处理的时间为50s～200s，气体流量为1000sccm～8000sccm，功率为0.5KW～2KW，压强为100Pa～300Pa。
可选的，所述第一氧化硅层的厚度为所述氮化硅层的厚度为
可选的，所述第二氧化硅层的厚度大于所述氮化硅层的厚度。
可选的，所述第二氧化硅层的厚度为
可选的，还包括：依次在所述阻挡层上形成薄膜晶体管层、有机发光二极管层及封装层。
相应的，本发明还提供一种柔性显示器，包括：
柔性衬底；
位于所述柔性衬底上的一阻挡层，所述阻挡层包括依次位于所述柔性衬底上的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的厚度大于所述氮化硅层的厚度。
可选的，还包括：位于所述阻挡层上的薄膜晶体管层、有机发光二极管层及封装层。
可选的，所述第二氧化硅层的厚度大于所述氮化硅层的厚度。
与现有技术相比，本发明提供的柔性显示器及其制备方法具有以下有益效果：
本发明中，阻挡层包括在柔性衬底上依次形成的第一氧化硅层、氮化硅层及第二氧化硅层，第一氧化硅层与柔性衬底之间的粘附力较好，能够增强阻挡层与柔性衬底之间的附着力。并且，第一氧化硅层与第二氧化硅层的透光性强于氮化硅层，因此，至少第一氧化硅层的厚度大于氮化硅层的厚度，保证阻挡层透光性的同时防止阻挡层易脱落而加强阻水性，从而实现柔性显示器的透光性和阻水氧的功能。
此外，对柔性衬底进行氧等离子体的预处理，使得柔性衬底的表面形成羟基的悬挂键，羟基的悬挂键能够进一步增加第一氧化硅层与柔性衬底之间的粘附力，进一步提高阻挡层与柔性衬底之间的附着力。
附图说明
图1为本发明一实施例中柔性显示器制备方法的流程图；
图2为本发明一实施例中柔性显示器的结构示意图；
图3为本发明一实施例中不同阻挡层结构的柔性显示器透过率的测试结果图；
图4为本发明一实施例中阻挡层上形成薄膜晶体管层的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的柔性显示器及其制备方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于，提供一种柔性显示器，在柔性衬底上依次形成第一氧化硅层、氮化硅层及第二氧化硅层，第一氧化硅层与柔性衬底之间的粘附力较好，能够增强阻挡层与柔性衬底之间的附着力。并且，氧化硅层的透光性强于氮化硅层，因此，至少第一氧化硅层的厚度大于氮化硅层的厚度，保证阻挡层透光性的同时防止阻挡层易脱落而加强阻水性，从而实现显示器的透明和阻水氧。此外，对柔性衬底进行氧等离子体的预处理，使得柔性衬底的表面形成羟基的悬挂键，羟基的悬挂键能够进一步增加第一氧化硅层与柔性衬底之间的粘附力，进一步提高阻挡层与柔性衬底之间的附着力。
下文结合附图1至图4对本发明的柔性显示器及其制备方法进行具体说明。图1为柔性显示器制备方法的流程图，图2及图4为柔性显示器的结构示意图，图3为不同结构阻挡层的柔性显示器透过率的结果。本发明的柔性显示器的制备方法包括如下步骤：
首先，参考图2所示，执行步骤S1，提供一柔性衬底10，本实施例中，所述柔性衬底10为聚酰亚胺(PI)衬底。当然，所述柔性衬底10也可以是由其他材质例如塑料形成。
接着，执行步骤S2，在所述柔性衬底10上形成一阻挡层20，通常的，阻挡层20包括氧化硅层与氮化硅层的层叠结构。为了确定最优的阻挡层结构，发明人根据设计，分别选择不同厚度、不同层数的氧化硅层与氮化硅层进行组合，例如，以下表中七种不同结构为例进行实验，分别在柔性衬底10上形成下表中的结构1、结构2、……、结构7的氧化硅层与氮化硅层相组合的阻挡层，再对七种不同结构阻挡层制备的柔性显示器进行透过率、附着力、高温高湿等测试，结构1表示在柔性衬底10上依次形成厚度为的氧化硅层、厚度为的氮化硅层和厚度为的氧化硅层的阻挡层，结构2表示在柔性衬底10上依次形成厚度为的氧化硅层、厚度为的氮化硅层和厚度为的氧化硅层的阻挡层，并依次类推，此外，结构7中首先对柔性衬底进行氧气氛等离子体处理，再形成阻挡层，不同阻挡层结构形成的柔性显示器的测试结果如表1中所示，不同阻挡层结构的柔性显示器的透过率的测试结果参考图3所示。
表1 不同阻挡层结构的柔性显示器测试结果表
通常，认为透过率达到80％以上视为基本能够满足要求，结合表1和图3可以看出，除了结构2和结构4，结构1至结构7的透过率和外观基本能够满足要求，而结构1、结构2、结构4和结构6的百格测试均不合格，从而未对其进行高温高湿测试。结构3、结构5能在一定程度上满足显示器的各方面要求，而结构7的效果最优，能同时满足透过率、附着力及高温高湿等测试要求。
从表1中可以看出，结构7中首先对所述柔性衬底10进行氧气氛等离子体(O2plasma)预处理，例如，进行氧气氛等离子体预处理的时间为50s～200s，气体流量可以为1000sccm～3000sccm，功率为0.5KW～2KW，压强为100Pa～300Pa。可以理解的是，进行预处理可以采用包括氧气、氩气的氧气氛等离子体进行处理，氩气的流量可以为3000sccm～5000sccm。可以理解的是，对柔性衬底10进行氧等离子体的预处理，使得柔性衬底10的表面形成羟基(-OH)的悬挂键。此外，在本发明的其他实施例中，还可以采用包括氧气、一氧化二氮(N2O)进行氧气氛等离子体预处理，一氧化二氮的等离子体预处理同样能够使得柔性衬底表面形成羟基的悬挂键。
从上述可知，参考图2所示，本发明中的所述阻挡层20包括从下至上依次位于所述柔性衬底10上的第一氧化硅(SiO2)层21、氮化硅(SiN)层22和第二氧化硅(SiO2)层23。所述第一氧化硅层21的厚度为优选为所述氮化硅层22的厚度为优选为所述第二氧化硅层23的厚度为优选为所述第一氧化硅层21、氮化硅层22和第二氧化硅层23可通过化学气相沉积(CVD)的方式形成。
需要说明的是，本发明中，第一氧化硅层21与柔性衬底10之间的粘附力较好，能够增强阻挡层20与柔性衬底10之间的附着力。并且，第一氧化硅层21与第二氧化硅层23的透光性强于氮化硅层22，因此，第一氧化硅层21与第二氧化硅层23的厚度大于氮化硅层22的厚度，可以保证阻挡层20透光性的同时加强阻水性，从而实现显示器的透明和阻水氧。此外，经过氧气氛等离子体预处理之后的柔性衬底10上的羟基的悬挂键能够增加第一氧化硅层21与柔性衬底10之间的粘附力，进一步提高阻挡层20与柔性衬底10之间的附着力。
之后，本发明中得柔性显示器的制备方法还包括：依次在所述阻挡层20上形成薄膜晶体管(TFT)层30、有机发光二极管(OLED)层40及封装层50。其中，参考图4所示，薄膜晶体管层30包括位于阻挡层20上的栅电极(Gate)31、覆盖栅电极31及剩余的阻挡层20的栅极绝缘层(GI)32、位于栅极绝缘层32上的沟道层33(由IGZO材料制成)、位于沟道层33上的刻蚀停止层(ESL)35、位于沟道层33两侧且覆盖部分刻蚀停止层35的第一金属层(M1)34、覆盖第一金属层34和剩余的刻蚀停止层35的介质层36以及位于介质层36上的第二金属层(M2)37。其中，薄膜晶体管层30用于使得有机发光二极管层40发光，从而实现显示功能，封装层50用于包括下方的有机发光二极管层40和薄膜晶体管层30，此为本领域技术人员所公知的，在此不做赘述。
相应的，参考图2所示，本发明还提供一种柔性显示器，柔性显示器包括：柔性衬底10；位于所述柔性衬底10上的一阻挡层20、位于所述阻挡层20上的薄膜晶体管层30、有机发光二极管40层及封装层50。其中，所述阻挡层20包括从下至上依次位于所述柔性衬底10上的第一氧化硅层21、氮化硅层22和第二氧化硅层23，所述第一氧化硅层21的厚度为优选为所述氮化硅层22的厚度为优选为所述第二氧化硅层23的厚度为优选为此外，采用氧气氛等离子体对所述柔性衬底10进行预处理。本发明中，第一氧化硅层与柔性衬底之间的粘附力较好，对柔性衬底进行氧等离子体的预处理，使得柔性衬底的表面形成羟基的悬挂键，羟基的悬挂键能够增加第一氧化硅层与柔性衬底之间的粘附力，提高阻挡层与柔性衬底之间的附着力，第一氧化硅层与第二氧化硅层的厚度大于氮化硅层的厚度，保证阻挡层透光性的同时加强阻水性，从而实现显示器的透明和阻水氧。
综上所述，本发明的柔性显示器中，在柔性衬底上依次形成第一氧化硅层、氮化硅层及第二氧化硅层，第一氧化硅层与柔性衬底之间的粘附力较好，能够增强阻挡层与柔性衬底之间的附着力。并且，第一氧化硅层与第二氧化硅层的透光性强于氮化硅层，因此，第一氧化硅层与第二氧化硅层的厚度大于氮化硅层的厚度，保证阻挡层透光性的同时加强阻水性，从而实现显示器的透明和阻水氧。此外，对柔性衬底进行氧等离子体的预处理，使得柔性衬底的表面形成羟基的悬挂键，羟基的悬挂键能够进一步增加第一氧化硅层与柔性衬底之间的粘附力，进一步提高阻挡层与柔性衬底之间的附着力。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种柔性显示器的制备方法，其特征在于，包括：
提供一柔性衬底；
在所述柔性衬底上形成一阻挡层，所述阻挡层包括依次位于所述柔性衬底上的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的厚度大于所述氮化硅层的厚度。
2.如权利要求1所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，还包括：对所述柔性衬底进行氧气氛等离子体预处理。
3.如权利要求2所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，进行氧气氛等离子体预处理的时间为50s～200s，气体流量为1000sccm～8000sccm，功率为0.5KW～2KW，压强为100Pa～300Pa。
4.如权利要求1所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度为所述氮化硅层的厚度为
5.如权利要求1或4所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，所述第二氧化硅层的厚度大于所述氮化硅层的厚度。
6.如权利要求5所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，所述第二氧化硅层的厚度为
7.如权利要求1所述的柔性显示器的制备方法，其特征在于，还包括：依次在所述阻挡层上形成薄膜晶体管层、有机发光二极管层及封装层。
8.一种柔性显示器，其特征在于，包括：
柔性衬底；
位于所述柔性衬底上的一阻挡层，所述阻挡层包括依次位于所述柔性衬底上的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层的厚度大于所述氮化硅层的厚度。
9.如权利要求8所述的柔性显示器，其特征在于，还包括：位于所述阻挡层上的薄膜晶体管层、有机发光二极管层及封装层。
10.如权利要求8所述的柔性显示器，其特征在于，所述第二氧化硅层的厚度大于所述氮化硅层的厚度。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107768530A (zh) * 2017-11-15 2018-03-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性基板及其制作方法
CN107910335A (zh) * 2017-11-08 2018-04-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板、柔性显示面板制作方法及显示装置
CN108258057A (zh) * 2018-01-19 2018-07-06 云谷（固安）科技有限公司 柔性基底结构及其制备方法与柔性器件
CN109103222A (zh) * 2018-08-20 2018-12-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板以及显示装置
CN110265407A (zh) * 2019-06-12 2019-09-20 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1961095A (zh) * 2004-04-23 2007-05-09 应用材料股份有限公司 用以沉积低温无机膜层至大型塑胶基板上的方法及其设备
CN1967876A (zh) * 2005-11-16 2007-05-23 三星Sdi株式会社 薄膜晶体管及其制造方法
CN101340774A (zh) * 2008-08-01 2009-01-07 浙江大学 柔性无胶覆铜板及其制备方法
US20130140547A1 (en) * 2010-02-09 2013-06-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device including barrier layer including silicon oxide layer and silicon nitride layer
CN103918070A (zh) * 2011-10-31 2014-07-09 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置及方法
CN104319278A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法
US20160064464A1 (en) * 2014-09-03 2016-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display panel
CN105752967A (zh) * 2016-01-29 2016-07-13 白德旭 一种石墨烯导电薄膜的制备方法
US20160250827A1 (en) * 2015-02-26 2016-09-01 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing a display device

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1961095A (zh) * 2004-04-23 2007-05-09 应用材料股份有限公司 用以沉积低温无机膜层至大型塑胶基板上的方法及其设备
CN1967876A (zh) * 2005-11-16 2007-05-23 三星Sdi株式会社 薄膜晶体管及其制造方法
CN101340774A (zh) * 2008-08-01 2009-01-07 浙江大学 柔性无胶覆铜板及其制备方法
US20130140547A1 (en) * 2010-02-09 2013-06-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device including barrier layer including silicon oxide layer and silicon nitride layer
CN103918070A (zh) * 2011-10-31 2014-07-09 圆益Ips股份有限公司 基板处理装置及方法
US20160064464A1 (en) * 2014-09-03 2016-03-03 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display panel
CN104319278A (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和阵列基板的制作方法
US20160250827A1 (en) * 2015-02-26 2016-09-01 Samsung Display Co., Ltd. Display device and method of manufacturing a display device
CN105752967A (zh) * 2016-01-29 2016-07-13 白德旭 一种石墨烯导电薄膜的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
吴人洁等: "《高聚物的表面与界面》", 28 February 1998, 科学出版社 *
王国全等: "《聚合物改性 第2版》", 31 May 2008, 中国轻工业出版社 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107910335A (zh) * 2017-11-08 2018-04-13 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性显示面板、柔性显示面板制作方法及显示装置
US10658397B2 (en) 2017-11-08 2020-05-19 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible display panel, manufacturing method of flexible display panel and display apparatus
CN107768530A (zh) * 2017-11-15 2018-03-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性基板及其制作方法
WO2019095406A1 (zh) * 2017-11-15 2019-05-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性基板及其制作方法
CN107768530B (zh) * 2017-11-15 2020-01-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 柔性基板及其制作方法
US10658600B2 (en) 2017-11-15 2020-05-19 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method of fabricating flexible substrate having laminated material made of silicon oxide and amorphous silicon
CN108258057A (zh) * 2018-01-19 2018-07-06 云谷（固安）科技有限公司 柔性基底结构及其制备方法与柔性器件
CN109103222A (zh) * 2018-08-20 2018-12-28 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled显示面板以及显示装置
CN110265407A (zh) * 2019-06-12 2019-09-20 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
WO2020248408A1 (zh) * 2019-06-12 2020-12-17 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

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