CN107403883A - Oled显示面板的封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种OLED显示面板的封装方法，先在OLED基板上整面沉积形成无机薄膜，然后在该无机薄膜上定位贴附屏障膜，使所述屏障膜覆盖发光区上的无机薄膜而露出引线区上的无机薄膜，最后以屏障膜为遮蔽层，将所述无机薄膜上未被所述屏障膜覆盖的部分蚀刻掉而对应得到薄膜封装层的无机阻挡层；本发明利用屏障膜对无机薄膜进行蚀刻而得到图案化的无机阻挡层，无需使用掩膜板，从而可以避免由掩膜板所带来的静电击伤问题、掩膜板与OLED基板分离过程中膜层撕裂而导致的膜层结构破坏问题及颗粒问题，增加了无机阻挡层的可靠性，并可节省高昂的掩膜板费用。
Description
技术领域
本发明涉及平板显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板的封装方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器，具备自发光、高亮度、宽视角、高对比度、可挠曲、低能耗等特性，因此受到广泛的关注，并作为新一代的显示方式，已开始逐渐取代传统液晶显示器。目前，从小尺寸的移动电话显示屏，到大尺寸高分辨率的平板电视，应用OLED显示面板都成为一种高端的象征。
OLED显示技术与传统的液晶显示技术不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。但是由于有机材料易与水汽或氧气反应，作为基于有机材料的显示设备，OLED显示屏对封装的要求非常高，一般要求其在85℃、85RH下的水汽透过率(WVTR)小于10-6g/m2/day，因此，通过OLED器件的封装提高器件内部的密封性，尽可能的与外部环境隔离，对于OLED器件的稳定发光至关重要。
目前OLED器件的封装主要在硬质封装基板(如玻璃或金属)上通过封装胶封装，但是该方法并不适用于柔性器件，因此也有技术方案通过叠层的薄膜对OLED器件进行封装，该薄膜封装方式一般是在基板上的OLED器件上方形成多层为无机材料的阻水阻气性好的无机阻挡层(Barrier Layer)，并在两层无机阻挡层之间形成一层为有机材料的柔韧性好的有机缓冲层(Buffer Layer)。
上述薄膜封装结构中无机阻挡层普遍采用的是氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(Al2O3)等制备的薄膜，有机缓冲层普遍采用的是亚克力系、六甲基二甲硅醚(HMDSO)等制备的薄膜；在制备方式方面，无机阻挡层主要采用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，CVD)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)、等离子体增强化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、离子束辅助沉积(Ion BeamAssistive Deposition，IBAD)等工艺制备；然而该薄膜封装工艺较为复杂，如图1所示，在制备无机阻挡层11时为形成无机阻挡层11的边界会使用到掩膜板(Mask)50，而掩膜板50的使用会带来很多缺点，比如由掩膜板50带来的静电击伤问题以及膜层撕裂导致的结构破坏问题和颗粒(Particle)问题，这都会对OLED器件的封装效果产生较大影响，如图2所示，掩膜板50与基板10分离的过程中，容易造成无机阻挡层11的膜层结构破坏，并产生Particle，进而影响无机阻挡层11的平整度和致密性。
如何克服上述这些难题对OLED显示技术而言是一个有着重要意义的课题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种OLED显示面板的封装方法，无需使用掩膜板，可有效解决现有薄膜封装工艺中因使用掩膜板而造成的静电击伤问题、膜层结构破坏问题及颗粒问题，增加了无机阻挡层的可靠性，并可节省高昂的掩膜板费用。
为实现上述目的，本发明提供一种OLED显示面板的封装方法，包括如下步骤：
步骤S1、提供OLED基板，所述OLED基板包括衬底基板、OLED层及引线层，所述衬底基板具有位于中部的发光区以及位于发光区外围的引线区，所述OLED层对应设于所述衬底基板的发光区上，所述引线层对应设于所述衬底基板的引线区上并与所述OLED层相连接；
步骤S2、在所述OLED基板上依次交替形成无机薄膜和有机缓冲层，所述无机薄膜和有机缓冲层交替层叠于所述OLED基板上，所述无机薄膜在层数上比所述有机缓冲层多一层，其中，所述无机薄膜通过在所述OLED基板上整面沉积形成而整面覆盖所述OLED基板，所述有机缓冲层对应位于所述发光区上方而覆盖所述OLED层；
步骤S3、提供屏障膜，在所述无机薄膜上定位贴附所述屏障膜，使所述屏障膜覆盖所述发光区上的无机薄膜而露出所述引线区上的无机薄膜；
步骤S4、将所述无机薄膜上未被所述屏障膜覆盖的部分蚀刻掉而对应得到无机阻挡层，从而露出所述引线区的引线层，得到包括所述无机阻挡层和有机缓冲层的薄膜封装层。
所述步骤S2中采用喷墨打印的方法形成所述有机缓冲层。
所述步骤S2中采用化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积的方法形成所述无机薄膜。
所述步骤S4中采用干法蚀刻的方法将所述无机薄膜上未被所述屏障膜覆盖的部分蚀刻掉。
所述步骤S3中所提供的屏障膜的材料为有机材料。
所述步骤S2中所沉积的无机薄膜的材料为氧化硅、氮化硅、或氧化铝。
所述步骤S4还包括，在将所述无机薄膜上未被所述屏障膜覆盖的部分蚀刻掉之后将所述屏障膜从所述无机阻挡层上去除。
所述步骤S4形成的薄膜封装层中，所述无机阻挡层的面积大于所述有机缓冲层的面积，每一有机缓冲层夹设于两层无机阻挡层之间。
所述步骤S4中，所露出的引线层用于与外接电路进行电性连接。
所述衬底基板为玻璃基板或聚酰亚胺基板。
本发明的有益效果：本发明的OLED显示面板的封装方法，先在OLED基板上整面沉积形成无机薄膜，然后在该无机薄膜上定位贴附屏障膜，使所述屏障膜覆盖发光区上的无机薄膜而露出引线区上的无机薄膜，最后以所述屏障膜为遮蔽层，将所述无机薄膜上未被所述屏障膜覆盖的部分蚀刻掉而对应得到薄膜封装层的无机阻挡层；本发明利用屏障膜对无机薄膜进行蚀刻而得到图案化的无机阻挡层，无需使用掩膜板，从而可以避免由掩膜板所带来的静电击伤问题、掩膜板与OLED基板分离过程中膜层撕裂而导致的膜层结构破坏问题及颗粒问题，增加了无机阻挡层的可靠性，并可节省高昂的掩膜板费用。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1-2为现有薄膜封装工艺中利用掩膜板制作无机阻挡层的示意图；
图3为本发明的OLED显示面板的封装方法的流程示意图；
图4为本发明的OLED显示面板的封装方法的步骤S1的示意图；
图5-7为本发明的OLED显示面板的封装方法的步骤S2的示意图；
图8为本发明的OLED显示面板的封装方法的步骤S3的示意图；
图9为本发明的OLED显示面板的封装方法的步骤S4的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3，本发明提供一种OLED显示面板的封装方法，包括如下步骤：
步骤S1、如图4所示，提供OLED基板100，所述OLED基板100包括衬底基板101、OLED层102及引线层103，所述衬底基板101具有位于中部的发光区以及位于发光区外围的引线区，所述OLED层102对应设于所述衬底基板101的发光区上，所述引线层103对应设于所述衬底基板101的引线区上并与所述OLED层102相连接。
具体地，所述衬底基板101为玻璃基板或柔性的聚酰亚胺(PI)基板。
步骤S2、如图5-7所示，在所述OLED基板100上整面沉积无机薄膜210，并且在每制作相邻两层无机薄膜210之间，在位于下层的无机薄膜210上形成一层位于所述发光区上方覆盖所述OLED层102的有机缓冲层202；即在所述OLED基板100上依次交替形成无机薄膜210和有机缓冲层202，所述无机薄膜210和有机缓冲层202交替层叠于所述OLED基板100上，并且使所述无机薄膜210在层数上比所述有机缓冲层202多一层，由于所述无机薄膜210通过在所述OLED基板100上整面沉积形成而整面覆盖所述OLED基板100。具体地，所述步骤S2中沉积形成了两层无机薄膜210，所述步骤S2具体为，首先在OLED基板100上整面沉积一层无机薄膜210，在该无机薄膜210上形成一层有机缓冲层202，然后在该有机缓冲层202和第一层无机薄膜210上再整面沉积第二层无机薄膜210。
具体地，所述步骤S2中采用喷墨打印(Ink-Jet Printing，IJP)的方法形成所述有机缓冲层202，由于IJP工艺本身可以控制膜层的图形，因此，该步骤S2中形成所述有机缓冲层202无需使用掩膜板，便可打印出相应图形，从而保证所述有机缓冲层202对应位于所述发光区上方覆盖所述OLED层102，而不覆盖所述引线区的引线层103。
具体地，所述步骤S2中采用化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积的方法形成所述无机薄膜210，由于所述无机薄膜210为整面沉积的方式形成，即其成膜范围为整个OLED基板100，因此在该步骤S2中也无需使用掩膜板。
具体地，所述步骤S2中所沉积的无机薄膜210的材料为氧化硅、氮化硅、或氧化铝。
步骤S3、如图8所示，提供合适尺寸的屏障膜(Barrier Film)300，在所述无机薄膜210上定位贴附所述屏障膜300，使所述屏障膜300覆盖所述发光区上的无机薄膜210而露出所述引线区上的无机薄膜210。
具体地，所述步骤S3中所提供的屏障膜300的材料为有机材料。
步骤S4、如图9所示，以所述屏障膜300为遮蔽层，将由所述屏障膜300所露出的无机薄膜210蚀刻掉，即将所述无机薄膜210上未被所述屏障膜300覆盖的部分蚀刻掉，而对应得到无机阻挡层201，从而露出所述引线区的引线层103，得到包括所述无机阻挡层201和有机缓冲层202的薄膜封装层200。
具体地，所述步骤S4中采用干法蚀刻的方法将将所述无机薄膜210上未被所述屏障膜300覆盖的部分蚀刻掉。
具体地，所述步骤S4还包括，在将将所述无机薄膜210上未被所述屏障膜300覆盖的部分蚀刻掉之后将所述屏障膜300从所述无机阻挡层201上去除。
具体地，所述步骤S4形成的薄膜封装层200中，所述无机阻挡层201的面积大于所述有机缓冲层202的面积，每一有机缓冲层202夹设于两层无机阻挡层201之间。
具体地，所述步骤S4中，所述无机阻挡层201所露出的引线层103用于与外接电路进行电性连接而绑定在一起。
本发明的OLED显示面板的封装方法利用屏障膜300对无机薄膜210进行蚀刻而得到图案化的无机阻挡层201，无需使用掩膜板，从而可以避免由掩膜板所带来的静电击伤问题、掩膜板与OLED基板100分离过程中膜层撕裂而导致的膜层结构破坏问题及颗粒问题，增加了无机阻挡层201的可靠性，并可节省高昂的掩膜板费用。
综上所述，本发明的OLED显示面板的封装方法先在OLED基板上整面沉积形成无机薄膜，然后在该无机薄膜上定位贴附屏障膜，使所述屏障膜覆盖发光区上的无机薄膜而露出引线区上的无机薄膜，最后以所述屏障膜为遮蔽层，将所述无机薄膜上未被所述屏障膜覆盖的部分蚀刻掉而对应得到薄膜封装层的无机阻挡层；本发明利用屏障膜对无机薄膜进行蚀刻而得到图案化的无机阻挡层，无需使用掩膜板，从而可以避免由掩膜板所带来的静电击伤问题、掩膜板与OLED基板分离过程中膜层撕裂而导致的膜层结构破坏问题及颗粒问题，增加了无机阻挡层的可靠性，并可节省高昂的掩膜板费用。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种OLED显示面板的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1、提供OLED基板(100)，所述OLED基板(100)包括衬底基板(101)、OLED层(102)及引线层(103)，所述衬底基板(101)具有位于中部的发光区以及位于发光区外围的引线区，所述OLED层(102)对应设于所述衬底基板(101)的发光区上，所述引线层(103)对应设于所述衬底基板(101)的引线区上并与所述OLED层(102)相连接；
步骤S2、在所述OLED基板(100)上依次交替形成无机薄膜(210)和有机缓冲层(202)，所述无机薄膜(210)和有机缓冲层(202)交替层叠于所述OLED基板(100)上，所述无机薄膜(210)在层数上比所述有机缓冲层(202)多一层，其中，所述无机薄膜(210)通过在所述OLED基板(100)上整面沉积形成而整面覆盖所述OLED基板(100)，所述有机缓冲层(202)对应位于所述发光区上方而覆盖所述OLED层(102)；
步骤S3、提供屏障膜(300)，在所述无机薄膜(210)上定位贴附所述屏障膜(300)，使所述屏障膜(300)覆盖所述发光区上的无机薄膜(210)而露出所述引线区上的无机薄膜(210)；
步骤S4、将所述无机薄膜(210)上未被所述屏障膜(300)覆盖的部分蚀刻掉而对应得到无机阻挡层(201)，从而露出所述引线区的引线层(103)，得到包括所述无机阻挡层(201)和有机缓冲层(202)的薄膜封装层(200)。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S2中采用喷墨打印的方法形成所述有机缓冲层(202)。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S2中采用化学气相沉积、原子层沉积或物理气相沉积的方法形成所述无机薄膜(210)。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S4中采用干法蚀刻的方法将所述无机薄膜(210)上未被所述屏障膜(300)覆盖的部分蚀刻掉。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S3中所提供的屏障膜(300)的材料为有机材料。
6.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S2中所沉积的无机薄膜(210)的材料为氧化硅、氮化硅、或氧化铝。
7.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S4还包括，在将所述无机薄膜(210)上未被所述屏障膜(300)覆盖的部分蚀刻掉之后将所述屏障膜(300)从所述无机阻挡层(201)上去除。
8.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S4形成的薄膜封装层(200)中，所述无机阻挡层(201)的面积大于所述有机缓冲层(202)的面积，每一有机缓冲层(202)夹设于两层无机阻挡层(201)之间。
9.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述步骤S4中，所露出的引线层(103)用于与外接电路进行电性连接。
10.如权利要求1所述的OLED显示面板的封装方法，其特征在于，所述衬底基板(101)为玻璃基板或聚酰亚胺基板。
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Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019109667A1 (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的封装方法、显示面板以及显示装置 |
| WO2019223141A1 (zh) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其封装方法 |
| CN110649183A (zh) * | 2019-09-02 | 2020-01-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板的制作方法 |
| CN110867530A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-03-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件及其封装方法 |
| CN111785753A (zh) * | 2019-04-04 | 2020-10-16 | Ncd株式会社 | 有机发光显示装置及制造方法 |
| WO2020258852A1 (zh) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板的封装方法、显示面板及显示装置 |
| CN113675356A (zh) * | 2020-05-14 | 2021-11-19 | Ncd有限公司 | 在薄膜封装体上形成触摸屏板的方法 |
| WO2023178774A1 (zh) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板的制作方法及oled显示面板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104022233A (zh) * | 2014-05-28 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板的封装方法和有机发光显示面板 |
| US20140312374A1 (en) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for Forming Projections and Depressions, Sealing Structure, and Light-Emitting Device |
| CN106711184A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-05-24 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板制作方法、显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9276236B1 (en) * | 2015-02-08 | 2016-03-01 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | OLED element |
| CN105118933B (zh) * | 2015-09-02 | 2018-03-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜封装方法及有机发光装置 |
| CN106328827B (zh) * | 2016-10-26 | 2018-08-14 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种薄膜封装方法 |
| CN106711354A (zh) * | 2016-12-02 | 2017-05-24 | 武汉华星光电技术有限公司 | 有机半导体器件的封装方法 |
| CN106935732B (zh) * | 2017-05-18 | 2019-09-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜封装结构及其封装方法、oled装置 |
-
2017
- 2017-09-13 CN CN201710824026.1A patent/CN107403883A/zh active Pending
- 2017-10-19 WO PCT/CN2017/106929 patent/WO2019051920A1/zh active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140312374A1 (en) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for Forming Projections and Depressions, Sealing Structure, and Light-Emitting Device |
| CN104022233A (zh) * | 2014-05-28 | 2014-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示面板的封装方法和有机发光显示面板 |
| CN106711184A (zh) * | 2017-03-14 | 2017-05-24 | 上海天马微电子有限公司 | 显示面板制作方法、显示面板及显示装置 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019109667A1 (zh) * | 2017-12-06 | 2019-06-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板的封装方法、显示面板以及显示装置 |
| US11404665B2 (en) | 2017-12-06 | 2022-08-02 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Encapsulation method of display panel, display panel, and display device |
| WO2019223141A1 (zh) * | 2018-05-23 | 2019-11-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其封装方法 |
| CN111785753A (zh) * | 2019-04-04 | 2020-10-16 | Ncd株式会社 | 有机发光显示装置及制造方法 |
| CN111785753B (zh) * | 2019-04-04 | 2023-12-08 | Ncd株式会社 | 有机发光显示装置及制造方法 |
| WO2020258852A1 (zh) * | 2019-06-27 | 2020-12-30 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示面板的封装方法、显示面板及显示装置 |
| CN110649183A (zh) * | 2019-09-02 | 2020-01-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板的制作方法 |
| US11917860B2 (en) | 2019-09-02 | 2024-02-27 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Method of manufacturing display panel |
| CN110867530A (zh) * | 2019-10-31 | 2020-03-06 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled器件及其封装方法 |
| CN113675356A (zh) * | 2020-05-14 | 2021-11-19 | Ncd有限公司 | 在薄膜封装体上形成触摸屏板的方法 |
| WO2023178774A1 (zh) * | 2022-03-23 | 2023-09-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板的制作方法及oled显示面板 |
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