CN107644946A - Oled显示面板的封装方法及封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED显示面板的封装方法及封装结构。本发明的OLED显示面板的封装方法，相对于OLED基板独立制作用于水氧阻隔的薄膜封装层，采用光刻技术分别在薄膜封装层的首层无机阻挡层上和OLED基板上形成多圈环状的第一凹槽和多圈环状的第一凸起，再通过真空贴合的方法使得OLED基板和薄膜封装层通过所述多圈第一凸起和多圈第一凹槽相啮合并通过粘结层相粘接在一起，从而实现薄膜封装及柔性显示的功能，可有效解决现有OLED薄膜封装工艺所存在的工艺复杂、制作过程中使用掩膜板而造成颗粒和孔洞等不良和成本升高、低温成膜所导致膜质致密性低等技术问题，且薄膜封装层与OLED基板分别独立制作有利于产品良率的提高。
Description
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板的封装方法及封装结构。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器。目前，从小尺寸的移动电话显示屏，到大尺寸高分辨率的平板电视，应用OLED显示面板都成为一种高端的象征。
OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水汽或氧气反应，作为基于有机材料的显示设备，OLED显示屏对封装的要求非常高，一般要求其在85℃、85RH下的水汽透过率(WVTR)小于10-6g/m2/day，因此，通过OLED器件的封装提高器件内部的密封性，尽可能的与外部环境隔离，对于OLED器件的稳定发光至关重要。
目前OLED器件的封装主要在硬质封装基板(如玻璃或金属)上通过封装胶封装，但是该方法并不适用于柔性器件，因此也有技术方案通过叠层的薄膜对OLED器件进行封装，该薄膜封装方式一般是在基板上的OLED器件上方形成多层为无机材料的阻水阻气性好的无机阻挡层(barrier layer)，并在两层无机阻挡层之间形成一层为有机材料的柔韧性好的有机缓冲层(buffer layer)。
上述薄膜封装方式常用于OLED柔性显示屏的封装上，但是其封装能力要达到水汽透过率(WVTR)小于10-6g/m2/day的等级是相当困难的，从而相对容易造成柔性屏寿命短的问题。另外，上述薄膜封装结构中无机阻挡层普遍采用的是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)等制备的薄膜，有机缓冲层普遍采用的是亚克力系、六甲基二甲硅醚(HMDSO)等制备的薄膜；在制备方式方面，无机阻挡层主要采用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)、等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、离子束辅助沉积(Ion BeamAssistive Deposition，IBAD)等工艺制备；有机膜层主要采用闪蒸(flash evaporation)、喷墨打印(ink jet printing，IJP)、狭缝涂布(slot die coating)等工艺制备。然而该薄膜封装工艺较为复杂，在制备无机阻挡层时为形成无机阻挡层的边界会使用到掩膜板，掩膜板在成膜腔室的使用容易产生颗粒，而颗粒较又易引起孔洞等不良，这样就带来较大的成本问题等，另外OLED器件的有机材料特性对薄膜封装成膜设备的要求较为苛刻，其成膜温度要小于90℃，然而低温成膜会导致膜质比较松散致密性低等问题。如何克服上述这些难题对柔性OLED显示技术而言是一个有着重要意义的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示面板的封装方法，可有效解决现有OLED薄膜封装工艺所存在的工艺复杂、制作过程中使用掩膜板而造成颗粒和孔洞等不良和成本升高、低温成膜所导致膜质致密性低等技术问题。
本发明的另一目的在于提供一种OLED显示面板的封装结构，可有效解决现有OLED薄膜封装工艺所存在的工艺复杂、制作过程中使用掩膜板而造成颗粒和孔洞等不良和成本升高、低温成膜所导致膜质致密性低等技术问题。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED显示面板的封装方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供薄膜封装层，所述薄膜封装层包括交替层叠设置的多层无机阻挡层和多层有机缓冲层，其中，薄膜封装层中最外面一层为无机阻挡层，该层无机阻挡层为首层无机阻挡层；在所述首层无机阻挡层上形成多圈环状相间隔的第一凹槽，相邻两圈第一凹槽之间构成一圈第二凸起；
步骤S2、提供基板，在所述基板上形成多圈环状相间隔的第一凸起，相邻两圈第一凸起之间构成一圈第二凹槽，在所述基板上于所述多圈第一凸起包围的区域内形成OLED层，得到OLED基板；
步骤S3、将所述OLED基板和薄膜封装层进行对位贴合，所述第一凸起一一对应的伸入所述第一凹槽中，所述第二凸起一一对应的伸入所述第二凹槽中，在所述OLED基板和薄膜封装层之间形成粘结层，从而使得OLED基板和薄膜封装层通过所述多圈第一凸起和多圈第一凹槽相啮合并通过粘结层相粘接在一起；
所述步骤S1和步骤S2任意顺序进行。
所述步骤S1中薄膜封装层具体的形成方法为：提供衬底，在所述衬底上形成一层光学胶层，在所述光学胶层上制作薄膜封装层，将所述光学胶层和薄膜封装层从所述塑料衬底上剥离下来，再将光学胶层从薄膜封装层上去除，从而将薄膜封装层与所述光学胶层分离，得到薄膜封装层。
所述步骤S2中，所述基板包括第二衬底、形成在所述第二衬底上的薄膜晶体管层、以及形成在第二衬底上并包围所述薄膜晶体管层的无机层，所述第一凸起和第二凹槽形成在所述无机层上，所述OLED层形成在所述薄膜晶体管层上。
所述衬底为塑料衬底；所述无机阻挡层通过化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积的方法形成；所述步骤S1中采用光刻工艺在所述首层无机阻挡层上形成所述多圈第一凹槽。
所述多层无机阻挡层中，所述首层无机阻挡层的膜厚为15-17μm；
所述有机缓冲层的膜厚为1-3μm。
所述步骤S1中薄膜封装层还包括有机平坦层，所述有机平坦层设置在所述多层无机阻挡层和多层有机缓冲层远离所述第一凹槽和第二凸起的一侧。
所述薄膜封装层还包括设置在所述有机平坦层远离所述第一凹槽和第二凸起一侧的保护板。
所述步骤S1还包括将光学胶层从薄膜封装层上去除后，通过光刻工艺在所述首层无机阻挡层上形成发光区凹槽，该发光区凹槽与所述步骤S2中所形成的OLED层对应设置。
所述步骤S3中，所述OLED基板和薄膜封装层进行对位贴合后，该发光区凹槽为对应位于所述OLED层的上方。
所述步骤S2还包括在形成OLED层之后，采用化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积的方法形成覆盖所述OLED层的无机保护膜。
所述步骤S3中形成所述粘结层的具体过程为；在对所述OLED基板和薄膜封装层进行对位贴合之前，在所述薄膜封装层设有多圈第一凹槽的一侧上或所述OLED基板设有多圈第一凸起的一侧上涂布一层UV光学胶，在对所述OLED基板和薄膜封装层进行对位贴合之后，采用UV光对所述OLED基板和薄膜封装层之间的UV光学胶做固化处理，形成所述粘结层。
本发明还提供一种OLED显示面板的封装结构，包括OLED基板、与所述OLED基板相对设置的薄膜封装层、以及设于所述OLED基板和薄膜封装层之间的粘结层；
所述OLED基板包括基板、设于所述基板上的OLED层以及在所述基板上于所述OLED层外围设置的多圈环状相间隔的第一凸起，相邻两圈第一凸起之间构成一圈第二凹槽；
所述薄膜封装层包括交替层叠设置的多层无机阻挡层和多层有机缓冲层，其中，所述薄膜封装层的最下一层为无机阻挡层，该层无机阻挡层为首层无机阻挡层，该首层无机阻挡层面对OLED基板的一侧对应于所述多圈第一凸起的上方设有多圈环状相间隔的第一凹槽，相邻两圈第一凹槽之间构成一圈第二凸起；
所述OLED基板和所述薄膜封装层通过所述多圈第一凸起和多圈第一凹槽相啮合并通过粘结层相粘接在一起，即所述第一凸起一一对应的伸入所述第一凹槽中，所述第二凸起一一对应的伸入所述第二凹槽中。
所述薄膜封装层还包括有机平坦层，所述有机平坦层设置在所述多层无机阻挡层和多层有机缓冲层远离所述第一凹槽和第二凸起的一侧。
所述薄膜封装层还包括设置在所述有机平坦层远离所述第一凹槽和第二凸起一侧的保护板。
本发明的有益效果：本发明的OLED显示面板的封装方法相对于OLED基板独立制作用于水氧阻隔的薄膜封装层，采用光刻技术分别在薄膜封装层的首层无机阻挡层上和OLED基板上形成多圈环状的第一凹槽和多圈环状的第一凸起，再通过真空贴合的方法使得OLED基板和薄膜封装层通过所述多圈第一凸起和多圈第一凹槽相啮合并通过粘结层相粘接在一起，从而实现薄膜封装及柔性显示的功能，可有效解决现有OLED薄膜封装工艺所存在的工艺复杂、制作过程中使用掩膜板而造成颗粒和孔洞等不良和成本升高、低温成膜所导致膜质致密性低等技术问题，且薄膜封装层与OLED基板分别独立制作有利于产品良率的提高。本发明的OLED显示面板的封装结构可有效解决现有OLED薄膜封装工艺所存在的工艺复杂、工艺过程中使用掩膜板而造成颗粒和孔洞等不良和成本升高、低温成膜所导致膜质致密性低等技术问题。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明的OLED显示面板的封装方法的流程示意图；
图2-6为本发明的OLED显示面板的封装方法的步骤S1的示意图；
图7为本发明的OLED显示面板的封装方法的步骤S1中所形成薄膜封装层的平面示意图；
图8-9为本发明的OLED显示面板的封装方法的步骤S2的示意图；
图10为本发明的OLED显示面板的封装方法的步骤S2中所形成OLED基板的平面示意图；
图11-12为本发明的OLED显示面板的封装方法的步骤S3的示意图且图12为本发明的OLED显示面板的封装结构的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图1，本发明首先提供一种OLED显示面板的封装方法，包括如下步骤：
步骤S1、如图2-6所示，提供塑料的衬底500，在所述衬底500上涂布并固化形成一层光学胶层600，固化后的光学胶层600可从衬底500上剥离，然后在所述光学胶层600上制作薄膜封装层200，所述薄膜封装层200包括多层无机阻挡层201和多层有机缓冲层202，其中，所述无机阻挡层201和有机缓冲层202交替层叠设置，所制作的薄膜封装层200中最靠近所述光学胶层600的一层为无机阻挡层201，该层无机阻挡层201为首层无机阻挡层；然后将所述光学胶层600和薄膜封装层200从所述衬底500上剥离下来，再采用脱膜工艺将所述光学胶层600从所述薄膜封装层200上去除，通过光刻工艺在所述首层无机阻挡层上形成多圈环状相间隔的第一凹槽2031，相邻两圈第一凹槽2031之间构成一圈第二凸起2032。
具体地，所述步骤S1中所制作的薄膜封装层200还包括设置在所述多层无机阻挡层201和多层有机缓冲层202远离所述第一凹槽2031和第二凸起2032的一侧的有机平坦层204以及设于所述有机平坦层204上远离所述第一凹槽2031和第二凸起2032一侧的保护板205。
具体地，所述无机阻挡层201的材料为氧化硅或氮化硅，其通过化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)等方法形成；本发明中，由于所述薄膜封装层200相对于OLED基板100独立制作，从而可相对提高无机阻挡层201的成膜温度，进而可提高无机阻挡层201的成膜致密性，解决现有封装工艺低温成膜所导致膜质致密性低的技术问题。
具体地，所述有机缓冲层202和有机平坦层204可分别通过喷墨打印、狭缝涂布、旋涂(spin-coating)或注射(dispenser)等方法形成。
具体地，所述多层无机阻挡层201中，所述首层无机阻挡层的膜厚为15-17μm，优选为16μm，其他的无机阻挡层201的膜厚为0.1-1μm。
具体地，所述有机缓冲层202的膜厚为1-3μm；所述有机平坦层204整面覆盖所述多层无机阻挡层201和多层有机缓冲层202，所述有机平坦层204的膜厚为2-8μm。
具体地，所述多层有机缓冲层202中，最靠近所述首层无机阻挡层的有机缓冲层202为首层有机缓冲层，该首层有机缓冲层与后续步骤S2中所形成的OLED层102对应设置，其他的有机缓冲层202的边缘相对于该首层有机缓冲层的边缘向外延伸100-300μm。
具体地，所述步骤S1还包括将光学胶层600从薄膜封装层200上去除后，通过光刻工艺在所述首层无机阻挡层上形成发光区凹槽2035，该发光区凹槽2035与后续步骤S2中所形成的OLED层102对应设置。
具体地，所述步骤S1中，所述发光区凹槽2035的深度为14-16μm，优选为15μm，所述第一凹槽2031的形状为梯形，其深度为14-16μm，优选为15μm，远离有机缓冲层202一侧的宽度为25-35μm，优选为30μm，靠近有机缓冲层202一侧的宽度为10-20μm，优选为15μm；所述第二凸起2032的形状为梯形，其高度为14-16μm，优选为15μm，远离有机缓冲层202一侧的宽度为10-20μm，优选为15μm，靠近有机缓冲层202一侧的宽度为25-35μm，优选为30μm。
具体地，所述步骤S1中，采用光刻工艺形成所述多圈第一凹槽2031，即在进行光刻制程的同时处理所述无机阻挡层201的边界，从而省去通过掩膜板的使用，避免了颗粒和孔洞等不良的产生，降低了制作成本。
步骤S2、如图8-9所示，提供基板101，通过成膜工艺和光刻工艺在所述基板101上形成多圈环状相间隔的第一凸起1031，相邻两圈第一凸起1031之间构成一圈第二凹槽1032，通过OLED蒸镀工艺在所述基板101上于所述多圈第一凸起1031包围的区域内形成OLED层102，得到OLED基板100。
具体地，所述步骤S2中，所述基板101包括第二衬底1011、形成在所述第二衬底1011上的薄膜晶体管层1012、以及形成在第二衬底1011上并包围所述薄膜晶体管层1012的无机层1013，所述第一凸起1031和第二凹槽1032形成在所述无机层1013上，所述OLED层102形成在所述薄膜晶体管层1012上。
具体地，所述步骤S2还包括在形成OLED层102之后，采用化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积的方法形成覆盖所述OLED层102的无机保护膜104，所述无机保护膜104的成膜温度小于90℃，所述无机保护膜104的膜厚为0.5-1μm。
具体地，所述步骤S2中，所述第一凸起1031的形状为梯形，其高度为19-21μm，优选为20μm，远离有机缓冲层202一侧的宽度为10-20μm，优选为15μm，靠近有机缓冲层202一侧的宽度为35-45μm，优选为40μm；所述第二凹槽1032的形状为梯形，其深度为19-21μm，优选为20μm，远离有机缓冲层202一侧的宽度为25-35μm，优选为30μm，靠近有机缓冲层202一侧的宽度为5-15μm，优选为10μm。
步骤S3、如图11-12所示，在所述薄膜封装层200设有多圈第一凹槽2031的一侧上或所述OLED基板100设有多圈第一凸起1031的一侧上涂布一层包含干燥剂的UV光学胶，然后对所述OLED基板100和薄膜封装层200进行真空对位贴合，所述第一凸起1031一一对应的伸入所述第一凹槽2031中，所述第二凸起2032一一对应的伸入所述第二凹槽1032中，所述第一凸起1031和第二凸起2032交替排列在所述基板100上，然后采用UV光对所述OLED基板100和薄膜封装层200之间的UV光学胶做固化处理，形成包含干燥剂的粘结层300，从而使得所述OLED基板100和薄膜封装层200通过所述多圈第一凸起1031和多圈第一凹槽2031相啮合并通过所述粘结层300相粘接在一起。
具体地，所述步骤S3中，所述OLED基板100和薄膜封装层200进行真空对位贴合后，所述发光区凹槽2035为对应位于所述OLED层102的上方，所述首层有机缓冲层对应位于所述OLED层102的上方。
本发明的OLED显示面板的封装方法相对于OLED基板100独立制作用于水氧阻隔的薄膜封装层200，采用光刻技术分别在薄膜封装层200的首层无机阻挡层上和OLED基板100上形成多圈第一凹槽2031和多圈第一凸起1031，再通过真空贴合的方法使得OLED基板100和薄膜封装层200通过所述多圈第一凸起1031和多圈第一凹槽2031相啮合并通过粘结层300相粘接在一起，从而实现薄膜封装及柔性显示的功能，可有效解决现有OLED薄膜封装工艺所存在的工艺复杂、制作过程中使用到掩膜板而造成颗粒和孔洞等不良和成本升高、低温成膜所导致膜质致密性低等技术问题，且薄膜封装层200与OLED基板100分别独立制作有利于产品良率的提高。
请参阅图12，基于上述的OLED显示面板的封装方法，本发明还提供一种OLED显示面板的封装结构，包括OLED基板100、与所述OLED基板100相对设置的薄膜封装层200、及设于所述OLED基板100和薄膜封装层200之间的粘结层300；
所述OLED基板100包括基板101、设于所述基板100上的OLED层102、及在所述基板100上于所述OLED层102外围设置的多圈环状相间隔的第一凸起1031，相邻两圈第一凸起1031之间构成一圈第二凹槽1032；
所述薄膜封装层200包括多层无机阻挡层201和多层有机缓冲层202，其中，所述无机阻挡层201和有机缓冲层202交替层叠设置，所述薄膜封装层200的最下一层为无机阻挡层201，该层无机阻挡层201为首层无机阻挡层，该首层无机阻挡层面对OLED基板100的一侧对应于所述多圈第一凸起1031的上方设有多圈环状相间隔的第一凹槽2031，相邻两圈第一凹槽2031之间构成一圈第二凸起2032；
所述OLED基板100和所述薄膜封装层200通过所述多圈第一凸起1031和多圈第一凹槽2031相啮合并通过粘结层300相粘接在一起，即所述第一凸起1031一一对应的伸入所述第一凹槽2031中，所述第二凸起2032一一对应的伸入所述第二凹槽1032中，所述第一凸起1031和第二凸起2032交替排列在所述基板100上。
具体地，所述基板101包括第二衬底1011、设置在所述第二衬底1011上的薄膜晶体管层1012、以及设置在第二衬底1011上并包围所述薄膜晶体管层1012的无机层1013，所述第一凸起1031和第二凹槽1032形成在所述无机层1013上，所述OLED层102形成在所述薄膜晶体管层1012上。
具体地，所述薄膜封装层200还包括设置在所述多层无机阻挡层201和多层有机缓冲层202远离所述第一凹槽2031和第二凸起2032的一侧的有机平坦层204以及设于所述有机平坦层204上远离所述第一凹槽2031和第二凸起2032一侧的保护板205。
具体地，所述多层无机阻挡层201中，所述首层无机阻挡层的膜厚约为15-17μm，优选为16μm，其他的无机阻挡层201的膜厚为0.1-1μm。
具体地，所述多层有机缓冲层202中，最靠近所述首层无机阻挡层的有机缓冲层202为首层有机缓冲层，该首层有机缓冲层为对应于所述OLED层102设置，其他的有机缓冲层202的边缘相对于该首层有机缓冲层的边缘向外延伸100-300μm。
具体地，所述有机缓冲层202的膜厚为1-3μm。
具体地，所述有机平坦层204整面覆盖所述多层无机阻挡层201和多层有机缓冲层202，所述有机平坦层204的膜厚为2-8μm。
具体地，所述首层无机阻挡层面对OLED基板100的一侧还设有发光区凹槽2035，所述发光区凹槽2035对应于所述OLED层102设置，所述发光区凹槽2035对应位于所述OLED层102的上方。
具体地，所述发光区凹槽2035的深度为14-16μm，优选为15μm，所述第一凹槽2031的形状为梯形，其深度为14-16μm，优选为15μm，远离有机缓冲层202一侧的宽度为25-35μm，优选为30μm，靠近有机缓冲层202一侧的宽度为10-20μm，优选为15μm；所述第二凸起2032的形状为梯形，其高度为14-16μm，优选为15μm，远离有机缓冲层202一侧的宽度为10-20μm，优选为15μm，靠近有机缓冲层202一侧的宽度为25-35μm，优选为30μm；
具体地，所述第一凸起1031的形状为梯形，其高度为19-21μm，优选为20μm，远离有机缓冲层202一侧的宽度为10-20μm，优选为15μm，靠近有机缓冲层202一侧的宽度为35-45μm，优选为40μm；所述第二凹槽1032的形状为梯形，其深度为19-21μm，优选为20μm，远离有机缓冲层202一侧的宽度为25-35μm，优选为30μm，靠近有机缓冲层(202)一侧的宽度为5-15μm，优选为10μm。
具体地，所述OLED基板100还包括设于所述基板101和OLED层102上且覆盖所述OLED层102的无机保护膜104，所述无机保护膜104的成膜温度小于90℃，所述无机保护膜104的膜厚为0.5-1μm。
具体地，所述粘结层300的材料为UV光学胶，其内包含干燥剂。
本发明的OLED显示面板的封装结构可有效解决现有OLED薄膜封装工艺所存在的工艺复杂、制作过程中使用到掩膜板而造成颗粒和孔洞等不良和成本升高、低温成膜所导致膜质致密性低等技术问题。
综上所述，本发明的OLED显示面板的封装方法相对于OLED基板独立制作用于水氧阻隔的薄膜封装层，采用光刻技术分别在薄膜封装层的首层无机阻挡层上和OLED基板上形成多圈环状的第一凹槽和多圈环状的第一凸起，再通过真空贴合的方法使得OLED基板和薄膜封装层通过所述多圈第一凸起和多圈第一凹槽相啮合并通过粘结层相粘接在一起，从而实现薄膜封装及柔性显示的功能，可有效解决现有OLED薄膜封装工艺所存在的工艺复杂、制作过程中使用掩膜板而造成颗粒和孔洞等不良和成本升高、低温成膜所导致膜质致密性低等技术问题，且薄膜封装层与OLED基板分别独立制作有利于产品良率的提高。本发明的OLED显示面板的封装结构可有效解决现有OLED薄膜封装工艺所存在的工艺复杂、制作过程中使用掩膜板而造成颗粒和孔洞等不良和成本升高、低温成膜所导致膜质致密性低等技术问题。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (13)
1.一种OLED显示面板的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供薄膜封装层(200)，所述薄膜封装层(200)包括交替层叠设置的多层无机阻挡层(201)和多层有机缓冲层(202)，其中，薄膜封装层(200)中最外面一层为无机阻挡层(201)，该层无机阻挡层(201)为首层无机阻挡层；在所述首层无机阻挡层上形成多圈环状相间隔的第一凹槽(2031)，相邻两圈第一凹槽(2031)之间构成一圈第二凸起(2032)；
步骤S2、提供基板(101)，在所述基板(101)上形成多圈环状相间隔的第一凸起(1031)，相邻两圈第一凸起(1031)之间构成一圈第二凹槽(1032)，在所述基板(101)上于所述多圈第一凸起(1031)包围的区域内形成OLED层(102)，得到OLED基板(100)；
步骤S3、将所述OLED基板(100)和薄膜封装层(200)进行对位贴合，所述第一凸起(1031)一一对应的伸入所述第一凹槽(2031)中，所述第二凸起(2032)一一对应的伸入所述第二凹槽(1032)中，在所述OLED基板(100)和薄膜封装层(200)之间形成粘结层(300)，使得OLED基板(100)和薄膜封装层(200)通过所述多圈第一凸起(1031)和多圈第一凹槽(2031)相啮合并通过粘结层(300)相粘接在一起；
所述步骤S1和步骤S2任意顺序进行。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S1中薄膜封装层(200)具体的形成方法为：提供衬底(500)，在所述衬底(500)上形成一层光学胶层(600)，在所述光学胶层(600)上制作薄膜封装层(200)，将所述光学胶层(600)和薄膜封装层(200)从所述塑料衬底(500)上剥离下来，再将光学胶层(600)从薄膜封装层(200)上去除，从而将薄膜封装层(200)与所述光学胶层(600)分离，得到薄膜封装层(200)；
所述步骤S2中，所述基板(101)包括第二衬底(1011)、形成在所述第二衬底(1011)上的薄膜晶体管层(1012)、以及形成在第二衬底(1011)上并包围所述薄膜晶体管层(1012)的无机层(1013)，所述第一凸起(1031)和第二凹槽(1032)形成在所述无机层(1013)上，所述OLED层(102)形成在所述薄膜晶体管层(1012)上。
3.如权利要求2所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述衬底(500)为塑料衬底；所述无机阻挡层(201)通过化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积的方法形成；所述步骤S1中采用光刻工艺在所述首层无机阻挡层上形成所述多圈第一凹槽(2031)。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述多层无机阻挡层(201)中，所述首层无机阻挡层的膜厚为15-17μm；
所述有机缓冲层(202)的膜厚为1-3μm。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S1中薄膜封装层(200)还包括有机平坦层(204)，所述有机平坦层(204)设置在所述多层无机阻挡层(201)和多层有机缓冲层(202)远离所述第一凹槽(2031)和第二凸起(2032)的一侧。
6.如权利要求5所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述薄膜封装层(200)还包括设置在所述有机平坦层(204)远离所述第一凹槽(2031)和第二凸起(2032)一侧的保护板(205)。
7.如权利要求2所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S1还包括将光学胶层(600)从薄膜封装层(200)上去除后，通过光刻工艺在所述首层无机阻挡层上形成发光区凹槽(2035)，该发光区凹槽(2035)与所述步骤S2中所形成的OLED层(102)对应设置。
8.如权利要求7所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述OLED基板(100)和薄膜封装层(200)进行对位贴合后，该发光区凹槽(2035)为对应位于所述OLED层(102)的上方。
9.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S2还包括在形成OLED层(102)之后，采用化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积的方法形成覆盖所述OLED层(102)的无机保护膜(104)。
10.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S3中形成所述粘结层(300)的具体过程为；在对所述OLED基板(100)和薄膜封装层(200)进行对位贴合之前，在所述薄膜封装层(200)设有多圈第一凹槽(2031)的一侧上或所述OLED基板(100)设有多圈第一凸起(1031)的一侧上涂布一层UV光学胶，在对所述OLED基板(100)和薄膜封装层(200)进行对位贴合之后，采用UV光对所述OLED基板(100)和薄膜封装层(200)之间的UV光学胶做固化处理，形成所述粘结层(300)。
11.一种OLED显示面板的封装结构，其特征在于，包括OLED基板(100)、与所述OLED基板(100)相对设置的薄膜封装层(200)、以及设于所述OLED基板(100)和薄膜封装层(200)之间的粘结层(300)；
所述OLED基板(100)包括基板(101)、设于所述基板(100)上的OLED层(102)以及在所述基板(100)上于所述OLED层(102)外围设置的多圈环状相间隔的第一凸起(1031)，相邻两圈第一凸起(1031)之间构成一圈第二凹槽(1032)；
所述薄膜封装层(200)包括交替层叠设置的多层无机阻挡层(201)和多层有机缓冲层(202)，其中，所述薄膜封装层(200)的最下一层为无机阻挡层(201)，该层无机阻挡层(201)为首层无机阻挡层，该首层无机阻挡层面对OLED基板(100)的一侧对应于所述多圈第一凸起(1031)的上方设有多圈环状相间隔的第一凹槽(2031)，相邻两圈第一凹槽(2031)之间构成一圈第二凸起(2032)；
所述OLED基板(100)和所述薄膜封装层(200)通过所述多圈第一凸起(1031)和多圈第一凹槽(2031)相啮合并通过粘结层(300)相粘接在一起，即所述第一凸起(1031)一一对应的伸入所述第一凹槽(2031)中，所述第二凸起(2032)一一对应的伸入所述第二凹槽(1032)中。
12.如权利要求11所述的OLED显示面板的封装结构，其特征在于，所述薄膜封装层(200)还包括有机平坦层(204)，所述有机平坦层(204)设置在所述多层无机阻挡层(201)和多层有机缓冲层(202)远离所述第一凹槽(2031)和第二凸起(2032)的一侧。
13.如权利要求12所述的OLED显示面板的封装结构，其特征在于，所述薄膜封装层(200)还包括设置在所述有机平坦层(204)远离所述第一凹槽(2031)和第二凸起(2032)一侧的保护板(205)。
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