CN107845737A - 一种显示面板及其制作方法、以及显示装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 179
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 69
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 73
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 73
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 20
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 13
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 abstract description 6
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 55
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- -1 silver ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti].[Ti] HKBLLJHFVVWMTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- PQHRHABVSWOYPG-UHFFFAOYSA-N 2,9-dioxatricyclo[8.2.2.24,7]hexadeca-1(13),4,6,10(14),11,15-hexaene-3,8-dione Chemical compound O1C(=O)C(C=C2)=CC=C2C(=O)OC2=CC=C1C=C2 PQHRHABVSWOYPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
- H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
本发明实施例公开了一种显示面板及其制作方法、以及显示装置，该显示面板包括：显示基板，显示基板包括至少一个显示区域；封装显示区域的封装结构，封装结构包括至少一层无机层和至少一层有机层，封装结构采用先沉积各膜层再进行刻蚀的方法形成。本发明实施例中，封装结构采用先沉积各膜层再进行光刻刻蚀的方法形成，则无需使用掩膜进行封装结构无机层的沉积，也无需采用掩膜对位系统对掩膜进行对位，降低了封装工序复杂度和制作成本；封装结构的膜层厚度均匀且表面平整，不会出现掩膜沉积造成的不同区域厚度不均的问题，避免了掩膜沉积的窗口效应。
Description
技术领域
本发明实施例涉及显示技术，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、以及显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，柔性显示技术的应用越来越广泛。现有的柔性有机发光显示面板结构中，通常包括柔性基板、显示器件层、以及薄膜封装层。薄膜封装层通常包括无机层和有机层，无机层用于阻隔水氧，有机层用于提高薄膜封装层的柔韧性。
在柔性有机发光显示面板中，薄膜封装层的无机层一般要采用掩膜mask对位后再进行沉积。具体的，形成薄膜封装层之前，对位沉积薄膜封装层中无机层的掩膜，掩膜具有开口区域和非开口区域，掩膜的开口区域与显示区域对应设置；其次，采用化学气相沉积CVD工艺沉积无机材料，则无机材料在柔性有机发光显示面板的显示区域形成薄膜封装层中的无机层。
然而，掩膜对位显示区域并进行无机材料沉积时，沉积的无机层在不同区域的厚度不均匀，导致薄膜封装层的膜层厚度不均匀，影响封装效果，并且制作工序复杂。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、以及显示装置，以解决现有的薄膜封装工序复杂且成膜不均匀的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，该显示面板包括：
显示基板，所述显示基板包括至少一个显示区域；
封装所述显示区域的封装结构，所述封装结构包括至少一层无机层和至少一层有机层，所述封装结构采用先沉积各膜层再进行刻蚀的方法形成。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，该制作方法包括：
提供一显示基板，所述显示基板包括多个显示区域；
在所述显示基板上沉积多个膜层以形成封装功能层，所述多个膜层包括至少一层无机层和至少一层有机层；
刻蚀所述封装功能层以形成相互分离的多个封装结构，所述封装结构封装所述显示区域；
对刻蚀后的显示基板进行切割以形成显示面板。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括：如上所述的显示面板。
本发明实施例中，封装结构采用先沉积各膜层再进行刻蚀的方法形成，则无需使用掩膜进行封装结构无机层的沉积，也无需采用掩膜对位系统对掩膜进行对位，降低了封装工序复杂度和制作成本。其次，封装结构采用先沉积各膜层再进行刻蚀的方法形成，封装结构的膜层厚度均匀且表面平整，不会出现掩膜沉积造成的不同区域厚度不均的问题，避免了掩膜沉积的窗口效应。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例术描述中所需要使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图；
图2是图1沿A-A'的剖视图；
图3是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图；
图4是图3所示显示面板的制作流程图；
图5是本发明实施例提供的显示面板的有机层的示意图；
图6是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图；
图7是图6所示显示面板的制作流程图；
图8是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图；
图9是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图；
图10～图14是本发明实施例提供的多种显示面板的示意图；
图15是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图；
图16是本发明实施例提供的一种显示面板的示意图；
图17是本发明实施例提供的显示面板制作方法的流程图；
图18是图17所示显示面板制作方法的制作流程示意图；
图19是图17所示显示面板制作方法的制作流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下将参照本发明实施例中的附图，通过实施方式清楚、完整地描述本发明的技术方案，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
参考图1所示，为本发明实施例提供的一种显示面板的示意图。本实施例提供的显示面板包括：显示基板10，显示基板10包括至少一个显示区域11；封装显示区域11的封装结构20，封装结构20包括至少一层无机层21和至少一层有机层22，封装结构20采用先沉积各膜层再进行刻蚀的方法形成。图2是图1沿A-A'的剖视图。可选如图1所示显示基板10包括多个显示区域11。可选如图3所示显示基板10包括一个显示区域11。
本实施例中，显示基板10包括多个显示区域11，在此显示基板10即是还未进行封装和切割的整面显示面板。可选的，显示基板10为有机发光显示基板，可选的，显示基板10至少包括衬底基板、像素电路阵列、阳极层、有机电致发光层和阴极层。
本实施例中，显示基板10的显示区域11上封装有封装结构20，封装结构20包括至少一层无机层21和至少一层有机层22，可选的，封装结构20中无机层21和有机层22相互叠层。本发明实施例中，显示面板的显示区域11采用封装结构20进行封装，该显示面板可选为柔性有机发光显示面板，并应用在柔性有机发光显示设备中。基于此，显示面板中显示基板10的衬底基板可选为柔性基板，例如聚酰亚胺基板等。
可选的，如图4所示采用封装结构20封装显示区域11时，先在显示基板10上整面沉积一层无机膜层21a，无机层21可作为阻挡层以阻隔水氧，避免水氧进入显示区域11影响显示效果；再在无机膜层21a上沉积一层有机膜层22a，有机层22可作为缓冲层以提高封装结构20的柔韧性。无机膜层21a和有机膜层22a的叠层结构构成的封装功能层不仅能够起到阻隔水氧的阻隔作用，还能够起到提高柔韧性的缓冲作用。最后对至少一层无机膜层21a和至少一层有机膜层22a构成的封装功能层进行刻蚀后可形成封装每个显示区域11的封装结构20。在其他实施例中，还可选先沉积一层有机膜层再沉积一层无机膜层，并刻蚀后形成封装结构。或者，在其他实施例中，还可选封装结构包括至少两层无机层和至少一层有机层，有机层设置在两层无机层之间，由此可增加显示面板正面阻隔水氧的作用，在保证显示面板的封装结构封装显示区域的功能上，相关从业人员可根据产品所需自行合理设计无机层和有机层的叠层结构。
可用于制作无机层21的无机材料有多种。例如本实施例中可选无机层21的组成材料包括以下材料中的一种或多种：Al2O3、TiO2、ZrO2、MgO、HFO2、Ta2O5、Si3N4、AlN、SiN、SiNO、SiO、SiO2、SiC、SiCNx、ITO、以及IZO。可用于制作有机层22的有机材料有多种。例如本实施例中可选有机层22为有机透明树脂，具体可选为有机酸掺杂的聚苯胺、交联单体和甲苯组成的透明导电树脂。
本实施例中，封装结构20采用先沉积各膜层再进行刻蚀的方法形成。如图4所示在显示基板10上沉积至少一层无机膜层21a和至少一层有机膜层22a以构成封装功能层之后，通过光刻刻蚀的方法刻蚀封装功能层，由此在显示基板10上形成封装每个显示区域11的封装结构20。刻蚀后的封装结构20至少包括一层无机层21和一层有机层22，能够有效阻挡水氧且柔韧度较高，刻蚀后的封装结构20的边界能够远离显示基板10的切割边，刻蚀后的封装结构20能够将显示基板10的显示区域11包裹在内。
需要说明的是，封装功能层中存在多层无机膜层时，刻蚀封装功能层中的不同无机膜层，基于刻蚀时间长度等因素的不同，刻蚀形成的封装结构的不同无机层可以存在差距较小的边界或者存在较小的刻蚀角，但不存在较大的刻蚀台阶。
本实施例中，封装结构采用先沉积各膜层再进行刻蚀的方法形成，则无需使用掩膜进行封装结构的沉积，也无需采用掩膜对位系统对掩膜进行对位，降低了封装工序复杂度和制作成本。其次，封装结构采用先沉积各膜层再进行刻蚀的方法形成，封装结构的膜层厚度均匀且表面平整，不会出现掩膜沉积造成的不同区域厚度不均的问题，避免了掩膜沉积的窗口效应。
可选的，如图5所示封装结构20的有机层22采用喷墨打印工艺形成。封装结构20的无机层21起阻隔水氧的作用，若封装结构20中有机层22的侧壁与无机层21的侧壁平齐，则水氧可能通过有机层22进入显示区域11，基于此，封装结构20中的无机层21需包裹有机层22以避免水氧进入显示区域11。可选采用喷墨打印工艺直接形成对应每个显示区域11的封装结构20的有机层22，封装结构20的有机层22能够起到提高封装结构20的柔韧性的缓冲作用。如此对至少一层无机膜层和至少一层有机膜层构成的封装功能层进行刻蚀后，形成的封装结构20的无机层21可包裹有机层22。
采用喷墨打印工艺形成有机层22，能够使得有机层22的边界比无机层21小，则有机层22的材料不会在封装结构20的侧面裸露，有效避免水氧从有机层22的侧面渗入，提高了封装结构20的密封性。
可选的，如图6所示显示面板还包括：形成在封装结构20上的触控结构30，触控结构30包括触控电极层31和覆盖触控电极层31的保护层32。触控结构30形成在封装结构20上，具有触控结构30的显示面板实现了触控功能。具体的，每个显示区域11对应一个触控结构30，触控结构30覆盖对应的显示区域11。
可选的，如图7所示封装结构20采用先沉积各膜层再以触控结构30作为掩膜进行刻蚀的方法形成。本实施例中先沉积各有机膜层22a和无机膜层21a以构成封装功能层20a，再以触控结构30作为掩膜对封装功能层20a进行刻蚀以形成封装每个显示区域11的封装结构20。采用触控结构30作为掩膜刻蚀形成封装结构20，无需采用独立的刻蚀掩膜，减少了制作工序，降低了制作成本。以及，基于每个显示区域11对应一个触控结构30，采用触控结构30作为掩膜刻蚀形成封装结构20，还能够准确制作对应每个显示区域11的封装结构20。
可选的，如图8所示显示面板还包括：位于显示基板10和封装结构20之间的刻蚀阻挡层40。刻蚀阻挡层40的刻蚀速率低于封装结构20的刻蚀速率，能够避免显示基板10被刻蚀而影响显示面板的性能。刻蚀阻挡层40可以很好的起到刻蚀终点的作用。刻蚀阻挡层40可以和封装功能层采用同一套掩膜进行刻蚀，以形成封装结构20，还不会刻蚀到显示基板10。需要说明的是，刻蚀形成封装结构20时，可以刻蚀到刻蚀阻挡层40的表面，保留较多的刻蚀阻挡层40，也可以对刻蚀阻挡层40进行过刻以避免不同显示区域11的封装结构20存在连接而影响封装效果。
可选的，刻蚀阻挡层40的厚度大于或等于10nm且小于或等于50nm。刻蚀阻挡层40的厚度过厚，会影响显示面板的显示效果，而刻蚀阻挡层40的厚度过薄，可能无法起到有效的刻蚀阻挡作用。可选的，刻蚀阻挡层40的组成材料包括氧化铝。氧化铝的刻蚀速率低于封装结构20中无机层21的刻蚀速率，能够起到良好的刻蚀阻挡效果。以及氧化铝形成的膜层为透明膜层，透明度较高，不会影响显示面板的显示效果。本领域技术人员可以理解，刻蚀阻挡层的组成材料可选为其它刻蚀速率低于封装结构中无机层的刻蚀速率的透明材料，在本发明中不进行具体限定。
可选的，刻蚀阻挡层40的厚度大于或等于10nm且小于或等于20nm。刻蚀阻挡层40的厚度过厚，会影响显示面板的显示效果，而刻蚀阻挡层40的厚度过薄，可能无法起到有效的刻蚀阻挡作用。可选的，刻蚀阻挡层的组成材料包括氧化钛。氧化钛的刻蚀速率低于封装结构20中无机层21的刻蚀速率，能够起到良好的刻蚀阻挡效果。而氧化钛形成的膜层在较厚时为不透明膜层，在厚度较薄的情况下，氧化钛膜层为透明膜层。基于此，可选氧化钛膜层的厚度为10nm～20nm，不仅能够起到刻蚀阻挡作用，且具有较高的透明度，不会影响显示面板的显示效果。
可选的，如图9所示显示面板还包括：位于显示基板10和封装结构20之间的挡墙结构50，挡墙结构50包括第一挡墙51和第二挡墙52，第一挡墙51围绕显示区域11，以及第二挡墙52围绕第一挡墙51。封装结构20覆盖挡墙结构50，则挡墙结构50与封装结构20的结合能够得到密封性更强的封装功能层，避免水汽从侧面侵入，提高显示面板的性能，延长显示面板的使用寿命。
封装功能层通常应用于柔性显示面板中，柔性显示面板的显示基板10的衬底基板通常为柔性有机材料。可选的，挡墙结构50的组成材料选取与显示基板10的衬底基板一致的材质，能够提高挡墙结构50与显示基板10的衬底基板之间的粘接性能，使得封装结构20与显示基板10的粘结性更强，进一步提高封装功能层的密封性。可选的，挡墙结构50可以包括多层的复合堆叠结构，如可以是显示面板中的平坦化层、像素限定层、间隔柱层等膜层中的一层或几层堆叠形成，挡墙结构50的组成材料可以为聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸类塑料(PET)等有机材料中的至少一种。
可选的，如图10～图14所示显示面板还包括：位于显示基板10和挡墙结构50之间的金属走线60，金属走线60围绕显示区域11。驱动芯片与金属走线60电连接，用于给金属走线60传输PVEE信号，使得金属走线60给像素电路提供PVEE电位。金属走线60围绕显示区域11，显示区域11的各个像素电路的PVEE端与金属走线60电连接，则显示区域11的各个像素电路的PVEE端的电位基本相同，降低了不同像素电路的PVEE端接收的PVEE电位的电压差。
可选的，显示基板还包括：数据线和像素电极，金属走线与显示基板的数据线同层，或者，金属走线与显示基板的像素电极同层。由此仅需沉积像素电极膜层，再通过刻蚀工艺同时形成像素电极和金属走线，减少了制造工序；或者，仅需沉积数据线膜层，再通过刻蚀工艺同时形成数据线和金属走线，减少了制造工序。
如图10～图11所示金属走线60在垂直于显示面板方向上的投影覆盖第一挡墙51；或者，如图12所示金属走线60在垂直于显示面板方向上的投影覆盖第一挡墙51且与第二挡墙52交叠。金属走线60的边界与挡墙结构50交叠且金属走线60的边界未超出挡墙结构50的第二挡墙52的边界，则挡墙结构50的第二挡墙52可作为边界保护金属走线60，在降低PVEE压降的同时，进一步提高了封装功能层的密封性。
具体的，金属走线60与显示基板10的数据线同层，或者，金属走线60与显示基板10的像素电极同层。则沉积金属膜层后，需要通过刻蚀工艺对金属膜层进行图案化，以同时形成像素电极和金属走线，或者，以同时形成数据线和金属走线，减少了制造工序；或者，仅需沉积数据线膜层，再通过刻蚀工艺，减少了制造工序。
通常需要采用湿法刻蚀技术形成围绕显示区域11的金属走线60，即金属走线60是采用刻蚀溶液腐蚀形成，刻蚀溶液中包括银离子。可选金属走线60为钛-铝-钛的叠层结构，其边界侧面的铝会漏出来，容易与刻蚀溶液中的银离子发生置换反应，基于此，第二挡墙52保护金属走线60的边界，能够避免金属走线60的边界在湿法刻蚀金属走线60的过程中被腐蚀。
可选如图13所示金属走线60在垂直于显示面板方向上的投影覆盖挡墙结构50，以及金属走线60的边界与第二挡墙52的边界平齐。或者，可选如图14所示金属走线60在垂直于显示面板方向上的投影覆盖挡墙结构50，以及金属走线60的边界超出第二挡墙52的边界。金属走线60的边界与第二挡墙52的边界平齐或超出第二挡墙52的边界，但金属走线60的边界未超出封装结构20的覆盖区域，则即使金属走线60的边界在湿法刻蚀金属走线60的过程中被部分腐蚀，在封装结构20的保护下水氧等杂质也无法通过金属走线60进入显示区域11。
此外，金属走线60的宽度越来越大，则金属走线60的线阻越来越小，相应的金属走线60的走线信号损耗越小，远离驱动芯片端的金属走线区域的PVEE电位与靠近驱动芯片端的金属走线区域的PVEE电位几乎一致，则显示区域11的各个像素电路的PVEE端的电位基本相同，进一步降低了不同像素电路的PVEE端接收的PVEE电位的电压差。
可选的，如图15所示显示面板还包括：形成在显示基板10上且与金属走线60同层设置的有机挡墙53，有机挡墙53围绕金属走线60，有机挡墙53在垂直于显示面板方向上的投影与金属走线60交叠。具体的，通常需要采用湿法刻蚀技术形成围绕显示区域11的金属走线60，即金属走线60是采用刻蚀溶液腐蚀形成，刻蚀溶液中包括银离子。可选金属走线60为钛-铝-钛的叠层结构，其边界侧面的铝会漏出来，容易与刻蚀溶液中的银离子发生置换反应，基于此，有机挡墙53保护金属走线60的边界，能够避免金属走线60的边界在湿法刻蚀金属走线60的过程中被腐蚀。在其他实施例中，还可选如图16所示挡墙结构50中仅包括第一挡墙51。可选显示面板还包括有机挡墙53，有机挡墙53保护金属走线60的边界，由此可实现窄边框。
可选的，金属走线60的边界与封装结构20的边界的距离大于或等于10微米。
如图13或图14所示，金属走线60的边界与封装结构20的边界的距离较小，则水汽可能通过无机层21的侧面进入金属走线60，进而进入显示基板10的显示区域11，影响显示面板的寿命和显示效果。而金属走线60的边界与封装结构20的边界的距离大于或等于10微米，则能够有效防止水汽从无机层21的侧面渗入，提高了显示面板的寿命和显示效果。
如图10～图12所示，金属走线60的边界未超出第二挡墙52，则第二挡墙52的边界与封装结构20的边界的距离较小，则水汽可能通过无机层21的侧面进入挡墙结构50，进而进入显示基板10的显示区域11，影响显示面板的寿命和显示效果。而第二挡墙52的边界与封装结构20的边界的距离大于或等于10微米，则能够有效防止水汽从无机层21的侧面渗入，提高了显示面板的寿命和显示效果。
如图15和图16所示，金属走线60的边界未超出有机挡墙53，则有机挡墙53的边界与封装结构20的边界的距离较小，则水汽可能通过无机层21的侧面进入有机挡墙53，进而进入显示基板10的显示区域11，影响显示面板的寿命和显示效果。而有机挡墙53的边界与封装结构20的边界的距离大于或等于10微米，则能够有效防止水汽从无机层21的侧面渗入，提高了显示面板的寿命和显示效果。
需要说明的是，可选的，在上述各实施例的基础上，例如图9-图16所示形成封装功能层之后，还包括：在封装功能层上形成多个触控结构，触控结构与显示区域对应设置，触控结构包括触控电极层和覆盖触控电极层的保护层。可选的，刻蚀封装功能层以形成相互分离的多个封装结构包括：以多个触控结构作为掩膜，刻蚀封装功能层以形成相互分离的多个封装结构。采用触控结构作为封装功能层的光刻过程的掩膜，能够形成封装每个显示区域的封装结构，并且无需独立设置光刻掩膜，减少了制作成本和制作工序。
此外，本领域内技术人员应该理解，本申请前述实施例仅是以有机发光显示面板为例进行说明，但不应被认为是对本案造成限定。实际上，在其他一些实现方式中，本申请所指的显示面板也可以是微发光二极管显示面板(microLED，μLED)，或量子点发光二极体显示面板(QLED)等其他可能的面板类型。
如图17和图18所示，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，该显示面板为上述任一实施例所述的显示面板，该显示面板的制作方法包括：
步骤110、提供一显示基板10，显示基板10包括多个显示区域11；
步骤120、在显示基板10上沉积多个膜层以形成封装功能层20a，多个膜层包括至少一层无机层21a和至少一层有机层22a；
步骤130、刻蚀封装功能层20a以形成相互分离的多个封装结构20，封装结构20封装显示区域11；
步骤140、对刻蚀后的显示基板10进行切割以形成显示面板。
本发明实施例涉及一种柔性显示面板的制作方法，尤其涉及柔性显示面板的封装结构的沉积和图形化的方法，具体的采用光刻工艺图形化封装结构，用于解决现有柔性显示面板采用化学气相沉积法存在的问题，能够使封装结构的成膜更均匀。
本实施例中，封装结构采用先沉积各膜层再进行光刻刻蚀的方法形成，则无需使用掩膜进行封装结构的沉积，也无需采用掩膜对位系统对掩膜进行对位，降低了封装工艺复杂度和制作成本。其次，封装结构采用先沉积各膜层再进行刻蚀的方法形成，封装结构的膜层厚度均匀且表面平整，不会出现掩膜沉积造成的不同区域厚度不均的问题，避免了掩膜沉积的窗口效应。
可选的，如图19所示形成封装功能层20a之后，还包括：在封装功能层20a上形成多个触控结构30，触控结构30与显示区域11对应设置，触控结构30包括触控电极层31和覆盖触控电极层31的保护层32。可选的，刻蚀封装功能层20a以形成相互分离的多个封装结构20包括：以多个触控结构30作为掩膜，刻蚀封装功能层20a以形成相互分离的多个封装结构20。每个触控结构30对应一个显示区域11，采用触控结构30作为封装功能层20a的光刻过程的掩膜，能够形成封装每个显示区域11的封装结构20，并且无需独立设置光刻掩膜，减少了制作成本和制作工序。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括：如上任一实施例所述的显示面板，其中，显示装置可以是例如触摸显示屏、手机、平板计算机、笔记本电脑或电视机等任何具有显示功能的电子设备。显示装置的类型可以是OLED显示装置，也可以是microLED，或QLED等其他类型的显示装置，本申请对此不做限定。
可选该显示面板为柔性有机发光显示面板，并采用封装结构进行封装。此外，本领域内技术人员应该理解，本申请前述实施例仅是以有机发光显示面板为例进行说明，但不应被认为是对本案造成限定。实际上，在其他一些实现方式中，本申请所指的显示面板也可以是微发光二极管显示面板(micro LED，μLED)，或量子点发光二极体显示面板(QLED)等其他可能的面板类型。
本发明实施例中，显示面板的封装结构采用先沉积各膜层再进行光刻刻蚀的方法形成，则无需使用掩膜进行封装结构的沉积，也无需采用掩膜对位系统对掩膜进行对位，降低了封装工艺复杂度和制作成本。其次，封装结构采用先沉积各膜层再进行刻蚀的方法形成，封装结构的膜层厚度均匀且表面平整，不会出现掩膜沉积造成的不同区域厚度不均的问题，避免了掩膜沉积的窗口效应。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (19)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
显示基板，所述显示基板包括至少一个显示区域；
封装所述显示区域的封装结构，所述封装结构包括至少一层无机层和至少一层有机层，所述封装结构采用先沉积各膜层再进行刻蚀的方法形成。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述封装结构的有机层采用喷墨打印工艺形成。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
形成在所述封装结构上的触控结构，所述触控结构包括触控电极层和覆盖所述触控电极层的保护层。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述封装结构采用先沉积各膜层再以所述触控结构作为掩膜进行刻蚀的方法形成。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：位于所述显示基板和所述封装结构之间的刻蚀阻挡层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度大于或等于10nm且小于或等于50nm。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的组成材料包括氧化铝。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的厚度大于或等于10nm且小于或等于20nm。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述刻蚀阻挡层的组成材料包括氧化钛。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述显示基板和所述封装结构之间的挡墙结构，所述挡墙结构包括第一挡墙和第二挡墙，所述第一挡墙围绕所述显示区域，以及所述第二挡墙围绕所述第一挡墙。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，还包括：
位于所述显示基板和所述挡墙结构之间的金属走线，所述金属走线围绕所述显示区域。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述显示基板还包括：数据线和像素电极，所述金属走线与所述显示基板的数据线同层，或者，所述金属走线与所述显示基板的像素电极同层。
13.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述金属走线在垂直于所述显示面板方向上的投影覆盖所述第一挡墙；或者，
所述金属走线在垂直于所述显示面板方向上的投影覆盖所述第一挡墙且与所述第二挡墙交叠；或者，
所述金属走线在垂直于所述显示面板方向上的投影覆盖所述挡墙结构，以及所述金属走线的边界与所述第二挡墙的边界平齐；或者，
所述金属走线在垂直于所述显示面板方向上的投影覆盖所述挡墙结构，以及所述金属走线的边界超出所述第二挡墙的边界。
14.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，所述金属走线的边界与所述封装结构的边界的距离大于或等于10微米。
15.根据权利要求11所述的显示面板，其特征在于，还包括：
形成在所述显示基板上且与所述金属走线同层设置的有机挡墙，所述有机挡墙围绕所述金属走线，所述有机挡墙在垂直于所述显示面板方向上的投影与所述金属走线交叠。
16.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一显示基板，所述显示基板包括多个显示区域；
在所述显示基板上沉积多个膜层以形成封装功能层，所述多个膜层包括至少一层无机层和至少一层有机层；
刻蚀所述封装功能层以形成相互分离的多个封装结构，所述封装结构封装所述显示区域；
对刻蚀后的显示基板进行切割以形成显示面板。
17.根据权利要求16所述的制作方法，其特征在于，形成封装功能层之后，还包括：
在所述封装功能层上形成多个触控结构，所述触控结构与所述显示区域对应设置，所述触控结构包括触控电极层和覆盖所述触控电极层的保护层。
18.根据权利要求17所述的制作方法，其特征在于，刻蚀所述封装功能层以形成相互分离的多个封装结构包括：
以所述多个触控结构作为掩膜，刻蚀所述封装功能层以形成相互分离的多个封装结构。
19.一种显示装置，其特征在于，包括：如权利要求1-15任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711058392.7A CN107845737B (zh) | 2017-11-01 | 2017-11-01 | 一种显示面板及其制作方法、以及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711058392.7A CN107845737B (zh) | 2017-11-01 | 2017-11-01 | 一种显示面板及其制作方法、以及显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107845737A true CN107845737A (zh) | 2018-03-27 |
| CN107845737B CN107845737B (zh) | 2020-04-03 |
Family
ID=61682161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711058392.7A Active CN107845737B (zh) | 2017-11-01 | 2017-11-01 | 一种显示面板及其制作方法、以及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107845737B (zh) |
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |